JP2000234964A - 歪検出装置 - Google Patents
歪検出装置Info
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- JP2000234964A JP2000234964A JP3668099A JP3668099A JP2000234964A JP 2000234964 A JP2000234964 A JP 2000234964A JP 3668099 A JP3668099 A JP 3668099A JP 3668099 A JP3668099 A JP 3668099A JP 2000234964 A JP2000234964 A JP 2000234964A
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- strain resistance
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 歪抵抗素子の中央部の膜厚が小さくなってし
まうということがなく、歪抵抗素子の抵抗値を安定化さ
せることができる歪検出装置を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 一対の電極１５を歪抵抗素子１４の両端
部の上面から絶縁基板１１の上面にわたって設けるとと
もに、電極１５の焼成温度を歪抵抗素子１４の焼成温度
よりも低く設定したものである。
まうということがなく、歪抵抗素子の抵抗値を安定化さ
せることができる歪検出装置を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 一対の電極１５を歪抵抗素子１４の両端
部の上面から絶縁基板１１の上面にわたって設けるとと
もに、電極１５の焼成温度を歪抵抗素子１４の焼成温度
よりも低く設定したものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、自動車や各種産業
機械に用いられる重量、力、加速度、微少変位を歪量に
変換して検出する歪検出装置に関するものである。
機械に用いられる重量、力、加速度、微少変位を歪量に
変換して検出する歪検出装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下、従来の歪検出装置について、図面
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
【０００３】図４は従来の歪検出装置の側断面図であ
る。
る。
【０００４】図４において、１は絶縁基板で、この絶縁
基板１は例えばステンレス等の金属ベース基材２の上面
に絶縁ガラス層３を設けることにより構成されている。
４は銀を含有する一対の電極で、この電極４は前記絶縁
基板１の上面に設けられている。５は歪抵抗素子で、こ
の歪抵抗素子５は前記絶縁基板１の上面および一対の電
極４の側面と上面の一部にわたって設けられており、か
つこの歪抵抗素子５の両端は前記一対の電極４と電気的
に接続されている。６はガラスからなる絶縁層で、この
絶縁層６は前記歪抵抗素子５の上面に設けている。
基板１は例えばステンレス等の金属ベース基材２の上面
に絶縁ガラス層３を設けることにより構成されている。
４は銀を含有する一対の電極で、この電極４は前記絶縁
基板１の上面に設けられている。５は歪抵抗素子で、こ
の歪抵抗素子５は前記絶縁基板１の上面および一対の電
極４の側面と上面の一部にわたって設けられており、か
つこの歪抵抗素子５の両端は前記一対の電極４と電気的
に接続されている。６はガラスからなる絶縁層で、この
絶縁層６は前記歪抵抗素子５の上面に設けている。
【０００５】以上のように構成された従来の歪検出装置
について、次にその製造方法を説明する。
について、次にその製造方法を説明する。
【０００６】まず、予め準備された金属ベース基材２に
ガラスを含有するペーストを印刷した後、約８５０℃で
約１０分間焼成することにより、前記金属ベース基材２
の上面に絶縁ガラス層３を設けた絶縁基板１を形成す
る。
ガラスを含有するペーストを印刷した後、約８５０℃で
約１０分間焼成することにより、前記金属ベース基材２
の上面に絶縁ガラス層３を設けた絶縁基板１を形成す
る。
【０００７】次に、前記絶縁基板１の上面に所定の間隔
をおいて銀を含有するペーストを印刷した後、約８５０
℃で約１０分間焼成することにより、銀を含有する一対
の電極４を前記絶縁基板１の上面に形成する。
をおいて銀を含有するペーストを印刷した後、約８５０
℃で約１０分間焼成することにより、銀を含有する一対
の電極４を前記絶縁基板１の上面に形成する。
【０００８】次に、前記絶縁基板１および一対の電極４
の側面から上面の一部にわたってメタルグレーズ系の抵
抗ペーストを印刷した後、約８５０℃で約１０分間焼成
することにより、歪抵抗素子５を形成する。
の側面から上面の一部にわたってメタルグレーズ系の抵
抗ペーストを印刷した後、約８５０℃で約１０分間焼成
することにより、歪抵抗素子５を形成する。
【０００９】最後に、前記歪抵抗素子５の上面にガラス
を含有するペーストを印刷した後、約６００℃で３０分
間焼成することにより、絶縁層６を歪抵抗素子５の上面
に形成する。
を含有するペーストを印刷した後、約６００℃で３０分
間焼成することにより、絶縁層６を歪抵抗素子５の上面
に形成する。
【００１０】以上のようにして製造された従来の歪検出
装置について、次にその動作を説明する。
装置について、次にその動作を説明する。
【００１１】絶縁基板１にせん断力が加わると絶縁基板
１に曲げモーメントが発生する。この曲げモーメントは
絶縁基板１の上面に設けられた歪抵抗素子５にも伝わ
り、この曲げモーメントにより歪抵抗素子５の抵抗値が
変化する。この歪抵抗素子５の抵抗値の変化を一対の電
極４を介して外部のコンピュータ（図示せず）等に出力
し、絶縁基板１に負荷された荷重を検出するものであ
る。
１に曲げモーメントが発生する。この曲げモーメントは
絶縁基板１の上面に設けられた歪抵抗素子５にも伝わ
り、この曲げモーメントにより歪抵抗素子５の抵抗値が
変化する。この歪抵抗素子５の抵抗値の変化を一対の電
極４を介して外部のコンピュータ（図示せず）等に出力
し、絶縁基板１に負荷された荷重を検出するものであ
る。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成においては、電極４の側面から上面の一部にわ
たって歪抵抗素子５を設けているため、歪抵抗素子５の
下端が接触する部分の高さが絶縁基板１の上面と電極４
の上面とでは異なることになり、これにより、歪抵抗素
子５の膜厚は中央部に行くに従い小さくなってしまうも
ので、この構成においては、歪抵抗素子５の膜厚を一定
に製造することが困難となり、これにより、歪抵抗素子
５の抵抗値が変動するという課題を有していた。
来の構成においては、電極４の側面から上面の一部にわ
たって歪抵抗素子５を設けているため、歪抵抗素子５の
下端が接触する部分の高さが絶縁基板１の上面と電極４
の上面とでは異なることになり、これにより、歪抵抗素
子５の膜厚は中央部に行くに従い小さくなってしまうも
ので、この構成においては、歪抵抗素子５の膜厚を一定
に製造することが困難となり、これにより、歪抵抗素子
５の抵抗値が変動するという課題を有していた。
【００１３】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、歪抵抗素子の中央部の膜厚が小さくなってしまうと
いうことがなく、歪抵抗素子の抵抗値を安定化させるこ
とができる歪検出装置を提供することを目的とするもの
である。
で、歪抵抗素子の中央部の膜厚が小さくなってしまうと
いうことがなく、歪抵抗素子の抵抗値を安定化させるこ
とができる歪検出装置を提供することを目的とするもの
である。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の歪検出装置は、絶縁基板と、この絶縁基板の
上面に設けられた歪抵抗素子と、この歪抵抗素子の両端
部の上面から前記絶縁基板の上面にわたって設けられ、
かつ焼成温度を前記歪抵抗素子の焼成温度よりも低く設
定した少なくとも銀を含む一対の電極と、前記歪抵抗素
子の上面に設けた絶縁層とを備えたもので、この構成に
よれば、歪抵抗素子の中央部の膜厚が小さくなってしま
うということがなく、歪抵抗素子の抵抗値を安定化させ
ることができるものである。
に本発明の歪検出装置は、絶縁基板と、この絶縁基板の
上面に設けられた歪抵抗素子と、この歪抵抗素子の両端
部の上面から前記絶縁基板の上面にわたって設けられ、
かつ焼成温度を前記歪抵抗素子の焼成温度よりも低く設
定した少なくとも銀を含む一対の電極と、前記歪抵抗素
子の上面に設けた絶縁層とを備えたもので、この構成に
よれば、歪抵抗素子の中央部の膜厚が小さくなってしま
うということがなく、歪抵抗素子の抵抗値を安定化させ
ることができるものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、絶縁基板と、この絶縁基板の上面に設けられた歪抵
抗素子と、この歪抵抗素子の両端部の上面から前記絶縁
基板の上面にわたって設けられ、かつ焼成温度を前記歪
抵抗素子の焼成温度よりも低く設定した少なくとも銀を
含む一対の電極と、前記歪抵抗素子の上面に設けた絶縁
層とを備えたもので、この構成によれば、焼成温度を前
記歪抵抗素子の焼成温度よりも低く設定した少なくとも
銀を含む一対の電極を歪抵抗素子の両端部の上面から絶
縁基板の上面にわたって設けているため、歪抵抗素子の
下面は絶縁基板の上面のみに当接することになり、その
結果、歪抵抗素子の膜厚は端部から中央部にわたって均
一となるため、歪抵抗素子の抵抗値を安定化させること
ができるという作用を有するものである。
は、絶縁基板と、この絶縁基板の上面に設けられた歪抵
抗素子と、この歪抵抗素子の両端部の上面から前記絶縁
基板の上面にわたって設けられ、かつ焼成温度を前記歪
抵抗素子の焼成温度よりも低く設定した少なくとも銀を
含む一対の電極と、前記歪抵抗素子の上面に設けた絶縁
層とを備えたもので、この構成によれば、焼成温度を前
記歪抵抗素子の焼成温度よりも低く設定した少なくとも
銀を含む一対の電極を歪抵抗素子の両端部の上面から絶
縁基板の上面にわたって設けているため、歪抵抗素子の
下面は絶縁基板の上面のみに当接することになり、その
結果、歪抵抗素子の膜厚は端部から中央部にわたって均
一となるため、歪抵抗素子の抵抗値を安定化させること
ができるという作用を有するものである。
【００１６】請求項２に記載の発明は、絶縁基板と、こ
の絶縁基板の上面に設けられた歪抵抗素子と、この歪抵
抗素子の両端部の上面から前記絶縁基板の上面にわたっ
て設けた一対の電極と、前記歪抵抗素子の上面に設けた
絶縁層とを備え、前記電極における歪抵抗素子の両側縁
との接続部分に切欠部を設けたもので、この構成によれ
ば、電極における歪抵抗素子の両側縁の接続部分に切欠
部を設けているため、電極を設ける際に、電極が歪抵抗
素子の両側縁と絶縁基板との境界部に沿って流れ出すと
いうことはなくなり、その結果、歪抵抗素子の抵抗体と
しての有効な長さを均一にできるため、歪検出装置にお
ける歪抵抗素子の抵抗値が安定するという作用を有する
ものである。
の絶縁基板の上面に設けられた歪抵抗素子と、この歪抵
抗素子の両端部の上面から前記絶縁基板の上面にわたっ
て設けた一対の電極と、前記歪抵抗素子の上面に設けた
絶縁層とを備え、前記電極における歪抵抗素子の両側縁
との接続部分に切欠部を設けたもので、この構成によれ
ば、電極における歪抵抗素子の両側縁の接続部分に切欠
部を設けているため、電極を設ける際に、電極が歪抵抗
素子の両側縁と絶縁基板との境界部に沿って流れ出すと
いうことはなくなり、その結果、歪抵抗素子の抵抗体と
しての有効な長さを均一にできるため、歪検出装置にお
ける歪抵抗素子の抵抗値が安定するという作用を有する
ものである。
【００１７】以下、本発明の一実施の形態における歪検
出装置について、図面を参照しながら説明する。
出装置について、図面を参照しながら説明する。
【００１８】図１は本発明の一実施の形態における歪検
出装置の側断面図、図２は同歪検出装置の絶縁層を除い
た状態を示す上面図である。
出装置の側断面図、図２は同歪検出装置の絶縁層を除い
た状態を示す上面図である。
【００１９】図１、図２において、１１は絶縁基板で、
この絶縁基板１１は例えばステンレス等の金属ベース基
材１２の上面に絶縁ガラス層１３を設けることにより構
成されている。１４は歪抵抗素子で、この歪抵抗素子１
４は前記絶縁基板１１の上面に設けている。１５は少な
くとも銀を含有する一対の電極で、この一対の電極１５
は前記歪抵抗素子１４の両端部の上面から絶縁基板１１
の上面にわたって設けており、かつこの一対の電極１５
は前記歪抵抗素子１４と電気的に接続され、さらにこの
一対の電極１５は焼成温度を前記歪抵抗素子１４の焼成
温度よりも低く設定して構成しているものである。
この絶縁基板１１は例えばステンレス等の金属ベース基
材１２の上面に絶縁ガラス層１３を設けることにより構
成されている。１４は歪抵抗素子で、この歪抵抗素子１
４は前記絶縁基板１１の上面に設けている。１５は少な
くとも銀を含有する一対の電極で、この一対の電極１５
は前記歪抵抗素子１４の両端部の上面から絶縁基板１１
の上面にわたって設けており、かつこの一対の電極１５
は前記歪抵抗素子１４と電気的に接続され、さらにこの
一対の電極１５は焼成温度を前記歪抵抗素子１４の焼成
温度よりも低く設定して構成しているものである。
【００２０】上記した本発明の一実施の形態において
は、焼成温度を前記歪抵抗素子１４の焼成温度よりも低
く設定した少なくとも銀を含む一対の電極１５を歪抵抗
素子１４の両端の上面から絶縁基板１１の上面にわたっ
て設けているため、歪抵抗素子１４の下面は絶縁基板１
１の上面のみに当接することになり、その結果、歪抵抗
素子１４の膜厚は端部から中央にわたって均一となるた
め、歪検出装置における歪抵抗素子１４の抵抗値を安定
化させることができるという作用効果を有するものであ
る。また前記一対の電極１５は図２に示すように、歪抵
抗素子１４の両側縁との接続部分に切欠部１６を設けて
いる。１７はガラスからなる絶縁層で、この絶縁層１７
は前記歪抵抗素子１４の上面に設けている。
は、焼成温度を前記歪抵抗素子１４の焼成温度よりも低
く設定した少なくとも銀を含む一対の電極１５を歪抵抗
素子１４の両端の上面から絶縁基板１１の上面にわたっ
て設けているため、歪抵抗素子１４の下面は絶縁基板１
１の上面のみに当接することになり、その結果、歪抵抗
素子１４の膜厚は端部から中央にわたって均一となるた
め、歪検出装置における歪抵抗素子１４の抵抗値を安定
化させることができるという作用効果を有するものであ
る。また前記一対の電極１５は図２に示すように、歪抵
抗素子１４の両側縁との接続部分に切欠部１６を設けて
いる。１７はガラスからなる絶縁層で、この絶縁層１７
は前記歪抵抗素子１４の上面に設けている。
【００２１】以上のように構成された本発明の一実施の
形態における歪検出装置について、次にその製造方法に
ついて説明する。
形態における歪検出装置について、次にその製造方法に
ついて説明する。
【００２２】まず、予め準備された金属ベース基材１２
にガラスを含有するペーストを印刷した後、約８５０℃
で約１０分間焼成することにより、前記金属ベース基材
１２の上面に絶縁ガラス層１３を設けた絶縁基板１１を
形成する。
にガラスを含有するペーストを印刷した後、約８５０℃
で約１０分間焼成することにより、前記金属ベース基材
１２の上面に絶縁ガラス層１３を設けた絶縁基板１１を
形成する。
【００２３】次に、前記絶縁基板１１の上面にメタルグ
レーズ系の抵抗ペースドを印刷した後、約８５０℃で約
１０分間焼成することにより、歪抵抗素子１４を絶縁基
板１１の上面に形成する。
レーズ系の抵抗ペースドを印刷した後、約８５０℃で約
１０分間焼成することにより、歪抵抗素子１４を絶縁基
板１１の上面に形成する。
【００２４】次に、絶縁基板１１の上面および歪抵抗素
子１４における両端部の側面から上面にわたって銀のペ
ーストを印刷した後、約６００℃で約１０分間焼成する
ことにより、銀を含有する一対の電極１５を歪抵抗素子
１４の両端部の上面から絶縁基板１１の上面にわたって
形成する。このとき、電極１５の焼成温度は歪抵抗素子
１４の焼成温度よりも低く設定しているため、電極１５
を焼成すると同時に歪抵抗素子１４が溶融するというこ
とはなくなり、その結果、電極１５を構成する銀が歪抵
抗素子１４の内部に拡散するということはないため、歪
抵抗素子１４の抵抗値は安定するという作用効果を有す
るものである。
子１４における両端部の側面から上面にわたって銀のペ
ーストを印刷した後、約６００℃で約１０分間焼成する
ことにより、銀を含有する一対の電極１５を歪抵抗素子
１４の両端部の上面から絶縁基板１１の上面にわたって
形成する。このとき、電極１５の焼成温度は歪抵抗素子
１４の焼成温度よりも低く設定しているため、電極１５
を焼成すると同時に歪抵抗素子１４が溶融するというこ
とはなくなり、その結果、電極１５を構成する銀が歪抵
抗素子１４の内部に拡散するということはないため、歪
抵抗素子１４の抵抗値は安定するという作用効果を有す
るものである。
【００２５】ここで、歪抵抗素子１４の両側縁に電極１
５が直接当接して接続される場合を考えて見ると、図３
に示すように、電極１５を設ける際に、溶融した銀を含
有するペーストが歪抵抗素子１４の両側縁と絶縁基板１
１との境界部に沿って流れ出してしまい、その結果、歪
抵抗素子１４の抵抗体としての有効な長さが変動するた
め、歪検出装置における歪抵抗素子の抵抗値が不安定に
なるものである。
５が直接当接して接続される場合を考えて見ると、図３
に示すように、電極１５を設ける際に、溶融した銀を含
有するペーストが歪抵抗素子１４の両側縁と絶縁基板１
１との境界部に沿って流れ出してしまい、その結果、歪
抵抗素子１４の抵抗体としての有効な長さが変動するた
め、歪検出装置における歪抵抗素子の抵抗値が不安定に
なるものである。
【００２６】しかるに、本発明の一実施の形態における
歪検出装置においては、前記電極１５における歪抵抗素
子１４の両側縁の接続部分に切欠部１６を設けているた
め、電極１５を設ける際に、電極１５が歪抵抗素子１４
の両側縁と絶縁基板１１との境界部に沿って流れ出すと
いうことはなくなり、その結果、歪抵抗素子１４の抵抗
体としての有効な長さを均一にできるため、歪検出装置
における歪抵抗素子１４の抵抗値が安定するという作用
効果を有するものである。
歪検出装置においては、前記電極１５における歪抵抗素
子１４の両側縁の接続部分に切欠部１６を設けているた
め、電極１５を設ける際に、電極１５が歪抵抗素子１４
の両側縁と絶縁基板１１との境界部に沿って流れ出すと
いうことはなくなり、その結果、歪抵抗素子１４の抵抗
体としての有効な長さを均一にできるため、歪検出装置
における歪抵抗素子１４の抵抗値が安定するという作用
効果を有するものである。
【００２７】最後に、前記歪抵抗素子１４の上面にガラ
スを含有するペーストを印刷した後、約６００℃で３０
分間焼成することにより、絶縁層１７を歪抵抗素子１４
の上面に形成する。
スを含有するペーストを印刷した後、約６００℃で３０
分間焼成することにより、絶縁層１７を歪抵抗素子１４
の上面に形成する。
【００２８】以上のようにして製造された本発明の一実
施の形態における歪検出装置について、次にその動作を
説明する。
施の形態における歪検出装置について、次にその動作を
説明する。
【００２９】絶縁基板１１にせん断力が加わると絶縁基
板１１に曲げモーメントが発生する。この曲げモーメン
トは絶縁基板１１の上面に設けられた歪抵抗素子１４に
も伝わり、この曲げモーメントにより歪抵抗素子１４の
抵抗値が変化する。そしてこの抵抗値の変化を一対の電
極１５を介して外部のコンピュータ（図示せず）等に出
力し、絶縁基板１１に負荷された荷重を検出するもので
ある。
板１１に曲げモーメントが発生する。この曲げモーメン
トは絶縁基板１１の上面に設けられた歪抵抗素子１４に
も伝わり、この曲げモーメントにより歪抵抗素子１４の
抵抗値が変化する。そしてこの抵抗値の変化を一対の電
極１５を介して外部のコンピュータ（図示せず）等に出
力し、絶縁基板１１に負荷された荷重を検出するもので
ある。
【００３０】
【発明の効果】以上のように本発明の歪検出装置は、絶
縁基板と、この絶縁基板の上面に設けられた歪抵抗素子
と、この歪抵抗素子の両端部の上面から前記絶縁基板の
上面にわたって設けられ、かつ焼成温度を前記歪抵抗素
子の焼成温度よりも低く設定した少なくとも銀を含む一
対の電極と、前記歪抵抗素子の上面に設けた絶縁層とを
備えたもので、この構成によれば、焼成温度を前記歪抵
抗素子の焼成温度よりも低く設定した少なくとも銀を含
む一対の電極を歪抵抗素子の両端部の上面から絶縁基板
の上面にわたって設けているため、歪抵抗素子の下面は
絶縁基板の上面のみに当接することになり、その結果、
歪抵抗素子の膜厚は端部から中央部にわたって均一とな
るため、歪抵抗素子の抵抗値を安定化させることができ
るというすぐれた効果を有するものである。
縁基板と、この絶縁基板の上面に設けられた歪抵抗素子
と、この歪抵抗素子の両端部の上面から前記絶縁基板の
上面にわたって設けられ、かつ焼成温度を前記歪抵抗素
子の焼成温度よりも低く設定した少なくとも銀を含む一
対の電極と、前記歪抵抗素子の上面に設けた絶縁層とを
備えたもので、この構成によれば、焼成温度を前記歪抵
抗素子の焼成温度よりも低く設定した少なくとも銀を含
む一対の電極を歪抵抗素子の両端部の上面から絶縁基板
の上面にわたって設けているため、歪抵抗素子の下面は
絶縁基板の上面のみに当接することになり、その結果、
歪抵抗素子の膜厚は端部から中央部にわたって均一とな
るため、歪抵抗素子の抵抗値を安定化させることができ
るというすぐれた効果を有するものである。
【図１】本発明の一実施の形態における歪検出装置の側
断面図
断面図
【図２】同歪検出装置の絶縁層を除いた状態を示す上面
図
図
【図３】同歪検出装置における歪抵抗素子の両側縁に電
極が直接当接して接続される場合の上面図
極が直接当接して接続される場合の上面図
【図４】従来の歪検出装置の側断面図
１１ 絶縁基板 １４ 歪抵抗素子 １５ 一対の電極 １６ 切欠部 １７ 絶縁層
フロントページの続き (72)発明者 川井 孝士 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 稲田 まゆみ 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2F063 AA25 DA05 EC03 EC15 EC26
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁基板と、この絶縁基板の上面に設け
られた歪抵抗素子と、この歪抵抗素子の両端部の上面か
ら前記絶縁基板の上面にわたって設けられ、かつ焼成温
度を前記歪抵抗素子の焼成温度よりも低く設定した少な
くとも銀を含む一対の電極と、前記歪抵抗素子の上面に
設けた絶縁層とを備えた歪検出装置。 - 【請求項２】 絶縁基板と、この絶縁基板の上面に設け
られた歪抵抗素子と、この歪抵抗素子の両端部の上面か
ら前記絶縁基板の上面にわたって設けた一対の電極と、
前記歪抵抗素子の上面に設けた絶縁層とを備え、前記電
極における歪抵抗素子の両側縁との接続部分に切欠部を
設けた歪検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03668099A JP4305992B2 (ja) | 1999-02-16 | 1999-02-16 | 歪検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03668099A JP4305992B2 (ja) | 1999-02-16 | 1999-02-16 | 歪検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000234964A true JP2000234964A (ja) | 2000-08-29 |
| JP4305992B2 JP4305992B2 (ja) | 2009-07-29 |
Family
ID=12476575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03668099A Expired - Fee Related JP4305992B2 (ja) | 1999-02-16 | 1999-02-16 | 歪検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4305992B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112611315A (zh) * | 2020-11-25 | 2021-04-06 | 陕西电器研究所 | 一种离子束溅射薄膜高温应变片及其制备方法 |
| CN114322744A (zh) * | 2022-01-13 | 2022-04-12 | 江南大学 | 通过疲劳调控提高直书写打印应变片敏感系数的制作方法 |
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1999
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