JP2000290289A - 1―ハロゲノ−2−デオキシリボフラノース誘導体の製造方法 - Google Patents

1―ハロゲノ−2−デオキシリボフラノース誘導体の製造方法

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JP2000290289A JP11094551A JP9455199A JP2000290289A JP 2000290289 A JP2000290289 A JP 2000290289A JP 11094551 A JP11094551 A JP 11094551A JP 9455199 A JP9455199 A JP 9455199A JP 2000290289 A JP2000290289 A JP 2000290289A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】従来の製造法での、反応収率が低い、分離困難
な副生物が生成する、環境上好ましくないなど問題を解
消した1―ハロゲノ−2−デオキシリボフラノース誘導
体の製造法を提供する。 【解決手段】下記一般式(1)(化1) で示される2−デオキシリボフラノース誘導体を、非プ
ロトン性溶媒中でハロゲン化水素ガスと反応したのち、
アシルハライドもしくはチオニルハライドと反応させる
ことを特徴とする、下記一般式(2)(化2) で示される1―ハロゲノ−2−デオキシリボフラノース
誘導体の製造方法。 【効果】1―ハロゲノ−2−デオキシリボフラノース誘
導体を高純度で、安全かつ工業的に製造する方法を提供
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、2’−デオキシヌ
クレオシド誘導体の原料として有用である1―ハロゲノ
−2−デオキシリボフラノース誘導体の製造方法に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】1―ハロゲノ−2−デオキシリボフラノ
ース誘導体の製造法として、以下の方法が知られてい
る。 (1)3,5−ジアシル−2−デオキシ−1−メチルリ
ボフラノース誘導体を、アルコールの存在下において、
ハロゲン化アセチルと反応させる方法(特開平7−22
4081号公報)。 (2)3,5−ビス(4−クロロベンゾイル)−2−デ
オキシ−1−メチルリボフラノースを塩化水素ガスと反
応させる方法(Journal of Organic Chemistry,34,
3806(1969))。 (3)3,5−ジアシル−2−デオキシ−1−メチルリ
ボフラノース誘導体を、酢酸溶媒中において、ハロゲン
化アセチルと反応させる方法(特開昭62−12790
号公報)。
【0003】上記の1―ハロゲノ−2−デオキシリボフ
ラノース誘導体の製造法のうち、(1)のアルコール存
在下においてハロゲン化アセチルと反応させる方法は、
リボースの保護基が脱離して副生物が生成する。この副
生物を目的物から分離し除去することは困難であり、目
的物の単離収率の低下と工数の増加を必要とし、工業的
製法として適さない。また(2)の塩化水素ガスを作用
させる方法は、原料を全て反応させることが困難であ
る。このため反応収率が低く、さらに原料を目的物から
分離することが困難であり、その精製によって目的物の
単離収率のさらなる低下と工数の増加を伴い、効率的な
工業的製法ではない。さらに(3)の酢酸溶媒中におい
てハロゲン化アセチルと反応させる方法は、多量の酸ハ
ロゲン化物を使用するため作業環境中に好ましくない酸
ハロゲン化物のミストが散乱する問題がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、分離
が困難な副生物が生成すること、反応が未完結で分離困
難な原料が残存すること、作業環境上好ましくない多量
の酸ハロゲン化物を使用することなどの従来の問題点を
解消した1―ハロゲノ−2−デオキシリボフラノース誘
導体の製造法を提供するものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは前記課題を
解決すべく、1―ハロゲノ−2−デオキシリボフラノー
ス誘導体を高収率かつ高純度で工業的に容易に製造でき
る方法について検討を重ねた。
【0006】この結果、2−デオキシリボフラノース誘
導体を、非プロトン性溶媒中においてハロゲン化水素ガ
スと反応させたのち、アシルハライドもしくはチオニル
ハライドと反応させることにより、驚くべきことに、反
応が定量的に進行するため、原料が残存することもな
く、原料由来の副生物の生成もなく、従って単離収率も
従来法に比較して格段に良く、高純度で安全かつ効率的
に、1―ハロゲノ−2−デオキシリボフラノース誘導体
を製造できることを見出し、当該知見に基づき本発明を
完成したものである。
【0007】すなわち本発明は、一般式(1)(化3)
【0008】
【化3】
【0009】(式中、R1はハロゲン原子で置換されて
いてもよい炭素数1から4のアルキル基を表し、R2
よびR3はそれぞれ独立に、炭素数1から4のアルキル
基、炭素数1から4のアルキル基又はハロゲン原子で置
換されていてもよいベンジル基、炭素数2から4の脂肪
族アシル基、炭素数1から4のアルキル基又はハロゲン
原子で置換されていてもよい芳香族アシル基を表す。)
で示される2−デオキシリボフラノース誘導体を、非プ
ロトン性溶媒中においてハロゲン化水素ガスと反応させ
たのち、アシルハライドもしくはチオニルハライドと反
応させることを特徴とする下記一般式(2)(化4)
【0010】
【化4】
【0011】(式中、R2およびR3は一般式(1)の場
合と同義であり、Xはハロゲン原子を表す。)で示され
る1―ハロゲノ−2−デオキシリボフラノース誘導体の
製造方法を提供するものである。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
一般式(1)においてR1の表す炭素数1から4のアル
キル基として、メチル基、エチル基、プロピル基、イソ
プロピル基、ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基礎
を例示することができ、好ましくはメチル基、エチル
基、イソプロピル基である。ハロゲン原子で置換された
炭素数1から4のアルキル基として、クロロメチル基、
ジクロロメチル基、トリクロロメチル基、ブロモメチル
基、ジブロモメチル基、トリブロモメチル基、1−クロ
ロエチル基、1,2−ジクロロエチル基、1−ブロモエ
チル基、1,2−ジブロモエチル基、クロロイソプロピ
ル基、クロロブチル基、クロロイソブチル基、ブロモイ
ソプロピル基、ブロモブチル基、ブロモイソブチル基を
例示することができる。また、R2およびR3の示す炭
素数1から4のアルキル基として、メチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチ
ル基、t−ブチル基礎を例示することができ、好ましく
はメチル基、エチル基、イソプロピル基である。
【0013】炭素数1から4のアルキル基で置換された
ベンジル基として、2−メチルベンジル基、3−メチル
ベンジル基、4−メチルベンジル基、2−エチルベンジ
ル基、3−エチルベンジル基、4−エチルベンジル基、
プロピルベンジル基、イソプロピルベンジル基、イソブ
チルベンジル基、t−ブチルベンジル基を例示すること
ができる。ハロゲン原子で置換されたベンジル基とし
て、2−クロロベンジル基、3−クロロベンジル基、4
−クロロベンジル基、2,3−ジクロロベンジル基、
2,4−ジクロロベンジル基、2−ブロモベンジル基、
3−ブロモベンジル基、4−ブロモベンジル基、2,3
−ジブロモベンジル基、2,4−ジブロモベンジル基を
例示することができる。
【0014】炭素数2から4の脂肪族アシル基としては
アセチル基、プロピオニル基を例示することができる。
芳香族アシル基としてはベンゾイル基、トルオイル基、
4−クロロベンゾイル基、3−クロロベンゾイル基、2
−クロロベンゾイル基、メトキシベンゾイル基、ブロモ
ベンゾイル基を例示することができる。炭素数1から4
のアルキル基で置換された芳香族アシル基として、2−
メチルベンゾイル基、3−メチルベンゾイル基、2−エ
チルベンゾイル基、2−エチルベンゾイル基、4−エチ
ルベンゾイル基、プロピルベンゾイル基、イソプロピル
ベンゾイル基、ブチルベンゾイル基、t−ブチルベンゾ
イル基を例示することができる。ハロゲン原子で置換さ
れた芳香族アシル基として、2−クロルベンゾイル基、
3−クロロベンゾイル基、4−クロロベンゾイル基、
2,3−ジクロロベンゾイル基、2,4−ジクロロベン
ゾイル基、2−ブロモベンゾイル基、3−ブロモベンゾ
イル基、4−ブロモベンゾイル基、2,3−ジブロモベ
ンゾイル基、2,4−ジブロモベンゾイル基を例示する
ことができる。
【0015】本発明で使用するハロゲン化水素ガスとし
ては、塩化水素ガス、臭化水素ガス、ヨウ化水素ガスな
どが使用可能であり、水分含有量が少ないものほど好ま
しい。ハロゲン化水素の使用量は、出発物質である2−
デオキシリボフラノース誘導体1モルに対して1モルか
ら10モルを用いることが好ましい。
【0016】アシルハライドもしくはチオニルハライド
としては、上記で使用したハロゲン化水素ガスと同じ種
類のハロゲンを含むものを使用する。この条件を満たす
ものであれば、脂肪族アシルハライド、芳香族アシルハ
ライド、チオニルハライドともに使用可能であるが、反
応後の除去のしやすさから脂肪族アシルハライドが好ま
しい。より具体的には、ハロゲン化水素として塩化水素
ガスを用いた場合には塩化アセチル、塩化プロピオニ
ル、塩化チオニルなどが好ましい。また臭化水素ガスを
用いた場合には、臭化アセチル、臭化プロピオニル、臭
化チオニルが好ましい。またヨウ化水素ガスを用いた場
合には、ヨウ化アセチル、ヨウ化プロピオニル、ヨウ化
チオニルが好ましい。アシルハライドもしくはチオニル
ハライドの使用量は、出発物質である2−デオキシリボ
フラノース誘導体1モルに対して0.5モルから1モル
が好ましく、さらには0.8モルから0.99モル用い
ることが好ましい。
【0017】本反応に使用する非プロトン性溶媒は、本
反応に不活性な溶媒ならばいずれも使用することができ
る。具体的には、ヘキサン、シクロヘキサン、およびト
ルエンなどの炭化水素類、ジクロロメタン、クロロホル
ム、1,2−ジクロロエタン、臭化イソプロピル、n−
ブチルクロライド、およびクロロベンゼンなどのハロゲ
ン化炭化水素類、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエ
ーテル、テトラヒドロフラン、および1,4−ジオキサ
ンなどのエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、
およびメチルイソブチルケトンなどのケトン類、酢酸エ
チル、酢酸ブチルなどのエステル類を、使用することが
できる。これらの溶媒は、単独で使用することができる
と共に、適当な比率で混合して用いることもできる。非
プロトン性溶媒の使用量は、出発物質である2−デオキ
シリボフラノース誘導体の反応前の濃度が10重量%か
ら20重量%となるようにすることが好ましい。
【0018】反応はハロゲン化水素ガスの装入工程とア
シルハライドもしくはチオニルハライドによる反応の連
続した工程からなる。ハロゲン化水素ガスの装入工程で
は、反応温度は0℃から30℃が好ましい。装入に要す
る時間は0.5時間から10時間が好ましく、更には
0.5時間から3時間が好ましい。ハロゲン化水素ガス
装入後の熟成反応は、反応温度は0℃から30℃が好ま
しく、反応時間は0.1時間から18時間が好ましく、
更には0.5時間から2時間が好ましい。
【0019】続く第二段階のアシルハライドもしくはチ
オニルハライドによる反応は、反応温度は0℃から30
℃が好ましい。装入に要する時間は通常0.1時間から
5時間であり、更には0.5時間から3時間が好まし
い。アシルハライドもしくはチオニルハライド装入後の
熟成反応は、反応温度は0℃から30℃が好ましく、反
応時間は0.5時間から5時間が好ましく、更には0.
5時間から2時間が好ましい。
【0020】上記反応によって目的物の1―ハロゲノ−
2−デオキシリボフラノース誘導体が生成し、結晶とし
て析出する。この結晶を濾過により分離し、乾燥するこ
とにより単離することができる。また溶媒を減圧下除去
して単離することもできるが、これらの方法に限定され
るものではない。以上の操作によって得られた1―ハロ
ゲノ−2−デオキシリボフラノース誘導体はそのまま次
反応に使用することも可能であるが、再結晶などにより
生成することもできる。
【0021】
【実施例】以下において、実施例と比較例を挙げて本発
明を説明する。
【0022】実施例1 窒素置換した300mLのガラス製反応器に、20重量
%3,5−ビス(4−クロロベンゾイル)−2−デオキ
シ−1−メチルリボフラノースのジイソプロピルエーテ
ル溶液100g(48.6ミリモル)を仕込み、氷冷下
で攪拌しながら、乾燥塩化水素ガス18gを1時間かけ
て3℃から13℃にて吹き込み、さらに室温(20℃)
にて0.5時間攪拌した。この溶液を、室温(20℃)
にて攪拌しながら、塩化アセチル3.3mL(46ミリ
モル、0.95等量)を5分間で滴下装入し、さらに室
温にて反応液を1時間攪拌した。この段階で原料はすべ
て消費され反応は定量的であった。析出した結晶を濾過
し、少量のジイソプロピルエーテルで洗浄した。生成物
を減圧下40℃にて4時間乾燥して、1−クロロ−3,
5−ビス(4−クロロベンゾイル)−2−デオキシリボ
フラノース17.7gを得た(単離収率85%)。生成
物を高速液体クロマトグラフ法(逆相カラム、溶離液:
水/アセトニトリル、検出波長:254nm)で分析し
た結果、目的物は96面積%であり、未反応の原料は見
出されなかった。また、高速液体クロマトグラフ法から
求めた4−クロロ安息香酸の含量は0重量%であり、保
護基由来の副生物が含まれていなかった。 融点122℃ 1H−NMR(90MHz、CDCl3、σ(pp
m))2.7〜2.9(2H,m)、4.5〜4.7
(2H,m)、4.7〜4.9(1H,m)、5.5〜
5.6(1H,m)、6.5(1H,d)、7.4〜
7.5(4H,m)、7.9〜8.0(4H,m)。
【0023】比較例1 従来法(1)の方法を追試した。結果を以下に示す。窒
素置換した300mLのガラス製反応器に、3,5−ビ
ス(4−クロロベンゾイル)−2−デオキシ−1−メチ
ルリボフラノース10g(25ミリモル)と乾燥シクロ
ヘキサン10mLを装入し、窒素微加圧下に攪拌しなが
ら室温にて塩化アセチル6.4g(81ミリモル)を約
5分間で滴下装入後、続いて無水メタノール0.96m
Lを加えた。得られた溶液を20℃にて4時間攪拌し反
応した。反応混合物から減圧下低沸点物質を溜去し、こ
の中に室温にて乾燥シクロヘキサン11mLを加え溶解
したのち、氷冷下で2時間攪拌した。析出した結晶を濾
過し、少量のシクロヘキサンで洗浄した。次に生成物を
減圧下40℃にて4時間乾燥して、1−クロロ−3,5
−ビス(4−クロロベンゾイル)−2−デオキシリボフ
ラノース8.5gを得た。生成物を高速液体クロマトグ
ラフ法(実施例と同一条件)で分析した結果90面積%
であり、未反応の原料は見出されなった。また高速液体
クロマトグラフ法にて副生物を定量した結果、4−クロ
ロ安息香酸の含量は12重量%含まれており、目的物の
収率は73%であった。以上示したように、従来法
(1)の方法では、原料の保護基に由来する4−クロロ
安息香酸が副生し、副生物と目的物の分離が困難であっ
た。
【0024】比較例2 従来法(2)の方法を追試した結果を、以下に示す。窒
素置換した300mLのガラス反応器に、20重量%
3,5−ビス(4−クロロベンゾイル)−2−デオキシ
−1−メチルリボフラノースのジイソプロピルエーテル
溶液100g(48.6ミリモル)を仕込み、氷冷下で
攪拌しながら乾燥塩化水素ガス36gを3時間かけて3
℃から13℃にて吹き込み、さらに室温(20℃)にて
3時間攪拌した。析出した結晶を濾取し、少量のジイソ
プロピルエーテルで洗浄した。生成物を40℃にて4時
間減圧乾燥して、1−クロロ−3,5−ビス(4−クロ
ロベンゾイル)−2−デオキシリボフラノース16.2
gを得た。得られた生成物を、高速液体クロマトグラフ
法(実施例と同一条件)で分析した結果86面積%であ
り、未反応の原料が12面積%であった。また高速液体
クロマトグラフ法にて副生物を定量した結果、4−クロ
ロ安息香酸の含量は0重量%であった。以上から目的物
の収率は74%であり、生成物には原料が残存している
ことが判った。以上示したように、従来法(2)による
方法では、原料が残存し、このため反応収率が低く、生
成物からの原料の分離は困難であった。
【0025】
【発明の効果】以上述べたよう、従来知られている1―
ハロゲノ−2−デオキシリボフラノース誘導体の製造方
法では、分離困難な原料由来のアシル化合物が副生した
り、反応が完結しないため収率が低く、さらに残存する
原料は目的物から分離が困難であるという、問題が存在
していた。しかしながら本発明によれば、2−デオキシ
リボフラノース誘導体を、非プロトン性溶媒中でハロゲ
ン化水素ガスと反応させたのち、アシルハライドと反応
する方法によって、驚くべきことに反応は定量的にな
り、分離困難な副生物も生じずに1―ハロゲノ−2−デ
オキシリボフラノース誘導体を高純度、安全かつ工業的
に製造することができる。さらに本方法では、製造に際
し高価な触媒や取り扱いに危険の伴う原料を必要としな
い。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浅野 保 千葉県茂原市東郷1144番地 三井化学株式 会社内 (72)発明者 深澤 信幸 千葉県茂原市東郷1144番地 三井化学株式 会社内 Fターム(参考) 4C057 AA18 BB02 BB05 CC02 DD02 HH03 HH04 JJ03

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】下記一般式(1)(化1) 【化1】 (式中、R1はハロゲン原子で置換されていてもよい炭
    素数1から4のアルキル基を表し、R2およびR3はそれ
    ぞれ独立に、炭素数1から4のアルキル基、炭素数1か
    ら4のアルキル基又はハロゲン原子で置換されていても
    よいベンジル基、炭素数2から4の脂肪族アシル基、炭
    素数1から4のアルキル基又はハロゲン原子で置換され
    ていてもよい芳香族アシル基を表す。)で示される2−
    デオキシリボフラノース誘導体を、非プロトン性溶媒中
    においてハロゲン化水素ガスと反応させたのち、アシル
    ハライドもしくはチオニルハライドと反応させることを
    特徴とする下記一般式(2)(化2) 【化2】 (式中、R2およびR3は一般式(1)の場合と同義であ
    り、Xはハロゲン原子を表す。)で示される1―ハロゲ
    ノ−2−デオキシリボフラノース誘導体の製造方法。
  2. 【請求項2】R1がハロゲン原子で置換されていてもよ
    い炭素数1から3のアルキル基、R2およびR3がそれぞ
    れ独立に炭素数1から4のアルキル基又はハロゲン原子
    で置換されていてもよい芳香族アシル基である請求項1
    に記載の1―ハロゲノ−2−デオキシリボフラノース誘
    導体の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7582748B2 (en) 2003-03-20 2009-09-01 Microbiologica Quimica E Farmaceutical Ltd. Methods of manufacture of 2′-deoxy-β-L-nucleosides
JP2013166782A (ja) * 2006-10-17 2013-08-29 Anadys Pharmaceuticals Inc 5−アミノ−3−(2’−O−アセチル−3’−デオキシ−β−D−リボフラノシル)−3H−チアゾール[4,5−d]ピリミジン−2−オンのp−トルエンスルホン酸塩、及び、調製方法

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JP2013166782A (ja) * 2006-10-17 2013-08-29 Anadys Pharmaceuticals Inc 5−アミノ−3−(2’−O−アセチル−3’−デオキシ−β−D−リボフラノシル)−3H−チアゾール[4,5−d]ピリミジン−2−オンのp−トルエンスルホン酸塩、及び、調製方法

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