JP2000276713A - 磁気ヘッド - Google Patents
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- JP2000276713A JP2000276713A JP11079178A JP7917899A JP2000276713A JP 2000276713 A JP2000276713 A JP 2000276713A JP 11079178 A JP11079178 A JP 11079178A JP 7917899 A JP7917899 A JP 7917899A JP 2000276713 A JP2000276713 A JP 2000276713A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】磁気ヘッドの上部及び下部ギャップ膜に用いら
れるＡｌ2Ｏ3膜あるいはAl2O3−ＳｉＯ2 混合絶縁膜
は、絶縁膜厚が５０ｎｍ以下の薄いところでは、急激に
絶縁耐圧が低下してしまい、信頼性が大幅に低下してし
まう問題が生じている。また、絶縁破壊電圧の高いＳｉ
Ｏ2 膜を用いると、膜の剥離やクラックが発生し、ヘッ
ドの信頼性が低下する。 【解決手段】上部あるいは下部ギャップ膜の少なくとも
一方にＳｉＯ2 膜とＡｌ2Ｏ3あるいはＡｌ2Ｏ3とＳｉＯ
2，ＴｉＯ2，Ｔａ2Ｏ5，ＨｆＯ2，ＺｒＯ2，Ｎｂ2Ｏ5か
ら選ばれる少なくとも一種類以上との混合膜からなる層
との積層構造にすることにより、ＳｉＯ2 膜に見られた
膜の剥離やクラックの発生などが抑えられ、かつ、絶縁
膜厚が薄い場合でも比較的高い絶縁耐圧を保持できる。
また、Ａｌ2Ｏ3ＳiＯ2混合膜の組成変調構造を用いても
同様な効果が得られる。
れるＡｌ2Ｏ3膜あるいはAl2O3−ＳｉＯ2 混合絶縁膜
は、絶縁膜厚が５０ｎｍ以下の薄いところでは、急激に
絶縁耐圧が低下してしまい、信頼性が大幅に低下してし
まう問題が生じている。また、絶縁破壊電圧の高いＳｉ
Ｏ2 膜を用いると、膜の剥離やクラックが発生し、ヘッ
ドの信頼性が低下する。 【解決手段】上部あるいは下部ギャップ膜の少なくとも
一方にＳｉＯ2 膜とＡｌ2Ｏ3あるいはＡｌ2Ｏ3とＳｉＯ
2，ＴｉＯ2，Ｔａ2Ｏ5，ＨｆＯ2，ＺｒＯ2，Ｎｂ2Ｏ5か
ら選ばれる少なくとも一種類以上との混合膜からなる層
との積層構造にすることにより、ＳｉＯ2 膜に見られた
膜の剥離やクラックの発生などが抑えられ、かつ、絶縁
膜厚が薄い場合でも比較的高い絶縁耐圧を保持できる。
また、Ａｌ2Ｏ3ＳiＯ2混合膜の組成変調構造を用いても
同様な効果が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高い磁気記録密度
に対応した磁気ヘッドに関する。
に対応した磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】現在の磁気ディスク装置には、記録を誘
導型薄膜ヘッドで行い、再生を磁気抵抗効果型ヘッドで
行う記録再生分離型ヘッドが用いられる。磁気抵抗効果
型ヘッドは、外部磁界に依存して電気抵抗が変化する磁
気抵抗効果を用いており、図１に示すように、磁気抵抗
効果膜，磁区制御膜，電極からなる磁気抵抗効果素子
と、不要な磁界を遮断するための上下のシールド層およ
び素子とシールド間を遮断するギャップ絶縁層から成
り、上記ギャップ絶縁膜として、主にＡｌ2Ｏ3膜が使わ
れている。
導型薄膜ヘッドで行い、再生を磁気抵抗効果型ヘッドで
行う記録再生分離型ヘッドが用いられる。磁気抵抗効果
型ヘッドは、外部磁界に依存して電気抵抗が変化する磁
気抵抗効果を用いており、図１に示すように、磁気抵抗
効果膜，磁区制御膜，電極からなる磁気抵抗効果素子
と、不要な磁界を遮断するための上下のシールド層およ
び素子とシールド間を遮断するギャップ絶縁層から成
り、上記ギャップ絶縁膜として、主にＡｌ2Ｏ3膜が使わ
れている。
【０００３】Ａｌ2Ｏ3の代換材料としては、特開平6−9
1539号に記載の熱伝導性を考慮したＡｌＮ，ＢｅＯ膜
や、特開平8−77514号に記載の絶縁耐圧の向上を目的と
したＡｌ2Ｏ3にＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，Ｎｂ2Ｏ5などの酸
化物を添加した混合膜などが上げられる。また、絶縁耐
圧の向上を目的として、特開平6−52517号に記載の複数
回の成膜工程を行い作製したＳｉＯ2 ／ＳｉＮ積層膜、
特開平9−44815号に記載の酸素含有量の異なるＡｌ2Ｏ3
の積層膜などが上げられる。
1539号に記載の熱伝導性を考慮したＡｌＮ，ＢｅＯ膜
や、特開平8−77514号に記載の絶縁耐圧の向上を目的と
したＡｌ2Ｏ3にＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，Ｎｂ2Ｏ5などの酸
化物を添加した混合膜などが上げられる。また、絶縁耐
圧の向上を目的として、特開平6−52517号に記載の複数
回の成膜工程を行い作製したＳｉＯ2 ／ＳｉＮ積層膜、
特開平9−44815号に記載の酸素含有量の異なるＡｌ2Ｏ3
の積層膜などが上げられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】磁気記録密度の高密度
化に伴い、磁気抵抗効果型ヘッドの分解能を高めるた
め、下部シールドと上部シールドとの間隔を狭くする必
要があり、ギャップ絶縁膜を薄くしなければならない。
このとき、絶縁耐圧が低いと磁気抵抗効果膜や電極が、
シールドとの短絡を起こしてしまうという問題がある。
化に伴い、磁気抵抗効果型ヘッドの分解能を高めるた
め、下部シールドと上部シールドとの間隔を狭くする必
要があり、ギャップ絶縁膜を薄くしなければならない。
このとき、絶縁耐圧が低いと磁気抵抗効果膜や電極が、
シールドとの短絡を起こしてしまうという問題がある。
【０００５】上記ギャップ絶縁膜として、主にＡｌ2Ｏ3
膜が使われているが、絶縁耐圧が低く、５０ｎｍ以下の
磁気ギャップ膜厚領域では、信頼性が大幅に低下してし
まう。また、Ａｌ2Ｏ3を主成分とする混合膜、例えばＡ
ｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2 膜においても同様な結果である。絶縁
耐圧が高い絶縁膜としては、ＳｉＯ2 膜が知られてい
る。しかし、ＳｉＯ2 膜の膜応力の高さや、他の膜との
熱膨張係数が異なることから、膜の剥離やクラックなど
が発生するなどの問題があった。
膜が使われているが、絶縁耐圧が低く、５０ｎｍ以下の
磁気ギャップ膜厚領域では、信頼性が大幅に低下してし
まう。また、Ａｌ2Ｏ3を主成分とする混合膜、例えばＡ
ｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2 膜においても同様な結果である。絶縁
耐圧が高い絶縁膜としては、ＳｉＯ2 膜が知られてい
る。しかし、ＳｉＯ2 膜の膜応力の高さや、他の膜との
熱膨張係数が異なることから、膜の剥離やクラックなど
が発生するなどの問題があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、磁気抵抗
効果膜と磁気シールド層との間の絶縁耐圧の良好な磁気
抵抗効果型ヘッド構造に関して、誠意研究を行った結
果、磁気的信号を電気的信号に変換する磁気抵抗効果膜
と、前記磁気抵抗効果膜のバルクハウゼンノイズを抑止
するために縦バイアス磁界を印加する一対の磁区制御膜
と、前記磁気抵抗効果膜に電気検出電流を流すための一
対の電極とを有する磁気抵抗効果素子が上部ギャップ絶
縁膜及び下部ギャップ絶縁膜を介して上部シールド及び
下部シールドの間に設けられた磁気抵抗効果型ヘッドに
おいて、下部ギャップ絶縁膜あるいは上部ギャップ絶縁
膜が、ＳｉＯ2 層と、Ａｌ2Ｏ3あるいはＡｌ2Ｏ3を主成
分とする酸化混合層との多層構造とすることにより、Ｓ
ｉＯ2 膜を用いたときに発生する膜の剥離やクラックを
抑止し、５０ｎｍ以下の非常に薄いギャップ膜において
も絶縁耐圧が良好な磁気抵抗効果型ヘッドが得られた。
また、ギャップ絶縁膜をＡｌ2Ｏ3ＳｉＯ2 混合膜の組成
変調構造にしても同様な効果が得られた。
効果膜と磁気シールド層との間の絶縁耐圧の良好な磁気
抵抗効果型ヘッド構造に関して、誠意研究を行った結
果、磁気的信号を電気的信号に変換する磁気抵抗効果膜
と、前記磁気抵抗効果膜のバルクハウゼンノイズを抑止
するために縦バイアス磁界を印加する一対の磁区制御膜
と、前記磁気抵抗効果膜に電気検出電流を流すための一
対の電極とを有する磁気抵抗効果素子が上部ギャップ絶
縁膜及び下部ギャップ絶縁膜を介して上部シールド及び
下部シールドの間に設けられた磁気抵抗効果型ヘッドに
おいて、下部ギャップ絶縁膜あるいは上部ギャップ絶縁
膜が、ＳｉＯ2 層と、Ａｌ2Ｏ3あるいはＡｌ2Ｏ3を主成
分とする酸化混合層との多層構造とすることにより、Ｓ
ｉＯ2 膜を用いたときに発生する膜の剥離やクラックを
抑止し、５０ｎｍ以下の非常に薄いギャップ膜において
も絶縁耐圧が良好な磁気抵抗効果型ヘッドが得られた。
また、ギャップ絶縁膜をＡｌ2Ｏ3ＳｉＯ2 混合膜の組成
変調構造にしても同様な効果が得られた。
【０００７】さらに、上記磁気抵抗効果型ヘッドと誘導
型薄膜磁気ヘッドを組み合わせることにより良好な磁気
ヘッドが得られる。さらに、この磁気ヘッドを搭載した
磁気記録再生装置は優れた特性を有する。
型薄膜磁気ヘッドを組み合わせることにより良好な磁気
ヘッドが得られる。さらに、この磁気ヘッドを搭載した
磁気記録再生装置は優れた特性を有する。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下に本発明の一実施例を挙げ、
図表を参照しながらさらに具体的に説明する。
図表を参照しながらさらに具体的に説明する。
【０００９】（実施例１）図２にＡｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2 混
合膜およびＡｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2 ／ＳｉＯ2 積層膜の絶縁
破壊電圧を示す。評価方法は、図３に示すように、ガラ
ス基板上に下部電極膜（厚さ１μｍ）のＮｉＦｅ，絶縁
膜，上部電極膜（厚さ１μｍ×１μｍφ）のＡｌを順次
形成し、下部電極膜と上部電極膜の間に電位を印加して
そのリーク電流を測定する方法を採った。図２に見るよ
うに、単層膜では膜厚が５０ｎｍ以下に薄くなると急激
に絶縁破壊電圧は低下するが、２層膜にすることによ
り、絶縁層の耐圧はわずかに増加し、かつ、薄くなって
も急激な絶縁耐圧の低下は見られない。
合膜およびＡｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2 ／ＳｉＯ2 積層膜の絶縁
破壊電圧を示す。評価方法は、図３に示すように、ガラ
ス基板上に下部電極膜（厚さ１μｍ）のＮｉＦｅ，絶縁
膜，上部電極膜（厚さ１μｍ×１μｍφ）のＡｌを順次
形成し、下部電極膜と上部電極膜の間に電位を印加して
そのリーク電流を測定する方法を採った。図２に見るよ
うに、単層膜では膜厚が５０ｎｍ以下に薄くなると急激
に絶縁破壊電圧は低下するが、２層膜にすることによ
り、絶縁層の耐圧はわずかに増加し、かつ、薄くなって
も急激な絶縁耐圧の低下は見られない。
【００１０】次にこの２層膜を図１に示した磁気抵抗効
果素子の磁気ギャップに用い、上部シールドと磁気抵抗
効果膜との間に電圧を印加し、素子耐圧を調べた。ここ
では、ギャップ絶縁膜１３および１７として、Ａｌ2Ｏ3
−ＳｉＯ2 膜を用いた場合と、Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2／Ｓ
ｉＯ2の２層膜を用いた再生磁気ヘッドを作製した。ま
ず、Ａｌ2Ｏ3などの絶縁層を薄膜形成し、精密研磨した
非磁性基板１１上に、下部シールド層１２として２.０
μｍ 厚のＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ膜を形成する。厚さ]４５ｎ
ｍの下部絶縁膜１３を製膜後、磁気抵抗効果膜１４とし
て多層スピンバルブ膜を形成した。膜構成は、［Ｔａ
（５ｎｍ)／Ｃｒ−Ｍｎ−Ｐｔ（１５ｎｍ)／Ｃｏ（２ｎ
ｍ)／Ｃｕ（２ｎｍ)／Ｃｏ(０.５ｎｍ)／Ｎｉ−Ｆｅ
（３ｎｍ)／Ｔａ（５ｎｍ）］である。次に、磁気抵抗
効果膜１４をイオンミリング法により所定の形状にパタ
ーニング後、バルクハウゼンノイズを抑制するためのＣ
ｏ−Ｐｔからなる磁区制御層１５およびＴａＷ／Ｔａか
らなる電極１６を形成した。その上に厚さ３０ｎｍの上
部絶縁膜１７、厚さ３.０μｍ のＮｉ−Ｆｅからなる上
部シールド膜１８を形成した。表１に電圧を１０Ｖまで
印加したときの、素子の歩留まり率を示す。
果素子の磁気ギャップに用い、上部シールドと磁気抵抗
効果膜との間に電圧を印加し、素子耐圧を調べた。ここ
では、ギャップ絶縁膜１３および１７として、Ａｌ2Ｏ3
−ＳｉＯ2 膜を用いた場合と、Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2／Ｓ
ｉＯ2の２層膜を用いた再生磁気ヘッドを作製した。ま
ず、Ａｌ2Ｏ3などの絶縁層を薄膜形成し、精密研磨した
非磁性基板１１上に、下部シールド層１２として２.０
μｍ 厚のＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ膜を形成する。厚さ]４５ｎ
ｍの下部絶縁膜１３を製膜後、磁気抵抗効果膜１４とし
て多層スピンバルブ膜を形成した。膜構成は、［Ｔａ
（５ｎｍ)／Ｃｒ−Ｍｎ−Ｐｔ（１５ｎｍ)／Ｃｏ（２ｎ
ｍ)／Ｃｕ（２ｎｍ)／Ｃｏ(０.５ｎｍ)／Ｎｉ−Ｆｅ
（３ｎｍ)／Ｔａ（５ｎｍ）］である。次に、磁気抵抗
効果膜１４をイオンミリング法により所定の形状にパタ
ーニング後、バルクハウゼンノイズを抑制するためのＣ
ｏ−Ｐｔからなる磁区制御層１５およびＴａＷ／Ｔａか
らなる電極１６を形成した。その上に厚さ３０ｎｍの上
部絶縁膜１７、厚さ３.０μｍ のＮｉ−Ｆｅからなる上
部シールド膜１８を形成した。表１に電圧を１０Ｖまで
印加したときの、素子の歩留まり率を示す。
【００１１】
【表１】
【００１２】表のように、２層膜にすることにより、電
圧を５Ｖ，１０Ｖ印加しても壊れない素子の割合が増加
することから、絶縁性が良好な磁気抵抗効果型ヘッドが
提供できる。また、本検討で作製した磁気抵抗効果素子
では、ヘッド形成後の膜の剥離，クラックなどの不良は
見られなかった。
圧を５Ｖ，１０Ｖ印加しても壊れない素子の割合が増加
することから、絶縁性が良好な磁気抵抗効果型ヘッドが
提供できる。また、本検討で作製した磁気抵抗効果素子
では、ヘッド形成後の膜の剥離，クラックなどの不良は
見られなかった。
【００１３】本実施例では、Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2 とＳｉ
Ｏ2 の２層膜の場合について述べたが、２層以上積層し
ても、同様な効果が得られる。また、Ａｌ2Ｏ3にＴｉＯ
2 ，Ｔａ2Ｏ5，ＨｆＯ2，ＺｒＯ2，Ｎｂ2Ｏ5などの他の
酸化物を添加した混合膜を用いても同様な効果が得られ
る。ただし、これらの場合はＡｌ2Ｏ3にＳｉＯ2 を添加
した場合と比較して絶縁耐圧は低くなる。さらに、本実
施例では、ＳｉＯ2 膜を先に形成した場合について述べ
たが、Ａｌ2Ｏ3膜あるいはＡｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2膜を先に
形成しても、絶縁耐圧がわずかに低下する傾向が見られ
たが、ほぼ結果は同じである。
Ｏ2 の２層膜の場合について述べたが、２層以上積層し
ても、同様な効果が得られる。また、Ａｌ2Ｏ3にＴｉＯ
2 ，Ｔａ2Ｏ5，ＨｆＯ2，ＺｒＯ2，Ｎｂ2Ｏ5などの他の
酸化物を添加した混合膜を用いても同様な効果が得られ
る。ただし、これらの場合はＡｌ2Ｏ3にＳｉＯ2 を添加
した場合と比較して絶縁耐圧は低くなる。さらに、本実
施例では、ＳｉＯ2 膜を先に形成した場合について述べ
たが、Ａｌ2Ｏ3膜あるいはＡｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2膜を先に
形成しても、絶縁耐圧がわずかに低下する傾向が見られ
たが、ほぼ結果は同じである。
【００１４】（実施例２）実施例１と同様に、ギャップ
絶縁膜１３及び１７として、Ａｌ2Ｏ3ＳｉＯ2 膜の組成
変調構造膜を用いた。膜の組成はＳｉＯ2 含有量が２５
ｗｔ％膜と７５ｗｔ％膜の２層構造とし、ＳｉＯ2 量の
多い層を先に形成した。この場合も実施例１と同様に５
０ｎｍ以下の膜厚領域においても、絶縁破壊電圧の急激
な低下は見られず、素子の歩留まり率は実施例１の２層
膜と同程度であった。
絶縁膜１３及び１７として、Ａｌ2Ｏ3ＳｉＯ2 膜の組成
変調構造膜を用いた。膜の組成はＳｉＯ2 含有量が２５
ｗｔ％膜と７５ｗｔ％膜の２層構造とし、ＳｉＯ2 量の
多い層を先に形成した。この場合も実施例１と同様に５
０ｎｍ以下の膜厚領域においても、絶縁破壊電圧の急激
な低下は見られず、素子の歩留まり率は実施例１の２層
膜と同程度であった。
【００１５】本実施例では、Ａｌ2Ｏ3ＳｉＯ2 膜の組成
変調２層構造の場合について述べたが、２層以上積層し
ても、同様な効果が得られる。また、本実施例では、Ｓ
iＯ2含有量の多い層を先に形成した場合について述べた
が、ＳｉＯ2 含有量の少ない層を先に形成しても、絶縁
耐圧がわずかに低下する傾向が見られるものの、ほぼ結
果は同じである。
変調２層構造の場合について述べたが、２層以上積層し
ても、同様な効果が得られる。また、本実施例では、Ｓ
iＯ2含有量の多い層を先に形成した場合について述べた
が、ＳｉＯ2 含有量の少ない層を先に形成しても、絶縁
耐圧がわずかに低下する傾向が見られるものの、ほぼ結
果は同じである。
【００１６】（実施例３）実施例１で作製した磁気抵抗
効果型ヘッドと記録ヘッドを組み合わせた磁気ヘッドを
作製した。図４は、記録再生分離型ヘッドの一部分を切
断した場合の斜視図である。再生ヘッドの構成は実施例
１と同じ構成とした。記録ヘッドの下部磁極４３は、再
生ヘッドの上部シールドと兼用とし、記録ヘッドのコイ
ル４４、および上部磁極４５は、それぞれ電気めっき法
により作製したＣｕおよび４６wt％Ｎｉ−Ｆｅ膜を用い
た。記録ヘッドの磁気ギャップ膜及び保護膜はＡｌ2Ｏ3
膜を用いた。記録ヘッドのトラック幅は０.６μｍ、再
生ヘッドのトラック幅は０.４μｍとした。
効果型ヘッドと記録ヘッドを組み合わせた磁気ヘッドを
作製した。図４は、記録再生分離型ヘッドの一部分を切
断した場合の斜視図である。再生ヘッドの構成は実施例
１と同じ構成とした。記録ヘッドの下部磁極４３は、再
生ヘッドの上部シールドと兼用とし、記録ヘッドのコイ
ル４４、および上部磁極４５は、それぞれ電気めっき法
により作製したＣｕおよび４６wt％Ｎｉ−Ｆｅ膜を用い
た。記録ヘッドの磁気ギャップ膜及び保護膜はＡｌ2Ｏ3
膜を用いた。記録ヘッドのトラック幅は０.６μｍ、再
生ヘッドのトラック幅は０.４μｍとした。
【００１７】本発明の磁気ヘッドは、従来の磁気ギャッ
プ膜と比較して、絶縁破壊電圧の高い磁気ギャップ膜を
用いているため、歩留まり率の高い磁気ヘッドの作製が
可能である。
プ膜と比較して、絶縁破壊電圧の高い磁気ギャップ膜を
用いているため、歩留まり率の高い磁気ヘッドの作製が
可能である。
【００１８】（実施例４）本発明の記録再生分離型ヘッ
ドを用い、磁気ディスク装置を作製した。図５に磁気デ
ィスク装置の構造の概略図を示す。磁気記録媒体５１に
は残留磁束密度３４００ＯｅのＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金
からなる材料を用いた。磁気ヘッド５３における再生ヘ
ッドの磁気ギャップ膜には、絶縁破壊電圧の高いＡｌ2
Ｏ3−SiO2／ＳｉＯ2 積層膜を用いているため、従来の
Ａｌ2Ｏ3単層膜を用いた磁気ヘッドと比較して、歩留ま
り率の高い磁気ヘッドの作製が可能である。これによ
り、記録密度の高い磁気ディスク装置を作製できる。本
発明の磁気ヘッドは５Ｇbit／in2以上の記録密度を有す
る磁気記録再生装置に有効である。また、１０Ｇbit／i
n2 以上の記録密度を有する磁気記録再生装置には、必
須と考えられる。
ドを用い、磁気ディスク装置を作製した。図５に磁気デ
ィスク装置の構造の概略図を示す。磁気記録媒体５１に
は残留磁束密度３４００ＯｅのＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金
からなる材料を用いた。磁気ヘッド５３における再生ヘ
ッドの磁気ギャップ膜には、絶縁破壊電圧の高いＡｌ2
Ｏ3−SiO2／ＳｉＯ2 積層膜を用いているため、従来の
Ａｌ2Ｏ3単層膜を用いた磁気ヘッドと比較して、歩留ま
り率の高い磁気ヘッドの作製が可能である。これによ
り、記録密度の高い磁気ディスク装置を作製できる。本
発明の磁気ヘッドは５Ｇbit／in2以上の記録密度を有す
る磁気記録再生装置に有効である。また、１０Ｇbit／i
n2 以上の記録密度を有する磁気記録再生装置には、必
須と考えられる。
【００１９】
【発明の効果】上述のように、磁気的信号を電気的信号
に変換する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜のバ
ルクハウゼンノイズを抑止するために縦バイアス磁界を
印加する一対の磁区制御膜と、前記磁気抵抗効果膜に電
気検出電流を流すための一対の電極とを有する磁気抵抗
効果素子が上部ギャップ絶縁膜及び下部ギャップ絶縁膜
を介して上部シールド及び下部シールドの間に設けられ
た磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、下部ギャップ絶縁膜
あるいは上部ギャップ絶縁膜が、ＳｉＯ2 層と、Ａｌ2
Ｏ3あるいはＡｌ2Ｏ3とＳｉＯ2，ＴｉＯ2，Ｔａ2Ｏ5，
ＨｆＯ2，ＺｒＯ2，Ｎｂ2Ｏ5から選ばれる少なくとも一
種類以上との混合膜からなる層との多層構造とすること
により、ギャップ膜厚が５０ｎｍ以下と薄い場合におい
ても絶縁破壊電圧の急激な低下は見られず、従来のＡｌ
2Ｏ3膜を用いた場合と比較して、歩留まり率の高い磁気
ヘッドを供給できる。また、ギャップ絶縁膜としてAl2O
3SiO2層の組成変調構造膜を用いても同様な効果が得ら
れる。さらに、この再生用ヘッドと記録用の誘導型磁気
ヘッドを組み合わせることにより、高記録密度に対応し
た磁気ヘッド及び磁気記録再生装置が得られる。
に変換する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜のバ
ルクハウゼンノイズを抑止するために縦バイアス磁界を
印加する一対の磁区制御膜と、前記磁気抵抗効果膜に電
気検出電流を流すための一対の電極とを有する磁気抵抗
効果素子が上部ギャップ絶縁膜及び下部ギャップ絶縁膜
を介して上部シールド及び下部シールドの間に設けられ
た磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、下部ギャップ絶縁膜
あるいは上部ギャップ絶縁膜が、ＳｉＯ2 層と、Ａｌ2
Ｏ3あるいはＡｌ2Ｏ3とＳｉＯ2，ＴｉＯ2，Ｔａ2Ｏ5，
ＨｆＯ2，ＺｒＯ2，Ｎｂ2Ｏ5から選ばれる少なくとも一
種類以上との混合膜からなる層との多層構造とすること
により、ギャップ膜厚が５０ｎｍ以下と薄い場合におい
ても絶縁破壊電圧の急激な低下は見られず、従来のＡｌ
2Ｏ3膜を用いた場合と比較して、歩留まり率の高い磁気
ヘッドを供給できる。また、ギャップ絶縁膜としてAl2O
3SiO2層の組成変調構造膜を用いても同様な効果が得ら
れる。さらに、この再生用ヘッドと記録用の誘導型磁気
ヘッドを組み合わせることにより、高記録密度に対応し
た磁気ヘッド及び磁気記録再生装置が得られる。
【図１】実施例１における磁気ヘッドの媒体対向面から
見た断面図。
見た断面図。
【図２】本発明および従来例の磁気ギャップ膜厚と絶縁
耐圧の関係を示す図。
耐圧の関係を示す図。
【図３】絶縁耐圧の測定方法を示す説明図。
【図４】本発明の磁気ヘッドと記録ヘッドとを組み合わ
せた磁気ヘッドの斜視図。
せた磁気ヘッドの斜視図。
【図５】本発明の磁気ヘッドを用いた磁気ディスク装置
の概略図。
の概略図。
１１，２１，３１…基板、１２，１８，２２，３２，３
７，４２，４３…シールド膜、１３，１７，２３…ギャ
ップ絶縁膜、１４，４１…磁気抵抗効果膜、１６，２
４，４７…電極、１５，４８…磁区制御膜、４４…コイ
ル、４５…上部磁極、４６…基体、５１…磁気記録媒
体、５２…磁気記録媒体駆動部、５３…磁気ヘッド、５
４…磁気ヘッド駆動部、５５…記録再生信号処理系。
７，４２，４３…シールド膜、１３，１７，２３…ギャ
ップ絶縁膜、１４，４１…磁気抵抗効果膜、１６，２
４，４７…電極、１５，４８…磁区制御膜、４４…コイ
ル、４５…上部磁極、４６…基体、５１…磁気記録媒
体、５２…磁気記録媒体駆動部、５３…磁気ヘッド、５
４…磁気ヘッド駆動部、５５…記録再生信号処理系。
Claims (6)
- 【請求項１】磁気的信号を電気的信号に変換する磁気抵
抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜のバルクハウゼンノイ
ズを抑止するために縦バイアス磁界を印加する一対の磁
区制御膜と、前記磁気抵抗効果膜に電気検出電流を流す
ための一対の電極とを有する磁気抵抗効果素子が上部ギ
ャップ絶縁膜及び下部ギャップ絶縁膜を介して上部シー
ルド及び下部シールドの間に設けられた磁気ヘッドにお
いて、 下部ギャップ絶縁膜あるいは上部ギャップ絶縁膜が、Ｓ
ｉＯ2 層と、Ａｌ2Ｏ3あるいはＡｌ2Ｏ3とＳｉＯ2，Ｔ
ｉＯ2，Ｔａ2Ｏ5，ＨｆＯ2，ＺｒＯ2，Ｎｂ2Ｏ5から選
ばれる少なくとも一種類以上との混合膜からなる層との
多層構造を有することを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】磁気的信号を電気的信号に変換する磁気抵
抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜のバルクハウゼンノイ
ズを抑止するために縦バイアス磁界を印加する一対の磁
区制御膜と、前記磁気抵抗効果膜に電気検出電流を流す
ための一対の電極とを有する磁気抵抗効果素子が上部ギ
ャップ絶縁膜及び下部ギャップ絶縁膜を介して上部シー
ルド及び下部シールドの間に設けられた磁気ヘッドにお
いて、 下部ギャップ絶縁膜あるいは上部ギャップ絶縁膜が、Ａ
ｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2 混合層の組成変調構造を有することを
特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項３】請求項１または２に記載の磁気ヘッドにお
いて、上部または下部のギャップ膜厚が５０ｎｍ以下で
あることを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項４】請求項１から３のいずれか１項に記載の磁
気ヘッドにおいて、ＳｉＯ2 層またはＳｉＯ2 含有量が
多いＡｌ2Ｏ3ＳｉＯ2 層が基板側に形成されていること
を特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項５】請求項１から４のいずれか１項に記載の磁
気ヘッドと誘導型薄膜ヘッドとを組み合わせた磁気ヘッ
ド。 - 【請求項６】請求項５に記載の磁気ヘッドを搭載した磁
気記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11079178A JP2000276713A (ja) | 1999-03-24 | 1999-03-24 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11079178A JP2000276713A (ja) | 1999-03-24 | 1999-03-24 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000276713A true JP2000276713A (ja) | 2000-10-06 |
Family
ID=13682735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11079178A Pending JP2000276713A (ja) | 1999-03-24 | 1999-03-24 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000276713A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7408748B2 (en) | 2002-04-30 | 2008-08-05 | Headway Technologies, Inc. | Side reading reduced GMR for high track density |
-
1999
- 1999-03-24 JP JP11079178A patent/JP2000276713A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7408748B2 (en) | 2002-04-30 | 2008-08-05 | Headway Technologies, Inc. | Side reading reduced GMR for high track density |
| US7599158B2 (en) | 2002-04-30 | 2009-10-06 | Headway Technologies, Inc. | Side reading reduced GMR for high track density |
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