JP2000307052A - 充電電池の保護回路モジュールおよびその製造方法 - Google Patents
充電電池の保護回路モジュールおよびその製造方法Info
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Abstract
減でき、しかも充電電池パックの薄型化、小型化、なら
びに製造コストの低減を図ることのできる充電電池の保
護回路モジュールを提供する。 【解決手段】 回路基板1に、少なくとも充放電用の電
界効果トランジスタを含む任意数の半導体回路部品5
a,5b,6 と、任意数の受動回路部品7,8a〜8
c,9a〜9gとが実装された充電電池の保護回路モジ
ュールであって、半導体回路部品5a,5b,6 は、ベ
アチップの状態で回路基板1にフェイスダウン実装され
ている。
Description
路モジュール、およびその製造方法に関する。
の、充電電池パックには、過充電を防止するなどの目的
で保護回路が内蔵されている。
回路モジュールは、図5に示すように、基板本体51a
と、この基板本体51aの隅部から突出する突出部51
bとからなる回路基板51を備えている。回路基板51
上には、充電電池としてのリチウムイオンバッテリー
(図示せず)の陽極あるいは陰極に直接あるいは他の導
体を介して電気的に接続される導体板52,53の一端
部が半田などにより取り付けられている。回路基板51
上には、さらに、配線パターン(図示せず)が形成され
ているとともに、端子台54や、保護回路を構成する各
種電子部品が実装されている。端子台54には、充電電
池パックの外部との間の電力の入出力のための端子を構
成する導体板54a〜54dが配設されている。上記電
子部品は、半導体回路部品としての電界効果トランジス
タ55a,55bおよび制御用IC(integrated circu
it)56と、複数の受動回路部品57a〜57kであ
る。受動回路部品57a〜57kは、たとえば、抵抗
器、キャパシタ、サーミスタなどである。電界効果トラ
ンジスタ55a,55bおよび制御用IC56は、それ
ぞれ樹脂パッケージされており、樹脂パッケージから突
出したリード端子を回路基板51に半田付けすることに
より実装されている。
ーンを介して導体板54aに電気的に直接接続されてお
り、導体板53は、回路基板51上の配線パターンや回
路基板51上に実装された電界効果トランジスタ55
a,55bなどを介して導体板54dに電気的に接続さ
れている。
パッケージされた電界効果トランジスタ55a,55b
および制御用IC56を回路基板51に実装しているの
で、以下のような解決すべき課題があった。
a,55bのオン抵抗を充分に低くできない。すなわ
ち、パッケージ品では、ベアチップとリード端子とをワ
イヤボンディングにより接続しているので、ワイヤの抵
抗を無くすことができず、このためオン抵抗を充分に低
くできないことから、電力損失を充分に低減させること
ができないのである。なお、複数本のワイヤを並列にボ
ンディングすることにより、抵抗値をある程度低減させ
ることは可能であるが、これでは製造コストを上昇させ
てしまう。
比較してパッケージの寸法が非常に大きいので、保護回
路モジュール、ひいては充電電池パックの薄型化および
小型化を充分に実現できない。
水性を向上させるために実装済の回路基板51全体を保
護用樹脂で覆うのであるが、樹脂パッケージされた電界
効果トランジスタ55a,55bや制御用IC56を用
いた場合、樹脂パッケージ自体が保護用樹脂の機能を有
しているので、保護用樹脂が二重になり、無駄に製造コ
ストを上昇させる結果となる。
ランジスタ55a,55bや制御用IC56は、ベアチ
ップと比較して高価であり、それだけ保護回路モジュー
ルの製造コストが上昇してしまう。
されたものであって、電界効果トランジスタのオン抵抗
を良好に低減でき、しかも充電電池パックの薄型化、小
型化、ならびに製造コストの低減を図ることのできる充
電電池の保護回路モジュール、およびその製造方法を提
供することを、その課題とする。
次の技術的手段を講じている。
に、少なくとも充放電用の電界効果トランジスタを含む
任意数の半導体回路部品と、任意数の受動回路部品とが
実装された充電電池の保護回路モジュールであって、半
導体回路部品は、ベアチップの状態で回路基板にフェイ
スダウン実装されていることを特徴とする、充電電池の
保護回路モジュールが提供される。
部品および受動回路部品は、保護膜によって覆われてい
る。
に、少なくとも充放電用の電界効果トランジスタを含む
任意数の半導体回路部品と、任意数の受動回路部品とが
実装された充電電池の保護回路モジュールを製造する製
造方法であって、半導体回路部品として、半田バンプを
有するベアチップを用い、このベアチップと受動回路部
品とを一括して半田リフローにより回路基板に実装する
ことを特徴とする、充電電池の保護回路モジュールの製
造方法が提供される。
プの状態で回路基板にフェイスダウン実装したので、電
界効果トランジスタのオン抵抗を良好に低減でき、しか
も充電電池パックの薄型化、小型化、ならびに製造コス
トの低減を図ることができる。
ップを回路基板に直接実装したので、ワイヤボンディン
グのワイヤによる抵抗を無くすことができ、電界効果ト
ランジスタのオン抵抗を良好に低減できる結果、電力損
失を充分に低減できる。しかも、パッケージが無いので
保護回路モジュールを薄型化、小型化でき、その結果、
充電電池パックを薄型化、小型化できる。さらには、ベ
アチップはパッケージ品と比較して安価であり、その結
果、充電電池の保護回路モジュールを安価に製造でき
る。
を有するベアチップを用い、このベアチップと受動回路
部品とを一括して半田リフローにより回路基板に実装す
れば、電界効果トランジスタのベアチップを回路基板に
直接実装することによる上記効果に加えて、半田付け作
業を極めて効率良く行なえ、生産性の向上および製造コ
ストの低減を実現できる。
図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明
らかとなろう。
態を、図面を参照して具体的に説明する。
モジュールの概略構成図であって、回路基板1上の隅部
には、充電電池としてのリチウムイオンバッテリー(図
示せず)の陽極あるいは陰極に直接あるいは他の導体を
介して電気的に接続される導体板2の一端部が半田など
により取り付けられている。この導体板2は、たとえば
ニッケル板により構成されている。回路基板1上には、
さらに、端子台3や保護回路を構成する電界効果トラン
ジスタなどの各種電子部品(図示せず)が取り付けられ
ているとともに、配線パターン(図示せず)が形成され
ている。端子台3には、充電電池パックの外部との間の
電力の入出力のための端子を構成する導体板4a〜4d
が配設されている。
が他の導体板4b〜4dよりも長く、一端部が端子台3
上に位置し、他端部が回路基板1上から外方に突出して
いる。この導体板4aは、たとえばニッケル板に金メッ
キを施したものであり、充電電池としてのリチウムイオ
ンバッテリー(図示せず)の陽極あるいは陰極に直接あ
るいは他の導体を介して電気的に接続される。導体板2
は、回路基板1上に実装された電界効果トランジスタや
回路基板1上に形成された配線パターンを介して導体板
4dに電気的に接続されている。
5b、6 と、受動回路部品7、8a〜8c、9a〜9g
とが実装されている。半導体回路部品5a,5bは、電
界効果トランジスタのベアチップである。半導体回路部
品6 は、制御用のICのベアチップである。受動回路部
品7は、サーミスタである。受動回路部品8a〜8c
は、抵抗器である。受動回路部品9a〜9gは、キャパ
シタである。これら半導体回路部品5a,5b、6 およ
び受動回路部品7、8a〜8c、9a〜9gは、樹脂製
の保護膜10により覆われている。
る。半導体回路部品5aすなわち電界効果トランジスタ
のベアチップは、複数の半田バンプ11を有しており、
ベアチップ部分の厚みは0.27mm、半田バンプ11
部分の厚みは0.1mmである。この寸法については、
半導体回路部品5bおよび半導体回路部品6 についても
同様である。複数の半田バンプ11は、ソース電極、ド
レイン電極、ゲート電極を構成している。各半田バンプ
11は、たとえば重量比で96パーセントの鉛と重量比
で4パーセントの錫とからなる高融点半田により構成さ
れている。
路部品6 は、半田バンプ11を利用して、受動回路部品
7、受動回路部品8a〜8c、および受動回路部品9a
〜9gと一括して半田リフローにより回路基板1上にフ
ェイスダウン実装されている。そして、この実装後、半
導体回路部品5a,5b,6 および受動回路部品7,8
a〜8c,9a〜9gの全体を覆う保護膜10が塗布さ
れ、保護膜10により充電電池から漏洩した液や電子機
器の外部からの水などの浸入を阻止される。
よび半導体回路部品6 を、ベアチップの状態で回路基板
1にフェイスダウン実装したので、半導体回路部品5
a,5bにより構成される電界効果トランジスタのオン
抵抗を良好に低減できる。すなわち、パッケージ品のよ
うにベアチップとリード端子とを金線などを用いてワイ
ヤボンディングする必要がないので、ワイヤの抵抗が無
くなり、電界効果トランジスタのオン抵抗が良好に低減
する結果、電力損失を軽減できる。しかも、ベアチップ
はパッケージ品と比較してサイズが極めて小さいので、
充電電池の保護回路モジュールを薄型化および小型化で
き、この結果充電電池パックの薄型化、小型化を実現で
きる。さらに、ベアチップはパッケージ品と比較して安
価であるので、部品コストを低減でき、製造コストの低
減を図ることができる。もちろん、半導体回路部品5
a,5b,6 、および受動回路部品7,8a〜8c,9
a〜9gの全体が保護膜10により保護されるので、パ
ッケージ品を用いなくても、ベアチップの半導体回路部
品5a,5b,6 を充分に保護できる。
保護回路モジュールにおける回路基板の平面図、図4
は、同正面図であって、この実施形態では、端子台3が
設けられていない。回路基板21上には、半導体回路部
品22a,22b、半導体回路部品23、受動回路部品
24、受動回路部品25、および受動回路部品26a〜
26cが実装されている。半導体回路部品22a,22
bは、電界効果トランジスタのベアチップである。半導
体回路部品23は、制御用のICのベアチップである。
受動回路部品24は、サーミスタである。受動回路部品
25は、抵抗器である。受動回路部品26a〜26c
は、キャパシタである。これら半導体回路部品22a,
22b,23および受動回路部品24,25,26a〜
26cは、樹脂製の保護膜27により覆われている。
体回路部品23は、半田バンプ28を利用して、受動回
路部品24、受動回路部品25、および受動回路部品2
6a〜26cと一括して半田リフローにより回路基板2
1上にフェイスダウン実装されている。そして、この実
装後、半導体回路部品22a,22b,23および受動
回路部品24,25,26a〜26cの全体を覆う保護
膜27が塗布され、保護膜27により充電電池から漏洩
した液や電子機器の外部からの水などの浸入を阻止され
る。
に示す実施形態における効果に加えて、端子台3を設け
ないことから、薄型化および小型化の効果が極めて顕著
である。
池としてリチウムイオンバッテリーを用いたが、リチウ
ムポリマーバッテリーなど、他の充電電池を用いてもよ
い。
概略構成図である。
ュールの回路基板部分の平面図である。
ュールの回路基板部分の正面図である。
成図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 回路基板に、少なくとも充放電用の電界
効果トランジスタを含む任意数の半導体回路部品と、任
意数の受動回路部品とが実装された充電電池の保護回路
モジュールであって、 前記半導体回路部品は、ベアチップの状態で前記回路基
板にフェイスダウン実装されていることを特徴とする、
充電電池の保護回路モジュール。 - 【請求項2】 前記半導体回路部品および前記受動回路
部品は、保護膜によって覆われている、請求項1に記載
の充電電池の保護回路モジュール。 - 【請求項3】 回路基板に、少なくとも充放電用の電界
効果トランジスタを含む任意数の半導体回路部品と、任
意数の受動回路部品とが実装された充電電池の保護回路
モジュールを製造する製造方法であって、 前記半導体回路部品として、半田バンプを有するベアチ
ップを用い、このベアチップと前記受動回路部品とを一
括して半田リフローにより前記回路基板に実装すること
を特徴とする、充電電池の保護回路モジュールの製造方
法。
Priority Applications (6)
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006186299A (ja) * | 2004-12-01 | 2006-07-13 | Ricoh Co Ltd | 電子部品実装体、二次電池の保護回路モジュール及びそれを用いた電池パック |
KR100847501B1 (ko) * | 2005-07-04 | 2008-07-22 | 가부시키가이샤 리코 | 전자 부품이 실장된 소자, 그 소자를 제조하는 방법, 2차전지의 보호 회로 모듈, 및 전지 패키지 |
US7535724B2 (en) | 2004-12-01 | 2009-05-19 | Ricoh Company, Ltd. | Printed wiring board and a method of manufacturing the same |
US7759950B2 (en) | 2005-07-26 | 2010-07-20 | Ricoh Company Ltd. | Electronic component device testing apparatus |
US7781089B2 (en) | 2005-05-11 | 2010-08-24 | Ricoh Company, Ltd. | Protection circuit module for a secondary battery and a battery package using same |
US7936571B2 (en) | 2007-10-01 | 2011-05-03 | Ricoh Company, Ltd. | Protection circuit module for secondary battery |
KR101266509B1 (ko) | 2012-04-24 | 2013-05-27 | 주식회사 아이티엠반도체 | 플립칩을 이용한 배터리 보호회로의 패키지 모듈 |
KR101411584B1 (ko) | 2013-04-12 | 2014-06-24 | 김영대 | 배터리 보호 장치 제조 방법 및 배터리 보호 장치 |
-
1999
- 1999-04-26 JP JP11755299A patent/JP3993336B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006186299A (ja) * | 2004-12-01 | 2006-07-13 | Ricoh Co Ltd | 電子部品実装体、二次電池の保護回路モジュール及びそれを用いた電池パック |
US7535724B2 (en) | 2004-12-01 | 2009-05-19 | Ricoh Company, Ltd. | Printed wiring board and a method of manufacturing the same |
US7781089B2 (en) | 2005-05-11 | 2010-08-24 | Ricoh Company, Ltd. | Protection circuit module for a secondary battery and a battery package using same |
KR100847501B1 (ko) * | 2005-07-04 | 2008-07-22 | 가부시키가이샤 리코 | 전자 부품이 실장된 소자, 그 소자를 제조하는 방법, 2차전지의 보호 회로 모듈, 및 전지 패키지 |
US7759950B2 (en) | 2005-07-26 | 2010-07-20 | Ricoh Company Ltd. | Electronic component device testing apparatus |
US7936571B2 (en) | 2007-10-01 | 2011-05-03 | Ricoh Company, Ltd. | Protection circuit module for secondary battery |
KR101266509B1 (ko) | 2012-04-24 | 2013-05-27 | 주식회사 아이티엠반도체 | 플립칩을 이용한 배터리 보호회로의 패키지 모듈 |
KR101411584B1 (ko) | 2013-04-12 | 2014-06-24 | 김영대 | 배터리 보호 장치 제조 방법 및 배터리 보호 장치 |
WO2014168363A1 (ko) * | 2013-04-12 | 2014-10-16 | (주)티이에스 | 배터리 보호 장치 제조 방법 및 배터리 보호 장치 |
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