JP2000250470A - 駆動回路 - Google Patents

駆動回路

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JP2000250470A
JP2000250470A JP4719999A JP4719999A JP2000250470A JP 2000250470 A JP2000250470 A JP 2000250470A JP 4719999 A JP4719999 A JP 4719999A JP 4719999 A JP4719999 A JP 4719999A JP 2000250470 A JP2000250470 A JP 2000250470A
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JP
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terminal
load
channels
switching transistor
driving circuit
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JP4719999A
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Eiji Shirai
英二 白井
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数のチャンネルを有する駆動回路におい
て、他チャンネルへのクロストークを低減することがで
きる駆動回路を提供する。 【解決手段】 複数のチャンネルを有する駆動回路にお
いて、複数のチャンネル各々は、第1端子が第1電流源
に接続され、第2端子が第2電流源に接続されたスイッ
チングトランジスタと、スイッチングトランジスタの第
1端子に接続され、該スイッチングトランジスタのON
/OFFに応じて駆動する負荷と、スイッチングトラン
ジスタの第3端子に接続されるフィルタとを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、負荷を駆動する複
数のチャンネルを有する駆動回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】電子源を用いた表示パネルが従来より知
られている。例えば、特開平7−140578号が知ら
れている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】負荷を駆動する駆動回
路の特性を向上させることが求められている。本発明
は、特性を向上させることができる駆動回路を提供する
ことを目的とする。
【課題を解決するための手段】例えば、電子源を駆動す
るために用いる駆動回路の一つは、例えば、図5のよう
に構成される。
【0004】図5(a)では、簡略のためチャンネル数
を3としている。図中、1は第1の電源、2は第2の電
源、3、4、5はスイッチングMOSトランジスタであ
る。6、7、8は電流源であり、本図では簡略化のた
め、定電流源として記している。9、10、11は駆動
すべき負荷である。12、13、14はスイッチングN
MOSトランジスタ3、4、5のON/OFFを制御す
るための信号を印可する端子である。制御信号入力端子
12、13、14に印加される制御信号がhighの場
合、スイッチングNMOSトランジスタ3、4、5はO
Nとなり、電流源6、7、8からの電流値I1、I2、
I3は、負荷9、10、11に流れずスイッチングNM
OSトランジスタ3、4、5各々に流れる。
【0005】一方、制御信号12、13、14がlow
の場合、スイッチングNMOSトランジスタ3、4、5
はOFFし、電流源6、7、8からの電流値I1、I
2、I3は、負荷9、10、11各々に流れる。
【0006】負荷9、10、11が電子源、特に、表面
伝導型電子放出素子(Surface Conductive Emitter:S
CE)素子の場合、複数存在する各SCE素子のONは
同時刻であるが、OFF時刻は各SCE素子毎に異な
る。そのため、駆動している駆動パルス幅でSCE素子
の駆動(発光)時間は制御される。
【0007】図5(a)に示した構成例では、各負荷
9、10、11間に寄生容量が存在する場合、その寄生
容量の影響により、自分以外の他のチャンネルの負荷の
スイッチングが、寄生容量を介して自分の出力波形に影
響してしまうという不具合があった。この寄生容量値
は、隣接チャンネル(注目チャンネルをチャンネルn
(n:整数)とすると、チャンネルn±1)のものが大
きく、次いでチャンネルn±2,n±3,…,n±m
(m:整数)と、mが大きくなるほどチャンネルnとの
物理的距離に伴いチャンネルnとに生じる寄生容量値は
小さくなり、チャンネルnへのクロストークも小さくな
る。
【0008】図5(a)では、クロストークの影響を隣
接チャンネル(n±1)のみに簡略した場合の図面を記
している。そして、上記隣接チャンネルのクロストーク
が与える影響の概略を示した図面が図5(b)である。
同図の各波形は各負荷の負荷電圧を表している。上段
は、図5(a)の負荷9の負荷電圧である。中段は、図
5(a)の負荷10の負荷電圧である。下段は、図5
(a)の負荷11の負荷電圧である。負荷9〜11は、
同一時刻t0でONとなり、ある一定時間駆動され再び
OFFとなる。図5(b)では、負荷9、11は時刻t
1でOFF、負荷10は時刻t2でOFFになっている
例を示している。負荷9〜11がOFFする時刻は各チ
ャンネルで任意で、負荷にSCE素子を用いている場合
には、駆動パルス幅で駆動(発光)時間が制御される。
【0009】図5(b)では、時刻t1において負荷
9、11はOFFになるが、負荷10はOFFとなら
ず、時刻t2までONである。この場合、負荷10の負
荷電圧は一時的に時刻t1で、隣接チャンネルのOFF
で発生するクロストークにより負荷電圧が下がる。この
下がる量は、寄生容量値と、負荷9、11のスイッチン
グスピードdv/dtに比例する。これら、自分以外の
他チャンネルの負荷のスイッチングから起因するクロス
トークの影響で、ON状態であるべき、駆動されている
べき負荷電圧の低下が負荷のしきい値電圧を下回ると、
ダイオード特性を有する負荷を用いている場合、一時的
に時刻t1において負荷がOFFしてしまい、所望のパ
ルス幅を得られないという場合もある。特に、負荷とし
てSCE素子を使用する場合には、実際には駆動(発
光)していなければならないにも関わらず、時刻t1に
おいて一時的に駆動(発光)に至らず、所望のパルス幅
が得られないという場合もある。
【0010】そこで、本願は、複数のチャンネルを有す
る駆動回路において、他チャンネルへのクロストークを
低減することができる駆動回路に関する発明として、以
下を含む。
【0011】その駆動回路は以下の構成を備える。即
ち、負荷を駆動する複数のチャンネルを有する駆動回路
であって、前記複数のチャンネル各々は、第1端子が第
1電流源に接続され、第2端子が第2電流源に接続され
たスイッチングトランジスタと、前記スイッチングトラ
ンジスタの第1端子に接続され、該スイッチングトラン
ジスタのON/OFFに応じて駆動する負荷と、前記ス
イッチングトランジスタの第3端子に接続されるフィル
タとを備える。
【0012】また、好ましくは、前記第1端子、前記第
2端子、前記第3端子は、それぞれ、前記スイッチング
トランジスタのドレイン端子、ソース端子、ゲート端子
である。また、好ましくは、前記スイッチングトランジ
スタは、MOSトランジスタである。また、好ましく
は、前記フィルタは、ローパスフィルタである。
【0013】また、好ましくは、前記負荷は、電子源で
ある。
【0014】また、好ましくは、前記電子源は、表面伝
導型電子放出素子である。また、ここで、第1電流源、
第2電流源の一方は、グランド電位を与えるものであっ
ても良い。
【0015】上記の目的を達成するための本発明による
駆動回路は以下の構成を備える。即ち、負荷を駆動する
複数のチャンネルを有する駆動回路であって、前記複数
のチャンネル各々は、第1端子が第1電源に接続され、
第2端子が第2電流源に接続されたスイッチングトラン
ジスタと、前記スイッチングトランジスタの第1端子に
接続され、該スイッチングトランジスタのON/OFF
に応じて駆動する負荷と、一端に前記スイッチングトラ
ンジスタの第3端子に接続され、他端に第1信号線と、
第2信号線に接続されるスイッチと、前記第1信号線に
接続されるフィルタとを備える。
【0016】また、好ましくは、前記第1端子、前記第
2端子、前記第3端子は、それぞれ、前記スイッチング
トランジスタのドレイン端子、ソース端子、ゲート端子
である。また、好ましくは、前記スイッチングトランジ
スタは、MOSトランジスタである。また、好ましく
は、前記複数のチャンネルの内、注目チャンネルの負荷
がONからOFFにスイッチングし、かつ隣接するチャ
ンネルの負荷が全てOFFの場合、前記スイッチは、前
記第1信号線を選択する。
【0017】また、好ましくは、前記フィルタは、ロー
パスフィルタである。
【0018】また、好ましくは、前記負荷は、電子源で
ある。
【0019】また、好ましくは、前記電子源は、表面伝
導型電子放出素子である。また、ここで、第1電流源、
第2電流源の一方は、グランド電位を与えるものであっ
ても良い。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の好
適な実施形態を詳細に説明する。 (実施形態1)図1は本発明の実施形態1の駆動回路の
構成を示す図である。
【0021】尚、図1(a)では、簡略のため、チャン
ネル数を3としてる。また、図5(a)と同じ構成要素
については、同じ参照番号を付加している。
【0022】17、18、19は、各スイッチングMO
Sトランジスタ3,4,5のスイッチング応答を鈍らせ
るために設けられたローパスフィルタ(LPF)であ
る。これにより、隣接チャンネル間のクロストークを低
減することができる。
【0023】図1(b)にスイッチ制御信号印可端子1
2、13、14と各端子に各々対応するスイッチングM
OSトランジスタ3、4、5間に、LPF17、18、
19を設けた場合の各負荷の負荷電圧を図示する。
【0024】図4の説明同様、時刻t0で全負荷9〜1
1同時にONとなり、時刻t1で負荷9、11のみがO
FFとなるが、負荷10は依然ONの状態にある。時刻
t1におけるスイッチングNMOSトランジスタ3、5
のゲート端子に印加される制御信号は、スイッチ制御信
号印可端子12、14に与えられた矩形パルスがローパ
スフィルタ(LPF)17、19の時定数τで鈍ったパ
ルスが印加される。これにより、スイッチングMOSト
ランジスタ3、5のゲート電圧には急峻ではなく徐々に
所望の制御電圧が印加される。
【0025】つまり、スイッチングNMOSトランジス
タ3、5は、徐々にそのソース能力を増すこととなり、
負荷電圧も徐々に変化する。これにより、負荷電圧の変
化量(dv/dt)もLPFを介さない場合よりも小さ
くなり、他チャンネルへのクロストーク量が減少する。
このクロストーク量の減少に伴い、負荷10の時刻t1
におけるクロストークによる負荷電圧の低減量を軽減す
ることで、負荷のしきい値電圧を下回ることなく、負荷
が時刻t1で一時非駆動状態に陥ることが回避される。
【0026】以上説明したように、実施形態1によれ
ば、各スイッチングMOSトランジスタ3〜5のゲート
端子に、LPF17〜19を設け、そのLPF17〜1
9の時定数τで矩形波で与えられるスイッチ制御信号を
鈍らせることで、チャンネル間の寄生素子によるクロス
トークを低減し、クロストークによる負荷が一時非駆動
に陥ることを回避できる。 (実施形態2)図2は本発明の実施形態2の駆動回路の
構成を示す図である。
【0027】尚、図2(a)中、図1(a)と同じ構成
要素については、同じ参照番号を付加している。
【0028】20、21、22はスイッチである。本ス
イッチの論理値を図3に記す。また、本スイッチの動作
を説明するためにスイッチ部分のみ書き出した図面を、
図4に示す。実施形態2では、簡略のためクロストーク
の影響は隣接チャンネル(n±1)のみに限定して図面
を描いているが、隣接する複数のチャンネル(n±m)
のクロストークをも低減する場合には、図4中NAND
回路31の入力が複数(2m)となる。本例は図3の論
理値の一例として、NAND回路31、32を用いて構
成している。23、27はINV(インバータ)回路で
あり、24、25、26、28はNAND回路である。
【0029】図4において、スイッチ30の出力の接続
先は、対応するスイッチングNMOSトランジスタのゲ
ート端子である。自チャンネルのスイッチングNMOS
トランジスタをON/OFFする制御信号inN(N:
整数)がLowの場合は、制御信号inNは直接スイッ
チングNMOSトランジスタのゲート端子に印加され
る。この場合、LPF29を介さないため、スイッチン
グ時の負荷電圧の変化量(dv/dt)には影響無く、
制御信号inNがLowとなる場合、即ち、全負荷の駆
動開始時であり、その時にはスイッチング応答速度を鈍
らせることなく一斉に全負荷がONとなる。
【0030】inN−1、inN+1はinNに隣接す
る負荷を駆動するための制御信号である。制御信号in
N−1、inN+1いずれかがLowの場合、即ち、隣
接する負荷が駆動されている状態である場合、スイッチ
30はLPF側に接続され、制御信号inNはLPFを
通し、制御信号inNの矩形波がLPFの時定数τで鈍
った波形でスイッチングMOSトランジスタのゲート端
子に印可される。これにより、負荷電圧の変化量(dv
/dt)を鈍らせ、自チャンネルがOFFすることに起
因する他チャンネルへのクロストークを軽減する。
【0031】一方、制御信号inN−1、inN+1が
共にhighの場合、即ち、隣接する負荷が共にOFF
状態である場合、自チャンネルのOFFスイッチングを
鈍らせる必要は無く、LPFを介さずに制御信号inN
は直接スイッチングNMOSトランジスタのゲート端子
に印加される。
【0032】以上の動作を実現するのが、図3に示した
真理値表であり、各負荷の負荷電圧波形は、図2(b)
のようになる。
【0033】以上説明したように、実施形態2によれ
ば、実施形態1の発明をより局所的に効率よく機能させ
ることができる。即ち、実施形態1では、クロストーク
量を負荷のしきい値を下回ることなくLPFの時定数τ
を決定しなくてはならず、この時定数τが大きな値に設
定せざるを得ない場合、負荷自体の立ち上がり、立ち下
がり応答が鈍り、クロストークによる負荷の一時的な非
駆動(発光)は回避できるものの、所望のパルス幅が得
られなくなってしまう場合もあり得る。これに対し、実
施形態2では、自チャンネルが他チャンネルに悪影響を
与えるスイッチング時のみにLPFを介したスイッチン
グ制御信号を印可することで、実施形態1で生じてしま
う、クロストークの影響を考慮しなくても良い立ち上が
り、立ち下がりに関してはLPFを介さずにスイッチ制
御信号を印可することで、LPFの時定数τを大きく設
定したときにも、負荷が非駆動(発光)に陥ることなく
所望のパルス幅を得ることができる。
【0034】以上説明した実施形態1、2に用いる負荷
としては、例えば、電子源、特に、表面伝導型電子放出
素子(Surface Conduction Emitter:SCE)を用いる
ことができる。
【0035】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
特性を向上させることができる駆動回路を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態1の駆動回路の構成を示す図
である。
【図2】本発明の実施形態2の駆動回路の構成を示す図
である。
【図3】本発明の実施形態2の駆動回路で用いる真理値
表を示す図である。
【図4】本発明の実施形態2の駆動回路内のスイッチ部
分の詳細構成を示す図である。
【図5】従来の駆動回路を示す図である。
【符号の説明】
1 第1の電源 2 第2の電源 3〜5 スイッチングNMOSトランジスタ 6〜8 電流源 9〜11 負荷 12〜14 制御信号入力端子 15〜16 寄生容量 17〜19、29 ローパスフィルタ 20〜22、30 スイッチ 23、27 INV回路 24〜28、31〜32 NAND回路

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 負荷を駆動する複数のチャンネルを有す
    る駆動回路であって、 前記複数のチャンネル各々は、 第1端子が第1電流源に接続され、第2端子が第2電流
    源に接続されたスイッチングトランジスタと、 前記スイッチングトランジスタの第1端子に接続され、
    該スイッチングトランジスタのON/OFFに応じて駆
    動する負荷と、 前記スイッチングトランジスタの第3端子に接続される
    フィルタとを備えることを特徴とする駆動回路。
  2. 【請求項2】 前記第1端子、前記第2端子、前記第3
    端子は、それぞれ、前記スイッチングトランジスタのド
    レイン端子、ソース端子、ゲート端子であることを特徴
    とする請求項1に記載の駆動回路
  3. 【請求項3】 前記スイッチングトランジスタは、MO
    Sトランジスタであることを特徴とする請求項1に記載
    の駆動回路。
  4. 【請求項4】 前記フィルタは、ローパスフィルタであ
    ることを特徴とする請求項1に記載の駆動回路。
  5. 【請求項5】 前記負荷は、電子源であることを特徴と
    する請求項1に記載の駆動回路。
  6. 【請求項6】 前記電子源は、表面伝導型電子放出素子
    であることを特徴とする請求項5に記載の駆動回路。
  7. 【請求項7】 負荷を駆動する複数のチャンネルを有す
    る駆動回路であって、 前記複数のチャンネル各々は、 第1端子が第1電流源に接続され、第2端子が第2電流
    源に接続されたスイッチングトランジスタと、 前記スイッチングトランジスタの第1端子に接続され、
    該スイッチングトランジスタのON/OFFに応じて駆
    動する負荷と、 一端に前記スイッチングトランジスタの第3端子に接続
    され、他端に第1信号線と、第2信号線に接続されるス
    イッチと、 前記第1信号線に接続されるフィルタとを備えることを
    特徴とする駆動回路。
  8. 【請求項8】 前記第1端子、前記第2端子、前記第3
    端子は、それぞれ、前記スイッチングトランジスタのド
    レイン端子、ソース端子、ゲート端子であることを特徴
    とする請求項7に記載の駆動回路
  9. 【請求項9】 前記スイッチングトランジスタは、MO
    Sトランジスタであることを特徴とする請求項7に記載
    の駆動回路。
  10. 【請求項10】 前記複数のチャンネルの内、注目チャ
    ンネルの負荷がONからOFFにスイッチングし、かつ
    隣接するチャンネルの負荷が全てOFFの場合、前記ス
    イッチは、前記第1信号線を選択することを特徴とする
    請求項7に記載の駆動回路。
  11. 【請求項11】 前記フィルタは、ローパスフィルタで
    あることを特徴とする請求項7に記載の駆動回路。
  12. 【請求項12】 前記負荷は、電子源であることを特徴
    とする請求項7に記載の駆動回路。
  13. 【請求項13】 前記電子源は、表面伝導型電子放出素
    子であることを特徴とする請求項12に記載の駆動回
    路。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005004190A (ja) * 2003-05-16 2005-01-06 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd アクティブマトリックス型表示装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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