JP2000313815A

JP2000313815A - 研磨助剤

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Publication number: JP2000313815A
Application number: JP12449899A
Authority: JP
Inventors: Yoichi Ishibashi; 洋一石橋; Toshiki Souwa; 利樹宗和; Yasuhisa Fukumoto; 泰久福本
Original assignee: Kao Corp
Current assignee: Kao Corp
Priority date: 1999-04-30
Filing date: 1999-04-30
Publication date: 2000-11-14
Anticipated expiration: 2019-04-30
Also published as: JP4278773B2

Abstract

(57)【要約】【課題】各種砥粒を用いて半導体基板又は半導体素子を
高速で研磨する場合であっても、良好な研磨加工精度及
び表面状態を与えることができる研磨助剤及びそれを含
有する研磨液組成物を提供すること。【解決手段】水溶性高分子を含有してなる半導体基板用
又は半導体素子用研磨助剤であって、一次粒径が１０〜
１００ｎｍである砥粒の１０重量％水スラリー１００重
量部に対し、該水溶性高分子を０．０５重量部添加した
時の、２５℃における該水溶性高分子の砥粒への吸着率
が５０重量％以上である半導体基板用又は半導体素子用
研磨助剤、並びに、砥粒と研磨助剤と水を含む研磨液組
成物であって、当該研磨助剤の一種が本発明の半導体基
板用又は半導体素子用研磨助剤である半導体基板用又は
半導体素子用研磨液組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハー、
半導体、各種メモリーといった半導体基板又は半導体素
子の研磨に使用される研磨助剤及び研磨液組成物に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子表面の平坦化を行うための手
法として、グローバルプラナリゼーション（完全平坦
化）が達成できるという利点があることから、最近では
化学的研磨と機械的研磨とを組み合わせたケミカルメカ
ニカル研磨加工(Chemical Mechanical Polishing: CMP)
による平坦化が検討されている。そして、かかる手法に
おいて用いられる砥粒として、酸化アルミニウム、酸化
ケイ素や酸化セリウム系研磨剤が検討されている。しか
しながら、かかる手法を用いても、研磨速度を上昇した
場合には、研磨加工精度や研磨後の半導体基板又は半導
体素子表面状態を満足させることができなかった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、各種砥粒を用いて半導体基板又は半導体素子を高速
で研磨する場合であっても、良好な研磨加工精度及び表
面状態を与えることができる研磨助剤及びそれを含有す
る研磨液組成物を提供することにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、（１）
水溶性高分子を含有してなる半導体基板用又は半導体素
子用研磨助剤であって、一次粒径が１０〜１００ｎｍで
ある砥粒の１０重量％水スラリー１００重量部に対し、
該水溶性高分子を０．０５重量部添加した時の、２５℃
における該水溶性高分子の砥粒への吸着率が５０重量％
以上である半導体基板用又は半導体素子用研磨助剤、
（２）砥粒と研磨助剤と水を含む研磨液組成物であっ
て、当該研磨助剤の一種が前記（１）記載の半導体基板
用又は半導体素子用研磨助剤である半導体基板用又は半
導体素子用研磨液組成物、に関するものである。

【０００５】

【発明の実施の形態】１．半導体基板用又は半導体素子
用研磨助剤本発明の研磨助剤は、砥粒への吸着率が５０重量％以上
となる水溶性高分子を含有してなる。吸着率は、一次粒
径が１０〜１００ｎｍである砥粒の１０重量％水スラリ
ー１００重量部に対して該水溶性高分子を０．０５重量
部添加し、２５℃で攪拌を行ったのち、水に溶けている
未吸着分の全有機炭素量を定量、算出することにより計
算された値である。本発明において、かかる水溶性高分
子を用いることにより、研磨速度が向上するとともに、
研磨加工精度や研磨後の表面状態が良好となるという効
果が発揮されるため、好ましい。水溶性高分子の砥粒へ
の吸着率としては５５〜１００重量％が好ましく、６０
〜１００重量％がより好ましい。

【０００６】該水溶性高分子化合物としては、吸着率向
上の点からアルキレンオキシド付加物が好ましい。アル
キレンオキシドとしては、エチレンオキシド、プロピレ
ンオキシドが挙げられる。水溶性高分子化合物がアルキ
レンオキシド付加物である場合、該水溶性高分子のアル
キレンオキシド中エチレンオキシド平均付加モル数は１
０以上が好ましく、１５〜２０００がより好ましく、２
０〜１０００が特に好ましい。具体例としては、ポリエ
チレングリコール、ポリオキシエチレンモノエーテル
類、ポリオキシエチレンジエーテル類、エチレンオキシ
ドとプロピレンオキシドの重合体、多価アルコールのア
ルキレンオキシド付加物とその脂肪酸エステル類、脂肪
族アミンのアルキレンオキシド付加物、ポリオキシエチ
レングリコールの脂肪酸エステル類や重合可能な不飽和
基を持つ有機酸単量体と重合可能な不飽和基を持つアル
キレンオキシドユニットを含有する単量体の共重合物等
が挙げられる。これらの内、ポリエチレングリコール、
ポリエチレングリコールモノエーテル類、エチレンオキ
シドとプロピレンオキシドの重合体、重合可能な不飽和
基を持つ有機酸単量体と重合可能な不飽和基を持つアル
キレンオキシドユニットを含有する単量体の共重合物が
好ましい。さらに好ましくは、ポリエチレングリコー
ル、ポリエチレングリコールアルキルエーテル、エチレ
ンオキシドとプロピレンオキシドのブロック重合体、構
造単位（ａ）と構造単位（ｂ）とを必須の構造単位とし
て有する共重合物が好ましい。特にエチレンオキシドと
プロピレンオキシドのブロック重合体ではポリプロピレ
ングリコールのエチレンオキシド付加物が好ましい。ま
た、構造単位（ａ）と構造単位（ｂ）とを必須の構造単
位として有する共重合物（以下、共重合物という。）で
は、構造単位（ａ）と構造単位（ｂ）とのモル比は、
（ａ）／（ｂ）＝５／９５〜９８／２の範囲が好まし
く、１０／９０〜９５／５の範囲がより好ましく、２０
／８０〜９０／１０の範囲が特に好ましい。モル比は、
被研磨面の表面状態を良好に維持する点から５／９５以
上が好ましく、研磨速度の低下を抑える点から９８／２
以下が好ましい。

【０００７】構造単位（ａ）は、式（Ａ）で表される構
造単位からなる群より選ばれる一種以上である。即ち、
構造単位（ａ）としては、次の式で表される構造単位の
いずれか一種類のみであっても良く、複数種類が混在し
ていても良い。式（Ａ）：

【０００８】

【化３】

【０００９】（式中、Ｒ₁〜Ｒ₃は同一でも異なってい
ても良く、水素原子、メチル基又は−（ＣＨ₂）ｍ₁Ｃ
ＯＯＭ₂を表し、Ｍ₁及びＭ₂は同一でも異なっていて
も良く、水素原子、アルカリ金属原子、アルカリ土類金
属原子、アンモニウム又は有機アンモニウムを表し、ｍ
₁は０〜２の整数を表す。）。ここで、上記アルカリ金
属原子としてはリチウム、ナトリウム、カリウムが挙げ
られる。上記アルカリ土類金属原子としてはマグネシウ
ム、カルシウムが挙げられる。有機アンモニウムを与え
る有機アミンとしてはモノエタノールアミン、ジエタノ
ールアミン、トリエタノールアミン等のアルカノールア
ミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、トリメチルア
ミン等のアルキルモノアミン、エチレンジアミン、ジエ
チレントリアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル
エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルア
ミン等の多価アミン及びそれらのエチレンオキシド付加
物等、及びこれらの混合物が挙げられる。好ましくはア
ンモニウムと有機アンモニウムである。

【００１０】式（Ａ）で表される構造単位を与える化合
物の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、クロ
トン酸及びこれらの塩；無水マレイン酸、マレイン酸、
無水イタコン酸、イタコン酸、無水シトラコン酸、シト
ラコン酸及びフマル酸等の不飽和ジカルボン酸系単量体
及びこれらのアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、ア
ンモニウム塩、有機アンモニウム塩が挙げられる。

【００１１】構造単位（ｂ）は、式（Ｂ）：

【００１２】

【化４】

【００１３】（式中、Ｒ₄〜Ｒ₅は同一でも異なってい
ても良く、水素原子又はメチル基を表し、Ａはエチレン
基単独又はエチレン基とプロピレン基の混合、ｍ₂は０
〜２の整数、ｎは２〜３００の数、Ｘは−Ｏ−又は−Ｃ
ＯＯ−を示し、Ｙは水素原子又は炭素数１〜３のアルキ
ル基をそれぞれ表す。）で表される。ここで、Ａはエチ
レン基だけ又はエチレン基及びプロピレン基が混合した
複数種の基から構成されていても良い。ｎは４〜１５０
の数がより好ましい。Ｙのアルキル基としては、メチル
基、エチル基、プロピル基が挙げられる。

【００１４】構造単位（ｂ）を与える単量体成分の具体
例としては、メトキシポリエチレングリコール、メトキ
シポリエチレンポリプロピレングリコール、エトキシポ
リエチレングリコール、エトキシポリエチレンポリプロ
ピレングリコール、プロポキシポリエチレングリコー
ル、プロポキシポリエチレンポリプロピレングリコール
等の片末端アルキル封鎖ポリアルキレングリコールとア
クリル酸、メタクリル酸又は脂肪酸の脱水素（酸化）反
応物とのエステル化物や、アクリル酸、メタクリル酸又
は脂肪酸の脱水素（酸化）反応物のエチレンオキシド、
プロピレンオキシド付加物、アリルアルコール、メタア
リルアルコールのエチレンオキシド、プロピレンオキシ
ド付加物等が用いられる。ポリアルキレングリコールの
平均付加モル数は２〜３００が好ましい。エチレンオキ
シド、プロピレンオキシドの両付加物についてはランダ
ム付加、ブロック付加、交互付加等のいずれでも用いる
ことができる。被研磨表面への吸着性の低下や、加工精
度における平滑化特性の悪化を抑える点から、上記ポリ
アルキレングリコールの平均付加モル数は２以上が好ま
しく、重合性の低下や、研磨粒子及び研磨粉の分散性能
の悪化を抑える点から、３００以下が好ましい。

【００１５】共重合物は、式（Ａ）で表される構造単位
を与える化合物、並びに式（Ｂ）で表される構造単位を
与える化合物からなる群より選ばれる一種以上の化合物
を単量体として、公知の方法で製造することができる。
例えば、特開昭５９−１６２１６３号公報、特公平２−
１１５４２号公報、特公平２−７９０１号公報、特公平
２−７８９７号公報等に記載の溶媒重合法が挙げられ
る。

【００１６】共重合物の合成における溶媒重合法におい
て用いる溶剤としては、水、メチルアルコール、エチル
アルコール、イソプロピルアルコール、ベンゼン、トル
エン、キシレン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、脂肪
族炭化水素、酢酸エチル、アセトン、メチルエチルケト
ン等が挙げられる。取扱と反応設備から考慮すると水及
び１〜４級アルコールが好ましい。

【００１７】共重合物の合成における水系の溶媒におい
ては、過硫酸アンモニウム塩及び過酸化水素等の水溶性
の重合開始剤を用いる。水系以外の溶媒においては、ア
ゾビスイソブチロニトリル、ベンゾイルパーオキシド、
ラウロイルパーオキシド等の重合開始剤を用いる。

【００１８】また、重合開始剤と併用して、促進剤とし
て亜硫酸水素アンモニウム、メルカプトエタノール又は
アミン化合物を使用することも可能であり、これら重合
開始剤あるいは促進剤を適宜選択して用いることができ
る。

【００１９】共重合物の重量平均分子量は、ゲルパーミ
ュエーションクロマトグラフィーによりポリスチレンス
ルホン酸換算で求めた場合、５００〜５０万の範囲が好
ましく、５０００〜１０万がより好ましい。被研磨面の
平滑化特性の悪化を抑える点から５００以上が好まし
く、研磨速度の低下を抑える点から５０万以下が好まし
い。

【００２０】本発明の効果を損なわない範囲内で、共重
合可能な他の単量体を用いて共重合物を製造しても良
い。係る単量体成分としては、例えば、アクリロニトリ
ル、アクリル酸エステル、アクリルアミド、メタクリル
アミド、スチレン、アリルスルホン酸、メタクリルスル
ホン酸、スチレンスルホン酸等が挙げられる。

【００２１】水溶性高分子の研磨助剤中の含有量は、研
磨特性維持の点から研磨助剤の０．０１〜１００重量％
が好ましく、０．１〜１００重量％がより好ましく、
０．５〜１００重量％が特に好ましい。本発明の研磨助
剤は、さらに他の成分、例えば、ポリオキシエチレンモ
ノアルキルエーテル等の非イオン活性剤、アルキルベン
ゼンスルホン酸アンモニウム塩、アルキル硫酸アンモニ
ウム塩等の陰イオン活性剤及びポリアクリル酸アンモニ
ウム塩やポリビニルアルコール等の水溶性高分子を含有
していても良い。

【００２２】２．半導体基板用又は半導体素子用研磨液
組成物本発明の研磨助剤を砥粒スラリーに添加して研磨液組成
物として用いることができる。具体的には、本発明の研
磨液組成物は、本発明の研磨助剤、砥粒及び水を含有し
てなる。かかる研磨液組成物は、研磨時の半導体基板や
半導体素子の表面欠陥の発生を抑制し、研磨速度及び研
磨精度の向上を図り得るという優れた性能を示す。な
お、研磨液組成物には、本発明の研磨助剤以外の公知の
研磨助剤が含有されていても良い。さらに、研磨液組成
物は研磨促進剤として過酸化水素や過硫酸アンモニウム
等の酸化剤・エッチング剤を含有しても良い。また、砥
粒の沈降防止の観点から他の水溶性高分子や界面活性剤
を併用しても良い。

【００２３】本発明の研磨助剤及び研磨液組成物は、表
面欠陥の発生の抑制効果や、研磨速度及び研磨精度の向
上効果が発揮されるため、CMP 技術が適用される半導体
基板や半導体素子の研磨の際に好適に用いられ、例え
ば、ＳｉＯ₂膜、ＳｉＯＦ膜、有機ＳＯＧ膜等が挙げら
れ、取り分け、ＳｉＯ₂絶縁膜等の半導体基板の層間絶
縁膜や半導体素子上の絶縁膜の研磨に有用である。即
ち、本発明においては、被研磨体としてかかる絶縁膜が
好適な研磨対象である。

【００２４】本発明の研磨液組成物において、水溶性高
分子の配合量は、砥粒１００重量％に対して０．０１〜
３０重量％が好ましく、０．１〜１０重量％がより好ま
しい。十分な研磨加工精度を得る点から０．０１重量％
以上が好ましく、研磨速度の低下を抑える点から３０重
量％以下が好ましい。また、水溶性高分子の含有量は、
研磨特性維持の点から研磨液組成物の０．０００５〜１
２重量％が好ましく、０．００１〜１０重量％がより好
ましく、０．００５〜１０重量％が特に好ましい。

【００２５】砥粒としては、高純度の酸化ケイ素、酸化
セリウム、酸化アルミニウム、酸化鉄、炭化ケイ素、窒
化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化チタン等を好ましく
用いることができる。より好ましくは、酸化ケイ素、酸
化セリウム、酸化アルミニウムであり、層間絶縁膜であ
るＳｉＯ₂膜の研磨には、酸化ケイ素、酸化セリウムが
特に好ましい。これら砥粒は単独で用いても良く、二種
以上を混合して用いても良い。半導体基板や半導体素子
の汚染防止のため、砥粒の純度は９９％以上のものが好
ましく、９９．５％以上の高純度品がより好ましい。ま
た、砥粒は、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属イ
オンやα線の発生源になり得る放射性元素等の不純物を
含まない方がよい。

【００２６】砥粒の平均粒径は０．００１〜５．０μｍ
のものが好ましく、０．０１〜３．０μｍのものがより
好ましい。研磨速度の低下を抑える点から０．００１μ
ｍ以上が好ましく、被研磨表面の傷の発生を防ぐ点から
５．０μｍ以下が好ましい。なお、砥粒の平均粒径は、
研磨液組成物０．１ｇを乾燥させて得られたものを走査
型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察して画像解析により求め
たものである。

【００２７】研磨液組成物中の砥粒の含有量は、０．１
〜４０重量％の範囲が好ましく、０．５〜３０重量％の
範囲がより好ましい。研磨速度の低下を抑える点から
０．１重量％以上が好ましく、研磨圧力の低下や供給ム
ラを抑える点から４０重量％以下が好ましい。係る研磨
液組成物のｐＨは３〜１３の範囲で使用することが好ま
しい。砥粒が酸化セリウムの場合にはｐＨ５〜１０の範
囲がより好ましく、層間絶縁膜を研磨する場合における
砥粒が酸化ケイ素の場合では、アンモニア水等の添加に
よりｐＨ９〜１２の範囲で使用するのがより好ましい。

【００２８】本発明の研磨助剤及びそれを用いた研磨液
組成物の使用時の研磨条件については、市販の片面研磨
機、両面研磨機を用いて、押し圧、定盤回転数、スラリ
ー供給量、研磨時間は通常の条件を使用できる。また、
研磨パッドとしては発泡ウレタン又は特殊樹脂加工をほ
どこした不織布を用いることが好ましいが、これらに限
定されるものではない。

【００２９】

【実施例】以下で使用したポリアルキレングリコールは
市販品を用いた。又、以下に有機酸単量体とアルキレン
オキシドユニット含有単量体の共重合物の製造例を示
す。Ｂ１〜５にアルキレンオキシドユニットを含有する
単量体を示す。又、比較のため、Ｂ−６を用いた。ただ
し、ＥＯはエチレンオキシド、ＰＯはプロピレンオキシ
ドを表す。Ｂ−１：メタノールＥＯ／メタクリル酸モノエステル
（ＥＯ付加モル数＝１１５）Ｂ−２：メタノールＥＯ／アクリル酸モノエステル（Ｅ
Ｏ付加モル数＝５１）Ｂ−３：アクリル酸ＥＯ付加物（ＥＯ付加モル数＝２
０）Ｂ−４：アクリル酸ＥＯ／ＰＯブロック付加物（ＥＯ付
加モル数＝１３５、ＰＯ付加モル数＝５）Ｂ−５：アリルアルコールＥＯ付加物（ＥＯ付加モル数
＝１５）Ｂ−６：メタクリル酸モノメチルエステル

【００３０】共重合物製造例攪拌機付き反応容器に水１０モルを仕込み、攪拌しなが
ら窒素置換し、窒素雰囲気中で７５℃まで昇温した。１
モルのアクリル酸、０．０９モルのＢ−１及び水７．５
モルを混合したもの、２０％過硫酸アンモニウム水溶液
１２．２ｇ及び２−メルカプトエタノール４ｇの三者
を、それぞれ同時に上記反応容器に２時間かけて滴下し
た。次に２０％過硫酸アンモニウム水溶液３６．６ｇを
３０分間かけて滴下し、１時間同温度（７５℃）を維持
して熟成した。熟成後、９５℃に昇温して、３５％過酸
化水素水溶液１２ｇを１時間かけて滴下し、２時間同温
度（９５℃）を維持して熟成した。熟成終了後、アルカ
リで中和し、分子量２２０００の共重合物（試料番号
ｄ）を得た。さらに、同様の方法によって表１に示す試
料番号のポリアルキレングリコール、共重合物を調製し
た。なお、共重合物の重量平均分子量は、ゲルパーミュ
エーションクロマトグラフィーにより、ポリスチレンス
ルホン酸ナトリウムに換算して求めた。

【００３１】

【表１】

【００３２】砥粒砥粒Ａ（ヒュームドシリカ、一次粒径３０ｎｍ、純度９
９．９重量％以上、アエロジル社製：アエロジル５０）砥粒Ｂ（酸化セリウム、一次粒径１０〜１００ｎｍ、純
度９９．９重量％以上、阿南化成社製：Ｓ２タイプ）

【００３３】基板シリカ薄膜が形成されたシリコンウエハを大量に入手す
ることが困難なため、研磨加工評価に必要な特性が近似
している溶融石英ガラスを、半導体素子である基板とし
て用いた。

【００３４】〔研磨加工条件〕研磨機：ＭＵＳＡＳＨＩＮＯＤＥＮＫＩ社製：ＭＡ−
３００研磨条件研磨圧力：２００ｇｆ／ｃｍ² 定盤回転数：６０ｒｐｍ被研磨材保持台回転数：６０ｒｐｍ研磨液組成物供給量：２Ｌ／分研磨時間：１０分間研磨布：ロデール・ニッタ社製：ＩＣ１０００（２層タ
イプ）

【００３５】〔評価方法〕水溶性高分子の吸着率（重量％）：１００ｍＬスクリュ
ー管に砥粒Ａを５ｇ、純水３５ｇ、水溶性高分子（有効
分）０．０２５ｇを入れ、手にて振とうしながら、ｐＨ
が１１．０になるように１０％アンモニア水を加えた。
この砥粒スラリーの全体量が５０．０２５ｇになるよう
に純水を加えた。このスラリーを手で５分間振とうした
後、２時間放置し、次いで遠心分離器（日立工機株式会
社製ｈｉｍａｃＣＰ５６Ｇ）で回転数１００００ｒ
ｐｍで１時間遠心分離を行った。その上澄み液を島津製
作所製ＴＯＣ−５００で該上澄み液中の全炭素濃度を測
定した。この炭素濃度と、既知濃度の水溶性高分子水溶
液の炭素濃度との比較を行い、未吸着の水溶性高分子重
量％を算出し、そして砥粒に吸着した水溶性高分子重量
％を算出した。測定結果を表１に示す。なお、一連の操
作におけるスラリーの温度は２５℃とした。

【００３６】相対研磨速度：研磨前後の基板の厚さを隣
接２辺から５ｍｍの距離の点と中心点の５点をマイクロ
メーターで測定し、研磨厚を測定した。研磨助剤無添加
の研磨液組成物を基準として相対値を求めた。相対研磨精度：上記５点の研磨厚の最大値と最小値の差
を算出し、研磨助剤無添加の研磨液組成物を基準として
相対値を求めた。表面状態：研磨後の基板表面を光学顕微鏡（微分干渉顕
微鏡）を用いて倍率×１００で９０度おきに４ヵ所観察
した。傷が全くなかったものをＡ、傷が少し見られたも
のをＢ、多く傷が見られたものをＣとした。

【００３７】実施例１〜１０、比較例１〜６研磨液組成物全体に対し、砥粒Ａが１５重量％、水溶性
高分子化合物が０．０５重量％、アンモニア水でｐＨが
１１、残分が水になるように仕込み、攪拌を行って、各
水溶性高分子化合物を含有する砥粒Ａの研磨液組成物を
得た。これらの研磨液を用いたときの相対研磨速度、相
対研磨精度、表面状態を表２に示す。

【００３８】

【表２】

【００３９】実施例１１〜２０、比較例７〜１２研磨液組成物全体に対し、砥粒Ａが３重量％、水溶性高
分子化合物が０．２重量％、アンモニア水でｐＨが８、
残分が水になるように仕込み、攪拌を行って、各水溶性
高分子化合物を含有する砥粒Ｂの研磨液組成物を得た。
これらの研磨液を用いたときの相対研磨速度、相対研磨
精度、表面状態を表３に示す。

【００４０】

【表３】

【００４１】表２及び表３に示すように、化合物の構造
が本発明の範囲外の例（比較例１〜１２）では、研磨速
度を高めることができず、研磨精度及び表面状態も満足
できるものではなかった。

【００４２】

【発明の効果】本発明の研磨助剤及び研磨液組成物は、
半導体素子表面や半導体基板表面に傷を与えることな
く、高い研磨速度、研磨精度を提供する。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ０９Ｋ 3/14 ５５０Ｃ０９Ｋ 3/14 ５５０ＺＨ０１Ｌ 21/304 ６２２Ｈ０１Ｌ 21/304 ６２２Ｄ (72)発明者福本泰久和歌山市湊1334番地花王株式会社研究所内Ｆターム(参考） 3C047 GG00 4J002 BG011 BG071 BH021 CH021 DE096 DE116 DE136 DE146 DJ006 DJ016 FD016 GT00 HA06

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】水溶性高分子を含有してなる半導体基板
用又は半導体素子用研磨助剤であって、一次粒径が１０
〜１００ｎｍである砥粒の１０重量％水スラリー１００
重量部に対し、該水溶性高分子を０．０５重量部添加し
た時の、２５℃における該水溶性高分子の砥粒への吸着
率が５０重量％以上である半導体基板用又は半導体素子
用研磨助剤。
【請求項２】水溶性高分子がアルキレンオキシド付加
物であって、該水溶性高分子のエチレンオキシド平均付
加モル数が１０以上である請求項１記載の研磨助剤。
【請求項３】水溶性高分子が、式（Ａ）：【化１】（式中、Ｒ₁〜Ｒ₃は同一でも異なっていても良く、水
素原子、メチル基又は−（ＣＨ₂）ｍ₁ＣＯＯＭ₂を表
し、Ｍ₁及びＭ₂は同一でも異なっていても良く、水素
原子、アルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、アン
モニウム又は有機アンモニウムを表し、ｍ₁は０〜２の
整数を表す。）で表される構造単位からなる群より選ば
れる一種以上の構造単位（ａ）と、式（Ｂ）：【化２】（式中、Ｒ₄〜Ｒ₅は同一でも異なっていても良く、水
素原子又はメチル基を表し、Ａはエチレン基単独又はエ
チレン基とプロピレン基の混合、ｍ₂は０〜２の整数、
ｎは２〜３００の数、Ｘは−Ｏ−又は−ＣＯＯ−を示
し、Ｙは水素原子又は炭素数１〜３のアルキル基をそれ
ぞれ表す。）で表される構造単位からなる群より選ばれ
る一種以上の構造単位（ｂ）とを必須の構造単位として
有する、重量平均分子量が５００〜５０万の共重合物で
ある請求項１又は２記載の研磨助剤。
【請求項４】砥粒と研磨助剤と水を含む研磨液組成物
であって、当該研磨助剤の一種が請求項１〜３いずれか
記載の半導体基板用又は半導体素子用研磨助剤である半
導体基板用又は半導体素子用研磨液組成物。