JP2000236048A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】支持板の一部が放熱板として露出する半導体装
置における樹脂封止密着性の向上。 【解決手段】金属支持板に半導体素子を搭載し、半導体
素子を取り囲むごとく環状溝を設けると同時に、金属支
持板側面は上向き、下向きのモールドロックを作成する
ことで封止樹脂との密着性が向上し、耐湿性耐量、熱疲
労耐量が向上する。
置における樹脂封止密着性の向上。 【解決手段】金属支持板に半導体素子を搭載し、半導体
素子を取り囲むごとく環状溝を設けると同時に、金属支
持板側面は上向き、下向きのモールドロックを作成する
ことで封止樹脂との密着性が向上し、耐湿性耐量、熱疲
労耐量が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、金属支持板が放熱板と
して露出する半導体装置構造に関するものである。
して露出する半導体装置構造に関するものである。
【０００２】
【従来技術】金属支持板が、絶縁樹脂パッケージの一部
に放熱板として露出する半導体装置においては、金属板
と樹脂との界面は、金属と樹脂との熱膨張係数の違いよ
り、温度変化の激しい環境で使用し続けると、樹脂と金
属の間に隙間が発生し、金属と樹脂の密着性を充分確保
することが出来なくなっていた。それにより、その隙間
より水分が侵入し素子の特性劣化を来たしたり、密着性
が悪いことに起因して金属板と素子とを接合しているは
んだ部分が熱ストレスにより疲労する等の問題点があっ
た。特に、自動車部品のように厳しい環境で使用するも
のは不良になり易かった。
に放熱板として露出する半導体装置においては、金属板
と樹脂との界面は、金属と樹脂との熱膨張係数の違いよ
り、温度変化の激しい環境で使用し続けると、樹脂と金
属の間に隙間が発生し、金属と樹脂の密着性を充分確保
することが出来なくなっていた。それにより、その隙間
より水分が侵入し素子の特性劣化を来たしたり、密着性
が悪いことに起因して金属板と素子とを接合しているは
んだ部分が熱ストレスにより疲労する等の問題点があっ
た。特に、自動車部品のように厳しい環境で使用するも
のは不良になり易かった。
【０００３】この為、従来は金属板に図６のようなＶ字
溝を数本設け、更に金属板側面に図７の様なモールドロ
ックを部分的あるいは周辺に設ける等、パッケージ形態
に合せ、Ｖ字溝とモールドロックの種々の組合せにより
水分の侵入を防止する方法が取られているが、この方法
では界面の距離を長くすることは出来るものの、隙間そ
のものをなくすことは出来ない。
溝を数本設け、更に金属板側面に図７の様なモールドロ
ックを部分的あるいは周辺に設ける等、パッケージ形態
に合せ、Ｖ字溝とモールドロックの種々の組合せにより
水分の侵入を防止する方法が取られているが、この方法
では界面の距離を長くすることは出来るものの、隙間そ
のものをなくすことは出来ない。
【０００４】また、他の方法としてはジャンクションコ
ーティング剤の塗布により水分の侵入を防止すると共
に、密着性の向上を図っている。この方法の場合、工程
が煩雑になり加工費、材料費が増大するという欠点があ
る。
ーティング剤の塗布により水分の侵入を防止すると共
に、密着性の向上を図っている。この方法の場合、工程
が煩雑になり加工費、材料費が増大するという欠点があ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、工程を増や
すことなく、このような密着性不充分の為に発生する水
分の侵入を阻止し、はんだ疲労を防ぎ、金属板と絶縁樹
脂との密着性を良くすることにより、更に高品質の半導
体装置の提供を行うことを目的とする。
すことなく、このような密着性不充分の為に発生する水
分の侵入を阻止し、はんだ疲労を防ぎ、金属板と絶縁樹
脂との密着性を良くすることにより、更に高品質の半導
体装置の提供を行うことを目的とする。
【０００６】
【発明を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項１の発明は、金属支持板に半導体素子が接続さ
れ、且つ前記金属支持板裏面が露出する様にして樹脂封
止される樹脂封止型半導体装置において、前記金属支持
板に、前記半導体素子を囲む如く環状溝部が形成されし
たことを特徴とする。また、請求項2の発明は、金属支
持板に半導体素子が接続され、且つ前記金属支持板裏面
が露出する様にして樹脂封止される樹脂封止型半導体装
置において、前記金属支持板の側面両側に上向き下向き
の略鋭角のモールドロックを形成したことを特徴とす
る。請求項３の発明は両者を組み合わせたものである。
請求項１の発明は、金属支持板に半導体素子が接続さ
れ、且つ前記金属支持板裏面が露出する様にして樹脂封
止される樹脂封止型半導体装置において、前記金属支持
板に、前記半導体素子を囲む如く環状溝部が形成されし
たことを特徴とする。また、請求項2の発明は、金属支
持板に半導体素子が接続され、且つ前記金属支持板裏面
が露出する様にして樹脂封止される樹脂封止型半導体装
置において、前記金属支持板の側面両側に上向き下向き
の略鋭角のモールドロックを形成したことを特徴とす
る。請求項３の発明は両者を組み合わせたものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施例を示し、
図１は平面図、図２は同図１Ｂ−Ｂ’断面図、図３は同
図１Ｃ−Ｃ’断面図で、１は半導体素子、２は金属支持
板、３は金属板面に設けられた溝部、４は金属板と半導
体素子１とを接合するはんだ部、５は半導体素子１とイ
ンナーリードを結合するアルミワイヤー又は接続子、６
は絶縁樹脂、７はリード端子、８は金属板側面のモール
ドロックで構成されている。
図１は平面図、図２は同図１Ｂ−Ｂ’断面図、図３は同
図１Ｃ−Ｃ’断面図で、１は半導体素子、２は金属支持
板、３は金属板面に設けられた溝部、４は金属板と半導
体素子１とを接合するはんだ部、５は半導体素子１とイ
ンナーリードを結合するアルミワイヤー又は接続子、６
は絶縁樹脂、７はリード端子、８は金属板側面のモール
ドロックで構成されている。
【０００８】図４は図３環状溝部の詳細図である。この
形状は１次加工としてコの字の溝を形成し、２次加工と
して１次の溝よりも広いパンチで溝を形成することによ
り、１次の溝形状が底辺より、開口部の方が狭くなって
いるアンダーカット形状ａ（Ａ＞Ｂ）と、これを囲む鋭
角凹部ｂが形成されている。この形状であれば、絶縁樹
脂成形時、溝部に充填された樹脂は、くさび効果の働き
でリードフレームへの喰い付きを良くし、絶縁樹脂その
ものの密着性をカバーし、隙間が発生することを防止で
きる。
形状は１次加工としてコの字の溝を形成し、２次加工と
して１次の溝よりも広いパンチで溝を形成することによ
り、１次の溝形状が底辺より、開口部の方が狭くなって
いるアンダーカット形状ａ（Ａ＞Ｂ）と、これを囲む鋭
角凹部ｂが形成されている。この形状であれば、絶縁樹
脂成形時、溝部に充填された樹脂は、くさび効果の働き
でリードフレームへの喰い付きを良くし、絶縁樹脂その
ものの密着性をカバーし、隙間が発生することを防止で
きる。
【０００９】図５は本発明金属支持板の側面構造図であ
る。本発明ではモールドロック構造を金属板部側面の上
下に設けると共に、モールドロック部ｂの角度（Ａ）を
９０度未満にし、モールドロックを上下に設けた。これ
により絶縁樹脂成形後のパッケージでは、樹脂の金属指
示板部への喰い付きを良くし、隙間が発生することを防
止出来る。
る。本発明ではモールドロック構造を金属板部側面の上
下に設けると共に、モールドロック部ｂの角度（Ａ）を
９０度未満にし、モールドロックを上下に設けた。これ
により絶縁樹脂成形後のパッケージでは、樹脂の金属指
示板部への喰い付きを良くし、隙間が発生することを防
止出来る。
【００１０】これらの構造により密着性を向上させるこ
とで、金属板と絶縁樹脂界からの湿気の侵入を防止し、
耐湿性耐量を向上させることが出来る。また金属板と絶
縁樹脂の密着性が向上することは熱ストレスでの半導体
素子や接合材の伸縮を抑制することにより接合部の疲労
を防止し、熱疲労耐量を向上させることが出来る。勿
論、前者環状溝は複数本設けることにより、溝が１本の
場合と比べて、より確実に効果が得られるのは言うまで
もない。本発明は、半導体素子の周りに溝を設けること
と金属支持板の側面にモールドロックとを組み合わせる
ことにより、それぞれを単独で適用するよりも、より効
果的に、樹脂とリードフレーム金属板との隙間発生を防
止することが可能になった。
とで、金属板と絶縁樹脂界からの湿気の侵入を防止し、
耐湿性耐量を向上させることが出来る。また金属板と絶
縁樹脂の密着性が向上することは熱ストレスでの半導体
素子や接合材の伸縮を抑制することにより接合部の疲労
を防止し、熱疲労耐量を向上させることが出来る。勿
論、前者環状溝は複数本設けることにより、溝が１本の
場合と比べて、より確実に効果が得られるのは言うまで
もない。本発明は、半導体素子の周りに溝を設けること
と金属支持板の側面にモールドロックとを組み合わせる
ことにより、それぞれを単独で適用するよりも、より効
果的に、樹脂とリードフレーム金属板との隙間発生を防
止することが可能になった。
【００１１】
【効果の説明】本発明は、支持板と絶縁樹脂との密着性
を向上させたことにより、耐湿性耐量、熱疲労耐量が向
上し、高品質の半導体装置が提供出来るようになった。
を向上させたことにより、耐湿性耐量、熱疲労耐量が向
上し、高品質の半導体装置が提供出来るようになった。
【図１】本発明の一実施例正面図
【図２】図１Ｂ−Ｂ’断面図
【図３】図１Ｃ−Ｃ’断面図
【図４】本発明の環状溝
【図５】本発明のモールドロック
【図６】従来の溝
【図７】従来のモールドロック
１ 半導体素子 ２ 金属支持板 ３ 環状溝 ４ ハンダ ５ 接続子 ６ モールド樹脂 ７ リード端子 ８ モールドロック
Claims (3)
- 【請求項１】 金属支持板に半導体素子が接続され、且
つ前記金属支持板裏面が露出する様にして樹脂封止され
る樹脂封止型半導体装置において、前記金属支持板に、
前記半導体素子を囲む如く環状溝部が形成されかつ前記
環状溝部は入り口が底辺部より短い形状となっているこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 金属支持板に半導体素子が接続され、且
つ前記金属支持板裏面が露出する様にして樹脂封止され
る樹脂封止型半導体装置において、前記金属支持板の側
面両側に上向き下向きの略鋭角のモールドロックを形成
したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】金属支持板に半導体素子が接続され、且つ
前記金属支持板裏面が露出する様にして樹脂封止される
樹脂封止型半導体装置において、前記金属支持板に、前
記半導体素子を囲む如く環状溝部が形成されかつ前記環
状溝部は入り口が底辺部より短い形状となっていると同
時に前記金属支持板の側面両側に上向き下向きの略鋭角
のモールドロックを形成したことを特徴とする樹脂封止
型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3677099A JP2000236048A (ja) | 1999-02-16 | 1999-02-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3677099A JP2000236048A (ja) | 1999-02-16 | 1999-02-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000236048A true JP2000236048A (ja) | 2000-08-29 |
Family
ID=12479011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3677099A Pending JP2000236048A (ja) | 1999-02-16 | 1999-02-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000236048A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009218522A (ja) * | 2008-03-13 | 2009-09-24 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 樹脂封止半導体装置の製造方法および樹脂封止半導体装置 |
| JP2012190866A (ja) * | 2011-03-09 | 2012-10-04 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2012222111A (ja) * | 2011-04-07 | 2012-11-12 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電気部品モジュール |
| JP2014199960A (ja) * | 2005-03-11 | 2014-10-23 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | 複数の発光セルを有する発光素子 |
| US9064818B2 (en) | 2013-02-15 | 2015-06-23 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
-
1999
- 1999-02-16 JP JP3677099A patent/JP2000236048A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014199960A (ja) * | 2005-03-11 | 2014-10-23 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | 複数の発光セルを有する発光素子 |
| JP2009218522A (ja) * | 2008-03-13 | 2009-09-24 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 樹脂封止半導体装置の製造方法および樹脂封止半導体装置 |
| JP2012190866A (ja) * | 2011-03-09 | 2012-10-04 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2012222111A (ja) * | 2011-04-07 | 2012-11-12 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電気部品モジュール |
| US9064818B2 (en) | 2013-02-15 | 2015-06-23 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20050204 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20060815 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20060823 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20061213 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |