JP2000243969A

JP2000243969A - 薄膜トランジスタとその製造方法及びそれを用いた液晶表示装置とその製造方法

Info

Publication number: JP2000243969A
Application number: JP11046227A
Authority: JP
Inventors: Kazufumi Ogawa; 小川　　一文; Kazuyasu Adachi; 和泰足立
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1999-02-24
Filing date: 1999-02-24
Publication date: 2000-09-08

Abstract

(57)【要約】【課題】多結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタを
駆動回路部に使用する液晶表示装置において、大画面の
表示の際に表示均一性にに問題点が生じない高性能な薄
膜トランジスタ及びそれを用いた液晶表示装置を提供す
ることを主たる目的とする。【解決手段】透明な絶縁性基板１１上に形成された多
結晶シリコン薄膜を能動領域とする薄膜トランジスタに
おいて、多結晶シリコン薄膜の結晶粒が面内において特
定の方向に異方性成長させてシリコンの結晶粒を細長い
形状に成長させるとともに、薄膜トランジスタのゲート
長方向を前記結晶粒の長手方向とほぼ垂直になるように
作製し、ドライバー用ＴＦＴの特性ばらつきを少なくで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）及び液晶表示装置（ＬＣＤ）に関し、特に薄
膜トランジスタのソース領域やドレイン領域を構成する
能動層として多結晶シリコン薄膜を用いたものに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、より高速な表示が可能な液晶表示
装置が求められてきており、この要求を満たすための１
つの手段として、液晶層の光の透過を制御する表示のス
イッチ用の薄膜トランジスタのゲート領域、やソース領
域、ドレイン領域等の能動層を構成するシリコン薄膜を
非晶質シリコンではなく、多結晶シリコンとする方法が
提唱されている。これは、多結晶シリコン薄膜中のキャ
リアの移動度が非晶質シリコン薄膜中のキャリアの移動
度よりも原理的に高いことを利用しようとするものであ
る。

【０００３】一方で、従来のような非晶質シリコン薄膜
をトランジスタの能動層として用いる薄膜トランジスタ
を有する液晶表示装置の場合、液晶表示の際の信号処理
を行うドライバー回路は別途製造された単結晶シリコン
を能動層とする半導体チップを外付けすることにより構
成されていたが、上記のようなキャリア移動度の高い多
結晶シリコン薄膜の絶縁性基板（具体的にはガラス基
板）上への形成が可能になると、上記のドライバー回路
をも絶縁性基板上に形成された多結晶シリコン薄膜を能
動層とする薄膜トランジスタにより形成することも可能
となる。

【０００４】この場合、非晶質シリコン薄膜を能動層と
する薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置とは異な
り、半導体チップを外付けする工程がなくなるため、外
付けの接続工程そのものが不要となるとともに、接続不
良等の問題点の発生をも防止することができるため、安
価に液晶表示装置を製造することができる。

【０００５】そこで以下では、多結晶シリコン薄膜を能
動層として用いた液晶表示装置の製造方法について、図
面を参照しながら説明する。なお、ここでは、多結晶シ
リコン薄膜をガラス基板等の透明性絶縁基板上に形成し
た後、薄膜トランジスタを形成する工程についてのみ説
明することとする。

【０００６】図３は、多結晶シリコン薄膜を薄膜トラン
ジスタの能動層として用いた場合の従来の薄膜トランジ
スタの製造工程断面図を示したものであり、図３におい
て、３１はガラス等の透明性を有する絶縁基板、３２は
熱処理を行った際に絶縁基板３１中に含有されるアルカ
リ金属等のシリコン薄膜からなる能動層への悪影響を及
ぼす元素の拡散を防止する機能を果たすバッファ層、３
３は非晶質シリコン薄膜、３４は多結晶シリコン薄膜、
３５はたとえばＳｉＯ₂とＳｉ₃Ｎ₄の積層膜からなるゲ
ート絶縁膜、３６はゲート電極、３７はトランジスタの
能動領域の一部であるソース領域、３８は同じくトラン
ジスタの能動領域の一部であるドレイン領域、３９はコ
ンタクトホール、３１０はソース電極、３１１はドレイ
ン電極を示している。

【０００７】そして、多結晶シリコン薄膜を薄膜トラン
ジスタの能動層として用いた従来の薄膜トランジスタ
は、下記のようにして形成される。

【０００８】まず、図３（ａ）に示すように、絶縁基板
３１上にバッファ層３２を介して非晶質シリコン薄膜３
３を堆積形成する。

【０００９】次に、非晶質シリコン薄膜３３に対して熱
処理を行い、多結晶化処理を行う。具体的には、エキシ
マレーザーを非晶質シリコン薄膜３３に対して照射し、
瞬間的に溶融・冷却を行って多結晶シリコン薄膜３４を
得る。その後、多結晶シリコン薄膜３４の不要な部分を
除去し、その上にゲート絶縁膜３５及びゲート電極３６
を順次形成する。この状態で、薄膜トランジスタのソー
ス領域及びドレイン領域を形成すべく、少なくともゲー
ト電極３６をマスクとして多結晶シリコン薄膜３４の導
電型を決定する不純物を多結晶シリコン薄膜３４に導入
する（図３（ｂ））。

【００１０】その後、図３（ｃ）に示すように、再度エ
キシマレーザーを多結晶シリコン薄膜３４に照射して熱
処理による不純物の活性化処理を行うことにより、ソー
ス領域３７及びドレイン領域３８を形成する。最後に、
図３（ｄ）に示すように、コンタクトホール３９を形成
して金属を埋め込むことにより、ソース電極３１０及び
ドレイン電極３１１を形成する。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た図３に示すような工程を経て形成された従来の多結晶
シリコン薄膜を能動層とする薄膜トランジスタにおいて
も、大画面の液晶表示を行うに際しては、不十分な点が
存在する。

【００１２】そこで本発明は上記の問題点に鑑み、多結
晶シリコンを用いた薄膜トランジスタを用いた液晶表示
装置において、大画面表示ＬＣＤの表示均一性が向上し
た液晶表示装置およびその製造方法を提供することを主
たる目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、透明な絶縁性基板上に形成された多結晶
シリコン薄膜を能動領域とする薄膜トランジスタであっ
て、前記多結晶シリコン薄膜の結晶粒が面内においてア
レイ基板端と平行または垂直方向に異方性成長されてお
り、かつ、薄膜トランジスタのゲート長方向と前記結晶
粒の長手方向がほぼ垂直である薄膜トランジスタを提供
する。

【００１４】このとき、多結晶シリコン薄膜の結晶粒が
ゲート長１ミクロンあたり５〜２０個含まれているとＬ
ＣＤ用アレイ内の薄膜トランジスタ群の特性ばらつきを
少なくできて都合がよい。

【００１５】一方、上記目的を達成するために、本発明
は、透明な絶縁性基板上に非晶質シリコン薄膜を形成す
る工程と、前記非晶質シリコン薄膜を熱処理して結晶粒
が面内において特定の方向に異方性成長した多結晶シリ
コン薄膜を形成する工程と、前記多結晶シリコン薄膜に
対してゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程
とを有する薄膜トランジスタの製造方法であって、ゲー
ト長方向と前記結晶粒の長手方向がほぼ垂直になるよう
に前記ゲート電極を形成することを特徴とする薄膜トラ
ンジスタの製造方法を提供する。

【００１６】このとき、非晶質シリコン薄膜を熱処理し
て多結晶シリコン薄膜を形成する工程において、長手方
向に均一で短手方向に強度分布を有する帯状のレーザー
ビームを整形し、前記レーザービームの長手方向とほぼ
直交する方向に基板またはレーザービームを移動させて
前記レーザービームを照射する操作を繰り返すと、薄膜
トランジスタのゲート長方向と前記結晶粒の長手方向が
ほぼ垂直である薄膜トランジスタを製造できる。

【００１７】また、前記レーザービームの長手方向とほ
ぼ直交する方向で、かつ、レザービームの短手方向の強
度が強くなる方向に基板またはレーザービームを移動さ
せると、さらに電界効果移動度の特性が均一な薄膜トラ
ンジスタ群を提供できる。

【００１８】さらに、ゲート電極形成時に、同時にゲー
トバスラインを形成すると薄膜トランジスタアレイを製
造する上で都合がよい。

【００１９】また、上記目的を達成するために、本発明
は、結晶粒が面内において特定の方向に異方性成長され
た多結晶シリコン薄膜を能動層とする複数の薄膜トラン
ジスタが形成された第１の絶縁性基板と、前記第１の絶
縁性基板と対向して載置された第２の絶縁性基板と、前
記第１の絶縁性基板と前記第２の絶縁性基板間に挿入さ
れた液晶層とを有する液晶表示装置であって、前記薄膜
トランジスタのゲート長方向と前記結晶粒の長手方向が
ほぼ垂直である液晶表示装置を提供する。

【００２０】ここで、薄膜トランジスタにより液晶の表
示動作を行うドライバー回路を構成しておくとよりコン
パクトな液晶表示装置を提供できる。

【００２１】また、ドライバー回路をデータドライブ側
に用いると駆動特性および表示均一性に優れた高性能な
液晶表示装置を提供できる。

【００２２】さらに、ドライバー回路にシフトレジスタ
を含めておくとさらにコンパクトな液晶表示装置を提供
できる。

【００２３】さらにまた、薄膜トランジスタを画素部の
液晶スイッチとして用いると均一性に優れ且つコントラ
ストの良い液晶表示装置を提供できる。

【００２４】また、上記目的を達成するために、本発明
は、結晶粒が面内において特定の方向に異方性成長され
た多結晶シリコン薄膜を能動層とする薄膜トランジスタ
が形成された第１の絶縁性基板と、前記第１の絶縁性基
板と対向して載置された第２の絶縁性基板と、前記第１
の絶縁性基板と前記第２の絶縁性基板間に挿入された液
晶層とを有する液晶表示装置の製造方法であって、少な
くとも第１の絶縁性基板を、透明な絶縁性基板上に非晶
質シリコン薄膜を形成する工程と、前記非晶質シリコン
薄膜を熱処理して結晶粒が面内において特定の方向に異
方性成長した多結晶シリコン薄膜を形成する工程と、前
記多結晶シリコン薄膜にの結晶粒の長手方向に対してゲ
ート電極のゲート長手方向がほぼ垂直になるようにゲー
ト絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程とを含む薄
膜トランジスタアレイ作製工程とを用いて作成し、第２
の絶縁性基板としてカラーフィルターの形成されたガラ
ス基板、または透明ガラス基板よりなる絶縁基板を用
い、前記第１の絶縁性基板と第２の絶縁性基板とを組み
合わせてギャップを残して接着し、前記ギャップに液晶
を注入する工程を有する液晶表示装置の製造方法を提供
する。

【００２５】このとき、非晶質シリコン薄膜を熱処理し
て多結晶シリコン薄膜を形成する工程において、長手方
向に均一で短手方向に強度分布を有する帯状のレーザー
ビームを整形し、前記レーザービームの長手方向とほぼ
直交する方向に基板またはレーザービームを移動させて
前記レーザービームを照射する操作を繰り返すと表示均
一性に優れた高性能な液晶表示装置の製造方法を提供で
きる。

【００２６】また、前記レーザービームの長手方向とほ
ぼ直交する方向で、かつ、レザービームの短手方向の強
度が強くなる方向に基板またはレーザービームを移動さ
せるととともに、薄膜トランジスタのゲート長方向と前
記結晶粒の長手方向をほぼ垂直にしてＴＦＴを作製すれ
ば、特性ばらつきが少ないＴＦＴアレイを作製でき、し
たがって表示均一性に優れた液晶表示装置を製造でき
る。

【００２７】さらに、ゲート電極形成時に、同時にゲー
トバスラインを形成すると効率良く液晶表示装置を製造
できる。

【００２８】さらにまた、少なくとも、ＴＦＴアレイの
ソースドライバーを構成する薄膜トランジスタ群のゲー
ト長方向と前記結晶粒の長手方向がほぼ垂直になるよう
に形成するとより表示均一性に優れた液晶表示装置を製
造できる。

【００２９】また、ゲートドライバーを構成する薄膜ト
ランジスタのゲート長方向と結晶粒の長手方向がほぼ垂
直で、ソース・ライバーを構成する薄膜トランジスタの
ゲート長方向と結晶粒の長手方向がほぼ平行に設定する
と、ソースドライバー側は高速動作が可能で、ゲートド
ライバー側はばらつきが少ない液晶表示装置を提供でき
る。

【００３０】

【発明の実施の形態】本発明者は、多結晶シリコン薄膜
をトランジスタの能動層として用いた大画面の液晶表示
装置においても、十分な表示均一性を有する薄膜トラン
ジスタを得るためには、非晶質シリコン薄膜を加熱処理
して多結晶化する際のエキシマレーザーアニールの方法
とともに薄膜トランジスタを形成する方向を制御するこ
とが極めて有効であることを見出した。

【００３１】以下、本発明の実施の形態における薄膜ト
ランジスタ及び液晶表示装置について、図面を参照しな
がら説明する。なお、本発明の液晶表示装置は、薄膜ト
ランジスタの部分以外には、基本的には従来の液晶表示
装置（多結晶シリコン薄膜を能動層とする薄膜トランジ
スタアレイが形成された第１の絶縁性基板と、第１の絶
縁性基板と対向して形成された第２の絶縁性基板との間
に液晶層が挿入されている）と類似しているため、ここ
では薄膜トランジスタの部分を中心に説明することとす
る。

【００３２】（実施の形態１）まず、本発明の実施の形
態１における薄膜トランジスタ及び液晶表示装置につい
て図面を参照しながら説明する。

【００３３】図１に、本発明の液晶表示装置において画
素スイッチ用の薄膜トランジスタ及び液晶表示のドライ
バー回路用の薄膜トランジスタ群が形成されたアレイ側
の透明性を有する絶縁基板の平面図を示す。

【００３４】図１（ａ）に示すように、１１はガラス等
の透明性を有する絶縁基板であり、絶縁基板１１上の画
素部１２、ゲート駆動回路（ゲートドライバ）部１３、
ソース駆動回路（ソースドライバ）部１４には各々多結
晶シリコン薄膜をトランジスタの能動層として用いた薄
膜トランジスタ群が形成されている。

【００３５】ここで、画素部１２に形成されている薄膜
トランジスタアレイは画素スイッチ用のものであり、ゲ
ート駆動回路部１３及びソース駆動回路部１４に形成さ
れている薄膜トランジスタはドライバー回路用の薄膜ト
ランジスタである。本実施の形態では、ドライバー回路
はシフトレジスタを含んでいる。

【００３６】そして本実施の形態における液晶表示装置
においては、画素部１２、ゲート駆動回路部１３及びソ
ース駆動回路部１４の全ての領域において、下記に示す
ような方法で薄膜トランジスタを形成する。

【００３７】基本的な製造工程そのものは上記した図３
に示したものと同様であるが、本実施の形態では、予め
形成された非晶質シリコン薄膜を熱処理により多結晶化
する工程が上記した従来のものとは異なっている。

【００３８】本実施の形態では、エキシマレーザービー
ムの形状を帯状のものとしている。詳細には、エネルギ
ーが長手方向に均一で短手方向に強度分布を有する帯状
のレーザービームを整形し、このレーザービームを照射
しながらその長手方向とほぼ直交する方向に基板または
レーザービームを移動させて非晶質シリコン薄膜を加熱
し、多結晶化を行う。

【００３９】より具体的には、予めガラス基板表面にＳ
ｉＯ₂層を形成し、前記ＳｉＯ₂層を介してプラズマＣＶ
Ｄ法を用いてアモルファスシリコン層を膜厚およそ１０
０ｎｍで形成しる。次に、形成するＴＦＴ（薄膜トラン
ジスタ）のゲート長方向と基板の移動方向が略平行にな
るようにセットし、レーザービームの長手方向とほぼ直
交する方向で、かつ、レーザービームの短手方向の強度
が強くなる方向に基板またはレーザービームを移動させ
る。通常は、基板側をエキシマレーザーに対して移動さ
せる毎にエキシマレーザー光を照射する（ステップアン
ドリピート法）ことにより、非晶質シリコン薄膜を連続
的に結晶化する。

【００４０】具体的なエキシマレーザーの照射方法を図
１（ｂ）に示す。この図において、１５はエキシマレー
ザーのビーム形状を示しており、矢印１６は相対的なエ
キシマレーザーの走査方向を示している。

【００４１】このとき、短手方向に強度分布を有するエ
キシマレーザーを用いて上記のような加熱処理を行う
と、多結晶化されたシリコン薄膜の結晶粒（ドメインま
たはグレインという）は円形形状とはならず、走査方向
に細長い楕円形状となり、結晶粒は明らかに長手方向と
短手方向が存在するような形状となる。

【００４２】例えば、ＫｒＦ（ＸｅＣｌでもよい）エキ
シマーレーザを用い、プレカーサーである非晶質（アモ
ルファス）シリコン（ａ−Ｓｉ）の膜厚を１００ｎｍ、
基板温度を５００℃、レーザー照射エネルギーを３３０
ｍＪ／ｃｍ²設定し走査移動ピッチを１ミクロン／ショ
ットで行った後、光学顕微鏡で確認すると、走査方向に
長手方向を有し長手方向のグレインサイズが３〜５ミク
ロン、短手方向０．５〜２ミクロンのシリコン微結晶で
構成された薄膜が得られた。

【００４３】なお、このときの好適な条件は、膜厚は３
０ｎｍ〜２００ｎｍ、基板温度は高い程良いが、基板に
ガラスを用いる場合の好適範囲は３００℃〜６００℃、
レーザー照射エネルギーを２８０〜４２０ｍＪ／ｃｍ²
であった。

【００４４】また、上記した整形されたレーザービーム
の短手方向のレーザー照射パワー分布は、１０ミクロン
当たりおよそ３〜１０ｍＷ／ｃｍ²程度の傾きがあれば
よい。

【００４５】次に、上記のようにして形成された多結晶
シリコン薄膜を用い、上にゲート絶縁膜を介してそれぞ
れのＴＦＴのゲート電極を形成する。この工程も、図３
に示した工程と同様であるが、本実施の形態では、薄膜
トランジスタのゲート長方向と結晶粒の長手方向がほぼ
垂直となるように薄膜トランジスタを形成する。その
後、上記の図３に示した工程と同様の工程を経ることに
より、図２で示した多結晶シリコン薄膜トランジスタを
得た。

【００４６】ここで、Ｓはソース電極２１、Ｄはドレー
ン電極２２、Ｇはゲート電極２３を示し、結晶化された
ポリシリコン薄膜は２４で示す。なお、この図において
小さな楕円形状は、異方性成長されたシリコン結晶粒２
５を示す。

【００４７】以上のようにして形成された本実施の形態
の薄膜トランジスタによれば、薄膜トランジスタのゲー
ト長方向と細長く成長形成された多結晶シリコンの結晶
粒の長手方向が略垂直になっているため、薄膜トランジ
スタのチャネル領域に存在する結晶粒の粒界を最小限に
することができる。従って、薄膜トランジスタを動作さ
せた時のキャリアの移動の障壁が均一化され表示均一性
に優れたＬＣＤを提供できた。

【００４８】実施例２あらかじめ、図４に示すように、マトリックス状に載置
された第１の電極群４１とこの電極を駆動する実施例１
の方法で作成されたトランジスター群４２を有する第１
のアレイ基板４３上、および第１の電極群と対向するよ
うに載置したカラーフィルター群４４と第２の電極４５
を有する第２の基板４６表面にそれぞれ直接、または任
意の薄膜を形成した後その上に液晶に対して配向作用の
ある配向膜４７、４７’を形成した。次に、前記第１と
第２のカラーフィルタ基板４３、４６を電極が対向する
ように位置合わせしてスペーサー４８と接着剤４９を用
いておよそ５ミクロンのギャップで固定した。その後、
前記第１と第２の基板に前記ＴＮ液晶（ＺＬＩ４７９
２：メルク社製品）４１０を注入した後、偏光板４１
１、４１２を組み合わせて表示素子を完成した。

【００４９】この様なデバイスは、バックライト４１３
を全面に照射しながら、ビデオ信号を用いて各々のトラ
ンジスタを駆動することで矢印Ａの方向に映像を表示で
きた。

【００５０】また、液晶画面全体３．８型から１３型ま
で大きくしても、表示均一性を確保できた。

【００５１】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、非晶質シ
リコン薄膜をエキシマレーザーによりアニールして得ら
れる多結晶シリコン薄膜を構成する微結晶をの形状を細
長い形状とし、その長手方向と作製するＴＦＴのゲート
長の方向とを略並行に作製することにより、ドライバー
回路部の構成するＴＦＴの特性を均一化でき、結果とし
て表示均一性に優れた液晶表示装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態における液晶表示装置の駆
動用薄膜トランジスタ群が形成されるアレイ基板の平面
概念図

【図２】本発明の実施の形態における薄膜トランジスタ
のゲート長方向と結晶粒の関係を示すＴＦＴの平面概念
図

【図３】従来の多結晶シリコンをトランジスタの能動層
として用いた薄膜トランジスタの製造工程断面概念図

【図４】本発明のＬＣＤの断面構造概念図

【符号の説明】

１１絶縁基板１２画素部１３ゲート駆動回路部１４ソース駆動回路部１５エキシマレーザビーム２１ソース電極２２ドレーン電極２３ゲート電極２４ポリシリコン薄膜２５シリコン結晶粒（細長いポリシリコン微結晶）３１絶縁基板３２バッファ層３３非晶質シリコン薄膜３４多結晶シリコン薄膜３５ゲート絶縁膜３６ゲート電極３７ソース領域３８ドレイン領域３９コンタクトホール３１０ソース電極３１１ドレイン電極４１第１の透明電極群４２トランジスター群４３第１のアレイ基板４４カラーフィルター群４５第２の電極４６第２のカラーフィルタ基板４７，４７’ 配向膜４８スペーサー４９接着剤４１０液晶４１１，４１２偏光板４１３バックライト

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2H092 JA24 JA37 JA41 KA04 KA05 KB26 MA29 MA30 NA24 NA25 PA01 5F052 AA02 BA04 BB07 DA02 DB03 FA00 JA01 JA10 5F110 BB01 CC02 DD02 DD13 GG02 GG13 GG14 GG25 GG28 GG45 PP03 PP06 PP24 QQ09

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明な絶縁性基板上に形成された多結晶シ
リコン薄膜を能動領域とする薄膜トランジスタであっ
て、前記多結晶シリコン薄膜の結晶粒が面内において特
定の方向に異方性成長されており、かつ、薄膜トランジ
スタのゲート長方向と前記結晶粒の長手方向がほぼ垂直
であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】多結晶シリコン薄膜の結晶粒がゲート長１
ミクロンあたり５〜２０個含まれていることを特徴とす
る請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】透明な絶縁性基板上に非晶質シリコン薄膜
を形成する工程と、前記非晶質シリコン薄膜を熱処理し
て結晶粒が面内において特定の方向に異方性成長した多
結晶シリコン薄膜を形成する工程と、前記多結晶シリコ
ン薄膜に対してゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成
する工程とを有する薄膜トランジスタの製造方法であっ
て、ゲート長方向と前記結晶粒の長手方向がほぼ垂直に
なるように前記ゲート電極を形成することを特徴とする
薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】非晶質シリコン薄膜を熱処理して多結晶シ
リコン薄膜を形成する工程において、長手方向に均一で
短手方向に強度分布を有する帯状のレーザービームを整
形し、前記レーザービームの長手方向とほぼ直交する方
向に基板またはレーザービームを移動させて前記レーザ
ービームを照射する操作を繰り返すことを特徴とする請
求項３に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】前記レーザービームの長手方向とほぼ直交
する方向で、かつ、レザービームの短手方向の強度が強
くなる方向に基板またはレーザービームを移動させるこ
とを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタの製
造方法。
【請求項６】ゲート電極形成時に、同時にゲートバスラ
インを形成することを特徴とする請求項３〜５いずれか
に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】結晶粒が面内において特定の方向に異方性
成長された多結晶シリコン薄膜を能動層とする複数の薄
膜トランジスタが形成された第１の絶縁性基板と、前記
第１の絶縁性基板と対向して載置された第２の絶縁性基
板と、前記第１の絶縁性基板と前記第２の絶縁性基板間
に挿入された液晶層とを有する液晶表示装置であって、
前記薄膜トランジスタのゲート長方向と前記結晶粒の長
手方向がほぼ垂直であることを特徴とする液晶表示装
置。
【請求項８】薄膜トランジスタにより液晶の表示動作を
行うドライバー回路が構成されていることを特徴とする
請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】ドライバー回路がデータドライブ側に用い
られていることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示
装置。
【請求項１０】ドライバー回路がシフトレジスタを含む
ことを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】薄膜トランジスタが液晶スイッチとして
用いられることを特徴とする請求項７〜１０いずれかに
記載の液晶表示装置。
【請求項１２】結晶粒が面内において特定の方向に異方
性成長された多結晶シリコン薄膜を能動層とする薄膜ト
ランジスタが形成された第１の絶縁性基板と、前記第１
の絶縁性基板と対向して載置された第２の絶縁性基板
と、前記第１の絶縁性基板と前記第２の絶縁性基板間に
挿入された液晶層とを有する液晶表示装置の製造方法で
あって、少なくとも第１の絶縁性基板を、透明な絶縁性
基板上に非晶質シリコン薄膜を形成する工程と、前記非
晶質シリコン薄膜を熱処理して結晶粒が面内において特
定の方向に異方性成長した多結晶シリコン薄膜を形成す
る工程と、前記多結晶シリコン薄膜の結晶粒の長手方向
に対してゲート電極のゲート長方向がほぼ垂直になるよ
うにゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と
を含む薄膜トランジスタアレイ作製工程とを用いて作成
し、第２の絶縁性基板としてカラーフィルターの形成さ
れたガラス基板、または透明ガラス基板よりなる絶縁基
板を用い、前記第１の絶縁性基板と第２の絶縁性基板と
を組み合わせてギャップを残して接着し、前記ギャップ
に液晶を注入する工程を有することを特徴とする液晶表
示装置の製造方法。
【請求項１３】非晶質シリコン薄膜を熱処理して多結晶
シリコン薄膜を形成する工程において、長手方向に均一
で短手方向に強度分布を有する帯状のレーザービームを
整形し、前記レーザービームの長手方向とほぼ直交する
方向に基板またはレーザービームを移動させて前記レー
ザービームを照射する操作を繰り返すことを特徴とする
請求項１２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】前記レーザービームの長手方向とほぼ直
交する方向で、かつ、レザービームの短手方向の強度が
強くなる方向に基板またはレーザービームを移動させる
ことを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置の製
造方法。
【請求項１５】ゲート電極形成時に、同時にゲートバス
ラインを形成することを特徴とする請求項１４に記載の
液晶表示装置の製造方法。
【請求項１６】少なくとも、ソースドライバーを構成す
る薄膜トランジスタ群のゲート長方向と前記結晶粒の長
手方向がほぼ垂直であることを特徴とする請求項１２〜
１５のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１７】ゲートドライバーを構成する薄膜トラン
ジスタのゲート長方向と結晶粒の長手方向がほぼ垂直
で、ソース・ライバーを構成する薄膜トランジスタのゲ
ート長方向と結晶粒の長手方向がほぼ平行であることを
特徴とする請求項１３〜１６のいずれかに記載の液晶表
示装置の製造方法。