JP2000292785A - 反射型液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

反射型液晶表示装置及びその製造方法

Info

Publication number
JP2000292785A
JP2000292785A JP2000065723A JP2000065723A JP2000292785A JP 2000292785 A JP2000292785 A JP 2000292785A JP 2000065723 A JP2000065723 A JP 2000065723A JP 2000065723 A JP2000065723 A JP 2000065723A JP 2000292785 A JP2000292785 A JP 2000292785A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
crystal display
light
insulating film
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000065723A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4798822B2 (ja
Inventor
Ryukei Cho
龍圭 張
Eikichi Shu
永吉 朱
Jino Kaku
ジンオ カク
Myeon-Koo Kang
勉求 姜
Jong Y Shin
鍾業 辛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1019990007093A external-priority patent/KR100286978B1/ko
Priority claimed from KR1019990022989A external-priority patent/KR100601194B1/ko
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JP2000292785A publication Critical patent/JP2000292785A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4798822B2 publication Critical patent/JP4798822B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553Reflecting elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 効率的な反射率を実現するとともにコントラ
スト比を増加させて,反射電極のマイクロレンズを設計
値のように正確に形成し,1回の露光工程により凹凸構
造の表面とコンタクトホールの形成を可能にする反射電
極の製造方法を提供すること。 【解決手段】内表面に透明電極を持つ透明な第1絶縁基
板と,コンケーブとコンベックスを持つ複数個の突起を
含む反射電極を含み,突起の相互隣接するコンケーブが
形成する多数の線と反射電極の境界線を連結する線が多
数の閉曲線領域を定義する第2絶縁基板と,第1絶縁基
板と第2絶縁基板との間に介在され,透明電極と反射電
極に印加される電場によって配列状態が変化する液晶層
と,透明電極と反射電極との間に電場を発生させるため
の電場発生手段とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は,反射型液晶表示装
置に係り,より詳細には,凹凸構造の反射電極を持つ反
射型液晶表示装置及びその製造方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】テレビ,コンピュータ用モニタ等のよう
な表示器に採用されている陰極線管(CRT)は,重
量,装置空間,消費電力等が大きいため,設置及び移動
時に制約がある。その短所を補完するため,液晶を利用
する液晶表示器,面放電を利用するプラズマディスプレ
イパネル(PDP),電界発光を利用した表示器等のよ
うに平板パネルを利用した表示器が提案されて現在幅広
く使用されている。
【0003】平板表示器の中で液晶表示器は他の平板表
示器に比して低消費電力,低電圧駆動とともに高精細
化,フルカラー表示等,陰極線管に近接した表示品質が
可能であり,製造工程の容易化等の理由により多様な電
子装置に適用されている。
【0004】このような液晶表示器には外部光源を利用
する透写型液晶表示器と外部光源の代りに自然光を利用
する反射型液晶表示器がある。反射型液晶表示器は消費
電力が低いだけではなく,バックライト装置が不要なた
め薄形軽量であり,屋外での表示が卓越という長所を持
つ。このような特徴から,反射型液晶表示器は携帯型器
機として最適の条件を具備しているといえる。
【0005】しかし,現在の反射型液晶表示器の表示画
面は暗く,高精細表示及びカラー表示に対応できないた
め,携帯型器機の中でも数字等簡単なパターン表示だけ
が要求される低価商品にだけ使用されている。特に,文
書ビューアー(document viewer),イ
ンターネットビューアー(internet view
er)等の機能を持つ携帯型情報機器に反射型液晶表示
器を使用するためには,反射輝度の向上だけではなく高
精細化,カラー化が要求される。
【0006】また,携帯型情報機器で主に文字を表示す
る単色(monochro)表示液晶表示器を見やすく
するためには,反射輝度向上と高精細化が要求されて,
その実現のためには薄膜トランジスタ等のスイッチング
素子を形成したアクティブマトリクス基板が必要であ
る。しかし,単色表示器機では表示可能な情報が制限さ
れるため器機全体の価格設定が低くなり,パネル単価が
高い薄膜トランジスタの採用は単色表示器機では困難で
あった。
【0007】また,未来には携帯情報機器でのカラー化
は必然であるため,単色表示器機の商品寿命は短かくな
る見込みであり,反射型液晶表示器開発はカラー化方向
で進行している。
【0008】しかし,明るさとコントラスト,応答速度
面で性能が不足しているため,パネル技術と市場の両面
で大きい展開があるにもかかわらず,反射型カラー液晶
は現在まではあまり実用化されていない。
【0009】明るさの向上は二つの技術の組み合わせ,
即ち,反射電極の反射効率を高める技術と超高開口率技
術を組み合わせることにより実現されている。反射効率
を高める技術は既に従来のゲストホスト液晶に使用され
ており,反射機能を与えた電極に微細な凹凸を形成して
反射効率を最大にする技術は米国特許5,610,741
号に開示されている。
【0010】図13は従来の反射型液晶表示器での反射
電極の表面を概略的に示す平面図である。図13に示す
ように,反射電極10は突出された半球形状のマイクロ
レンズが不規則に配列された構造を持つ。
【0011】図14は反射型薄膜トランジスタ液晶表示
装置の概略的な断面図である。図14に示すように,反
射型液晶表示装置は,内表面にスイッチング素子である
薄膜トランジスタ114と突起の形状を持つ反射板から
構成された画素電極(以下,反射電極と称する)118
を持つ第1絶縁基板112と,位相差板146と偏光板
148とが外表面に順次的に付着されて,内表面側には
ブラックマトリクス134と,赤,緑,青のカラーフィ
ルタ136,透明共通電極138からなる投光性の第2
絶縁基板132がスペーサ142を利用して一定間隔で
結合された間に液晶物質144が介在された構成を持
つ。
【0012】薄膜トランジスタ114は,第1絶縁基板
112上のゲート電極103,ゲート絶縁膜104,半
導体膜パターン106,オーミックコンタクト層(oh
mic contact layer)108,ソース
電極110a,ドレイン電極110bから成る。反射電
極118を含む第1絶縁基板112の内表面と透明共通
電極138を含む第2絶縁基板132の内表面には,液
晶の背向のための背向膜120,140が各々配置され
る。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら,従来の
反射電極はマイクロレンズ2が半球形であるため,マイ
クロレンズの間の空間4は位置によって大きさが異な
る。このような各空間4の大きさに関する相異は,マイ
クロレンズ2の間の高さの相違で現れ,結果的に異なる
領域での反射率の不均一を発生させる。このような反射
率の不均一性は液晶分子の背向の不均一性を招来し,画
像の表現において黒白のコントラスト比が低下するとい
う問題を生じさせる。
【0014】また,半球形のマイクロレンズ2のレンズ
間の空間4の大きさは位置によって全て異なるため,設
計値と同一な正確なレンズの形成が困難である。さら
に,マイクロレンズ2は反射電極の下部に感光性の有機
絶縁膜116を塗布して,露光と現像を通して凹凸構造
の表面を形成するため,凹凸構造の形成のためのマスク
と反射電極をドレイン電極にコンタクトするためのコン
タクトホール(contact hole)の形成のた
めのマスクが別に使用されて2回の露光工程を必要とす
る。
【0015】したがって,本発明はこのような問題点に
着眼して案出されたもので,その第1目的は,従来の技
術より,一層効率的な反射率を実現しながらコントラス
ト比をも増加させることにある。
【0016】本発明の第2目的は,反射電極のマイクロ
レンズを設計値と同じに正確に形成することにある。
【0017】本発明の第3目的は,1回の露光工程によ
り凹凸構造の表面とコンタクトホールの形成を可能にす
る反射電極の製造方法を提供することにある。
【0018】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に,本発明は,請求項1に記載のように,内表面に透明
電極を持つ透明な第1絶縁基板と,コンケーブとコンベ
ックスを持つ複数個の突起を含む反射電極を含み,前記
突起の相互隣接するコンケーブが形成する多数の線と前
記反射電極の境界線を連結する線が多数の閉曲線領域を
定義する第2絶縁基板と,前記第1絶縁基板と前記第2
絶縁基板との間に介在し,前記透明電極と前記反射電極
に印加される電場によって配列状態が変化する液晶層
と,前記透明電極と前記反射電極との間に電場を発生さ
せるための電場発生手段とを含むことを特徴とする反射
型液晶表示装置を提供する。
【0019】その際に,請求項2に記載のように,前記
閉曲線領域は多角形であり,請求項3に記載のように,
前記閉曲線領域は少なくとも角の数が異なる2個以上の
多角形を含むよう構成すれば,光効率を高めることがで
きる。また,請求項4に記載のように,前記反射電極は
前記コンベックスの表面から所定深さで陥没された凹部
をさらに含むようにすれば,正面での反射率を高めるこ
とができる。請求項5に記載のように,前記各コンベッ
クスの頂点から隣接するコンベックスの頂点までの距離
の平均は約8μm〜30μmであり,請求項6に記載の
ように,前記コンケーブの線幅は隣接するコンベックス
の頂点の距離の50%を超えないよう構成することが好
ましい。
【0020】なお,請求項7に記載のように,前記第2
絶縁基板の表面から前記各コンケーブまでの高さはほぼ
同一であり,前記コンベックスまでの高さはお互いに異
なるよう構成してもよく,あるいは,請求項8に記載の
ように,前記第2絶縁基板の表面から前記各コンベック
スまでの高さはほぼ同一であり,前記コンケーブまでの
高さはお互いに異なるよう構成してもよい。上記のよう
な構成とすることにより,反射電極の突起が不規則な模
様の多角形で配置されて,その突起間の幅は一定とな
り,各方向で突起の大きさが不規則な凹凸構造を持ち,
さらに,従来の反射電極構造に比較して平ら領域が最大
限に減少することにより,光効率が高く,深い凹部によ
る背向の不均一性が最小化される。
【0021】また,本発明の別の観点によれば,請求項
9に記載のように,ソース,ドレイン及びゲート電極を
含むスイッチング素子が形成された絶縁基板の全面に感
光性の有機絶縁膜を所定厚さで塗布する段階と,不規則
な多角形構造の遮光領域と,前記遮光領域間に一定幅の
投光領域を持つマスクを使用して,前記有機絶縁膜の厚
さより薄い深さで前記有機絶縁膜を1次露光する段階
と,前記スイッチング素子のドレイン電極が露出される
ように前記有機絶縁膜の所定部分を2次露光する段階
と,前記1次,2次露光された部分を現像する段階と,
前記現像された有機絶縁膜を所定温度で加熱してフロー
させる段階と,前記段階により作製された物の全面に反
射型金属を蒸着してパターニングする段階とを含むこと
を特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法が提供され
る。その際に,請求項10に記載のように,前記感光性
有機絶縁膜の厚さは,約1μm〜3μmであるよう構成
することが好ましく,請求項11に記載のように,前記
マスクは前記遮光領域内の所定部分に投光領域を持つこ
とが好ましい。
【0022】さらにまた,本発明の別の観点によれば,
請求項12に記載のように,スイッチング素子が形成さ
れた絶縁基板の全面に感光性有機絶縁膜を塗布する段階
と,多角形構造の遮光領域と,前記遮光領域間に形成さ
れた所定幅の第1投光領域と,前記遮光領域内にコンタ
クトホールを形成するための第2投光領域とを含み,前
記第1投光領域の透過率が前記第2投光領域の透過率よ
り高いマスクを使用して前記有機絶縁膜を露光する段階
と,前記露光された部分を一度に現像する段階と,前記
有機絶縁膜の表面に反射型金属を蒸着してパターニング
する段階とを含むことを特徴とする反射型液晶表示装置
の製造方法が提供される。その際に,請求項13に記載
のように,前記マスクの第1投光領域は前記第1投光領
域を多数のスリットで分割する多数の格子を含むよう構
成することが好ましい。
【0023】そして,請求項14に記載のように,前記
第1,第2投光領域の界面での干渉及び回折現象の程度
によって第1投光領域を通過した光は前記感光性有機絶
縁膜の対応する部分をその厚さより薄い深さまで露光し
て,前記第2投光領域を通過した光は前記感光性有機絶
縁膜の対応する部分をその厚さと同一な深さまで露光す
るように,前記第2投光領域は前記第1投光領域の各ス
リットより広い面積を持つよう構成することが好まし
く,請求項15に記載のように,前記遮光領域は少なく
とも角の数が異なる2個以上の多角形を含むよう構成す
ることが好ましい。
【0024】なお,請求項16に記載のように,前記マ
スクは前記遮光領域の所定部分に形成された第3投光領
域をさらに含むようにし,請求項17に記載のように,
前記第3投光領域は前記第2投光領域より狭い面積を持
つようにしてもよい。請求項18に記載のように,前記
感光性の有機絶縁膜は黒色とすれば,カラーフィルタ基
板でブラックマトリクスの使用が不要になる。さらに,
請求項19に記載のように,前記現像された絶縁膜を所
定温度でベーキングする段階をさらに含むようにしても
よい。
【0025】
【発明の実施の形態】以下,添附図面を参照して本発明
による好ましい実施形態について詳細に説明する。な
お,以下の説明及び添付図面において,略同一の機能及
び構成を有する構成要素については,同一符号を付すこ
とにより,重複説明を省略する。本発明は図14のよう
な従来構成において,特に,反射電極118の構成形状
及び反射電極を凹凸構造で形成する方法に関するもので
ある。
【0026】(実施例1)図1は本発明の一実施例によ
る反射電極の部分平面図である。図1に示すように,反
射電極118は,突出した構造を持つ突起118a,1
18cのような突起を多数含み,突起間の空間はコンケ
ーブ(凹部または凹面)に該当する。例えば,突起11
8a,118c間の空間はコンケーブ118bに該当す
る。これら突起の相互隣接するコンケーブ(凸部または
凸面)が形成する多数の線と反射電極118の境界線を
連結する線により,多数の閉曲線領域を構成している。
そして,各々の閉曲線領域は模様と大きさが異なる多角
形構造を持っている。例えば,各突起118a,118
cから構成される各閉曲線領域は,角の数が異なる少な
くとも2個の多角形から構成される。
【0027】好ましくは,コンケーブ118bは突起1
18a,118cのコンベックスの頂点間の平均距離の
約50%以内に該当する一定な線幅を持つ。好ましく
は,突起118a,118cにおいて隣接するコンベッ
クスの頂点間の距離の平均は,約8μm〜30μmの範
囲にあり,例えば,平均距離が約10μmである時にコ
ンケーブの線幅は約1μm〜5μmの範囲を持つ。
【0028】図2は図1のI−I線に沿って切断した断面
図で,本実施例1の特徴を示す。図2に示すように,本
発明の反射電極118は,金属,特に,反射率が高いア
ルミニューム等からなる。光効率を高めるために反射電
極118は多数の多角形が不規則に配置された突起形状
で,同一構造の有機絶縁膜116の上に形成される。即
ち,反射電極118は有機絶縁膜116の形状と対応す
る形状を持つ。
【0029】好ましくは,選択方向で閉曲線のコンケー
ブ118bから他の各コンケーブとの間の距離(W,
W’,W”)は各々異なるように配置される。突起11
8a,118cの高さは隣接コンケーブ118bからコ
ンケーブとの間の距離によって略比例の関係にあるが,
コンケーブの高さは基板112の表面からほぼ同一に構
成される。
【0030】図2に示すように,本実施例は特定な方向
にだけ前記のような特徴があるものではなく,図1のい
ずれの方向の断面図でも同様である。例えば,図1のII
−II線に沿って切断された断面図(図示せず)でも図2
と類似の断面が得られる。
【0031】(実施例2)本発明の第2実施例は第1実
施例の正面での反射率を高めるため,図1に示したよう
な閉曲線の中央部に凹形状の補助形状を形成したもので
ある。
【0032】図3は本発明の第2実施例による反射電極
の部分平面図,図4は図3のIII−III線に沿って切断し
た断面図である。図3,4を図1,2と比較すると,第
2実施例の反射電極218では突起218a,218c
のコンベックスから所定深さで陥没された凹部である陥
没部218d,218eがさらに形成されている。
【0033】陥没部218d,218eは,その中心を
前記多角形の閉曲線の中心と同一にしてもよいし,ある
いは異なるようにしてもよい。陥没部218d,218
eの直径は,突起218a,218cの直径の約30%
程度になるようにする。
【0034】図5は反射電極の構造が異なるものについ
ての反射角による反射率の変化を示すグラフである。反
射電極の構造が,図13のような円形,図1のような多
角形の形状,図3のような多角形の形状の突起の中央に
陥没部が形成された形状,の3つのものについて示して
いる。図5(A)は垂直方向での反射率の変化,図5
(B)は水平方向での反射率の変化を示す。ここで,測
定された反射率は入射角を−30度とした時,画面の正
面(即ち,0度)から48度までの反射率の変化値であ
る。
【0035】図5(A)に示すように,垂直反射率に関
しては,0度から約23度までと,約37度から48度
までの範囲では,図1に図示した多角形の反射電極と図
3に図示した多角形の形状の突起中央に陥没部が形成さ
れた反射電極のものが,図13に図示した円形構造の反
射電極のものに比して高い。
【0036】図5(B)に示すように,水平反射率に関
しては,0度から約18度までと,約38度から48度
までの範囲で,図1に図示した多角形の反射電極と図3
に図示した多角形の形状の突起中央に陥没部が形成され
た反射電極のものが,図13に図示した円形構造の反射
電極のものに比して非常に高い。
【0037】さらに,前記測定結果は,垂直反射率の場
合,正面から見た時に陥没部がある多角形構造が陥没部
がない多角形構造に比して反射率が高いことがわかる。
また,陥没部がある多角形構造が,陥没部がない多角形
構造に比して測定角度での反射率の変化が少ないことが
わかる。一方,前記反射率の外にもコントラスト比も表
示の質を左右する重要な要素である。
【0038】下記の(表1)は図13の従来の円形反射
電極と,図1に示した多角形構造の反射電極が採用され
た反射型液晶表示器において,入射角が−30度,測定
は正面,即ち,0度でコントラスト比を測定した結果を
示す。結果によると本願発明の多角形構造の反射電極が
従来の円形構造に比して一層高いコントラスト比を持つ
ことがわかる。
【0039】
【表1】
【0040】(実施例3)次に,前記第1,第2実施例
で提示した反射電極の構造を形成するようにマスクを設
計する方法について説明する。まず,画素領域を設定し
てその一辺をx軸,x軸と交叉する他の一辺をy軸とし
て,各点の座標(x,y)をコンピュータの不規則函数
発生器(randomfunction genera
tor)を使用して生成する。この時,隣接する各座標
の平均距離は,単位面積当りいくつの座標数を求めるか
ということで定める。例えば,頂点間の距離を平均10
μmで設定すると,mm当り略14,000個以上の
座標値を求める。
【0041】図6(A)は図1の反射電極を形成するた
めのフォトマスクの製作過程を説明する図である。図6
(A)に示すように,求められた座標値から隣接した点
を連結して,その中点で直角を形成する方向に直線を引
いて合う線を通して多角形152を形成する。好ましく
は,各々の多角形152は模様と大きさを異に形成す
る。各多角形の各辺の両側に1〜5μm程度の幅,即
ち,多角形の頂点間の平均距離は50%以内の幅でコン
ケーブ154に該当する線を引く。
【0042】図6(A)のように多角形パターンとコン
ケーブを設計した後,設計されたパターンのようにマス
クを形成する。即ち,例えば,感光性有機絶縁膜がポジ
ティブである場合には多角形パターン152に該当する
部分には入射光を遮断する遮光領域を形成して,コンケ
ーブ154に該当する部分には入射光を透過する投光領
域を形成してマスク150を製作する。一方,ネガティ
ブ形の感光性有機絶縁膜の場合は,投光領域と遮光領域
を上述のものと互いに入れ換えて製作する。
【0043】また,突起中間に陥没部を形成する場合に
は,図6(A)と同一な方法で多角形パターンとコンケ
ーブパターンを設計して,陥没部の中心を図6(B)に
示すように多角形突起252の頂点や多角形の閉曲線の
中心と同一にして,あるいは異なるようにしてもよい
が,陥没部の直径は突起の直径の30%程度になるよう
に多角形の陥没部256を形成する。
【0044】前記データに基づいて,図3と図4に示し
た反射電極218のコンケーブ218bと陥没部218
eに該当する部分が投光領域になり,突起218a,2
18cに該当する部分が遮光領域になるフォトマスク2
50を製作する。
【0045】前記のような方法により製作したフォトマ
スクの断面図を図7(A)と図7(B)に示す。図7
(A)は図6(A)のフォトマスクを任意の方向に切断
した部分断面図,図7(B)は図6(B)のフォトマス
クを任意の方向に切断した部分断面図である。
【0046】図7(A)は陥没部がない多角形構造の反
射電極を形成するためのフォトマスク150で,反射電
極の下部に形成されたポジティブフォトレジスト特性を
持つ有機絶縁膜を露光するため使用される。
【0047】図7(A)で参照符号151は石英基板,
152は入射光を遮断する遮光領域として多角形領域に
該当し,154は入射光を透過する投光領域としてコン
ケーブ領域に該当する。
【0048】もし,ネガティブフォトレジスト成分が有
機絶縁膜である場合は,図7(A)と同一な形状をパタ
ーニングする時にはポジティブフォトレジスト特性を持
つ有機絶縁膜の露光時と反対に形成され,光が透過する
部分が突起に該当し,光が透過しない領域がコンケーブ
に該当する。
【0049】図7(B)は突起部に陥没部形態の凹部を
形成する場合のフォトマスク250として,ポジティブ
フォトレジスト特性を持つ有機絶縁膜の露光に使用され
る。勿論,ネガティブフォトレジスト膜を使用する場合
には反対の相で形成する。
【0050】(実施例4)図8は薄膜トランジスタをス
イッチング素子で利用する反射型液晶表示装置の概略的
部分平面図で,単位画素領域とその周辺部を示す。図8
に示すように,行方向に配列されたゲートライン103
aとゲートライン103aから垂直分岐されたゲート電
極103が絶縁基板上に配置される。ストレージ(st
orage)電極162がゲートライン103aと所定
距離隔離されて,ゲートライン103aと平行に配列さ
れるように絶縁基板上に配置される。
【0051】ゲート電極103上には非晶質シリコン等
からなる半導体膜パターン106が配置される。ゲート
ライン103aと後述するデータライン111が交差す
る部分にも選択的に半導体膜パターン107が配置され
る。この半導体膜パターン107はデータライン111
のオープン不良あるいはゲートライン103aとデータ
ライン111間のショット不良を防止する役割をする。
【0052】また,図8には図示しなかったが,ゲート
電極と半導体膜パターン106間には絶縁のため,例え
ば,窒化シリコン膜からなるゲート絶縁膜が介在する。
【0053】ゲート絶縁膜上にゲートライン103aと
直交するようにデータライン111が配置される。デー
タライン111の所定位置から分岐されたソース電極1
10aは半導体膜パターン106の一側縁部まで延長さ
れる。ドレイン電極110bはソース電極110aと所
定間隔をおいて対向するように半導体膜パターン106
の他側縁部に延長形成される。
【0054】図8には図示しなかったが,ソース電極1
10aと半導体膜パターン106との間に,ドレイン電
極110bと半導体膜パターンとの間に高濃度のn形不
純物が塗布されたオーミックコンタクト層が介在する。
また,前記ゲート電極103,半導体膜パターン10
6,ソース電極110a及びドレイン電極110bは薄
膜トランジスタを構成する。
【0055】薄膜トランジスタとゲート絶縁膜を含め製
作されたものの全面に多角形の凹凸構造の絶縁膜(図示
せず),好ましくは,感光膜の機能を持つ有機絶縁膜が
配置される。有機絶縁膜の上部には図1〜図4のような
多角形の凹凸構造を持つ反射電極118が配置される。
図8の参照符号118BLは反射電極の境界線を示す。
反射電極118は有機絶縁膜に形成されたコンタクトホ
ール164を通してドレイン電極110bと電気的にコ
ンタクトされる。
【0056】図8では反射電極118が一対のゲートラ
イン103aと一対のデータライン111が交叉する領
域で定義される単位画素領域を離脱して隣接した単位画
素領域まで延長された場合を示したが,それは反射電極
の反射率を高めるための選択事項でその境界領域は多様
に変更できる。例えば,反射電極は薄膜トランジスタ部
分を除外した単位画素領域内に形成できる。
【0057】図8に示した反射型液晶表示装置の薄膜ト
ランジスタ基板の製造過程を図9(A)〜図9(C)を
参照して説明する。図9(C)は図8のIV−IV線に沿っ
て切断した断面図である。
【0058】図8と図9(A)に示すように,絶縁基板
112,例えば,ガラス基板上に金属膜をパターニング
することによりゲート電極103及びゲートライン10
3aが形成される。この時,ストレージ電極162とと
もに形成される。ゲート電極103,ゲートライン10
3a及びストレージ電極162を含む基板112の全面
にゲート絶縁膜104が形成される。ゲート絶縁膜10
4としてはシリコン窒化膜(SixNy,x,yは整
数)またはシリコン酸化膜(SiO)が使用でき,プ
ラズマ化学気相蒸着法により形成される。
【0059】次に,ゲート電極103にその一端が位置
するようにゲート絶縁膜104上に非晶質シリコン層か
らなる半導体膜パターン106と,燐等のn形不純物が
高濃度でドーピングされた非晶質シリコン層になったオ
ーミックコンタクト層108が形成される。図9(A)
では半導体膜パターン106とオーミックコンタクト層
108がゲート電極103の両側まで延長された構造を
示すが,選択的にそれはゲート電極の上部にだけ形成す
ることもできる。
【0060】次に,オーミックコンタクト層108と電
気的にコンタクトされるようにソース電極110a,ド
レイン電極110b及びデータライン111が形成され
る。前記段階を経て薄膜トランジスタが形成される。
【0061】次に,図9(B)を参照して,薄膜トラン
ジスタが形成された基板に有機絶縁膜を1μm〜3μm
の厚さでコーディング等の方法により形成して,図1〜
図4に示した多角形の突起を形成するための第1次フォ
ト露光工程を行う。第1次露光工程のために図7(A)
と図7(B)に示したフォトマスクが使用される。
【0062】次に,反射電極118とドレイン電極11
0bを連結するためのコンタクトホールを形成するため
に別のフォトマスク(図示せず)を通して第2次露光し
た後,第1次露光された部分と第2次露光された部分を
一度に現像して,現像された有機絶縁膜を所定温度で加
熱してフローさせることによりコンタクトホール164
と多角形構造の突起が形成される。
【0063】図9(C)を参照して,アルミニューム等
の金属層を全面に蒸着して,一般的な写真蝕刻工程でパ
ターンして凹凸構造の多角形パターンを持つ反射電極1
18を形成する。
【0064】一方,図示しなかったが,反射電極118
を含む有機絶縁膜116の全面には液晶分子を選択され
た角度にプリチルト(pretilt)させるための背
向膜が塗布される。
【0065】(実施例5)実施例4の方法は凹凸構造の
形成のためのマスクと,反射電極をドレイン電極にコン
タクトするためのコンタクトホールの形成のためのマス
クが別に使用されて,2回の露光工程を必要とするが,
本実施例では1回の露光工程により凹凸構造の表面とコ
ンタクトホールの形成を可能にする反射電極の製造方法
を提供する。
【0066】図10(A)〜図10(C)は本発明の第
5実施例による反射型薄膜トランジスタ基板を製造する
過程を説明する工程流れ図,図11は図10(B)の過
程で適用されたマスクの概略的な平面図,図12は本発
明の第5実施例による反射型液晶表示器の製造方法に適
用されるマスクの概略的な平面図である。図10(A)
に示した薄膜トランジスタの製造方法は実施例4と同一
であるためここではその説明を省略する。
【0067】次に,図10(B)を参照して,薄膜トラ
ンジスタが形成された基板に投光性の有機絶縁膜を1〜
3μmの厚さでコーティング等の方法により形成して,
その表面に多角形の突起とコンタクトホールを形成する
ためのフォト露光工程を行う。
【0068】この時,使用されたマスク150は石英基
板151の一側表面に,例えば,クロムからなる多角形
の遮光性パターン152が形成されたものである。遮光
性パターン152は図11に示すように多角形の突起に
対応し,遮光性パターン152間の投光領域(以下,第
1投光領域と称する)154はコンケーブに対応する。
また,符号156は任意の遮光性パターン152領域内
に形成された投光領域(以下,第2投光領域と称する)
で,コンタクトホール形成のためのものである。第1投
光領域154は第1投光領域154を多数のスリット1
54bで分離する格子(154a,または第2遮光領
域)を含む。第1投光領域154のスリット154bは
感光性有機絶縁膜のコンケーブパターンの深さを調節す
るためのもので,光源の分解能より小幅を持つように設
計される。
【0069】露光工程の間,第1投光領域154に形成
されたスリット154bの存在により,第1投光領域1
54を通過した光は第2投光領域156を通過した光に
比して,その境界部での干渉及び回折現像が円滑に発生
して,有機絶縁膜116の厚さより薄い深さまで有機絶
縁膜116を露光して,第2投光領域156を通過した
光は有機絶縁膜の厚さと同一な深さまで有機絶縁膜11
6を露光する。
【0070】次に,露光された部分を除去するための現
像工程が実施される。現像工程の間に第1投光領域15
4に対応する有機絶縁膜部分にはその厚さより薄い深さ
のコンケーブが形成されて,第2投光領域156に対応
する有機絶縁膜部分にはドレイン電極110bの所定部
分を露出するコンタクトホール164が形成される。
【0071】次に,現像された有機絶縁膜を所定温度で
加熱してフローさせる。図10(C)を参照して,その
後にアルミニューム等の金属層を全面に蒸着して,一般
的な写真蝕刻工程によりパターンして凹凸構造の多角形
パターンを持つ反射電極118を形成する。
【0072】一方,反射電極118を含む有機絶縁膜1
16の全面には液晶分子を選択された角度にプリチルト
させるための背向膜が塗布される。選択的に,図10
(C)とは異なり薄膜トランジスタの上部には反射電極
が形成されないようにすることも可能である。
【0073】また,前記実施例では透明な感光性の有機
絶縁膜が使用されたが,有色の感光性の有機絶縁膜も使
用でき,好ましくは,黒色の感光性有機絶縁膜が使用で
きる。このように光の吸収能を持つ有機絶縁膜を使用す
ると,図14のカラーフィルタ基板でブラックマトリク
スの使用が不要になる。
【0074】一方,図10(A)〜図10(C)には図
示しなかったが,図3と図4に図示されるように,コン
ベックスの所定部分に表面から所定深さの陥没部を持つ
反射電極を形成するためにも本発明の方法が適用可能で
ある。この場合,他の条件は前記方法と同一であり,感
光性の有機絶縁膜を露光するためのマスクの構成だけが
異なる。
【0075】即ち,図12に図示されるように,遮光領
域252の所定部分に第3投光領域258である陥没部
を持つマスク250を使用する。ここで,第1投光領域
はコンケーブ254に該当して,第2投光領域はコンタ
クトホール形成のための部分256に該当する。図11
と同様に第1投光領域254は多数の格子254aと,
格子254a間に定義される多数のスリット254bを
含む。
【0076】この場合にも露光工程の間,第1投光領域
254と第2投光領域256との間,そして第2投光領
域256と第3投光領域258との間の直径差により第
1投光領域254と第3投光領域258を通過した光は
第2投光領域256を通過した光に比してその境界部で
の回折及び干渉現象が円滑に発生して,図10(B)に
示した投光性有機絶縁膜116の厚さより薄い深さまで
有機絶縁膜116を露光して,第2投光領域256を通
過した光は有機絶縁膜の厚さと同一な深さまで有機絶縁
膜116を露光する。
【0077】次に,露光された部分を除去するための現
像工程が実施される。現像工程の間,第1投光領域25
4に対応する有機絶縁膜部分にはその厚さより薄い深さ
で除去されたコンケーブが形成され,第2投光領域25
6に対応する有機絶縁膜部分にはドレイン電極110b
の所定部分を露出するコンタクトホール164が形成さ
れ,第3投光領域258に対応する有機絶縁膜116部
分には陥没部(図示せず)が形成される。
【0078】次に,現像された有機絶縁膜を所定温度で
加熱してフローさせた後,アルミニューム等の金属層を
全面に蒸着して,一般的な写真蝕刻工程でパターンして
凹凸構造の多角形パターンを持つ反射電極118を形成
する。
【0079】一方,図示しなかったが,反射電極118
を含む有機絶縁膜116の全面には液晶分子を選択され
た角度にプリチルトさせるための背向膜が塗布される。
【0080】また,現在の実施例では透明な感光性の有
機絶縁膜が使用されたが,有色の感光性の有機絶縁膜も
使用でき,好ましくは,黒色の感光性有機絶縁膜を使用
すると,カラーフィルタ基板でブラックマトリクスの使
用が不要になる。一方,図11と図12で適用したスリ
ット構造の代わりに第1投光領域154,254の間隔
を一層狭くしても同一な効果が得られる。
【0081】以上,添付図面を参照しながら本発明にか
かる好適な実施形態について説明したが,本発明はかか
る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であ
れば,特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内
において,各種の変更例または修正例に想到し得ること
は明らかであり,それらについても当然に本発明の技術
的範囲に属するものと了解される。
【0082】
【発明の効果】以上,詳細に説明したように本発明によ
る反射型液晶表示装置は,反射電極のマイクロレンズを
不規則な多角形構造の多数の突起で構成し,その突起間
のコンケーブの幅を一定にすることにより,異なる領域
での液晶分子の背向の不均一性を防止することができ
る。その結果,画像の表現において反射率の向上だけで
なく黒白のコントラスト比も向上させることができる。
【0083】また,本発明の反射型液晶表示装置の製造
方法では,半球形のマイクロレンズとレンズ間の空間大
きさが位置によって全てほぼ同一であるため,設計値と
同一な正確なレンズ形成が可能になる。
【0084】また,凹凸構造の反射電極を形成するため
感光性の有機絶縁膜を使用して,1枚のマスクと一回の
露光工程により凹凸構造及びドレイン電極とのコンタク
トのためのコンタクトホール形成を可能にすることによ
り工程が簡単になる。
【0085】また,投光性の感光性有機絶縁膜の代り
に,反射能を持つ黒色の有機絶縁膜を使用することによ
りカラーフィルタ基板に適用されるブラックマトリクス
の使用が不要になる。
【0086】また,多角形構造のマイクロレンズの各辺
に沿って形成される各コンケーブの幅が一定であること
により設計寸法によって正確なレンズ形成が可能にな
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例による反射電極の部分平面
図である。
【図2】 図1のI−I線に沿って切断した断面図であ
る。
【図3】 本発明の第2実施例による反射電極の部分平
面図である。
【図4】 図3のII−II'線に沿って切断した断面図で
ある。
【図5】 従来と本発明の実施例による反射型液晶表示
器での垂直方向と水平方向での反射率を測定したグラフ
である。
【図6】 (A)は,図1の反射電極を形成するための
フォトマスクの製作過程を説明する説製作過程を説明す
明図である。(B)は,図3の反射電極を形成するため
のフォトマスクのる説明図である。
【図7】 (A),(B)は,各々図6(A),(B)
のフォトマスクを任意の方向に切断した部分断面図であ
る。
【図8】 本発明の第4実施例による反射型液晶表示装
置の薄膜トランジスタの基板部分の平面図である。
【図9】 図6の反射型薄膜トランジスタ基板を製造す
る過程を説明する工程流れ図である。
【図10】 本発明の第5実施例による反射型薄膜トラ
ンジスタ基板を製造する過程を説明する工程流れ図であ
る。
【図11】 図10(B)の過程で適用されるマスクの
概略的平面図である。
【図12】 本発明の他の実施例による反射型液晶表示
器の製造方法に適用されるマスクの概略的平面図であ
る。
【図13】 従来の反射型液晶表示装置の反射電極の平
面図である。
【図14】 一般的な反射型液晶表示装置の概略的な部
分断面図である。
【符号の説明】
103 ゲート電極 103a ゲートライン 104 ゲート絶縁膜 106 半導体膜パターン 108 オーミックコンタクト層 107 半導体膜パターン 110a ソース電極 110b ドレイン電極 111 データライン 112 第1絶縁基板 114 薄膜トランジスタ 116 有機絶縁膜 118 反射電極 118a,118c 突起 118b コンケーブ 120,140 背向膜 132 第2絶縁基板 134 ブラックマトリクス 136 カラーフィルタ 138 透明共通電極 142 スペーサ 144 液晶物質 146 位相差板 148 偏光板 150 マスク 151 石英基板 152 遮光性パターン 154 第1投光領域 154a 格子 154b スリット 156 第2投光領域 162 ストレージ電極 164 コンタクトホール 218 反射電極 218a,218c 突起 218d,218e 陥没部 250 マスク 252 遮光領域 254 第1投光領域 254a 格子 254b スリット 256 第2投光領域 258 第3投光領域
フロントページの続き (72)発明者 カク ジンオ 大韓民国京畿道水原市八達区霊通洞969− 1 癖積ゴル太栄アパート933棟1201号 (72)発明者 姜 勉求 大韓民国ソウル市瑞草区盤浦洞18−1 住 公アパート213棟301号 (72)発明者 辛 鍾業 大韓民国ソウル市広津区華陽洞234番地 現代アパート101棟704号

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 内表面に透明電極を持つ透明な第1絶縁
    基板と,コンケーブとコンベックスを持つ複数個の突起
    を含む反射電極を含み,前記突起の相互隣接するコンケ
    ーブが形成する多数の線と前記反射電極の境界線を連結
    する線が多数の閉曲線領域を定義する第2絶縁基板と,
    前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板との間に介在し,
    前記透明電極と前記反射電極に印加される電場によって
    配列状態が変化する液晶層と,前記透明電極と前記反射
    電極との間に電場を発生させるための電場発生手段とを
    含むことを特徴とする反射型液晶表示装置。
  2. 【請求項2】 前記閉曲線領域は多角形であることを特
    徴とする請求項1記載の反射型液晶表示装置。
  3. 【請求項3】 前記閉曲線領域は少なくとも角の数が異
    なる2個以上の多角形を含むことを特徴とする請求項2
    記載の反射型液晶表示装置。
  4. 【請求項4】 前記反射電極は前記コンベックスの表面
    から所定深さで陥没された凹部をさらに含むことを特徴
    とする請求項1,2,3のいずれか1項に記載の反射型
    液晶表示装置。
  5. 【請求項5】 前記各コンベックスの頂点から隣接する
    コンベックスの頂点までの距離の平均は約8μm〜30
    μmであることを特徴とする請求項1,2,3,4のい
    ずれか1項に記載の反射型液晶表示装置。
  6. 【請求項6】 前記コンケーブの線幅は隣接するコンベ
    ックスの頂点の距離の50%を超えないことを特徴とす
    る請求項1,2,3,4,5のいずれか1項に記載の反
    射型液晶表示装置。
  7. 【請求項7】 前記第2絶縁基板の表面から前記各コン
    ケーブまでの高さはほぼ同一であり,前記コンベックス
    までの高さはお互いに異なることを特徴とする請求項
    1,2,3,4,5,6のいずれか1項に記載の反射型
    液晶表示装置。
  8. 【請求項8】 前記第2絶縁基板の表面から前記各コン
    ベックスまでの高さはほぼ同一であり,前記コンケーブ
    までの高さはお互いに異なることを特徴とする請求項
    1,2,3,4,5,6のいずれか1項に記載の反射型
    液晶表示装置。
  9. 【請求項9】 ソース,ドレイン及びゲート電極を含む
    スイッチング素子が形成された絶縁基板の全面に感光性
    の有機絶縁膜を所定厚さで塗布する段階と,不規則な多
    角形構造の遮光領域と,前記遮光領域間に一定幅の投光
    領域を持つマスクを使用して,前記有機絶縁膜の厚さよ
    り薄い深さで前記有機絶縁膜を1次露光する段階と,前
    記スイッチング素子のドレイン電極が露出されるように
    前記有機絶縁膜の所定部分を2次露光する段階と,前記
    1次,2次露光された部分を現像する段階と,前記現像
    された有機絶縁膜を所定温度で加熱してフローさせる段
    階と,前記段階により作製された物の全面に反射型金属
    を蒸着してパターニングする段階とを含むことを特徴と
    する反射型液晶表示装置の製造方法。
  10. 【請求項10】 前記感光性有機絶縁膜の厚さは,約1
    μm〜3μmであることを特徴とする請求項9記載の反
    射型液晶表示装置の製造方法。
  11. 【請求項11】 前記マスクは前記遮光領域内の所定部
    分に投光領域を持つことを特徴とする請求項9または1
    0に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
  12. 【請求項12】 スイッチング素子が形成された絶縁基
    板の全面に感光性有機絶縁膜を塗布する段階と,多角形
    構造の遮光領域と,前記遮光領域間に形成された所定幅
    の第1投光領域と,前記遮光領域内にコンタクトホール
    を形成するための第2投光領域とを含み,前記第1投光
    領域の透過率が前記第2投光領域の透過率より高いマス
    クを使用して前記有機絶縁膜を露光する段階と,前記露
    光された部分を一度に現像する段階と,前記有機絶縁膜
    の表面に反射型金属を蒸着してパターニングする段階と
    を含むことを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方
    法。
  13. 【請求項13】 前記マスクの第1投光領域は前記第1
    投光領域を多数のスリットで分割する多数の格子を含む
    ことを特徴とする請求項12記載の反射型液晶表示装置
    の製造方法。
  14. 【請求項14】 前記第1,第2投光領域の界面での干
    渉及び回折現象の程度によって第1投光領域を通過した
    光は前記感光性有機絶縁膜の対応する部分をその厚さよ
    り薄い深さまで露光して,前記第2投光領域を通過した
    光は前記感光性有機絶縁膜の対応する部分をその厚さと
    同一な深さまで露光するように,前記第2投光領域は前
    記第1投光領域の各スリットより広い面積を持つことを
    特徴とする請求項13記載の反射型液晶表示装置の製造
    方法。
  15. 【請求項15】 前記遮光領域は少なくとも角の数が異
    なる2個以上の多角形を含むことを特徴とする請求項1
    2,13,14のいずれか1項に記載の反射型液晶表示
    装置の製造方法。
  16. 【請求項16】 前記マスクは前記遮光領域の所定部分
    に形成された第3投光領域をさらに含むことを特徴とす
    る請求項12,13,14,15のいずれか1項に記載
    の反射型液晶表示装置の製造方法。
  17. 【請求項17】 前記第3投光領域は前記第2投光領域
    より狭い面積を持つことを特徴とする請求項16記載の
    反射型液晶表示装置の製造方法。
  18. 【請求項18】 前記感光性の有機絶縁膜は黒色である
    ことを特徴とする請求項12記載の反射型液晶表示装置
    の製造方法。
  19. 【請求項19】 前記現像された絶縁膜を所定温度でベ
    ーキングする段階をさらに含むことを特徴とする請求項
    12,13,14,15,16,17,18のいずれか
    1項に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
JP2000065723A 1999-03-04 2000-03-06 反射型液晶表示装置及びその製造方法 Expired - Fee Related JP4798822B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990007093A KR100286978B1 (ko) 1999-03-04 1999-03-04 반사형 액정표시장치 및 그 제조방법
KR1019990022989A KR100601194B1 (ko) 1999-06-18 1999-06-18 반사형 액정표시장치 및 이의 제조방법
KR1999P7093 1999-06-18
KR1999P22989 1999-06-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000292785A true JP2000292785A (ja) 2000-10-20
JP4798822B2 JP4798822B2 (ja) 2011-10-19

Family

ID=26634767

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000065723A Expired - Fee Related JP4798822B2 (ja) 1999-03-04 2000-03-06 反射型液晶表示装置及びその製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6522375B1 (ja)
JP (1) JP4798822B2 (ja)
CN (1) CN1174359C (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002052337A1 (en) * 2000-12-27 2002-07-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. A light reflector and a liquid crystal display device
JP2002196322A (ja) * 2000-11-11 2002-07-12 Samsung Electronics Co Ltd 反射型液晶表示装置及びその製造方法
JP2002202503A (ja) * 2000-10-31 2002-07-19 Toshiba Corp 液晶表示装置
EP1271222A2 (en) * 2001-06-22 2003-01-02 Nec Corporation Reflection plate, manufacturing method thereof, liquid crystal display device and manufacturing method thereof
WO2003014818A1 (en) * 2001-08-06 2003-02-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Reflection type liquid crystal display device
WO2003023462A1 (fr) * 2001-09-07 2003-03-20 Nec Corporation Production de donnees de motif depourvues de tout chevauchement ou de toute separation excessive des motifs de points adjacents les uns aux autres
WO2004027498A1 (en) * 2002-09-18 2004-04-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display device
WO2004055579A1 (en) * 2002-12-14 2004-07-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Manufacture of diffusely reflecting pixel electrodes for a liquid crystal display and grey-tone photomasks therefor
US6943856B2 (en) 2000-11-08 2005-09-13 Nec Corporation Reflection plate, reflection type liquid crystal display apparatus, and method of manufacturing the same
JP2005352392A (ja) * 2004-06-14 2005-12-22 Ricoh Co Ltd マイクロレンズアレイ、空間光変調装置及びプロジェクタ装置
US7543950B2 (en) 2001-11-29 2009-06-09 Tpo Hong Kong Holding Limited Diffuse reflector for a liquid crystal display device
TWI391777B (zh) * 2007-06-28 2013-04-01 S&S Tech Co Ltd 灰度光罩基板製造方法和基於該方法的光罩
JP2013114010A (ja) * 2011-11-29 2013-06-10 Dainippon Printing Co Ltd 面光源装置、及び画像表示装置

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6297548B1 (en) 1998-06-30 2001-10-02 Micron Technology, Inc. Stackable ceramic FBGA for high thermal applications
JP2001194662A (ja) * 2000-01-14 2001-07-19 Nec Corp 反射型液晶表示装置及びその製造方法
WO2001061403A1 (fr) * 2000-02-16 2001-08-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Corps moule, panneau reflechissant, afficheur reflectif et procede pour produire un panneau reflechissant
US6873384B2 (en) * 2000-04-17 2005-03-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Reflection board, reflection tyre liquid crystal display unit and production method therefor, optical member, display unit, illuminating device, display board, and undulatory member
US7215393B2 (en) * 2000-07-28 2007-05-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Reflective plate and display device using the plate
JP3467246B2 (ja) * 2000-11-10 2003-11-17 Nec液晶テクノロジー株式会社 反射型液晶表示装置
JP3904828B2 (ja) 2000-12-07 2007-04-11 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP2003122267A (ja) * 2001-10-04 2003-04-25 Koninkl Philips Electronics Nv 光反射体及びそれを用いた表示装置
TWI292849B (ja) * 2001-12-31 2008-01-21 Prime View Int Corp Ltd
KR20020077280A (ko) * 2002-03-11 2002-10-11 프라임 뷰 인터내셔널 코오포레이션 리미티드 다중 도메인 액정 디스플레이의 반사체 구조 및, 그것의제조 방법
KR20060013005A (ko) * 2004-08-05 2006-02-09 삼성전자주식회사 마스크, 박막트랜지스터 기판, 이의 제조 방법 및 이를갖는 표시장치
JP2007212969A (ja) * 2006-02-13 2007-08-23 Nec Lcd Technologies Ltd 反射板及び該反射板を備える液晶表示装置並びにその製造方法
KR20080061924A (ko) * 2006-12-28 2008-07-03 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판과 이의 제조방법
SG142321A1 (en) 2008-04-24 2009-11-26 Micron Technology Inc Pre-encapsulated cavity interposer
GB0811811D0 (en) * 2008-06-27 2008-07-30 Liquavista Bv Electrowetting display device
JP4835705B2 (ja) * 2009-02-27 2011-12-14 ソニー株式会社 反射電極の形成方法並びに駆動基板および表示装置
CN102128777A (zh) * 2010-11-24 2011-07-20 西安交通大学 一种用于细胞检测的3d微流控结构及其制备方法
CN102148194B (zh) * 2010-11-26 2013-09-18 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管、液晶显示面板及其制造方法
EP2671438A4 (en) * 2011-02-02 2017-06-14 3M Innovative Properties Company Patterned substrates with darkened conductor traces
CN102707349B (zh) * 2012-03-31 2015-07-29 深圳市华星光电技术有限公司 反射型液晶显示器的反射层的制造方法
TWI623776B (zh) * 2012-12-17 2018-05-11 Lg伊諾特股份有限公司 設計光學基板的方法
CN103728827B (zh) * 2013-12-26 2016-07-06 深圳市华星光电技术有限公司 光掩膜、薄膜晶体管元件及制作薄膜晶体管元件的方法
WO2017073251A1 (ja) * 2015-10-29 2017-05-04 デクセリアルズ株式会社 拡散板、拡散板の設計方法、拡散板の製造方法、表示装置、投影装置及び照明装置
JP6884518B2 (ja) 2015-10-29 2021-06-09 デクセリアルズ株式会社 拡散板、拡散板の設計方法、拡散板の製造方法、表示装置、投影装置及び照明装置
CN107976831B (zh) * 2017-09-29 2020-10-16 上海天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
WO2022160279A1 (zh) * 2021-01-29 2022-08-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及电子设备

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05281533A (ja) * 1992-04-02 1993-10-29 Sharp Corp 反射型液晶表示装置およびその製造方法
JPH0990426A (ja) * 1995-09-27 1997-04-04 Dainippon Printing Co Ltd 薄膜トランジスタ基板およびその製造方法
JPH10240171A (ja) * 1997-02-28 1998-09-11 Toshiba Corp 液晶表示装置
JP2000009911A (ja) * 1998-06-19 2000-01-14 Sony Corp 拡散反射板及びその製造方法と反射型表示装置
JP2000171794A (ja) * 1998-09-28 2000-06-23 Sharp Corp 液晶表示装置の製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4205428A (en) * 1978-02-23 1980-06-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Planar liquid crystal matrix array chip
JPS5621125A (en) * 1979-07-30 1981-02-27 Fujitsu Ltd Photomask
JPS63128347A (ja) * 1986-11-19 1988-05-31 Hitachi Ltd フオトマスク
EP0536898B1 (en) * 1991-09-10 1997-07-02 Sharp Kabushiki Kaisha Reflection type liquid crystal display device and method of manufacturing the same
DE69321523T2 (de) * 1992-06-26 1999-05-06 Sharp Kk Reflektive Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung
KR100280035B1 (ko) * 1992-11-27 2001-03-02 기타지마 요시토시 위상쉬프트 포토마스크
JPH07281413A (ja) * 1994-04-05 1995-10-27 Mitsubishi Electric Corp 減衰型位相シフトマスクおよびその製造方法
KR100384746B1 (ko) * 1994-09-13 2003-08-25 제온 코포레이션 감광성 폴리이미드 수지 조성물
JPH08297359A (ja) * 1995-02-27 1996-11-12 Hitachi Ltd 位相シフトマスクの製造方法および半導体集積回路装置の製造方法
KR0175012B1 (ko) * 1995-09-13 1999-02-18 김광호 초경강판재의 패턴 형성 방법
JP3209317B2 (ja) * 1995-10-31 2001-09-17 シャープ株式会社 透過型液晶表示装置およびその製造方法
US5725976A (en) * 1996-01-30 1998-03-10 Sumitomo Chemical Company, Limited Method for manufacture of a color filter
JPH10221704A (ja) * 1997-02-07 1998-08-21 Sharp Corp 反射型液晶表示装置およびその製造方法
US6348096B1 (en) * 1997-03-13 2002-02-19 Nec Corporation Method for manufacturing group III-V compound semiconductors
JP3522517B2 (ja) * 1997-12-22 2004-04-26 シャープ株式会社 反射板の製造方法
JP2000250224A (ja) * 1999-03-01 2000-09-14 Toshiba Corp 表示装置用パターンレイアウト方法及びその記録媒体

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05281533A (ja) * 1992-04-02 1993-10-29 Sharp Corp 反射型液晶表示装置およびその製造方法
JPH0990426A (ja) * 1995-09-27 1997-04-04 Dainippon Printing Co Ltd 薄膜トランジスタ基板およびその製造方法
JPH10240171A (ja) * 1997-02-28 1998-09-11 Toshiba Corp 液晶表示装置
JP2000009911A (ja) * 1998-06-19 2000-01-14 Sony Corp 拡散反射板及びその製造方法と反射型表示装置
JP2000171794A (ja) * 1998-09-28 2000-06-23 Sharp Corp 液晶表示装置の製造方法

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002202503A (ja) * 2000-10-31 2002-07-19 Toshiba Corp 液晶表示装置
US6943856B2 (en) 2000-11-08 2005-09-13 Nec Corporation Reflection plate, reflection type liquid crystal display apparatus, and method of manufacturing the same
JP2002196322A (ja) * 2000-11-11 2002-07-12 Samsung Electronics Co Ltd 反射型液晶表示装置及びその製造方法
WO2002052337A1 (en) * 2000-12-27 2002-07-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. A light reflector and a liquid crystal display device
EP1271222A2 (en) * 2001-06-22 2003-01-02 Nec Corporation Reflection plate, manufacturing method thereof, liquid crystal display device and manufacturing method thereof
US7042539B2 (en) 2001-06-22 2006-05-09 Nec Lcd Technologies, Ltd. Reflection plate, manufacturing method thereof, liquid crystal display device and manufacturing method thereof
EP1271222A3 (en) * 2001-06-22 2003-12-17 NEC LCD Technologies, Ltd. Reflection plate, manufacturing method thereof, liquid crystal display device and manufacturing method thereof
WO2003014818A1 (en) * 2001-08-06 2003-02-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Reflection type liquid crystal display device
WO2003023462A1 (fr) * 2001-09-07 2003-03-20 Nec Corporation Production de donnees de motif depourvues de tout chevauchement ou de toute separation excessive des motifs de points adjacents les uns aux autres
US7612847B2 (en) 2001-09-07 2009-11-03 Nec Lcd Technologies, Ltd. Generation of pattern data with no overlapping or excessive distance between adjacent patterns
US7543950B2 (en) 2001-11-29 2009-06-09 Tpo Hong Kong Holding Limited Diffuse reflector for a liquid crystal display device
WO2004027498A1 (en) * 2002-09-18 2004-04-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display device
US6947109B2 (en) 2002-09-18 2005-09-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display device
WO2004055579A1 (en) * 2002-12-14 2004-07-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Manufacture of diffusely reflecting pixel electrodes for a liquid crystal display and grey-tone photomasks therefor
JP2005352392A (ja) * 2004-06-14 2005-12-22 Ricoh Co Ltd マイクロレンズアレイ、空間光変調装置及びプロジェクタ装置
TWI391777B (zh) * 2007-06-28 2013-04-01 S&S Tech Co Ltd 灰度光罩基板製造方法和基於該方法的光罩
JP2013114010A (ja) * 2011-11-29 2013-06-10 Dainippon Printing Co Ltd 面光源装置、及び画像表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN1174359C (zh) 2004-11-03
US6522375B1 (en) 2003-02-18
CN1266254A (zh) 2000-09-13
JP4798822B2 (ja) 2011-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4798822B2 (ja) 反射型液晶表示装置及びその製造方法
KR20000031459A (ko) 반사형 액정표시장치 및 그의 제조방법
JP2007212969A (ja) 反射板及び該反射板を備える液晶表示装置並びにその製造方法
JP4444110B2 (ja) 液晶表示装置
JPH07205322A (ja) マイクロコーナーキューブ・マイクロコーナーキューブアレイおよびこれらの製造方法およびマイクロコーナーキューブアレイを用いる表示装置
KR100286978B1 (ko) 반사형 액정표시장치 및 그 제조방법
US6919943B2 (en) Substrate for a liquid crystal device, method of manufacturing a substrate for a liquid crystal device, a liquid crystal device, a method of manufacturing a liquid crystal device, and an electronic apparatus
KR100601194B1 (ko) 반사형 액정표시장치 및 이의 제조방법
US6954244B2 (en) Reflection liquid crystal display device with reflection electrode region having two widths
JP2003122267A (ja) 光反射体及びそれを用いた表示装置
JP4308570B2 (ja) 光反射性構造体の製造方法
JP3566874B2 (ja) 液晶表示装置の製造方法
KR100487783B1 (ko) 반사판을 가진 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법
TWI243265B (en) Method for forming a reflection-type light diffuser
JP4135538B2 (ja) 液晶表示装置の製造方法
KR100930361B1 (ko) 요철형 반사판의 제조방법
KR100922785B1 (ko) 반사형 액정표시장치의 제조방법
JP4067097B2 (ja) 液晶表示装置の製造方法
TWI303002B (en) Methods for forming photosensitive insulating film pattern and reflection electrode each having irregular upper surface and method for manufacturing lcd having reflection electrode using the same
JP2003043217A (ja) 光拡散膜の製造方法
KR100936890B1 (ko) 액정 표시 장치의 반사면 제조 방법
JP2006133625A (ja) 反射板及び該反射板を備える液晶表示装置
TWI300497B (en) Reflection type liquid crystal display and method of manufacturing the same
JP2003139927A (ja) 反射板及びこれを用いた液晶表示装置及びフォトマスク
JP2000193968A (ja) 光反射性基板およびその製造方法と反射型液晶表示素子

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070214

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100608

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100908

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20100908

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100915

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101008

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101109

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110209

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110712

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110802

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140812

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4798822

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140812

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140812

Year of fee payment: 3

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees