JP2000227778A - プラズマディスプレイパネルの駆動方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルの駆動方法Info
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Abstract
ラストの向上を図ることが出来るプラズマディスプレイ
パネルの駆動方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 1フィールドの表示期間を分割した複数
のサブフィールド各々において、放電セル内に形成され
ている壁電荷を画素データに応じて選択的に消去放電せ
しめることにより発光セルと非発光セルとを設定する画
素データ書込行程と、この発光セルのみを各サブフィー
ルドの重み付けに対応した時間だけ発光維持させる維持
発光行程とを実行し、これらサブフィールド各々の内の
互いに連続する少なくとも2つのサブフィールドからな
るサブフィールド群において、先頭のサブフィールドの
みにおいて全放電セルを一斉にリセット放電せしめて壁
電荷を形成させる一斉リセット行程を設け、上記サブフ
ィールド群中のいずれか1のサブフィールドの画素デー
タ書込行程においてのみで上記消去放電を為す。
Description
式のプラズマディスプレイパネル(以下、PDPと称す
る)の駆動方法に関する。
イパネルの一つとしてAC(交流放電)型のPDPが知
られている。AC型のPDPは、複数の列電極(アドレ
ス電極)と、これら列電極と直交して配列されておりか
つ一対にて1走査ラインを形成する複数の行電極対とを
備えている。これら各行電極対及び列電極は、放電空間
に対して誘電体層で被覆されており、行電極対と列電極
との交点にて1画素に対応した放電セルが形成される構
造となっている。
を実施させる方法の一つとして、1フィールド期間を、
Nビットの画素データの各ビット桁の重み付けに対応し
た時間だけ発光するN個のサブフィールドに分割して表
示する、いわゆるサブフィールド法が例えば特開平4−
195087号公報に提示されている。図1は、かかる
サブフィールド法による1フィールド期間中での発光駆
動フォーマットを示す図である。
る画素データが6ビットの場合を想定し、1フィールド
の期間をSF1、SF2...、SF6なる6個のサブフ
ィールドに分割して発光駆動を行う。これら6個のサブ
フィールドによる発光を1通り実行することにより、1
フィールド分の画像に対する64階調表現が可能となる
のである。
c、画素データ書込行程Wc、及び維持発光行程Icに
て構成される。一斉リセット行程Rcでは、上記PDP
の全放電セルを一斉に放電励起(リセット放電)せしめ
ることにより、全放電セル内に一様に壁電荷を形成させ
る。次の画素データ書込行程Wcでは、各放電セル毎
に、画素データに応じた選択的な消去放電を励起せしめ
る。この際、かかる消去放電が実施された放電セル内の
壁電荷は消滅して"非発光セル"となる。一方、消去放電
が実施されなかった放電セルは壁電荷が残留したままと
なっているので"発光セル"となる。維持発光行程Icで
は、上記発光セルに対してのみ各サブフィールドの重み
付けに対応した時間だけ放電発光状態を継続させる。こ
れにより、各サブフィールドSF1〜SF6では、順に
1:2:4:8:16:32なる発光期間比にて維持発
光が行われるのである。
いて、上述した如き各放電セル内に形成されている壁電
荷を選択的に消去せしめるという選択消去アドレス法を
採用した場合には、各サブフィールドの先頭部において
図1の斜線部にて示される一斉リセット行程Rcを実施
することが必須となる。ところが、かかる一斉リセット
行程Rcにて全放電セルに対して実施されるリセット放
電は、比較的強い放電、すなわち輝度レベルの高い発光
を伴うものである。よって、図1の斜線にて示される6
箇所にて、画素データとは何等関与しない発光が起こる
ので、画像のコントラストを低下させてしまうという問
題があった。
例えば輝度レベル31の発光を行う放電セルと、輝度レ
ベル32の発光を行う放電セルとの発光パターンは互い
に反転、すなわち、一方が発光している間は他方が非発
光状態にあるので、両放電セルの境界上に偽輪郭が発生
するという問題が生じる。更に、現在、かかるPDPを
製品化するにあたり、低消費電力を実現することが一般
的な課題となっている。
を解決するためになされたものであり、偽輪郭を抑制し
つつも低消費電力にてコントラストの向上を図ることが
出来るプラズマディスプレイパネルの駆動方法を提供す
ることを目的とする。
ィスプレイパネルの駆動方法は、走査ライン毎に配列さ
れた複数の行電極と前記行電極に交叉して配列された複
数の列電極との各交点にて1画素に対応した放電セルを
形成しているプラズマディスプレイパネルの駆動を行う
プラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、1フ
ィールドの表示期間を複数のサブフィールドに分割し
て、前記サブフィールド各々内において、前記放電セル
内に形成されている壁電荷を表示画素データに応じて選
択的に消去放電せしめることにより発光セルと非発光セ
ルとを設定する画素データ書込行程と、前記発光セルの
みを前記サブフィールドの重み付けに対応した時間だけ
発光維持させる維持発光行程とを実行し、前記サブフィ
ールド各々の内の互いに連続する少なくとも2つのサブ
フィールドからなるサブフィールド群において、先頭の
サブフィールドのみにおいて全放電セルを一斉にリセッ
ト放電せしめて壁電荷を形成させる一斉リセット行程を
実行し、前記サブフィールド群中のいずれか1のサブフ
ィールドの前記画素データ書込行程においてのみで前記
消去放電を為す。
しつつ説明する。図2は、本発明による駆動方法に基づ
いてプラズマディスプレイパネル(以下、PDPと称す
る)を駆動する駆動装置を備えたプラズマディスプレイ
装置の概略構成を示す図である。
御回路2から供給されるクロック信号に応じて、アナロ
グの入力映像信号をサンプリングしてこれを1画素毎に
例えば6ビットの画素データD(入力画素データ)に変換
し、これをデータ変換回路3にする。データ変換回路3
は、かかる画素データを図3及び図4に示されるが如き
変換テーブルに従って9ビットの変換画素データHD
(表示画素データ)に変換し、これをメモリ4に供給す
る。尚、これら図3及び図4に示されるが如き変換テー
ブルは、64階調の中間調表示を行う際の一例を示すも
のである。
されてくる書込信号に従って上記変換画素データHDを
順次書き込む。かかる書込動作により1画面(n行、m
列)分の書き込みが終了すると、メモリ4は、この1画
面分の変換画素データHD11 -nm各々を各ビット桁毎
(第0ビット目〜第8ビット目)に分割して読み出し、
これを1行分毎に順次アドレスドライバ6に供給する。
行目に対応したm個の変換画素データHD11ー1m各々中
の第0ビット目のデータのみを読み出す。次に、メモリ
4は、第2行目に対応したm個の変換画素データHD
21ー2m各々中の第0ビット目のデータのみを読み出す。
以下、同様にしてメモリ4は、第n行までの変換画素デ
ータHD中の第0ビット目のデータのみを順次読み出し
て行く。これが終了すると、メモリ4は、画面上の第1
行に対応したm個の変換画素データHD11ー1m各々中の
第1ビット目のデータのみを読み出す。次に、メモリ4
は、第2行目に対応したm個の変換画素データHD
21ー2m各々中の第1ビット目のデータのみを読み出す。
以下、同様にしてメモリ4は、第n行までの変換画素デ
ータHD中の第1ビット目のデータのみを順次読み出し
て行く。以降、同様な手順にて、メモリ4は、変換画素
データHD中の第2ビット目〜第8ビット目までのデー
タを分割して読み出して行くのである。
示されるが如き変換テーブルに従って変換された9ビッ
トの変換画素データHDを各ビット桁毎に分割して、第
0ビットから第8ビットへと順次読み出し、これらを1
フィールド期間内にアドレスドライバ6に供給して行く
のである。アドレスドライバ6は、かかるメモリ4から
読み出された1行分毎の画素データビット群各々の論理
レベルに対応した電圧を有する画素データパルスDP1
〜DPmを発生し、これらをPDP10の列電極D1〜D
mに夫々印加する。
の水平及び垂直同期信号に同期して、上記A/D変換器
1に対するクロック信号、及びメモリ4に対する書込・
読出信号を生成する。更に、駆動制御回路2は、かかる
水平及び垂直同期信号に同期して、画素データタイミン
グ信号、リセットタイミング信号、走査タイミング信
号、及び維持タイミング信号を夫々発生する。
御回路2から供給された各種タイミング信号に応じて、
残留電荷量を初期化するためのリセットパルスRPX、
放電発光状態を維持するための維持パルスIPX各々を
発生し、これらをPDP10の行電極X1〜Xnに印加す
る。第2サスティンドライバ8は、上記駆動制御回路2
から供給された各種タイミング信号に応じて、残留電荷
量を初期化するためのリセットパルスRPY、画素デー
タを書き込むための走査パルスSP、画素データ書き込
みを良好に実施させる為のプライミングパルスPP、及
び放電発光状態を維持するための維持パルスIPY各々
を発生し、これらをPDP10の行電極Y1〜Ynに印加
する。
の一対にて、画面の1行分に対応した行電極を形成して
いる。例えば、PDP10における第1行目の行電極対
は行電極X1及びY1であり、第n行目の行電極対は行電
極Xn及びYnとなる。又、PDP10では、かかる行電
極対と各列電極との交差部に1つの放電セルが形成され
る。
スプレイ装置によって実施されるPDP10の駆動動作
について説明する。図5は、データ変換回路3において
用いるデータ変換テーブルが図3及び図4に示されるが
如きものである場合に実施される1フィールド期間内で
の発光駆動フォーマットを示す図である。
トでは、1フィールド期間を第1〜第9分割期間からな
る9つに区切る。この際、第1〜第3分割期間にてサブ
フィールドSF1a〜SF1cによる放電発光(第1リ
セットサイクル)、第4〜第6分割期間にてサブフィー
ルドSF2a〜SF2cによる放電発光(第2リセット
サイクル)、第7〜第9分割期間にてサブフィールドS
F3a〜SF3cによる放電発光(第3リセットサイク
ル)を実施する。
c、SF2a〜SF2c、及びSF3a〜SF3c各々
では、変換画素データHDの書き込みを行って発光セル
及び非発光セルの設定を行う画素データ書込行程Wc
と、上記発光セルに対してのみ放電発光状態を維持させ
る維持発光行程Icとが実施される。つまり、画素デー
タ書込行程Wcにおいて発光セルに設定された放電セル
だけが、維持発光行程Icにおいて放電発光を行うので
ある。
る放電発光の発光時間は、サブフィールドSF1a〜S
F1c各々での発光時間を"1"とした場合、 SF1a〜SF1c:1 SF2a〜SF2c:4 SF3a〜SF3c:16 である。
〜第8ビット各々の論理レベルが、図5に示されるが如
き9つのサブフィールドSF1a〜SF3c各々での発
光/非発光を決定するものとなる。すなわち、変換画素
データHDの第0ビット〜第8ビット各々は、 第0ビット:サブフィールドSF1a 第1ビット:サブフィールドSF1b 第2ビット:サブフィールドSF1c 第3ビット:サブフィールドSF2a 第4ビット:サブフィールドSF2b 第5ビット:サブフィールドSF2c 第6ビット:サブフィールドSF3a 第7ビット:サブフィールドSF3b 第8ビット:サブフィールドSF3c の如き対応関係にて各サブフィールドでの発光/非発光
を決定している。
ル"1"に対応するサブフィールドにおいてのみで選択消
去放電が実行される。従って、第1〜第3リセットサイ
クル各々において論理レベル"1"に対応するサブフィー
ルドより時間的に前方に配列される論理レベル"0"に対
応するサブフィールドで発光状態、論理レベル"0"に対
応するサブフィールドで非発光状態となる。
ル"32"に対応した変換画素データHD:[1,0,0,1,0,
0,0,0,1]によれば、図5中の9つのサブフィールドの内
のサブフィールドSF3a及びサブフィールドSF3b
のみで維持放電による発光が実施される。一方、図5の
斜線に示されるように、全放電セルに対してリセット放
電を励起させて各放電セル内に壁電荷を形成せしめる一
斉リセット行程Rcに関しては、第1〜第3リセットサ
イクル各々の先頭部であるサブフィールドSF1a、S
F2a、及びSF3aでのみ実行するようにしている。
ットサイクル各々の先頭位置のみで、上述した如き一斉
リセット動作を実施するようにしているのである。図6
は、図5に示される各サブフィールド内において、実際
にPDP10の各電極に印加される各種駆動パルスの印
加タイミングを示す図である。尚、図6においては、図
5に示される第1〜第3リセットサイクルの内から第1
リセットサイクルのみを抜粋して示している。
イバ7及び第2サスティンドライバ8は、PDP10の
行電極X及びYに夫々リセットパルスRPx及びRPYを
同時に印加してPDP10中の全ての放電セルをリセッ
ト放電せしめることにより、各放電セル内に強制的に壁
電荷を形成させる(一斉リセット行程Rc)。次に、ア
ドレスドライバ6は、各行に対応したデータパルスDP
01〜DP0m を順次列電極D1〜Dmに印加して行く。
尚、この時点で列電極D1〜Dmに印加されるデータパル
スDP01〜DP0m各々は、図3に示されるが如き変換
画素データHD中の第0ビット目に対応したものであ
る。第2サスティンドライバ8は、上記各データパルス
DPの各印加タイミングと同一タイミングにて、走査パ
ルスSPを行電極Y1〜Ynへと順次印加して行く。この
際、走査パルスSPが印加された"行"と、高電圧の画素
データパルスが印加された"列"との交差部の放電セルに
のみ放電が生じて、その放電セル内に残存していた壁電
荷が選択的に消去される。かかる選択消去により、後述
するが如き維持発光行程において放電発光が実施される
発光放電セルと、放電発光しない非発光放電セルとが設
定される。
する直前に、正極性のプライミングパルスPPを行電極
Y1〜Ynに順次印加しておく。かかるプライミングパル
スPPの印加に応じて励起したプライミング放電によ
り、PDP10の放電空間内には上記一斉リセット行程
Rcにて形成されたものの時間経過と共に減少してしま
った荷電粒子が再形成される。よって、かかる荷電粒子
が存在する内に、上記走査パルスSPの印加による画素
データの書き込みが為されることになる(画素データ書
込行程Wc1)。
サスティンドライバ8は、行電極X及びYに対して交互
に維持パルスIPX及びIPYを印加する。この際、上記
画素データ書込行程Wc1によって壁電荷が残留したま
まとなっている放電セル、すなわち発光放電セルは、か
かる維持パルスIPX及びIPYが交互に印加されている
期間中、放電発光を繰り返しその発光状態を維持する
(維持発光行程Ic1)。
データ書込行程Wc1、維持発光行程Ic1からなるサ
ブフィールドSF1aでの放電発光動作が終了すると、
次に、アドレスドライバ6は、各行に対応したデータパ
ルスDP11〜DP1mを順次列電極D1〜Dmに印加して
行く。尚、この時点で列電極D1〜Dmに印加されるデー
タパルスDP11〜DP1m各々は、図3に示されるが如
き変換画素データHD中の第1ビット目に対応したもの
である。第2サスティンドライバ8は、上記各データパ
ルスDPの各印加タイミングと同一タイミングにて、走
査パルスSPを行電極Y1〜Ynへと順次印加して行く。
この際、走査パルスSPが印加された"行"と、高電圧の
画素データパルスが印加された"列"との交差部の放電セ
ルにのみ放電が生じて、その放電セル内に残存していた
壁電荷が選択的に消去される。かか選択消去により、後
述する維持発光行程Ic2において放電発光を実施する
ことが出来る発光放電セルと、放電発光しない非発光放
電セルとが得られる。尚、各走査パルスSPを各行電極
Yに印加する直前に、正極性のプライミングパルスPP
を行電極Y1〜Ynに順次印加しておく。かかるプライミ
ングパルスPPの印加により、PDP10の放電空間内
に荷電粒子が再形成される。よって、かかる荷電粒子が
存在する内に、上記走査パルスSPの印加による画素デ
ータの書き込みが為されることになる(画素データ書込
行程Wc2)。
サスティンドライバ8は、行電極X及びYに対して交互
に維持パルスIPX及びIPYを印加する。この際、上記
画素データ書込行程Wc2によって壁電荷が残留したま
まとなっている放電セル、すなわち発光放電セルは、か
かる維持パルスIPX及びIPYが交互に印加されている
期間中、放電発光を繰り返しその発光状態を維持する
(維持発光行程Ic2)。
光行程Ic2からなるサブフィールドSF1bでの放電
発光動作が終了すると、次に、アドレスドライバ6は、
各行に対応したデータパルスDP21〜DP2mを順次列
電極D1〜Dmに印加して行く。尚、この時点で列電極D
1〜Dmに印加されるデータパルスDP21〜DP2m各々
は、図3に示されるが如き変換画素データHD中の第2
ビット目に対応したものである。第2サスティンドライ
バ8は、上記各データパルスDPの各印加タイミングと
同一タイミングにて、走査パルスSPを行電極Y1〜Yn
へと順次印加して行く。この際、走査パルスSPが印加
された"行"と、高電圧の画素データパルスが印加され
た"列"との交差部の放電セルにのみ放電が生じて、その
放電セル内に残存していた壁電荷が選択的に消去され
る。かかる選択消去により、後述する維持発光行程にお
いて放電発光を実施することが出来る発光放電セルと、
放電発光をしない非発光放電セルとが得られる。尚、各
走査パルスSPを各行電極Yに印加する直前に、正極性
のプライミングパルスPPを行電極Y1〜Ynに順次印加
しておく。かかるプライミングパルスPPの印加によ
り、PDP10の放電空間内に荷電粒子が再形成され
る。よって、かかる荷電粒子が存在する内に、上記走査
パルスSPの印加による画素データの書き込みが為され
ることになる(画素データ書込行程Wc3)。
c3でのプライミングパルスPPの印加によるプライミ
ング放電は、夫々直前の維持発光行程Ic1、Ic2に
おいて維持放電発光が繰り返された発光放電セルに対し
てのみ生じる。画素データ書込行程Wc3の終了後、次
に、第1サスティンドライバ7及び第2サスティンドラ
イバ8は、行電極X及びYに対して交互に維持パルスI
PX及びIPYを印加する。この際、上記画素データ書込
行程Wc2によって壁電荷が残留したままとなっている
放電セル、すなわち発光放電セルは、かかる維持パルス
IPX及びIPYが交互に印加されている期間中、放電発
光を繰り返しその発光状態を維持する(維持発光行程I
c3)。
及び第3リセットサイクルにおいても同様に実行して1
フィールド分の放電発光を行う。従って、図5に示され
るように、1フィールド期間内において実行する一斉リ
セット動作は、第1〜第3リセットサイクル各々の先頭
位置のみの3回となる。これは、図6に示されるが如き
1つのリセットサイクル内において、全放電セル各々に
対する発光放電セルから非発光放電セルへの推移が必ず
1回以下となるように、図3及び図4に従った画素デー
タ変換が為されているから可能となったものである。
c(第1リセットサイクル)各々での発光/非発光を司
る変換画素データHD中の第0〜2ビット目の配列は、
図3及び図4に示されるように、 [1,0,0] [0,1,0] [0,0,1] [0,0,0] の4通りに限られている。
光、"1"より前の"0"は発光を指定するものである。す
なわち、1つのリセットサイクル内において一旦、発光
放電セルに設定したものを再び非発光放電セルに復帰さ
せるようなデータパターンを禁止したのである。
を行う上記一斉リセット動作は、このリセットサイクル
の先頭部において1回だけ実施しておけば良いことにな
る。従って、本発明によれば、1フィールド期間内にお
いて実行する一斉リセット動作は、第1〜第3リセット
サイクル各々の先頭部のみの3回で済むので、図1に示
されるが如き一斉リセット動作を6回行うものに比し
て、コントラストを高めることが出来るのである。
サイクル各々において実施することになる選択消去放電
(発光放電セルから非発光放電セルへの推移)は、最高
でも1回であるので、1フィールド期間内での選択消去
放電の実行回数は最高でも3回となる。よって、図1に
示されるが如き、1フィールド期間内において最高6回
の選択消去放電が為されるものに比して、その消費電力
を抑えることが可能となるのである。
サブフィールドを複数に分割しておき、所定以上の輝度
表示を行う場合にはこれら分割したサブフィールドの内
の少なくとも1が必ず発光状態となるようにしている。
例えば、図3に示されるように、輝度レベル"16"以上
の高輝度表示を行う場合には、図5中において最も発光
期間の長いサブフィールドSF3a〜3cの内のSF3
aが必ず発光状態となるように画素データの変換を行う
のである。
場合においても、互いに隣接する放電セル間で両者の発
光パターンが反転してしまうことはないので、偽輪郭を
抑制出来るのである。尚、上記実施例においては、デー
タ変換回路3の変換テーブルとして、図3及び図4を用
い、更に図5に示されるが如き発光駆動フォーマットに
従ってPDP10に対する駆動を実施するようにしてい
るが、かかる構成に限定されるものではない。
び図8に示されが如き変換テーブルを用いて、図9に示
されるが如き発光駆動フォーマットにてPDP10に対
する駆動を実行するようにしても、同様に一斉リセット
回数を減らすことが出来る。図9に示される発光駆動フ
ォーマットでは、1フィールド期間を第1〜第10分割
期間に区切り、第1分割期間にてサブフィールドSF1
による放電発光(第1リセットサイクル)、第2分割期
間にてサブフィールドSF2による放電発光(第2リセ
ットサイクル)、第3分割期間にてサブフィールドSF
3による放電発光(第3リセットサイクル)、第4〜第
10分割期間にてサブフィールドSF4a〜SF4g各
々による放電発光(第4リセットサイクル)を実施す
る。
を"1"とした場合、サブフィールドSF1〜SF4各々
での放電発光実施時間は夫々、 SF1:1 SF2:2 SF3:4 SF4a〜4c:8 である。
換画素データHDの第0ビット〜第9ビット各々の論理
レベルが、図9に示されるが如きサブフィールドSF
1、SF2、SF3、SF4a〜SF4g各々での発光
/非発光を決定するものとなる。すなわち、変換画素デ
ータHDの第0ビット〜第9ビット各々は、 第0ビット:サブフィールドSF1 第1ビット:サブフィールドSF2 第2ビット:サブフィールドSF3 第3ビット:サブフィールドSF4a 第4ビット:サブフィールドSF4b 第5ビット:サブフィールドSF4c 第6ビット:サブフィールドSF4d 第7ビット:サブフィールドSF4e 第8ビット:サブフィールドSF4f 第9ビット:サブフィールドSF4g の如き対応関係にて各サブフィールドでの発光/非発光
を決定している。
トでは、各リセットサイクル内の先頭部にのみ斜線部に
示されるが如き一斉リセット行程Rcを設けるようにし
ている。特に、その第4リセットサイクル内において
は、全放電セル各々に対する発光放電セルから非発光放
電セルへの推移が必ず1回以下となるように、図7及び
図8に基づくデータ変換が為されているのである。
g各々での発光/非発光を司る変換画素データHD中の
第3〜9ビットの配列は、図7及び図8に示されるよう
に [1,0,0,0,0,0,0] [0,1,0,0,0,0,0] [0,0,1,0,0,0,0] [0,0,0,1,0,0,0] [0,0,0,0,1,0,0] [0,0,0,0,0,1,0] [0,0,0,0,0,0,1] [0,0,0,0,0,0,0] の如き8通りに限られている。
ては、一旦、発光放電セルに設定したものを再び非発光
放電セルに復帰させるようなデータパターンを禁止した
のである。よって、全放電セルに対して壁電荷の形成を
行う上記一斉リセット動作は、この第4リセットサイク
ルの先頭部において1回だけ実施しておけば良いことに
なる。
ルド期間内において実行する一斉リセット動作は、第1
〜第4リセットサイクル各々の先頭部のみの4回で済む
ので、図1に示されるが如き一斉リセット動作を6回行
うものに比して、コントラストを高めることが出来るの
である。更に、図9に示されるが如く、第1〜第4リセ
ットサイクル各々において実施される選択消去放電(発
光放電セルから非発光放電セルへの推移)は、最高でも
1回であるので、1フィールド期間内において実施され
る選択消去放電の総数は最高でも4回となる。
ド期間内において最高6回の選択消去放電が為されるも
のに比して、その消費電力を抑えることが可能となるの
である。尚、かかる図7、図8、及び図9に示される駆
動方法では、画素データの輝度レベルが例えば輝度レベ
ル"7"から"8"へと推移した場合に、画面上において偽
輪郭が発生する恐れがある。
ル"7"に対応した変換画素データHDは、 [0,0,0,1,0,0,0,0,0,0] であり、一方、輝度レベル"8"に対応した変換画素デー
タHDは、 [1,1,1,0,1,0,0,0,0,0] である。
にも拘わらず、サブフィールドSF1、2、3、4aで
の発光パターンが全て反転してしまうので、これが誤っ
た輪郭として視認される恐れがある。図10は、かかる
偽輪郭発生に鑑みて為された発光駆動フォーマットの他
の実施例を示す図であり、図11及び図12は、この発
光駆動フォーマットに従ってPDP10の駆動を行う際
に用いられる変換テーブルを示す図である。
は、図9に示されるサブフィールドSF4aでの発光期
間比"8"をその直前に存在するサブフィールドSF3と
同一の"4"に減らし、この減った分を、サブフィールド
SF4gの発光期間比を"12"に増やすことで補ってい
る。かかる発光駆動フォーマットによれば、図11に示
されるが如く、輝度レベル"7"に対応した変換画素デー
タHDを、 [0,0,0,1,0,0,0,0,0,0] とし、輝度レベル"8"に対応した変換画素データHD
を、 [1,1,0,0,1,0,0,0,0,0] とすることが出来る。
各々での発光パターンは反転するものの、サブフィール
ドSF3では反転が起こらない。よって、画素データの
輝度レベルが"7"から"8"に推移しても、偽輪郭の発生
が抑制されるのである。要するに、先ず、複数のサブフ
ィールド群(第4サイクル)の内の先頭のサブフィール
ドSF4aにて実施する発光維持の時間を、かかるサブ
フィールド群の直前のサブフィールドSF3にて実施す
る発光維持の時間と同一にする。
だけ推移した場合には、上記サブフィールド群内の先頭
のサブフィールドSF4a及びSF3のいずれか一方
が、必ず推移する前の発光状態を継続するように、図1
1及び図12に示されるが如く画素データの変換を行っ
ているのである。すなわち、図11及び図12に示され
るように、輝度レベルが1段階変化する場合には、サブ
フィールドSF4a及びSF3での発光パターンは、 輝度レベル"7"から"8"への推移の場合に、[0,1]
から[0,0] 輝度レベル"11"から"12"への推移の場合に、[0,0]
から[1,0] となり、必ずいずれか一方が、推移する前の発光状態を
継続しているのである。 尚、上記実施例においては、
1フィールド期間内において実施する一斉リセット動作
を3回(図5)又は4回(図9、図10)にしている
が、図13に示されるが如き発光駆動フォーマットを採
用して2回にしても良い。
発光駆動フォーマットを採用して、1フィールド期間内
において実施する一斉リセット動作を1回にすることも
可能である。尚、図14は、画素データ書込行程Wcに
おいて上述した如き選択消去アドレス法により画素デー
タの書き込みを行う場合、又、図15は、選択書込アド
レス法により画素データの書き込みを行う場合各々での
発光駆動フォーマットを示すものである。
ーマットでは、1フィールド期間をサブフィールドSF
1〜SF14なる14個のサブフィールドに分割してい
る。これらサブフィールドSF1〜SF14各々では、
画素データの書き込みを行って発光セル及び非発光セル
の設定を行う画素データ書込行程Wcと、発光セルに対
してのみ放電発光状態を維持させる維持発光行程Icと
を実施する。この際、各維持発光行程Icでの発光時間
(発光回数)は、サブフィールドSF1での発光時間を"
1"とした場合、 SF1:1 SF2:3 SF3:5 SF4:8 SF5:10 SF6:13 SF7:16 SF8:19 SF9:22 SF10:25 SF11:28 SF12:32 SF13:35 SF14:39 と設定されている。
14の発光回数の比を非線形(つまり、逆ガンマ比率:
Y=X2,2)になるように設定し、これにより入力画素デ
ータDの非線形特性(ガンマ特性)を補正するようにし
ている。更に、これら各サブフィールドの内、先頭のサ
ブフィールドのみで一斉リセット行程Rcを実行する。
つまり、図14に示されるが如き選択消去アドレス法を
採用した際の発光駆動フォーマットではサブフィールド
SF1、図15に示されるが如き選択書込法を採用した
際の発光駆動フォーマットではサブフィールドSF14
のみで、一斉リセット行程Rcを実行するのである。
又、図14及び図15に示されるように、1フィールド
期間の最後尾のサブフィールドにおいて、全ての放電セ
ル内に残存している壁電荷を消滅せしめる消去行程Eを
実行する。
く発光駆動動作を実施するプラズマディスプレイ装置の
構成を示す図である。尚、図16に示されるプラズマデ
ィスプレイ装置は、図2に示した構成中におけるデータ
変換回路3をデータ変換回路30に変更したものであ
り、これを除く他の機能モジュールについては図2に示
されるものと同一である。よって、以下に、図16に示
されるデータ変換回路30の動作についてのみ説明す
る。
部構成を示す図である。図17において、ABL(自動
輝度制御)回路31は、PDP10の画面上に表示され
る画像の平均輝度が所定の輝度範囲内に収まるように、
A/D変換器1から順次供給されてくる各画素毎の画素
データDに対して輝度レベルの調整を行い、この際得ら
れた輝度調整画素データDBLを第1データ変換回路32
に供給する。
サブフィールドの発光回数の比を非線形に設定して逆ガ
ンマ補正を行う前に行われるため、ABL回路31は、
画素データD(入力画素データ)に逆ガンマ補正を施
し、この際得られた逆ガンマ変換画素データの平均輝度
に応じて上記画素データD(入力画素データ)の輝度レベ
ルを自動調整するように構成されている。これにより、
輝度調整による表示品質の劣化を防止できる。
成を示す図である。図18において、レベル調整回路3
10は、後述する平均輝度検出回路311にて求められ
た平均輝度に応じて画素データDのレベルを調整して得
られた輝度調整画素データDBLを出力する。データ変換
回路312は、かかる輝度調整画素データDBLを図19
に示されるが如き非線形特性からなる逆ガンマ特性(Y=X
2.2 )にて変換したものを逆ガンマ変換画素データDr
として平均輝度レベル検出回路311に供給する。すな
わち、データ変換回路312によって、輝度調整画素デ
ータDBLに対して逆ガンマ補正を施すことにより、ガン
マ補正の解除された元の映像信号に対応した画素データ
(逆ガンマ変換画素データDr)を復元するのである。
平均輝度検出回路311は、かかる逆ガンマ変換画素デ
ータDrからその平均輝度を求めて上記レベル調整回路
310に供給する。又、平均輝度検出回路311は、例
えば図20に示されるが如き各サブフィールドでの発光
時間を指定する輝度モード1〜4の中から、上述の如く
求めた平均輝度に応じた輝度にてPDP10を発光駆動
し得る輝度モードを選択し、この選択した輝度モードを
示す輝度モード信号LCを駆動制御回路2に供給する。
1に示されるが如き変換特性に基づいて256階調(8
ビット)の入力輝度調整画素データDBLを14×16/
255(224/255)にした8ビット(0〜22
4)の変換画素データHDpに変換して多階調化処理回
路33に供給する。具体的には、8ビット(0〜25
5)の入力輝度調整画素データDBLがかかる変換特性に
基づく図22及び図23に示されるが如き変換テーブル
に従って変換される。すなわち、この変換特性は、入力
画素データのビット数、多階調化による圧縮ビット数、
及び表示階調数に応じて設定される。このように、後述
する多階調化処理回路の前段に、第1データ変換回路3
2を設けて、表示階調数及び多階調化による圧縮ビット
数に合わせた変換を行い、これにより輝度調整画素デー
タDBLを、上位ビット群(多階調化画素データに対応)
と下位ビット群(切り捨てられるデータ:誤差データ)
とをビット境界で切り分け、この信号に基づいて多階調
化処理を行うようになっている。これにより、多階調化
処理による輝度飽和の発生及び表示階調がビット境界に
ない場合に生じる表示特性の平坦部の発生(すなわち、
階調歪みの発生)を防止することができる。
内部構成を示す図である。図24に示されるが如く、多
階調化処理回路33は、誤差拡散処理回路330及びデ
ィザ処理回路350から構成される。先ず、誤差拡散処
理回路330におけるデータ分離回路331は、図17
に示される第1データ変換回路32から供給されたmビ
ットの変換画素データHDP 中の下位iビット分を誤差
データ、上位(m-i)ビット分を表示データとして分離
する。
の変換画素データHDP中の下位iビット分と、遅延回
路334からの遅延出力と、係数乗算器335の乗算出
力とを加算して得た加算値を遅延回路336に供給す
る。遅延回路336は、加算器332から供給された加
算値を、画素データのクロック周期と同一の時間を有す
る遅延時間Dだけ遅らせた信号を遅延加算信号AD1と
して上記係数乗算器335及び遅延回路337に夫々供
給する。
D1に所定係数値K1(例えば、"7/16")を乗算して得られ
た乗算結果を上記加算器332に供給する。遅延回路3
37は、上記遅延加算信号AD1を更に(1水平走査期間
−上記遅延時間D×4)なる時間だけ遅延させたものを
遅延加算信号AD2として遅延回路338に供給する。
遅延回路338は、かかる遅延加算信号AD2を更に上
記遅延時間Dだけ遅延させたものを遅延加算信号AD3
として係数乗算器339に供給する。又、遅延回路33
8は、かかる遅延加算信号AD2を更に上記遅延時間D
×2なる時間分だけ遅延させたものを遅延加算信号AD
4として係数乗算器340に供給する。更に、遅延回路
338は、かかる遅延加算信号AD2を更に上記遅延時
間D×3なる時間分だけ遅延させたものを遅延加算信号
AD5として係数乗算器341に供給する。
D3に所定係数値K2(例えば、"3/16")を乗算して得られ
た乗算結果を加算器342に供給する。係数乗算器34
0は、上記遅延加算信号AD4に所定係数値K3(例え
ば、"5/16")を乗算して得られた乗算結果を加算器34
2に供給する。係数乗算器341は、上記遅延加算信号
AD5に所定係数値K4(例えば、"1/16")を乗算して得ら
れた乗算結果を加算器342に供給する。
340及び341各々から供給された乗算結果を加算し
て得られた加算信号を上記遅延回路334に供給する。
遅延回路334は、かかる加算信号を上記遅延時間Dな
る時間分だけ遅延させて上記加算器332に供給する。
加算器332は、上記変換画素データHDP中の下位i
ビット分と、遅延回路334からの遅延出力と、係数乗
算器335の乗算出力とを加算した際に桁上げがない場
合には論理レベル"0"、桁上げがある場合には論理レベ
ル"1"のキャリアウト信号COを発生してこれを加算器3
33に供給する。
P中の上位(m-i)ビット分からなる表示データに、上記
キャリアウト信号COを加算したものを(m-i)ビットを
有する上記誤差拡散処理画素データEDとして出力す
る。つまり、かかる誤差拡散処理画素データEDのビッ
ト数は、上記変換画素データHDPよりも小となるので
ある。
回路330の動作について説明する。例えば、図25に
示されるが如きPDP10の画素G(j,k)に対応した誤
差拡散処理画素データEDを求める場合、先ず、かかる
画素G(j,k)の左横の画素G(j,k-1)、左斜め上の画素G
(j-1,k-1)、真上の画素G(j-1,k)、及び右斜め上の画素
G(j-1,k+1)各々に対応した各誤差データ、すなわち、 画素G(j,k-1)に対応した誤差データ:遅延加算信号A
D1 画素G(j-1,k+1)に対応した誤差データ:遅延加算信号
AD3 画素G(j-1,k)に対応した誤差データ:遅延加算信号A
D4 画素G(j-1,k-1)に対応した誤差データ:遅延加算信号
AD5 各々を、上述した如き所定の係数値K1〜K4をもって重
み付け加算する。次に、この加算結果に、変換画素デー
タHDPの下位iビット分、すなわち画素G(j,k)に対応
した誤差データを加算し、この際得られた1ビット分の
キャリアウト信号COを変換画素データHDP中の上位
(m-i)ビット分、すなわち画素G(j,k)に対応した表示
データに加算したものを誤差拡散処理画素データEDと
する。
0では、変換画素データHDP中の上位(m-i)ビット分
を表示データ、残りの下位iビット分を誤差データとし
て捉え、周辺画素{G(j,k-1)、G(j-1,k+1)、G(j-1,
k)、G(j-1,k-1)}各々での誤差データを重み付け加算
したものを、上記表示データに反映させるようにしてい
る。かかる動作により、原画素{G(j,k)}における下
位iビット分の輝度が上記周辺画素により擬似的に表現
され、それ故にmビットよりも少ないビット数、すなわ
ち(m-i)ビット分の表示データにて、上記mビット分
の画素データと同等の輝度階調表現が可能になるのであ
る。
て一定に加算されていると、誤差拡散パターンによるノ
イズが視覚的に確認される場合があり画質を損なってし
まう。そこで、後述するディザ係数の場合と同様に4つ
の画素各々に割り当てるべき誤差拡散の係数K1〜K4を
1フィールド毎に変更するようにしても良い。ディザ処
理回路350は、かかる誤差拡散処理回路330から供
給された(m-i)ビットの誤差拡散処理画素データED
にディザ処理を施すことにより、誤差拡散処理画素デー
タEDと同等な輝度階調レベルを維持しつつもビット数
を(m-i−j)ビットに減らした多階調化処理画素デー
タDSを生成する。尚、かかるディザ処理では、隣接す
る複数個の画素により1つの中間表示レベルを表現する
ものである。例えば、8ビットの画素データの内の上位
6ビットの画素データを用いて8ビット相当の階調表示
を行う場合、左右、上下に互いに隣接する4つの画素を
1組とし、この1組の各画素に対応した画素データ各々
に、互いに異なる係数値からなる4つのディザ係数a〜
dを夫々割り当てて加算する。かかるディザ処理によれ
ば、4画素で4つの異なる中間表示レベルの組み合わせ
が発生することになる。よって、例え画素データのビッ
ト数が6ビットであっても、表現出来る輝度階調レベル
は4倍、すなわち、8ビット相当の中間調表示が可能と
なるのである。
ザパターンが各画素に対して一定に加算されていると、
このディザパターンによるノイズが視覚的に確認される
場合があり画質を損なってしまう。そこで、ディザ処理
回路350においては、4つの画素各々に割り当てるべ
き上記ディザ係数a〜dを1フィールド毎に変更するよ
うにしている。
内部構成を示す図である。図26において、ディザ係数
発生回路352は、互いに隣接する4つの画素毎に4つ
のディザ係数a、b、c、dを発生してこれらを順次加
算器351に供給する。例えば、図27に示されるよう
に、第j行に対応した画素G(j,k)及び画素G(j,k+1)、
第(j+1)行に対応した画素G(j+1,k)及び画素G(j+1,
k+1)なる4つの画素各々に対応した4つのディザ係数
a、b、c、dを発生する。この際、ディザ係数発生回
路352は、これら4つの画素各々に割り当てるべき上
記ディザ係数a〜dを図27に示されるように1フィー
ルド毎に変更して行く。
は、 画素G(j,k) :ディザ係数a 画素G(j,k+1) :ディザ係数b 画素G(j+1,k) :ディザ係数c 画素G(j+1,k+1):ディザ係数d 次の第2フィールドにおいては、 画素G(j,k) :ディザ係数b 画素G(j,k+1) :ディザ係数a 画素G(j+1,k) :ディザ係数d 画素G(j+1,k+1):ディザ係数c 次の第3フィールドにおいては、 画素G(j,k) :ディザ係数d 画素G(j,k+1) :ディザ係数c 画素G(j+1,k) :ディザ係数b 画素G(j+1,k+1):ディザ係数a そして、第4フィールドにおいては、 画素G(j,k) :ディザ係数c 画素G(j,k+1) :ディザ係数d 画素G(j+1,k) :ディザ係数a 画素G(j+1,k+1):ディザ係数b の如き割り当てにて、ディザ係数a〜dを循環して繰り
返し発生し、これを加算器351に供給する。ディザ係
数発生回路352は、上述した如き第1フィールド〜第
4フィールドの動作を繰り返し実行する。すなわち、か
かる第4フィールドでのディザ係数発生動作が終了した
ら、再び、上記第1フィールドの動作に戻って、前述し
た動作を繰り返すのである。
30から供給されてくる上記画素G(j,k)、画素G(j,k+
1)、画素G(j+1,k)、及び画素G(j+1,k+1)各々に対応し
た誤差拡散処理画素データED各々に、上述の如く各フ
ィールド毎に割り当てられたディザ係数a〜dを夫々加
算し、この際得られたディザ加算画素データを上位ビッ
ト抽出回路353に供給する。
においては、画素G(j,k)に対応した誤差拡散処理画素
データED+ディザ係数a、画素G(j,k+1)に対応した
誤差拡散処理画素データED+ディザ係数b、画素G(j
+1,k)に対応した誤差拡散処理画素データED+ディザ
係数c、画素G(j+1,k+1)に対応した誤差拡散処理画素
データED+ディザ係数dの各々をディザ加算画素デー
タとして上位ビット抽出回路353に順次供給して行く
のである。
ザ加算画素データの上位(m−i−j)ビット分までを抽
出し、これを多階調化画素データDSとして図17に示
される第2データ変換回路34に供給する。第2データ
変換回路34は、かかる多階調化画素データDSを図2
8又は図29に示されるが如き変換テーブルに従って、
図14又は図15に示されるサブフィールドSF1〜S
F14各々に対応した第1〜第14ビットからなる変換
画素データHD(表示画素データ)に変換する。
データDsは、8ビット(256階調)の入力画素デー
タDを第1データ変換(図22及び図23の変換テーブ
ル)にしたがって224/225にし、さらに多階調化
処理(例えば、誤差拡散及びディザ処理にて夫々2ビッ
ト圧縮して合計4ビットの圧縮を行う)により、4ビッ
ト(0〜14:15階調)に変換したものである。
択消去アドレス法による発光駆動を行う場合に用いる変
換テーブル、一方、図29は、図15に示されるが如き
選択書込法による発光駆動を行う場合に用いる変換テー
ブルを示すものである。この際、第1〜第14ビットか
らなる変換画素データHDにおける論理レベル"1"のビ
ットは、そのビットに対応したサブフィールドSFにお
ける画素データ書込行程Wcにて、選択消去放電(選択
書込放電)を実施させることを示すものである。 図1
6に示されるメモリ4は、駆動制御回路2から供給され
てくる書込信号に応じて上記変換画素データHDを順次
書き込む。かかる書込動作により1画面(n行、m列)
分の書き込みが終了すると、メモリ4は、この1画面分
の変換画素データHD11-nm各々を各ビット桁毎(第1
ビット〜第14ビット)に分割して読み出し、これを1
行分毎に順次アドレスドライバ6に供給する。
如き選択消去アドレス法による発光駆動を実施する場合
には、図28に示されるが如き変換テーブルに従って変
換された14ビットの変換画素データHDを各ビット桁
毎に分割し、第1ビットから第14ビットへと順次読み
出し、これらを1フィールド期間内にアドレスドライバ
6に供給して行くのである。
ら読み出された1行分毎の画素データビット群各々の論
理レベルに対応した電圧を有する画素データパルスDP
1〜DPm及び残留電荷量を消去させる為の消去パルスA
Pを発生し、これらを図30又は図31に示されるが如
きタイミングでPDP10の列電極D1〜Dmに印加す
る。
の水平及び垂直同期信号に同期して、上記A/D変換器
1に対するクロック信号、及びメモリ4に対する書込・
読出信号を生成する。更に、駆動制御回路2は、かかる
水平及び垂直同期信号に同期して、画素データタイミン
グ信号、リセットタイミング信号、走査タイミング信
号、及び維持タイミング信号を夫々発生する。この際、
駆動制御回路2は、図14又は図15に示される各維持
発光行程Ic内において供給する維持タイミング信号の
回数(期間)、すなわち、各維持発光行程Ic内において
印加される維持パルスの数を、図20に示されるが如き
輝度モード信号LCにて指定されたモードに従って設定
する。例えば、図14又は図15に示されるサブフィー
ルドSF1の維持発光行程Icにおいては、輝度モード
信号LCにて指定されたモードがモード1である場合に
は"1"、モード2である場合には"2"、モード3である
場合には"3"、モード4である場合には"4"の如く設定
する。
御回路2から供給された各種タイミング信号に応じて、
残留電荷量を初期化するためのリセットパルスRPX、
放電発光状態を維持するための維持パルスIPX各々を
発生し、これらを図30又は図31に示されるが如きタ
イミングでPDP10の行電極X1〜Xnに印加する。第
2サスティンドライバ8は、上記駆動制御回路2から供
給された各種タイミング信号に応じて、残留電荷量を初
期化するためのリセットパルスRPY、画素データを書
き込むための走査パルスSP、画素データ書き込みを良
好に実施させる為のプライミングパルスPP、放電発光
状態を維持するための維持パルスIPY 、及び残留壁電
荷を消去させる為の消去パルスEP各々を発生し、これ
らを図30又は図31に示されるが如きタイミングでP
DP10の行電極Y1〜Ynに印加する。
発光駆動時における1フィールド期間内での各駆動パル
スの印加タイミングを示す図であり、図31は、選択書
込アドレス法による発光駆動時における1フィールド期
間内での各駆動パルスの印加タイミングを示す図であ
る。この際、図31に示される選択書込アドレス法によ
る発光駆動時においては、先ず、第1サスティンドライ
バ7及び第2サスティンドライバ8は、PDP10の行
電極X及びYに夫々リセットパルスRPx及びRPYを同
時に印加してPDP10中の全ての放電セルをリセット
放電せしめることにより各放電セル内に強制的に壁電荷
を形成させる(R1)。その直後に、第1サスティンド
ライバ7は、上記消去パルスEPをPDP10の行電極
X1〜Xn に一斉に印加することにより、全放電セル内に
形成された上記壁電荷を消去させる(R2)。上記R1及
びR2の一連の動作により一斉リセット行程Rcを為し
ている。図31における画素データ書込行程Wcでは、
走査パルスSPが印加された"行"と、高電圧の画素デー
タパルスが印加された"列"との交差部の放電セルにのみ
放電が生じ、その放電セル内に選択的に壁電荷が形成さ
れる。かかる選択書込により、維持発光行程Icにおい
て放電発光が実施される発光放電セルと、放電発光しな
い非発光放電セルとが設定される。
去アドレス法による発光駆動を実施する場合には、変換
画素データHDにおける論理レベル"1"のビットに対応
したサブフィールドSFにおいてのみで選択消去放電が
実施される(黒丸にて示す)。この際、先頭のサブフィ
ールドSF1からこの選択消去放電が実施されまでの間
に存在するサブフィールドSFにおいて点灯状態が維持
され(白丸にて示す)、上記選択消去放電後は消灯状態
を維持する。
実施する場合には、図29に示されるように、変換画素
データHDにおける論理レベル"1"のビットに対応した
サブフィールドSFにおいてのみで選択書込放電が実施
される(黒丸にて示す)。この際、先頭のサブフィール
ドSF14からこの選択書込放電が実施されまでの間に
存在するサブフィールドSFでは消灯状態が維持され、
この選択書込放電が実施されたサブフィールドSF以降
に存在するサブフィールドSFにおいて点灯状態が維持
される(白丸にて示す)。
図29に示されるように、発光輝度比が、 {0、1、4、9、17、27、40、56、75、97、122、150、182、217、256} なる15階調にてPDP10に対する発光駆動が実施さ
れるが、上記多階調処理回路33の動作により、実際の
視覚上における階調表現はかかる15階調よりも多くな
る。
が如き輝度モード信号LCにて指定されたモードによっ
て変わる。すなわち、図14及び図15に示されている
各発光維持行程Icでの発光期間は、図20におけるモ
ード1での形態を示しているが、輝度モード信号LCに
て指定されたモードがモード2である場合にはかかるモ
ード1の2倍、モード3である場合には3倍、モード4
である場合には4倍の輝度を表現するのである。
動方法では、所望の輝度を確保しつつ1フィールド期間
内の先頭に配列されるサブフィールドにおいてのみで一
斉リセット行程Rcを実行し、いずれか1のサブフィー
ルドの画素データの書込行程においてのみで各放電セル
が画素データに応じて発光セルと非発光セルの一方に設
定された状態となるように構成している。この際、輝度
を増加させる場合には、選択消去アドレス法を採用した
ときには1フィールドの先頭のサブフィールドから順に
点灯状態にし、選択書込アドレス法を採用したときには
1フィールドの最後尾のサブフィールドから順に点灯状
態にする。
ールド期間内において一斉リセット行程Rcを2回実行
するものに比して、コントラストを向上させることが出
来る。又、1フィールド期間内でのビット桁上がり時の
重心移動の回数、すなわち、1フィールド期間内での点
灯状態から消灯状態(又は消灯状態から点灯状態)への
推移の数が少ないので疑似輪郭を充分に軽減させること
が出来る。更に、画素データの書き込みを担う選択消去
動作(選択書込動作)が1フィールド期間内において1
回で済むので、アドレス電力が大幅に低減される。
される構成によって実施される他の発光駆動フォーマッ
トを示す図である。図32及び図33に示されるが如き
発光駆動フォーマットでは、1フィールド期間内におけ
るサブフィールドを、互いに連続して配置された複数の
サブフィールドからなる2つのサブフィールド群に分
け、各サブフィールド群の先頭に配列されるサブフィー
ルドにおいてのみで一斉リセット行程Rcを実行し、い
ずれか1のサブフィールドの画素データの書込み行程に
おいてのみで各放電セルが画素データに応じて発光セル
と非発光セルの一方に設定された状態となるように構成
している。従って、各サブフィールド群において、一斉
リセット動作、選択消去動作(選択書込動作)は、各1
回となる。この際、輝度を増加させる場合には、選択消
去アドレス法を採用したときには1フィールドの先頭の
サブフィールドから順に点灯状態にし、選択書込アドレ
ス法を採用したときには1フィールドの最後尾のサブフ
ィールドから順に点灯状態にする。
おいて上述した如き選択消去アドレス法により画素デー
タの書き込みを行う場合、又、図33は、選択書込アド
レス法により画素データの書き込みを行う場合各々での
発光駆動フォーマットを示すものである。図32及び図
33に示される発光駆動フォーマットでは、1フィール
ド期間をサブフィールドSF1〜SF14なる14個の
サブフィールドに分割している。
々では、画素データの書き込みを行って発光セル及び非
発光セルの設定を行う画素データ書込行程Wcと、発光
セルに対してのみ放電発光状態を維持させる維持発光行
程Icとを実施する。この際、各維持発光行程Icでの
発光時間(発光回数)は、サブフィールドSF1での発光
時間を"1"とした場合、 SF1:1 SF2:1 SF3:1 SF4:3 SF5:3 SF6:8 SF7:13 SF8:15 SF9:20 SF10:25 SF11:31 SF12:37 SF13:48 SF14:50 と設定されている。
14の発光回数の比を非線形(つまり、逆ガンマ比率:
Y=X2,2)になるように設定し、これにより入力画素デ
ータDの非線形特性(ガンマ特性)を補正するようにし
ている。更に、これら各サブフィールドの内、先頭のサ
ブフィールドと、中間のサブフィールドとで一斉リセッ
ト行程Rcを実行する。
アドレス法を採用した際の発光駆動フォーマットではサ
ブフィールドSF1とSF7とで一斉リセット行程Rc
を実行し、図33に示されるが如き選択書込法を採用し
た際の発光駆動フォーマットではサブフィールドSF1
4とSF6とで一斉リセット行程Rcを実行するのであ
る。又、図32及び図33に示されるように、1フィー
ルド期間の最後尾のサブフィールド、及び一斉リセット
行程Rcを実行する直前のサブフィールドにて、全ての
放電セル内に残存している壁電荷を消滅せしめる消去行
程Eを実行する。
れる発光駆動フォーマットに基づく発光駆動を行う場合
に適用される図17における第1データ変換回路32の
変換特性を示す図であり、図35及び図36は、かかる
変換特性に基づく変換テーブルの一例を示す図である。
ここで、第1データ変換回路32は、図35及び図36
の変換テーブルに基づいて、256階調(8ビット)の
入力輝度調整画素データDBLを22×16/255(3
52/255)にした9ビット(0〜352)の変換画
素データHDp に変換して多階調化処理回路33に供給
する。多階調化処理回路33では、上述と同様に例えば
4ビットの圧縮処理を行い、5ビット(0〜22)の多
階調化画素データDsを出力する。
る第2データ変換回路34における変換テーブル、及び
1フィールドにおける駆動状態を示す図である。この
際、図37は、図32に示されるが如き選択消去アドレ
ス法による発光駆動を行う場合に用いる変換テーブル、
一方、図38は、図33に示されるが如き選択書込法に
よる発光駆動を行う場合に用いる変換テーブルを示すも
のである。
データDsは、8ビット(256階調)の入力画素デー
タDを第1データ変換(図22及び図23の変換テーブ
ル)にしたがって352/255とし、さらに多階調化
処理(例えば誤差拡散処理及びディザ処理により夫々2
ビット分だけ圧縮した合計4ビットの圧縮処理)によ
り、5ビット(0〜22:23階調)に変換したもので
ある。
例え、1フィールド期間内において実施される一斉リセ
ット行程Rc及び選択消去動作(選択書込動作)の回数
が1フィールド期間内において2回であっても、図13
に示される駆動方法に比して、コントラストの向上、疑
似輪郭の軽減、並びにアドレス電力の低減が為される。
ば、表示階調数は23となるため、図14〜図31に示
される構成(表示階調数が15)に比して表示階調数が
増加する。
フィールド期間内において全放電セルを初期化する一斉
リセット動作の回数を減らすことが出来るので、画像の
コントラストを高めることが可能となる。更に、1フィ
ールド期間内での各画素データ書込行程において実施す
る選択消去(書込)放電の回数を減らすことが出来るの
で、低消費電力化が達成される。更に、輝度階調変化が
少ない表示を行う場合でも、互いに隣接する放電セル間
において両者の発光パターンが互いに反転してしまうこ
とはないので、偽輪郭を抑制出来るのである。
光駆動フォーマットを示す図である。
プレイパネルを駆動するプラズマディスプレイ装置の概
略構成を示す図である。
を示す図である。
を示す図である。
す図である。
加される各種駆動パルスの印加タイミングの一例を示す
図である。
一例を示す図である。
一例を示す図である。
を示す図である。
の一例を示す図である。
PDP10を発光駆動する際に用いられる変換テーブル
を示す図である。
PDP10を発光駆動する際に用いられる変換テーブル
を示す図である。
例を示す図である。
去アドレス法)の他の一例を示す図である。
込法)の他の一例を示す図である。
レイ装置の概略構成を示す図である。
る。
す図である。
期間との対応関係を示す図である。
示す図である。
ルの一例を示す図である。
ルの一例を示す図である。
る。
の図である。
ある。
図である。
ルの一例を示す図である。
ルの一例を示す図である。
印加タイミング(選択消去アドレス法)を示す図であ
る。
印加タイミング(選択書込法)を示す図である。
去アドレス法)の他の一例を示す図である。
込法)の他の一例を示す図である。
他の一例を示す図である。
ルの他の一例を示す図である。
ルの他の一例を示す図である。
ルの他の一例を示す図である。
ルの他の一例を示す図である。
Claims (18)
- 【請求項1】 走査ライン毎に配列された複数の行電極
と前記行電極に交叉して配列された複数の列電極との各
交点にて1画素に対応した放電セルを形成しているプラ
ズマディスプレイパネルの駆動を行うプラズマディスプ
レイパネルの駆動方法であって、 1フィールドの表示期間を複数のサブフィールドに分割
して、前記サブフィールド各々内において、前記放電セ
ル内に形成されている壁電荷を表示画素データに応じて
選択的に消去放電せしめることにより発光セルと非発光
セルとを設定する画素データ書込行程と、前記発光セル
のみを前記サブフィールドの重み付けに対応した時間だ
け発光維持させる維持発光行程とを実行し、 前記サブフィールド各々の内の互いに連続する少なくと
も2つのサブフィールドからなるサブフィールド群にお
いて、先頭のサブフィールドのみにおいて全放電セルを
一斉にリセット放電せしめて壁電荷を形成させる一斉リ
セット行程を実行し、 前記サブフィールド群中のいずれか1のサブフィールド
の前記画素データ書込行程においてのみで前記消去放電
を為すことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの
駆動方法。 - 【請求項2】 前記サブフィールド群内のサブフィール
ド各々は、互いに同一時間だけ発光維持を行う前記維持
発光行程を有することを特徴とする請求項1記載のプラ
ズマディスプレイパネルの駆動方法。 - 【請求項3】 前記1フィールドの表示期間内に分割さ
れた前記サブフィールド各々を前記重み付けに対応した
順で配列し、 前記サブフィールド群内の先頭のサブフィールドの前記
維持発光行程にて実施する前記発光維持の時間を、前記
サブフィールド群の直前のサブフィールドでの前記維持
発光行程にて実施する前記発光維持の時間と同一にし、 前記表示画素データの輝度レベルが1段階だけ推移する
場合には、前記サブフィールド群内の先頭のサブフィー
ルド及び前記サブフィールド群の直前のサブフィールド
のいずれか一方は必ず前記推移する前の発光状態を継続
することを特徴とする請求項1記載のプラズマディスプ
レイパネルの駆動方法。 - 【請求項4】 前記画素データ書込行程では、前記消去
放電を実行する直前に一旦前記放電セルを放電励起せし
めて前記放電セルの放電空間内に荷電粒子を形成せしめ
るプライミング放電を実行することを特徴とする請求項
1記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。 - 【請求項5】 走査ライン毎に配列された複数の行電極
と前記行電極に交叉して配列された複数の列電極との各
交点にて1画素に対応した放電セルを形成しているプラ
ズマディスプレイパネルの駆動方法であって、 1フィールドの表示期間を複数のサブフィールドに分割
し前記サブフィールド各々において画素データ書込行程
と維持発光行程とを実行し、 前記1フィールドにおける先頭の前記サブフィールドに
おいてのみで前記画素データ書込行程に先立って全放電
セルを一斉に初期化するリセット行程を実行し、 前記1フィールド内のいずれか1の前記サブフィールド
での前記画素データ書込行程においてのみで表示画素デ
ータに応じて前記放電セルを発光セル又は非発光セルの
いずれか一方に設定し、 前記サブフィールド各々での前記維持発光行程では前記
発光セルのみを前記サブフィールドの重み付けに対応し
た発光期間だけ発光させることを特徴とするプラズマデ
ィスプレイパネルの駆動方法。 - 【請求項6】 前記1フィールド内での最後尾の前記サ
ブフィールドにおいてのみで全ての前記放電セルに対し
て壁電荷の消去を行なう消去行程を実行することを特徴
とする請求項5記載のプラズマディスプレイパネルの駆
動方法。 - 【請求項7】 前記リセット行程では、全ての前記放電
セルを一斉に放電せしめて壁電荷を形成させることによ
り全ての前記放電セルを前記発光セルに設定し、 前記
1フィールド内におけるいずれか1の前記サブフィール
ドでの前記画素データ書込行程の実行により前記リセッ
ト行程で形成された前記壁電荷を前記表示画素データに
応じて選択的に消去されることを特徴とする請求項5記
載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。 - 【請求項8】 前記1フィールド内におけるいずれか1
の前記サブフィールドでの前記画素データ書込行程で
は、前記壁電荷が選択的に消去される直前に一旦前記放
電セルを放電励起せしめて前記放電セルの放電空間内に
荷電粒子を形成せしめるプライミング放電を行なうこと
を特徴とする請求項7記載のプラズマディスプレイパネ
ルの駆動方法。 - 【請求項9】 前記リセット行程では、全ての前記放電
セルを一斉に放電せしめて全放電セルに壁電荷を形成せ
しめた直後に前記壁電荷を一斉に消去する消去放電を行
なうことにより全ての前記放電セルを前記非発光セルに
設定し、 前記1フィールドにおけるいずれか1の前記サブフィー
ルドでの前記画素データ書込行程の実行により前記表示
画素データに応じた前記壁電荷の形成が為されることを
特徴とする請求項5記載のプラズマディスプレイパネル
の駆動方法。 - 【請求項10】 前記1フィールド内に配列されたN個の
前記サブフィールドの内の連続したn個(nは、0〜
N)の前記サブフィールド各々における前記維持発光行
程において前記発光セルを発光維持せしめることにより
N+1階調表示を行うことを特徴とする請求項5記載の
プラズマディスプレイパネルの駆動方法。 - 【請求項11】 前記1フィールド内に配列されたN個の
前記サブフィールド各々における前記維持発光行程での
前記発光期間の比を非線形に設定することにより、入力
画素データの非線形表示特性を補正することを特徴とす
る請求項10記載のプラズマディスプレイパネルの駆動
方法。 - 【請求項12】 前記非線形表示特性は、逆ガンマ補正特
性であることを特徴とする請求項11記載のプラズマデ
ィスプレイパネルの駆動方法。 - 【請求項13】 前記非線形表示特性の補正を行う前に前
記入力画素データに多階調処理を施すことを特徴とする
請求項11記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方
法。 - 【請求項14】 前記多階調化処理とは、誤差拡散処理及
び/又はディザ処理であることを特徴とする請求項13記
載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。 - 【請求項15】 前記多階調化処理を施す前に前記入力画
素データを変換して前記多階調化処理に必要な上位ビッ
ト群と下位ビット群をビット境界で分離することを特徴
とする請求項13記載のプラズマディスプレイパネルの
駆動方法。 - 【請求項16】 前記1フィールド内に配列された前記サ
ブフィールド各々の内、低輝度発光を担うサブフィール
ドの数が高輝度発光を担うサブフィールドの数よりも多
いことを特徴とする請求項10記載のプラズマディスプ
レイパネルの駆動方法。 - 【請求項17】 前記非線形特性の補正を行う前に輝度調
整を行う輝度調整行程を設け、 前記輝度調整行程において前記入力画素データを変換し
て前記非線形特性の補正と同一の補正を行って補正画素
データを求め、前記補正画素データの平均輝度レベルに
応じて前記入力画素データ及び/又は前記サブフィール
ド各々における前記維持発光行程での前記発光期間を調
整することを特徴とする請求項11記載のプラズマディ
スプレイパネルの駆動方法。 - 【請求項18】 走査ライン毎に配列された複数の行電極
と前記行電極に交叉して配列された複数の列電極との各
交点にて1画素に対応した放電セルを形成しているプラ
ズマディスプレイパネルの駆動方法であって、 1フィールドの表示期間を複数のサブフィールドに分割
し、更に複数の前記サブフィールドを互いに連続したも
の同士で2つのサブフィールド群に分け、 前記サブフィールド各々において画素データ書込行程と
維持発光行程とを実行し、 前記サブフィールド群各々の先頭に配列される前記サブ
フィールドにおいてのみで前記画素データ書込行程に先
立って全ての放電セルを一斉に初期化するリセット行程
を実行し、 前記サブフィールド群内におけるいずれか1の前記サブ
フィールドでの前記画素データ書込行程においてのみで
表示画素データに応じて前記放電セルを前記発光セル又
は非発光セルのいずれか一方に設定し、 前記サブフィールド各々での前記維持発光行程では前記
発光セルのみを前記サブフィールドの重み付けに対応し
た発光期間だけ発光させることを特徴とするプラズマデ
ィスプレイパネルの駆動方法。
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