JP2000292785A - 反射型液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
反射型液晶表示装置及びその製造方法Info
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 効率的な反射率を実現するとともにコントラ
スト比を増加させて，反射電極のマイクロレンズを設計
値のように正確に形成し，１回の露光工程により凹凸構
造の表面とコンタクトホールの形成を可能にする反射電
極の製造方法を提供すること。 【解決手段】内表面に透明電極を持つ透明な第１絶縁基
板と，コンケーブとコンベックスを持つ複数個の突起を
含む反射電極を含み，突起の相互隣接するコンケーブが
形成する多数の線と反射電極の境界線を連結する線が多
数の閉曲線領域を定義する第２絶縁基板と，第１絶縁基
板と第２絶縁基板との間に介在され，透明電極と反射電
極に印加される電場によって配列状態が変化する液晶層
と，透明電極と反射電極との間に電場を発生させるため
の電場発生手段とを含む。
スト比を増加させて，反射電極のマイクロレンズを設計
値のように正確に形成し，１回の露光工程により凹凸構
造の表面とコンタクトホールの形成を可能にする反射電
極の製造方法を提供すること。 【解決手段】内表面に透明電極を持つ透明な第１絶縁基
板と，コンケーブとコンベックスを持つ複数個の突起を
含む反射電極を含み，突起の相互隣接するコンケーブが
形成する多数の線と反射電極の境界線を連結する線が多
数の閉曲線領域を定義する第２絶縁基板と，第１絶縁基
板と第２絶縁基板との間に介在され，透明電極と反射電
極に印加される電場によって配列状態が変化する液晶層
と，透明電極と反射電極との間に電場を発生させるため
の電場発生手段とを含む。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，反射型液晶表示装
置に係り，より詳細には，凹凸構造の反射電極を持つ反
射型液晶表示装置及びその製造方法に関するものであ
る。
置に係り，より詳細には，凹凸構造の反射電極を持つ反
射型液晶表示装置及びその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】テレビ，コンピュータ用モニタ等のよう
な表示器に採用されている陰極線管（ＣＲＴ）は，重
量，装置空間，消費電力等が大きいため，設置及び移動
時に制約がある。その短所を補完するため，液晶を利用
する液晶表示器，面放電を利用するプラズマディスプレ
イパネル（ＰＤＰ），電界発光を利用した表示器等のよ
うに平板パネルを利用した表示器が提案されて現在幅広
く使用されている。
な表示器に採用されている陰極線管（ＣＲＴ）は，重
量，装置空間，消費電力等が大きいため，設置及び移動
時に制約がある。その短所を補完するため，液晶を利用
する液晶表示器，面放電を利用するプラズマディスプレ
イパネル（ＰＤＰ），電界発光を利用した表示器等のよ
うに平板パネルを利用した表示器が提案されて現在幅広
く使用されている。
【０００３】平板表示器の中で液晶表示器は他の平板表
示器に比して低消費電力，低電圧駆動とともに高精細
化，フルカラー表示等，陰極線管に近接した表示品質が
可能であり，製造工程の容易化等の理由により多様な電
子装置に適用されている。
示器に比して低消費電力，低電圧駆動とともに高精細
化，フルカラー表示等，陰極線管に近接した表示品質が
可能であり，製造工程の容易化等の理由により多様な電
子装置に適用されている。
【０００４】このような液晶表示器には外部光源を利用
する透写型液晶表示器と外部光源の代りに自然光を利用
する反射型液晶表示器がある。反射型液晶表示器は消費
電力が低いだけではなく，バックライト装置が不要なた
め薄形軽量であり，屋外での表示が卓越という長所を持
つ。このような特徴から，反射型液晶表示器は携帯型器
機として最適の条件を具備しているといえる。
する透写型液晶表示器と外部光源の代りに自然光を利用
する反射型液晶表示器がある。反射型液晶表示器は消費
電力が低いだけではなく，バックライト装置が不要なた
め薄形軽量であり，屋外での表示が卓越という長所を持
つ。このような特徴から，反射型液晶表示器は携帯型器
機として最適の条件を具備しているといえる。
【０００５】しかし，現在の反射型液晶表示器の表示画
面は暗く，高精細表示及びカラー表示に対応できないた
め，携帯型器機の中でも数字等簡単なパターン表示だけ
が要求される低価商品にだけ使用されている。特に，文
書ビューアー（ｄｏｃｕｍｅｎｔ ｖｉｅｗｅｒ），イ
ンターネットビューアー（ｉｎｔｅｒｎｅｔ ｖｉｅｗ
ｅｒ）等の機能を持つ携帯型情報機器に反射型液晶表示
器を使用するためには，反射輝度の向上だけではなく高
精細化，カラー化が要求される。
面は暗く，高精細表示及びカラー表示に対応できないた
め，携帯型器機の中でも数字等簡単なパターン表示だけ
が要求される低価商品にだけ使用されている。特に，文
書ビューアー（ｄｏｃｕｍｅｎｔ ｖｉｅｗｅｒ），イ
ンターネットビューアー（ｉｎｔｅｒｎｅｔ ｖｉｅｗ
ｅｒ）等の機能を持つ携帯型情報機器に反射型液晶表示
器を使用するためには，反射輝度の向上だけではなく高
精細化，カラー化が要求される。
【０００６】また，携帯型情報機器で主に文字を表示す
る単色（ｍｏｎｏｃｈｒｏ）表示液晶表示器を見やすく
するためには，反射輝度向上と高精細化が要求されて，
その実現のためには薄膜トランジスタ等のスイッチング
素子を形成したアクティブマトリクス基板が必要であ
る。しかし，単色表示器機では表示可能な情報が制限さ
れるため器機全体の価格設定が低くなり，パネル単価が
高い薄膜トランジスタの採用は単色表示器機では困難で
あった。
る単色（ｍｏｎｏｃｈｒｏ）表示液晶表示器を見やすく
するためには，反射輝度向上と高精細化が要求されて，
その実現のためには薄膜トランジスタ等のスイッチング
素子を形成したアクティブマトリクス基板が必要であ
る。しかし，単色表示器機では表示可能な情報が制限さ
れるため器機全体の価格設定が低くなり，パネル単価が
高い薄膜トランジスタの採用は単色表示器機では困難で
あった。
【０００７】また，未来には携帯情報機器でのカラー化
は必然であるため，単色表示器機の商品寿命は短かくな
る見込みであり，反射型液晶表示器開発はカラー化方向
で進行している。
は必然であるため，単色表示器機の商品寿命は短かくな
る見込みであり，反射型液晶表示器開発はカラー化方向
で進行している。
【０００８】しかし，明るさとコントラスト，応答速度
面で性能が不足しているため，パネル技術と市場の両面
で大きい展開があるにもかかわらず，反射型カラー液晶
は現在まではあまり実用化されていない。
面で性能が不足しているため，パネル技術と市場の両面
で大きい展開があるにもかかわらず，反射型カラー液晶
は現在まではあまり実用化されていない。
【０００９】明るさの向上は二つの技術の組み合わせ，
即ち，反射電極の反射効率を高める技術と超高開口率技
術を組み合わせることにより実現されている。反射効率
を高める技術は既に従来のゲストホスト液晶に使用され
ており，反射機能を与えた電極に微細な凹凸を形成して
反射効率を最大にする技術は米国特許５,６１０,７４１
号に開示されている。
即ち，反射電極の反射効率を高める技術と超高開口率技
術を組み合わせることにより実現されている。反射効率
を高める技術は既に従来のゲストホスト液晶に使用され
ており，反射機能を与えた電極に微細な凹凸を形成して
反射効率を最大にする技術は米国特許５,６１０,７４１
号に開示されている。
【００１０】図１３は従来の反射型液晶表示器での反射
電極の表面を概略的に示す平面図である。図１３に示す
ように，反射電極１０は突出された半球形状のマイクロ
レンズが不規則に配列された構造を持つ。
電極の表面を概略的に示す平面図である。図１３に示す
ように，反射電極１０は突出された半球形状のマイクロ
レンズが不規則に配列された構造を持つ。
【００１１】図１４は反射型薄膜トランジスタ液晶表示
装置の概略的な断面図である。図１４に示すように，反
射型液晶表示装置は，内表面にスイッチング素子である
薄膜トランジスタ１１４と突起の形状を持つ反射板から
構成された画素電極（以下，反射電極と称する）１１８
を持つ第１絶縁基板１１２と，位相差板１４６と偏光板
１４８とが外表面に順次的に付着されて，内表面側には
ブラックマトリクス１３４と，赤，緑，青のカラーフィ
ルタ１３６，透明共通電極１３８からなる投光性の第２
絶縁基板１３２がスペーサ１４２を利用して一定間隔で
結合された間に液晶物質１４４が介在された構成を持
つ。
装置の概略的な断面図である。図１４に示すように，反
射型液晶表示装置は，内表面にスイッチング素子である
薄膜トランジスタ１１４と突起の形状を持つ反射板から
構成された画素電極（以下，反射電極と称する）１１８
を持つ第１絶縁基板１１２と，位相差板１４６と偏光板
１４８とが外表面に順次的に付着されて，内表面側には
ブラックマトリクス１３４と，赤，緑，青のカラーフィ
ルタ１３６，透明共通電極１３８からなる投光性の第２
絶縁基板１３２がスペーサ１４２を利用して一定間隔で
結合された間に液晶物質１４４が介在された構成を持
つ。
【００１２】薄膜トランジスタ１１４は，第１絶縁基板
１１２上のゲート電極１０３，ゲート絶縁膜１０４，半
導体膜パターン１０６，オーミックコンタクト層（ｏｈ
ｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ ｌａｙｅｒ）１０８，ソース
電極１１０ａ，ドレイン電極１１０ｂから成る。反射電
極１１８を含む第１絶縁基板１１２の内表面と透明共通
電極１３８を含む第２絶縁基板１３２の内表面には，液
晶の背向のための背向膜１２０，１４０が各々配置され
る。
１１２上のゲート電極１０３，ゲート絶縁膜１０４，半
導体膜パターン１０６，オーミックコンタクト層（ｏｈ
ｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ ｌａｙｅｒ）１０８，ソース
電極１１０ａ，ドレイン電極１１０ｂから成る。反射電
極１１８を含む第１絶縁基板１１２の内表面と透明共通
電極１３８を含む第２絶縁基板１３２の内表面には，液
晶の背向のための背向膜１２０，１４０が各々配置され
る。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，従来の
反射電極はマイクロレンズ２が半球形であるため，マイ
クロレンズの間の空間４は位置によって大きさが異な
る。このような各空間４の大きさに関する相異は，マイ
クロレンズ２の間の高さの相違で現れ，結果的に異なる
領域での反射率の不均一を発生させる。このような反射
率の不均一性は液晶分子の背向の不均一性を招来し，画
像の表現において黒白のコントラスト比が低下するとい
う問題を生じさせる。
反射電極はマイクロレンズ２が半球形であるため，マイ
クロレンズの間の空間４は位置によって大きさが異な
る。このような各空間４の大きさに関する相異は，マイ
クロレンズ２の間の高さの相違で現れ，結果的に異なる
領域での反射率の不均一を発生させる。このような反射
率の不均一性は液晶分子の背向の不均一性を招来し，画
像の表現において黒白のコントラスト比が低下するとい
う問題を生じさせる。
【００１４】また，半球形のマイクロレンズ２のレンズ
間の空間４の大きさは位置によって全て異なるため，設
計値と同一な正確なレンズの形成が困難である。さら
に，マイクロレンズ２は反射電極の下部に感光性の有機
絶縁膜１１６を塗布して，露光と現像を通して凹凸構造
の表面を形成するため，凹凸構造の形成のためのマスク
と反射電極をドレイン電極にコンタクトするためのコン
タクトホール（ｃｏｎｔａｃｔ ｈｏｌｅ）の形成のた
めのマスクが別に使用されて２回の露光工程を必要とす
る。
間の空間４の大きさは位置によって全て異なるため，設
計値と同一な正確なレンズの形成が困難である。さら
に，マイクロレンズ２は反射電極の下部に感光性の有機
絶縁膜１１６を塗布して，露光と現像を通して凹凸構造
の表面を形成するため，凹凸構造の形成のためのマスク
と反射電極をドレイン電極にコンタクトするためのコン
タクトホール（ｃｏｎｔａｃｔ ｈｏｌｅ）の形成のた
めのマスクが別に使用されて２回の露光工程を必要とす
る。
【００１５】したがって，本発明はこのような問題点に
着眼して案出されたもので，その第１目的は，従来の技
術より，一層効率的な反射率を実現しながらコントラス
ト比をも増加させることにある。
着眼して案出されたもので，その第１目的は，従来の技
術より，一層効率的な反射率を実現しながらコントラス
ト比をも増加させることにある。
【００１６】本発明の第２目的は，反射電極のマイクロ
レンズを設計値と同じに正確に形成することにある。
レンズを設計値と同じに正確に形成することにある。
【００１７】本発明の第３目的は，１回の露光工程によ
り凹凸構造の表面とコンタクトホールの形成を可能にす
る反射電極の製造方法を提供することにある。
り凹凸構造の表面とコンタクトホールの形成を可能にす
る反射電極の製造方法を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，本発明は，請求項１に記載のように，内表面に透明
電極を持つ透明な第１絶縁基板と，コンケーブとコンベ
ックスを持つ複数個の突起を含む反射電極を含み，前記
突起の相互隣接するコンケーブが形成する多数の線と前
記反射電極の境界線を連結する線が多数の閉曲線領域を
定義する第２絶縁基板と，前記第１絶縁基板と前記第２
絶縁基板との間に介在し，前記透明電極と前記反射電極
に印加される電場によって配列状態が変化する液晶層
と，前記透明電極と前記反射電極との間に電場を発生さ
せるための電場発生手段とを含むことを特徴とする反射
型液晶表示装置を提供する。
に，本発明は，請求項１に記載のように，内表面に透明
電極を持つ透明な第１絶縁基板と，コンケーブとコンベ
ックスを持つ複数個の突起を含む反射電極を含み，前記
突起の相互隣接するコンケーブが形成する多数の線と前
記反射電極の境界線を連結する線が多数の閉曲線領域を
定義する第２絶縁基板と，前記第１絶縁基板と前記第２
絶縁基板との間に介在し，前記透明電極と前記反射電極
に印加される電場によって配列状態が変化する液晶層
と，前記透明電極と前記反射電極との間に電場を発生さ
せるための電場発生手段とを含むことを特徴とする反射
型液晶表示装置を提供する。
【００１９】その際に，請求項２に記載のように，前記
閉曲線領域は多角形であり，請求項３に記載のように，
前記閉曲線領域は少なくとも角の数が異なる２個以上の
多角形を含むよう構成すれば，光効率を高めることがで
きる。また，請求項４に記載のように，前記反射電極は
前記コンベックスの表面から所定深さで陥没された凹部
をさらに含むようにすれば，正面での反射率を高めるこ
とができる。請求項５に記載のように，前記各コンベッ
クスの頂点から隣接するコンベックスの頂点までの距離
の平均は約８μｍ〜３０μｍであり，請求項６に記載の
ように，前記コンケーブの線幅は隣接するコンベックス
の頂点の距離の５０％を超えないよう構成することが好
ましい。
閉曲線領域は多角形であり，請求項３に記載のように，
前記閉曲線領域は少なくとも角の数が異なる２個以上の
多角形を含むよう構成すれば，光効率を高めることがで
きる。また，請求項４に記載のように，前記反射電極は
前記コンベックスの表面から所定深さで陥没された凹部
をさらに含むようにすれば，正面での反射率を高めるこ
とができる。請求項５に記載のように，前記各コンベッ
クスの頂点から隣接するコンベックスの頂点までの距離
の平均は約８μｍ〜３０μｍであり，請求項６に記載の
ように，前記コンケーブの線幅は隣接するコンベックス
の頂点の距離の５０％を超えないよう構成することが好
ましい。
【００２０】なお，請求項７に記載のように，前記第２
絶縁基板の表面から前記各コンケーブまでの高さはほぼ
同一であり，前記コンベックスまでの高さはお互いに異
なるよう構成してもよく，あるいは，請求項８に記載の
ように，前記第２絶縁基板の表面から前記各コンベック
スまでの高さはほぼ同一であり，前記コンケーブまでの
高さはお互いに異なるよう構成してもよい。上記のよう
な構成とすることにより，反射電極の突起が不規則な模
様の多角形で配置されて，その突起間の幅は一定とな
り，各方向で突起の大きさが不規則な凹凸構造を持ち，
さらに，従来の反射電極構造に比較して平ら領域が最大
限に減少することにより，光効率が高く，深い凹部によ
る背向の不均一性が最小化される。
絶縁基板の表面から前記各コンケーブまでの高さはほぼ
同一であり，前記コンベックスまでの高さはお互いに異
なるよう構成してもよく，あるいは，請求項８に記載の
ように，前記第２絶縁基板の表面から前記各コンベック
スまでの高さはほぼ同一であり，前記コンケーブまでの
高さはお互いに異なるよう構成してもよい。上記のよう
な構成とすることにより，反射電極の突起が不規則な模
様の多角形で配置されて，その突起間の幅は一定とな
り，各方向で突起の大きさが不規則な凹凸構造を持ち，
さらに，従来の反射電極構造に比較して平ら領域が最大
限に減少することにより，光効率が高く，深い凹部によ
る背向の不均一性が最小化される。
【００２１】また，本発明の別の観点によれば，請求項
９に記載のように，ソース，ドレイン及びゲート電極を
含むスイッチング素子が形成された絶縁基板の全面に感
光性の有機絶縁膜を所定厚さで塗布する段階と，不規則
な多角形構造の遮光領域と，前記遮光領域間に一定幅の
投光領域を持つマスクを使用して，前記有機絶縁膜の厚
さより薄い深さで前記有機絶縁膜を１次露光する段階
と，前記スイッチング素子のドレイン電極が露出される
ように前記有機絶縁膜の所定部分を２次露光する段階
と，前記１次，２次露光された部分を現像する段階と，
前記現像された有機絶縁膜を所定温度で加熱してフロー
させる段階と，前記段階により作製された物の全面に反
射型金属を蒸着してパターニングする段階とを含むこと
を特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法が提供され
る。その際に，請求項１０に記載のように，前記感光性
有機絶縁膜の厚さは，約１μｍ〜３μｍであるよう構成
することが好ましく，請求項１１に記載のように，前記
マスクは前記遮光領域内の所定部分に投光領域を持つこ
とが好ましい。
９に記載のように，ソース，ドレイン及びゲート電極を
含むスイッチング素子が形成された絶縁基板の全面に感
光性の有機絶縁膜を所定厚さで塗布する段階と，不規則
な多角形構造の遮光領域と，前記遮光領域間に一定幅の
投光領域を持つマスクを使用して，前記有機絶縁膜の厚
さより薄い深さで前記有機絶縁膜を１次露光する段階
と，前記スイッチング素子のドレイン電極が露出される
ように前記有機絶縁膜の所定部分を２次露光する段階
と，前記１次，２次露光された部分を現像する段階と，
前記現像された有機絶縁膜を所定温度で加熱してフロー
させる段階と，前記段階により作製された物の全面に反
射型金属を蒸着してパターニングする段階とを含むこと
を特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法が提供され
る。その際に，請求項１０に記載のように，前記感光性
有機絶縁膜の厚さは，約１μｍ〜３μｍであるよう構成
することが好ましく，請求項１１に記載のように，前記
マスクは前記遮光領域内の所定部分に投光領域を持つこ
とが好ましい。
【００２２】さらにまた，本発明の別の観点によれば，
請求項１２に記載のように，スイッチング素子が形成さ
れた絶縁基板の全面に感光性有機絶縁膜を塗布する段階
と，多角形構造の遮光領域と，前記遮光領域間に形成さ
れた所定幅の第１投光領域と，前記遮光領域内にコンタ
クトホールを形成するための第２投光領域とを含み，前
記第１投光領域の透過率が前記第２投光領域の透過率よ
り高いマスクを使用して前記有機絶縁膜を露光する段階
と，前記露光された部分を一度に現像する段階と，前記
有機絶縁膜の表面に反射型金属を蒸着してパターニング
する段階とを含むことを特徴とする反射型液晶表示装置
の製造方法が提供される。その際に，請求項１３に記載
のように，前記マスクの第１投光領域は前記第１投光領
域を多数のスリットで分割する多数の格子を含むよう構
成することが好ましい。
請求項１２に記載のように，スイッチング素子が形成さ
れた絶縁基板の全面に感光性有機絶縁膜を塗布する段階
と，多角形構造の遮光領域と，前記遮光領域間に形成さ
れた所定幅の第１投光領域と，前記遮光領域内にコンタ
クトホールを形成するための第２投光領域とを含み，前
記第１投光領域の透過率が前記第２投光領域の透過率よ
り高いマスクを使用して前記有機絶縁膜を露光する段階
と，前記露光された部分を一度に現像する段階と，前記
有機絶縁膜の表面に反射型金属を蒸着してパターニング
する段階とを含むことを特徴とする反射型液晶表示装置
の製造方法が提供される。その際に，請求項１３に記載
のように，前記マスクの第１投光領域は前記第１投光領
域を多数のスリットで分割する多数の格子を含むよう構
成することが好ましい。
【００２３】そして，請求項１４に記載のように，前記
第１，第２投光領域の界面での干渉及び回折現象の程度
によって第１投光領域を通過した光は前記感光性有機絶
縁膜の対応する部分をその厚さより薄い深さまで露光し
て，前記第２投光領域を通過した光は前記感光性有機絶
縁膜の対応する部分をその厚さと同一な深さまで露光す
るように，前記第２投光領域は前記第１投光領域の各ス
リットより広い面積を持つよう構成することが好まし
く，請求項１５に記載のように，前記遮光領域は少なく
とも角の数が異なる２個以上の多角形を含むよう構成す
ることが好ましい。
第１，第２投光領域の界面での干渉及び回折現象の程度
によって第１投光領域を通過した光は前記感光性有機絶
縁膜の対応する部分をその厚さより薄い深さまで露光し
て，前記第２投光領域を通過した光は前記感光性有機絶
縁膜の対応する部分をその厚さと同一な深さまで露光す
るように，前記第２投光領域は前記第１投光領域の各ス
リットより広い面積を持つよう構成することが好まし
く，請求項１５に記載のように，前記遮光領域は少なく
とも角の数が異なる２個以上の多角形を含むよう構成す
ることが好ましい。
【００２４】なお，請求項１６に記載のように，前記マ
スクは前記遮光領域の所定部分に形成された第３投光領
域をさらに含むようにし，請求項１７に記載のように，
前記第３投光領域は前記第２投光領域より狭い面積を持
つようにしてもよい。請求項１８に記載のように，前記
感光性の有機絶縁膜は黒色とすれば，カラーフィルタ基
板でブラックマトリクスの使用が不要になる。さらに，
請求項１９に記載のように，前記現像された絶縁膜を所
定温度でベーキングする段階をさらに含むようにしても
よい。
スクは前記遮光領域の所定部分に形成された第３投光領
域をさらに含むようにし，請求項１７に記載のように，
前記第３投光領域は前記第２投光領域より狭い面積を持
つようにしてもよい。請求項１８に記載のように，前記
感光性の有機絶縁膜は黒色とすれば，カラーフィルタ基
板でブラックマトリクスの使用が不要になる。さらに，
請求項１９に記載のように，前記現像された絶縁膜を所
定温度でベーキングする段階をさらに含むようにしても
よい。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下，添附図面を参照して本発明
による好ましい実施形態について詳細に説明する。な
お，以下の説明及び添付図面において，略同一の機能及
び構成を有する構成要素については，同一符号を付すこ
とにより，重複説明を省略する。本発明は図１４のよう
な従来構成において，特に，反射電極１１８の構成形状
及び反射電極を凹凸構造で形成する方法に関するもので
ある。
による好ましい実施形態について詳細に説明する。な
お，以下の説明及び添付図面において，略同一の機能及
び構成を有する構成要素については，同一符号を付すこ
とにより，重複説明を省略する。本発明は図１４のよう
な従来構成において，特に，反射電極１１８の構成形状
及び反射電極を凹凸構造で形成する方法に関するもので
ある。
【００２６】（実施例１）図１は本発明の一実施例によ
る反射電極の部分平面図である。図１に示すように，反
射電極１１８は，突出した構造を持つ突起１１８ａ，１
１８ｃのような突起を多数含み，突起間の空間はコンケ
ーブ（凹部または凹面）に該当する。例えば，突起１１
８ａ，１１８ｃ間の空間はコンケーブ１１８ｂに該当す
る。これら突起の相互隣接するコンケーブ（凸部または
凸面）が形成する多数の線と反射電極１１８の境界線を
連結する線により，多数の閉曲線領域を構成している。
そして，各々の閉曲線領域は模様と大きさが異なる多角
形構造を持っている。例えば，各突起１１８ａ，１１８
ｃから構成される各閉曲線領域は，角の数が異なる少な
くとも２個の多角形から構成される。
る反射電極の部分平面図である。図１に示すように，反
射電極１１８は，突出した構造を持つ突起１１８ａ，１
１８ｃのような突起を多数含み，突起間の空間はコンケ
ーブ（凹部または凹面）に該当する。例えば，突起１１
８ａ，１１８ｃ間の空間はコンケーブ１１８ｂに該当す
る。これら突起の相互隣接するコンケーブ（凸部または
凸面）が形成する多数の線と反射電極１１８の境界線を
連結する線により，多数の閉曲線領域を構成している。
そして，各々の閉曲線領域は模様と大きさが異なる多角
形構造を持っている。例えば，各突起１１８ａ，１１８
ｃから構成される各閉曲線領域は，角の数が異なる少な
くとも２個の多角形から構成される。
【００２７】好ましくは，コンケーブ１１８ｂは突起１
１８ａ，１１８ｃのコンベックスの頂点間の平均距離の
約５０％以内に該当する一定な線幅を持つ。好ましく
は，突起１１８ａ，１１８ｃにおいて隣接するコンベッ
クスの頂点間の距離の平均は，約８μｍ〜３０μｍの範
囲にあり，例えば，平均距離が約１０μｍである時にコ
ンケーブの線幅は約１μｍ〜５μｍの範囲を持つ。
１８ａ，１１８ｃのコンベックスの頂点間の平均距離の
約５０％以内に該当する一定な線幅を持つ。好ましく
は，突起１１８ａ，１１８ｃにおいて隣接するコンベッ
クスの頂点間の距離の平均は，約８μｍ〜３０μｍの範
囲にあり，例えば，平均距離が約１０μｍである時にコ
ンケーブの線幅は約１μｍ〜５μｍの範囲を持つ。
【００２８】図２は図１のI−I線に沿って切断した断面
図で，本実施例１の特徴を示す。図２に示すように，本
発明の反射電極１１８は，金属，特に，反射率が高いア
ルミニューム等からなる。光効率を高めるために反射電
極１１８は多数の多角形が不規則に配置された突起形状
で，同一構造の有機絶縁膜１１６の上に形成される。即
ち，反射電極１１８は有機絶縁膜１１６の形状と対応す
る形状を持つ。
図で，本実施例１の特徴を示す。図２に示すように，本
発明の反射電極１１８は，金属，特に，反射率が高いア
ルミニューム等からなる。光効率を高めるために反射電
極１１８は多数の多角形が不規則に配置された突起形状
で，同一構造の有機絶縁膜１１６の上に形成される。即
ち，反射電極１１８は有機絶縁膜１１６の形状と対応す
る形状を持つ。
【００２９】好ましくは，選択方向で閉曲線のコンケー
ブ１１８ｂから他の各コンケーブとの間の距離（Ｗ，
Ｗ’，Ｗ”）は各々異なるように配置される。突起１１
８ａ，１１８ｃの高さは隣接コンケーブ１１８ｂからコ
ンケーブとの間の距離によって略比例の関係にあるが，
コンケーブの高さは基板１１２の表面からほぼ同一に構
成される。
ブ１１８ｂから他の各コンケーブとの間の距離（Ｗ，
Ｗ’，Ｗ”）は各々異なるように配置される。突起１１
８ａ，１１８ｃの高さは隣接コンケーブ１１８ｂからコ
ンケーブとの間の距離によって略比例の関係にあるが，
コンケーブの高さは基板１１２の表面からほぼ同一に構
成される。
【００３０】図２に示すように，本実施例は特定な方向
にだけ前記のような特徴があるものではなく，図１のい
ずれの方向の断面図でも同様である。例えば，図１のII
−II線に沿って切断された断面図（図示せず）でも図２
と類似の断面が得られる。
にだけ前記のような特徴があるものではなく，図１のい
ずれの方向の断面図でも同様である。例えば，図１のII
−II線に沿って切断された断面図（図示せず）でも図２
と類似の断面が得られる。
【００３１】（実施例２）本発明の第２実施例は第１実
施例の正面での反射率を高めるため，図１に示したよう
な閉曲線の中央部に凹形状の補助形状を形成したもので
ある。
施例の正面での反射率を高めるため，図１に示したよう
な閉曲線の中央部に凹形状の補助形状を形成したもので
ある。
【００３２】図３は本発明の第２実施例による反射電極
の部分平面図，図４は図３のIII−III線に沿って切断し
た断面図である。図３，４を図１，２と比較すると，第
２実施例の反射電極２１８では突起２１８ａ，２１８ｃ
のコンベックスから所定深さで陥没された凹部である陥
没部２１８ｄ，２１８ｅがさらに形成されている。
の部分平面図，図４は図３のIII−III線に沿って切断し
た断面図である。図３，４を図１，２と比較すると，第
２実施例の反射電極２１８では突起２１８ａ，２１８ｃ
のコンベックスから所定深さで陥没された凹部である陥
没部２１８ｄ，２１８ｅがさらに形成されている。
【００３３】陥没部２１８ｄ，２１８ｅは，その中心を
前記多角形の閉曲線の中心と同一にしてもよいし，ある
いは異なるようにしてもよい。陥没部２１８ｄ，２１８
ｅの直径は，突起２１８ａ，２１８ｃの直径の約３０％
程度になるようにする。
前記多角形の閉曲線の中心と同一にしてもよいし，ある
いは異なるようにしてもよい。陥没部２１８ｄ，２１８
ｅの直径は，突起２１８ａ，２１８ｃの直径の約３０％
程度になるようにする。
【００３４】図５は反射電極の構造が異なるものについ
ての反射角による反射率の変化を示すグラフである。反
射電極の構造が，図１３のような円形，図１のような多
角形の形状，図３のような多角形の形状の突起の中央に
陥没部が形成された形状，の３つのものについて示して
いる。図５（Ａ）は垂直方向での反射率の変化，図５
（Ｂ）は水平方向での反射率の変化を示す。ここで，測
定された反射率は入射角を−３０度とした時，画面の正
面（即ち，０度）から４８度までの反射率の変化値であ
る。
ての反射角による反射率の変化を示すグラフである。反
射電極の構造が，図１３のような円形，図１のような多
角形の形状，図３のような多角形の形状の突起の中央に
陥没部が形成された形状，の３つのものについて示して
いる。図５（Ａ）は垂直方向での反射率の変化，図５
（Ｂ）は水平方向での反射率の変化を示す。ここで，測
定された反射率は入射角を−３０度とした時，画面の正
面（即ち，０度）から４８度までの反射率の変化値であ
る。
【００３５】図５（Ａ）に示すように，垂直反射率に関
しては，０度から約２３度までと，約３７度から４８度
までの範囲では，図１に図示した多角形の反射電極と図
３に図示した多角形の形状の突起中央に陥没部が形成さ
れた反射電極のものが，図１３に図示した円形構造の反
射電極のものに比して高い。
しては，０度から約２３度までと，約３７度から４８度
までの範囲では，図１に図示した多角形の反射電極と図
３に図示した多角形の形状の突起中央に陥没部が形成さ
れた反射電極のものが，図１３に図示した円形構造の反
射電極のものに比して高い。
【００３６】図５（Ｂ）に示すように，水平反射率に関
しては，０度から約１８度までと，約３８度から４８度
までの範囲で，図１に図示した多角形の反射電極と図３
に図示した多角形の形状の突起中央に陥没部が形成され
た反射電極のものが，図１３に図示した円形構造の反射
電極のものに比して非常に高い。
しては，０度から約１８度までと，約３８度から４８度
までの範囲で，図１に図示した多角形の反射電極と図３
に図示した多角形の形状の突起中央に陥没部が形成され
た反射電極のものが，図１３に図示した円形構造の反射
電極のものに比して非常に高い。
【００３７】さらに，前記測定結果は，垂直反射率の場
合，正面から見た時に陥没部がある多角形構造が陥没部
がない多角形構造に比して反射率が高いことがわかる。
また，陥没部がある多角形構造が，陥没部がない多角形
構造に比して測定角度での反射率の変化が少ないことが
わかる。一方，前記反射率の外にもコントラスト比も表
示の質を左右する重要な要素である。
合，正面から見た時に陥没部がある多角形構造が陥没部
がない多角形構造に比して反射率が高いことがわかる。
また，陥没部がある多角形構造が，陥没部がない多角形
構造に比して測定角度での反射率の変化が少ないことが
わかる。一方，前記反射率の外にもコントラスト比も表
示の質を左右する重要な要素である。
【００３８】下記の（表１）は図１３の従来の円形反射
電極と，図１に示した多角形構造の反射電極が採用され
た反射型液晶表示器において，入射角が−３０度，測定
は正面，即ち，０度でコントラスト比を測定した結果を
示す。結果によると本願発明の多角形構造の反射電極が
従来の円形構造に比して一層高いコントラスト比を持つ
ことがわかる。
電極と，図１に示した多角形構造の反射電極が採用され
た反射型液晶表示器において，入射角が−３０度，測定
は正面，即ち，０度でコントラスト比を測定した結果を
示す。結果によると本願発明の多角形構造の反射電極が
従来の円形構造に比して一層高いコントラスト比を持つ
ことがわかる。
【００３９】
【表１】
【００４０】（実施例３）次に，前記第１，第２実施例
で提示した反射電極の構造を形成するようにマスクを設
計する方法について説明する。まず，画素領域を設定し
てその一辺をｘ軸，ｘ軸と交叉する他の一辺をy軸とし
て，各点の座標（ｘ，y）をコンピュータの不規則函数
発生器（ｒａｎｄｏｍｆｕｎｃｔｉｏｎ ｇｅｎｅｒａ
ｔｏｒ）を使用して生成する。この時，隣接する各座標
の平均距離は，単位面積当りいくつの座標数を求めるか
ということで定める。例えば，頂点間の距離を平均１０
μｍで設定すると，ｍｍ２当り略１４,０００個以上の
座標値を求める。
で提示した反射電極の構造を形成するようにマスクを設
計する方法について説明する。まず，画素領域を設定し
てその一辺をｘ軸，ｘ軸と交叉する他の一辺をy軸とし
て，各点の座標（ｘ，y）をコンピュータの不規則函数
発生器（ｒａｎｄｏｍｆｕｎｃｔｉｏｎ ｇｅｎｅｒａ
ｔｏｒ）を使用して生成する。この時，隣接する各座標
の平均距離は，単位面積当りいくつの座標数を求めるか
ということで定める。例えば，頂点間の距離を平均１０
μｍで設定すると，ｍｍ２当り略１４,０００個以上の
座標値を求める。
【００４１】図６（Ａ）は図１の反射電極を形成するた
めのフォトマスクの製作過程を説明する図である。図６
（Ａ）に示すように，求められた座標値から隣接した点
を連結して，その中点で直角を形成する方向に直線を引
いて合う線を通して多角形１５２を形成する。好ましく
は，各々の多角形１５２は模様と大きさを異に形成す
る。各多角形の各辺の両側に１〜５μｍ程度の幅，即
ち，多角形の頂点間の平均距離は５０％以内の幅でコン
ケーブ１５４に該当する線を引く。
めのフォトマスクの製作過程を説明する図である。図６
（Ａ）に示すように，求められた座標値から隣接した点
を連結して，その中点で直角を形成する方向に直線を引
いて合う線を通して多角形１５２を形成する。好ましく
は，各々の多角形１５２は模様と大きさを異に形成す
る。各多角形の各辺の両側に１〜５μｍ程度の幅，即
ち，多角形の頂点間の平均距離は５０％以内の幅でコン
ケーブ１５４に該当する線を引く。
【００４２】図６（Ａ）のように多角形パターンとコン
ケーブを設計した後，設計されたパターンのようにマス
クを形成する。即ち，例えば，感光性有機絶縁膜がポジ
ティブである場合には多角形パターン１５２に該当する
部分には入射光を遮断する遮光領域を形成して，コンケ
ーブ１５４に該当する部分には入射光を透過する投光領
域を形成してマスク１５０を製作する。一方，ネガティ
ブ形の感光性有機絶縁膜の場合は，投光領域と遮光領域
を上述のものと互いに入れ換えて製作する。
ケーブを設計した後，設計されたパターンのようにマス
クを形成する。即ち，例えば，感光性有機絶縁膜がポジ
ティブである場合には多角形パターン１５２に該当する
部分には入射光を遮断する遮光領域を形成して，コンケ
ーブ１５４に該当する部分には入射光を透過する投光領
域を形成してマスク１５０を製作する。一方，ネガティ
ブ形の感光性有機絶縁膜の場合は，投光領域と遮光領域
を上述のものと互いに入れ換えて製作する。
【００４３】また，突起中間に陥没部を形成する場合に
は，図６（Ａ）と同一な方法で多角形パターンとコンケ
ーブパターンを設計して，陥没部の中心を図６（Ｂ）に
示すように多角形突起２５２の頂点や多角形の閉曲線の
中心と同一にして，あるいは異なるようにしてもよい
が，陥没部の直径は突起の直径の３０％程度になるよう
に多角形の陥没部２５６を形成する。
は，図６（Ａ）と同一な方法で多角形パターンとコンケ
ーブパターンを設計して，陥没部の中心を図６（Ｂ）に
示すように多角形突起２５２の頂点や多角形の閉曲線の
中心と同一にして，あるいは異なるようにしてもよい
が，陥没部の直径は突起の直径の３０％程度になるよう
に多角形の陥没部２５６を形成する。
【００４４】前記データに基づいて，図３と図４に示し
た反射電極２１８のコンケーブ２１８ｂと陥没部２１８
ｅに該当する部分が投光領域になり，突起２１８ａ，２
１８ｃに該当する部分が遮光領域になるフォトマスク２
５０を製作する。
た反射電極２１８のコンケーブ２１８ｂと陥没部２１８
ｅに該当する部分が投光領域になり，突起２１８ａ，２
１８ｃに該当する部分が遮光領域になるフォトマスク２
５０を製作する。
【００４５】前記のような方法により製作したフォトマ
スクの断面図を図７（Ａ）と図７（Ｂ）に示す。図７
（Ａ）は図６（Ａ）のフォトマスクを任意の方向に切断
した部分断面図，図７（Ｂ）は図６（Ｂ）のフォトマス
クを任意の方向に切断した部分断面図である。
スクの断面図を図７（Ａ）と図７（Ｂ）に示す。図７
（Ａ）は図６（Ａ）のフォトマスクを任意の方向に切断
した部分断面図，図７（Ｂ）は図６（Ｂ）のフォトマス
クを任意の方向に切断した部分断面図である。
【００４６】図７（Ａ）は陥没部がない多角形構造の反
射電極を形成するためのフォトマスク１５０で，反射電
極の下部に形成されたポジティブフォトレジスト特性を
持つ有機絶縁膜を露光するため使用される。
射電極を形成するためのフォトマスク１５０で，反射電
極の下部に形成されたポジティブフォトレジスト特性を
持つ有機絶縁膜を露光するため使用される。
【００４７】図７（Ａ）で参照符号１５１は石英基板，
１５２は入射光を遮断する遮光領域として多角形領域に
該当し，１５４は入射光を透過する投光領域としてコン
ケーブ領域に該当する。
１５２は入射光を遮断する遮光領域として多角形領域に
該当し，１５４は入射光を透過する投光領域としてコン
ケーブ領域に該当する。
【００４８】もし，ネガティブフォトレジスト成分が有
機絶縁膜である場合は，図７（Ａ）と同一な形状をパタ
ーニングする時にはポジティブフォトレジスト特性を持
つ有機絶縁膜の露光時と反対に形成され，光が透過する
部分が突起に該当し，光が透過しない領域がコンケーブ
に該当する。
機絶縁膜である場合は，図７（Ａ）と同一な形状をパタ
ーニングする時にはポジティブフォトレジスト特性を持
つ有機絶縁膜の露光時と反対に形成され，光が透過する
部分が突起に該当し，光が透過しない領域がコンケーブ
に該当する。
【００４９】図７（Ｂ）は突起部に陥没部形態の凹部を
形成する場合のフォトマスク２５０として，ポジティブ
フォトレジスト特性を持つ有機絶縁膜の露光に使用され
る。勿論，ネガティブフォトレジスト膜を使用する場合
には反対の相で形成する。
形成する場合のフォトマスク２５０として，ポジティブ
フォトレジスト特性を持つ有機絶縁膜の露光に使用され
る。勿論，ネガティブフォトレジスト膜を使用する場合
には反対の相で形成する。
【００５０】（実施例４）図８は薄膜トランジスタをス
イッチング素子で利用する反射型液晶表示装置の概略的
部分平面図で，単位画素領域とその周辺部を示す。図８
に示すように，行方向に配列されたゲートライン１０３
ａとゲートライン１０３ａから垂直分岐されたゲート電
極１０３が絶縁基板上に配置される。ストレージ（ｓｔ
ｏｒａｇｅ）電極１６２がゲートライン１０３ａと所定
距離隔離されて，ゲートライン１０３ａと平行に配列さ
れるように絶縁基板上に配置される。
イッチング素子で利用する反射型液晶表示装置の概略的
部分平面図で，単位画素領域とその周辺部を示す。図８
に示すように，行方向に配列されたゲートライン１０３
ａとゲートライン１０３ａから垂直分岐されたゲート電
極１０３が絶縁基板上に配置される。ストレージ（ｓｔ
ｏｒａｇｅ）電極１６２がゲートライン１０３ａと所定
距離隔離されて，ゲートライン１０３ａと平行に配列さ
れるように絶縁基板上に配置される。
【００５１】ゲート電極１０３上には非晶質シリコン等
からなる半導体膜パターン１０６が配置される。ゲート
ライン１０３ａと後述するデータライン１１１が交差す
る部分にも選択的に半導体膜パターン１０７が配置され
る。この半導体膜パターン１０７はデータライン１１１
のオープン不良あるいはゲートライン１０３ａとデータ
ライン１１１間のショット不良を防止する役割をする。
からなる半導体膜パターン１０６が配置される。ゲート
ライン１０３ａと後述するデータライン１１１が交差す
る部分にも選択的に半導体膜パターン１０７が配置され
る。この半導体膜パターン１０７はデータライン１１１
のオープン不良あるいはゲートライン１０３ａとデータ
ライン１１１間のショット不良を防止する役割をする。
【００５２】また，図８には図示しなかったが，ゲート
電極と半導体膜パターン１０６間には絶縁のため，例え
ば，窒化シリコン膜からなるゲート絶縁膜が介在する。
電極と半導体膜パターン１０６間には絶縁のため，例え
ば，窒化シリコン膜からなるゲート絶縁膜が介在する。
【００５３】ゲート絶縁膜上にゲートライン１０３ａと
直交するようにデータライン１１１が配置される。デー
タライン１１１の所定位置から分岐されたソース電極１
１０ａは半導体膜パターン１０６の一側縁部まで延長さ
れる。ドレイン電極１１０ｂはソース電極１１０ａと所
定間隔をおいて対向するように半導体膜パターン１０６
の他側縁部に延長形成される。
直交するようにデータライン１１１が配置される。デー
タライン１１１の所定位置から分岐されたソース電極１
１０ａは半導体膜パターン１０６の一側縁部まで延長さ
れる。ドレイン電極１１０ｂはソース電極１１０ａと所
定間隔をおいて対向するように半導体膜パターン１０６
の他側縁部に延長形成される。
【００５４】図８には図示しなかったが，ソース電極１
１０ａと半導体膜パターン１０６との間に，ドレイン電
極１１０ｂと半導体膜パターンとの間に高濃度のｎ形不
純物が塗布されたオーミックコンタクト層が介在する。
また，前記ゲート電極１０３，半導体膜パターン１０
６，ソース電極１１０ａ及びドレイン電極１１０ｂは薄
膜トランジスタを構成する。
１０ａと半導体膜パターン１０６との間に，ドレイン電
極１１０ｂと半導体膜パターンとの間に高濃度のｎ形不
純物が塗布されたオーミックコンタクト層が介在する。
また，前記ゲート電極１０３，半導体膜パターン１０
６，ソース電極１１０ａ及びドレイン電極１１０ｂは薄
膜トランジスタを構成する。
【００５５】薄膜トランジスタとゲート絶縁膜を含め製
作されたものの全面に多角形の凹凸構造の絶縁膜（図示
せず），好ましくは，感光膜の機能を持つ有機絶縁膜が
配置される。有機絶縁膜の上部には図１〜図４のような
多角形の凹凸構造を持つ反射電極１１８が配置される。
図８の参照符号１１８ＢＬは反射電極の境界線を示す。
反射電極１１８は有機絶縁膜に形成されたコンタクトホ
ール１６４を通してドレイン電極１１０ｂと電気的にコ
ンタクトされる。
作されたものの全面に多角形の凹凸構造の絶縁膜（図示
せず），好ましくは，感光膜の機能を持つ有機絶縁膜が
配置される。有機絶縁膜の上部には図１〜図４のような
多角形の凹凸構造を持つ反射電極１１８が配置される。
図８の参照符号１１８ＢＬは反射電極の境界線を示す。
反射電極１１８は有機絶縁膜に形成されたコンタクトホ
ール１６４を通してドレイン電極１１０ｂと電気的にコ
ンタクトされる。
【００５６】図８では反射電極１１８が一対のゲートラ
イン１０３ａと一対のデータライン１１１が交叉する領
域で定義される単位画素領域を離脱して隣接した単位画
素領域まで延長された場合を示したが，それは反射電極
の反射率を高めるための選択事項でその境界領域は多様
に変更できる。例えば，反射電極は薄膜トランジスタ部
分を除外した単位画素領域内に形成できる。
イン１０３ａと一対のデータライン１１１が交叉する領
域で定義される単位画素領域を離脱して隣接した単位画
素領域まで延長された場合を示したが，それは反射電極
の反射率を高めるための選択事項でその境界領域は多様
に変更できる。例えば，反射電極は薄膜トランジスタ部
分を除外した単位画素領域内に形成できる。
【００５７】図８に示した反射型液晶表示装置の薄膜ト
ランジスタ基板の製造過程を図９（Ａ）〜図９（Ｃ）を
参照して説明する。図９（Ｃ）は図８のIV−IV線に沿っ
て切断した断面図である。
ランジスタ基板の製造過程を図９（Ａ）〜図９（Ｃ）を
参照して説明する。図９（Ｃ）は図８のIV−IV線に沿っ
て切断した断面図である。
【００５８】図８と図９（Ａ）に示すように，絶縁基板
１１２，例えば，ガラス基板上に金属膜をパターニング
することによりゲート電極１０３及びゲートライン１０
３ａが形成される。この時，ストレージ電極１６２とと
もに形成される。ゲート電極１０３，ゲートライン１０
３ａ及びストレージ電極１６２を含む基板１１２の全面
にゲート絶縁膜１０４が形成される。ゲート絶縁膜１０
４としてはシリコン窒化膜（ＳｉｘＮｙ，ｘ，yは整
数）またはシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）が使用でき，プ
ラズマ化学気相蒸着法により形成される。
１１２，例えば，ガラス基板上に金属膜をパターニング
することによりゲート電極１０３及びゲートライン１０
３ａが形成される。この時，ストレージ電極１６２とと
もに形成される。ゲート電極１０３，ゲートライン１０
３ａ及びストレージ電極１６２を含む基板１１２の全面
にゲート絶縁膜１０４が形成される。ゲート絶縁膜１０
４としてはシリコン窒化膜（ＳｉｘＮｙ，ｘ，yは整
数）またはシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）が使用でき，プ
ラズマ化学気相蒸着法により形成される。
【００５９】次に，ゲート電極１０３にその一端が位置
するようにゲート絶縁膜１０４上に非晶質シリコン層か
らなる半導体膜パターン１０６と，燐等のｎ形不純物が
高濃度でドーピングされた非晶質シリコン層になったオ
ーミックコンタクト層１０８が形成される。図９（Ａ）
では半導体膜パターン１０６とオーミックコンタクト層
１０８がゲート電極１０３の両側まで延長された構造を
示すが，選択的にそれはゲート電極の上部にだけ形成す
ることもできる。
するようにゲート絶縁膜１０４上に非晶質シリコン層か
らなる半導体膜パターン１０６と，燐等のｎ形不純物が
高濃度でドーピングされた非晶質シリコン層になったオ
ーミックコンタクト層１０８が形成される。図９（Ａ）
では半導体膜パターン１０６とオーミックコンタクト層
１０８がゲート電極１０３の両側まで延長された構造を
示すが，選択的にそれはゲート電極の上部にだけ形成す
ることもできる。
【００６０】次に，オーミックコンタクト層１０８と電
気的にコンタクトされるようにソース電極１１０ａ，ド
レイン電極１１０ｂ及びデータライン１１１が形成され
る。前記段階を経て薄膜トランジスタが形成される。
気的にコンタクトされるようにソース電極１１０ａ，ド
レイン電極１１０ｂ及びデータライン１１１が形成され
る。前記段階を経て薄膜トランジスタが形成される。
【００６１】次に，図９（Ｂ）を参照して，薄膜トラン
ジスタが形成された基板に有機絶縁膜を１μｍ〜３μｍ
の厚さでコーディング等の方法により形成して，図１〜
図４に示した多角形の突起を形成するための第１次フォ
ト露光工程を行う。第１次露光工程のために図７（Ａ）
と図７（Ｂ）に示したフォトマスクが使用される。
ジスタが形成された基板に有機絶縁膜を１μｍ〜３μｍ
の厚さでコーディング等の方法により形成して，図１〜
図４に示した多角形の突起を形成するための第１次フォ
ト露光工程を行う。第１次露光工程のために図７（Ａ）
と図７（Ｂ）に示したフォトマスクが使用される。
【００６２】次に，反射電極１１８とドレイン電極１１
０ｂを連結するためのコンタクトホールを形成するため
に別のフォトマスク（図示せず）を通して第２次露光し
た後，第１次露光された部分と第２次露光された部分を
一度に現像して，現像された有機絶縁膜を所定温度で加
熱してフローさせることによりコンタクトホール１６４
と多角形構造の突起が形成される。
０ｂを連結するためのコンタクトホールを形成するため
に別のフォトマスク（図示せず）を通して第２次露光し
た後，第１次露光された部分と第２次露光された部分を
一度に現像して，現像された有機絶縁膜を所定温度で加
熱してフローさせることによりコンタクトホール１６４
と多角形構造の突起が形成される。
【００６３】図９（Ｃ）を参照して，アルミニューム等
の金属層を全面に蒸着して，一般的な写真蝕刻工程でパ
ターンして凹凸構造の多角形パターンを持つ反射電極１
１８を形成する。
の金属層を全面に蒸着して，一般的な写真蝕刻工程でパ
ターンして凹凸構造の多角形パターンを持つ反射電極１
１８を形成する。
【００６４】一方，図示しなかったが，反射電極１１８
を含む有機絶縁膜１１６の全面には液晶分子を選択され
た角度にプリチルト（ｐｒｅｔｉｌｔ）させるための背
向膜が塗布される。
を含む有機絶縁膜１１６の全面には液晶分子を選択され
た角度にプリチルト（ｐｒｅｔｉｌｔ）させるための背
向膜が塗布される。
【００６５】（実施例５）実施例４の方法は凹凸構造の
形成のためのマスクと，反射電極をドレイン電極にコン
タクトするためのコンタクトホールの形成のためのマス
クが別に使用されて，２回の露光工程を必要とするが，
本実施例では１回の露光工程により凹凸構造の表面とコ
ンタクトホールの形成を可能にする反射電極の製造方法
を提供する。
形成のためのマスクと，反射電極をドレイン電極にコン
タクトするためのコンタクトホールの形成のためのマス
クが別に使用されて，２回の露光工程を必要とするが，
本実施例では１回の露光工程により凹凸構造の表面とコ
ンタクトホールの形成を可能にする反射電極の製造方法
を提供する。
【００６６】図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）は本発明の第
５実施例による反射型薄膜トランジスタ基板を製造する
過程を説明する工程流れ図，図１１は図１０（Ｂ）の過
程で適用されたマスクの概略的な平面図，図１２は本発
明の第５実施例による反射型液晶表示器の製造方法に適
用されるマスクの概略的な平面図である。図１０（Ａ）
に示した薄膜トランジスタの製造方法は実施例４と同一
であるためここではその説明を省略する。
５実施例による反射型薄膜トランジスタ基板を製造する
過程を説明する工程流れ図，図１１は図１０（Ｂ）の過
程で適用されたマスクの概略的な平面図，図１２は本発
明の第５実施例による反射型液晶表示器の製造方法に適
用されるマスクの概略的な平面図である。図１０（Ａ）
に示した薄膜トランジスタの製造方法は実施例４と同一
であるためここではその説明を省略する。
【００６７】次に，図１０（Ｂ）を参照して，薄膜トラ
ンジスタが形成された基板に投光性の有機絶縁膜を１〜
３μｍの厚さでコーティング等の方法により形成して，
その表面に多角形の突起とコンタクトホールを形成する
ためのフォト露光工程を行う。
ンジスタが形成された基板に投光性の有機絶縁膜を１〜
３μｍの厚さでコーティング等の方法により形成して，
その表面に多角形の突起とコンタクトホールを形成する
ためのフォト露光工程を行う。
【００６８】この時，使用されたマスク１５０は石英基
板１５１の一側表面に，例えば，クロムからなる多角形
の遮光性パターン１５２が形成されたものである。遮光
性パターン１５２は図１１に示すように多角形の突起に
対応し，遮光性パターン１５２間の投光領域（以下，第
１投光領域と称する）１５４はコンケーブに対応する。
また，符号１５６は任意の遮光性パターン１５２領域内
に形成された投光領域（以下，第２投光領域と称する）
で，コンタクトホール形成のためのものである。第１投
光領域１５４は第１投光領域１５４を多数のスリット１
５４ｂで分離する格子（１５４ａ，または第２遮光領
域）を含む。第１投光領域１５４のスリット１５４ｂは
感光性有機絶縁膜のコンケーブパターンの深さを調節す
るためのもので，光源の分解能より小幅を持つように設
計される。
板１５１の一側表面に，例えば，クロムからなる多角形
の遮光性パターン１５２が形成されたものである。遮光
性パターン１５２は図１１に示すように多角形の突起に
対応し，遮光性パターン１５２間の投光領域（以下，第
１投光領域と称する）１５４はコンケーブに対応する。
また，符号１５６は任意の遮光性パターン１５２領域内
に形成された投光領域（以下，第２投光領域と称する）
で，コンタクトホール形成のためのものである。第１投
光領域１５４は第１投光領域１５４を多数のスリット１
５４ｂで分離する格子（１５４ａ，または第２遮光領
域）を含む。第１投光領域１５４のスリット１５４ｂは
感光性有機絶縁膜のコンケーブパターンの深さを調節す
るためのもので，光源の分解能より小幅を持つように設
計される。
【００６９】露光工程の間，第１投光領域１５４に形成
されたスリット１５４ｂの存在により，第１投光領域１
５４を通過した光は第２投光領域１５６を通過した光に
比して，その境界部での干渉及び回折現像が円滑に発生
して，有機絶縁膜１１６の厚さより薄い深さまで有機絶
縁膜１１６を露光して，第２投光領域１５６を通過した
光は有機絶縁膜の厚さと同一な深さまで有機絶縁膜１１
６を露光する。
されたスリット１５４ｂの存在により，第１投光領域１
５４を通過した光は第２投光領域１５６を通過した光に
比して，その境界部での干渉及び回折現像が円滑に発生
して，有機絶縁膜１１６の厚さより薄い深さまで有機絶
縁膜１１６を露光して，第２投光領域１５６を通過した
光は有機絶縁膜の厚さと同一な深さまで有機絶縁膜１１
６を露光する。
【００７０】次に，露光された部分を除去するための現
像工程が実施される。現像工程の間に第１投光領域１５
４に対応する有機絶縁膜部分にはその厚さより薄い深さ
のコンケーブが形成されて，第２投光領域１５６に対応
する有機絶縁膜部分にはドレイン電極１１０ｂの所定部
分を露出するコンタクトホール１６４が形成される。
像工程が実施される。現像工程の間に第１投光領域１５
４に対応する有機絶縁膜部分にはその厚さより薄い深さ
のコンケーブが形成されて，第２投光領域１５６に対応
する有機絶縁膜部分にはドレイン電極１１０ｂの所定部
分を露出するコンタクトホール１６４が形成される。
【００７１】次に，現像された有機絶縁膜を所定温度で
加熱してフローさせる。図１０（Ｃ）を参照して，その
後にアルミニューム等の金属層を全面に蒸着して，一般
的な写真蝕刻工程によりパターンして凹凸構造の多角形
パターンを持つ反射電極１１８を形成する。
加熱してフローさせる。図１０（Ｃ）を参照して，その
後にアルミニューム等の金属層を全面に蒸着して，一般
的な写真蝕刻工程によりパターンして凹凸構造の多角形
パターンを持つ反射電極１１８を形成する。
【００７２】一方，反射電極１１８を含む有機絶縁膜１
１６の全面には液晶分子を選択された角度にプリチルト
させるための背向膜が塗布される。選択的に，図１０
（Ｃ）とは異なり薄膜トランジスタの上部には反射電極
が形成されないようにすることも可能である。
１６の全面には液晶分子を選択された角度にプリチルト
させるための背向膜が塗布される。選択的に，図１０
（Ｃ）とは異なり薄膜トランジスタの上部には反射電極
が形成されないようにすることも可能である。
【００７３】また，前記実施例では透明な感光性の有機
絶縁膜が使用されたが，有色の感光性の有機絶縁膜も使
用でき，好ましくは，黒色の感光性有機絶縁膜が使用で
きる。このように光の吸収能を持つ有機絶縁膜を使用す
ると，図１４のカラーフィルタ基板でブラックマトリク
スの使用が不要になる。
絶縁膜が使用されたが，有色の感光性の有機絶縁膜も使
用でき，好ましくは，黒色の感光性有機絶縁膜が使用で
きる。このように光の吸収能を持つ有機絶縁膜を使用す
ると，図１４のカラーフィルタ基板でブラックマトリク
スの使用が不要になる。
【００７４】一方，図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）には図
示しなかったが，図３と図４に図示されるように，コン
ベックスの所定部分に表面から所定深さの陥没部を持つ
反射電極を形成するためにも本発明の方法が適用可能で
ある。この場合，他の条件は前記方法と同一であり，感
光性の有機絶縁膜を露光するためのマスクの構成だけが
異なる。
示しなかったが，図３と図４に図示されるように，コン
ベックスの所定部分に表面から所定深さの陥没部を持つ
反射電極を形成するためにも本発明の方法が適用可能で
ある。この場合，他の条件は前記方法と同一であり，感
光性の有機絶縁膜を露光するためのマスクの構成だけが
異なる。
【００７５】即ち，図１２に図示されるように，遮光領
域２５２の所定部分に第３投光領域２５８である陥没部
を持つマスク２５０を使用する。ここで，第１投光領域
はコンケーブ２５４に該当して，第２投光領域はコンタ
クトホール形成のための部分２５６に該当する。図１１
と同様に第１投光領域２５４は多数の格子２５４ａと，
格子２５４ａ間に定義される多数のスリット２５４ｂを
含む。
域２５２の所定部分に第３投光領域２５８である陥没部
を持つマスク２５０を使用する。ここで，第１投光領域
はコンケーブ２５４に該当して，第２投光領域はコンタ
クトホール形成のための部分２５６に該当する。図１１
と同様に第１投光領域２５４は多数の格子２５４ａと，
格子２５４ａ間に定義される多数のスリット２５４ｂを
含む。
【００７６】この場合にも露光工程の間，第１投光領域
２５４と第２投光領域２５６との間，そして第２投光領
域２５６と第３投光領域２５８との間の直径差により第
１投光領域２５４と第３投光領域２５８を通過した光は
第２投光領域２５６を通過した光に比してその境界部で
の回折及び干渉現象が円滑に発生して，図１０（Ｂ）に
示した投光性有機絶縁膜１１６の厚さより薄い深さまで
有機絶縁膜１１６を露光して，第２投光領域２５６を通
過した光は有機絶縁膜の厚さと同一な深さまで有機絶縁
膜１１６を露光する。
２５４と第２投光領域２５６との間，そして第２投光領
域２５６と第３投光領域２５８との間の直径差により第
１投光領域２５４と第３投光領域２５８を通過した光は
第２投光領域２５６を通過した光に比してその境界部で
の回折及び干渉現象が円滑に発生して，図１０（Ｂ）に
示した投光性有機絶縁膜１１６の厚さより薄い深さまで
有機絶縁膜１１６を露光して，第２投光領域２５６を通
過した光は有機絶縁膜の厚さと同一な深さまで有機絶縁
膜１１６を露光する。
【００７７】次に，露光された部分を除去するための現
像工程が実施される。現像工程の間，第１投光領域２５
４に対応する有機絶縁膜部分にはその厚さより薄い深さ
で除去されたコンケーブが形成され，第２投光領域２５
６に対応する有機絶縁膜部分にはドレイン電極１１０ｂ
の所定部分を露出するコンタクトホール１６４が形成さ
れ，第３投光領域２５８に対応する有機絶縁膜１１６部
分には陥没部（図示せず）が形成される。
像工程が実施される。現像工程の間，第１投光領域２５
４に対応する有機絶縁膜部分にはその厚さより薄い深さ
で除去されたコンケーブが形成され，第２投光領域２５
６に対応する有機絶縁膜部分にはドレイン電極１１０ｂ
の所定部分を露出するコンタクトホール１６４が形成さ
れ，第３投光領域２５８に対応する有機絶縁膜１１６部
分には陥没部（図示せず）が形成される。
【００７８】次に，現像された有機絶縁膜を所定温度で
加熱してフローさせた後，アルミニューム等の金属層を
全面に蒸着して，一般的な写真蝕刻工程でパターンして
凹凸構造の多角形パターンを持つ反射電極１１８を形成
する。
加熱してフローさせた後，アルミニューム等の金属層を
全面に蒸着して，一般的な写真蝕刻工程でパターンして
凹凸構造の多角形パターンを持つ反射電極１１８を形成
する。
【００７９】一方，図示しなかったが，反射電極１１８
を含む有機絶縁膜１１６の全面には液晶分子を選択され
た角度にプリチルトさせるための背向膜が塗布される。
を含む有機絶縁膜１１６の全面には液晶分子を選択され
た角度にプリチルトさせるための背向膜が塗布される。
【００８０】また，現在の実施例では透明な感光性の有
機絶縁膜が使用されたが，有色の感光性の有機絶縁膜も
使用でき，好ましくは，黒色の感光性有機絶縁膜を使用
すると，カラーフィルタ基板でブラックマトリクスの使
用が不要になる。一方，図１１と図１２で適用したスリ
ット構造の代わりに第１投光領域１５４，２５４の間隔
を一層狭くしても同一な効果が得られる。
機絶縁膜が使用されたが，有色の感光性の有機絶縁膜も
使用でき，好ましくは，黒色の感光性有機絶縁膜を使用
すると，カラーフィルタ基板でブラックマトリクスの使
用が不要になる。一方，図１１と図１２で適用したスリ
ット構造の代わりに第１投光領域１５４，２５４の間隔
を一層狭くしても同一な効果が得られる。
【００８１】以上，添付図面を参照しながら本発明にか
かる好適な実施形態について説明したが，本発明はかか
る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であ
れば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内
において，各種の変更例または修正例に想到し得ること
は明らかであり，それらについても当然に本発明の技術
的範囲に属するものと了解される。
かる好適な実施形態について説明したが，本発明はかか
る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であ
れば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内
において，各種の変更例または修正例に想到し得ること
は明らかであり，それらについても当然に本発明の技術
的範囲に属するものと了解される。
【００８２】
【発明の効果】以上，詳細に説明したように本発明によ
る反射型液晶表示装置は，反射電極のマイクロレンズを
不規則な多角形構造の多数の突起で構成し，その突起間
のコンケーブの幅を一定にすることにより，異なる領域
での液晶分子の背向の不均一性を防止することができ
る。その結果，画像の表現において反射率の向上だけで
なく黒白のコントラスト比も向上させることができる。
る反射型液晶表示装置は，反射電極のマイクロレンズを
不規則な多角形構造の多数の突起で構成し，その突起間
のコンケーブの幅を一定にすることにより，異なる領域
での液晶分子の背向の不均一性を防止することができ
る。その結果，画像の表現において反射率の向上だけで
なく黒白のコントラスト比も向上させることができる。
【００８３】また，本発明の反射型液晶表示装置の製造
方法では，半球形のマイクロレンズとレンズ間の空間大
きさが位置によって全てほぼ同一であるため，設計値と
同一な正確なレンズ形成が可能になる。
方法では，半球形のマイクロレンズとレンズ間の空間大
きさが位置によって全てほぼ同一であるため，設計値と
同一な正確なレンズ形成が可能になる。
【００８４】また，凹凸構造の反射電極を形成するため
感光性の有機絶縁膜を使用して，１枚のマスクと一回の
露光工程により凹凸構造及びドレイン電極とのコンタク
トのためのコンタクトホール形成を可能にすることによ
り工程が簡単になる。
感光性の有機絶縁膜を使用して，１枚のマスクと一回の
露光工程により凹凸構造及びドレイン電極とのコンタク
トのためのコンタクトホール形成を可能にすることによ
り工程が簡単になる。
【００８５】また，投光性の感光性有機絶縁膜の代り
に，反射能を持つ黒色の有機絶縁膜を使用することによ
りカラーフィルタ基板に適用されるブラックマトリクス
の使用が不要になる。
に，反射能を持つ黒色の有機絶縁膜を使用することによ
りカラーフィルタ基板に適用されるブラックマトリクス
の使用が不要になる。
【００８６】また，多角形構造のマイクロレンズの各辺
に沿って形成される各コンケーブの幅が一定であること
により設計寸法によって正確なレンズ形成が可能にな
る。
に沿って形成される各コンケーブの幅が一定であること
により設計寸法によって正確なレンズ形成が可能にな
る。
【図１】 本発明の一実施例による反射電極の部分平面
図である。
図である。
【図２】 図１のI−I線に沿って切断した断面図であ
る。
る。
【図３】 本発明の第２実施例による反射電極の部分平
面図である。
面図である。
【図４】 図３のII−II'線に沿って切断した断面図で
ある。
ある。
【図５】 従来と本発明の実施例による反射型液晶表示
器での垂直方向と水平方向での反射率を測定したグラフ
である。
器での垂直方向と水平方向での反射率を測定したグラフ
である。
【図６】 （Ａ）は，図１の反射電極を形成するための
フォトマスクの製作過程を説明する説製作過程を説明す
明図である。（Ｂ）は，図３の反射電極を形成するため
のフォトマスクのる説明図である。
フォトマスクの製作過程を説明する説製作過程を説明す
明図である。（Ｂ）は，図３の反射電極を形成するため
のフォトマスクのる説明図である。
【図７】 （Ａ），（Ｂ）は，各々図６（Ａ），（Ｂ）
のフォトマスクを任意の方向に切断した部分断面図であ
る。
のフォトマスクを任意の方向に切断した部分断面図であ
る。
【図８】 本発明の第４実施例による反射型液晶表示装
置の薄膜トランジスタの基板部分の平面図である。
置の薄膜トランジスタの基板部分の平面図である。
【図９】 図６の反射型薄膜トランジスタ基板を製造す
る過程を説明する工程流れ図である。
る過程を説明する工程流れ図である。
【図１０】 本発明の第５実施例による反射型薄膜トラ
ンジスタ基板を製造する過程を説明する工程流れ図であ
る。
ンジスタ基板を製造する過程を説明する工程流れ図であ
る。
【図１１】 図１０（Ｂ）の過程で適用されるマスクの
概略的平面図である。
概略的平面図である。
【図１２】 本発明の他の実施例による反射型液晶表示
器の製造方法に適用されるマスクの概略的平面図であ
る。
器の製造方法に適用されるマスクの概略的平面図であ
る。
【図１３】 従来の反射型液晶表示装置の反射電極の平
面図である。
面図である。
【図１４】 一般的な反射型液晶表示装置の概略的な部
分断面図である。
分断面図である。
１０３ ゲート電極 １０３ａ ゲートライン １０４ ゲート絶縁膜 １０６ 半導体膜パターン １０８ オーミックコンタクト層 １０７ 半導体膜パターン １１０ａ ソース電極 １１０ｂ ドレイン電極 １１１ データライン １１２ 第１絶縁基板 １１４ 薄膜トランジスタ １１６ 有機絶縁膜 １１８ 反射電極 １１８ａ，１１８ｃ 突起 １１８ｂ コンケーブ １２０，１４０ 背向膜 １３２ 第２絶縁基板 １３４ ブラックマトリクス １３６ カラーフィルタ １３８ 透明共通電極 １４２ スペーサ １４４ 液晶物質 １４６ 位相差板 １４８ 偏光板 １５０ マスク １５１ 石英基板 １５２ 遮光性パターン １５４ 第１投光領域 １５４ａ 格子 １５４ｂ スリット １５６ 第２投光領域 １６２ ストレージ電極 １６４ コンタクトホール ２１８ 反射電極 ２１８ａ，２１８ｃ 突起 ２１８ｄ，２１８ｅ 陥没部 ２５０ マスク ２５２ 遮光領域 ２５４ 第１投光領域 ２５４ａ 格子 ２５４ｂ スリット ２５６ 第２投光領域 ２５８ 第３投光領域
フロントページの続き (72)発明者 カク ジンオ 大韓民国京畿道水原市八達区霊通洞969− １ 癖積ゴル太栄アパート933棟1201号 (72)発明者 姜 勉求 大韓民国ソウル市瑞草区盤浦洞18−１ 住 公アパート213棟301号 (72)発明者 辛 鍾業 大韓民国ソウル市広津区華陽洞234番地 現代アパート101棟704号
Claims (19)
- 【請求項１】 内表面に透明電極を持つ透明な第１絶縁
基板と，コンケーブとコンベックスを持つ複数個の突起
を含む反射電極を含み，前記突起の相互隣接するコンケ
ーブが形成する多数の線と前記反射電極の境界線を連結
する線が多数の閉曲線領域を定義する第２絶縁基板と，
前記第１絶縁基板と前記第２絶縁基板との間に介在し，
前記透明電極と前記反射電極に印加される電場によって
配列状態が変化する液晶層と，前記透明電極と前記反射
電極との間に電場を発生させるための電場発生手段とを
含むことを特徴とする反射型液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記閉曲線領域は多角形であることを特
徴とする請求項１記載の反射型液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記閉曲線領域は少なくとも角の数が異
なる２個以上の多角形を含むことを特徴とする請求項２
記載の反射型液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記反射電極は前記コンベックスの表面
から所定深さで陥没された凹部をさらに含むことを特徴
とする請求項１，２，３のいずれか１項に記載の反射型
液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記各コンベックスの頂点から隣接する
コンベックスの頂点までの距離の平均は約８μｍ〜３０
μｍであることを特徴とする請求項１，２，３，４のい
ずれか１項に記載の反射型液晶表示装置。 - 【請求項６】 前記コンケーブの線幅は隣接するコンベ
ックスの頂点の距離の５０％を超えないことを特徴とす
る請求項１，２，３，４，５のいずれか１項に記載の反
射型液晶表示装置。 - 【請求項７】 前記第２絶縁基板の表面から前記各コン
ケーブまでの高さはほぼ同一であり，前記コンベックス
までの高さはお互いに異なることを特徴とする請求項
１，２，３，４，５，６のいずれか１項に記載の反射型
液晶表示装置。 - 【請求項８】 前記第２絶縁基板の表面から前記各コン
ベックスまでの高さはほぼ同一であり，前記コンケーブ
までの高さはお互いに異なることを特徴とする請求項
１，２，３，４，５，６のいずれか１項に記載の反射型
液晶表示装置。 - 【請求項９】 ソース，ドレイン及びゲート電極を含む
スイッチング素子が形成された絶縁基板の全面に感光性
の有機絶縁膜を所定厚さで塗布する段階と，不規則な多
角形構造の遮光領域と，前記遮光領域間に一定幅の投光
領域を持つマスクを使用して，前記有機絶縁膜の厚さよ
り薄い深さで前記有機絶縁膜を１次露光する段階と，前
記スイッチング素子のドレイン電極が露出されるように
前記有機絶縁膜の所定部分を２次露光する段階と，前記
１次，２次露光された部分を現像する段階と，前記現像
された有機絶縁膜を所定温度で加熱してフローさせる段
階と，前記段階により作製された物の全面に反射型金属
を蒸着してパターニングする段階とを含むことを特徴と
する反射型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記感光性有機絶縁膜の厚さは，約１
μｍ〜３μｍであることを特徴とする請求項９記載の反
射型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１１】 前記マスクは前記遮光領域内の所定部
分に投光領域を持つことを特徴とする請求項９または１
０に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１２】 スイッチング素子が形成された絶縁基
板の全面に感光性有機絶縁膜を塗布する段階と，多角形
構造の遮光領域と，前記遮光領域間に形成された所定幅
の第１投光領域と，前記遮光領域内にコンタクトホール
を形成するための第２投光領域とを含み，前記第１投光
領域の透過率が前記第２投光領域の透過率より高いマス
クを使用して前記有機絶縁膜を露光する段階と，前記露
光された部分を一度に現像する段階と，前記有機絶縁膜
の表面に反射型金属を蒸着してパターニングする段階と
を含むことを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項１３】 前記マスクの第１投光領域は前記第１
投光領域を多数のスリットで分割する多数の格子を含む
ことを特徴とする請求項１２記載の反射型液晶表示装置
の製造方法。 - 【請求項１４】 前記第１，第２投光領域の界面での干
渉及び回折現象の程度によって第１投光領域を通過した
光は前記感光性有機絶縁膜の対応する部分をその厚さよ
り薄い深さまで露光して，前記第２投光領域を通過した
光は前記感光性有機絶縁膜の対応する部分をその厚さと
同一な深さまで露光するように，前記第２投光領域は前
記第１投光領域の各スリットより広い面積を持つことを
特徴とする請求項１３記載の反射型液晶表示装置の製造
方法。 - 【請求項１５】 前記遮光領域は少なくとも角の数が異
なる２個以上の多角形を含むことを特徴とする請求項１
２，１３，１４のいずれか１項に記載の反射型液晶表示
装置の製造方法。 - 【請求項１６】 前記マスクは前記遮光領域の所定部分
に形成された第３投光領域をさらに含むことを特徴とす
る請求項１２，１３，１４，１５のいずれか１項に記載
の反射型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１７】 前記第３投光領域は前記第２投光領域
より狭い面積を持つことを特徴とする請求項１６記載の
反射型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１８】 前記感光性の有機絶縁膜は黒色である
ことを特徴とする請求項１２記載の反射型液晶表示装置
の製造方法。 - 【請求項１９】 前記現像された絶縁膜を所定温度でベ
ーキングする段階をさらに含むことを特徴とする請求項
１２，１３，１４，１５，１６，１７，１８のいずれか
１項に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990007093A KR100286978B1 (ko) | 1999-03-04 | 1999-03-04 | 반사형 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR1019990022989A KR100601194B1 (ko) | 1999-06-18 | 1999-06-18 | 반사형 액정표시장치 및 이의 제조방법 |
| KR1999P7093 | 1999-06-18 | ||
| KR1999P22989 | 1999-06-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000292785A true JP2000292785A (ja) | 2000-10-20 |
| JP4798822B2 JP4798822B2 (ja) | 2011-10-19 |
Family
ID=26634767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000065723A Expired - Fee Related JP4798822B2 (ja) | 1999-03-04 | 2000-03-06 | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6522375B1 (ja) |
| JP (1) | JP4798822B2 (ja) |
| CN (1) | CN1174359C (ja) |
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| JP4798822B2 (ja) | 2011-10-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070214 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A601 | Written request for extension of time |
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|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20100908 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100915 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101008 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101109 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110802 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140812 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4798822 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140812 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140812 Year of fee payment: 3 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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