JP2000223749A - Light emitting diode lamp and its manufacture chip type light emitting diode element, and dot matrix type light emitting diode unit - Google Patents

Light emitting diode lamp and its manufacture chip type light emitting diode element, and dot matrix type light emitting diode unit

Info

Publication number
JP2000223749A
JP2000223749A JP11022522A JP2252299A JP2000223749A JP 2000223749 A JP2000223749 A JP 2000223749A JP 11022522 A JP11022522 A JP 11022522A JP 2252299 A JP2252299 A JP 2252299A JP 2000223749 A JP2000223749 A JP 2000223749A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
emitting diode
resin
led chip
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11022522A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Teruo Kamei
Kenji Matsuno
照夫 亀井
研二 松野
Original Assignee
Seiwa Electric Mfg Co Ltd
星和電機株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiwa Electric Mfg Co Ltd, 星和電機株式会社 filed Critical Seiwa Electric Mfg Co Ltd
Priority to JP11022522A priority Critical patent/JP2000223749A/en
Publication of JP2000223749A publication Critical patent/JP2000223749A/en
Application status is Pending legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1515Shape
    • H01L2924/15153Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/15165Monolayer substrate
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/507Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/508Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To easily provide a good light emitting diode lamp by positively passing light emitted from an LED chip through a light-transmitting film containing phosphors, and by merely adding a step of forming the light- transmitting film to manufacturing steps of a prior art light emitting diode lamp. SOLUTION: The light emitting diode lamp includes an LED chip 100, a lead 200 bonded to the chip 10, a light-transmitting resin 300 for molding the LED chip 100, and a light-transmitting film 400 formed on the resin 300. The light-transmitting film 400 contains phosphors 500.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、LEDチップを光源として使用する発光ダイオードランプとその製造方法、チップ型発光ダイオード素子及びドットマトリクス型発光ダイオードユニットに関する。 The present invention relates to a light emitting diode lamp and a manufacturing method thereof that uses LED chips as the light source, to a chip type light emitting diode device and a dot-matrix type light emitting diode unit.

【0002】 [0002]

【従来の技術】例えば、白色光を発する発光ダイオード素子としては、蛍光体を用いたものがある。 BACKGROUND ART For example, as the light emitting diode element emitting white light, there is one using a phosphor. 例えば、青色LEDランプを用いて白色光を出すためには、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体を利用する。 For example, in order to emit white light using a blue LED lamp utilizes a yttrium-aluminum-garnet phosphor. すなわち、青色LEDランプから発せられる480 That is, emitted from the blue LED lamp 480
nm程度の青色光を前記蛍光体に入射すると、570n When the order of nm blue light is incident on the phosphor, 570n
mにピークを有する橙色光となる。 The orange light having a peak to m. 前記青色光はすべてが蛍光体に吸収されて橙色光になるのではなく、その一部は青色光のままである。 The blue light is not all that is absorbed by the phosphor becomes orange light, some of which remain blue light. この橙色光と青色光とを混合することによって白色光が発光するのである。 White light is to light emission by mixing the orange and blue light. このように、蛍光体を用いることによりLEDチップのみでは表現しにくかった色の光を発光させることができるのである。 Thus, it is the LED chip alone can emit light of a color was difficult to express by using the phosphor.

【0003】このため、発光ダイオードランプを構成するリードのカップ部に前記蛍光体を入れたものや、蛍光剤(蛍光体)を樹脂ケースに混合するものや、LEDチップの表面に蛍光体層を形成するものや、発光ダイオードランプに被せられるキャップに蛍光顔料層を形成するもの等が提案されている。 [0003] Therefore, and that put the phosphor on the cup portion of the lead constituting the light-emitting diode lamp, a fluorescent agent (fluorescent) and those to be mixed with the resin case, a phosphor layer on the surface of the LED chip those forming or the like to form a fluorescent pigment layer in the cap for covering the light emitting diode lamp has been proposed.

【0004】本発明は、これらの発光ダイオードランプとは異なった新たな発光ダイオードランプや、その製造方法のみならず、新たなチップ型発光ダイオード素子やドットマトリクス型発光ダイオードユニットを提供することを目的としている。 [0004] The present invention purposes these new LED lamp and that is different from the light emitting diode lamp, not the production process only, to provide a new chip type light emitting diode device or a dot-matrix type light emitting diode unit It is set to.

【0005】 [0005]

【課題を解決するための手段】本発明に係る発光ダイオードランプは、LEDチップと、このLEDチップがボンディングされるリードと、前記LEDチップをモールドする透光性樹脂を有している。 Means for Solving the Problems A light emitting diode lamp according to the present invention includes a LED chip, a lead this LED chip is bonded, a translucent resin for molding the LED chip. そして、透光性樹脂に蛍光体が混合されたものを用いたり、透光性樹脂の表面に蛍光体が混合されたと透光性膜を形成したり、透光性樹脂中に蛍光体が混合された透光性膜を封入したりする。 Then, or used as the phosphor is mixed in the translucent resin, or forming a transparent film and the phosphor are mixed on the surface of the translucent resin, the phosphor in the translucent resin is mixed the has been transparent film or sealed. また、LEDチップの表面に蛍光体が混合された透光性膜を形成してもよい。 The phosphor may form a mixed light transmissive layer on the surface of the LED chip.

【0006】また、本発明に係るチップ型発光ダイオード素子は、蛍光体が混合された透光性樹脂でLEDチップをモールドしたり、蛍光体が混合された透光性膜を透光性樹脂の表面に形成したり、蛍光体が混合された透光性膜を透光性樹脂の内部に封入したりする。 [0006] The chip-type light emitting diode device according to the present invention, or by molding LED chips of a translucent resin in which the phosphor is mixed, the translucent resin translucent film which phosphors are mixed It may be formed on the surface, or to encapsulate the light-transmitting film which phosphors are mixed in the interior of the translucent resin. また、LE In addition, LE
Dチップの表面に蛍光体が混合された透光性膜が形成してもよい。 D transparent film which phosphors are mixed on the surface of the chip may be formed.

【0007】さらに、ドットマトリクス型発光ダイオードユニットは、複数のLEDチップがマトリクス状に配置されたドットマトリクス型発光ダイオードユニットであって、LEDチップの表面に蛍光体が混合された透光性膜を形成したり、LEDチップを蛍光体が混合された透光性フィルムでカバーしたり、LEDチップを蛍光体が塗布された透光性フィルムでカバーしたり、LEDチップをカバーする透光性フィルムの裏面側の接着剤に蛍光体を混合したりする。 Furthermore, the dot-matrix type light-emitting diode unit, a dot-matrix type light-emitting diode unit in which a plurality of LED chips are arranged in matrix, a transparent film which phosphors are mixed on the surface of the LED chip formation or, the LED chip or covered with translucent film mixed phosphor, or cover the LED chips in the light-transmitting film which phosphors are coated, the light-transmitting film that covers the LED chip or a mixture of phosphor on the back side of the adhesive. また、LEDチップを蛍光体が混合された透光性樹脂で覆うようにしてもよい。 It is also possible to cover the LED chips in the light-transmitting resin in which the phosphor is mixed.

【0008】 [0008]

【発明の実施の形態】図1は本発明の第1の実施の形態に係る発光ダイオードランプの概略的断面図、図2は本発明の第2の実施の形態に係る発光ダイオードランプの概略的断面図、図3は本発明の第3の実施の形態に係る発光ダイオードランプの概略的断面図、図4は本発明の第3の実施の形態に係る発光ダイオードランプの製造工程を示す概略的断面図、図5は本発明の第4の実施の形態に係る発光ダイオードランプの概略的断面図、図6は本発明の第5の実施の形態に係る発光ダイオードランプの概略的断面図、図7は本発明の第6の実施の形態に係る発光ダイオードランプの要部、すなわちカップ部の概略的拡大断面図である。 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Figure 1 is a schematic sectional view of a light emitting diode lamp according to a first embodiment of the present invention, schematically a light emitting diode lamp 2 according to the second embodiment of the present invention sectional view schematically showing a 3 third schematic sectional view of a light emitting diode lamp according to the embodiment of FIG. 4 LED lamp manufacturing process according to the third embodiment of the present invention of the present invention sectional view, FIG. 5 is a fourth light emitting diode lamp schematic cross-sectional view of a according to an embodiment of the present invention, FIG. 6 is a schematic sectional view of a light emitting diode lamp according to a fifth embodiment of the present invention, FIG. 7 is a main portion of a light emitting diode lamp according to a sixth embodiment of the present invention, i.e. a schematic enlarged sectional view of the cup portion.

【0009】また、図8は本発明の第7の実施の形態に係るチップ型発光ダイオード素子の概略的断面図、図9 [0009] FIG. 8 is a schematic sectional view of a chip type light emitting diode device according to a seventh embodiment of the present invention, FIG. 9
は本発明の第8の実施の形態に係るチップ型発光ダイオード素子の概略的断面図、図10は本発明の第9の実施の形態に係るチップ型発光ダイオード素子の概略的断面図、図11は本発明の第10の実施の形態に係るチップ型発光ダイオード素子の概略的断面図、図12は本発明の第11の実施の形態に係るチップ型発光ダイオード素子の概略的断面図である。 8 schematic cross-sectional view of a chip type light emitting diode device according to the embodiment of FIG. 10 is a schematic sectional view of a chip type light emitting diode device according to a ninth embodiment of the present invention of the present invention, FIG. 11 is a schematic sectional view of a chip type light emitting diode device according to a tenth embodiment of the present invention, FIG 12 is a schematic sectional view of a chip type light emitting diode device according to an eleventh embodiment of the present invention.

【0010】さらに、図13はドットマトリクス型発光ダイオードユニットの図面であって、同図(A)は概略的平面図、同図(B)は概略的一部拡大平面図、図14 Furthermore, FIG. 13 is a diagram of a dot-matrix type light-emitting diode unit, Fig (A) is a schematic plan view and FIG. (B) is an enlarged plan view schematically part, FIG. 14
は本発明の第12の実施の形態に係るドットマトリクス型発光ダイオードユニットの概略的断面図、図15は本発明の第13の実施の形態に係るドットマトリクス型発光ダイオードユニットの概略的断面図、図16は本発明の第14の実施の形態に係るドットマトリクス型発光ダイオードユニットの概略的断面図である。 12 a schematic sectional view of a dot-matrix type light emitting diode unit according to the embodiment of FIG. 15 is a schematic sectional view of a dot-matrix type light-emitting diode unit according to the thirteenth embodiment of the present invention of the present invention, Figure 16 is a schematic sectional view of a dot-matrix type light-emitting diode unit according to a fourteenth embodiment of the present invention.

【0011】本発明の第1の実施の形態に係る発光ダイオードランプAは、図1に示すように、LEDチップ1 [0011] LED lamp A according to the first embodiment of the present invention, as shown in FIG. 1, LED chip 1
00と、このLEDチップ100がボンディングされるリード200と、前記LEDチップ100をモールドする透光性樹脂300と、この透光性樹脂300の表面に形成された透光性膜400とを備えており、前記透光性膜400は蛍光体500が混合されたものである。 00, a lead 200 to the LED chip 100 is bonded, comprises a light-transmitting resin 300 for molding the LED chip 100, and a transparent film 400 formed on the surface of the translucent resin 300 cage, the light transmissive film 400 are those phosphors 500 are mixed.

【0012】この発光ダイオードランプAは、砲弾型をした透光性樹脂300でLEDチップ100がモールドされたものである。 [0012] The light emitting diode lamp A is to the LED chip 100 is molded by translucent resin 300 in which the shell type.

【0013】まず、リード200は、LEDチップ10 [0013] First of all, lead 200, LED chip 10
0がダイボンディングされるカップ部211が形成された第1リード210と、前記カップ部211にダイボンディングされたLEDチップ100とボンディングワイヤ221で電気的に接続される第2リード220とを有している。 0 a first lead 210 cup portion 211 which is die-bonded is formed, and a second lead 220 electrically connected with the LED chip 100 and the bonding wire 221 is die-bonded to the cup portion 211 ing. 前記カップ部211は、LEDチップ100 The cup portion 211, LED chip 100
から発せられる光を効率的に外部に放射させるために、 To emitted efficiently outside the light emitted from,
断面が略すり鉢状に形成されている。 Cross section is formed in a substantially conical shape.

【0014】前記透光性樹脂300は、例えばエポキシ系樹脂等が用いられる。 [0014] The translucent resin 300, for example, epoxy resin or the like is used. また、透光性膜400は、母材となる例えばシリコンアルコキシド、チタンアルコキシド等か作成して無機膜や、シリコン樹脂、エポキシ樹脂等に蛍光体500を混合したものを使用する。 Further, the transparent film 400 is used, for example silicon alkoxides as the base material, and an inorganic film or create titanium alkoxide, a silicon resin, a mixture of phosphor 500 in epoxy resin. 蛍光体5 Phosphor 5
00としては、LEDチップ100が青色LEDである場合、白色光を発光させるためには、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体が用いられる。 The 00, when the LED chip 100 is a blue LED, in order to emit white light, yttrium-aluminum-garnet fluorescent material is used.

【0015】この透光性膜400を透光性樹脂300の表面に形成するには、内部にLEDチップ100がモールドされた透光性樹脂300を透光性膜400となる液体に漬け込むディップ法、前記液体を透光性樹脂300 [0015] The light-transmitting film 400 to be formed on the surface of the transparent resin 300, a dip method marinate the translucent resin 300 LED chip 100 is molded inside the liquid as a transparent film 400 , translucent resin 300 the liquid
の表面に印刷する印刷法、前記液体を透光性樹脂300 Printing method for printing on the surface, the translucent resin the liquid 300
の表面に噴霧するスプレー法等がある。 There is a spray method, or the like to be sprayed onto the surface of. また、前記液体と透光性樹脂300とのぬれが十分であれば、前記液体を透光性樹脂300の上部から滴下する方法も有効である。 Also, if the wetting is sufficient for the liquid and the transparent resin 300, a method of dropping the liquid from the upper portion of the translucent resin 300 is also effective.

【0016】なお、前記透光性膜400は、透光性樹脂300の全面に形成してもよいが、LEDチップ100 [0016] Incidentally, the transparent film 400 may be formed on the entire surface of the translucent resin 300, LED chips 100
からの光が透過する部分、すなわち前記カップ部211 Portion through which light is transmitted from, i.e., the cup portion 211
より上方にのみ形成してもよい。 It may be more formed only above. この場合には、透光性膜400が少なくなるので、コスト的に有利という利点がある。 In this case, since the transparent film 400 is reduced, there is an advantage that cost effective.

【0017】次に、図2を参照しつつ、本発明の第2の実施の形態に係る発光ダイオードランプBについて説明する。 Next, with reference to FIG. 2, the light emitting diode lamp B according to a second embodiment of the present invention. この第2の実施の形態に係る発光ダイオードランプBは、LEDチップ100と、このLEDチップ10 LED lamp B according to the second embodiment, the LED chip 100, the LED chip 10
0がボンディングされるリード200と、前記LEDチップ100をモールドする透光性樹脂300と、この透光性樹脂300の表面に被せられる透光性樹脂からなるキャップ420とを備えており、前記キャップ420は蛍光体500が混合されたものである。 0 lead 200 is bonded, the translucent resin 300 for molding the LED chip 100, and a cap 420 made of covered are translucent resin on the surface of the translucent resin 300, wherein the cap 420 are those phosphors 500 are mixed.

【0018】この発光ダイオードランプBが上述した発光ダイオードランプAと相違する点は、発光ダイオード素子Aでは蛍光体500を混合した透光性膜300を透光性樹脂300の表面に形成していたのに対し、発光ダイオードランプBでは透光性樹脂からなるキャップ42 [0018] that the light-emitting diode lamp B is different from the light emitting diode lamp A described above, the light emitting diode element transparent film 300 obtained by mixing a phosphor 500, A was formed on the surface of the transparent resin 300 cap 42 consisting whereas, LED lamp B in translucent resin
0に蛍光体500を混合し、そのキャップ420を透光性樹脂300に被せている点である。 0 phosphor 500 are mixed in, in that is covered with the cap 420 to the light-transmitting resin 300.

【0019】前記キャップ420は、透光性樹脂300 [0019] The cap 420, translucent resin 300
と同じような透光性樹脂に、例えばイットリウム・アルミニウム・ガーネット系の蛍光体500を混合し、それを透光性樹脂300の形状に合わせて有底筒状に成形したものである。 And a similar light-transmitting resin, for example, the phosphor 500 of the yttrium-aluminum-garnet were mixed, in which it was molded into a bottomed cylindrical shape to match the shape of the translucent resin 300. かかるキャップ420を用いる利点は、 The advantage of using such a cap 420,
必要な光の色に応じてキャップ420を被せたり、被せなかったりすることができる点にある。 Or capped 420 according to the required light color, in that it can be or not covered. すなわち、LE That, LE
Dチップ100が青色LEDである場合、そのままの青色光を発光させる場合にはキャップ420を被せず、白色光を発光させる場合にはイットリウム・アルミニウム・ガーネット系の蛍光体500が混合されたキャップ4 If D chip 100 is a blue LED, not capped 420 When light emission intact blue light, the cap 4 in the case of emitting white light is mixed phosphor 500 of yttrium-aluminum-garnet
20を被せるようにすることができるのである。 It is possible to make covering 20. このため、キャップ420を被せるという簡単な工程で、発光ダイオードランプの発する光の色を変更することが可能となるのである。 Therefore, by a simple process of putting the cap 420 is of it becomes possible to change the color of the light emitted from the light-emitting diode lamp.

【0020】次に、図2を参照しつつ、本発明の第3の実施の形態に係る発光ダイオードランプCについて説明する。 Next, with reference to FIG. 2, the light emitting diode lamp C according to the third embodiment of the present invention. このLED第3の実施の形態に係る発光ダイオードランプCは、LEDチップ100と、このLEDチップ100がボンディングされるリード200と、前記L LED lamp C according to the LED third embodiment includes an LED chip 100, a lead 200 to the LED chip 100 is bonded, the L
EDチップ100をモールドする透光性樹脂300と、 A translucent resin 300 for molding the ED chip 100,
この透光性樹脂300の内部であって、LEDチップ1 An internal of the light-transmitting resin 300, LED chip 1
00から発せられる光が透過する位置に封入された透光性膜440とを備えており、前記透光性膜440は蛍光体500が混合されたものである。 Light emitted from the 00 is enclosed in a position to transmit comprises a transparent film 440, the light transmissive film 440 are those phosphors 500 are mixed.

【0021】この発光ダイオードランプCが、上述した発光ダイオードランプA、Bと相違する点は、蛍光体5 [0021] The light emitting diode lamp C is a light emitting diode lamp A described above, the points of difference is B, phosphor 5
00が混合された透光性膜440が透光性樹脂300の内部に封入されている点である。 00 is the transparent film 440 is mixed in that sealed inside of the translucent resin 300. この発光ダイオードランプCは、以下のようにして製造される。 The light emitting diode lamp C is produced as follows.

【0022】この発光ダイオードランプCを製造する製造方法は、図4に示すように、リードにボンディングされたLEDチップ100より光の射出側に相当する透光性樹脂310を金型900に注入する工程と、前記透光性樹脂310に蛍光体500が混合された透光性膜44 The method of manufacturing the light emitting diode lamp C, as shown in FIG. 4, to inject the light-transmitting resin 310 corresponding to the emission side of the light from the LED chip 100 which is bonded to the lead in the mold 900 process and the phosphor 500 in the light-transmitting resin 310 are mixed translucent film 44
0を載せる工程と、LEDチップ100がボンディングされたリード200を前記金型900にセットする工程と、残りの透光性樹脂320を前記金型900に注入する工程とを有している。 A step of placing a 0, LED chip 100 has a step of setting a lead 200 which is bonded to the mold 900, and a step of injecting a remaining translucent resin 320 in the mold 900.

【0023】前記金型900は、砲弾状の透光性樹脂3 [0023] The mold 900 is bullet-shaped light-transmissive resin 3
00を形作るために底部がドーム状になった凹部910 Bottom to form a 00 becomes dome-shaped recess 910
が形成されている。 There has been formed. かかる金型900の凹部910に、 The recess 910 of such a mold 900,
透光性樹脂300の一部となる透光性樹脂310を注入する。 Injecting a translucent resin 310 which becomes a part of the translucent resin 300. この透光性樹脂310は、LEDチップ100の位置より浅くなっている。 The light-transmitting resin 310 is made shallower than the position of the LED chip 100.

【0024】次に、前記透光性樹脂310が硬化したならば、図4(A)に示すように、当該透光性樹脂310 Next, if the transparent resin 310 is cured, as shown in FIG. 4 (A), the light-transmitting resin 310
の上に前記透光性膜440を載せる。 Place the transparent film 440 on the. この透光性膜44 The transparent film 44
0は、蛍光体500が混合されたものである。 0 is for the phosphor 500 are mixed.

【0025】さらに、LEDチップ100かボンディングされたリード200を、LEDチップ100が下向きになるように、前記凹部910にセットする(図4 Furthermore, the LED chip 100 or bonded lead 200, as the LED chip 100 faces downward is set in the recess 910 (FIG. 4
(B)参照)。 (B) see). この際、リード200には、LEDチップ100の位置決めのための位置決め部材920を取り付けておく。 In this case, the lead 200 is permanently installing the positioning member 920 for positioning the LED chip 100. すなわち、凹部910の開口に前記位置決め部材920が引っ掛かることでLEDチップ100の位置決めを行うのである。 That is, the positions the LED chip 100 by being caught the positioning member 920 in the opening of the recess 910.

【0026】残りの凹部910に残りの透光性樹脂32 The remainder of the translucent resin 32 to the rest of the recess 910
0を注入する(図4(C)参照)。 0 injecting (see FIG. 4 (C)). この透光性樹脂32 The translucent resin 32
0は、密着性や収縮性等の問題から前記透光性樹脂31 0, the translucent resin from adhesion and shrinkage problems such as 31
0と同じものが望ましい。 0 same thing as is desirable. この透光性樹脂320が硬化したならば、完成した発光ダイオードランプCを金型9 If this light-transmitting resin 320 is cured, the finished light-emitting diode lamp C mold 9
00の凹部910から抜き出す。 00 is withdrawn from the recess 910 of.

【0027】このようにして製造された発光ダイオードランプCは、発光ダイオードランプAとは違って透光性膜440が外部に向かって露出していないので、透光性膜440がなんらかの原因で剥離するという問題がない。 [0027] In this manner the light-emitting diode lamp C produced by light-emitting diodes because the transparent film 440 unlike the lamp A is not exposed to the outside, peeling the transparent film 440 for some reason there is no problem in that.

【0028】次に、図5を参照ししつつ、本発明の第4 [0028] Next, with reference to FIG. 5, a fourth of the present invention
の実施の形態に係る発光ダイオードランプDについて説明する。 It will be described LED lamp D according to the embodiment. 第4の実施の形態に係る発光ダイオードランプDは、LEDチップ100と、このLEDチップ100 LED lamp D according to the fourth embodiment includes an LED chip 100, the LED chip 100
がボンディングされるリード200と、前記LEDチップ100をモールドする透光性樹脂300とを備えており、前記透光性樹脂300は、LEDチップ100の周囲をモールドする蛍光体500が混合された第1の透光性樹脂330と、この第1の透光性樹脂330をモールドする第2の透光性樹脂340とを有している。 A lead 200 but is bonded, and a translucent resin 300 for molding the LED chip 100, the transparent resin 300, a phosphor 500 for molding the periphery of the LED chip 100 are mixed a first light-transmitting resin 330, and a second light transmitting resin 340 for molding the first light-transmitting resin 330.

【0029】この発光ダイオードランプDは、透光性樹脂300を2つに分け、一方の第1の透光性樹脂330 [0029] The light emitting diode lamp D divides the translucent resin 300 into two, a first light-transmissive resin 330 in one
にのみ蛍光体500を混合したものである。 It is a mixture of phosphor 500 only. かかる発光ダイオードランプDは、以下のようにして製造される。 Such light-emitting diode lamp D is produced as follows.
まず、リード200の第1リード210のカップ部21 First, the cup portion 21 of the first lead 210 of the lead 200
1にLEDチップ100をダイボンディングし、当該L The LED chip 100 is die-bonded to 1, the L
EDチップ100をボンディングワイヤ211で第2リード220に接続する。 ED is connected to the second lead 220 and tip 100 by bonding wires 211.

【0030】このように電気的、構造的にLEDチップ100が接続されたリード200を蛍光体500が混合された第1の透光性樹脂330の中に漬け込む。 The marinate in this way electrically, structurally first translucent resin 330 in which the phosphor 500 lead 200 to the LED chip 100 is connected are mixed. この際、LEDチップ100のみならず、カップ部211、 In this case, not only the LED chip 100, the cup portion 211,
ボンディングワイヤ221をも第1の透光性樹脂330 The even bonding wires 221 1 of the translucent resin 330
の内部に取り込むようにする。 To capture the interior of. ここで、例えばボンディングワイヤ221の一部が第1の透光性樹脂330から飛び出ていたとすると、後工程の第2の透光性樹脂34 Here, for example, bonding a part of the wire 221 to have been flying out of the first light-transmissive resin 330, the post-process the second light-transmitting resin 34
0の硬化の際に、収縮等の問題からボンディングワイヤ221が切断されるおそれがあるが、すべてが第1の透光性樹脂330の内部に取り込まれているとかかる問題が発生するおそれがない。 During the curing of 0, there is a possibility that the bonding wires 221 are disconnected from the contraction of the problems, all it takes the are taken in the first light transmitting resin 330 issues there is no fear of occurrence .

【0031】次に、第1の透光性樹脂330が硬化したならば、上述した金型900の凹部910の内部にLE Next, if the first light transmitting resin 330 is cured, LE inside the recess 910 of the mold 900 described above
Dチップ100が位置するように、リード200ごとセットする。 As D chip 100 is located, it is set for each lead 200. そして、第2の透光性樹脂340を金型90 Then, the second light-transmissive resin 340 mold 90
0の凹部910の残りの部分に注入する。 0 injected into the remaining portion of the recess 910 of the. なお、第1の透光性樹脂330と第2の透光性樹脂340とは、密着性や収縮性等の問題から同一のものであるのが望ましい。 Note that the first light-transmissive resin 330 and the second light-transmissive resin 340, it is desirable are identical from adhesion and shrinkage problems such as. 前記第2の透光性樹脂340が硬化したならば、完成した発光ダイオードランプDを金型900の凹部91 If the second light-transmitting resin 340 is cured, the recess 91 of the completed light emitting diode lamp D mold 900
0から抜き出す。 Withdrawn from the 0.

【0032】この発光ダイオードランプDの場合には、 [0032] In the case of the light-emitting diode lamp D is,
LEDチップ100は蛍光体500が混合された第1の透光性樹脂330で確実に包囲されるので、LEDチップ100の光がすべて前記1の透光性樹脂330を透過するという効果がある。 Since LED chip 100 is securely surrounded by the first light-transmissive resin 330 in which the phosphor 500 is mixed, there is an effect that light of the LED chip 100 is transmitted through the translucent resin 330 in all the 1.

【0033】次に、図6を参照しつつ、本発明の第5の実施の形態に係る発光ダイオードランプEについて説明する。 [0033] Next, referring to FIG. 6, illustrates a light-emitting diode lamp E according to a fifth embodiment of the present invention. この第5の実施の形態に係る発光ダイオードランプEは、LEDチップ100と、このLEDチップ10 LED lamp E according to the fifth embodiment includes an LED chip 100, the LED chip 10
0がボンディングされるリード200と、前記LEDチップ100をモールドする透光性樹脂300とを備えており、前記透光性樹脂300は、LEDチップ100の周囲をモールドする第1の透光性樹脂330Aと、この第1の透光性樹脂330Aをモールドする第2の透光性樹脂340と、前記第1の透光性樹脂330Aの表面に形成された蛍光体500が混合された透光性膜450とを有している。 A lead 200 0 is bonded, and a translucent resin 300 for molding the LED chip 100, the transparent resin 300, the first light-transmissive resin molding the periphery of the LED chip 100 and 330A, first and second light-transmitting resin 340, the first light-transmissive resin 330A formed on a surface light-transmitting phosphor 500 are mixed in the mold the first translucent resin 330A and a film 450.

【0034】この第5の実施の形態に係る発光ダイオードランプEが前記発光ダイオードランプDと相違する点は、発光ダイオードランプDでは蛍光体500は第1の透光性樹脂330に混合されていたが、発光ダイオードランプEでは第1の透光性樹脂330Aには蛍光体50 [0034] The point where the light emitting diode lamp E according to the fifth embodiment is different from the light emitting diode lamp D, the light emitting diode lamp phosphor 500, D were mixed in the first light transmitting resin 330 but the light emitting diode lamp phosphor 50 in the first light-transmissive resin 330A E
0は混合されず、第1の透光性樹脂330Aの表面に形成された透光性膜450に混合されている点である。 0 is not mixed, in that mixed in the light transmissive layer 450 formed on the surface of the first light-transmissive resin 330A.

【0035】かかる発光ダイオードランプEは、次のようにして製造される。 [0035] Such light emitting diode lamp E is manufactured as follows. まず、リード200の第1リード210のカップ部211にLEDチップ100をダイボンディングし、当該LEDチップ100をボンディングワイヤ211で第2リード220に接続する。 First, the LED chip 100 is die-bonded in the cup portion 211 of the first lead 210 of the lead 200, connects the LED chip 100 by bonding wires 211 to the second lead 220. この点までは、発光ダイオードランプDと同様である。 Up to this point is the same as the light-emitting diode lamp D.

【0036】次に、電気的、構造的にLEDチップ10 [0036] Next, electrical, structurally LED chip 10
0が接続されたリード200を第1の透光性樹脂330 0 lead 200 which is connected to the first light-transmissive resin 330
Aの中に漬け込む。 Marinate in the A. この際、LEDチップ100のみならず、カップ部211、ボンディングワイヤ221をも第1の透光性樹脂330Aの内部に取り込むようにする。 In this case, not only the LED chip 100, the cup portion 211, also to capture the interior of the first light-transmissive resin 330A bonding wires 221. ここで、例えばボンディングワイヤ221の一部が第1の透光性樹脂330Aから飛び出ていたとすると、 Here, for example, a part of the bonding wire 221 were protruding from the first light-transmissive resin 330A,
後工程の第2の透光性樹脂340の硬化の際に、収縮等の問題からボンディングワイヤ221が切断されるおそれがあるが、すべてが第1の透光性樹脂330Aの内部に取り込まれているとかかる問題が発生するおそれがない。 During the curing of the second light-transmissive resin 340 in the subsequent step, there is a possibility that the bonding wires 221 are disconnected from the contraction of the problem, everything is taken into the first light-transmissive resin 330A there is no possibility that the problem you are When such occurs.

【0037】次に、第1の透光性樹脂330Aが硬化したならば、透光性樹脂330Aの表面に蛍光体500が混合された液体を塗布する。 Next, if the first light-transmissive resin 330A has cured, applying a liquid in which the phosphor 500 is mixed to the surface of the transparent resin 330A. この液体の塗布は、第1の透光性樹脂330Aを透光性膜450となる液体に漬け込むディップ法、前記液体を第1の透光性樹脂330A This coating liquid, a dip method marinate the first light-transmissive resin 330A to liquid as a transparent film 450, the liquid first translucent resin 330A
の表面に印刷する印刷法、前記液体を第1の透光性樹脂330Aの表面に噴霧するスプレー法等がある。 Printing method for printing on the surface, there is a spraying method of spraying the liquid on the surface of the first light-transmissive resin 330A. また、 Also,
前記液体と第1の透光性樹脂330Aとのぬれが十分であれば、前記液体を第1の透光性樹脂330Aの上部から滴下する方法も有効である。 If the liquid and wetting is sufficient for the first light-transmissive resin 330A, a method of dropping the liquid from the upper portion of the first light-transmissive resin 330A is also effective.

【0038】さらに、前記金型900の凹部910の内部にLEDチップ100が位置するように、リード20 [0038] Further, as the LED chip 100 is located within the recess 910 of the mold 900, the lead 20
0ごとセットする。 To set each 0. そして、第2の透光性樹脂340を金型900の凹部910の残りの部分に注入する。 Then, injecting the second light-transmissive resin 340 to the remainder of the recess 910 of the mold 900. なお、第1の透光性樹脂330Aと第2の透光性樹脂34 The first light-transmissive resin 330A and the second light-transmitting resin 34
0とは、密着性や収縮性等の問題から同一のものであるのが望ましい。 0 and is desirably are identical from adhesion and shrinkage problems such as. 前記第2の透光性樹脂340が硬化したならば、完成した発光ダイオードランプEを金型900 Wherein if the second light-transmitting resin 340 is cured, the mold and the finished light-emitting diode lamp E 900
の凹部910から抜き出す。 Withdrawn from the recess 910 of.

【0039】このようにして製造された発光ダイオードランプEは、発光ダイオードランプDのように2種類の透光性樹脂、すなわち第1の透光性樹脂330と第2の透光性樹脂340とを準備する必要がないという効果がある。 [0039] In this manner the light-emitting diode lamp E produced by two types of translucent resin as light-emitting diode lamp D, namely a first translucent resin 330 and the second light-transmitting resin 340 there is an effect that there is no need to prepare.

【0040】次に、本発明の第6の実施の形態に係る発光ダイオードランプFについて、図7を参照しつつ説明する。 Next, a light-emitting diode lamp F according to the sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. この第6の実施の形態に係る発光ダイオードランプFは、LEDチップ100と、このLEDチップ10 LED lamp F according to the sixth embodiment, the LED chip 100, the LED chip 10
0が接着剤600でボンディングされるリード200 Lead 0 are bonded with adhesive 600 200
と、前記LEDチップ100をモールドする透光性樹脂(図示省略)とを備えており、前記接着剤600には、 When provided with a translucent resin for molding the LED chip 100 (not shown), the adhesive 600,
蛍光体500が混合されている。 Phosphor 500 are mixed.

【0041】LEDチップ100は、例えばサファイヤ基板上に結晶成長させたGaN系青色LEDチップのようなチップ上面からも下面からも発光するLEDチップを使用し、リード200のカップ部211に透光性の接着剤600に蛍光体500を混合したものを使用する。 The LED chip 100 may, for example also using the LED chip which emits light from the bottom surface from the top surface of the chip, such as a GaN-based blue LED chip by crystal growth on a sapphire substrate, translucent to the cup portion 211 of the lead 200 to the adhesive 600 using a mixture of phosphor 500.
そして、透光性樹脂で全体をモールドして略砲弾状に形成するのである。 Then, it is to form a substantially bullet-shape by molding the whole light-transmitting resin.

【0042】LEDチップ100から発した光のうち下面に向かう光は、前記接着剤600に入射しその中に含まれる蛍光体500を光らせることになり、その光はL The light directed to the lower surface of the light emitted from the LED chip 100, will be a phosphor emits light 500 contained therein enters the adhesive 600, the light L
EDチップ100を透過して外部にでてくることになり、LEDチップ100から発した光のうち上面に向かう光と混合して外部にでてくる。 Will be coming out to the outside through the ED chip 100, it comes out to the outside mixes with the light directed toward the upper surface of the light emitted from the LED chip 100. このように、本発明の第6の実施の形態に係る発光ダイオードランプFは、L Thus, the light emitting diode lamp F according to the sixth embodiment of the present invention, L
EDチップ100から発せられる光のうち、下面からの光のみを蛍光に変え、上面からの光はそのまま外部にだす点に大きな特徴がある。 Of the light emitted from the ED chip 100, changing only the light from the lower surface to the fluorescent light from the upper surface is featured as the point issuing to the outside. こうすることにより、混合した光の割合の再現性は従来に比べて非常によくなり、量産においても同じものを精度よく作ることが可能になる。 Thereby, reproducibility of the proportion of the mixed light is very better than the conventional, it becomes possible to make accurately the same in a mass-production. また、製造方法も単に接着剤600に蛍光体500 The phosphor 500 to the manufacturing process simply glue 600
を混ぜたものを使うだけでよく、特別な製造装置等は特に必要でない。 It is only necessary to use what was mixed with a special manufacturing apparatus or the like is not particularly necessary. さらに、外部から見た場合には、発光部分はLEDチップ100とその下の蛍光体500部分のみとなり、すなわち発光部分は非常に小さな点となるため、混色の具合も見る位置によって変わってくるということもほとんどない。 Furthermore, that when viewed from the outside, the light emitting portion becomes a LED chip 100 and the phosphor only 500 parts of the underlying, that is, the light-emitting portion is extremely small point, varies depending also see how the color mixing position that almost no.

【0043】このように構成された発光ダイオードランプFであれば、接着剤600のみを変更することによって発する光の色を適宜変更することができるので大変便利である。 [0043] If thus configured light emitting diode lamp F, is very convenient because it can change the color of light emitted by changing only the adhesive 600 as appropriate.

【0044】これまでは、発光ダイオードランプについて説明したが、次からはチップ型発光ダイオード素子について説明する。 The far has described the light-emitting diode lamp, from the next explained chip type light emitting diode device. このチップ型発光ダイオード素子は、 The chip type light emitting diode device,
プリント基板等に表面実装が可能なものであって、セラミックスや合成樹脂等の絶縁性材料からなるケース70 Be one that can be surface mounted on a printed circuit board or the like, a case 70 made of an insulating material such as ceramics or synthetic resin
0にLEDチップ100がボンディングされている。 LED chip 100 is bonded to 0.

【0045】本発明の第7の実施の形態に係るチップ型発光ダイオード素子Gは、図8に示すように、蛍光体5 The chip type light emitting diode device G according to the seventh embodiment of the present invention, as shown in FIG. 8, the phosphor 5
00が混合された透光性樹脂300でLEDチップ10 00 LED chips 10 in the light-transmitting resin 300 that is mixed
0をモールドしている。 0 has been molded.

【0046】このチップ型発光ダイオード素子Gにおけるケース700には、LEDチップ100がダイボンディングされる凹部710が形成されている。 [0046] The case 700 in the chip type light emitting diode element G, the recess 710 LED chip 100 is die-bonded is formed. この凹部7 The recess 7
10には、LEDチップ100の一方の電極に電気的に接続される電極部720が形成されている。 The 10, the electrode portion 720 is electrically connected to one electrode of the LED chip 100 is formed. この電極部720は、端部がケース700の側面にまで形成されている。 The electrode portion 720, the end portion is formed to the side surface of the case 700.

【0047】また、前記ケース700には、LEDチップ100の他の電極に電気的に接続される電極部730 Further, in the case 700, the electrode portion 730 which is electrically connected to another electrode of the LED chip 100
が形成されている。 There has been formed. この電極部730は、凹部710の内部までは形成されていないが、端部はケース700の側面にまで形成されている。 The electrode portion 730, the inside of the recess 710 is not formed, the end portion is formed to the side surface of the case 700. この電極730はボンディングワイヤ740によって、LEDチップ100の他の電極と電気的に接続されている。 This electrode 730 is a bonding wire 740, and is further electrically connected to the electrode of the LED chip 100.

【0048】そして、前記LEDチップ100はボンディングワイヤ740とともに蛍光体500が混合された透光性樹脂300でモールドされている。 [0048] Then, the LED chip 100 is molded by translucent resin 300 in which the phosphor 500 is mixed with a bonding wire 740. 従って、LE Accordingly, LE
Dチップ100から発せられる光はすべて透光性樹脂3 All light emitted from the D chip 100 translucent resin 3
00を透過するようになっている。 00 is adapted to pass through the.

【0049】次に、本発明の第8の実施の形態に係るチップ型発光ダイオード素子Hについて図9を参照しつつ説明する。 Next, the eighth on-chip type light emitting diode device H according to the embodiment will be described with reference to FIG. 9 of the present invention. このチップ型発光ダイオード素子Hが上述したチップ型発光ダイオード素子Gと違する点は、チップ型発光ダイオード素子Gでは透光性樹脂300に蛍光体500が混合されていたが、チップ型発光ダイオード素子Hでは透光性樹脂300に蛍光体500が混合されず、透光性樹脂300の表面に蛍光体500が混合された透光性膜460が形成される点である。 The chip type light emitting diode device H is a point to differences chip type light emitting diode device G described above, although the phosphor 500 have been mixed in the chip type light emitting diode device translucent resin 300, G, chip type light emitting diode device the translucent resin 300 in H without fluorescent body 500 are mixed, is that the light transmissive film 460 in which the phosphor 500 is mixed to the surface of the transparent resin 300 is formed. その他の点では、発光ダイオード素子Gと同様である。 In other respects, it is similar to the light emitting diode element G.

【0050】このチップ型発光ダイオード素子Hにおいて、透光性膜460を形成する方法としては、透光性樹脂300を透光性膜460となる液体に漬け込むディップ法、前記液体を透光性樹脂300の表面に印刷する印刷法、前記液体を透光性樹脂300の表面に噴霧するスプレー法等がある。 [0050] In the chip type light emitting diode device H, as a method of forming a transparent film 460, a dipping method, a translucent resin the liquid marinate the translucent resin 300 in liquid as a transparent film 460 printing method for printing on 300 surface of, a spraying method of spraying the liquid on the surface of the translucent resin 300. また、前記液体と透光性樹脂300 Furthermore, the liquid and the transparent resin 300
とのぬれが十分であれば、前記液体を透光性樹脂300 If wetting is sufficient for the translucent resin the liquid 300
の上部から滴下する方法も有効である。 A method of dropping from the top is effective.

【0051】次に、本発明の第9の実施の形態に係るチップ型発光ダイオード素子Iについて図10を参照しつつ説明する。 Next, a description while referring to Figure 10 a ninth chip type light emitting diode device I according to the embodiment of the present invention. このチップ発光ダイオード素子Iは、LE The chip light emitting diode element I is, LE
Dチップ100をモールドする透光性樹脂300と、この透光性樹脂300の内部であって、LEDチップ10 A translucent resin 300 for molding the D chip 100, an internal of the light-transmitting resin 300, LED chips 10
0から発せられる光が透過する位置に封入された透光性膜470とを備えており、前記透光性膜470は蛍光体500が混合されたものである。 Light emitted from 0 is enclosed in a position to transmit comprises a transparent film 470, the light transmissive film 470 are those phosphors 500 are mixed.

【0052】このチップ型発光ダイオード素子Iでは、 [0052] In the chip type light emitting diode device I,
上述した発光ダイオードランプCと同様に、透光性膜4 Like the light emitting diode lamp C described above, the light-transmitting film 4
70よりLEDチップ100側の透光性樹脂と、それ以外の透光性樹脂との2段階に分けて透光性樹脂300のモールドを行う。 And the transparent resin of the LED chip 100 side from 70 performs mold of the translucent resin 300 in two steps with the other of the translucent resin.

【0053】このようにして製造されたチップ型発光ダイオード素子Iは、他のチップ型発光ダイオード素子G、Hとは違って透光性膜470が外部に向かって露出していないので、透光性膜470がなんらかの原因で剥離するという問題がない。 [0053] In this way the chip type light emitting diode device I prepared by the other chip type light emitting diode element G, and the light-transmitting film 470 unlike H is not exposed to the outside, translucent there is no problem of sex film 470 is peeled off for some reason.

【0054】次に、本発明の第10の実施の形態に係るチップ型発光ダイオード素子Jについて図11を参照しつつ説明する。 Next, the chip type light emitting diode element J will be described with reference to FIG. 11 according to the tenth embodiment of the present invention. このチップ型発光ダイオード素子Jは、 The chip type light emitting diode device J is
LEDチップ100の表面に蛍光体500が混合された透光性膜480が形成されている。 The transparent film 480 in which the phosphor 500 is mixed to the surface of the LED chip 100 is formed. このようなチップ型発光ダイオード素子Jであると、LEDチップ100から発せられる光はすべて透光性膜480を透過するという効果がある。 With such a chip type light emitting diode device J, all the light emitted from the LED chip 100 has the effect of passing through the transparent film 480.

【0055】なお、上述したチップ型発光ダイオード素子G〜Jは、ケース700の凹部710が特に光を反射する部分として機能していなかったが、図12に示すチップ型発光ダイオード素子Kのように、ケース700の凹部710を略すり鉢状にして光を反射する機能を積極的に持たせることも可能である。 [0055] Incidentally, chip-type light emitting diode device G~J described above, although the recess 710 of the case 700 is not particularly functions as a portion for reflecting light, as a chip type light emitting diode device K shown in FIG. 12 it is also possible that by the recess 710 of the case 700 in a substantially conical shape to have a positively function of reflecting light. なお、この場合には、 It should be noted that, in this case,
凹部710の深さはLEDチップ100の高さ寸法より大きくすることが重要である。 It is important that the depth of the recess 710 is greater than the height of the LED chip 100. また、このチップ型発光ダイオード素子Kでは、透光性樹脂300に蛍光体50 Further, in the chip type light emitting diode device K, the phosphor 50 in the light transmitting resin 300
0を混合しているが、チップ型発光ダイオード素子Hのように透光性樹脂300の表面に蛍光体が混合された透光性膜を形成してもよいし、チップ型発光ダイオード素子Iのように透光性樹脂300の内部に蛍光体が混合された透光性膜を封入してもよいし、チップ型発光ダイオード素子JのようにLEDチップ100の表面に蛍光体が混合された透光性膜を形成してもよい。 0 While mixing, to phosphor on the surface of the translucent resin 300 may form a transparent film which is mixed as a chip type light emitting diode device H, the chip type light emitting diode element I it translucent film phosphors are mixed in the interior of the translucent resin 300 may be sealed so, Toru the phosphor is mixed on the surface of the LED chip 100 as a chip type light emitting diode element J it may form an optical film.

【0056】次に、ドットマトリクス型発光ダイオードユニットについて説明する。 Next, a description will be given dot-matrix type light emitting diode unit. このドットマトリクス型発光ダイオードユニットは、図13に示すように、共通の基板800の上に複数のLチップ100をマトリクス状に配列したものである。 The dot-matrix type light emitting diode units, as shown in FIG. 13 is obtained by arranging a plurality of L chips 100 in a matrix on a common substrate 800. このドットマトリクス型発光ダイオードユニットは文字や記号等を表示することを主な目的としている。 The dot-matrix type light emitting diode unit has to display characters and symbols such as the primary purpose.

【0057】次に、本発明の第12の実施の形態に係るドットマトリクス型発光ダイオードユニットLについて、図14を参照しつつ説明する。 Next, the dot-matrix type light emitting diode units L according to a twelfth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 14. この第12の実施の形態に係るドットマトリクス型発光ダイオードユニットLは、複数のLEDチップ100がマトリクス状に配置されたドットマトリクス型発光ダイオードユニットであって、前記LEDチップ100の表面に蛍光体500が混合された透光性膜490が形成されている。 The 12th dot-matrix type light emitting diode units L according to the embodiment of, a dot-matrix type light-emitting diode unit in which a plurality of LED chips 100 are arranged in matrix, a phosphor 500 on the surface of the LED chip 100 There mixed transparent film 490 is formed.

【0058】このドットマトリクス型発光ダイオードユニットLにおける共通の基板800の表面には、基板8 [0058] On the surface of the common substrate 800 in the dot-matrix type light emitting diode units L, the substrate 8
00をマトリクス状に区切るスペーサ810が設けられている。 Spacer 810 that separates the 00 in a matrix is ​​provided. このスペーサ810の高さ寸法は、Lチップ1 The height of the spacer 810, L chip 1
00の高さ寸法より大きく設定されている。 00 is set to be larger than the height dimension of. スペーサ8 Spacer 8
10で区切られる1つのスペースに1つのLEDチップ100がボンディングされる。 One LED chip 100 into one space delimited by 10 is bonded.

【0059】さらに、基板800の表面には、透光性フィルム820が設けられている。 [0059] Further, on the surface of the substrate 800, the light-transmitting film 820 is provided. この透光性フィルム8 The light-transmitting film 8
20は、LEDチップ100が露出しないようにするためのものである。 20 is for the LED chip 100 is not exposed.

【0060】このように構成されたドットマトリクス型発光ダイオードユニットLは、LEDチップ100の表面に蛍光体500が混合された透光性膜490が形成されているため、LEDチップ100から発せられた光がすべて前記透光性膜490を透過するという効果がある。 [0060] The thus constituted dot-matrix type light emitting diode units L, since the transparent film 490 in which the phosphor 500 is mixed to the surface of the LED chip 100 is formed, emitted from the LED chip 100 there is an effect that light passes through all the light transmissive film 490.

【0061】次に、本発明の第13の実施の形態に係るドットマトリクス型発光ダイオードユニットMについて、図15を参照しつつ説明する。 Next, the dot-matrix type light-emitting diode unit M according to the thirteenth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 15. この第13の実施の形態に係るドットマトリクス型発光ダイオードユニットMは、複数のLEDチップがマトリクス状に配置されたドットマトリクス型発光ダイオードユニットであって、 The 13th dot-matrix type light-emitting diode unit M according to the embodiment of, a dot-matrix type light-emitting diode unit in which a plurality of LED chips are arranged in a matrix,
前記LEDチップ100を蛍光体500が混合された透光性フィルム821でカバーしている。 The phosphor 500 of the LED chip 100 is covered with a translucent film 821 mixed.

【0062】すなわち、このドットマトリクス型発光ダイオードユニットMは、LEDチップ100から発せられた光はすべて蛍光体500が混合された透光性フィルム821を透過するという効果がある。 [0062] That is, the dot-matrix type light emitting diode units M, all light emitted from the LED chip 100 has the effect of passing through the transparent film 821 in which the phosphor 500 is mixed.

【0063】なお、上述したドットマトリクス型発光ダイオードユニットMでは、透光性フィルム821に蛍光体500を混合したが、透光性フィルムの表面又は/及び裏面に蛍光体を塗布してもよいし、透光性フィルムの裏面に塗布される接着剤に蛍光体を混合しておいてもよい。 [0063] In the dot-matrix type light emitting diode unit M described above, was mixed with phosphor 500 on a transparent film 821, the surface or / and the fluorescent material may be applied to the rear surface of the translucent film , it may be mixed with phosphor adhesive applied to the rear surface of the translucent film.

【0064】さらに、図16に示すドットマトリクス型発光ダイオードユニットNのように、複数のLEDチップ100がマトリクス状に配置されたドットマトリクス型発光ダイオードユニットであって、前記LEDチップ100は蛍光体500が混合された透光性樹脂850で覆うようにしてもよい。 [0064] Further, as a dot-matrix type light-emitting diode unit N shown in FIG. 16, a plurality of LED chips 100 is a dot-matrix type light emitting diode units arranged in a matrix, wherein the LED chip 100 is phosphor 500 There may be covered with a translucent resin 850 mixed. この場合も、LEDチップ10 In this case, LED chip 10
0から発せられた光は必ず蛍光体500が混合された透光性樹脂850を透過するという効果を有する。 The light emitted from 0 always has the effect that the phosphor 500 is transmitted through the translucent resin 850 mixed. なお、 It should be noted that,
この場合は、透光性フィルム822に関しては蛍光体5 In this case, the phosphor 5 for translucent film 822
00を混合したり塗布したりする必要はない。 00 does not need to be or or applied mixed.

【0065】 [0065]

【発明の効果】請求項1に係る発光ダイオードランプは、LEDチップと、このLEDチップがボンディングされるリードと、前記LEDチップをモールドする透光性樹脂と、この透光性樹脂の表面に形成された透光性膜とを備えており、前記透光性膜は蛍光体が混合されたものである。 [Effect of the Invention] LED lamp according to claim 1, a LED chip, a lead this LED chip is bonded, and the transparent resin for molding the LED chip, formed on a surface of the translucent resin has been provided with a transparent film, the transparent film are those phosphors are mixed.

【0066】従って、この発光ダイオードランプによると、LEDチップから発せられる光は確実に蛍光体が混合された透光性膜を透過するとともに、従来の発光ダイオードランプの製造工程に、透光性膜を形成する工程を追加するだけで済むので簡単によりよい発光ダイオードランプとすることが可能である。 [0066] Therefore, according to the light-emitting diode lamp, with light emitted from the LED chip is transmitted reliably phosphor mixed transparent film, the manufacturing process of a conventional light emitting diode lamp, the light-transmitting film since only have to add a step of forming a may be a good light-emitting diode lamp by simple.

【0067】また、請求項2に係る発光ダイオードランプは、LEDチップと、このLEDチップがボンディングされるリードと、前記LEDチップをモールドする透光性樹脂と、この透光性樹脂の表面に被せられる透光性樹脂からなるキャップとを備えており、前記キャップは蛍光体が混合されたものである。 [0067] The light emitting diode lamp according to claim 2, an LED chip, a lead this LED chip is bonded, and the transparent resin for molding the LED chip, over the surface of the translucent resin it is provided with a cap made of a translucent resin, wherein the cap is intended to phosphors are mixed.

【0068】このため、キャップを被せるという簡単な工程で、発光ダイオードランプの発する光の色を変更することが可能となるのである。 [0068] Therefore, by a simple process of putting the cap, it is the is possible to change the color of the light emitted from the light-emitting diode lamp.

【0069】また、請求項3に係る発光ダイオードランプは、LEDチップと、このLEDチップがボンディングされるリードと、前記LEDチップをモールドする透光性樹脂と、この透光性樹脂の内部であって、LEDチップから発せられる光が透過する位置に封入された透光性膜とを備えており、前記透光性膜は蛍光体が混合されたものである。 [0069] The light emitting diode lamp according to claim 3, a LED chip, a lead this LED chip is bonded, and the transparent resin for molding the LED chip, there inside the translucent resin Te, light emitted from the LED chip is encapsulated in a position to transmit comprises a transparent film, the transparent film are those phosphors are mixed.

【0070】従って、この発光ダイオードランプによると、LEDチップから発せられる光は確実に蛍光体が混合された透光性膜を透過するとともに、上述した2つの発光ダイオードランプとは違って透光性膜が外部に向かって露出していないので、透光性膜がなんらかの原因で剥離するという問題がない。 [0070] Therefore, according to the light-emitting diode lamp, with light emitted from the LED chip is transmitted reliably translucent phosphor are mixed membrane, translucent unlike two light emitting diode lamp as described above because film is not exposed to the outside, there is no problem that the transparent film is peeled off for some reason.

【0071】また、請求項4に係る発光ダイオードランプは、LEDチップと、このLEDチップがボンディングされるリードと、前記LEDチップをモールドする透光性樹脂とを備えており、前記透光性樹脂は、LEDチップの周囲をモールドする蛍光体が混合された第1の透光性樹脂と、この第1の透光性樹脂をモールドする第2 [0071] The light emitting diode lamp according to claim 4, the LED chip, a lead this LED chip is bonded, and a translucent resin for molding the LED chip, the transparent resin It is first molded in the first translucent resin which phosphors are mixed to mold around the LED chip, the first translucent resin 2
の透光性樹脂とを備えている。 And a light-transmitting resin.

【0072】この発光ダイオードランプによる場合には、LEDチップは蛍光体が混合された第1の透光性樹脂で確実に包囲されるので、LEDチップの光がすべて前記1の透光性樹脂を透過するという効果がある。 [0072] In the case of the light-emitting diode lamp, the LED chip is reliably surrounded by the first light-transmissive resin phosphors are mixed, the light-transmissive resin of the LED chip light all the 1 there is an effect that is transmitted.

【0073】また、請求項5に係る発光ダイオードランプは、LEDチップと、このLEDチップがボンディングされるリードと、前記LEDチップをモールドする透光性樹脂とを備えており、前記透光性樹脂は、LEDチップの周囲をモールドする第1の透光性樹脂と、この第1の透光性樹脂をモールドする第2の透光性樹脂と、前記第1の透光性樹脂の表面に形成された蛍光体が混合された透光性膜とを有している。 [0073] The light emitting diode lamp according to claim 5, a LED chip, a lead this LED chip is bonded, and a translucent resin for molding the LED chip, the transparent resin It is formed on the first and the transparent resin, and the second translucent resin for molding the first light-transmissive resin, the surface of the first translucent resin for molding the periphery of the LED chip phosphor has a mixed light transmissive layer.

【0074】この発光ダイオードランプは、上述した発光ダイオードランプ、すなわち第1の透光性樹脂に蛍光体を混合したもののように、2種類の透光性樹脂を準備する必要がないという効果がある。 [0074] The light emitting diode lamp, the above-mentioned light-emitting diode lamp, i.e. as a mixture of the first light-transmissive resin to the phosphor, there is an effect that it is not necessary to prepare two kinds of light-transmitting resin .

【0075】さらに、請求項6に係る発光ダイオードランプは、LEDチップと、このLEDチップが接着剤でボンディングされるリードと、前記LEDチップをモールドする透光性樹脂とを備えており、前記接着剤には、 [0075] Further, the light emitting diode lamp according to claim 6 is provided with an LED chip, a lead this LED chips are bonded with adhesive, and a translucent resin for molding the LED chip, the adhesive the agent,
蛍光体が混合されている。 Phosphors are mixed.

【0076】この発光ダイオードランプであると、接着剤のみを変更することによって発する光の色を適宜変更することができるので大変便利である。 [0076] With this light emitting diode lamp, it is very convenient because it is possible to change the color of light emitted by changing only the adhesive appropriately.

【0077】ところで、請求項7に係る発光ダイオードランプの製造方法は、リードにボンディングされたLE [0077] Incidentally, a method of manufacturing a light emitting diode lamp according to claim 7, which is bonded to the lead LE
Dチップより光の射出側に相当する透光性樹脂を金型に注入する工程と、前記透光性樹脂に蛍光体が混合された透光性膜を載せる工程と、LEDチップがボンディングされたリードを前記金型にセットする工程と、残りの透光性樹脂を前記金型に注入する工程とを有している。 A step of the translucent resin is injected into the mold from D chip corresponding to the light exit side, a step of placing the translucent phosphor is mixed into a resin translucent film, LED chips are bonded a step of setting the lead to the mold, and a step of injecting a remaining translucent resin into the mold.

【0078】このようにすることにより、透光性樹脂の内部に蛍光体が混合された透光性膜を封入することが可能となる。 [0078] By doing this, it is possible to encapsulate the transparent film which phosphors are mixed in the interior of the translucent resin.

【0079】また、請求項8に係る発光ダイオードランプの製造方法は、リードにボンディングされたLEDチップの周囲を第1の透光性樹脂でモールドする工程と、 [0079] In the method of manufacturing the light emitting diode lamp according to claim 8 includes the steps of molding a periphery of the LED chips bonded to the lead in the first light-transmissive resin,
前記第1の透光性樹脂の周囲に第2の透光性樹脂をモールドする工程とを有しており、前記第1の透光性樹脂は蛍光体が混合されている。 Has a step of molding the second light transmitting resin around the first light-transmissive resin, the first light-transmissive resin is mixed phosphor.

【0080】このようにすることで、LEDチップが蛍光体の混合された第1の透光性樹脂で確実に包囲された発光ダイオードランプを製造することができる。 [0080] By doing so, LED chips can be manufactured first light emitting diode lamp that is securely surrounded by translucent resin mixed phosphors.

【0081】さらに、請求項9に係る発光ダイオードランプの製造方法は、リードにボンディングされたLED [0081] Further, a method of manufacturing a light emitting diode lamp according to claim 9, which is bonded to the lead LED
チップの周囲を第1の透光性樹脂でモールドする工程と、この第1の透光性樹脂の表面に蛍光体が混合された透光性膜を形成する工程と、前記第1の透光性樹脂の周囲に第2の透光性樹脂をモールドする工程とを有している。 Forming a step of molding the periphery of the chip in the first light-transmissive resin, the first light-transmitting translucent phosphor are mixed on the surface of the resin film, the first light transmission and a step of molding the second light transmitting resin around the sexual resin.

【0082】この発光ダイオードランプの製造方法によると、2種類の透光性樹脂、すなわち蛍光体を混合したものとしていないものとを準備することなく、発光ダイオードランプを製造することが可能となる。 [0082] According to the method of manufacturing the light-emitting diode lamp, two light-transmissive resin, that is, without preparing a with those not exposed to the a mixture of phosphors, it is possible to manufacture a light emitting diode lamp.

【0083】一方、請求項10に係るチップ型発光ダイオード素子は、蛍光体が混合された透光性樹脂でLED [0083] On the other hand, a chip-type light emitting diode device according to claim 10, LED with light-transmitting resin in which the phosphor is mixed
チップをモールドしたものである。 It is obtained by molding the chip. このチップ型発光ダイオード素子もLEDチップから発せられる光は確実に蛍光体が混合された透光性樹脂を透過するようになる。 The chip type light emitting diode light device also emitted from the LED chip will be transmitted reliably translucent resin in which the phosphor is mixed.

【0084】また、請求項11に係るチップ型発光ダイオード素子は、LEDチップをモールドする透光性樹脂と、この透光性樹脂の表面に形成された透光性膜とを有しており、LEDチップから発せられる光は確実に蛍光体が混合された透光性膜を透過するようになる。 [0084] The chip-type light emitting diode device according to claim 11 has a translucent resin for molding the LED chip, and a transparent film formed on the surface of the translucent resin, light emitted from the LED chip is reliably phosphor is to transmit a transparent film mixed.

【0085】さらに、請求項12に係るチップ型発光ダイオード素子は、LEDチップをモールドする透光性樹脂と、この透光性樹脂の内部であって、LEDチップから発せられる光が透過する位置に封入された透光性膜とを備えており、前記透光性膜は蛍光体が混合されたものである。 [0085] Further, the chip-type light emitting diode device according to claim 12 includes a translucent resin for molding the LED chip, an internal of the light-transmitting resin, a position where the light emitted from the LED chip passes and a enclosed transparent film, the transparent film are those phosphors are mixed. このため、このチップ型発光ダイオード素子もLEDチップから発せられる光は確実に蛍光体が混合された透光性膜を透過するとともに、透光性膜が外部に向かって露出していないので、透光性膜がなんらかの原因で剥離するという問題がない。 Therefore, the chip type light emitting diode light device also emitted from the LED chip is transmitted reliably translucent phosphor are mixed membrane, since the light-transmitting film is not exposed to the outside, Toru there is no problem that the light resistance film is peeled off for some reason.

【0086】また、請求項13に係るチップ型発光ダイオード素子は、LEDチップの表面に蛍光体が混合された透光性膜が形成されている。 [0086] The chip-type light emitting diode device according to claim 13, phosphor mixed transparent film is formed on the surface of the LED chip. このため、LEDチップから発せられる光は確実に蛍光体が混合された透光性膜を透過するようになる。 Therefore, light emitted from the LED chip will be transmitted reliably translucent phosphors are mixed membrane.

【0087】ところで、請求項14に係るドットマトリクス型発光ダイオードユニットは、複数のLEDチップがマトリクス状に配置されたドットマトリクス型発光ダイオードユニットであって、前記LEDチップの表面に蛍光体が混合された透光性膜が形成されている。 [0087] Incidentally, a dot-matrix type light-emitting diode unit according to claim 14, a dot-matrix type light-emitting diode unit in which a plurality of LED chips are arranged in a matrix, the phosphor is mixed on the surface of the LED chip light-transmitting film is formed.

【0088】従って、このドットマトリクス型発光ダイオードユニットにあっては、LEDチップから発せられる光は確実に蛍光体が混合された透光性膜を透過するようになる。 [0088] Thus, in the dot-matrix type light-emitting diode unit, the light emitted from the LED chip will be transmitted reliably phosphor mixed transparent film.

【0089】また、請求項15に係るドットマトリクス型発光ダイオードユニットは、複数のLEDチップがマトリクス状に配置されたドットマトリクス型発光ダイオードユニットであって、前記LEDチップを蛍光体が混合された透光性フィルムでカバーしている。 [0089] In addition, a dot-matrix type light-emitting diode unit according to claim 15, a dot-matrix type light-emitting diode unit in which a plurality of LED chips are arranged in a matrix, permeability of the LED chip phosphors are mixed It is covered with a light film. 従って、このドットマトリクス型発光ダイオードユニットでも、L Accordingly, even in the dot-matrix type light-emitting diode unit, L
EDチップから発せられる光は確実に蛍光体が混合された透光性フィルムを透過するようになる。 Light emitted from the ED chip reliably phosphor is to transmit the mixed translucent film.

【0090】また、請求項16に係るドットマトリクス型発光ダイオードユニットでは、LEDチップを蛍光体が塗布された透光性フィルムでカバーすることで同様の効果をもたらしている。 [0090] In the dot-matrix type light-emitting diode unit according to claim 16, the LED chips phosphor has led to similar effect by covering with translucent film coated.

【0091】さらに、請求項17に係るドットマトリクス型発光ダイオードユニットは、複数のLEDチップがマトリクス状に配置されたドットマトリクス型発光ダイオードユニットであって、前記LEDチップをカバーする透光性フィルムの裏面側の接着剤に蛍光体を混合している。 [0091] In addition, a dot-matrix type light-emitting diode unit according to claim 17, a dot-matrix type light-emitting diode unit in which a plurality of LED chips are arranged in a matrix, the light-transmitting film that covers the LED chip and mixing the phosphor on the back side of the adhesive. 従って、接着剤を変更するだけで異なる色の光とすることが可能となる。 Therefore, it is possible to light of different colors by simply changing the adhesive.

【0092】また、請求項18に係るドットマトリクス型発光ダイオードユニットは、複数のLEDチップがマトリクス状に配置されたドットマトリクス型発光ダイオードユニットであって、前記LEDチップは蛍光体が混合された透光性樹脂で覆われている。 [0092] In addition, a dot-matrix type light-emitting diode unit according to claim 18, a dot-matrix type light-emitting diode unit in which a plurality of LED chips are arranged in a matrix, Toru said LED chips mixed phosphor It is covered with a light resin. このため、上述したのと同様の効果の他に、LEDチップを固定するという効果も有している。 Therefore, in addition to the same effects as described above, also has the effect of fixing the LED chip.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の第1の実施の形態に係る発光ダイオードランプの概略的断面図である。 1 is a schematic cross-sectional view of a light emitting diode lamp according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施の形態に係る発光ダイオードランプの概略的断面図である。 2 is a schematic cross-sectional view of a light emitting diode lamp according to a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第3の実施の形態に係る発光ダイオードランプの概略的断面図である。 Figure 3 is a schematic cross-sectional view of a light emitting diode lamp according to a third embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第3の実施の形態に係る発光ダイオードランプの製造工程を示す概略的断面図である。 4 is a schematic sectional view showing a light emitting diode lamp according to a third embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第4の実施の形態に係る発光ダイオードランプの概略的断面図である。 5 is a schematic cross-sectional view of a light emitting diode lamp according to a fourth embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第5の実施の形態に係る発光ダイオードランプの概略的断面図である。 6 is a schematic cross-sectional view of a light emitting diode lamp according to a fifth embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第6の実施の形態に係る発光ダイオードランプの要部、すなわちカップ部の概略的拡大断面図である。 [7] main parts of a light emitting diode lamp according to a sixth embodiment of the present invention, i.e. a schematic enlarged sectional view of the cup portion.

【図8】本発明の第7の実施の形態に係るチップ型発光ダイオード素子の概略的断面図である。 8 is a schematic sectional view of a chip type light emitting diode device according to a seventh embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第8の実施の形態に係るチップ型発光ダイオード素子の概略的断面図である。 9 is a schematic cross-sectional view of a chip type light emitting diode device according to an eighth embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第9の実施の形態に係るチップ型発光ダイオード素子の概略的断面図である。 10 is a schematic sectional view of a chip type light emitting diode device according to a ninth embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第10の実施の形態に係るチップ型発光ダイオード素子の概略的断面図である。 11 is a schematic sectional view of a chip type light emitting diode device according to a tenth embodiment of the present invention.

【図12】本発明の第11の実施の形態に係るチップ型発光ダイオード素子の概略的断面図である。 It is a schematic cross-sectional view of a chip type light emitting diode device according to an eleventh embodiment of the present invention; FIG.

【図13】ドットマトリクス型発光ダイオードユニットの図面であって、同図(A)は概略的平面図である。 [Figure 13] A drawing of a dot-matrix type light-emitting diode unit, Fig (A) is a schematic plan view.

【図14】本発明の第12の実施の形態に係るドットマトリクス型発光ダイオードユニットの概略的断面図である。 14 is a schematic sectional view of a dot-matrix type light emitting diode unit according to the twelfth embodiment of the present invention.

【図15】本発明の第13の実施の形態に係るドットマトリクス型発光ダイオードユニットの概略的断面図である。 15 is a schematic sectional view of a dot-matrix type light-emitting diode unit according to a thirteenth embodiment of the present invention.

【図16】本発明の第14の実施の形態に係るドットマトリクス型発光ダイオードユニットの概略的断面図である。 16 is a schematic sectional view of a dot-matrix type light-emitting diode unit according to a fourteenth embodiment of the present invention.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

A〜F 発光ダイオードランプ G〜K チップ型発光ダイオード素子 L〜N ドットマトリクス型発光ダイオードユニット 100 LEDチップ 200 リード 300 透光性樹脂 400 透光性膜 500 蛍光体 A~F emitting diode lamp G~K chip type light emitting diode device L~N dot-matrix type light emitting diode units 100 LED chip 200 lead 300 translucent resin 400 transparent film 500 phosphor

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5F041 AA14 CB36 DA04 DA07 DA12 DA13 DA18 DA20 DA26 DA43 DA58 DB02 DB04 DB08 EE25 FF01 FF06 ────────────────────────────────────────────────── ─── front page of continued F-term (reference) 5F041 AA14 CB36 DA04 DA07 DA12 DA13 DA18 DA20 DA26 DA43 DA58 DB02 DB04 DB08 EE25 FF01 FF06

Claims (18)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 LEDチップと、このLEDチップがボンディングされるリードと、前記LEDチップをモールドする透光性樹脂と、この透光性樹脂の表面に形成された透光性膜とを具備しており、前記透光性膜は蛍光体が混合されたものであることを特徴とする発光ダイオードランプ。 And 1. A LED chip, comprising: a lead this LED chip is bonded, and the transparent resin for molding the LED chip, and a transparent film formed on the surface of the translucent resin and has the transparent film is a light emitting diode lamp, characterized in that the phosphors are mixed.
  2. 【請求項2】 LEDチップと、このLEDチップがボンディングされるリードと、前記LEDチップをモールドする透光性樹脂と、この透光性樹脂の表面に被せられる透光性樹脂からなるキャップとを具備しており、前記キャップは蛍光体が混合されたものであることを特徴とする発光ダイオードランプ。 2. A LED chip, a lead this LED chip is bonded, and the transparent resin for molding the LED chip, and a cap made of a translucent resin for covering the surface of the translucent resin and comprising, said cap-emitting diode lamp, characterized in that the phosphors are mixed.
  3. 【請求項3】 LEDチップと、このLEDチップがボンディングされるリードと、前記LEDチップをモールドする透光性樹脂と、この透光性樹脂の内部であって、 3. A LED chip, a lead this LED chip is bonded, and the transparent resin for molding the LED chip, an internal of the light-transmitting resin,
    LEDチップから発せられる光が透過する位置に封入された透光性膜とを具備しており、前記透光性膜は蛍光体が混合されたものであることを特徴とする発光ダイオードランプ。 Light emitted from the LED chip is encapsulated in a position that transmits and comprises a transparent film, the transparent film is a light emitting diode lamp, characterized in that the phosphors are mixed.
  4. 【請求項4】 LEDチップと、このLEDチップがボンディングされるリードと、前記LEDチップをモールドする透光性樹脂とを具備しており、前記透光性樹脂は、LEDチップの周囲をモールドする蛍光体が混合された第1の透光性樹脂と、この第1の透光性樹脂をモールドする第2の透光性樹脂とを備えたことを特徴とする発光ダイオードランプ。 4. A LED chip, a lead this LED chip is bonded, and comprises a translucent resin for molding the LED chip, the transparent resin is molded around the LED chip LED lamp, wherein the first light-transmissive resin in which the phosphor is mixed, further comprising a second translucent resin for molding the first light-transmissive resin.
  5. 【請求項5】 LEDチップと、このLEDチップがボンディングされるリードと、前記LEDチップをモールドする透光性樹脂とを具備しており、前記透光性樹脂は、LEDチップの周囲をモールドする第1の透光性樹脂と、この第1の透光性樹脂をモールドする第2の透光性樹脂と、前記第1の透光性樹脂の表面に形成された蛍光体が混合された透光性膜とを備えたことを特徴とする発光ダイオードランプ。 5. A LED chip, a lead this LED chip is bonded, and comprises a translucent resin for molding the LED chip, the transparent resin is molded around the LED chip a first light-transmissive resin, and the second translucent resin for molding the first light-transmissive resin, permeable to the first translucent phosphor formed on the surface of the resin is mixed LED lamp, characterized in that a light film.
  6. 【請求項6】 LEDチップと、このLEDチップが接着剤でボンディングされるリードと、前記LEDチップをモールドする透光性樹脂とを具備しており、前記接着剤には、蛍光体が混合されていることを特徴とする発光ダイオードランプ。 6. A LED chip, a lead this LED chips are bonded with adhesive, and comprising a translucent resin for molding the LED chip, the said adhesive, phosphor is mixed LED lamp, characterized in that is.
  7. 【請求項7】 リードにボンディングされたLEDチップより光の射出側に相当する透光性樹脂を金型に注入する工程と、前記透光性樹脂に蛍光体が混合された透光性膜を載せる工程と、LEDチップがボンディングされたリードを前記金型にセットする工程と、残りの透光性樹脂を前記金型に注入する工程とを具備したことを特徴とする発光ダイオードランプの製造方法。 7. A process for injecting a translucent resin which corresponds more bonded LED chip to the lead on the exit side of light in a mold, the translucent resin to phosphor is mixed a transparent film step a, the light emitting diode lamp manufacturing method of the LED chip is characterized by comprising the step of setting the bonded leads to the mold, and a step of injecting a remaining translucent resin into the mold to place .
  8. 【請求項8】 リードにボンディングされたLEDチップの周囲を第1の透光性樹脂でモールドする工程と、前記第1の透光性樹脂の周囲に第2の透光性樹脂をモールドする工程とを具備しており、前記第1の透光性樹脂は蛍光体が混合されていることを特徴とする発光ダイオードランプの製造方法。 The periphery of 8. LED chips bonded to the lead and a step of molding a first light-transmissive resin, a step of molding the second light transmitting resin around the first light-transmissive resin and comprising bets, the first light-transmissive resin LED lamp manufacturing method, wherein a phosphor is mixed.
  9. 【請求項9】 リードにボンディングされたLEDチップの周囲を第1の透光性樹脂でモールドする工程と、この第1の透光性樹脂の表面に蛍光体が混合された透光性膜を形成する工程と、前記第1の透光性樹脂の周囲に第2の透光性樹脂をモールドする工程とを具備したことを特徴とする発光ダイオードランプの製造方法。 The periphery of 9. LED chips bonded to the lead and a step of molding a first light-transmissive resin, the first light-transmitting transparent film which phosphors are mixed on the surface of the resin step a, the light emitting diode lamp manufacturing method, characterized by comprising a step of molding the second light transmitting resin around the first light-transmissive resin forming.
  10. 【請求項10】 蛍光体が混合された透光性樹脂でLE LE in 10. translucent resin in which the phosphor is mixed
    Dチップをモールドしたことを特徴とするチップ型発光ダイオード素子。 Chip type light emitting diode device characterized in that by molding D chip.
  11. 【請求項11】 LEDチップをモールドする透光性樹脂と、この透光性樹脂の表面に形成された透光性膜とを具備しており、前記透光性膜は蛍光体が混合されていることを特徴とするチップ型発光ダイオード素子。 11. A light-transmissive resin of the LED chip is molded, and comprises a this translucent light-transmitting film formed on the surface of the resin, the transparent film is mixed phosphor chip type light emitting diode device characterized in that there.
  12. 【請求項12】 LEDチップをモールドする透光性樹脂と、この透光性樹脂の内部であって、LEDチップから発せられる光が透過する位置に封入された透光性膜とを具備しており、前記透光性膜は蛍光体が混合されたものであることを特徴とするチップ型発光ダイオード素子。 12. A light-transmissive resin of the LED chip is molded, an internal of the light-transmitting resin, and includes a transparent film which is sealed at a position where light emitted from the LED chip passes cage, the light transmissive film chip type light emitting diode element, characterized in that the phosphors are mixed.
  13. 【請求項13】 LEDチップの表面に蛍光体が混合された透光性膜が形成されていることを特徴とするチップ型発光ダイオード素子。 13. A chip-type light emitting diode device characterized in that LED chip transparent film which phosphors are mixed on the surface of the are formed.
  14. 【請求項14】 複数のLEDチップがマトリクス状に配置されたドットマトリクス型発光ダイオードユニットにおいて、前記LEDチップの表面に蛍光体が混合された透光性膜が形成されたことを特徴とするドットマトリクス型発光ダイオードユニット。 14. A plurality of dot-matrix type light-emitting diode unit LED chips are arranged in a matrix, wherein the LED chip translucent film phosphors are mixed on the surface of the formed dots matrix light-emitting diode unit.
  15. 【請求項15】 複数のLEDチップがマトリクス状に配置されたドットマトリクス型発光ダイオードユニットにおいて、前記LEDチップを蛍光体が混合された透光性フィルムでカバーしたことを特徴とするドットマトリクス型発光ダイオードユニット。 15. A plurality of LED chips dot-matrix type light emitting diode units arranged in a matrix, a dot-matrix type light-emitting, characterized in that the LED chips and covered by the phosphor mixed translucent film diode unit.
  16. 【請求項16】 複数のLEDチップがマトリクス状に配置されたドットマトリクス型発光ダイオードユニットにおいて、前記LEDチップを蛍光体が塗布された透光性フィルムでカバーしたことを特徴とするドットマトリクス型発光ダイオードユニット。 16. A plurality of LED chips dot-matrix type light emitting diode units arranged in a matrix, a dot-matrix type light-emitting, characterized in that the LED chips phosphor was covered with translucent film coated diode unit.
  17. 【請求項17】 複数のLEDチップがマトリクス状に配置されたドットマトリクス型発光ダイオードユニットにおいて、前記LEDチップをカバーする透光性フィルムの裏面側の接着剤に蛍光体を混合したことを特徴とするドットマトリクス型発光ダイオードユニット。 17. A plurality of LED chips dot-matrix type light emitting diode units arranged in a matrix, and characterized in that a mixture of phosphor on the back side of the adhesive of the light-transmitting film that covers the LED chip dot-matrix type light-emitting diode units.
  18. 【請求項18】 複数のLEDチップがマトリクス状に配置されたドットマトリクス型発光ダイオードユニットにおいて、前記LEDチップは蛍光体が混合された透光性樹脂で覆われていることを特徴とするドットマトリクス型発光ダイオードユニット。 18. A plurality of LED chips dot-matrix type light emitting diode units arranged in a matrix, a dot-matrix in which the LED chip is characterized in that it is covered with a translucent resin in which phosphors are mixed type light emitting diode unit.
JP11022522A 1999-01-29 1999-01-29 Light emitting diode lamp and its manufacture chip type light emitting diode element, and dot matrix type light emitting diode unit Pending JP2000223749A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11022522A JP2000223749A (en) 1999-01-29 1999-01-29 Light emitting diode lamp and its manufacture chip type light emitting diode element, and dot matrix type light emitting diode unit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11022522A JP2000223749A (en) 1999-01-29 1999-01-29 Light emitting diode lamp and its manufacture chip type light emitting diode element, and dot matrix type light emitting diode unit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000223749A true JP2000223749A (en) 2000-08-11

Family

ID=12085124

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11022522A Pending JP2000223749A (en) 1999-01-29 1999-01-29 Light emitting diode lamp and its manufacture chip type light emitting diode element, and dot matrix type light emitting diode unit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000223749A (en)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002252376A (en) * 2001-02-23 2002-09-06 Seiwa Electric Mfg Co Ltd Surface-mounted type light-emitting diode and its manufacturing method
JP2002299691A (en) * 2001-04-04 2002-10-11 Seiwa Electric Mfg Co Ltd Light emitting diode lamp and filter used therefor
WO2002084750A1 (en) * 2001-04-12 2002-10-24 Matsushita Electric Works, Ltd. Light source device using led, and method of producing same
JP2007129107A (en) * 2005-11-04 2007-05-24 Citizen Electronics Co Ltd Light-emitting diode and method for correcting chromaticity of the light-emitting diode
CN100399591C (en) 2005-05-24 2008-07-02 陈建伟 Self-adaptive 360 degvee white-light-emitting diode
JP2009026840A (en) * 2007-07-18 2009-02-05 C I Kasei Co Ltd Light emitting device and method of manufacturing light emitting device
JP2009054692A (en) * 2007-08-24 2009-03-12 C I Kasei Co Ltd Light-emitting device, and manufacturing method therefor
JP2009267039A (en) * 2008-04-24 2009-11-12 Citizen Electronics Co Ltd Light-emitting device
US7622317B2 (en) 2005-09-02 2009-11-24 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Light emitting diode and method for manufacturing the same
JP2010092956A (en) * 2008-10-06 2010-04-22 Mitsubishi Electric Corp Led light source and luminary using it
JP2010171342A (en) * 2009-01-26 2010-08-05 Sony Corp Color conversion member, method of manufacturing the same, light-emitting device, and display
JP2011061230A (en) * 2003-02-26 2011-03-24 Cree Inc Light emitter and method of manufacturing the same
JP2012256677A (en) * 2011-06-08 2012-12-27 Citizen Holdings Co Ltd Light-emitting device
JP2012256676A (en) * 2011-06-08 2012-12-27 Citizen Holdings Co Ltd Light-emitting device
US9392670B2 (en) 2006-12-05 2016-07-12 Samsung Electronics Co., Ltd. White light emitting device and white light source module using the same

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002252376A (en) * 2001-02-23 2002-09-06 Seiwa Electric Mfg Co Ltd Surface-mounted type light-emitting diode and its manufacturing method
JP4673986B2 (en) * 2001-02-23 2011-04-20 星和電機株式会社 Manufacturing method of surface mounted light emitting diode
JP2002299691A (en) * 2001-04-04 2002-10-11 Seiwa Electric Mfg Co Ltd Light emitting diode lamp and filter used therefor
WO2002084750A1 (en) * 2001-04-12 2002-10-24 Matsushita Electric Works, Ltd. Light source device using led, and method of producing same
US6874910B2 (en) 2001-04-12 2005-04-05 Matsushita Electric Works, Ltd. Light source device using LED, and method of producing same
US9142734B2 (en) 2003-02-26 2015-09-22 Cree, Inc. Composite white light source and method for fabricating
JP2011061230A (en) * 2003-02-26 2011-03-24 Cree Inc Light emitter and method of manufacturing the same
CN100399591C (en) 2005-05-24 2008-07-02 陈建伟 Self-adaptive 360 degvee white-light-emitting diode
US7622317B2 (en) 2005-09-02 2009-11-24 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Light emitting diode and method for manufacturing the same
JP2007129107A (en) * 2005-11-04 2007-05-24 Citizen Electronics Co Ltd Light-emitting diode and method for correcting chromaticity of the light-emitting diode
US9392670B2 (en) 2006-12-05 2016-07-12 Samsung Electronics Co., Ltd. White light emitting device and white light source module using the same
JP2009026840A (en) * 2007-07-18 2009-02-05 C I Kasei Co Ltd Light emitting device and method of manufacturing light emitting device
JP2009054692A (en) * 2007-08-24 2009-03-12 C I Kasei Co Ltd Light-emitting device, and manufacturing method therefor
JP2009267039A (en) * 2008-04-24 2009-11-12 Citizen Electronics Co Ltd Light-emitting device
JP2010092956A (en) * 2008-10-06 2010-04-22 Mitsubishi Electric Corp Led light source and luminary using it
US9001288B2 (en) 2009-01-26 2015-04-07 Dexerials Corporation Color converting member, method of manufacturing the same, light emitting device, and display device
JP2010171342A (en) * 2009-01-26 2010-08-05 Sony Corp Color conversion member, method of manufacturing the same, light-emitting device, and display
US9302432B2 (en) 2009-01-26 2016-04-05 Dexerials Corporation Method of manufacturing color converting member
JP2012256677A (en) * 2011-06-08 2012-12-27 Citizen Holdings Co Ltd Light-emitting device
JP2012256676A (en) * 2011-06-08 2012-12-27 Citizen Holdings Co Ltd Light-emitting device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1237631C (en) Led devices
JP6010583B2 (en) Phosphor conversion led
US6881980B1 (en) Package structure of light emitting diode
CN100511732C (en) Light emitting device
KR100655252B1 (en) White light emitting device
US7315119B2 (en) Light-emitting device having a phosphor particle layer with specific thickness
KR100723247B1 (en) Chip coating type light emitting diode package and fabrication method thereof
KR101007131B1 (en) Light emitting device package
JP5318976B2 (en) Lamp cover and LED lamp using the same
US20020079837A1 (en) Chip-type LED and process of manufacturing the same
JP4945106B2 (en) Semiconductor light emitting device
JP4562828B2 (en) Semiconductor device provided with light emitting semiconductor
KR100904152B1 (en) Leadframe having a heat sink supporting part, fabricating method of the light emitting diode package using the same and light emitting diode package fabricated by the method
CN100452462C (en) Led light source with lens
KR101161461B1 (en) Light emitting diode component
US7977699B2 (en) Light emitting device package and manufacture method of light emitting device package
US8344400B2 (en) Light emitting device package
KR100665222B1 (en) Led package with diffusing material and method of manufacturing the same
US9024334B2 (en) Light-emitting device having a plurality of concentric light transmitting areas
KR100710102B1 (en) Light emitting apparatus
TWI441350B (en) Resin-sealed light emitting device and its manufacturing method
KR100691179B1 (en) Side Emitting LED Package and Method of Manufacturing The Same
DE202008018130U1 (en) Assembly with a light-emitting device
JP2005011953A (en) Light emitting device
JP4174823B2 (en) Semiconductor light emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060110

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20081022

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081028

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081226

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090428