JP2000241979A - 化学増幅系レジスト - Google Patents
化学増幅系レジストInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＡｒＦエキシマレーザ用化学増幅系レジスト
において、溶解コントラストを大きくすることにより、
解像性を向上させ、ドライエッチング耐性を向上できる
化学増幅系レジストを提供する。 【解決手段】 少なくとも脂環式アクリル系樹脂からな
るベース樹脂と光酸発生剤を含んでなる化学増幅系レジ
ストにおいて、多価フェノール又はその誘導体が添加す
る。
において、溶解コントラストを大きくすることにより、
解像性を向上させ、ドライエッチング耐性を向上できる
化学増幅系レジストを提供する。 【解決手段】 少なくとも脂環式アクリル系樹脂からな
るベース樹脂と光酸発生剤を含んでなる化学増幅系レジ
ストにおいて、多価フェノール又はその誘導体が添加す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特にＡｒエキシマ
レーザ用に好適に使用できる脂環式アクリル系樹脂をベ
ース樹脂とする化学増幅系レジストに関する。
レーザ用に好適に使用できる脂環式アクリル系樹脂をベ
ース樹脂とする化学増幅系レジストに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路形成工程における従来の
光リソグラフィ技術においては、露光光にｇ線( ４３６
ｎｍ )やｉ線( ３６５ｎｍ )を、レジストのベース樹脂
にノボラック樹脂を、そして感光剤にナフトキノンジア
ジドを用いた溶解抑止型ポジ型レジストが主流であっ
た。しかしながら、近年、半導体素子の更なる高集積化
に伴い、配線パターンの最小線幅のデザインルールのサ
ブミクロン以下における微細化が急激に進行しつつあ
り、微細化に有利な、より波長の短い遠紫外線光である
エキシマレーザ光( ２４８ｎｍ、１９３ｎｍ等 )を用い
た光リソグラフィ技術の開発がますます必要となってき
た。
光リソグラフィ技術においては、露光光にｇ線( ４３６
ｎｍ )やｉ線( ３６５ｎｍ )を、レジストのベース樹脂
にノボラック樹脂を、そして感光剤にナフトキノンジア
ジドを用いた溶解抑止型ポジ型レジストが主流であっ
た。しかしながら、近年、半導体素子の更なる高集積化
に伴い、配線パターンの最小線幅のデザインルールのサ
ブミクロン以下における微細化が急激に進行しつつあ
り、微細化に有利な、より波長の短い遠紫外線光である
エキシマレーザ光( ２４８ｎｍ、１９３ｎｍ等 )を用い
た光リソグラフィ技術の開発がますます必要となってき
た。
【０００３】このエキシマレーザ光源の場合は、前記の
ｇ線、ｉ線用レジストでは芳香族環を含むため、光吸収
が大きすぎて良好なレジストパターンが得られず、また
感度も大幅に増大すると云う問題があった。そこで、光
酸発生剤から発生する酸触媒の増感反応を利用した化学
増幅系レジストが考案され、短波長リソグラフィ用レジ
ストや高感度が要求される電子線リソグラフィ用レジス
トとして主流になりつつある。
ｇ線、ｉ線用レジストでは芳香族環を含むため、光吸収
が大きすぎて良好なレジストパターンが得られず、また
感度も大幅に増大すると云う問題があった。そこで、光
酸発生剤から発生する酸触媒の増感反応を利用した化学
増幅系レジストが考案され、短波長リソグラフィ用レジ
ストや高感度が要求される電子線リソグラフィ用レジス
トとして主流になりつつある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】露光波長１９３ｎｍの
ＡｒＦエキシマレーザリソグラフィ用レジストは、特に
光吸収の問題が大きく、レジスト構成成分が限定され
る。そこで、ＡｒＦ用化学増幅系レジストとしては、光
吸収の問題が少ない脂環式アクリル系樹脂と光酸発生剤
から成る２成分系ポジ型レジストが提案されている( 例
えば、Proc.SPIE,vol.2438,p433,1995 )。
ＡｒＦエキシマレーザリソグラフィ用レジストは、特に
光吸収の問題が大きく、レジスト構成成分が限定され
る。そこで、ＡｒＦ用化学増幅系レジストとしては、光
吸収の問題が少ない脂環式アクリル系樹脂と光酸発生剤
から成る２成分系ポジ型レジストが提案されている( 例
えば、Proc.SPIE,vol.2438,p433,1995 )。
【０００５】しかしながら、脂環式アクリル系樹脂を用
いた前記レジストでは、主たる構成成分に芳香族成分が
含まれていないため、レジストパターン形成後、下地膜
にパターンを転写する際に用いられるドライエッチング
に対する耐性及び耐熱性が著しく低く、実用性に劣ると
云う問題がある。
いた前記レジストでは、主たる構成成分に芳香族成分が
含まれていないため、レジストパターン形成後、下地膜
にパターンを転写する際に用いられるドライエッチング
に対する耐性及び耐熱性が著しく低く、実用性に劣ると
云う問題がある。
【０００６】また、溶解コントラストが小さいため図２
に示すようにウエハー４０１上に得られる現像後のレジ
ストパターン４０２がテーパー形状になる。この様にレ
ジストパターンがテーパー形状になると、解像性、焦点
深度、寸法精度等が損なわれ、特に微細パターンの形成
においては致命的な問題となる。
に示すようにウエハー４０１上に得られる現像後のレジ
ストパターン４０２がテーパー形状になる。この様にレ
ジストパターンがテーパー形状になると、解像性、焦点
深度、寸法精度等が損なわれ、特に微細パターンの形成
においては致命的な問題となる。
【０００７】本発明は上記した課題を解決するためにな
されたものであり、溶解コントラスト及びドライエッチ
ング耐性を共に向上させ、矩形なフォトレジストパター
ンが再現性良く形成される化学増幅系レジストを提供す
ることを目的とする。
されたものであり、溶解コントラスト及びドライエッチ
ング耐性を共に向上させ、矩形なフォトレジストパター
ンが再現性良く形成される化学増幅系レジストを提供す
ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、少
なくとも脂環式アクリル系樹脂からなるベース樹脂と光
酸発生剤を含んでなる化学増幅系レジストにおいて、多
価フェノール又はその誘導体が添加されていることを特
徴とする化学増幅系レジストにより達成される。
なくとも脂環式アクリル系樹脂からなるベース樹脂と光
酸発生剤を含んでなる化学増幅系レジストにおいて、多
価フェノール又はその誘導体が添加されていることを特
徴とする化学増幅系レジストにより達成される。
【０００９】本発明のＡｒＦ用に特に適した化学増幅系
レジストは、溶解コントラストを向上させるため、及
び、ドライエッチング耐性を向上させるため、ピルガロ
ール等の多価フェノールを添加することにより、未露光
部の溶解速度を小さくし、レジスト膜の現像液に対する
溶解コントラストを増大させることができる。又、ピロ
ガロール等の芳香族環がドライエッチング時のレジスト
の膜減りを抑え、耐熱性を向上させることができる。
レジストは、溶解コントラストを向上させるため、及
び、ドライエッチング耐性を向上させるため、ピルガロ
ール等の多価フェノールを添加することにより、未露光
部の溶解速度を小さくし、レジスト膜の現像液に対する
溶解コントラストを増大させることができる。又、ピロ
ガロール等の芳香族環がドライエッチング時のレジスト
の膜減りを抑え、耐熱性を向上させることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について説明する。本発明の化学増幅系レジストにおい
ては、ベース樹脂として脂環式アクリル系樹脂を用い
る。この脂環式アクリル系樹脂としては、化学増幅系レ
ジストのベース樹脂として従来より知られている各種の
脂環式メタアクリル系樹脂又はアクリル系樹脂( 以下、
これらを単に脂環式（メタ）アクリル樹脂と表記す
る。）を使用することができる。これらは式 （１）
〔化１〕で表される繰り返し単位を有する（メタ）アク
リル樹脂である。
について説明する。本発明の化学増幅系レジストにおい
ては、ベース樹脂として脂環式アクリル系樹脂を用い
る。この脂環式アクリル系樹脂としては、化学増幅系レ
ジストのベース樹脂として従来より知られている各種の
脂環式メタアクリル系樹脂又はアクリル系樹脂( 以下、
これらを単に脂環式（メタ）アクリル樹脂と表記す
る。）を使用することができる。これらは式 （１）
〔化１〕で表される繰り返し単位を有する（メタ）アク
リル樹脂である。
【００１１】
【化１】
【００１２】( １ )式において、脂環式基Ｒ２として
は、単環性または多環性の脂環式基、例えばシクロプロ
ピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシ
ル、エチルシクロヘキシル、シクロヘキセニル、シクロ
ヘキサジエニル、メンタニル、カラニル、ノルカラニ
ル、ピナニル、ノルピナニル、ビシクロヘプチル( ノル
ボニル )、ビシクロブチル、ビシクロオクチル、ビシク
ロデカニル、トリシクロヘプチル、トリシクロデカニル
( アダマンチル )等が挙げられる。なお、環を構成する
炭素原子の一部が酸素原子等の異種原子で置換された複
素脂環式基、例えば、テトラハイドロフラニル、テトラ
ハイドロピラニル等や、環の水素がオキソ基(Ｏ＝ )や
水酸基で置換されたオキソシクロヘキシル、オキソメチ
ルシクロヘキシル、オキソジメチルペンチル、ヒドロキ
シシクロヘキシル等も本発明に云う脂環式基Ｒ２に含ま
れる。
は、単環性または多環性の脂環式基、例えばシクロプロ
ピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシ
ル、エチルシクロヘキシル、シクロヘキセニル、シクロ
ヘキサジエニル、メンタニル、カラニル、ノルカラニ
ル、ピナニル、ノルピナニル、ビシクロヘプチル( ノル
ボニル )、ビシクロブチル、ビシクロオクチル、ビシク
ロデカニル、トリシクロヘプチル、トリシクロデカニル
( アダマンチル )等が挙げられる。なお、環を構成する
炭素原子の一部が酸素原子等の異種原子で置換された複
素脂環式基、例えば、テトラハイドロフラニル、テトラ
ハイドロピラニル等や、環の水素がオキソ基(Ｏ＝ )や
水酸基で置換されたオキソシクロヘキシル、オキソメチ
ルシクロヘキシル、オキソジメチルペンチル、ヒドロキ
シシクロヘキシル等も本発明に云う脂環式基Ｒ２に含ま
れる。
【００１３】本発明において使用する（メタ）アクリル
樹脂としては、式 (１) で表される繰り返し単位を一種
類使用してもよいが、二種以上使用して共重合体として
もよい。共重合体とする場合はランダム共重合体として
もよいし、ブロック共重合体としてもよい。なお、共重
合体とする場合、本発明の効果を阻害しない範囲におい
てその一部に（メタ）アクリル酸重合体又は脂肪族（メ
タ）アクリル酸エステル重合体を導入してもよい。この
ようなエステルを形成する脂肪族基としては、メチル、
エチル、プロピル、ブチル等の低級脂肪族基が好まし
い。（メタ）アクリル酸重合体等の導入量は例えば全
（メタ）アクリル樹脂の３０モル％以下、好ましくは１
５％以下程度である。
樹脂としては、式 (１) で表される繰り返し単位を一種
類使用してもよいが、二種以上使用して共重合体として
もよい。共重合体とする場合はランダム共重合体として
もよいし、ブロック共重合体としてもよい。なお、共重
合体とする場合、本発明の効果を阻害しない範囲におい
てその一部に（メタ）アクリル酸重合体又は脂肪族（メ
タ）アクリル酸エステル重合体を導入してもよい。この
ようなエステルを形成する脂肪族基としては、メチル、
エチル、プロピル、ブチル等の低級脂肪族基が好まし
い。（メタ）アクリル酸重合体等の導入量は例えば全
（メタ）アクリル樹脂の３０モル％以下、好ましくは１
５％以下程度である。
【００１４】式 (２) 〔化２〕は、《ａ》Ｒ１として水
素、Ｒ２としてトリシクロ〔２,２,１,３２,３〕デカニ
ルを選択したトリシクロデカニルアクリレート( ＴＣＤ
Ａ )、《ｂ》Ｒ１としてメチル、Ｒ２としてテトラハイ
ドロピラニルを選択したテトラハイドロピラニルメタア
クリレート（ ＴＨＰＭＡ ）、及び、《ｃ》メタクリ
ル酸の三者を共重合させて得られる脂環式（メタ）アク
リル樹脂〔ＴＣＤＡ−ＴＨＰＭＡ−ＭＭＡ〕の一例を示
す。
素、Ｒ２としてトリシクロ〔２,２,１,３２,３〕デカニ
ルを選択したトリシクロデカニルアクリレート( ＴＣＤ
Ａ )、《ｂ》Ｒ１としてメチル、Ｒ２としてテトラハイ
ドロピラニルを選択したテトラハイドロピラニルメタア
クリレート（ ＴＨＰＭＡ ）、及び、《ｃ》メタクリ
ル酸の三者を共重合させて得られる脂環式（メタ）アク
リル樹脂〔ＴＣＤＡ−ＴＨＰＭＡ−ＭＭＡ〕の一例を示
す。
【００１５】
【化２】
【００１６】本発明の上記脂環式アクリル系樹脂からな
るベース樹脂を含む化学増幅系レジストにおいて、添加
する多価フェノールとしては、カテコール、レゾルシ
ン、ヒドロキノン等の二価フェノール、ピロガロール、
オキシヒドロキノン、フロログルシン等の三価フェノー
ルが好適に使用可能である。なお、これら多価フェノー
ルのフェノール基の水素の一部または全部が、脂肪族基
または脂環式基で置換されたフェノールエーテルのよう
な誘導体、又は、アシル基で置換されたフェノールエス
テルのような誘導体も、これらの置換基が酸により容易
に離脱するものであり、本発明で使用可能である。この
ような脂環式基としては上記した脂環式基、例えばトリ
シクロデカニル(ＴＣＤ )やテトラヒドロピラニル( Ｔ
ＨＰ )が、アシル基としてはイソプロポキシカルボニル
( ｉ−ＰＯＣ )やターシャリーブトキシカルボニル( ｔ
−ＢＯＣ )等が挙げられる。なお、脂肪族基や脂環式基
が、多価フェノールの芳香族環の水素を置換している誘
導体であってもよい。
るベース樹脂を含む化学増幅系レジストにおいて、添加
する多価フェノールとしては、カテコール、レゾルシ
ン、ヒドロキノン等の二価フェノール、ピロガロール、
オキシヒドロキノン、フロログルシン等の三価フェノー
ルが好適に使用可能である。なお、これら多価フェノー
ルのフェノール基の水素の一部または全部が、脂肪族基
または脂環式基で置換されたフェノールエーテルのよう
な誘導体、又は、アシル基で置換されたフェノールエス
テルのような誘導体も、これらの置換基が酸により容易
に離脱するものであり、本発明で使用可能である。この
ような脂環式基としては上記した脂環式基、例えばトリ
シクロデカニル(ＴＣＤ )やテトラヒドロピラニル( Ｔ
ＨＰ )が、アシル基としてはイソプロポキシカルボニル
( ｉ−ＰＯＣ )やターシャリーブトキシカルボニル( ｔ
−ＢＯＣ )等が挙げられる。なお、脂肪族基や脂環式基
が、多価フェノールの芳香族環の水素を置換している誘
導体であってもよい。
【００１７】多価フェノール又はその誘導体( 以下、単
に多価フェノール類と云う。 )の脂環式アクリル系樹脂
に対する添加量は、ベースとなるレジストの組成に合わ
せてその効果及び透明性を考慮して適当な量を選択する
必要があり、通常、樹脂１００重量部に対し０．１〜１
０重量部、好ましくは０．１〜５重量部である。添加量
があまり少ない場合は本発明の効果を奏することができ
ず、またあまり添加量が多い場合は、多価フェノール等
が芳香族環を有し、露光波長１９３ｎｍに大きな吸収が
あるので、レジスト膜の透明性が低下し、解像性を損な
う可能性がある。なお、多価フェノール等として入手の
し易さや効果の点から、最も好ましいものはピロガロー
ルまたはその誘導体である。
に多価フェノール類と云う。 )の脂環式アクリル系樹脂
に対する添加量は、ベースとなるレジストの組成に合わ
せてその効果及び透明性を考慮して適当な量を選択する
必要があり、通常、樹脂１００重量部に対し０．１〜１
０重量部、好ましくは０．１〜５重量部である。添加量
があまり少ない場合は本発明の効果を奏することができ
ず、またあまり添加量が多い場合は、多価フェノール等
が芳香族環を有し、露光波長１９３ｎｍに大きな吸収が
あるので、レジスト膜の透明性が低下し、解像性を損な
う可能性がある。なお、多価フェノール等として入手の
し易さや効果の点から、最も好ましいものはピロガロー
ルまたはその誘導体である。
【００１８】本発明のレジストにおいて光酸発生剤とし
ては、活性光線の照射によりブレンステッド酸やルイス
酸を形成する物質であれば特に制限はなく、従来公知の
もの、例えば、オニウム塩、ビススルフォニルジアゾメ
タン、ハロゲン化有機化合物、キノンジアジド化合物等
をその種類や添加量は所望に応じて適宜選択すればよ
い。一般的には、ベース樹脂１００重量部に対して光酸
発生剤は１〜１０重量部程度添加する。例えばオニウム
塩としては、好ましくは、未置換又は対称的若しくは非
対称的に置換された飽和または不飽和の脂肪族基や脂環
式基を配位子として有するスルホニウム塩、ホスホニウ
ム塩、ヨードニウム塩、アンモニウム塩などが挙げられ
る。これらの塩の対アニオンとしては、対イオンを形成
できるものであれば、ホウ素酸、砒素酸、スルホン酸、
カルボン酸等特に限定されない。例えば、具体的には、
中心元素として硫黄を、配位する置換基として、オキソ
シクロヘキシル、ビシクロヘプチル（ ノルボニル
）、メチル基をそれぞれ選択した、式 （３） 〔化
３〕に示すようなスルホニウム塩が挙げられる。
ては、活性光線の照射によりブレンステッド酸やルイス
酸を形成する物質であれば特に制限はなく、従来公知の
もの、例えば、オニウム塩、ビススルフォニルジアゾメ
タン、ハロゲン化有機化合物、キノンジアジド化合物等
をその種類や添加量は所望に応じて適宜選択すればよ
い。一般的には、ベース樹脂１００重量部に対して光酸
発生剤は１〜１０重量部程度添加する。例えばオニウム
塩としては、好ましくは、未置換又は対称的若しくは非
対称的に置換された飽和または不飽和の脂肪族基や脂環
式基を配位子として有するスルホニウム塩、ホスホニウ
ム塩、ヨードニウム塩、アンモニウム塩などが挙げられ
る。これらの塩の対アニオンとしては、対イオンを形成
できるものであれば、ホウ素酸、砒素酸、スルホン酸、
カルボン酸等特に限定されない。例えば、具体的には、
中心元素として硫黄を、配位する置換基として、オキソ
シクロヘキシル、ビシクロヘプチル（ ノルボニル
）、メチル基をそれぞれ選択した、式 （３） 〔化
３〕に示すようなスルホニウム塩が挙げられる。
【００１９】
【化３】
【００２０】本発明の脂環式( メタ )アクリレート樹
脂、光酸発生剤及び多価フェノールの３成分からなるレ
ジストには、さらに所望により、通常の化学増幅型レジ
ストにおいて慣用されている添加成分、例えば、ハレー
ション防止剤、酸化防止剤、熱安定化剤、界面活性剤、
密着性向上剤を本発明のレジストの特性が損なわれない
範囲の量で配合することができる。
脂、光酸発生剤及び多価フェノールの３成分からなるレ
ジストには、さらに所望により、通常の化学増幅型レジ
ストにおいて慣用されている添加成分、例えば、ハレー
ション防止剤、酸化防止剤、熱安定化剤、界面活性剤、
密着性向上剤を本発明のレジストの特性が損なわれない
範囲の量で配合することができる。
【００２１】本発明のレジストを用いてレジストパター
ンを形成するためには、基板上にこのレジストを塗布
し、これをベークしてレジスト膜を形成し、所望のパタ
ーンに従って、選択された範囲にＡｒＦレーザ等の露光
光を照射し、次いで再びベークしてからアルカリ性現像
液で現像することによりレジストパターンを形成するの
である。
ンを形成するためには、基板上にこのレジストを塗布
し、これをベークしてレジスト膜を形成し、所望のパタ
ーンに従って、選択された範囲にＡｒＦレーザ等の露光
光を照射し、次いで再びベークしてからアルカリ性現像
液で現像することによりレジストパターンを形成するの
である。
【００２２】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に説明する。 ( 実施例１ )ベース樹脂として、式 (２) の脂環式( メ
タ )アクリル系樹脂〔ＴＣＤＡ−ＴＨＰＭＡ−ＭＭＡ〕
( 重量平均分子量２０，０００ )を１００重量部、光酸
発生剤として式 (３) のスルホニウム塩を５重量部、及
びピロガロールを１重量部、溶剤としてＰＧＭＥＡを８
０重量部含むＡｒＦ用化学増幅系レジスト液を調製し
た。
タ )アクリル系樹脂〔ＴＣＤＡ−ＴＨＰＭＡ−ＭＭＡ〕
( 重量平均分子量２０，０００ )を１００重量部、光酸
発生剤として式 (３) のスルホニウム塩を５重量部、及
びピロガロールを１重量部、溶剤としてＰＧＭＥＡを８
０重量部含むＡｒＦ用化学増幅系レジスト液を調製し
た。
【００２３】この化学増幅系レジスト液をシリコンウェ
ハ上に厚み約０．５μｍに塗布し、マスクを通してＡｒ
Ｆエキシマレーザ光( １９３ｎｍ )により露光し、１０
０℃９０秒間のＰＥＢ処理を施し、アルカリ現像液を用
いて現像し、パターン幅０．１８μｍのポジ型レジスト
パターンを得た。
ハ上に厚み約０．５μｍに塗布し、マスクを通してＡｒ
Ｆエキシマレーザ光( １９３ｎｍ )により露光し、１０
０℃９０秒間のＰＥＢ処理を施し、アルカリ現像液を用
いて現像し、パターン幅０．１８μｍのポジ型レジスト
パターンを得た。
【００２４】図１は、本実施例で形成したポジ型レジス
トパターンの模式的断面図である。図に示すように、レ
ジスト膜の現像液に対する溶解コントラストは顕著に向
上し、現像後のウェハ３０１上のレジストパターン３０
２は矩形であり、解像性を１０％以上向上させることが
できることがわかった。
トパターンの模式的断面図である。図に示すように、レ
ジスト膜の現像液に対する溶解コントラストは顕著に向
上し、現像後のウェハ３０１上のレジストパターン３０
２は矩形であり、解像性を１０％以上向上させることが
できることがわかった。
【００２５】更にこのポジ型レジストパターンに対し
て、Ｃｌ２、ＨＢｒガスを用い、１００ｍｍＴｏｒｒに
おいて、１２０Ｗ、１２０秒間のドライエッチングを行
ったところ、レジストの膜減りやレジストパターンの変
形が無く、良好なエッチングが可能であった。具体的に
は、ピロガロール等の多価フェノールを添加しない従来
のレジストと比較してドライエッチング耐性、耐熱性が
約１０％向上した。
て、Ｃｌ２、ＨＢｒガスを用い、１００ｍｍＴｏｒｒに
おいて、１２０Ｗ、１２０秒間のドライエッチングを行
ったところ、レジストの膜減りやレジストパターンの変
形が無く、良好なエッチングが可能であった。具体的に
は、ピロガロール等の多価フェノールを添加しない従来
のレジストと比較してドライエッチング耐性、耐熱性が
約１０％向上した。
【００２６】( 比較例１ )ピロガロールを添加しないこ
とを除いては実施例１と同様にして化学増幅系レジスト
液を調製し、ポジ型レジストパターンを形成し、同様に
してドライエッチングを行った。図２に示すように、現
像後のウエハ４０１上のレジストパターン４０２はテー
パー形状であり、レジストの膜減りやレジストパターン
の変形が見られた。
とを除いては実施例１と同様にして化学増幅系レジスト
液を調製し、ポジ型レジストパターンを形成し、同様に
してドライエッチングを行った。図２に示すように、現
像後のウエハ４０１上のレジストパターン４０２はテー
パー形状であり、レジストの膜減りやレジストパターン
の変形が見られた。
【００２７】
【発明の効果】以上実施例に示したように、本発明のＡ
ｒＦエキシマレーザによるリソグフィに特に適した化学
増幅系レジストによれば、溶解コントラストを大きく
し、レジストの解像性を顕著に向上させることができ、
また、ドライエッチング時のレジストの膜減りを抑え、
耐熱性を顕著に向上させることができる。このため、微
細パターン形成においても、現像後の脱水ベーク時やド
ライエッチング時のレジストパターンの変形が抑えら
れ、矩形のレジストパターンが再現性よく得られるの
で、寸法精度が向上するとともに高解像性を確保するこ
とができる。
ｒＦエキシマレーザによるリソグフィに特に適した化学
増幅系レジストによれば、溶解コントラストを大きく
し、レジストの解像性を顕著に向上させることができ、
また、ドライエッチング時のレジストの膜減りを抑え、
耐熱性を顕著に向上させることができる。このため、微
細パターン形成においても、現像後の脱水ベーク時やド
ライエッチング時のレジストパターンの変形が抑えら
れ、矩形のレジストパターンが再現性よく得られるの
で、寸法精度が向上するとともに高解像性を確保するこ
とができる。
【図１】本発明により得られた矩形のレジストパターン
を示す模式的断面図。
を示す模式的断面図。
【図２】従来の技術により得られたテーパー状のレジス
トパターンを示す模式的断面図。
トパターンを示す模式的断面図。
３０１ ウェハー ３０２ レジストパターン ４０１ ウェハー ４０２ レジストパターン
Claims (4)
- 【請求項１】少なくとも脂環式アクリル系樹脂からなる
ベース樹脂と光酸発生剤を含んでなる化学増幅系レジス
トにおいて、多価フェノール又はその誘導体が添加され
ている、 ことを特徴とする化学増幅系レジスト。 - 【請求項２】多価フェノールがカテコール、レゾルシ
ン、ヒドロキノン、ピロガロール及びフロログルシンか
らなる群より選択される二価又は三価フェノールであ
る、 ことを特徴とする請求項１記載の化学増幅系レジスト。 - 【請求項３】多価フェノール又はその誘導体の添加量が
ベース樹脂１００重量部に対して０．１〜５重量部であ
る、 ことを特徴とする請求項１又は２記載の化学増幅系レジ
スト。 - 【請求項４】ＡｒＦエキシマレーザ用に好適に使用でき
る、 ことを特徴とする請求項１、２又は３に記載の化学増幅
系レジスト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4642199A JP2000241979A (ja) | 1999-02-24 | 1999-02-24 | 化学増幅系レジスト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4642199A JP2000241979A (ja) | 1999-02-24 | 1999-02-24 | 化学増幅系レジスト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000241979A true JP2000241979A (ja) | 2000-09-08 |
Family
ID=12746700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4642199A Pending JP2000241979A (ja) | 1999-02-24 | 1999-02-24 | 化学増幅系レジスト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000241979A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7749678B2 (en) | 2004-03-22 | 2010-07-06 | Fujifilm Corporation | Photosensitive composition and pattern forming method using the same |
| JP2011191448A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Tohoku Univ | レジスト用重合体組成物、レジスト組成物、およびパターンが形成された基板の製造方法 |
-
1999
- 1999-02-24 JP JP4642199A patent/JP2000241979A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7749678B2 (en) | 2004-03-22 | 2010-07-06 | Fujifilm Corporation | Photosensitive composition and pattern forming method using the same |
| JP2011191448A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Tohoku Univ | レジスト用重合体組成物、レジスト組成物、およびパターンが形成された基板の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20011016 |