JP2003004553A - 歪検出装置 - Google Patents
歪検出装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 絶縁基板における絶縁層にピンホールが生じ
ても電源電極、出力電極あるいは回路パターンが基板に
導通するということのない出力特性の安定した歪検出装
置を提供することを目的とするものである。 【解決手段】 第１の絶縁層１３を薄膜とするととも
に、第２の絶縁層１４を厚膜とし、絶縁基板１５の上面
にＡｇからなるペーストを印刷する際に、第１の絶縁層
１３が壁となり、基板１１へのペーストの到達を防止す
る構成とした。
ても電源電極、出力電極あるいは回路パターンが基板に
導通するということのない出力特性の安定した歪検出装
置を提供することを目的とするものである。 【解決手段】 第１の絶縁層１３を薄膜とするととも
に、第２の絶縁層１４を厚膜とし、絶縁基板１５の上面
にＡｇからなるペーストを印刷する際に、第１の絶縁層
１３が壁となり、基板１１へのペーストの到達を防止す
る構成とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は荷重を付加すること
によって発生する歪を検出する歪検出装置に関するもの
である。
によって発生する歪を検出する歪検出装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の歪検出装置としては、特
開２０００−１８０２５５公報に開示されたものが知ら
れている。
開２０００−１８０２５５公報に開示されたものが知ら
れている。
【０００３】以下、従来の歪検出装置について図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
【０００４】図４は従来の歪検出装置の側断面図、図５
は同上面図である。
は同上面図である。
【０００５】図４、図５において、１は弾性材料からな
る絶縁基板で、ステンレス板２とこのステンレス板２の
上面に設けたガラスからなる絶縁層３とにより構成され
ている。また、絶縁基板１の上面には電源電極４、第１
の出力電極５、第２の出力電極６およびＧＮＤ電極７を
設けている。８は４つの歪抵抗素子で、電源電極４、第
１の出力電極５、第２の出力電極６およびＧＮＤ電極７
を回路パターン９により電気的に接続することにより、
図６に示すように、ブリッジ回路を構成している。１０
は印刷により形成された厚膜のガラスからなる保護層
で、絶縁層３、歪抵抗素子８および回路パターン９の上
面を覆うように設けてある。
る絶縁基板で、ステンレス板２とこのステンレス板２の
上面に設けたガラスからなる絶縁層３とにより構成され
ている。また、絶縁基板１の上面には電源電極４、第１
の出力電極５、第２の出力電極６およびＧＮＤ電極７を
設けている。８は４つの歪抵抗素子で、電源電極４、第
１の出力電極５、第２の出力電極６およびＧＮＤ電極７
を回路パターン９により電気的に接続することにより、
図６に示すように、ブリッジ回路を構成している。１０
は印刷により形成された厚膜のガラスからなる保護層
で、絶縁層３、歪抵抗素子８および回路パターン９の上
面を覆うように設けてある。
【０００６】以上のように構成された歪検出装置につい
て、次にその組立方法を説明する。
て、次にその組立方法を説明する。
【０００７】まず、あらかじめアルミニウムを含有した
ステンレス板２の上面にガラスペースト（図示せず）を
スクリーン印刷した後、約８５０℃で焼成し、絶縁基板
１を形成する。
ステンレス板２の上面にガラスペースト（図示せず）を
スクリーン印刷した後、約８５０℃で焼成し、絶縁基板
１を形成する。
【０００８】次に、絶縁基板１の上面にＡｇからなるペ
ースト（図示せず）をスクリーン印刷した後、約８５０
℃にて焼成し、絶縁基板１の上面に電源電極４、第１の
出力電極５、第２の出力電極６、ＧＮＤ電極７および回
路パターン９を形成する。
ースト（図示せず）をスクリーン印刷した後、約８５０
℃にて焼成し、絶縁基板１の上面に電源電極４、第１の
出力電極５、第２の出力電極６、ＧＮＤ電極７および回
路パターン９を形成する。
【０００９】次に、絶縁基板１および回路パターン９の
上面の歪抵抗素子８を設ける位置に抵抗ペースト（図示
せず）をスクリーン印刷した後、約８５０℃で焼成し、
絶縁基板１に４つの歪抵抗素子８を形成する。
上面の歪抵抗素子８を設ける位置に抵抗ペースト（図示
せず）をスクリーン印刷した後、約８５０℃で焼成し、
絶縁基板１に４つの歪抵抗素子８を形成する。
【００１０】最後に、絶縁層３、歪抵抗素子８および回
路パターン９の上面にガラスペースト（図示せず）をス
クリーン印刷した後、約８５０℃で焼成し、絶縁層３、
歪抵抗素子８および回路パターン９の上面に保護層１０
を形成する。
路パターン９の上面にガラスペースト（図示せず）をス
クリーン印刷した後、約８５０℃で焼成し、絶縁層３、
歪抵抗素子８および回路パターン９の上面に保護層１０
を形成する。
【００１１】以上のように構成された歪検出装置につい
て、次にその動作を説明する。
て、次にその動作を説明する。
【００１２】絶縁基板１の略中央の上面よりせん断荷重
が付加されると、このせん断荷重により絶縁基板１に曲
げモーメントが発生し、この曲げモーメントにより絶縁
基板１の上面に設けた４つの歪抵抗素子８のうちの内側
の歪抵抗素子８に圧縮応力が加わるとともに、外側の歪
抵抗素子８に引張応力が加わる。そして、４つの歪抵抗
素子８および回路パターン９によりブリッジ回路を構成
しているため、付加されたせん断荷重に応じた出力電圧
を第１の出力電極５および第２の出力電極６から外部の
コンピュータ（図示せず）等に出力し、絶縁基板１に加
わる荷重を測定するものであった。
が付加されると、このせん断荷重により絶縁基板１に曲
げモーメントが発生し、この曲げモーメントにより絶縁
基板１の上面に設けた４つの歪抵抗素子８のうちの内側
の歪抵抗素子８に圧縮応力が加わるとともに、外側の歪
抵抗素子８に引張応力が加わる。そして、４つの歪抵抗
素子８および回路パターン９によりブリッジ回路を構成
しているため、付加されたせん断荷重に応じた出力電圧
を第１の出力電極５および第２の出力電極６から外部の
コンピュータ（図示せず）等に出力し、絶縁基板１に加
わる荷重を測定するものであった。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成においては、導電性のステンレス板２の上面に
ガラスの厚膜からなる絶縁層３をスクリーン印刷により
設けて絶縁基板１を形成したため、ガラスペースト（図
示せず）がスクリーン（図示せず）を通過する際にガラ
スペースト（図示せず）内に微小な隙間が生じることと
なり、その結果、焼成後の絶縁層３にピンホールが生じ
るため、絶縁基板１の上面にＡｇからなるペースト（図
示せず）をスクリーン印刷する際に、Ａｇからなるペー
スト（図示せず）がピンホールを伝わって、ステンレス
板２に到達してしまい、これにより、電源電極４、第１
の出力電極５、第２の出力電極６あるいは回路パターン
９がステンレス板２と導通するため、歪検出装置の出力
特性が不安定になってしまうという課題を有していた。
来の構成においては、導電性のステンレス板２の上面に
ガラスの厚膜からなる絶縁層３をスクリーン印刷により
設けて絶縁基板１を形成したため、ガラスペースト（図
示せず）がスクリーン（図示せず）を通過する際にガラ
スペースト（図示せず）内に微小な隙間が生じることと
なり、その結果、焼成後の絶縁層３にピンホールが生じ
るため、絶縁基板１の上面にＡｇからなるペースト（図
示せず）をスクリーン印刷する際に、Ａｇからなるペー
スト（図示せず）がピンホールを伝わって、ステンレス
板２に到達してしまい、これにより、電源電極４、第１
の出力電極５、第２の出力電極６あるいは回路パターン
９がステンレス板２と導通するため、歪検出装置の出力
特性が不安定になってしまうという課題を有していた。
【００１４】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、絶縁基板における絶縁層にピンホールが生じても電
源電極、出力電極あるいは回路パターンが基板に導通す
るということのない出力特性の安定した歪検出装置を提
供することを目的とするものである。
で、絶縁基板における絶縁層にピンホールが生じても電
源電極、出力電極あるいは回路パターンが基板に導通す
るということのない出力特性の安定した歪検出装置を提
供することを目的とするものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は以下の構成を有する。
に、本発明は以下の構成を有する。
【００１６】本発明の請求項１に記載の発明は、特に、
第１の絶縁層を薄膜とするとともに第２の絶縁層を厚膜
とする構成を有しており、これにより、厚膜からなる第
２の絶縁層により機械的な外力から基板を保護するとと
もに、薄膜からなる第１の絶縁層にはピンホールが発生
しないため、絶縁基板の上面にＡｇからなるペーストを
スクリーン印刷する際に、Ａｇからなるペーストが第２
の絶縁層におけるピンホールを伝わって、基板に到達し
ようとしても、第１の絶縁層が壁となり基板への到達を
防止することとなり、電源電極、出力電極、あるいは回
路パターンが基板と導通することがなくなるという作用
効果が得られるものである。
第１の絶縁層を薄膜とするとともに第２の絶縁層を厚膜
とする構成を有しており、これにより、厚膜からなる第
２の絶縁層により機械的な外力から基板を保護するとと
もに、薄膜からなる第１の絶縁層にはピンホールが発生
しないため、絶縁基板の上面にＡｇからなるペーストを
スクリーン印刷する際に、Ａｇからなるペーストが第２
の絶縁層におけるピンホールを伝わって、基板に到達し
ようとしても、第１の絶縁層が壁となり基板への到達を
防止することとなり、電源電極、出力電極、あるいは回
路パターンが基板と導通することがなくなるという作用
効果が得られるものである。
【００１７】本発明の請求項２に記載の発明は、特に、
第２の絶縁層を第１の絶縁層の上面、側面および基板の
上面にわたって設けた構成を有しており、これにより、
第２の絶縁層が基板の表面の微小な凹凸に入り込むた
め、基板と第２の絶縁層との接着強度が大きくなり、第
２の絶縁層が確実に基板に接着するから、第２の絶縁層
の基板への接着力が大きくなるという作用効果が得られ
るものである。
第２の絶縁層を第１の絶縁層の上面、側面および基板の
上面にわたって設けた構成を有しており、これにより、
第２の絶縁層が基板の表面の微小な凹凸に入り込むた
め、基板と第２の絶縁層との接着強度が大きくなり、第
２の絶縁層が確実に基板に接着するから、第２の絶縁層
の基板への接着力が大きくなるという作用効果が得られ
るものである。
【００１８】請求項３に記載の発明は、特に、第１の絶
縁層をＳｉＯ2とした構成を有しており、これにより、
第１の絶縁層を吸湿しないＳｉＯ2としたため、基板が
錆びるのを防止できるという作用効果が得られるもので
ある。
縁層をＳｉＯ2とした構成を有しており、これにより、
第１の絶縁層を吸湿しないＳｉＯ2としたため、基板が
錆びるのを防止できるという作用効果が得られるもので
ある。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、一実施の形態を用いて、本
発明の特に請求項１〜３に記載の発明について説明す
る。
発明の特に請求項１〜３に記載の発明について説明す
る。
【００２０】図１は本発明の一実施の形態における歪検
出装置の側断面図、図２は同上面図である。
出装置の側断面図、図２は同上面図である。
【００２１】図１、図２において、１１は弾性材料であ
るとともに導電性材料からなる例えば、ステンレス製の
基板である。そして、この基板１１の上面にはアルミナ
からなる保護皮膜１２およびこの保護皮膜１２を設けな
い箇所に位置して、プラズマＣＶＤ薄膜製造法、蒸着あ
るいはスパッタリングにより形成したＳｉＯ2の薄膜か
らなる第１の絶縁層１３を設けている。また、基板１１
の上面には印刷により形成したガラスの厚膜からなる第
２の絶縁層１４を設けており、この第２の絶縁層１４を
第１の絶縁層１３の上面、側面および基板１１の上面に
わたって設けている。
るとともに導電性材料からなる例えば、ステンレス製の
基板である。そして、この基板１１の上面にはアルミナ
からなる保護皮膜１２およびこの保護皮膜１２を設けな
い箇所に位置して、プラズマＣＶＤ薄膜製造法、蒸着あ
るいはスパッタリングにより形成したＳｉＯ2の薄膜か
らなる第１の絶縁層１３を設けている。また、基板１１
の上面には印刷により形成したガラスの厚膜からなる第
２の絶縁層１４を設けており、この第２の絶縁層１４を
第１の絶縁層１３の上面、側面および基板１１の上面に
わたって設けている。
【００２２】そして、第２の絶縁層１４を第１の絶縁層
１３の上面、側面および基板１１の上面にわたって設け
たため、第２の絶縁層１４が基板１１の表面の微小な凹
凸に入り込むこととなり、その結果、基板１１と第２の
絶縁層１４との接着強度が大きいから、第２の絶縁層１
４が確実に基板１１に接着することとなり、これによ
り、第２の絶縁層１４の基板１１への接着力が大きくな
るという効果が得られるものである。
１３の上面、側面および基板１１の上面にわたって設け
たため、第２の絶縁層１４が基板１１の表面の微小な凹
凸に入り込むこととなり、その結果、基板１１と第２の
絶縁層１４との接着強度が大きいから、第２の絶縁層１
４が確実に基板１１に接着することとなり、これによ
り、第２の絶縁層１４の基板１１への接着力が大きくな
るという効果が得られるものである。
【００２３】また、基板１１、保護皮膜１２、第１の絶
縁層１３および第２の絶縁層１４とにより絶縁基板１５
を構成している。さらに、絶縁基板１５の上面には銀か
らなる電源電極１６、一対の出力電極１７、ＧＮＤ電極
１８および４つの歪抵抗素子１９を回路パターン２０に
より電気的に接続するように設けることによりブリッジ
回路を構成している。
縁層１３および第２の絶縁層１４とにより絶縁基板１５
を構成している。さらに、絶縁基板１５の上面には銀か
らなる電源電極１６、一対の出力電極１７、ＧＮＤ電極
１８および４つの歪抵抗素子１９を回路パターン２０に
より電気的に接続するように設けることによりブリッジ
回路を構成している。
【００２４】そして、第１の絶縁層１３を薄膜とすると
ともに第２の絶縁層１４を厚膜としたため、厚膜からな
る第２の絶縁層１４により機械的な外力から基板１１を
保護するとともに、薄膜からなる第１の絶縁層１３には
ピンホールが発生しないこととなり、その結果、絶縁基
板１５の上面にＡｇからなるペースト（図示せず）をス
クリーン印刷する際に、Ａｇからなるペースト（図示せ
ず）が第２の絶縁層１４におけるピンホールを伝わっ
て、基板１１に到達しようとしても、第１の絶縁層１３
が壁となり基板１１への到達を防止するため、電源電極
１６、出力電極１７あるいは回路パターン２０が基板１
１と導通することがなくなることとなり、その結果、歪
検出装置の出力特性が安定するという効果が得られるも
のである。
ともに第２の絶縁層１４を厚膜としたため、厚膜からな
る第２の絶縁層１４により機械的な外力から基板１１を
保護するとともに、薄膜からなる第１の絶縁層１３には
ピンホールが発生しないこととなり、その結果、絶縁基
板１５の上面にＡｇからなるペースト（図示せず）をス
クリーン印刷する際に、Ａｇからなるペースト（図示せ
ず）が第２の絶縁層１４におけるピンホールを伝わっ
て、基板１１に到達しようとしても、第１の絶縁層１３
が壁となり基板１１への到達を防止するため、電源電極
１６、出力電極１７あるいは回路パターン２０が基板１
１と導通することがなくなることとなり、その結果、歪
検出装置の出力特性が安定するという効果が得られるも
のである。
【００２５】さらに、絶縁基板１５の上面には一対の温
度特性調整抵抗２１を設けており、一端を電源電極１６
と電気的に接続するとともに、他端を一対の抵抗値測定
電極２２を介して歪抵抗素子１９と電気的に接続してい
る。２３はガラスからなる保護層で、絶縁基板１５およ
び一対の温度特性調整抵抗２１の上面を覆うように設け
てある。
度特性調整抵抗２１を設けており、一端を電源電極１６
と電気的に接続するとともに、他端を一対の抵抗値測定
電極２２を介して歪抵抗素子１９と電気的に接続してい
る。２３はガラスからなる保護層で、絶縁基板１５およ
び一対の温度特性調整抵抗２１の上面を覆うように設け
てある。
【００２６】以上のように構成された歪検出装置につい
て、次にその組立方法を説明する。
て、次にその組立方法を説明する。
【００２７】まず、基板１１の上面の保護皮膜１２を形
成する箇所に位置して、マスキングテープ（図示せず）
を貼り付けた後、図３に示すように、横型プラズマＣＶ
Ｄ装置における加熱装置２５の側面に基板１１を設置す
る。
成する箇所に位置して、マスキングテープ（図示せず）
を貼り付けた後、図３に示すように、横型プラズマＣＶ
Ｄ装置における加熱装置２５の側面に基板１１を設置す
る。
【００２８】次に、プラズマ発生ガス導入口２６より、
高純度酸素ガスをプラズマ発生室２７に導入するととも
に、プラズマ発生室２７内に磁気コイル２８により磁界
を印加し、マイクロ波をプラズマ発生室２７に導入さ
せ、プラズマを発生させる。
高純度酸素ガスをプラズマ発生室２７に導入するととも
に、プラズマ発生室２７内に磁気コイル２８により磁界
を印加し、マイクロ波をプラズマ発生室２７に導入さ
せ、プラズマを発生させる。
【００２９】次に、原料ガス供給ライン２９から（化
１）に示すテトラエトキシシランを供給するとともに、
パージガス供給ライン３０からＮ2のパージガスを供給
した後、混合装置３１で混合する。
１）に示すテトラエトキシシランを供給するとともに、
パージガス供給ライン３０からＮ2のパージガスを供給
した後、混合装置３１で混合する。
【００３０】
【化１】
【００３１】次に、テトラエトキシシランとＮ2との混
合物をリング状の導入口３２から流し込み、加熱装置２
５により、約３００℃に加熱された基板１１にＳｉＯ2
からなる第１の絶縁層１３を堆積させる。
合物をリング状の導入口３２から流し込み、加熱装置２
５により、約３００℃に加熱された基板１１にＳｉＯ2
からなる第１の絶縁層１３を堆積させる。
【００３２】次に、第１の絶縁層１３の上面、側面およ
び基板１１の上面にわたってガラスペースト（図示せ
ず）を印刷した後、約８５０℃で約１０分間焼成し、第
２の絶縁層１４を形成した絶縁基板１５を形成する。
び基板１１の上面にわたってガラスペースト（図示せ
ず）を印刷した後、約８５０℃で約１０分間焼成し、第
２の絶縁層１４を形成した絶縁基板１５を形成する。
【００３３】次に、絶縁基板１５の上面の歪抵抗素子１
９を設ける位置にメタルグレーズ系ペースト（図示せ
ず）を印刷した後、約１３０℃で約１０分間乾燥する。
９を設ける位置にメタルグレーズ系ペースト（図示せ
ず）を印刷した後、約１３０℃で約１０分間乾燥する。
【００３４】次に、サーミスタ抵抗ペースト（図示せ
ず）を絶縁基板１５の上面の温度特性調整抵抗２１を設
ける位置に印刷した後、この絶縁基板１５を約８５０℃
で約１０分間焼成し、絶縁基板１５に４つの歪抵抗素子
１９および温度調整用抵抗２１を形成する。
ず）を絶縁基板１５の上面の温度特性調整抵抗２１を設
ける位置に印刷した後、この絶縁基板１５を約８５０℃
で約１０分間焼成し、絶縁基板１５に４つの歪抵抗素子
１９および温度調整用抵抗２１を形成する。
【００３５】次に、絶縁基板１５の上面に位置して銀の
ペースト（図示せず）を印刷し、約６００℃で約１０分
間焼成し、絶縁基板１５の上面に電源電極１６、一対の
出力電極１７、ＧＮＤ電極１８、抵抗値測定電極２２お
よび回路パターン２０を形成する。
ペースト（図示せず）を印刷し、約６００℃で約１０分
間焼成し、絶縁基板１５の上面に電源電極１６、一対の
出力電極１７、ＧＮＤ電極１８、抵抗値測定電極２２お
よび回路パターン２０を形成する。
【００３６】このとき、絶縁基板１５におけるアルミニ
ウムを含有する基板１１の上面は熱によって酸化され、
基板１１の上面のうち第２の絶縁層１４を形成しない箇
所にアルミナからなる保護皮膜１２が形成される。
ウムを含有する基板１１の上面は熱によって酸化され、
基板１１の上面のうち第２の絶縁層１４を形成しない箇
所にアルミナからなる保護皮膜１２が形成される。
【００３７】次に、絶縁基板１５の電源電極１６、一対
の出力電極１７、ＧＮＤ電極１８および抵抗値測定電極
２２を除く絶縁基板１５の上面にガラスからなるペース
ト（図示せず）を印刷した後、約６００℃で約１０分間
焼成し、絶縁基板１５の上面に保護層２３を形成する。
の出力電極１７、ＧＮＤ電極１８および抵抗値測定電極
２２を除く絶縁基板１５の上面にガラスからなるペース
ト（図示せず）を印刷した後、約６００℃で約１０分間
焼成し、絶縁基板１５の上面に保護層２３を形成する。
【００３８】最後に、電源電極１６を電源（図示せず）
に接続し、電圧を印加するとともに、ＧＮＤ電極１８を
接地した状態において、絶縁基板１５の周囲温度を変化
させて一対の出力電極１７の温度変化による出力変化が
互いに等しくなるように一対の温度特性調整抵抗２１を
トリミングする。
に接続し、電圧を印加するとともに、ＧＮＤ電極１８を
接地した状態において、絶縁基板１５の周囲温度を変化
させて一対の出力電極１７の温度変化による出力変化が
互いに等しくなるように一対の温度特性調整抵抗２１を
トリミングする。
【００３９】以上のようにして組み立てられた歪検出装
置について、次にその動作を説明する。
置について、次にその動作を説明する。
【００４０】絶縁基板１５の中央部にせん断荷重が付加
されると、このせん断荷重により絶縁基板１５の表面に
歪が発生し、絶縁基板１５の上面に設けた４つの歪抵抗
素子１９にも歪が発生する。この歪抵抗素子１９に歪が
発生するとこの歪抵抗素子１９の抵抗値が変化するた
め、この抵抗値の変化を一対の出力電極１７からブリッ
ジ回路としての出力を外部のコンピュータ（図示せず）
に出力し、絶縁基板１５に加わる荷重を測定するもので
ある。
されると、このせん断荷重により絶縁基板１５の表面に
歪が発生し、絶縁基板１５の上面に設けた４つの歪抵抗
素子１９にも歪が発生する。この歪抵抗素子１９に歪が
発生するとこの歪抵抗素子１９の抵抗値が変化するた
め、この抵抗値の変化を一対の出力電極１７からブリッ
ジ回路としての出力を外部のコンピュータ（図示せず）
に出力し、絶縁基板１５に加わる荷重を測定するもので
ある。
【００４１】ここで、歪検出装置が湿度の高い雰囲気中
で使用される場合を考えると、本発明の一実施の形態に
おける歪検出装置においては、第１の絶縁層１３を吸湿
しないＳｉＯ2としたため、基板１１が錆びるのを防止
できるという効果が得られるものである。
で使用される場合を考えると、本発明の一実施の形態に
おける歪検出装置においては、第１の絶縁層１３を吸湿
しないＳｉＯ2としたため、基板１１が錆びるのを防止
できるという効果が得られるものである。
【００４２】なお、本発明の一実施の形態における歪検
出装置においては、薄膜からなる第１の絶縁層１３をＣ
ＶＤ薄膜製造法にて設けることとしたが、蒸着あるいは
スパッタリングにて形成しても同様の効果を有するもの
である。
出装置においては、薄膜からなる第１の絶縁層１３をＣ
ＶＤ薄膜製造法にて設けることとしたが、蒸着あるいは
スパッタリングにて形成しても同様の効果を有するもの
である。
【００４３】また、本発明の一実施の形態における歪検
出装置においては、４つの歪抵抗素子１９を設けてブリ
ッジ回路を構成したが、２つの歪抵抗素子を設けて、ハ
ーフブリッジ回路を構成してもよいものである。
出装置においては、４つの歪抵抗素子１９を設けてブリ
ッジ回路を構成したが、２つの歪抵抗素子を設けて、ハ
ーフブリッジ回路を構成してもよいものである。
【００４４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、第１の絶
縁層を薄膜とするとともに、第２の絶縁層を厚膜とした
ため、厚膜からなる第２の絶縁層により、機械的な外力
から基板を保護するとともに、薄膜からなる第１の絶縁
層にはピンホールが発生しないので、絶縁基板の上面に
Ａｇからなるペーストをスクリーン印刷する際に、Ａｇ
からなるペーストが第２の絶縁層におけるピンホールを
伝わって、基板に到達しようとしても、第１の絶縁層が
壁となり基板への到達を防止するから、電源電極、出力
電極、あるいは回路パターンが基板と導通することがな
くなり、出力特性の安定した歪検出装置を提供すること
ができるという効果を奏するものである。
縁層を薄膜とするとともに、第２の絶縁層を厚膜とした
ため、厚膜からなる第２の絶縁層により、機械的な外力
から基板を保護するとともに、薄膜からなる第１の絶縁
層にはピンホールが発生しないので、絶縁基板の上面に
Ａｇからなるペーストをスクリーン印刷する際に、Ａｇ
からなるペーストが第２の絶縁層におけるピンホールを
伝わって、基板に到達しようとしても、第１の絶縁層が
壁となり基板への到達を防止するから、電源電極、出力
電極、あるいは回路パターンが基板と導通することがな
くなり、出力特性の安定した歪検出装置を提供すること
ができるという効果を奏するものである。
【図１】本発明の一実施の形態の歪検出装置の側断面図
【図２】同上面図
【図３】同要部である第１の絶縁層を形成する状態を説
明するプラズマＣＶＤ装置の模式図
明するプラズマＣＶＤ装置の模式図
【図４】従来の歪検出装置の側断面図
【図５】同上面図
【図６】同回路図
１１ 基板
１３ 第１の絶縁層
１４ 第２の絶縁層
１５ 絶縁基板
１６ 電源電極
１７ 出力電極
１８ ＧＮＤ電極
１９ 歪抵抗素子
２０ 回路パターン
２３ 保護層
Claims (3)
- 【請求項１】 導電性の金属からなる基板と、この基板
の上面に設けた第１の絶縁層と、この第１の絶縁層の上
面に設けた第２の絶縁層とからなる絶縁基板と、この絶
縁基板の上面に設けた電源電極、出力電極およびＧＮＤ
電極と、前記絶縁基板の上面に設けるとともに電源電
極、出力電極およびＧＮＤ電極に電気的に接続すること
によりブリッジ回路を構成する少なくとも２つの歪抵抗
素子と、前記絶縁基板および歪抵抗素子の上面を覆うよ
うに設けた保護層とを備え、前記第１の絶縁層を薄膜で
構成するとともに第２の絶縁層を厚膜で構成した歪検出
装置。 - 【請求項２】 第２の絶縁層を第１の絶縁層の上面、側
面および基板の上面にわたって設けた請求項１に記載の
歪検出装置。 - 【請求項３】 第１の絶縁層をＳｉＯ2とした請求項１
に記載の歪検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001184501A JP2003004553A (ja) | 2001-06-19 | 2001-06-19 | 歪検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001184501A JP2003004553A (ja) | 2001-06-19 | 2001-06-19 | 歪検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003004553A true JP2003004553A (ja) | 2003-01-08 |
Family
ID=19024252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001184501A Pending JP2003004553A (ja) | 2001-06-19 | 2001-06-19 | 歪検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003004553A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009084539A1 (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-09 | Alps Electric Co., Ltd. | 荷重センサ |
-
2001
- 2001-06-19 JP JP2001184501A patent/JP2003004553A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009084539A1 (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-09 | Alps Electric Co., Ltd. | 荷重センサ |
| JPWO2009084539A1 (ja) * | 2007-12-27 | 2011-05-19 | アルプス電気株式会社 | 荷重センサ |
| US7997155B2 (en) | 2007-12-27 | 2011-08-16 | Alps Electric Co., Ltd. | Load sensor |
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