JP2000268397A - 光ヘッド装置 - Google Patents

光ヘッド装置

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JP2000268397A
JP2000268397A JP11071464A JP7146499A JP2000268397A JP 2000268397 A JP2000268397 A JP 2000268397A JP 11071464 A JP11071464 A JP 11071464A JP 7146499 A JP7146499 A JP 7146499A JP 2000268397 A JP2000268397 A JP 2000268397A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 CD、DVD等の互換性を実現する光ヘッド
装置において、CD用半導体レーザや、DVD用半導体
レーザ、光検出器がそれぞれ別体であるため各々の位置
調整が必要であると共に温度変化や吸湿等によって相互
の位置関係に誤差を生じやすいという課題や、プリズム
ビームスプリッター、ハーフミラーを用いることによ
り、光伝達効率が低いという課題を有していた。 【解決手段】 波長λ1の半導体レーザ光源44と波長
λ2の半導体レーザチップと光検出器を一体に設けたL
D/PDモジュール45と波長λ1に対して反射率の偏
光異方性を有する偏光ビームスプリッター46と、波長
λ1に対して(λ1)/4板である波長板を備えること
により、波長λ1に対して光伝達効率を向上させるとと
もに、波長λ2については共通光路系を形成して信頼性
を向上させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク、光磁
気ディスク、光カードなどの光記憶媒体上の光学情報を
記録・再生する光ヘッド装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】高密度・大容量の記憶媒体として、ピッ
ト状パターンを有する光ディスクや、光相変化材料を用
いた光ディスク、または光磁気ディスクを用いる光メモ
リ技術は、ディジタルオーディオディスク、ビデオディ
スク、文書ファイルディスク、さらにはデータファイル
などに広く利用されている。この光メモリ技術では、情
報は微小に絞られた光ビームを介して光ディスクへ高い
精度と信頼性をもって記録再生される。この記録再生動
作は、ひとえにその光学系に依存している。
【0003】その光学系の主要部である光ヘッド装置の
基本的な機能は、回折限界の微小スポットを形成する収
束、前記光学系の焦点制御とトラッキング制御及びピッ
ト信号の検出、に大別される。これらの機能は、その目
的と用途に応じて各種の光学系と光電変換検出方式の組
み合わせによって実現されている。
【0004】一方、近年、DVDと称する高密度・大容
量の光ディスクが実用化され、動画のような大量の情報
を扱える情報媒体として脚光を浴びている。このDVD
光ディスクは従来の光ディスクであるコンパクトディス
ク(以下CDと略記する)等と比較して記録密度を大き
くするために、情報記録面でのピットサイズを小さくし
ている。従ってDVD光ディスクを記録再生する光ヘッ
ド装置に於いては、スポット径を決定する光源の波長
や、収束レンズの開口数(NumericalAper
ture:以下NAと略記する)がCD等の場合と異な
っている。因みに、CD等では、光源の波長は略0.7
8μm、NAは略0.45であるのに対し、DVD光デ
ィスクでは光源の波長は略0.63〜0.65μm、N
Aは略0.6である。従って、CDとDVD光ディスク
の2種類の光ディスクを一つの光ディスクドライブで記
録再生しようとすると、2つの光学系を有する光ヘッド
装置が必要になる。一方、光ヘッド装置の小型化、薄型
化、低コスト化の要求からは、CDとDVDの光学系は
できる限り共用化する方向にあり、たとえば、光源はC
D用とDVD用の2個の光源を用いるが、収束用レンズ
と光検出器は共用化して収束用レンズのNAだけをDV
D光ディスクの時は大きく、CDの時には小さくするよ
うに機械的または、光学的に変えるなどの方式がとられ
ている。
【0005】以下、上述した光ヘッド装置について図面
を参照しながら説明する。
【0006】図11は従来の光ヘッド装置の光学系構成
を示すものである。図11において101は第1の半導
体レーザであって、波長は略0.78μmである。10
2は第2の半導体レーザであって、波長は略0.65μ
mである。103はプリズムビームスプリッター、10
4はハーフミラー、105は集光光学系であってNAは
0.6である。106は第1の収束光であって、第1の
半導体レーザ101の出射光を集光光学系105によっ
て集光した光である。107は第2の収束光であって第
2の半導体レーザ102の出射光を集光光学系105に
よって集光した光である。108はCD、109はDV
Dであり、それぞれ基材厚が1.2mmと0.6mmの
光記憶媒体である。以上のように構成された光ヘッド装
置について、以下その動作について説明する。図11に
おいて便宜上CD108とDVD109を同時に記載し
ているが実際にはどちらかのディスクがあるだけであ
る。先ず、CD108を再生する場合について説明す
る。第1の半導体レーザ101から出射した光はプリズ
ムビームスプリッター103によって光路を分岐され一
部の光が集光光学系105に入射する。集光光学系10
5は図示しない波長選択フィルターによって覆われてお
り、集光光学系のNAにして0.45以下の範囲だけが
第1の半導体レーザ101の光を透過する。従って集光
光学系105に入射した光は第1の収束光106とな
り、CD108の記録面上に集光スポットを形成する。
次に記録面によって反射された光は集光光学系105と
プリズムビームスプリッター103及びハーフミラー1
04を透過して光検出器110に到達し、電気信号に変
換される。次にDVD109を再生する場合について説
明する。第2に半導体レーザ102から出射した光はハ
ーフミラー104によって光路を分岐され一部の光がプ
リズムビームスプリッター103を経由して集光光学系
105に入射する。集光光学系105に付随する図示し
ない波長選択フィルターは第2の半導体レーザ102の
光に対しては透明になるように設計されており、集光光
学系に入射した光はNA0.6の全面を透過さて第2の
収束光107となり、DVD109の記録面上に集光ス
ポットを形成する。記録面によって反射された光はCD
の場合と同様に光検出器110に到達して電気信号に変
換される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、第1の半導体レーザ101や、第2の半
導体レーザ102、光検出器110がそれぞれ別体であ
るため各々の位置調整が必要であると共に温度変化や吸
湿等によって相互の位置関係に誤差を生じやすいという
課題や、プリズムビームスプリッター、ハーフミラーを
用いることにより、光伝達効率が低いという課題を有し
ていた。
【0008】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に請求項1記載の発明はN≧2なるN個の光源と前記N
個の光源の出射光を合成する光合波器と、前記出射光を
光記憶媒体に集光する集光光学系と、前記光記憶媒体に
よって反射された反射光を検出し且つ、前記N個の光源
の内、M<NなるM個の光源と一体に構成されたL≦N
なるL個の光検出器という構成を備えた光ヘッド装置で
ある。
【0009】請求項2記載の発明は、それぞれ異なる波
長を有する3個の光源と、前記3個の光源の出射光を合
成する2個の光合波器と、前記出射光を光記憶媒体に集
光する集光光学系と、前記光記憶媒体によって反射光を
検出し且つ、前記3個の光源の内、1個の光源と一体に
構成された1個の光検出器と、前記光検出器上に配置さ
れた、波長によって切り替えて用いられる複数の光検出
領域とを備えた光ヘッド装置である。
【0010】請求項3記載の発明はそれぞれ異なる波長
λ1、λ2、λ3を有する3個の光源と、前記3個の光
源の内λ1の波長に対して反射率が高く、λ2とλ3の
波長に対しては反射率が低いダイクロイックミラーと前
記λ2とλ3の波長の内、少なくともλ2の波長に対し
て偏光異方性を有する偏光ビームスプリッターと前記ダ
イクロイックミラーと前記偏光ビームスプリッターによ
って合波された出射光を光記憶媒体に集光する集光光学
系と、前記偏光ビームスプリッターと前記光記憶媒体の
間に設けられた、λ2に対してはλ2/4板として作用
し、λ1、λ2に対してはその作用は不定の波長板と、
前記光記憶媒体によって反射された反射光を検出し且
つ、前記3個の光源の内、2個の光源と一体に構成され
た2個の光検出器とからなる光ヘッド装置である。
【0011】請求項4記載の発明はそれぞれ異なる波長
λ1、λ2を有する2個の光源と、前記2個の光源の
内、少なくともλ1の波長に対して偏光異方性を有する
偏光ビームスプリッターと前記偏光ビームスプリッター
によって合波された出射光を光記憶媒体に集光する集光
光学系と、前記偏光ビームスプリッターと前記光記憶媒
体の間に設けられた、λ1に対してはλ1/4板として
作用し、λ2に対してはその作用は不定の波長板と、前
記光記憶媒体によって反射された反射光を検出し且つ、
前記2個の光源の内、1個の光源と一体に構成された1
個の光検出器とからなる光ヘッド装置である。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図1から図6を用いて説明する。
【0013】(実施の形態1)図1は本発明の第1の実
施の形態の光ヘッド装置の光学系構成を示す図であっ
て、1は第1の半導体レーザであって、波長は略0.7
8μmである。11のLD/PDモジュールは第2の半
導体レーザと光検出器PDのモジュールであって、波長
は略0.65μmである。3はプリズムビームスプリッ
ター、5は集光光学系であってNAは0.6である。6
は第1の収束光であって、第1の半導体レーザ1の出射
光を集光光学系5によって集光した光である。7は第2
の収束光であって第2の半導体レーザ11の出射光を集
光光学系5によって集光した光である。
【0014】12はホログラム素子、13は+1次回折
光と14は−1次回折光である。8はCD、9はDVD
のディスクであり、それぞれ基材厚が1.2mmと0.
6mmの光記憶媒体であり、説明の便宜上1枚のディス
クのように図示しているが、実際はそれぞれ厚さの異な
る媒体である。
【0015】以上のように構成された光ヘッド装置につ
いて、以下その動作について説明する。
【0016】図11と構成が大きく異なるのは、11の
LD/PDモジュールと12のホログラム素子と13の
+1次回折光と14の−1次回折光である。+1次回折
光13及び−1次回折光14は,ホログラム素子12に
よって回折されLD/PDモジュール11に入射する光
である。LD/PDモジュール11とホログラム素子1
2についてそれぞれ図2と図3を用いて詳述する。図2
はLD/PDモジュール11の構成を示す図であり、図
2において15はシリコン基板である。16は半導体レ
ーザチップであり、シリコン基板15をエッチングして
形成されるピット部に設けられている。半導体レーザチ
ップの出射光の波長は略0.65μmである。17は立
ち上げミラーであり、半導体レーザチップ16の設けら
れているピット部の側面を利用して形成されており、半
導体レーザ16の出射光は立ち上げミラー17によって
シリコン基板15の表面に対して垂直に出射する。18
〜24は検出領域であって光を電気信号に変換する。図
3はホログラム素子12の上面図であり、12はホログ
ラム素子、25はホログラムパターンであってホログラ
ム素子12上にフォトリソグラフィなどによってパター
ン作成されたものである。ホログラムパターン25は図
3に示すように領域A1から領域D2まで分割されてい
る。図1から図3を用いて第1の実施の形態の光ヘッド
装置の動作を説明する。図1において第1の半導体レー
ザ1から出射したレーザ光はプリズムビームスプリッタ
ー3によって一部反射されホログラム素子12を透過し
て集光光学系5によって第1の収束光6となりCD8の
記録面上に集光スポットを形成する。CD8の記録面に
よって反射された光は集光光学系5を透過した後、ホロ
グラム素子12によって回折され+1次回折光13と−
1次回折光14に分離されてLD/PDモジュール11
に入射する。ホログラム素子12は図3に示すように領
域分割されており、各領域ごとに回折光を発生するが図
1においては各領域から発生する+1次回折光をまとめ
て+1次回折光13と記載し、各領域の−1次回折光を
まとめて−1次回折光14と記している。LD/PDモ
ジュール11に入射した回折光はそれぞれ検出領域18
〜24によって検出される。信号検出について図4を用
いて説明する。図4はLD/PDモジュール上の回折光
を示す図であって図2と同一物については同一番号を付
して説明を省略する。図4に於いて13a、13a’〜
13d、13d’はそれぞれ+1次回折光スポットであ
り、図1に示した+1次回折光13が図3に示したホロ
グラム素子12によって分割されたものである。+1次
回折光スポット13aは図3に示したホログラムパター
ン25において領域A1から発生する+1次回折光に対
応しており、+1次回折光スポット13a’は同様に領
域A2から発生する+1次回折光に対応する。同様に+
1次回折光スポット13b、13b’、13c、13
c’、13d、13d’はそれぞれホログラムパターン
25の領域B1、B2、C1、C2、D1、D2から発
生する+1次回折光に対応する。領域A1、B1、C
1、D1において回折された回折光の焦点位置と、領域
A2、B2、C2、D2において回折された回折光の焦
点位置は、光軸方向に沿ってシリコン基板15に対して
対称になるよう設定されている。また、−1次回折光ス
ポット14a、14a’、14b、14b’、14c、
14c’、14d、14d’もそれぞれホログラムパタ
ーン25の領域A1、A2、B1、B2、C1、C2、
D1、D2から発生する−1次回折光に対応する。フォ
ーカスエラー信号の検出方法はたとえば、特開平2−1
85722号公報に開示されている公知のSSD(スポ
ットサイズ検出)法であり、検出領域19と検出領域2
0の出力の和をFE1で示し、検出領域18と検出領域
21の出力の和をFE2で示すとフォーカスエラー信号
は検出領域の出力FE1とFE2の差(FE1−FE
2)によって得られ、フォーカスエラー信号が0になる
ように集光光学系5を微動することによって集光光学系
5の焦点位置とCD8の情報記録面の位置を一致させる
ことが可能となる。またトラッキングエラー信号の検出
方式は公知の位相差検出方式を用いて、検出領域22、
23、24、25の信号を演算することによって得られ
る。次に、LD/PDモジュール11から出射したレー
ザ光はプリズムビームスプリッター3とホログラム素子
12を透過して集光光学系5によって第2の収束光7と
なりDVD9の記録面上に集光スポットを形成する。D
VD9の記録面によって反射された光は集光光学系5を
透過した後、ホログラム素子12によって回折され+1
次回折光13と−1次回折光14に分離されてLD/P
Dモジュール11に戻る。信号検出は上述したCDの再
生の説明と同様である。上述の説明と異なるのはDVD
再生の場合には光源波長が短くなるため+1次回折光1
3や−1次回折光14の回折角が小さくなり、+1次回
折光スポットや−1次回折光スポットの位置が半導体レ
ーザチップ16よりにずれることであり、検出領域18
〜24はこれらのずれが生じた場合でもフォーカスエラ
ー信号やトラッキングエラー信号が正常にとれるように
形成されている。具体的には検出領域18〜21は領域
の長手方向が+1次回折光13の回折方向に平行になっ
ており、検出領域22〜25は−1次回折光14の回折
角が変化したときに−1次回折光スポットが検出領域か
ら飛び出さないように設計されている。以上のように構
成することにより、本実施の形態に於いてはLD/PD
モジュール11に於いて半導体レーザチップ16と光検
出器とが一体に構成されているため、相互の位置関係が
ずれにくく、信頼性の高い光ヘッド装置が構成できた。
また、第1の半導体レーザ1に対する光検出器と半導体
レーザチップ16に対する光検出器を共用化したため、
部品点数を低減することが出来た。
【0017】(実施の形態2)図5は本発明の第2の実
施の形態の光ヘッド装置の構成を示す図であって、図1
と同一物については同一番号を付して説明を省略する。
25はLD/PDモジュールであってLD/PDモジュ
ール11と同様の構成を有しており、波長は例えば0.
44μmである。26、27,28はコリメータレンズ
であり、それぞれLD/PDモジュール25の出射光と
第1の半導体レーザの出射光とLD/PDモジュール1
1の出射光とを平行光に変換する。29はプリズムビー
ムスプリッターであり、LD/PDモジュール25の出
射光とプリズムビームスプリッター3で合波された光と
を合波する。30は対物レンズであり、コリメータレン
ズ26、27、28と組合わさって集光光学系を構成す
る。31はホログラム素子であり、LD/PDモジュー
ル25と組で信号検出を行う。32もホログラム素子で
あり、第1の半導体レーザ1とLD/PDモジュール1
1と組で信号検出を行う。33は記憶媒体である。以
下、第2の実施の形態の光ヘッド装置の動作について図
5を用いて説明する。第1の半導体レーザ1から出射し
たレーザ光はコリメータレンズ27によって平行光に変
換された後、プリズムビームスプリッター3によって一
部反射され、プリズムビームスプリッター29を一部透
過して対物レンズ30によって記憶媒体33に集光され
る。記憶媒体33によって反射された光は対物レンズ3
0を透過し、プリズムビームスプリッター29、3を一
部透過してコリメーターレンズ28によって集光され、
ホログラム素子32によって回折され、LD/PDモジ
ュール11内の光検出器によって第1の実施の形態で述
べたのと同様に信号検出される。次に、LD/PDモジ
ュール11から出射したレーザ光はホログラム素子32
を一部透過し、コリメータレンズ28によって平行光に
変換された後プリズムビームスプリッター3とプリズム
ビームスプリッター29とを一部透過して対物レンズ3
0によって記憶媒体33の記録面上に集光スポットを形
成する。記憶媒体33の記録面によって反射された光は
対物レンズ30を透過した後、プリズムビームスプリッ
ター29とプリズムビームスプリッター3とを一部透過
しコリメータレンズ28によって集光され、ホログラム
素子32によって回折され、LD/PDモジュール11
内の光検出器によって第1の実施の形態で述べたのと同
様に信号検出される。次に、LD/PDモジュール25
から出射したレーザ光はホログラム素子31を一部透過
し、コリメータレンズ26によって平行光に変換された
後プリズムビームスプリッター29によって一部反射し
て対物レンズ30によって記憶媒体33の記録面上に集
光スポットを形成する。記憶媒体33の記録面によって
反射された光は対物レンズ30を透過した後、プリズム
ビームスプリッター29によって一部反射されコリメー
タレンズ26によって集光され、ホログラム素子32に
よって回折され、LD/PDモジュール25内の光検出
器によって第1の実施の形態で述べたのと同様に信号検
出される。
【0018】(実施の形態3)図6は本発明の第3の実
施の形態の光ヘッド装置の構成を示す図であって、図5
と同一物については同一番号を付して説明を省略する。
34はLD/PDモジュールであってLD/PDモジュ
ール11と同様の構成を有しているが、光検出領域の配
置が異なっている。波長は例えば0.78μmである。
35は第2の半導体レーザであり、波長は略0.44μ
mである。実施の形態3の動作に於いて実施の形態2と
異なるのは光検出器が1個であることであり、第2の半
導体レーザ35から出射した光はプリズムビームスプリ
ッター29で一部反射した後、対物レンズ30によって
記憶媒体33に集光される。記憶媒体33によって反射
された光は対物レンズ30を透過した後、プリズムビー
ムスプリッター29及び、プリズムビームスプリッター
3を透過してコリメータレンズ28によって集光され、
ホログラム素子31によって回折されてLD/PDモジ
ュール34内の光検出器によって信号検出される。本実
施の形態に於いては0.44〜0.78μmの光がホロ
グラム素子31によって回折されるため回折角が大きく
異なり、光検出器上でプラス、マイナス1次回折光スポ
ットが大きく移動する。図7はLD/PDモジュール3
4上の回折光を示す図であって図7に於いて図4と同一
物については同一番号を付して説明を省略する。図4と
異なるのは光検出領域36、37が増えたことである。
38a、38a’〜38d、38d’は+1次回折光ス
ポットであり、39a、39a’〜39d、39d’は
−1次回折光スポットである。図7(a)は回折光の波
長が0.44μmの時のプラス、マイナス1次回折光ス
ポットの配置を示しており、図7(b)は回折光の波長
が0.78μmの時のプラス、マイナス1次回折光スポ
ットの配置を示している。回折光の波長が0.78μm
の時には回折角が大きくなるので−1次回折光スポット
39a〜39d’検出領域23、24、36、37に入
る。図7(a)の時にはトラッキングエラー信号は検出
領域22、23、24、25の信号を演算することによ
り検出し、図7(b)の時にはトラッキングエラー信号
は23、24、36、37の信号を演算することによ
り、検出する。波長0.65μmの時の回折光スポット
は図7(b)から少しずれるだけであるのでトラッキン
グエラー信号は22、23、24、25の信号から得ら
れる。
【0019】(実施の形態4)図8は本発明の第4の実
施の形態の光ヘッド装置の構成を示す図であって、図5
と同一物については同一番号を付して説明を省略する。
図8に於いて図5と異なるのはプリズムビームスプリッ
ターの代わりに40の偏光ビームスプリッターと41の
ダイクロイックミラーと42の波長板が入っていること
である。また、第1の半導体レーザ1の出射光は偏光ビ
ームスプリッター40に対してP偏光として入射するよ
うに配置されている。偏光ビームスプリッター40は第
1の半導体レーザ1の波長に対し偏光異方性を有してお
り、P偏光は99%透過し、S偏光は99%反射する。
偏光ビームスプリッター40はLD/PDモジュール1
1の光に対しては偏光異方性を有しておらず、99%反
射する。ダイクロイックミラー41はLD/PDモジュ
ール25の光に対して99%の反射率を有し、第1の半
導体レーザ1とLD/PDモジュール25の光に対して
は99%の透過率を有している。波長板42は第1の半
導体レーザ1の波長に対しλ/4板として作用し、LD
/PDモジュール11及び25に対してはλ/4板以外
の波長板として作用する。以下、第4の実施の形態の光
ヘッド装置の動作について図8を用いて説明する。第1
の半導体レーザ1から出射したレーザ光はコリメータレ
ンズ27によって平行光に変換された後、偏光ビームス
プリッター40を透過し、ダイクロイックミラー41を
透過して波長板42を透過する。この時、波長板42の
特性により、透過光は円偏光になる。この円偏光は対物
レンズ30によって記憶媒体33に集光される。記憶媒
体33によって反射された光は対物レンズ30を透過
し、再度波長板42を透過する際に直線偏光に戻るが、
往路とは偏光面が90度回転している。反射光はダイク
ロイックミラー41を透過して偏光ビームスプリッター
40に入射するがS偏光になっているので、99%反射
し、コリメーターレンズ28によって集光され、ホログ
ラム素子32によって回折され、LD/PDモジュール
11内の光検出器によって第1の実施の形態で述べたの
と同様に信号検出される。次に、LD/PDモジュール
11から出射したレーザ光はホログラム素子32を一部
透過し、コリメータレンズ28によって平行光に変換さ
れた後、偏光ビームスプリッター40で反射され、ダイ
クロイックミラー41と波長板42を透過して対物レン
ズ30によって記憶媒体33の記録面上に集光スポット
を形成する。記憶媒体33の記録面によって反射された
光は対物レンズ30を透過した後、波長板42とダイク
ロイックミラー41を透過した後、偏光ビームスプリッ
ター40で反射されてコリメータレンズ28によって集
光され、ホログラム素子32によって回折され、LD/
PDモジュール11内の光検出器によって第1の実施の
形態で述べたのと同様に信号検出される。次に、LD/
PDモジュール25から出射したレーザ光はホログラム
素子31を一部透過し、コリメータレンズ26によって
平行光に変換された後ダイクロイックミラー41によっ
て99%反射して波長板42を透過し、対物レンズ30
によって記憶媒体33の記録面上に集光スポットを形成
する。記憶媒体33の記録面によって反射された光は対
物レンズ30及び、波長板42を透過した後、ダイクロ
イックミラー41によって99%反射されコリメータレ
ンズ26によって集光され、ホログラム素子32によっ
て回折され、LD/PDモジュール25内の光検出器に
よって第1の実施の形態で述べたのと同様に信号検出さ
れる。
【0020】(実施の形態5)図9は本発明の第5の実
施の形態の光ヘッド装置の構成を示す図であって、図1
と同一物については同一番号を付して説明を省略する。
図9に於いて44は第1の半導体レーザであって波長は
略0.65μmである。45はLD/PDモジュールで
あり、波長は略0.78μmである。46は偏光ビーム
スプリッターであり、47は波長板である。波長板47
は厚さ約0.53mmの水晶板であって0.65μmの
波長に対しては5λ/4板で0.78μmの波長に対し
てはλ板になるように設計されている。第5の実施の形
態の光ヘッド装置について図9及び図10を用いてその
動作を説明する。図10は偏光ビームスプリッター46
の透過率を示す図であり、横軸に設計波長λに対する入
射波長λ0の割合を、縦軸にP偏光とS偏光の透過率を
示している。本実施の形態に於いては偏光ビームスプリ
ッター46の設計波長は0.7μmとした。CD8やD
VD9の再生は第1の実施の形態と同様であり、説明を
省略する。第1の実施の形態と異なるのは偏光を利用す
ることであり、第1の半導体レーザ44から出射する光
は偏光ビームスプリッター46に対してS偏光として入
射するように配置されており、図10から判るように約
89%の光量が反射されて波長板47に入射する。波長
板47は第1の半導体レーザ44の波長0.65μmに
対しては5λ/4板になっているので往復でλ/2板と
同等の作用をもち、DVD9から反射して偏光ビームス
プリッター46に入射する光は偏光面が90度回転して
P偏光になるため、透過率は約96%となる。従って第
1の半導体レーザ44からLD/PDモジュール45へ
伝搬する光の伝達効率は約85%となり、高い効率が得
られる。また、LD/PDモジュール45から出射する
光は偏光ビームスプリッター46に対してP偏光として
入射するように配置されており、図6から判るように約
72%の光が透過して波長板47に入射する。波長板4
7はLD/PDモジュール45の波長0.78μmに対
してはλ板になっているため偏光面は一定のままであ
る。従ってCD8から反射して偏光ビームスプリッター
46に入射する光の透過率も約72%であり、往復の伝
達効率は約52%となる。偏光ビームスプリッター46
の代わりにハーフミラーを用いた場合の往復の伝達効率
は約25%であるので、およそ2倍の効率が得られる。
【0021】なお、第1の実施の形態に於いてLD/P
Dモジュール11の光検出器は共用化したが、例えば青
色レーザを用いる場合などは、各光源ごとに最適な波長
感度や形状を有する光検出器を複数種、LD/PDモジ
ュール11に一体化しても良い。この場合、部品点数の
低減は出来ないが、高信頼性は維持できる。
【0022】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、光源と光
検出器が一体化されている光学系では共通光路系になる
ため種々の外乱に対して位置ずれが起こりにくく、信頼
性を高くできる。また、光源と光検出器が別体である光
学系でも光検出器の共用化をすることにより部品点数を
低減できる。さらに、光合波器の反射率の波長依存性や
偏光異方性を利用することにより、光伝達効率の高い光
学系を実現できるという顕著な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施の形態の光ヘッド装置の光学系構成
を示す図
【図2】LD/PDモジュール11の構成を示す図
【図3】ホログラム素子12の上面図
【図4】LD/PDモジュール上の回折光を示す図
【図5】本発明の第2の実施の形態の光ヘッド装置の構
成を示す図
【図6】本発明の第3の実施の形態の光ヘッド装置の構
成を示す図
【図7】LD/PDモジュール上の回折光を示す図
【図8】本発明の第4の実施の形態の光ヘッド装置の構
成を示す図
【図9】本発明の第5の実施の形態の光ヘッド装置の構
成を示す図
【図10】偏光ビームスプリッター46の透過率を示す
【図11】従来の光ヘッド装置の光学系構成を示す図
【符号の説明】
1 第1の半導体レーザ 3 プリズムビームスプリッター 5 集光光学系 6 第1の収束光 7 第2の収束光 8 CD 9 DVD 11 LD/PDモジュール 12 ホログラム素子 13 +1次回折光 14 −1次回折光

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】L、M、Nは自然数であって、N≧2なる
    それぞれ異なる波長を有するN個の光源と前記N個の光
    源の出射光を合成するN−1個の光合波器と、前記出射
    光を光記憶媒体に集光する集光光学系と、前記光記憶媒
    体によって反射された反射光を検出し且つ、前記N個の
    光源の内、M<NなるM個の光源と一体に構成されたL
    ≦NなるL個の光検出器とからなる光ヘッド装置。
  2. 【請求項2】それぞれ異なる波長を有する3個の光源
    と、前記3個の光源の出射光を合成する2個の光合波器
    と、前記出射光を光記憶媒体に集光する集光光学系と、
    前記光記憶媒体によって反射光を検出し且つ、前記3個
    の光源の内、1個の光源と一体に構成された1個の光検
    出器と、前記光検出器上に配置された、波長によって切
    り替えて用いられる複数の光検出領域とからなる光ヘッ
    ド装置。
  3. 【請求項3】それぞれ異なる波長λ1、λ2、λ3を有
    する3個の光源と、前記3個の光源の内λ1の波長に対
    して反射率が高く、λ2とλ3の波長に対しては反射率
    が低いダイクロイックミラーと前記λ2とλ3の波長の
    内、少なくともλ2の波長に対して偏光異方性を有する
    偏光ビームスプリッターと前記ダイクロイックミラーと
    前記偏光ビームスプリッターによって合波された出射光
    を光記憶媒体に集光する集光光学系と、前記偏光ビーム
    スプリッターと前記光記憶媒体の間に設けられた、λ2
    に対してはλ2/4板として作用し、λ1、λ2に対し
    てはその作用は不定の波長板と、前記光記憶媒体によっ
    て反射された反射光を検出し且つ、前記3個の光源の
    内、2個の光源と一体に構成された2個の光検出器とか
    らなる光ヘッド装置。
  4. 【請求項4】それぞれ異なる波長λ1、λ2を有する2
    個の光源と、前記2個の光源の内、少なくともλ1の波
    長に対して偏光異方性を有する偏光ビームスプリッター
    と前記偏光ビームスプリッターによって合波された出射
    光を光記憶媒体に集光する集光光学系と、前記偏光ビー
    ムスプリッターと前記光記憶媒体の間に設けられた、λ
    1に対してはλ1/4板として作用し、λ2に対しては
    その作用は不定の波長板と、前記光記憶媒体によって反
    射された反射光を検出し且つ、前記2個の光源の内、1
    個の光源と一体に構成された1個の光検出器とからなる
    光ヘッド装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7586827B2 (en) 2003-10-27 2009-09-08 Konica Minolta Opto, Inc. Optical pickup apparatus
US7787348B2 (en) 2002-09-16 2010-08-31 Nec Corporation Optical head apparatus and optical information recording or reproducing apparatus

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