JP2000228576A - バンプを具備する回路基板とその製造方法 - Google Patents
バンプを具備する回路基板とその製造方法Info
- Publication number
- JP2000228576A JP2000228576A JP11029419A JP2941999A JP2000228576A JP 2000228576 A JP2000228576 A JP 2000228576A JP 11029419 A JP11029419 A JP 11029419A JP 2941999 A JP2941999 A JP 2941999A JP 2000228576 A JP2000228576 A JP 2000228576A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- bump
- amount
- circuit board
- bumps
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 220
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 50
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 29
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 29
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 3
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229940101532 meted Drugs 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 241001270131 Agaricus moelleri Species 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/114—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the bump connector
- H01L2224/1141—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the bump connector in liquid form
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/115—Manufacturing methods by chemical or physical modification of a pre-existing or pre-deposited material
- H01L2224/1155—Selective modification
- H01L2224/11552—Selective modification using a laser or a focussed ion beam [FIB]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
- H01L2224/1401—Structure
- H01L2224/1403—Bump connectors having different sizes, e.g. different diameters, heights or widths
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
- H01L2924/3511—Warping
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板の反りに対応して半田の溶融量を制御す
ることにより、集積回路基板の複数の接続端子に形成さ
れるバンプの高さを揃えることが可能なバンプを具備す
る回路基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 半田ペースト塗布配設工程では、基板１
の表面に形成されている複数の接続端子１０ａ〜１０ｅ
を覆って半田ペースト２が、一定の厚みで塗布配設さ
れ、バンプ調整形成工程では、局部加熱熱源３の放射熱
量、局部加熱熱源３の熱放射時間、局部加熱熱源３の熱
照射走査領域の何れかが、対応位置基板１の反り量に対
応して調整制御されるので、局部加熱熱源３からの熱に
よる半田ペースト２内の半田の溶融量が、基板１の反り
量に応じて調整制御され、複数の接続端子１０ａ〜１０
ｅに、それぞれ接続形成される半田バンプ６ａ〜６ｅの
先端が、ほぼ同一平面上に配置され、基板１への集積回
路チップの接続実装時に、接続不良の個所の発生を防止
することが可能になる。
ることにより、集積回路基板の複数の接続端子に形成さ
れるバンプの高さを揃えることが可能なバンプを具備す
る回路基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 半田ペースト塗布配設工程では、基板１
の表面に形成されている複数の接続端子１０ａ〜１０ｅ
を覆って半田ペースト２が、一定の厚みで塗布配設さ
れ、バンプ調整形成工程では、局部加熱熱源３の放射熱
量、局部加熱熱源３の熱放射時間、局部加熱熱源３の熱
照射走査領域の何れかが、対応位置基板１の反り量に対
応して調整制御されるので、局部加熱熱源３からの熱に
よる半田ペースト２内の半田の溶融量が、基板１の反り
量に応じて調整制御され、複数の接続端子１０ａ〜１０
ｅに、それぞれ接続形成される半田バンプ６ａ〜６ｅの
先端が、ほぼ同一平面上に配置され、基板１への集積回
路チップの接続実装時に、接続不良の個所の発生を防止
することが可能になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半田バンブを具備
する回路基板と、半田バンプを具備する回路基板の製造
方法とに関する。
する回路基板と、半田バンプを具備する回路基板の製造
方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、集積回路チップを集積回路基板
に実装する場合には、集積回路チップ及び集積回路基板
の接合面に、格子状或いは千鳥状に複数の面接合端子を
形成し、これらの面接合端子を互いに接続するが、この
場合に、集積回路基板上に形成した下地導電性パッド上
に半球状または球状の半田バンプを形成することが行わ
れている。この半田バンプは、集積回路チップとの接合
性を高めるためには、高さが揃っていることが望ましい
が、集積回路基板に存在するは反りに起因して通常半田
バンプの高さは、ある程度のばらつきが存在する。この
ように、半田バンプの高さにばらつきが存在すると、集
積回路基板に集積回路チップを接続実装させる際に、接
続不良の個所が発生することがある。
に実装する場合には、集積回路チップ及び集積回路基板
の接合面に、格子状或いは千鳥状に複数の面接合端子を
形成し、これらの面接合端子を互いに接続するが、この
場合に、集積回路基板上に形成した下地導電性パッド上
に半球状または球状の半田バンプを形成することが行わ
れている。この半田バンプは、集積回路チップとの接合
性を高めるためには、高さが揃っていることが望ましい
が、集積回路基板に存在するは反りに起因して通常半田
バンプの高さは、ある程度のばらつきが存在する。この
ように、半田バンプの高さにばらつきが存在すると、集
積回路基板に集積回路チップを接続実装させる際に、接
続不良の個所が発生することがある。
【０００３】この問題を解決するために、半田バンプの
高さのばらつきを研磨などの機械加工によって取り除
き、半田バンプの高さを揃えることが行われている。ま
た、特開平１０−１３００７号公報には、集積回路基板
の下地導電性パッドを覆って半田共晶ペーストを印刷し
て複数のペースト層を形成し、これらの複数のペースト
層を覆って平坦化治具を集積回路基板上にセットし、リ
フロー炉内で半田の融点よりも高い温度に加熱後に冷却
することにより、頂部が平坦な半田バンプを具備する集
積回路基板を製造する方法が開示されている。
高さのばらつきを研磨などの機械加工によって取り除
き、半田バンプの高さを揃えることが行われている。ま
た、特開平１０−１３００７号公報には、集積回路基板
の下地導電性パッドを覆って半田共晶ペーストを印刷し
て複数のペースト層を形成し、これらの複数のペースト
層を覆って平坦化治具を集積回路基板上にセットし、リ
フロー炉内で半田の融点よりも高い温度に加熱後に冷却
することにより、頂部が平坦な半田バンプを具備する集
積回路基板を製造する方法が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】集積回路基板に形成す
る半田バンプの高さのばらつきを取り除くために、機械
加工による処理を行うと、集積回路基板を損傷するおそ
れがあり、特開平１０−１３００７号公報に開示されて
いる平坦化治具を使用する方法では、集積回路基板に反
りが存在すると、平坦化治具が傾斜して配置されること
になり、頂部が完全に平坦な半田バンプを形成すること
ができない。
る半田バンプの高さのばらつきを取り除くために、機械
加工による処理を行うと、集積回路基板を損傷するおそ
れがあり、特開平１０−１３００７号公報に開示されて
いる平坦化治具を使用する方法では、集積回路基板に反
りが存在すると、平坦化治具が傾斜して配置されること
になり、頂部が完全に平坦な半田バンプを形成すること
ができない。
【０００５】本発明は、前述したような集積回路基板へ
の半田バンプ形成の現状に鑑みてなされたものであり、
その第１の目的は、基板の反りに対応する半田の溶融量
の制御によって、複数の接続端子に形成されるバンプ
が、高さを揃えて形成されているバンプを具備する回路
基板を提供することにある。また、本発明の第２の目的
は、基板の反りに対応する半田の溶融量の制御によっ
て、集積回路基板の複数の接続端子に形成されるバンプ
を、高さを揃えて形成することが可能なバンプを具備す
る回路基板の製造方法を提供することにある。
の半田バンプ形成の現状に鑑みてなされたものであり、
その第１の目的は、基板の反りに対応する半田の溶融量
の制御によって、複数の接続端子に形成されるバンプ
が、高さを揃えて形成されているバンプを具備する回路
基板を提供することにある。また、本発明の第２の目的
は、基板の反りに対応する半田の溶融量の制御によっ
て、集積回路基板の複数の接続端子に形成されるバンプ
を、高さを揃えて形成することが可能なバンプを具備す
る回路基板の製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記第１の目的を達成す
るために、請求項１記載の発明は、基板表面の複数の接
続端子に半田バンプが形成されたバンブを具備する回路
基板であり、前記基板の反りに対応して、前記複数の接
続端子に形成されるバンプは、形成時の半田の溶融量の
制御により、それぞれの高さが調整され、先端がほぼ同
一面上に位置するように形成されていることを特徴とす
るものである。
るために、請求項１記載の発明は、基板表面の複数の接
続端子に半田バンプが形成されたバンブを具備する回路
基板であり、前記基板の反りに対応して、前記複数の接
続端子に形成されるバンプは、形成時の半田の溶融量の
制御により、それぞれの高さが調整され、先端がほぼ同
一面上に位置するように形成されていることを特徴とす
るものである。
【０００７】前記第２の目的を達成するために、請求項
２記載の発明は、基板表面に形成される複数の接続端子
に、半田バンプをそれぞれ接続形成することにより、前
記複数の接続端子に半田バンプがそれぞれ接続形成され
た回路基板を製造するバンプを具備する回路基板の製造
方法であり、前記複数の接続端子を覆って半田ペースト
を塗布配設する半田ペースト塗布配設工程と、熱源から
の熱による前記半田ペースト内の半田の溶融量を、前記
基板の反り量に対応して調整制御することにより、前記
半田バンプの先端をほぼ同一平面上に配置させてバンプ
を形成するバンプ調整形成工程とを有することを特徴と
するものである。
２記載の発明は、基板表面に形成される複数の接続端子
に、半田バンプをそれぞれ接続形成することにより、前
記複数の接続端子に半田バンプがそれぞれ接続形成され
た回路基板を製造するバンプを具備する回路基板の製造
方法であり、前記複数の接続端子を覆って半田ペースト
を塗布配設する半田ペースト塗布配設工程と、熱源から
の熱による前記半田ペースト内の半田の溶融量を、前記
基板の反り量に対応して調整制御することにより、前記
半田バンプの先端をほぼ同一平面上に配置させてバンプ
を形成するバンプ調整形成工程とを有することを特徴と
するものである。
【０００８】同様に前記第２の目的を達成するために、
請求項３記載の発明は、請求項２記載の発明において、
前記バンプ調整形成工程により、前記接続端子位置の前
記反り量に対応して、前記熱源からの放射熱量を調整す
ることにより、前記半田の溶融量が調整制御されて、前
記半田バンプの先端位置が調整されることを特徴とする
ものである。
請求項３記載の発明は、請求項２記載の発明において、
前記バンプ調整形成工程により、前記接続端子位置の前
記反り量に対応して、前記熱源からの放射熱量を調整す
ることにより、前記半田の溶融量が調整制御されて、前
記半田バンプの先端位置が調整されることを特徴とする
ものである。
【０００９】同様に前記第２の目的を達成するために、
請求項４記載の発明は、請求項２記載の発明において、
前記バンプ調整形成工程により、前記接続端子位置の前
記反り量に対応して、前記熱源による加熱時間を調整す
ることにより、前記半田の溶融量が調整制御されて、前
記半田バンプの先端位置が調整されることを特徴とする
ものである。
請求項４記載の発明は、請求項２記載の発明において、
前記バンプ調整形成工程により、前記接続端子位置の前
記反り量に対応して、前記熱源による加熱時間を調整す
ることにより、前記半田の溶融量が調整制御されて、前
記半田バンプの先端位置が調整されることを特徴とする
ものである。
【００１０】同様に前記第２の目的を達成するために、
請求項５記載の発明は、請求項２記載の発明において、
前記バンプ調整形成工程により、前記接続端子位置の前
記反り量に対応して、前記熱源の加熱範囲を調整するこ
とにより、前記半田の溶融量が調整制御されて、前記半
田バンプの先端位置が調整されることを特徴とするもの
である。
請求項５記載の発明は、請求項２記載の発明において、
前記バンプ調整形成工程により、前記接続端子位置の前
記反り量に対応して、前記熱源の加熱範囲を調整するこ
とにより、前記半田の溶融量が調整制御されて、前記半
田バンプの先端位置が調整されることを特徴とするもの
である。
【００１１】同様に前記第２の目的を達成するために、
請求項６記載の発明は、請求項２記載の発明において、
前記バンプ調整形成工程により、前記半田ペーストの表
面の上方に設定された水平焦点位置に発振光の焦点が位
置されたレーザ光を熱源として、前記接続端子位置の前
記半田ペーストの半田を溶融することにより、前記半田
の溶融量が調整制御されて、前記半田バンプの先端位置
が調整されることを特徴とするものである。
請求項６記載の発明は、請求項２記載の発明において、
前記バンプ調整形成工程により、前記半田ペーストの表
面の上方に設定された水平焦点位置に発振光の焦点が位
置されたレーザ光を熱源として、前記接続端子位置の前
記半田ペーストの半田を溶融することにより、前記半田
の溶融量が調整制御されて、前記半田バンプの先端位置
が調整されることを特徴とするものである。
【００１２】同様に前記第２の目的を達成するために、
請求項７記載の発明は、基板表面に形成される複数の接
続端子に、半田バンプをそれぞれ接続形成することによ
り、前記複数の接続端子に半田バンプがそれぞれ接続形
成された回路基板を製造するバンプを具備する回路基板
の製造方法であり、前記接続端子を覆って半田ペースト
を塗布配設する半田ペースト塗布配設工程と、前記複数
の接続端子位置において、塗布配設された前記半田ペー
スト上に半田ボールをそれぞれ配置する半田ボール配置
工程と、 熱源からの熱による前記接続端子位置での半
田の溶融量を、前記基板の反り量に対応して調整制御す
ることにより、前記半田バンプの先端をほぼ同一平面上
に配置させるバンプ調整形成工程とを有することを特徴
とするものである。
請求項７記載の発明は、基板表面に形成される複数の接
続端子に、半田バンプをそれぞれ接続形成することによ
り、前記複数の接続端子に半田バンプがそれぞれ接続形
成された回路基板を製造するバンプを具備する回路基板
の製造方法であり、前記接続端子を覆って半田ペースト
を塗布配設する半田ペースト塗布配設工程と、前記複数
の接続端子位置において、塗布配設された前記半田ペー
スト上に半田ボールをそれぞれ配置する半田ボール配置
工程と、 熱源からの熱による前記接続端子位置での半
田の溶融量を、前記基板の反り量に対応して調整制御す
ることにより、前記半田バンプの先端をほぼ同一平面上
に配置させるバンプ調整形成工程とを有することを特徴
とするものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に本発明を、バンプを具備す
る回路基板の製造方法の各実施の形態に基づいて説明す
る。
る回路基板の製造方法の各実施の形態に基づいて説明す
る。
【００１４】［第１の実施の形態］本発明の第１の実施
の形態を、図１ないし図４に基づいて説明する。図１は
本実施の形態による回路基板製造の説明図、図２は本実
施の形態の第１の半田ペースト塗布配設工程の説明図、
図３は本実施の形態の第２の半田ペースト塗布配設工程
の説明図、図４は本実施の形態により製造されるバンプ
を具備する回路基板の要部の構成を示す説明図である。
の形態を、図１ないし図４に基づいて説明する。図１は
本実施の形態による回路基板製造の説明図、図２は本実
施の形態の第１の半田ペースト塗布配設工程の説明図、
図３は本実施の形態の第２の半田ペースト塗布配設工程
の説明図、図４は本実施の形態により製造されるバンプ
を具備する回路基板の要部の構成を示す説明図である。
【００１５】本実施の形態では、図２に示すように、例
えばセラミックで形成された基板１上には、例えばＣｕ
などの導電性金属にＣｒが蒸着されて接続端子１０ａ〜
１０ｅが形成されており、半田ペースト塗布配設工程で
は、これらの接続端子１０ａ〜１０ｅを覆って、非剛性
のマスクを配置し、スキージによりマスクの開口部を通
して、基板１の表面に一定厚みで半田ペースト２ａが塗
布される。
えばセラミックで形成された基板１上には、例えばＣｕ
などの導電性金属にＣｒが蒸着されて接続端子１０ａ〜
１０ｅが形成されており、半田ペースト塗布配設工程で
は、これらの接続端子１０ａ〜１０ｅを覆って、非剛性
のマスクを配置し、スキージによりマスクの開口部を通
して、基板１の表面に一定厚みで半田ペースト２ａが塗
布される。
【００１６】次いで、バンプ調整形成工程により、接続
端子１０ａ〜１０ｅ位置において、接続端子１０ａ〜１
０ｅ上に塗布された半田ペースト２ａを局部加熱熱源３
によって、局部加熱することにより、接続端子１０ａ〜
１０ｅ位置の半田ペースト２ａ内の半田の溶融量が、接
続端子１０ａ〜１０ｅ位置での基板１の反り量に対応し
て調整制御された状態で、接続端子１０ａ〜１０ｅにそ
れぞれ半田バンプが接続して形成される。
端子１０ａ〜１０ｅ位置において、接続端子１０ａ〜１
０ｅ上に塗布された半田ペースト２ａを局部加熱熱源３
によって、局部加熱することにより、接続端子１０ａ〜
１０ｅ位置の半田ペースト２ａ内の半田の溶融量が、接
続端子１０ａ〜１０ｅ位置での基板１の反り量に対応し
て調整制御された状態で、接続端子１０ａ〜１０ｅにそ
れぞれ半田バンプが接続して形成される。
【００１７】本実施の形態において、接続端子１０ａ〜
１０ｅ位置での基板１の反り量に対応して、半田ペース
ト２ａ内の半田の溶融量を調整制御する第１の方法で
は、レーザー変位計で各接続端子１０ａ〜１０ｅ位置に
おける基板１の反り量が測定され、局部加熱熱源３によ
って、各接続端子１０ａ〜１０ｅ位置の半田ペースト２
ａの加熱時に、測定された反り量に対応して、局部加熱
熱源３の放射熱量が、反り量の大きい場所では高めら
れ、反り量の小さい場所では低下するように制御され
る。このようにして、図１に示すように、反り量が最大
の接続端子１０ｃ位置では、最大の所定値に設定された
局部加熱熱源３の放射熱量によって、半田溶融部５ｃが
加熱溶融され、反り量が最小の接続端子１０ａ位置で
は、最小の所定値に設定された局部加熱熱源３の放射熱
量によって、半田溶融部５ａがそれぞれ加熱溶融され
る。また、図１では記載が省略されているが、接続端子
１０ｅ位置では、接続端子１０ａと同様に最小の放射熱
量によって、半田ペースト２ａ内の半田が溶融され、接
続端子１０ｂ、１０ｄ位置では、最大熱量値と最小熱量
値との中間の熱量値に設定された局部加熱熱源３の放射
熱によって、半田ペースト２ａ内の半田が溶融される。
１０ｅ位置での基板１の反り量に対応して、半田ペース
ト２ａ内の半田の溶融量を調整制御する第１の方法で
は、レーザー変位計で各接続端子１０ａ〜１０ｅ位置に
おける基板１の反り量が測定され、局部加熱熱源３によ
って、各接続端子１０ａ〜１０ｅ位置の半田ペースト２
ａの加熱時に、測定された反り量に対応して、局部加熱
熱源３の放射熱量が、反り量の大きい場所では高めら
れ、反り量の小さい場所では低下するように制御され
る。このようにして、図１に示すように、反り量が最大
の接続端子１０ｃ位置では、最大の所定値に設定された
局部加熱熱源３の放射熱量によって、半田溶融部５ｃが
加熱溶融され、反り量が最小の接続端子１０ａ位置で
は、最小の所定値に設定された局部加熱熱源３の放射熱
量によって、半田溶融部５ａがそれぞれ加熱溶融され
る。また、図１では記載が省略されているが、接続端子
１０ｅ位置では、接続端子１０ａと同様に最小の放射熱
量によって、半田ペースト２ａ内の半田が溶融され、接
続端子１０ｂ、１０ｄ位置では、最大熱量値と最小熱量
値との中間の熱量値に設定された局部加熱熱源３の放射
熱によって、半田ペースト２ａ内の半田が溶融される。
【００１８】このように、各接続端子位置において、局
部加熱熱源３の放射熱量がそれぞれ設定され、設定され
た放射熱量によって、その位置の半田ペースト２ａ内の
半田が溶融されるので、接続端子１０ｃに最大径の球状
の半田バンプ６ｃが濡れ接続形成され、接続端子１０
ａ、１０ｅに最小径の球状の半田バンプ６ａ、６ｅが濡
れ接続形成され、接続端子１０ｂ、１０ｄに中間径の半
田バンプ６ｂ、６ｄが濡れ接続形成される。そして、洗
浄によつて、余分の半田ペーストを除去した基板１上に
は、図４に示すように、予め設定される各接続端子位置
での局部加熱熱源３の放射熱量により、各半田バンプ６
ａ〜６ｅの上端が、水平直線Ｌ上に揃えられるような径
を有するように、各半田バンプ６ａ〜６ｅが溶融形成さ
れる。
部加熱熱源３の放射熱量がそれぞれ設定され、設定され
た放射熱量によって、その位置の半田ペースト２ａ内の
半田が溶融されるので、接続端子１０ｃに最大径の球状
の半田バンプ６ｃが濡れ接続形成され、接続端子１０
ａ、１０ｅに最小径の球状の半田バンプ６ａ、６ｅが濡
れ接続形成され、接続端子１０ｂ、１０ｄに中間径の半
田バンプ６ｂ、６ｄが濡れ接続形成される。そして、洗
浄によつて、余分の半田ペーストを除去した基板１上に
は、図４に示すように、予め設定される各接続端子位置
での局部加熱熱源３の放射熱量により、各半田バンプ６
ａ〜６ｅの上端が、水平直線Ｌ上に揃えられるような径
を有するように、各半田バンプ６ａ〜６ｅが溶融形成さ
れる。
【００１９】本実施の形態において、接続端子１０ａ〜
１０ｅ位置での基板１の反り量に対応して、半田ペース
ト２ａ内の半田の溶融量を調整制御する第２の方法で
は、レーザー変位計で各接続端子１０ａ〜１０ｅ位置に
おける基板１の反り量が測定され、局部加熱熱源３によ
る各接続端子１０ａ〜１０ｅ位置の半田ペースト２ａの
加熱時には、局部加熱熱源３による加熱時間が、測定さ
れた反り量に対応して、反り量の大きい場所では長く、
反り量の小さい場所では短くなるように制御される。
１０ｅ位置での基板１の反り量に対応して、半田ペース
ト２ａ内の半田の溶融量を調整制御する第２の方法で
は、レーザー変位計で各接続端子１０ａ〜１０ｅ位置に
おける基板１の反り量が測定され、局部加熱熱源３によ
る各接続端子１０ａ〜１０ｅ位置の半田ペースト２ａの
加熱時には、局部加熱熱源３による加熱時間が、測定さ
れた反り量に対応して、反り量の大きい場所では長く、
反り量の小さい場所では短くなるように制御される。
【００２０】この場合も、局部加熱熱源３の加熱時間の
変化によつて、接続端子１０ｃに最大径の球状の半田バ
ンプ６ｃが濡れ接続形成され、接続端子１０ａ、１０ｅ
に最小径の球状の半田バンプ６ａ、６ｅが濡れ接続形成
され、接続端子１０ｂ、１０ｄに中間径の半田バンプ６
ｂ、６ｄが濡れ接続形成される。そして、洗浄によつ
て、余分の半田ペーストを除去した基板１上には、図４
に示すように、予め設定制御される各接続端子位置での
局部加熱熱源３の加熱時間により、各半田バンプ６ａ〜
６ｅの上端が、水平直線Ｌ上に揃えられるような径を有
するように、各半田バンプ６ａ〜６ｅが溶融形成され
る。
変化によつて、接続端子１０ｃに最大径の球状の半田バ
ンプ６ｃが濡れ接続形成され、接続端子１０ａ、１０ｅ
に最小径の球状の半田バンプ６ａ、６ｅが濡れ接続形成
され、接続端子１０ｂ、１０ｄに中間径の半田バンプ６
ｂ、６ｄが濡れ接続形成される。そして、洗浄によつ
て、余分の半田ペーストを除去した基板１上には、図４
に示すように、予め設定制御される各接続端子位置での
局部加熱熱源３の加熱時間により、各半田バンプ６ａ〜
６ｅの上端が、水平直線Ｌ上に揃えられるような径を有
するように、各半田バンプ６ａ〜６ｅが溶融形成され
る。
【００２１】本実施の形態において、接続端子１０ａ〜
１０ｅ位置での基板１の反り量に対応して、半田ペース
ト２ａ内の半田の溶融量を調整制御する第３の方法で
は、レーザー変位計で各接続端子１０ａ〜１０ｅ位置に
おける基板１の反り量が測定され、局部加熱熱源３によ
って、各接続端子１０ａ〜１０ｅ位置の半田ペースト２
ａの加熱時に、測定された反り量に対応して、局部加熱
熱源３による放射領域の走査が、反り量の大きい場所で
は広く設定され、反り量の小さい場所では狭く設定され
るように制御が行われる。
１０ｅ位置での基板１の反り量に対応して、半田ペース
ト２ａ内の半田の溶融量を調整制御する第３の方法で
は、レーザー変位計で各接続端子１０ａ〜１０ｅ位置に
おける基板１の反り量が測定され、局部加熱熱源３によ
って、各接続端子１０ａ〜１０ｅ位置の半田ペースト２
ａの加熱時に、測定された反り量に対応して、局部加熱
熱源３による放射領域の走査が、反り量の大きい場所で
は広く設定され、反り量の小さい場所では狭く設定され
るように制御が行われる。
【００２２】この場合も、局部加熱熱源３の加熱走査領
域の調整制御によつて、接続端子１０ｃに最大径の球状
の半田バンプ６ｃが濡れ接続形成され、接続端子１０
ａ、１０ｅに最小径の球状の半田バンプ６ａ、６ｅが濡
れ接続形成され、接続端子１０ｂ、１０ｄに中間径の半
田バンプ６ｂ、６ｄが濡れ接続形成される。そして、洗
浄によつて、余分の半田ペーストを除去した基板１上に
は、図４に示すように、予め設定される各接続端子位置
での局部加熱熱源３の加熱走査領域の制御により、各半
田バンプ６ａ〜６ｅの上端が、水平直線Ｌ上に揃えられ
るような径を有するように、各半田バンプ６ａ〜６ｅが
溶融形成される。
域の調整制御によつて、接続端子１０ｃに最大径の球状
の半田バンプ６ｃが濡れ接続形成され、接続端子１０
ａ、１０ｅに最小径の球状の半田バンプ６ａ、６ｅが濡
れ接続形成され、接続端子１０ｂ、１０ｄに中間径の半
田バンプ６ｂ、６ｄが濡れ接続形成される。そして、洗
浄によつて、余分の半田ペーストを除去した基板１上に
は、図４に示すように、予め設定される各接続端子位置
での局部加熱熱源３の加熱走査領域の制御により、各半
田バンプ６ａ〜６ｅの上端が、水平直線Ｌ上に揃えられ
るような径を有するように、各半田バンプ６ａ〜６ｅが
溶融形成される。
【００２３】なお、本実施の形態において、半田ペース
ト塗布配設工程で、接続端子１０ａ〜１０ｅを覆って、
剛性のマスクを配置し、オフコンタクト方式によるスキ
ージによりマスクの開口部を通して、基板１の上に表面
を水平面にして、基板１の反りに対応した厚みで半田ペ
ースト２ａを塗布して、パンプ調整形成工程に入り、局
部加熱熱源３の加熱時間を調整制御し、或いは、局部加
熱熱源３の放射熱量を調整制御することにより、半田バ
ンプ６ａ〜６ｅを溶融形成することも可能である。
ト塗布配設工程で、接続端子１０ａ〜１０ｅを覆って、
剛性のマスクを配置し、オフコンタクト方式によるスキ
ージによりマスクの開口部を通して、基板１の上に表面
を水平面にして、基板１の反りに対応した厚みで半田ペ
ースト２ａを塗布して、パンプ調整形成工程に入り、局
部加熱熱源３の加熱時間を調整制御し、或いは、局部加
熱熱源３の放射熱量を調整制御することにより、半田バ
ンプ６ａ〜６ｅを溶融形成することも可能である。
【００２４】このように、本実施の形態によると、半田
ペースト塗布配設工程で、基板１の表面に形成されてい
る複数の接続端子１０ａ〜１０ｅを覆って半田ペースト
２が塗布配設され、バンプ調整形成工程で、局部加熱熱
源３からの熱による半田ペースト２内の半田の溶融量
が、基板１の反り量に対応して調整制御されるので、複
数の接続端子１０ａ〜１０ｅに、それぞれ接続形成され
る半田バンプ６ａ〜６ｅの先端はほぼ同一平面上に配置
され、基板１に集積回路チップを接続実装させる際に、
接続不良の個所の発生を防止することが可能になる。
ペースト塗布配設工程で、基板１の表面に形成されてい
る複数の接続端子１０ａ〜１０ｅを覆って半田ペースト
２が塗布配設され、バンプ調整形成工程で、局部加熱熱
源３からの熱による半田ペースト２内の半田の溶融量
が、基板１の反り量に対応して調整制御されるので、複
数の接続端子１０ａ〜１０ｅに、それぞれ接続形成され
る半田バンプ６ａ〜６ｅの先端はほぼ同一平面上に配置
され、基板１に集積回路チップを接続実装させる際に、
接続不良の個所の発生を防止することが可能になる。
【００２５】［第２の実施の形態］本発明の第２の実施
の形態を、図５を参照して説明する。図５は本実施の形
態による回路基板製造の説明図である。
の形態を、図５を参照して説明する。図５は本実施の形
態による回路基板製造の説明図である。
【００２６】本実施の形態では、図５に示すように、す
でに説明した第１の実施の形態と同様に、半田ペースト
塗布配設工程では、接続端子１０ａ〜１０ｅを覆って、
非剛性のマスクを配置し、スキージによりマスクの開口
部を通して、基板１の表面に一定厚みで半田ペースト２
ａが塗布される（図５では簡単のために、接続端子１０
ａ、１０ｃのみが示されている）。次いで、バンプ調整
形成工程により、接続端子１０ａ〜１０ｅ位置におい
て、接続端子１０ａ〜１０ｅ上に塗布された半田ペース
ト２ａを、半田ペースト２ａの上方に設定された水平焦
点位置ｆに発振光の焦点が位置されたレーザ発振器７か
らのレーザ光によって局部加熱する。
でに説明した第１の実施の形態と同様に、半田ペースト
塗布配設工程では、接続端子１０ａ〜１０ｅを覆って、
非剛性のマスクを配置し、スキージによりマスクの開口
部を通して、基板１の表面に一定厚みで半田ペースト２
ａが塗布される（図５では簡単のために、接続端子１０
ａ、１０ｃのみが示されている）。次いで、バンプ調整
形成工程により、接続端子１０ａ〜１０ｅ位置におい
て、接続端子１０ａ〜１０ｅ上に塗布された半田ペース
ト２ａを、半田ペースト２ａの上方に設定された水平焦
点位置ｆに発振光の焦点が位置されたレーザ発振器７か
らのレーザ光によって局部加熱する。
【００２７】レーザ発振器７からのレーザ光は、水平焦
点位置ｆからの距離が短く、反り量の小さい接続端子１
０ａ位置には、体積の小さい半田溶融部５ａを設定し、
水平焦点位置ｆからの距離が長く、反り量の大きい接続
端子１０ｃ位置には、体積の大きい半田溶融部５ｃを設
定して、半田ペースト２ａを溶融する。このために、接
続端子１０ａ〜１０ｅ位置の半田ペースト２ａ内の半田
の溶融量が、接続端子１０ａ〜１０ｅ位置での基板１の
反り量に対応して調整制御された状態で、接続端子１０
ａ〜１０ｅにそれぞれ接続された半田バンプが形成され
る。
点位置ｆからの距離が短く、反り量の小さい接続端子１
０ａ位置には、体積の小さい半田溶融部５ａを設定し、
水平焦点位置ｆからの距離が長く、反り量の大きい接続
端子１０ｃ位置には、体積の大きい半田溶融部５ｃを設
定して、半田ペースト２ａを溶融する。このために、接
続端子１０ａ〜１０ｅ位置の半田ペースト２ａ内の半田
の溶融量が、接続端子１０ａ〜１０ｅ位置での基板１の
反り量に対応して調整制御された状態で、接続端子１０
ａ〜１０ｅにそれぞれ接続された半田バンプが形成され
る。
【００２８】この場合も、接続端子１０ｃに最大径の球
状の半田バンプ６ｃが濡れ接続形成され、接続端子１０
ａ、１０ｅに最小径の球状の半田バンプ６ａ、６ｅが濡
れ接続形成され、接続端子１０ｂ、１０ｄに中間径の半
田バンプ６ｂ、６ｄが濡れ接続形成される。そして、洗
浄によつて、余分の半田ペーストを除去した基板１上に
は、流用される図４に示すように、予め設定される各接
続端子位置での局部加熱熱源３の加熱時間により、各半
田バンプ６ａ〜６ｅの上端が、水平直線Ｌ上に揃えられ
るような径を有するように、各半田バンプ６ａ〜６ｅが
溶融形成される。
状の半田バンプ６ｃが濡れ接続形成され、接続端子１０
ａ、１０ｅに最小径の球状の半田バンプ６ａ、６ｅが濡
れ接続形成され、接続端子１０ｂ、１０ｄに中間径の半
田バンプ６ｂ、６ｄが濡れ接続形成される。そして、洗
浄によつて、余分の半田ペーストを除去した基板１上に
は、流用される図４に示すように、予め設定される各接
続端子位置での局部加熱熱源３の加熱時間により、各半
田バンプ６ａ〜６ｅの上端が、水平直線Ｌ上に揃えられ
るような径を有するように、各半田バンプ６ａ〜６ｅが
溶融形成される。
【００２９】このように第２の実施の形態によると、半
田ペースト塗布配設工程で、基板１の表面に形成されて
いる複数の接続端子１０ａ〜１０ｅを覆って半田ペース
ト２が塗布配設され、バンプ調整形成工程で、半田ペー
スト２ａの上方に設定された水平焦点位置ｆに発振光の
焦点が位置されたレーザ発振器７からのレーザ光によっ
て、各接続端子１０ａ〜１０ｅ位置の半田ペースト２ａ
が局部加熱されるので、各位置における半田の溶融量
が、基板１の反り量に対応して調整制御され、複数の接
続端子１０ａ〜１０ｅに、それぞれ接続形成される半田
バンプ６ａ〜６ｅの先端はほぼ同一平面上に配置され、
基板１に集積回路チップを接続実装させる際に、接続不
良の個所の発生を防止することが可能になる。
田ペースト塗布配設工程で、基板１の表面に形成されて
いる複数の接続端子１０ａ〜１０ｅを覆って半田ペース
ト２が塗布配設され、バンプ調整形成工程で、半田ペー
スト２ａの上方に設定された水平焦点位置ｆに発振光の
焦点が位置されたレーザ発振器７からのレーザ光によっ
て、各接続端子１０ａ〜１０ｅ位置の半田ペースト２ａ
が局部加熱されるので、各位置における半田の溶融量
が、基板１の反り量に対応して調整制御され、複数の接
続端子１０ａ〜１０ｅに、それぞれ接続形成される半田
バンプ６ａ〜６ｅの先端はほぼ同一平面上に配置され、
基板１に集積回路チップを接続実装させる際に、接続不
良の個所の発生を防止することが可能になる。
【００３０】［第３の実施の形態］本発明の第３の実施
の形態を、図６を参照して説明する。図６は本実施の形
態による回路基板製造の要部の説明図である。
の形態を、図６を参照して説明する。図６は本実施の形
態による回路基板製造の要部の説明図である。
【００３１】本実施の形態には、半田ボール配置工程が
新に設けられ、すでに説明した第１の実施の形態と同様
に、半田ペースト塗布配設工程で、接続端子１０ａ〜１
０ｅを覆って、非剛性のマスクを配置し、スキージによ
りマスクの開口部を通して、基板１の表面に一定厚みで
半田ペースト２ａが塗布さた後に、半田ボール配置工程
により、各接続端子１０ａ〜１０ｅに対応する半田ペー
スト２ａ上の位置に、それぞれ半田ボール８が配置され
る。
新に設けられ、すでに説明した第１の実施の形態と同様
に、半田ペースト塗布配設工程で、接続端子１０ａ〜１
０ｅを覆って、非剛性のマスクを配置し、スキージによ
りマスクの開口部を通して、基板１の表面に一定厚みで
半田ペースト２ａが塗布さた後に、半田ボール配置工程
により、各接続端子１０ａ〜１０ｅに対応する半田ペー
スト２ａ上の位置に、それぞれ半田ボール８が配置され
る。
【００３２】そして、バンプ調整形成工程では、第１の
実施の形態で説明した局部加熱熱源３により、或いは、
第２の実施の形態で説明した半田ペースト２ａの上方の
水平焦点位置ｆに発振光の焦点が位置されたレーザ発振
器７により、接続端子１０ａ〜１０ｅ位置での半田の溶
融量を、基板１の反り量に対応して調整制御して、半田
ペースト２ａの半田が溶融される。この場合、加熱の最
初の期間においては、半田ボール８は、表面に存在する
酸化膜のために溶融せず、半田ボール８の直下の半田ペ
ースト２ａに伝達する熱によって、最初には、半田ペー
スト２ａ内の半田が溶融凝縮を開始し、次いで、直上の
半田ボール８の酸化膜が熱破壊され、半田ボール８が直
下部分の半田と共に溶融して、半田バンプが対応する接
続端子に濡れ接続形成される。
実施の形態で説明した局部加熱熱源３により、或いは、
第２の実施の形態で説明した半田ペースト２ａの上方の
水平焦点位置ｆに発振光の焦点が位置されたレーザ発振
器７により、接続端子１０ａ〜１０ｅ位置での半田の溶
融量を、基板１の反り量に対応して調整制御して、半田
ペースト２ａの半田が溶融される。この場合、加熱の最
初の期間においては、半田ボール８は、表面に存在する
酸化膜のために溶融せず、半田ボール８の直下の半田ペ
ースト２ａに伝達する熱によって、最初には、半田ペー
スト２ａ内の半田が溶融凝縮を開始し、次いで、直上の
半田ボール８の酸化膜が熱破壊され、半田ボール８が直
下部分の半田と共に溶融して、半田バンプが対応する接
続端子に濡れ接続形成される。
【００３３】この場合も、接続端子１０ｃに最大径の球
状の半田バンプ６ｃが濡れ接続形成され、接続端子１０
ａ、１０ｅに最小径の球状の半田バンプ６ａ、６ｅが濡
れ接続形成され、接続端子１０ｂ、１０ｄに中間径の半
田バンプ６ｂ、６ｄが濡れ接続形成される。そして、洗
浄によつて、余分の半田ペーストを除去した基板１上に
は、流用する図４に示すように、予め設定される各接続
端子位置での半田の溶融量の調整制御により、各半田バ
ンプ６ａ〜６ｅの上端が、第１の実施の形態及び第２の
実施の形態の場合よりは、さらに基板１から離れた位置
にある水平直線Ｌ上に揃えられるような径を有するよう
に、各半田バンプ６ａ〜６ｅが溶融形成される。
状の半田バンプ６ｃが濡れ接続形成され、接続端子１０
ａ、１０ｅに最小径の球状の半田バンプ６ａ、６ｅが濡
れ接続形成され、接続端子１０ｂ、１０ｄに中間径の半
田バンプ６ｂ、６ｄが濡れ接続形成される。そして、洗
浄によつて、余分の半田ペーストを除去した基板１上に
は、流用する図４に示すように、予め設定される各接続
端子位置での半田の溶融量の調整制御により、各半田バ
ンプ６ａ〜６ｅの上端が、第１の実施の形態及び第２の
実施の形態の場合よりは、さらに基板１から離れた位置
にある水平直線Ｌ上に揃えられるような径を有するよう
に、各半田バンプ６ａ〜６ｅが溶融形成される。
【００３４】このように、本実施の形態によると、第１
の実施の形態、或いは、第２の実施の形態で得られる効
果に加えて、半田ボール配置工程により、各接続端子１
０ａ〜１０ｅに対応する半田ペースト２ａ上の位置に、
それぞれ半田ボール８が配置されるので、基板１の接続
端子１０ａ〜１０ｅ位置に、半田バンプ６ａ〜６ｅをよ
り高く溶融形成することが可能になる。
の実施の形態、或いは、第２の実施の形態で得られる効
果に加えて、半田ボール配置工程により、各接続端子１
０ａ〜１０ｅに対応する半田ペースト２ａ上の位置に、
それぞれ半田ボール８が配置されるので、基板１の接続
端子１０ａ〜１０ｅ位置に、半田バンプ６ａ〜６ｅをよ
り高く溶融形成することが可能になる。
【００３５】
【発明の効果】請求項１記載の発明によると、基板表面
の複数の接続端子に半田バンプが形成されたバンブを具
備する回路基板において、基板の反り量に対応して、半
田の溶融量を制御することにより、複数の接続端子に濡
れ形成されるバンプの高さが調整され、先端がほぼ同一
面上に位置するように形成されているので、集積回路基
板に集積回路チップを接続実装させる際に、接続不良の
個所が発生することのないバンプを具備する回路基板を
提供することが可能になる。
の複数の接続端子に半田バンプが形成されたバンブを具
備する回路基板において、基板の反り量に対応して、半
田の溶融量を制御することにより、複数の接続端子に濡
れ形成されるバンプの高さが調整され、先端がほぼ同一
面上に位置するように形成されているので、集積回路基
板に集積回路チップを接続実装させる際に、接続不良の
個所が発生することのないバンプを具備する回路基板を
提供することが可能になる。
【００３６】請求項２記載の発明によると、半田ペース
ト塗布配設工程で、基板表面の複数の接続端子を覆って
半田ペーストが塗布配設され、バンプ調整形成工程で、
基板の反り量に対応して、熱源からの熱による半田ペー
スト内の半田の溶融量が、調整制御されるので、基板表
面に形成される複数の接続端子に、それぞれ接続形成さ
れる半田バンプの先端がほぼ同一平面上に配置され、集
積回路基板に集積回路チップを接続実装させる際に、接
続不良の個所が発生することのないバンプを具備する回
路基板を製造することが可能になる。
ト塗布配設工程で、基板表面の複数の接続端子を覆って
半田ペーストが塗布配設され、バンプ調整形成工程で、
基板の反り量に対応して、熱源からの熱による半田ペー
スト内の半田の溶融量が、調整制御されるので、基板表
面に形成される複数の接続端子に、それぞれ接続形成さ
れる半田バンプの先端がほぼ同一平面上に配置され、集
積回路基板に集積回路チップを接続実装させる際に、接
続不良の個所が発生することのないバンプを具備する回
路基板を製造することが可能になる。
【００３７】請求項３記載の発明によると、半田ペース
ト塗布配設工程で、基板表面の複数の接続端子を覆って
半田ペーストが塗布配設され、バンプ調整形成工程で、
基板の反り量に対応して、熱源からの放射熱量を調整す
ることにより、半田ペースト内の半田の溶融量が調整制
御されるので、基板表面に形成される複数の接続端子
に、それぞれ接続形成される半田バンプの先端がほぼ同
一平面上に配置され、集積回路基板に集積回路チップを
接続実装させる際に、接続不良の個所が発生することの
ないバンプを具備する回路基板を製造することが可能に
なる。
ト塗布配設工程で、基板表面の複数の接続端子を覆って
半田ペーストが塗布配設され、バンプ調整形成工程で、
基板の反り量に対応して、熱源からの放射熱量を調整す
ることにより、半田ペースト内の半田の溶融量が調整制
御されるので、基板表面に形成される複数の接続端子
に、それぞれ接続形成される半田バンプの先端がほぼ同
一平面上に配置され、集積回路基板に集積回路チップを
接続実装させる際に、接続不良の個所が発生することの
ないバンプを具備する回路基板を製造することが可能に
なる。
【００３８】請求項４記載の発明によると、半田ペース
ト塗布配設工程で、基板表面の複数の接続端子を覆って
半田ペーストが塗布配設され、バンプ調整形成工程で、
基板の反り量に対応して、熱源による加熱時間を調整す
ることにより、半田ペースト内の半田の溶融量が調整制
御されるので、基板表面に形成される複数の接続端子
に、それぞれ接続形成される半田バンプの先端がほぼ同
一平面上に配置され、集積回路基板に集積回路チップを
接続実装させる際に、接続不良の個所が発生することの
ないバンプを具備する回路基板を製造することが可能に
なる。
ト塗布配設工程で、基板表面の複数の接続端子を覆って
半田ペーストが塗布配設され、バンプ調整形成工程で、
基板の反り量に対応して、熱源による加熱時間を調整す
ることにより、半田ペースト内の半田の溶融量が調整制
御されるので、基板表面に形成される複数の接続端子
に、それぞれ接続形成される半田バンプの先端がほぼ同
一平面上に配置され、集積回路基板に集積回路チップを
接続実装させる際に、接続不良の個所が発生することの
ないバンプを具備する回路基板を製造することが可能に
なる。
【００３９】請求項５記載の発明によると、半田ペース
ト塗布配設工程で、基板表面の複数の接続端子を覆って
半田ペーストが塗布配設され、バンプ調整形成工程で、
基板の反り量に対応して、熱源の加熱範囲を調整するこ
とにより、半田ペースト内の半田の溶融量が調整制御さ
れるので、基板表面に形成される複数の接続端子に、そ
れぞれ接続形成される半田バンプの先端がほぼ同一平面
上に配置され、集積回路基板に集積回路チップを接続実
装させる際に、接続不良の個所が発生することのないバ
ンプを具備する回路基板を製造することが可能になる。
ト塗布配設工程で、基板表面の複数の接続端子を覆って
半田ペーストが塗布配設され、バンプ調整形成工程で、
基板の反り量に対応して、熱源の加熱範囲を調整するこ
とにより、半田ペースト内の半田の溶融量が調整制御さ
れるので、基板表面に形成される複数の接続端子に、そ
れぞれ接続形成される半田バンプの先端がほぼ同一平面
上に配置され、集積回路基板に集積回路チップを接続実
装させる際に、接続不良の個所が発生することのないバ
ンプを具備する回路基板を製造することが可能になる。
【００４０】請求項６記載の発明によると、半田ペース
ト塗布配設工程で、基板表面の複数の接続端子を覆って
半田ペーストが塗布配設され、バンプ調整形成工程で、
半田ペーストの表面の上方に設定された水平焦点位置に
発振光の焦点が位置されたレーザ光を熱源として、接続
端子位置の半田ペーストの半田を溶融することにより、
前記半田の溶融量が、基板の反り量に対応して調整制御
されるので、基板表面に形成される複数の接続端子に、
それぞれ接続形成される半田バンプの先端がほぼ同一平
面上に配置され、集積回路基板に集積回路チップを接続
実装させる際に、接続不良の個所が発生することのない
バンプを具備する回路基板を製造することが可能にな
る。
ト塗布配設工程で、基板表面の複数の接続端子を覆って
半田ペーストが塗布配設され、バンプ調整形成工程で、
半田ペーストの表面の上方に設定された水平焦点位置に
発振光の焦点が位置されたレーザ光を熱源として、接続
端子位置の半田ペーストの半田を溶融することにより、
前記半田の溶融量が、基板の反り量に対応して調整制御
されるので、基板表面に形成される複数の接続端子に、
それぞれ接続形成される半田バンプの先端がほぼ同一平
面上に配置され、集積回路基板に集積回路チップを接続
実装させる際に、接続不良の個所が発生することのない
バンプを具備する回路基板を製造することが可能にな
る。
【００４１】請求項７記載の発明によると、半田ペース
ト塗布配設工程で、基板表面に形成される複数の接続端
子を覆って半田ペーストが塗布配設され、半田ボール配
置工程で、複数の接続端子位置において、塗布配設され
た半田ペースト上に半田ボールがそれぞれ配置され、バ
ンプ調整形成工程で、基板の反り量に対応して、熱源か
らの熱による接続端子位置での半田の溶融量が、調整制
御されるので、基板表面に形成される複数の接続端子
に、それぞれ接続形成される半田バンプを長く形成し、
その先端をほぼ同一平面上に配置し、集積回路基板への
集積回路チップの接続実装時の接続信頼性が高まり、接
続不良の個所が発生することのないバンプを具備する回
路基板を製造することが可能になる。
ト塗布配設工程で、基板表面に形成される複数の接続端
子を覆って半田ペーストが塗布配設され、半田ボール配
置工程で、複数の接続端子位置において、塗布配設され
た半田ペースト上に半田ボールがそれぞれ配置され、バ
ンプ調整形成工程で、基板の反り量に対応して、熱源か
らの熱による接続端子位置での半田の溶融量が、調整制
御されるので、基板表面に形成される複数の接続端子
に、それぞれ接続形成される半田バンプを長く形成し、
その先端をほぼ同一平面上に配置し、集積回路基板への
集積回路チップの接続実装時の接続信頼性が高まり、接
続不良の個所が発生することのないバンプを具備する回
路基板を製造することが可能になる。
【図１】本発明に係るバンプを具備する回路基板の製造
方法の第１の実施の形態による回路基板製造の説明図で
ある。
方法の第１の実施の形態による回路基板製造の説明図で
ある。
【図２】同実施の形態の第１の半田ペースト塗布配設工
程の説明図である。
程の説明図である。
【図３】同実施の形態の第２の半田ペースト塗布配設工
程の説明図である。
程の説明図である。
【図４】同実施の形態により製造されるバンプを具備す
る回路基板の要部の構成を示す説明図である。
る回路基板の要部の構成を示す説明図である。
【図５】本発明に係るバンプを具備する回路基板の製造
方法の第２の実施の形態による回路基板製造の説明図で
ある。
方法の第２の実施の形態による回路基板製造の説明図で
ある。
【図６】本発明に係るバンプを具備する回路基板の製造
方法の第３の実施の形態による回路基板製造の要部の説
明図である。
方法の第３の実施の形態による回路基板製造の要部の説
明図である。
１ 基板 ２ａ、２ｂ 半田ペースト ３ 局部加熱熱源 ５ａ、５ｃ 半田溶融部 ６ａ〜６ｅ 半田バンプ ７ レーザ発振器 ８ 半田ボール １０ａ〜１０ｅ 接続端子
Claims (7)
- 【請求項１】 基板表面の複数の接続端子に半田バンプ
が形成されたバンブを具備する回路基板であり、前記基
板の反りに対応して、前記複数の接続端子に形成される
バンプは、形成時の半田の溶融量の制御により、それぞ
れの高さが調整され、先端がほぼ同一面上に位置するよ
うに形成されていることを特徴とするバンプを具備する
回路基板。 - 【請求項２】 基板表面に形成される複数の接続端子
に、半田バンプをそれぞれ接続形成することにより、前
記複数の接続端子に半田バンプがそれぞれ接続形成され
た回路基板を製造するバンプを具備する回路基板の製造
方法であり、 前記複数の接続端子を覆って半田ペーストを塗布配設す
る半田ペースト塗布配設工程と、 熱源からの熱による前記半田ペースト内の半田の溶融量
を、前記基板の反り量に対応して調整制御することによ
り、前記半田バンプの先端をほぼ同一平面上に配置させ
てバンプを形成するバンプ調整形成工程とを有すること
を特徴とするバンプを具備する回路基板の製造方法。 - 【請求項３】 請求項２記載のバンプを具備する回路基
板の製造方法において、 前記バンプ調整形成工程により、前記接続端子位置の前
記反り量に対応して、前記熱源からの放射熱量を調整す
ることにより、前記半田の溶融量が調整制御されて、前
記半田バンプの先端位置が調整されることを特徴とする
バンプを具備する回路基板の製造方法。 - 【請求項４】 請求項２記載のバンプを具備する回路基
板の製造方法において、 前記バンプ調整形成工程により、前記接続端子位置の前
記反り量に対応して、前記熱源による加熱時間を調整す
ることにより、前記半田の溶融量が調整制御されて、前
記半田バンプの先端位置が調整されることを特徴とする
バンプを具備する回路基板の製造方法。 - 【請求項５】 請求項２記載のバンプを具備する回路基
板の製造方法において、 前記バンプ調整形成工程により、前記接続端子位置の前
記反り量に対応して、前記熱源の加熱範囲を調整するこ
とにより、前記半田の溶融量が調整制御されて、前記半
田バンプの先端位置が調整されることを特徴とするバン
プを具備する回路基板の製造方法。 - 【請求項６】 請求項２記載のバンプを具備する回路基
板の製造方法において、 前記バンプ調整形成工程により、前記半田ペーストの表
面の上方に設定された水平焦点位置に発振光の焦点が位
置されたレーザ光を熱源として、前記接続端子位置の前
記半田ペーストの半田を溶融することにより、前記半田
の溶融量が調整制御されて、前記半田バンプの先端位置
が調整されることを特徴とするバンプを具備する回路基
板の製造方法。 - 【請求項７】 基板表面に形成される複数の接続端子
に、半田バンプをそれぞれ接続形成することにより、前
記複数の接続端子に半田バンプがそれぞれ接続形成され
た回路基板を製造するバンプを具備する回路基板の製造
方法であり、 前記接続端子を覆って半田ペーストを塗布配設する半田
ペースト塗布配設工程と、 前記複数の接続端子位置において、塗布配設された前記
半田ペースト上に半田ボールをそれぞれ配置する半田ボ
ール配置工程と、 熱源からの熱による前記接続端子位
置での半田の溶融量を、前記基板の反り量に対応して調
整制御することにより、前記半田バンプの先端をほぼ同
一平面上に配置させるバンプ調整形成工程とを有するこ
とを特徴とするバンプを具備する回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11029419A JP2000228576A (ja) | 1999-02-08 | 1999-02-08 | バンプを具備する回路基板とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11029419A JP2000228576A (ja) | 1999-02-08 | 1999-02-08 | バンプを具備する回路基板とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000228576A true JP2000228576A (ja) | 2000-08-15 |
Family
ID=12275623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11029419A Pending JP2000228576A (ja) | 1999-02-08 | 1999-02-08 | バンプを具備する回路基板とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000228576A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007129220A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-24 | Freescale Semiconductor Inc | 基板上に多層バンプを形成する方法 |
| US7793817B2 (en) * | 2006-09-11 | 2010-09-14 | Panasonic Corporation | Electronic component placing apparatus and electronic component mounting method |
-
1999
- 1999-02-08 JP JP11029419A patent/JP2000228576A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007129220A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-24 | Freescale Semiconductor Inc | 基板上に多層バンプを形成する方法 |
| US7793817B2 (en) * | 2006-09-11 | 2010-09-14 | Panasonic Corporation | Electronic component placing apparatus and electronic component mounting method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3470934B2 (ja) | 半導体チップのリワーク方法 | |
| TWI514487B (zh) | 半導體晶片的熱壓縮鍵合 | |
| TWI330876B (en) | Method for forming multi-layer bumps on a substrate | |
| US6062460A (en) | Apparatus for producing an electronic circuit | |
| KR20020006468A (ko) | 솔더 범프 형성 방법 및 반도체 디바이스 제조 방법 | |
| US20100044416A1 (en) | Method of manufacturing electronic components having bump | |
| JP2002064265A (ja) | Ｂｇａ実装方法 | |
| JPH08288637A (ja) | 電子部品および電子部品の半田付け方法 | |
| JPH06349892A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000228576A (ja) | バンプを具備する回路基板とその製造方法 | |
| JPH10135276A (ja) | エリアアレイ半導体装置、プリント基板及びスクリーンマスク | |
| CN100542380C (zh) | 电子零部件安装方法及其使用的电路板和电路板单元 | |
| JPH09246319A (ja) | フリップチップ実装方法 | |
| JPH10107176A (ja) | 電子部品と基板との接続構造及びその接続方法、並びにその接続構造及び接続方法におけるはんだバンプ形成法 | |
| JP2001230537A (ja) | ハンダバンプの形成方法 | |
| JPH09326535A (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2002057453A (ja) | 半導体装置のリペア方法 | |
| JP3961876B2 (ja) | 半導体装置用はんだバンプの製造方法 | |
| JPH11186454A (ja) | Ｂｇａ型集積回路部品、その製造方法およびその実装方法 | |
| JPH1079403A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2004006926A (ja) | 半田バンプを有する配線基板及びその製造方法及び平坦化治具 | |
| JPH09246273A (ja) | バンプ構造 | |
| JPH08330360A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0770778B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JP3691972B2 (ja) | パッドへのはんだ付着方法 |