JP2000244013A - 窒化物半導体素子 - Google Patents
窒化物半導体素子Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 種々の応用製品への適用範囲の拡大を可能と
するために、発光出力及び静電耐圧を向上させることが
できる窒化物半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 基板上に、ｎ側窒化物半導体層、活性層
及びｐ側窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子にお
いて、活性層がＩｎaＧａ1-aＮ（０≦ａ＜１）よりなる
多重量子井戸構造であり、ｎ側窒化物半導体層が、ｎ型
不純物が互いに異なる濃度でドープされたバンドギャッ
プエネルギーが異なる又はｎ型不純物が互いに異なる濃
度でドープされた同一組成を有する２種類の窒化物半導
体層が積層されてなるｎ側第１多層膜層と、Ｉｎを含む
第１の窒化物半導体層と、その第１の窒化物半導体層と
異なる組成を有する第２の窒化物半導体層とが積層され
てなり、ｎ側第１多層膜と活性層との間に位置するｎ側
第２多層膜層とを含む。
するために、発光出力及び静電耐圧を向上させることが
できる窒化物半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 基板上に、ｎ側窒化物半導体層、活性層
及びｐ側窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子にお
いて、活性層がＩｎaＧａ1-aＮ（０≦ａ＜１）よりなる
多重量子井戸構造であり、ｎ側窒化物半導体層が、ｎ型
不純物が互いに異なる濃度でドープされたバンドギャッ
プエネルギーが異なる又はｎ型不純物が互いに異なる濃
度でドープされた同一組成を有する２種類の窒化物半導
体層が積層されてなるｎ側第１多層膜層と、Ｉｎを含む
第１の窒化物半導体層と、その第１の窒化物半導体層と
異なる組成を有する第２の窒化物半導体層とが積層され
てなり、ｎ側第１多層膜と活性層との間に位置するｎ側
第２多層膜層とを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオード
（ＬＥＤ）、レーザダイオード（ＬＤ）、太陽電池、光
センサー等の発光素子、受光素子、あるいはトランジス
タ、パワーデバイス等の電子デバイスに使用される窒化
物半導体（例えば、ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０
≦Y、X＋Y≦１）素子に関する。
（ＬＥＤ）、レーザダイオード（ＬＤ）、太陽電池、光
センサー等の発光素子、受光素子、あるいはトランジス
タ、パワーデバイス等の電子デバイスに使用される窒化
物半導体（例えば、ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０
≦Y、X＋Y≦１）素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】窒化物半導体は高輝度青色ＬＥＤ、純緑
色ＬＥＤの材料として、フルカラーＬＥＤディスプレ
イ、交通信号灯、イメージスキャナー光源等の各種光源
で実用化されている。これらのＬＥＤ素子は基本的に、
サファイア基板上にＧａＮよりなるバッファ層と、Ｓｉ
ドープＧａＮよりなるｎ側コンタクト層と、単一量子井
戸構造（ＳＱＷ：Single-Quantum- Well）のＩｎＧａ
Ｎ、あるいはＩｎＧａＮを有する多重量子井戸構造（Ｍ
ＱＷ：Multi-Quantum-Well）の活性層と、ＭｇドープＡ
ｌＧａＮよりなるｐ側クラッド層と、ＭｇドープＧａＮ
よりなるｐ側コンタクト層とが順に積層された構造を有
しており、２０ｍＡにおいて、発光波長４５０ｎｍの青
色ＬＥＤで５ｍＷ、外部量子効率９．１％、５２０ｎｍ
の緑色ＬＥＤで３ｍＷ、外部量子効率６．３％と非常に
優れた特性を示す。多重量子井戸構造は、複数のミニバ
ンドからなる構造を有し、効率よく、小さな電流でも発
光が実現することから、単一量子井戸構造より発光出力
が高くなる等の素子特性の向上が期待される。例えば、
多重量子井戸構造の活性層を用いたＬＥＤ素子として、
特開平１０−１３５５１４号公報には、発光効率及び発
光光度を良好とするため、少なくともアンドープのＧａ
Ｎからなるバリア層、アンドープのＩｎＧａＮからなる
井戸層からなる多重量子井戸構造の発光層、更に発光層
のバリア層よりも広いバンドギャップを持つクラッド層
を有する窒化物半導体素子が開示されている。
色ＬＥＤの材料として、フルカラーＬＥＤディスプレ
イ、交通信号灯、イメージスキャナー光源等の各種光源
で実用化されている。これらのＬＥＤ素子は基本的に、
サファイア基板上にＧａＮよりなるバッファ層と、Ｓｉ
ドープＧａＮよりなるｎ側コンタクト層と、単一量子井
戸構造（ＳＱＷ：Single-Quantum- Well）のＩｎＧａ
Ｎ、あるいはＩｎＧａＮを有する多重量子井戸構造（Ｍ
ＱＷ：Multi-Quantum-Well）の活性層と、ＭｇドープＡ
ｌＧａＮよりなるｐ側クラッド層と、ＭｇドープＧａＮ
よりなるｐ側コンタクト層とが順に積層された構造を有
しており、２０ｍＡにおいて、発光波長４５０ｎｍの青
色ＬＥＤで５ｍＷ、外部量子効率９．１％、５２０ｎｍ
の緑色ＬＥＤで３ｍＷ、外部量子効率６．３％と非常に
優れた特性を示す。多重量子井戸構造は、複数のミニバ
ンドからなる構造を有し、効率よく、小さな電流でも発
光が実現することから、単一量子井戸構造より発光出力
が高くなる等の素子特性の向上が期待される。例えば、
多重量子井戸構造の活性層を用いたＬＥＤ素子として、
特開平１０−１３５５１４号公報には、発光効率及び発
光光度を良好とするため、少なくともアンドープのＧａ
Ｎからなるバリア層、アンドープのＩｎＧａＮからなる
井戸層からなる多重量子井戸構造の発光層、更に発光層
のバリア層よりも広いバンドギャップを持つクラッド層
を有する窒化物半導体素子が開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の素子をＬＥＤ素子として、照明用光源、直射日光の
当たる屋外ディスプレイ等に使用するためには発光出力
が十分満足できるものでない。このように多重量子井戸
構造の活性層は、発光出力の飛躍的な向上が考えられる
が、その予想される可能性を十分に発揮させ難い。更に
また、窒化物半導体からなる素子は、その構造上、人体
に生じる静電気より遥かに弱い１００Ｖの電圧でさえも
劣化する可能性がある。例えば、帯電防止処理された袋
等から取り出す際、また製品に応用する際等、劣化する
危険性が考えられる。窒化物半導体素子の信頼性をより
高めるには、このような劣化の危険性をなくすことが望
まれる。そこで、本発明の目的は、多重量子井戸構造の
活性層を用い種々の応用製品への適用範囲の拡大を可能
とする発光出力のさらなる向上、及び静電耐圧の向上す
る窒化物半導体発光素子を提供することである。
来の素子をＬＥＤ素子として、照明用光源、直射日光の
当たる屋外ディスプレイ等に使用するためには発光出力
が十分満足できるものでない。このように多重量子井戸
構造の活性層は、発光出力の飛躍的な向上が考えられる
が、その予想される可能性を十分に発揮させ難い。更に
また、窒化物半導体からなる素子は、その構造上、人体
に生じる静電気より遥かに弱い１００Ｖの電圧でさえも
劣化する可能性がある。例えば、帯電防止処理された袋
等から取り出す際、また製品に応用する際等、劣化する
危険性が考えられる。窒化物半導体素子の信頼性をより
高めるには、このような劣化の危険性をなくすことが望
まれる。そこで、本発明の目的は、多重量子井戸構造の
活性層を用い種々の応用製品への適用範囲の拡大を可能
とする発光出力のさらなる向上、及び静電耐圧の向上す
る窒化物半導体発光素子を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、下記
（１）〜（７）の構成により本発明の目的を達成したも
のである。 （１）基板上に、ｎ側窒化物半導体層、活性層及びｐ側
窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、前
記活性層が、ＩｎaＧａ1-aＮ（０≦ａ＜１）層を含む多
重量子井戸構造であり、前記ｎ側窒化物半導体層が、ｎ
型不純物が互いに異なる濃度でドープされているバンド
ギャップエネルギーが異なる又はｎ型不純物が互いに異
なる濃度でドープされている同一組成を有する少なくと
も２種類の窒化物半導体層が積層されてなるｎ側第１多
層膜層と、Ｉｎを含む第１の窒化物半導体層と、その第
１の窒化物半導体層と異なる組成を有する第２の窒化物
半導体層とが積層されてなり、前記ｎ側第１多層膜と前
記活性層との間に位置するｎ側第２多層膜層とを含むこ
とを特徴とする窒化物半導体素子。 （２）前記ｐ側窒化物半導体層が、互いにバンドギャッ
プエネルギーが異なりかつｐ型不純物濃度が異なる又は
同一の第３と第４の窒化物半導体層が積層されてなるｐ
側多層膜クラッド層を含むことを特徴とする（１）記載
の窒化物半導体素子。 （３）前記ｐ側窒化物半導体層が、ｐ型不純物を含みＡ
ｌbＧａ1-bＮ（０≦ｂ≦１）よりなるｐ側単一膜クラッ
ド層を含むことを特徴とする（１）記載の窒化物半導体
素子。 （４）前記ｎ側第１多層膜層と活性層との間に、Ｉｎを
含む第１の窒化物半導体層と、その第１の窒化物半導体
層と異なる組成を有する第２の窒化物半導体層とが積層
されたｎ側第２多層膜層を有する（１）〜（３）のうち
のいずれか１つに記載の窒化半導体素子。 （５）前記ｎ側第１多層膜層と前記基板側との間に、ｎ
型不純物を含むｎ側コンタクト層を有する（１）〜
（４）のうちのいずれか１つに記載の窒化物半導体素
子。 （６）前記ｎ側コンタクト層が、アンドープＧａＮ層の
上に形成されてなることを特徴とする（５）に記載の窒
化物半導体素子。 （７）前記窒化物半導体素子において、前記アンドープ
ＧａＮ層が低温成長させたＧａdＡｌ1-dＮ（０＜ｄ≦
１）からなるバッファ層上に形成され、更に前記ｐ側多
層膜クラッド層又はｐ側単一膜クラッド層上にｐ型不純
物としてＭｇを含むｐ側ＧａＮコンタクト層を形成して
なる（６）に記載の窒化物半導体素子。また、本発明の
目的は以下のようにしても達成することができる。 （８） 基板上に、ｎ側窒化物半導体層、活性層及びｐ
側窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、
前記ｎ側窒化物半導体層が、ｎ型不純物が互いに異なる
濃度でドープされているバンドギャップエネルギーが異
なる又はｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされて
いる同一組成を有する少なくとも２種類の窒化物半導体
層が積層されてなるｎ側第１多層膜層を含み、前記活性
層が、ＩｎaＧａ1-aＮ（０≦ａ＜１）よりなる多重量子
井戸構造であり、更に、前記ｐ側窒化物半導体層が、互
いにバンドギャップエネルギーが異なり且つ互いにｐ型
不純物濃度が異なる又は同一の第３と第４の窒化物半導
体層とが積層されてなるｐ側多層膜クラッド層を含むこ
とを特徴とする窒化物半導体素子。 （９） 基板上に、ｎ側窒化物半導体層、活性層及びｐ
側窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、
前記ｎ側窒化物半導体層が、ｎ型不純物が互いに異なる
濃度でドープされているバンドギャップエネルギーが異
なる又はｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされて
いる同一組成を有する少なくとも２種類の窒化物半導体
層が積層されてなるｎ側第１多層膜層を含み、前記活性
層が、ＩｎaＧａ1-aＮ（０≦ａ＜１）よりなる多重量子
井戸構造であり、更に、前記ｐ側窒化物半導体層が、ｐ
型不純物を含みＡｌbＧａ1-bＮ（０≦ｂ≦１）よりなる
ｐ側単一膜クラッド層を含むことを特徴とする窒化物半
導体素子。 （１０） 前記ｎ側第１多層膜層と活性層との間に、Ｉ
ｎを含む第１の窒化物半導体層と、その第１の窒化物半
導体層と異なる組成を有する第２の窒化物半導体層とが
積層されたｎ側第２多層膜層を有することを特徴とする
前記（８）又は（９）に記載の窒化物半導体素子。 （１１） 前記ｎ側窒化物半導体層に、前記ｎ側第１多
層膜層（変調ドープ層）より基板側に、ｎ型不純物を含
むｎ側コンタクト層を有することを特徴とする前記
（８）〜（１０）のいずれかに記載の窒化物半導体素
子。 （１２） 前記ｎ側コンタクト層が、アンドープＧａＮ
層の上に形成されてなることを特徴とする前記（８）〜
（１１）のいずれかに記載の窒化物半導体素子。 （１３） 前記窒化物半導体素子において、前記アンド
ープＧａＮ層が低温成長させたＧａdＡｌ1-dＮ（０＜ｄ
≦１）からなるバッファ層上に形成され、更に前記ｐ側
多層膜クラッド層又はｐ側単一膜クラッド層上にｐ型不
純物としてＭｇを含むｐ側ＧａＮコンタクト層を形成し
てなることを特徴とする前記（８）〜（１２）のいずれ
かに記載の窒化物半導体素子。 （１４） 前記アンドープＧａＮ層、ｎ側コンタクト
層、及びｎ側第１多層膜層の合計の膜厚が、２〜２０μ
ｍであることを特徴とする（８）〜（１３）のいずれか
に記載の窒化物半導体素子。
（１）〜（７）の構成により本発明の目的を達成したも
のである。 （１）基板上に、ｎ側窒化物半導体層、活性層及びｐ側
窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、前
記活性層が、ＩｎaＧａ1-aＮ（０≦ａ＜１）層を含む多
重量子井戸構造であり、前記ｎ側窒化物半導体層が、ｎ
型不純物が互いに異なる濃度でドープされているバンド
ギャップエネルギーが異なる又はｎ型不純物が互いに異
なる濃度でドープされている同一組成を有する少なくと
も２種類の窒化物半導体層が積層されてなるｎ側第１多
層膜層と、Ｉｎを含む第１の窒化物半導体層と、その第
１の窒化物半導体層と異なる組成を有する第２の窒化物
半導体層とが積層されてなり、前記ｎ側第１多層膜と前
記活性層との間に位置するｎ側第２多層膜層とを含むこ
とを特徴とする窒化物半導体素子。 （２）前記ｐ側窒化物半導体層が、互いにバンドギャッ
プエネルギーが異なりかつｐ型不純物濃度が異なる又は
同一の第３と第４の窒化物半導体層が積層されてなるｐ
側多層膜クラッド層を含むことを特徴とする（１）記載
の窒化物半導体素子。 （３）前記ｐ側窒化物半導体層が、ｐ型不純物を含みＡ
ｌbＧａ1-bＮ（０≦ｂ≦１）よりなるｐ側単一膜クラッ
ド層を含むことを特徴とする（１）記載の窒化物半導体
素子。 （４）前記ｎ側第１多層膜層と活性層との間に、Ｉｎを
含む第１の窒化物半導体層と、その第１の窒化物半導体
層と異なる組成を有する第２の窒化物半導体層とが積層
されたｎ側第２多層膜層を有する（１）〜（３）のうち
のいずれか１つに記載の窒化半導体素子。 （５）前記ｎ側第１多層膜層と前記基板側との間に、ｎ
型不純物を含むｎ側コンタクト層を有する（１）〜
（４）のうちのいずれか１つに記載の窒化物半導体素
子。 （６）前記ｎ側コンタクト層が、アンドープＧａＮ層の
上に形成されてなることを特徴とする（５）に記載の窒
化物半導体素子。 （７）前記窒化物半導体素子において、前記アンドープ
ＧａＮ層が低温成長させたＧａdＡｌ1-dＮ（０＜ｄ≦
１）からなるバッファ層上に形成され、更に前記ｐ側多
層膜クラッド層又はｐ側単一膜クラッド層上にｐ型不純
物としてＭｇを含むｐ側ＧａＮコンタクト層を形成して
なる（６）に記載の窒化物半導体素子。また、本発明の
目的は以下のようにしても達成することができる。 （８） 基板上に、ｎ側窒化物半導体層、活性層及びｐ
側窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、
前記ｎ側窒化物半導体層が、ｎ型不純物が互いに異なる
濃度でドープされているバンドギャップエネルギーが異
なる又はｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされて
いる同一組成を有する少なくとも２種類の窒化物半導体
層が積層されてなるｎ側第１多層膜層を含み、前記活性
層が、ＩｎaＧａ1-aＮ（０≦ａ＜１）よりなる多重量子
井戸構造であり、更に、前記ｐ側窒化物半導体層が、互
いにバンドギャップエネルギーが異なり且つ互いにｐ型
不純物濃度が異なる又は同一の第３と第４の窒化物半導
体層とが積層されてなるｐ側多層膜クラッド層を含むこ
とを特徴とする窒化物半導体素子。 （９） 基板上に、ｎ側窒化物半導体層、活性層及びｐ
側窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、
前記ｎ側窒化物半導体層が、ｎ型不純物が互いに異なる
濃度でドープされているバンドギャップエネルギーが異
なる又はｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされて
いる同一組成を有する少なくとも２種類の窒化物半導体
層が積層されてなるｎ側第１多層膜層を含み、前記活性
層が、ＩｎaＧａ1-aＮ（０≦ａ＜１）よりなる多重量子
井戸構造であり、更に、前記ｐ側窒化物半導体層が、ｐ
型不純物を含みＡｌbＧａ1-bＮ（０≦ｂ≦１）よりなる
ｐ側単一膜クラッド層を含むことを特徴とする窒化物半
導体素子。 （１０） 前記ｎ側第１多層膜層と活性層との間に、Ｉ
ｎを含む第１の窒化物半導体層と、その第１の窒化物半
導体層と異なる組成を有する第２の窒化物半導体層とが
積層されたｎ側第２多層膜層を有することを特徴とする
前記（８）又は（９）に記載の窒化物半導体素子。 （１１） 前記ｎ側窒化物半導体層に、前記ｎ側第１多
層膜層（変調ドープ層）より基板側に、ｎ型不純物を含
むｎ側コンタクト層を有することを特徴とする前記
（８）〜（１０）のいずれかに記載の窒化物半導体素
子。 （１２） 前記ｎ側コンタクト層が、アンドープＧａＮ
層の上に形成されてなることを特徴とする前記（８）〜
（１１）のいずれかに記載の窒化物半導体素子。 （１３） 前記窒化物半導体素子において、前記アンド
ープＧａＮ層が低温成長させたＧａdＡｌ1-dＮ（０＜ｄ
≦１）からなるバッファ層上に形成され、更に前記ｐ側
多層膜クラッド層又はｐ側単一膜クラッド層上にｐ型不
純物としてＭｇを含むｐ側ＧａＮコンタクト層を形成し
てなることを特徴とする前記（８）〜（１２）のいずれ
かに記載の窒化物半導体素子。 （１４） 前記アンドープＧａＮ層、ｎ側コンタクト
層、及びｎ側第１多層膜層の合計の膜厚が、２〜２０μ
ｍであることを特徴とする（８）〜（１３）のいずれか
に記載の窒化物半導体素子。
【０００５】つまり、本発明は、多重量子井戸構造の発
光層を挟むように、ｎ側にｎ型不純物濃度の異なる２種
類以上の窒化物半導体層からなるｎ側第１多層膜層と、
ｐ側に第３及び第４の窒化物半導体層からなるｐ側多層
膜クラッド層又はｐ型不純物を含みＡｌbＧａ1-bＮ（０
≦ｂ≦１）よりなるｐ側単一膜クラッド層とを組み合わ
せて形成することにより、発光効率を向上させ発光出力
の向上した、さらに静電耐圧の向上した窒化物半導体素
子を得ることができる。このように特定の組成や構造等
を有する複数の窒化物半導体層を組み合わせることによ
り、多重量子井戸構造の活性層の性能を効率良く発揮す
ることができる。また、多重量子井戸構造の活性層との
組み合わせで好ましい他の窒化物半導体層を以下に記載
する。
光層を挟むように、ｎ側にｎ型不純物濃度の異なる２種
類以上の窒化物半導体層からなるｎ側第１多層膜層と、
ｐ側に第３及び第４の窒化物半導体層からなるｐ側多層
膜クラッド層又はｐ型不純物を含みＡｌbＧａ1-bＮ（０
≦ｂ≦１）よりなるｐ側単一膜クラッド層とを組み合わ
せて形成することにより、発光効率を向上させ発光出力
の向上した、さらに静電耐圧の向上した窒化物半導体素
子を得ることができる。このように特定の組成や構造等
を有する複数の窒化物半導体層を組み合わせることによ
り、多重量子井戸構造の活性層の性能を効率良く発揮す
ることができる。また、多重量子井戸構造の活性層との
組み合わせで好ましい他の窒化物半導体層を以下に記載
する。
【０００６】本発明において、前記ｎ側第１多層膜層と
活性層との間に、Ｉｎを含む第１の窒化物半導体層と、
その第１の窒化物半導体層と異なる組成を有する第２の
窒化物半導体層とが積層されたｎ側第２多層膜層を有す
ると更に発光効率が向上すると共に、Ｖｆを低下させて
発光効率を向上させることができ好ましい。更に、本発
明において、前記ｎ側第１多層膜層より基板側に、ｎ型
不純物を含むｎ側コンタクト層を有すると、発光出力を
向上させ、Ｖｆを低下させるのに好ましい。また更に、
本発明において、前記ｎ側コンタクト層が、アンドープ
ＧａＮ層の上に形成されてなると、かかるアンドープＧ
ａＮ層は結晶性の良い層として得られるので、ｎ電極を
形成する層となるｎ側コンタクト層の結晶性が良くな
り、ｎ側コンタクト層上に形成される活性層などのその
他の窒化物半導体層の結晶性も良くなり、発光出力を向
上させるのに好ましい。また更に、本発明において、前
記アンドープＧａＮ層が、低温成長させたＧａ dＡｌ1-d
Ｎ（０＜ｄ≦１）からなるバッファ層上に形成されてい
ると、アンドープＧａＮ層の結晶性が更に良好となり、
ｎ側コンタクト層等の結晶性もより良好となり、発光出
力の向上において好ましく、更にまた、ｐ側多層膜クラ
ッド層又はｐ側単一膜クラッド層上にＭｇドープｐ側Ｇ
ａＮコンタクト層を形成してなると、ｐ型特性を得やす
くなると共に、かかるｐ側ＧａＮコンタクト層がこの上
に形成されるｐ電極と良好なオーミック接触を有し、発
光出力を向上させるのに好ましい。また更に、本発明に
おいて、前記アンドープＧａＮ層、ｎ側コンタクト層、
及びｎ側第１多層膜層の合計の膜厚が、２〜２０μｍ、
好ましくは３〜１０μｍ、より好ましくは４〜９μｍで
あると、静電耐圧の向上の点で好ましい。また上記範囲
の膜厚であると静電耐圧以外の他の素子特性も良好であ
る。また、上記３層の合計の膜厚は、各層の好ましい膜
厚の範囲内で、３層の合計の膜厚が上記範囲となるよう
に適宜調整される。
活性層との間に、Ｉｎを含む第１の窒化物半導体層と、
その第１の窒化物半導体層と異なる組成を有する第２の
窒化物半導体層とが積層されたｎ側第２多層膜層を有す
ると更に発光効率が向上すると共に、Ｖｆを低下させて
発光効率を向上させることができ好ましい。更に、本発
明において、前記ｎ側第１多層膜層より基板側に、ｎ型
不純物を含むｎ側コンタクト層を有すると、発光出力を
向上させ、Ｖｆを低下させるのに好ましい。また更に、
本発明において、前記ｎ側コンタクト層が、アンドープ
ＧａＮ層の上に形成されてなると、かかるアンドープＧ
ａＮ層は結晶性の良い層として得られるので、ｎ電極を
形成する層となるｎ側コンタクト層の結晶性が良くな
り、ｎ側コンタクト層上に形成される活性層などのその
他の窒化物半導体層の結晶性も良くなり、発光出力を向
上させるのに好ましい。また更に、本発明において、前
記アンドープＧａＮ層が、低温成長させたＧａ dＡｌ1-d
Ｎ（０＜ｄ≦１）からなるバッファ層上に形成されてい
ると、アンドープＧａＮ層の結晶性が更に良好となり、
ｎ側コンタクト層等の結晶性もより良好となり、発光出
力の向上において好ましく、更にまた、ｐ側多層膜クラ
ッド層又はｐ側単一膜クラッド層上にＭｇドープｐ側Ｇ
ａＮコンタクト層を形成してなると、ｐ型特性を得やす
くなると共に、かかるｐ側ＧａＮコンタクト層がこの上
に形成されるｐ電極と良好なオーミック接触を有し、発
光出力を向上させるのに好ましい。また更に、本発明に
おいて、前記アンドープＧａＮ層、ｎ側コンタクト層、
及びｎ側第１多層膜層の合計の膜厚が、２〜２０μｍ、
好ましくは３〜１０μｍ、より好ましくは４〜９μｍで
あると、静電耐圧の向上の点で好ましい。また上記範囲
の膜厚であると静電耐圧以外の他の素子特性も良好であ
る。また、上記３層の合計の膜厚は、各層の好ましい膜
厚の範囲内で、３層の合計の膜厚が上記範囲となるよう
に適宜調整される。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下に本発明の一実施の形態であ
る窒化物半導体素子の構造を示す窒化物半導体素子の模
式的断面図である図１を用いて、本発明を詳細に説明す
る。図１は、基板１上に、バッファ層２、アンドープＧ
ａＮ層３、ｎ型不純物を含むｎ側コンタクト層４、ｎ型
不純物を含むｎ側第１多層膜５、第１及び第２の窒化物
半導体層よりなるｎ側第２多層膜層６、多重量子井戸構
造の活性層７、第３及び第４の窒化物半導体層からなる
ｐ側多層膜クラッド層８又はｐ側単一膜クラッド層８、
Ｍｇドープｐ側ＧａＮコンタクト層９が順に積層された
構造を有する。更にｎ側コンタクト層４上にｎ電極１
１、ｐ側ＧａＮコンタクト層９上にｐ電極１０がそれぞ
れ形成されている。
る窒化物半導体素子の構造を示す窒化物半導体素子の模
式的断面図である図１を用いて、本発明を詳細に説明す
る。図１は、基板１上に、バッファ層２、アンドープＧ
ａＮ層３、ｎ型不純物を含むｎ側コンタクト層４、ｎ型
不純物を含むｎ側第１多層膜５、第１及び第２の窒化物
半導体層よりなるｎ側第２多層膜層６、多重量子井戸構
造の活性層７、第３及び第４の窒化物半導体層からなる
ｐ側多層膜クラッド層８又はｐ側単一膜クラッド層８、
Ｍｇドープｐ側ＧａＮコンタクト層９が順に積層された
構造を有する。更にｎ側コンタクト層４上にｎ電極１
１、ｐ側ＧａＮコンタクト層９上にｐ電極１０がそれぞ
れ形成されている。
【０００８】本発明において、基板１としては、サファ
イアＣ面、Ｒ面又はＡ面を主面とするサファイア、その
他、スピネル（ＭｇＡ１2Ｏ4）のような絶縁性の基板の
他、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃを含む）、Ｓｉ、Ｚｎ
Ｏ、ＧａＡｓ、ＧａＮ等の半導体基板を用いることがで
きる。
イアＣ面、Ｒ面又はＡ面を主面とするサファイア、その
他、スピネル（ＭｇＡ１2Ｏ4）のような絶縁性の基板の
他、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃを含む）、Ｓｉ、Ｚｎ
Ｏ、ＧａＡｓ、ＧａＮ等の半導体基板を用いることがで
きる。
【０００９】本発明において、バッファ層２としては、
ＧａdＡｌ1-dＮ（但しｄは０＜ｄ≦１の範囲である。）
からなる窒化物半導体であり、好ましくはＡｌの割合が
小さい組成ほど結晶性の改善が顕著となり、より好まし
はＧａＮからなるバッファ層２が挙げられる。バッファ
層２の膜厚は、０．００２〜０．５μｍ、好ましくは
０．００５〜０．２μｍ、更に好ましくは０．０１〜
０．０２μｍの範囲に調整する。バッファ層２の膜厚が
上記範囲であると、窒化物半導体の結晶モフォロジーが
良好となり、バッファ層２上に成長させる窒化物半導体
の結晶性が改善される。バッファ層２の成長温度は、２
００〜９００℃であり、好ましくは４００〜８００℃の
範囲に調整する。成長温度が上記範囲であると良好な多
結晶となり、この多結晶が種結晶としてバッファ層２上
に成長させる窒化物半導体の結晶性を良好にでき好まし
い。また、このような低温で成長させるバッファ層２
は、基板の種類、成長方法等によっては省略してもよ
い。
ＧａdＡｌ1-dＮ（但しｄは０＜ｄ≦１の範囲である。）
からなる窒化物半導体であり、好ましくはＡｌの割合が
小さい組成ほど結晶性の改善が顕著となり、より好まし
はＧａＮからなるバッファ層２が挙げられる。バッファ
層２の膜厚は、０．００２〜０．５μｍ、好ましくは
０．００５〜０．２μｍ、更に好ましくは０．０１〜
０．０２μｍの範囲に調整する。バッファ層２の膜厚が
上記範囲であると、窒化物半導体の結晶モフォロジーが
良好となり、バッファ層２上に成長させる窒化物半導体
の結晶性が改善される。バッファ層２の成長温度は、２
００〜９００℃であり、好ましくは４００〜８００℃の
範囲に調整する。成長温度が上記範囲であると良好な多
結晶となり、この多結晶が種結晶としてバッファ層２上
に成長させる窒化物半導体の結晶性を良好にでき好まし
い。また、このような低温で成長させるバッファ層２
は、基板の種類、成長方法等によっては省略してもよ
い。
【００１０】次に、本発明において、アンドープＧａＮ
層３は、成長する際にｎ型不純物を添加せずに成長して
なる層を示す。バッファ層２上にアンドープＧａＮ層３
を成長させるとアンドープＧａＮ層３の結晶性が良好と
なり、アンドープＧａＮ層３上に成長させるｎ側コンタ
クト層４などの結晶性も良好となる。アンドープＧａＮ
層３の膜厚としては、０．０１μｍ以上であり、好まし
くは０．５μｍ以上であり、より好ましくは１μｍ以上
である。またアンドープＧａＮ層３の膜厚の上限は特に
限定されないが、製造効率等を考慮して適宜調整され
る。膜厚が上記範囲であると、ｎ側コンタクト層４以降
の層を結晶性良く成長でき好ましい。更に、アンドープ
ＧａＮ層３の膜厚が上記範囲であると、ｎ側コンタクト
層４とｎ側第１多層膜層５との合計の膜厚を、前記範囲
に調整し静電耐圧を向上させる点で好ましい。
層３は、成長する際にｎ型不純物を添加せずに成長して
なる層を示す。バッファ層２上にアンドープＧａＮ層３
を成長させるとアンドープＧａＮ層３の結晶性が良好と
なり、アンドープＧａＮ層３上に成長させるｎ側コンタ
クト層４などの結晶性も良好となる。アンドープＧａＮ
層３の膜厚としては、０．０１μｍ以上であり、好まし
くは０．５μｍ以上であり、より好ましくは１μｍ以上
である。またアンドープＧａＮ層３の膜厚の上限は特に
限定されないが、製造効率等を考慮して適宜調整され
る。膜厚が上記範囲であると、ｎ側コンタクト層４以降
の層を結晶性良く成長でき好ましい。更に、アンドープ
ＧａＮ層３の膜厚が上記範囲であると、ｎ側コンタクト
層４とｎ側第１多層膜層５との合計の膜厚を、前記範囲
に調整し静電耐圧を向上させる点で好ましい。
【００１１】次に、本発明において、ｎ型不純物を含む
ｎ側コンタクト層４は、ｎ型不純物を３×１０18／ｃｍ
3以上、好ましくは５×１０18／ｃｍ3以上の濃度で含有
する。このようにｎ型不純物を多くドープし、この層を
ｎ側コンタクト層とすると、Ｖｆ及び閾値を低下させる
ことができる。不純物濃度が上記範囲を逸脱するとＶｆ
が低下しにくくなる傾向がある。また、ｎ側コンタクト
層４は、ｎ型不純物濃度が小さい結晶性の良好なアンド
ープＧａＮ層３上に形成されると、高濃度のｎ型不純物
を有しているにも関わらず結晶性を良好に形成すること
ができる。ｎ側コンタクト層４のｎ型不純物濃度の上限
は特に限定しないが、コンタクト層として結晶性が悪く
なりすぎる限界としては５×１０21／ｃｍ3以下が望ま
しい。
ｎ側コンタクト層４は、ｎ型不純物を３×１０18／ｃｍ
3以上、好ましくは５×１０18／ｃｍ3以上の濃度で含有
する。このようにｎ型不純物を多くドープし、この層を
ｎ側コンタクト層とすると、Ｖｆ及び閾値を低下させる
ことができる。不純物濃度が上記範囲を逸脱するとＶｆ
が低下しにくくなる傾向がある。また、ｎ側コンタクト
層４は、ｎ型不純物濃度が小さい結晶性の良好なアンド
ープＧａＮ層３上に形成されると、高濃度のｎ型不純物
を有しているにも関わらず結晶性を良好に形成すること
ができる。ｎ側コンタクト層４のｎ型不純物濃度の上限
は特に限定しないが、コンタクト層として結晶性が悪く
なりすぎる限界としては５×１０21／ｃｍ3以下が望ま
しい。
【００１２】ｎ側コンタクト層４の組成は、ＩｎeＡｌf
Ｇａ1-e-fＮ（０≦ｅ、０≦ｆ、ｅ＋ｆ≦１）で構成で
き、その組成は特に問うものではないが、好ましくはＧ
ａＮ、ｆ値０．２以下のＡｌfＧａ1-fＮとすると結晶欠
陥の少ない窒化物半導体層が得られやすい。ｎ側コンタ
クト層４の膜厚は特に問うものではないが、ｎ電極を形
成する層であるので０．１〜２０μｍ、好ましくは０．
５〜１０μｍ、より好ましくは１〜５μｍである。膜厚
が上記範囲であると抵抗値を低くでき、発光素子の順方
向電圧を低くでき好ましい。更に、ｎ側コンタクト層４
の膜厚が上記範囲であると、アンドープＧａＮ層３及び
ｎ側第１多層膜層５との組み合わせにより、静電耐圧を
向上させる点で好ましい。また、ｎ側コンタクト層４
は、後述のｎ側第１多層膜層５を厚膜に形成する場合、
省略することができる。
Ｇａ1-e-fＮ（０≦ｅ、０≦ｆ、ｅ＋ｆ≦１）で構成で
き、その組成は特に問うものではないが、好ましくはＧ
ａＮ、ｆ値０．２以下のＡｌfＧａ1-fＮとすると結晶欠
陥の少ない窒化物半導体層が得られやすい。ｎ側コンタ
クト層４の膜厚は特に問うものではないが、ｎ電極を形
成する層であるので０．１〜２０μｍ、好ましくは０．
５〜１０μｍ、より好ましくは１〜５μｍである。膜厚
が上記範囲であると抵抗値を低くでき、発光素子の順方
向電圧を低くでき好ましい。更に、ｎ側コンタクト層４
の膜厚が上記範囲であると、アンドープＧａＮ層３及び
ｎ側第１多層膜層５との組み合わせにより、静電耐圧を
向上させる点で好ましい。また、ｎ側コンタクト層４
は、後述のｎ側第１多層膜層５を厚膜に形成する場合、
省略することができる。
【００１３】次に、本発明において、ｎ側第１多層膜層
５は、ｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされてい
るバンドギャップエネルギーが異なる又はｎ型不純物が
互いに異なる濃度でドープされている同一組成を有する
少なくとも２種類の窒化物半導体層が積層されてなる多
層膜からなる。ｎ側第１多層膜５の膜厚は、２μｍ以下
であり、好ましくは１．５μｍ以下であり、より好まし
くは０．９μｍ以下である。また下限は特に限定されな
いが、例えば０．０５μｍ以上である。膜厚がこの範囲
であると、発光出力を向上させるのに好ましい。更に、
ｎ側第１多層膜層５の膜厚が上記範囲であると、アンド
ープＧａＮ層３とｎ側コンタクト層４との組み合わせに
より、静電耐圧を向上させる点で好ましい。上記多層膜
層を構成する窒化物半導体層の互いの不純物濃度が異な
ることを変調ドープといい、この場合、一方の層が不純
物をドープしない状態、つまりアンドープが好ましい。
５は、ｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされてい
るバンドギャップエネルギーが異なる又はｎ型不純物が
互いに異なる濃度でドープされている同一組成を有する
少なくとも２種類の窒化物半導体層が積層されてなる多
層膜からなる。ｎ側第１多層膜５の膜厚は、２μｍ以下
であり、好ましくは１．５μｍ以下であり、より好まし
くは０．９μｍ以下である。また下限は特に限定されな
いが、例えば０．０５μｍ以上である。膜厚がこの範囲
であると、発光出力を向上させるのに好ましい。更に、
ｎ側第１多層膜層５の膜厚が上記範囲であると、アンド
ープＧａＮ層３とｎ側コンタクト層４との組み合わせに
より、静電耐圧を向上させる点で好ましい。上記多層膜
層を構成する窒化物半導体層の互いの不純物濃度が異な
ることを変調ドープといい、この場合、一方の層が不純
物をドープしない状態、つまりアンドープが好ましい。
【００１４】まず、以下にｎ側第１多層膜層５が、互い
にバンドギャップエネルギーが異なる少なくとも２種類
の窒化物半導体層を積層してなる多層膜である場合につ
いて説明する。ｎ側第１多層膜層５の多層膜層を構成す
るバンドギャップエネルギーの大きな窒化物半導体層及
びバンドギャップエネルギーの小さな窒化物半導体層の
膜厚は、１００オングストローム以下、さらに好ましく
は７０オングストローム以下、最も好ましくは１０〜４
０オングストロームの膜厚に調整する。１００オングス
トロームよりも厚いと、バンドギャップエネルギーの大
きな窒化物半導体層及びバンドギャップエネルギーの小
さな窒化物半導体層が弾性歪み限界以上の膜厚となり、
膜中に微少なクラック、あるいは結晶欠陥が入りやすい
傾向にある。バンドギャップエネルギーの大きな窒化物
半導体層、バンドギャップエネルギーの小さな窒化物半
導体層の膜厚の下限は特に限定せず、１原子層以上であ
ればよいが、前記のように１０オングストローム以上が
最も好ましい。
にバンドギャップエネルギーが異なる少なくとも２種類
の窒化物半導体層を積層してなる多層膜である場合につ
いて説明する。ｎ側第１多層膜層５の多層膜層を構成す
るバンドギャップエネルギーの大きな窒化物半導体層及
びバンドギャップエネルギーの小さな窒化物半導体層の
膜厚は、１００オングストローム以下、さらに好ましく
は７０オングストローム以下、最も好ましくは１０〜４
０オングストロームの膜厚に調整する。１００オングス
トロームよりも厚いと、バンドギャップエネルギーの大
きな窒化物半導体層及びバンドギャップエネルギーの小
さな窒化物半導体層が弾性歪み限界以上の膜厚となり、
膜中に微少なクラック、あるいは結晶欠陥が入りやすい
傾向にある。バンドギャップエネルギーの大きな窒化物
半導体層、バンドギャップエネルギーの小さな窒化物半
導体層の膜厚の下限は特に限定せず、１原子層以上であ
ればよいが、前記のように１０オングストローム以上が
最も好ましい。
【００１５】上記のようにｎ側第１多層膜５が、膜厚の
薄い多層膜構造であると、その多層膜層を構成する窒化
物半導体層の各膜厚を弾性臨界膜厚以下とすることがで
き、結晶欠陥の非常に少ない窒化物半導体が成長でき
る。さらに、この多層膜層で基板からアンドープＧａＮ
層３やｎ側コンタクト層４を通って発生している結晶欠
陥をある程度止めることができ、多層膜層の上に成長さ
せるｎ側第２多層膜層６の結晶性を良くすることができ
る。さらにＨＥＭＴに類似した効果もある。
薄い多層膜構造であると、その多層膜層を構成する窒化
物半導体層の各膜厚を弾性臨界膜厚以下とすることがで
き、結晶欠陥の非常に少ない窒化物半導体が成長でき
る。さらに、この多層膜層で基板からアンドープＧａＮ
層３やｎ側コンタクト層４を通って発生している結晶欠
陥をある程度止めることができ、多層膜層の上に成長さ
せるｎ側第２多層膜層６の結晶性を良くすることができ
る。さらにＨＥＭＴに類似した効果もある。
【００１６】バンドギャップエネルギーの大きな窒化物
半導体層は、少なくともＡｌを含む窒化物半導体、好ま
しくはＡｌgＧａ1-gＮ（０＜ｇ≦１）を成長させる方が
望ましい。一方、バンドギャップエネルギーの小さな窒
化物半導体はバンドギャップエネルギーの大きな窒化物
半導体よりもバンドギャップエネルギーが小さい窒化物
半導体であればどのようなものでも良いが、好ましくは
ＡｌhＧａ1-hＮ（０≦ｈ＜１、ｇ＞ｈ）、ＩｎjＧａ1-j
Ｎ（０≦ｊ＜１）のような２元混晶、３元混晶の窒化物
半導体が成長させやすく、また結晶性の良いものが得ら
れやすい。その中でも特に好ましくはバンドギャップエ
ネルギーの大きな窒化物半導体は実質的にＩｎを含まな
いＡｌgＧａ1-gＮ（０＜ｇ＜１）とし、バンドギャップ
エネルギーの小さな窒化物半導体は実質的にＡｌを含ま
ないＩｎjＧａ1-jＮ（０≦ｊ＜１）とし、中でも結晶性
に優れた多層膜を得る目的で、Ａｌ混晶比(ｇ値）０．
３以下のＡｌgＧａ1-gＮ（０＜ｇ≦０．３）と、ＧａＮ
の組み合わせが最も好ましい。
半導体層は、少なくともＡｌを含む窒化物半導体、好ま
しくはＡｌgＧａ1-gＮ（０＜ｇ≦１）を成長させる方が
望ましい。一方、バンドギャップエネルギーの小さな窒
化物半導体はバンドギャップエネルギーの大きな窒化物
半導体よりもバンドギャップエネルギーが小さい窒化物
半導体であればどのようなものでも良いが、好ましくは
ＡｌhＧａ1-hＮ（０≦ｈ＜１、ｇ＞ｈ）、ＩｎjＧａ1-j
Ｎ（０≦ｊ＜１）のような２元混晶、３元混晶の窒化物
半導体が成長させやすく、また結晶性の良いものが得ら
れやすい。その中でも特に好ましくはバンドギャップエ
ネルギーの大きな窒化物半導体は実質的にＩｎを含まな
いＡｌgＧａ1-gＮ（０＜ｇ＜１）とし、バンドギャップ
エネルギーの小さな窒化物半導体は実質的にＡｌを含ま
ないＩｎjＧａ1-jＮ（０≦ｊ＜１）とし、中でも結晶性
に優れた多層膜を得る目的で、Ａｌ混晶比(ｇ値）０．
３以下のＡｌgＧａ1-gＮ（０＜ｇ≦０．３）と、ＧａＮ
の組み合わせが最も好ましい。
【００１７】また、ｎ側第１多層膜層５が、光閉じ込め
層、及びキャリア閉じ込め層としてクラッド層を形成す
る場合、活性層の井戸層よりもバンドギャップエネルギ
ーの大きい窒化物半導体を成長させる必要がある。バン
ドギャップエネルギーの大きな窒化物半導体層とは、即
ちＡｌ混晶比の高い窒化物半導体である。従来ではＡｌ
混晶比の高い窒化物半導体を厚膜で成長させると、クラ
ックが入りやすくなるため、結晶成長が非常に難しかっ
た。しかしながら本発明のようにｎ側第１多層膜層５を
多層膜層にすると、多層膜層を構成する単一層をＡｌ混
晶比の多少高い層としても、弾性臨界膜厚以下の膜厚で
成長させているのでクラックが入りにくい。そのため、
Ａｌ混晶比の高い層を結晶性良く成長できることによ
り、光閉じ込め、キャリア閉じ込め効果が高くなり、レ
ーザ素子では閾値電圧、ＬＥＤ素子ではＶｆ（順方向電
圧）を低下させることができる。
層、及びキャリア閉じ込め層としてクラッド層を形成す
る場合、活性層の井戸層よりもバンドギャップエネルギ
ーの大きい窒化物半導体を成長させる必要がある。バン
ドギャップエネルギーの大きな窒化物半導体層とは、即
ちＡｌ混晶比の高い窒化物半導体である。従来ではＡｌ
混晶比の高い窒化物半導体を厚膜で成長させると、クラ
ックが入りやすくなるため、結晶成長が非常に難しかっ
た。しかしながら本発明のようにｎ側第１多層膜層５を
多層膜層にすると、多層膜層を構成する単一層をＡｌ混
晶比の多少高い層としても、弾性臨界膜厚以下の膜厚で
成長させているのでクラックが入りにくい。そのため、
Ａｌ混晶比の高い層を結晶性良く成長できることによ
り、光閉じ込め、キャリア閉じ込め効果が高くなり、レ
ーザ素子では閾値電圧、ＬＥＤ素子ではＶｆ（順方向電
圧）を低下させることができる。
【００１８】さらに、このｎ側第１多層膜層５のバンド
ギャップエネルギーの大きな窒化物半導体層とバンドギ
ャップエネルギーの小さな窒化物半導体層とのｎ型不純
物濃度が異なることが好ましい。これはいわゆる変調ド
ープと呼ばれるもので、一方の層のｎ型不純物濃度を小
さく、好ましくは不純物をドープしない状態（アンドー
プ）として、もう一方を高濃度にドープすると、閾値電
圧、Ｖｆ等を低下させることができる。これは不純物濃
度の低い層を多層膜層中に存在させることにより、その
層の移動度が大きくなり、また不純物濃度が高濃度の層
も同時に存在することにより、キャリア濃度が高いまま
で多層膜層が形成できることによる。つまり、不純物濃
度が低い移動度の高い層と、不純物濃度が高いキャリア
濃度が大きい層とが同時に存在することにより、キャリ
ア濃度が大きく、移動度も大きい層がクラッド層となる
ために、閾値電圧、Ｖｆが低下すると推察される。
ギャップエネルギーの大きな窒化物半導体層とバンドギ
ャップエネルギーの小さな窒化物半導体層とのｎ型不純
物濃度が異なることが好ましい。これはいわゆる変調ド
ープと呼ばれるもので、一方の層のｎ型不純物濃度を小
さく、好ましくは不純物をドープしない状態（アンドー
プ）として、もう一方を高濃度にドープすると、閾値電
圧、Ｖｆ等を低下させることができる。これは不純物濃
度の低い層を多層膜層中に存在させることにより、その
層の移動度が大きくなり、また不純物濃度が高濃度の層
も同時に存在することにより、キャリア濃度が高いまま
で多層膜層が形成できることによる。つまり、不純物濃
度が低い移動度の高い層と、不純物濃度が高いキャリア
濃度が大きい層とが同時に存在することにより、キャリ
ア濃度が大きく、移動度も大きい層がクラッド層となる
ために、閾値電圧、Ｖｆが低下すると推察される。
【００１９】バンドギャップエネルギーが大きい窒化物
半導体層にｎ型不純物を多くドープする場合、バンドギ
ャップエネルギーの大きな窒化物半導体層への好ましい
ドープ量としては、１×１０17／cm3〜１×１０20／c
m3、さらに好ましくは１×１０ 18／cm3〜５×１０19／c
m3の範囲に調整する。１×１０17／cm3よりも少ない
と、バンドギャップエネルギーの小さな窒化物半導体層
との差が少なくなって、キャリア濃度の大きい層が得ら
れにくい傾向にあり、また１×１０20／cm3よりも多い
と、素子自体のリーク電流が多くなりやすい傾向にあ
る。一方、バンドギャップエネルギーの小さな窒化物半
導体層のｎ型不純物濃度はバンドギャップエネルギーの
大きな窒化物半導体層よりも少なければ良く、好ましく
は１／１０以上少ない方が望ましい。最も好ましくはア
ンドープとすると最も移動度の高い層が得られるが、膜
厚が薄いため、バンドギャップエネルギーの大きな窒化
物半導体側から拡散してくるｎ型不純物があり、その量
は１×１０19／cm3以下が望ましい。ｎ型不純物として
はＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓ、Ｏ等の周期律表第IVＢ族、VI
Ｂ族元素を選択し、好ましくはＳｉ、Ｇｅ、Ｓをｎ型不
純物とする。この作用は、バンドギャップエネルギーが
大きい窒化物半導体層にｎ型不純物を少なくドープし
て、バンドギャップエネルギーが小さい窒化物半導体層
にｎ型不純物を多くドープする場合も同様である。以
上、多層膜層に不純物を好ましく変調ドープする場合に
ついて述べたが、バンドギャップエネルギーが大きい窒
化物半導体層とバンドギャップエネルギーが小さい窒化
物半導体層との不純物濃度を等しくすることもできる。
半導体層にｎ型不純物を多くドープする場合、バンドギ
ャップエネルギーの大きな窒化物半導体層への好ましい
ドープ量としては、１×１０17／cm3〜１×１０20／c
m3、さらに好ましくは１×１０ 18／cm3〜５×１０19／c
m3の範囲に調整する。１×１０17／cm3よりも少ない
と、バンドギャップエネルギーの小さな窒化物半導体層
との差が少なくなって、キャリア濃度の大きい層が得ら
れにくい傾向にあり、また１×１０20／cm3よりも多い
と、素子自体のリーク電流が多くなりやすい傾向にあ
る。一方、バンドギャップエネルギーの小さな窒化物半
導体層のｎ型不純物濃度はバンドギャップエネルギーの
大きな窒化物半導体層よりも少なければ良く、好ましく
は１／１０以上少ない方が望ましい。最も好ましくはア
ンドープとすると最も移動度の高い層が得られるが、膜
厚が薄いため、バンドギャップエネルギーの大きな窒化
物半導体側から拡散してくるｎ型不純物があり、その量
は１×１０19／cm3以下が望ましい。ｎ型不純物として
はＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓ、Ｏ等の周期律表第IVＢ族、VI
Ｂ族元素を選択し、好ましくはＳｉ、Ｇｅ、Ｓをｎ型不
純物とする。この作用は、バンドギャップエネルギーが
大きい窒化物半導体層にｎ型不純物を少なくドープし
て、バンドギャップエネルギーが小さい窒化物半導体層
にｎ型不純物を多くドープする場合も同様である。以
上、多層膜層に不純物を好ましく変調ドープする場合に
ついて述べたが、バンドギャップエネルギーが大きい窒
化物半導体層とバンドギャップエネルギーが小さい窒化
物半導体層との不純物濃度を等しくすることもできる。
【００２０】さらにまたｎ側第１多層膜層の多層膜を構
成する窒化物半導体層において、不純物が高濃度にドー
プされる層は、厚さ方向に対し、半導体層中心部近傍の
不純物濃度が大きく、両端部近傍の不純物濃度が小さい
（好ましくはアンドープ）とすることが望ましい。具体
的に説明すると、例えばｎ型不純物としてＳｉをドープ
したＡｌＧａＮと、アンドープのＧａＮ層とで多層膜層
を形成した場合、ＡｌＧａＮはＳｉをドープしているの
でドナーとして電子を伝導帯に出すが、電子はポテンシ
ャルの低いＧａＮの伝導帯に落ちる。ＧａＮ結晶中には
ドナー不純物をドープしていないので、不純物によるキ
ャリアの散乱を受けない。そのため電子は容易にＧａＮ
結晶中を動くことができ、実質的な電子の移動度が高く
なる。これは二次元電子ガスの効果と類似しており、電
子横方向の実質的な移動度が高くなり、抵抗率が小さく
なる。さらに、バンドギャップエネルギーの大きいＡｌ
ＧａＮの中心領域にｎ型不純物を高濃度にドープすると
効果はさらに大きくなる。即ちＧａＮ中を移動する電子
によっては、ＡｌＧａＮ中に含まれるｎ型不純物イオン
（この場合Ｓｉ）の散乱を多少とも受ける。しかしＡｌ
ＧａＮ層の厚さ方向に対して両端部をアンドープとする
とＳｉの散乱を受けにくくなるので、さらにアンドープ
ＧａＮ層の移動度が向上するのである。
成する窒化物半導体層において、不純物が高濃度にドー
プされる層は、厚さ方向に対し、半導体層中心部近傍の
不純物濃度が大きく、両端部近傍の不純物濃度が小さい
（好ましくはアンドープ）とすることが望ましい。具体
的に説明すると、例えばｎ型不純物としてＳｉをドープ
したＡｌＧａＮと、アンドープのＧａＮ層とで多層膜層
を形成した場合、ＡｌＧａＮはＳｉをドープしているの
でドナーとして電子を伝導帯に出すが、電子はポテンシ
ャルの低いＧａＮの伝導帯に落ちる。ＧａＮ結晶中には
ドナー不純物をドープしていないので、不純物によるキ
ャリアの散乱を受けない。そのため電子は容易にＧａＮ
結晶中を動くことができ、実質的な電子の移動度が高く
なる。これは二次元電子ガスの効果と類似しており、電
子横方向の実質的な移動度が高くなり、抵抗率が小さく
なる。さらに、バンドギャップエネルギーの大きいＡｌ
ＧａＮの中心領域にｎ型不純物を高濃度にドープすると
効果はさらに大きくなる。即ちＧａＮ中を移動する電子
によっては、ＡｌＧａＮ中に含まれるｎ型不純物イオン
（この場合Ｓｉ）の散乱を多少とも受ける。しかしＡｌ
ＧａＮ層の厚さ方向に対して両端部をアンドープとする
とＳｉの散乱を受けにくくなるので、さらにアンドープ
ＧａＮ層の移動度が向上するのである。
【００２１】次に、ｎ側第１多層膜層５が、同一組成の
窒化物半導体層が積層されてなり、ｎ型不純物がそれら
窒化物半導体層間で異なる濃度でドープされている場合
について説明する。まず、ｎ側第１多層膜層５を構成す
る窒化物半導体としては、特に限定されず同一組成であ
ればよいが、好ましくはＧａＮが挙げられる。ｎ側第１
多層膜層５がＧａＮで構成されていると、３元混晶より
２元混晶のＧａＮであると結晶性良く成長でき、以降に
成長させる窒化物半導体の結晶性も良好となり好まし
い。このような同一組成、例えばＧａＮのｎ側第１多層
膜層５は、ｎ型不純物を含む第１のＧａＮ層と第１のＧ
ａＮ層のｎ型不純物濃度と異なる濃度の第２のＧａＮ
層、好ましくはどちらか一方がアンドープＧａＮ層であ
る少なくとも２種類以上の窒化物半導体からなる多層膜
構造を有していることが好ましい。このように変調ドー
プされ多層膜構造を有していると、上記ｎ側第１多層膜
層５がバンドギャップエネルギーの異なり変調ドープさ
れた少なくとも２種類の層から構成される場合と同様の
作用が得られる。ｎ側不純物の濃度は１×１０17〜１×
１０21／ｃｍ3、好ましくは１×１０18〜１×１０19／
ｃｍ3、より好ましくは３×１０18〜７×１０18／ｃｍ3
である。また、この場合のｎ側第１多層膜層５の総膜厚
は、特に限定されないが、１０００〜４０００オングス
トローム、好ましくは２０００〜３０００オングストロ
ームである。また多層膜の各膜厚は５００オングストロ
ーム以下、好ましくは２００オングストローム以下、よ
り好ましくは１００オングストローム以下であり、膜厚
の下限は特に限定されないが、１原子層以上であればよ
いが、１０オングストローム以上が好ましい。上記のよ
うな膜厚であると、結晶性良く成長させることができ、
発光出力を向上させるのに好ましい。
窒化物半導体層が積層されてなり、ｎ型不純物がそれら
窒化物半導体層間で異なる濃度でドープされている場合
について説明する。まず、ｎ側第１多層膜層５を構成す
る窒化物半導体としては、特に限定されず同一組成であ
ればよいが、好ましくはＧａＮが挙げられる。ｎ側第１
多層膜層５がＧａＮで構成されていると、３元混晶より
２元混晶のＧａＮであると結晶性良く成長でき、以降に
成長させる窒化物半導体の結晶性も良好となり好まし
い。このような同一組成、例えばＧａＮのｎ側第１多層
膜層５は、ｎ型不純物を含む第１のＧａＮ層と第１のＧ
ａＮ層のｎ型不純物濃度と異なる濃度の第２のＧａＮ
層、好ましくはどちらか一方がアンドープＧａＮ層であ
る少なくとも２種類以上の窒化物半導体からなる多層膜
構造を有していることが好ましい。このように変調ドー
プされ多層膜構造を有していると、上記ｎ側第１多層膜
層５がバンドギャップエネルギーの異なり変調ドープさ
れた少なくとも２種類の層から構成される場合と同様の
作用が得られる。ｎ側不純物の濃度は１×１０17〜１×
１０21／ｃｍ3、好ましくは１×１０18〜１×１０19／
ｃｍ3、より好ましくは３×１０18〜７×１０18／ｃｍ3
である。また、この場合のｎ側第１多層膜層５の総膜厚
は、特に限定されないが、１０００〜４０００オングス
トローム、好ましくは２０００〜３０００オングストロ
ームである。また多層膜の各膜厚は５００オングストロ
ーム以下、好ましくは２００オングストローム以下、よ
り好ましくは１００オングストローム以下であり、膜厚
の下限は特に限定されないが、１原子層以上であればよ
いが、１０オングストローム以上が好ましい。上記のよ
うな膜厚であると、結晶性良く成長させることができ、
発光出力を向上させるのに好ましい。
【００２２】また、以上説明した、バンドギャップエネ
ルギーの異なる又は同一組成で更に不純物濃度の異なる
２種類以上の層からなるｎ側第１多層膜層５は、ｎ側コ
ンタクト層を兼ねることができる。この場合、ｎ側第１
多層膜層５の膜厚は、０．５〜４μｍ、好ましくは１〜
３μｍ、より好ましくは２〜２．８μｍである。この場
合のｎ側第１多層膜層５の膜厚は、上記の少なくとも２
種類以上の窒化物半導体層により調整される。この場合
のｎ側第１多層膜層５を構成する各膜厚は、上記範囲の
薄膜層の多層膜層としてもよく、また全体としての膜厚
がｎ側コンタクト層を兼ねる場合のｎ側第１多層膜層５
の上記膜厚の範囲であれば各膜厚が上記範囲を超える２
種類以上の窒化物半導体により調整してもよい。
ルギーの異なる又は同一組成で更に不純物濃度の異なる
２種類以上の層からなるｎ側第１多層膜層５は、ｎ側コ
ンタクト層を兼ねることができる。この場合、ｎ側第１
多層膜層５の膜厚は、０．５〜４μｍ、好ましくは１〜
３μｍ、より好ましくは２〜２．８μｍである。この場
合のｎ側第１多層膜層５の膜厚は、上記の少なくとも２
種類以上の窒化物半導体層により調整される。この場合
のｎ側第１多層膜層５を構成する各膜厚は、上記範囲の
薄膜層の多層膜層としてもよく、また全体としての膜厚
がｎ側コンタクト層を兼ねる場合のｎ側第１多層膜層５
の上記膜厚の範囲であれば各膜厚が上記範囲を超える２
種類以上の窒化物半導体により調整してもよい。
【００２３】次に、本発明において、ｎ側第２多層膜層
６は、Ｉｎを含む第１の窒化物半導体層と、その第１の
窒化物半導体層と異なる組成を有する第２の窒化物半導
体層とが積層されたｎ側多層膜層からなり、前記第１の
窒化物半導体層、または前記第２の窒化物半導体層の内
の少なくとも一方の膜厚が１００オングストローム以下
である。好ましくは第１の窒化物半導体層および第２の
窒化物半導体層の両方を１００オングストローム以下、
さらに好ましくは７０オングストローム以下、最も好ま
しくは５０オングストローム以下にする。このように膜
厚を薄くすることにより、多層膜層が超格子構造となっ
て、多層膜層の結晶性が良くなるので、出力が向上する
傾向にある。ここで、前記ｎ側第１多層膜層と、上記ｎ
側第２多層膜層とを組み合わせると、発光出力が向上
し、順方向電圧（Ｖｆ）が低下し好ましい。この理由は
定かではないが、ｎ側第２多層膜層上に成長させる活性
層の結晶性が良好となるためと考えられる。
６は、Ｉｎを含む第１の窒化物半導体層と、その第１の
窒化物半導体層と異なる組成を有する第２の窒化物半導
体層とが積層されたｎ側多層膜層からなり、前記第１の
窒化物半導体層、または前記第２の窒化物半導体層の内
の少なくとも一方の膜厚が１００オングストローム以下
である。好ましくは第１の窒化物半導体層および第２の
窒化物半導体層の両方を１００オングストローム以下、
さらに好ましくは７０オングストローム以下、最も好ま
しくは５０オングストローム以下にする。このように膜
厚を薄くすることにより、多層膜層が超格子構造となっ
て、多層膜層の結晶性が良くなるので、出力が向上する
傾向にある。ここで、前記ｎ側第１多層膜層と、上記ｎ
側第２多層膜層とを組み合わせると、発光出力が向上
し、順方向電圧（Ｖｆ）が低下し好ましい。この理由は
定かではないが、ｎ側第２多層膜層上に成長させる活性
層の結晶性が良好となるためと考えられる。
【００２４】第１の窒化物半導体層はＩｎkＧａ1-kＮ
（０＜ｋ＜１）とし、第２の窒化物半導体層はＩｎmＧ
ａ1-mＮ（０≦ｍ＜１、ｍ＜ｋ）、好ましくはＧａＮと
することが最も好ましい。
（０＜ｋ＜１）とし、第２の窒化物半導体層はＩｎmＧ
ａ1-mＮ（０≦ｍ＜１、ｍ＜ｋ）、好ましくはＧａＮと
することが最も好ましい。
【００２５】さらに、前記第１の窒化物半導体層または
前記第２の窒化物半導体層の内の少なくとも一方の膜厚
が、近接する第１の窒化物半導体層または第２の窒化物
半導体層同士で互いに異なっても、同一でもよい。ま
た。膜厚が近接する層同士で互いに異なるとは、第１の
窒化物半導体層または第２の窒化物半導体層を複数層積
層した多層膜層を形成した場合に、第２の窒化物半導体
層（第１の窒化物半導体層）を挟んだ第１の窒化物半導
体層（第２の窒化物半導体層）の膜厚が互いに異なるこ
とを意味する。
前記第２の窒化物半導体層の内の少なくとも一方の膜厚
が、近接する第１の窒化物半導体層または第２の窒化物
半導体層同士で互いに異なっても、同一でもよい。ま
た。膜厚が近接する層同士で互いに異なるとは、第１の
窒化物半導体層または第２の窒化物半導体層を複数層積
層した多層膜層を形成した場合に、第２の窒化物半導体
層（第１の窒化物半導体層）を挟んだ第１の窒化物半導
体層（第２の窒化物半導体層）の膜厚が互いに異なるこ
とを意味する。
【００２６】さらにまた、前記第１の窒化物半導体層、
または前記第２の窒化物半導体層の内の少なくとも一方
のIII族元素の組成が、近接する第１の窒化物半導体層
または第２の窒化物半導体層の同一III族元素の組成同
士で互いに異なることが好ましい。このことは、第１の
窒化物半導体層または第２の窒化物半導体層を複数層積
層した多層膜層を形成した場合に、第２の窒化物半導体
層（第１の窒化物半導体層）を挟んだ第１の窒化物半導
体層（第２の窒化物半導体層）のIII族元素の組成比が
互いに異なることを意味する。
または前記第２の窒化物半導体層の内の少なくとも一方
のIII族元素の組成が、近接する第１の窒化物半導体層
または第２の窒化物半導体層の同一III族元素の組成同
士で互いに異なることが好ましい。このことは、第１の
窒化物半導体層または第２の窒化物半導体層を複数層積
層した多層膜層を形成した場合に、第２の窒化物半導体
層（第１の窒化物半導体層）を挟んだ第１の窒化物半導
体層（第２の窒化物半導体層）のIII族元素の組成比が
互いに異なることを意味する。
【００２７】ｎ側第２多層膜層６は、活性層と離間して
形成されていても良いが、最も好ましくは活性層に接し
て形成されているようにする。活性層に接して形成する
方がより出力が向上しやすい傾向にある。
形成されていても良いが、最も好ましくは活性層に接し
て形成されているようにする。活性層に接して形成する
方がより出力が向上しやすい傾向にある。
【００２８】また、ｎ側第２多層膜層６の第１の窒化物
半導体層および第２の窒化物半導体層がアンドープであ
ることが好ましい。アンドープとは意図的に不純物をド
ープしない状態を指し、例えば隣接する窒化物半導体層
から拡散により混入される不純物も本発明ではアンドー
プという。なお拡散により混入される不純物は層内にお
いて不純物濃度に勾配がついていることが多い。
半導体層および第２の窒化物半導体層がアンドープであ
ることが好ましい。アンドープとは意図的に不純物をド
ープしない状態を指し、例えば隣接する窒化物半導体層
から拡散により混入される不純物も本発明ではアンドー
プという。なお拡散により混入される不純物は層内にお
いて不純物濃度に勾配がついていることが多い。
【００２９】第１の窒化物半導体層または第２の窒化物
半導体層のいずれか一方に、ｎ型不純物がドープされて
いてもよい。これは変調ドープと呼ばれるもので、変調
ドープすることにより、出力が向上しやすい傾向にあ
る。なおｎ型不純物としては、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓ等
のIV族、VI族元素を好ましく選択し、さらに好ましくは
Ｓｉ、Ｓｎを用いる。
半導体層のいずれか一方に、ｎ型不純物がドープされて
いてもよい。これは変調ドープと呼ばれるもので、変調
ドープすることにより、出力が向上しやすい傾向にあ
る。なおｎ型不純物としては、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓ等
のIV族、VI族元素を好ましく選択し、さらに好ましくは
Ｓｉ、Ｓｎを用いる。
【００３０】また、第１の窒化物半導体層および第２の
窒化物半導体層の両方にｎ型不純物がドープされていて
もよい。ｎ型不純物をドープする場合、不純物濃度は５
×１０21／cm3以下、好ましくは１×１０20／cm3以下に
調整する。５×１０21／cm3よりも多いと窒化物半導体
層の結晶性が悪くなって、逆に出力が低下する傾向にあ
る。これは変調ドープの場合も同様である。
窒化物半導体層の両方にｎ型不純物がドープされていて
もよい。ｎ型不純物をドープする場合、不純物濃度は５
×１０21／cm3以下、好ましくは１×１０20／cm3以下に
調整する。５×１０21／cm3よりも多いと窒化物半導体
層の結晶性が悪くなって、逆に出力が低下する傾向にあ
る。これは変調ドープの場合も同様である。
【００３１】図１に示すように、活性層７を挟んで下部
にあるｎ側窒化物半導体層に、Ｉｎを含む第１の窒化物
半導体層と、その第１の窒化物半導体層と異なる組成を
有する第２の窒化物半導体層とが積層されたｎ側第２多
層膜層６を有している。ｎ側第２多層膜層６において、
第１の窒化物半導体層、第２の窒化物半導体層はそれぞ
れ少なくとも一層以上形成し、合計で２層以上、好まし
くは３層以上、さらに好ましくはそれぞれ少なくとも２
層以上積層し合計で４層以上積層することが望ましい。
ｎ側第２多層膜層６が活性層に接して形成されている場
合、活性層の最初の層（井戸層、若しくは障壁層）と接
する多層膜層は第１の窒化物半導体層でも、第２の窒化
物半導体層いずれでも良く、ｎ側第２多層膜層６の積層
順序は特に問うものではない。なお、図１ではｎ側第２
多層膜層６が、活性層７に接して形成されているが、こ
のｎ側第２多層膜層６と活性層との間に、他のｎ型窒化
物半導体よりなる層を有していても良い。このｎ側第２
多層膜層を構成する第１の窒化物半導体層または第２の
窒化物半導体層の少なくとも一方の膜厚を１００オング
ストローム以下、好ましくは７０オングストローム以
下、より好ましくは５０オングストローム以下とするこ
とにより、薄膜層が弾性臨界膜厚以下となって結晶が良
くなり、その上に積層する第１、若しくは第２の窒化物
半導体層の結晶性が良くなり、多層膜層全体の結晶性が
良くなるため、素子の出力が向上する。
にあるｎ側窒化物半導体層に、Ｉｎを含む第１の窒化物
半導体層と、その第１の窒化物半導体層と異なる組成を
有する第２の窒化物半導体層とが積層されたｎ側第２多
層膜層６を有している。ｎ側第２多層膜層６において、
第１の窒化物半導体層、第２の窒化物半導体層はそれぞ
れ少なくとも一層以上形成し、合計で２層以上、好まし
くは３層以上、さらに好ましくはそれぞれ少なくとも２
層以上積層し合計で４層以上積層することが望ましい。
ｎ側第２多層膜層６が活性層に接して形成されている場
合、活性層の最初の層（井戸層、若しくは障壁層）と接
する多層膜層は第１の窒化物半導体層でも、第２の窒化
物半導体層いずれでも良く、ｎ側第２多層膜層６の積層
順序は特に問うものではない。なお、図１ではｎ側第２
多層膜層６が、活性層７に接して形成されているが、こ
のｎ側第２多層膜層６と活性層との間に、他のｎ型窒化
物半導体よりなる層を有していても良い。このｎ側第２
多層膜層を構成する第１の窒化物半導体層または第２の
窒化物半導体層の少なくとも一方の膜厚を１００オング
ストローム以下、好ましくは７０オングストローム以
下、より好ましくは５０オングストローム以下とするこ
とにより、薄膜層が弾性臨界膜厚以下となって結晶が良
くなり、その上に積層する第１、若しくは第２の窒化物
半導体層の結晶性が良くなり、多層膜層全体の結晶性が
良くなるため、素子の出力が向上する。
【００３２】第１の窒化物半導体層はＩｎを含む窒化物
半導体、好ましくは３元混晶のＩｎ kＧａ1-kＮ（０＜ｋ
＜１）とし、さらに好ましくはｋ値が０．５以下のＩｎ
kＧａ1-kＮ、最も好ましくはｋ値が０．２以下のＩｎk
Ｇａ1-kＮとする。一方、第２の窒化物半導体層は第１
の窒化物半導体層と組成が異なる窒化物半導体であれば
良く、特に限定しないが、結晶性の良い第２の窒化物半
導体を成長させるためには、第１の窒化物半導体よりも
バンドギャップエネルギーが大きい２元混晶あるいは３
元混晶の窒化物半導体を成長させ、その中でもＧａＮと
すると、全体に結晶性の良い多層膜層が成長できる。従
って最も好ましい組み合わせとしては、第１の窒化物半
導体層がｋ値が０．５以下のＩｎkＧａ1-kＮであり、第
２の窒化物半導体層がＧａＮとの組み合わせである。
半導体、好ましくは３元混晶のＩｎ kＧａ1-kＮ（０＜ｋ
＜１）とし、さらに好ましくはｋ値が０．５以下のＩｎ
kＧａ1-kＮ、最も好ましくはｋ値が０．２以下のＩｎk
Ｇａ1-kＮとする。一方、第２の窒化物半導体層は第１
の窒化物半導体層と組成が異なる窒化物半導体であれば
良く、特に限定しないが、結晶性の良い第２の窒化物半
導体を成長させるためには、第１の窒化物半導体よりも
バンドギャップエネルギーが大きい２元混晶あるいは３
元混晶の窒化物半導体を成長させ、その中でもＧａＮと
すると、全体に結晶性の良い多層膜層が成長できる。従
って最も好ましい組み合わせとしては、第１の窒化物半
導体層がｋ値が０．５以下のＩｎkＧａ1-kＮであり、第
２の窒化物半導体層がＧａＮとの組み合わせである。
【００３３】第１および第２の窒化物半導体層の膜厚を
１００オングストローム以下、好ましくは７０オングス
トローム以下、より好ましくは５０オングストローム以
下にする。単一窒化物半導体層の膜厚を１００オングス
トローム以下とすることにより、窒化物半導体単一層の
弾性臨界膜厚以下となり、厚膜で成長させる場合に比較
して結晶性の良い窒化物半導体が成長できる。また、両
方を７０オングストローム以下にすることによって、ｎ
側第２多層膜層６が超格子（多層膜）構造となり、この
結晶性の良い多層膜構造の上に活性層を成長させると、
ｎ側第２多層膜層６がバッファ層のような作用をして、
活性層が結晶性よく成長できる。
１００オングストローム以下、好ましくは７０オングス
トローム以下、より好ましくは５０オングストローム以
下にする。単一窒化物半導体層の膜厚を１００オングス
トローム以下とすることにより、窒化物半導体単一層の
弾性臨界膜厚以下となり、厚膜で成長させる場合に比較
して結晶性の良い窒化物半導体が成長できる。また、両
方を７０オングストローム以下にすることによって、ｎ
側第２多層膜層６が超格子（多層膜）構造となり、この
結晶性の良い多層膜構造の上に活性層を成長させると、
ｎ側第２多層膜層６がバッファ層のような作用をして、
活性層が結晶性よく成長できる。
【００３４】さらにまた、第１、または前記第２の窒化
物半導体層の内の少なくとも一方の膜厚を、近接する第
１、または第２の窒化物半導体層同士で互いに異なるよ
うにすることも好ましい。例えば第１の窒化物半導体層
をＩｎＧａＮとし、第２の窒化物半導体層をＧａＮとし
た場合、ＧａＮ層とＧａＮ層との間のＩｎＧａＮ層の膜
厚を、活性層に接近するに従って次第に厚くしたり、ま
た薄くしたりすることにより、多層膜層内部において屈
折率が変化するため、実質的に屈折率が次第に変化する
層を形成することができる。即ち、実質的に組成傾斜し
た窒化物半導体層を形成するのと同じ効果が得られる。
このため例えばレーザ素子のような光導波路を必要とす
る素子においては、この多層膜層で導波路を形成して、
レーザ光のモードを調整できる。
物半導体層の内の少なくとも一方の膜厚を、近接する第
１、または第２の窒化物半導体層同士で互いに異なるよ
うにすることも好ましい。例えば第１の窒化物半導体層
をＩｎＧａＮとし、第２の窒化物半導体層をＧａＮとし
た場合、ＧａＮ層とＧａＮ層との間のＩｎＧａＮ層の膜
厚を、活性層に接近するに従って次第に厚くしたり、ま
た薄くしたりすることにより、多層膜層内部において屈
折率が変化するため、実質的に屈折率が次第に変化する
層を形成することができる。即ち、実質的に組成傾斜し
た窒化物半導体層を形成するのと同じ効果が得られる。
このため例えばレーザ素子のような光導波路を必要とす
る素子においては、この多層膜層で導波路を形成して、
レーザ光のモードを調整できる。
【００３５】また、第１、または前記第２の窒化物半導
体層の内の少なくとも一方のIII族元素の組成を、近接
する第１または第２の窒化物半導体層の同一III族元素
の組成同士で互いに異なる、又は同一でもよい。例え
ば、同一III族元素の組成同士で互いに異ならせると、
第１の窒化物半導体層をＩｎＧａＮとし、第２の窒化物
半導体層をＧａＮとした場合、ＧａＮ層とＧａＮ層との
間のＩｎＧａＮ層のＩｎ組成を活性層に接近するに従っ
て次第に多くしたり、また少なくしたりすることによ
り、前述の態様と同じく、多層膜層内部において屈折率
を変化させて、実質的に組成傾斜した窒化物半導体層を
形成することができる。なおＩｎ組成が減少するに従
い、屈折率は小さくなる傾向にある。
体層の内の少なくとも一方のIII族元素の組成を、近接
する第１または第２の窒化物半導体層の同一III族元素
の組成同士で互いに異なる、又は同一でもよい。例え
ば、同一III族元素の組成同士で互いに異ならせると、
第１の窒化物半導体層をＩｎＧａＮとし、第２の窒化物
半導体層をＧａＮとした場合、ＧａＮ層とＧａＮ層との
間のＩｎＧａＮ層のＩｎ組成を活性層に接近するに従っ
て次第に多くしたり、また少なくしたりすることによ
り、前述の態様と同じく、多層膜層内部において屈折率
を変化させて、実質的に組成傾斜した窒化物半導体層を
形成することができる。なおＩｎ組成が減少するに従
い、屈折率は小さくなる傾向にある。
【００３６】第１および第２の窒化物半導体層は両方と
もアンドープでも良いし、両方にｎ型不純物がドープさ
れていても良いし、またいずれか一方に不純物がドープ
されていてもよい。結晶性を良くするためには、アンド
ープが最も好ましく、次に変調ドープ、その次に両方ド
ープの順である。なお両方にｎ型不純物をドープする場
合、第１の窒化物半導体層のｎ型不純物濃度と、第２の
窒化物半導体層のｎ型不純物濃度は異なっていても良
い。
もアンドープでも良いし、両方にｎ型不純物がドープさ
れていても良いし、またいずれか一方に不純物がドープ
されていてもよい。結晶性を良くするためには、アンド
ープが最も好ましく、次に変調ドープ、その次に両方ド
ープの順である。なお両方にｎ型不純物をドープする場
合、第１の窒化物半導体層のｎ型不純物濃度と、第２の
窒化物半導体層のｎ型不純物濃度は異なっていても良
い。
【００３７】本発明において、多重量子井戸構造の活性
層７は、Ｉｎ及びＧａを含有する窒化物半導体、好まし
くは、ＩｎaＧａ1-aＮ（０≦ａ＜１）で形成され、ｎ
型、ｐ型いずれでもよいが、アンドープ（不純物無添
加）とすることにより強いバンド間発光が得られ発光波
長の半値幅が狭くなり好ましい。活性層７にｎ型不純物
及び／又はｐ型不純物をドープしてもよい。活性層７に
ｎ型不純物をドープするとアンドープのものに比べてバ
ンド間発光強度をさらに強くすることができる。活性層
７にｐ型不純物をドープするとバンド間発光のピーク波
長よりも約０．５ｅＶ低いエネルギー側にピーク波長を
シフトさせることができるが、半値幅は広くなる。活性
層にｐ型不純物とｎ型不純物との双方をドープすると、
前述したｐ型不純物のみドープした活性層の発光強度を
さらに大きくすることができる。特にｐ型ドーパントを
ドープした活性層を形成する場合、活性層の導電型はＳ
ｉ等のｎ型ドーパントをもドープして全体をｎ型とする
ことが好ましい。結晶性のよい活性層を成長させるに
は、ノンドープが最も好ましい。
層７は、Ｉｎ及びＧａを含有する窒化物半導体、好まし
くは、ＩｎaＧａ1-aＮ（０≦ａ＜１）で形成され、ｎ
型、ｐ型いずれでもよいが、アンドープ（不純物無添
加）とすることにより強いバンド間発光が得られ発光波
長の半値幅が狭くなり好ましい。活性層７にｎ型不純物
及び／又はｐ型不純物をドープしてもよい。活性層７に
ｎ型不純物をドープするとアンドープのものに比べてバ
ンド間発光強度をさらに強くすることができる。活性層
７にｐ型不純物をドープするとバンド間発光のピーク波
長よりも約０．５ｅＶ低いエネルギー側にピーク波長を
シフトさせることができるが、半値幅は広くなる。活性
層にｐ型不純物とｎ型不純物との双方をドープすると、
前述したｐ型不純物のみドープした活性層の発光強度を
さらに大きくすることができる。特にｐ型ドーパントを
ドープした活性層を形成する場合、活性層の導電型はＳ
ｉ等のｎ型ドーパントをもドープして全体をｎ型とする
ことが好ましい。結晶性のよい活性層を成長させるに
は、ノンドープが最も好ましい。
【００３８】活性層７の障壁層と井戸層との積層順は、
特に問わず、井戸層から積層して井戸層で終わる、井戸
層から積層して障壁層で終わる、障壁層から積層して障
壁層で終わる、また障壁層から積層して井戸層で終わっ
ても良い。井戸層の膜厚としては１００オングストロー
ム以下、好ましくは７０オングストローム以下、さらに
好ましくは５０オングストローム以下に調整する。井戸
層の膜厚の上限は、特に限定されないが、１原子層以
上、好ましくは１０オングストローム以上である。井戸
層が１００オングストロームよりも厚いと、出力が向上
しにくい傾向にある。一方、障壁層の厚さは２０００オ
ングストローム以下、好ましくは５００オングストロー
ム以下、より好ましくは３００オングストローム以下に
調整する。障壁層の膜厚の上限は特に限定されないが、
１原子層以上、好ましくは１０オングストローム以上で
ある。障壁層が上記範囲であると出力が向上し易く好ま
しい。また、活性層７全体の膜厚はとくに限定されず、
ＬＥＤ素子などの希望の波長等を考慮して、障壁層及び
井戸層の各積層数や積層順を調整し活性層７の総膜厚を
調整する。
特に問わず、井戸層から積層して井戸層で終わる、井戸
層から積層して障壁層で終わる、障壁層から積層して障
壁層で終わる、また障壁層から積層して井戸層で終わっ
ても良い。井戸層の膜厚としては１００オングストロー
ム以下、好ましくは７０オングストローム以下、さらに
好ましくは５０オングストローム以下に調整する。井戸
層の膜厚の上限は、特に限定されないが、１原子層以
上、好ましくは１０オングストローム以上である。井戸
層が１００オングストロームよりも厚いと、出力が向上
しにくい傾向にある。一方、障壁層の厚さは２０００オ
ングストローム以下、好ましくは５００オングストロー
ム以下、より好ましくは３００オングストローム以下に
調整する。障壁層の膜厚の上限は特に限定されないが、
１原子層以上、好ましくは１０オングストローム以上で
ある。障壁層が上記範囲であると出力が向上し易く好ま
しい。また、活性層７全体の膜厚はとくに限定されず、
ＬＥＤ素子などの希望の波長等を考慮して、障壁層及び
井戸層の各積層数や積層順を調整し活性層７の総膜厚を
調整する。
【００３９】本発明において、ｐ側クラッド層８は、バ
ンドギャップエネルギーの大きな第３の窒化物半導体層
と、第３の窒化物半導体層よりもバンドギャップエネル
ギーの小さな第４の窒化物半導体層とが積層されて、互
いのｐ型不純物濃度が異なる、又は同一の多層膜層、ま
たはｐ型不純物を含有するＡｌbＧａ1-bＮ（０≦ｂ≦
１）からなる単一層である。まず、ｐ側クラッド層８が
多層膜構造（超格子構造）を有するｐ側多層膜クラッド
層の場合について以下に説明する。ｐ側多層膜クラッド
層１７の多層膜層を構成する第３、第４の窒化物半導体
層の膜厚は、１００オングストローム以下、さらに好ま
しくは７０オングストローム以下、最も好ましくは１０
〜４０オングストロームの膜厚に調整され、第３窒化物
半導体層と第４の窒化物半導体層との膜厚は、同一でも
異なっていてもよい。多層膜構造の各膜厚が上記範囲で
あると、窒化物半導体の弾性臨界膜厚以下となり、厚膜
で成長させる場合に比較して結晶性の良い窒化物半導体
が成長でき、また窒化物半導体層の結晶性が良くなるの
で、ｐ型不純物を添加した場合にキャリア濃度が大きく
抵抗率の小さいｐ層が得られ、素子のＶｆ、しきい値が
低下し易い傾向にある。このような膜厚の２種類の層を
１ペアとして複数回積層して多層膜層を形成する。そし
て、ｐ側多層膜クラッド層８の総膜厚の調整は、この第
３及び第４の窒化物半導体層の各膜厚を調整し積層回数
を調整することにより行う。ｐ側多層膜クラッド層８の
総膜厚は、特に限定されないが、２０００オングストロ
ーム以下、好ましくは１０００オングストローム以下、
より好ましくは５００オングストローム以下であり、総
膜厚がこの範囲であると発光出力が高く、順方向電圧
（Ｖｆ）が低下し好ましい。第３の窒化物半導体層は少
なくともＡｌを含む窒化物半導体、好ましくはＡｌ nＧ
ａ1-nＮ（０＜ｎ≦１）を成長させることが望ましく、
第４の窒化物半導体は好ましくはＡｌpＧａ1-pＮ（０≦
ｐ＜１、ｎ＞ｐ）、ＩｎrＧａ1-rＮ（０≦ｒ≦１）のよ
うな２元混晶、３元混晶の窒化物半導体を成長させるこ
とが望ましい。ｐ側クラッド層８を超格子構造とする
と、結晶性が良くなり、抵抗率が低下しＶｆが低下する
傾向がある。
ンドギャップエネルギーの大きな第３の窒化物半導体層
と、第３の窒化物半導体層よりもバンドギャップエネル
ギーの小さな第４の窒化物半導体層とが積層されて、互
いのｐ型不純物濃度が異なる、又は同一の多層膜層、ま
たはｐ型不純物を含有するＡｌbＧａ1-bＮ（０≦ｂ≦
１）からなる単一層である。まず、ｐ側クラッド層８が
多層膜構造（超格子構造）を有するｐ側多層膜クラッド
層の場合について以下に説明する。ｐ側多層膜クラッド
層１７の多層膜層を構成する第３、第４の窒化物半導体
層の膜厚は、１００オングストローム以下、さらに好ま
しくは７０オングストローム以下、最も好ましくは１０
〜４０オングストロームの膜厚に調整され、第３窒化物
半導体層と第４の窒化物半導体層との膜厚は、同一でも
異なっていてもよい。多層膜構造の各膜厚が上記範囲で
あると、窒化物半導体の弾性臨界膜厚以下となり、厚膜
で成長させる場合に比較して結晶性の良い窒化物半導体
が成長でき、また窒化物半導体層の結晶性が良くなるの
で、ｐ型不純物を添加した場合にキャリア濃度が大きく
抵抗率の小さいｐ層が得られ、素子のＶｆ、しきい値が
低下し易い傾向にある。このような膜厚の２種類の層を
１ペアとして複数回積層して多層膜層を形成する。そし
て、ｐ側多層膜クラッド層８の総膜厚の調整は、この第
３及び第４の窒化物半導体層の各膜厚を調整し積層回数
を調整することにより行う。ｐ側多層膜クラッド層８の
総膜厚は、特に限定されないが、２０００オングストロ
ーム以下、好ましくは１０００オングストローム以下、
より好ましくは５００オングストローム以下であり、総
膜厚がこの範囲であると発光出力が高く、順方向電圧
（Ｖｆ）が低下し好ましい。第３の窒化物半導体層は少
なくともＡｌを含む窒化物半導体、好ましくはＡｌ nＧ
ａ1-nＮ（０＜ｎ≦１）を成長させることが望ましく、
第４の窒化物半導体は好ましくはＡｌpＧａ1-pＮ（０≦
ｐ＜１、ｎ＞ｐ）、ＩｎrＧａ1-rＮ（０≦ｒ≦１）のよ
うな２元混晶、３元混晶の窒化物半導体を成長させるこ
とが望ましい。ｐ側クラッド層８を超格子構造とする
と、結晶性が良くなり、抵抗率が低下しＶｆが低下する
傾向がある。
【００４０】ｐ側多層膜クラッド層８のｐ型不純物濃度
において、第３の窒化物半導体層と第４の窒化物半導体
層とのｐ型不純物濃度が異なる場合について以下に示
す。ｐ側多層膜クラッド層８の第３の窒化物半導体層と
第４の窒化物半導体層とのｐ型不純物濃度は異なり、一
方の層の不純物濃度を大きく、もう一方の層の不純物濃
度を小さくする。ｎ側クラッド層１２と同様に、バンド
ギャップエネルギーの大きな第３の窒化物半導体層の方
のｐ型不純物濃度を大きくして、バンドギャップエネル
ギーの小さな第４の窒化物半導体層のｐ型不純物濃度を
小さく、好ましくはアンドープとすると、閾値電圧、Ｖ
ｆ等を低下させることができる。またその逆でも良い。
つまりバンドギャップエネルギーの大きな第３の窒化物
半導体層のｐ型不純物濃度を小さくして、バンドギャッ
プエネルギーの小さな第４の窒化物半導体層のｐ型不純
物濃度を大きくしても良い。
において、第３の窒化物半導体層と第４の窒化物半導体
層とのｐ型不純物濃度が異なる場合について以下に示
す。ｐ側多層膜クラッド層８の第３の窒化物半導体層と
第４の窒化物半導体層とのｐ型不純物濃度は異なり、一
方の層の不純物濃度を大きく、もう一方の層の不純物濃
度を小さくする。ｎ側クラッド層１２と同様に、バンド
ギャップエネルギーの大きな第３の窒化物半導体層の方
のｐ型不純物濃度を大きくして、バンドギャップエネル
ギーの小さな第４の窒化物半導体層のｐ型不純物濃度を
小さく、好ましくはアンドープとすると、閾値電圧、Ｖ
ｆ等を低下させることができる。またその逆でも良い。
つまりバンドギャップエネルギーの大きな第３の窒化物
半導体層のｐ型不純物濃度を小さくして、バンドギャッ
プエネルギーの小さな第４の窒化物半導体層のｐ型不純
物濃度を大きくしても良い。
【００４１】第３の窒化物半導体層への好ましいドープ
量としては１×１０18／cm3〜１×１０21／cm3、さらに
好ましくは１×１０19／cm3〜５×１０20／cm3の範囲に
調整する。１×１０18／cm3よりも少ないと、同様に第
４の窒化物半導体層との差が少なくなって、同様にキャ
リア濃度の大きい層が得られにくい傾向にあり、また１
×１０21／cm3よりも多いと、結晶性が悪くなる傾向に
ある。一方、第４の窒化物半導体層のｐ型不純物濃度は
第３の窒化物半導体層よりも少なければ良く、好ましく
は１／１０以上少ない方が望ましい。最も好ましくはア
ンドープとすると最も移動度の高い層が得られるが、膜
厚が薄いため、第３の窒化物半導体側から拡散してくる
ｐ型不純物があり、その量は１×１０20／cm3以下が望
ましい。また、バンドギャップエネルギーが大きい第３
の窒化物半導体層にｐ型不純物を少なくドープして、バ
ンドギャップエネルギーが小さい第４の窒化物半導体層
にｐ型不純物を多くドープする場合も同様である。ｐ型
不純物としてはＭｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｂｅ等の周期律表第
IIＡ族、IIＢ族元素を選択し、好ましくはＭｇ、Ｃａ等
をｐ型不純物とする。
量としては１×１０18／cm3〜１×１０21／cm3、さらに
好ましくは１×１０19／cm3〜５×１０20／cm3の範囲に
調整する。１×１０18／cm3よりも少ないと、同様に第
４の窒化物半導体層との差が少なくなって、同様にキャ
リア濃度の大きい層が得られにくい傾向にあり、また１
×１０21／cm3よりも多いと、結晶性が悪くなる傾向に
ある。一方、第４の窒化物半導体層のｐ型不純物濃度は
第３の窒化物半導体層よりも少なければ良く、好ましく
は１／１０以上少ない方が望ましい。最も好ましくはア
ンドープとすると最も移動度の高い層が得られるが、膜
厚が薄いため、第３の窒化物半導体側から拡散してくる
ｐ型不純物があり、その量は１×１０20／cm3以下が望
ましい。また、バンドギャップエネルギーが大きい第３
の窒化物半導体層にｐ型不純物を少なくドープして、バ
ンドギャップエネルギーが小さい第４の窒化物半導体層
にｐ型不純物を多くドープする場合も同様である。ｐ型
不純物としてはＭｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｂｅ等の周期律表第
IIＡ族、IIＢ族元素を選択し、好ましくはＭｇ、Ｃａ等
をｐ型不純物とする。
【００４２】さらにまた多層膜を構成する窒化物半導体
層において、不純物が高濃度にドープされる層は、厚さ
方向に対し、半導体層中心部近傍の不純物濃度が大き
く、両端部近傍の不純物濃度が小さい（好ましくはアン
ドープ）とすることが、抵抗率を低下させるのに望まし
い。
層において、不純物が高濃度にドープされる層は、厚さ
方向に対し、半導体層中心部近傍の不純物濃度が大き
く、両端部近傍の不純物濃度が小さい（好ましくはアン
ドープ）とすることが、抵抗率を低下させるのに望まし
い。
【００４３】またｐ側多層膜クラッド層８の第３の窒化
物半導体層と第４の窒化物半導体層のｐ型不純物濃度が
同一の場合は、上記第３と第４の窒化物半導体層のｐ型
不純物濃度が異なる場合の第３の窒化物半導体層のｐ型
不純物濃度の範囲内で不純物濃度が調整される。このよ
うにｐ型不純物濃度が同一であると、上記不純物濃度が
異なる場合に比べて、やや結晶性の劣る傾向があるが、
キャリア濃度の高いｐ型クラッド層８を形成し易くな
り、出力向上の点で好ましい。
物半導体層と第４の窒化物半導体層のｐ型不純物濃度が
同一の場合は、上記第３と第４の窒化物半導体層のｐ型
不純物濃度が異なる場合の第３の窒化物半導体層のｐ型
不純物濃度の範囲内で不純物濃度が調整される。このよ
うにｐ型不純物濃度が同一であると、上記不純物濃度が
異なる場合に比べて、やや結晶性の劣る傾向があるが、
キャリア濃度の高いｐ型クラッド層８を形成し易くな
り、出力向上の点で好ましい。
【００４４】次に、ｐ側クラッド層８が、ｐ型不純物を
含みＡｌbＧａ1-bＮ（０≦ｂ≦１）よりなる単一層から
なる場合、ｐ側単一膜クラッド層８の膜厚は、２０００
オングストローム以下、好ましくは１０００オングスト
ローム以下であり、より好ましくは５００〜１００オン
グストローム以下である。膜厚が上記範囲であると、発
光出力が向上し、Ｖｆが低下し好ましい。ｐ側単一膜ク
ラッド層８の組成は、ＡｌbＧａ1-bＮ（０≦ｂ≦１）で
ある。また、単一膜層のクラッド層は、前記多層膜構造
のｐ側クラッド層に比べ、結晶性はやや劣るものの、前
記第１の多層膜層４との組み合わせにより、結晶性良く
成長させることができ、しきい値やＶｆの低下が可能と
なる。更に、このように単一膜としてもその他の層構成
と組み合わせることにより素子の性能の低下を少なく
し、しかも単一膜であるので、製造工程の簡易化が可能
となり、量産する場合に好ましい。ｐ側単一膜クラッド
層８のｐ型不純物の濃度は１×１０18〜１×１０21／cm
3、好ましくは５×１０18〜５×１０20／cm3、より好ま
しくは５×１０19〜１×１０20／cm3である。不純物濃
度が上記範囲であると、良好なｐ型膜ができ好ましい。
含みＡｌbＧａ1-bＮ（０≦ｂ≦１）よりなる単一層から
なる場合、ｐ側単一膜クラッド層８の膜厚は、２０００
オングストローム以下、好ましくは１０００オングスト
ローム以下であり、より好ましくは５００〜１００オン
グストローム以下である。膜厚が上記範囲であると、発
光出力が向上し、Ｖｆが低下し好ましい。ｐ側単一膜ク
ラッド層８の組成は、ＡｌbＧａ1-bＮ（０≦ｂ≦１）で
ある。また、単一膜層のクラッド層は、前記多層膜構造
のｐ側クラッド層に比べ、結晶性はやや劣るものの、前
記第１の多層膜層４との組み合わせにより、結晶性良く
成長させることができ、しきい値やＶｆの低下が可能と
なる。更に、このように単一膜としてもその他の層構成
と組み合わせることにより素子の性能の低下を少なく
し、しかも単一膜であるので、製造工程の簡易化が可能
となり、量産する場合に好ましい。ｐ側単一膜クラッド
層８のｐ型不純物の濃度は１×１０18〜１×１０21／cm
3、好ましくは５×１０18〜５×１０20／cm3、より好ま
しくは５×１０19〜１×１０20／cm3である。不純物濃
度が上記範囲であると、良好なｐ型膜ができ好ましい。
【００４５】次に、本発明において、Ｍｇドープｐ側Ｇ
ａＮコンタクト層９は、その組成をＩｎ、Ａｌを含まな
い二元混晶の窒化物半導体とする。仮にＩｎ、Ａｌを含
有していると、ｐ電極１０とオーミック接触が得られな
くなり、発光効率が低下する。ｐ側コンタクト層９の膜
厚は ０．００１〜０．５μｍ、好ましくは０．０１〜
０．３μｍ、より好ましくは０．０５〜０．２μｍであ
る。膜厚が０．００１μｍよりも薄いとｐ型ＧａＡｌＮ
クラッド層と電気的に短絡しやすくなり、コンタクト層
として作用しにくい。また、三元混晶のＧａＡｌＮクラ
ッド層の上に、組成の異なる二元混晶のＧａＮコンタク
ト層を積層するため、逆にその膜厚を０．５μｍよりも
厚くすると、結晶間のミスフィットによる格子欠陥がｐ
側ＧａＮコンタクト層９中に発生しやすく、結晶性が低
下する傾向にある。なお、コンタクト層の膜厚は薄いほ
どＶｆを低下させ発光効率を向上させることができる。
また、このｐ型ＧａＮコンタクト層９のｐ型不純物はＭ
ｇであるとｐ型特性が得られ易く、またオーミック接触
が得られ易くなる。Ｍｇの濃度は、１×１０18〜１×１
０21／cm3、好ましくは５×１０19〜３×１０20／cm3、
より好ましくは１×１０20／cm3程度である。Ｍｇ濃度
がこの範囲であると良好なｐ型膜が得られ易く、Ｖｆが
低下し好ましい。
ａＮコンタクト層９は、その組成をＩｎ、Ａｌを含まな
い二元混晶の窒化物半導体とする。仮にＩｎ、Ａｌを含
有していると、ｐ電極１０とオーミック接触が得られな
くなり、発光効率が低下する。ｐ側コンタクト層９の膜
厚は ０．００１〜０．５μｍ、好ましくは０．０１〜
０．３μｍ、より好ましくは０．０５〜０．２μｍであ
る。膜厚が０．００１μｍよりも薄いとｐ型ＧａＡｌＮ
クラッド層と電気的に短絡しやすくなり、コンタクト層
として作用しにくい。また、三元混晶のＧａＡｌＮクラ
ッド層の上に、組成の異なる二元混晶のＧａＮコンタク
ト層を積層するため、逆にその膜厚を０．５μｍよりも
厚くすると、結晶間のミスフィットによる格子欠陥がｐ
側ＧａＮコンタクト層９中に発生しやすく、結晶性が低
下する傾向にある。なお、コンタクト層の膜厚は薄いほ
どＶｆを低下させ発光効率を向上させることができる。
また、このｐ型ＧａＮコンタクト層９のｐ型不純物はＭ
ｇであるとｐ型特性が得られ易く、またオーミック接触
が得られ易くなる。Ｍｇの濃度は、１×１０18〜１×１
０21／cm3、好ましくは５×１０19〜３×１０20／cm3、
より好ましくは１×１０20／cm3程度である。Ｍｇ濃度
がこの範囲であると良好なｐ型膜が得られ易く、Ｖｆが
低下し好ましい。
【００４６】また、ｎ電極１１はｎ側コンタクト層４上
に、ｐ電極はＭｇドープｐ側ＧａＮコンタクト層９上に
それぞれ形成されている。ｎ電極及びｐ電極の材料とし
ては特に限定されず、例えばｎ電極としてはＷ／Ａｌ、
ｐ電極としてはＮｉ／Ａｕなどを用いることができる。
に、ｐ電極はＭｇドープｐ側ＧａＮコンタクト層９上に
それぞれ形成されている。ｎ電極及びｐ電極の材料とし
ては特に限定されず、例えばｎ電極としてはＷ／Ａｌ、
ｐ電極としてはＮｉ／Ａｕなどを用いることができる。
【００４７】
【実施例】以下に本発明の一実施の形態である実施例を
示すが、本発明はこれに限定されない。 ［実施例１］図１を元に実施例１について説明する。サ
ファイア（Ｃ面）よりなる基板１をＭＯＶＰＥの反応容
器内にセットし、水素を流しながら、基板の温度を１０
５０℃まで上昇させ、基板のクリーニングを行う。
示すが、本発明はこれに限定されない。 ［実施例１］図１を元に実施例１について説明する。サ
ファイア（Ｃ面）よりなる基板１をＭＯＶＰＥの反応容
器内にセットし、水素を流しながら、基板の温度を１０
５０℃まで上昇させ、基板のクリーニングを行う。
【００４８】（バッファ層２）続いて、温度を５１０℃
まで下げ、キャリアガスに水素、原料ガスにアンモニア
とＴＭＧ（トリメチルガリウム）とを用い、基板１上に
ＧａＮよりなるバッファ層２を約１５０オングストロー
ムの膜厚で成長させる。
まで下げ、キャリアガスに水素、原料ガスにアンモニア
とＴＭＧ（トリメチルガリウム）とを用い、基板１上に
ＧａＮよりなるバッファ層２を約１５０オングストロー
ムの膜厚で成長させる。
【００４９】（アンドープＧａＮ層３）バッファ層２成
長後、ＴＭＧのみ止めて、温度を１０５０℃まで上昇さ
せる。１０５０℃になったら、同じく原料ガスにＴＭ
Ｇ、アンモニアガスを用い、アンドープＧａＮ層３を
１．５μｍの膜厚で成長させる。
長後、ＴＭＧのみ止めて、温度を１０５０℃まで上昇さ
せる。１０５０℃になったら、同じく原料ガスにＴＭ
Ｇ、アンモニアガスを用い、アンドープＧａＮ層３を
１．５μｍの膜厚で成長させる。
【００５０】（ｎ側コンタクト層４）続いて１０５０℃
で、同じく原料ガスにＴＭＧ、アンモニアガス、不純物
ガスにシランガスを用い、Ｓｉを４．５×１０18／cm3
ドープしたＧａＮよりなるｎ側コンタクト層４を２．２
５μｍの膜厚で成長させる。
で、同じく原料ガスにＴＭＧ、アンモニアガス、不純物
ガスにシランガスを用い、Ｓｉを４．５×１０18／cm3
ドープしたＧａＮよりなるｎ側コンタクト層４を２．２
５μｍの膜厚で成長させる。
【００５１】（ｎ側第１多層膜層５）次にシランガスの
みを止め、１０５０℃で、ＴＭＧ、アンモニアガスを用
い、アンドープＧａＮ層を７５オングストロームの膜厚
で成長させ、続いて同温度にてシランガスを追加しＳｉ
を４．５×１０18／cm3ドープしたＧａＮ層を２５オン
グストロームの膜厚で成長させる。このようにして、７
５オングストロームのアンドープＧａＮ層からなるＡ層
と、ＳｉドープＧａＮ層を有する２５オングストローム
のＢ層とからなるペアを成長させる。そしてペアを２５
層積層して２５００オングストローム厚として、超格子
構造の多層膜よりなるｎ側第１多層膜層５を成長させ
る。
みを止め、１０５０℃で、ＴＭＧ、アンモニアガスを用
い、アンドープＧａＮ層を７５オングストロームの膜厚
で成長させ、続いて同温度にてシランガスを追加しＳｉ
を４．５×１０18／cm3ドープしたＧａＮ層を２５オン
グストロームの膜厚で成長させる。このようにして、７
５オングストロームのアンドープＧａＮ層からなるＡ層
と、ＳｉドープＧａＮ層を有する２５オングストローム
のＢ層とからなるペアを成長させる。そしてペアを２５
層積層して２５００オングストローム厚として、超格子
構造の多層膜よりなるｎ側第１多層膜層５を成長させ
る。
【００５２】（ｎ側第２多層膜層６）次に、同様の温度
で、アンドープＧａＮよりなる第２の窒化物半導体層を
４０オングストローム成長させ、次に温度を８００℃に
して、ＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニアを用い、アンドープ
Ｉｎ0.13Ｇａ0.87Ｎよりなる第１の窒化物半導体層を２
０オングストローム成長させる。そしてこれらの操作を
繰り返し、第２＋第１の順で交互に１０層づつ積層さ
せ、最後にＧａＮよりなる第２の窒化物半導体層を４０
オングストローム成長さた超格子構造の多層膜よりなる
ｎ側第２多層膜層６を６４０オングストロームの膜厚で
成長させる。
で、アンドープＧａＮよりなる第２の窒化物半導体層を
４０オングストローム成長させ、次に温度を８００℃に
して、ＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニアを用い、アンドープ
Ｉｎ0.13Ｇａ0.87Ｎよりなる第１の窒化物半導体層を２
０オングストローム成長させる。そしてこれらの操作を
繰り返し、第２＋第１の順で交互に１０層づつ積層さ
せ、最後にＧａＮよりなる第２の窒化物半導体層を４０
オングストローム成長さた超格子構造の多層膜よりなる
ｎ側第２多層膜層６を６４０オングストロームの膜厚で
成長させる。
【００５３】（活性層７）次に、アンドープＧａＮより
なる障壁層を２００オングストロームの膜厚で成長さ
せ、続いて温度を８００℃にして、ＴＭＧ、ＴＭＩ、ア
ンモニアを用いアンドープＩｎ0.4Ｇａ0.6Ｎよりなる井
戸層を３０オングストロームの膜厚で成長させる。そし
て障壁＋井戸＋障壁＋井戸・・・・＋障壁の順で障壁層
を５層、井戸層を４層、交互に積層して、総膜厚１１２
０オングストロームの多重量子井戸構造よりなる活性層
７を成長させる。
なる障壁層を２００オングストロームの膜厚で成長さ
せ、続いて温度を８００℃にして、ＴＭＧ、ＴＭＩ、ア
ンモニアを用いアンドープＩｎ0.4Ｇａ0.6Ｎよりなる井
戸層を３０オングストロームの膜厚で成長させる。そし
て障壁＋井戸＋障壁＋井戸・・・・＋障壁の順で障壁層
を５層、井戸層を４層、交互に積層して、総膜厚１１２
０オングストロームの多重量子井戸構造よりなる活性層
７を成長させる。
【００５４】（ｐ側多層膜クラッド層８）次に、温度１
０５０℃でＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア、Ｃｐ2Ｍｇ
（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用い、Ｍｇを
１×１０20／cm3ドープしたｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎより
なる第３の窒化物半導体層を４０オングストロームの膜
厚で成長させ、続いて温度を８００℃にして、ＴＭＧ、
ＴＭＩ、アンモニア、Ｃｐ2Ｍｇを用いＭｇを１×１０
20／cm3ドープしたＩｎ0.03Ｇａ0.97Ｎよりなる第４の
窒化物半導体層を２５オングストロームの膜厚で成長さ
せる。そしてこれらの操作を繰り返し、第３＋第４の順
で交互に５層ずつ積層し、最後に第３の窒化物半導体層
を４０オングストロームの膜厚で成長させた超格子構造
の多層膜よりなるｐ側多層膜クラッド層８を３６５オン
グストロームの膜厚で成長させる。
０５０℃でＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア、Ｃｐ2Ｍｇ
（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用い、Ｍｇを
１×１０20／cm3ドープしたｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎより
なる第３の窒化物半導体層を４０オングストロームの膜
厚で成長させ、続いて温度を８００℃にして、ＴＭＧ、
ＴＭＩ、アンモニア、Ｃｐ2Ｍｇを用いＭｇを１×１０
20／cm3ドープしたＩｎ0.03Ｇａ0.97Ｎよりなる第４の
窒化物半導体層を２５オングストロームの膜厚で成長さ
せる。そしてこれらの操作を繰り返し、第３＋第４の順
で交互に５層ずつ積層し、最後に第３の窒化物半導体層
を４０オングストロームの膜厚で成長させた超格子構造
の多層膜よりなるｐ側多層膜クラッド層８を３６５オン
グストロームの膜厚で成長させる。
【００５５】（ｐ側ＧａＮコンタクト層９）続いて１０
５０℃で、ＴＭＧ、アンモニア、Ｃｐ2Ｍｇを用い、Ｍ
ｇを１×１０20／cm3ドープしたｐ型ＧａＮよりなるｐ
側コンタクト層９を７００オングストロームの膜厚で成
長させる。
５０℃で、ＴＭＧ、アンモニア、Ｃｐ2Ｍｇを用い、Ｍ
ｇを１×１０20／cm3ドープしたｐ型ＧａＮよりなるｐ
側コンタクト層９を７００オングストロームの膜厚で成
長させる。
【００５６】反応終了後、温度を室温まで下げ、さらに
窒素雰囲気中、ウェーハを反応容器内において、７００
℃でアニーリングを行い、ｐ型層をさらに低抵抗化す
る。
窒素雰囲気中、ウェーハを反応容器内において、７００
℃でアニーリングを行い、ｐ型層をさらに低抵抗化す
る。
【００５７】アニーリング後、ウェーハを反応容器から
取り出し、最上層のｐ側コンタクト層９の表面に所定の
形状のマスクを形成し、ＲＩＥ（反応性イオンエッチン
グ）装置でｐ側コンタクト層側からエッチングを行い、
図１に示すようにｎ側コンタクト層４の表面を露出させ
る。
取り出し、最上層のｐ側コンタクト層９の表面に所定の
形状のマスクを形成し、ＲＩＥ（反応性イオンエッチン
グ）装置でｐ側コンタクト層側からエッチングを行い、
図１に示すようにｎ側コンタクト層４の表面を露出させ
る。
【００５８】エッチング後、最上層にあるｐ側コンタク
ト層のほぼ全面に膜厚２００オングストロームのＮｉと
Ａｕを含む透光性のｐ電極１０と、そのｐ電極１０の上
にボンディング用のＡｕよりなるｐパッド電極１１を
０．５μｍの膜厚で形成する。一方、エッチングにより
露出させたｎ側コンタクト層４の表面にはＷとＡｌを含
むｎ電極１２を形成してＬＥＤ素子とした。
ト層のほぼ全面に膜厚２００オングストロームのＮｉと
Ａｕを含む透光性のｐ電極１０と、そのｐ電極１０の上
にボンディング用のＡｕよりなるｐパッド電極１１を
０．５μｍの膜厚で形成する。一方、エッチングにより
露出させたｎ側コンタクト層４の表面にはＷとＡｌを含
むｎ電極１２を形成してＬＥＤ素子とした。
【００５９】このＬＥＤ素子は順方向電流２０ｍＡにお
いて、５２０ｎｍの純緑色発光を示し、Ｖｆは３．５Ｖ
で、従来の多重量子井戸構造のＬＥＤ素子に比較して、
Ｖｆで１．０Ｖ近く低下し、出力は２．０倍以上に向上
した。そのため、１０ｍＡで従来のＬＥＤ素子とほぼ同
等の特性を有するＬＥＤが得られた。更に静電耐圧は従
来の１．３倍以上となり良好である。
いて、５２０ｎｍの純緑色発光を示し、Ｖｆは３．５Ｖ
で、従来の多重量子井戸構造のＬＥＤ素子に比較して、
Ｖｆで１．０Ｖ近く低下し、出力は２．０倍以上に向上
した。そのため、１０ｍＡで従来のＬＥＤ素子とほぼ同
等の特性を有するＬＥＤが得られた。更に静電耐圧は従
来の１．３倍以上となり良好である。
【００６０】なお、従来のＬＥＤ素子の構成は、ＧａＮ
よりなる第１のバッファ層の上に、アンドープＧａＮよ
りなる第２のバッファ層、ＳｉドープＧａＮよりなるｎ
側コンタクト層、実施例１と同一の多重量子井戸構造よ
りなる活性層、単一のＭｇドープＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層、
ＭｇドープＧａＮからなるｐ側コンタクト層を順に積層
したものである。
よりなる第１のバッファ層の上に、アンドープＧａＮよ
りなる第２のバッファ層、ＳｉドープＧａＮよりなるｎ
側コンタクト層、実施例１と同一の多重量子井戸構造よ
りなる活性層、単一のＭｇドープＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層、
ＭｇドープＧａＮからなるｐ側コンタクト層を順に積層
したものである。
【００６１】［実施例２］実施例１において、活性層７
を以下のように変える他は同様にしてＬＥＤ素子を作製
した。 （活性層７）次に、アンドープＧａＮよりなる障壁層を
２５０オングストロームの膜厚で成長させ、続いて温度
を８００℃にして、ＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニアを用い
アンドープＩｎ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなる井戸層を３０オン
グストロームの膜厚で成長させる。そして障壁＋井戸＋
障壁＋井戸・・・・＋障壁の順で障壁層を７層、井戸層
を６層、交互に積層して、総膜厚１９３０オングストロ
ームの多重量子井戸構造よりなる活性層７を成長させ
る。得られたＬＥＤ素子は、順方向電流２０ｍＡにおい
て、４７０ｎｍの純青色発光を示し、実施例１と同様に
良好な結果が得られる。
を以下のように変える他は同様にしてＬＥＤ素子を作製
した。 （活性層７）次に、アンドープＧａＮよりなる障壁層を
２５０オングストロームの膜厚で成長させ、続いて温度
を８００℃にして、ＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニアを用い
アンドープＩｎ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなる井戸層を３０オン
グストロームの膜厚で成長させる。そして障壁＋井戸＋
障壁＋井戸・・・・＋障壁の順で障壁層を７層、井戸層
を６層、交互に積層して、総膜厚１９３０オングストロ
ームの多重量子井戸構造よりなる活性層７を成長させ
る。得られたＬＥＤ素子は、順方向電流２０ｍＡにおい
て、４７０ｎｍの純青色発光を示し、実施例１と同様に
良好な結果が得られる。
【００６２】［実施例３］実施例１において、活性層７
を以下のように変える他は同様にしてＬＥＤ素子を作製
した。 （活性層７）次に、アンドープＧａＮよりなる障壁層を
２５０オングストロームの膜厚で成長させ、続いて温度
を８００℃にして、ＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニアを用い
アンドープＩｎ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなる井戸層を３０オン
グストロームの膜厚で成長させる。そして障壁＋井戸＋
障壁＋井戸・・・・＋障壁の順で障壁層を６層、井戸層
を５層、交互に積層して、総膜厚１６５０オングストロ
ームの多重量子井戸構造よりなる活性層７を成長させ
る。得られたＬＥＤ素子は、順方向電流２０ｍＡにおい
て、４７０ｎｍの純青色発光を示し、実施例１と同様に
良好な結果が得られる。
を以下のように変える他は同様にしてＬＥＤ素子を作製
した。 （活性層７）次に、アンドープＧａＮよりなる障壁層を
２５０オングストロームの膜厚で成長させ、続いて温度
を８００℃にして、ＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニアを用い
アンドープＩｎ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなる井戸層を３０オン
グストロームの膜厚で成長させる。そして障壁＋井戸＋
障壁＋井戸・・・・＋障壁の順で障壁層を６層、井戸層
を５層、交互に積層して、総膜厚１６５０オングストロ
ームの多重量子井戸構造よりなる活性層７を成長させ
る。得られたＬＥＤ素子は、順方向電流２０ｍＡにおい
て、４７０ｎｍの純青色発光を示し、実施例１と同様に
良好な結果が得られる。
【００６３】［実施例４］実施例１において、活性層７
を以下のように変える他は同様にしてＬＥＤ素子を作製
した。 （活性層７）次に、アンドープＧａＮよりなる障壁層を
２５０オングストロームの膜厚で成長させ、続いて温度
を８００℃にして、ＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニアを用い
アンドープＩｎ0.35Ｇａ0.65Ｎよりなる井戸層を３０オ
ングストロームの膜厚で成長させる。そして障壁＋井戸
＋障壁＋井戸・・・・＋障壁の順で障壁層を７層、井戸
層を６層、交互に積層して、総膜厚１９３０オングスト
ロームの多重量子井戸構造よりなる活性層７を成長させ
る。得られたＬＥＤ素子は、順方向電流２０ｍＡにおい
て、５００ｎｍの青緑色発光を示し、実施例１と同様に
良好な結果が得られる。
を以下のように変える他は同様にしてＬＥＤ素子を作製
した。 （活性層７）次に、アンドープＧａＮよりなる障壁層を
２５０オングストロームの膜厚で成長させ、続いて温度
を８００℃にして、ＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニアを用い
アンドープＩｎ0.35Ｇａ0.65Ｎよりなる井戸層を３０オ
ングストロームの膜厚で成長させる。そして障壁＋井戸
＋障壁＋井戸・・・・＋障壁の順で障壁層を７層、井戸
層を６層、交互に積層して、総膜厚１９３０オングスト
ロームの多重量子井戸構造よりなる活性層７を成長させ
る。得られたＬＥＤ素子は、順方向電流２０ｍＡにおい
て、５００ｎｍの青緑色発光を示し、実施例１と同様に
良好な結果が得られる。
【００６４】［実施例５］実施例１において、活性層７
を以下のように変える他は同様にしてＬＥＤ素子を作製
した。 （活性層７）次に、アンドープＧａＮよりなる障壁層を
２５０オングストロームの膜厚で成長させ、続いて温度
を８００℃にして、ＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニアを用い
アンドープＩｎ0.35Ｇａ0.65Ｎよりなる井戸層を３０オ
ングストロームの膜厚で成長させる。そして障壁＋井戸
＋障壁＋井戸・・・・＋障壁の順で障壁層を４層、井戸
層を３層、交互に積層して、総膜厚１０９０オングスト
ロームの多重量子井戸構造よりなる活性層７を成長させ
る。得られたＬＥＤ素子は、順方向電流２０ｍＡにおい
て、５００ｎｍの青緑色発光を示し、実施例１と同様に
良好な結果が得られる。
を以下のように変える他は同様にしてＬＥＤ素子を作製
した。 （活性層７）次に、アンドープＧａＮよりなる障壁層を
２５０オングストロームの膜厚で成長させ、続いて温度
を８００℃にして、ＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニアを用い
アンドープＩｎ0.35Ｇａ0.65Ｎよりなる井戸層を３０オ
ングストロームの膜厚で成長させる。そして障壁＋井戸
＋障壁＋井戸・・・・＋障壁の順で障壁層を４層、井戸
層を３層、交互に積層して、総膜厚１０９０オングスト
ロームの多重量子井戸構造よりなる活性層７を成長させ
る。得られたＬＥＤ素子は、順方向電流２０ｍＡにおい
て、５００ｎｍの青緑色発光を示し、実施例１と同様に
良好な結果が得られる。
【００６５】［実施例６］実施例１において、ｎ側第２
多層膜層６を成長させない他は同様にしてＬＥＤ素子を
作製した。得られたＬＥＤ素子は、実施例１に比べやや
素子特性及び発光出力が低いものの従来のＬＥＤ素子と
比較すると良好な発光出力を有している。
多層膜層６を成長させない他は同様にしてＬＥＤ素子を
作製した。得られたＬＥＤ素子は、実施例１に比べやや
素子特性及び発光出力が低いものの従来のＬＥＤ素子と
比較すると良好な発光出力を有している。
【００６６】［実施例７］実施例１において、ｐ側多層
膜クラッド層８を以下のように変える他は同様にしてＬ
ＥＤ素子を作製した。 （ｐ側単一膜クラッド層８）温度１０５０℃でＴＭＧ、
ＴＭＡ、アンモニア、Ｃｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエニ
ルマグネシウム）を用い、Ｍｇを１×１０20／cm3ドー
プしたｐ型Ａｌ0.16Ｇａ0.84Ｎよりなるｐ側単一膜クラ
ッド層８を３００オングストロームの膜厚で成長させ
る。得られたＬＥＤ素子は、クラッド層を超格子とせず
単一の層として成長させているが、その他の層構成との
組み合わせにより、実施例１よりやや性能が劣るものの
ほぼ同様に良好な結果が得られる。また、単一層とする
と、多層膜層にする場合に比べ製造工程が簡易化でき好
ましい。
膜クラッド層８を以下のように変える他は同様にしてＬ
ＥＤ素子を作製した。 （ｐ側単一膜クラッド層８）温度１０５０℃でＴＭＧ、
ＴＭＡ、アンモニア、Ｃｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエニ
ルマグネシウム）を用い、Ｍｇを１×１０20／cm3ドー
プしたｐ型Ａｌ0.16Ｇａ0.84Ｎよりなるｐ側単一膜クラ
ッド層８を３００オングストロームの膜厚で成長させ
る。得られたＬＥＤ素子は、クラッド層を超格子とせず
単一の層として成長させているが、その他の層構成との
組み合わせにより、実施例１よりやや性能が劣るものの
ほぼ同様に良好な結果が得られる。また、単一層とする
と、多層膜層にする場合に比べ製造工程が簡易化でき好
ましい。
【００６７】［実施例８］実施例１において、ｎ側第１
多層膜層５を以下のように変える他は同様にしてＬＥＤ
素子を作製した。 （ｎ側第１多層膜層５）アンドープＧａＮ層よりなるＡ
層を１００オングストロームの膜厚で成長させ、Ｓｉを
１×１０18／ｃｍ3ドープしたＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎよりな
るＢ層を２５オングストロームの膜厚で成長させてなる
Ａ層とＢ層の１ペアを２０層積層して２５００オングス
トローム厚としてｎ側第１多層膜層５を成長させる。得
られたＬＥＤ素子は、実施例１とほぼ同等の特性を有
し、良好な結果が得られる。
多層膜層５を以下のように変える他は同様にしてＬＥＤ
素子を作製した。 （ｎ側第１多層膜層５）アンドープＧａＮ層よりなるＡ
層を１００オングストロームの膜厚で成長させ、Ｓｉを
１×１０18／ｃｍ3ドープしたＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎよりな
るＢ層を２５オングストロームの膜厚で成長させてなる
Ａ層とＢ層の１ペアを２０層積層して２５００オングス
トローム厚としてｎ側第１多層膜層５を成長させる。得
られたＬＥＤ素子は、実施例１とほぼ同等の特性を有
し、良好な結果が得られる。
【００６８】［実施例９］実施例１において、ｎ側コン
タクト層４を以下のように変える他は同様にしてＬＥＤ
素子を作製した。 （ｎ側コンタクト層４）１０５０℃で、原料ガスにＴＭ
Ｇ、アンモニアガス、不純物ガスにシランガスを用い、
Ｓｉを４．５×１０18／cm3ドープしたＧａＮよりなる
ｎ側コンタクト層４を６μｍの膜厚で成長させる。得ら
れたＬＥＤ素子は、実施例１とほぼ同等の特性を有し、
良好な結果が得られる。
タクト層４を以下のように変える他は同様にしてＬＥＤ
素子を作製した。 （ｎ側コンタクト層４）１０５０℃で、原料ガスにＴＭ
Ｇ、アンモニアガス、不純物ガスにシランガスを用い、
Ｓｉを４．５×１０18／cm3ドープしたＧａＮよりなる
ｎ側コンタクト層４を６μｍの膜厚で成長させる。得ら
れたＬＥＤ素子は、実施例１とほぼ同等の特性を有し、
良好な結果が得られる。
【００６９】［実施例１０］実施例１において、ｎ側コ
ンタクト層４の膜厚を４．２５μｍ、５．２５μｍ、
７．２５μｍとする他は同様にして、３種のＬＥＤ素子
を作製しする。得られたＬＥＤ素子は、実施例１とほぼ
同等の特性を有し、良好な結果が得られ、また、膜厚が
４．２５μｍ及び５．２５μｍの場合は、静電耐圧等が
やや実施例１より良好となる。
ンタクト層４の膜厚を４．２５μｍ、５．２５μｍ、
７．２５μｍとする他は同様にして、３種のＬＥＤ素子
を作製しする。得られたＬＥＤ素子は、実施例１とほぼ
同等の特性を有し、良好な結果が得られ、また、膜厚が
４．２５μｍ及び５．２５μｍの場合は、静電耐圧等が
やや実施例１より良好となる。
【００７０】［実施例１１］実施例１において、ｎ側第
２多層膜層６をアンドープＧａＮよりなる第２の窒化物
半導体層と、Ｓｉを５×１０17／ｃｍ3ドープしたＩｎ
0.13Ｇａ0.87Ｎよりなる第１の窒化物半導体層とからな
る多層膜とする他は同様にしてＬＥＤ素子を作製する。
得られたＬＥＤ素子は、実施例１とほぼ同等の特性を示
す。
２多層膜層６をアンドープＧａＮよりなる第２の窒化物
半導体層と、Ｓｉを５×１０17／ｃｍ3ドープしたＩｎ
0.13Ｇａ0.87Ｎよりなる第１の窒化物半導体層とからな
る多層膜とする他は同様にしてＬＥＤ素子を作製する。
得られたＬＥＤ素子は、実施例１とほぼ同等の特性を示
す。
【００７１】［実施例１２］実施例１において、ｐ側多
層膜クラッド層８をＭｇを５×１０19／ｃｍ3ドープし
たＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる第３の窒化物半導体層と、
アンドープのＩｎ0. 03Ｇａ0.97Ｎよりなる第４の窒化物
半導体層とからなる多層膜とする他は同様にしてＬＥＤ
素子を作製する。得られたＬＥＤ素子は、実施例１とほ
ぼ同等の特性を示す。
層膜クラッド層８をＭｇを５×１０19／ｃｍ3ドープし
たＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる第３の窒化物半導体層と、
アンドープのＩｎ0. 03Ｇａ0.97Ｎよりなる第４の窒化物
半導体層とからなる多層膜とする他は同様にしてＬＥＤ
素子を作製する。得られたＬＥＤ素子は、実施例１とほ
ぼ同等の特性を示す。
【００７２】［実施例１３］実施例１において、ｐ側多
層膜クラッド層８をアンドープのＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎより
なる第３の窒化物半導体層と、Ｍｇを５×１０19／ｃｍ
3ドープしたＩｎ0.0 3Ｇａ0.97Ｎよりなる第４の窒化物
半導体層とからなる多層膜とする他は同様にしてＬＥＤ
素子を作製する。得られたＬＥＤ素子は、実施例１とほ
ぼ同等の特性を示す。
層膜クラッド層８をアンドープのＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎより
なる第３の窒化物半導体層と、Ｍｇを５×１０19／ｃｍ
3ドープしたＩｎ0.0 3Ｇａ0.97Ｎよりなる第４の窒化物
半導体層とからなる多層膜とする他は同様にしてＬＥＤ
素子を作製する。得られたＬＥＤ素子は、実施例１とほ
ぼ同等の特性を示す。
【００７３】
【発明の効果】本発明の窒化物半導体素子は、多重量子
井戸構造の活性層と、以上のような特定の層構成とを組
み合わせることにより、多重量子井戸構造の活性層の可
能性を良好に発揮させることができ、発光出力の向上及
び静電耐圧の向上を可能にすることができる。
井戸構造の活性層と、以上のような特定の層構成とを組
み合わせることにより、多重量子井戸構造の活性層の可
能性を良好に発揮させることができ、発光出力の向上及
び静電耐圧の向上を可能にすることができる。
【図１】図１は、本発明の一実施の形態であるＬＥＤ素
子の構造を示す模式断面図である。
子の構造を示す模式断面図である。
１・・・サファイア基板、 ２・・・バッファ層、 ３・・・アンドープＧａＮ層、 ４・・・ｎ側コンタクト層、 ５・・・ｎ側第１多層膜層、 ６・・・ｎ側第２多層膜層、 ７・・・活性層、 ８・・・ｐ側クラッド層、 ９・・・Ｍｇドープｐ側ＧａＮコンタクト層、 １０・・・ｐ電極、 １１・・・ｎ電極。
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上に、ｎ側窒化物半導体層、活性層
及びｐ側窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子にお
いて、 前記活性層が、ＩｎaＧａ1-aＮ（０≦ａ＜１）層を含む
多重量子井戸構造であり、 前記ｎ側窒化物半導体層が、ｎ型不純物が互いに異なる
濃度でドープされているバンドギャップエネルギーが異
なる又はｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされて
いる同一組成を有する少なくとも２種類の窒化物半導体
層が積層されてなるｎ側第１多層膜層と、 Ｉｎを含む第１の窒化物半導体層と、その第１の窒化物
半導体層と異なる組成を有する第２の窒化物半導体層と
が積層されてなり、前記ｎ側第１多層膜と前記活性層と
の間に位置するｎ側第２多層膜層とを含むことを特徴と
する窒化物半導体素子。 - 【請求項２】 前記ｐ側窒化物半導体層が、互いにバン
ドギャップエネルギーが異なりかつｐ型不純物濃度が異
なる又は同一の第３と第４の窒化物半導体層が積層され
てなるｐ側多層膜クラッド層を含むことを特徴とする請
求項１記載の窒化物半導体素子。 - 【請求項３】 前記ｐ側窒化物半導体層が、ｐ型不純物
を含みＡｌbＧａ1-bＮ（０≦ｂ≦１）よりなるｐ側単一
膜クラッド層を含むことを特徴とする請求項１記載の窒
化物半導体素子。 - 【請求項４】 前記ｎ側第１多層膜層と活性層との間
に、Ｉｎを含む第１の窒化物半導体層と、その第１の窒
化物半導体層と異なる組成を有する第２の窒化物半導体
層とが積層されたｎ側第２多層膜層を有する請求項１〜
３のうちのいずれか１項に記載の窒化半導体素子。 - 【請求項５】 前記ｎ側第１多層膜層と前記基板側との
間に、ｎ型不純物を含むｎ側コンタクト層を有する請求
項１〜４のうちのいずれか１項に記載の窒化物半導体素
子。 - 【請求項６】 前記ｎ側コンタクト層が、アンドープＧ
ａＮ層の上に形成されてなることを特徴とする請求項５
に記載の窒化物半導体素子。 - 【請求項７】 前記窒化物半導体素子において、前記ア
ンドープＧａＮ層が低温成長させたＧａdＡｌ1-dＮ（０
＜ｄ≦１）からなるバッファ層上に形成され、更に前記
ｐ側多層膜クラッド層又はｐ側単一膜クラッド層上にｐ
型不純物としてＭｇを含むｐ側ＧａＮコンタクト層を形
成してなる請求項６に記載の窒化物半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000015971A JP4629178B2 (ja) | 1998-10-06 | 2000-01-25 | 窒化物半導体素子 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28434598 | 1998-10-06 | ||
| JP36829498 | 1998-12-25 | ||
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