JP2000244094A - バイアホールの形成方法 - Google Patents
バイアホールの形成方法Info
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- JP2000244094A JP2000244094A JP11040253A JP4025399A JP2000244094A JP 2000244094 A JP2000244094 A JP 2000244094A JP 11040253 A JP11040253 A JP 11040253A JP 4025399 A JP4025399 A JP 4025399A JP 2000244094 A JP2000244094 A JP 2000244094A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザ光を使用しつつ，かつ，下層の絶縁物
への熱ダメージを軽減したバイアホールの形成方法を提
供すること。 【解決手段】 めっき層を樹脂と上層絶縁層とで挟んだ
構造の基板に対し，上方からパルス状のレーザ光を照射
する。レーザ光がオンである期間Ａには，上層絶縁層の
うち照射を受けた箇所が激しく加熱され，飛散して穴を
なす。その熱はその周囲にも伝導する。しかしパルスと
パルスとの間の期間Ｂには，加熱されることがなく熱が
逃げ去る一方なので，照射箇所の周囲が過度に高温にな
ることがない。これにより，めっき層の直下の樹脂が溶
融したり気化したりすることが防止される。このため，
めっき層とその直下の樹脂とが剥離することがない。
への熱ダメージを軽減したバイアホールの形成方法を提
供すること。 【解決手段】 めっき層を樹脂と上層絶縁層とで挟んだ
構造の基板に対し，上方からパルス状のレーザ光を照射
する。レーザ光がオンである期間Ａには，上層絶縁層の
うち照射を受けた箇所が激しく加熱され，飛散して穴を
なす。その熱はその周囲にも伝導する。しかしパルスと
パルスとの間の期間Ｂには，加熱されることがなく熱が
逃げ去る一方なので，照射箇所の周囲が過度に高温にな
ることがない。これにより，めっき層の直下の樹脂が溶
融したり気化したりすることが防止される。このため，
めっき層とその直下の樹脂とが剥離することがない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，積層基板における
バイアホールの形成に関する。さらに詳細には，上層の
絶縁物にレーザ光を照射して穴開けするときにおける，
下層の絶縁物への熱によるダメージを軽減したバイアホ
ールの形成方法に関するものである。
バイアホールの形成に関する。さらに詳細には，上層の
絶縁物にレーザ光を照射して穴開けするときにおける，
下層の絶縁物への熱によるダメージを軽減したバイアホ
ールの形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から，印刷回路基板として使用する
積層基板では，導体層を他の導体層と導通させるための
バイアホールを設けている。バイアホールを形成するた
めには，導体層の上に形成した絶縁物に穴をあける必要
がある。このためには，フォトエッチングを利用する方
法もあるが，レーザ光を絶縁物に照射してその箇所に穴
をあける方法もある。後者の方法によればフォトリソグ
ラフィをしなくてもよい利点がある。
積層基板では，導体層を他の導体層と導通させるための
バイアホールを設けている。バイアホールを形成するた
めには，導体層の上に形成した絶縁物に穴をあける必要
がある。このためには，フォトエッチングを利用する方
法もあるが，レーザ光を絶縁物に照射してその箇所に穴
をあける方法もある。後者の方法によればフォトリソグ
ラフィをしなくてもよい利点がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，バイア
ホールを形成する箇所にレーザ光を照射すると，導体層
の下層の絶縁物に熱によるダメージが加わってしまう。
このため，下層の絶縁物が樹脂材料である場合には，一
旦溶融したりさらには気化することがある。これによ
り，平坦性が低下したり，冷却後にも気泡が残ってしま
う場合がある。特に，小径のバイアホールを形成するた
めにレーザ光のビーム形を絞っている場合に著しい。こ
のように，レーザ光によるバイアホール形成は，他の弊
害を伴いがちであるため，現実にはあまり簡単なことで
ない。
ホールを形成する箇所にレーザ光を照射すると，導体層
の下層の絶縁物に熱によるダメージが加わってしまう。
このため，下層の絶縁物が樹脂材料である場合には，一
旦溶融したりさらには気化することがある。これによ
り，平坦性が低下したり，冷却後にも気泡が残ってしま
う場合がある。特に，小径のバイアホールを形成するた
めにレーザ光のビーム形を絞っている場合に著しい。こ
のように，レーザ光によるバイアホール形成は，他の弊
害を伴いがちであるため，現実にはあまり簡単なことで
ない。
【０００４】本発明は，前記した従来の技術が有する問
題点の解決を目的としてなされたものである。すなわち
その課題とするところは，レーザ光を使用しつつ，か
つ，下層の絶縁物への熱ダメージを軽減したバイアホー
ルの形成方法を提供することにある。
題点の解決を目的としてなされたものである。すなわち
その課題とするところは，レーザ光を使用しつつ，か
つ，下層の絶縁物への熱ダメージを軽減したバイアホー
ルの形成方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この課題の解決のために
なされた本発明に係るバイアホールの形成方法は，導体
層を上層および下層の絶縁物で挟んだ積層基板に対し，
導体層を外部に導通させるためのバイアホールを上層の
絶縁物に形成する方法であって，上層の絶縁物にパルス
状のレーザ光を照射してこれを部分的に除去し，導体層
を露出させることによりバイアホールを形成する方法で
ある。
なされた本発明に係るバイアホールの形成方法は，導体
層を上層および下層の絶縁物で挟んだ積層基板に対し，
導体層を外部に導通させるためのバイアホールを上層の
絶縁物に形成する方法であって，上層の絶縁物にパルス
状のレーザ光を照射してこれを部分的に除去し，導体層
を露出させることによりバイアホールを形成する方法で
ある。
【０００６】この方法では，導体層の上層の絶縁物に対
しレーザ光がパルス状に照射される。すると，絶縁物の
うちレーザ光の照射を受けた箇所が局所的に加熱され，
飛散して穴をなす。しかし，照射がパルス状であるため
に，パルスとパルスとの間に放熱期間がある。このた
め，熱の影響が導体層の下層へ及ぶことがほとんどな
い。よって，下層の絶縁物が一時的に溶融して導体層に
湾曲を生じたり，さらには下層の絶縁物が局所的に気化
して気泡が生じたりすることがない。したがってこの方
法によれば，下層の絶縁物への熱の影響がほとんどない
状態で，フォトリソグラフィを使わずにバイアホールを
形成することができる。また，レーザ光のビーム径を調
整することにより，所望の径のバイアホールを得ること
ができる。
しレーザ光がパルス状に照射される。すると，絶縁物の
うちレーザ光の照射を受けた箇所が局所的に加熱され，
飛散して穴をなす。しかし，照射がパルス状であるため
に，パルスとパルスとの間に放熱期間がある。このた
め，熱の影響が導体層の下層へ及ぶことがほとんどな
い。よって，下層の絶縁物が一時的に溶融して導体層に
湾曲を生じたり，さらには下層の絶縁物が局所的に気化
して気泡が生じたりすることがない。したがってこの方
法によれば，下層の絶縁物への熱の影響がほとんどない
状態で，フォトリソグラフィを使わずにバイアホールを
形成することができる。また，レーザ光のビーム径を調
整することにより，所望の径のバイアホールを得ること
ができる。
【０００７】このバイアホールの形成方法においては，
パルス状のレーザ光におけるパルス幅のパルス周期に対
する比を，１／２０以下，さらに好ましくは１／１００
以下とすることが望ましい。この比が大きすぎると，放
熱が不十分なために下層の絶縁物への熱ダメージが生じ
るおそれがあるからである。
パルス状のレーザ光におけるパルス幅のパルス周期に対
する比を，１／２０以下，さらに好ましくは１／１００
以下とすることが望ましい。この比が大きすぎると，放
熱が不十分なために下層の絶縁物への熱ダメージが生じ
るおそれがあるからである。
【０００８】このバイアホールの形成方法においてはま
た，パルス状のレーザ光のパルス幅を，１００μ（１０
-6）秒以下，さらに好ましくは２０μ秒以下とすること
を特徴とすることが望ましい。パルス幅があまりに長い
と，連続照射の場合とあまり変わらず，下層の絶縁物へ
の熱ダメージが生じてしまうからである。
た，パルス状のレーザ光のパルス幅を，１００μ（１０
-6）秒以下，さらに好ましくは２０μ秒以下とすること
を特徴とすることが望ましい。パルス幅があまりに長い
と，連続照射の場合とあまり変わらず，下層の絶縁物へ
の熱ダメージが生じてしまうからである。
【０００９】あるいはこのバイアホールの形成方法にお
いては，パルス状のレーザ光のパルス間隔を，１９８０
μ秒以上とすることが望ましい。パルス間隔が短すぎる
と，十分放熱しないうちに次のレーザ照射がなされてし
まうため，下層の絶縁物への熱ダメージが生じるおそれ
があるからである。
いては，パルス状のレーザ光のパルス間隔を，１９８０
μ秒以上とすることが望ましい。パルス間隔が短すぎる
と，十分放熱しないうちに次のレーザ照射がなされてし
まうため，下層の絶縁物への熱ダメージが生じるおそれ
があるからである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下，本発明を具体化した実施の
形態について，図面を参照しつつ詳細に説明する。
形態について，図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１１】まず，本実施の形態でバイアホールを形成
する基板について簡単に説明する。当該基板は，図１に
示すように，スルーホール１１を形成したコア基板１２
に，上層絶縁層１３を被覆したものである。スルーホー
ル１１は，コア基板１２に貫通孔を穿けてその壁面に導
体層１４を形成したものであり，その内部は樹脂１５で
充填されている。そして，その上方の口にはふためっき
１６が形成されている。上層絶縁層１３は，ふためっき
１６を覆っている。
する基板について簡単に説明する。当該基板は，図１に
示すように，スルーホール１１を形成したコア基板１２
に，上層絶縁層１３を被覆したものである。スルーホー
ル１１は，コア基板１２に貫通孔を穿けてその壁面に導
体層１４を形成したものであり，その内部は樹脂１５で
充填されている。そして，その上方の口にはふためっき
１６が形成されている。上層絶縁層１３は，ふためっき
１６を覆っている。
【００１２】コア基板１１は，エポキシプリプレグ等の
絶縁樹脂系素材により形成された基板である。その貫通
孔の壁面の導体層１４は，無電解めっきにより形成され
た銅の層である。樹脂１５は，エポキシ樹脂にシリカ粉
末のフィラーを配合したものであり，パターン印刷によ
り貫通孔の内部に充填されたものである。ふためっき１
６は，無電解めっきおよび電気めっきにより部分的に形
成された銅の層である。上層絶縁層１３は，ふためっき
１６を形成した後でその上にラミネートしたエポキシ樹
脂の層（厚さ５０μｍ）である。
絶縁樹脂系素材により形成された基板である。その貫通
孔の壁面の導体層１４は，無電解めっきにより形成され
た銅の層である。樹脂１５は，エポキシ樹脂にシリカ粉
末のフィラーを配合したものであり，パターン印刷によ
り貫通孔の内部に充填されたものである。ふためっき１
６は，無電解めっきおよび電気めっきにより部分的に形
成された銅の層である。上層絶縁層１３は，ふためっき
１６を形成した後でその上にラミネートしたエポキシ樹
脂の層（厚さ５０μｍ）である。
【００１３】上記の構造の基板に対して，レーザ光Ｌが
照射される。照射される箇所は，スルーホール１１のあ
る箇所である。照射されるレーザ光Ｌは，図２に示すよ
うに，オンオフを反復するパルス状のものである。図２
において，パルス幅Ａは２０μ秒である。そしてパルス
周期Ｂは，２０００μ秒である。したがってパルス間隔
Ｃは，１９８０μ秒である。レーザ光Ｌの種類として
は，公知のＣＯ2 レーザやＹＡＧレーザ，あるいはエキ
シマレーザなどが使用できる。
照射される。照射される箇所は，スルーホール１１のあ
る箇所である。照射されるレーザ光Ｌは，図２に示すよ
うに，オンオフを反復するパルス状のものである。図２
において，パルス幅Ａは２０μ秒である。そしてパルス
周期Ｂは，２０００μ秒である。したがってパルス間隔
Ｃは，１９８０μ秒である。レーザ光Ｌの種類として
は，公知のＣＯ2 レーザやＹＡＧレーザ，あるいはエキ
シマレーザなどが使用できる。
【００１４】このようなパルス状のレーザ光が照射され
ることにより，上層絶縁層１３のうちの当該箇所が局所
的に激しく加熱される。このためその箇所のエポキシ樹
脂が溶融しさらには気化し，飛散して穴をなす。これに
より，図３に示すようにバイアホール１７が形成され
る。図３におけるバイアホール１７の箇所では，上層絶
縁層１３のエポキシ樹脂が除去されており，ふためっき
１６が露出している。この状態に対しめっきを施すと，
図４に示すように，ふためっき１６と上層めっき層１８
とがバイアホール１７のところで導通した状態が得られ
る。
ることにより，上層絶縁層１３のうちの当該箇所が局所
的に激しく加熱される。このためその箇所のエポキシ樹
脂が溶融しさらには気化し，飛散して穴をなす。これに
より，図３に示すようにバイアホール１７が形成され
る。図３におけるバイアホール１７の箇所では，上層絶
縁層１３のエポキシ樹脂が除去されており，ふためっき
１６が露出している。この状態に対しめっきを施すと，
図４に示すように，ふためっき１６と上層めっき層１８
とがバイアホール１７のところで導通した状態が得られ
る。
【００１５】なお，上層絶縁層１３がエポキシ樹脂の単
体である場合には，１箇所に対し概ね２パルスのレーザ
光を照射すれば，バイアホール１７の形成には十分であ
る。ただし，上層絶縁層１３のエポキシ樹脂にシリカ粉
末のフィラーが配合されている場合には，３パルスの照
射が必要である。また，上層絶縁層１３のエポキシ樹脂
がガラスクロス入りのものである場合には，４〜５パル
スの照射が必要である。
体である場合には，１箇所に対し概ね２パルスのレーザ
光を照射すれば，バイアホール１７の形成には十分であ
る。ただし，上層絶縁層１３のエポキシ樹脂にシリカ粉
末のフィラーが配合されている場合には，３パルスの照
射が必要である。また，上層絶縁層１３のエポキシ樹脂
がガラスクロス入りのものである場合には，４〜５パル
スの照射が必要である。
【００１６】ここにおいて，レーザ光Ｌが照射されてい
るとき，照射箇所から熱伝導によりその周囲へと熱が伝
達される。このため，樹脂１５のうち，ふためっき１６
を挟んで照射箇所の直下の部位も温度がある程度上昇す
る。しかしレーザ光Ｌの照射が図２に示すようなパルス
状であるため，パルス間隔Ｃの期間においてはレーザ光
Ｌが照射されない。このためこの期間は，加熱されるこ
とがなく当該箇所から熱が逃げ去る一方の放熱期間であ
る。したがってこの期間に当該箇所の温度が下がるの
で，樹脂１５の温度が過度に上昇して溶融したりさらに
は気化したりすることがない。
るとき，照射箇所から熱伝導によりその周囲へと熱が伝
達される。このため，樹脂１５のうち，ふためっき１６
を挟んで照射箇所の直下の部位も温度がある程度上昇す
る。しかしレーザ光Ｌの照射が図２に示すようなパルス
状であるため，パルス間隔Ｃの期間においてはレーザ光
Ｌが照射されない。このためこの期間は，加熱されるこ
とがなく当該箇所から熱が逃げ去る一方の放熱期間であ
る。したがってこの期間に当該箇所の温度が下がるの
で，樹脂１５の温度が過度に上昇して溶融したりさらに
は気化したりすることがない。
【００１７】もし，レーザ光Ｌを連続的に照射すると，
照射箇所のみならずその周囲もかなり高温になる。この
ため，特に樹脂１５のうちふためっき１６の直下の部分
が溶融しさらには気化するおそれがある。これにより，
バイアホールの箇所でふためっき１６に凹凸が生じた
り，さらには図５に示すように樹脂１５とふためっき１
６との間に気泡ができて剥離したりすることもある。レ
ーザ光Ｌの照射をパルス状とすることにより，このよう
な事態が防止される。
照射箇所のみならずその周囲もかなり高温になる。この
ため，特に樹脂１５のうちふためっき１６の直下の部分
が溶融しさらには気化するおそれがある。これにより，
バイアホールの箇所でふためっき１６に凹凸が生じた
り，さらには図５に示すように樹脂１５とふためっき１
６との間に気泡ができて剥離したりすることもある。レ
ーザ光Ｌの照射をパルス状とすることにより，このよう
な事態が防止される。
【００１８】ただし，図２のパルス幅Ａが長すぎたり，
パルス間隔Ｃが短すぎたりして，デューティ比が大きす
ぎると，放熱時間が不足する。これでは，連続照射の場
合とあまり変わらなくなってしまう。本実施の形態では
前述のように，パルス幅Ａを２０μ秒とし，パルス間隔
Ｃを１９８０μ秒としている。よって，パルス幅Ａのパ
ルス周期Ｂ（＝Ａ＋Ｃ）に対する比（以下，「デューテ
ィ比」という）は１／１００である。したがって放熱時
間が十分あり，図５のような事態が確実に防止される。
パルス間隔Ｃが短すぎたりして，デューティ比が大きす
ぎると，放熱時間が不足する。これでは，連続照射の場
合とあまり変わらなくなってしまう。本実施の形態では
前述のように，パルス幅Ａを２０μ秒とし，パルス間隔
Ｃを１９８０μ秒としている。よって，パルス幅Ａのパ
ルス周期Ｂ（＝Ａ＋Ｃ）に対する比（以下，「デューテ
ィ比」という）は１／１００である。したがって放熱時
間が十分あり，図５のような事態が確実に防止される。
【００１９】なお，実際の基板では，図６に×印で示す
ように，多数の箇所にバイアホールを形成することがあ
る。このような場合には，図６に矢印で示すように，１
パルスごとにレーザ光の照射箇所を順次移動させてい
き，全箇所への１パルス目のレーザ光の照射が終了して
から２パルス目のレーザ光を同様に各箇所に順次照射す
るようにしてもよい。このようにすると，レーザ光源自
体のデューティ比よりも各箇所におけるデューティ比が
かなり低い。このためレーザ光源自体のデューティ比を
さほど低くしなくても，各箇所におけるパルス間隔がか
なり長く取られ，適切なバイアホール形成がなされる。
これにより，効率よく多数のバイアホールを形成するこ
とができる。
ように，多数の箇所にバイアホールを形成することがあ
る。このような場合には，図６に矢印で示すように，１
パルスごとにレーザ光の照射箇所を順次移動させてい
き，全箇所への１パルス目のレーザ光の照射が終了して
から２パルス目のレーザ光を同様に各箇所に順次照射す
るようにしてもよい。このようにすると，レーザ光源自
体のデューティ比よりも各箇所におけるデューティ比が
かなり低い。このためレーザ光源自体のデューティ比を
さほど低くしなくても，各箇所におけるパルス間隔がか
なり長く取られ，適切なバイアホール形成がなされる。
これにより，効率よく多数のバイアホールを形成するこ
とができる。
【００２０】以上詳細に説明したように本実施の形態に
よれば，上層絶縁層１３へのレーザ光Ｌの照射をパルス
状として，放熱期間を確保しつつバイアホール１７を形
成するようにしている。したがって，バイアホールを形
成する箇所の周囲が過度に高温となることが防止されて
いる。かくして，当該箇所の直下の位置での樹脂１５へ
の熱の影響が緩和されている。これにより，ふためっき
１６の平坦性が悪くなったり，さらにはその直下の樹脂
１５との間に気泡が残って剥離したりすることなく，バ
イアホールを形成する方法が実現されている。
よれば，上層絶縁層１３へのレーザ光Ｌの照射をパルス
状として，放熱期間を確保しつつバイアホール１７を形
成するようにしている。したがって，バイアホールを形
成する箇所の周囲が過度に高温となることが防止されて
いる。かくして，当該箇所の直下の位置での樹脂１５へ
の熱の影響が緩和されている。これにより，ふためっき
１６の平坦性が悪くなったり，さらにはその直下の樹脂
１５との間に気泡が残って剥離したりすることなく，バ
イアホールを形成する方法が実現されている。
【００２１】なお，本実施の形態は単なる例示にすぎ
ず，本発明を何ら限定するものではない。したがって本
発明は当然に，その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改
良，変形が可能である。例えば本実施の形態では，スル
ーホールの直上位置にバイアホールを形成したが，これ
に限らず他の位置に形成してもよい。また，ふためっき
（導体層）の直下の絶縁物は，熱可塑性の材質であれば
他のものであっても同様に本発明による効果が得られ
る。また，上層絶縁層についても同様に，他の材質であ
ってもよい。
ず，本発明を何ら限定するものではない。したがって本
発明は当然に，その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改
良，変形が可能である。例えば本実施の形態では，スル
ーホールの直上位置にバイアホールを形成したが，これ
に限らず他の位置に形成してもよい。また，ふためっき
（導体層）の直下の絶縁物は，熱可塑性の材質であれば
他のものであっても同様に本発明による効果が得られ
る。また，上層絶縁層についても同様に，他の材質であ
ってもよい。
【００２２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば，レーザ光を使用しつつ，かつ，下層の絶縁物へ
の熱ダメージを軽減したバイアホールの形成方法が提供
されている。
よれば，レーザ光を使用しつつ，かつ，下層の絶縁物へ
の熱ダメージを軽減したバイアホールの形成方法が提供
されている。
【図１】バイアホールを形成する前の状態の基板を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】レーザ光がパルス上であることを示す説明図で
ある。
ある。
【図３】バイアホールを形成した状態を示す断面図であ
る。
る。
【図４】上層めっきを形成した状態を示す断面図であ
る。
る。
【図５】導体層とその下の樹脂とが剥離している状態を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図６】多数の箇所にバイアホールを形成する様子の説
明図である。
明図である。
１３ 上層絶縁層 １５ 樹脂 １６ ふためっき １７ バイアホール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｎ
Claims (4)
- 【請求項１】 導体層を上層および下層の絶縁物で挟ん
だ積層基板に対し，前記導体層を外部に導通させるため
のバイアホールを上層の絶縁物に形成する方法におい
て，前記上層の絶縁物にパルス状のレーザ光を照射して
これを部分的に除去し，前記導体層を露出させることを
特徴とするバイアホールの形成方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載するバイアホールの形成
方法において，前記パルス状のレーザ光におけるパルス
幅のパルス周期に対する比が，１／２０以下であること
を特徴とするバイアホールの形成方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載するバイアホールの形成
方法において，前記パルス状のレーザ光のパルス幅が，
１００μ秒以下であることを特徴とするバイアホールの
形成方法。 - 【請求項４】 請求項１に記載するバイアホールの形成
方法において，前記パルス状のレーザ光のパルス間隔
が，１９８０μ秒以上であることを特徴とするバイアホ
ールの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11040253A JP2000244094A (ja) | 1999-02-18 | 1999-02-18 | バイアホールの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11040253A JP2000244094A (ja) | 1999-02-18 | 1999-02-18 | バイアホールの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000244094A true JP2000244094A (ja) | 2000-09-08 |
Family
ID=12575533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11040253A Pending JP2000244094A (ja) | 1999-02-18 | 1999-02-18 | バイアホールの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000244094A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008526276A (ja) * | 2004-12-30 | 2008-07-24 | ミラー，アール．ジェイ．ドウェイン | 直接駆動アブレーションのためのｉｒ波長範囲でのインパルス熱蓄積によるレーザ選択的切断 |
-
1999
- 1999-02-18 JP JP11040253A patent/JP2000244094A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008526276A (ja) * | 2004-12-30 | 2008-07-24 | ミラー，アール．ジェイ．ドウェイン | 直接駆動アブレーションのためのｉｒ波長範囲でのインパルス熱蓄積によるレーザ選択的切断 |
| JP2014061391A (ja) * | 2004-12-30 | 2014-04-10 | Attodyne Inc | 直接駆動アブレーションのためのｉｒ波長範囲でのインパルス熱蓄積によるレーザ選択的切断 |
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