JP2000294607A5

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Info

Publication number: JP2000294607A5
Application number: JP1999101346A
Authority: JP
Filing date: 1999-04-08
Publication date: 2004-10-07

Description

【００１２】
しかしながら、トレーに並べた順番にて特性情報を管理することは、トレー上での順番が意図せず変わった場合に誤った情報が伝わることになり、歩留まり低下等の製造上の問題につながる。トレーをパーシャルの種類分用意することは品種数を考慮すると現実的でない上、トレーを離れると情報が失われることに変わりはない。また、チップ・レベルＣＳＰ型半導体装置で行われている情報記録は半導体チップの製造情報が含まれているのみであり、パーシャル品を活用する上での情報は含まれておらず、物理的に記録できる情報も限られたものである。[0012]
However, managing the characteristic information in the order of arranging in the tray causes erroneous information to be transmitted when the order on the tray is unintentionally changed, which leads to manufacturing problems such as yield reduction. Preparing trays for the types of partials is not realistic considering the number of varieties, and there is no change in the loss of information when leaving the tray. Further, the information recording performed in the chip level CSP type semiconductor device only includes the manufacturing information of the semiconductor chip, not the information for utilizing the partial product, and physically The information that can be recorded is also limited.

【００４２】
図１に示すように、マーク形成層１０には、識別マーク１２及び識別マーク１３が形成されている。識別マーク１２は、一つの半導体ウエハ内において共通する情報、例えば品名、社名、品種、製造ロット番号等の情報を標示するマークで形成されている。識別マーク１３は、小さな面積で多くの情報量を記録することが可能な二次元コードマークで形成されている。この識別マーク１３には、半導体装置２０の固有の情報、例えばＤＲＡＭのパーシャル品情報（パーシャルの状態：バンク・パーシャル、アドレス・パーシャル・Ｉ／Ｏパーシャル）等が記録されている。これらの識別マーク１２、１３の夫々は、製造プロセス中のマーキング工程において、レーザマーキング法によって形成される。レーザマーキング法は、マーク形成領域の表面にレーザ光を照射し、レーザ光が照射された部分を焼損させてマーキングする方法である。レーザマーキング法は、マーキング前の清掃処理やマーキング後の乾燥処理が不要であり、マーキング後に識別マークが消えてしまう消滅現象が起こり難い。[0042]
As shown in FIG. 1, an identification mark 12 and an identification mark 13 are formed in the mark forming layer 10. The identification mark 12 is formed of a mark for marking information common to one semiconductor wafer, such as information such as product name, company name, product type, and manufacturing lot number. The identification mark 13 is formed of a two-dimensional code mark capable of recording a large amount of information in a small area. In the identification mark 13, information unique to the semiconductor device 20, for example, partial product information of the DRAM (partial state: bank partial, address partial I / O partial) and the like are recorded. Each of the identification marks 12 and 13 is formed by a laser marking method in the marking step in the manufacturing process. The laser marking method is a method in which the surface of the mark formation region is irradiated with a laser beam, and the portion irradiated with the laser beam is burned and marked. The laser marking method does not require a cleaning process before marking and a drying process after marking, and an extinction phenomenon in which the identification mark disappears after marking hardly occurs.

【００６１】
この工程において、マーク形成層１０は、カーボンが添加されたエポキシ系の熱硬化性樹脂で形成されている。このマーク形成層１０にレーザ光を照射した場合、レーザ光が照射された部分のカーボンが蒸発し、照射された部分が白く残る。従って、視認性の良い識別マークを形成することができる。[0061]
In this step, the mark forming layer 10 is formed of an epoxy-based thermosetting resin to which carbon is added. When the mark forming layer 10 is irradiated with a laser beam, carbon in a portion irradiated with the laser beam is evaporated, and the irradiated portion remains white. Therefore, a highly visible identification mark can be formed.

【００７０】
まず、実装基板５１の表裏面（互いに対向する一主面及び他の主面）のうちの表面（一主面）側に複数の半導体装置２０を搭載し〈Ｌ〉、その後、熱処理を施して実装基板５１の表面側に複数の半導体装置２０を実装する〈Ｍ〉。次に、実装基板５１の裏面側に複数の半導体装置２０を搭載し〈Ｎ〉、その後、熱処理を施して実装基板５１の裏面側に複数の半導体装置２０を実装する〈Ｏ〉。次に、複数の半導体装置２０の夫々の機能テストを行い〈Ｐ〉、その後、実装基板５１と半導体装置２０との間に樹脂５２を充填し〈Ｑ〉、その後、再度、複数の半導体装置２０の夫々の機能テストを行う〈Ｒ〉。これにより、メモリモジュール５０がほぼ完成する。[0070]
First, the plurality of semiconductor devices 20 are mounted on the front surface (one main surface) of the front and back surfaces (one main surface and the other main surfaces facing each other) of the mounting substrate 51 <L>, and then heat treatment is performed A plurality of semiconductor devices 20 are mounted on the surface side of the mounting substrate 51 <M>. Next, the plurality of semiconductor devices 20 are mounted on the back surface side of the mounting substrate 51 <N>, and then heat treatment is performed to mount the plurality of semiconductor devices 20 on the back surface side of the mounting substrate 51 <O>. Next, the function test of each of the plurality of semiconductor devices 20 is performed <P>, and then the resin 52 is filled between the mounting substrate 51 and the semiconductor device 20 <Q>, and then the plurality of semiconductor devices 20 are again performed. Perform each functional test of <R>. Thereby, the memory module 50 is almost completed.

【００７８】
（４）半導体装置２０の製造において、マーク形成層１０は、カーボンが添加されたエポキシ系の熱硬化性樹脂で形成されている。これにより、マーク形成層１０にレーザ光を照射した場合、レーザ光が照射された部分のカーボンが蒸発し、照射された部分が白く残る。従って、視認性の良い識別マークを形成することができる。[0078]
(4) In the manufacture of the semiconductor device 20, the mark forming layer 10 is formed of an epoxy-based thermosetting resin to which carbon is added. As a result, when the mark forming layer 10 is irradiated with laser light, carbon in the portion irradiated with the laser light is evaporated, and the irradiated portion remains white. Therefore, a highly visible identification mark can be formed.