JP2000262954A - 可撓性支持体の表面付着物除去装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 耐久性に優れ安価な、より小さな付着物を取
り除くことができるウエブの表面付着物除去装置を提供
する。 【解決手段】 本発明の可撓性支持体の表面付着物除去
装置１０は、溶剤Ｓを塗着されたウエブＷに押しつけ
て、ウエブＷ表面の付着物Ｐを溶剤もろとも掻き落とす
ブレード１１を備えている。ブレード１１の先端部表面
には、硬質カーボン膜が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、各種写真フィルム
や印画紙、磁気記録媒体等の、イメージあるいはデータ
を記録する記録媒体の製造時に、可撓性支持体の表面に
付着した異物の除去を行う装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、可撓性支持体（以下「ウエブ」と
いう）の表面付着物を除去する方法として、ウエブに不
織布やブレード等の捕捉手段を押しつけることにより付
着物を捕捉する方法や、清浄度の良好な空気をウエブに
高速であてて付着物を吹き飛ばす方法が知られている。
これらはいずれも乾式の除去方法である。これに対して
湿式の除去方法としては、特開昭６２−６５８７２号公
報に開示されているように、走行するウエブに溶剤を塗
布した後、ブレードによって溶剤を付着物もろとも掻き
落とす方法が知られている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで近年、磁気テ
ープ等の磁気記録媒体においては、記録の高密度化が望
まれており、記録波長が短くなる傾向がある。このとき
磁性層が厚いと、記録時の自己減磁損失、および再生時
の厚み損失が大きくなってしまうため、磁性層は薄層化
されてきている。そして磁性層の薄層化に伴って、従来
の付着物除去技術では取り除くことのできなかった、よ
り小さな付着物も除去する必要が生じてきている。

【０００４】特開昭６２−６５８７２号公報には、湿式
の付着物除去装置において、ブレードの、ウエブに対向
する面の曲率半径を２〜３０ｍｍとすることが記載され
ている。このようにブレード先端の曲率を小さくする
と、付着物除去性能は向上するものの、ブレードにかか
る面圧が増大し、ブレードが損傷し易くなってしまう。
また同公報に記載されているように、ブレードの材質と
して超硬材質を用いればブレードの耐久性を上げること
もできるが、このような硬い材質を、曲率の小さいブレ
ード先端形状に精度良く仕上げることは困難であり、コ
ストアップを招いてしまう。

【０００５】本発明は以上のような背景に基づいてなさ
れたものであって、その目的は、耐久性に優れかつ安価
であって、従来の付着物除去装置では除去しきれなかっ
た、より小さな付着物を取り除くことができるウエブの
表面付着物除去装置を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明に係る前記目的
は、表面に付着物を有する可撓性支持体に、溶剤が塗布
された後に押しつけて前記溶剤及び付着物を掻き落とす
ブレードを備えた可撓性支持体の表面付着物除去装置に
おいて、前記ブレードの、前記溶剤及び付着物を掻き落
とす箇所に硬質カーボン膜を設けたことを特徴とするウ
エブの表面付着物除去装置よって達成される。

【０００７】ここでブレードの形状は限定されないが、
ウエブに対向する面（先端面）が一湾曲面に形成されて
いる場合、その曲率半径が２ｍｍ以下であることが好ま
しい。硬質カーボン膜とは、スパッタカーボン膜や、ダ
イヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜等のことをい
う。スパッタカーボン膜及びＤＬＣ膜の詳細は後述す
る。

【０００８】このような構成のウエブの表面付着物除去
装置によれば、ブレード先端面の曲率半径が小さく且つ
損傷しにくいブレードを安価に得ることができ、従来の
除去装置では除去しきれなかった、より小さな付着物を
取り除くことができる。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図１に、本発明の実施形態である付
着物除去装置１０を示す。同図に示すように、ここでは
付着物除去装置１０に、磁性液等の塗布液Ｌをウエブに
塗着する構成が一体化されている。したがって、付着物
除去装置１０は塗布装置であるともいえる。

【００１０】ここでウエブＷとは、一般に、その幅が
０．３〜１ｍ、長さが４５〜１００００ｍ、厚さが２〜
２００μｍのポリエチレンテレフタレート、ポリエチレ
ン−２，６−ナフタレート、セルロースダイアセテー
ト、セルローストリアセテート、セルロースアセテート
プロピオネート、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデ
ン、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド等のプ
ラスチックフィルム；紙；ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、エチレンブテン共重合体等の炭素数が２〜10のα−
ポリオレフィン類を塗布又はラミネートした紙；アルミ
ニウム、銅、錫等の金属箔；等からなる可撓性帯状物あ
るいは該帯状物を基材としてその表面に加工層を形成し
た帯状物等のことをいう。

【００１１】図１に示すように、複数の搬送ローラ２０
がウエブＷを図中矢印Ｘ方向に移送する。そして付着物
除去装置１０の上流側に配置された、ここではエクスト
ルージョン型ヘッド部を有するものとして示されている
溶剤プレコート手段２１が、ウエブＷに溶剤Ｓを塗着す
る。なお、溶剤プレコート手段２１としてはロールコー
タを用いることもできる。溶剤Ｓとしては、有機溶剤を
主体とする液体、例えばトルエン、メチルエチルケト
ン、酢酸ブチル、シクロヘキサノン等の有機溶剤、或い
はこれらを組み合せた溶剤、更に、有機溶剤以外の溶質
（下塗層の樹脂等）を少量含んだ液体等を用いることが
できる。溶剤は、粘度２０ｃＰ以下、好ましくは５ｃＰ
以下の低粘度の液体である。溶剤Ｓが塗布されると、ウ
エブＷ表面の付着物Ｐはウエブ表面から離れ、溶剤中に
拡散する。

【００１２】そしてウエブＷは、溶剤プレコート手段２
１の下流に配置された付着物除去装置１０へと搬送され
る。付着物除去装置１０は、溶剤Ｓを掻き落とすための
ブレード１１を備えている。ブレード１１は、ウエブＷ
に対向する一湾曲面からなる先端面１２と、先端面１２
の上流端に接続されている一平面からなる上流側面１３
と、先端面１２の下流端に接続されている一平面からな
る下流側面１４とを備えている。先端面１２の曲率半径
Ｒは例えば２ｍｍとすることができる。

【００１３】ブレード１１の先端部表面、すなわち先端
面１２、並びに上流側面１３及び下流側面１４の先端面
１２近傍には、硬質カーボン膜が形成されている。な
お、硬質カーボン膜を設ける箇所は限定されず、例えば
先端面１２のみに形成してもよい。また、先端面１２、
上流側面及１３び下流側面１４は、複数の面（湾曲面・
平面）からなっていてもよく、その場合、それらのうち
少なくともウエブＷに押しつけられる箇所に硬質カーボ
ン膜を形成すればよい。

【００１４】ブレード１１の下流側には、ブレード１１
とは別体のドクターエッジ１６が隣接して配置されてい
る。ドクターエッジ１６もブレード１１と同様に、先端
面（エッジ面）１７、上流側面１８及び下流側面１９を
備えている。ブレード１１の下流側面１４と、ドクター
エッジ１６の上流側面１８とにより、塗布液Ｌが通過す
るスリットが形成されている。塗布液Ｌは図示しない液
溜から、このスリットを通ってウエブＷへと押し出され
る。

【００１５】このような構成の除去装置１０において、
先ず、溶剤Ｓが塗着されたウエブＷに、ブレード先端面
１２が押しつけられる。すると、乾燥前の溶剤Ｓの大部
分が、溶剤中に拡散した付着物Ｐとともに、ブレード先
端面１２の上流端にて掻き落とされる。掻き落とされた
溶剤Ｓ及び付着物Ｐは、ブレードの上流側面１３に沿っ
て流れ落ちる。次いで、僅かにウエブＷ表面に残留した
溶剤Ｓからなる層の上に、スリットから押し出された塗
布液Ｌが塗着される。

【００１６】以上のような付着物除去装置１０によれ
ば、ブレード１１の先端面１２の曲率半径Ｒが小さいた
め、ウエブＷ表面の付着物Ｐを確実に除去することがで
きる。また、ブレード１１の先端部表面に硬質カーボン
膜が形成されているので、ブレード１１が損傷する心配
もない。また、付着物除去装置１０には、塗布液Ｌをウ
エブＷに塗着する構成が一体化され小型化されているの
で、装置の設置スペースが狭くて済む。

【００１７】ブレード１１に硬質カーボン膜を形成する
成膜方法は、一般的には大きく２種に大別でき、焼結カ
ーボン材、グラッシーカーボン材等をターゲット材にし
たスパッタリングによる方法と、炭化水素ガスを反応ガ
スに用いたプラズマＣＶＤによる方法がある。以下にス
パッタリング、プラズマＣＶＤで使用する装置、成膜方
法についてを説明する。最初にスパッタリングによる硬
質カーボン膜（スパッタカーボン膜）の形成について説
明し、次にプラズマＣＶＤによる硬質カーボン膜（ＤＬ
Ｃ膜）の形成について説明する。

【００１８】〔スパッタカーボン膜形成〕図２に、スパ
ッタカーボン膜形成装置を示す。スパッタカーボン膜形
成装置１００は、真空チャンバー１０１、ガス導入手段
１０２、スパッタリング手段１０３、ブレード支持手段
１０９、ブレードエッチング手段を備えている。 １）真空チャンバー１０１ カソード用磁場が外乱を受けないように、ＳＵＳ３０４
等の非磁性材質が好ましい。真空チャンバーの真空シー
ル性能は、初期排気の到達圧力で２×１０^-5Ｔｏｒｒ以
下、好ましくは５×１０^-6Ｔｏｒｒ以下、成膜中は１×
１０^-4Ｔｏｒｒ〜１×１０^-2Ｔｏｒｒを維持できればよ
い。真空排気ポンプ１１１はロータリーポンプ、メカニ
カルブースターポンプ、ターボポンプの組み合わせ、タ
ーボポンプの代わりにディフュージョンポンプ、クライ
オポンプ、等が選択できる。排気能力、台数は真空チャ
ンバーの容積、使用するガスの流量に合わせて選択すれ
ばよい。また、排気速度を調整するためにバイパス配管
を設け配管の抵抗により排気速度を変化させる方法や、
オリフィスバルブを設けその開口度により排気速度を変
化させる方法等も採用できる。また真空チャンバー１０
１には、ブレード支持手段１０９に支持されるブレード
とターゲット材１０５の間を開閉するシャッター部材１
１２が設けられている。

【００１９】２）ガス導入手段１０２ ガスの流量制御にはマスフローコントローラー（ＭＦ
Ｃ）を使用する。真空チャンバー内への導入はＳＵＳ製
のパイプを使用し導入部をＯリング等で真空シールす
る。チャンバー内ではプラズマ発生領域の近傍にガスが
吹き出すようにする。吹き出し位置はプラズマの分布に
影響しないように最適化すればよい。プラズマ発生用の
ガスには例えば、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、等の
不活性ガスを用いる。特に、Ａｒは入手し易く、安価
で、その他のガスは高価である。

【００２０】３）スパッタリング手段１０３ スパッタリングではカソード１０４に、スパッタリング
するターゲット材１０５を配設し、カソード１０４を負
電位にすると共に、その表面にプラズマを発生させ、対
向して配設したブレードの表面にスパッタリングにより
弾き出されたターゲット材料を付着させることで成膜す
る。ターゲット材１０５表面にプラズマを発生するに
は、負電位の直流電源１０６を直接カソード１０４に接
続し、負の３００〜１０００Ｖ程度の直流電圧を印加す
ることでプラズマ発生させる。直流電源は１〜１０ｋＷ
程度のものから所望の投入パワーに応じて選択すればよ
い。また、２〜２０ｋＨｚにパルス変調した負の直流電
源もアーク防止に有効である。高周波電源を用いる場合
にはマッチングボックスを介してカソード１０４に高周
波電圧を印加することによりプラズマを発生させる。そ
の際、マッチングボックスによりインピーダンス整合を
行い、高周波電圧の反射波が入射波に対して２５％以下
なるように調整する。高周波電源は工業用の１３．５６
ＭＨｚで１〜１０ｋＷ程度ものもから所望の投入パワー
に応じて選択すればよい。またパルス変調した高周波電
源も使用できる。ターゲット材１０５は直接カソード１
０４にＩｎ系ハンダ等を用いて張り付けてもよく、また
機械的にボルト等で固定してもよい。一般的には無酸素
銅、ＳＵＳからなるバッキングプレート１０７の上にタ
ーゲット材１０５を張り付ける。カソード１０４、バッ
キングプレート１０７は水冷し、間接的にターゲット材
１０５も水冷できる構造にする。また、カソード１０４
の内部に永久磁石１０７、電磁石を配設しターゲット材
１０５表面に磁場を形成することでプラズマを閉じこめ
るマグネトロンスパッタリング方法もある。マグネトロ
ンスパッタリング方法は成膜速度を向上でき有用であ
る。カソード１０４の形状は成膜するブレードの形状に
合わせて最適化すればよい。また、マグネトロンスパッ
タリングの場合の永久磁石１０８の配置、電磁石の形状
も膜厚分布に対して最適化すればよい。永久磁石１０８
にはＳｍＣｏ、ＮｄＦｅＢ、等の高磁場を発生するもの
を使用するとプラズマを十分に閉じこめることができ
る。磁場の強さも膜厚分布に応じて最適化すればよい。

【００２１】４）ブレード支持手段１０９ ブレードはカソード１０４に対し静止対向させる。ま
た、図示しない駆動手段により回転させたり、カソード
１０４上を移動できるようにしてもよい。これはブレー
ドのサイズ、膜厚分布から適宜選択すればよい。また、
ブレードとターゲット材１０５表面との距離は２０〜２
００ｍｍ程度の範囲で選択し膜厚分布が良好になるよう
に最適化すればよい。

【００２２】５）ブレードエッチング手段 膜の密着性を向上するために、ブレード表面をプラズマ
でエッチングするのがよい。エッチングの方法はブレー
ドにマッチングボックスを介して高周波電圧を印加す
る。高周波電源は工業用の１３．５６ＭＨｚで１〜５ｋ
Ｗ程度のものから選択すればよい。エッチングの強さは
ブレードに印加される自己バイアス電圧を目安にするの
がよい。自己バイアス電圧は負の１００〜５００Ｖ程度
であるが最適化すればよい。

【００２３】〔ＤＬＣ膜形成〕図３に、ＤＬＣ膜形成装
置を示す。ＤＬＣ膜形成装置２００は、真空チャンバー
２０１、ガス導入手段２０２、プラズマ発生手段２０
３、ブレード支持手段２０９、ブレードバイアス手段、
ブレードエッチング手段を備えている。 １）真空チャンバー２０１ プラズマ発生用磁場が外乱を受けないように、ＳＵＳ３
０４等の非磁性材質が好ましい。真空チャンバー２０１
の真空シール性能は、初期排気の到達圧力で２×１０^-5
Ｔｏｒｒ以下、好ましくは５×１０^-6Ｔｏｒｒ以下、成
膜中は１×１０^-4Ｔｏｒｒ〜１×１０^-2Ｔｏｒｒを維持
できればよい。真空排気ポンプ２１１はロータリーポン
プ、メカニカルブースターポンプ、ターボポンプの組み
合わせ、ターボポンプの代わりにディフュージョンポン
プ、クライオポンプ、等が選択できる。排気能力、台数
は真空チャンバーの容積、使用するガスの流量に合わせ
て選択すればよい。また、排気速度を調整するためにバ
イパス配管を設け配管の抵抗により排気速度を変化させ
る方法やオリフィスバルブを設けその開口度により排気
速度を変化させる方法等も採用できる。プラズマやプラ
ズマ発生用の電磁波によりアークが発生する箇所には絶
縁性部材で覆い隠す手段も使用できる。絶緑性部材には
ＭＣナイロン、テフロン、ＰＰＳ樹脂、等のプラスチッ
ク部材やＰＥＮ、ＰＥＴ、等のフィルムを使用できる。
フィルムを使用する際にはフィルムからの脱ガスにより
真空度を低下する場合があるので注意する必要がある。

【００２４】２）ガス導入手段２０２ ガスの流量制御にはマスフローコントローラーを使用す
る。真空チャンバー２０１内への導入はＳＵＳ製のパイ
プを使用し導入部をＯリング等で真空シールする。チャ
ンバー２０１内ではプラズマ発生領域の近傍にガスが吹
き出すようにする。吹き出し位置はプラズマの分布に影
響しないように最適化すればよい。特にガスの吹き出し
位置は膜厚分布にも影響するのでブレードの形状に合わ
せて最適化すればよい。プラズマ発生用のガスには例え
ば、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、等の不活性ガスを
用いる。特に、Ａｒは入手し易く、安価で、その他のガ
スは高価である。反応ガスには例えば、ＣＨ₄、Ｃ
₂Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₈、Ｃ₂Ｈ₄、Ｃ₂Ｈ ₂、Ｃ₆Ｈ₆、等の炭化水素
ガスを用いる。それぞれ使用するガスに応じて、マスフ
ローコントローラーのセンサーを校正する。

【００２５】３）プラズマ発生手段２０３ プラズマＣＶＤに使用するプラズマ発生手段は、直流放
電、高周波放電、直流アーク放電、マイクロＥＣＲ波放
電が使用できる。特に直流アーク放電、マイクロ波ＥＣ
Ｒ放電はプラズマ密度が高く高速成膜に有利である。直
流放電はブレード−電極間に負の直流電圧を印加するこ
とによりプラズマを発生させる。直流電源は１〜１０ｋ
Ｗ程度のもので所望の投入パワーに応じて選択すればよ
い。また、２〜２０ｋＨｚにパルス変調した負の直流電
源もアーク防止に有効である。高周波放電はマッチング
ボックスを介して電極に高周波電圧を印加することによ
りプラズマを発生させる。その際、マッチングボックス
によりインピーダンス整合を行い、高周波電圧の反射波
が入射波に対して２５％以下なるようにする。高周波電
源は工業用の１３．５６ＭＨｚで１〜１０ｋＷ程度のも
のから所望の投入パワーに応じて選択すればよい。まだ
パルス変調した高周波電源も使用できる。直流アーク放
電は熱陰極を使用するプラズマを発生させる。熱陰極に
はＷ、ＬａＢ₆、等を使用できる。また、ホローカソー
ドを用いた直流アーク放電も使用できる。直流アーク放
電の直流電源には１〜１０ｋＷ程度で１０〜１５０Ａ程
度流せるものがよい。マイクロ波ＥＣＲ放電はマイクロ
波とＥＣＲ磁場によりプラズマを発生させる。マイクロ
波電源には工業用の２．４５ＧＨｚで１〜３ｋＷ程度の
ものから所望の投入パワーに応じて選択すればよい。ま
たＥＣＲ用磁場には永久磁石、電磁石を用いて発生させ
ればよい。２．４５ＧＨｚの場合のＥＣＲ磁場は８７５
Ｇａｕｓｓになるのでプラズマ発生領域が５００〜２０
００Ｇａｕｓｓになるようにする。マイクロ波の導入に
は導波管を使用し誘電体窓、同軸変換器を使用して導入
すればよい。磁場の配置やマイクロ波の導入路は膜厚分
布に影響するので最適化すればよい。

【００２６】４）ブレード支持手段２０９ ブレードはカソードに対し静止対向させる。また、図示
しない駆動手段により、例えば、回転させたり、カソー
ド上を移動できるようにしてもよい。これはブレードの
サイズ、膜厚分布から適宜選択すればよい。また、ブレ
ードとプラズマ発生部２０４との距離は２０〜２００ｍ
ｍ程度の範囲で選択し膜厚分布が良好になるように最適
化すればよい。

【００２７】５）ブレードバイアス手段 プラズマＣＶＤにて硬質膜を得るためにはブレードに負
のバイアス電圧を印加しながら成膜する。ＤＬＣ膜は絶
縁性のため、バイアス電圧には高周波電圧の自己バイア
ス電圧を使用するのがよい。自己バイアス電圧は負の１
００〜５００Ｖ程度である。高周波電源は工業用の１
３．５６ＭＨｚで１〜５ｋＷ程度のものから所望の投入
パワーに応じて選択すればよく、膜質に応じて最適化す
ればよい。また、２〜２０ｋＨｚにパルス変調した負の
直流電源を使用することもできる。

【００２８】６）ブレードエッチング手段 膜の密着性を向上するために、ブレード表面をプラズマ
でエッチングするのがよい。エッチングの方法はブレー
ドにマッチングボックスを介して高周波電圧を印加す
る。高周波電源は工業用の１３．５６ＭＨｚで１〜５ｋ
Ｗ程度のものから所望の投入パワーに応じて選択すれば
よい。エッチングの強さはブレードに印加される自己バ
イアス電圧を目安にするのがよい。自己バイアス電圧は
負の１００〜５００Ｖ程度であるが最適化すればよい。

【００２９】

〔スパッタカーボン膜形成装置及び成膜条件の実施例〕

１）真空チャンバー１０１ 排気速度が１５００リツトル／分のロータリーポンプを
１台、１２０００リットル／分のメカニカルブースター
ポンプを１台、３０００リットル／秒のターボポンプを
１台備え、材質がＳＵＳ３０４製で容積が約０．５ｍ³
の真空チャンバーを使用した。また、ターボホンプの直
上にオリフィスバルブを配設し開口度を１０〜１００％
可変できるようにした。

【００３０】２）ガス導入手段１０２ 最大流量１００〜５００ｓｃｃｍのマスフローコントロ
ーラーとΦ６ｍｍのＳＵＳパイプを使用しＡｒガスを真
空チャンバー内に導入した。ＳＵＳパイプの真空導入部
はＯリングで真空シールした。

【００３１】３）スパッタリング手段１０３ ＳｍＣｏ磁石を内部に配設した矩形型で幅５００ｍｍ、
高さ２００ｍｍのカソードを使用し磁石とカソード内部
とバッキングプレートの裏面を水冷した。バッキングプ
レートには矩形状に加工した焼結カーボン材をＩｎ系ハ
ンダを用いて張り付けた。電源には最大出力８ｋＷの負
電位の直流電源を用い３〜６ｋＷ印加した。２〜２０ｋ
Ｈｚの範囲でパルス状に変調できるようにした。

【００３２】４）ブレード支持手段１０９ ブレードはカソードに対向して配設できるようにした。
ブレードとターゲット材表面との距離が５０〜１５０ｍ
ｍになるようにした。また、エッチング用の高周波電圧
が印加できるようにブレードホルダー部分を浮遊電位に
した。

【００３３】５）ブレードエッチング手段 ブレード支持手段にマッチングボックスを介して高周波
電源を接続した。高周波電源は周波数１３．５６ＭＨｚ
で最大出力３ｋＷにした。自己バイアス電圧をモニター
し、負の１００〜５００Ｖになるように高周波出力を調
整した。

【００３４】〔成膜条件１〕最初に、真空チャンバー内
にブレードをセットし、チャンバー内の圧力が５×１０
^-6Ｔｏｒｒになるまで真空排気をした。次に、真空排気
を継続しながら、Ａｒガスを導入し、さらにオリフィス
バルブの調整をし、チャンバー内の圧力が５．０×１０
^-3、８．０×１０^-3Ｔｏｒｒの水準になるようにした。
次に、ブレードに高周波電圧を印加し、自己バイアス電
圧２００、３００、４００Ｖの水準で１０分間ブレード
エッチングをした。エッチングを省略し、エッチングな
しの水準も含めた。次に、焼結グラファイト材をターゲ
ットにし、チャンバー内の圧力を１．０×１０^-3、３．
０×１０^-3、５．０×１０^-3、８．０×１０^-3Ｔｏｒｒ
の水準になるようＡｒガス流量、オリフィスバルブを再
調整して、シャッターを閉じた状態で、ターゲットに直
流電力０．５ｋＷを印加し、５分間スパッタリングをし
た。次に、同じ圧力のまま、スパッタリングパワーを５
ｋＷに設定した後シャッターを開き、ブレードに付着す
る膜厚が１、２、３μｍの水準になる時間だけスパッタ
リングをした。なお、成膜時間は予め成膜速度を求めて
おき、膜厚／成膜速度で計算した。

【００３５】〔成膜条件２〕最初に、真空チャンバー内
にブレードをセットし、チャンバー内の圧力が５×１０
^-6Ｔｏｒｒになるまで真空排気をした。次に、真空排気
を継続しながら、Ａｒガスを導入し、さらにオリフィス
バルブの調整をし、チャンバー内の圧力が５．０×１０
^-3、８．０×１０^-3Ｔｏｒｒの水準になるようにした。
次に、ブレードに高周波電圧を印加し、自己バイアス電
圧２００、３００、４００Ｖの水準で１０分間ブレード
エッチングをした。エッチングを省略し、エッチングな
しの水準も含めた。次に、グラッシーカーボン材をター
ゲットにし、チャンバー内の圧力を１．０×１０^-3、
３．０×１０^-3、５．０×１０^-3、８．０×１０^-3Ｔｏ
ｒｒの水準になるようＡｒガス流量、オリフィスバルブ
を再調整して、シャッターを閉じた状態で、ターゲット
に直流電力０．５ｋＷを印加し、５分間スパッタリング
をした。次に、同じ圧力のまま、スパッタリングパワー
を５ｋＷに設定した後シャッターを開き、ブレードに付
着する膜厚が１、２、３μｍの水準になる時間だけスパ
ッタリングをした。なお、成膜時間は予め成膜速度を求
めておき、膜厚／成膜速度で計算した。

【００３６】〔ＤＬＣ膜形成装置及び成膜条件の実施
例〕 １）真空チャンバー２０１ 排気速度が１５００リットル／分のロータリーポンプを
１台、１２０００リットル／分のメカニカルブースター
ポンプを１台、３０００リットル／秒のターボポンプを
１台備え、材質がＳＵＳ３０４製で容積が０．５ｍ³の
真空チャンバーを使用した。また、ターボポンプの直上
にオリフィスバルブを配設し開口度を１０〜１００％可
変できるようにした。

【００３７】２）ガス導入手段２０２ 最大流量１００〜５００ｓｃｃｍのマスフローコントロ
ーラーとΦ６ｍｍのＳＵＳパイプを使用しＡｒガス、炭
化水素ガスをそれぞれ真空チャンバー内に導入した。Ｓ
ＵＳパイプの真空導入部はＯリングで真空シールした。

【００３８】３）プラズマ発生手段２０３ マイクロ波ＥＣＲプラスマ発生装置２０６を使用した。
発振周波数２．４５ＧＨｚ、最大出力１．５ｋＷのマイ
クロ波電源を使用し０．８〜１．２ｋＷを印加した。マ
イクロ波は導波管にて真空チャンバー近傍まで導き、同
軸変換後チャンバー内の放射状アンテナ２０５に導入し
た。プラズマ発生部２０４の大きさは矩形型で幅５００
ｍｍ、高さ２００ｍｍとした。ＥＣＲ用磁場はＳｍＣｏ
製の磁石２０８を複数個使用しプラズマ発生部２０４の
形状に合わせて配設した。また、真空チャンバー内に誘
電体板２１２を配設した。

【００３９】４）ブレード支持手段２０９ ブレードはプラズマ発生部に対向して配設できるように
した。ブレードとプラズマ発生部との距離が５０〜１５
０ｍｍになるようにした。また、エッチング用の高周波
電圧が印加できるようにブレードホルダー部分を浮遊電
位にした。

【００４０】５）ブレードバイアス手段 ブレード支持手段にマッチングボックスを介して高周波
電源を接続した。高周波電源は周波数１３．５６ＭＨｚ
で最大出力３ｋＷにした。自己バイアス電圧をモニター
し、負の２００〜５００Ｖになるように高周波出力を調
整した。

【００４１】６）ブレードエッチング手段 ブレード支持手段にマッチングボックスを介して高周波
電源を接続した。高周波電源は周波数１３．５６ＭＨｚ
で最大出力３ｋＷにした。自己バイアス電圧をモニター
し、負の１００〜５００Ｖになるように高周波出力を調
整した。本実施例ではブレードバイアス手段でブレード
エッチング手段を兼用した。

【００４２】〔成膜条件１〕最初に、真空チャンバー内
にブレードをセットし、チャンバー内の圧力が５×１０
^-6Ｔｏｒｒになるまで真空排気をした。次に、真空排気
を継続しながら、Ａｒガスを導入し、さらにオリフィス
バルブの調整をし、チャンバー内の圧力が０．８×１０
^-3、１．０×１０^-3、５．０×１０^-3Ｔｏｒｒの水準に
なるようにした。次に、マイクロ波を導入しマイクロ波
ＥＣＲプラズマを発生させた。次に、ブレードに高周波
電圧を印加し、自己バイアス電圧２００、３００、４０
０Ｖの水準で５分間ブレードエッチングをした。エッチ
ングを省略し、エッチングなしの水準も含めた。次に、
自己バイアス電圧が２００Ｖ、３００Ｖ、４００Ｖの水
準で高周波電圧の印加を継続しながら、ＣＨ₄ガスを
２．０×１０^-3、３．０×１０^-3、５．０×１０^-3Ｔｏ
ｒｒの水準になるよう導入し、プラズマＣＶＤにてブレ
ードに１、２、３μｍの水準になる時間だけ成膜した。
なお、成膜時間は予め成膜速度を求めておき、膜厚／成
膜速度で計算した。

【００４３】〔成膜条件２〕最初に、真空チャンバー内
にブレードをセットし、チャンバー内の圧力が５×１０
^-6Ｔｏｒｒになるまで真空排気をした。次に、真空排気
を継続しながら、Ａｒガスを導入し、さらにオリフィス
バルブの調整をし、チャンバー内の圧力が０．８×１０
^-3、１．０×１０^-3、５．０×１０^-3Ｔｏｒｒの水準に
なるようにした。次に、マイクロ波を導入しマイクロ波
ＥＣＲプラズマを発生させた。次に、ブレードに高周波
電圧を印加し、自己バイアス電圧２００、３００、４０
０Ｖの水準で５分間、ブレードエッチングをした。エッ
チングを省略し、エッチングなしの水準も含めた。次
に、自己バイアス電圧が２００Ｖ、３００Ｖ、４００Ｖ
の水準で高周波電圧の印加を継続しながら、Ｃ₂Ｈ₂ガス
を２．０×１０^-3、３．０×１０^-3、５．０×１０^-3Ｔ
ｏｒｒの水準になるよう導入し、プラズマＣＶＤにてブ
レードに１、２、３μｍの水準になる時間だけ成膜し
た。なお、成膜時間は予め成膜速度を求めておき、膜厚
／成膜速度で計算した。

【００４４】上述の形成装置及び成膜条件を用いて、以
下のようなウエブを用意した。 （実施例１）曲率半径Ｒ＝２ｍｍ、ウエブ走行方向厚み
０．５ｍｍの、ハイス鋼であるＳＫＨ鋼からなるブレー
ドに、スパッタカーボン膜を上述の成膜条件１のもとに
形成し、そのブレードを図１に示した付着物除去装置に
適用して付着物除去・塗布を行った。 （実施例２）曲率半径Ｒ＝１．２ｍｍ、ウエブ走行方向
厚み０．５ｍｍの、ＳＫＨ鋼からなるブレードに、ＤＬ
Ｃ膜を上述の成膜条件１のもとに形成し、そのブレード
を図１に示した付着物除去装置に適用して付着物除去・
塗布を行った。 （比較例１）曲率半径Ｒ＝３ｍｍ、ウエブ走行方向厚み
０．７ｍｍの、ＳＫＨに硬質クロムメッキを施したブレ
ードを図１に示した付着物除去装置に適用して付着物除
去・塗布を行った。 （比較例２）曲率半径Ｒ＝１．２ｍｍ、ウエブ走行方向
厚み０．３ｍｍの、ＳＫＨからなるブレードを図１に示
した付着物除去装置に適用して付着物除去・塗布を行っ
た。

【００４５】これらのウエブの塗膜表面を観察した結果
を表１に示す。

【表１】

【００４６】表１から本発明の効果は明らかである。本
発明を適用した実施例１、２ではウエブの塗膜表面にス
ジ等の塗布欠陥が全く発生しなかった。また、使用後の
ブレードを顕微鏡で観察したところ、摩耗が全くなかっ
た。

【００４７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の付着物除
去装置によれば、先端面の曲率半径を小さくしたブレー
ドにより、ウエブ表面の付着物を確実に除去することが
できる。また、ブレードの先端部表面に硬質カーボン膜
が形成されているので、ブレードが損傷する心配もな
い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態を示す図である。

【図２】ブレードに硬質カーボン膜を形成するための装
置を示す図である。

【図３】ブレードに硬質カーボン膜を形成するための装
置を示す図である。

【符号の説明】

１０ 付着物除去装置（可撓性支持体の表面付着物除去
装置） １１ ブレード １６ ドクターエッジ ２０ 搬送ローラ ２１ 溶剤プレコート手段 Ｐ 溶剤 Ｗ ウエブ（可撓性支持体） Ｌ 塗布液

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4D075 AC02 AC53 AC86 CA48 DA04 DB48 DC27 EA02 EA05 EC30 4F041 AA12 AB01 BA05 BA17 BA56 CA02 CA12 CA22 4F042 AA22 DD07 4K030 AA09 AA16 BA27 BA28 DA04 FA02 LA23

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表面に付着物を有する可撓性支持体に、
   溶剤が塗布された後に押しつけて前記溶剤及び付着物を
   掻き落とすブレードを備えた可撓性支持体の表面付着物
   除去装置において、 前記ブレードの、前記溶剤及び付着物を掻き落とす箇所
   に硬質カーボン膜を設けたことを特徴とする可撓性支持
   体の表面付着物除去装置。