JP2000277571A - 半導体素子搭載用基板 - Google Patents
半導体素子搭載用基板Info
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- JP2000277571A JP2000277571A JP8148299A JP8148299A JP2000277571A JP 2000277571 A JP2000277571 A JP 2000277571A JP 8148299 A JP8148299 A JP 8148299A JP 8148299 A JP8148299 A JP 8148299A JP 2000277571 A JP2000277571 A JP 2000277571A
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- resin
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フレキシブルプリント回路基板の絶縁樹脂層
の表面に接着剤層が形成された半導体素子搭載用基板で
は、接着剤の吸湿による接着力の低下や、ガスの発生に
よって半導体装置の信頼性が低下する問題点がある。 【解決手段】 特定の構造を有するポリイミド樹脂と、
特定の構造を有するエポキシ樹脂と、アミノシランを特
定の重量部で混合した樹脂組成物を接着剤として使用す
ることによって、信頼性の高い半導体素子搭載用基板を
提供する。
の表面に接着剤層が形成された半導体素子搭載用基板で
は、接着剤の吸湿による接着力の低下や、ガスの発生に
よって半導体装置の信頼性が低下する問題点がある。 【解決手段】 特定の構造を有するポリイミド樹脂と、
特定の構造を有するエポキシ樹脂と、アミノシランを特
定の重量部で混合した樹脂組成物を接着剤として使用す
ることによって、信頼性の高い半導体素子搭載用基板を
提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子搭載用
基板に関するものである。
基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の高機能化並びに軽薄短
小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化と高密度実
装化が進んでいる。これらの電子機器に使用される半導
体パッケージは小型化かつ多ピン化している。
小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化と高密度実
装化が進んでいる。これらの電子機器に使用される半導
体パッケージは小型化かつ多ピン化している。
【０００３】半導体パッケージはその小型化に伴って、
従来のようなリードフレームを使用した形態のパッケー
ジでは小型化に限界があるため、最近では配線基板上に
半導体素子を実装したものとしてＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇ
ｒｉｄ Ａｒｒａｙ）やＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ
Ｐａｃｋａｇｅ）といったエリア実装型の新しいパッ
ケージ方式が提案されている。これらの半導体パッケー
ジでは、半導体素子の電極をエリア型に再配列して実装
基板の配線端子とピッチを合わせるために、インターポ
ーザと呼ばれる配線基板上に半導体素子を搭載する構造
が主流となっている。インターポーザには、フレキシブ
ルプリント回路基板や、硬質板が用いられるが、パッケ
ージの薄型小型化と、配線回路の微細化の要求から、フ
レキシブルプリント回路基板の絶縁樹脂層の表面に、接
着剤層が形成されたものが用いられることが多い。
従来のようなリードフレームを使用した形態のパッケー
ジでは小型化に限界があるため、最近では配線基板上に
半導体素子を実装したものとしてＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇ
ｒｉｄ Ａｒｒａｙ）やＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ
Ｐａｃｋａｇｅ）といったエリア実装型の新しいパッ
ケージ方式が提案されている。これらの半導体パッケー
ジでは、半導体素子の電極をエリア型に再配列して実装
基板の配線端子とピッチを合わせるために、インターポ
ーザと呼ばれる配線基板上に半導体素子を搭載する構造
が主流となっている。インターポーザには、フレキシブ
ルプリント回路基板や、硬質板が用いられるが、パッケ
ージの薄型小型化と、配線回路の微細化の要求から、フ
レキシブルプリント回路基板の絶縁樹脂層の表面に、接
着剤層が形成されたものが用いられることが多い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような構造を持つ
半導体装置では、半導体素子と配線基板を貼りつけてい
る接着剤の特性が、半導体装置の組み立て性や信頼性に
大きな影響を持つ。たとえば、耐熱性の高いポリイミド
系の接着剤の多くは、信頼性は高いが、ガラス転移温度
が高いために貼付け温度が高く、高温で組み立てる必要
がある。また、吸湿によって大きく接着力が低下するよ
うな接着剤を使用した半導体装置では、吸湿した状態で
半導体装置を実装基板に搭載してリフロー半田処理を行
った場合、半導体素子が配線基板からはがれてしまい、
半導体装置として使用できない。さらにまた、リフロー
半田処理時に残留揮発分ガスが発生するするような接着
剤では、接着剤層と半導体素子や配線基板の界面が、気
化したガスによって剥離したり、半導体装置が破壊して
しまう。
半導体装置では、半導体素子と配線基板を貼りつけてい
る接着剤の特性が、半導体装置の組み立て性や信頼性に
大きな影響を持つ。たとえば、耐熱性の高いポリイミド
系の接着剤の多くは、信頼性は高いが、ガラス転移温度
が高いために貼付け温度が高く、高温で組み立てる必要
がある。また、吸湿によって大きく接着力が低下するよ
うな接着剤を使用した半導体装置では、吸湿した状態で
半導体装置を実装基板に搭載してリフロー半田処理を行
った場合、半導体素子が配線基板からはがれてしまい、
半導体装置として使用できない。さらにまた、リフロー
半田処理時に残留揮発分ガスが発生するするような接着
剤では、接着剤層と半導体素子や配線基板の界面が、気
化したガスによって剥離したり、半導体装置が破壊して
しまう。
【０００５】 そこで本発明は、フレキシブルプリント
回路基板の絶縁樹脂層の表面に形成する接着剤層に、特
定の構造をもつ接着剤樹脂組成物を使用することによ
り、低温で組み立てることが出来、しかも加熱時のガス
発生がなく、吸湿時の接着強度が優れた半導体装置を得
ることが出来る半導体素子搭載用基板を提供することを
目的とする。
回路基板の絶縁樹脂層の表面に形成する接着剤層に、特
定の構造をもつ接着剤樹脂組成物を使用することによ
り、低温で組み立てることが出来、しかも加熱時のガス
発生がなく、吸湿時の接着強度が優れた半導体装置を得
ることが出来る半導体素子搭載用基板を提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の半導体素子搭載用基板では、半導体素子
と配線基板の接着剤樹脂として、（Ａ）その主鎖中に一
般式（１）で表される構造を有する熱可塑性シリコーン
変性ポリイミド樹脂１００重量部、（Ｂ）オリゴエチレ
ングリコールジグリシジルエーテルとビスフェノールA
とを反応させて得られる、重量平均分子量が２,０００
以上２００，０００未満のエポキシ樹脂１００〜１重量
部、（Ｃ）アミノシラン０.１５〜５. １０重量部を必
須成分として含有している樹脂組成物を使用することを
特徴とする。
めに、本発明の半導体素子搭載用基板では、半導体素子
と配線基板の接着剤樹脂として、（Ａ）その主鎖中に一
般式（１）で表される構造を有する熱可塑性シリコーン
変性ポリイミド樹脂１００重量部、（Ｂ）オリゴエチレ
ングリコールジグリシジルエーテルとビスフェノールA
とを反応させて得られる、重量平均分子量が２,０００
以上２００，０００未満のエポキシ樹脂１００〜１重量
部、（Ｃ）アミノシラン０.１５〜５. １０重量部を必
須成分として含有している樹脂組成物を使用することを
特徴とする。
【０００７】
【化１】 式中、Ｒ1，Ｒ2は、炭素数６以下の、１価の脂肪族また
は芳香族炭化水素基で、ｎは６以上１６未満の整数を表
す。
は芳香族炭化水素基で、ｎは６以上１６未満の整数を表
す。
【０００８】本発明の接着剤に使用する熱可塑性シリコ
ーン変性ポリイミド樹脂は、その主鎖中に一般式（１）
で表されるポリシロキサン構造を有していることが必要
である。このポリシロキサンの鎖長ｎは６〜１５が好ま
しく、特にｎの値が６〜１２の範囲が、ガラス転移温
度、接着性、耐熱性の点から好ましい。ｎが５以下の場
合、接着工程に高温あるいは長時間が必要になり、逆に
ｎが１６以上の場合、ポリイミドの耐熱性が低下してし
まう。このポリシロキサン構造は、α,ω―ビス（３―
アミノプロピル）ポリジメチルシロキサンなどのシリコ
ーンジアミンをポリイミドの製造の際に原料として使用
することによって導入することができる。
ーン変性ポリイミド樹脂は、その主鎖中に一般式（１）
で表されるポリシロキサン構造を有していることが必要
である。このポリシロキサンの鎖長ｎは６〜１５が好ま
しく、特にｎの値が６〜１２の範囲が、ガラス転移温
度、接着性、耐熱性の点から好ましい。ｎが５以下の場
合、接着工程に高温あるいは長時間が必要になり、逆に
ｎが１６以上の場合、ポリイミドの耐熱性が低下してし
まう。このポリシロキサン構造は、α,ω―ビス（３―
アミノプロピル）ポリジメチルシロキサンなどのシリコ
ーンジアミンをポリイミドの製造の際に原料として使用
することによって導入することができる。
【０００９】熱可塑性シリコーン変性ポリイミドの原料
となるジアミンとしては、芳香族ジアミンとして、例え
ば、２，２’―ビス(４―（４―アミノフェノキシ）フ
ェニル)プロパン、１，３―ビス（３―アミノフェノキ
シ）ベンゼン、２，２’―ビス(４―（４―アミノフェ
ノキシ）フェニル)ヘキサフルオロプロパン、２，２’
―ビス（４―アミノフェノキシ）ヘキサフルオロプロパ
ン、ビスー４―（４―アミノフェノキシ）フェニルスル
ホン、ビスー４―（３―アミノフェノキシ）フェニルス
ルホンなどの１種または２種以上と、前記シリコーンジ
アミンとを併用する。
となるジアミンとしては、芳香族ジアミンとして、例え
ば、２，２’―ビス(４―（４―アミノフェノキシ）フ
ェニル)プロパン、１，３―ビス（３―アミノフェノキ
シ）ベンゼン、２，２’―ビス(４―（４―アミノフェ
ノキシ）フェニル)ヘキサフルオロプロパン、２，２’
―ビス（４―アミノフェノキシ）ヘキサフルオロプロパ
ン、ビスー４―（４―アミノフェノキシ）フェニルスル
ホン、ビスー４―（３―アミノフェノキシ）フェニルス
ルホンなどの１種または２種以上と、前記シリコーンジ
アミンとを併用する。
【００１０】また、酸無水物としては、３，３’，４，
４’―ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，
３’，４，４’―ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物、４，４’―オキシジフタル酸二無水物、エチレン
グリコールビストリメリット酸二無水物から成る群より
得られた１種または２種以上のテトラカルボン酸二無水
物を用いる。
４’―ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，
３’，４，４’―ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物、４，４’―オキシジフタル酸二無水物、エチレン
グリコールビストリメリット酸二無水物から成る群より
得られた１種または２種以上のテトラカルボン酸二無水
物を用いる。
【００１１】本発明の接着剤に使用するエポキシ樹脂
は、オリゴエチレングリコールジグリシジルエーテルと
ビスフェノールAとを反応させることによって得られ
る、重量平均分子量２,０００以上２００，０００未満
のエポキシ樹脂を用いるのが好ましい。重量平均分子量
が２,０００未満では、熱圧着時の加熱によりガスが発
生するため好ましくない。また、重量平均分子量が２０
０，０００以上では可とう性が無く接着強度が劣るため
好ましくない。参考のために示せば、このようなエポキ
シ樹脂は、一般式（２）で表される構造を有するもので
ある。
は、オリゴエチレングリコールジグリシジルエーテルと
ビスフェノールAとを反応させることによって得られ
る、重量平均分子量２,０００以上２００，０００未満
のエポキシ樹脂を用いるのが好ましい。重量平均分子量
が２,０００未満では、熱圧着時の加熱によりガスが発
生するため好ましくない。また、重量平均分子量が２０
０，０００以上では可とう性が無く接着強度が劣るため
好ましくない。参考のために示せば、このようなエポキ
シ樹脂は、一般式（２）で表される構造を有するもので
ある。
【００１２】
【化２】 式中、ｍは３以上の整数で、ｎは２以上８未満の整数を
表す。
表す。
【００１３】エポキシ樹脂の原料に用いるフェノール化
合物としては、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビ
フェノールなどの２官能フェノール化合物を用いること
ができるが、耐熱性と可撓性を両立させる目的には、ビ
スフェノールAを用いるのが最も好ましい。また、可と
う性に優れた鎖延長エポキシ樹脂を得るためには、もう
一方の原料として、オリゴエチレングリコールジグリシ
ジルエーテルを用いるのが最もよく、一般式（２）にお
ける繰り返し数ｎを、２以上８未満とするのがよい。ｎ
が１の場合は、鎖延長エポキシ樹脂の可とう性は比較的
低く、市販のビスフェノールA型エポキシ樹脂の高分子
量体と同程度の性質を示す。また、ｎが８以上になる
と、鎖延長エポキシ樹脂の可とう性が高くなりすぎて加
圧接着時のフローが大きくなりすぎる。
合物としては、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビ
フェノールなどの２官能フェノール化合物を用いること
ができるが、耐熱性と可撓性を両立させる目的には、ビ
スフェノールAを用いるのが最も好ましい。また、可と
う性に優れた鎖延長エポキシ樹脂を得るためには、もう
一方の原料として、オリゴエチレングリコールジグリシ
ジルエーテルを用いるのが最もよく、一般式（２）にお
ける繰り返し数ｎを、２以上８未満とするのがよい。ｎ
が１の場合は、鎖延長エポキシ樹脂の可とう性は比較的
低く、市販のビスフェノールA型エポキシ樹脂の高分子
量体と同程度の性質を示す。また、ｎが８以上になる
と、鎖延長エポキシ樹脂の可とう性が高くなりすぎて加
圧接着時のフローが大きくなりすぎる。
【００１４】本発明において用いる接着剤としては、そ
の主鎖中に一般式（１）で表される構造を有する、熱可
塑性シリコーン変性ポリイミド樹脂１００重量部に対し
て、オリゴエチレングリコールジグリシジルエーテルと
ビスフェノールAとを反応させて得られる、重量平均分
子量が２,０００以上２００，０００未満のエポキシ樹
脂１〜１００重量部、特に２０〜５０重量部の範囲とす
るのが好ましい。１重量部未満では、接着強度の改善効
果が現れにくく、１００重量部を越えると樹脂組成物の
耐熱性が低下するので好ましくない。また、アミノシラ
ンの配合割合は熱可塑性シリコーン変性ポリイミド樹脂
１００重量部に対して０.１５〜５.１０重量部であり、
これはエポキシ基と化学当量のアミンの活性水素が配合
されたことになる。
の主鎖中に一般式（１）で表される構造を有する、熱可
塑性シリコーン変性ポリイミド樹脂１００重量部に対し
て、オリゴエチレングリコールジグリシジルエーテルと
ビスフェノールAとを反応させて得られる、重量平均分
子量が２,０００以上２００，０００未満のエポキシ樹
脂１〜１００重量部、特に２０〜５０重量部の範囲とす
るのが好ましい。１重量部未満では、接着強度の改善効
果が現れにくく、１００重量部を越えると樹脂組成物の
耐熱性が低下するので好ましくない。また、アミノシラ
ンの配合割合は熱可塑性シリコーン変性ポリイミド樹脂
１００重量部に対して０.１５〜５.１０重量部であり、
これはエポキシ基と化学当量のアミンの活性水素が配合
されたことになる。
【００１５】本発明の半導体装置に使用するフレキシブ
ルプリント回路基板には、銅箔上に絶縁樹脂層が直接形
成された構造のものが使用される。絶縁樹脂としては、
通常の絶縁性を有する樹脂が広く好適に使用できるが、
耐熱性と絶縁性の高さから、ポリイミド樹脂またはポリ
アミドイミド系樹脂が特に好ましい。
ルプリント回路基板には、銅箔上に絶縁樹脂層が直接形
成された構造のものが使用される。絶縁樹脂としては、
通常の絶縁性を有する樹脂が広く好適に使用できるが、
耐熱性と絶縁性の高さから、ポリイミド樹脂またはポリ
アミドイミド系樹脂が特に好ましい。
【００１６】本発明の半導体素子搭載用基板の、絶縁樹
脂層の厚みは、８μｍ以上１００μｍ以下であることが
好ましい。８μｍ以下では基板としての強度が低く、ま
た絶縁性能も十分ではなく、１００μｍ以上ではフレキ
シブルプリント回路基板としての柔軟性が無くなり、好
ましくない。
脂層の厚みは、８μｍ以上１００μｍ以下であることが
好ましい。８μｍ以下では基板としての強度が低く、ま
た絶縁性能も十分ではなく、１００μｍ以上ではフレキ
シブルプリント回路基板としての柔軟性が無くなり、好
ましくない。
【００１７】本発明の半導体素子搭載用基板の、絶縁樹
脂層の表面に形成される接着剤層の厚みは、３μｍ以上
３０μｍ以下の厚みに形成されることが好ましい。３μ
ｍ以下では、接着強度が十分に得られず、３０μｍ以上
では、半導体素子を加熱圧着するときに接着剤層が軟化
流動して半導体素子を位置精度良く搭載することが困難
となるので好ましくない。
脂層の表面に形成される接着剤層の厚みは、３μｍ以上
３０μｍ以下の厚みに形成されることが好ましい。３μ
ｍ以下では、接着強度が十分に得られず、３０μｍ以上
では、半導体素子を加熱圧着するときに接着剤層が軟化
流動して半導体素子を位置精度良く搭載することが困難
となるので好ましくない。
【００１８】本発明の半導体素子搭載用基板の、絶縁樹
脂層の表面に接着剤層を形成する方法は、接着剤樹脂の
溶液を流延塗布する方法や、予めフィルム状に形成した
接着剤フィルムを加熱圧着する方法が使用できる。溶液
状態の接着剤樹脂を流延塗布する方法には、ロールコー
タ、コンマコータ、ダイコータ、バーコータ、ドクター
ブレードなどの塗布方法が使用できる。フィルム状に形
成した接着剤フィルムを加熱圧着する方法には、ロール
ラミネータや加熱プレスによる方法が使用できる。
脂層の表面に接着剤層を形成する方法は、接着剤樹脂の
溶液を流延塗布する方法や、予めフィルム状に形成した
接着剤フィルムを加熱圧着する方法が使用できる。溶液
状態の接着剤樹脂を流延塗布する方法には、ロールコー
タ、コンマコータ、ダイコータ、バーコータ、ドクター
ブレードなどの塗布方法が使用できる。フィルム状に形
成した接着剤フィルムを加熱圧着する方法には、ロール
ラミネータや加熱プレスによる方法が使用できる。
【００１９】
【実施例】（熱可塑性シリコーン変性ポリイミドポリイ
ミド樹脂の合成）乾燥窒素ガス導入管、冷却器、温度
計、撹拌機を備えた四口フラスコに、脱水精製したＮＭ
Ｐ７９１ｇを入れ、窒素ガスを流しながら１０分間激し
くかき混ぜる。次に２，２−ビス（４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル）プロパン（ＢＡＰＰ）７３．８９
２６ｇ（０．１８０モル）、1,3-ビス(3-アミノフェノ
キシ)ベンゼン（ＡＰＢ）１７．５４０２ｇ（０．０６
０モル）、α，ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリジ
メチルシロキサン５０．２２００ｇ（平均分子量８３
７、０．０６０モル）を投入し、系を６０℃に加熱し、
均一になるまでかき混ぜる。均一に溶解後、系を氷水浴
で５℃に冷却し、３，３’，４，４’−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）４４．１３３０ｇ
（０．１５０モル）、エチレングリコールビストリメリ
ット酸二無水物（ＴＭＥＧ）６１．５４４５ｇ（０．１
５０モル）を粉末状のまま１５分間かけて添加し、その
後３時間撹拌を続けた。この間フラスコは５℃に保っ
た。
ミド樹脂の合成）乾燥窒素ガス導入管、冷却器、温度
計、撹拌機を備えた四口フラスコに、脱水精製したＮＭ
Ｐ７９１ｇを入れ、窒素ガスを流しながら１０分間激し
くかき混ぜる。次に２，２−ビス（４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル）プロパン（ＢＡＰＰ）７３．８９
２６ｇ（０．１８０モル）、1,3-ビス(3-アミノフェノ
キシ)ベンゼン（ＡＰＢ）１７．５４０２ｇ（０．０６
０モル）、α，ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリジ
メチルシロキサン５０．２２００ｇ（平均分子量８３
７、０．０６０モル）を投入し、系を６０℃に加熱し、
均一になるまでかき混ぜる。均一に溶解後、系を氷水浴
で５℃に冷却し、３，３’，４，４’−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）４４．１３３０ｇ
（０．１５０モル）、エチレングリコールビストリメリ
ット酸二無水物（ＴＭＥＧ）６１．５４４５ｇ（０．１
５０モル）を粉末状のまま１５分間かけて添加し、その
後３時間撹拌を続けた。この間フラスコは５℃に保っ
た。
【００２０】その後、窒素ガス導入管と冷却器を外し、
キシレンを満たしたディーン・スターク管をフラスコに
装着し、系にキシレン１９８ｇを添加した。油浴に代え
て系を１７５℃に加熱し発生する水を系外に除いた。４
時間加熱したところ、系からの水の発生は認められなく
なった。冷却後この反応溶液を大量のメタノール中に投
入し、ポリイミド樹脂を析出させた。固形分を濾過後、
８０℃で１２時間減圧乾燥し溶剤を除き、２２７．７９
ｇ（収率９２．１％）の固形樹脂を得た。ＫＢｒ錠剤法
で赤外吸収スペクトルを測定したところ、環状イミド結
合に由来する５．６μｍの吸収を認めたが、アミド結合
に由来する６．０６μｍの吸収を認めることはできず、
この樹脂はほぼ１００％イミド化していることが確かめ
られた。このようにして得た熱可塑性シリコーン変性ポ
リイミド樹脂は、ガラス転移温度が１４８℃、ジメチル
ホルムアミド（ＤＭＦ）、１，４−ジオキサン（１，４
−ＤＯ）に良く溶解することが確かめられた。
キシレンを満たしたディーン・スターク管をフラスコに
装着し、系にキシレン１９８ｇを添加した。油浴に代え
て系を１７５℃に加熱し発生する水を系外に除いた。４
時間加熱したところ、系からの水の発生は認められなく
なった。冷却後この反応溶液を大量のメタノール中に投
入し、ポリイミド樹脂を析出させた。固形分を濾過後、
８０℃で１２時間減圧乾燥し溶剤を除き、２２７．７９
ｇ（収率９２．１％）の固形樹脂を得た。ＫＢｒ錠剤法
で赤外吸収スペクトルを測定したところ、環状イミド結
合に由来する５．６μｍの吸収を認めたが、アミド結合
に由来する６．０６μｍの吸収を認めることはできず、
この樹脂はほぼ１００％イミド化していることが確かめ
られた。このようにして得た熱可塑性シリコーン変性ポ
リイミド樹脂は、ガラス転移温度が１４８℃、ジメチル
ホルムアミド（ＤＭＦ）、１，４−ジオキサン（１，４
−ＤＯ）に良く溶解することが確かめられた。
【００２１】（エポキシ樹脂の合成）温度計、攪拌機を
備えたフラスコにジエチレングリコールジグリシジルエ
ーテル（デナコールEX８５０，ナガセ化成工業（株）
製）１００.００gとビスフェノールA（和光純薬工業
（株）製）１００.１５gを入れ、８０℃で均一になるま
で攪拌する。その後、この混合溶液中にトリフェニルホ
スフィン（和光純薬工業（株）製）１.００gを加え、同
じく８０℃で均一になるまで攪拌する。その後、８０℃
で２時間攪拌を続け、アルミ製の容器に移した後、１５
０℃で２時間反応を続けて、重量平均分子量５００００
のエポキシ樹脂を得た。
備えたフラスコにジエチレングリコールジグリシジルエ
ーテル（デナコールEX８５０，ナガセ化成工業（株）
製）１００.００gとビスフェノールA（和光純薬工業
（株）製）１００.１５gを入れ、８０℃で均一になるま
で攪拌する。その後、この混合溶液中にトリフェニルホ
スフィン（和光純薬工業（株）製）１.００gを加え、同
じく８０℃で均一になるまで攪拌する。その後、８０℃
で２時間攪拌を続け、アルミ製の容器に移した後、１５
０℃で２時間反応を続けて、重量平均分子量５００００
のエポキシ樹脂を得た。
【００２２】（接着剤樹脂組成物の準備）上記で準備し
た一般式（１）においてｎが１０のポリジメチルシロキ
サンを主鎖中に含有する熱可塑性シリコーン変性ポリイ
ミド樹脂と、エポキシ樹脂、およびアミノシラン化合物
（ＫＢＭ５７３，信越化学工業（株））を準備し、ポリ
イミド１００重量部、エポキシ樹脂１０重量部、アミノ
シラン化合物０．５１重量部を混合して、接着剤樹脂組
成物を得た。
た一般式（１）においてｎが１０のポリジメチルシロキ
サンを主鎖中に含有する熱可塑性シリコーン変性ポリイ
ミド樹脂と、エポキシ樹脂、およびアミノシラン化合物
（ＫＢＭ５７３，信越化学工業（株））を準備し、ポリ
イミド１００重量部、エポキシ樹脂１０重量部、アミノ
シラン化合物０．５１重量部を混合して、接着剤樹脂組
成物を得た。
【００２３】（実施例１）銅箔回路層１８μｍ、ポリイ
ミド樹脂絶縁層１３μｍからなるフレキシブルプリント
回路基板（住友ベークライト製、ＴＦＣ−Ａ１シリー
ズ）のポリイミド樹脂絶縁層上に、前記接着剤樹脂組成
物の30％NMP溶液をバーコータによって塗布乾燥して、
１０μｍの厚みに形成して半導体素子搭載用基板を得
た。こうして得られた半導体素子搭載用基板の接着剤面
に半導体素子の回路面を２５０℃で１秒加熱圧着して貼
りつけた。半導体素子と半導体素子搭載用基板の接着強
度は1.5kgf/cmであった。このようにして得られた半導
体装置を８５℃８５％の恒温恒湿条件で１６８時間処理
し、ピーク温度２４０℃の赤外線リフロー装置で加熱を
行ったが、半導体素子と半導体素子搭載用基板は強固に
接着していた。
ミド樹脂絶縁層１３μｍからなるフレキシブルプリント
回路基板（住友ベークライト製、ＴＦＣ−Ａ１シリー
ズ）のポリイミド樹脂絶縁層上に、前記接着剤樹脂組成
物の30％NMP溶液をバーコータによって塗布乾燥して、
１０μｍの厚みに形成して半導体素子搭載用基板を得
た。こうして得られた半導体素子搭載用基板の接着剤面
に半導体素子の回路面を２５０℃で１秒加熱圧着して貼
りつけた。半導体素子と半導体素子搭載用基板の接着強
度は1.5kgf/cmであった。このようにして得られた半導
体装置を８５℃８５％の恒温恒湿条件で１６８時間処理
し、ピーク温度２４０℃の赤外線リフロー装置で加熱を
行ったが、半導体素子と半導体素子搭載用基板は強固に
接着していた。
【００２４】（実施例２）銅箔回路層１８μｍ、ポリア
ミドイミド系樹脂絶縁層２５μｍからなる半導体搭載用
フレキシブルプリント配線基板（新日鐵化学製 エスパ
ネックス）のポリアミドイミド系樹脂絶縁層上に、前記
接着剤樹脂組成物の30％NMP溶液をバーコータによって
塗布乾燥して、１０μｍの厚みに形成して半導体素子搭
載用基板を得た。こうして得られた半導体素子搭載用基
板の接着剤面に、半導体素子の回路面を２５０℃で１秒
加熱圧着して貼りつけた。半導体素子と半導体素子搭載
用基板の接着強度は1.5kgf/cmであった。このようにし
て得られた半導体装置を８５℃８５％の恒温恒湿条件で
１６８時間処理し、ピーク温度２４０℃の赤外線リフロ
ー装置で加熱を行ったが、半導体素子と半導体素子搭載
用基板は強固に接着していた。
ミドイミド系樹脂絶縁層２５μｍからなる半導体搭載用
フレキシブルプリント配線基板（新日鐵化学製 エスパ
ネックス）のポリアミドイミド系樹脂絶縁層上に、前記
接着剤樹脂組成物の30％NMP溶液をバーコータによって
塗布乾燥して、１０μｍの厚みに形成して半導体素子搭
載用基板を得た。こうして得られた半導体素子搭載用基
板の接着剤面に、半導体素子の回路面を２５０℃で１秒
加熱圧着して貼りつけた。半導体素子と半導体素子搭載
用基板の接着強度は1.5kgf/cmであった。このようにし
て得られた半導体装置を８５℃８５％の恒温恒湿条件で
１６８時間処理し、ピーク温度２４０℃の赤外線リフロ
ー装置で加熱を行ったが、半導体素子と半導体素子搭載
用基板は強固に接着していた。
【００２５】（実施例３）銅箔回路層１８μｍ、ポリイ
ミド樹脂絶縁層１３μｍからなるフレキシブルプリント
回路基板（住友ベークライト製、ＴＦＣ−Ａ１シリー
ズ）のポリイミド樹脂絶縁層上に、前記接着剤樹脂組成
物の30％NMP溶液をバーコータによって塗布乾燥して、
２０μｍの厚みに形成して半導体素子搭載用基板を得
た。こうして得られた半導体素子搭載用基板の接着剤面
に半導体素子の回路面を２５０℃で１秒加熱圧着して貼
りつけた。半導体素子と半導体素子搭載用基板の接着強
度は1.4kgf/cmであった。このようにして得られた半導
体装置を８５℃８５％の恒温恒湿条件で１６８時間処理
し、ピーク温度２４０℃の赤外線リフロー装置で加熱を
行ったが、半導体素子と半導体素子搭載用基板は強固に
接着していた。
ミド樹脂絶縁層１３μｍからなるフレキシブルプリント
回路基板（住友ベークライト製、ＴＦＣ−Ａ１シリー
ズ）のポリイミド樹脂絶縁層上に、前記接着剤樹脂組成
物の30％NMP溶液をバーコータによって塗布乾燥して、
２０μｍの厚みに形成して半導体素子搭載用基板を得
た。こうして得られた半導体素子搭載用基板の接着剤面
に半導体素子の回路面を２５０℃で１秒加熱圧着して貼
りつけた。半導体素子と半導体素子搭載用基板の接着強
度は1.4kgf/cmであった。このようにして得られた半導
体装置を８５℃８５％の恒温恒湿条件で１６８時間処理
し、ピーク温度２４０℃の赤外線リフロー装置で加熱を
行ったが、半導体素子と半導体素子搭載用基板は強固に
接着していた。
【００２６】（比較例１）上記で合成したポリイミド樹
脂１００重量部と、上記で合成したエポキシ樹脂１５０
重量部、及びアミノシラン化合物（ＫＢＭ５７３，信越
化学工業（株））２重量部を混合攪拌して、接着剤樹脂
組成物を得た。 銅箔回路層１８μｍポリイミド樹脂絶
縁層５０μｍからなるフレキシブルプリント回路基板
（住友ベークライト製、ＴＦＣ−Ａ１シリーズ）のポリ
イミド樹脂絶縁層上に、上記の接着剤の30％NMP溶液を
バーコータによって塗布乾燥して、２５μｍの厚みに形
成して半導体素子搭載用基板を得た。こうして得られた
半導体素子搭載用基板の接着剤面に半導体素子の回路面
を２５０℃で１秒加熱圧着して貼りつけた。加熱圧着時
の接着剤の軟化によって、半導体素子の搭載位置がずれ
てしまい、うまく半導体素子を搭載することができなか
った。
脂１００重量部と、上記で合成したエポキシ樹脂１５０
重量部、及びアミノシラン化合物（ＫＢＭ５７３，信越
化学工業（株））２重量部を混合攪拌して、接着剤樹脂
組成物を得た。 銅箔回路層１８μｍポリイミド樹脂絶
縁層５０μｍからなるフレキシブルプリント回路基板
（住友ベークライト製、ＴＦＣ−Ａ１シリーズ）のポリ
イミド樹脂絶縁層上に、上記の接着剤の30％NMP溶液を
バーコータによって塗布乾燥して、２５μｍの厚みに形
成して半導体素子搭載用基板を得た。こうして得られた
半導体素子搭載用基板の接着剤面に半導体素子の回路面
を２５０℃で１秒加熱圧着して貼りつけた。加熱圧着時
の接着剤の軟化によって、半導体素子の搭載位置がずれ
てしまい、うまく半導体素子を搭載することができなか
った。
【００２７】（比較例２）銅箔回路層１８μｍポリイミ
ド樹脂絶縁層２５μｍからなるフレキシブルプリント回
路基板（住友ベークライト製、ＴＦＣ−Ａ１シリーズ）
のポリイミド樹脂絶縁層上に、ガラス転移温度２５０℃
のポリイミド樹脂接着剤の25%NMP溶液をバーコータによ
って塗布乾燥して、１０μｍの厚みに形成して半導体素
子搭載用基板を得た。こうして得られた半導体素子搭載
用基板の接着剤面に半導体素子の回路面を２５０℃で１
秒加熱圧着して貼りつけた。半導体素子と半導体素子搭
載用基板の接着強度は0.2kgf/cmと低く、半導体素子を
安定して接着することが出来なかった。
ド樹脂絶縁層２５μｍからなるフレキシブルプリント回
路基板（住友ベークライト製、ＴＦＣ−Ａ１シリーズ）
のポリイミド樹脂絶縁層上に、ガラス転移温度２５０℃
のポリイミド樹脂接着剤の25%NMP溶液をバーコータによ
って塗布乾燥して、１０μｍの厚みに形成して半導体素
子搭載用基板を得た。こうして得られた半導体素子搭載
用基板の接着剤面に半導体素子の回路面を２５０℃で１
秒加熱圧着して貼りつけた。半導体素子と半導体素子搭
載用基板の接着強度は0.2kgf/cmと低く、半導体素子を
安定して接着することが出来なかった。
【００２８】
【発明の効果】本発明の半導体素子搭載用基板によれ
ば、吸湿時の接着強度に優れ信頼性が高く、しかも半導
体素子が低温で加熱圧着できる、半導体素子搭載用基板
を得ることが出来る。
ば、吸湿時の接着強度に優れ信頼性が高く、しかも半導
体素子が低温で加熱圧着できる、半導体素子搭載用基板
を得ることが出来る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０９Ｊ 183/10 Ｃ０９Ｊ 183/10 Ｈ０５Ｋ 1/03 ６１０ Ｈ０５Ｋ 1/03 ６１０Ｎ ６７０ ６７０Ａ 3/28 3/28 Ｂ Ｆターム(参考） 4F100 AA01C AB17A AB33A AH03C AK01B AK01C AK49B AK49C AK50B AK53C AL06C BA03 BA07 BA10A BA10C CB00C GB43 GB43A GB90 JA07C JB16C JG04B JK06 YY00C 4J040 EC062 EK111 HD36 MA10 NA20 5E314 AA32 AA36 AA40 BB02 BB11 CC02 CC15 FF06 FF19 GG01 5F044 KK03 MM11
Claims (4)
- 【請求項１】 銅箔上に絶縁樹脂層を直接形成してなる
フレキシブルプリント回路基板の絶縁樹脂層の表面に、
（Ａ）その主鎖中に一般式（１）で表される構造を有す
る熱可塑性シリコーン変性ポリイミド樹脂１００重量
部、（Ｂ）オリゴエチレングリコールジグリシジルエー
テルとビスフェノールAとを反応させて得られる、重量
平均分子量が２,０００以上２００，０００未満のエポ
キシ樹脂１〜１００重量部、及び（Ｃ）アミノシラン
０.１５〜５.１０重量部を必須成分として含有する樹脂
組成物からなる接着剤樹脂層を形成したことを特徴とす
る半導体素子搭載用基板。 【化１】 式中、Ｒ1，Ｒ2は、炭素数６以下の、１価の脂肪族また
は芳香族炭化水素基で、ｎは６以上１６未満の整数を表
す。 - 【請求項２】 絶縁樹脂層の厚みが８μｍ以上１００μ
ｍ以下、接着剤層の厚みが３μｍ以上３０μｍ以下であ
る請求項１記載の半導体素子搭載用基板。 - 【請求項３】 絶縁樹脂がポリイミド樹脂である請求項
１又は２記載の半導体素子搭載用基板。 - 【請求項４】 絶縁樹脂がポリアミドイミド系樹脂であ
る請求項１又は２記載の半導体素子搭載用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8148299A JP2000277571A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 半導体素子搭載用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8148299A JP2000277571A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 半導体素子搭載用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000277571A true JP2000277571A (ja) | 2000-10-06 |
Family
ID=13747632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8148299A Pending JP2000277571A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 半導体素子搭載用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000277571A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006037083A (ja) * | 2004-06-21 | 2006-02-09 | Ajinomoto Co Inc | 変性ポリイミド樹脂を含有する熱硬化性樹脂組成物 |
-
1999
- 1999-03-25 JP JP8148299A patent/JP2000277571A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006037083A (ja) * | 2004-06-21 | 2006-02-09 | Ajinomoto Co Inc | 変性ポリイミド樹脂を含有する熱硬化性樹脂組成物 |
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