JP2000242981A - 相変化型光ディスクの初期化装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 相変化型光ディスクの記録トラックの幅方向
に見て記録層が均一に結晶化され、より均一な初期化を
行うことが可能な相変化型光ディスクの初期化装置を提
供すること。 【解決手段】 第１の光ビームａを対物レンズ１３に入
射させる光学系（第１の半導体レーザ２〜コリメートレ
ンズ３〜１／２波長板７〜ミラープリズム４，９〜第１
の偏光ビームスプリッタ１０〜ミラープリズム１１）に
より、長軸方向が記録トラックＴに対して略直交する方
向に延びる長円形の第１の光スポットａ１を形成する。
第２の光ビームｂを対物レンズ１３に入射させる光学系
（第２の半導体レーザ５〜コリメートレンズ６〜ミラー
プリズム８〜第１の偏光ビームスプリッタ１０〜ミラー
プリズム１１）により、相変化型光ディスクＤの回転方
向に見て第１の光スポットａ１の位置よりも前側に、長
軸方向が記録トラックＴに対して略直交する方向に延び
る長円形の第２の光スポットｂ１を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ビームの照射条
件に対応して光学的特性が可逆的に変化する相変化型光
ディスクにおいて、例えば非晶質状態の記録層に光ビー
ムを照射して結晶化させることにより記録層を初期化す
る相変化型光ディスクの初期化装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
特公平６−８５２３４号公報に記載されたものが知られ
ている。この公報に記載されたものは、記録トラック上
の記録層に対して複数の光ビームを照射しており、長軸
方向が記録トラックに対して直交するように配置した長
円形の第１の光ビームを照射し、次いで長軸方向が記録
トラックに同一方向に配置した長円形の第２の光ビーム
を照射することにより記録層を結晶化して初期化してい
る。このように、記録層に対して第１及び第２の光ビー
ムを照射することで、第１の光ビームにより記録トラッ
ク幅を確実に溶融し、第２の光ビームにより徐冷して結
晶化させて、照射された部分を均一な結晶相とし、初期
化不良を抑制している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したよ
うな相変化型光ディスクの初期化装置において、相変化
型光ディスクの記録トラックの幅方向に見て記録層がよ
り均一に結晶化され、より均一な初期化を行うことが可
能な相変化型光ディスクの初期化装置を提供することを
課題としている。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者らの調査研究の
結果、以下のような事実を新たに見出した。上述したよ
うな相変化型光ディスクの初期化装置において用いられ
る長円形の光ビームにより形成される光スポットの光強
度分布は、長円形の短軸方向と長軸方向とで異なる。図
５に示すように、短軸方向での光強度分布はほぼガウス
分布を示すのに対して、長軸方向での光強度分布は光強
度の大きさにバラツキがあり、ランダムな光強度分布を
示す。このため、上述した従来のものでは、第１の光ビ
ームにより第１の光スポットが形成されると、上述した
光強度のバラツキにより、記録トラックの幅方向に見
て、光スポット内で記録層温度の相対的に高い部分と相
対的に低い部分とが生じるようになる。この状態で第２
の光ビームが照射されることになるが、第２の光スポッ
トの光強度分布はほぼガウス分布となっているため、上
述した光強度のバラツキは吸収されることなく、記録層
温度の相対的に高い部分は温度が相対的に高い状態のま
まで結晶化が行われ、相対的に低い部分は相対的に温度
が低い状態のままで結晶化が行われるため、記録トラッ
クの幅方向に見て、結晶化の状態にバラツキが生じ、均
一な初期化が行えないことが判明した。

【０００５】このため、請求項１においては、光ビーム
を照射する光ビーム照射手段を備え、相変化型光ディス
クの記録トラック上の記録層に光ビームを照射させて初
期化を行う相変化型光ディスクの初期化装置であって、
光ビーム照射手段は、第１の光ビームを記録層に照射
し、長軸方向が記録トラックに対して略直交する方向に
延びる長円形の第１の光スポットを形成する第１の光ビ
ーム照射手段と、第２の光ビームを記録層に照射し、相
変化型光ディスクの回転方向でみて第１の光ビームの照
射位置より前側となる位置に、長軸方向が記録トラック
に対して略直交する方向に延びる長円形の第２の光スポ
ットを形成する第２の光ビーム照射手段とを有している
ことを特徴としている。

【０００６】請求項１に記載の相変化型光ディスクの初
期化装置によれば、第１の光ビーム照射手段により長軸
方向が記録トラックに対して略直交する方向に延びる長
円形の第１の光スポットを形成され、上述した光強度の
バラツキにより、記録トラックの幅方向に見て、光スポ
ット内で記録層温度の相対的に高い部分と相対的に低い
部分とが生じる。この状態で、第２の光ビーム照射手段
により第２の光ビームが記録層に照射されることになる
が、第２の光ビーム照射手段により形成される第２の光
スポットの光強度分布も、上述した光強度のバラツキを
有したランダムな分布を有していることから、光強度の
強い部分と弱い部分とが相殺されて、第２の光スポット
により上述した第１の光スポットの光強度のバラツキは
吸収されることになる。これにより、記録トラックの幅
方向に見て、記録層温度がほぼ均一の状態で結晶化が行
われ、結晶化の状態にバラツキを抑制し、均一な初期化
を行うことが可能となる。また、第１及び第２の光スポ
ットが、長軸方向が記録トラックに対して略直交する方
向に延びる長円形とされるので、初期化時間を短縮する
ことが可能となる。

【０００７】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明において、光ビーム照射手段は、第３の光ビーム
を記録層に照射し、相変化型光ディスクの回転方向でみ
て第１の光ビームの照射位置より後側となる位置に、長
軸方向が記録トラックに対して略直交する方向に延びる
長円形の第３の光スポットを形成する第３の光ビーム照
射手段を更に有していることを特徴としている。この場
合は、第３の光スポットにより上述した第１及び第２の
光スポットの光強度のバラツキがより吸収されることに
なる。これにより、記録トラックの幅方向に見て、記録
層温度がより均一化された状態で結晶化が行われ、結晶
化の状態にバラツキを抑制し、より均一な初期化を行う
ことが可能となる。

【０００８】請求項３に記載の発明は、請求項１に記載
の発明において、第２の光ビーム照射手段により照射さ
れた第２の光ビームが相変化型光ディスクで反射した反
射光を検出し、反射光に基づいて、第１の光ビーム及び
第２の光ビームの記録層上での合焦状態を調節する光ビ
ーム合焦状態調節手段を更に有していることを特徴とし
ている。この場合には、記録層を初期化するための光ビ
ーム（第２の光ビーム）の相変化型光ディスクでの反射
光に基づいて、第１の光ビーム及び第２の光ビームの記
録層上での合焦状態を調節しているので、フォーカスサ
ーボ制御のための参照用光ビームを別途照射するための
レーザ装置及び光学系は不要となり、装置全体での構造
の複雑化及び高コスト化を抑制した上で、記録層に対し
て複数の光ビームを照射して記録層を初期化する際のフ
ォーカスサーボ制御を行うことが可能となる。また、相
変化型光ディスクの回転方向でみて、第１の光ビームの
照射位置より前側となる位置に照射される第２の光ビー
ムの反射光に基づいて、各光ビームの記録層上での合焦
状態を調節しているので、フォーカスサーボ制御を安定
して行うことが可能となる。単一の光ビームにて記録層
を初期化しつつフォーカスサーボ制御を行う場合、記録
層の温度が急変して非晶質状態から結晶状態に急激に変
化するため、記録層の反射率も急激に変化し、フォーカ
スサーボ制御が不安定になる。第１の光ビームの反射光
に基づいてフォーカスサーボ制御を行った場合も、同様
に記録層が非晶質状態から結晶状態に急激に変化するお
それがあり、フォーカスサーボ制御が不安定になる可能
性が高い。しかしながら、第２の光ビームの反射光に基
づいてフォーカスサーボ制御を行った場合には、第２の
光ビームが照射されている段階では、第１の光ビームに
よって記録層の大部分は既に溶融しており、第２のビー
ムが照射される段階では記録層の反射率の変化は殆ど発
生しない。また、記録層の反射率そのものも非晶質状態
より上昇する。従って、相変化型光ディスクからの反射
光も安定的に増大し、フォーカスサーボ制御を安定して
行うことが可能となる。

【０００９】請求項４に記載の発明は、請求項３に記載
の発明において、第１の光ビーム照射手段は、第１の光
ビームを出射する第１の光ビーム出射手段を有し、第２
の光ビーム照射手段は、第２の光ビームを出射する第２
の光ビーム出射手段を有し、光ビーム合焦状態調節手段
は、その光軸が相変化型光ディスクに対して略直交する
ように設けられ、第１の光ビーム出射手段から出射され
る第１の光ビーム及び第２の光ビーム出射手段から出射
される第２の光ビームが入射される対物レンズと、対物
レンズをその光軸方向に移動させるフォーカスサーボ用
アクチュエータとを有し、第１の光ビーム出射手段から
出射される第１の光ビームは、第１の光ビームの照射位
置が相変化型光ディスクの回転方向に見て対物レンズの
光軸が交わる位置より後側となるように、対物レンズの
光軸に対して所定の入射角度を有して入射され、第２の
光ビーム出射手段から出射される第２の光ビームは、第
２の光ビームの照射位置が相変化型光ディスクの回転方
向に見て対物レンズの光軸が交わる位置より前側となる
ように、対物レンズの光軸に対して所定の入射角度を有
して入射されることを特徴としている。この場合には、
第１の光ビームの照射により加熱され、記録層（記録ト
ラック）の大部分を溶融し、次いで、第２の光ビームの
照射により、確実に溶融させ、この後第２の光ビームか
ら遠ざかるに連れて徐冷されることにより確実に初期化
を行うことができる光学系を、第１の光ビームと第２の
光ビームとを対物レンズの光軸に対して傾斜させるとい
う簡単な構成にて実現することが可能となる。

【００１０】請求項５に記載の発明は、請求項４に記載
の発明において、第１の光ビーム出射手段から出射され
る第１の光ビームの対物レンズへの入射角度を変更する
ことにより、第１の光スポットと第２の光スポットとの
記録トラック方向での間隔を変更する光スポット間隔変
更手段が更に設けられていることを特徴としている。こ
の場合には、第２の光ビームの反射光に基づいて行われ
るフォーカスサーボ制御に対して悪影響を及ぼすことな
く、第１の光スポットと第２の光スポットとの記録トラ
ック方向での間隔を変更することが可能となる。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。なお、図面の説明において同一の要素に
は同一の符号を付しており、重複する説明は省略する。

【００１２】（第１実施形態）図１は、本発明による相
変化型光ディスクの初期化装置の第１実施形態を示す、
光学系の概略構成図である。図１に示すように、初期化
装置１には、第１の光ビームａを出射する第１の半導体
レーザ２と、第１の半導体レーザ２から出射された第１
の光ビームａを平行光線に変換するコリメートレンズ３
と、平行光線に変換された第１の光ビームａの偏波面を
９０°回転させる１／２波長板７と、第１の光ビームａ
を反射させるミラープリズム４，９とが設けられてい
る。また、第２の光ビームｂを出射する第２の半導体レ
ーザ５と、第２の半導体レーザ５から出射された第２の
光ビームｂを平行光線に変換するコリメートレンズ６
と、第２の光ビームｂを反射させるミラープリズム８と
が設けられている。

【００１３】また、初期化装置１には、ミラープリズム
８にて反射された第２の光ビームｂを反射させ、ミラー
プリズム９にて反射された第１の光ビームａを透過させ
る第１の偏光ビームスプリッタ１０と、第１の偏光ビー
ムスプリッタ１０を通過した第１の光ビームａ及び第２
の光ビームｂを反射させるミラープリズム１１と、第１
の光ビームａ及び第２の光ビームｂの偏波面を、互いに
直交する直線偏光から偏波面の回転方向が互いに逆とな
る円偏光に変換させる１／４波長板１２と、第１の光ビ
ームａ及び第２の光ビームｂを初期化すべき相変化型光
ディスクＤの記録トラックＴ上の記録層に集光させる対
物レンズ１３とが設けられている。相変化型光ディスク
Ｄは、光ディスクＤを所定の回転速度で回転自在に固定
支持するディスク支持機構１４に固定支持される。

【００１４】対物レンズ１３は、その光軸１３ａが相変
化型光ディスクＤに対して略直交するように設けられて
いる。対物レンズ１３に対しては、第１の光ビームａ及
び第２の光ビームｂを記録層上で所定の大きさに焦合さ
せるために、対物レンズ１３をその光軸１３ａ方向に移
動させるフォーカスサーボ用アクチュエータ１５が設け
られている。

【００１５】第１の偏光ビームスプリッタ１０とミラー
プリズム１１との間の光路上には、非偏光ビームスプリ
ッタ１６が設けられている。非偏光ビームスプリッタ１
６は、第１の偏光ビームスプリッタ１０を通過した第１
の半導体レーザ２から出射された第１の光ビームａ及び
第２の半導体レーザ５から出射された第２の光ビームｂ
の大部分を透過させ、相変化型光ディスクＤにて反射し
た第１の光ビーム（反射光ビーム）ａの一部及び第２の
光ビーム（反射光ビーム）ｂの一部を反射させる。ま
た、非偏光ビームスプリッタ１６にて反射された第１の
光ビーム（反射光ビーム）ａを反射させ、第２の光ビー
ム（反射光ビーム）ｂを透過させる第２の偏光ビームス
プリッタ１７と、第２の偏光ビームスプリッタ１７を透
過した第２の光ビーム（反射光ビーム）ｂを集光させる
集光レンズ１８と、シリンドリカルレンズ１９と、シリ
ンドリカルレンズ１９を通過した第２の光ビーム（反射
光ビーム）ｂを受光する光検出器２０とが設けられてい
る。

【００１６】初期化装置１には、フォーカスサーボ用ア
クチュエータ１５を制御することにより、対物レンズ１
３のフォーカスサーボ制御を行うフォーカスサーボ回路
２１が設けられている。フォーカスサーボ回路２１に
は、光検出器２０からの出力信号が入力される。フォー
カスサーボ回路２１では、入力された光検出器２０から
の出力信号に基づきフォーカス誤差を算出し、このフォ
ーカス誤差が０に収斂するように、フォーカスサーボ用
アクチュエータ１５に対して出力信号を出力する。光検
出器２０は、「田」の字状に配列された４つの受光領域
を有しており、フォーカスサーボ回路２１によるフォー
カス誤差を算出は、これらの受光領域の対角同士の出力
の和が取られ、そらに得られた２つの出力の和について
の差が取られることによって、いわゆる非点収差検出方
式により行われる。更に、初期化装置１には、初期化さ
れる相変化型光ディスクＤの反射率を測定するための反
射率測定手段２３が設けられており、光検出器２０の各
受光領域からの出力信号を合計する合算回路２２からの
出力信号に基づいて、相変化型光ディスクＤの反射率を
測定する。

【００１７】本実施形態においては、第１の光ビームａ
を対物レンズ１３に入射させる光学系（第１の半導体レ
ーザ２〜コリメートレンズ３〜１／２波長板７〜ミラー
プリズム４，９〜第１の偏光ビームスプリッタ１０〜ミ
ラープリズム１１）は、第１の光ビームａにより形成さ
れる第１の光スポットａ１の形状が、長軸方向が記録ト
ラックＴに対して略直交する方向に延びる長円形とさ
れ、且つ、第１の光スポットａ１の位置が、相変化型光
ディスクＤの回転方向に見て、対物レンズ１３の光軸１
３ａが相変化型光ディスクＤと交わる位置１３ｂよりも
後側となるように、第１の光ビームａが対物レンズ１３
の光軸１３ａに対して所定の入射角度（α）を有して入
射するように構成されている。また、第２の光ビームｂ
を対物レンズ１３に入射させる光学系（第２の半導体レ
ーザ５〜コリメートレンズ６〜ミラープリズム８〜第１
の偏光ビームスプリッタ１０〜ミラープリズム１１）
は、第２の光ビームｂにより形成される第２の光スポッ
トｂ１の形状が、長軸方向が記録トラックＴに対して略
直交する方向に延びる長円形とされ、且つ、第２の光ス
ポットｂ１の位置が、相変化型光ディスクＤの回転方向
に見て、対物レンズ１３の光軸１３ａが相変化型光ディ
スクＤと交わる位置１３ｂよりも前側となるように、第
２の光ビームｂが対物レンズ１３の光軸１３ａに対して
所定の入射角度（β）を有して入射するように構成され
ている。第１の光ビームａが対物レンズ１３の光軸１３
ａに対する入射角度（α）は、０°＜α≦１°の範囲内
に設定される。第２の光ビームｂが対物レンズ１３の光
軸１３ａに対する入射角度も、同様に、０°＜α≦１°
の範囲内に設定される。第１の光ビームａ及び第２の光
ビームｂの長円形への整形方法としては、レンズの特性
や配置などで調整する等、公知の任意の方法を使用する
ことができる。なお、初期化装置１には、図示はしない
が、第１の光スポットａ１と第２の光スポットｂ１を相
変化型光ディスクＤの半径方向に移動させる機構が設け
られている。

【００１８】ミラープリズム４には、ミラープリズム４
の反射面の角度を変更させる反射角変更用アクチュエー
タ２４が設けられ、この反射角変更用アクチュエータ２
４に対して、第１の光スポットａ１と第２の光スポット
ｂ１との間隔を変更するためにミラープリズム４の反射
面の角度を制御する光スポット間隔変更回路２５が設け
られている。光スポット間隔変更回路２５は、初期化さ
れる相変化型光ディスクＤの記録層成分等に応じた初期
化条件（温度等）達成するための第１の光スポットａ１
と第２の光スポットｂ１との間隔が得られるように、第
２の光スポットｂ１に対する第１の光スポットａ１の相
対的な位置を変更するためのミラープリズム４の反射面
の角度を算出し、反射角変更用アクチュエータ２４に対
して駆動信号を出力する。第１の光スポットａ１と第２
の光スポットｂ１との間隔は、対物レンズ１３の焦点距
離にも影響されるため、対物レンズ１３の焦点距離も考
慮した上で、ミラープリズム４の反射面の角度が算出さ
れる。

【００１９】次に、初期化装置１の動作について説明す
る。

【００２０】第１の半導体レーザ２は、図示しないレー
ザドライブ回路の制御下で駆動され、光軸を含み図面に
垂直な偏波面を有する第１の光ビームａがコリメートレ
ンズ３に向けて出射される。第１の半導体レーザ２から
出射された第１の光ビームａは、コリメートレンズ３で
平行光線に変換され、１／２波長板７に入射される。こ
の１／２波長板７により、第１の光ビームａは、光軸を
含み図面に垂直な偏波面を有する光ビームから光軸を含
み図面に平行な偏波面を有する光ビームに変換される。
ミラープリズム４，９で反射されて、第１の偏光ビーム
スプリッタ１０に入射される。同じく、第２の半導体レ
ーザ５は、図示しないレーザドライブ回路の制御下で駆
動され、光軸を含み図面に垂直な偏波面を有する第２の
光ビームｂがコリメートレンズ６に向けて出射される。
第２の半導体レーザ５から出射された第２の光ビームｂ
は、コリメートレンズ６で平行光線に変換され、ミラー
プリズム８で反射されて、第１の偏光ビームスプリッタ
１０に入射される。

【００２１】第１の偏光ビームスプリッタ１０は、ｓ偏
光の光ビームを反射させると共に、ｐ偏光の光ビームを
透過させる性質を有している。従って、ｓ偏光の第２の
光ビームｂは、第１の偏光ビームスプリッタ１０により
反射されて、非偏光ビームスプリッタ１６に入射され
る。ｐ偏光の光ビームに変換された第１の光ビームａ
は、第１の偏光ビームスプリッタ１０を透過し、非偏光
ビームスプリッタ１６に入射される。非偏光ビームスプ
リッタ１６に入射された第１の光ビームａ及び第２の光
ビームｂは、非偏光ビームスプリッタ１６を通過し、ミ
ラープリズム１１で反射されて、１／４波長板１２に入
射される。この１／４波長板１２により、第１の光ビー
ムａ及び第２の光ビームｂは、互いに偏波面が直交する
直線偏光から、偏波面が互いに逆方向に回転する円偏光
に変換される。

【００２２】１／４波長板１２を通過した第１の光ビー
ムａ及び第２の光ビームｂは、対物レンズ１３に入射さ
れる。対物レンズ１３に入射した第１の光ビームａ及び
第２の光ビームｂは、相変化型光ディスクＤの記録トラ
ックＴの記録層上に集光され、図２に示されるように、
第１の光スポットａ１及び第２の光スポットｂ１が形成
され、記録層の初期化が行われる。ここで、上述した第
１の光ビームａを対物レンズ１３に入射させる光学系
は、第１の光スポットａ１の形状が、長軸方向が記録ト
ラックＴに対して略直交する方向に延びる長円形とさ
れ、且つ、第１の光スポットａ１の位置が、相変化型光
ディスクＤの回転方向に見て、対物レンズ１３の光軸１
３ａが相変化型光ディスクＤと交わる位置１３ｂよりも
後側となるように、第１の光ビームａが対物レンズ１３
の光軸１３ａに対して所定の入射角度（α）を有して入
射するように構成されており、上述した第２の光ビーム
ｂを対物レンズ１３に入射させる光学系は、第２の光ス
ポットｂ１の形状が、長軸方向が記録トラックＴに対し
て略直交する方向に延びる長円形とされ、且つ、第２の
光スポットｂ１の位置が、相変化型光ディスクＤの回転
方向に見て、対物レンズ１３の光軸１３ａが相変化型光
ディスクＤと交わる位置１３ｂよりも前側となるよう
に、第１の光ビームａが対物レンズ１３の光軸１３ａに
対して所定の入射角度（β）を有して入射するように構
成されているため、図２に示すように、長円形の第１の
光スポットａ１と同じく長円形の光スポットが記録トラ
ックＴの方向（相変化型光ディスクＤの回転方向）に所
定間隔を有して形成される。

【００２３】従って、記録層の初期化は、長軸方向が記
録トラックＴに対して直交するように配置した長円形の
第１の光ビームａが照射され、次いで長軸方向が記録ト
ラックＴに対して直交するように配置した長円形の第２
の光ビームｂが照射されることにより行われる。詳細に
は、記録層に対して第１及び第２の光ビームａ，ｂを順
次照射することで、記録トラックＴ（記録層）は第１の
光ビームの照射により加熱され、記録トラックＴ（記録
層）の大部分が溶融し、次いで、第２の光ビームの照射
により、記録トラックＴ（記録層）が確実に溶融され
る。この後、第２の光ビームから遠ざかるに連れて、記
録トラックＴ（記録層）が徐冷され、初期化されること
になる。

【００２４】相変化型光ディスクＤで反射した第１の光
ビーム（反射光ビーム）ａ及び第２の光ビーム（反射光
ビーム）ｂは、対物レンズ１３で平行光線に変換され、
１／４波長板１２に入射される。この１／４波長板１２
により、第１の光ビーム（反射光ビーム）ａ及び第２の
光ビーム（反射光ビーム）ｂは、偏波面が互いに逆方向
に回転する円偏光から、入射時と直交し且つ互いに直交
した偏波面を有する直線偏光に変換される。１／４波長
板１２を通過した第１の光ビーム（反射光ビーム）ａは
光軸を含み図面に垂直な偏波面を有する直線偏光に変換
され、第２の光ビーム（反射光ビーム）ｂは光軸を含み
図面に平行な偏波面を有する直線偏光に変換される。１
／４波長板１２を通過した第１の光ビーム（反射光ビー
ム）ａ及び第２の光ビーム（反射光ビーム）ｂは、ミラ
ープリズム１１で反射して、非偏光ビームスプリッタ１
６に入射される。非偏光ビームスプリッタ１６に入射さ
れた第１の光ビーム（反射光ビーム）ａ及び第２の光ビ
ーム（反射光ビーム）ｂは、非偏光ビームスプリッタ１
６で一部が反射されて、第２の偏光ビームスプリッタ１
７に入射される。

【００２５】第２の偏光ビームスプリッタ１７は、ｐ偏
光の光ビームを透過させると共に、ｓ偏光の光ビームを
反射させる性質を有している。従って、ｐ偏光の光ビー
ムに変換された第２の光ビーム（反射光ビーム）ｂは、
第２の偏光ビームスプリッタ１７を透過し、集光レンズ
１８に入射される。ｓ偏光の第１の光ビーム（反射光ビ
ーム）ａは、第２の偏光ビームスプリッタ１７により反
射され、集光レンズ１８に入射されることはない。集光
レンズ１８に入射された第２の光ビーム（反射光ビー
ム）ｂは、集光レンズ１８で集光されて、シリンドリカ
ルレンズ１９に入射される。シリンドリカルレンズ１９
を通過した第２の光ビーム（反射光ビーム）ｂは、光検
出器２０に入射される。光検出器２０は、「田」の字状
に配列された４つの受光領域にて受光した第２の光ビー
ム（反射光ビーム）ｂの光強度に関する信号をフォーカ
スサーボ回路２１に出力する。フォーカスサーボ回路２
１は、入力された第２の光ビーム（反射光ビーム）ｂの
光強度に関する信号に基づいて、上述した非点収差検出
方式によりフォーカス誤差を算出し、フォーカスサーボ
用アクチュエータ１５を制御するための制御信号をフォ
ーカスサーボ用アクチュエータ１５に出力する。光検出
器２０からの第２の光ビーム（反射光ビーム）ｂの光強
度に関する信号は、合算回路２２にも入力される。合算
回路２２では、「田」の字状に配列された４つの受光領
域にて受光した第２の光ビーム（反射光ビーム）ｂの光
強度に関する信号を合算し、合算結果を示す信号を反射
率測定手段２３に出力する。反射率測定手段２３では、
合算回路２２から入力された信号に基づいて、相変化型
光ディスクＤの反射率を測定する。

【００２６】また、上述したように光スポット間隔変更
回路２５は、初期化される相変化型光ディスクＤの記録
層成分等に応じた初期化条件（温度等）を達成するため
の第１の光スポットａ１と第２の光スポットｂ１との間
隔が得られるように、第１の光スポットａ１の位置を変
更するためのミラープリズム４の反射面の角度を算出
し、反射角変更用アクチュエータ２４に対して駆動信号
を出力する。反射角変更用アクチュエータ２４の作動に
より、ミラープリズム４の反射面の角度が変更され、対
物レンズ１３への第１の光ビームａの入射角度が変更さ
れることにより、第１の光スポットａ１の位置が移動す
ることになる。

【００２７】上述した本実施形態の初期化装置１による
と、第１の光ビームａを対物レンズ１３に入射させる光
学系（第１の半導体レーザ２〜コリメートレンズ３〜１
／２波長板７〜ミラープリズム４，９〜第１の偏光ビー
ムスプリッタ１０〜ミラープリズム１１）により、長軸
方向が記録トラックＴに対して略直交する方向に延びる
長円形の第１の光スポットａ１が形成され、第１の光ス
ポットａ１の長軸方向での光強度分布のバラツキによ
り、記録トラックＴの幅方向に見て、第１の光スポット
ａ１内で記録層温度の相対的に高い部分と相対的に低い
部分とが生じる。この状態で、第２の光ビームｂを対物
レンズ１３に入射させる光学系（第２の半導体レーザ５
〜コリメートレンズ６〜ミラープリズム８〜第１の偏光
ビームスプリッタ１０〜ミラープリズム１１）により、
第２の光ビームｂが記録層に照射され、長軸方向が記録
トラックＴに対して略直交する方向に延びる長円形の第
２の光スポットｂ１が形成されることになるが、第２の
光スポットｂ１の光強度分布も、長軸方向にバラツキを
有したランダムな特性を有していることから、第２の光
ビームｂ（第２の光スポットｂ１）が記録層に照射され
ることにより、光強度の強い部分と弱い部分とが相殺、
平均化されて、第２の光スポットｂ１により第１の光ス
ポットａ１の光強度のバラツキは吸収されることにな
る。これにより、記録トラックＴの幅方向に見て、記録
層温度がほぼ均一の状態で結晶化が行われ、結晶化の状
態にバラツキを抑制し、均一な初期化を行うことが可能
となる。

【００２８】また、第１及び第２の光スポットａ１，ｂ
１が、長軸方向が記録トラックＴに対して略直交する方
向に延びる長円形とされるので、初期化時間を短縮する
ことが可能となる。

【００２９】更に、記録トラックＴの記録層を初期化す
るための第２の光ビームｂの相変化型光ディスクＤでの
反射光に基づいて、第１の光ビームａ及び第２の光ビー
ムｂの記録層上での合焦状態を調節しているので、フォ
ーカスサーボ制御のための参照用光ビームを別途照射す
るためのレーザ装置及び光学系は不要となり、装置全体
での構造の複雑化及び高コスト化を抑制した上で、記録
層に対して複数の光ビームを照射して記録層を初期化す
る際のフォーカスサーボ制御を行うことが可能となる。
また、相変化型光ディスクＤの回転方向でみて、第１の
光ビームａ（第１の光スポットａ１）の照射位置より前
側となる位置に照射される第２の光ビームｂの反射光に
基づいて、第１の光ビームａ及び第２の光ビームｂの記
録層上での合焦状態を調節しているので、フォーカスサ
ーボ制御を安定して行うことが可能となる。単一の光ビ
ームにて記録層を初期化しつつフォーカスサーボ制御を
行う場合、記録層の温度が急変して非晶質状態から結晶
状態に急激に変化するため、記録層の反射率も急激に変
化し、フォーカスサーボ制御が不安定になる。第１の光
ビームａの反射光に基づいてフォーカスサーボ制御を行
った場合も、同様に記録層が非晶質状態から結晶状態に
急激に変化するおそれがあり、フォーカスサーボ制御が
不安定になる可能性が高い。しかしながら、第２の光ビ
ームｂの反射光に基づいてフォーカスサーボ制御を行っ
た場合には、第２の光ビームｂが照射されている段階で
は、第１の光ビームａによって記録トラックＴ（記録
層）の大部分は既に溶融しており、第２のビームｂが照
射される段階では記録トラックＴ（記録層）の反射率の
変化は殆ど発生しない。また、記録トラックＴ（記録
層）の反射率そのものも非晶質状態より上昇する。従っ
て、相変化型光ディスクＤからの反射光も安定的に増大
し、フォーカスサーボ制御を安定して行うことが可能と
なる。

【００３０】更に、上述したフォーカスサーボ制御の場
合と同様に、反射率測定を安定して行うことが可能とな
る。第２の光ビームｂの反射光に基づいて反射率測定を
行った場合には、第２の光ビームｂが照射されている段
階では、第１の光ビームａによって記録トラックＴ（記
録層）の大部分は既に溶融しており、第２のビームｂが
照射される段階では記録トラックＴ（記録層）の反射率
の変化は殆ど発生しない。また、記録トラックＴ（記録
層）の反射率そのものも非晶質状態より上昇する。従っ
て、単一の光ビームを照射してその反射光に基づいて、
あるいは、第１の光ビームａの反射光に基づいて反射率
測定を行うものに比して、相変化型光ディスクＤからの
反射光も安定的に増大するためである。

【００３１】更に、第１の光ビームａの照射により加熱
され、記録トラックＴ（記録層）の大部分を溶融し、次
いで、第２の光ビームｂの照射により、記録トラックＴ
（記録層）を確実に溶融させ、この後第２の光ビームか
ら遠ざかるに連れて徐冷されることにより確実に記録ト
ラックＴ（記録層）の初期化を行うことができる光学系
を、第１の光ビームａが対物レンズ１３の光軸１３ａに
対して所定の入射角度（α）を有して入射させると共に
第２の光ビームｂが対物レンズ１３の光軸１３ａに対し
て所定の入射角度（β）を有して入射させるという簡単
な構成にて実現することが可能となる。

【００３２】更に、第１の光スポットａ１と第２の光ス
ポットｂ１との間隔の調整は、反射角変更用アクチュエ
ータ２４及び光スポット間隔変更回路２５により、第１
の半導体レーザ２から出射された第１の光ビームａを反
射させるミラープリズム４の反射面の角度を変更するこ
とで行われるため、第２の光ビームｂの反射光の光強度
に基づいて対物レンズ１３のフォーカスサーボ用アクチ
ュエータ１５を制御するフォーカスサーボ制御に対して
悪影響を及ぼすことなく、第１の光スポットａ１と第２
の光スポットｂ１との記録トラックＴ方向での間隔を変
更することが可能となる。

【００３３】（第２実施形態）図３は、本発明による相
変化型光ディスクの初期化装置の第２実施形態を示す、
光学系の概略構成図である。第１実施形態における初期
化装置１と第２実施形態における初期化装置１０１と
は、第３の光スポットを形成する光学系に関して相違す
る。

【００３４】初期化装置１０１には、更に、第３の光ビ
ームｃを出射する第３の半導体レーザ３１と、第３の半
導体レーザ３１から出射された第３の光ビームｃを平行
光線に変換するコリメートレンズ３２と、平行光線に変
換された代３の光ビームｃの偏波面を９０°回転させる
１／２波長板３６と、第３の光ビームｃを反射させるミ
ラープリズム３３とが設けられている。第３の光ビーム
ｃを対物レンズ１３に入射させる光学系（第３の半導体
レーザ３１〜コリメートレンズ３２〜１／２波長板３６
〜ミラープリズム３３，９〜第１の偏光ビームスプリッ
タ１０〜ミラープリズム１１）は、第３の光ビームｃに
より形成される第３の光スポットｃ１の形状が、長軸方
向が記録トラックＴに対して略直交する方向に延びる長
円形とされ、且つ、第３の光スポットｃ１の位置が、相
変化型光ディスクＤの回転方向に見て、第１の光スポッ
トａ１の位置よりも前側となるように、第３の光ビーム
ｃが対物レンズ１３の光軸１３ａに対して所定の入射角
度（γ）を有して入射するように構成されている。第３
の光ビームｃが対物レンズ１３の光軸１３ａに対する入
射角度（γ）は、０°＜γ≦１°の範囲内で且つγ＞α
に設定される。第３の光ビームｃの長円形への整形方法
としては、第１の光ビームａ及び第２の光ビームｂと同
様に、レンズの特性や配置などで調整する等、公知の任
意の方法を使用することができる。

【００３５】また、ミラープリズム４，３３には、ミラ
ープリズム４，３３の反射面の角度を変更させる反射角
変更用アクチュエータ３４が設けられ、この反射角変更
用アクチュエータ３４に対して、第１の光スポットａ１
と第２の光スポットｂ１との間隔及び第２の光スポット
ｂ１（第１の光スポットａ１）と第３の光スポットｃ１
との間隔を変更するためにミラープリズム４，３３の反
射面の角度を制御する光スポット間隔変更回路３５が設
けられている。光スポット間隔変更回路３５は、初期化
される相変化型光ディスクＤの記録層成分等に応じた初
期化条件（温度等）を達成するための第１の光スポット
ａ１と第２の光スポットｂ１との間隔及び第２の光スポ
ットｂ１（第１の光スポットａ１）と第３の光スポット
ｃ１との間隔が得られるように、第１の光スポットａ１
の位置あるいは第３の光スポットｃ１の位置を変更する
ためのミラープリズム４，３３の反射面の角度を算出
し、反射角変更用アクチュエータ３４に対して駆動信号
を出力する。第１の光スポットａ１と第２の光スポット
ｂ１との間隔及び第２の光スポットｂ１（第１の光スポ
ットａ１）と第３の光スポットｃ１との間隔は、対物レ
ンズ１３の焦点距離にも影響されるため、対物レンズ１
３の焦点距離も考慮した上で、ミラープリズム４，３３
の反射面の角度が算出される。

【００３６】次に、初期化装置１０１の動作について説
明する。

【００３７】第１の光ビームａ及び第２の光ビームｂに
ついては、上述した第１実施形態と同様な光学系を有し
ており、図４に示すように、記録トラックＴの記録層上
に第１の光スポットａ１及び第２の光スポットｂ１を形
成する。

【００３８】第３の半導体レーザ３１は、図示しないレ
ーザドライブ回路の制御下で駆動され、光軸を含み図面
に垂直な偏波面を有する第３の光ビームｃがコリメート
レンズ３２に向けて出射される。第３の半導体レーザ３
１から出射された第３の光ビームｃは、コリメートレン
ズ３２で平行光線に変換され、１／２波長板３６に入射
される。この１／２波長板３６により、第３の光ビーム
ｃは光軸を含み図面に垂直な偏波面から光軸を含み図面
に平行な偏波面を有する光ビームに変換される。１／２
波長板３６を透過した第３の光ビームｃは、ミラープリ
ズム３３，９で反射されて、第１の偏光ビームスプリッ
タ１０に入射される。第１の偏光ビームスプリッタ１０
は、ｓ偏光の光ビームを反射させると共に、ｐ偏光の光
ビームを透過させる性質を有しているので、ｐ偏光の第
３の光ビームｃは、第１の偏光ビームスプリッタ１０を
透過し、非偏光ビームスプリッタ１６に入射される。非
偏光ビームスプリッタ１６に入射された第３の光ビーム
ｃの大部分は、非偏光ビームスプリッタ１６を通過し、
ミラープリズム１１で反射されて、１／４波長板１２に
入射される。この１／４波長板１２により、第３の光ビ
ームｃは、第１の光ビームａと同じ位相差を有する円偏
光に変換される。１／４波長板１２を通過した第３の光
ビームｃは、対物レンズ１３に入射される。対物レンズ
１３に入射した第３の光ビームｃは、相変化型光ディス
クＤの記録トラックＴの記録層上に集光され、図４に示
されるように、第３の光スポットｃ１が形成される。こ
こで、上述した第３の光ビームｃを対物レンズ１３に入
射させる光学系は、第３の光スポットｃ１の形状が、長
軸方向が記録トラックＴに対して略直交する方向に延び
る長円形とされ、且つ、第３の光スポットｃ１の位置
が、相変化型光ディスクＤの回転方向に見て、第１の光
スポットａ１の位置よりも前側となるように、第３の光
ビームｃが対物レンズ１３の光軸１３ａに対して所定の
入射角度（γ）を有して入射するように構成されてお
り、図４に示すように、第３の光スポットｃ１、第１の
光スポットａ１、第２の光スポットｂ１の順に、３つの
光スポットが互いに記録トラックＴの方向（相変化型光
ディスクＤの回転方向）に所定間隔を有した状態で、直
列に形成される。

【００３９】従って、記録層の初期化は、長軸方向が記
録トラックＴに対して直交するように配置した長円形の
第３の光ビームｃが照射され、次いで長軸方向が記録ト
ラックＴに対して直交するように配置した長円形の第１
の光ビームａが照射され、最後に長軸方向が記録トラッ
クＴに対して直交するように配置した長円形の第２の光
ビームｂが照射されることにより行われる。

【００４０】相変化型光ディスクＤで反射した第３の光
ビーム（反射光ビーム）ｃは、対物レンズ１３で平行光
線に変換され、１／４波長板１２に入射される。この１
／４波長板１２により、第３の光ビーム（反射光ビー
ム）ｃは円偏光から、入射時と直交し且つ光軸を含み図
面に垂直な偏波面を有する直線偏光に変換される。１／
４波長板１２を通過した第３の光ビーム（反射光ビー
ム）ｃは、ミラープリズム１１で反射して、非偏光ビー
ムスプリッタ１６に入射される。非偏光ビームスプリッ
タ１６に入射された第３の光ビーム（反射光ビーム）ｃ
は、非偏光ビームスプリッタ１６で一部が反射されて、
第２の偏光ビームスプリッタ１７に入射される。第２の
偏光ビームスプリッタ１７は、ｐ偏光の光ビームを透過
させると共に、ｓ偏光の光ビームを反射させる性質を有
しているので、ｓ偏光として入射する第３の光ビーム
（反射光ビーム）ｃは、第２の偏光ビームスプリッタ１
７により反射され、集光レンズ１８に入射されることは
ない。従って、フォーカスサーボ制御及び反射率測定
は、第１の実施形態と同様に、第２の光ビーム（反射光
ビーム）ｂに基づいて行われる。

【００４１】また、光スポット間隔変更回路３５は、初
期化される相変化型光ディスクＤの記録層成分等に応じ
た初期化条件（温度等）を達成するための第１の光スポ
ットａ１と第２の光スポットｂ１との間隔及び第２の光
スポットｂ１（第１の光スポットａ１）と第３の光スポ
ットｃ１との間隔が得られるように、第１の光スポット
ａ１の位置あるいは第３の光スポットｃ１の位置を変更
するためのミラープリズム４，３３の反射面の角度を算
出し、反射角変更用アクチュエータ３４に対して駆動信
号を出力する。反射角変更用アクチュエータ３４の作動
により、ミラープリズム４，３３の反射面の角度が変更
され、対物レンズ１３への第１の光ビームａあるいは第
３の光ビームｃの入射角度が変更されることにより、第
１の光スポットａ１あるいは第３の光スポットｃ１の位
置が移動することになる。

【００４２】上述した第２実施形態の初期化装置１０１
によれば、第１実施形態の初期化装置１と同じ作用効果
を奏することはもちろんのこと、第３の光ビームｃを対
物レンズ１３に入射させる光学系（第３の半導体レーザ
３１〜コリメートレンズ３２〜１／２波長板３６〜ミラ
ープリズム３３，９〜第１の偏光ビームスプリッタ１０
〜ミラープリズム１１）により、長軸方向が記録トラッ
クＴに対して略直交する方向に延びる長円形の第３の光
スポットｃ１が更に形成されるので、第１、第２及び第
３の光スポットａ１，ｂ１，ｃ１の長軸方向での光強度
分布のバラツキがより吸収されることになる。すなわ
ち、第１、第２及び第３の光スポットａ１，ｂ１，ｃ１
の３つの光スポット（光ビーム）により、光強度の強い
部分と弱い部分とがより相殺、平均化されて、記録トラ
ックの幅方向に見て、記録層温度がより均一化された状
態で結晶化が行われ、結晶化の状態にバラツキを抑制
し、より均一な初期化を行うことが可能となる。

【００４３】また、第３の光ビームｃが対物レンズ１３
の光軸１３ａに対する入射角度（γ）は、０°＜γ≦１
°の範囲内に設定されているので、第１の光ビームａ及
び第２の光ビームｂの場合と同様に、第３の光ビームｃ
記録トラックＴの記録層上に確実に照合させて、第３の
光スポットｃ１を形成させることができ、より確実な初
期化を行うことが可能となる。

【００４４】更に、第１の光ビームａを対物レンズ１３
に入射させる光学系（第１の半導体レーザ２〜コリメー
トレンズ３〜１／２波長板７〜ミラープリズム４，９〜
第１の偏光ビームスプリッタ１０〜ミラープリズム１
１）と、第２の光ビームｂを対物レンズ１３に入射させ
る光学系（第２の半導体レーザ５〜コリメートレンズ６
〜ミラープリズム８〜第１の偏光ビームスプリッタ１０
〜ミラープリズム１１）と、第３の光ビームｃを対物レ
ンズ１３に入射させる光学系（第３の半導体レーザ３１
〜コリメートレンズ３２〜１／２波長板３６〜ミラープ
リズム３３，９〜第１の偏光ビームスプリッタ１０〜ミ
ラープリズム１１）との３つの光学系を設けたにも拘わ
らず、第１の光ビームａ、第２の光ビームｂ及び第３の
光ビームｃの相変化型光ディスクＤの記録トラックＴの
記録層上での合焦状態の調整を、１つの対物レンズ１３
をフォーカスサーボ用アクチュエータ１５により移動さ
せることで行うため、相変化型光ディスクＤの初期化装
置全体での構造の複雑化及び高コスト化を更に抑制する
ことが可能となる。

【００４５】第１及び第２実施形態においては、１つの
対物レンズ１３に対して複数の半導体レーザ２，５，３
１からの光ビームが入射されるように構成されている
が、各半導体レーザ２，５，３１に対応して複数の対物
レンズを設ける等、各光ビームを相変化型光ディスクＤ
の記録トラックＴに照射する光学系を独立させて構成し
ても良い。また、４つ以上の半導体レーザを設けて、４
つ以上の光スポットを形成するように光学系を構成して
も良い。

【００４６】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、相変化型光ディスクの記録トラックの幅方向に
見て記録層が均一に結晶化され、より均一な初期化を行
うことが可能な相変化型光ディスクの初期化装置を提供
することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による相変化型光ディスクの初期化装置
の第１実施形態を示す、光学系の概略構成図である。

【図２】本発明による相変化型光ディスクの初期化装置
の第１実施形態における、光スポット形状と記録トラッ
クとの関係を示す図である。

【図３】本発明による相変化型光ディスクの初期化装置
の第２実施形態を示す、光学系の概略構成図である。

【図４】本発明による相変化型光ディスクの初期化装置
の第２実施形態における、光スポット形状と記録トラッ
クとの関係を示す図である。

【図５】長円形の光スポットにおける光強度分布を示す
特性図である。

【符号の説明】

１，１０１…初期化装置、２…第１の半導体レーザ、
３，６，３２…コリメートレンズ、４，８，９，１１，
３３…ミラープリズム、５…第２の半導体レーザ、７，
３６…１／２波長板、１０…第１の偏光ビームスプリッ
タ、１２…１／４波長板、１３…対物レンズ、１３ａ…
対物レンズの光軸、１４…ディスク支持機構、１５…フ
ォーカスサーボ用アクチュエータ、１６…非偏光ビーム
スプリッタ、１７…第２の偏光ビームスプリッタ、１８
…集光レンズ、１９…シリンドリカルレンズ、２０…光
検出器、２１…フォーカスサーボ回路、２２…合算回
路、２３…反射率測定手段、２４，３４…反射角変更用
アクチュエータ、２５、３５…光スポット間隔変更回
路、３１…第３の半導体レーザ、Ｄ…相変化型光ディス
ク、Ｔ…記録トラック、ａ…第１の光ビーム、ａ１…第
１の光スポット、ｂ…第２の光ビーム、ｂ１…第２の光
スポット、ｃ…第３の光ビーム、ｃ１…第３の光スポッ
ト。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光ビームを照射する光ビーム照射手段を
   備え、 相変化型光ディスクの記録トラック上の記録層に前記光
   ビームを照射させて初期化を行う相変化型光ディスクの
   初期化装置であって、 前記光ビーム照射手段は、 第１の光ビームを前記記録層に照射し、長軸方向が前記
   記録トラックに対して略直交する方向に延びる長円形の
   第１の光スポットを形成する第１の光ビーム照射手段
   と、 第２の光ビームを記録層に照射し、前記相変化型光ディ
   スクの回転方向でみて前記第１の光ビームの照射位置よ
   り前側となる位置に、長軸方向が前記記録トラックに対
   して略直交する方向に延びる長円形の第２の光スポット
   を形成する第２の光ビーム照射手段とを有していること
   を特徴とする相変化型光ディスクの初期化装置。
2. 【請求項２】 前記光ビーム照射手段は、 第３の光ビームを記録層に照射し、前記相変化型光ディ
   スクの回転方向でみて前記第１の光ビームの照射位置よ
   り後側となる位置に、長軸方向が前記記録トラックに対
   して略直交する方向に延びる長円形の第３の光スポット
   を形成する第３の光ビーム照射手段を更に有しているこ
   とを特徴とする請求項１に記載の相変化型光ディスクの
   初期化装置。
3. 【請求項３】 前記第２の光ビーム照射手段により照射
   された前記第２の光ビームが前記相変化型光ディスクで
   反射した反射光を検出し、前記反射光に基づいて、前記
   第１の光ビーム及び前記第２の光ビームの前記記録層上
   での合焦状態を調節する光ビーム合焦状態調節手段を更
   に有していることを特徴とする請求項１に記載の相変化
   型光ディスクの初期化装置。
4. 【請求項４】 前記第１の光ビーム照射手段は、前記第
   １の光ビームを出射する第１の光ビーム出射手段を有
   し、 前記第２の光ビーム照射手段は、前記第２の光ビームを
   出射する第２の光ビーム出射手段を有し、 前記光ビーム合焦状態調節手段は、 その光軸が前記相変化型光ディスクに対して略直交する
   ように設けられ、前記第１の光ビーム出射手段から出射
   された前記第１の光ビーム及び前記第２の光ビーム出射
   手段から出射された前記第２の光ビームが入射される対
   物レンズと、 前記対物レンズをその光軸方向に移動させるフォーカス
   サーボ用アクチュエータとを有し、 前記第１の光ビーム出射手段から出射された前記第１の
   光ビームは、前記第１の光ビームの照射位置が前記相変
   化型光ディスクの回転方向に見て前記対物レンズの光軸
   が交わる位置より後側となるように、前記対物レンズの
   光軸に対して所定の入射角度を有して入射され、 前記第２の光ビーム出射手段から出射された前記第２の
   光ビームは、前記第２の光ビームの照射位置が前記相変
   化型光ディスクの回転方向に見て前記対物レンズの光軸
   が交わる位置より前側となるように、前記対物レンズの
   光軸に対して所定の入射角度を有して入射されることを
   特徴とする請求項３に記載の相変化型光ディスクの初期
   化装置。
5. 【請求項５】 前記第１の光ビーム出射手段から出射さ
   れた前記第１の光ビームの前記対物レンズへの前記入射
   角度を変更することにより、前記第１の光スポットと前
   記第２の光スポットとの前記記録トラック方向での間隔
   を変更する光スポット間隔変更手段が更に設けられてい
   ることを特徴とする請求項４に相変化型光ディスクの初
   期化装置。