JP2000269414A - 電子ハーフブリッジモジュール - Google Patents
電子ハーフブリッジモジュールInfo
- Publication number
- JP2000269414A JP2000269414A JP2000029818A JP2000029818A JP2000269414A JP 2000269414 A JP2000269414 A JP 2000269414A JP 2000029818 A JP2000029818 A JP 2000029818A JP 2000029818 A JP2000029818 A JP 2000029818A JP 2000269414 A JP2000269414 A JP 2000269414A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- module
- lower circuit
- circuit board
- circuit boards
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/14—Mounting supporting structure in casing or on frame or rack
- H05K7/1422—Printed circuit boards receptacles, e.g. stacked structures, electronic circuit modules or box like frames
- H05K7/1427—Housings
- H05K7/1432—Housings specially adapted for power drive units or power converters
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/003—Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/14—Mounting supporting structure in casing or on frame or rack
- H05K7/1422—Printed circuit boards receptacles, e.g. stacked structures, electronic circuit modules or box like frames
- H05K7/1427—Housings
- H05K7/1432—Housings specially adapted for power drive units or power converters
- H05K7/14329—Housings specially adapted for power drive units or power converters specially adapted for the configuration of power bus bars
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ４２ボルトの内燃機関スタータ／交流発電機
回路で使用される金属酸化膜半導体（ＭＯＳＦＥＴ）ハ
ーフブリッジモジュール。 【解決手段】 このモジュールは、きわめて低いインダ
クタンスを有するコンパクトな高性能処理装置である。
この低インダクタンスモジュールは、広い温度範囲にわ
たって、内燃機関スタータ／交流発電機回路において適
切に動作するのに必要な電流と電流スルーレートとをサ
ポートする。このモジュールは熱伝導ベースを有する。
ベース内の同一平面に沿って複数の下部回路基板が隣接
して配置される。少なくとも１つの半導体デバイスが、
複数の回路基板のうちの１つにマウントされた第１の表
面を有する。共通端子が、複数の下部回路基板のそれぞ
れに結合された平面部分を有する。上部回路基板が複数
の下部回路基板と電気的に接触し、半導体デバイスの駆
動信号のための外部アクセスを提供するコネクタを含
む。
回路で使用される金属酸化膜半導体（ＭＯＳＦＥＴ）ハ
ーフブリッジモジュール。 【解決手段】 このモジュールは、きわめて低いインダ
クタンスを有するコンパクトな高性能処理装置である。
この低インダクタンスモジュールは、広い温度範囲にわ
たって、内燃機関スタータ／交流発電機回路において適
切に動作するのに必要な電流と電流スルーレートとをサ
ポートする。このモジュールは熱伝導ベースを有する。
ベース内の同一平面に沿って複数の下部回路基板が隣接
して配置される。少なくとも１つの半導体デバイスが、
複数の回路基板のうちの１つにマウントされた第１の表
面を有する。共通端子が、複数の下部回路基板のそれぞ
れに結合された平面部分を有する。上部回路基板が複数
の下部回路基板と電気的に接触し、半導体デバイスの駆
動信号のための外部アクセスを提供するコネクタを含
む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子ブリッジモジ
ュールに関し、詳細には、モジュールがきわめて低いイ
ンダクタンスを有する内燃機関スタータ／交流発電機回
路用のハイパワー金属酸化膜半導体ハーフブリッジモジ
ュールに関する。
ュールに関し、詳細には、モジュールがきわめて低いイ
ンダクタンスを有する内燃機関スタータ／交流発電機回
路用のハイパワー金属酸化膜半導体ハーフブリッジモジ
ュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】内燃機関の起動と、そのエンジンが稼働
すると交流発電機が発生する電圧の整流は、これらの機
能をサポートするのに必要な電子回路に高い要求を課
す。典型的なスタータ／交流発電機は、その入力端子に
おける最小限の電圧降下と、エンジンを機械的に「クラ
ンク」する即時トルク電流を必要とする。電圧降下を最
小限にし、即時電流を供給するために、スタータ／交流
発電機回路経路は、低抵抗ときわめて高速な電流スルー
レート（ｄｉ／ｄｔ）を有しなければならない。この回
路は、これらの機能を、一般的な自動車環境に見られる
ような過酷な温度条件下で実行しなければならない。た
とえば、回路は、電流スルーレートが１５００アンペア
／マイクロ秒を超える高速になるように、４２ボルトの
システムで−２５ＥＣで６５０アンペアを供給可能でな
ければならない。
すると交流発電機が発生する電圧の整流は、これらの機
能をサポートするのに必要な電子回路に高い要求を課
す。典型的なスタータ／交流発電機は、その入力端子に
おける最小限の電圧降下と、エンジンを機械的に「クラ
ンク」する即時トルク電流を必要とする。電圧降下を最
小限にし、即時電流を供給するために、スタータ／交流
発電機回路経路は、低抵抗ときわめて高速な電流スルー
レート（ｄｉ／ｄｔ）を有しなければならない。この回
路は、これらの機能を、一般的な自動車環境に見られる
ような過酷な温度条件下で実行しなければならない。た
とえば、回路は、電流スルーレートが１５００アンペア
／マイクロ秒を超える高速になるように、４２ボルトの
システムで−２５ＥＣで６５０アンペアを供給可能でな
ければならない。
【０００３】スタータ／交流発電機回路の基本構成要素
はハーフブリッジ（ｈａｌｆ ｂｒｉｄｇｅ）整流器で
ある。ハーフブリッジ整流器は、上述の特性に対応する
ことができなければならない。一般的なハーフブリッジ
整流器は、金属酸化膜電界降下トランジスタ（ＭＯＳＦ
ＥＴ）デバイスを採用したモジュールとして製造され
る。所望の性能特性を達成し、デバイス過電圧とアバラ
ンシェ条件を回避するために、ＭＯＳＦＥＴデバイスで
使用される低電圧シリコンは、２５ＥＣで２ミリオーム
未満で、最大モジュールインダクタンスが１２ｎＨの抵
抗経路（パス）を備えなければならない。当然ながら、
このモジュールはスタータ／交流発電機内に、典型的に
は自動車のエンジン室内に配置されたバスバーアセンブ
リの一部として、配置するのに好都合な箇所に装着する
のに十分な小さいサイズでなければならない。
はハーフブリッジ（ｈａｌｆ ｂｒｉｄｇｅ）整流器で
ある。ハーフブリッジ整流器は、上述の特性に対応する
ことができなければならない。一般的なハーフブリッジ
整流器は、金属酸化膜電界降下トランジスタ（ＭＯＳＦ
ＥＴ）デバイスを採用したモジュールとして製造され
る。所望の性能特性を達成し、デバイス過電圧とアバラ
ンシェ条件を回避するために、ＭＯＳＦＥＴデバイスで
使用される低電圧シリコンは、２５ＥＣで２ミリオーム
未満で、最大モジュールインダクタンスが１２ｎＨの抵
抗経路（パス）を備えなければならない。当然ながら、
このモジュールはスタータ／交流発電機内に、典型的に
は自動車のエンジン室内に配置されたバスバーアセンブ
リの一部として、配置するのに好都合な箇所に装着する
のに十分な小さいサイズでなければならない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、モジ
ュールが小型で、インダクタンスがきわめて低く、広い
温度範囲で内燃機関を始動させるのに必要な所要出力を
サポートすることができるスタータ／交流発電機回路用
のハイパワー・ハーフブリッジモジュールを提供するこ
とである。
ュールが小型で、インダクタンスがきわめて低く、広い
温度範囲で内燃機関を始動させるのに必要な所要出力を
サポートすることができるスタータ／交流発電機回路用
のハイパワー・ハーフブリッジモジュールを提供するこ
とである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、熱伝導ベース
がある整流モジュールを提供する。複数の下部回路基板
を熱伝導ベース内に同一平面に沿って隣接して配置す
る。少なくとも１つの半導体デバイスが第１の表面を有
し、この半導体デバイスの第１の表面を複数の下部回路
基板のうちの１つの基板に装着する。共通端子が平面部
分を有し、この平面部分を複数の下部回路基板のそれぞ
れに結合する。上部回路基板が複数の底部回路基板と電
気的に接触し、上部回路基板は半導体デバイスの駆動信
号のための外部アクセスを供給するコネクタを含む。
がある整流モジュールを提供する。複数の下部回路基板
を熱伝導ベース内に同一平面に沿って隣接して配置す
る。少なくとも１つの半導体デバイスが第１の表面を有
し、この半導体デバイスの第１の表面を複数の下部回路
基板のうちの１つの基板に装着する。共通端子が平面部
分を有し、この平面部分を複数の下部回路基板のそれぞ
れに結合する。上部回路基板が複数の底部回路基板と電
気的に接触し、上部回路基板は半導体デバイスの駆動信
号のための外部アクセスを供給するコネクタを含む。
【０００６】本発明のモジュールの他の態様は、少なく
とも１つの接触ピンをさらに含む。この接触ピンは、上
部回路基板と複数の下部回路基板のうちの１つの下部回
路基板との間の電気的接触を設けるために使用される。
とも１つの接触ピンをさらに含む。この接触ピンは、上
部回路基板と複数の下部回路基板のうちの１つの下部回
路基板との間の電気的接触を設けるために使用される。
【０００７】本発明のモジュールの他の態様として、接
触ピンは、弾力性接触部を形成する曲線部分を含む。
触ピンは、弾力性接触部を形成する曲線部分を含む。
【０００８】他の態様として、本発明のモジュールは、
２つの電圧端子をさらに含み、この２つの電圧端子のそ
れぞれが複数の下部回路基板のうちの異なる１つに結合
される。
２つの電圧端子をさらに含み、この２つの電圧端子のそ
れぞれが複数の下部回路基板のうちの異なる１つに結合
される。
【０００９】本発明のモジュールの他の態様は、２つの
電圧端子が複数の下部回路基板から異なる距離に延びる
ようにする。
電圧端子が複数の下部回路基板から異なる距離に延びる
ようにする。
【００１０】本発明のモジュールの他の態様として、少
なくとも１つの半導体デバイスは、第１の表面の反対側
にある第２の表面をさらに含み、この第２の表面は少な
くとも１つのワイヤボンドによって複数の下部回路基板
のうちの１つと結合される。
なくとも１つの半導体デバイスは、第１の表面の反対側
にある第２の表面をさらに含み、この第２の表面は少な
くとも１つのワイヤボンドによって複数の下部回路基板
のうちの１つと結合される。
【００１１】本発明のモジュールの他の態様として、少
なくとも１つのワイヤボンドは、１つの下部回路基板上
の接続点が第２の表面上の接続点から角変位されるよう
に、Ｓ字形になっている。
なくとも１つのワイヤボンドは、１つの下部回路基板上
の接続点が第２の表面上の接続点から角変位されるよう
に、Ｓ字形になっている。
【００１２】本発明の他の態様は、少なくとも１つの半
導体デバイスがＭＯＳＦＥＴデバイスであり、第２の表
面の接続点がソース領域であるモジュールを提供する。
導体デバイスがＭＯＳＦＥＴデバイスであり、第２の表
面の接続点がソース領域であるモジュールを提供する。
【００１３】本発明の他の態様として、モジュールはハ
ーフブリッジ整流器を形成する。
ーフブリッジ整流器を形成する。
【００１４】本発明の他の態様として、モジュールは４
２ボルトの内燃機関スタータ／交流発電機回路内に実装
される。
２ボルトの内燃機関スタータ／交流発電機回路内に実装
される。
【００１５】本発明は、他の態様として、モジュールの
総パッケージインダクタンスが約８．４ナノヘンリー未
満になるようにする。
総パッケージインダクタンスが約８．４ナノヘンリー未
満になるようにする。
【００１６】本発明のモジュールの他の態様として、電
圧端子の１つは負端子であり、モジュールは負端子と共
通端子との間に並列配置構成で接続された抵抗器とキャ
パシタとをさらに含む。
圧端子の１つは負端子であり、モジュールは負端子と共
通端子との間に並列配置構成で接続された抵抗器とキャ
パシタとをさらに含む。
【００１７】本発明の他の態様は、モジュールの総厚み
が約０．７５インチ（約１．９ｃｍ）未満になるように
する。
が約０．７５インチ（約１．９ｃｍ）未満になるように
する。
【００１８】本発明は、内燃機関スタータ／交流発電機
回路で使用され、熱伝導ベースを有するハーフブリッジ
整流モジュールを提供する。熱伝導ベース内に同一平面
に沿って複数の下部回路基板が隣接して配置されてい
る。少なくとも１つのＭＯＳＦＥＴ半導体デバイスが第
１の表面を有し、ＭＯＳＦＥＴ半導体デバイスの第１の
表面が複数の下部回路基板の１つにマウントされる。共
通端子が、複数の下部回路基板の各々に結合された平面
部分を有する。上部回路基板が複数の下部回路基板と電
気的に接触し、ＭＯＳＦＥＴ半導体デバイスの駆動信号
のための外部アクセスを供給するコネクタを含む。
回路で使用され、熱伝導ベースを有するハーフブリッジ
整流モジュールを提供する。熱伝導ベース内に同一平面
に沿って複数の下部回路基板が隣接して配置されてい
る。少なくとも１つのＭＯＳＦＥＴ半導体デバイスが第
１の表面を有し、ＭＯＳＦＥＴ半導体デバイスの第１の
表面が複数の下部回路基板の１つにマウントされる。共
通端子が、複数の下部回路基板の各々に結合された平面
部分を有する。上部回路基板が複数の下部回路基板と電
気的に接触し、ＭＯＳＦＥＴ半導体デバイスの駆動信号
のための外部アクセスを供給するコネクタを含む。
【００１９】他の態様として、本発明は、熱伝導ベース
がある整流モジュールを提供する。熱伝導ベース内に下
部回路基板が配置される。少なくとも１つのＭＯＳＦＥ
Ｔ半導体デバイスが、下部回路基板に装着されたドレイ
ン表面である第１の表面と、第１の表面の反対側にあ
り、少なくとも１つのＳ字形ワイヤボンドによって下部
回路基板に結合された第２の表面とを有し、下部回路基
板上の接続点が第２の表面上の接続点から角変位されて
いる。共通端子が平面部分を有し、この平面部分は下部
回路基板に結合されている。複数の電圧端子が下部回路
基板に結合され、そこから異なる距離に延びている。上
部回路基板が下部回路基板と電気的に接触し、上部回路
基板は、ＭＯＳＦＥＴ半導体デバイスの駆動信号のため
の外部アクセスを提供するコネクタを含む。
がある整流モジュールを提供する。熱伝導ベース内に下
部回路基板が配置される。少なくとも１つのＭＯＳＦＥ
Ｔ半導体デバイスが、下部回路基板に装着されたドレイ
ン表面である第１の表面と、第１の表面の反対側にあ
り、少なくとも１つのＳ字形ワイヤボンドによって下部
回路基板に結合された第２の表面とを有し、下部回路基
板上の接続点が第２の表面上の接続点から角変位されて
いる。共通端子が平面部分を有し、この平面部分は下部
回路基板に結合されている。複数の電圧端子が下部回路
基板に結合され、そこから異なる距離に延びている。上
部回路基板が下部回路基板と電気的に接触し、上部回路
基板は、ＭＯＳＦＥＴ半導体デバイスの駆動信号のため
の外部アクセスを提供するコネクタを含む。
【００２０】本発明の他の特徴および利点は、添付図面
を参照しながら本発明の以下の説明を読めば明らかにな
ろう。
を参照しながら本発明の以下の説明を読めば明らかにな
ろう。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明を例示するために、現在の
ところ好ましい態様を図に示すが、本発明は図示されて
いるのと全く同じ配置構成および手段には限定されない
ものと理解されたい。
ところ好ましい態様を図に示すが、本発明は図示されて
いるのと全く同じ配置構成および手段には限定されない
ものと理解されたい。
【００２２】最初に、異なる図面の同様の参照番号は同
様の要素を指すことに留意されたい。図１に示すよう
に、本発明による低インダクタンスハーフブリッジモジ
ュール２の一例が、ベース４と、２つのＭＯＳＦＥＴ回
路基板６および８と、上部プリント回路基板（図４に参
照番号４２として図示）と、カバー（図５に参照番号４
８として図示）とによって組み立てられている。ＭＯＳ
ＦＥＴ回路基板６と８は、互いに隣接し、互いに長手方
向に平面の位置関係で配置されるようにベース４内に、
配置されている。ＭＯＳＦＥＴ回路基板６には負電圧端
子１０がマウントされている。ＭＯＳＦＥＴ回路基板８
には、正電圧端子１２がマウントされている。共通端子
１４が、両方の回路基板と電気的に接触するように装着
されている。各ＭＯＳＦＥＴ回路基板６および８に複数
のＭＯＳＦＥＴデバイス１６がマウントされている。ベ
ースとカバーは、ＡｌＳｉＣなどの任意の頑丈な熱伝導
材料で作ることができる。ＭＯＳＦＥＴ回路基板６およ
び８はそれぞれ、ソースバス１８、ドレインバス２０、
ゲート接続パッド２２、およびソースセンスパッド２４
を画定するようにパターン形成されている。さらに、Ｍ
ＯＳＦＥＴ回路基板８は、温度感知のためにサーミスタ
接触パッド２６にマウントされたサーミスタ（図示せ
ず）をサポートするようにパターン形成されている。
様の要素を指すことに留意されたい。図１に示すよう
に、本発明による低インダクタンスハーフブリッジモジ
ュール２の一例が、ベース４と、２つのＭＯＳＦＥＴ回
路基板６および８と、上部プリント回路基板（図４に参
照番号４２として図示）と、カバー（図５に参照番号４
８として図示）とによって組み立てられている。ＭＯＳ
ＦＥＴ回路基板６と８は、互いに隣接し、互いに長手方
向に平面の位置関係で配置されるようにベース４内に、
配置されている。ＭＯＳＦＥＴ回路基板６には負電圧端
子１０がマウントされている。ＭＯＳＦＥＴ回路基板８
には、正電圧端子１２がマウントされている。共通端子
１４が、両方の回路基板と電気的に接触するように装着
されている。各ＭＯＳＦＥＴ回路基板６および８に複数
のＭＯＳＦＥＴデバイス１６がマウントされている。ベ
ースとカバーは、ＡｌＳｉＣなどの任意の頑丈な熱伝導
材料で作ることができる。ＭＯＳＦＥＴ回路基板６およ
び８はそれぞれ、ソースバス１８、ドレインバス２０、
ゲート接続パッド２２、およびソースセンスパッド２４
を画定するようにパターン形成されている。さらに、Ｍ
ＯＳＦＥＴ回路基板８は、温度感知のためにサーミスタ
接触パッド２６にマウントされたサーミスタ（図示せ
ず）をサポートするようにパターン形成されている。
【００２３】ＭＯＳＦＥＴ回路基板６は、ＭＯＳＦＥＴ
回路基板６のソース接触バス１８が負端子１０と電気的
に接触するように配置されている。同じ回路基板のドレ
イン接触バス２０は、共通端子１４と電気的に接触して
いる。同様に、ＭＯＳＦＥＴ回路基板８のドレイン接触
バス２０は正端子１２と電気的に接触し、同じ回路基板
のソース接触バス１８は共通端子１４と電気的に接触し
ている。負端子１０と正端子１２は、モジュール２内に
互いに近接して配置することができるように、非電気接
触領域内に絶縁材料で積層することができる。正端子と
負端子の近接した配置により、空間が節約されるととも
に、モジュールの総誘導が低くなるので有利であること
が判明している。
回路基板６のソース接触バス１８が負端子１０と電気的
に接触するように配置されている。同じ回路基板のドレ
イン接触バス２０は、共通端子１４と電気的に接触して
いる。同様に、ＭＯＳＦＥＴ回路基板８のドレイン接触
バス２０は正端子１２と電気的に接触し、同じ回路基板
のソース接触バス１８は共通端子１４と電気的に接触し
ている。負端子１０と正端子１２は、モジュール２内に
互いに近接して配置することができるように、非電気接
触領域内に絶縁材料で積層することができる。正端子と
負端子の近接した配置により、空間が節約されるととも
に、モジュールの総誘導が低くなるので有利であること
が判明している。
【００２４】本発明のＭＯＳＥＴ回路基板８を図２に示
す。ＭＯＳＦＥＴ回路基板８とＭＯＳＦＥＴ回路基板６
は、ＭＯＳＦＥＴ回路基板８上にサーミスタ接触パッド
２６が付加されている点を除けば同じにパターン形成さ
れている。したがって、ＭＯＳＦＥＴ回路８の説明は、
ＭＯＳＦＥＴ回路基板６も説明するものである。当然な
がら、ＭＯＳＦＥＴ回路基板６とＭＯＳＦＥＴ回路基板
８とは、単一の回路基板として製造することも可能であ
る。
す。ＭＯＳＦＥＴ回路基板８とＭＯＳＦＥＴ回路基板６
は、ＭＯＳＦＥＴ回路基板８上にサーミスタ接触パッド
２６が付加されている点を除けば同じにパターン形成さ
れている。したがって、ＭＯＳＦＥＴ回路８の説明は、
ＭＯＳＦＥＴ回路基板６も説明するものである。当然な
がら、ＭＯＳＦＥＴ回路基板６とＭＯＳＦＥＴ回路基板
８とは、単一の回路基板として製造することも可能であ
る。
【００２５】各ＭＯＳＦＥＴデバイス１６は、ドレイン
接触子（図示せず）がドレイン接触バス２０と電気接触
するようにＭＯＳＦＥＴ回路基板８にマウントされてい
る。各ＭＯＳＦＥＴデバイス１６のソース接触子２８
は、複数のワイヤボンド３０によってソース接触バス１
８に接続されている。各ワイヤボンド３０は、ソース接
触バス１８上の接触点がＭＯＳＦＥＴデバイス１６上の
接触点と正反対ではなく、わずかにずれるように、すな
わち角変位するような形状になっており、それによって
ワイヤボンドがＳ字形の形状をとる。直線のワイヤボン
ドを使用することもできるが、オフセット接触マウンテ
ィングの方が直線ワイヤボンドよりも誘導が低くなる。
たとえば、Ｓ字形状の結果、総モジュール誘導が１ナノ
ヘンリー減少することが、試験により、予期せずに判明
している。
接触子（図示せず）がドレイン接触バス２０と電気接触
するようにＭＯＳＦＥＴ回路基板８にマウントされてい
る。各ＭＯＳＦＥＴデバイス１６のソース接触子２８
は、複数のワイヤボンド３０によってソース接触バス１
８に接続されている。各ワイヤボンド３０は、ソース接
触バス１８上の接触点がＭＯＳＦＥＴデバイス１６上の
接触点と正反対ではなく、わずかにずれるように、すな
わち角変位するような形状になっており、それによって
ワイヤボンドがＳ字形の形状をとる。直線のワイヤボン
ドを使用することもできるが、オフセット接触マウンテ
ィングの方が直線ワイヤボンドよりも誘導が低くなる。
たとえば、Ｓ字形状の結果、総モジュール誘導が１ナノ
ヘンリー減少することが、試験により、予期せずに判明
している。
【００２６】各ＭＯＳＦＥＴデバイス１６のゲート接触
子３２はワイヤボンド３４を介してそれぞれのゲート接
続パッド２２に接続され、さらにソース接触子２８はワ
イヤボンド３６を介してそれぞれのソースセンスパッド
２４に接続されている。これによって、ＭＯＳＦＥＴデ
バイス１６をスイッチさせるのに必要なゲート−ソース
電圧を確立するための好都合な方法が可能になる。
子３２はワイヤボンド３４を介してそれぞれのゲート接
続パッド２２に接続され、さらにソース接触子２８はワ
イヤボンド３６を介してそれぞれのソースセンスパッド
２４に接続されている。これによって、ＭＯＳＦＥＴデ
バイス１６をスイッチさせるのに必要なゲート−ソース
電圧を確立するための好都合な方法が可能になる。
【００２７】図３に、本発明の共通端子１４の透視図を
示す。共通端子１４は、上部４０の下に配置されたより
短い形状の平面部分３８を有するように構成されること
が好ましい。このより短い形状の平面部分３８により、
回路基板６および８との物理的および電気的接触が設け
られる。端子１４の短形状部分３８は、上部４０の下に
配置された接触領域と組合わさって、より長い端子や、
ベースが上部の外側に配置された端子、すなわちＳ字形
の端子よりも、誘導を低減することがわかっている。ま
た、モジュール２がバスバーアセンブリの一部である場
合、負端子１０と正端子１２の二重の高さすなわち長さ
によって、完全積層バスが可能になる。これは、組立て
時に、負端子１０と正端子１２がそれぞれのＭＯＳＦＥ
Ｔ回路基板６および８から異なる長さに延びるようにし
て行うことができる。
示す。共通端子１４は、上部４０の下に配置されたより
短い形状の平面部分３８を有するように構成されること
が好ましい。このより短い形状の平面部分３８により、
回路基板６および８との物理的および電気的接触が設け
られる。端子１４の短形状部分３８は、上部４０の下に
配置された接触領域と組合わさって、より長い端子や、
ベースが上部の外側に配置された端子、すなわちＳ字形
の端子よりも、誘導を低減することがわかっている。ま
た、モジュール２がバスバーアセンブリの一部である場
合、負端子１０と正端子１２の二重の高さすなわち長さ
によって、完全積層バスが可能になる。これは、組立て
時に、負端子１０と正端子１２がそれぞれのＭＯＳＦＥ
Ｔ回路基板６および８から異なる長さに延びるようにし
て行うことができる。
【００２８】図４に、カバーのないモジュールの側面図
を示す。具体的には、上部回路基板４２が、接触ピン４
４によってＭＯＳＦＥＴモジュール６および８に電気接
続されている様子が図示されている。接触ピン４４は、
ゲート接続パッド２２およびソースセンスパッド２４か
ら上部回路基板４２への電気経路を設けるために使用さ
れる。接触ピン４４は、弾力性接触圧力が与えられるよ
うに曲線状として図示されているが、直線とすることも
できる。上部回路基板には外部コネクタ４６がマウント
され、ＭＯＳＦＥＴのゲートとソースセンスの外部接続
点となっている。
を示す。具体的には、上部回路基板４２が、接触ピン４
４によってＭＯＳＦＥＴモジュール６および８に電気接
続されている様子が図示されている。接触ピン４４は、
ゲート接続パッド２２およびソースセンスパッド２４か
ら上部回路基板４２への電気経路を設けるために使用さ
れる。接触ピン４４は、弾力性接触圧力が与えられるよ
うに曲線状として図示されているが、直線とすることも
できる。上部回路基板には外部コネクタ４６がマウント
され、ＭＯＳＦＥＴのゲートとソースセンスの外部接続
点となっている。
【００２９】図５に、モジュール２の組立てを示す。カ
バー４８が、ベース４と対向し、負端子１０、正端子１
２、共通端子１４、および外部コネクタ４６への外部ア
クセスを可能にするように配置される。
バー４８が、ベース４と対向し、負端子１０、正端子１
２、共通端子１４、および外部コネクタ４６への外部ア
クセスを可能にするように配置される。
【００３０】モジュールのインダクタンスは、共通端子
１４から負端子および正端子までの経路が可能な限り短
く維持される場合に、最小限になる。図１および図２に
示すように、本発明の装置における経路の長さは、２対
の３ＭＯＳＦＥＴデバイス１６を使用しながら、内燃機
関を始動させるのに必要な電流伝搬機能が得られるよう
にすることによって最小限にされる。モジュールのイン
ダクタンスは、本発明のデバイスにおいて、ゲート接続
パッド２２とソースセンスパッド２４を互いにできるだ
け近接して配置し、ワイヤボンドの長さをできるだけ短
く維持することによって、さらに少なくなる。
１４から負端子および正端子までの経路が可能な限り短
く維持される場合に、最小限になる。図１および図２に
示すように、本発明の装置における経路の長さは、２対
の３ＭＯＳＦＥＴデバイス１６を使用しながら、内燃機
関を始動させるのに必要な電流伝搬機能が得られるよう
にすることによって最小限にされる。モジュールのイン
ダクタンスは、本発明のデバイスにおいて、ゲート接続
パッド２２とソースセンスパッド２４を互いにできるだ
け近接して配置し、ワイヤボンドの長さをできるだけ短
く維持することによって、さらに少なくなる。
【００３１】モジュール２は以下のように組み立てられ
る。まず、ＭＯＳＦＥＴ回路基板６および８にＭＯＳＦ
ＥＴデバイス１６を装着する。この時点で、ＭＯＳＦＥ
Ｔ回路基板にはサーミスタなどの追加のデバイス（図示
せず）も装着される。次に、ＭＯＳＦＥＴデバイス１６
からＭＯＳＦＥＴ回路基板６および８上のそれぞれの接
触点へのワイヤボンド３０、３４、および３６を形成す
る。組み立てられたＭＯＳＦＥＴ回路基板６および８を
試験して適切な動作を保証した後、ベース２に装着す
る。端子１０、１２、および１４を上部回路基板４２と
共に（接触ピン４４を介して）、組立て済みＭＯＳＦＥ
Ｔ回路基板６および８に装着する。ベースにカバー４８
を取り付けて、モジュールをポッティングする（ｐｏｔ
ｔｅｄ）。
る。まず、ＭＯＳＦＥＴ回路基板６および８にＭＯＳＦ
ＥＴデバイス１６を装着する。この時点で、ＭＯＳＦＥ
Ｔ回路基板にはサーミスタなどの追加のデバイス（図示
せず）も装着される。次に、ＭＯＳＦＥＴデバイス１６
からＭＯＳＦＥＴ回路基板６および８上のそれぞれの接
触点へのワイヤボンド３０、３４、および３６を形成す
る。組み立てられたＭＯＳＦＥＴ回路基板６および８を
試験して適切な動作を保証した後、ベース２に装着す
る。端子１０、１２、および１４を上部回路基板４２と
共に（接触ピン４４を介して）、組立て済みＭＯＳＦＥ
Ｔ回路基板６および８に装着する。ベースにカバー４８
を取り付けて、モジュールをポッティングする（ｐｏｔ
ｔｅｄ）。
【００３２】図６に示すように、本発明の上述の実施形
態を試験し、約８．４ナノヘンリーの最大総パッケージ
インダクタンスになることがわかった。図６では、モジ
ュールが、３７００アンペア／マイクロ秒を超える電流
スルーレートをサポートすることができることが示され
ている。この低インダクタンスは、過酷な高頻度スイッ
チング期間中のデバイスにおける過電圧短絡を少なくす
るのに必要である。さらに、本発明のモジュールは、１
７キロワットの電力伝達を行い、始動モード時に３６ボ
ルトで４００アンペア（すなわち過渡電圧降下が１０ボ
ルト未満）、交流発電機モード時に５２ボルトで４００
アンペアをサポート可能であることが試験で確認され
た。したがって、本発明のモジュールは、４２ボルトの
環境、より具体的には４２ボルトの内燃機関スタータ／
交流発電機回路での使用に適合する。
態を試験し、約８．４ナノヘンリーの最大総パッケージ
インダクタンスになることがわかった。図６では、モジ
ュールが、３７００アンペア／マイクロ秒を超える電流
スルーレートをサポートすることができることが示され
ている。この低インダクタンスは、過酷な高頻度スイッ
チング期間中のデバイスにおける過電圧短絡を少なくす
るのに必要である。さらに、本発明のモジュールは、１
７キロワットの電力伝達を行い、始動モード時に３６ボ
ルトで４００アンペア（すなわち過渡電圧降下が１０ボ
ルト未満）、交流発電機モード時に５２ボルトで４００
アンペアをサポート可能であることが試験で確認され
た。したがって、本発明のモジュールは、４２ボルトの
環境、より具体的には４２ボルトの内燃機関スタータ／
交流発電機回路での使用に適合する。
【００３３】本発明のハーフブリッジモジュール２は、
インダクタンスがきわめて低い、コンパクトな（モジュ
ールの上述の実施形態の総高さ、すなわち厚さは０．７
５インチ（約１．９ｃｍ）未満である）高性能デバイス
を実現する。この低インダクタンスにより、モジュール
２は、内燃機関スタータ／発電機回路において適切に動
作するのに必要な電流および電流スルーレートをサポー
トすることができる。エンジン始動中のモジュールにお
ける過渡電圧降下は最小限に抑えられる。
インダクタンスがきわめて低い、コンパクトな（モジュ
ールの上述の実施形態の総高さ、すなわち厚さは０．７
５インチ（約１．９ｃｍ）未満である）高性能デバイス
を実現する。この低インダクタンスにより、モジュール
２は、内燃機関スタータ／発電機回路において適切に動
作するのに必要な電流および電流スルーレートをサポー
トすることができる。エンジン始動中のモジュールにお
ける過渡電圧降下は最小限に抑えられる。
【００３４】本発明についてその特定の実施形態に関し
て説明したが、他の多くの変形態様および変更と他の用
途も、当業者には明らかになるであろう。
て説明したが、他の多くの変形態様および変更と他の用
途も、当業者には明らかになるであろう。
【図１】本発明の低インダクタンスハーフブリッジモジ
ュールを示す上面図である。
ュールを示す上面図である。
【図２】本発明のＭＯＳＦＥＴ回路基板を示す透視図で
ある。
ある。
【図３】本発明の共通端子を示す透視図である。
【図４】低インダクタンスハーフモジュールを示す側面
図である。
図である。
【図５】低インダクタンスハーフブリッジモジュールを
示す組立て図である。
示す組立て図である。
【図６】モジュールの誘導特性を示すグラフを表す図で
ある。
ある。
２ ハーフブリッジモジュール ４ ベース ６ ＭＯＳＦＥＴ回路基板 ８ ＭＯＳＦＥＴ回路基板 １０ 負電圧端子 １２ 正電圧端子 １４ 共通端子 １６ ＭＯＳＦＥＴデバイス １８ ソースバス ２０ ドレインバス ２２ ゲート接続パッド ２４ ソースセンスパッド ２８ ソース接触子 ３２ ゲート接触子 ３４ ワイヤボンド ３６ ワイヤボンド ４２ 上部プリント回路基板 ４４ 接触ピン ４６ 外部コネクタ ４８ カバー
フロントページの続き (72)発明者 ウィリアム グラント アメリカ合衆国 92708 カリフォルニア 州 フォンテン ヴァレー ラ フォンダ サークル 10851 (72)発明者 ジョシュア ポラック アメリカ合衆国 91206 カリフォルニア 州 グレンデール イースト シェビー チェイス ドライヴ 2411
Claims (16)
- 【請求項１】 熱伝導ベースと、 各々が前記熱伝導ベース内で同一平面に沿って隣接して
配置された複数の下部回路基板と、 第１の表面を有し、当該第１の表面が前記複数の下部回
路基板にマウントされた、第１の表面を有する少なくと
も１つの半導体デバイスと、 前記複数の下部回路基板の各々に結合された平面部分を
有する共通端子と、 前記複数の下部回路基板と電気的に接触し、前記少なく
とも１つの半導体デバイスの駆動信号のための外部アク
セスを供給するコネクタを含む上部回路基板とを含む整
流モジュール。 - 【請求項２】 内燃機関スタータ／交流発電器回路用の
ハーフブリッジ整流モジュールであって、 熱伝導ベースと、 各々が前記熱伝導ベース内で同一平面に沿って隣接して
配置された複数の下部回路基板と、 第１の表面を有し、当該第１の表面が前記複数の下部回
路基板にマウントされた、第１の表面を有する少なくと
も１つのＭＯＳＦＥＴ半導体デバイスと、 前記複数の下部回路基板の各々に結合された平面部分を
有する共通端子と、 前記複数の下部回路基板と電気的に接触し、前記少なく
とも１つのＭＯＳＦＥＴ半導体デバイスの駆動信号のた
めの外部アクセスを供給するコネクタを含む上部回路基
板とを含むハーフブリッジ整流モジュール。 - 【請求項３】 熱伝導ベースと、 前記熱伝導ベース内に配置された下部回路基板と、 少なくとも１つのＭＯＳＦＥＴ半導体デバイスであっ
て、前記下部回路基板にマウントされたドレイン表面で
ある第１の表面と、前記第１の表面の反対側にあり、少
なくとも１つのＳ字形ワイヤボンドによって前記下部回
路基板に結合された第２の表面であって、前記下部回路
基板上の装着点が当該第２の表面上の装着点から角変位
された第２の表面とを有する少なくとも１つのＭＯＳＦ
ＥＴ半導体デバイスと、 前記下部回路基板に結合された平面部分を有する共通端
子と、 各々が前記下部回路基板に結合され、そこから異なる距
離に延びた複数の電圧端子と、 前記下部回路基板と電気的に接触し、前記少なくとも１
つのＭＯＳＦＥＴ半導体デバイスの駆動信号のための外
部アクセスを供給するコネクタを含む上部回路基板とを
含む整流モジュール。 - 【請求項４】 各々が前記複数の下部回路基板のうちの
異なる１つに結合された２つの電圧端子をさらに含む、
請求項１または２に記載のモジュール。 - 【請求項５】 前記２つの電圧端子が前記複数の下部回
路基板から異なる距離に延びた請求項４に記載のモジュ
ール。 - 【請求項６】 前記少なくとも１つの半導体デバイス
が、前記第１の表面の反対側に配置され、少なくとも１
つのワイヤボンドによって前記複数の下部回路基板のう
ちの１つに結合された第２の表面をさらに含む、請求項
１に記載のモジュール。 - 【請求項７】 前記上部回路基板と、前記複数の下部回
路基板のうちの１つとの間に電気接触を設けるために使
用される少なくとも１つの接触ピンをさらに含む、請求
項１または２に記載のモジュール。 - 【請求項８】 前記接触ピンが弾力性接触部を形成する
曲線部分を含む、請求項７に記載のモジュール。 - 【請求項９】 前記少なくとも１つの半導体デバイスが
ＭＯＳＦＥＴデバイスであり、前記第２の表面の装着点
がソース領域である、請求項６に記載のモジュール。 - 【請求項１０】 前記モジュールがハーフブリッジ整流
器を形成する請求項９に記載のモジュール。 - 【請求項１１】 前記モジュールが４２ボルトの内燃機
関スタータ／交流発電機回路内に実装された、請求項
２、３、または１０に記載のモジュール。 - 【請求項１２】 前記モジュールの総パッケージインダ
クタンスが約８．４ナノヘンリー未満である、請求項
１、２、または３に記載のモジュール。 - 【請求項１３】 前記モジュールの総厚さが約０．７５
インチ（約１．９ｃｍ）未満である、請求項１、２、ま
たは３に記載のモジュール。 - 【請求項１４】 前記少なくとも１つのＭＯＳＦＥＴ半
導体デバイスが、前記第１の表面の反対側に配置された
第２の表面をさらに含み、前記第２の表面が少なくとも
１つのワイヤボンドによって前記複数の下部回路基板の
うちの１つのに結合された、請求項２に記載のハーフブ
リッジ整流モジュール。 - 【請求項１５】 前記複数の下部回路基板のうちの１つ
上の装着点が前記第２の表面上の装着点から角変位され
るように前記少なくとも１つのワイヤボンドがＳ字形で
ある、請求項６または１４に記載のモジュール。 - 【請求項１６】 前記第２の表面の前記装着点がソース
領域である、請求項１５に記載のハーフブリッジ整流モ
ジュール。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11876199P | 1999-02-05 | 1999-02-05 | |
| US09/494,563 US6212087B1 (en) | 1999-02-05 | 2000-01-31 | Electronic half bridge module |
| US60/118761 | 2000-01-31 | ||
| US09/494563 | 2000-01-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000269414A true JP2000269414A (ja) | 2000-09-29 |
| JP3709116B2 JP3709116B2 (ja) | 2005-10-19 |
Family
ID=26816718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000029818A Expired - Fee Related JP3709116B2 (ja) | 1999-02-05 | 2000-02-07 | 電子ハーフブリッジモジュール |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6212087B1 (ja) |
| JP (1) | JP3709116B2 (ja) |
| DE (1) | DE10004196A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019140418A (ja) * | 2014-01-30 | 2019-08-22 | クリー ファイエットヴィル インコーポレイテッド | 薄型で高度に構成可能な電流共有並列化広バンドギャップ電力デバイス電力モジュール |
Families Citing this family (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6845017B2 (en) | 2000-09-20 | 2005-01-18 | Ballard Power Systems Corporation | Substrate-level DC bus design to reduce module inductance |
| US20020034088A1 (en) | 2000-09-20 | 2002-03-21 | Scott Parkhill | Leadframe-based module DC bus design to reduce module inductance |
| US7012810B2 (en) * | 2000-09-20 | 2006-03-14 | Ballard Power Systems Corporation | Leadframe-based module DC bus design to reduce module inductance |
| DE10054489A1 (de) * | 2000-11-03 | 2002-05-29 | Zf Sachs Ag | Leistungs-Umrichtermodul |
| EP1289014B1 (en) * | 2001-04-02 | 2013-06-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Power semiconductor device |
| DE20112595U1 (de) | 2001-07-31 | 2002-01-17 | Trw Automotive Electron & Comp | Gehäuse zur Aufnahme einer Leiterplatte mit elektronischen Bauteilen |
| DE10155111A1 (de) * | 2001-11-09 | 2003-05-22 | Bosch Gmbh Robert | Startvorrichtung für eine Brennkraftmaschine |
| DE10161178A1 (de) * | 2001-12-13 | 2003-07-10 | Aloys Wobben | Wechselrichter |
| DE10223035A1 (de) * | 2002-05-22 | 2003-12-04 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil mit Hohlraumgehäuse, insbesondere Hochfrequenz-Leistungsmodul |
| DE102004015654A1 (de) * | 2003-04-02 | 2004-10-21 | Luk Lamellen Und Kupplungsbau Beteiligungs Kg | Endstufe zum Ansteuern einer elektrischen Maschine |
| US7158395B2 (en) * | 2003-05-02 | 2007-01-02 | Ballard Power Systems Corporation | Method and apparatus for tracking maximum power point for inverters, for example, in photovoltaic applications |
| US7269036B2 (en) * | 2003-05-12 | 2007-09-11 | Siemens Vdo Automotive Corporation | Method and apparatus for adjusting wakeup time in electrical power converter systems and transformer isolation |
| US7505294B2 (en) * | 2003-05-16 | 2009-03-17 | Continental Automotive Systems Us, Inc. | Tri-level inverter |
| US6987670B2 (en) * | 2003-05-16 | 2006-01-17 | Ballard Power Systems Corporation | Dual power module power system architecture |
| US6906404B2 (en) * | 2003-05-16 | 2005-06-14 | Ballard Power Systems Corporation | Power module with voltage overshoot limiting |
| US7443692B2 (en) * | 2003-05-16 | 2008-10-28 | Continental Automotive Systems Us, Inc. | Power converter architecture employing at least one capacitor across a DC bus |
| US6933593B2 (en) * | 2003-08-14 | 2005-08-23 | International Rectifier Corporation | Power module having a heat sink |
| US7187551B2 (en) * | 2003-08-14 | 2007-03-06 | International Rectifier Corporation | Module for solid state relay for engine cooling fan control |
| US20050128706A1 (en) * | 2003-12-16 | 2005-06-16 | Ballard Power Systems Corporation | Power module with heat exchange |
| US7289329B2 (en) * | 2004-06-04 | 2007-10-30 | Siemens Vdo Automotive Corporation | Integration of planar transformer and/or planar inductor with power switches in power converter |
| US7295448B2 (en) * | 2004-06-04 | 2007-11-13 | Siemens Vdo Automotive Corporation | Interleaved power converter |
| US7180763B2 (en) * | 2004-09-21 | 2007-02-20 | Ballard Power Systems Corporation | Power converter |
| EP1805880A2 (en) * | 2004-10-20 | 2007-07-11 | Ballard Power Systems Corporation | Power system method and apparatus |
| JP2009512994A (ja) * | 2005-06-24 | 2009-03-26 | インターナショナル レクティファイアー コーポレイション | 低インダクタンスの半導体ハーフブリッジモジュール |
| EP2306634A3 (en) * | 2005-06-30 | 2015-04-29 | Continental Automotive Systems US, Inc. | Control system for electric drives |
| JP4561874B2 (ja) * | 2008-05-20 | 2010-10-13 | 株式会社豊田自動織機 | 電力変換装置 |
| JP5338932B2 (ja) * | 2011-07-26 | 2013-11-13 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
| US8637964B2 (en) * | 2011-10-26 | 2014-01-28 | Infineon Technologies Ag | Low stray inductance power module |
| KR101983160B1 (ko) * | 2013-11-29 | 2019-05-28 | 삼성전기주식회사 | 전력반도체 모듈 |
| EP3166144B1 (en) | 2014-07-03 | 2019-08-07 | Nissan Motor Co., Ltd | Half-bridge power semiconductor module and manufacturing method therefor |
| DE102014110617B4 (de) * | 2014-07-28 | 2023-05-04 | Infineon Technologies Ag | Leistungshalbleitermodulsystem mit hoher Isolationsfestigkeit und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitermodulanordnung mit einer hohen Isolationsfestigkeit |
| JP6293030B2 (ja) * | 2014-10-09 | 2018-03-14 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
| EP3226294B1 (en) * | 2014-11-28 | 2021-04-07 | Nissan Motor Co., Ltd. | Half-bridge power semiconductor module and method for manufacturing same |
| EP3246945B1 (en) * | 2016-05-19 | 2018-10-03 | ABB Schweiz AG | Power module with low stray inductance |
| WO2018202620A1 (en) | 2017-05-02 | 2018-11-08 | Abb Schweiz Ag | Half-bridge module with coaxial arrangement of the dc terminals |
| EP3481161A1 (en) | 2017-11-02 | 2019-05-08 | AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft | Component carrier with transistor components arranged side by side |
| JP7014073B2 (ja) * | 2018-07-18 | 2022-02-01 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 基板構造体 |
| FR3091461B1 (fr) * | 2019-01-02 | 2020-12-04 | Safran Electrical & Power | Module de distribution électrique compartimenté par des cloisons comportant des canaux de ventilation et/ou de passage de câbles de commande |
| JP7170272B2 (ja) * | 2019-03-27 | 2022-11-14 | ネクスファイ・テクノロジー株式会社 | パワー基板とそれを備えた高電圧モジュール |
| DE102020108916A1 (de) | 2020-03-31 | 2021-09-30 | Infineon Technologies Ag | Package mit Clip und Konnektor über elektronischen Komponenten |
| CN114088986A (zh) * | 2020-08-05 | 2022-02-25 | 华中科技大学 | 一种用于针状端子半桥型功率模块的动态测试板 |
| US11277128B1 (en) * | 2020-11-04 | 2022-03-15 | Switch Gear Automotive LLC | High current solid-state bidirectional relay |
| US11765815B2 (en) * | 2020-12-23 | 2023-09-19 | GM Global Technology Operations LLC | Printed circuit board based solid state relay |
| GB2619572A (en) * | 2022-06-08 | 2023-12-13 | Eaton Intelligent Power Ltd | Solid state circuit breaker |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6078501A (en) * | 1997-12-22 | 2000-06-20 | Omnirel Llc | Power semiconductor module |
| US6031730A (en) * | 1998-11-17 | 2000-02-29 | Siemens Automotive Corporation | Connector for electrically connecting circuit boards |
-
2000
- 2000-01-31 US US09/494,563 patent/US6212087B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-02-01 DE DE10004196A patent/DE10004196A1/de not_active Withdrawn
- 2000-02-07 JP JP2000029818A patent/JP3709116B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019140418A (ja) * | 2014-01-30 | 2019-08-22 | クリー ファイエットヴィル インコーポレイテッド | 薄型で高度に構成可能な電流共有並列化広バンドギャップ電力デバイス電力モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE10004196A1 (de) | 2000-08-10 |
| US6212087B1 (en) | 2001-04-03 |
| JP3709116B2 (ja) | 2005-10-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3709116B2 (ja) | 電子ハーフブリッジモジュール | |
| KR100430772B1 (ko) | 반도체장치 | |
| US6166464A (en) | Power module | |
| CN102184914B (zh) | 功率半导体模块和用于运行功率半导体模块的方法 | |
| US7227259B2 (en) | Low-inductance circuit arrangement for power semiconductor modules | |
| US7857509B2 (en) | Temperature sensing arrangements for power electronic devices | |
| US11127662B2 (en) | Semiconductor device | |
| US6278199B1 (en) | Electronic single switch module | |
| JPH0855956A (ja) | 駆動回路装置モジュール | |
| KR100820513B1 (ko) | 회로 장치 | |
| EP0609528A1 (en) | Low inductance semiconductor package | |
| JP2001036002A (ja) | 半導体装置 | |
| US20040095729A1 (en) | Non-isolated heatsink(s) for power modules | |
| JP2021114893A (ja) | 電子回路ユニット | |
| CN111212523A (zh) | 具有低寄生电感和低热阻的功率集成模块 | |
| JP4461639B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2002534050A (ja) | マトリックスコンバータ | |
| CN114709178A (zh) | 功率模块及其内部定位方法 | |
| KR20120073302A (ko) | 회로 장치 및 그의 제조 방법 | |
| US20240162123A1 (en) | Power semiconductor module and semiconductor device | |
| EP3376538B1 (en) | Semiconductor arrangement with controllable semiconductor elements | |
| JP3449217B2 (ja) | 半導体モジュール | |
| JPH06302734A (ja) | 電力用半導体モジュール | |
| US20240136343A1 (en) | Semiconductor module | |
| US20230335474A1 (en) | Semiconductor power module package having lead frame anchored bars |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041129 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041214 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050314 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050314 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050708 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050805 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080812 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |