JP2000232304A - 同軸−マイクロストリップライン変換器 - Google Patents
同軸−マイクロストリップライン変換器Info
- Publication number
- JP2000232304A JP2000232304A JP3124799A JP3124799A JP2000232304A JP 2000232304 A JP2000232304 A JP 2000232304A JP 3124799 A JP3124799 A JP 3124799A JP 3124799 A JP3124799 A JP 3124799A JP 2000232304 A JP2000232304 A JP 2000232304A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 広帯域にわたって良好な入力反射特性及び挿
入損失特性を得ることのできる同軸−マイクロストリッ
プライン変換器を提供する。 【解決手段】 プリント基板１には、５０Ωのインピー
ダンスの本線、この本線に接続された１００Ωのインピ
ーダンスのＴ分岐導体（脚部２ｂ，２ｃ＋導体２ｄ，２
ｅ）、及びＴ分岐導体に接続された橋短導体２ｆを備え
る。脚部２ｂ，２ｃと橋短導体２ｆが平行し、かつ、導
体２ｄと２ｅが平行しており、２つの分岐経路は同一の
長さに設定されている。プリント基板１の裏面の接地導
体３上には同軸コネクタ５が取り付けられ、この同軸コ
ネクタ５の中心ピン６はプリント基板１に設けられた貫
通孔４を介してランド８に接続される。
入損失特性を得ることのできる同軸−マイクロストリッ
プライン変換器を提供する。 【解決手段】 プリント基板１には、５０Ωのインピー
ダンスの本線、この本線に接続された１００Ωのインピ
ーダンスのＴ分岐導体（脚部２ｂ，２ｃ＋導体２ｄ，２
ｅ）、及びＴ分岐導体に接続された橋短導体２ｆを備え
る。脚部２ｂ，２ｃと橋短導体２ｆが平行し、かつ、導
体２ｄと２ｅが平行しており、２つの分岐経路は同一の
長さに設定されている。プリント基板１の裏面の接地導
体３上には同軸コネクタ５が取り付けられ、この同軸コ
ネクタ５の中心ピン６はプリント基板１に設けられた貫
通孔４を介してランド８に接続される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、同軸−マイクロス
トリップライン変換器に関し、特に、マイクロストリッ
プラインに同軸コネクタを結合させて変換器を形成した
同軸−マイクロストリップライン変換器に関する。
トリップライン変換器に関し、特に、マイクロストリッ
プラインに同軸コネクタを結合させて変換器を形成した
同軸−マイクロストリップライン変換器に関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ帯で用いられるマイクロストリ
ップアンテナには、同軸−マイクロストリップライン変
換器が用いられている。この同軸−マイクロストリップ
ライン変換器は、プリント基板にストリップ導体と接地
導体が形成された構成のマイクロストリップラインと、
このマイクロストリップラインの背面に取り付けられた
同軸コネクタとを備えて構成されている。この同軸−マ
イクロストリップライン変換器の具体例として、実開昭
６２−１３９１０４号公報、実開昭６２−１３９１０５
号公報がある。
ップアンテナには、同軸−マイクロストリップライン変
換器が用いられている。この同軸−マイクロストリップ
ライン変換器は、プリント基板にストリップ導体と接地
導体が形成された構成のマイクロストリップラインと、
このマイクロストリップラインの背面に取り付けられた
同軸コネクタとを備えて構成されている。この同軸−マ
イクロストリップライン変換器の具体例として、実開昭
６２−１３９１０４号公報、実開昭６２−１３９１０５
号公報がある。
【０００３】図３は、従来の同軸−マイクロストリップ
ライン変換器を示す。図３の（ａ）に示すように、プリ
ント基板１１の表面にはインピーダンスが５０Ωのスト
リップ導体１２が銅箔等により形成されている。また、
プリント基板１１の裏面には接地導体１３が銅箔等によ
り形成されている。プリント基板１１には、ストリップ
導体１２に連通する貫通孔１４が設けられている。ま
た、プリント基板１１の裏面には、インピーダンスが５
０Ωの同軸コネクタ１５が取り付けられ、この同軸コネ
クタ１５の中心ピン１６は貫通孔１４を挿入されてお
り、その先端はプリント基板１１の表面から僅かに露出
し、半田１７によりマイクロストリップライン１２に接
続される。同軸コネクタ１５の基台１５ａは、接地導体
１３に半田付け、ネジ止め等により接続される。また、
中心ピン１６は、同軸コネクタ１５内の絶縁体１５ｂに
より保持されている。
ライン変換器を示す。図３の（ａ）に示すように、プリ
ント基板１１の表面にはインピーダンスが５０Ωのスト
リップ導体１２が銅箔等により形成されている。また、
プリント基板１１の裏面には接地導体１３が銅箔等によ
り形成されている。プリント基板１１には、ストリップ
導体１２に連通する貫通孔１４が設けられている。ま
た、プリント基板１１の裏面には、インピーダンスが５
０Ωの同軸コネクタ１５が取り付けられ、この同軸コネ
クタ１５の中心ピン１６は貫通孔１４を挿入されてお
り、その先端はプリント基板１１の表面から僅かに露出
し、半田１７によりマイクロストリップライン１２に接
続される。同軸コネクタ１５の基台１５ａは、接地導体
１３に半田付け、ネジ止め等により接続される。また、
中心ピン１６は、同軸コネクタ１５内の絶縁体１５ｂに
より保持されている。
【０００４】ストリップ導体１２は、図３の（ｂ）に示
すように、直線状に、かつ５０Ωのインピーダンスを持
つように形成され、その端部には円形のランド１８が設
けられている。このランド１８の中心に貫通孔１４が設
けられており、この貫通孔１４に中心ピン１６が挿入さ
れる。
すように、直線状に、かつ５０Ωのインピーダンスを持
つように形成され、その端部には円形のランド１８が設
けられている。このランド１８の中心に貫通孔１４が設
けられており、この貫通孔１４に中心ピン１６が挿入さ
れる。
【０００５】図４は、図３の同軸−マイクロストリップ
ライン変換器の入力反射特性及び挿入損失の周波数特性
を示す。図中の実線特性は入力反射特性を示し、点線特
性は挿入損失特性を示す。また、横軸は周波数（ＧＨ
ｚ）を示し、縦軸はマグニチュードを示す。入力反射特
性及び挿入損失は、共に周波数が高くなるにつれて劣化
する。
ライン変換器の入力反射特性及び挿入損失の周波数特性
を示す。図中の実線特性は入力反射特性を示し、点線特
性は挿入損失特性を示す。また、横軸は周波数（ＧＨ
ｚ）を示し、縦軸はマグニチュードを示す。入力反射特
性及び挿入損失は、共に周波数が高くなるにつれて劣化
する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の同軸−
マイクロストリップライン変換器によると、図４から明
らかなように、周波数が高くなるにつれて入力反射特性
が劣化する。また、周波数が高くなるにつれてランド部
分からの放射が増え、挿入損失が増えるという問題があ
る。
マイクロストリップライン変換器によると、図４から明
らかなように、周波数が高くなるにつれて入力反射特性
が劣化する。また、周波数が高くなるにつれてランド部
分からの放射が増え、挿入損失が増えるという問題があ
る。
【０００７】したがって、本発明は、広帯域にわたって
良好な入力反射特性及び挿入損失特性を得ることのでき
る同軸−マイクロストリップライン変換器を提供するこ
とを目的とする。
良好な入力反射特性及び挿入損失特性を得ることのでき
る同軸−マイクロストリップライン変換器を提供するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、マイクロストリップラインのストリップ
導体に同軸コネクタの中心導体を接続し、前記マイクロ
ストリップラインの接地導体に前記同軸コネクタの外部
導体を接続した同軸−マイクロストリップライン変換器
において、前記ストリップ導体は、胴部と両脚部を有す
るＴ分岐導体と、前記両脚部の端部から伸びる一対の導
体と、前記一対の導体を橋絡する直線状の橋絡導体によ
って構成され、前記同軸コネクタの中心導体は、前記橋
絡導体に設けられたランドに接続されることを特徴とす
る同軸−マイクロストリップライン変換器を提供する。
達成するため、マイクロストリップラインのストリップ
導体に同軸コネクタの中心導体を接続し、前記マイクロ
ストリップラインの接地導体に前記同軸コネクタの外部
導体を接続した同軸−マイクロストリップライン変換器
において、前記ストリップ導体は、胴部と両脚部を有す
るＴ分岐導体と、前記両脚部の端部から伸びる一対の導
体と、前記一対の導体を橋絡する直線状の橋絡導体によ
って構成され、前記同軸コネクタの中心導体は、前記橋
絡導体に設けられたランドに接続されることを特徴とす
る同軸−マイクロストリップライン変換器を提供する。
【０００９】この構成によれば、同軸コネクタに接続さ
れたランドに橋絡導体が接続され、この橋絡導体の両端
に一対の導体が接続され、更に、この一対の導体にはＴ
分岐導体が接続され、このＴ分岐導体にストリップ導体
が接続されることにより、Ｔ分岐回路が形成される。Ｔ
分岐回路は、インピーダンス変成機能を持たないＴ分岐
によってマイクロストリップラインに合波している。し
たがって、同軸コネクタからマイクロストリップライン
側を見た場合、広帯域にわたって良好な入力反射特性及
び挿入損失特性を持つことができる。
れたランドに橋絡導体が接続され、この橋絡導体の両端
に一対の導体が接続され、更に、この一対の導体にはＴ
分岐導体が接続され、このＴ分岐導体にストリップ導体
が接続されることにより、Ｔ分岐回路が形成される。Ｔ
分岐回路は、インピーダンス変成機能を持たないＴ分岐
によってマイクロストリップラインに合波している。し
たがって、同軸コネクタからマイクロストリップライン
側を見た場合、広帯域にわたって良好な入力反射特性及
び挿入損失特性を持つことができる。
【００１０】また、同軸コネクタの中心導体とマイクロ
ストリップラインとの接点であるランドに対して、橋絡
導体が対称な構造であるため、ランドにおける磁流のア
ンバランスが無く、放射損を軽減することができる。
ストリップラインとの接点であるランドに対して、橋絡
導体が対称な構造であるため、ランドにおける磁流のア
ンバランスが無く、放射損を軽減することができる。
【００１１】さらに、本発明は、１００Ωのストリップ
導体の脚部を合波する際にインピーダンス変成器を用い
ていないため、広帯域にわたって良好な特性を得ること
ができる。
導体の脚部を合波する際にインピーダンス変成器を用い
ていないため、広帯域にわたって良好な特性を得ること
ができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１は、本発明による同軸−マイ
クロストリップライン変換器を示す。図１の（ａ）に示
すように、プリント基板１の表面には銅箔等によりスト
リップ導体２が形成され、更に、プリント基板１の裏面
には接地導体３が銅箔等により形成されている。プリン
ト基板１には、ストリップ導体２に設けられたランド８
に連通する貫通孔４が設けられている。プリント基板１
の裏面には同軸コネクタ５が取り付けられ、この同軸コ
ネクタ５の中心ピン６（中心導体）は貫通孔４を通過
し、その先端はランド８に半田７により半田付けされて
いる。同軸コネクタ５の基台５ａは、接地導体３に半田
付けやネジ止め等により電気的かつ機械的に接続され
る。また、中心ピン６は、同軸コネクタ５内の絶縁体５
ｂにより保持されている。
に基づいて説明する。図１は、本発明による同軸−マイ
クロストリップライン変換器を示す。図１の（ａ）に示
すように、プリント基板１の表面には銅箔等によりスト
リップ導体２が形成され、更に、プリント基板１の裏面
には接地導体３が銅箔等により形成されている。プリン
ト基板１には、ストリップ導体２に設けられたランド８
に連通する貫通孔４が設けられている。プリント基板１
の裏面には同軸コネクタ５が取り付けられ、この同軸コ
ネクタ５の中心ピン６（中心導体）は貫通孔４を通過
し、その先端はランド８に半田７により半田付けされて
いる。同軸コネクタ５の基台５ａは、接地導体３に半田
付けやネジ止め等により電気的かつ機械的に接続され
る。また、中心ピン６は、同軸コネクタ５内の絶縁体５
ｂにより保持されている。
【００１３】図１の（ｂ）に示すように、ストリップ導
体２は略四角形を成し、５０Ωの本線（ストリップ導
体）の端部に位置する胴部２ａ、この胴部２ａにＴ字形
を成すように接続されている脚部２ｂ，２ｃ、この脚部
２ｂ，２ｃのそれぞれに接続されている直線状の導体２
ｄ，２ｅ、この導体２ｄ，２ｅの両端を連結する橋短導
体２ｆを備えて構成されている。橋短導体２ｆの中間に
は、ランド８が設けられている。脚部２ｂと導体２ｄの
経路（第１の経路）、及び脚部２ｃと導体２ｅの経路
（第２の経路）は、共に１００Ωのインピーダンスを持
つように設計されている。脚部２ｂ，２ｃ、導体２ｄ，
２ｅ、及び橋短導体２ｆによりＴ分岐回路が形成され
る。胴部２ａと脚部２ｂ，２ｃの接続点と、ランド８ま
での両側の経路の長さ（距離）は同一にする。
体２は略四角形を成し、５０Ωの本線（ストリップ導
体）の端部に位置する胴部２ａ、この胴部２ａにＴ字形
を成すように接続されている脚部２ｂ，２ｃ、この脚部
２ｂ，２ｃのそれぞれに接続されている直線状の導体２
ｄ，２ｅ、この導体２ｄ，２ｅの両端を連結する橋短導
体２ｆを備えて構成されている。橋短導体２ｆの中間に
は、ランド８が設けられている。脚部２ｂと導体２ｄの
経路（第１の経路）、及び脚部２ｃと導体２ｅの経路
（第２の経路）は、共に１００Ωのインピーダンスを持
つように設計されている。脚部２ｂ，２ｃ、導体２ｄ，
２ｅ、及び橋短導体２ｆによりＴ分岐回路が形成され
る。胴部２ａと脚部２ｂ，２ｃの接続点と、ランド８ま
での両側の経路の長さ（距離）は同一にする。
【００１４】図１の構成において、１００Ωのインピー
ダンスを持つ第１の経路及び第２経路は、ランド８の対
向位置から等距離をもって対称型に配線された後、５０
Ωのインピーダンスを持つ胴部２ａに合波される。この
ように、同軸コネクタ５から見た第１の経路及び第２経
路はインピーダンス変成機能を持たないので、周波数特
性を持たない。したがって、反射特性を広帯域にわたっ
て良好にすることができる。
ダンスを持つ第１の経路及び第２経路は、ランド８の対
向位置から等距離をもって対称型に配線された後、５０
Ωのインピーダンスを持つ胴部２ａに合波される。この
ように、同軸コネクタ５から見た第１の経路及び第２経
路はインピーダンス変成機能を持たないので、周波数特
性を持たない。したがって、反射特性を広帯域にわたっ
て良好にすることができる。
【００１５】また、第１の経路及び第２経路は対称な構
造であるため、この部分における磁流のアンバランスは
生ぜず、放射損を軽減することができる。更に、第１の
経路と第２経路を合波する際にインピーダンス変成器を
用いていないため、広帯域にわたって良好な特性を得る
ことができる。
造であるため、この部分における磁流のアンバランスは
生ぜず、放射損を軽減することができる。更に、第１の
経路と第２経路を合波する際にインピーダンス変成器を
用いていないため、広帯域にわたって良好な特性を得る
ことができる。
【００１６】図２は本発明による同軸−マイクロストリ
ップライン変換器の入力反射特性及び挿入損失の周波数
特性を示す。図２から明らかなように、入力反射特性は
変動は生じているものの、周波数によらずほぼ一定の範
囲内にあり、劣化は見られない。また、挿入損失特性
は、周波数が高くなっても殆ど低下することがない。こ
のように、本発明によれば、周波数によらず安定した特
性が得られる。
ップライン変換器の入力反射特性及び挿入損失の周波数
特性を示す。図２から明らかなように、入力反射特性は
変動は生じているものの、周波数によらずほぼ一定の範
囲内にあり、劣化は見られない。また、挿入損失特性
は、周波数が高くなっても殆ど低下することがない。こ
のように、本発明によれば、周波数によらず安定した特
性が得られる。
【００１７】上記した実施の形態においては、広帯域に
わたって良好な特性が得られるように、Ｔ分岐回路には
インピーダンス変成器を用いていない。しかし、或る周
波数帯域に限って使用する場合には、ランドにおいて２
分岐される第１の経路と第２経路を最適なライン幅に
し、また、Ｔ分岐回路における最適なライン幅を独立に
設計したインピーダンス変成器を設ければよい。
わたって良好な特性が得られるように、Ｔ分岐回路には
インピーダンス変成器を用いていない。しかし、或る周
波数帯域に限って使用する場合には、ランドにおいて２
分岐される第１の経路と第２経路を最適なライン幅に
し、また、Ｔ分岐回路における最適なライン幅を独立に
設計したインピーダンス変成器を設ければよい。
【００１８】また、本発明の実施の形態においては、同
軸コネクタとしてＭ型同軸コネクタを用いたが、ＳＭＡ
型に限定されるものではなく、例えば、Ｎ型、ＢＮＣ型
等の他の構造形式の同軸コネクタを用いることができ
る。
軸コネクタとしてＭ型同軸コネクタを用いたが、ＳＭＡ
型に限定されるものではなく、例えば、Ｎ型、ＢＮＣ型
等の他の構造形式の同軸コネクタを用いることができ
る。
【００１９】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明の同軸−マイ
クロストリップライン変換器によれば、同軸コネクタに
接続されるランドとストリップ導体とをＴ分岐導体を介
して接続するようにしたので、広帯域にわたって良好な
入力反射特性、及び挿入損失特性を得ることができる。
クロストリップライン変換器によれば、同軸コネクタに
接続されるランドとストリップ導体とをＴ分岐導体を介
して接続するようにしたので、広帯域にわたって良好な
入力反射特性、及び挿入損失特性を得ることができる。
【００２０】また、同軸中心ピンとストリップ導体との
接点であるランドに対して、橋短導体が対称な構造であ
るため、この部分における磁流のアンバランスが無く、
放射損を軽減することができる。
接点であるランドに対して、橋短導体が対称な構造であ
るため、この部分における磁流のアンバランスが無く、
放射損を軽減することができる。
【００２１】さらに、本発明は、１００ΩのＴ分岐導体
を本線側に合波する際にインピーダンス変成器を用いて
いないため、広帯域にわたって良好な特性を得ることが
できる。
を本線側に合波する際にインピーダンス変成器を用いて
いないため、広帯域にわたって良好な特性を得ることが
できる。
【図１】本発明による同軸−マイクロストリップライン
変換器を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）はストリップ導
体の平面図である。
変換器を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）はストリップ導
体の平面図である。
【図２】本発明による同軸−マイクロストリップライン
変換器の入力反射特性及び挿入損失の周波数特性を示す
特性図である。
変換器の入力反射特性及び挿入損失の周波数特性を示す
特性図である。
【図３】従来の同軸−マイクロストリップライン変換器
を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）はストリップ導体の平
面図である。
を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）はストリップ導体の平
面図である。
【図４】図３の同軸−マイクロストリップライン変換器
の入力反射特性及び挿入損失の周波数特性を示す特性図
である。
の入力反射特性及び挿入損失の周波数特性を示す特性図
である。
１，１１ プリント基板 ２，１２ ストリップ導体 ２ａ 胴部 ２ｂ，２ｃ 脚部 ２ｄ，２ｅ 導体 ２ｆ 橋短導体 ３，１３ 接地導体 ４，１４ 貫通孔 ５，１５ 同軸コネクタ ５ａ，１５ａ 基台 ６，１６ 中心ピン ７，１７ 半田 ８，１８ ランド
Claims (4)
- 【請求項１】 マイクロストリップラインのストリップ
導体に同軸コネクタの中心導体を接続し、前記マイクロ
ストリップラインの接地導体に前記同軸コネクタの外部
導体を接続した同軸−マイクロストリップライン変換器
において、 前記ストリップ導体は、胴部と両脚部を有するＴ分岐導
体と、前記両脚部の端部から伸びる一対の導体と、前記
一対の導体を橋絡する直線状の橋絡導体によって構成さ
れ、 前記同軸コネクタの中心導体は、前記橋絡導体に設けら
れたランドに接続されることを特徴とする同軸−マイク
ロストリップライン変換器。 - 【請求項２】前記ストリップ導体の前記両脚部及び前記
一対の導体は、相対するように設けられていることを特
徴とする請求項１記載の同軸−マイクロストリップライ
ン変換器。 - 【請求項３】 前記ストリップ導体の前記両脚部、前記
一対の導体、及び前記橋絡導体は、使用する周波数帯域
に合わせて最適なライン幅に設定されることを特徴とす
る請求項１記載の同軸−マイクロストリップライン変換
器。 - 【請求項４】 前記ストリップ導体の前記胴部は、イン
ピーダンスが５０Ωり、 前記ストリップ導体の前記両脚部、前記一対の導体、及
び前記橋絡導体は、インピーダンスが１００Ωであるこ
とを特徴とする請求項１記載の同軸−マイクロストリッ
プライン変換器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03124799A JP3199050B2 (ja) | 1999-02-09 | 1999-02-09 | 同軸−マイクロストリップライン変換器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03124799A JP3199050B2 (ja) | 1999-02-09 | 1999-02-09 | 同軸−マイクロストリップライン変換器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000232304A true JP2000232304A (ja) | 2000-08-22 |
| JP3199050B2 JP3199050B2 (ja) | 2001-08-13 |
Family
ID=12326055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03124799A Expired - Lifetime JP3199050B2 (ja) | 1999-02-09 | 1999-02-09 | 同軸−マイクロストリップライン変換器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3199050B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009108620A1 (en) * | 2008-02-27 | 2009-09-03 | Endwave Corporation | Coaxial-to-microstrip transitions and manufacturing methods |
-
1999
- 1999-02-09 JP JP03124799A patent/JP3199050B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009108620A1 (en) * | 2008-02-27 | 2009-09-03 | Endwave Corporation | Coaxial-to-microstrip transitions and manufacturing methods |
| US7750764B2 (en) | 2008-02-27 | 2010-07-06 | Microsemi Corporation | Coaxial-to-microstrip transitions and manufacturing methods |
| US7915981B2 (en) | 2008-02-27 | 2011-03-29 | Microsemi Corporation | Coaxial-to-microstrip transitions |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3199050B2 (ja) | 2001-08-13 |
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