JPH10335119A - ヒューズ抵抗器とそれを用いた電子機器 - Google Patents
ヒューズ抵抗器とそれを用いた電子機器Info
- Publication number
- JPH10335119A JPH10335119A JP14619097A JP14619097A JPH10335119A JP H10335119 A JPH10335119 A JP H10335119A JP 14619097 A JP14619097 A JP 14619097A JP 14619097 A JP14619097 A JP 14619097A JP H10335119 A JPH10335119 A JP H10335119A
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- fuse resistor
- resistor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 安全で信頼性が高く、しかも応答性が迅速な
ヒューズ抵抗器を提供することを目的とする。 【解決手段】 アルミナ基板１等の基体に設けた少なく
とも一対の電極２ａ，２ｂ間にガラス粉末７の表面にＣ
ｕ膜８、Ｓｎ膜９等の金属膜を形成した温度ヒューズ抵
抗材料を用いてヒューズ抵抗層３を形成する。
ヒューズ抵抗器を提供することを目的とする。 【解決手段】 アルミナ基板１等の基体に設けた少なく
とも一対の電極２ａ，２ｂ間にガラス粉末７の表面にＣ
ｕ膜８、Ｓｎ膜９等の金属膜を形成した温度ヒューズ抵
抗材料を用いてヒューズ抵抗層３を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ヒューズ抵抗器と
それを用いた電子機器に関するものである。
それを用いた電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のヒューズ抵抗器は基板上に実装さ
れ、通常は抵抗器として機能し、異常電圧が加わった場
合、それ自体が発熱、溶断して通電を遮断するようにな
っている。
れ、通常は抵抗器として機能し、異常電圧が加わった場
合、それ自体が発熱、溶断して通電を遮断するようにな
っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のヒューズ抵
抗器は、アルミナなどの基体上に形成した一対の電極間
に抵抗層を形成し、これに電圧負荷集中部をレーザート
リミング等により形成した後、前記抵抗層の表面にガラ
ス層を設けて構成していた。前記抵抗器に異常電圧が加
わった場合、抵抗層の電圧負荷集中部が発熱溶融する。
この熱により溶融した上面のガラス層が溶断部に侵入
し、その結果ガラスが抵抗層を分断し、ヒューズとして
機能するものであった。しかしながら、このような構成
では一旦抵抗層の電圧負荷集中部を発熱させ、この熱に
より抵抗層表面のガラス層を溶かすため応答性が遅いと
いう問題があった。
抗器は、アルミナなどの基体上に形成した一対の電極間
に抵抗層を形成し、これに電圧負荷集中部をレーザート
リミング等により形成した後、前記抵抗層の表面にガラ
ス層を設けて構成していた。前記抵抗器に異常電圧が加
わった場合、抵抗層の電圧負荷集中部が発熱溶融する。
この熱により溶融した上面のガラス層が溶断部に侵入
し、その結果ガラスが抵抗層を分断し、ヒューズとして
機能するものであった。しかしながら、このような構成
では一旦抵抗層の電圧負荷集中部を発熱させ、この熱に
より抵抗層表面のガラス層を溶かすため応答性が遅いと
いう問題があった。
【０００４】そこで本発明はヒューズの応答性を速やか
にし、安全性の高いヒューズ抵抗器を提供することを目
的とするものである。
にし、安全性の高いヒューズ抵抗器を提供することを目
的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明は、ガラス粉末の表面を覆うように金属膜を形
成した温度ヒューズ抵抗材料を一対の電極間にヒューズ
抵抗層として形成するものである。この構成によればヒ
ューズ抵抗層自体が発熱し、この熱により温度ヒューズ
材料のガラス粉末が溶融、次いでその表面に形成された
金属膜と反応し金属膜の導電性を断ち、電極間を絶縁化
するので応答性が速い安全なヒューズ抵抗器となる。
に本発明は、ガラス粉末の表面を覆うように金属膜を形
成した温度ヒューズ抵抗材料を一対の電極間にヒューズ
抵抗層として形成するものである。この構成によればヒ
ューズ抵抗層自体が発熱し、この熱により温度ヒューズ
材料のガラス粉末が溶融、次いでその表面に形成された
金属膜と反応し金属膜の導電性を断ち、電極間を絶縁化
するので応答性が速い安全なヒューズ抵抗器となる。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、基体と、基体に設けた少なくとも一対の電極と、こ
の電極間を電気的に導通するように形成したヒューズ抵
抗層からなり、このヒューズ抵抗層がガラス粉末の表面
を覆うように金属膜を形成した温度ヒューズ抵抗材料か
らなるヒューズ抵抗器であり、この構成によれば通常状
態では抵抗器として働き、抵抗器に異常電圧が加わった
場合はヒューズ抵抗層自体が発熱し、この熱で基体のガ
ラス粉末が溶融し、その表面に形成した金属膜の導電性
を断ち絶縁化し迅速に通電を遮断するので安全性が高ま
る。
は、基体と、基体に設けた少なくとも一対の電極と、こ
の電極間を電気的に導通するように形成したヒューズ抵
抗層からなり、このヒューズ抵抗層がガラス粉末の表面
を覆うように金属膜を形成した温度ヒューズ抵抗材料か
らなるヒューズ抵抗器であり、この構成によれば通常状
態では抵抗器として働き、抵抗器に異常電圧が加わった
場合はヒューズ抵抗層自体が発熱し、この熱で基体のガ
ラス粉末が溶融し、その表面に形成した金属膜の導電性
を断ち絶縁化し迅速に通電を遮断するので安全性が高ま
る。
【０００７】本発明の請求項２に記載の発明は、電極間
に形成したヒューズ抵抗層の幅方向に切り込みを入れた
ヒューズ抵抗器であり、切り込みを入れることで抵抗器
の抵抗値を微調整することが可能となる。
に形成したヒューズ抵抗層の幅方向に切り込みを入れた
ヒューズ抵抗器であり、切り込みを入れることで抵抗器
の抵抗値を微調整することが可能となる。
【０００８】本発明の請求項３に記載の発明は、ヒュー
ズ抵抗層の表面をガラス層で被覆したヒューズ抵抗器で
あり、これにより基体に形成した電極部のみに選択的に
メッキすることが可能となるとともに、湿度などの影響
によりヒューズ抵抗層が劣化するのを防ぐことができ
る。
ズ抵抗層の表面をガラス層で被覆したヒューズ抵抗器で
あり、これにより基体に形成した電極部のみに選択的に
メッキすることが可能となるとともに、湿度などの影響
によりヒューズ抵抗層が劣化するのを防ぐことができ
る。
【０００９】本発明の請求項４に記載の発明は、ガラス
層の厚さをヒューズ抵抗層の厚さよりも薄く被覆したヒ
ューズ抵抗器であり、異常電圧によりヒューズ抵抗層が
発熱した場合でもヒューズ抵抗層表面を被覆したガラス
層が薄くヒューズ抵抗層より熱容量が小さいので、これ
に影響されることなく迅速にヒューズ抵抗層自体が溶融
絶縁化し、通電を絶つことができる。
層の厚さをヒューズ抵抗層の厚さよりも薄く被覆したヒ
ューズ抵抗器であり、異常電圧によりヒューズ抵抗層が
発熱した場合でもヒューズ抵抗層表面を被覆したガラス
層が薄くヒューズ抵抗層より熱容量が小さいので、これ
に影響されることなく迅速にヒューズ抵抗層自体が溶融
絶縁化し、通電を絶つことができる。
【００１０】本発明の請求項５に記載の発明は、ヒュー
ズ抵抗層を温度ヒューズ抵抗材料とガラス粉末を混合し
た組成としたヒューズ抵抗器であり、絶縁体であるガラ
ス粉末を混合することにより、抵抗器としての抵抗値を
任意に大きく調節することができる。
ズ抵抗層を温度ヒューズ抵抗材料とガラス粉末を混合し
た組成としたヒューズ抵抗器であり、絶縁体であるガラ
ス粉末を混合することにより、抵抗器としての抵抗値を
任意に大きく調節することができる。
【００１１】本発明の請求項６に記載の発明は、ヒュー
ズ抵抗層を温度ヒューズ抵抗材料と金属粒子を混合した
組成としたヒューズ抵抗器であって、抵抗器としての抵
抗値を任意に小さく調節することができる。
ズ抵抗層を温度ヒューズ抵抗材料と金属粒子を混合した
組成としたヒューズ抵抗器であって、抵抗器としての抵
抗値を任意に小さく調節することができる。
【００１２】本発明の請求項７に記載の発明は、請求項
１〜６に記載のヒューズ抵抗器をプリント基板上に実装
した電子機器であり、通常状態では電子機器内において
抵抗器として働き、電子機器に異常電圧が加わると、温
度ヒューズとして迅速に応答して通電を絶つことができ
るので、電子機器の安全性と信頼性を高めることができ
る。
１〜６に記載のヒューズ抵抗器をプリント基板上に実装
した電子機器であり、通常状態では電子機器内において
抵抗器として働き、電子機器に異常電圧が加わると、温
度ヒューズとして迅速に応答して通電を絶つことができ
るので、電子機器の安全性と信頼性を高めることができ
る。
【００１３】（実施形態１）以下、本発明の一実施形態
を添付図面とともに説明する。
を添付図面とともに説明する。
【００１４】図１はヒューズ抵抗器の断面図であり、ア
ルミナ基板１の両端に銀ペーストで電極２ａ，２ｂを塗
布し６００℃で焼き付ける。この電極２ａ，２ｂと電気
的に接続するようアルミナ基板１の上面にヒューズ抵抗
層３を形成する。次にヒューズ抵抗層３の抵抗値を測定
しながら図３に示すような切り込み１０を入れて抵抗値
を微調整した。ここで前記ヒューズ抵抗層３は図２に示
すような、ＰｂＯが８５重量％、Ｂ2Ｏ3が１０重量％、
ＳｉＯ2が５重量％の組成からなる軟化点４００℃のガ
ラス粉末７の表面を覆うように化学メッキ法でＣｕ膜８
を形成し、更にその表面の一部をＳｎで置換メッキして
Ｓｎ金属膜９を形成した粒径約１０μｍの温度ヒューズ
抵抗材料で構成されている。このヒューズ抵抗層３表面
に温度ヒューズ抵抗材料のガラス粉末７より溶融点が低
い低融点ガラスペーストを塗布、加熱してガラス層４を
形成した。その後に、電気バレルメッキ法で電極２ａ，
２ｂ表面にＮｉ膜５ａ，５ｂを形成し、更にその表面に
ハンダ膜６ａ，６ｂを形成した。
ルミナ基板１の両端に銀ペーストで電極２ａ，２ｂを塗
布し６００℃で焼き付ける。この電極２ａ，２ｂと電気
的に接続するようアルミナ基板１の上面にヒューズ抵抗
層３を形成する。次にヒューズ抵抗層３の抵抗値を測定
しながら図３に示すような切り込み１０を入れて抵抗値
を微調整した。ここで前記ヒューズ抵抗層３は図２に示
すような、ＰｂＯが８５重量％、Ｂ2Ｏ3が１０重量％、
ＳｉＯ2が５重量％の組成からなる軟化点４００℃のガ
ラス粉末７の表面を覆うように化学メッキ法でＣｕ膜８
を形成し、更にその表面の一部をＳｎで置換メッキして
Ｓｎ金属膜９を形成した粒径約１０μｍの温度ヒューズ
抵抗材料で構成されている。このヒューズ抵抗層３表面
に温度ヒューズ抵抗材料のガラス粉末７より溶融点が低
い低融点ガラスペーストを塗布、加熱してガラス層４を
形成した。その後に、電気バレルメッキ法で電極２ａ，
２ｂ表面にＮｉ膜５ａ，５ｂを形成し、更にその表面に
ハンダ膜６ａ，６ｂを形成した。
【００１５】このように作成したヒューズ抵抗器１３は
通常状態では抵抗器として機能するが、これに異常電圧
が加わるとヒューズ抵抗層３自体が発熱し４００℃に達
すると、温度ヒューズ抵抗材料のガラス粉末７が溶融
し、まずその表面を覆うように形成した内層のＣｕ膜８
と反応し、引き続いて既に溶融状態にあるＳｎ膜９と反
応し金属膜を絶縁化し導電性を絶ち、ヒューズ抵抗層３
が絶縁体として機能するようになる。よってそれ以降、
ヒューズ抵抗器１３に電流が流れることはなくなる。
通常状態では抵抗器として機能するが、これに異常電圧
が加わるとヒューズ抵抗層３自体が発熱し４００℃に達
すると、温度ヒューズ抵抗材料のガラス粉末７が溶融
し、まずその表面を覆うように形成した内層のＣｕ膜８
と反応し、引き続いて既に溶融状態にあるＳｎ膜９と反
応し金属膜を絶縁化し導電性を絶ち、ヒューズ抵抗層３
が絶縁体として機能するようになる。よってそれ以降、
ヒューズ抵抗器１３に電流が流れることはなくなる。
【００１６】（実施形態２）実施形態１で形成したヒュ
ーズ抵抗層３の代わりに、前記温度ヒューズ抵抗材料
に、同じ組成のガラス粉末７を任意の割合で混合した組
成を用いヒューズ抵抗層３を形成し、その他は実施形態
１と同様な工程でヒューズ抵抗器１３を構成した。絶縁
体であるガラス粉末７を温度ヒューズ抵抗材料に混合す
ることにより、温度ヒューズ抵抗材料固有の抵抗値を、
混合するガラス粉末７の添加量により、絶縁体迄の抵抗
値を任意に設定調節することが可能となり、しかもヒュ
ーズとしての機能を損なうことがないヒューズ抵抗器１
３を得ることができる。
ーズ抵抗層３の代わりに、前記温度ヒューズ抵抗材料
に、同じ組成のガラス粉末７を任意の割合で混合した組
成を用いヒューズ抵抗層３を形成し、その他は実施形態
１と同様な工程でヒューズ抵抗器１３を構成した。絶縁
体であるガラス粉末７を温度ヒューズ抵抗材料に混合す
ることにより、温度ヒューズ抵抗材料固有の抵抗値を、
混合するガラス粉末７の添加量により、絶縁体迄の抵抗
値を任意に設定調節することが可能となり、しかもヒュ
ーズとしての機能を損なうことがないヒューズ抵抗器１
３を得ることができる。
【００１７】（実施形態３）実施形態１で形成したヒュ
ーズ抵抗層３の代わりに、前記温度ヒューズ抵抗材料
に、Ｓｎ金属粒子を任意の割合で混合した組成を用いヒ
ューズ抵抗層３を形成し、その他は実施形態１と同様な
工程でヒューズ抵抗器１３を構成した。導電体であるＳ
ｎ金属粒子を温度ヒューズ抵抗材料に混合することによ
り、温度ヒューズ抵抗材料固有の抵抗値を任意に小さく
調節することが可能となり、しかもヒューズとしての機
能を損なうことがないヒューズ抵抗器１３を得ることが
できる。
ーズ抵抗層３の代わりに、前記温度ヒューズ抵抗材料
に、Ｓｎ金属粒子を任意の割合で混合した組成を用いヒ
ューズ抵抗層３を形成し、その他は実施形態１と同様な
工程でヒューズ抵抗器１３を構成した。導電体であるＳ
ｎ金属粒子を温度ヒューズ抵抗材料に混合することによ
り、温度ヒューズ抵抗材料固有の抵抗値を任意に小さく
調節することが可能となり、しかもヒューズとしての機
能を損なうことがないヒューズ抵抗器１３を得ることが
できる。
【００１８】尚、本実施形態ではＳｎ金属粒子を用いた
が、Ｎｉその他の金属粒子を用いても同様な効果を得る
ことができる。
が、Ｎｉその他の金属粒子を用いても同様な効果を得る
ことができる。
【００１９】（実施形態４）図４は本発明のヒューズ抵
抗器１３を用いた電子機器の一実施形態を示す斜視図で
ある。
抗器１３を用いた電子機器の一実施形態を示す斜視図で
ある。
【００２０】電子機器のプリント基板１１上に導電端子
１２ａ，１２ｂが形成されている。この導電端子１２
ａ，１２ｂ表面上にハンダペースト（図示せず）を印刷
した後、ヒューズ抵抗器１３のハンダ膜６ａ，６ｂをハ
ンダ実装した。このヒューズ抵抗器１３は、通常状態で
は電子機器内において抵抗器として機能するが、電子機
器に異常電圧が加わると、ヒューズとして迅速に応答
し、ヒューズ抵抗層３が溶融し通電を絶つことができ
る。これにより安全で信頼性の高い電子機器を得ること
ができる。
１２ａ，１２ｂが形成されている。この導電端子１２
ａ，１２ｂ表面上にハンダペースト（図示せず）を印刷
した後、ヒューズ抵抗器１３のハンダ膜６ａ，６ｂをハ
ンダ実装した。このヒューズ抵抗器１３は、通常状態で
は電子機器内において抵抗器として機能するが、電子機
器に異常電圧が加わると、ヒューズとして迅速に応答
し、ヒューズ抵抗層３が溶融し通電を絶つことができ
る。これにより安全で信頼性の高い電子機器を得ること
ができる。
【００２１】
【発明の効果】以上、本発明の構成によれば応答性の速
い安全なヒューズ抵抗器が得られ、またこれを用いた電
子機器は信頼性が高まる。
い安全なヒューズ抵抗器が得られ、またこれを用いた電
子機器は信頼性が高まる。
【図１】本発明の一実施形態におけるヒューズ抵抗器の
断面図
断面図
【図２】本発明の一実施形態における温度ヒューズ抵抗
材料の断面図
材料の断面図
【図３】本発明の一実施形態におけるヒューズ抵抗器の
斜視図
斜視図
【図４】本発明の一実施形態における電子機器の斜視図
１ アルミナ基板 ２ａ，２ｂ 電極 ３ ヒューズ抵抗層 ４ ガラス層 ５ａ，５ｂ Ｎｉ膜 ６ａ，６ｂ ハンダ膜 ７ ガラス粉末 ８ Ｃｕ膜 ９ Ｓｎ膜 １０ 切り込み １１ プリント基板 １２ａ，１２ｂ 導電端子 １３ ヒューズ抵抗器
Claims (7)
- 【請求項１】 基体と、この基体に設けた少なくとも一
対の電極と、この電極間を電気的に導通するように形成
したヒューズ抵抗層とからなり、前記ヒューズ抵抗層
が、ガラス粉末の表面を金属膜で覆われた温度ヒューズ
抵抗材料からなるヒューズ抵抗器。 - 【請求項２】 ヒューズ抵抗層の幅方向に切り込みを入
れた請求項１に記載のヒューズ抵抗器。 - 【請求項３】 ヒューズ抵抗層の表面をガラス層で被覆
した請求項１または２に記載のヒューズ抵抗器。 - 【請求項４】 ガラス層の厚さがヒューズ抵抗層の厚さ
よりも薄い請求項１から３のいずれか一つに記載のヒュ
ーズ抵抗器。 - 【請求項５】 ヒューズ抵抗層を温度ヒューズ抵抗材料
とガラス粉末を混合した成分で構成した請求項１から４
のいずれか一つに記載のヒューズ抵抗器。 - 【請求項６】 ヒューズ抵抗層を温度ヒューズ抵抗材料
と金属粒子を混合した成分で構成した請求項１〜４のい
ずれか一つに記載のヒューズ抵抗器。 - 【請求項７】 請求項１から６のいずれか一つに記載の
ヒューズ抵抗器をプリント基板上に実装した電子機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14619097A JPH10335119A (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | ヒューズ抵抗器とそれを用いた電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14619097A JPH10335119A (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | ヒューズ抵抗器とそれを用いた電子機器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10335119A true JPH10335119A (ja) | 1998-12-18 |
Family
ID=15402178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14619097A Pending JPH10335119A (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | ヒューズ抵抗器とそれを用いた電子機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10335119A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1826781A1 (de) * | 2006-02-24 | 2007-08-29 | Robert Bosch Gmbh | Varistor mit einem Sicherungselement |
| US20150369672A1 (en) * | 2014-06-18 | 2015-12-24 | Kidde Technologies, Inc. | Thermal sensor |
| KR20210144498A (ko) * | 2020-05-22 | 2021-11-30 | 최항 | 금속필러가 포함된 유리페이스트를 이용한 단락저항기제조와 단락신뢰성 |
-
1997
- 1997-06-04 JP JP14619097A patent/JPH10335119A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1826781A1 (de) * | 2006-02-24 | 2007-08-29 | Robert Bosch Gmbh | Varistor mit einem Sicherungselement |
| WO2007099020A1 (de) * | 2006-02-24 | 2007-09-07 | Robert Bosch Gmbh | Varistor mit einem sicherungselement |
| US20150369672A1 (en) * | 2014-06-18 | 2015-12-24 | Kidde Technologies, Inc. | Thermal sensor |
| US10101218B2 (en) * | 2014-06-18 | 2018-10-16 | Kidde Technologies, Inc. | Thermal sensor |
| KR20210144498A (ko) * | 2020-05-22 | 2021-11-30 | 최항 | 금속필러가 포함된 유리페이스트를 이용한 단락저항기제조와 단락신뢰성 |
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