JPH1187778A - Semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting device and manufacture thereof - Google Patents

Semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting device and manufacture thereof

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JPH1187778A
JPH1187778A JP23749297A JP23749297A JPH1187778A JP H1187778 A JPH1187778 A JP H1187778A JP 23749297 A JP23749297 A JP 23749297A JP 23749297 A JP23749297 A JP 23749297A JP H1187778 A JPH1187778 A JP H1187778A
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Satoshi Kawamoto
Kuniaki Konno
Koichi Nitta
Nobuhiro Suzuki
田 康 一 新
本 聡 河
野 邦 明 紺
木 伸 洋 鈴
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Toshiba Corp
株式会社東芝
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make a light emission wavelength stable and allow light emission with high brightness in a wavelength in a region from visible right to infrared rays. SOLUTION: A fluorescent substance is included or deposited in any part of the semiconductor light emitting element 10. The fluorescent substance has an absorption peak in a wavelength band of 340 to 380 nm. Therefore, in order to effectively convert wavelength by the fluorescent substance, a light emitting layer 20 desirably emits ultraviolet rays of a wavelength band of 308 nm or less. A site to include the fluorescent substance in the semiconductor element 10 may be a p-side electrode layer 26, first. Then, a silicon oxide layer 45 or a current preventing layer 30 may follow. Alternatively any of respective semiconductor layers 14 to 24 may follow. A substrate 12 may follow further.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光素子、 BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a semiconductor light emitting element,
半導体発光装置およびその製造方法に関する。 The semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof. より詳しくは、本発明は、蛍光体を励起することにより、高い効率で波長変換された光を外部に取り出すことができる半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法に関する。 More particularly, the present invention is to excite the phosphor, the semiconductor light-emitting element can be extracted the light wavelength conversion with high efficiency to the outside, a semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof.

【0002】 [0002]

【従来の技術】半導体発光素子およびそれを搭載した各種の半導体発光装置は、コンパクト且つ低消費電力であり、信頼性に優れるなどの多くの利点を有し、近年では、種々ので高い発光輝度が要求される室内外の表示板、鉄道/交通信号、車載用灯具などについても広く応用されつつある。 BACKGROUND OF THE INVENTION Semiconductor light emitting device and a variety of semiconductor light-emitting device equipped with it is a compact and low power consumption, has many advantages such as excellent reliability, in recent years, various so high emission luminance required interior and exterior panels, train / traffic, it is widely applied also such as automotive lamp there.

【0003】これらの半導体発光素子のうちで、窒化ガリウム系半導体を用いた発光素子が最近、注目されている。 [0003] Among these semiconductor light emitting element, a light-emitting device using a gallium nitride-based semiconductor have recently been attracting attention. 窒化ガリウム系半導体は、直接遷移型のIII−V Gallium nitride-based semiconductor is a direct transition type III-V
族化合物導体であり、比較的短い波長領域において高効率で発光させることができるという特徴を有する。 A family compound conductor, having a characteristic that light can be emitted with high efficiency in a relatively short wavelength region.

【0004】なお、本明細書において「窒化ガリウム系半導体」とは、In x Al y Ga 1-x- y N(0≦x,y≦ [0004] Incidentally, the term "gallium nitride based semiconductor" as used herein, In x Al y Ga 1- x- y N (0 ≦ x, y ≦
1,x+y≦1)なる化学式において組成比x及びyを零から1の範囲で変化させたすべての組成の半導体を含むものとする。 1, x + y ≦ 1) comprising in the chemical formula is intended to include semiconductors all compositions with varying composition ratio x and y in the range from zero to 1. 例えば、InGaN(x>0、y=0) For example, InGaN (x> 0, y = 0)
も「窒化ガリウム系半導体」に含まれるものとする。 It is also included in the "gallium nitride based semiconductor".

【0005】窒化ガリウム系半導体は、組成x及びyを制御することによってバンドギャップが1.89〜6. [0005] GaN-based semiconductor, a band gap by controlling the composition x and y 1.89 to 6.
2eVまで変化するために、LEDや半導体レーザの材料として有望視されている。 To change to 2 eV, it is promising as a material for an LED or a semiconductor laser. 特に、青色や紫外線の波長領域で高輝度に発光させることができれば、各種光ディスクの記録容量を倍増させ、表示装置のフルカラー化を可能にすることができる。 In particular, if it can emit light with high luminance at a wavelength range of the blue or ultraviolet, to double the recording capacity of the various optical discs, it is possible to allow the full-color display device. そこで、In x Al y Ga Therefore, In x Al y Ga
1-xy N系半導体を用いた短波長発光素子は、その初期特性や信頼性の向上に向けて急速に開発が進められている。 Short-wavelength light emitting device using 1-xy N-based semiconductor rapidly has been developed toward its initial characteristics and improved reliability.

【0006】このような窒化ガリウム系半導体を用いた従来の発光素子の構造を開示した参考文献としては、例えば、Jpn. [0006] The references disclose the structure of a conventional light emitting device using the gallium nitride-based semiconductor, for example, Jpn. J. J. Appl. Appl. Phys. Phys. 、28(19 , 28 (19
89)p. 89) p. L2112、Jpn. L2112, Jpn. J. J. Appl. Appl. Phy Phy
s. s. 、32(1993)p. , 32 (1993) p. L8或いは特開平5−29 L8, or JP-A-5-29
1621号公報を挙げることができる。 1621 JP can be exemplified.

【0007】図97は、従来の窒化ガリウム系発光素子の構成を表す概略断面図である。 [0007] Figure 97 is a schematic cross sectional view illustrating a structure of a conventional GaN-based light emitting device. その概略構成について説明すると以下の如くである。 It is as follows will be described the schematic structure. すなわち、発光素子10 That is, the light emitting element 10
0は、サファイア基板112上に積層された半導体の多層構造を有する。 0 has a semiconductor multilayer structure stacked on the sapphire substrate 112. サファイア基板112上には、バッファ層114、n型コンタクト層116、n型クラッド層118、発光層120、p型クラッド層122およびp On the sapphire substrate 112, buffer layer 114, n-type contact layer 116, n-type cladding layer 118, light emitting layer 120, p-type cladding layer 122 and p
型コンタクト層124がこの順序で形成されている。 -Type contact layer 124 are formed in this order.

【0008】バッファ層114の材料は、例えばn型のGaNとすることができる。 [0008] Materials of the buffer layer 114 may be, for example, an n-type GaN. n型コンタクト層116 n-type contact layer 116
は、n側電極134とのオーミック接触を確保するように高いキャリア濃度を有するn型の半導体層であり、その材料は、例えば、GaNとすることができる。 Is a semiconductor layer of n-type having a high carrier concentration to ensure ohmic contact with the n-side electrode 134, the material, for example, be a GaN. n型クラッド層118およびp型クラッド層122は、それぞれ発光層120に光を閉じこめる役割を有し、発光層よりも低い屈折率を有することが必要とされる。 n-type cladding layer 118 and the p-type cladding layer 122 has a respective light-emitting layer 120 serves to confine light, it is required to have a lower refractive index than the light emitting layer. その材料は、例えば、発光層120よりもバッドギャップの大きいAlGaNとすることができる。 The material may be, for example, a large AlGaN bad gap than the light emitting layer 120. 発光層120は、発光素子に電流として注入された電荷が再結合することにより発光を生ずる半導体層である。 Emitting layer 120 is a semiconductor layer that produces light emission by the injected charge as a current to the light emitting element are recombined. その材料としては、 As the material,
例えば、アンドープのInGaNを用いることができる。 For example, it is possible to use undoped InGaN. p型コンタクト層124は、p側電極とのオーミック接触を確保するように高いキャリア濃度を有するp型の半導体層であり、その材料は、例えば、GaNとすることができる。 p-type contact layer 124 is a p-type semiconductor layer having a high carrier concentration to ensure ohmic contact with the p-side electrode, the material may be, for example, a GaN.

【0009】p型コンタクト層124の上には、p側電極層126が堆積されている。 [0009] On the p-type contact layer 124, p-side electrode layer 126 is deposited. また、n型コンタクト層118の上には、n側電極層134が堆積されている。 Further, on the n-type contact layer 118, n-side electrode layer 134 is deposited.

【0010】p型コンタクト層124の上の一部分には、電流阻止層130が形成されている。 [0010] The portion of the top of the p-type contact layer 124, a current blocking layer 130 is formed. 電流阻止層1 Current blocking layer 1
30の上にはAuからなるボンディング・パッド132 Bonding pad 132 made of Au on top of the 30
が堆積され、その一部分はp側電極126と接触している。 There is deposited, a portion is in contact with the p-side electrode 126. ボンディング・パッド132には、駆動電流を素子に供給するための図示しないワイアがボンディングされる。 The bonding pads 132, wire (not shown) for supplying a driving current to the element is bonded.

【0011】電流阻止層130は、Au電極132の下部で発光が生ずるのを抑制する役割を有する。 [0011] current blocking layer 130 has a role in suppressing that the light emission at the bottom of the Au electrode 132 is produced. すなわち、発光素子100では、発光層120で生じた発光を電極層126を透過させて上方に取り出すようにされている。 That is, the light emitting element 100, is to extract upwardly luminescence generated in the light emitting layer 120 by transmitting electrode layer 126. しかし、ボンディング・パッド132では電極の厚さが厚いために光を透過させることができない。 However, it is not possible to transmit light due to the large thickness of the bonding the pads 132 electrodes. そこで、電流阻止層130を設けることにより、ボンディング・パッド132の下に駆動電流が注入されないようにして、無駄な発光を抑制するようにしている。 Therefore, by providing the current blocking layer 130, the driving current under the bonding pad 132 so as not implanted, so as to suppress wasteful emission.

【0012】また、n側電極層134の上にもボンディング・パッド132が積層されている。 [0012] The bonding pads 132 on the n-side electrode layer 134 are stacked. ボンディング・ bonding·
パッド132は、Auを厚く堆積することにより形成することができる。 Pad 132 may be formed by deposited thick Au. さらに、ボンディング・パッド132 In addition, the bonding pad 132
以外の表面部分は、酸化シリコン層145により覆われている。 Surface portions other than is covered by the silicon oxide layer 145.

【0013】以上説明した発光素子100は、リードフレームや実装基板などの図示しないマウント部材に対して、基板112の裏面側が接着され、ボンディング・パッド132にそれぞれワイアがボンディングされて、駆動電流が供給される。 [0013] The above-described light-emitting element 100 with respect to the mount member (not shown) such as a lead frame or the mounting substrate, the back side is bonded to the substrate 112, and wire respectively to the bonding pad 132 is bonded, the drive current is supplied It is.

【0014】 [0014]

【発明が解決しようとする課題】しかし、図97に示したような従来の発光発光装置では、半導体発光素子からの発光を直接外部に取り出す構造であるために、以下に列挙するような問題があった。 [SUMMARY OF THE INVENTION] However, the conventional light-emitting light emitting device shown in FIG. 97, since a structure in which light is emitted from the semiconductor light-emitting element directly to the outside, problems as listed below there were.

【0015】まず第1に、発光素子の構造のばらつきにより、発光波長が素子ごとにばらつくという問題があった。 [0015] First, the variation in the structure of a light emitting element, emission wavelength is a problem that varies among devices. すなわち、半導体発光素子は、同一の条件で製造しても、不純物の混入量や各層厚などがばらつくことによって、その発光波長がばらつく傾向を有する。 That is, the semiconductor light emitting element, be prepared under the same conditions, by such mixing quantity and thickness of each layer of the impurity varies, has a tendency that the emission wavelength varies.

【0016】第2に、駆動電流によって、発光波長が変化するという問題があった。 [0016] Second, by the drive current, the emission wavelength is disadvantageously changed. すなわち、半導体発光素子に供給する電流量に応じて、その発光波長が変動することがあり、発光輝度と発光波長とを独立して制御することが困難であるという問題があった。 That is, according to the amount of current supplied to the semiconductor light emitting element, there is that the emission wavelength is varied, there is a problem that it is difficult to independently control the light-emitting luminance and the emission wavelength.

【0017】第3に、温度によって、発光波長が変化するという問題があった。 Thirdly, the temperature, the emission wavelength is disadvantageously changed. すなわち、半導体発光素子の特に発光層部分の温度が変化すると、発光層の実効的なバンドギャップも変化するために、発光波長が変動するという問題があった。 That is, the temperature of the particular light emitting layer portion of the semiconductor light emitting element when changes, in order to change the effective band gap of the light-emitting layer, the emission wavelength is disadvantageously varied.

【0018】第4に、発光波長に応じて、内蔵する半導体発光素子の材料や構造を適宜選択し、変更しなければならないという問題もあった。 [0018] Fourth, according to the emission wavelength, by appropriately selecting the material and structure of the semiconductor light-emitting element built, there is a problem that must be changed. 例えば、赤色において発光させるためには、AlGaAs系材料を用い、黄色においてはGaAsP系またはlnGaAlP系材料、緑色系においてはInGaAlP系またはGaP系材料、 For example, in order to emit light in red, using a AlGaAs material, GaAsP-based or lnGaAlP material in yellow, InGaAlP-based or GaP-based materials in greenish,
青色においてはInGaN系材料の如く、最適な材料をその波長に併せて選択しなければならないという問題があった。 As an InGaN-based material in the blue, there is a problem that must be selected in conjunction the best material to its wavelength.

【0019】本発明は、かかる点に鑑みてなされたものである。 [0019] The present invention has been made in view of the foregoing. すなわち、本発明は、発光波長が極めて安定で、しかも、可視光から赤外線領域までの種々の波長において高い輝度で発光させることができる半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 That is, the present invention is a light emitting wavelength is very stable and, to provide a semiconductor light emitting device, the semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof which can emit light with high luminance at various wavelengths from visible light to infrared region for the purpose.

【0020】 [0020]

【課題を解決するための手段】本発明は、波長変換機能を有する蛍光物質を半導体発光素子の内部、表面、または、半導体発光装置の樹脂部分または、その他の外囲器の表面または内部に適宜、混合、堆積、または配置することによって、半導体発光素子からの発光をきわめて高い効率で波長変換し、外部に取り出すことができる半導体発光素子および発光装置を提供するものである。 The present invention SUMMARY OF THE INVENTION, the inside of the semiconductor light-emitting element a fluorescent material having a wavelength conversion function, the surface, or the resin portion of the semiconductor light-emitting device or the surface of or inside the appropriate other envelope , mixed, deposited, or by placing, and wavelength conversion with extremely high efficiency light emission from the semiconductor light emitting element, there is provided a semiconductor light emitting element and a light emitting device which can be extracted to the outside.

【0021】すなわち、本発明による半導体発光素子は、第1の波長の光を放出する発光層と、前記発光層が放出する前記第1の波長の光を吸収して前記第1の波長とは異なる第2の波長の光を放出する蛍光物質と、を備えたことを特徴とし、発光波長が極めて安定で、発光色の調節も容易であるなどの種々の利点を有する。 [0021] That is, the semiconductor light emitting device according to the present invention, a light emitting layer that emits light of a first wavelength, and said first of said absorbing light having a wavelength the first wavelength light emitting layer is emitted different a fluorescent material that emits second light of a wavelength, characterized by including a light-emitting wavelength is extremely stable, have various advantages such as modulation of luminescent color is also easy.

【0022】また、第1の電極と、前記第1の電極に接続され、第1の導電型を有する第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に設けられ、第1の波長の光を放出する発光層と、前記発光層の上に設けられ、第2の導電型を有する第2の半導体層と、前記第2の半導体層に接続された第2の電極と、を少なくとも備えた半導体発光素子であって、前記発光層から放出される前記第1の波長の光を吸収し前記第1の波長とは異なる第2の波長の光を放出する蛍光物質を有することを特徴とするものとして構成することもできる。 Further, a first electrode connected to said first electrode, a first semiconductor layer having a first conductivity type, provided on the first semiconductor layer, the first wavelength at least a light emitting layer emitting light, is provided on the light emitting layer, a second semiconductor layer having a second conductivity type, a second electrode connected to the second semiconductor layer, the a semiconductor light emitting device comprising, characterized in that it has a fluorescent substance which emits light of a second wavelength different from the absorbed light of the first wavelength emitted the first wavelength from the light emitting layer It may be configured as a.

【0023】同様にして、半導体発光装置において、実装部材の各所に適宜蛍光体を配置することにより、高効率で波長変換することができる。 [0023] In the same manner, in the semiconductor light-emitting device, by arranging the appropriate phosphor throughout implementation member, it is possible to wavelength conversion with high efficiency.

【0024】また、本発明による半導体発光装置の製造方法は、実装部材の上に半導体発光素子を実装する工程と、前記半導体発光素子の上に粘着性あるいは接着性の媒体を塗布する工程と、前記媒体の上に蛍光体を散布する工程と、前記媒体を乾燥させる工程と、を備えたことを特徴とするものして構成され、あるいは、蛍光体は、 Further, a method of manufacturing a semiconductor light-emitting device according to the present invention includes the steps of mounting the semiconductor light-emitting device on the mounting member, a step of applying an adhesive or an adhesive of the medium on the semiconductor light emitting element, a step of spraying a phosphor on the medium, and drying the medium, is configured as characterized by comprising a or the phosphor,
媒体中に予め分散させておいても良い。 It may be allowed to pre-dispersed in a medium.

【0025】 [0025]

【発明の実施の形態】本発明は、波長変換機能を有する蛍光物質を半導体発光素子の内部、表面、または、半導体発光装置の樹脂部分または、その他の外囲器の表面または内部に適宜、混合、堆積、または配置することによって、半導体発光素子からの発光をきわめて高い効率で波長変換し、外部に取り出すことができる半導体発光素子および発光装置を提供するものである。 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention, the semiconductor light-emitting element a fluorescent material having a wavelength conversion function, the surface or, or the resin portion of the semiconductor light emitting device, the surface or optionally inside the other envelope, mixed , deposition, or by placing, and wavelength conversion with extremely high efficiency light emission from the semiconductor light emitting element, there is provided a semiconductor light emitting element and a light emitting device which can be extracted to the outside.

【0026】以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。 [0026] Hereinafter, with reference to the drawings will be described embodiments of the present invention. まず、本発明の第1の実施の形態として、蛍光物質を含有させた半導体発光素子について具体例を挙げて説明する。 First, a first embodiment of the present invention will be described with reference to specific examples for the semiconductor light emitting element which contains a fluorescent material.

【0027】図1は、本発明による第1の半導体発光素子の概略構成を表す断面図である。 [0027] FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a first semiconductor light emitting device according to the present invention. すなわち、本発明による半導体発光素子10は、窒化ガリウム系半導体発光素子であり、サファイア基板12上に積層された層構造を有する。 That is, the semiconductor light-emitting device 10 according to the present invention is a gallium-based semiconductor light-emitting element nitride, having a layered structure which is laminated on a sapphire substrate 12. サファイア基板12上には、バッファ層1 Sapphire substrate 12, a buffer layer 1
4、n型コンタクト層16、n型クラッド層18、発光層20、p型クラッド層22およびp型コンタクト層2 4, n-type contact layer 16, n-type cladding layer 18, the light emitting layer 20, p-type cladding layer 22 and the p-type contact layer 2
4がこの順序で形成されている。 4 are formed in this order.

【0028】バッファ層14の材料は、例えばn型のG The material of the buffer layer 14, for example n-type G
aNとすることができる。 It can be set to aN. n型コンタクト層16は、n n-type contact layer 16, n
側電極34とのオーミック接触を確保するように高いキャリア濃度を有するn型の半導体層であり、その材料は、例えば、GaNとすることができる。 A semiconductor layer of n-type having a high carrier concentration to ensure ohmic contact between the side electrode 34, the material may be, for example, a GaN. n型クラッド層18およびp型クラッド層22は、それぞれ発光層2 n-type cladding layer 18 and the p-type cladding layer 22 each emitting layer 2
0に光を閉じこめる役割を有し、発光層よりも低い屈折率を有することが必要とされる。 0 to have a role to confine light, it is required to have a lower refractive index than the light emitting layer. その材料は、例えば、 The material is, for example,
発光層20よりもバッドギャップの大きいAlGaNとすることができる。 It may be greater AlGaN bad gap than the light emitting layer 20. 発光層20は、発光素子に電流として注入された電荷が再結合することにより発光を生ずる半導体層である。 Emitting layer 20 is a semiconductor layer that produces light emission by the injected charge as a current to the light emitting element are recombined. その材料としては、例えば、アンドープのInGaNを用いることができる。 As the material, for example, it can be used undoped InGaN. p型コンタクト層24は、p側電極とのオーミック接触を確保するように高いキャリア濃度を有するp型の半導体層であり、その材料は、例えば、GaNとすることができる。 p-type contact layer 24 is a p-type semiconductor layer having a high carrier concentration to ensure ohmic contact with the p-side electrode, the material may be, for example, a GaN.

【0029】p型コンタクト層24の上には、p側電極層26が堆積されている。 [0029] On the p-type contact layer 24, p-side electrode layer 26 is deposited. p側電極層26は、例えば、 p-side electrode layer 26 is, for example,
金などの金属材料を透光性を有するように薄く堆積することにより形成することができる。 A metal material such as gold can be formed by thinly so as to have a light-transmitting property. または、p側電極層26は、インジウム錫酸化物(ITO)などの透光性導電膜により形成しても良い。 Or, p-side electrode layer 26 may be formed by light-transmitting conductive film such as indium tin oxide (ITO). また、n型コンタクト層1 Further, n-type contact layer 1
6の上には、n側電極層34が堆積されている。 On the 6, n-side electrode layer 34 is deposited.

【0030】p型コンタクト層24の上の一部分には、 [0030] The part of the top of the p-type contact layer 24,
電流阻止層30が形成されている。 Current blocking layer 30 is formed. 電流阻止層30の上にはAuからなるボンディング・パッド32が堆積され、その一部分はp側電極26と接触している。 On the current blocking layer 30 is a bonding pad 32 made of Au is deposited, a portion is in contact with the p-side electrode 26. ボンディング・パッド32には、駆動電流を素子に供給するための図示しないワイアがボンディングされる。 The bonding pads 32 are wire (not shown) for supplying a driving current to the element is bonded.

【0031】電流阻止層30は、Au電極32の下部で発光が生ずるのを抑制する役割を有する。 The current blocking layer 30 has a role in suppressing that the light emission at the bottom of the Au electrode 32 is generated. すなわち、発光素子10では、発光層20で生じた発光を電極層26 That is, the light emitting the element 10, the light emitting electrode layer generated in the light emitting layer 20 26
を透過させて上方に取り出すようにされている。 It is to extract upwardly by transmitting. しかし、ボンディング・パッド32では電極の厚さが厚いために光を透過させることができない。 However, it is not possible to transmit light due to the large thickness of the bonding the pad 32 electrodes. そこで、電流阻止層30を設けることにより、ボンディング・パッド32 Therefore, by providing the current blocking layer 30, the bonding pad 32
の下に駆動電流が注入されないようにして、無駄な発光を抑制するようにしている。 As the drive current is not injected into the bottom of, so as to suppress wasteful emission.

【0032】また、n側電極層34の上にもボンディング・パッド32が積層されている。 Further, the bonding pad 32 on the n-side electrode layer 34 are laminated. ボンディング・パッド32は、Auを厚く堆積することにより形成することができる。 Bonding pads 32 may be formed by deposited thick Au. さらに、ボンディング・パッド32以外の表面部分は、酸化シリコン層45により覆われている。 Furthermore, the surface portions other than the bonding pad 32 is covered with a silicon oxide layer 45.

【0033】本発明においては、このような半導体発光素子10の少なくともいずれかの部分に蛍光物質を含有させ、あるいは堆積する。 [0033] In the present invention, the fluorescent material is contained in at least one portion of the semiconductor light emitting element 10, or deposited. 紫外線領域の光で効率良く励起される蛍光体としては、例えば、赤色の発光を生ずるものとしては、Y 22 S:Eu、青色の発光を生ずるものとしては、(Sr、Ca、Ba、Eu) 10 (PO 46 The efficiently excited by the phosphor with light of the ultraviolet region, for example, those that produce red light, Y 2 O 2 S: Eu , as shall become blue emission, (Sr, Ca, Ba, Eu) 10 (PO 4) 6
・Cl 2 、緑色の発光を生ずるものとしては、3(B · Cl 2, as shall become green light, 3 (B
a、Mg、Eu、Mn)O・8Al 23などを挙げることができる。 a, Mg, Eu, Mn) such as O · 8Al 2 O 3 can be mentioned. これらの蛍光物質を適当な割合で混合すれば、可視光領域の殆どすべての色調を表現することができる。 If mixing these fluorescent substances in an appropriate ratio, it is possible to express almost any color in the visible light region.

【0034】また、これらの蛍光物質は、340〜38 [0034] In addition, these fluorescent substances, 340-38
0nmの波長帯において吸収ピークを有する。 It has an absorption peak in the wavelength band of 0 nm. 従って、 Therefore,
これらの蛍光物質により効率的に波長変換を行うためには、発光層20が380nm以下の波長帯の紫外線を放出するようにすることが望ましい。 These fluorescent materials for efficient wavelength conversion light emitting layer 20 may be desirable so as to emit ultraviolet following waveband 380 nm.

【0035】半導体発光素子に蛍光物質を含有させる箇所としては、まず、p側電極層26を挙げることができる。 [0035] As portions contain a fluorescent substance to the semiconductor light-emitting device, first, may be mentioned p-side electrode layer 26. 次に、酸化シリコン層45あるいは電流阻止層30 Next, the silicon oxide layer 45 or the current blocking layer 30
を挙げることができる。 It can be mentioned. また、各半導体層14〜24のうちの少なくともいずれかの層を挙げることができる。 Further, mention may be made of at least one of the layers of the semiconductor layers 14-24.
さらに、基板12を挙げることができる。 Further, mention may be made of substrate 12.

【0036】蛍光物質をp側電極26に含有させる方法としては、例えば、スパッタリング法や蒸着法を挙げることができる。 [0036] As the method of incorporating the fluorescent substance to the p-side electrode 26, for example, a sputtering method or an evaporation method. すなわち、これらの方法により電極26 That is, the electrode 26 by these methods
を形成するに際して、蛍光物質も同時に添加することにより、含有させることができる。 In forming the fluorescent substances by adding at the same time, it can be contained. 酸化シリコン膜45に対しても同様の方法によって蛍光物質を含有させることができる。 It may contain a fluorescent substance by the same manner with respect to the silicon oxide film 45. あるいは、CVD法によって、蛍光物質を添加しても良い。 Alternatively, the CVD method, may be added fluorescent substance.

【0037】また、蛍光物質を半導体層14〜24のいずれかに含有させる方法としては、例えば、結晶成長工程において、蛍光物質を同時に添加する方法や、結晶成長後に、例えばイオン注入法により蛍光物質を半導体結晶中に打ち込む方法を挙げることができる。 Further, as a method of containing the fluorescent substance to one of the semiconductor layers 14 to 24, for example, a fluorescent substance in the crystal growth step, a method of adding a fluorescent substance simultaneously, after the crystal growth, for example, by ion implantation it can be a method of implanting in the semiconductor crystal. 基板12に対しても同様の方法によって、蛍光物質を添加することができる。 In the same manner with respect to the substrate 12, it can be added fluorescent substance.

【0038】一方、半導体発光素子10の層間や表面に蛍光物質を堆積しても良い。 On the other hand, it may be deposited fluorescent substance layers or the surface of the semiconductor light emitting element 10. すなわち、基板12〜p型コンタクト層24の間のいずれかの層間や、半導体層と酸化シリコン層45との間、半導体層と電極26或いは34との間、酸化シリコン層45の表面、電極26或いは34の表面などに堆積しても良い。 That is, one of or an interlayer between the substrate 12~p type contact layer 24, between the semiconductor layer and the silicon oxide layer 45, between the semiconductor layer and the electrode 26 or 34, the surface of the silicon oxide layer 45, the electrodes 26 or it may be deposited, such as on the surface of the 34. このような蛍光物質の堆積の方法としては、例えば、電子ビーム蒸着法、 As a method for deposition of such a fluorescent substance, for example, electron beam evaporation,
スパッタリング法、塗布法などを挙げることができる。 A sputtering method, and the like can be given a coating method.
また、例えば、p型コンタクト層24の上に蛍光物質を絶縁膜として形成し、電流ブロック層としての効果を得ることもできる。 Further, for example, a fluorescent material is formed as an insulating film on the p-type contact layer 24, it is also possible to obtain the effect as the current blocking layer.

【0039】また、発光素子の表面に蛍光物質を堆積する方法としては、例えば、蛍光体を溶媒に分散させ、発光素子の表面に塗布し、乾燥させる方法を挙げることができる。 Further, as a method for depositing a fluorescent substance on the surface of the light emitting element, for example, a phosphor is dispersed in a solvent, is applied to the surface of the light emitting device, method of drying and the like. ここで、蛍光体を分散させる溶媒としては、例えば、珪酸アルカリ溶液、珪酸コロイド水溶液、燐酸塩水溶液、珪酸化合物溶解有機溶剤、ゴム配合有機溶剤、 Here, as the solvent for dispersing the phosphor, for example, alkali silicate solution, silicic acid colloid solution, phosphate solution, silicate compounds dissolved organic solvent, rubber compounding an organic solvent,
天然系グルー水溶液などを挙げることができる。 Such as natural-based glue solution can be mentioned. また、 Also,
これらの溶媒に蛍光体を分散させて発光素子の表面に塗布する方法の他に、例えば、これらの溶媒を発光素子の表面に塗布し、その上から蛍光体をふりかける、あるいは吹き付けることによっても、蛍光体層を堆積することができる。 In addition to the method to be applied to the surface of the light emitting device to the phosphor is dispersed in these solvents, for example, by applying these solvents on the surface of the light emitting element, also by its upper sprinkling phosphor from, or spraying, it is possible to deposit the phosphor layer.

【0040】本発明によれば、このように、半導体発光素子のいずれかの箇所に蛍光物質を含有させ、あるいは堆積することによって、半導体発光素子から放出された光をより長波長の光に変換して、外部に供給することができる。 According to the invention, thus, converted by to contain a fluorescent substance, or deposited on any portion of the semiconductor light emitting device, the light emitted from the semiconductor light emitting device and more long-wavelength light , it is possible to supply to the outside.

【0041】例えば、発光素子の発光層20が、GaN [0041] For example, the light emitting layer 20 of the light emitting device, GaN
からなる場合には、得られる発光波長は、発光波長が3 If made of the emission wavelength resulting emission wavelength is 3
60〜380ナノメータの紫外線領域の光であり、この紫外線領域の光を蛍光物質で波長変換して、所定の可視光あるいは赤外線領域の光として外部に取り出すことができる。 60-380 is the light of nanometer ultraviolet region, light can be extracted in the ultraviolet range and a wavelength converted by a fluorescent substance, to the outside as light of a predetermined visible light or infrared region.

【0042】また、発光層20が、InGaNからなる場合には、そのインジウムの組成に応じて、例えば、青色の発光を得ることもできる。 Further, the light-emitting layer 20, if made of InGaN, depending on the composition of the indium, for example, can be obtained blue light emission. この場合にも、この青色領域の発光を受けて波長変換し、より長波長の光を放出する蛍光物質を用いることによって、本発明による半導体発光素子を構成することができる。 In this case also, by the light emission in the blue region of the receiving and wavelength conversion, using a fluorescent material emits light of a longer wavelength, it is possible to construct a semiconductor light emitting device according to the present invention. このような蛍光物質としては、前述した無機蛍光体の他に有機蛍光体を挙げることができる。 Examples of such a fluorescent substance, can be exemplified in addition to the organic fluorescent material of the inorganic phosphors described above. 有機蛍光体としては、例えば、赤色の発光を生ずるものとしては、rhodamine The organic phosphor, for example, as resulting red emission, rhodamine
B、緑色の発光を生ずるものとしては、brillia B, as resulting green emission, Brillia
ntsulfoflavine FFなどを挙げることができる。 Or the like can be mentioned ntsulfoflavine FF.

【0043】本発明によれば、半導体発光素子の発光層からの発光を直接取り出すことがなく、蛍光物質により波長変換することとしているので、前述したような、素子の製造パラメータのばらつき、駆動電流、温度などに依存して、波長が変動するという問題を解消することができる。 According to the present invention, without the light emitted from the light emitting layer of the semiconductor light emitting device directly, since a possible wavelength conversion by the fluorescent material, as described above, variations in the manufacturing parameters of the device, the drive current , it is possible to solve the problem that depending to temperature, etc., the wavelength is varied. すなわち、本発明によれば、発光素子の発光輝度と発光波長とを独立して制御することができるようになる。 That is, according to the present invention, it is possible to independently control the light emission luminance of the light emitting element and a light-emitting wavelength.

【0044】また、本発明によれば、前述したような蛍光物質を適宜組み合わせることによって、容易に複数の発光波長を得ることができる。 Further, according to the present invention, by properly combining the fluorescent material as described above, it is possible to easily obtain a plurality of emission wavelengths. 例えば、赤(R)、緑(G)、青(B)の蛍光物質を適宜混合して、発光素子に含有させれば、白色光の発光を容易に得ることができる。 For example, red (R), green (G), and appropriately mixed fluorescent material and blue (B), be contained in the light emitting element, it is possible to obtain light emission of the white light easily.

【0045】なお、図1に示した例においては、基板1 [0045] In the example shown in FIG. 1, the substrate 1
2としてサファイアを用いた窒化ガリウム系半導体発光素子を例に挙げて説明したが、これ以外にも、例えば、 Although a gallium nitride-based semiconductor light-emitting device using a sapphire 2 is described as an example, other than this, for example,
SiCやGaN、スピネル、ZnO、シリコン、GaA SiC or GaN, spinel, ZnO, silicon, GaA
sなど、種々の基板を用いた窒化ガリウム系半導体発光素子について、本発明は同様に適用することができる。 s such as, for gallium nitride based semiconductor light-emitting element using a variety of substrates, the present invention can be applied similarly.

【0046】さらに、その構造についても、例示したダブルヘテロ構造に限定されず、この他にも、例えば、シングルヘテロ構造や、多重量子井戸型構造など、種々の構造の半導体発光素子について、本発明は同様に適用することができる。 [0046] Further, for the structure thereof is not limited to the illustrated double heterostructure, In addition, for example, or single hetero structure, such as multi-quantum well structure, a semiconductor light-emitting device having various structures, the present invention it can be applied similarly.

【0047】次に、本発明による第2の半導体発光素子について説明する。 Next, a description will be given of the second semiconductor light emitting device according to the present invention. 図2は、本発明による第2の半導体発光素子の概略構成を表す断面図である。 Figure 2 is a sectional view illustrating a schematic configuration of the second semiconductor light emitting device according to the present invention. すなわち、本発明による半導体発光素子50は、ZnSe系半導体発光素子であり、基板52上に積層された層構造を有する。 That is, the semiconductor light emitting device 50 according to the present invention is a ZnSe-based semiconductor light-emitting device has a stacked layer structure on the substrate 52. すなわち、GaAs基板52上には、バッファ層5 That is, on the GaAs substrate 52, the buffer layer 5
4、n型クラッド層58、発光層60、p型クラッド層62および光透過性導電膜64がこの順序で形成されている。 4, n-type cladding layer 58, the light emitting layer 60, p-type cladding layer 62 and the optical transparent conductive film 64 are formed in this order.

【0048】バッファ層54の材料は、例えばn型のZ The material of the buffer layer 54, for example n-type Z
nSeとすることができる。 It can be nSe. n型クラッド層58およびp型クラッド層62は、それぞれ発光層60に光を閉じこめる役割を有し、発光層よりも低い屈折率を有することが必要とされる。 n-type cladding layer 58 and the p-type cladding layer 62 has a respective light-emitting layer 60 serves to confine light, it is required to have a lower refractive index than the light emitting layer. その材料は、例えば、発光層60よりもバンドギャップの大きいZnSSeとすることができる。 The material may be, for example, a large ZnSSe band gap than the light emitting layer 60. 発光層60は、発光素子に電流として注入された電荷が再結合することにより発光を生ずる半導体層である。 Emitting layer 60 is a semiconductor layer that produces light emission by the injected charge as a current to the light emitting element are recombined. その材料としては、例えば、アンドープのZnSe As the material, for example, undoped ZnSe
を用いることができる。 It can be used. 光透過性導電膜64は、光透過率が高い導電性の膜であり、例えば、酸化インジウム・ Optical transparent conductive film 64 is a film the light transmittance of high conductivity, such as indium oxide,
スズ(ITO)により形成することができる。 It can be formed by tin (ITO).

【0049】光透過性導電膜64の上には、p側電極6 [0049] On the optical transparent conductive film 64, p-side electrode 6
6が堆積されている。 6 has been deposited. p側電極66は、例えば、金などの金属材料を堆積することにより形成することができる。 p-side electrode 66, for example, can be formed by depositing a metal material such as gold. また、基板52の裏面には、n側電極68が形成されている。 Further, on the back surface of the substrate 52, n-side electrode 68 is formed. さらに、素子の表面は、酸化シリコンなどの保護膜70により適宜覆われている。 Further, the surface of the element is covered appropriately with a protective film 70 such as silicon oxide.

【0050】図2に示した半導体発光素子50においても、前述した発光素子と同様に、いずれかの箇所に蛍光物質を含有させ、あるいは堆積することによって、発光層60からの光を波長変換して外部に取り出すことができるようにされている。 [0050] In the semiconductor light-emitting device 50 shown in FIG. 2, similar to the light emitting device described above, contain a fluorescent material in any location, or by depositing, the light from the light emitting layer 60 and the wavelength conversion it is can be taken out to the outside Te.

【0051】すなわち、ZnSe系半導体発光素子50 [0051] That is, ZnSe-based semiconductor light-emitting element 50
においては、発光層60から、青色領域ないし青紫色領域の波長を有する光が得られる。 In, the light emitting layer 60, light having a wavelength in the blue region to the blue-violet region is obtained. この青色光を蛍光物質により、波長変換して、より長波長の可視光あるいは赤外線を外部に取り出すことができる。 The fluorescent substance of this blue light, and a wavelength conversion, visible light or infrared longer wavelength can be taken out.

【0052】半導体発光素子50に蛍光物質を含有させる箇所も、前述の発光素子10と同様に種々の箇所を挙げることができる。 [0052] locations contain a fluorescent substance to the semiconductor light-emitting device 50 can also include a variety of locations in a manner similar to that of the light 10 described above. すなわち、まず、p側電極層66を挙げることができる。 That is, first, it may be mentioned p-side electrode layer 66. 次に、光透過性導電膜64を挙げることができる。 Next, mention may be made of an optical transparent conductive film 64. さらに、保護膜70を挙げることができる。 Further, mention may be made of a protective film 70. また、各半導体層54〜62のうちの少なくともいずれかの層を挙げることができる。 Further, mention may be made of at least one of the layers of the semiconductor layers 54-62. さらに、基板52 Furthermore, the substrate 52
を挙げることができる。 It can be mentioned.

【0053】蛍光物質をp側電極66や光透過性導電膜64に含有させる方法としては、例えば、スパッタリング法や蒸着法を挙げることができる。 [0053] As the method of incorporating the fluorescent substance to the p-side electrode 66 and the optical transparent conductive film 64 is, for example, a sputtering method or an evaporation method. すなわち、これらの方法により電極66や導電膜64を形成するに際して、蛍光物質も同時に添加することにより、含有させることができる。 That is, in forming the electrodes 66 and the conductive film 64 by these methods, by a fluorescent substance is also added simultaneously, it can be contained. 保護膜70に対しても同様の方法によって蛍光物質を含有させることができる。 It may contain a fluorescent substance by the same manner with respect to the protective film 70. あるいは、CV Alternatively, CV
D法によって、蛍光物質を添加しても良い。 By Method D, it may be added fluorescent substance.

【0054】また、蛍光物質を半導体層54〜62のいずれかに含有させる方法としては、例えば、結晶成長工程において、蛍光物質を同時に添加する方法や、結晶成長後に、例えばイオン注入法により蛍光物質を半導体結晶中に打ち込む方法を挙げることができる。 [0054] As the method of incorporating the fluorescent substance to one of the semiconductor layers 54 to 62, for example, a fluorescent substance in the crystal growth step, a method of adding a fluorescent substance simultaneously, after the crystal growth, for example, by ion implantation it can be a method of implanting in the semiconductor crystal. 基板52に対しても同様の方法によって、蛍光物質を添加することができる。 In the same manner with respect to the substrate 52, it can be added fluorescent substance.

【0055】一方、半導体発光素子50の層間や表面に蛍光物質を堆積しても良い。 On the other hand, it may be deposited fluorescent substance layers or the surface of the semiconductor light emitting element 50. すなわち、基板52〜光透過性導電膜64の間のいずれかの層間や、保護膜70との間、半導体層と電極66或いは68との間、保護膜7 That is, one of or an interlayer between the substrate 52 through the light-transmitting conductive film 64, between the protective film 70, between the semiconductor layer and the electrode 66 or 68, the protective film 7
0の表面、電極66或いは68の表面などに堆積しても良い。 0 of the surface may be deposited, such as on the surface of the electrode 66 or 68. このような蛍光物質の堆積の方法としては、例えば、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、塗布法などを挙げることができる。 As a method for deposition of such a fluorescent substance, for example, electron beam evaporation, sputtering, and the like coating method. また、例えば、光透過性導電膜64の上に蛍光物質を絶縁膜として形成し、電流ブロック層としての効果を得ることもできる。 Further, for example, a fluorescent substance on the light transmitting conductive film 64 is formed as an insulating film, it is possible to obtain an effect as a current blocking layer.

【0056】本発明によれば、このように、半導体発光素子のいずれかの箇所に蛍光物質を含有させ、あるいは堆積することによって、半導体発光素子から放出された光をより長波長の光に変換して、外部に供給することができる。 In accordance with the present invention, thus, converted by to contain a fluorescent substance, or deposited on any portion of the semiconductor light emitting device, the light emitted from the semiconductor light emitting device and more long-wavelength light , it is possible to supply to the outside.

【0057】また、図2においては、ZnSe系半導体発光素子を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。 [0057] Further, in FIG. 2, although the ZnSe-based semiconductor light-emitting device has been described, the present invention is not limited thereto. すなわち、本発明は、この他にも、SiC系、ZnS系、BN系などの種々の半導体発光素子について同様に適用することができる。 That is, the present invention is the addition to, may be similarly applied to the various semiconductor light-emitting device of the SiC-based, ZnS-based, BN system like. すなわち、これらの半導体発光素子も、青色などの短波長領域において高い効率で発光させることが可能であり、この短波長領域の光を蛍光物質で波長変換して、可視光または赤外線を外部に取り出すことができるようになる。 In other words, even these semiconductor light emitting element, it is possible to emit light with high efficiency in the short wavelength region such as blue, and a wavelength conversion light of the short wavelength range with a fluorescent substance, taking out visible light or infrared outside it becomes possible.

【0058】次に、本発明の第2の実施の形態として、 Next, a second embodiment of the present invention,
前述したような本発明による半導体発光素子を搭載した発光装置について、13例の具体例を挙げて説明する。 The light emitting apparatus equipped with the semiconductor light-emitting device according to the present invention as described above will be described with reference to specific examples of 13 patients.

【0059】図3は、本実施形態に係る第1の半導体発光装置を表す断面模式図である。 [0059] Figure 3 is a cross-sectional schematic view showing a first semiconductor light emitting device according to the present embodiment. 同図に表した半導体発光装置100Aは、いわゆる「リード・フレーム・タイプ」の「LEDランプ」と称されるものである。 The semiconductor light emitting device 100A shown in this figure is referred to as "LED lamp" of the so-called "lead-frame type." すなわち、半導体発光素子10または50は、リード・フレーム110のカップの底部にマウントされている。 That is, the semiconductor light emitting element 10 or 50 is mounted to the bottom of the cup of the lead frame 110. そして、発光素子のp側電極およびn側電極は、それぞれ、 Then, p-side and n-side electrodes of the light emitting element, respectively,
リード・フレーム110および120に対して、ワイア130、130により接続されている。 The lead frames 110 and 120 are connected by wires 130, 130. さらに、リード・フレームの先端部は、樹脂140によりモールドされ保護されている。 Further, the tip portion of the lead frame is molded protected by a resin 140.

【0060】本発明によれば、半導体発光素子10または50に蛍光物質が含まれているので、発光装置の組立に際して、蛍光物質を含まない一般的な発光装置と全く同一の工程により組立てることができる。 According to [0060] the present invention, since the fluorescent substance is contained in the semiconductor light emitting element 10 or 50, when assembly of the light emitting device, be assembled by a common light emitting device exactly the same process without the fluorescent substance it can. また、封止樹脂内に蛍光物質を含まないために、温度変化に対する耐久性が劣化することがない。 Further, in order not contain a fluorescent substance in the sealing resin, is not deteriorated durability against temperature change. 従って、樹脂内に蛍光物質を含有した発光装置と比較して、信頼性を改善することができる。 Therefore, as compared with the light-emitting device containing the phosphor in the resin, it is possible to improve the reliability. さらに、発光素子の発光層の発光波長が38 Furthermore, the emission wavelength of the light emitting layer of the light emitting element 38
0nm以下の紫外線であるような場合でも、発光素子の外部に光が取り出される前に蛍光物質により波長が長波長側に変換されるため、紫外線による封止樹脂やその他の実装部材などに対するダメージを解消することができる。 Even if 0nm such that the following UV, the wavelength is converted to longer wavelength side by the fluorescent substance before the light is extracted to the outside of the light emitting element, the damage to such a sealing resin or other mounting member to ultraviolet it can be eliminated. また、半導体発光素子として、半導体レーザを用いた場合にも、組立工程において蛍光物質を塗布するプロセスを省略することができるので、同様に生産性や信頼性を向上することができる。 Further, as the semiconductor light-emitting device, even when using a semiconductor laser, it is possible to omit a process of applying a fluorescent substance in the assembly process can be improved similarly productivity and reliability. また、蛍光物質を含有した樹脂充填用のカップ状外囲器を設ける必要もなく、生産性が飛躍的に向上する。 Moreover, there is no need to provide a cup-shaped envelope of the resin filling containing a fluorescent material, the productivity is drastically improved.

【0061】次に、図1あるいは図2に示した半導体発光素子を搭載した半導体発光装置の変型例について説明する。 Next, a description will be given variation of the semiconductor light-emitting device mounting the semiconductor light emitting element shown in FIG. 1 or 2. 図4は、本実施形態に係る第2の半導体発光装置を表す一部断面模式図である。 Figure 4 is a partial cross-sectional schematic view showing a second semiconductor light emitting device according to the present embodiment. 同図に表した半導体発光装置200Aは、いわゆる「ステム・タイプ」の「LE The semiconductor light emitting device 200A represented in the figure, "LE of the so-called" stem Types "
Dランプ」と称されるものである。 It is what is referred to as D lamp ". ここで、ステム21 Here, the stem 21
0は、リード・ピン222と226とが、絶縁性部材2 0, and the lead pins 222 and 226, the insulating member 2
20によりモールド固定された構成を有する。 It has a configuration which is molded and fixed by 20. この絶縁性部材220としては、例えば、セラミクスや樹脂などを用いることができる。 As the insulating member 220, for example, it can be used as the ceramics or resin. リード・ピン222と226とは、それぞれ外部にのびたアウター・リード224、2 The lead pins 222 and 226, outer leads extending to the outside, respectively 224,2
28を有する。 With a 28. 半導体発光素子10または50は、リードピン222の頂部にマウントされている。 The semiconductor light emitting element 10 or 50 is mounted on top of the lead pin 222. そして、発光素子の一方の電極は、リード・ピン226に対して、 Then, one electrode of the light emitting element, the lead pins 226,
ワイア230により接続されている。 They are connected by wires 230. さらに、発光素子は、樹脂240によりモールドされ保護されている。 Further, the light emitting element is molded protected by a resin 240.

【0062】図4に示したようなステム・タイプのLE [0062] LE stem type as shown in FIG. 4
Dランプにおいても、本発明による半導体発光素子10 Also in D lamp, the semiconductor light-emitting device according to the invention 10
または50を搭載することによって、図3に関して前述したような種々の効果を同様に得ることができる。 Or by mounting 50, it is possible to obtain the same various effects as previously described with respect to FIG.

【0063】図5は、本実施形態に係る第3の半導体発光装置を表す断面模式図である。 [0063] Figure 5 is a schematic sectional view showing a third semiconductor light emitting device according to the present embodiment. 同図に表した半導体発光装置250Aは、いわゆる「基板タイプ」の「表面実装(SMD)ランプ」と称されるものである。 The semiconductor light emitting device 250A expressed in the figure is what is referred to as a so-called "surface mount (SMD) lamp" of the "substrate-type". すなわち、SMDランプ250Aにおいては、基板260の表面に電極パターン272、274が形成され、この一方に、本発明による半導体発光素子10または50がマウントされている。 That is, in the SMD lamps 250A, the electrode patterns 272 and 274 are formed on the surface of the substrate 260, in this one, the semiconductor light emitting element 10 or 50 is mounted according to the present invention. ここで、基板260の材質としては、 Here, as a material of the substrate 260,
例えば、エポキシなどの樹脂、あるいは、アルミナやガラスなどのセラミクスなどを挙げることができる。 For example, mention may be made of resin such as epoxy, or the like ceramic such as alumina or glass. 半導体発光素子の電極は、ワイア280によって電極パターン274に接続されている。 Electrode of the semiconductor light emitting element is connected to the electrode pattern 274 by wire 280. そして、発光素子は、樹脂290によりモールドされ保護されている。 Then, the light emitting element is molded protected by a resin 290.

【0064】図5に示したような基板タイプのSMDランプ250Aにおいても、本発明による半導体発光素子10または50を搭載することによって、図3に関して前述したような種々の効果を同様に得ることができる。 [0064] Also in the SMD lamps 250A of the substrate type as shown in FIG. 5, by mounting a semiconductor light-emitting device 10 or 50 according to the present invention, it is possible to obtain the same various effects as described above with reference to FIG. 3 it can.

【0065】図6は、本実施形態に係る第4の半導体発光装置を表す断面模式図である。 [0065] Figure 6 is a cross-sectional schematic view showing a fourth semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. 同図に表した半導体発光装置300Aは、いわゆる「リード・フレーム・タイプ」の「表面実装(SMD)ランプ」と称されるものである。 The semiconductor light emitting device 300A expressed in the figure is what is referred to as a so-called "surface mount (SMD) lamp" "lead-frame type." すなわち、SMDランプ300Aにおいては、リード・フレーム310に、本発明による半導体発光素子10または50がマウントされている。 That is, in the SMD lamps 300A, the lead frame 310, the semiconductor light emitting element 10 or 50 is mounted according to the present invention. ここで、リード・フレーム310の材質としては、例えば、金メッキされた銅などの金属材料を挙げることができる。 Here, as a material of the lead frame 310, for example, a metal material such as gold plated copper. 半導体発光素子の電極は、ワイア330によってリード・フレーム310の電極端子に接続されている。 Electrode of the semiconductor light emitting element is connected to the electrode terminals of the lead frame 310 by wires 330. そして、発光素子は、樹脂340によりモールドされ保護されている。 Then, the light emitting element is molded protected by a resin 340.

【0066】図6に示したようなリード・フレーム・タイプのSMDランプ300Aにおいても、本発明による半導体発光素子10または50を搭載することによって、図3に関して前述したような種々の効果を同様に得ることができる。 [0066] Also in the SMD lamps 300A of the lead frame type as shown in FIG. 6, by mounting the semiconductor light-emitting device 10 or 50 according to the present invention, as the various effects as described above with reference to FIG. 3 it is possible to obtain.

【0067】図7は、本実施形態に係る第5の半導体発光装置を表す断面模式図である。 [0067] Figure 7 is a cross-sectional schematic view showing a fifth semiconductor light emitting device according to the present embodiment. 同図に表した半導体発光装置350Aは、いわゆる「面発光型」と称される半導体発光装置である。 The semiconductor light emitting device 350A represented in the figure, a semiconductor light-emitting device called the so-called "surface emitting". すなわち、面発光型装置350A That is, the surface-emitting type device 350A
においては、リード・フレーム360、362に、本発明による半導体発光素子10または50がそれぞれマウントされている。 In, the lead frame 360, 362, the semiconductor light emitting element 10 or 50 is mounted, respectively according to the present invention. それぞれの半導体発光素子は、ワイア380、380、・・・により、リード・フレームに接続されている。 Each of the semiconductor light emitting element is wire plate 380, 380, by ..., are connected to the lead frame. そして、それぞれの半導体発光素子は、 Then, each of the semiconductor light emitting element,
反射板370のカップ部の内部において、樹脂390によりモールドされている。 In the interior of the cup portion of the reflector 370 are molded with resin 390.

【0068】それぞれの半導体発光素子から出射した光は、反射板370により反射されて、面状の光となり、 [0068] Light emitted from each of the semiconductor light emitting element is reflected by the reflecting plate 370, becomes the planar light,
外部に取り出すことができる。 It can be taken out.

【0069】図7に示したような面発光型の半導体発光装置350Aにおいても、本発明による半導体発光素子10または50を搭載することによって、図3に関して前述したような種々の効果を同様に得ることができる。 [0069] In the surface-emitting type semiconductor light emitting device 350A shown in FIG. 7, by mounting the semiconductor light-emitting device 10 or 50 according to the present invention, obtain the same various effects as previously described with respect to FIG. 3 be able to.

【0070】図8は、本実施形態に係る第6の半導体発光装置を表す断面模式図である。 [0070] Figure 8 is a cross-sectional schematic view showing a sixth semiconductor light emitting device according to the present embodiment. 同図に表した半導体発光装置400Aは、いわゆる「ドーム型」と称される半導体発光装置である。 The semiconductor light emitting device 400A represented in the figure, a semiconductor light emitting device referred to as a so-called "dome". すなわち、ドーム型装置400A That is, domed device 400A
においては、リード・フレーム410に、本発明による半導体発光素子10または50が複数個、例えば5〜1 In, the lead frame 410, the semiconductor light-emitting device 10 or 50 a plurality of the invention, for example, 5 to 1
0個程度、円周上にマウントされている。 0 or so, are mounted on the circumference. それぞれの半導体発光素子は、図示しないワイアよりリード・フレーム410の所定の端子に接続されている。 Each of the semiconductor light emitting element is connected from the wire (not shown) to a predetermined terminal of the lead frame 410. そして、それぞれの半導体発光素子は、封止樹脂440によりモールドされている。 Then, each of the semiconductor light emitting element is molded with a sealing resin 440.

【0071】このようなドーム型半導体発光装置400 [0071] Such a dome-type semiconductor light-emitting device 400
Aは、多数の半導体発光素子を搭載しているので、輝度が高く、また均一な光を取り出すことができるという利点を有する。 A, since equipped with a large number of semiconductor light-emitting device has the advantage that the brightness is high, and can be taken out uniform light.

【0072】図8に示したようなドーム型半導体発光装置400Aにおいても、本発明による半導体発光素子1 [0072] In the dome-type semiconductor light emitting device 400A shown in FIG. 8, the semiconductor light emitting device 1 according to the present invention
0または50を搭載することによって、図3に関して前述したような種々の効果を同様に得ることができる。 By mounting the 0 or 50, it is possible to obtain the same various effects as previously described with respect to FIG.

【0073】図9は、本実施形態に係る第7の半導体発光装置を表す模式図である。 [0073] Figure 9 is a schematic view showing a seventh semiconductor light emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図(a)に平面図、同図(b)に断面図として表した半導体発光装置450Aは、いわゆる「メータ指針型」と称される半導体発光装置である。 In other words, a plan view in FIG. 6 (a), the semiconductor light emitting device 450A, expressed as cross-sectional view in FIG. (B) is a semiconductor light emitting device referred to as a so-called "meter pointer type". このようなメータ指針型半導体発光装置450Aは、自発光型の指針として、例えば、自動車のスピード・メータに用いられる。 Such meter pointer type semiconductor light emitting device 450A includes, as a guide of the self-luminous type, for example, used in the speed meter of the automobile. 本発明によるメータ指針型装置450Aにおいては、所定の基板あるいはリード・フレーム460の上に、本発明による半導体発光素子10または50が複数個、例えば5〜20個程度、所定の間隔をおいてマウントされている。 In the meter pointer type device 450A according to the present invention, on a predetermined substrate or the lead frame 460, the semiconductor light-emitting device 10 or 50 according to the present invention a plurality, for example 5 to 20 or so, at predetermined intervals mount It is. それぞれの半導体発光素子は、図示しないワイアにより、所定の端子に接続されている。 Each of the semiconductor light emitting element, by not shown wire is connected to a predetermined terminal. そして、それぞれの半導体発光素子は、封止樹脂490によりモールドされている。 Then, each of the semiconductor light emitting element is molded with a sealing resin 490. また、このメータ指針型装置450Aは、取り付けフランジ466により、例えばスピード・メータの軸に取り付けられるようにされている。 Also, the meter pointer type device 450A is a mounting flange 466, for example, to be attached to the shaft of the speed meter.

【0074】このようなメータ指針型半導体発光装置4 [0074] Such a meter pointer type semiconductor light-emitting device 4
50Aは、小型で軽量であり、多数の半導体発光素子を搭載しているので、輝度が高く、また均一な光を取り出すことができるという利点を有する。 50A is small and light, so are equipped with a number of semiconductor light-emitting device has the advantage that the brightness is high, and take out the uniform light.

【0075】図9に示したようなメータ指針型半導体発光装置450Aにおいても、本発明による半導体発光素子10または50を搭載することによって、図3に関して前述したような種々の効果を同様に得ることができる。 [0075] Also in the meter pointer type semiconductor light emitting device 450A shown in FIG. 9, by mounting the semiconductor light-emitting device 10 or 50 according to the invention, possible to obtain the same various effects as described above with reference to FIG. 3 can.

【0076】また、異なる発光色を有する半導体発光素子を並べることにより、指針上に発光色の分布を設けることも容易となる。 [0076] Further, by arranging the semiconductor light emitting elements having different emission colors, it is also easy to provide a distribution of emission colors on guidelines. このような場合においても、本発明によれば、用いる半導体発光素子に含有させる蛍光体の種類を変えるだけで済み、半導体素子の材料や構造は同一とすることができるので、駆動電流や、供給電圧は、 In such a case, according to the present invention requires only changing the kind of phosphors to be contained in the semiconductor light emitting device using, since the material and structure of the semiconductor device can be the same, and the driving current, supply voltage,
共通にすることができるという利点も生ずる。 Also arise advantage that it can be in common.

【0077】図10は、本実施形態に係る第8の半導体発光装置を表す模式図である。 [0077] Figure 10 is a schematic view showing an eighth semiconductor light emitting device according to the present embodiment. 同図に表した半導体発光装置500Aは、いわゆる「7セグメント型」と称される半導体発光装置であり、この中でも特に「基板タイプ」と称されるものを表したものである。 The semiconductor light emitting device 500A represented in the figure, a semiconductor light-emitting device called the so-called "7-segment", in which the meanings are particularly referred to as "substrate-type" Among this. 7セグメント型発光装置とは数字を表示する発光装置であり、同図(a)はその全体斜視図、同図(b)はその一部透視斜視図である。 The 7-segment type light-emitting device is a light emitting device for displaying numbers, FIG. (A) is its overall perspective view, FIG. (B) thereof is a partial perspective view. また、「基板タイプ」には、同図(c)に断面図で示した「中空タイプ」と、同図(d)に断面図で示した「樹脂封止タイプ」とがある。 Also, the "substrate-type" is a "hollow type" shown in cross-section in FIG. (C), a "resin sealing type" shown in cross-section in the (d) of FIG is. いずれのタイプも基板510の上に半導体発光素子10または50がマウントされた型式のものである。 Both types are those semiconductor light emitting element 10 or 50 on the substrate 510 is mounted type. 「中空タイプ」は、半導体発光素子の周囲が中空であり、「樹脂封止タイプ」 "Hollow type", around the semiconductor light emitting element is a hollow, "resin sealing type"
は、半導体発光素子の周囲が樹脂540で封止されている。 The periphery of the semiconductor light emitting element is sealed with a resin 540.

【0078】いずれの装置においても、半導体発光素子10または50の電極は、ワイア530によって所定の端子に接続されている。 [0078] In any of the apparatus, the electrodes of the semiconductor light emitting element 10 or 50 is connected to a predetermined terminal by wires 530. また、半導体発光素子から放出された光は、反射板520により反射され、外部に取り出すことができる。 Further, light emitted from the semiconductor light emitting element is reflected by the reflecting plate 520 can be taken out. また、光の取り出し部には、必要に応じて、カラーフィルタ544や光拡散フィルム548 Further, the extraction of the light, if necessary, a color filter 544 and the light diffusing film 548
などを設けても良い。 The like may be provided.

【0079】図10に示したような7セグメント型半導体発光装置500Aにおいても、本発明による半導体発光素子10または50を搭載することによって、図3に関して前述したような種々の効果を同様に得ることができる。 [0079] Also in the seven segment type semiconductor light emitting device 500A shown in FIG. 10, by mounting the semiconductor light-emitting device 10 or 50 according to the invention, possible to obtain the same various effects as described above with reference to FIG. 3 can.

【0080】図11は、本実施形態に係る第9の半導体発光装置を表す模式図である。 [0080] Figure 11 is a schematic view showing a ninth semiconductor light emitting device according to the present embodiment. 同図に表した半導体発光装置550Aも、いわゆる「7セグメント型」と称される半導体発光装置であり、この中でも特に「リード・フレーム・タイプ」と称されるものの要部断面を表したものである。 The semiconductor light emitting device 550A represented in figure is also a semiconductor light-emitting device called the so-called "7-segment" is a representation of the principal part cross-section of what is particularly referred to as a "lead frame type" Among is there. すなわち、本発明による半導体発光層10または50は、リード・フレーム560にマウントされ、 That is, the semiconductor light-emitting layer 10 or 50 according to the present invention is mounted on the lead frame 560,
ワイア580により所定の配線が施されている。 Predetermined wiring arrangement is provided by the wire 580. また、 Also,
半導体発光素子は、樹脂590によって封止されている。 The semiconductor light emitting element is sealed with a resin 590. 半導体発光素子から放出された光は、反射板570 Light emitted from the semiconductor light-reflecting plate 570
により反射され、外部に取り出すことができる。 Is reflected by, it can be taken out.

【0081】図11に示したような7セグメント型半導体発光装置550Aにおいても、本発明による半導体発光素子10または50を搭載することによって、図3に関して前述したような種々の効果を同様に得ることができる。 [0081] Also in the seven segment type semiconductor light emitting device 550A shown in FIG. 11, by mounting the semiconductor light-emitting device 10 or 50 according to the invention, possible to obtain the same various effects as described above with reference to FIG. 3 can.

【0082】図12は、本実施形態に係る第10の半導体発光装置を表す模式図である。 [0082] Figure 12 is a schematic view showing a tenth semiconductor light emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図(a) That is, this figure (a)
に平面図、同図(b)に断面図として表した半導体発光装置600Aは、いわゆる「レベル・メータ型」と称される半導体発光装置である。 Plan view of a semiconductor light emitting device 600A, expressed as cross-sectional view in FIG. (B) is a semiconductor light emitting device referred to as a so-called "level meter type". このようなレベル・メータ型装置600Aは、例えば、自動車のスピードやエンジン回転数を表示するレベル・メータとして用いられる。 Such level meter type device 600A is used, for example, as a level meter that displays speed and engine speed of a motor vehicle.
本発明によるレベル・メータ型装置600Aにおいては、取り付けフランジ602に固定された所定の基板あるいはリード・フレーム610の上に、本発明による半導体発光素子10または50が複数個、例えば10〜3 In the level meter type device 600A according to the present invention, on a predetermined substrate or the lead frame 610 which is fixed to the mounting flange 602, the semiconductor light-emitting device 10 or 50 according to the present invention a plurality, for example 10-3
0個程度、所定の間隔をおいてマウントされている。 0 or so, are mounted at predetermined intervals. ここで、多くの場合には、点灯させる発光素子の位置に応じて発光色が段階的あるいは連続的に変化するように、 Here, in many cases, so that the light emission color is changed stepwise or continuously according to the position of the light emitting element to be turned,
順次異なる発光色を有する半導体発光素子がマウントされる。 The semiconductor light emitting device having a sequentially different emission colors are mounted. それぞれの半導体発光素子は、図示しないワイアにより所定の端子に接続されている。 Each of the semiconductor light emitting element is connected to a predetermined terminal by a not-shown wire. そして、それぞれの半導体発光素子は、樹脂640によりモールドされている。 Then, each of the semiconductor light emitting element is molded with resin 640.

【0083】図12に示したようなレベル・メータ型半導体発光装置600Aにおいても、本明による半導体発光素子10または50を搭載することによって、図3に関して前述したような種々の効果を同様に得ることができる。 [0083] Also in the level meter type semiconductor light emitting device 600A shown in FIG. 12, by mounting the semiconductor light emitting element 10 or 50 by Honmyo, obtain the same various effects as previously described with respect to FIG. 3 be able to.

【0084】また、このようなレベル・メータ型半導体発光装置においては、異なる発光色を有する半導体発光素子を並べる必要が多いが、本発明によれば、発光色の変更は、半導体発光素子に含有させる蛍光体の種類を変えるだけで済み、半導体素子の材料や構造は同一とすることができるので、駆動電流や、供給電圧、あるいは素子のサイズなどは、共通にすることができるという利点も生ずる。 [0084] Further, in such a level meter type semiconductor light-emitting device is necessary to arrange the semiconductor light emitting elements having different emission colors is large, according to the present invention, the change of emission color, contained in the semiconductor light emitting element It needs only changing the kind of phosphors which, since the material and structure of the semiconductor device can be the same, the drive current or the like supply voltage or size of the device, also occurs the advantage that can be common .

【0085】図13は、本実施形態に係る第11の半導体発光装置を表す模式図である。 [0085] Figure 13 is a schematic view showing an eleventh semiconductor light emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図(a) That is, this figure (a)
に斜視図、同図(b)に要部断面図として表した半導体発光装置650Aは、いわゆる「マトリクス型」と称される半導体発光装置である。 Perspective view of a semiconductor light emitting device 650A, expressed as fragmentary cross-sectional view in FIG. (B) is a semiconductor light emitting device referred to as a so-called "matrix type". このようなマトリクス型装置650Aは、同図(a)に示したように、半導体発光素子がそれぞれ配置されている発光部652が縦横マトリクス状に配置されたものであり、かな、数字、漢字、 Such matrix device 650A, as shown in FIG. 6 (a), are those emitting portion 652 are arranged vertically and horizontally a matrix semiconductor light-emitting elements are arranged, respectively, Kana, numbers, Kanji,
記号、あるいはその他の図形などを表示することができる。 Such as symbol or other graphics, it can be displayed.

【0086】本発明によるマトリクス型発光装置650 [0086] matrix light-emitting device according to the present invention 650
Aは、図13(b)に断面図に表したように、基板66 A is, as shown in the sectional view in FIG. 13 (b), the substrate 66
0の上に本発明による半導体発光素子10または50がマウントされ、図示しないワイアにより所定の端子に接続されている。 The semiconductor light emitting device 10 or 50 according to the present invention on a 0 is mounted, it is connected to the predetermined terminal by a not-shown wire. また、半導体発光素子は、樹脂690により封止されている。 The semiconductor light emitting element is sealed with a resin 690. 半導体発光素子から放出された光は、反射板670により反射され、外部に取り出すことができる。 Light emitted from the semiconductor light emitting element is reflected by the reflecting plate 670 can be taken out. また、必要に応じて、カラーフィルタ692 In addition, if necessary, a color filter 692
や光拡散フィルム694を設けることもできる。 It may also be provided and light diffusion film 694.

【0087】図13に示したようなマトリクス型半導体発光装置650Aにおいても、本明による半導体発光素子10または50を搭載することによって、図3に関して前述したような種々の効果を同様に得ることができる。 [0087] In matrix-type semiconductor light emitting device 650A shown in FIG. 13, by mounting the semiconductor light emitting element 10 or 50 by Honmyo, is possible to obtain the same various effects as described above with reference to FIG. 3 it can.

【0088】また、このようなマトリクス型半導体発光装置において、異なる発光色を有する半導体発光素子を並べる必要がある場合にも、本発明によれば、発光色の変更は、半導体発光素子に含有させる蛍光体の種類を変えるだけで済み、半導体素子の材料や構造は同一とすることができるので、駆動電流や、供給電圧、あるいは素子のサイズなどは、共通にすることができるという利点も生ずる。 [0088] Further, in such a matrix type semiconductor light-emitting device, even when it is necessary to arrange the semiconductor light emitting elements having different emission colors, according to the present invention, changes in emission color can be contained in the semiconductor light emitting element need only changing the kind of the phosphor, the material and structure of the semiconductor device can be the same, the drive current or the supply voltage or the like element size, arises an advantage that can be common. さらに、同一色間において色のばらつきが少ないという利点も生ずる。 Furthermore, even resulting advantage that the color variation of less between the same color.

【0089】図14は、本実施形態に係る第12の半導体発光装置を表す模式図である。 [0089] Figure 14 is a schematic view showing a twelfth semiconductor light emitting device according to the present embodiment. 同図に組立図として表した半導体発光装置700Aは、いわゆる「アレイ型」 The semiconductor light emitting device 700A, expressed as an assembly diagram in the figure, a so-called "array type"
と称される半導体発光装置であり、例えばファックス(FAX)やスキャナなどの光源部に使用される。 Called a semiconductor light emitting device, for example, it is used in the light source unit such as facsimile (FAX) or a scanner. このようなアレイ型装置700Aは、基板720の上にレール状の反射板722が設けられ、その間に本発明による半導体発光素子10または50が直線状に配置されている。 Such array type device 700A is rail-shaped reflecting plate 722 on the substrate 720 are provided, the semiconductor light emitting element 10 or 50 are arranged in a straight line according to the invention therebetween. それぞれの半導体発光素子の間には、仕切板724 Between each of the semiconductor light emitting element, a partition plate 724
が設けられている。 It is provided. また、発光素子の上には、ロッド・ Furthermore, on the light-Rod
レンズ740が配置され、それぞれの発光素子からの光を集光して外部に取り出すことができるようにされている。 Lens 740 is disposed, it is to be be taken out by condensing light from the respective light emitting elements.

【0090】図14に示したようなアレイ型半導体発光装置700Aにおいても、本明による半導体発光素子1 [0090] Also in the array semiconductor light emitting device 700A shown in FIG. 14, the semiconductor light emitting element 1 according Honmyo
0または50を搭載することによって、図3に関して前述したような種々の効果を同様に得ることができる。 By mounting the 0 or 50, it is possible to obtain the same various effects as previously described with respect to FIG. また、同一色の間での色のばらつきが少ないという利点も生ずる。 Also arises an advantage that the color variation in between the same color is small.

【0091】また、このようなアレイ型半導体発光装置において、異なる発光色を有する半導体発光素子を並べる必要がある場合にも、本発明によれば、発光色の変更は、半導体発光素子に含有させる蛍光体の種類を変えるだけで済み、半導体素子の材料や構造は同一とすることができるので、駆動電流や、供給電圧、あるいは素子のサイズなどは、共通にすることができるという利点も生ずる。 [0091] Further, in such an array-type semiconductor light-emitting device, even when it is necessary to arrange the semiconductor light emitting elements having different emission colors, according to the present invention, changes in emission color can be contained in the semiconductor light emitting element need only changing the kind of the phosphor, the material and structure of the semiconductor device can be the same, the drive current or the supply voltage or the like element size, arises an advantage that can be common.

【0092】図15は、本実施形態に係る第13の半導体発光装置を表す模式図である。 [0092] Figure 15 is a schematic view showing a thirteenth semiconductor light emitting device according to the present embodiment. 同図に断面図として表した半導体発光装置750Aは、いわゆる「キャン型レーザ」と称される半導体発光装置である。 The semiconductor light emitting device 750A, expressed as cross-sectional view in the figure is a semiconductor light emitting device referred to as a so-called "scan-type laser." このようなキャン型レーザ750Aにおいては、ステム770の先端部に、本発明による半導体発光素子10または50が直線状に配置されている。 In such scan type laser 750A, the distal end of the stem 770, the semiconductor light emitting element 10 or 50 are arranged in a straight line according to the present invention. ここで、半導体発光素子10または50は、レーザ素子である。 Here, the semiconductor light emitting element 10 or 50 is a laser device. 半導体発光素子の背面側には、モニタ用の受光素子775が配置され、半導体発光素子10または50の光出力をモニタできるようにされている。 On the back side of the semiconductor light-receiving element 775 for monitoring it is arranged, which is to be monitored the light output of the semiconductor light emitting element 10 or 50. また、ステム770の頭部は、キャン79 In addition, the head of the stem 770, the can 79
0により封止され、レーザ光は取り出し窓792を介して、外部に取り出すことができるようにされている。 0 is sealed by the laser beam through the exit window 792 are to be be taken out.

【0093】図15に示したようなキャン型レーザ半導体発光装置750Aにおいても、本明による半導体発光素子10または50を搭載することによって、図3に関して前述したような種々の効果を同様に得ることができる。 [0093] In the can-type laser semiconductor light emitting device 750A shown in FIG. 15, by mounting the semiconductor light emitting element 10 or 50 by Honmyo, possible to obtain the same various effects as described above with reference to FIG. 3 can.

【0094】以上、本発明の第1の実施形態として蛍光体を適宜含有させた半導体発光素子と、本発明の第2の実施形態としてこのような半導体発光素子を搭載した半導体発光装置とについて、それぞれ具体例を例示しつつ説明した。 [0094] above, the semiconductor light emitting device suitably contain a phosphor as a first embodiment of the present invention, the semiconductor light-emitting device equipped with such a semiconductor light emitting device as a second embodiment of the present invention, It explained with the specific examples, respectively. 次に、本発明の第3の実施の形態について説明する。 Next, a description will be given of a third embodiment of the present invention. 本実施形態においては、半導体発光素子を実装部材にマウントした後に、蛍光物質を所定の方法により堆積する。 In the present embodiment, after mounting the mounting member to the semiconductor light-emitting device, depositing a fluorescent substance by a predetermined method. 図16は、本実施形態による半導体発光装置を例示する模式図である。 Figure 16 is a schematic view illustrating a semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図の半導体発光装置100Bは、リード・フレーム・タイプのLEDランプである。 That is, the semiconductor light emitting device 100B in the figure, a lead frame type LED lamp. 本実施形態においては、リード・フレーム110に、半導体発光素子990をマウントし、しかる後に、半導体発光素子990の表面に蛍光物質を堆積させて、蛍光体層FLを形成する。 In the present embodiment, the lead frame 110, mounts the semiconductor light-emitting element 990, and thereafter, the fluorescent material is deposited on the surface of the semiconductor light emitting element 990, to form a phosphor layer FL.

【0095】ここで、半導体発光素子990としては、 [0095] Here, as the semiconductor light-emitting element 990,
蛍光物質を含有しているものである必要はない。 Need not be containing the fluorescent substance. しかし、通常得られる多くの蛍光物質において高い波長変換効率を得るためには、青色若しくはそれよりも波長が短い紫外線領域において、高い輝度を有する半導体発光素子であることが望ましい。 However, in order to obtain a high wavelength conversion efficiency in a number of fluorescent materials usually obtained, in the blue or ultraviolet region wavelength is shorter than that, it is desirable that the semiconductor light-emitting device having high luminance. このような半導体発光素子としては、例えば、図1や図2に関して説明したような、 Examples of such a semiconductor light emitting device, for example, as described with reference to FIGS. 1 and 2,
GaN系、ZnSe系、SiC系、ZnS系、BN系などの半導体材料を発光層に用いた発光素子を挙げることができる。 GaN-based, ZnSe type, SiC-based, ZnS-based, a semiconductor material such as BN systems can be mentioned light-emitting element using the light-emitting layer.

【0096】蛍光物質の堆積の方法としては、所定の溶媒に蛍光体を分散させ、半導体発光素子990の表面に塗布して乾燥させる方法と、所定の溶媒を半導体発光素子990の表面に塗布してから、蛍光体をふりかけ、あるいは吹き付けて、乾燥させる方法とがある。 [0096] As a method for phosphor deposition, a phosphor is dispersed in a predetermined solvent, a method of drying by coating the surface of the semiconductor light emitting element 990 is coated with a predetermined solvent to the surface of the semiconductor light emitting element 990 after, sprinkle phosphor, or by spraying, and a method of drying.

【0097】溶媒としては、接着性あるいは粘着性を有するものが望ましい。 [0097] As the solvent, desirably those having adhesion or tackiness. 具体的には、例えば、無機の重合体を主成分とするものや、ゴム系有機物質を主成分とするもの、あるいは澱粉質やタンパク質を主成分とするものを挙げることができる。 Specifically, for example, those based on inorganic polymers and, as the main component rubber based organic material, or a starch or protein can be exemplified as a main component. ここで、無機系の溶媒を用いた場合には、耐熱性や耐薬品性が高く、不燃性も得られる点で有利である。 Here, in the case of using an inorganic solvent, heat resistance and high chemical resistance, it is advantageous in that the incombustible also obtained. また、ゴム系、澱粉質あるいはタンパク質を用いた場合には、乾燥後の応力が緩和され、溶媒の残留応力に起因する素子の劣化やワイアの断線などの不良を防止することができる点で有利である。 In the case of using a rubber-based, starch or protein, stress after drying is reduced, advantageously it can prevent defects such as deterioration or wire disconnection of the device due to the residual stress of the solvent it is. また、 Also,
澱粉質やタンパク質は、水溶性を有する点で扱いやすいという利点も有する。 Starch and protein also has the advantage of being easily handled in that it has a water solubility.

【0098】溶媒としては具体的には、例えば、珪酸アルカリ水溶液、珪酸コロイドいす溶液、燐酸塩水溶液、 [0098] As specifically the solvent, for example, alkali silicate aqueous solution, silicate colloids chair solution, phosphate solution,
珪酸化合物溶解有機溶剤、ゴム配合有機溶剤、天然系グルー水溶液などを挙げることができる。 Silicate compounds dissolved organic solvent, rubber compounding an organic solvent, and the like natural material glue solution.

【0099】また、これらの溶媒は、乾燥固化した後の光屈折率が、半導体発光素子の光出射部の光屈折率とその外側の光屈折率との間の値を有するものであることが望ましい。 [0099] These solvents, refractive index after drying solidified, be one having a value between the light emitting portion of the light refractive index of the semiconductor light emitting element and the outside of the optical refractive index desirable. 例えば、半導体発光素子を樹脂で封止するような場合においては、固化した溶媒の光屈折率は、半導体発光素子の光出射部の光屈折率と樹脂の光屈折率との間の値であるようにすることが望ましい。 For example, in the case of the semiconductor light emitting element such as sealing with resin, refractive index of the solidified solvent is a value between the refractive index of the light emitting portion and the resin of the refractive index of the semiconductor light emitting element it is desirable that way. このようにすれば、光の取り出し部において、全反射を防ぐことにより、取り出し効率を改善することができるからである。 Thus, in the extraction of light, by preventing total reflection, it is because it is possible to improve the extraction efficiency.

【0100】一方、本実施形態において用いる蛍光物質としては、第1実施形態において説明したような種々の無機蛍光体や有機蛍光体を適宜選択して用いることができる。 [0100] On the other hand, the fluorescent substance used in the present embodiment, can be used in a variety of inorganic phosphors or organic phosphors as described in the first embodiment appropriately selected. その選択に際しては、用いる半導体発光素子の発光波長と、所望の取り出し光の波長との関係において、 In the selection, the emission wavelength of the semiconductor light emitting device using, in relation to the desired wavelength of extracted light,
高い波長変換効率を有するような蛍光物質を選択することが望ましい。 It is desirable to select a fluorescent material such that it has a high wavelength conversion efficiency.

【0101】本実施形態によれば、このように、半導体発光素子990の光出射部に蛍光体層FLを堆積させるので、発光素子からの発光をほぼ100%に近い効率で蛍光物質に吸収させ、波長変換することができる。 According to [0102] this embodiment, thus, the deposit a phosphor layer FL to the light emitting portion of the semiconductor light emitting element 990, efficiency is absorbed by the fluorescent substance nearly 100% light emission from the light emitting element , it is possible to wavelength conversion. 特に、発光素子の発光波長が380nm以下の紫外線の場合に有効である。 In particular, the emission wavelength of the light emitting element is effective in the case of UV light below 380 nm.

【0102】また、本実施形態においては、光源が発光素子の光出射部近傍に限定される。 [0102] In the present embodiment, the light source is limited to the vicinity of the light emitting portion of the light emitting element. したがって、発光素子からの光が蛍光体層FLの内部を通過する光路が、光の方向に依存せずほぼ一定となり変換効率も均一となる。 Accordingly, the optical path where the light from the light emitting element passes through the inside of the phosphor layer FL, the conversion efficiency becomes almost not dependent on the direction of the optical constant becomes uniform. その結果として、発光装置から取り出した光の波長が方向に依存して変化するという問題が解消される。 As a result, the wavelength of light extraction from the light emitting device is eliminated the problem that changes depending on the direction.

【0103】また、本実施形態においては、光源が発光素子の光出射部近傍に限定されるので、レンズや反射板などを用いた集光が容易となり、輝度の高い半導体発光装置を実現することができる。 [0103] In the present embodiment, since the light source is limited to the light emitting portion near the light emitting element, light converging is facilitated using, for example, a lens or reflector, to realize a high semiconductor light emitting device luminance can. 特に、蛍光物質を分散させる溶媒として、硬化時の堆積収縮率が大きい無機系重合体やゴム、澱粉質、蛋白質系の溶媒を用いることによって、蛍光体層FLを半導体発光素子の光出射部近傍のみに限定することが容易となり、本実施形態の効果をさらに改善することができる。 In particular, as the solvent for dispersing the fluorescent substance, deposited shrinkage ratio is large inorganic polymer or rubber upon curing, starch, by using a solvent of the protein-based, near the light emitting portion of the semiconductor light emitting element of the phosphor layer FL it becomes easy to limit, it is possible to further improve the effect of the present embodiment.

【0104】さらに、本実施形態においては、溶媒の光屈折率を半導体発光素子とその隣接する材料との間の値となるように選択することによって、半導体発光素子からの光の取り出し効率をさらに改善し、高出力の半導体発光装置を提供することができるようになる。 [0104] Further, in this embodiment, by selecting such a value between the refractive index of the solvent and the semiconductor light emitting element and the adjacent materials, further the light extraction efficiency from the semiconductor light emitting element improved, it is possible to provide a semiconductor light emitting device of high output.

【0105】以下、本実施形態に係る半導体発光装置の具体例について、図面を参照しつつ説明する。 [0105] Hereinafter, a specific example of the semiconductor light-emitting device according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. なお、以下に説明する具体例においては、前述と同一の箇所には同一の符合を付して説明を省略する。 In the specific examples described below, its description is omitted with the same reference numerals to the same portions as described above.

【0106】図17は、本実施形態に係る第2の半導体発光装置を表す模式図である。 [0106] Figure 17 is a schematic view showing a second semiconductor light emitting device according to the present embodiment. 同図に断面図として表した半導体発光装置200Bは、いわゆるステム・タイプのLEDランプである。 The semiconductor light emitting device 200B, expressed as cross-sectional view in the figure, an LED lamp of a so-called stem-type. 本実施形態においては、ステム210の上に半導体発光素子990がマウントされ、その上から、前述したいずれかの方法により、蛍光物質層FLが堆積されている。 In this embodiment, the semiconductor light emitting element 990 on the stem 210 is mounted, from above, by any of the methods described above, the fluorescent material layer FL is deposited. ここで、蛍光体層FLの堆積に際しては、予め蛍光物質を溶媒に分散させておいても、 Here, upon deposition of the phosphor layer FL, it is dispersed in advance fluorescent substance in a solvent,
あとから吹き付けても良い。 It may be sprayed later.

【0107】図18は、本実施形態に係る第3の半導体発光装置を表す模式図である。 [0107] Figure 18 is a schematic view showing a third semiconductor light emitting device according to the present embodiment. 同図に断面図として表した半導体発光装置250Bは、いわゆる基板タイプのS The semiconductor light emitting device 250B, expressed as cross-sectional view in the figure, a so-called substrate-type S
MDランプである。 Is an MD lamp. 本実施形態においては、基板260 In the present embodiment, the substrate 260
の上に半導体発光素子990がマウントされ、その上から、前述したいずれかの方法により、蛍光物質層FLが堆積されている。 The semiconductor light emitting element 990 is mounted on top of, from above, by any of the methods described above, the fluorescent material layer FL is deposited.

【0108】図19は、本実施形態に係る第4の半導体発光装置を表す模式図である。 [0108] Figure 19 is a schematic view showing a fourth semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. 同図に断面図として表した半導体発光装置300Bは、いわゆるリード・フレーム・タイプのSMDランプである。 The semiconductor light emitting device 300B, expressed as cross-sectional view in the figure is a so-called lead frame type of SMD lamps. 本実施形態においては、リード・フレーム310の上に半導体発光素子99 In the present embodiment, the semiconductor light emitting element 99 on the lead frame 310
0がマウントされ、その上から、前述したいずれかの方法により、蛍光物質層FLが堆積されている。 0 is mounted, from above, by any of the methods described above, the fluorescent material layer FL is deposited.

【0109】図20は、本実施形態に係る第5の半導体発光装置を表す模式図である。 [0109] Figure 20 is a schematic view showing a fifth semiconductor light emitting device according to the present embodiment. 同図に断面図として表した半導体発光装置350Bは、いわゆる面発光型の半導体発光装置である。 The semiconductor light emitting device 350B, expressed as cross-sectional view in the figure, a semiconductor light-emitting device of the so-called surface-emitting type. 本実施形態においては、ステム36 In this embodiment, the stem 36
0、362の上に半導体発光素子990がマウントされ、その上から、前述したいずれかの方法により、蛍光物質層FLが堆積されている。 The semiconductor light emitting element 990 on the 0,362 are mounted, from above, by any of the methods described above, the fluorescent material layer FL is deposited.

【0110】図21は、本実施形態に係る第6の半導体発光装置を表す模式図である。 [0110] Figure 21 is a schematic view showing a sixth semiconductor light emitting device according to the present embodiment. 同図に断面図として表した半導体発光装置400Bは、いわゆるドーム型半導体発光装置である。 The semiconductor light emitting device 400B, expressed as cross-sectional view in the figure is a so-called dome-type semiconductor light-emitting device. 本実施形態においては、ステム410 In this embodiment, the stem 410
の上に複数の半導体発光素子990がマウントされ、その上から、前述したいずれかの方法により、蛍光物質層FLが堆積されている。 A plurality of semiconductor light emitting elements 990 are mounted on top of, from above, by any of the methods described above, the fluorescent material layer FL is deposited.

【0111】図22は、本実施形態に係る第7の半導体発光装置を表す模式図である。 [0111] Figure 22 is a schematic view showing a seventh semiconductor light emitting device according to the present embodiment. 同図に断面図として表した半導体発光装置450Bは、いわゆるメータ指針型の半導体発光装置である。 The semiconductor light emitting device 450B, expressed as cross-sectional view in the figure is a so-called meter pointer type semiconductor light-emitting device. 本実施形態においては、基板あるいはリード・フレーム460の上に複数の半導体発光素子990がマウントされ、その上から、前述したいずれかの方法により、蛍光物質層FLが堆積されている。 In the present embodiment, a plurality of semiconductor light emitting elements 990 on the substrate or the lead frame 460 is mounted, from above, by any of the methods described above, the fluorescent material layer FL is deposited.

【0112】図23は、本実施形態に係る第8の半導体発光装置を表す模式図である。 [0112] Figure 23 is a schematic view showing an eighth semiconductor light emitting device according to the present embodiment. 同図に断面図として表した半導体発光装置500Bは、いわゆる基板タイプの7 The semiconductor light emitting device 500B, expressed as cross-sectional view in the figure, a so-called substrate type 7
セグメント型半導体発光装置であり、同図(a)は「中空タイプ」、同図(b)は「樹脂封止タイプ」を表す。 A segmented semiconductor light emitting device, FIG. (A) is "hollow type", Fig. (B) represents a "resin sealing type".
本実施形態においては、基板510の上に半導体発光素子990がマウントされ、その上から、前述したいずれかの方法により、蛍光物質層FLが堆積されている。 In this embodiment, the semiconductor light emitting element 990 is mounted on a substrate 510, thereon, by any of the methods described above, the fluorescent material layer FL is deposited.

【0113】図24は、本実施形態に係る第9の半導体発光装置を表す模式図である。 [0113] Figure 24 is a schematic view showing a ninth semiconductor light emitting device according to the present embodiment. 同図に断面図として表した半導体発光装置550Bは、いわゆるリード・フレーム・タイプの7セグメント型半導体発光装置である。 The semiconductor light emitting device 550B, expressed as cross-sectional view in the figure is a seven segment type semiconductor light-emitting device of the so-called lead frame type. 本実施形態においては、リード・フレーム560の上に半導体発光素子990がマウントされ、その上から、前述したいずれかの方法により、蛍光物質層FLが堆積されている。 In the present embodiment, the semiconductor light emitting element 990 is mounted on the lead frame 560, thereon, by any of the methods described above, the fluorescent material layer FL is deposited.

【0114】図25は、本実施形態に係る第10の半導体発光装置を表す模式図である。 [0114] Figure 25 is a schematic view showing a tenth semiconductor light emitting device according to the present embodiment. 同図に断面図として表した半導体発光装置650Bは、いわゆるマトリクス型の半導体発光装置である。 The semiconductor light emitting device 650B, expressed as cross-sectional view in the figure is a so-called matrix type semiconductor light-emitting device. 本実施形態においては、基板660の上に複数の半導体発光素子990がマウントされ、その上から、前述したいずれかの方法により、蛍光物質層FLが堆積されている。 In the present embodiment, a plurality of semiconductor light emitting element 990 is mounted on a substrate 660, thereon, by any of the methods described above, the fluorescent material layer FL is deposited.

【0115】図26は、本実施形態に係る第11の半導体発光装置を表す模式図である。 [0115] Figure 26 is a schematic view showing an eleventh semiconductor light emitting device according to the present embodiment. 同図に断面図として表した半導体発光装置750Bは、いわゆるキャン型レーザとしての半導体発光装置である。 The semiconductor light emitting device 750B, expressed as cross-sectional view in the figure, a semiconductor light-emitting device as a so-called scanning type laser. 本実施形態においては、ステム770の先端にレーザとしての半導体発光素子990がマウントされ、その上から、前述したいずれかの方法により、蛍光物質層FLが堆積されている。 In the present embodiment, the semiconductor light emitting element 990 as laser at the tip of the stem 770 is mounted, from above, by any of the methods described above, the fluorescent material layer FL is deposited.

【0116】以上、本発明の第3の実施形態の具体例について、図16〜図26を参照しつつ説明した。 [0116] Although the example of the third embodiment of the present invention has been described with reference to FIGS. 16 to 26. 前述したいずれの具体例においても、図16に関して前述した種々の効果は同様に得ることができる。 In any of the examples described above, various effects described above with reference to FIG. 16 can be obtained in a similar manner.

【0117】次に、本発明の第4の実施の形態について説明する。 [0117] Next explained is the fourth embodiment of the present invention. 本実施形態においては、半導体発光装置の樹脂部分に適宜、蛍光物質を配置することにより、高い効率で波長変換することができる半導体発光装置を提供する。 In this embodiment, suitably the resin portion of the semiconductor light-emitting device, by disposing the fluorescent material, to provide a semiconductor light emitting device capable of wavelength conversion with high efficiency.

【0118】図27は、本実施形態による半導体発光装置を例示する模式図である。 [0118] Figure 27 is a schematic view illustrating a semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置250Cは、いわゆる基板型のSMDランプである。 That is, the semiconductor light emitting device 250C expressed as a sectional view in the figure is a so-called substrate-type SMD lamps. そして、同図(a)に示した例においては、封止樹脂290の全体に蛍光物質が混合されている。 Then, in the example shown in FIG. 6 (a), the fluorescent material is mixed throughout the sealing resin 290.

【0119】また、同図(b)に示した例においては、 [0119] Further, in the example shown in FIG. (B) is
封止樹脂290の表面層付近に蛍光物質が特に高濃度に混合された層290Aが形成されている。 Fluorescent substance near the surface layer of the sealing resin 290 is formed in particular mixed layer 290A at a high concentration. このように、 in this way,
蛍光物質を樹脂の表面層付近に高濃度に混入させる方法としては、例えば、蛍光物質を含有した樹脂を用いて半導体発光素子990を封止する際に、樹脂が硬化するまでの間に、蛍光物質を沈殿させて、表面層付近に蛍光物質が高濃度に含有された層を形成する方法を挙げることができる。 The fluorescent substance as a method of mixing a high concentration near the surface layer of the resin, for example, when sealing the semiconductor light-emitting element 990 by using a resin containing a fluorescent substance, until the resin is cured, fluorescent precipitate the material may be a method in which a fluorescent substance in the vicinity of the surface layer to form a layer which is contained in high concentration. この際に、蛍光物質の沈殿の具合によって、 In this case, by precipitation degree of the fluorescent material,
蛍光物質の分布状態を調節することができる。 It is possible to adjust the distribution of the fluorescent substance. すなわち、完全に沈殿させれば、次に説明するように樹脂の表面部分に蛍光物質を塗布したのと同様の構成を得ることができる。 That, if complete precipitation, it is possible to obtain the structure as a fluorescent material is coated on the surface portion of the resin as described below.

【0120】次に、同図(c)に示した例においては、 [0120] Next, in the example shown in FIG. (C) is,
封止樹脂290の周囲に蛍光物質含有層290Bが均一に設けられている。 Phosphor-containing layer 290B is provided uniformly around the sealing resin 290. このような蛍光物質含有層290B Such phosphor-containing layer 290B
を形成する方法としては、例えば、半導体発光素子99 As a method of forming a, for example, the semiconductor light emitting element 99
0の周囲を蛍光物質を含有しない樹脂でモールドした後に、蛍光物質を含有した樹脂をその周囲に塗布するか、 Around the 0 after molding a resin containing no fluorescent substance, or applying a resin containing a fluorescent material on its periphery,
または積層モールドする方法を挙げることができる。 Or a method of laminating mold can be exemplified.

【0121】ここで、前述したいずれの例においても、 [0121] Here, in each of the examples described above,
半導体発光素子990は、蛍光物質を含有したものである必要はない。 The semiconductor light emitting device 990, need not be obtained by containing a fluorescent substance. しかし、通常得られる多くの蛍光物質を用いて高い波長変換効率を得るためには、青色若しくはそれよりも波長が短い紫外線領域において、高い輝度を有する半導体発光素子であることが望ましい。 However, in order to obtain the normal number of fluorescent materials high wavelength conversion efficiency by using the resulting, in the blue or ultraviolet region wavelength is shorter than that, it is desirable that the semiconductor light-emitting device having high luminance. このような半導体発光素子としては、例えば、図1や図2に関して説明したような、GaN系、ZnSe系、SiC系、 Examples of such a semiconductor light emitting device, for example, as described with reference to FIGS. 1 and 2, GaN-based, ZnSe type, SiC-based,
ZnS系、BN系などの半導体材料を発光層に用いた発光素子を挙げることができる。 ZnS type, a semiconductor material such as BN systems can be mentioned light-emitting element using the light-emitting layer.

【0122】一方、本実施形態において用いる蛍光物質としては、第1実施形態において説明したような種々の無機蛍光体や有機蛍光体を適宜選択して用いることができる。 [0122] On the other hand, the fluorescent substance used in the present embodiment, can be used in a variety of inorganic phosphors or organic phosphors as described in the first embodiment appropriately selected. その選択に際しては、用いる半導体発光素子の発光波長と、所望の取り出し光の波長との関係において、 In the selection, the emission wavelength of the semiconductor light emitting device using, in relation to the desired wavelength of extracted light,
高い波長変換効率を有するような蛍光物質を選択することが望ましい。 It is desirable to select a fluorescent material such that it has a high wavelength conversion efficiency.

【0123】本実施形態においては、半導体発光装置の樹脂に所定の方法により蛍光物質を含有させるので、発光を多色化することができ、発光波長のばらつきを抑制し、発熱による発光波長のずれを抑制することもできるようになる。 [0123] In this embodiment, since the inclusion of the fluorescent substance by a predetermined method in the resin of the semiconductor light-emitting device, emits can be multicolored, to suppress variations in emission wavelength, the deviation of the emission wavelength due to heat so it can be suppressed.

【0124】また、GaN系材料にとって最も効率の良い発光波長380nm以下の紫外線発光素子を利用することによって、極めて高い効率の半導体発光装置を実現することができるようになる。 [0124] Further, by utilizing the most efficient light emission wavelength 380nm or less of the ultraviolet light-emitting element for GaN-based material, it is possible to realize a semiconductor light-emitting device of very high efficiency.

【0125】特に、本実施形態によれば、非常に小型で実装が容易な白色発光のSMDランプを実現することができるようになる。 [0125] In particular, according to this embodiment, very it is possible to compact implementation is easily realized white emission SMD lamps. 従来のSMDランプでは、見栄えの改善のために光散乱剤などを別途封止樹脂内に混入して発光の均一性を改善する必要があった。 In a conventional SMD lamps, it is necessary to improve the uniformity of the contaminating emission into separate sealing resin such as light-scattering agents for improved appearance. しかし、このような光散乱剤の光吸収によって輝度が低下するという欠点があった。 However, there is a disadvantage that the luminance decreases by light absorption of such light scattering agent. これに対して、本実施形態によれば、混入する蛍光物質が、光散乱剤の役割も兼ねるので、明るく且つ見栄えの良いSMDランプを実現することができるようになる。 In contrast, according to this embodiment, the fluorescent substance mixed is, since also serves the role of the light scattering agent, it is possible to realize a bright and good-looking SMD lamps.

【0126】また、図27(b)および(c)に示した例においては、蛍光物質を樹脂の表面付近に高濃度に分布させることができる。 [0126] Further, in the example shown in FIG. 27 (b) and (c), it is possible to the fluorescent substance is distributed in a high concentration near the surface of the resin. 従って、発光素子990からの光を均一に高い効率で波長変換することができる。 Therefore, it is possible to wavelength conversion light from the light emitting element 990 at a uniform high efficiency.

【0127】以下、本実施形態に係る半導体発光装置の具体例について、図面を参照しつつ説明する。 [0127] Hereinafter, a specific example of the semiconductor light-emitting device according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. なお、以下に説明する具体例においては、前述と同一の箇所には同一の符合を付して説明を省略する。 In the specific examples described below, its description is omitted with the same reference numerals to the same portions as described above.

【0128】図28は、本実施形態による第2の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0128] Figure 28 is a schematic view illustrating a second semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置300Cは、いわゆるリード・フレーム・タイプのSMDランプである。 That is, the semiconductor light emitting device 300C expressed as a sectional view in the figure is a so-called lead frame type of SMD lamps. そして、同図(a)に示した例においては、封止樹脂340 Then, in the example shown in FIG. 6 (a), the sealing resin 340
の全体に蛍光物質が混合されている。 Fluorescent material is mixed throughout the. また、同図(b) In addition, FIG. (B)
に示した例においては、封止樹脂340の表面層付近に蛍光物質が特に高濃度に混合された層340Aが形成されている。 In the example shown, a fluorescent substance in the vicinity of the surface layer of the sealing resin 340 is formed in particular mixed layer 340A at a high concentration. このように、蛍光物質を樹脂の表面層付近に高濃度に混入させる方法としては、例えば、蛍光物質を含有した樹脂を用いて半導体発光素子990を封止する際に、樹脂が硬化するまでの間に、蛍光物質を沈殿させて、表面層付近に蛍光物質が高濃度に含有された層を形成する方法を挙げることができる。 Thus, as a method for the fluorescent substance mixed in a high concentration near the surface layer of the resin, for example, when sealing the semiconductor light-emitting element 990 by using a resin containing a fluorescent substance, until the resin is cured during, to precipitate the fluorescent substance include a method in which a fluorescent substance in the vicinity of the surface layer to form a layer which is contained in high concentration.

【0129】次に、同図(c)に示した例においては、 [0129] Next, in the example shown in FIG. (C) is,
封止樹脂340の周囲に蛍光物質含有層340Bが均一に設けられている。 Phosphor-containing layer 340B around the sealing resin 340 is provided uniformly. このような蛍光物質含有層340B Such phosphor-containing layer 340B
を形成する方法としては、例えば、半導体発光素子99 As a method of forming a, for example, the semiconductor light emitting element 99
0の周囲を蛍光物質を含有しない樹脂でモールドした後に、蛍光物質を含有した樹脂をその周囲に塗布するか、 Around the 0 after molding a resin containing no fluorescent substance, or applying a resin containing a fluorescent material on its periphery,
または積層モールドする方法を挙げることができる。 Or a method of laminating mold can be exemplified. また、同図(b)に関して前述したように、蛍光物質を沈殿させる際に完全に沈殿させて形成すると、樹脂表面に塗布したのと同様の構成を得ることができる。 Further, as described above with reference to FIG. (B), when formed by completely precipitated when precipitating the fluorescent material, it is possible to obtain the same structure as that applied to the resin surface.

【0130】図29は、本実施形態による第3の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0130] Figure 29 is a schematic view illustrating a third semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置350Cは、いわゆる面発光型の半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light emitting device 350C expressed as a sectional view in the figure, a semiconductor light-emitting device of the so-called surface-emitting type. そして、同図(a) And, FIG. (A)
に示した例においては、封止樹脂390の全体に蛍光物質が混合されている。 In the example shown, the fluorescent material is mixed throughout the sealing resin 390. また、同図(b)に示した例においては、封止樹脂390の表面層付近に蛍光物質が特に高濃度に混合された層390Aが形成されている。 Further, in the example shown in FIG. (B), the fluorescent material is formed particularly high concentration mixed layers 390A in the vicinity of the surface layer of the sealing resin 390. 次に、同図(c)に示した例においては、封止樹脂390 Next, in the example shown in FIG. (C), the sealing resin 390
の周囲に蛍光物質含有層390Bが均一に設けられている。 Phosphor-containing layer 390B is provided uniformly around the. それぞれの蛍光物質の混入方法は、図27に関して前述した方法と同一とすることができる。 Mixing method of the respective fluorescent material may be a method the same as described above with respect to FIG. 27. 本実施形態によれば、従来と比較してはるかに明るく均一性に優れた白色発光の面発光型半導体発光装置を実現することができる。 According to this embodiment, it is possible to realize a surface emitting semiconductor light emitting device emitting white light with excellent far bright and uniform as compared to the conventional.

【0131】図30は、本実施形態による第4の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0131] Figure 30 is a schematic view illustrating a fourth semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置400Cは、いわゆるドーム型の半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light emitting device 400C expressed as a sectional view in the figure is a so-called dome-type semiconductor light-emitting device. そして、同図(a) And, FIG. (A)
に示した例においては、封止樹脂440の全体に蛍光物質が混合されている。 In the example shown, the fluorescent material is mixed throughout the sealing resin 440. また、同図(b)に示した例においては、封止樹脂440の表面層付近に蛍光物質が特に高濃度に混合された層440Aが形成されている。 Further, in the example shown in FIG. (B), the fluorescent material is formed particularly high concentration mixed layers 440A in the vicinity of the surface layer of the sealing resin 440. 次に、同図(c)に示した例においては、封止樹脂440 Next, in the example shown in FIG. (C), the sealing resin 440
の周囲に蛍光物質含有層440Bが均一に設けられている。 Phosphor-containing layer 440B is provided uniformly around the. それぞれの蛍光物質の混入方法は、図27に関して前述した方法と同一とすることができる。 Mixing method of the respective fluorescent material may be a method the same as described above with respect to FIG. 27. 本実施形態によれば、従来と比較してはるかに明るく均一性に優れた白色発光のドーム型半導体発光装置を実現することができる。 According to this embodiment, it is possible to realize white light emission of the domed semiconductor light-emitting device having excellent far bright and uniform as compared to the conventional.

【0132】図31は、本実施形態による第5の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0132] Figure 31 is a schematic view illustrating a fifth semiconductor light-emitting device of the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置450Cは、いわゆるメータ指針型の半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light emitting device 450C expressed as a sectional view in the figure is a so-called meter pointer type semiconductor light-emitting device. そして、同図(a)に示した例においては、封止樹脂490の全体に蛍光物質が混合されている。 Then, in the example shown in FIG. 6 (a), the fluorescent material is mixed throughout the sealing resin 490. また、同図(b)に示した例においては、封止樹脂490の表面層付近に蛍光物質が特に高濃度に混合された層490Aが形成されている。 Further, in the example shown in FIG. (B), the fluorescent material is formed particularly high concentration mixed layers 490A in the vicinity of the surface layer of the sealing resin 490. 次に、同図(c)に示した例においては、封止樹脂490の周囲に蛍光物質含有層490Bが均一に設けられている。 Next, in the example shown in FIG. (C), the fluorescent material containing layer 490B is provided uniformly around the sealing resin 490. それぞれの蛍光物質の混入方法は、図27に関して前述した方法と同一とすることができる。 Mixing method of the respective fluorescent material may be a method the same as described above with respect to FIG. 27. 本実施形態によれば、従来と比較してはるかに明るく均一性に優れた白色発光のメータ指針型半導体発光装置を実現することができる。 According to this embodiment, it is possible to achieve excellent meter pointer type semiconductor light-emitting device emitting white light much bright and uniform as compared to the conventional. 特に、車載用など背景がブラックパネルの場合の指針用として使用する場合は、赤色や青色などと比較してコントラストが高く、夜間の使用に際して最適である。 In particular, if the background such as for vehicle is used for guidance in the case of the black panel, high contrast compared such as red or blue, it is optimal when nighttime use.

【0133】図32は、本実施形態による第6の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0133] Figure 32 is a schematic view illustrating a sixth semiconductor light-emitting device of the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置500Cは、いわゆる基板タイプの7セグメント型半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light emitting device 500C expressed as a sectional view in the figure is a seven segment type semiconductor light-emitting device of the so-called substrate type. そして、同図(a)に示した例においては、封止樹脂54 Then, in the example shown in FIG. 6 (a), the sealing resin 54
0の全体に蛍光物質が混合されている。 Fluorescent material is mixed throughout the 0. また、同図(b)に示した例においては、封止樹脂540の表面層付近に蛍光物質が特に高濃度に混合された層540Aが形成されている。 Further, in the example shown in FIG. (B), the fluorescent material is formed particularly high concentration mixed layers 540A in the vicinity of the surface layer of the sealing resin 540. 次に、同図(c)に示した例においては、封止樹脂540の周囲に蛍光物質含有層540Bが均一に設けられている。 Next, in the example shown in FIG. (C), the fluorescent material containing layer 540B is provided uniformly around the sealing resin 540. それぞれの蛍光物質の混入方法は、図27に関して前述した方法と同一とすることができる。 Mixing method of the respective fluorescent material may be a method the same as described above with respect to FIG. 27. 本実施形態によれば、従来と比較してはるかに明るく均一性に優れた白色発光の7セグメント型半導体発光装置を実現することができる。 According to this embodiment, it is possible to realize the seven segment type semiconductor light-emitting device emitting white light with excellent far bright and uniform as compared to the conventional.

【0134】図33は、本実施形態による第7の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0134] Figure 33 is a schematic view illustrating a seventh semiconductor light-emitting device of the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置550Cは、いわゆるリード・フレーム・タイプの7セグメント型半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light emitting device 550C expressed as a sectional view in the figure is a seven segment type semiconductor light-emitting device of the so-called lead frame type. そして、同図(a)に示した例においては、封止樹脂590の全体に蛍光物質が混合されている。 Then, in the example shown in FIG. 6 (a), the fluorescent material is mixed throughout the sealing resin 590. また、同図(b)に示した例においては、封止樹脂590の表面層付近に蛍光物質が特に高濃度に混合された層590Aが形成されている。 Further, in the example shown in FIG. (B), the fluorescent material is formed particularly high concentration mixed layers 590A in the vicinity of the surface layer of the sealing resin 590. 次に、同図(c)に示した例においては、封止樹脂590の周囲に蛍光物質含有層590Bが均一に設けられている。 Next, in the example shown in FIG. (C), the fluorescent material containing layer 590B is provided uniformly around the sealing resin 590. それぞれの蛍光物質の混入方法は、図27に関して前述した方法と同一とすることができる。 Mixing method of the respective fluorescent material may be a method the same as described above with respect to FIG. 27. 本実施形態によれば、従来と比較してはるかに明るく均一性に優れた白色発光の7セグメント型半導体発光装置を実現することができる。 According to this embodiment, it is possible to realize the seven segment type semiconductor light-emitting device emitting white light with excellent far bright and uniform as compared to the conventional. さらに、本実施形態によれば、発光装置の表面付近で発光が得られるので、視認角を広く確保することができるという利点も生ずる。 Further, according to this embodiment, since the light emission near the surface of the light emitting device can be obtained, even resulting advantage that it is possible to secure a wide viewing angle.

【0135】図34は、本実施形態による第8の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0135] Figure 34 is a schematic view illustrating a semiconductor light-emitting device of the eighth of the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置650Cは、いわゆるマトリクス型半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light emitting device 650C expressed as a sectional view in the figure is a so-called matrix type semiconductor light-emitting device. そして、同図(a)に示した例においては、封止樹脂690の全体に蛍光物質が混合されている。 Then, in the example shown in FIG. 6 (a), the fluorescent material is mixed throughout the sealing resin 690. また、同図(b)に示した例においては、封止樹脂690の表面層付近に蛍光物質が特に高濃度に混合された層690Aが形成されている。 Further, in the example shown in FIG. (B), the fluorescent material is formed particularly high concentration mixed layers 690A in the vicinity of the surface layer of the sealing resin 690. 次に、同図(c)に示した例においては、封止樹脂690の周囲に蛍光物質含有層690Bが均一に設けられている。 Next, in the example shown in FIG. (C), the fluorescent material containing layer 690B is provided uniformly around the sealing resin 690. それぞれの蛍光物質の混入方法は、図27に関して前述した方法と同一とすることができる。 Mixing method of the respective fluorescent material may be a method the same as described above with respect to FIG. 27. 本実施形態によれば、従来と比較してはるかに明るく均一性に優れた白色発光のドット・マトリクス型半導体発光装置を実現することができる。 According to this embodiment, it is possible to achieve excellent dot matrix type semiconductor light-emitting device emitting white light much bright and uniform as compared to the conventional. また、RGBの画素を形成するフルカラー画像表示を行う場合、例えば発光素子は紫外線発光のタイプのもの1種類のみを用いて、蛍光物質の種類によってRGBの画素に振り分けることが可能であり、表示装置の構成を簡素化して組立工程も簡略化することができる。 When performing full color display images forming the RGB pixels, for example, a light emitting device using only one kind of the type of ultraviolet light, it is possible to distribute the RGB pixels by the type of the fluorescent material, a display device it can be simplified even assembly process to simplify the configuration of the. また、半導体発光素子を高密度に実装すると発熱量が増加するが、このような場合においても、蛍光体の変換特性は安定しているので、発光波長が変動しないという利点も生ずる。 Although heating value and high-density packaging of the semiconductor light emitting element is increased, even in such a case, the conversion characteristics of the phosphors so stable, resulting advantage that the emission wavelength does not change. さらに、本実施形態によれば、発光装置の表面付近で発光が得られるので、視認角を広く確保することができるという利点も生ずる。 Further, according to this embodiment, since the light emission near the surface of the light emitting device can be obtained, even resulting advantage that it is possible to secure a wide viewing angle.

【0136】以上、本発明の第4の実施形態の具体例について、図27〜図34を参照しつつ説明した。 [0136] Although the specific example of the fourth embodiment of the present invention has been described with reference to FIGS. 27 to 34. 前述したいずれの具体例においても、図27に関して前述した種々の効果は同様に得ることができる。 In any of the examples described above, various effects described above with respect to FIG. 27 can be obtained in a similar manner.

【0137】次に、本発明の第5の実施の形態について説明する。 [0137] Next explained is the fifth embodiment of the present invention. 本実施形態においては、半導体発光装置の封止樹脂の内部に空洞を設け、その内壁面に蛍光物質を配置することによって、波長変換効率を安定させ、高輝度の半導体発光装置を実現することができる。 In this embodiment, a cavity provided inside the sealing resin of the semiconductor light-emitting device, by placing the fluorescent substance on the inner wall surface, to stabilize the wavelength conversion efficiency is possible to realize a semiconductor light emitting device of high luminance it can.

【0138】図35は、本実施形態に係る半導体発光装置を例示する模式図である。 [0138] Figure 35 is a schematic view illustrating a semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置100Dは、いわゆるリード・フレーム・タイプのLEDランプである。 That is, the semiconductor light-emitting device 100D, expressed as cross-sectional view in the figure is a so-called lead frame type LED lamp. そして、半導体発光素子990は、リード・フレーム110にマウントされ、樹脂140Dにより封止されている。 The semiconductor light emitting element 990 is mounted on the lead frame 110 are sealed with a resin 140D. ここで、本実施形態においては、樹脂140Dの内部に空洞142が形成され、空洞142の内壁面に蛍光物質の堆積層FLが設けられている。 In the present embodiment, the cavity 142 is formed in the resin 140D, deposited layer FL of the fluorescent material is formed on the inner wall surface of the cavity 142.

【0139】ここで、半導体発光素子990は、蛍光物質を含有しているものである必要はない。 [0139] Here, the semiconductor light emitting element 990 need not those containing a fluorescent substance. しかし、通常得られる多くの蛍光物質において高い波長変換効率を得るためには、青色若しくはそれよりも波長が短い紫外線領域において、高い輝度を有する半導体発光素子であることが望ましい。 However, in order to obtain a high wavelength conversion efficiency in a number of fluorescent materials usually obtained, in the blue or ultraviolet region wavelength is shorter than that, it is desirable that the semiconductor light-emitting device having high luminance. このような半導体発光素子としては、 Examples of such a semiconductor light emitting element,
例えば、図1や図2に関して説明したような、GaN For example, as described with reference to FIGS. 1 and 2, GaN
系、ZnSe系、SiC系、ZnS系、BN系などの半導体材料を発光層に用いた発光素子を挙げることができる。 System, ZnSe system, SiC type, ZnS type, a semiconductor material such as BN systems can be mentioned light-emitting element using the light-emitting layer.

【0140】また、本実施形態において用いる蛍光物質としては、第1実施形態において説明したような種々の無機蛍光体や有機蛍光体を適宜選択して用いることができる。 [0140] As the fluorescent substance used in the present embodiment, it can be used various inorganic phosphor or an organic phosphor such as described in the first embodiment appropriately selected. その選択に際しては、用いる半導体発光素子の発光波長と、所望の取り出し光の波長との関係において、 In the selection, the emission wavelength of the semiconductor light emitting device using, in relation to the desired wavelength of extracted light,
高い波長変換効率を有するような蛍光物質を選択することが望ましい。 It is desirable to select a fluorescent material such that it has a high wavelength conversion efficiency. また、可視光領域以外の波長の光で効果的に励起されるものを選択することが望ましい。 Further, it is desirable to select what is effectively excited by light having a wavelength other than visible light region. 可視光で励起される蛍光物質を用いると、半導体発光装置を並列に配置した時にいわゆる「混色」が生ずるからである。 With the fluorescent material is excited by visible light, because the so-called "color mixture" may occur when placing the semiconductor light-emitting device in parallel. すなわち、半導体発光装置の蛍光物質が、隣接する発光装置からの可視光を受けて励起され、不必要な発光を生ずることがあるからである。 That is, the fluorescent material of the semiconductor light emitting device is excited by visible light from the adjacent light emitting device, because it may result in unwanted light emission.

【0141】本実施形態によれば、このように、半導体発光素子990の周囲に蛍光体層FLを均一に堆積させることができるので、発光素子からの発光をほぼ100 According to [0141] this embodiment, thus, it is possible to the phosphor layer FL is uniformly deposited around the semiconductor light emitting element 990, light emitted from the light-emitting element approximately 100
%に近い効率で蛍光物質に吸収させ、波長変換することができる。 % Efficiency is absorbed by the fluorescent material near, it is possible to wavelength conversion. 特に、発光素子の発光波長が380nm以下の紫外線の場合に有効である。 In particular, the emission wavelength of the light emitting element is effective in the case of UV light below 380 nm.

【0142】また、本実施形態によれば、半導体発光素子990からの光を蛍光体層FLで波長変換して外部に取り出すので、発光波長の均一性が非常に良好となる。 [0142] Further, according to this embodiment, since taken out by wavelength conversion by the phosphor layer FL light from the semiconductor light emitting element 990, uniformity of the emission wavelength is very good.
すなわち、蛍光体の発光波長は、励起光の強度や波長に依存することなく、一定であるので半導体発光素子の特性にばらつきがあるような場合でも、半導体発光装置の発光波長は、安定する。 That is, the emission wavelength of the phosphor, without depending on the intensity and wavelength of the excitation light, even when the there are variations in characteristics of the semiconductor light-emitting device because it is constant, the emission wavelength of the semiconductor light-emitting device is stabilized. また、同様の理由で、駆動電流や印加電圧に依存した発光波長のばらつきを抑制することもできる。 For the same reason, the variation in light emission wavelength depending on the drive current and the applied voltage can be suppressed.

【0143】また、本実施形態においては、光源が発光素子近傍に限定される。 [0143] In the present embodiment, the light source is limited to the vicinity of the light emitting element. したがって、発光素子からの光が蛍光体層FLの内部を通過する光路が、光の方向に依存せずほぼ一定となり変換効率も均一となる。 Accordingly, the optical path where the light from the light emitting element passes through the inside of the phosphor layer FL, the conversion efficiency becomes almost not dependent on the direction of the optical constant becomes uniform. その結果として、発光装置から取り出した光の波長が方向に依存して変化するという問題が解消される。 As a result, the wavelength of light extraction from the light emitting device is eliminated the problem that changes depending on the direction.

【0144】また、本実施形態においては、光源が発光素子近傍に限定することができるので、レンズ効果による集光性が改善され、発光強度を上昇させることができる。 [0144] In the present embodiment, since the light source can be limited to the vicinity of the light emitting element, the condenser due to the lens effect is improved, the emission intensity can be increased. このような発光強度の改善は、信号機や屋外ディスプレイなどの応用分野について特に効果的である。 This improvement in emission intensity is particularly effective for applications such as traffic lights and outdoor displays. また、樹脂内の空洞142を大きくした場合には、見かけの光源が大きくなるために、均一性が改善され、見栄えが良くなり、インジケータ・ランプなどの応用について特に効果的である。 Further, when a large cavity 142 in the resin, in order to apparent sources is increased, uniformity is improved, appearance is improved, which is particularly effective for applications such as indicator light.

【0145】また、本実施形態によれば、発光装置の寿命をのばし、製造コストも低減することができる。 [0145] Further, according to this embodiment, extends the life of the light emitting device, it is also possible to reduce the manufacturing cost. さらに、励起光源として、紫外線領域の光を利用することにより、可視光領域で生ずる「混色」を解消することもできる。 Further, as an excitation light source, by utilizing the light in the ultraviolet region, it is also possible to eliminate the "color mixture" which occurs in the visible light region.

【0146】以下、本実施形態に係る半導体発光装置の具体例について、図面を参照しつつ説明する。 [0146] Hereinafter, a specific example of the semiconductor light-emitting device according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. なお、以下に説明する具体例においては、前述と同一の箇所には同一の符合を付して説明を省略する。 In the specific examples described below, its description is omitted with the same reference numerals to the same portions as described above.

【0147】図36は、本実施形態による第2の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0147] Figure 36 is a schematic view illustrating a second semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置200Dは、いわゆるステム・タイプのLEDランプである。 That is, the semiconductor light-emitting device 200D, expressed as cross-sectional view in the figure, an LED lamp of a so-called stem-type. そして、その樹脂240Dの内部に空洞242が形成され、空洞242 Then, a cavity 242 is formed inside the resin 240D, the cavity 242
の内壁面に蛍光物質の堆積層FLが設けられている。 Deposited layer FL of the fluorescent material is formed on the inner wall of.

【0148】図37は、本実施形態による第3の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0148] Figure 37 is a schematic view illustrating a third semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置250Dは、いわゆる基板タイプのSMDランプである。 That is, the semiconductor light-emitting device 250D, expressed as cross-sectional view in the figure is a SMD lamps of the so-called substrate type. そして、その樹脂2 Then, the resin 2
90Dの内部に空洞292が形成され、空洞292の内壁面に蛍光物質の堆積層FLが設けられている。 Cavity 292 is formed inside the 90D, deposited layer FL of the fluorescent material is formed on the inner wall surface of the cavity 292.

【0149】図38は、本実施形態による第4の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0149] Figure 38 is a schematic view illustrating a fourth semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置350Dは、いわゆる面発光型の半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light-emitting device 350D, expressed as cross-sectional view in the figure, a semiconductor light-emitting device of the so-called surface-emitting type. そして、その樹脂3 Then, the resin 3
90Dの内部に空洞392が形成され、空洞392の内壁面に蛍光物質の堆積層FLが設けられている。 Cavity 392 is formed inside the 90D, deposited layer FL of the fluorescent material is formed on the inner wall surface of the cavity 392.

【0150】図39は、本実施形態による第5の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0150] Figure 39 is a schematic view illustrating a fifth semiconductor light-emitting device of the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置400Dは、いわゆるドーム型の半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light-emitting device 400D, expressed as cross-sectional view in the figure is a so-called dome-type semiconductor light-emitting device. そして、その樹脂4 Then, the resin 4
40Dの内部に空洞442が形成され、空洞442の内壁面に蛍光物質の堆積層FLが設けられている。 Cavity 442 is formed inside the 40D, deposited layer FL of the fluorescent material is formed on the inner wall surface of the cavity 442.

【0151】図40は、本実施形態による第6の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0151] Figure 40 is a schematic view illustrating a semiconductor light-emitting device of the sixth of the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置500Dは、いわゆる基板タイプの7セグメント型半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light-emitting device 500D, expressed as cross-sectional view in the figure is a seven segment type semiconductor light-emitting device of the so-called substrate type. そして、その樹脂540Dの内部に空洞542が形成され、空洞542の内壁面に蛍光物質の堆積層FLが設けられている。 Then, the inside of the resin 540D cavity 542 is formed on the deposition layer FL of the fluorescent material is formed on the inner wall surface of the cavity 542.

【0152】以上、本発明の第5の実施形態の具体例について、図35〜図40を参照しつつ説明した。 [0152] Although the specific example of the fifth embodiment of the present invention has been described with reference to FIGS. 35 40. 前述したいずれの具体例においても、図35に関して前述した種々の効果は同様に得ることができる。 In any of the examples described above, various effects described above with respect to FIG. 35 can be obtained in a similar manner.

【0153】次に、本発明の第6の実施の形態について説明する。 [0153] Next, a description will be given of a sixth embodiment of the present invention. 本実施形態においては、半導体発光装置の封止樹脂の内部にディッピング樹脂層を設け、そのディッピング樹脂層に蛍光物質を含有させることによって、波長変換効率を安定させ、高輝度の半導体発光装置を実現することができる。 In the present embodiment, the dipping resin layer provided on the inside of the sealing resin of the semiconductor light-emitting device, realized by incorporating the fluorescent substance to the dipping resin layer, to stabilize the wavelength conversion efficiency, a semiconductor light-emitting device of high luminance can do.

【0154】図41は、本実施形態に係る半導体発光装置を例示する模式図である。 [0154] Figure 41 is a schematic view illustrating a semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置100Eは、いわゆるリード・フレーム・タイプのLEDランプである。 That is, the semiconductor light-emitting device 100E, expressed as cross-sectional view in the figure is a so-called lead frame type LED lamp. そして、半導体発光素子990は、リード・フレーム110にマウントされ、樹脂140Eにより封止されている。 The semiconductor light emitting element 990 is mounted on the lead frame 110 are sealed with a resin 140E. ここで、本実施形態においては、樹脂140Eの内部にディッピング樹脂層142Eが形成され、このディッピング樹脂層142Eに蛍光物質が含有されている。 In the present embodiment, dipping resin layer 142E in the resin 140E is formed, the fluorescent material is contained in the dipping resin layer 142E. ここで、 here,
「ディッピング樹脂」とは、溶媒に溶解させた樹脂材料をディスペンサなどにより滴下するか、あるいは、このような樹脂材料の溶液中に素子をディップすることにより、「モールド型」を用いずに形成する樹脂をいう。 The "dipping resin", the resin material dissolved in a solvent or dropping by a dispenser or by dipping the device into a solution of such a resin material, is formed without using the "mold" It refers to the resin. すなわち、本実施形態においては、まず、半導体発光素子990の周囲を蛍光物質を含有させたディッピング樹脂142Eにより封止し、しかる後に、封止樹脂140E That is, in the present embodiment, first, sealed by dipping resin 142E which was allowed to contain a fluorescent material around the semiconductor light emitting element 990, and thereafter, the sealing resin 140E
をモールド形成する。 The molding form.

【0155】ここで、半導体発光素子990は、蛍光物質を含有しているものである必要はない。 [0155] Here, the semiconductor light emitting element 990 need not those containing a fluorescent substance. しかし、通常得られる多くの蛍光物質において高い波長変換効率を得るためには、青色若しくはそれよりも波長が短い紫外線領域において、高い輝度を有する半導体発光素子であることが望ましい。 However, in order to obtain a high wavelength conversion efficiency in a number of fluorescent materials usually obtained, in the blue or ultraviolet region wavelength is shorter than that, it is desirable that the semiconductor light-emitting device having high luminance. このような半導体発光素子としては、 Examples of such a semiconductor light emitting element,
例えば、図1や図2に関して説明したような、GaN For example, as described with reference to FIGS. 1 and 2, GaN
系、ZnSe系、SiC系、ZnS系、BN系などの半導体材料を発光層に用いた発光素子を挙げることができる。 System, ZnSe system, SiC type, ZnS type, a semiconductor material such as BN systems can be mentioned light-emitting element using the light-emitting layer.

【0156】また、本実施形態において用いる蛍光物質としては、第1実施形態において説明したような種々の無機蛍光体や有機蛍光体を適宜選択して用いることができる。 [0156] As the fluorescent substance used in the present embodiment, it can be used various inorganic phosphor or an organic phosphor such as described in the first embodiment appropriately selected. その選択に際しては、用いる半導体発光素子の発光波長と、所望の取り出し光の波長との関係において、 In the selection, the emission wavelength of the semiconductor light emitting device using, in relation to the desired wavelength of extracted light,
高い波長変換効率を有するような蛍光物質を選択することが望ましい。 It is desirable to select a fluorescent material such that it has a high wavelength conversion efficiency. また、可視光領域以外の波長の光で効果的に励起されるものを選択することが望ましい。 Further, it is desirable to select what is effectively excited by light having a wavelength other than visible light region. 可視光で励起される蛍光物質を用いると、半導体発光装置を並列に配置した時にいわゆる「混色」が生ずるからである。 With the fluorescent material is excited by visible light, because the so-called "color mixture" may occur when placing the semiconductor light-emitting device in parallel. すなわち、半導体発光装置の蛍光物質が、隣接する発光装置からの可視光を受けて励起され、不必要な発光を生ずることがあるからである。 That is, the fluorescent material of the semiconductor light emitting device is excited by visible light from the adjacent light emitting device, because it may result in unwanted light emission.

【0157】本実施形態によれば、このように、半導体発光素子990の周囲に蛍光体層FLを均一に堆積させることができるので、発光素子からの発光をほぼ100 According to [0157] this embodiment, thus, it is possible to the phosphor layer FL is uniformly deposited around the semiconductor light emitting element 990, light emitted from the light-emitting element approximately 100
%に近い効率で蛍光物質に吸収させ、波長変換することができる。 % Efficiency is absorbed by the fluorescent material near, it is possible to wavelength conversion. 特に、発光素子の発光波長が380nm以下の紫外線の場合に有効である。 In particular, the emission wavelength of the light emitting element is effective in the case of UV light below 380 nm.

【0158】また、本実施形態によれば、半導体発光素子990からの光を蛍光体層FLで波長変換して外部に取り出すので、発光波長の均一性が非常に良好となる。 [0158] Further, according to this embodiment, since taken out by wavelength conversion by the phosphor layer FL light from the semiconductor light emitting element 990, uniformity of the emission wavelength is very good.
すなわち、蛍光体の発光波長は、励起光の強度や波長に依存することなく、一定であるので半導体発光素子の特性にばらつきがあるような場合でも、半導体発光装置の発光波長は、安定する。 That is, the emission wavelength of the phosphor, without depending on the intensity and wavelength of the excitation light, even when the there are variations in characteristics of the semiconductor light-emitting device because it is constant, the emission wavelength of the semiconductor light-emitting device is stabilized. また、同様の理由で、駆動電流や印加電圧に依存した発光波長のばらつきを抑制することもできる。 For the same reason, the variation in light emission wavelength depending on the drive current and the applied voltage can be suppressed.

【0159】また、本実施形態においては、光源が発光素子近傍に限定される。 [0159] In the present embodiment, the light source is limited to the vicinity of the light emitting element. したがって、発光素子からの光が蛍光体層FLの内部を通過する光路が、光の方向に依存せずほぼ一定となり変換効率も均一となる。 Accordingly, the optical path where the light from the light emitting element passes through the inside of the phosphor layer FL, the conversion efficiency becomes almost not dependent on the direction of the optical constant becomes uniform. その結果として、発光装置から取り出した光の波長が方向に依存して変化するという問題が解消される。 As a result, the wavelength of light extraction from the light emitting device is eliminated the problem that changes depending on the direction.

【0160】また、本実施形態においては、光源が発光素子近傍に限定することができるので、レンズ効果による集光性が改善され、発光強度を上昇させることができる。 [0160] In the present embodiment, since the light source can be limited to the vicinity of the light emitting element, the condenser due to the lens effect is improved, the emission intensity can be increased. このような発光強度の改善は、信号機や屋外ディスプレイなどの応用分野について特に効果的である。 This improvement in emission intensity is particularly effective for applications such as traffic lights and outdoor displays. また、樹脂内の空洞142を大きくした場合には、見かけの光源が大きくなるために、均一性が改善され、見栄えが良くなり、インジケータ・ランプなどの応用について特に効果的である。 Further, when a large cavity 142 in the resin, in order to apparent sources is increased, uniformity is improved, appearance is improved, which is particularly effective for applications such as indicator light.

【0161】また、本実施形態によれば、発光装置の寿命をのばし、製造コストも低減することができる。 [0161] Further, according to this embodiment, extends the life of the light emitting device, it is also possible to reduce the manufacturing cost. さらに、励起光源として、紫外線領域の光を利用することにより、可視光領域で生ずる「混色」を解消することもできる。 Further, as an excitation light source, by utilizing the light in the ultraviolet region, it is also possible to eliminate the "color mixture" which occurs in the visible light region.

【0162】以下、本実施形態に係る半導体発光装置の具体例について、図面を参照しつつ説明する。 [0162] Hereinafter, a specific example of the semiconductor light-emitting device according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. なお、以下に説明する具体例においては、前述と同一の箇所には同一の符合を付して説明を省略する。 In the specific examples described below, its description is omitted with the same reference numerals to the same portions as described above.

【0163】図42は、本実施形態による第2の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0163] Figure 42 is a schematic view illustrating a second semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置200Eは、いわゆるステム・タイプのLEDランプである。 That is, the semiconductor light-emitting device 200E, expressed as cross-sectional view in the figure, an LED lamp of a so-called stem-type. そして、その樹脂240Eの内部にディッピング樹脂層242Eが形成され、そのディッピング樹脂層242Eに蛍光物質が含有されている。 Then, dipping the resin layer 242E is formed inside of the resin 240E, fluorescent material is contained in the dipping resin layer 242E.

【0164】図43は、本実施形態による第3の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0164] Figure 43 is a schematic view illustrating a third semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置250Eは、いわゆる基板タイプのSMDランプである。 That is, the semiconductor light-emitting device 250E, expressed as cross-sectional view in the figure is a SMD lamps of the so-called substrate type. そして、その樹脂2 Then, the resin 2
90Eの内部にディッピング樹脂層292Eが形成され、そのディッピング樹脂層292Eに蛍光物質が含有されている。 Dipping the resin layer 292e is formed in the interior of 90E, a fluorescent material is contained in the dipping resin layer 292e.

【0165】図44は、本実施形態による第4の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0165] Figure 44 is a schematic view illustrating a fourth semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置350Eは、いわゆる面発光型の半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light-emitting device 350E, expressed as cross-sectional view in the figure, a semiconductor light-emitting device of the so-called surface-emitting type. そして、その樹脂3 Then, the resin 3
90Eの内部にディッピング樹脂層392Eが形成され、そのディッピング樹脂層392Eに蛍光物質が含有されている。 Dipping the resin layer 392E is formed inside of 90E, a fluorescent material is contained in the dipping resin layer 392E.

【0166】図45は、本実施形態による第5の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0166] Figure 45 is a schematic view illustrating a fifth semiconductor light-emitting device of the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置400Eは、いわゆるドーム型の半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light-emitting device 400E, expressed as cross-sectional view in the figure is a so-called dome-type semiconductor light-emitting device. そして、その樹脂4 Then, the resin 4
40Eの内部にディッピング樹脂層442Eが形成され、そのディッピング樹脂層442Eに蛍光物質が含有されている。 Dipping the resin layer 442E is formed inside of 40E, a fluorescent material is contained in the dipping resin layer 442E.

【0167】図46は、本実施形態による第6の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0167] Figure 46 is a schematic view illustrating a semiconductor light-emitting device of the sixth of the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置500Eは、いわゆる基板タイプの7セグメント型半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light-emitting device 500E, expressed as cross-sectional view in the figure is a seven segment type semiconductor light-emitting device of the so-called substrate type. そして、その樹脂540Eの内部にディッピング樹脂層5 Then, dipping the resin layer 5 into the interior of the resin 540E
42Eが形成され、そのディッピング樹脂層542Eに蛍光物質が含有されている。 42E is formed, the fluorescent material is contained in the dipping resin layer 542E.

【0168】以上、本発明の第6の実施形態の具体例について、図41〜図46を参照しつつ説明した。 [0168] Although the specific example of the sixth embodiment of the present invention has been described with reference to FIGS. 41 46. 前述したいずれの具体例においても、図41に関して前述した種々の効果は同様に得ることができる。 In any of the examples described above, various effects described above with respect to FIG. 41 can be obtained in a similar manner.

【0169】次に、本発明の第7の実施の形態について説明する。 [0169] Next, a description will be given of a seventh embodiment of the present invention. 本実施形態においては、半導体発光装置の封止樹脂の内部にディッピング樹脂層を設け、そのディッピング樹脂層の表面に蛍光物質を塗布することによって、波長変換効率を安定させ、高輝度の半導体発光装置を実現することができる。 In the present embodiment, the dipping resin layer provided on the inside of the sealing resin of the semiconductor light-emitting device by applying a fluorescent substance on the surface of the dipping resin layer, to stabilize the wavelength conversion efficiency, a semiconductor light emitting device of high luminance it can be realized.

【0170】図47は、本実施形態に係る半導体発光装置を例示する模式図である。 [0170] Figure 47 is a schematic view illustrating a semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置100Fは、いわゆるリード・フレーム・タイプのLEDランプである。 That is, the semiconductor light emitting device 100F, expressed as cross-sectional view in the figure is a so-called lead frame type LED lamp. そして、半導体発光素子990は、リード・フレーム110にマウントされ、樹脂140Fにより封止されている。 The semiconductor light emitting element 990 is mounted on the lead frame 110 are sealed with a resin 140F. ここで、本実施形態においては、樹脂140Fの内部にディッピング樹脂層142Fが形成され、このディッピング樹脂層142Fの表面に蛍光物質FLが塗布されている。 In the present embodiment, dipping resin layer 142F is formed in the resin 140F, the fluorescent material FL is applied to the surface of the dipping resin layer 142F. すなわち、本実施形態においては、まず、半導体発光素子990の周囲を蛍光物質を含有させたディッピング樹脂142Fにより封止し、しかる後に、ディッピング樹脂142Fの表面に蛍光物質FLを塗布し、さらに、封止樹脂140Fをモールド形成する。 That is, in the present embodiment, first, sealed by dipping resin 142F where the ambient is contained a fluorescent material of the semiconductor light emitting element 990, and thereafter, the fluorescent material FL is applied to the surface of the dipping resin 142F, further sealing the sealing resin 140F molded form.

【0171】蛍光物質の塗布は、図16に関して前述した方法と同様の方法により実施することができる。 [0171] phosphor coating can be carried out by a method similar to the method described above with reference to FIG. 16. すなわち、溶媒中に蛍光物質を分散して塗布するか、または、溶媒を塗布した後に蛍光物質をふりかけ、または吹き付けることにより、蛍光物質の層FLを形成することができる。 That is, either coated by dispersing the fluorescent substance in a solvent, or by sprinkling the fluorescent substance, or spraying it after the solvent has been applied, it is possible to form a layer FL of the fluorescent substance. 溶媒としては、前述したように、接着性あるいは粘着性を有するものが望ましい。 As the solvent, as described above, it is desirable to have an adhesive or tacky. 具体的には、例えば、無機の重合体を主成分とするものや、ゴム系有機物質を主成分とするもの、あるいは澱粉質やタンパク質を主成分とするものを挙げることができる。 Specifically, for example, those based on inorganic polymers and, as the main component rubber based organic material, or a starch or protein can be exemplified as a main component. さらに具体的には、例えば、珪酸アルカリ水溶液、珪酸コロイドいす溶液、燐酸塩水溶液、珪酸化合物溶解有機溶剤、ゴム配合有機溶剤、天然系グルー水溶液などを挙げることができる。 More specifically, examples thereof include alkali silicate aqueous solution, silicate colloids chair solution, phosphate solution, silicate compounds dissolved organic solvent, rubber compounding an organic solvent, such as natural-based glue solution.

【0172】本実施形態においても、半導体発光素子9 [0172] Also in this embodiment, the semiconductor light-emitting element 9
90は、蛍光物質を含有しているものである必要はない。 90 need not those containing a fluorescent substance. しかし、通常得られる多くの蛍光物質において高い波長変換効率を得るためには、青色若しくはそれよりも波長が短い紫外線領域において、高い輝度を有する半導体発光素子であることが望ましい。 However, in order to obtain a high wavelength conversion efficiency in a number of fluorescent materials usually obtained, in the blue or ultraviolet region wavelength is shorter than that, it is desirable that the semiconductor light-emitting device having high luminance. このような半導体発光素子としては、例えば、図1や図2に関して説明したような、GaN系、ZnSe系、SiC系、ZnS系、 Examples of such a semiconductor light emitting device, for example, as described with reference to FIGS. 1 and 2, GaN-based, ZnSe type, SiC-based, ZnS system,
BN系などの半導体材料を発光層に用いた発光素子を挙げることができる。 A semiconductor material such as BN systems can be mentioned light-emitting element using the light-emitting layer.

【0173】また、本実施形態においても、用いる蛍光物質としては、第1実施形態において説明したような種々の無機蛍光体や有機蛍光体を適宜選択して用いることができる。 [0173] Also in this embodiment, the fluorescent substance to be used may be used a variety of inorganic phosphors or organic phosphors as described in the first embodiment appropriately selected. その選択に際しては、用いる半導体発光素子の発光波長と、所望の取り出し光の波長との関係において、高い波長変換効率を有するような蛍光物質を選択することが望ましい。 In the selection, the emission wavelength of the semiconductor light emitting device using, in relation to the desired wavelength of extracted light, it is desirable to select a fluorescent material such that it has a high wavelength conversion efficiency. また、可視光領域以外の波長の光で効果的に励起されるものを選択することが望ましい。 Further, it is desirable to select what is effectively excited by light having a wavelength other than visible light region. 可視光で励起される蛍光物質を用いると、半導体発光装置を並列に配置した時にいわゆる「混色」が生ずるからである。 With the fluorescent material is excited by visible light, because the so-called "color mixture" may occur when placing the semiconductor light-emitting device in parallel. すなわち、半導体発光装置の蛍光物質が、隣接する発光装置からの可視光を受けて励起され、不必要な発光を生ずることがあるからである。 That is, the fluorescent material of the semiconductor light emitting device is excited by visible light from the adjacent light emitting device, because it may result in unwanted light emission.

【0174】本実施形態によれば、蛍光物質をディッピング樹脂中に含有させる必要がないので、蛍光物質の混入による樹脂の劣化などを解消することができる。 According to [0174] this embodiment, it is not necessary to contain a fluorescent material in a dipping resins, it is possible to eliminate such deterioration of the resin due to mixing of the fluorescent substance. また、半導体発光素子990の周囲に蛍光体層FLを均一に堆積させることができるので、発光素子からの発光をほぼ100%に近い効率で蛍光物質に吸収させ、波長変換することができる。 Further, it is possible to the phosphor layer FL is uniformly deposited around the semiconductor light emitting element 990, efficiency is absorbed by the fluorescent material near the light emission from the light emitting element to almost 100%, it is possible to wavelength conversion. 特に、発光素子の発光波長が38 In particular, the emission wavelength of the light emitting element 38
0nm以下の紫外線の場合に有効である。 0nm is effective when the following ultraviolet.

【0175】また、本実施形態によれば、半導体発光素子990からの光を蛍光体層FLで波長変換して外部に取り出すので、発光波長の均一性が非常に良好となる。 [0175] Further, according to this embodiment, since taken out by wavelength conversion by the phosphor layer FL light from the semiconductor light emitting element 990, uniformity of the emission wavelength is very good.
すなわち、蛍光体の発光波長は、励起光の強度や波長に依存することなく、一定であるので半導体発光素子の特性にばらつきがあるような場合でも、半導体発光装置の発光波長は、安定する。 That is, the emission wavelength of the phosphor, without depending on the intensity and wavelength of the excitation light, even when the there are variations in characteristics of the semiconductor light-emitting device because it is constant, the emission wavelength of the semiconductor light-emitting device is stabilized. また、同様の理由で、駆動電流や印加電圧に依存した発光波長のばらつきを抑制することもできる。 For the same reason, the variation in light emission wavelength depending on the drive current and the applied voltage can be suppressed.

【0176】また、本実施形態においては、光源が発光素子近傍に限定される。 [0176] In the present embodiment, the light source is limited to the vicinity of the light emitting element. したがって、発光素子からの光が蛍光体層FLの内部を通過する光路が、光の方向に依存せずほぼ一定となり変換効率も均一となる。 Accordingly, the optical path where the light from the light emitting element passes through the inside of the phosphor layer FL, the conversion efficiency becomes almost not dependent on the direction of the optical constant becomes uniform. その結果として、発光装置から取り出した光の波長が方向に依存して変化するという問題が解消される。 As a result, the wavelength of light extraction from the light emitting device is eliminated the problem that changes depending on the direction.

【0177】また、本実施形態においては、光源を発光素子近傍に限定することができるので、レンズ効果による集光性が改善され、発光強度を上昇させることができる。 [0177] In the present embodiment, it is possible to limit the light source in the vicinity of the light emitting element, the condenser due to the lens effect is improved, the emission intensity can be increased. このような発光強度の改善は、信号機や屋外ディスプレイなどの応用分野について特に効果的である。 This improvement in emission intensity is particularly effective for applications such as traffic lights and outdoor displays. また、樹脂内の空洞142を大きくした場合には、見かけの光源が大きくなるために、均一性が改善され、見栄えが良くなり、インジケータ・ランプなどの応用について特に効果的である。 Further, when a large cavity 142 in the resin, in order to apparent sources is increased, uniformity is improved, appearance is improved, which is particularly effective for applications such as indicator light.

【0178】また、本実施形態によれば、発光装置の寿命をのばし、製造コストも低減することができる。 [0178] Further, according to this embodiment, extends the life of the light emitting device, it is also possible to reduce the manufacturing cost. さらに、励起光源として、紫外線領域の光を利用することにより、可視光領域で生ずる「混色」を解消することもできる。 Further, as an excitation light source, by utilizing the light in the ultraviolet region, it is also possible to eliminate the "color mixture" which occurs in the visible light region.

【0179】以下、本実施形態に係る半導体発光装置の具体例について、図面を参照しつつ説明する。 [0179] Hereinafter, a specific example of the semiconductor light-emitting device according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. なお、以下に説明する具体例においては、前述と同一の箇所には同一の符合を付して説明を省略する。 In the specific examples described below, its description is omitted with the same reference numerals to the same portions as described above.

【0180】図48は、本実施形態による第2の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0180] Figure 48 is a schematic view illustrating a second semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置200Fは、いわゆるステム・タイプのLEDランプである。 That is, the semiconductor light emitting device 200F, expressed as cross-sectional view in the figure, an LED lamp of a so-called stem-type. そして、その樹脂240Fの内部にディッピング樹脂層242Fが形成され、そのディッピング樹脂層242Fの表面上に蛍光物質FLが塗布されている。 Then, the inside of the resin 240F to dipping the resin layer 242F is formed, the fluorescent material FL is applied to the surface of the dipping resin layer 242F.

【0181】図49は、本実施形態による第3の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0181] Figure 49 is a schematic view illustrating a third semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置250Fは、いわゆる基板タイプのSMDランプである。 That is, the semiconductor light emitting device 250F, expressed as cross-sectional view in the figure is a SMD lamps of the so-called substrate type. そして、その樹脂2 Then, the resin 2
90Fの内部にディッピング樹脂層292Fが形成され、そのディッピング樹脂層292Fの表面上に蛍光物質FLが塗布されている。 Dipping the resin layer 292F in the interior of 90F is formed, the fluorescent material FL is applied to the surface of the dipping resin layer 292F.

【0182】図50は、本実施形態による第4の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0182] Figure 50 is a schematic view illustrating a fourth semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置350Fは、いわゆる面発光型の半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light emitting device 350F, expressed as cross-sectional view in the figure, a semiconductor light-emitting device of the so-called surface-emitting type. そして、その樹脂3 Then, the resin 3
90Fの内部にディッピング樹脂層392Eが形成され、そのディッピング樹脂層392Fの表面に蛍光物質FLが含有されている。 Internally to dipping the resin layer 392E is formed of 90F, the fluorescent material FL is contained on the surface of the dipping resin layer 392F.

【0183】図51は、本実施形態による第5の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0183] Figure 51 is a schematic view illustrating a fifth semiconductor light-emitting device of the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置400Fは、いわゆるドーム型の半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light emitting device 400F, expressed as cross-sectional view in the figure is a so-called dome-type semiconductor light-emitting device. そして、その樹脂4 Then, the resin 4
40Fの内部にディッピング樹脂層442Eが形成され、そのディッピング樹脂層442Fの表面に蛍光物質FLが含有されている。 Internally to dipping the resin layer 442E is formed of 40F, the fluorescent material FL is contained on the surface of the dipping resin layer 442f.

【0184】図52は、本実施形態による第6の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0184] Figure 52 is a schematic view illustrating a semiconductor light-emitting device of the sixth of the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置500Fは、いわゆる基板タイプの7セグメント型半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light emitting device 500F, expressed as cross-sectional view in the figure is a seven segment type semiconductor light-emitting device of the so-called substrate type. そして、その樹脂540Fの内部にディッピング樹脂層5 Then, dipping the resin layer 5 into the interior of the resin 540F
42Fが形成され、そのディッピング樹脂層542Fの表面に蛍光物質FLが含有されている。 42F is formed, the fluorescent material FL is contained on the surface of the dipping resin layer 542f.

【0185】以上、本発明の第7の実施形態の具体例について、図47〜図52を参照しつつ説明した。 [0185] Although the specific example of the seventh embodiment of the present invention has been described with reference to FIGS. 47 to FIG 52. 前述したいずれの具体例においても、図47に関して前述した種々の効果は同様に得ることができる。 In any of the examples described above, various effects described above with respect to FIG. 47 can be obtained in a similar manner.

【0186】次に、本発明の第8の実施の形態について説明する。 [0186] The following describes a eighth embodiment of the present invention. 本実施形態においては、半導体発光装置の外囲器のうちで、リード・フレーム、ステム、基板のいずれかに蛍光物質を含有させることにより、半導体発光素子からの光を高い効率で波長変換して外部に取り出すことができる半導体発光装置を実現することができる。 In the present embodiment, among the envelope of the semiconductor light emitting device, a lead frame, stem, by containing a fluorescent substance on either substrate, and a wavelength conversion light from the semiconductor light emitting element with high efficiency it is possible to realize a semiconductor light-emitting device can be taken out.

【0187】図53は、本実施形態に係る半導体発光装置を例示する模式図である。 [0187] Figure 53 is a schematic view illustrating a semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置100Gは、いわゆるリード・フレーム・タイプのLEDランプである。 That is, the semiconductor light-emitting device 100G, expressed as cross-sectional view in the figure is a so-called lead frame type LED lamp. そして、半導体発光素子990は、リード・フレーム110Gにマウントされ、樹脂140により封止されている。 The semiconductor light emitting element 990 is mounted on the lead frame 110G, it is sealed with a resin 140. ここで、本実施形態においては、リード・フレーム110 Here, in this embodiment, the lead frame 110
G、120Gに蛍光物質が混入されており、半導体発光素子990からの光を波長変換して、外部に取り出すことができるようにされている。 G, 120G and fluorescent substance is mixed in, and the wavelength converting the light from the semiconductor light emitting element 990, are to be be taken out.

【0188】本実施形態においても、半導体発光素子9 [0188] Also in this embodiment, the semiconductor light-emitting element 9
90は、蛍光物質を含有しているものである必要はない。 90 need not those containing a fluorescent substance. しかし、通常得られる多くの蛍光物質において高い波長変換効率を得るためには、青色若しくはそれよりも波長が短い紫外線領域において、高い輝度を有する半導体発光素子であることが望ましい。 However, in order to obtain a high wavelength conversion efficiency in a number of fluorescent materials usually obtained, in the blue or ultraviolet region wavelength is shorter than that, it is desirable that the semiconductor light-emitting device having high luminance. このような半導体発光素子としては、例えば、図1や図2に関して説明したような、GaN系、ZnSe系、ZnSSe系、SiC Examples of such a semiconductor light emitting device, for example, as described with reference to FIGS. 1 and 2, GaN-based, ZnSe type, ZnSSe type, SiC
系、ZnS系、BN系などの半導体材料を発光層に用いた発光素子を挙げることができる。 Systems, ZnS systems, a semiconductor material such as BN systems can be mentioned light-emitting element using the light-emitting layer.

【0189】また、本実施形態においても、用いる蛍光物質としては、第1実施形態において説明したような種々の無機蛍光体や有機蛍光体を適宜選択して用いることができる。 [0189] Also in this embodiment, the fluorescent substance to be used may be used a variety of inorganic phosphors or organic phosphors as described in the first embodiment appropriately selected. その選択に際しては、用いる半導体発光素子の発光波長と、所望の取り出し光の波長との関係において、高い波長変換効率を有するような蛍光物質を選択することが望ましい。 In the selection, the emission wavelength of the semiconductor light emitting device using, in relation to the desired wavelength of extracted light, it is desirable to select a fluorescent material such that it has a high wavelength conversion efficiency. また、可視光領域以外の波長の光で効果的に励起されるものを選択することが望ましい。 Further, it is desirable to select what is effectively excited by light having a wavelength other than visible light region. 可視光で励起される蛍光物質を用いると、半導体発光装置を並列に配置した時にいわゆる「混色」が生ずるからである。 With the fluorescent material is excited by visible light, because the so-called "color mixture" may occur when placing the semiconductor light-emitting device in parallel. すなわち、半導体発光装置の蛍光物質が、隣接する発光装置からの可視光を受けて励起され、不必要な発光を生ずることがあるからである。 That is, the fluorescent material of the semiconductor light emitting device is excited by visible light from the adjacent light emitting device, because it may result in unwanted light emission.

【0190】本実施形態によれば、半導体発光素子99 [0190] According to this embodiment, the semiconductor light emitting element 99
0からの光を蛍光体で波長変換して外部に取り出すので、発光波長の均一性が非常に良好となる。 Since extracted to the outside by converting the wavelength of light from 0 phosphor, the uniformity of the emission wavelength is very good. すなわち、 That is,
蛍光体の発光波長は、励起光の強度や波長に依存することなく、一定であるので半導体発光素子の特性にばらつきがあるような場合でも、半導体発光装置の発光波長は、安定する。 Emission wavelength of the phosphor, without depending on the intensity and wavelength of the excitation light, because it is constant even when the there are variations in characteristics of the semiconductor light-emitting device, the emission wavelength of the semiconductor light-emitting device is stabilized. また、同様の理由で、駆動電流や印加電圧に依存した発光波長のばらつきを抑制することもできる。 For the same reason, the variation in light emission wavelength depending on the drive current and the applied voltage can be suppressed.

【0191】また、本実施形態においても、発光装置から取り出した光の波長が方向に依存して変化するという問題を解消することができる。 [0191] Also in the present embodiment, the wavelength of light extraction from the light-emitting device it is possible to solve the problem that changes depending on the direction.

【0192】また、本実施形態によれば、発光装置の寿命をのばし、製造コストも低減することができる。 [0192] Further, according to this embodiment, extends the life of the light emitting device, it is also possible to reduce the manufacturing cost. さらに、励起光源として、紫外線領域の光を利用することにより、可視光領域で生ずる「混色」を解消することもできる。 Further, as an excitation light source, by utilizing the light in the ultraviolet region, it is also possible to eliminate the "color mixture" which occurs in the visible light region.

【0193】以下、本実施形態に係る半導体発光装置の具体例について、図面を参照しつつ説明する。 [0193] Hereinafter, a specific example of the semiconductor light-emitting device according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. なお、以下に説明する具体例においては、前述と同一の箇所には同一の符合を付して説明を省略する。 In the specific examples described below, its description is omitted with the same reference numerals to the same portions as described above.

【0194】図54は、本実施形態による第2の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0194] Figure 54 is a schematic view illustrating a second semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置200Gは、いわゆるステム・タイプのLEDランプである。 That is, the semiconductor light-emitting device 200G, expressed as cross-sectional view in the figure, an LED lamp of a so-called stem-type. そして、そのステム210Gの絶縁性部材220Gに蛍光物質が含有されている。 Then, the fluorescent material is contained in the insulating member 220G of the stem 210G.

【0195】図55は、本実施形態による第3の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0195] Figure 55 is a schematic view illustrating a third semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置250Gは、いわゆる基板タイプのSMDランプである。 That is, the semiconductor light-emitting device 250G, expressed as cross-sectional view in the figure is a SMD lamps of the so-called substrate type. そして、その基板2 Then, the substrate 2
60Gに蛍光物質が含有されている。 Fluorescent material is contained in 60G.

【0196】図56は、本実施形態による第4の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0196] Figure 56 is a schematic view illustrating a fourth semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置300Gは、いわゆるリード・フレーム・タイプのSMDランプである。 That is, the semiconductor light-emitting device 300G, expressed as cross-sectional view in the figure is a so-called lead frame type of SMD lamps. そして、そのリード・フレーム310Gに蛍光物質が含有されている。 Then, the fluorescent material is contained in the lead frame 310G.

【0197】図57は、本実施形態による第5の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0197] Figure 57 is a schematic view illustrating a fifth semiconductor light-emitting device of the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置350Gは、いわゆる面発光型の半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light-emitting device 350G, expressed as cross-sectional view in the figure, a semiconductor light-emitting device of the so-called surface-emitting type. そして、そのリード・フレーム360G、362Gに蛍光物質が含有されている。 Then, the lead frame 360G, the fluorescent substance is contained in 362 g.

【0198】図58は、本実施形態による第6の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0198] Figure 58 is a schematic view illustrating a semiconductor light-emitting device of the sixth of the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置400Gは、いわゆるドーム型の半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light-emitting device 400G, expressed as cross-sectional view in the figure is a so-called dome-type semiconductor light-emitting device. そして、そのリード・フレーム410Gに蛍光物質が含有されている。 Then, the fluorescent material is contained in the lead frame 410G.

【0199】図59は、本実施形態による第7の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0199] Figure 59 is a schematic view illustrating a seventh semiconductor light-emitting device of the present embodiment. すなわち、同図に平面図および断面図として表した半導体発光装置450G That is, the semiconductor light-emitting device 450G, expressed as a plan view and a cross-sectional view in FIG.
は、いわゆるメータ指針型の半導体発光装置である。 It is a so-called meter pointer type semiconductor light-emitting device. そして、その基板460Gに蛍光物質が含有されている。 Then, the fluorescent substance is contained in the substrate 460G.

【0200】図60は、本実施形態による第8の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0200] Figure 60 is a schematic view illustrating a semiconductor light-emitting device of the eighth of the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置500Gは、いわゆる基板タイプの7セグメント型半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light-emitting device 500G, expressed as cross-sectional view in the figure is a seven segment type semiconductor light-emitting device of the so-called substrate type. そして、その基板510Gに蛍光物質が含有されている。 Then, the fluorescent substance is contained in the substrate 510G.
なお、同図に示した例は、いわゆる「中空タイプ」を表すが、この他にも「樹脂封止タイプ」についても本実施形態を同様に適用することができる。 The example shown in the figure, represents a so-called "hollow type", in addition to this it is also possible to apply the present embodiment as well for the "resin sealing type".

【0201】図61は、本実施形態による第9の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0202] Figure 61 is a schematic view illustrating a semiconductor light-emitting device of the ninth of the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置550Gは、いわゆるリード・フレーム・タイプの7セグメント型半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light-emitting device 550G, expressed as cross-sectional view in the figure is a seven segment type semiconductor light-emitting device of the so-called lead frame type. そして、そのリード・フレーム560Gに蛍光物質が含有されている。 Then, the fluorescent material is contained in the lead frame 560G.

【0202】図62は、本実施形態による第10の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0202] Figure 62 is a schematic view illustrating a tenth semiconductor light-emitting device of the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置650Gは、いわゆるマトリクス型の半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light-emitting device 650G, expressed as cross-sectional view in the figure is a so-called matrix type semiconductor light-emitting device. そして、その基板660Gに蛍光物質が含有されている。 Then, the fluorescent substance is contained in the substrate 660G.

【0203】図63は、本実施形態による第11の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0203] Figure 63 is a schematic view illustrating a semiconductor light-emitting device of the eleventh of the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置700Gは、いわゆるアレイ型の半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light-emitting device 700G, expressed as cross-sectional view in the figure is a so-called array type semiconductor light-emitting device. そして、その基板720Gまたは反射板722Gに蛍光物質が含有されている。 Then, the fluorescent substance is contained in the substrate 720G or reflector 722 g.

【0204】図64は、本実施形態による第12の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0204] Figure 64 is a schematic view illustrating a twelfth semiconductor light-emitting device of the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置750Gは、いわゆるキャン型レーザとしての半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light-emitting device 750G, expressed as cross-sectional view in the figure, a semiconductor light-emitting device as a so-called scanning type laser. そして、そのステム770Gに蛍光物質が含有されている。 Then, the fluorescent material is contained in the stem 770 g.

【0205】以上、本発明の第8の実施形態の具体例について、図53〜図64を参照しつつ説明した。 [0205] Although the specific example of the eighth embodiment of the present invention has been described with reference to FIGS. 53 to 64. 前述したいずれの具体例においても、図53に関して前述した種々の効果は同様に得ることができる。 In any of the examples described above, various effects described above with respect to FIG. 53 can be obtained in a similar manner.

【0206】次に、本発明の第9の実施の形態について説明する。 [0206] The following describes a ninth embodiment of the present invention. 本実施形態においては、半導体発光装置の外囲器のうちで、半導体発光素子の下側にあたる部分に蛍光物質を配置することにより、半導体発光素子からの光を高い効率で波長変換して外部に取り出すことができる半導体発光装置を実現することができる。 In the present embodiment, among the envelope of the semiconductor light-emitting device, by disposing the fluorescent material in the lower portion corresponding to the semiconductor light emitting element, the light from the semiconductor light-emitting device with high efficiency to the outside wavelength conversion it is possible to realize a semiconductor light-emitting device can be extracted. さらに具体的には、リード・フレーム、ステム、あるいは基板の発光素子のマウント部分に蛍光物質を配置する。 More specifically, disposing a fluorescent material on the lead frame, stem or mounting portion of the light emitting element of the substrate.

【0207】図65は、本実施形態に係る半導体発光装置を例示する模式図である。 [0207] Figure 65 is a schematic view illustrating a semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置100Hは、いわゆるリード・フレーム・タイプのLEDランプである。 That is, the semiconductor light-emitting device 100H, expressed as cross-sectional view in the figure is a so-called lead frame type LED lamp. そして、半導体発光素子990は、リード・フレーム110にマウントされ、樹脂140により封止されている。 The semiconductor light emitting element 990 is mounted on the lead frame 110 are sealed with a resin 140. ここで、 here,
本実施形態においては、リード・フレーム110と半導体発光素子990との間に蛍光物質層FLが配置されており、半導体発光素子990からの光を波長変換して、 In the present embodiment, the fluorescent material layer FL is arranged between the lead frame 110 and the semiconductor light emitting element 990, and a wavelength conversion light from the semiconductor light emitting element 990,
外部に取り出すことができるようにされている。 It is can be taken out to the outside.

【0208】このような蛍光物質層FLを形成する方法を以下に説明する。 [0208] illustrating a method of forming such a phosphor layer FL below.

【0209】第1の方法としては、半導体発光素子99 [0209] As a first method, the semiconductor light emitting element 99
0をマウントするための接着剤に蛍光物質を混入する方法を挙げることができる。 Fluorescent substances in the adhesive for mounting 0 may be mentioned a method of mixing. 接着剤の種類としては、例えば、樹脂系、ゴム系、有機材料系、無機材料系、澱粉質系、タンパク質系、タール系、金属半田系などを挙げることができる。 The type of adhesive, for example, resin, rubber, an organic material, an inorganic material-based, starch-based, protein based, tar, and the like metal solder systems. ここで、無機系の溶媒を用いた場合には、耐熱性や耐薬品性が高く、不燃性も得られる点で有利である。 Here, in the case of using an inorganic solvent, heat resistance and high chemical resistance, it is advantageous in that the incombustible also obtained. また、ゴム系、澱粉質あるいはタンパク質を用いた場合には、乾燥後の応力が緩和され、接着剤の残留応力に起因する素子の劣化やワイアの断線などの不良を防止することができる点で有利である。 In the case of using a rubber-based, starch or protein, stress after drying is reduced, in that it is possible to prevent defects such as disconnection of deterioration and wires of the element due to the residual stress of the adhesive it is advantageous. また、澱粉質やタンパク質は、水溶性を有する点で扱いやすいという利点も有する。 Further, starch and protein also has the advantage of being easily handled in that it has a water solubility.

【0210】これらの接着剤に所定の蛍光物質を分散させ、リード・フレームのマウント面に塗布した後に、半導体発光素子990を載置して、接着剤を硬化させることにより、半導体発光素子990の下に蛍光物質層FL [0210] dispersing a predetermined phosphor in these adhesives, after application to the mounting surface of the lead frame, by placing the semiconductor light emitting element 990, by curing the adhesive, the semiconductor light emitting element 990 phosphor layer FL under
を設けることができる。 It can be provided.

【0211】第2の方法としては、リード・フレームのマウント面に蛍光物質を塗布、乾燥させ、その上に新たに接着剤を用いて半導体発光素子990を固定する方法を挙げることができる。 [0211] As a second method, there is a method of fixing a fluorescent material coated on the mounting surface of the lead frame, dried, the semiconductor light emitting device 990 using a new adhesive thereon. ここで、蛍光物質を塗布するための溶媒としては、図16に関して前述したような種々のものを挙げることができる。 Here, as the solvent for applying the fluorescent substance, mention may be made of various as described above with respect to FIG. 16.

【0212】第3の方法としては、予め平板(タブレット)状に加工した蛍光物質層FLをリード・フレームのマウント面上に接着剤などにより固定し、その上に半導体発光素子990を固定する方法を挙げることができる。 [0212] As the third method, a method of preliminarily flat (tablet) form the processed phosphor layer FL is fixed by adhesive or the like on the mounting surface of the lead frame to be fixed to the semiconductor light emitting element 990 thereon it can be mentioned.

【0213】本実施形態においても、半導体発光素子9 [0213] Also in this embodiment, the semiconductor light-emitting element 9
90は、蛍光物質を含有しているものである必要はない。 90 need not those containing a fluorescent substance. しかし、通常得られる多くの蛍光物質において高い波長変換効率を得るためには、青色若しくはそれよりも波長が短い紫外線領域において、高い輝度を有する半導体発光素子であることが望ましい。 However, in order to obtain a high wavelength conversion efficiency in a number of fluorescent materials usually obtained, in the blue or ultraviolet region wavelength is shorter than that, it is desirable that the semiconductor light-emitting device having high luminance. このような半導体発光素子としては、例えば、図1や図2に関して説明したような、GaN系、ZnSe系、SiC系、ZnS系、 Examples of such a semiconductor light emitting device, for example, as described with reference to FIGS. 1 and 2, GaN-based, ZnSe type, SiC-based, ZnS system,
BN系などの半導体材料を発光層に用いた発光素子を挙げることができる。 A semiconductor material such as BN systems can be mentioned light-emitting element using the light-emitting layer.

【0214】また、本実施形態においても、用いる蛍光物質としては、第1実施形態において説明したような種々の無機蛍光体や有機蛍光体を適宜選択して用いることができる。 [0214] Also in this embodiment, the fluorescent substance to be used may be used a variety of inorganic phosphors or organic phosphors as described in the first embodiment appropriately selected. その選択に際しては、用いる半導体発光素子の発光波長と、所望の取り出し光の波長との関係において、高い波長変換効率を有するような蛍光物質を選択することが望ましい。 In the selection, the emission wavelength of the semiconductor light emitting device using, in relation to the desired wavelength of extracted light, it is desirable to select a fluorescent material such that it has a high wavelength conversion efficiency. また、可視光領域以外の波長の光で効果的に励起されるものを選択することが望ましい。 Further, it is desirable to select what is effectively excited by light having a wavelength other than visible light region. 可視光で励起される蛍光物質を用いると、半導体発光装置を並列に配置した時にいわゆる「混色」が生ずるからである。 With the fluorescent material is excited by visible light, because the so-called "color mixture" may occur when placing the semiconductor light-emitting device in parallel. すなわち、半導体発光装置の蛍光物質が、隣接する発光装置からの可視光を受けて励起され、不必要な発光を生ずることがあるからである。 That is, the fluorescent material of the semiconductor light emitting device is excited by visible light from the adjacent light emitting device, because it may result in unwanted light emission.

【0215】本実施形態によれば、半導体発光素子99 [0215] According to this embodiment, the semiconductor light emitting element 99
0からの光を蛍光体層FLで波長変換して外部に取り出すので、発光波長の均一性が非常に良好となる。 Since the light from the 0 the phosphor layer FL taken out by wavelength conversion, the uniformity of the emission wavelength is very good. すなわち、蛍光体の発光波長は、励起光の強度や波長に依存することなく、一定であるので半導体発光素子の特性にばらつきがあるような場合でも、半導体発光装置の発光波長は、安定する。 That is, the emission wavelength of the phosphor, without depending on the intensity and wavelength of the excitation light, even when the there are variations in characteristics of the semiconductor light-emitting device because it is constant, the emission wavelength of the semiconductor light-emitting device is stabilized. また、同様の理由で、駆動電流や印加電圧に依存した発光波長のばらつきを抑制することもできる。 For the same reason, the variation in light emission wavelength depending on the drive current and the applied voltage can be suppressed.

【0216】また、本実施形態においては、光源が発光素子近傍に限定される。 [0216] In the present embodiment, the light source is limited to the vicinity of the light emitting element. したがって、発光素子からの光が蛍光体層FLの内部を通過する光路が、光の方向に依存せずほぼ一定となり変換効率も均一となる。 Accordingly, the optical path where the light from the light emitting element passes through the inside of the phosphor layer FL, the conversion efficiency becomes almost not dependent on the direction of the optical constant becomes uniform. その結果として、発光装置から取り出した光の波長が方向に依存して変化するという問題が解消される。 As a result, the wavelength of light extraction from the light emitting device is eliminated the problem that changes depending on the direction.

【0217】また、本実施形態によれば、発光装置の寿命をのばし、製造コストも低減することができる。 [0217] Further, according to this embodiment, extends the life of the light emitting device, it is also possible to reduce the manufacturing cost. さらに、励起光源として、紫外線領域の光を利用することにより、可視光領域で生ずる「混色」を解消することもできる。 Further, as an excitation light source, by utilizing the light in the ultraviolet region, it is also possible to eliminate the "color mixture" which occurs in the visible light region.

【0218】以下、本実施形態に係る半導体発光装置の具体例について、図面を参照しつつ説明する。 [0218] Hereinafter, a specific example of the semiconductor light-emitting device according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. なお、以下に説明する具体例においては、前述と同一の箇所には同一の符合を付して説明を省略する。 In the specific examples described below, its description is omitted with the same reference numerals to the same portions as described above.

【0219】図66は、本実施形態による第2の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0219] Figure 66 is a schematic view illustrating a second semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置200Hは、いわゆるステム・タイプのLEDランプである。 That is, the semiconductor light-emitting device 200H, expressed as cross-sectional view in the figure, an LED lamp of a so-called stem-type. そして、そのステム210と半導体発光素子990との間に、前述したいずれかの方法により、蛍光物質層FLが配置されている。 Then, between the stem 210 and the semiconductor light emitting element 990, by any of the methods described above, the fluorescent material layer FL is arranged.

【0220】図67は、本実施形態による第3の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0220] Figure 67 is a schematic view illustrating a third semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置250Hは、いわゆる基板タイプのSMDランプである。 That is, the semiconductor light-emitting device 250H, expressed as cross-sectional view in the figure is a SMD lamps of the so-called substrate type. そして、その基板2 Then, the substrate 2
60と半導体発光素子990との間に、前述したいずれかの方法により、蛍光物質層FLが配置されている。 Between 60 and the semiconductor light emitting element 990, by any of the methods described above, the fluorescent material layer FL is arranged.

【0221】図68は、本実施形態による第4の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0221] Figure 68 is a schematic view illustrating a fourth semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置300Hは、いわゆるリード・フレーム・タイプのSMDランプである。 That is, the semiconductor light-emitting device 300H, expressed as cross-sectional view in the figure is a so-called lead frame type of SMD lamps. そして、そのリード・フレーム310Hと半導体発光素子9 Then, the lead frame 310H and the semiconductor light-emitting element 9
90との間に、前述したいずれかの方法により、蛍光物質層FLが配置されている。 Between 90, by any of the methods described above, the fluorescent material layer FL is arranged.

【0222】図69は、本実施形態による第5の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0222] Figure 69 is a schematic view illustrating a fifth semiconductor light-emitting device of the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置350Hは、いわゆる面発光型の半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light-emitting device 350H, expressed as cross-sectional view in the figure, a semiconductor light-emitting device of the so-called surface-emitting type. そして、そのリード・フレーム360、362と半導体発光素子990との間に、前述したいずれかの方法により、蛍光物質層FL Then, between the lead frame 360, 362 and the semiconductor light emitting element 990, by any of the methods described above, the fluorescent material layer FL
が配置されている。 There has been placed.

【0223】図70は、本実施形態による第6の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0223] Figure 70 is a schematic view illustrating a sixth semiconductor light-emitting device of the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置400Hは、いわゆるドーム型の半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light-emitting device 400H, expressed as cross-sectional view in the figure is a so-called dome-type semiconductor light-emitting device. そして、そのリード・フレーム410と半導体発光素子990との間に、前述したいずれかの方法により、に蛍光物質層FLが配置されている。 Then, between the lead frame 410 and the semiconductor light emitting element 990, by any of the methods described above, the fluorescent material layer FL is arranged.

【0224】図71は、本実施形態による第7の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0224] Figure 71 is a schematic view illustrating a seventh semiconductor light-emitting device of the present embodiment. すなわち、同図に平面図および断面図として表した半導体発光装置450H That is, the semiconductor light-emitting device 450H, expressed as a plan view and a cross-sectional view in FIG.
は、いわゆるメータ指針型の半導体発光装置である。 It is a so-called meter pointer type semiconductor light-emitting device. そして、その基板460と半導体発光素子990との間に、前述したいずれかの方法により、蛍光物質層FLが配置されている。 Then, between the substrate 460 and the semiconductor light emitting element 990, by any of the methods described above, the fluorescent material layer FL is arranged.

【0225】図72は、本実施形態による第8の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0225] Figure 72 is a schematic view illustrating a semiconductor light-emitting device of the eighth of the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置500Hは、いわゆる基板タイプの7セグメント型半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light-emitting device 500H, expressed as cross-sectional view in the figure is a seven segment type semiconductor light-emitting device of the so-called substrate type. そして、その基板510と半導体発光素子990との間に、前述したいずれかの方法により、蛍光物質層FLが配置されている。 Then, between the substrate 510 and the semiconductor light emitting element 990, by any of the methods described above, the fluorescent material layer FL is arranged. なお、同図に示した例は、いわゆる「中空タイプ」を表すが、この他にも「樹脂封止タイプ」についても本実施形態を同様に適用することができる。 The example shown in the figure, represents a so-called "hollow type", in addition to this it is also possible to apply the present embodiment as well for the "resin sealing type".

【0226】図73は、本実施形態による第9の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0226] Figure 73 is a schematic view illustrating a semiconductor light-emitting device of the ninth of the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置550Hは、いわゆるリード・フレーム・タイプの7セグメント型半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light-emitting device 550H, expressed as cross-sectional view in the figure is a seven segment type semiconductor light-emitting device of the so-called lead frame type. そして、そのリード・フレーム560と半導体発光素子990との間に、前述したいずれかの方法により、蛍光物質層FLが配置されている。 Then, between the lead frame 560 and the semiconductor light emitting element 990, by any of the methods described above, the fluorescent material layer FL is arranged.

【0227】図74は、本実施形態による第10の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0227] Figure 74 is a schematic view illustrating a tenth semiconductor light-emitting device of the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置650Hは、いわゆるマトリクス型の半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light-emitting device 650H, expressed as cross-sectional view in the figure is a so-called matrix type semiconductor light-emitting device. そして、その基板660と半導体発光素子990との間に、前述したいずれかの方法により、蛍光物質層FLが配置されている。 Then, between the substrate 660 and the semiconductor light emitting element 990, by any of the methods described above, the fluorescent material layer FL is arranged.

【0228】図75は、本実施形態による第11の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0228] Figure 75 is a schematic view illustrating a semiconductor light-emitting device of the eleventh of the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置700Hは、いわゆるアレイ型の半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light-emitting device 700H, expressed as cross-sectional view in the figure is a so-called array type semiconductor light-emitting device. そして、その反射板722と半導体発光素子990その間に、前述したいずれかの方法により、蛍光物質層FLが配置されている。 Then, the reflecting plate 722 and the semiconductor light emitting element 990 therebetween, by any of the methods described above, the fluorescent material layer FL is arranged.

【0229】図76は、本実施形態による第12の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0229] Figure 76 is a schematic view illustrating a twelfth semiconductor light-emitting device of the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置750Hは、いわゆるキャン型レーザとしての半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light-emitting device 750H, expressed as cross-sectional view in the figure, a semiconductor light-emitting device as a so-called scanning type laser. そして、そのステム770と半導体発光素子990との間に、前述したいずれかの方法により、蛍光物質層FLが配置されている。 Then, between the stem 770 and the semiconductor light emitting element 990, by any of the methods described above, the fluorescent material layer FL is arranged.

【0230】以上、本発明の第9の実施形態の具体例について、図65〜図76を参照しつつ説明した。 [0230] Although the specific example of the ninth embodiment of the present invention has been described with reference to FIG. 65 to FIG 76. 前述したいずれの具体例においても、図65に関して前述した種々の効果を同様に得ることができる。 In any of the examples described above, it is possible to obtain the same various effects as described above with respect to FIG. 65.

【0231】次に、本発明の第10の実施の形態について説明する。 [0231] The following describes a tenth embodiment of the present invention. 本実施形態においては、半導体発光装置のリード・フレームなどの光反射面に蛍光物質を塗布することにより、半導体発光素子からの光を効率良く波長変換して外部に取り出すことができる半導体発光装置を実現することができる。 In the present embodiment, by applying a fluorescent substance to the light reflection surface such as a lead frame of the semiconductor light emitting device, the semiconductor light-emitting device can be taken out to the outside efficiently wavelength-converted light from the semiconductor light emitting element it can be realized.

【0232】図77は、本実施形態に係る半導体発光装置を例示する模式図である。 [0232] Figure 77 is a schematic view illustrating a semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置100Iは、いわゆるリード・フレーム・タイプのLEDランプである。 That is, the semiconductor light-emitting device 100I, expressed as cross-sectional view in the figure is a so-called lead frame type LED lamp. そして、半導体発光素子990は、リード・フレーム110にマウントされ、樹脂140により封止されている。 The semiconductor light emitting element 990 is mounted on the lead frame 110 are sealed with a resin 140. ここで、 here,
本実施形態においては、リード・フレーム110の光反射面の上に蛍光物質層FLが形成されており、半導体発光素子990からの光を波長変換して、外部に取り出すことができるようにされている。 In the present embodiment, is a fluorescent substance layer FL formed on the light reflecting surface of the lead frame 110, and a wavelength conversion light from the semiconductor light emitting element 990, it is to be be taken out there.

【0233】このような蛍光物質層FLは、例えば塗布により形成することができる。 [0233] Such phosphor layer FL, for example, be formed by coating. すなわち、溶剤に蛍光物質を分散させ、塗布して乾燥させることにより、蛍光物質層FLを形成することができる。 That is, solvent fluorescent substance is dispersed in, dried by coating, it is possible to form the phosphor layer FL. 溶剤の種類としては、例えば、樹脂系、ゴム系、有機材料系、無機材料系、澱粉質系、タンパク質、タール系、金属半田系などを挙げることができる。 The types of solvents, for example, resin, rubber, an organic material, an inorganic material-based, starch-based, protein, tar, and the like metal solder systems. ここで、無機系の溶媒を用いた場合には、耐熱性や耐薬品性が高く、不燃性も得られる点で有利である。 Here, in the case of using an inorganic solvent, heat resistance and high chemical resistance, it is advantageous in that the incombustible also obtained. また、ゴム系、澱粉質あるいはタンパク質を用いた場合には、乾燥後の応力が緩和され、溶剤の残留応力に起因する素子の劣化やワイアの断線などの不良を防止することができる点で有利である。 In the case of using a rubber-based, starch or protein, stress after drying is reduced, advantageously it can prevent defects such as deterioration or wire disconnection of the device due to the residual stress of the solvent it is. また、澱粉質やタンパク質は、水溶性を有する点で扱いやすいという利点も有する。 Further, starch and protein also has the advantage of being easily handled in that it has a water solubility.

【0234】本実施形態においても、半導体発光素子9 [0234] Also in this embodiment, the semiconductor light-emitting element 9
90は、蛍光物質を含有しているものである必要はない。 90 need not those containing a fluorescent substance. しかし、通常得られる多くの蛍光物質において高い波長変換効率を得るためには、青色若しくはそれよりも波長が短い紫外線領域において、高い輝度を有する半導体発光素子であることが望ましい。 However, in order to obtain a high wavelength conversion efficiency in a number of fluorescent materials usually obtained, in the blue or ultraviolet region wavelength is shorter than that, it is desirable that the semiconductor light-emitting device having high luminance. このような半導体発光素子としては、例えば、図1や図2に関して説明したような、GaN系、ZnSe系、SiC系、ZnS系、 Examples of such a semiconductor light emitting device, for example, as described with reference to FIGS. 1 and 2, GaN-based, ZnSe type, SiC-based, ZnS system,
BN系などの半導体材料を発光層に用いた発光素子を挙げることができる。 A semiconductor material such as BN systems can be mentioned light-emitting element using the light-emitting layer.

【0235】また、本実施形態においても、用いる蛍光物質としては、第1実施形態において説明したような種々の無機蛍光体や有機蛍光体を適宜選択して用いることができる。 [0235] Also in this embodiment, the fluorescent substance to be used may be used a variety of inorganic phosphors or organic phosphors as described in the first embodiment appropriately selected. その選択に際しては、用いる半導体発光素子の発光波長と、所望の取り出し光の波長との関係において、高い波長変換効率を有するような蛍光物質を選択することが望ましい。 In the selection, the emission wavelength of the semiconductor light emitting device using, in relation to the desired wavelength of extracted light, it is desirable to select a fluorescent material such that it has a high wavelength conversion efficiency. また、可視光領域以外の波長の光で効果的に励起されるものを選択することが望ましい。 Further, it is desirable to select what is effectively excited by light having a wavelength other than visible light region. 可視光で励起される蛍光物質を用いると、半導体発光装置を並列に配置した時にいわゆる「混色」が生ずるからである。 With the fluorescent material is excited by visible light, because the so-called "color mixture" may occur when placing the semiconductor light-emitting device in parallel. すなわち、半導体発光装置の蛍光物質が、隣接する発光装置からの可視光を受けて励起され、不必要な発光を生ずることがあるからである。 That is, the fluorescent material of the semiconductor light emitting device is excited by visible light from the adjacent light emitting device, because it may result in unwanted light emission.

【0236】本実施形態によれば、半導体発光素子99 [0236] According to this embodiment, the semiconductor light emitting element 99
0からの光を蛍光体層FLで波長変換して外部に取り出すので、発光波長の均一性が非常に良好となる。 Since the light from the 0 the phosphor layer FL taken out by wavelength conversion, the uniformity of the emission wavelength is very good. すなわち、蛍光体の発光波長は、励起光の強度や波長に依存することなく、一定であるので半導体発光素子の特性にばらつきがあるような場合でも、半導体発光装置の発光波長は、安定する。 That is, the emission wavelength of the phosphor, without depending on the intensity and wavelength of the excitation light, even when the there are variations in characteristics of the semiconductor light-emitting device because it is constant, the emission wavelength of the semiconductor light-emitting device is stabilized. また、同様の理由で、駆動電流や印加電圧に依存した発光波長のばらつきを抑制することもできる。 For the same reason, the variation in light emission wavelength depending on the drive current and the applied voltage can be suppressed.

【0237】また、本実施形態においては、光源が発光素子近傍に限定される。 [0237] In the present embodiment, the light source is limited to the vicinity of the light emitting element. したがって、発光素子からの光が蛍光体層FLの内部を通過する光路が、光の方向に依存せずほぼ一定となり変換効率も均一となる。 Accordingly, the optical path where the light from the light emitting element passes through the inside of the phosphor layer FL, the conversion efficiency becomes almost not dependent on the direction of the optical constant becomes uniform. その結果として、発光装置から取り出した光の波長が方向に依存して変化するという問題が解消される。 As a result, the wavelength of light extraction from the light emitting device is eliminated the problem that changes depending on the direction.

【0238】また、本実施形態によれば、発光装置の寿命をのばし、製造コストも低減することができる。 [0238] Further, according to this embodiment, extends the life of the light emitting device, it is also possible to reduce the manufacturing cost. さらに、励起光源として、紫外線領域の光を利用することにより、可視光領域で生ずる「混色」を解消することもできる。 Further, as an excitation light source, by utilizing the light in the ultraviolet region, it is also possible to eliminate the "color mixture" which occurs in the visible light region.

【0239】以下、本実施形態に係る半導体発光装置の具体例について、図面を参照しつつ説明する。 [0239] Hereinafter, a specific example of the semiconductor light-emitting device according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. なお、以下に説明する具体例においては、前述と同一の箇所には同一の符合を付して説明を省略する。 In the specific examples described below, its description is omitted with the same reference numerals to the same portions as described above.

【0240】図78は、本実施形態による第2の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0240] Figure 78 is a schematic view illustrating a second semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置200Iは、いわゆるステム・タイプのLEDランプである。 That is, the semiconductor light-emitting device 200I, expressed as cross-sectional view in the figure, an LED lamp of a so-called stem-type. そして、そのステム210の光反射面の上に蛍光物質層FLが塗布されている。 Then, the fluorescent material layer FL is coated on the light reflective surface of the stem 210.

【0241】図79は、本実施形態による第3の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0241] Figure 79 is a schematic view illustrating a third semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置250Iは、いわゆる基板タイプのSMDランプである。 That is, the semiconductor light-emitting device 250I, expressed as cross-sectional view in the figure is a SMD lamps of the so-called substrate type. そして、その基板2 Then, the substrate 2
60の光反射面の上に蛍光物質層FLが塗布されている。 Phosphor layer FL is applied on the 60 of the light reflecting surface.

【0242】図80は、本実施形態による第4の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0242] Figure 80 is a schematic view illustrating a fourth semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置300Iは、いわゆるリード・フレーム・タイプのSMDランプである。 That is, the semiconductor light-emitting device 300I, expressed as cross-sectional view in the figure is a so-called lead frame type of SMD lamps. そして、そのリード・フレーム310の光反射面の上に蛍光物質層FLが塗布されている。 Then, the fluorescent material layer FL is coated on the light reflective surface of the lead frame 310.

【0243】図81は、本実施形態による第5の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0243] Figure 81 is a schematic view illustrating a fifth semiconductor light-emitting device of the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置350Iは、いわゆる面発光型の半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light-emitting device 350I, expressed as cross-sectional view in the figure, a semiconductor light-emitting device of the so-called surface-emitting type. そして、その光反射板370の上に蛍光物質層FLが塗布されている。 Then, the fluorescent material layer FL is coated on the light reflection plate 370.

【0244】図82は、本実施形態による第6の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0244] Figure 82 is a schematic view illustrating a semiconductor light-emitting device of the sixth of the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置400Iは、いわゆるドーム型の半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light-emitting device 400I, expressed as cross-sectional view in the figure is a so-called dome-type semiconductor light-emitting device. そして、そのリード・フレーム410の光反射面の上に蛍光物質層FLが塗布されている。 Then, the fluorescent material layer FL is coated on the light reflective surface of the lead frame 410.

【0245】図83は、本実施形態による第7の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0245] Figure 83 is a schematic view illustrating a seventh semiconductor light-emitting device of the present embodiment. すなわち、同図に平面図および断面図として表した半導体発光装置450I That is, the semiconductor light-emitting device 450I, expressed as a plan view and a cross-sectional view in FIG.
は、いわゆるメータ指針型の半導体発光装置である。 It is a so-called meter pointer type semiconductor light-emitting device. そして、その基板460の光反射面の上に、蛍光物質層F Then, on the light reflecting surface of the substrate 460, phosphor layers F
Lが塗布されている。 L is applied.

【0246】図84は、本実施形態による第8の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0246] Figure 84 is a schematic view illustrating a semiconductor light-emitting device of the eighth of the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置500Iは、いわゆる基板タイプの7セグメント型半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light-emitting device 500I, expressed as cross-sectional view in the figure is a seven segment type semiconductor light-emitting device of the so-called substrate type. そして、その光反射板520の上に蛍光物質層FLが塗布されている。 Then, the fluorescent material layer FL is coated on the light reflection plate 520. なお、同図に示した例は、いわゆる「中空タイプ」を表すが、この他にも「樹脂封止タイプ」についても本実施形態を同様に適用することができる。 The example shown in the figure, represents a so-called "hollow type", in addition to this it is also possible to apply the present embodiment as well for the "resin sealing type".

【0247】図85は、本実施形態による第9の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0247] Figure 85 is a schematic view illustrating a semiconductor light-emitting device of the ninth of the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置550Iは、いわゆるリード・フレーム・タイプの7セグメント型半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light-emitting device 550I, expressed as cross-sectional view in the figure is a seven segment type semiconductor light-emitting device of the so-called lead frame type. そして、その光反射板570の表面に蛍光物質層FLが塗布されている。 Then, the fluorescent material layer FL is applied to the surface of the light reflection plate 570.

【0248】図86は、本実施形態による第10の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0248] Figure 86 is a schematic view illustrating a tenth semiconductor light-emitting device of the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置650Iは、いわゆるマトリクス型の半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light-emitting device 650I, expressed as cross-sectional view in the figure is a so-called matrix type semiconductor light-emitting device. そして、その光反射板670の表面に蛍光物質層FLが塗布されている。 Then, the fluorescent material layer FL is applied to the surface of the light reflection plate 670.

【0249】図87は、本実施形態による第11の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0249] Figure 87 is a schematic view illustrating a semiconductor light-emitting device of the eleventh of the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置700Iは、いわゆるアレイ型の半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light-emitting device 700I, expressed as cross-sectional view in the figure is a so-called array type semiconductor light-emitting device. そして、その光反射板722および仕切板724の表面に蛍光物質層FL Then, the fluorescent material layer FL on the surface of the light reflection plate 722 and the partition plate 724
が塗布されている。 There has been applied.

【0250】図88は、本実施形態による第12の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0250] Figure 88 is a schematic view illustrating a twelfth semiconductor light-emitting device of the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置750Iは、いわゆるキャン型レーザとしての半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light-emitting device 750I, expressed as cross-sectional view in the figure, a semiconductor light-emitting device as a so-called scanning type laser. そして、そのステム770の光反射面に蛍光物質層FLが塗布されている。 Then, the fluorescent material layer FL is applied to the light reflecting surface of the stem 770.

【0251】以上、本発明の第10の実施形態の具体例について、図77〜図88を参照しつつ説明した。 [0251] Although the specific example of the tenth embodiment of the present invention has been described with reference to FIG. 77 to FIG 88. 前述したいずれの具体例においても、図77に関して前述した種々の効果を同様に得ることができる。 In any of the examples described above, it is possible to obtain the same various effects as described above with respect to FIG. 77.

【0252】次に、本発明の第11の実施の形態について説明する。 [0252] The following describes a eleventh embodiment of the present invention. 本実施形態においては、半導体発光装置の光取り出し部に蛍光物質の層を配置することにより、半導体発光素子からの光を効率良く波長変換して外部に取り出すことができる半導体発光装置を実現することができる。 In the present embodiment, by disposing a layer of fluorescent substance on the light extraction portion of the semiconductor light-emitting device, to realize a semiconductor light-emitting device can be taken out to the outside efficiently wavelength-converted light from the semiconductor light emitting element can.

【0253】図89は、本実施形態に係る半導体発光装置を例示する模式図である。 [0253] Figure 89 is a schematic view illustrating a semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置350Jは、いわゆる面発光型の半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light-emitting device 350J, expressed as cross-sectional view in the figure, a semiconductor light-emitting device of the so-called surface-emitting type. そして、発光装置の光取り出し窓部に蛍光物質層FLが配置されており、半導体発光素子990からの光を波長変換して、外部に取り出すことができるようにされている。 Then, and the fluorescent material layer FL on a light extraction window of the light emitting device is disposed, and a wavelength conversion light from the semiconductor light emitting element 990, it is to be be taken out.

【0254】このような蛍光物質層FLは、例えば、蛍光物質を分散させた溶剤を光取り出し窓上に塗布し、乾燥させることにより形成することができる。 [0254] Such phosphor layer FL, for example, can be formed by a solvent containing a dispersed fluorescent material is coated on the light extraction on the window, and dried. 溶剤の種類としては、前述した場合と同様に、例えば、樹脂系、ゴム系、有機材料系、無機材料系、澱粉質系、タンパク質、タール系、金属半田系などを挙げることができる。 The type of solvent, as in the case described above, for example, resin, rubber, an organic material, an inorganic material-based, starch-based, protein, tar, and the like metal solder systems.
ここで、無機系の溶媒を用いた場合には、耐熱性や耐薬品性が高く、不燃性も得られる点で有利である。 Here, in the case of using an inorganic solvent, heat resistance and high chemical resistance, it is advantageous in that the incombustible also obtained. また、 Also,
ゴム系、澱粉質あるいはタンパク質を用いた場合には、 When using a rubber-based, starch or proteins,
乾燥後の応力が緩和され、溶剤の残留応力に起因するクラックなどの不良を防止することができる点で有利である。 Stress after drying is reduced, which is advantageous in that it is possible to prevent the failure such as cracks due to residual stress of the solvent. また、澱粉質やタンパク質は、水溶性を有する点で扱いやすいという利点も有する。 Further, starch and protein also has the advantage of being easily handled in that it has a water solubility.

【0255】また、予め蛍光物質を塗布あるいは内部に分散させた光透過性フィルムを、半導体発光装置の光取り出し窓に貼り付けても良い。 [0255] Further, the light transmissive film having dispersed in advance fluorescent substance coating or internally, may be attached to the light transmitting window of the semiconductor light-emitting device.

【0256】一方、光取り出し部において、集光レンズを有するような半導体発光装置の場合は、蛍光物質をそのレンズ表面に塗布あるいは内部に分散させても良い。 [0256] On the other hand, in the light extraction portion, in the case of the semiconductor light-emitting device as having a condensing lens may be a fluorescent material is dispersed coated or internally on the lens surface.

【0257】本実施形態においても、半導体発光素子9 [0257] Also in this embodiment, the semiconductor light-emitting element 9
90は、蛍光物質を含有しているものである必要はない。 90 need not those containing a fluorescent substance. しかし、通常得られる多くの蛍光物質において高い波長変換効率を得るためには、青色若しくはそれよりも波長が短い紫外線領域において、高い輝度を有する半導体発光素子であることが望ましい。 However, in order to obtain a high wavelength conversion efficiency in a number of fluorescent materials usually obtained, in the blue or ultraviolet region wavelength is shorter than that, it is desirable that the semiconductor light-emitting device having high luminance. このような半導体発光素子としては、例えば、図1や図2に関して説明したような、GaN系、ZnSe系、SiC系、ZnS系、 Examples of such a semiconductor light emitting device, for example, as described with reference to FIGS. 1 and 2, GaN-based, ZnSe type, SiC-based, ZnS system,
BN系などの半導体材料を発光層に用いた発光素子を挙げることができる。 A semiconductor material such as BN systems can be mentioned light-emitting element using the light-emitting layer.

【0258】また、本実施形態においても、用いる蛍光物質としては、第1実施形態において説明したような種々の無機蛍光体や有機蛍光体を適宜選択して用いることができる。 [0258] Also in this embodiment, the fluorescent substance to be used may be used a variety of inorganic phosphors or organic phosphors as described in the first embodiment appropriately selected. その選択に際しては、用いる半導体発光素子の発光波長と、所望の取り出し光の波長との関係において、高い波長変換効率を有するような蛍光物質を選択することが望ましい。 In the selection, the emission wavelength of the semiconductor light emitting device using, in relation to the desired wavelength of extracted light, it is desirable to select a fluorescent material such that it has a high wavelength conversion efficiency. また、可視光領域以外の波長の光で効果的に励起されるものを選択することが望ましい。 Further, it is desirable to select what is effectively excited by light having a wavelength other than visible light region. 可視光で励起される蛍光物質を用いると、半導体発光装置を並列に配置した時にいわゆる「混色」が生ずるからである。 With the fluorescent material is excited by visible light, because the so-called "color mixture" may occur when placing the semiconductor light-emitting device in parallel. すなわち、半導体発光装置の蛍光物質が、隣接する発光装置からの可視光を受けて励起され、不必要な発光を生ずることがあるからである。 That is, the fluorescent material of the semiconductor light emitting device is excited by visible light from the adjacent light emitting device, because it may result in unwanted light emission.

【0259】本実施形態によれば、半導体発光素子99 [0259] According to this embodiment, the semiconductor light emitting element 99
0からの光を蛍光体層FLで波長変換して外部に取り出すので、発光波長の均一性が非常に良好となる。 Since the light from the 0 the phosphor layer FL taken out by wavelength conversion, the uniformity of the emission wavelength is very good. すなわち、蛍光体の発光波長は、励起光の強度や波長に依存することなく、一定であるので半導体発光素子の特性にばらつきがあるような場合でも、半導体発光装置の発光波長は、安定する。 That is, the emission wavelength of the phosphor, without depending on the intensity and wavelength of the excitation light, even when the there are variations in characteristics of the semiconductor light-emitting device because it is constant, the emission wavelength of the semiconductor light-emitting device is stabilized. また、同様の理由で、駆動電流や印加電圧に依存した発光波長のばらつきを抑制することもできる。 For the same reason, the variation in light emission wavelength depending on the drive current and the applied voltage can be suppressed.

【0260】また、本実施形態によれば、発光装置の寿命をのばし、製造コストも低減することができる。 [0260] Further, according to this embodiment, extends the life of the light emitting device, it is also possible to reduce the manufacturing cost. さらに、励起光源として、紫外線領域の光を利用することにより、可視光領域で生ずる「混色」を解消することもできる。 Further, as an excitation light source, by utilizing the light in the ultraviolet region, it is also possible to eliminate the "color mixture" which occurs in the visible light region.

【0261】以下、本実施形態に係る半導体発光装置の具体例について、図面を参照しつつ説明する。 [0261] Hereinafter, a specific example of the semiconductor light-emitting device according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. なお、以下に説明する具体例においては、前述と同一の箇所には同一の符合を付して説明を省略する。 In the specific examples described below, its description is omitted with the same reference numerals to the same portions as described above.

【0262】図90は、本実施形態による第2の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0262] Figure 90 is a schematic view illustrating a second semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図に平面図および断面図として表した半導体発光装置450J That is, the semiconductor light-emitting device 450J, expressed as a plan view and a cross-sectional view in FIG.
は、いわゆるメータ指針型の半導体発光装置である。 It is a so-called meter pointer type semiconductor light-emitting device. そして、その光取り出し部に、前述したいずれかの方法により蛍光物質層FLが形成されている。 Then, the light extraction portion, the fluorescent material layer FL is formed by any of the methods described above.

【0263】図91は、本実施形態による第3の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0263] Figure 91 is a schematic view illustrating a third semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置500Jは、いわゆる基板タイプの7セグメント型半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light-emitting device 500J, expressed as cross-sectional view in the figure is a seven segment type semiconductor light-emitting device of the so-called substrate type. そして、その光取り出し部に、前述したいずれかの方法により、蛍光物質層FLが形成されている。 Then, the light extraction portion, by any of the methods described above, the fluorescent material layer FL is formed. なお、同図に示した例は、いわゆる「中空タイプ」を表すが、この他にも「樹脂封止タイプ」についても本実施形態を同様に適用することができる。 The example shown in the figure, represents a so-called "hollow type", in addition to this it is also possible to apply the present embodiment as well for the "resin sealing type".

【0264】図92は、本実施形態による第4の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0264] Figure 92 is a schematic view illustrating a fourth semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置550Jは、いわゆるリード・フレーム・タイプの7セグメント型半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light-emitting device 550J, expressed as cross-sectional view in the figure is a seven segment type semiconductor light-emitting device of the so-called lead frame type. そして、その光取り出し部に、前述したいずれかの方法により、蛍光物質層FLが形成されている。 Then, the light extraction portion, by any of the methods described above, the fluorescent material layer FL is formed.

【0265】図93は、本実施形態による第5の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0265] Figure 93 is a schematic view illustrating a fifth semiconductor light-emitting device of the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置650Jは、いわゆるマトリクス型の半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light-emitting device 650J, expressed as cross-sectional view in the figure is a so-called matrix type semiconductor light-emitting device. そして、その光取り出し部に、前述したいずれかの方法により、蛍光物質層FLが形成されている。 Then, the light extraction portion, by any of the methods described above, the fluorescent material layer FL is formed.

【0266】図94は、本実施形態による第6の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0266] Figure 94 is a schematic view illustrating a sixth semiconductor light-emitting device of the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置700Jは、いわゆるアレイ型の半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light-emitting device 700J, expressed as cross-sectional view in the figure is a so-called array type semiconductor light-emitting device. そして、そのロッド・レンズ740に蛍光物質が含有されている。 Then, the fluorescent material is contained in the rod lens 740. また、ロッド・レンズ740の表面に蛍光物質を塗布、あるいは蛍光物質を含有した透明フィルムを貼り付けても良い。 Also, the fluorescent substance on the surface of the rod lens 740 is applied, or may be attached to a transparent film containing a fluorescent substance.

【0267】図95は、本実施形態による第7の半導体発光装置を例示する模式図である。 [0267] Figure 95 is a schematic view illustrating a seventh semiconductor light-emitting device of the present embodiment. すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置750Jは、いわゆるキャン型レーザとしての半導体発光装置である。 That is, the semiconductor light-emitting device 750J, expressed as cross-sectional view in the figure, a semiconductor light-emitting device as a so-called scanning type laser. そして、その光取り出し部に、前述したいずれかの方法により、蛍光物質層FLが形成されている。 Then, the light extraction portion, by any of the methods described above, the fluorescent material layer FL is formed.

【0268】以上、本発明の第11の実施形態の具体例について、図89〜図95を参照しつつ説明した。 [0268] Although the specific example of the eleventh embodiment of the present invention has been described with reference to FIG. 89 to FIG 95. 前述したいずれの具体例においても、図89に関して前述した種々の効果も同様に得ることができる。 In any of the examples described above, it can be obtained as well the various effects described above with respect to FIG. 89.

【0269】次に、本発明の第12の実施の形態について説明する。 [0269] The following describes a twelfth embodiment of the present invention. 本実施形態においては、半導体発光装置の発光素子の光取り出し部の近傍に蛍光物質の塊を配置することにより、半導体発光素子からの光を効率良く波長変換して外部に取り出すことができる半導体発光装置を実現することができる。 In the present embodiment, by arranging the mass of fluorescent material in the vicinity of the light extraction portion of the light emitting elements of the semiconductor light emitting device, a semiconductor light emission can be extracted to the outside efficiently wavelength-converted light from the semiconductor light emitting element it is possible to realize a device.

【0270】図96は、本実施形態に係る半導体発光装置を例示する模式図である。 [0270] Figure 96 is a schematic view illustrating a semiconductor light-emitting device according to the present embodiment. すなわち、同図(a)および(b)に断面図として表した半導体発光装置100K That is, the semiconductor light emitting device 100K, expressed as cross-sectional view in FIG. (A) and (b)
および100Lは、いわゆるリード・フレーム・タイプのLEDランプである。 And 100L is a so-called lead frame type of LED lamp.

【0271】同図(a)に示したLEDランプ100K [0271] LED lamp 100K shown in FIG. (A)
においては、平板状に加工した蛍光体の塊FLを半導体発光素子990の上方に配置して波長変換するように構成されている。 In is configured to wavelength conversion by placing lump FL phosphor processed into flat above the semiconductor light emitting element 990. また、同図(b)に示したLEDランプ100Lにおいては、円盤状に加工した蛍光体の塊FL In the LED lamp 100L shown in FIG. (B), the mass of the disk-like in processed phosphor FL
が半導体発光素子990の上方に配置され、さらにその周囲を覆うように加工した蛍光体の塊FLが配置されている。 There is disposed above the semiconductor light emitting element 990, and further mass FL of processed phosphor disposed so as to cover the periphery thereof. このような蛍光体の塊FLは、例えば、有機材料や無機材料などの所定の媒体に蛍光体を混合して焼結することにより形成することができる。 The mass FL of such phosphors, for example, can be formed by sintering a mixture of phosphors in a predetermined media such as organic materials and inorganic materials. また、その形状や配置する位置については、半導体発光装置の構成に応じて適宜最適化することができる。 Also, the shape and arrangement position can be optimized appropriately according to the configuration of the semiconductor light-emitting device. 本実施形態においても、半導体発光素子990から放出された光は蛍光体F In this embodiment, light emitted from the semiconductor light emitting device 990 is the phosphor F
Lにより波長変換されて外部に取り出すことができるようになる。 So it can be taken out is wavelength-converted by the L. 従って、前述した各実施形態と同様の効果を得ることができる。 Therefore, it is possible to obtain the same effect as the embodiment described above.

【0272】 [0272]

【発明の効果】本発明は、以上説明したような形態で実施され、以下に説明する効果を奏する。 According to the present invention, it is implemented in the form as described above, the effect described below. 本発明によれば、半導体発光素子の発光層からの発光を直接取り出すことがなく、蛍光物質により波長変換することとしているので、半導体発光素子の製造パラメータのばらつき、 According to the present invention, without the light emitted from the light emitting layer of the semiconductor light emitting device directly, since a possible wavelength conversion by the fluorescent substance, variation in manufacturing parameters of the semiconductor light emitting element,
駆動電流、温度などに依存して、発光波長が変動するという問題を解消することができる。 Drive current, and depends on the temperature, the emission wavelength can be solved the problem of fluctuation. すなわち、本発明によれば、発光波長が極めて安定で、発光輝度と発光波長とを独立して制御することができるようになる。 That is, according to the present invention, a light emitting wavelength is very stable, it is possible to independently control the light-emitting luminance and the emission wavelength.

【0273】また、本発明によれば、用いる蛍光物質を適宜組み合わせることによって、容易に複数の発光波長を得ることができる。 [0273] Further, according to the present invention, by combining the fluorescent substance used as appropriate, can be easily obtain a plurality of emission wavelengths. 例えば、赤(R)、緑(G)、青(B)の蛍光物質を適宜混合して、発光素子に含有させれば、白色光の発光を容易に得ることができる。 For example, red (R), green (G), and appropriately mixed fluorescent material and blue (B), be contained in the light emitting element, it is possible to obtain light emission of the white light easily.

【0274】さらに、本発明によれば、発光波長に応じて、内蔵する半導体発光素子の材料や構造を適宜選択し、変更する必要がなくなる。 [0274] Further, according to the present invention, depending on the emission wavelength, by appropriately selecting the material and structure of a semiconductor light emitting device built, there is no need to change. 例えば、従来は、赤色において発光させるためには、AlGaAs系材料を用い、黄色においてはGaAsP系またはlnGaAlP For example, conventionally, in order to emit light in red, using a AlGaAs material, GaAsP-based, or in yellow lnGaAlP
系材料、緑色系においてはGaPまたはInGaAlP System material, GaP or InGaAlP in greenish
系材料、青色においてはInGaN系材料の如く、最適な材料をその波長に併せて選択しなければならないという問題があった。 System material, in blue as InGaN-based material, there is a problem that must be selected in conjunction the best material to its wavelength. これに対して、本発明によれば、発光波長に応じて蛍光物質の種類を適宜選択すれば良く、半導体発光素子を変更する必要がなくなる。 In contrast, according to the present invention, may be suitably selecting the type of fluorescent material in accordance with the emission wavelength, it is not necessary to change the semiconductor light-emitting element.

【0275】また、本発明によれば、異なる発光色を有する半導体発光素子を並べる必要がある場合においても、発光色の変更は、用いる蛍光体の種類を変えるだけで済み、半導体発光素子の材料や構造は同一とすることができる。 [0275] Further, according to the present invention, even when it is necessary to arrange the semiconductor light emitting elements having different emission colors, changes of luminescent color, requires only changing the kind of phosphor used, the semiconductor light emitting device material and structures can be identical. 従って、発光装置の構成を極めて簡略化することが可能となり、製造コストを顕著に低減することができるとともに、信頼性も高く、また、駆動電流や、供給電圧、あるいは素子のサイズなどを共通にすることにより、応用範囲を顕著に拡大することができるという利点も生ずる。 Therefore, configure it is possible to extremely simplify the light emitting device, it is possible to significantly reduce the manufacturing cost, highly reliable, also the driving current or the supply voltage or the like in a common size of the device, by also arises an advantage that it is possible to remarkably expand the application range.

【0276】このように、本発明によれば、比較的簡略な構成により、発光波長が極めて安定で、しかも、可視光から赤外線領域までの種々の波長において高い輝度で発光させることができる半導体発光素子および半導体発光装置を提供することができ、産業上のメリットは多大である。 [0276] Thus, according to the present invention, relatively the simpler configuration, the emission wavelength is extremely stable and the semiconductor light emission can emit light with high luminance at various wavelengths from visible light to infrared region can provide an element and a semiconductor light emitting device, the benefits of the industry is enormous.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明による第1の半導体発光素子の概略構成を表す断面図である。 1 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a first semiconductor light emitting device according to the present invention.

【図2】本発明による第2の半導体発光素子の概略構成を表す断面図である。 2 is a sectional view illustrating a schematic configuration of the second semiconductor light emitting device according to the present invention.

【図3】本発明の第2実施形態に係る第1の半導体発光装置を表す断面模式図である。 3 is a cross-sectional schematic view showing a first semiconductor light emitting device according to a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第2実施形態に係る第2の半導体発光装置を表す断面模式図である。 4 is a sectional schematic view showing a second semiconductor light emitting device according to a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第2実施形態に係る第3の半導体発光装置を表す断面模式図である。 5 is a cross-sectional schematic view showing a third semiconductor light emitting device according to a second embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第2実施形態に係る第4の半導体発光装置を表す断面模式図である。 6 is a cross-sectional schematic view showing a fourth semiconductor light-emitting device according to a second embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第2実施形態に係る第5の半導体発光装置を表す断面模式図である。 7 is a cross-sectional schematic view showing a fifth semiconductor light emitting device according to a second embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第2実施形態に係る第6の半導体発光装置を表す断面模式図である。 8 is a cross-sectional schematic view showing a sixth semiconductor light emitting device according to a second embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第2実施形態に係る第7の半導体発光装置を表す断面模式図である。 9 is a cross-sectional schematic view showing a seventh semiconductor light emitting device according to a second embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第2実施形態に係る第8の半導体発光装置を表す断面模式図である。 10 is a cross-sectional schematic view showing an eighth semiconductor light emitting device according to a second embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第2実施形態に係る第9の半導体発光装置を表す断面模式図である。 11 is a cross-sectional schematic view showing a semiconductor light emitting device of the ninth according to a second embodiment of the present invention.

【図12】本発明の第2実施形態に係る第10の半導体発光装置を表す断面模式図である。 12 is a cross-sectional schematic view showing a tenth semiconductor light emitting device according to a second embodiment of the present invention.

【図13】本発明の第2実施形態に係る第11の半導体発光装置を表す断面模式図である。 13 is a cross-sectional schematic view showing an eleventh semiconductor light emitting device according to a second embodiment of the present invention.

【図14】本発明の第2実施形態に係る第12の半導体発光装置を表す断面模式図である。 14 is a cross-sectional schematic view showing a twelfth semiconductor light emitting device according to a second embodiment of the present invention.

【図15】本発明の第2実施形態に係る第13の半導体発光装置を表す断面模式図である。 15 is a thirteenth sectional schematic view showing a semiconductor light emitting device according to a second embodiment of the present invention.

【図16】本発明の第3実施形態に係る第1の半導体発光装置を表す断面模式図である。 16 is a cross-sectional schematic view showing a first semiconductor light emitting device according to a third embodiment of the present invention.

【図17】本発明の第3実施形態に係る第2の半導体発光装置を表す断面模式図である。 17 is a cross-sectional schematic view showing a second semiconductor light emitting device according to a third embodiment of the present invention.

【図18】本発明の第3実施形態に係る第3の半導体発光装置を表す断面模式図である。 18 is a schematic sectional view showing a third semiconductor light emitting device according to a third embodiment of the present invention.

【図19】本発明の第3実施形態に係る第4の半導体発光装置を表す断面模式図である。 19 is a cross-sectional schematic view showing a fourth semiconductor light-emitting device according to a third embodiment of the present invention.

【図20】本発明の第3実施形態に係る第5の半導体発光装置を表す断面模式図である。 20 is a cross-sectional schematic view showing a fifth semiconductor light emitting device according to a third embodiment of the present invention.

【図21】本発明の第3実施形態に係る第6の半導体発光装置を表す断面模式図である。 21 is a cross-sectional schematic view showing a sixth semiconductor light emitting device according to a third embodiment of the present invention.

【図22】本発明の第3実施形態に係る第7の半導体発光装置を表す断面模式図である。 22 is a cross-sectional schematic view showing a seventh semiconductor light emitting device according to a third embodiment of the present invention.

【図23】本発明の第3実施形態に係る第8の半導体発光装置を表す断面模式図である。 23 is a cross-sectional schematic view showing an eighth semiconductor light emitting device according to a third embodiment of the present invention.

【図24】本発明の第3実施形態に係る第9の半導体発光装置を表す断面模式図である。 24 is a cross-sectional schematic view showing a ninth semiconductor light emitting device according to a third embodiment of the present invention.

【図25】本発明の第3実施形態に係る第10の半導体発光装置を表す断面模式図である。 25 is a cross-sectional schematic view showing a tenth semiconductor light emitting device according to a third embodiment of the present invention.

【図26】本発明の第3実施形態に係る第11の半導体発光装置を表す断面模式図である。 26 is a 11th cross-sectional schematic view showing a semiconductor light emitting device according to a third embodiment of the present invention.

【図27】本発明の第4実施形態に係る第1の半導体発光装置を表す模式図である。 27 is a schematic view showing a first semiconductor light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図28】本発明の第4実施形態に係る第2の半導体発光装置を表す模式図である。 FIG. 28 is a schematic view showing a second semiconductor light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図29】本発明の第4実施形態に係る第3の半導体発光装置を表す模式図である。 29 is a schematic view showing a third semiconductor light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図30】本発明の第4実施形態に係る第4の半導体発光装置を表す模式図である。 It is a schematic view showing a fourth semiconductor light-emitting device according to the fourth embodiment of Figure 30 the present invention.

【図31】本発明の第4実施形態に係る第5の半導体発光装置を表す模式図である。 FIG. 31 is a schematic view showing a fifth semiconductor light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図32】本発明の第4実施形態に係る第6の半導体発光装置を表す模式図である。 FIG. 32 is a schematic view showing a semiconductor light emitting device of the sixth according to a fourth embodiment of the present invention.

【図33】本発明の第4実施形態に係る第7の半導体発光装置を表す模式図である。 33 is a schematic view showing a seventh semiconductor light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図34】本発明の第4実施形態に係る第8の半導体発光装置を表す模式図である。 FIG. 34 is a schematic view showing an eighth semiconductor light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図35】本発明の第5実施形態に係る第1の半導体発光装置を表す模式図である。 FIG. 35 is a schematic view showing a first semiconductor light emitting device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図36】本発明の第5実施形態に係る第2の半導体発光装置を表す模式図である。 36 is a schematic view showing a second semiconductor light emitting device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図37】本発明の第5実施形態に係る第3の半導体発光装置を表す模式図である。 It is a schematic view showing a third semiconductor light emitting device according to a fifth embodiment of Figure 37 the present invention.

【図38】本発明の第5実施形態に係る第4の半導体発光装置を表す模式図である。 38 is a schematic view showing a fourth semiconductor light-emitting device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図39】本発明の第5実施形態に係る第5の半導体発光装置を表す模式図である。 FIG. 39 is a schematic view showing a fifth semiconductor light emitting device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図40】本発明の第5実施形態に係る第6の半導体発光装置を表す模式図である。 It is a schematic view showing a sixth semiconductor light emitting device according to a fifth embodiment of Figure 40 the present invention.

【図41】本発明の第6実施形態に係る第1の半導体発光装置を表す模式図である。 41 is a schematic view showing a first semiconductor light emitting device according to a sixth embodiment of the present invention.

【図42】本発明の第6実施形態に係る第2の半導体発光装置を表す模式図である。 42 is a schematic view showing a second semiconductor light emitting device according to a sixth embodiment of the present invention.

【図43】本発明の第6実施形態に係る第3の半導体発光装置を表す模式図である。 FIG. 43 is a schematic view showing a third semiconductor light emitting device according to a sixth embodiment of the present invention.

【図44】本発明の第6実施形態に係る第4の半導体発光装置を表す模式図である。 FIG. 44 is a schematic view showing a fourth semiconductor light-emitting device according to a sixth embodiment of the present invention.

【図45】本発明の第6実施形態に係る第5の半導体発光装置を表す模式図である。 It is a schematic view showing a fifth semiconductor light emitting device according to a sixth embodiment of FIG. 45 the present invention.

【図46】本発明の第6実施形態に係る第6の半導体発光装置を表す模式図である。 FIG. 46 is a schematic view showing a sixth semiconductor light emitting device according to a sixth embodiment of the present invention.

【図47】本発明の第7実施形態に係る第1の半導体発光装置を表す模式図である。 FIG. 47 is a schematic view showing a first semiconductor light emitting device according to a seventh embodiment of the present invention.

【図48】本発明の第7実施形態に係る第2の半導体発光装置を表す模式図である。 FIG. 48 is a schematic view showing a second semiconductor light emitting device according to a seventh embodiment of the present invention.

【図49】本発明の第7実施形態に係る第3の半導体発光装置を表す模式図である。 FIG. 49 is a schematic view showing a third semiconductor light emitting device according to a seventh embodiment of the present invention.

【図50】本発明の第7実施形態に係る第4の半導体発光装置を表す模式図である。 FIG. 50 is a schematic view showing a fourth semiconductor light-emitting device according to a seventh embodiment of the present invention.

【図51】本発明の第7実施形態に係る第5の半導体発光装置を表す模式図である。 51 is a schematic view showing a fifth semiconductor light emitting device according to a seventh embodiment of the present invention.

【図52】本発明の第7実施形態に係る第6の半導体発光装置を表す模式図である。 FIG. 52 is a schematic view showing a sixth semiconductor light emitting device according to a seventh embodiment of the present invention.

【図53】本発明の第8実施形態に係る第1の半導体発光装置を表す模式図である。 FIG. 53 is a schematic view showing a first semiconductor light emitting device according to an eighth embodiment of the present invention.

【図54】本発明の第8実施形態に係る第2の半導体発光装置を表す模式図である。 FIG. 54 is a schematic view showing a second semiconductor light emitting device according to an eighth embodiment of the present invention.

【図55】本発明の第8実施形態に係る第3の半導体発光装置を表す模式図である。 It is a schematic view showing a third semiconductor light emitting device according to the eighth embodiment of FIG. 55 the present invention.

【図56】本発明の第8実施形態に係る第4の半導体発光装置を表す模式図である。 FIG. 56 is a schematic view showing a fourth semiconductor light-emitting device according to an eighth embodiment of the present invention.

【図57】本発明の第8実施形態に係る第5の半導体発光装置を表す模式図である。 FIG. 57 is a schematic view showing a fifth semiconductor light emitting device according to an eighth embodiment of the present invention.

【図58】本発明の第8実施形態に係る第6の半導体発光装置を表す模式図である。 FIG. 58 is a schematic view showing a sixth semiconductor light emitting device according to an eighth embodiment of the present invention.

【図59】本発明の第8実施形態に係る第7の半導体発光装置を表す模式図である。 FIG. 59 is a schematic view showing a seventh semiconductor light emitting device according to an eighth embodiment of the present invention.

【図60】本発明の第8実施形態に係る第8の半導体発光装置を表す模式図である。 It is a schematic view showing an eighth semiconductor light emitting device according to an eighth embodiment of FIG. 60 the present invention.

【図61】本発明の第8実施形態に係る第9の半導体発光装置を表す模式図である。 FIG. 61 is a schematic view showing a ninth semiconductor light emitting device according to an eighth embodiment of the present invention.

【図62】本発明の第8実施形態に係る第10の半導体発光装置を表す模式図である。 62 is a schematic view showing a tenth semiconductor light emitting device according to an eighth embodiment of the present invention.

【図63】本発明の第8実施形態に係る第11の半導体発光装置を表す模式図である。 FIG. 63 is a 11th schematic view showing a semiconductor light emitting device according to an eighth embodiment of the present invention.

【図64】本発明の第8実施形態に係る第12の半導体発光装置を表す模式図である。 FIG. 64 is a schematic view showing a twelfth semiconductor light emitting device according to an eighth embodiment of the present invention.

【図65】本発明の第9実施形態に係る第1の半導体発光装置を表す模式図である。 It is a schematic view showing a first semiconductor light emitting device according to a ninth embodiment of FIG. 65 the present invention.

【図66】本発明の第9実施形態に係る第2の半導体発光装置を表す模式図である。 Figure 66 is a schematic view showing a second semiconductor light emitting device according to a ninth embodiment of the present invention.

【図67】本発明の第9実施形態に係る第3の半導体発光装置を表す模式図である。 FIG. 67 is a schematic view showing a third semiconductor light emitting device according to a ninth embodiment of the present invention.

【図68】本発明の第9実施形態に係る第4の半導体発光装置を表す模式図である。 FIG. 68 is a schematic view showing a fourth semiconductor light-emitting device according to a ninth embodiment of the present invention.

【図69】本発明の第9実施形態に係る第5の半導体発光装置を表す模式図である。 Figure 69 is a schematic view showing a fifth semiconductor light emitting device according to a ninth embodiment of the present invention.

【図70】本発明の第9実施形態に係る第6の半導体発光装置を表す模式図である。 It is a schematic view showing a sixth semiconductor light emitting device according to a ninth embodiment of FIG. 70 the present invention.

【図71】本発明の第9実施形態に係る第7の半導体発光装置を表す模式図である。 Figure 71 is a schematic view showing a seventh semiconductor light emitting device according to a ninth embodiment of the present invention.

【図72】本発明の第9実施形態に係る第8の半導体発光装置を表す模式図である。 Figure 72 is a schematic view showing an eighth semiconductor light emitting device according to a ninth embodiment of the present invention.

【図73】本発明の第9実施形態に係る第9の半導体発光装置を表す模式図である。 Figure 73 is a schematic view showing a ninth semiconductor light emitting device according to a ninth embodiment of the present invention.

【図74】本発明の第9実施形態に係る第10の半導体発光装置を表す模式図である。 Figure 74 is a schematic view showing a tenth semiconductor light emitting device according to a ninth embodiment of the present invention.

【図75】本発明の第9実施形態に係る第11の半導体発光装置を表す模式図である。 Figure 75 is a schematic view showing an eleventh semiconductor light emitting device according to a ninth embodiment of the present invention.

【図76】本発明の第9実施形態に係る第12の半導体発光装置を表す模式図である。 Figure 76 is a schematic view showing a twelfth semiconductor light emitting device according to a ninth embodiment of the present invention.

【図77】本発明の第10実施形態に係る第1の半導体発光装置を表す模式図である。 Figure 77 is a schematic view showing a first semiconductor light emitting device according to a tenth embodiment of the present invention.

【図78】本発明の第10実施形態に係る第2の半導体発光装置を表す模式図である。 Figure 78 is a schematic view showing a second semiconductor light emitting device according to a tenth embodiment of the present invention.

【図79】本発明の第10実施形態に係る第3の半導体発光装置を表す模式図である。 Figure 79 is a schematic view showing a third semiconductor light emitting device according to a tenth embodiment of the present invention.

【図80】本発明の第10実施形態に係る第4の半導体発光装置を表す模式図である。 It is a schematic view showing a fourth semiconductor light-emitting device according to a tenth embodiment of Figure 80 the present invention.

【図81】本発明の第10実施形態に係る第5の半導体発光装置を表す模式図である。 Figure 81 is a schematic view showing a fifth semiconductor light emitting device according to a tenth embodiment of the present invention.

【図82】本発明の第10実施形態に係る第6の半導体発光装置を表す模式図である。 Figure 82 is a schematic view showing a sixth semiconductor light emitting device according to a tenth embodiment of the present invention.

【図83】本発明の第10実施形態に係る第7の半導体発光装置を表す模式図である。 It is a schematic view showing a seventh semiconductor light emitting device according to a tenth embodiment of Figure 83 the present invention.

【図84】本発明の第10実施形態に係る第8の半導体発光装置を表す模式図である。 Figure 84 is a schematic view showing an eighth semiconductor light emitting device according to a tenth embodiment of the present invention.

【図85】本発明の第10実施形態に係る第9の半導体発光装置を表す模式図である。 It is a schematic view showing a ninth semiconductor light emitting device according to a tenth embodiment of Figure 85 the present invention.

【図86】本発明の第10実施形態に係る第10の半導体発光装置を表す模式図である。 Figure 86 is a schematic view showing a tenth semiconductor light emitting device according to a tenth embodiment of the present invention.

【図87】本発明の第10実施形態に係る第11の半導体発光装置を表す模式図である。 Figure 87 is a schematic view showing an eleventh semiconductor light emitting device according to a tenth embodiment of the present invention.

【図88】本発明の第10実施形態に係る第12の半導体発光装置を表す模式図である。 It is a schematic view showing a twelfth semiconductor light emitting device according to a tenth embodiment of Figure 88 the present invention.

【図89】本発明の第11実施形態に係る第1の半導体発光装置を表す模式図である。 Figure 89 is a schematic view showing a first semiconductor light emitting device according to an eleventh embodiment of the present invention.

【図90】本発明の第11実施形態に係る第2の半導体発光装置を表す模式図である。 Figure 90 is a schematic view showing a second semiconductor light emitting device according to an eleventh embodiment of the present invention.

【図91】本発明の第11実施形態に係る第3の半導体発光装置を表す模式図である。 Figure 91 is a schematic view showing a third semiconductor light emitting device according to an eleventh embodiment of the present invention.

【図92】本発明の第11実施形態に係る第4の半導体発光装置を表す模式図である。 It is a schematic view showing a fourth semiconductor light-emitting device according to an eleventh embodiment of Figure 92 the present invention.

【図93】本発明の第11実施形態に係る第5の半導体発光装置を表す模式図である。 It is a schematic view showing a fifth semiconductor light emitting device according to an eleventh embodiment of Figure 93 the present invention.

【図94】本発明の第11実施形態に係る第6の半導体発光装置を表す模式図である。 It is a schematic view showing a sixth semiconductor light emitting device according to an eleventh embodiment of Figure 94 the present invention.

【図95】本発明の第11実施形態に係る第7の半導体発光装置を表す模式図である。 It is a schematic view showing a seventh semiconductor light emitting device according to an eleventh embodiment of Figure 95 the present invention.

【図96】本発明の第12実施形態に係る半導体発光装置を表す模式図である。 It is a schematic view showing a semiconductor light emitting device according to a twelfth embodiment of Figure 96 the present invention.

【図97】従来の窒化ガリウム系発光素子の構成を表す概略断面図である。 Figure 97 is a schematic cross sectional view illustrating a structure of a conventional GaN-based light emitting device.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

10、50 半導体発光素子 100、200 LEDランプ 250、300 SMDランプ 350 面発光型発光装置 400 ドーム型発光装置 450 メータ指針型発光装置 500、550 7セグメント型発光装置 600 レベル・メータ型発光装置 650 マトリクス型発光装置 700 アレイ型発光装置 750 キャン型発光装置 10,50 semiconductor light emitting elements 100, 200 LED lamps 250,300 SMD lamps 350 surface-emitting light-emitting device 400 domed light emitting device 450 meter pointer light emitting device 500, 550 7-segment light emitting device 600 level meter type light emitting device 650 matrix type light emitting device 700 array type light emitting device 750 scanning type light-emitting device

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴 木 伸 洋 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝川崎事業所内 ────────────────────────────────────────────────── ─── front page of the continuation (72) inventor tin tree stock Shin Hiroshi Kawasaki City, Kanagawa Prefecture, Saiwai-ku Horikawa-cho, 72 address company Toshiba Kawasaki plant

Claims (42)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】第1の波長の光を放出する発光層と、 前記発光層が放出する前記第1の波長の光を吸収して前記第1の波長とは異なる第2の波長の光を放出する蛍光物質と、 を備えたことを特徴とする半導体発光素子。 And 1. A light emitting layer that emits light of a first wavelength, the light of the second wavelength different from the light emitting layer absorbs light of the first wavelength emitted from the first wavelength the semiconductor light emitting element characterized by comprising a, a fluorescent material that emits.
  2. 【請求項2】第1の電極と、 前記第1の電極に接続され、第1の導電型を有する第1 Wherein a first electrode is connected to the first electrode, the first having a first conductivity type
    の半導体層と、 前記第1の半導体層の上に設けられ、第1の波長の光を放出する発光層と、 前記発光層の上に設けられ、第2の導電型を有する第2 And the semiconductor layer, provided on the first semiconductor layer, a light emitting layer that emits light of a first wavelength, provided on the light emitting layer, the second having a second conductivity type
    の半導体層と、 前記第2の半導体層に接続された第2の電極と、を少なくとも備えた半導体発光素子であって、 前記発光層から放出される前記第1の波長の光を吸収し前記第1の波長とは異なる第2の波長の光を放出する蛍光物質を有することを特徴とする半導体発光素子。 And the semiconductor layer, the second electrode connected to the second semiconductor layer, and at least includes a semiconductor light emitting element, and absorbs light of the first wavelength emitted from the light emitting layer wherein the semiconductor light emitting element characterized by having a fluorescent substance that emits light of a second wavelength different from the first wavelength.
  3. 【請求項3】前記蛍光物質は、前記第1の電極と前記第2の電極の少なくともいずれかに含有されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光素子。 Wherein the fluorescent material, a semiconductor light emitting device according to claim 1 or 2, characterized in that it is contained in at least one of the first electrode and the second electrode.
  4. 【請求項4】前記蛍光物質は、前記第1の半導体層、前記発光層、および前記第2の半導体層の少なくともいずれかに含有されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光素子。 Wherein said fluorescent material, said first semiconductor layer, the light emitting layer, and according to claim 1 or 2, characterized in that it is contained in at least one of said second semiconductor layer semiconductor light-emitting element.
  5. 【請求項5】前記蛍光物質は、前記半導体発光素子の表面に堆積されていることを特徴とする請求項1または2 Wherein said fluorescent material, according to claim 1 or 2, characterized in that it is deposited on the surface of the semiconductor light emitting element
    に記載の半導体発光素子。 The semiconductor light emitting device according to.
  6. 【請求項6】前記発光層は、窒化ガリウム系半導体からなり、 前記第2の波長は、前記第1の波長よりも長いことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の半導体発光素子。 Wherein said light emitting layer is made of gallium nitride based semiconductor, the second wavelength, according to any one of claims 1 to 5, characterized in that longer than the first wavelength semiconductor light-emitting element.
  7. 【請求項7】前記発光層は、インジウムを含んだ窒化ガリウム系半導体からなり、 前記第2の波長は、前記第1の波長よりも長いことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の半導体発光素子。 Wherein said light emitting layer is made inclusive gallium nitride-based semiconductor of indium, the second wavelength is any one of claims 1 to 5, wherein longer than said first wavelength the semiconductor light emitting device according to One.
  8. 【請求項8】前記発光層は、ZnSe、ZnSSe、Z Wherein said light emitting layer, ZnSe, ZnSSe, Z
    nS、BN、およびSiCからなる群から選択された材料を含み、 前記第2の波長は、前記第1の波長よりも長いことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の半導体発光素子。 nS, wherein BN, and a material selected from the group consisting of SiC, the second wavelength, according to any one of claims 1 to 5, characterized in that longer than the first wavelength semiconductor light-emitting element.
  9. 【請求項9】前記第1の波長は、380nm以下であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1つに記載の半導体発光素子。 Wherein said first wavelength, the semiconductor light emitting device according to any one of claims 1 to 8, characterized in that at 380nm or less.
  10. 【請求項10】リード・フレームと、 前記リード・フレームの上にマウントされた請求項1〜 10. A lead frame according to claim 1 which is mounted on the lead frame
    9のいずれかに記載の半導体発光素子と、 を備えたことを特徴とする半導体発光装置。 The semiconductor light emitting device characterized by comprising a semiconductor light-emitting device according to 9 or a.
  11. 【請求項11】ステムと、 前記ステムの上にマウントされた請求項1〜9のいずれかに記載の半導体発光素子と、 を備えたことを特徴とする半導体発光装置。 11. stem and a semiconductor light emitting device characterized by comprising a semiconductor light-emitting device according to any one of claims 1 to 9 which is mounted on the stem.
  12. 【請求項12】基板と、 前記基板の上にマウントされた請求項1〜9のいずれかに記載の半導体発光素子と、 を備えたことを特徴とする半導体発光装置。 12. The substrate and the semiconductor light emitting device characterized by comprising a semiconductor light-emitting device according to any one of claims 1 to 9 which is mounted on the substrate.
  13. 【請求項13】実装部材と、 前記実装部材の上にマウントされた半導体発光素子と、 前記半導体発光素子の光出射面の上に堆積され、蛍光物質を含有している波長変換層と、を備え、 前記半導体発光素子から放出された第1の波長の光が前記波長変換層に含有されている前記蛍光物質に吸収されて前記第1の波長と異なる第2の波長の光に変換されて放出されるようにしたことを特徴とする半導体発光装置。 13. A mounting member, and mounted semiconductor light-emitting device on the mounting member, said deposited over the light emitting surface of the semiconductor light emitting element, a wavelength conversion layer containing a fluorescent substance, a provided, are converted into the semiconductor first with the second wavelength light is absorbed by the fluorescent substance contained in the said wavelength conversion layer different from the first wavelength of light emitted from the light emitting element the semiconductor light emitting device is characterized in that so as to be released.
  14. 【請求項14】前記波長変換層は、前記蛍光物質が分散された接着性あるいは粘着性の媒体からなることを特徴とする請求項13記載の半導体発光装置。 14. The method of claim 13, wherein the wavelength conversion layer, the semiconductor light emitting device according to claim 13, wherein the fluorescent material is characterized by comprising the dispersed adhesive or sticky medium.
  15. 【請求項15】前記波長変換層は、前記蛍光物質が分散された媒体からなり、 前記媒体は、無機の重合体、ゴム、澱粉質、およびタンパク質からなる群から選択された材料を主成分としていることを特徴とする請求項13記載の半導体発光装置。 15. The wavelength conversion layer is made of the fluorescent substance is dispersed medium, the medium is a polymer of an inorganic, rubber, starch, and a material selected from the group consisting of proteins as a main component the semiconductor light emitting device according to claim 13, wherein the are.
  16. 【請求項16】前記波長変換層は、無機の重合体、ゴム、澱粉質、およびタンパク質からなる群から選択された材料を主成分としている媒体層と、 前記媒体層の上に積層された前記蛍光物質の層と、を有することを特徴とする請求項13記載の半導体発光装置。 16. The wavelength conversion layer is a polymer of an inorganic, rubber, starch, and a medium layer which is mainly composed of a material selected from the group consisting of proteins, are stacked on top of the medium layer wherein the semiconductor light emitting device according to claim 13, characterized in that it comprises a layer of a fluorescent substance, a.
  17. 【請求項17】前記媒体の光屈折率は、前記半導体発光素子の光出射部を構成している材料の光屈折率と、前記波長変換層に隣接した光出射部分の光屈折率との間の値を有することを特徴とする請求項14または15に記載の半導体発光装置。 17. The refractive index of the medium, between the semiconductor and the optical refractive index of the material constituting the light emitting portion of the light-refractive index of the light exit portion adjacent said wavelength conversion layer the semiconductor light emitting device according to claim 14 or 15, characterized in that it has a value.
  18. 【請求項18】リード・フレームと、 前記リード・フレームの上にマウントされた半導体発光素子と、 前記半導体発光素子を包み込むように設けられた封止樹脂と、を備え、 前記封止樹脂は、光出射側の表面層に選択的に蛍光物質を含有し、前記半導体発光素子から放出された第1の波長の光が前記封止樹脂に含有されている前記蛍光物質に吸収されて前記第1の波長と異なる第2の波長の光に変換されて放出されるようにしたことを特徴とする半導体発光装置。 18. A lead frame, comprising: a mounted semiconductor light-emitting element on the lead frame, and a sealing resin provided so as to wrap the semiconductor light emitting element, the sealing resin, containing selectively fluorescent material on the surface layer of the light emitting side, the semiconductor light emitting element and the first light of the first wavelength emitted is absorbed in the fluorescent substance contained in the said sealing resin from the semiconductor light-emitting device, characterized in that the the so released is converted to a different second wavelength light wavelengths.
  19. 【請求項19】配線基板と、 前記配線基板の上にマウントされた半導体発光素子と、 前記半導体発光素子を包み込むように設けられた封止樹脂と、を備え、 前記封止樹脂は、光出射側の表面層に選択的に蛍光物質を含有し、前記半導体発光素子から放出された第1の波長の光が前記封止樹脂に含有されている前記蛍光物質に吸収されて前記第1の波長と異なる第2の波長の光に変換されて放出されるようにしたことを特徴とする半導体発光装置。 With [19 claims: a wiring board, a semiconductor light emitting element is mounted on the wiring substrate, and a sealing resin provided so as to wrap the semiconductor light emitting element, the sealing resin, the light emitting containing selectively fluorescent material on the surface layer side, the semiconductor first wavelength light is absorbed by the fluorescent material contained in said sealing resin the first wavelength emitted from the light emitting element the semiconductor light-emitting device, characterized in that the the be different second is converted into light having a wavelength of emission.
  20. 【請求項20】ステムと、 前記ステムの上にマウントされた半導体発光素子と、 前記半導体発光素子を包み込むように設けられた封止樹脂と、を備え、 前記封止樹脂は、光出射側の表面層に選択的に蛍光物質を含有し、前記半導体発光素子から放出された第1の波長の光が前記封止樹脂に含有されている前記蛍光物質に吸収されて前記第1の波長と異なる第2の波長の光に変換されて放出されるようにしたことを特徴とする半導体発光装置。 With 20. A stem and mounted semiconductor light-emitting element on the stem, and a sealing resin provided so as to wrap the semiconductor light emitting element, the sealing resin, the light emitting side containing selectively fluorescent material on the surface layer, different from said semiconductor first wavelength light is absorbed by the fluorescent material contained in said sealing resin the first wavelength emitted from the light emitting element the semiconductor light emitting device is characterized in that so as to be released is converted into light of the second wavelength.
  21. 【請求項21】リード・フレームと、 前記リード・フレームの上にマウントされた半導体発光素子と、 前記半導体発光素子を包み込むように設けられた封止樹脂と、 前記封止樹脂の表面に積層された波長変換層と、を備え、 前記波長変換層は、蛍光物質を含有し、前記半導体発光素子から放出された第1の波長の光が前記波長変換層に含有されている前記蛍光物質に吸収されて前記第1の波長と異なる第2の波長の光に変換されて放出されるようにしたことを特徴とする半導体発光装置。 21. A lead frame, and mounted semiconductor light-emitting element on the lead frame, and a sealing resin provided so as to wrap the semiconductor light emitting device, is laminated on the surface of the sealing resin and a wavelength conversion layer, wherein the wavelength conversion layer contains a fluorescent material, absorbed in the first of the fluorescent substance light wavelength is contained in the wavelength conversion layer which is emitted from the semiconductor light emitting element the semiconductor light emitting device is characterized in that so as to be released is converted into the first wavelength is different from the second wavelength light is.
  22. 【請求項22】配線基板と、 前記配線基板の上にマウントされた半導体発光素子と、 前記半導体発光素子を包み込むように設けられた封止樹脂と、 前記封止樹脂の表面に積層された波長変換層と、を備え、 前記波長変換層は、蛍光物質を含有し、前記半導体発光素子から放出された第1の波長の光が前記波長変換層に含有されている前記蛍光物質に吸収されて前記第1の波長と異なる第2の波長の光に変換されて放出されるようにしたことを特徴とする半導体発光装置。 22. A wiring board, a semiconductor light emitting element is mounted on the wiring board, wherein a sealing resin is provided so as to wrap the semiconductor light emitting element, a wavelength which is laminated on the surface of the sealing resin comprising a conversion layer, wherein the wavelength conversion layer contains a fluorescent material, said first wavelength light emitted from the semiconductor light emitting element is absorbed by the fluorescent material contained in the said wavelength conversion layer the semiconductor light emitting device is characterized in that so as to be released is converted into the first wavelength is different from the second wavelength.
  23. 【請求項23】ステムと、 前記ステムの上にマウントされた半導体発光素子と、 前記半導体発光素子を包み込むように設けられた封止樹脂と、 前記封止樹脂の表面に積層された波長変換層と、を備え、 前記波長変換層は、蛍光物質を含有し、前記半導体発光素子から放出された第1の波長の光が前記波長変換層に含有されている前記蛍光物質に吸収されて前記第1の波長と異なる第2の波長の光に変換されて放出されるようにしたことを特徴とする半導体発光装置。 And 23. the stem, and the semiconductor light emitting element mounted on said stem, said semiconductor sealing resin provided so as to surround the light emitting element, the wavelength conversion layer laminated on the surface of the sealing resin When, wherein the wavelength conversion layer contains a fluorescent material, wherein the first wavelength light emitted from the semiconductor light emitting element is absorbed in the fluorescent substance contained in the said wavelength conversion layer first the semiconductor light emitting device is characterized in that so as to be converted has been released to the second wavelength light different from the first wavelength.
  24. 【請求項24】実装部材と、 前記実装部材の上にマウントされた半導体発光素子と、 前記半導体発光素子を取り囲むように設けられた封止樹脂と、を備えた半導体発光装置であって、 前記封止樹脂は、内部に空洞を有し、前記半導体発光素子が前記空洞内に配置されるものとして構成され、且つ前記空洞の内壁面に蛍光物質が堆積され、前記半導体発光素子から放出された第1の波長の光が前記蛍光物質に吸収され、前記第1の波長と異なる第2の波長の光に変換されて放出されるようにしたことを特徴とする半導体発光装置。 And 24. The mounting member, and mounted semiconductor light-emitting device on the mounting member, a semiconductor light emitting device and a sealing resin provided so as to surround the semiconductor light emitting element, wherein sealing resin has a cavity inside, the semiconductor light emitting element is configured as being located in the cavity, is and fluorescent material deposited on the inner wall surface of the cavity, emitted from the semiconductor light emitting element light of the first wavelength is absorbed by the fluorescent material, a semiconductor light-emitting device is characterized in that so as to be released is converted into the first wavelength is different from the second wavelength.
  25. 【請求項25】実装部材と、 前記実装部材の上にマウントされた半導体発光素子と、 前記半導体発光素子を包み込むように設けられた第1の樹脂と、 前記第1の樹脂を包み込むように設けられた封止樹脂と、を備え、 前記第1の樹脂は、蛍光物質を含有し、前記半導体発光素子から放出された第1の波長の光が前記蛍光物質に吸収され、前記第1の波長と異なる第2の波長の光に変換されて放出されるようにしたことを特徴とする半導体発光装置。 And 25. The mounting member is provided so as to surround the mounted semiconductor light-emitting device on the mounting member, a first resin which is provided so as to wrap the semiconductor light emitting element, the first resin comprising a sealing resin which is a said first resin contains a fluorescent substance, the first wavelength light emitted from the semiconductor light emitting element is absorbed by the fluorescent substance, the first wavelength the semiconductor light-emitting device, characterized in that the the be different second is converted into light having a wavelength of emission.
  26. 【請求項26】実装部材と、 前記実装部材の上にマウントされた半導体発光素子と、 前記半導体発光素子を包み込むように設けられた第1の樹脂と、 前記第1の樹脂の表面に堆積された波長変換層と、 第1の樹脂を包み込むように前記波長変換層の外側に設けられた封止樹脂と、を備え、 前記波長変換層は、蛍光物質を含有し、前記半導体発光素子から放出された第1の波長の光が前記蛍光物質に吸収され、前記第1の波長と異なる第2の波長の光に変換されて放出されるようにしたことを特徴とする半導体発光装置。 And 26. A mounting member, and mounted semiconductor light-emitting device on the mounting member, a first resin which is provided so as to wrap the semiconductor light emitting element, is deposited on the first surface of the resin and a wavelength conversion layer, and a sealing resin provided on the outside of the wavelength conversion layer so as to surround the first resin, wherein the wavelength conversion layer contains a fluorescent substance, emitted from the semiconductor light emitting element by light of the first wavelength is absorbed by the fluorescent substance, semiconductor light-emitting device which is characterized in that so as to be released is converted into the first wavelength is different from the second wavelength.
  27. 【請求項27】前記第1の樹脂は、ディッピング樹脂であり、 前記封止樹脂は、モールド樹脂であることを特徴とする請求項25または26に記載の半導体発光装置。 27. The first resin is a dipping resin, the sealing resin, the semiconductor light emitting device according to claim 25 or 26, characterized in that a molding resin.
  28. 【請求項28】実装部材と、 前記実装部材の上にマウントされた半導体発光素子と、 And 28. A mounting member, the semiconductor light emitting element mounted on said mounting member,
    を備え、 前記実装部材は、蛍光物質を含有し、前記半導体発光素子から放出された第1の波長の光が前記蛍光物質に吸収され、前記第1の波長と異なる第2の波長の光に変換されて放出されるようにしたことを特徴とする半導体発光装置。 Wherein the mounting member contains a phosphor, the semiconductor first wavelength light emitted from the light emitting element is absorbed by the fluorescent substance, the first wavelength is different from the second wavelength light the semiconductor light emitting device is characterized in that so as to be converted to released.
  29. 【請求項29】実装部材と、 前記実装部材の上に接着剤によりマウントされた半導体発光素子と、を備え、 前記接着剤は、蛍光物質を含有し、前記半導体発光素子から放出された第1の波長の光が前記蛍光物質に吸収され、前記第1の波長と異なる第2の波長の光に変換されて放出されるようにしたことを特徴とする半導体発光装置。 With a 29. The mounting member, and a semiconductor light emitting element is mounted by an adhesive on said mounting member, said adhesive contains a fluorescent material, said first emitted from the semiconductor light emitting element wherein the wavelengths of light are absorbed by the fluorescent material, a semiconductor light-emitting device is characterized in that so as to be released is converted into the first wavelength is different from the second wavelength.
  30. 【請求項30】実装部材と、 前記実装部材の上に堆積された波長変換層と、 前記波長変換層の上にマウントされた半導体発光素子と、を備え、 前記波長変換層は、蛍光物質を含有し、前記半導体発光素子から放出された第1の波長の光が前記蛍光物質に吸収され、前記第1の波長と異なる第2の波長の光に変換されて放出されるようにしたことを特徴とする半導体発光装置。 And 30. A mounting member, and a wavelength conversion layer deposited on said mounting member, and a mounted semiconductor light-emitting element over the wavelength conversion layer, said wavelength conversion layer, the fluorescent substance contains, that the first wavelength light emitted from the semiconductor light emitting element as the being absorbed by the fluorescent substance is released is converted into the first wavelength is different from the second wavelength light the semiconductor light emitting device according to claim.
  31. 【請求項31】半導体発光素子と、 前記半導体発光素子から放出される光を反射する光反射板と、 前記光反射板の表面に堆積された波長変換層と、を備え、 前記波長変換層は、蛍光物質を含有し、前記半導体発光素子から放出された第1の波長の光が前記蛍光物質に吸収され、前記第1の波長と異なる第2の波長の光に変換されて放出されるようにしたことを特徴とする半導体発光装置。 And 31. A semiconductor light emitting element, a light reflecting plate for reflecting light emitted from the semiconductor light emitting element, and a wavelength conversion layer deposited on the surface of the light reflector, the wavelength conversion layer It contains a fluorescent substance, wherein the semiconductor light of the first wavelength emitted from the light emitting element is absorbed by the fluorescent substance, to be released is converted into the first wavelength is different from the second wavelength light the semiconductor light emitting device according to claim was that the.
  32. 【請求項32】実装部材と、 前記実装部材の上にマウントされた半導体発光素子と、 前記半導体発光素子から放出される光を受けるフィルム層と、を備え、 前記フィルム層は、蛍光物質が内部に混入または表面に堆積され、前記半導体発光素子から放出された第1の波長の光が前記蛍光物質に吸収され、前記第1の波長と異なる第2の波長の光に変換されて放出されるようにしたことを特徴とする半導体発光装置。 And 32. A mounting member, the semiconductor light emitting element mounted on said mounting member, and a film layer for receiving the light emitted from the semiconductor light emitting element, the film layer is an internal fluorescent material is deposited on the mixed or surface, the first wavelength light emitted from the semiconductor light emitting element wherein is absorbed by the fluorescent substance is released is converted into the first wavelength is different from the second wavelength light the semiconductor light-emitting device, characterized in that the the like.
  33. 【請求項33】実装部材と、 前記実装部材の上にマウントされた半導体発光素子と、 前記半導体発光素子の周囲を覆うように設けられた外囲器と、 前記外囲器の光取り出し部に設けられた波長変換部と、 And 33. A mounting member, and mounted semiconductor light-emitting device on the mounting member, an envelope which is provided so as to cover the periphery of the semiconductor light emitting element, the light extraction portion of the envelope a wavelength converter provided,
    を備え、 前記波長変換部は、蛍光物質を含有し、前記半導体発光素子から放出された第1の波長の光が前記蛍光物質に吸収され、前記第1の波長と異なる第2の波長の光に変換されて放出されるようにしたことを特徴とする半導体発光装置。 Wherein the wavelength conversion unit may contain a fluorescent substance, said semiconductor first wavelength light emitted from the light emitting element is absorbed by the fluorescent substance, the first wavelength is different from the second optical wavelengths the semiconductor light emitting device is characterized in that so as to be converted has been released to.
  34. 【請求項34】実装部材と、 前記実装部材の上にマウントされた半導体発光素子と、 前記半導体発光素子から放出される光を集光するレンズと、を備え、 前記レンズは、蛍光物質が内部に混入または表面に堆積され、前記半導体発光素子から放出された第1の波長の光が前記蛍光物質に吸収され、前記第1の波長と異なる第2の波長の光に変換されて放出されるようにしたことを特徴とする半導体発光装置。 Comprising a 34. A mounting member, and mounted semiconductor light-emitting device on the mounting member, and a lens for condensing light emitted from the semiconductor light emitting element, the lens, inside the fluorescent substance is deposited on the mixed or surface, the first wavelength light emitted from the semiconductor light emitting element wherein is absorbed by the fluorescent substance is released is converted into the first wavelength is different from the second wavelength light the semiconductor light-emitting device, characterized in that the the like.
  35. 【請求項35】前記半導体発光素子は、窒化ガリウム系半導体からなる発光層を有し、 前記第1の波長は、前記第2の波長よりも短いことを特徴とする請求項13〜35のいずれか1つに記載の半導体発光装置。 35. The semiconductor light emitting element has a light-emitting layer made of gallium nitride semiconductor, wherein the first wavelength is one of the claims 13 to 35, characterized in that shorter than the second wavelength the semiconductor light emitting device according to one or.
  36. 【請求項36】前記半導体発光素子は、ZnSe、Zn 36. The semiconductor light emitting device, ZnSe, Zn
    S、BN、およびSiCからなる群から選択された材料からなる発光層を有し、 前記第1の波長は、前記第2の波長よりも短いことを特徴とする請求項13〜35のいずれか1つに記載の半導体発光装置。 S, BN, and a light-emitting layer made of a material selected from the group consisting of SiC, the first wavelength may be any of claims 13 to 35, characterized in that shorter than the second wavelength the semiconductor light emitting device according to one.
  37. 【請求項37】前記第1の波長は、380nm以下であることを特徴とする請求項13〜36のいずれか1つに記載の半導体発光装置。 37. the first wavelength, the semiconductor light emitting device according to any one of claims 13 to 36, characterized in that at 380nm or less.
  38. 【請求項38】前記第2の波長は、可視光領域の波長であることを特徴とする請求項13〜37のいずれか1つに記載の半導体発光装置。 38. the second wavelength, the semiconductor light emitting device according to any one of claims 13 to 37, characterized in that the wavelength of the visible light region.
  39. 【請求項39】前記第2の波長は、赤色と緑色と青色とにそれぞれ対応する3種類の波長を少なくとも含むことを特徴とする請求項13〜38のいずれか1つに記載の半導体発光装置。 39. The said second wavelength, the semiconductor light emitting device according to any one of claims 13 to 38, characterized in that it comprises at least three wavelengths corresponding respectively to red, green and blue .
  40. 【請求項40】実装部材の上に半導体発光素子を実装する工程と、 前記半導体発光素子の上に粘着性あるいは接着性の媒体を塗布する工程と、 前記媒体の上に蛍光体を散布する工程と、 前記媒体を乾燥させる工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。 A step of mounting a semiconductor light-emitting element over the 40. The mounting member, a step of applying an adhesive or an adhesive of the medium on the semiconductor light emitting device, the step of spraying a phosphor on the medium When manufacturing method of the semiconductor light emitting device characterized by comprising a, and drying the medium.
  41. 【請求項41】実装部材の上に半導体発光素子を実装する工程と、 前記半導体発光素子の上に予め蛍光体を分散させた粘着性あるいは接着性の媒体を塗布する工程と、 前記媒体を乾燥させる工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。 A step of mounting a semiconductor light-emitting element over the 41. The mounting member, a step of applying an adhesive or an adhesive of medium to disperse the advance phosphor on the semiconductor light emitting device, the medium drying the method of manufacturing a semiconductor light emitting device characterized by comprising: a step of, the.
  42. 【請求項42】前記媒体は、無機の重合体、ゴム、澱粉質、およびタンパク質からなる群から選択された材料を主成分としていることを特徴とする請求項40または4 42. The medium, a polymer of an inorganic, rubber, claim 40 or 4, characterized in that it is mainly starch, and a material selected from the group consisting of proteins
    1に記載の方法。 The method according to 1.
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