JP2000251755A - 平面ディスプレイスクリーンの抵抗性アノード - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 アノードとカソードの間、及びアノードの蛍
光体素子の隣りあった２つのストリップ間に電弧が発生
することを防止しスクリーンの輝度の劣化を防止する平
面ディスプレイスクリーンを提供する。 【解決手段】 この発明は電子衝撃により励起される様
にするための蛍光体素子を含む平面ディスプレイスクリ
ーンのアノードであって、該素子が少なくとも１つのバ
イアス用電極の上に堆積されており、このバイアス用電
極が蛍光体素子の下に少なくとも抵抗層を含み、この抵
抗層が蛍光体素子にバイアスを加えるため伝導層の上に
堆積されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、電子により励起
される蛍光体を有し、例えばマイクロチップ型の平面デ
ィスプレイスクリーンのアノードに関する。より詳細に
は色毎にバイアスされた種々の色の蛍光体素子が与えら
れているアノードに対する蛍光体素子、例えばくし型に
構成された蛍光体素子に対する一つおきにあるストリッ
プのバイアスに関する。

【０００２】

【従来の技術】図１はこの発明に関する従来のタイプの
平面マイクロチップスクリーンの構造の概略を示してい
る。このスクリーンは二つのプレートを備えている。第
一のプレート１はカソードプレートと呼ばれており、ア
ノードプレートと呼ばれている第二のプレート２に向い
て配置されている。これら二つのプレートはスクリーン
の表面に規則的に分散されているスペーサ３により離さ
れており、二つのプレートとその周囲のシールジョイン
ト４により定められた領域内は真空である。

【０００３】カソードプレート１には、電子発生素子と
画素選択素子（図示していない）が含まれており、これ
らは例えばマイクロチップスクリーンの場合原子力エネ
ルギー協会(Commissariat a l' Energie Atomique)の特
許第4940916号に記載されている様に種々の方法で構成
されている。アノードプレート２はカラースクリーンの
場合蛍光体素子のストリップを１つおきに備えている。
一つおきのストリップはカラー（赤、緑、青）に対応し
ている。

【０００４】図２Ａと図２Ｂは、それぞれアノードプレ
ート部分の正面図と断面図の概略を示している。図２Ｂ
は、内部スクリーンの表面に相当する表面を上向きにし
ている。アノードには、例えば赤、緑、青の蛍光体素子
のそれぞれに対応する一つおきのストリップ4R，4G，4B
が含まれている。図２Ｂに示す様に、蛍光体素子のスト
リップは一般にくし型に構成されており対応する伝導ス
トリップ5R，5G，5Bの上に配置されている。全てのスト
リップ5Rは、全てのストリップ5G及び5Bと同じく相互に
接続されている。ある実施例では、蛍光体素子は基本パ
ターンに基づき分散されており、基本パターンのそれぞ
れは一般に画素に対応している（実際には、トリクロマ
ティックスクリーンの場合は各色のサブ画素に対応して
いる）。“画素化された”蛍光体素子は従来図２Ａと図
２Ｂに関して記載した様に伝導ストリップ(5G，5B，5R)
内の電極をバイアスすることによりアドレスされてい
る。しかし、蛍光体素子を堆積するため特定マスクが使
用されている。

【０００５】平面スクリーンに関する二つの大きなカテ
ゴリィーはユーザーがスクリーンをアノード側から見る
か、又はカソード側から見るかに基づき区別することが
できる。前者の場合、蛍光体素子が発生した光がアノー
ドプレートを通り（図２Ｂの下方に向かい）進む。最近
では、伝導ストリップ5R，5G，5Bの物質は透明な酸化イ
ンジウム−チタン(ITO)である。後者の場合、透明な電
極5R，5B，5Gが不透明で好適には反射性の電極に置き換
えられており、蛍光体が電子衝撃により励起されると蛍
光体素子4R，4G，4Bが発する光の最大の部分がカソード
に戻される。電子発生用プレート１は従って少なくとも
部分的に透明であり、このカソードプレートを通して見
ることができる。

【０００６】カラースクリーン内では（又は、色が同じ
蛍光体エレメントが１つおきに組になったストリップか
ら形成されたモノクロスクリーン内では）、ストリップ
の組（例えば、青、赤、緑）はしばしばカソード１に対
し一つおきにプラスにバイアスされており、カソードの
画素に対する放出素子（例えば、マイクロチップ）から
励起された電子はそれぞれの色に向かっている蛍光体素
子4R，4G，4Bに一つおきに向かっている。

【０００７】電子により衝撃される蛍光体を選択する制
御により、色毎にそれぞれアノードの蛍光体素子に対す
る制御がそれぞれ行われる。一般に、励起される蛍光体
素子を保持しているストリップ5R，5G，5Bはカソ−ドに
対し数百ボルト未満にバイアスされているが、その他の
ストリップはゼロ電位である。バイアス用電位の選定は
蛍光体素子及び放出手段の特性に関連している。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】幾つかの実施例では、
アノードは幾つかの組の蛍光体等により形成されている
が、該アノードはストリップの組毎に切替えることがで
きない。従って、全ての組は少なくとも一画面フレーム
の間同じ電位にバイアスされている。従って、アノード
は非切替え型と呼ばれている。

【０００９】アノードとカソード間の電位差は、基本的
に電極間距離、即ち内部空間の厚さによる。電位差を最
大にすることは表示の輝度のため望ましいが、これは電
極間の最大可能距離を探すことになる。しかし、スペー
サ３を含み電極間に空間のある構造は、該構造が非常に
大きければスクリーン内に暗い領域を発生することとな
るが前記電極間の最大距離が大きくなることを防ぐこと
ができる。

【００１０】前記二つの長短に対するバランスをとる必
要性により、電弧を形成する臨界のアノード−カソード
電圧が決められる。該有害な電弧は、カソードの放出手
段をアノードの蛍光体素子から離す距離が不規則になる
ことを最小にしても発生する。しかし、該距離の不規則
性はアノードとカソードを形成するため必要な所定の距
離を小さくし、いかなる技術を使用しても避ける事がで
きない。

【００１１】カソード側には、マイクロチップスクリー
ンの場合抵抗層が与えられており、該マイクロチップを
受けカソードに接続されている制御グリッドと該マイク
ロチップが短絡する障害を阻止している。

【００１２】反対にアノード側で発生する電弧は、マイ
クロチップが放出する電子を集めるためバイアスされて
いるアノード蛍光体素子とカソードプレートの間の他
に、二つのストリップの電位が異なるため蛍光体素子の
隣り合ったストリップ間にも発生する。アノードが同一
色の蛍光体素子を支えている伝導平面により形成されて
いるモノクロスクリーンの場合、又は幾つかの非切替え
ストリップを有するアノード（カラー又はモノクロ）の
場合は、該アノードと該カソードの間にのみ電弧が発生
する可能性がある。

【００１３】この電弧は横方向であるが該電弧の発生を
阻止するため、最近ではアノードストリップ5B，5R，5G
間に絶縁材料（一般には酸化シリコン）で作られた割り
込みストリップ７が配置されている。

【００１４】しかし、この様な絶縁ストリップの効果は
実際には幾つかの理由から制限されている。

【００１５】第一には、該ストリップはアノードとカソ
ード間の電弧が発生することに効果が無いことである。

【００１６】第二には、縮尺通りでない図２Ａ及び図２
Ｂでは明確に表示してないが、蛍光体素子4R，4G，4Bは
割り込みストリップを越えてかなり広がっている。一般
に、蛍光体素子のストリップの厚さは数10μm程度であ
り、この程度の厚さのストリップを含む酸化シリコンを
形成する技術は、実際にはアノードを作るため使われる
技術と異なり、ストリップ７の厚さは一般に１μmから
２μm程度であり、その幅は10μmから20μm程度であ
る。

【００１７】第三には、堆積されたマスクの中に蛍光体
素子を堆積させる間にマスクに若干の位置合わせ不良が
生じ、伝導ストリップ5R，5G，5B及び絶縁領域の部分が
定まる前にスクリーンが形成されその場所が定まる。

【００１８】アノードとカソード間に電弧が形成される
ことを減らす第一の周知の解決策は、伝導ストリップ5
R，5G，5Bのそれぞれの端で電源供給線とストリップの
間に抵抗を加えることである。大きな電流が該ストリッ
プ間に発生すると、該抵抗により電圧が低下する。その
結果、伝導ストリップとカソード間の電位差は、電弧を
発生させる過電圧が減少するがゼロにはならない。

【００１９】この種の解決策の欠点は横方向への電弧、
即ち二つの隣り合ったストリップ5R，5G，5B間に電弧が
形成することを防ぐことができないことである。局所的
な電流の循環が二つのストリップの間に発生し、該電流
はストリップの端にある抵抗により防ぐことができな
い。

【００２０】前記の抵抗をストリップと直列に用いるこ
との他の欠点は、該抵抗が一般にルテニウムから作られ
ていることであり、該抵抗の抵抗率がアニールにより定
まることである。抵抗値を定めるため必要な高温（600
℃程度）でのアニールは、透明なアノードの場合伝導ス
トリップをアルミニウムから作る場合600℃未満の温度
とする必要があるスクリーン製造工程と両立しない。更
にアニールによりこの種の製造法は管理が難しい。

【００２１】アノードの伝導ストリップの間に直列に挿
入された抵抗の他の欠点は、スクリーンの周囲にあるア
ノードの伝導トラックに対し加熱される領域を作ること
である。

【００２２】第二の周知の解決策はフランス特許申請第
2732160号に記載されている。この解決策は、抵抗値の
高いストリップの上に蛍光体素子のストリップを堆積さ
せ、該抵抗性ストリップのそれぞれの一方の側に横方向
へのバイアス用ストリップで該抵抗体に必要なバイアス
を与えることから成る。

【００２３】前記の解決策は満足する結果を得ることが
できるが、抵抗体素子のそれぞれの間に大きな空間を作
り、その中に二つの隣り合ったストリップが接続されて
いる二つのバイアス用導体を収容しており、該バイアス
用導体は互いに十分に離し横方向に所要の絶縁性を保つ
ことが必要である。

【００２４】これとは逆に、例えば画素の表面が正方形
で一辺が約300μmであるアノードプレートの場合、アノ
ードストリップのそれぞれは100μm未満の隣接した幅に
し、絶縁性ストリップ７は数10μmの幅にしている。こ
のアノードプレートの場合、バイアス用ストリップによ
り横方向が囲まれている抵抗層により局所的に保護する
解決策を実施することはアノードストリップ間の距離が
小さいため実現できない。

【００２５】この発明の目的は、従来の技術の欠点を新
奇な平面ディスプレイスクリーンのアノードを供給する
ことにより解決することであり、該新奇な平面スクリー
ンのアノードはアノードとカソードプレートの間及びア
ノードの蛍光体素子の二つの隣り合ったストリップ間に
電弧が発生することを防止し、スクリーンの輝度を劣化
させないことを特徴としている。

【００２６】この発明の他の目的は、蛍光体素子の二つ
のストリップ間に従来の技術による距離と等しい距離を
与える解決策を提供することである。

【００２７】この発明の他の目的は、特に“透明な”カ
ソードスクリーンに適合する解決策、即ちスクリーンの
ディスプレイ表面を形成するカソードプレートを提供す
ることである。

【００２８】この発明の他の目的は、従来のアノードの
製造法を考慮した解決策と特にこの製造に使用されるマ
スクを提供することである。

【００２９】

【課題を解決するための手段】これらの目的を達成する
ため、この発明は電子衝撃により励起される様にするた
めの蛍光体素子を含む平面ディスプレイスクリーンのア
ノードであって、該素子が少なくとも１つのバイアス用
電極の上に堆積されており、このバイアス用電極が蛍光
体素子の下に少なくとも抵抗層を含み、この抵抗層が蛍
光体素子にバイアスを加えるため伝導層の上に堆積され
ていることを特徴とする平面ディスプレイスクリーンの
アノードを提供している。

【００３０】この発明の一実施例によれば、蛍光体素子
は抵抗層の上に直接堆積されている。

【００３１】この発明の一実施例によれば、蛍光体素子
は反射性の伝導層の上に堆積されており、該導伝層が抵
抗層の上に堆積されている。

【００３２】この発明の一実施例によれば、反射性の伝
導層はアノードの表面内にある小さな基本パターンに基
づき堆積されている。

【００３３】この発明の一実施例によれば、蛍光体素子
は反射性の伝導層に堆積された基本パターンに基づき堆
積されている。

【００３４】この発明の一実施例によれば、抵抗層はパ
ターン化されていない。

【００３５】この発明の一実施例によれば、抵抗層は反
射性の伝導層と同じパターンを有している。

【００３６】この発明の一実施例によれば、抵抗層は動
作スクリーン領域内に少なくともバイアス用の伝導層と
同じパターンを有している。

【００３７】この発明の一実施例によれば、伝導層が一
つおきにあり相互に接続された少なくとも２つの組のス
トリップのパターンを有している。

【００３８】この発明は、更に前述の様に陰極ルミネセ
ントアノードを衝撃し電子を発生するカソードを含む平
面ディスプレイスクリーンを提供している。

【００３９】

【発明の実施の形態】種々の図面において、同じ素子に
は同じ参照番号を付けている。明確にするため、この発
明を理解するために必要な素子のみ図示してあり、以下
に説明する。この発明が適用するスクリーンのカソード
プレートの構造は特別に詳細には記載しておらずこの発
明の対象ではない。

【００４０】図３はこの発明の第一の実施例に基づく平
面ディスプレイスクリーンのアノードに対する簡略化し
た断面図を示している。このアノードには前述の様に例
えばガラスプレートである支持用プレート２が含まれて
いる。アノード側から見るスクリーンの場合、該プレー
トが透明であることは勿論である。

【００４１】アノードの伝導ストリップ5R，5G，5Bは図
２Ａと図２Ｂに示す様に例えば従来の方法で堆積されて
おり、同じ色に割当てられたストリップの組により相互
に接続されている。

【００４２】この発明の特徴はストリップ5R，5G，5Bが
抵抗性の材料で作られたストリップ８で覆われているこ
とである。この発明の第一の実施例によれば、蛍光体素
子4R，4G，4Bが次に抵抗ストリップ８の上に堆積されて
おり、従来のスクリーンの様に直接伝導ストリップ５の
上にない。図示の様に蛍光体エレメントのバイアス用電
極は伝導層（この層の中にストリップ5R，5G，5Bが構成
されている）と抵抗層８を備えている。

【００４３】この発明の大きな利点は、従来のアノード
の製造法に適合していることである。抵抗層８は、実際
には第一の実施例では少なくともスクリーンの動作部分
内で、即ちストリップの組が相互に接続されている領域
の外でアノードの伝導層5R，5G，5Bと同じパターンであ
り同じマスクにより堆積されている。

【００４４】この発明の他の大きな利点は、障害を起こ
す電弧に対しスクリーンを効率的に保護しており、しか
もこの発明では蛍光体素子のストリップ間には横方向の
空間が増加しないことである。この発明は特に高精細解
像度のアノードに良好に適合する。

【００４５】従来の技術により、アノードのストリップ
5R，5G，5Bは絶縁性の割り込みストリップ７により横方
向に離れていることが好適である。

【００４６】この発明はアノードプレートとカソードプ
レートの間の他に、異なる電圧にバイアスされた蛍光体
素子の隣り合ったストリップ間に発生し障害を起こす電
弧に対しても保護することができる。この横方向の保護
はいかなる電流の流れ、更には局所的な場合でも保護す
るので特に効果的であることに注目する必要がある。

【００４７】更に、アノードの伝導ストリップ5R，5G，
5Bを形成するマスクと蛍光体素子4R，4G，4Bを堆積する
ため使用されるエッチング用マスクの位置合わせが偶然
にずれた場合、現在入手可能な材料の抵抗層８により障
害を起こす電弧が発生することを防ぐことができる。

【００４８】抵抗ストリップ８を構成する材料を選択す
ることは応用分野、特に透明性が必要か（透明アノード
の場合）又は抵抗ストリップの反射性が必要か（透明カ
ソードの場合）により左右される。

【００４９】材料を選択し抵抗ストリップ８を形成する
例として、好適には１μmから２μmの範囲である厚さで
堆積された酸化スズ、又は薄いシリコンが使用される。
伝導アノードのストリップ5R，5G，5Bは、例えば0.1μm
程度の厚さのITO（透明の場合）又はアルミニウム（反
射の場合）から作られている。

【００５０】この発明は数10μmの厚さを有する繋がっ
たリチウム抵抗に対し大きな改善が与えられることに注
目する必要がある。

【００５１】更に、この発明の第一の実施例はアノード
が同じ色の蛍光体素子の平面から作られているモノクロ
スクリーンの場合、又はアノードが非切替えの幾つかの
組から作られているスクリーン（カラー又はモノクロ）
の場合にも適応できる。この場合、抵抗層８はアノード
全体を伝導層で堆積することが好ましい。

【００５２】この発明に基づくアノードは第一の実施例
では互いに平行な長いアノードのストリップを有した三
色の構造に関して記載したが、アノード蛍光体素子の構
造は非常に異なっている。例えば、構造が基本パターン
からなり、それぞれの基本パターンは一つの画素に対応
している。この様な場合、この発明により実現可能性の
利点が追加されるが横方向の保護を解決するためには多
くの空間が必要になる。

【００５３】図４Ａ及び図４Ｂは、それぞれこの発明に
基づく平面スクリーンのアノードの第二の実施例の正面
図と断面図を示している。この第二の実施例は特にスク
リーンの表面を形成するカソードプレート（１、図１）
に向かって光を反射する場合である。

【００５４】この発明の第二の実施例の特徴は、バイア
ス用の電極がこれらの図に示す様に三層に配置されて形
成されていることである。第一の実施例の様にバイアス
伝導層５と抵抗層８がある。しかし、この第二の実施例
によれば、追加された伝導層10が抵抗層の上に堆積され
ている。この追加された層10の特徴はカソードに向かっ
て光を反射させる反射性である。従って透明なカソード
スクリーン内に実現される時、反射性の抵抗層を備える
第一の実施例とは反対に、第二の実施例ではあらゆる光
学的特性（透明性、吸収性及び反射性）を有する抵抗層
を使用してもカソードに向かう反射が追加された伝導層
10により行われる。

【００５５】この発明の第二の実施例は特に蛍光体素子
が開口部を含む特別なマスクによる基本パターン内に堆
積され、該開口部はスクリーンの画素又は各スクリーン
カラーのサブ画素のそれぞれの大きさに対応しているこ
とに注目する必要がある。この特徴は基本パターンに基
づき必ず堆積される伝導層10があることに関連し、電極
ストリップに沿って電荷が伝わることを防ぐ。

【００５６】図４Ａに示す様に、蛍光体素子4'B，4'R，
4'Gは表面積が小さな基本パターン（この例では長方
形）に基づき堆積される。しかし、図４Ａと図４Ｂに示
す実施例では、蛍光体素子のカラーを分散させることに
より、一つおきにあるストリップパターンに基づき形成
される伝導バイアス用ストリップ5B，5R及び5Gの上のス
トリップに沿って常に行われることに注目する必要があ
る。

【００５７】この発明の第二の実施例に基づき、追加さ
れた反射性の蛍光体素子と同じマスクにより堆積され、
蛍光体素子の下にある基本パターン10の領域により形成
される。絶縁層７はアノードストリップの間にオプショ
ンとして与えられている。該層７は第一の実施例の様
に、抵抗層8'の上に堆積されている。しかし、該層７が
与えられた時、絶縁層７はアノードストリップ間の他に
反射層の領域10を定める種々の基本パターンと蛍光体素
子の領域４との間にある。追加された伝導層が基本パタ
ーンに基づき堆積されることにより各画素に浮動電位が
保たれることに注目する必要がある。

【００５８】図４Ａと図４Ｂに示す実施例では、抵抗層
8'がパターン化されることなく堆積しており、即ち少な
くともアノードの動作領域の全てを覆っている。

【００５９】この発明の第二の実施例の利点は、透明な
カソードスクリーンに特に適応することである。実際に
は反射層と抵抗層の働きを分離することにより、種々の
層を形成するため材料を選択できる幅が広がる。特に、
光を吸収する材料（例えば、シリコン）により作られた
抵抗層8'を使用することができる。この場合、蛍光体素
子が無く、反射層10が無くても抵抗層はブラックマトリ
クスを形成する。従って光を吸収し、これによりスクリ
ーンのコントラストが改善される。

【００６０】更に、抵抗層がパターン化されずに堆積さ
れ、しかも第二放出係数が小さい材料（これは一般には
抵抗材料の場合である）で作られているならば、二次放
出係数が一般に非常に高い材料で作られた伝導材料5B，
5R，5Gの間にある基礎の層を保護し、更に電荷の影響に
対しアノードを保護する。後者の保護によりスクリーン
からガスが抜けることが少なくなる。

【００６１】第一の実施例の様に、アノードの伝導スト
リップの端で抵抗を取り除くことから得られる利点は、
一方ではアノードの上で空間が増すことであり、更に該
抵抗があることによる熱の影響がアノードプレート全体
を通して分散することである。危険性を増大させる加熱
が局所的に発生することをこの様に避けることができ
る。

【００６２】図５Ａと図５Ｂはこの発明の第二の実施例
に基づくアノードの他の実現の正面図と断面図をそれぞ
れ示している。この他の実施例によれば、抵抗層8"その
ものが蛍光体素子4'の堆積による基本パターンに基づき
堆積されている。明確にするため、蛍光体素子4'と追加
された伝導層10と抵抗層8"に対する基本パターンの配置
の違いは図５Ａと図５Ｂで誇張して記載している。これ
らの種々の基本パターンは同じマスクにより得られるこ
とに注目する必要がある。この様に、この発明では従来
のアノード製造法が使用でき、特に使用された実施例が
何であっても、マスクを追加する必要がない。

【００６３】図５Ａと図５Ｂに対する他の実施例では、
伝導性のバイアス用ストリップ5B，5R，5Gは、第一の実
施態様に示す様にストリップ内にあるのが示されてい
る。

【００６４】他の実施例として、この発明の第二の実施
例により提供される堆積層もバイアス用伝導ストリップ
5B，5R及び5Gのパターンに基づいて堆積されている。こ
の実施例の場合、この抵抗層の堆積にマスクを追加しな
い利点は第一の実施例の場合と同じく得られる。

【００６５】図５Ｂでは、抵抗層8"は図４Ｂに示す抵抗
層よりかなり厚いことが示されている。実際にはこの発
明に基づくいかなる実施例でも、抵抗値は所定の材料に
対し堆積された抵抗層の厚さに応じて調整される。

【００６６】この発明は当業者が容易に考えることがで
きる種々の代替、修正及び改善を含むことは勿論であ
る。特に、モノクロスクリーンの場合、又は非切替え型
アノードスクリーンの場合、及びこの発明の第二の実施
例の応用例の場合、バイアス用伝導層５と抵抗層８はパ
ターン化しないで堆積される。反射性の伝導層10と蛍光
体素子はスクリーン画素の基本パターンに基づき堆積さ
れている。更に、この発明に基づく平面スクリーンのア
ノードを形成する材料を選択することは上記の機能に対
する説明を理解しそれを応用する技術力のある当業者が
できる。更に、当業者は予想した電子特性に基づき容易
に種々の層と抵抗層の厚さを選ぶことができることに注
目する必要がある。更に、非切替え型アノードの場合
は、蛍光体素子のストリップ（又はアイランド）だけを
動作スクリーンの表面内で個別に取り扱うことに注目す
る必要がある。この場合、バイアス用の層５は伝導平面
であり、抵抗層はパターンされていない。シングルアノ
ードバイアス用電極が実現されている。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来のタイプの平面マイクロチップスクリーン
の概略の構造を示している。

【図２Ａ】アノードプレート部分の正面図の概略を示し
ている。

【図２Ｂ】アノードプレート部分の断面図の概略を示し
ている。

【図３】この発明に基づく平面ディスプレイスクリーン
のアノードプレートに対する第一の実施例の簡略化した
部分断面図である。

【図４Ａ】この発明に基づく平面スクリーンのアノード
の第二の実施例の概略の正面図であり、スクリーンには
カソードの表面を有している。

【図４Ｂ】この発明に基づく平面スクリーンのアノード
の第二の実施例の概略の断面図であり、スクリーンには
カソードの表面を有している。

【図５Ａ】この発明に基づく平面スクリーンのアノード
の第二の実施例に対する他の例の正面図の概略を示して
いる。

【図５Ｂ】この発明に基づく平面スクリーンのアノード
の第二の実施例に対する他の例の断面図の概略を示して
いる。

【符号の説明】

１ カソードプレート ２ アノードプレート ３ スペーサ ４Ｂ，４Ｒ，４Ｇ 蛍光体素子 ５ 伝導ストリップ ７ 割り込みストリップ ８，８'，８" 抵抗ストリップ １０ 追加された反射層

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子衝撃により励起される様にするため
   の蛍光体素子(4R，4G，4B；4'R，4'G，4'B)を含む平面
   ディスプレイスクリーンのアノードであって、該素子が
   少なくとも１つのバイアス用電極の上に堆積されてお
   り、このバイアス用電極が蛍光体素子の下に少なくとも
   抵抗層(8，8'，8")を含み、この抵抗層(8，8'，8")が蛍
   光体素子にバイアスを加えるため伝導層(5B，5R，5G)の
   上に堆積されていることを特徴とする平面ディスプレイ
   スクリーンのアノード。
2. 【請求項２】 蛍光体素子(4B，4R，4G)が抵抗層(8)の
   上に直接堆積されていることを特徴とする請求項１に記
   載のアノード。
3. 【請求項３】 蛍光体素子(4'B，4'G，4'R)が反射性の
   伝導層(10)の上に堆積されており、該伝導層(10)が抵抗
   層(8'，8")の上に堆積されていることを特徴とする請求
   項１に記載のアノード。
4. 【請求項４】 反射性の伝導層(10)がアノードの表面内
   にある小さな基本パターンに基づき堆積されていること
   を特徴とする請求項３に記載のアノード。
5. 【請求項５】 蛍光体素子(4'B,4'R,4'G)が反射性の伝
   導層(10)に堆積された基本パターンに基づき堆積されて
   いることを特徴とする請求項４に記載のアノード。
6. 【請求項６】 抵抗層(8，8'，8")がパターン化されて
   いないことを特徴とする請求項１から５のいずれか一つ
   に記載のアノード。
7. 【請求項７】 抵抗層(8")が反射性の伝導層(10)と同じ
   パターンを有していることを特徴とする請求項３から５
   のいずれか一つに記載のアノード。
8. 【請求項８】 抵抗層(8)が能動スクリーン領域内に少
   なくともバイアス用伝導層(5)と同じパターンを有して
   いることを特徴とする請求項１から７のいずれか一つに
   記載のアノード。
9. 【請求項９】 伝導層が一つおきにあり相互に接続され
   た少なくとも２つの組のストリップ(5R，5G，5B)のパタ
   ーンを有していることを特徴とする請求項１から８のい
   ずれか一つに記載のアノード。
10. 【請求項１０】 請求項１に記載の陰極ルミネセントア
    ノード(2)を衝撃し電子を発生するカソード(1)を含む平
    面ディスプレイスクリーン。