JP2000281432A - 高周波用誘電体磁器組成物及びそれを用いた積層部品 - Google Patents
高周波用誘電体磁器組成物及びそれを用いた積層部品Info
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- JP2000281432A JP2000281432A JP11089970A JP8997099A JP2000281432A JP 2000281432 A JP2000281432 A JP 2000281432A JP 11089970 A JP11089970 A JP 11089970A JP 8997099 A JP8997099 A JP 8997099A JP 2000281432 A JP2000281432 A JP 2000281432A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 収縮開始温度を低くして、導体の収縮開始温
度に近づけることができ、ＡｇやＣｕを主成分とする導
体と同時焼成した場合でも反りや歪みを抑制できる高周
波用誘電体磁器組成物を提供する。 【解決手段】組成式をｘＭｇＯ・ｙＬａ２Ｏ３・ｚＴｉ
Ｏ２で、前記ｘ、ｙ、ｚが点ａ（ｘ＝35.5，ｙ＝0.5 ，
ｚ＝64.0）、点ｂ（ｘ＝16.0，ｙ＝16.0，ｚ＝68.0）、
点ｃ（ｘ＝ 1.0，ｙ＝20.0，ｚ＝79.0）、点ｄ（ｘ＝
0.5，ｙ＝ 14.5 ，ｚ＝85.0）、点ｅ（ｘ＝27.5，ｙ＝
0.5，ｚ＝72.0）に囲まれる領域（線分含む）内にある
とともに、Ｌａ4 Ｔｉ9 Ｏ24、ＭｇＴｉ2 Ｏ5 及びＬａ
0.66ＴｉＯ2. 993 のうち少なくとも一種を主結晶相とす
る主成分と、該主成分１００重量部に対して、Ｂ、アル
カリ金属、Ｓｉおよびアルカリ土類金属を含有する粒界
相形成成分５〜３０重量部とから成るものである。
度に近づけることができ、ＡｇやＣｕを主成分とする導
体と同時焼成した場合でも反りや歪みを抑制できる高周
波用誘電体磁器組成物を提供する。 【解決手段】組成式をｘＭｇＯ・ｙＬａ２Ｏ３・ｚＴｉ
Ｏ２で、前記ｘ、ｙ、ｚが点ａ（ｘ＝35.5，ｙ＝0.5 ，
ｚ＝64.0）、点ｂ（ｘ＝16.0，ｙ＝16.0，ｚ＝68.0）、
点ｃ（ｘ＝ 1.0，ｙ＝20.0，ｚ＝79.0）、点ｄ（ｘ＝
0.5，ｙ＝ 14.5 ，ｚ＝85.0）、点ｅ（ｘ＝27.5，ｙ＝
0.5，ｚ＝72.0）に囲まれる領域（線分含む）内にある
とともに、Ｌａ4 Ｔｉ9 Ｏ24、ＭｇＴｉ2 Ｏ5 及びＬａ
0.66ＴｉＯ2. 993 のうち少なくとも一種を主結晶相とす
る主成分と、該主成分１００重量部に対して、Ｂ、アル
カリ金属、Ｓｉおよびアルカリ土類金属を含有する粒界
相形成成分５〜３０重量部とから成るものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波、ミリ
波等の高周波領域において、高いＱ値を有する高周波用
誘電体磁器および積層体に関するものであり、例えばマ
イクロ波やミリ波などの高周波領域において使用される
種々の共振器用材料やＭＩＣ用誘電体基板材料、誘電体
導波路用材料、積層型セラミックコンデンサの誘電体層
等に用いることができる高周波用誘電体磁器組成物及び
それを用いた積層部品に関する。
波等の高周波領域において、高いＱ値を有する高周波用
誘電体磁器および積層体に関するものであり、例えばマ
イクロ波やミリ波などの高周波領域において使用される
種々の共振器用材料やＭＩＣ用誘電体基板材料、誘電体
導波路用材料、積層型セラミックコンデンサの誘電体層
等に用いることができる高周波用誘電体磁器組成物及び
それを用いた積層部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、誘電体磁器は、マイクロ波やミリ
波等の高周波領域において誘電体共振器、ＭＩＣ用誘電
体基板や導波路等に広く利用されている。そして、近年
においては、携帯電話をはじめとする移動体通信等の発
達および普及に伴い、電子回路基板や電子部品の材料と
して、誘電体セラミックスの需要が増大しつつある。
波等の高周波領域において誘電体共振器、ＭＩＣ用誘電
体基板や導波路等に広く利用されている。そして、近年
においては、携帯電話をはじめとする移動体通信等の発
達および普及に伴い、電子回路基板や電子部品の材料と
して、誘電体セラミックスの需要が増大しつつある。
【０００３】電子回路基板や電子部品において、誘電体
セラミックスと内部導体を同時焼成するに際しては、従
来の誘電体セラミックスの焼成温度が１１００℃以上と
いう高温であったため、導体材料としては、比較的高融
点であるＰｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｍｏ等が使用されていた。こ
れら高融点の導体材料は導通抵抗が大きいため、従来の
電子回路基板において、共振回路やインダクタンスのＱ
値が小さくなってしまい、導体線路の伝送損失が大きく
なる等の問題があった。
セラミックスと内部導体を同時焼成するに際しては、従
来の誘電体セラミックスの焼成温度が１１００℃以上と
いう高温であったため、導体材料としては、比較的高融
点であるＰｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｍｏ等が使用されていた。こ
れら高融点の導体材料は導通抵抗が大きいため、従来の
電子回路基板において、共振回路やインダクタンスのＱ
値が小さくなってしまい、導体線路の伝送損失が大きく
なる等の問題があった。
【０００４】そこで、このような問題点を解決すべく、
導通抵抗の小さいＡｇ、Ｃｕ等と同時焼成可能な低温焼
成の誘電体セラミックスが提案されている。例えば、本
出願人が先に出願した特開平８−２０８３３０号公報に
開示された誘電体磁器組成物は、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｔｉ
Ｏ2 とＢ2 Ｏ3 、Ｌｉ2 ＣＯ3 からなるものであり、９
００〜１０５０℃の比較的低温でＡｇ、Ｃｕ等の内部導
体と同時に焼成でき、誘電体磁器の比誘電率εｒが１８
以上、測定周波数７ＧＨｚでのＱ値が２０００以上、か
つ共振周波数の温度係数τｆが±４０ｐｐｍ／℃以内の
優れた特性を有し、高周波電子部品の小型化と高性能化
を実現できるものであった。
導通抵抗の小さいＡｇ、Ｃｕ等と同時焼成可能な低温焼
成の誘電体セラミックスが提案されている。例えば、本
出願人が先に出願した特開平８−２０８３３０号公報に
開示された誘電体磁器組成物は、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｔｉ
Ｏ2 とＢ2 Ｏ3 、Ｌｉ2 ＣＯ3 からなるものであり、９
００〜１０５０℃の比較的低温でＡｇ、Ｃｕ等の内部導
体と同時に焼成でき、誘電体磁器の比誘電率εｒが１８
以上、測定周波数７ＧＨｚでのＱ値が２０００以上、か
つ共振周波数の温度係数τｆが±４０ｐｐｍ／℃以内の
優れた特性を有し、高周波電子部品の小型化と高性能化
を実現できるものであった。
【０００５】また、特開平９−３１５８５９号公報に開
示された誘電体磁器組成物はＣａＯ、ＺｒＯ2 とＢ2 Ｏ
3 、アルカリ金属化合物からなり、１２００℃以下の比
較的低温で焼成できるものであった。
示された誘電体磁器組成物はＣａＯ、ＺｒＯ2 とＢ2 Ｏ
3 、アルカリ金属化合物からなり、１２００℃以下の比
較的低温で焼成できるものであった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
８−２０８３３０号公報に開示された誘電体磁器組成物
では焼結温度がまだ高く、さらに焼結における収縮開始
温度が８４５〜９６０℃と高温であるため、導体材料と
の収縮挙動のマッチングが悪く、焼成された基板や電子
部品が反る、歪む等の問題があった。
８−２０８３３０号公報に開示された誘電体磁器組成物
では焼結温度がまだ高く、さらに焼結における収縮開始
温度が８４５〜９６０℃と高温であるため、導体材料と
の収縮挙動のマッチングが悪く、焼成された基板や電子
部品が反る、歪む等の問題があった。
【０００７】また、特開平９−３１５８５９号公報に開
示された誘電体磁器組成物も同様の問題があった。
示された誘電体磁器組成物も同様の問題があった。
【０００８】即ち、導体としては、Ａｇおよび／または
Ｃｕを主成分とするもの、例えば、Ａｇ、Ｃｕ、あるい
はＡｇ、Ｃｕに対してガラス成分やセラミック成分、Ｐ
ｔ、Ｐｄ等の金属を添加したものがあるが、これらの導
体は、焼成時における収縮開始温度が高くとも６５０℃
程度であるため、上記誘電体磁器組成物の収縮開始温度
との差が大きく、これにより、基板等が変形する等の問
題があった。
Ｃｕを主成分とするもの、例えば、Ａｇ、Ｃｕ、あるい
はＡｇ、Ｃｕに対してガラス成分やセラミック成分、Ｐ
ｔ、Ｐｄ等の金属を添加したものがあるが、これらの導
体は、焼成時における収縮開始温度が高くとも６５０℃
程度であるため、上記誘電体磁器組成物の収縮開始温度
との差が大きく、これにより、基板等が変形する等の問
題があった。
【０００９】本発明は上記課題に鑑みなされたもので、
収縮開始温度を低くして、導体の収縮開始温度に近づけ
ることができ、ＡｇやＣｕを主成分とする導体と同時焼
成した場合でも反りや歪みを抑制できる高周波用誘電体
磁器および積層体を提供することを目的とする。
収縮開始温度を低くして、導体の収縮開始温度に近づけ
ることができ、ＡｇやＣｕを主成分とする導体と同時焼
成した場合でも反りや歪みを抑制できる高周波用誘電体
磁器および積層体を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波用誘電体
磁器は、金属元素として少なくともＭｇ、Ｌａ、Ｔｉを
含有する複合酸化物であって、これらのモル比による組
成式を ｘＭｇＯ・ｙＬａ2 Ｏ3 ・ｚＴｉＯ2 と表した時、前記ｘ、ｙ、ｚが点ａ−ｂ−ｃ−ｄ−ｅ−
ａで囲まれる範囲内にあるとともにＬａ4 Ｔｉ9 Ｏ24、
ＭｇＴｉ2 Ｏ5 及びＬａ0.66ＴｉＯ2.993 のうち少なく
とも一種を主結晶相とする主成分と、該主成分１００重
量部に対して、Ｂ、アルカリ金属、Ｓｉおよびアルカリ
土類金属を含有する粒界相形成成分５〜３０重量部とか
ら成るものである。ここで、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅは、 点ａ（ｘ＝35.5，ｙ＝0.5 ，ｚ＝64.0） 点ｂ（ｘ＝16.0，ｙ＝16.0，ｚ＝68.0） 点ｃ（ｘ＝ 1.0，ｙ＝20.0，ｚ＝79.0） 点ｄ（ｘ＝ 0.5，ｙ＝ 14.5 ，ｚ＝85.0） 点ｅ（ｘ＝27.5，ｙ＝ 0.5，ｚ＝72.0） ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ である。このような高周波用誘電体磁器において、Ｑ値
とその測定周波数との積で表されるＱｆ値が２００００
〔ＧＨｚ〕以上であることが望ましい。
磁器は、金属元素として少なくともＭｇ、Ｌａ、Ｔｉを
含有する複合酸化物であって、これらのモル比による組
成式を ｘＭｇＯ・ｙＬａ2 Ｏ3 ・ｚＴｉＯ2 と表した時、前記ｘ、ｙ、ｚが点ａ−ｂ−ｃ−ｄ−ｅ−
ａで囲まれる範囲内にあるとともにＬａ4 Ｔｉ9 Ｏ24、
ＭｇＴｉ2 Ｏ5 及びＬａ0.66ＴｉＯ2.993 のうち少なく
とも一種を主結晶相とする主成分と、該主成分１００重
量部に対して、Ｂ、アルカリ金属、Ｓｉおよびアルカリ
土類金属を含有する粒界相形成成分５〜３０重量部とか
ら成るものである。ここで、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅは、 点ａ（ｘ＝35.5，ｙ＝0.5 ，ｚ＝64.0） 点ｂ（ｘ＝16.0，ｙ＝16.0，ｚ＝68.0） 点ｃ（ｘ＝ 1.0，ｙ＝20.0，ｚ＝79.0） 点ｄ（ｘ＝ 0.5，ｙ＝ 14.5 ，ｚ＝85.0） 点ｅ（ｘ＝27.5，ｙ＝ 0.5，ｚ＝72.0） ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ である。このような高周波用誘電体磁器において、Ｑ値
とその測定周波数との積で表されるＱｆ値が２００００
〔ＧＨｚ〕以上であることが望ましい。
【００１１】また、粒界相形成成分は、重量比による組
成式を、ｌＢ2 Ｏ3 ・ｍＡ2 Ｏ・ｎＳｉＯ2 ・ｏＲＯと
表した時、前記ｌ、ｍ、ｎ、およびｏが、４０≦ｌ≦９
０、８≦ｍ≦２０、１≦ｎ≦２０、１≦ｏ≦２０、ｌ＋
ｍ＋ｎ＋ｏ＝１００を満足することが望ましい。ここ
で、Ａはアルカリ金属のうち少なくとも一種以上、Ｒは
アルカリ土類金属のうち少なくとも一種以上である。ま
た、ＲはＢａが望ましい。
成式を、ｌＢ2 Ｏ3 ・ｍＡ2 Ｏ・ｎＳｉＯ2 ・ｏＲＯと
表した時、前記ｌ、ｍ、ｎ、およびｏが、４０≦ｌ≦９
０、８≦ｍ≦２０、１≦ｎ≦２０、１≦ｏ≦２０、ｌ＋
ｍ＋ｎ＋ｏ＝１００を満足することが望ましい。ここ
で、Ａはアルカリ金属のうち少なくとも一種以上、Ｒは
アルカリ土類金属のうち少なくとも一種以上である。ま
た、ＲはＢａが望ましい。
【００１２】また、誘電体層を複数積層して成る基体の
内部及び表面に、Ａｇ及び／またはＣｕを主成分とする
導体を有する積層部品であって、前記誘電体層が上述の
高周波用誘電体磁器組成物からなる積層部品である。
内部及び表面に、Ａｇ及び／またはＣｕを主成分とする
導体を有する積層部品であって、前記誘電体層が上述の
高周波用誘電体磁器組成物からなる積層部品である。
【００１３】
【作用】本発明の高周波用誘電体磁器は、Ｂ、アルカリ
金属、Ｓｉおよびアルカリ土類金属を含有する粒界相形
成成分により、セラミックフィラー自体の誘電特性をそ
れほど劣化させることなく、９４０℃以下の焼成温度で
焼成できるとともに、収縮開始温度を８３０℃以下とす
ることができ、Ａｇ、Ｃｕ等の内部導体と同時焼成して
も、基板の焼結挙動とＡｇ、Ｃｕ等の内部導体との焼成
挙動を近似させることができ、基板の反りを防止できる
ものとなる。
金属、Ｓｉおよびアルカリ土類金属を含有する粒界相形
成成分により、セラミックフィラー自体の誘電特性をそ
れほど劣化させることなく、９４０℃以下の焼成温度で
焼成できるとともに、収縮開始温度を８３０℃以下とす
ることができ、Ａｇ、Ｃｕ等の内部導体と同時焼成して
も、基板の焼結挙動とＡｇ、Ｃｕ等の内部導体との焼成
挙動を近似させることができ、基板の反りを防止できる
ものとなる。
【００１４】さらに、Ｑ値とその測定周波数との積で表
される磁器のＱｆ値が１５０００〔ＧＨｚ〕以上とな
り、共振器用材料やＭＩＣ用誘電体基板材料、誘電体導
波路用材料、積層型セラミックコンデンサの誘電体層等
に好適に用いることができる。
される磁器のＱｆ値が１５０００〔ＧＨｚ〕以上とな
り、共振器用材料やＭＩＣ用誘電体基板材料、誘電体導
波路用材料、積層型セラミックコンデンサの誘電体層等
に好適に用いることができる。
【００１５】また、粒界相形成成分が、重量比による組
成式をｌＢ2 Ｏ3 ・ｍＡ2 Ｏ・ｎＳｉＯ2 ・ｏＲＯ（Ａ
はアルカリ金属のうち少なくとも一種、Ｒはアルカリ土
類金属のうち少なくとも一種）と表した時、ｌ、ｍ、ｎ
およびｏが、４０≦ｌ≦９０、８≦ｍ≦２０、１≦ｎ≦
２０、１≦ｏ≦２０、ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｏ＝１００を満足す
ることにより、９２０℃以下の焼成温度で焼成できると
ともに、焼成収縮開始温度を８３０℃以下にすることが
でき、Ａｇおよび／またはＣｕを主成分とする導体の収
縮開始温度に近づけることができ、Ａｇ、Ｃｕを主成分
とする導体と同時焼成した場合でも、基板や電子部品の
反りや歪み等の発生を抑制することができ、さらに、Ｑ
ｆ値が２００００（ＧＨｚ）以上となる。
成式をｌＢ2 Ｏ3 ・ｍＡ2 Ｏ・ｎＳｉＯ2 ・ｏＲＯ（Ａ
はアルカリ金属のうち少なくとも一種、Ｒはアルカリ土
類金属のうち少なくとも一種）と表した時、ｌ、ｍ、ｎ
およびｏが、４０≦ｌ≦９０、８≦ｍ≦２０、１≦ｎ≦
２０、１≦ｏ≦２０、ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｏ＝１００を満足す
ることにより、９２０℃以下の焼成温度で焼成できると
ともに、焼成収縮開始温度を８３０℃以下にすることが
でき、Ａｇおよび／またはＣｕを主成分とする導体の収
縮開始温度に近づけることができ、Ａｇ、Ｃｕを主成分
とする導体と同時焼成した場合でも、基板や電子部品の
反りや歪み等の発生を抑制することができ、さらに、Ｑ
ｆ値が２００００（ＧＨｚ）以上となる。
【００１６】また，積層部品において、上述の誘電体磁
器組成物では、９４０℃以下の比較的低温で焼成するこ
とができるため、内部または表面の導体にＡｇやＣｕな
どの導電率が優れ、高周波特性に優れた導体材料を用い
ることができ、しかも、一体的に焼成処理しても焼結挙
動を近似させることができるため、基体にソリなどを発
生させることなく積層部品が達成できる。
器組成物では、９４０℃以下の比較的低温で焼成するこ
とができるため、内部または表面の導体にＡｇやＣｕな
どの導電率が優れ、高周波特性に優れた導体材料を用い
ることができ、しかも、一体的に焼成処理しても焼結挙
動を近似させることができるため、基体にソリなどを発
生させることなく積層部品が達成できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の高周波用誘電体磁
器組成物及びそれを用いた積層部品を図面に基づいて詳
説する。
器組成物及びそれを用いた積層部品を図面に基づいて詳
説する。
【００１８】図１は、本発明にかかる積層部品の断面図
を示すものであり、例えば、トリプレート型積層共振部
品を例に示す。図中、１ａ〜１ｄは高周波用誘電体磁器
（単に誘電体層という）であり、この誘電体層１ａ〜１
ｄから成る積層体（基体）１の内部に内部導体２が、表
面に表面導体３が形成されている。
を示すものであり、例えば、トリプレート型積層共振部
品を例に示す。図中、１ａ〜１ｄは高周波用誘電体磁器
（単に誘電体層という）であり、この誘電体層１ａ〜１
ｄから成る積層体（基体）１の内部に内部導体２が、表
面に表面導体３が形成されている。
【００１９】誘電体層１ａ〜１ｄは、金属元素として少
なくともＭｇ、Ｌａ、Ｔｉを含有する複合酸化物であっ
て、Ｌａ4 Ｔｉ9 Ｏ24、ＭｇＴｉ2 Ｏ5 及びＬａ0.66Ｔ
ｉＯ2.993 のうち少なくとも一種を主結晶相とする主成
分と、Ｂ、アルカリ金属、Ｓｉおよびアルカリ土類金属
を含有する粒界相形成成分とからなる誘電体磁器であ
る。
なくともＭｇ、Ｌａ、Ｔｉを含有する複合酸化物であっ
て、Ｌａ4 Ｔｉ9 Ｏ24、ＭｇＴｉ2 Ｏ5 及びＬａ0.66Ｔ
ｉＯ2.993 のうち少なくとも一種を主結晶相とする主成
分と、Ｂ、アルカリ金属、Ｓｉおよびアルカリ土類金属
を含有する粒界相形成成分とからなる誘電体磁器であ
る。
【００２０】内部導体２は、ＡｇまたはＣｕを主成分と
する導体膜からなり、誘電体層１ａ〜１ｄとの間及び誘
電体層１ａ〜１ｄの厚みを貫く方向に内部導体２が形成
されている。例えば、共振部品において、誘電体層１ｂ
と１ｃとの層間には、マイクロストリップ線路として動
作し、その一端（短絡端）は誘電体層１ａと１ｂとの層
間及び１ｃと１ｄとの層間に形成されたグランド電位と
なる導体膜にビアホール導体によって互いに接続されて
いる。また、マイクロストリップ線路の他端及びグラン
ド電位の導体膜はそれぞれビアホール導体を介して基体
１の表面に導出されている。ここで、ストリップ線路、
グランド電位の導体膜及びビアホール導体は、誘電体層
１ａ〜１ｄと一体的に焼成される内部導体２と言え、そ
のほかに所定配線網を形成する導体として用いることも
できる。
する導体膜からなり、誘電体層１ａ〜１ｄとの間及び誘
電体層１ａ〜１ｄの厚みを貫く方向に内部導体２が形成
されている。例えば、共振部品において、誘電体層１ｂ
と１ｃとの層間には、マイクロストリップ線路として動
作し、その一端（短絡端）は誘電体層１ａと１ｂとの層
間及び１ｃと１ｄとの層間に形成されたグランド電位と
なる導体膜にビアホール導体によって互いに接続されて
いる。また、マイクロストリップ線路の他端及びグラン
ド電位の導体膜はそれぞれビアホール導体を介して基体
１の表面に導出されている。ここで、ストリップ線路、
グランド電位の導体膜及びビアホール導体は、誘電体層
１ａ〜１ｄと一体的に焼成される内部導体２と言え、そ
のほかに所定配線網を形成する導体として用いることも
できる。
【００２１】外部導体３は、ＡｇまたはＣｕを主成分と
する導体膜からなり、基体１の表面に例えば上述のビア
ホール導体と導通するように形成された導体膜である。
このように内部導体２と接続する導体以外に、端子電極
となる導体、所定配線網を形成する配線パターンにも用
いることができる。なお、この外部導体３は、好ましく
は内部導体２と同様の材料を用い、基体と一体的に焼成
することが望ましいが、内部導体２を有する基体１に、
別焼成で外部導体３を焼き付け処理しても構わない。
する導体膜からなり、基体１の表面に例えば上述のビア
ホール導体と導通するように形成された導体膜である。
このように内部導体２と接続する導体以外に、端子電極
となる導体、所定配線網を形成する配線パターンにも用
いることができる。なお、この外部導体３は、好ましく
は内部導体２と同様の材料を用い、基体と一体的に焼成
することが望ましいが、内部導体２を有する基体１に、
別焼成で外部導体３を焼き付け処理しても構わない。
【００２２】上述の誘電体層１ａ〜１ｄは、例えば共振
器として高周波特性、例えばＱｆ値が求められるととも
に、構造的には少なくともＡｇやＣｕを主成分とする内
部導体２と一体的に焼成処理することから、誘電体層の
焼成温度がＡｇやＣｕの融点以下の例えば９４０℃以下
で焼成でき、しかも、焼結挙動を合わせるために、誘電
体層１ａ〜１ｄの焼結開始温度（収縮開始温度）が８３
０℃以下とすることが重要となる。
器として高周波特性、例えばＱｆ値が求められるととも
に、構造的には少なくともＡｇやＣｕを主成分とする内
部導体２と一体的に焼成処理することから、誘電体層の
焼成温度がＡｇやＣｕの融点以下の例えば９４０℃以下
で焼成でき、しかも、焼結挙動を合わせるために、誘電
体層１ａ〜１ｄの焼結開始温度（収縮開始温度）が８３
０℃以下とすることが重要となる。
【００２３】誘電体層１ａ〜１ｄは、金属元素として少
なくともＭｇ、Ｌａ、Ｔｉを含有する複合酸化物であっ
て、これらのモル比による組成式をｘＭｇＯ・ｙＬａ2
Ｏ3・ｚＴｉＯ3 と表した時、図２の各モル比率である
ｘ、ｙ、ｚの関係を示す三元図中の点ａ−ｂ−ｃ−ｄ−
ｅ−ａで囲まれる範囲（線分含む）内とすることが重要
であり、Ｂ、アルカリ金属、Ｓｉおよびアルカリ土類金
属を含有する粒界相形成成分５〜３０重量部とから成る
ことが重要である。ここで、点ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅと
は、各モル比率が点ａ（ｘ＝35.5，ｙ＝0.5 ，ｚ＝64.
0）、点ｂ（ｘ＝16.0，ｙ＝16.0，ｚ＝68.0），点ｃ
（ｘ＝ 1.0，ｙ＝20.0，ｚ＝79.0）、点ｄ（ｘ＝ 0.5，
ｙ＝ 14.5 ，ｚ＝85.0）、点ｅ（ｘ＝27.5，ｙ＝ 0.5，
ｚ＝72.0）としている。
なくともＭｇ、Ｌａ、Ｔｉを含有する複合酸化物であっ
て、これらのモル比による組成式をｘＭｇＯ・ｙＬａ2
Ｏ3・ｚＴｉＯ3 と表した時、図２の各モル比率である
ｘ、ｙ、ｚの関係を示す三元図中の点ａ−ｂ−ｃ−ｄ−
ｅ−ａで囲まれる範囲（線分含む）内とすることが重要
であり、Ｂ、アルカリ金属、Ｓｉおよびアルカリ土類金
属を含有する粒界相形成成分５〜３０重量部とから成る
ことが重要である。ここで、点ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅと
は、各モル比率が点ａ（ｘ＝35.5，ｙ＝0.5 ，ｚ＝64.
0）、点ｂ（ｘ＝16.0，ｙ＝16.0，ｚ＝68.0），点ｃ
（ｘ＝ 1.0，ｙ＝20.0，ｚ＝79.0）、点ｄ（ｘ＝ 0.5，
ｙ＝ 14.5 ，ｚ＝85.0）、点ｅ（ｘ＝27.5，ｙ＝ 0.5，
ｚ＝72.0）としている。
【００２４】これは、焼成後、Ｌａ4 Ｔｉ9 Ｏ24、Ｍｇ
Ｔｉ2 Ｏ5 及びＬａ0.66ＴｉＯ2.99 3 のうち少なくとも
一種を主結晶相を形成されるためである。
Ｔｉ2 Ｏ5 及びＬａ0.66ＴｉＯ2.99 3 のうち少なくとも
一種を主結晶相を形成されるためである。
【００２５】このように、図２の３元図中の点ａ−ｂ−
ｃ−ｄ−ｅ−ａで囲まれる多角形の領域（線分含む）で
は、良好のＱｆ値が得られる。
ｃ−ｄ−ｅ−ａで囲まれる多角形の領域（線分含む）で
は、良好のＱｆ値が得られる。
【００２６】さらに、この領域に含まれるｆ−ｇ−ｈ−
ｉ−ｊ−ｋ−ｆで領域、点ｆ（ｘ＝34.0，ｙ＝1.0 ，ｚ
＝65.0）、点ｇ（ｘ＝28.7，ｙ＝ 5.3，ｚ＝65.9）、点
ｈ（ｘ＝23.4，ｙ＝ 7.9，ｚ＝68.7）、点ｉ（ｘ＝17.
2，ｙ＝10.3，ｚ＝72.5）、点ｊ（ｘ＝12.2，ｙ＝11.
5，ｚ＝76.3）、点ｋ（ｘ＝29.7，ｙ＝ 2.0，ｚ＝68.
3）内の組成では、共振周波数の温度係数τｆが±５０
ｐｐｍ／℃内となり、図１に示す共振器のような高周波
部品において、温度に対して特性が非常に安定すること
から好適である。
ｉ−ｊ−ｋ−ｆで領域、点ｆ（ｘ＝34.0，ｙ＝1.0 ，ｚ
＝65.0）、点ｇ（ｘ＝28.7，ｙ＝ 5.3，ｚ＝65.9）、点
ｈ（ｘ＝23.4，ｙ＝ 7.9，ｚ＝68.7）、点ｉ（ｘ＝17.
2，ｙ＝10.3，ｚ＝72.5）、点ｊ（ｘ＝12.2，ｙ＝11.
5，ｚ＝76.3）、点ｋ（ｘ＝29.7，ｙ＝ 2.0，ｚ＝68.
3）内の組成では、共振周波数の温度係数τｆが±５０
ｐｐｍ／℃内となり、図１に示す共振器のような高周波
部品において、温度に対して特性が非常に安定すること
から好適である。
【００２７】Ｂ、アルカリ金属、Ｓｉおよびアルカリ土
類金属を含有する粒界相形成成分を用いたのは、これら
の成分を用いることにより、焼成温度を９４０℃以下と
することができるとともに、焼成収縮開始温度を８３０
℃以下とでき、Ｑｆ値を１５０００〔ＧＨｚ〕以上とす
ることができるからである。
類金属を含有する粒界相形成成分を用いたのは、これら
の成分を用いることにより、焼成温度を９４０℃以下と
することができるとともに、焼成収縮開始温度を８３０
℃以下とでき、Ｑｆ値を１５０００〔ＧＨｚ〕以上とす
ることができるからである。
【００２８】粒界相形成成分量を、低損失セラミックフ
ィラー１００重量部に対して５〜３０重量部としたの
は、５重量部未満の場合には、焼成温度を低下させる効
果が小さく、ＡｇまたはＣｕを主成分とする導体と同時
焼成ができなくなり、逆に３０重量部を越える場合に
は、Ｑｆ値が低下してしまう。上記理由から、粒界相形
成成分量は、主成分１００重量部に対して１０〜２０重
量部が望ましい。
ィラー１００重量部に対して５〜３０重量部としたの
は、５重量部未満の場合には、焼成温度を低下させる効
果が小さく、ＡｇまたはＣｕを主成分とする導体と同時
焼成ができなくなり、逆に３０重量部を越える場合に
は、Ｑｆ値が低下してしまう。上記理由から、粒界相形
成成分量は、主成分１００重量部に対して１０〜２０重
量部が望ましい。
【００２９】粒界相形成成分としては、重量比による組
成式をｌＢ2 Ｏ3 ・ｍＡ2 Ｏ・ｎＳｉＯ2 ・ｏＲＯ（Ａ
はアルカリ金属の少なくとも一種、Ｒはアルカリ土類金
属の少なくとも一種）と表した時、ｌ、ｍ、ｎおよびｏ
が、４０≦ｌ≦９０、８≦ｍ≦２０、１≦ｎ≦２０、１
≦ｏ≦２０、ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｏ＝１００を満足することが
望ましい。
成式をｌＢ2 Ｏ3 ・ｍＡ2 Ｏ・ｎＳｉＯ2 ・ｏＲＯ（Ａ
はアルカリ金属の少なくとも一種、Ｒはアルカリ土類金
属の少なくとも一種）と表した時、ｌ、ｍ、ｎおよびｏ
が、４０≦ｌ≦９０、８≦ｍ≦２０、１≦ｎ≦２０、１
≦ｏ≦２０、ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｏ＝１００を満足することが
望ましい。
【００３０】ここで、Ｂ2 Ｏ3 量ｌを４０≦ｌ≦９０と
したのは、ｌが４０重量％未満の場合は焼成温度を低下
させる効果が小さく、融点が１０００℃前後のＡｇまた
はＣｕを主成分とする導体と同時焼成が困難になる。逆
に９０重量％を越える場合には、焼結体中のガラス相の
割合が増加してＱｆ値が低下するからである。よって、
焼結性を維持し、高いＱｆ値を得るという観点から５０
≦ｌ≦７０重量％が望ましい。
したのは、ｌが４０重量％未満の場合は焼成温度を低下
させる効果が小さく、融点が１０００℃前後のＡｇまた
はＣｕを主成分とする導体と同時焼成が困難になる。逆
に９０重量％を越える場合には、焼結体中のガラス相の
割合が増加してＱｆ値が低下するからである。よって、
焼結性を維持し、高いＱｆ値を得るという観点から５０
≦ｌ≦７０重量％が望ましい。
【００３１】また、Ａ2 Ｏ量ｍを８≦ｍ≦２０重量％と
したのは、ｍが８重量％未満の場合には、焼成温度を低
下させる効果が小さく、ＡｇまたはＣｕを主成分とする
導体と同時焼成が困難になる。逆に２０重量％を越える
場合には、結晶相が変化してＱｆ値が低下するからであ
る。誘電体磁器のＱｆ値の観点から１２≦ｍ≦２０重量
％が望ましい。ここで、Ａはアルカリ金属のうち少なく
とも一種であり、アルカリ金属としてはＬｉ、Ｎａ、Ｋ
があるが、特にＬｉが望ましい。
したのは、ｍが８重量％未満の場合には、焼成温度を低
下させる効果が小さく、ＡｇまたはＣｕを主成分とする
導体と同時焼成が困難になる。逆に２０重量％を越える
場合には、結晶相が変化してＱｆ値が低下するからであ
る。誘電体磁器のＱｆ値の観点から１２≦ｍ≦２０重量
％が望ましい。ここで、Ａはアルカリ金属のうち少なく
とも一種であり、アルカリ金属としてはＬｉ、Ｎａ、Ｋ
があるが、特にＬｉが望ましい。
【００３２】さらに、ＳｉＯ2 量ｎを１≦ｎ≦２０重量
％としたのは、ｎが１重量％未満の場合には誘電体磁器
の焼結過程における収縮開始温度が８３０℃よりも高く
なり、導体の焼結挙動と近似させることが困難となり、
基板の反りなどが発生し易い。一方、２０重量％を越え
ると誘電体磁器のＱｆ値が低下するからである。誘電体
磁器のＱｆ値の観点からは、ｃは５≦ｎ≦１５重量％が
望ましい。
％としたのは、ｎが１重量％未満の場合には誘電体磁器
の焼結過程における収縮開始温度が８３０℃よりも高く
なり、導体の焼結挙動と近似させることが困難となり、
基板の反りなどが発生し易い。一方、２０重量％を越え
ると誘電体磁器のＱｆ値が低下するからである。誘電体
磁器のＱｆ値の観点からは、ｃは５≦ｎ≦１５重量％が
望ましい。
【００３３】さらにまた、ＲＯ量ｏを１≦ｏ≦２０重量
％としたのは、ｏが１重量％未満の場合には誘電体磁器
の焼結過程における収縮開始温度が８３０℃よりも高く
なり、導体の焼結挙動と近似させることが困難となり、
基板の反りなどが発生し易い。一方、２０重量％を越え
ると誘電体磁器のＱｆ値が低下するからである。とりわ
け誘電体磁器の焼結性とＱｆ値の観点からはｄは、５≦
ｏ≦１５重量％が好ましい。ここで、Ｒはアルカリ土類
金属のうち少なくとも一種であり、アルカリ土類金属と
してはＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等があるが、Ｑｆ
値の観点からこのうちＢａが望ましい。
％としたのは、ｏが１重量％未満の場合には誘電体磁器
の焼結過程における収縮開始温度が８３０℃よりも高く
なり、導体の焼結挙動と近似させることが困難となり、
基板の反りなどが発生し易い。一方、２０重量％を越え
ると誘電体磁器のＱｆ値が低下するからである。とりわ
け誘電体磁器の焼結性とＱｆ値の観点からはｄは、５≦
ｏ≦１５重量％が好ましい。ここで、Ｒはアルカリ土類
金属のうち少なくとも一種であり、アルカリ土類金属と
してはＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等があるが、Ｑｆ
値の観点からこのうちＢａが望ましい。
【００３４】本発明の高周波用誘電体磁器組成物は、原
料粉末として、ＭｇＣＯ3 粉末、Ｌａ2 Ｏ3 粉末、Ｔｉ
Ｏ2 粉末を所定量秤量し、該原料粉末をＺｒＯ2 等のボ
ールにより混合、粉砕した後、該混合物を乾燥し、次い
で該乾燥物を大気中等の酸化性雰囲気において９５０〜
１２００℃で１〜４時間仮焼する。
料粉末として、ＭｇＣＯ3 粉末、Ｌａ2 Ｏ3 粉末、Ｔｉ
Ｏ2 粉末を所定量秤量し、該原料粉末をＺｒＯ2 等のボ
ールにより混合、粉砕した後、該混合物を乾燥し、次い
で該乾燥物を大気中等の酸化性雰囲気において９５０〜
１２００℃で１〜４時間仮焼する。
【００３５】得られた仮焼粉に、例えばＢ2 Ｏ3 粉末、
Ｌｉ2 ＣＯ3 粉末、ＳｉＯ2 粉末、さらにアルカリ土類
金属含有化合物（炭酸塩、水酸化物等）粉末を所定量秤
量添加し、ＺｒＯ2 ボールにより混合・粉砕し、この混
合粉末を６５０〜８５０℃で仮焼した後、再度ＺｒＯ2
ボールにより粉砕粒径が２．５μｍ以下になるまで粉
砕、乾燥して得た粉末を、プレス成形やドクターブレー
ド法等の公知の方法により所定形状に成形し、大気中ま
たは酸素雰囲気中または窒素雰囲気等の非酸化性雰囲気
において９４０℃以下、特に８７０〜９２０℃で０．５
〜２時間焼成することにより得られる。原料粉末は、焼
成により酸化物を生成する水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等
の金属塩を用いても良い。
Ｌｉ2 ＣＯ3 粉末、ＳｉＯ2 粉末、さらにアルカリ土類
金属含有化合物（炭酸塩、水酸化物等）粉末を所定量秤
量添加し、ＺｒＯ2 ボールにより混合・粉砕し、この混
合粉末を６５０〜８５０℃で仮焼した後、再度ＺｒＯ2
ボールにより粉砕粒径が２．５μｍ以下になるまで粉
砕、乾燥して得た粉末を、プレス成形やドクターブレー
ド法等の公知の方法により所定形状に成形し、大気中ま
たは酸素雰囲気中または窒素雰囲気等の非酸化性雰囲気
において９４０℃以下、特に８７０〜９２０℃で０．５
〜２時間焼成することにより得られる。原料粉末は、焼
成により酸化物を生成する水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等
の金属塩を用いても良い。
【００３６】アルカリ土類金属は、Ｂ、Ｌｉ、Ｓｉを含
むガラスフリットとして添加することが焼結性向上の点
から望ましい。この場合には、Ｂ、Ｌｉ、Ｓｉ量は、ガ
ラスフリットに含有される量と、粉末として添加される
量の合計量となる。
むガラスフリットとして添加することが焼結性向上の点
から望ましい。この場合には、Ｂ、Ｌｉ、Ｓｉ量は、ガ
ラスフリットに含有される量と、粉末として添加される
量の合計量となる。
【００３７】こうして得られる誘電体磁器には、ＴｉＯ
2 、Ｌａ4 Ｔｉ9 Ｏ24、ＭｇＴｉ2Ｏ5 、Ｌａ0.66Ｔｉ
Ｏ2.993 、Ｌａ2 Ｔｉ2 Ｏ7 の５つの結晶相のうち少な
くとも１相を含む結晶が生成されるが、これらの結晶相
のうちＬａ4 Ｔｉ9 Ｏ24、ＭｇＴｉ2 Ｏ5 或いはＬａ
0.66ＴｉＯ2.993 が主結晶相として存在することが望ま
しい。
2 、Ｌａ4 Ｔｉ9 Ｏ24、ＭｇＴｉ2Ｏ5 、Ｌａ0.66Ｔｉ
Ｏ2.993 、Ｌａ2 Ｔｉ2 Ｏ7 の５つの結晶相のうち少な
くとも１相を含む結晶が生成されるが、これらの結晶相
のうちＬａ4 Ｔｉ9 Ｏ24、ＭｇＴｉ2 Ｏ5 或いはＬａ
0.66ＴｉＯ2.993 が主結晶相として存在することが望ま
しい。
【００３８】本発明の高周波用誘電体磁器では、ＭｎＯ
2 を添加含有してもよく、原料の混合粉砕工程等の製造
過程で、Ａｌ等が混入したり、原料の不可避不純物とし
て、Ａｌ、Ｆｅ、Ｈｆ、Ｓｎ等が含まれることもある。
2 を添加含有してもよく、原料の混合粉砕工程等の製造
過程で、Ａｌ等が混入したり、原料の不可避不純物とし
て、Ａｌ、Ｆｅ、Ｈｆ、Ｓｎ等が含まれることもある。
【００３９】
【実施例】実施例１ 先ず、純度９９％以上のＭｇＣＯ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｔｉ
Ｏ2 の各原料粉末を表１に示す割合で秤量し、該原料粉
末に媒体として純水を加えてＺｒＯ2 ボールを用いたボ
ールミルにて２０時間粉砕・混合した後、該混合物を乾
燥し、次いで乾燥物を大気中で１１５０℃の温度で３時
間仮焼した。
Ｏ2 の各原料粉末を表１に示す割合で秤量し、該原料粉
末に媒体として純水を加えてＺｒＯ2 ボールを用いたボ
ールミルにて２０時間粉砕・混合した後、該混合物を乾
燥し、次いで乾燥物を大気中で１１５０℃の温度で３時
間仮焼した。
【００４０】得られた仮焼物と純度９９％以上のＢ2 Ｏ
3 、Ｌｉ2 ＣＯ3 、Ｎａ2 ＣＯ3 、Ｋ2 ＣＯ3 、ＳｉＯ
2 粉末、さらにアルカリ土類金属含有化合物として炭酸
塩粉末を用い、表１に示す割合となるように秤量し、純
水を媒体とし、ＺｒＯ2 ボールを用いたボ−ルミルにて
２０時間湿式混合した。次にこの混合物を乾燥し、８０
０℃で１時間仮焼した。この仮焼物を、粉砕粒径が１．
０μｍ以下になるように粉砕し、誘電特性評価用の試料
として直径約１０ｍｍ高さ約８ｍｍの円柱状に１ｔｏｎ
／ｃｍ2 の圧力でプレス成形し、これを表１に示す温度
で２時間焼成し、直径約８ｍｍ、高さ約６ｍｍの円柱状
の試料を得た。この際、熱収縮の測定により、収縮開始
温度を測定した。
3 、Ｌｉ2 ＣＯ3 、Ｎａ2 ＣＯ3 、Ｋ2 ＣＯ3 、ＳｉＯ
2 粉末、さらにアルカリ土類金属含有化合物として炭酸
塩粉末を用い、表１に示す割合となるように秤量し、純
水を媒体とし、ＺｒＯ2 ボールを用いたボ−ルミルにて
２０時間湿式混合した。次にこの混合物を乾燥し、８０
０℃で１時間仮焼した。この仮焼物を、粉砕粒径が１．
０μｍ以下になるように粉砕し、誘電特性評価用の試料
として直径約１０ｍｍ高さ約８ｍｍの円柱状に１ｔｏｎ
／ｃｍ2 の圧力でプレス成形し、これを表１に示す温度
で２時間焼成し、直径約８ｍｍ、高さ約６ｍｍの円柱状
の試料を得た。この際、熱収縮の測定により、収縮開始
温度を測定した。
【００４１】誘電特性の評価は、前記円柱試料の両端面
を平面研削した後、誘電体円柱共振器法にて周波数４〜
１０ＧＨｚにおける比誘電率とＱ値を測定した。Ｑ値と
測定周波数ｆとの積で表されるＱｆ値を表１に記載し
た。
を平面研削した後、誘電体円柱共振器法にて周波数４〜
１０ＧＨｚにおける比誘電率とＱ値を測定した。Ｑ値と
測定周波数ｆとの積で表されるＱｆ値を表１に記載し
た。
【００４２】尚、共振周波数の温度係数τｆは、２５℃
での共振周波数を基準にして−４０℃および＋８５℃に
おける共振周波数の温度係数τｆを算出した結果、すべ
ての試料の共振周波数の温度係数τｆが±１７０〔ｐｐ
ｍ／℃〕の範囲内であった。
での共振周波数を基準にして−４０℃および＋８５℃に
おける共振周波数の温度係数τｆを算出した結果、すべ
ての試料の共振周波数の温度係数τｆが±１７０〔ｐｐ
ｍ／℃〕の範囲内であった。
【００４３】また、図２中、点ｆ−ｇ−ｈ−ｉ−ｊ−ｋ
−ｆで囲まれる組成範囲では、共振周波数の温度係数τ
ｆが±５０ｐｐｍ／℃内の優れた特性が得られた。
−ｆで囲まれる組成範囲では、共振周波数の温度係数τ
ｆが±５０ｐｐｍ／℃内の優れた特性が得られた。
【００４４】
【表１】
【００４５】この表１から、本発明の誘電体磁器は、比
誘電率が１９〜５２、Ｑｆ値が１５０００〔ＧＨｚ〕以
上の優れた誘電特性を有するとともに、７７０〜８３０
℃で焼結収縮が開始し、９４０℃以下で焼成が可能な優
れた焼結性を有していることが判る。
誘電率が１９〜５２、Ｑｆ値が１５０００〔ＧＨｚ〕以
上の優れた誘電特性を有するとともに、７７０〜８３０
℃で焼結収縮が開始し、９４０℃以下で焼成が可能な優
れた焼結性を有していることが判る。
【００４６】特に、粒界相形成成分が、上記組成範囲を
満足する場合には、比誘電率が１９〜５２、Ｑｆ値が２
００００以上の優れた誘電特性を有するとともに、７７
０〜８３０℃で焼結収縮が開始し、９２０℃以下で焼成
が可能な優れた焼結性を有していることが判る。
満足する場合には、比誘電率が１９〜５２、Ｑｆ値が２
００００以上の優れた誘電特性を有するとともに、７７
０〜８３０℃で焼結収縮が開始し、９２０℃以下で焼成
が可能な優れた焼結性を有していることが判る。
【００４７】尚、アルカリ金属としては、試料番号８で
Ｋを、試料番号１０でＮａを用い、その他はＬｉを用い
た。また、アルカリ土類金属としては、試料番号４０で
Ｂａを、試料番号４１でＳｒを用い、その他ではＢａと
Ｃａを用いた。この際ＢａＯとＣａＯの重量比を１：１
とした。特に、試料番号４０（Ｂａ）と試料番号１８、
４１（Ｓｒ）との比較より、アルカリ土類金属にＢａの
みを用いた場合、Ｑｆ値が３００００と非常に良好な値
が得られる。
Ｋを、試料番号１０でＮａを用い、その他はＬｉを用い
た。また、アルカリ土類金属としては、試料番号４０で
Ｂａを、試料番号４１でＳｒを用い、その他ではＢａと
Ｃａを用いた。この際ＢａＯとＣａＯの重量比を１：１
とした。特に、試料番号４０（Ｂａ）と試料番号１８、
４１（Ｓｒ）との比較より、アルカリ土類金属にＢａの
みを用いた場合、Ｑｆ値が３００００と非常に良好な値
が得られる。
【００４８】図２中の多角形の線分ａ−ｂの外の試料
（試料番号２１、２２）あるいは、線分ｃ−ｄの外の試
料（試料番号２３）では、Ｑ値の低い結晶相であるＬａ
2 Ｔｉ2 Ｏ7 が形成されてしまい、その結果、Ｑｆ値が
２５００、５０００、５０００と非常に低下してしま
う。
（試料番号２１、２２）あるいは、線分ｃ−ｄの外の試
料（試料番号２３）では、Ｑ値の低い結晶相であるＬａ
2 Ｔｉ2 Ｏ7 が形成されてしまい、その結果、Ｑｆ値が
２５００、５０００、５０００と非常に低下してしま
う。
【００４９】また、図２中の多角形の線分ｄ−ｅの外の
試料（試料番号２５、２６）あるいは、線分ｅ−ａの外
の試料（試料番号２７）では、粒界形成成分と反応して
しまい、収縮開始温度や焼結温度が高温化したり、Ｑｆ
値が実用レベルに達しなくなる。
試料（試料番号２５、２６）あるいは、線分ｅ−ａの外
の試料（試料番号２７）では、粒界形成成分と反応して
しまい、収縮開始温度や焼結温度が高温化したり、Ｑｆ
値が実用レベルに達しなくなる。
【００５０】また、図２中、多角形ｆ、ｇ、ｈ、ｉ、
ｊ、ｋ、ｆで囲まれる領域（試料番号１２、１３、１
４、１５、１６、１７、１８、１９、２０）では、比誘
電率が２０〜３０、Ｑｆ値が２５０００以上の優れた誘
電特性を有するとともに、７７０〜８００℃で焼結収縮
が開始し、９００℃以下で焼成が可能な優れた焼結性を
有する高周波用誘電体磁器を得ることができる。
ｊ、ｋ、ｆで囲まれる領域（試料番号１２、１３、１
４、１５、１６、１７、１８、１９、２０）では、比誘
電率が２０〜３０、Ｑｆ値が２５０００以上の優れた誘
電特性を有するとともに、７７０〜８００℃で焼結収縮
が開始し、９００℃以下で焼成が可能な優れた焼結性を
有する高周波用誘電体磁器を得ることができる。
【００５１】上述の高周波用誘電体磁器組成物からなる
誘電体層を用いて、基体１を構成し、その内部にＡｇや
Ｃｕなどの導電率に優れた導体材料でマイクロストリッ
プライン、容量電極などの高周波動作を行なう内部導体
２を形成することができる。
誘電体層を用いて、基体１を構成し、その内部にＡｇや
Ｃｕなどの導電率に優れた導体材料でマイクロストリッ
プライン、容量電極などの高周波動作を行なう内部導体
２を形成することができる。
【００５２】しかも、内部導体２と誘電体層１ａ〜１ｄ
とを、ＡｇやＣｕの融点に達することのない焼成温度
（９４０℃以下）で同時に焼成処理でき、しかも、磁器
の収縮開始温度も内部導体２の導体材料の焼結反応の開
始と近似させることができるため、基体１にソリが発生
しない積層部品が得られる。
とを、ＡｇやＣｕの融点に達することのない焼成温度
（９４０℃以下）で同時に焼成処理でき、しかも、磁器
の収縮開始温度も内部導体２の導体材料の焼結反応の開
始と近似させることができるため、基体１にソリが発生
しない積層部品が得られる。
【００５３】なお、外部導体３も、基体１と当然同時に
焼成処理することも可能となる。
焼成処理することも可能となる。
【００５４】
【発明の効果】本発明の高周波用誘電体磁器組成物によ
れば、高周波領域において１５０００ＧＨｚ以上のＱｆ
値を有するため高周波部品や基板の小型・高性能化が実
現できるとともに、焼成温度を９４０℃以下、収縮開始
温度を８３０℃以下とすることが可能となる。
れば、高周波領域において１５０００ＧＨｚ以上のＱｆ
値を有するため高周波部品や基板の小型・高性能化が実
現できるとともに、焼成温度を９４０℃以下、収縮開始
温度を８３０℃以下とすることが可能となる。
【００５５】このため、ＡｇやＣｕ等の導体材料と同時
に焼成でき、その際導体金属の収縮挙動のミスマッチか
ら発生する基板の反りや歪みが抑制される積層部品とな
る。
に焼成でき、その際導体金属の収縮挙動のミスマッチか
ら発生する基板の反りや歪みが抑制される積層部品とな
る。
【図１】本発明にかかる積層部品の一例、たとえば共振
器の断面図である。
器の断面図である。
【図２】本発明の高周波用誘電体磁器組成物のｘ、ｙ、
ｚの各モル比率の関係を示す三元図である。
ｚの各モル比率の関係を示す三元図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｐ 7/10 Ｈ０１Ｐ 7/10 Ｆターム(参考） 4G031 AA01 AA02 AA03 AA04 AA05 AA06 AA09 AA11 AA28 AA30 BA09 GA02 5E001 AA02 AB03 AE03 AE05 AH09 5G303 AA01 AA02 AA05 AB20 CA01 CB02 CB03 CB15 CB17 CB30 CB35 CB43 DA04 5J006 HC07
Claims (4)
- 【請求項１】 金属元素として少なくともＭｇ、Ｌａ、
Ｔｉを含有する複合酸化物であって、これらのモル比に
よる組成式を ｘＭｇＯ・ｙＬａ2 Ｏ3 ・ｚＴｉＯ2 と表した時、前記ｘ、ｙ、ｚを示す三元図において、点
ａ−ｂ−ｃ−ｄ−ｅ−ａで囲まれた多角形の範囲（線分
含む）内にあるとともに、Ｌａ4 Ｔｉ9 Ｏ24、ＭｇＴｉ
2 Ｏ5 及びＬａ0.66ＴｉＯ2.993 のうち少なくとも一種
を主結晶相とする主成分と、該主成分１００重量部に対
して、Ｂ、アルカリ金属、Ｓｉおよびアルカリ土類金属
を含有する粒界相形成成分５〜３０重量部とから成るこ
とを特徴とする高周波用誘電体磁器組成物。 点ａ（ｘ＝35.5，ｙ＝0.5 ，ｚ＝64.0） 点ｂ（ｘ＝16.0，ｙ＝16.0，ｚ＝68.0） 点ｃ（ｘ＝ 1.0，ｙ＝20.0，ｚ＝79.0） 点ｄ（ｘ＝ 0.5，ｙ＝14.5，ｚ＝85.0） 点ｅ（ｘ＝27.5，ｙ＝0.5 ，ｚ＝72.0） ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ - 【請求項２】粒界相形成成分は、重量比による組成式を
ｌＢ2 Ｏ3 ・ｍＡ2 Ｏ・ｎＳｉＯ2 ・ｏＲＯと表した
時、前記ｌ、ｍ、ｎ、およびｏが、 ４０≦ｌ≦９０ ８≦ｍ≦２０ １≦ｎ≦２０ １≦ｏ≦２０ ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｏ＝１００ Ａ：アルカリ金属のうち少なくとも一種 Ｒ：アルカリ土類金属のうち少なくとも一種 を満足することを特徴とする請求項１記載の高周波用誘
電体磁器組成物。 - 【請求項３】前記粒界相形成成分のＲがＢａであること
を特徴とする請求項２記載の高周波用誘電体磁器組成
物。 - 【請求項４】誘電体層を複数積層して成る基体の内部及
び表面に、Ａｇ及び／またはＣｕを主成分とする導体を
有する積層部品であって、前記誘電体層が請求項１に記
載の高周波用誘電体磁器組成物からなることを特徴とす
る積層部品。
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|---|---|---|---|
| JP08997099A JP3905993B2 (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 高周波用誘電体磁器組成物及びそれを用いた積層部品 |
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| JP08997099A JP3905993B2 (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 高周波用誘電体磁器組成物及びそれを用いた積層部品 |
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| JP2000281432A true JP2000281432A (ja) | 2000-10-10 |
| JP3905993B2 JP3905993B2 (ja) | 2007-04-18 |
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| JP (1) | JP3905993B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111995392A (zh) * | 2020-09-08 | 2020-11-27 | 中物院成都科学技术发展中心 | 一种低成本5g基站用陶瓷滤波器粉体及其制备方法 |
-
1999
- 1999-03-30 JP JP08997099A patent/JP3905993B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111995392A (zh) * | 2020-09-08 | 2020-11-27 | 中物院成都科学技术发展中心 | 一种低成本5g基站用陶瓷滤波器粉体及其制备方法 |
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