JP2000223512A - リードフレーム、樹脂パッケージおよびその製造方法ならびに半導体装置 - Google Patents
リードフレーム、樹脂パッケージおよびその製造方法ならびに半導体装置Info
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Abstract
樹脂フラッシュの発生を防止し、或いは樹脂フラッシュ
がそこに形成されても容易に除去できる程度に樹脂フラ
ッシュの形成を抑制する。 【解決手段】 帯状の板からなり、その板面上の一部が
半導体素子載置部13となっている第1の外部導出リー
ド11aと、帯状の板からなり、その板面上の一部が内
部リード接続部14a〜14dとなっている第2の外部
導出リード11bと、第1の外部導出リード11aと第
2の外部導出リード11bとを一体的に連結する支持枠
11cとを有し、少なくとも内部リード接続部14a〜
14dに凹部が形成されている。
Description
このリードフレームを用いた樹脂パッケージおよびその
製造方法、ならびにこの樹脂パッケージを用いて作成さ
れた半導体装置に関する。
として樹脂からなる外囲器を有し、外囲器の側壁から外
側に外部導出リードが引き出され、その内側に延在する
外部導出リードが半導体素子載置部や内部リード接続部
となっている樹脂パッケージ201が用いられるように
なっている。
ッケージ201の作成方法について説明する。同図
(a)及び(b)は断面図であり、同図(c)は斜視図
である。まず、図9(a)に示すように、樹脂パッケー
ジとして成形するために、基体4aが形成されるキャビ
ティ部3aを有するモールド下型2aと、基体4a上部
に載る円筒状の上部側壁4bが形成されるキャビティ部
3bを有するモールド上型2bとを準備する。さらに、
外部導出リード等が樹脂パッケージの最終形態と配置を
保持して支持枠により一体的に形成されたリードフレー
ム1を準備する。
に、リードフレーム1をモールド下型2aとモールド上
型2bの間に挟み込んで、キャビティ部3a、3bに樹
脂を注入する。これにより、図9(c)に示すように、
樹脂からなる基体4aと円筒状の上部側壁4bとから構
成される外囲器4を有し、その外囲器4の側壁から外側
に外部導出リード1a,1bが引き出され、その内側に
延在する外部導出リード1a,1bが半導体素子載置部
5aや内部リード接続部5bとなっている樹脂パッケー
ジ201が作成される。
着により半導体素子載置部5aに半導体素子が搭載さ
れ、さらに熱や超音波等を用いて接着された金線等の内
部リードにより半導体素子と内部リード接続部5bの間
が接続される。
樹脂パッケージ201では、半導体素子載置部5a及び
内部リード接続部5bに樹脂フラッシュ6が発生する。
これは、一般にリードフレーム1とモールド金型2a,
2bとは隙間なく接触しているわけではなく、それらの
間には僅かに隙間が生じている。その隙間に毛細管現象
により樹脂がしみ込み、リードフレーム1の表面を伝っ
てその上に広がるためである。
半導体素子が接着剤により接着されるとき、樹脂フラッ
シュ6上でも接着剤の接着力は十分に働くため、半導体
素子を接着することはできるが、半導体素子と外部導出
リード1aとの電気的な導通をとる必要がある場合等に
問題となる。たとえ、樹脂フラッシュ6が外部導出リー
ド1aの中心部まで達していない場合でも外部導出リー
ド1aと直接接触する面積が少ないので問題となる。
金属ロウ材により相互接着しようとすると、樹脂フラッ
シュ6上では金属ロウ材との間で接合が形成されないた
め、半導体素子載置部5aに半導体素子を接着できなく
なってしまう。たとえ、樹脂フラッシュ6が半導体素子
載置部5a全域に発生していないため相互を接着できた
としても外部導出リード1aと直接接触する面積が少な
いので接触抵抗の増加や半導体素子の剥がれを招く。
ドの接着は、熱や超音波等を用いて行われるが、内部リ
ードと外部導出リード1b等との電気的な導通をとる必
要があるため、樹脂フラッシュ6は必ず除去しなければ
ならない。しかし、隙間に染み込んでリードフレーム1
の表面上に広がった樹脂フラッシュ6はリードフレーム
1表面との密着性が良いため、このような樹脂フラッシ
ュ6を除去しようとしても簡単には除去できない。従っ
て、このような場合には、ガラス粒や硬球等を高圧エア
ー、高圧水に混ぜて吹きつけることで相当強い機械的な
衝撃を与えて樹脂フラッシュ6を除去する手段、例えば
サンドブラスト等を用いる必要がある。このため、樹脂
荒れや外部導出リード1a,1b表面の荒れが生じてし
まう。
創作されたものであり、内部リード接続部及び半導体素
子載置部への樹脂フラッシュの発生を防止し、或いは樹
脂フラッシュがそこに形成されても容易に除去できる程
度に樹脂フラッシュの形成を抑制することが可能なリー
ドフレーム、樹脂パッケージおよびその製造方法ならび
に半導体装置を提供するものである。
め、請求項1記載の発明は、リードフレームに係り、帯
状の板からなり、その板面上の一部が半導体素子載置部
となっている第1の外部導出リードと、帯状の板からな
り、その板面上の一部が内部リード接続部となっている
第2の外部導出リードと、前記第1の外部導出リードと
前記第2の外部導出リードとを一体的に連結する支持枠
とを有し、少なくとも前記内部リード接続部に凹部が形
成されていることを特徴としている。
ードフレームに係り、前記内部リード接続部に凹部が形
成されているほか、前記半導体素子載置部に凹部が形成
されていることを特徴としている。請求項3記載の発明
は、樹脂パッケージに係り、帯状の板からなり、上側の
板面上の一部が半導体素子載置部となっている第1の外
部導出リードと、帯状の板からなり、上側の板面上の一
部が内部リード接続部となっている第2の外部導出リー
ドと、前記第1の外部導出リード及び前記第2の外部導
出リードの下側の板面側に形成された樹脂からなる基体
と、前記第1の外部導出リード及び前記第2の外部導出
リードの上側の板面側に前記半導体素子載置部と前記内
部リード接続部を囲むようにして形成された樹脂からな
る筒状の上部側壁とを有し、少なくとも前記内部リード
接続部に凹部が形成されていることを特徴としている。
脂パッケージに係り、前記内部リード接続部に前記凹部
が形成されているほか、前記半導体素子載置部に凹部が
形成されていることを特徴としている。請求項5記載の
発明は、樹脂パッケージの製造方法に係り、帯状の板か
らなり、その板面上の一部が半導体素子載置部となって
いる第1の外部導出リードと、帯状の板からなり、その
板面上の一部が内部リード接続部となっている第2の外
部導出リードと、前記第1の外部導出リードと前記第2
の外部導出リードとを一体的に連結する支持枠とを有
し、少なくとも前記内部リード接続部に凹部が形成され
ているリードフレームを準備する工程と、筒状の上部側
壁が成形されるキャビティを有するモールド上型と、基
体が成形されるキャビティを有するモールド下型とを準
備する工程と、前記成形される筒状の上部側壁の内側に
前記半導体素子載置部と前記内部リード接続部が入るよ
うに前記モールド上型と前記モールド下型との間に前記
リードフレームを挟む工程と、前記モールド上型のキャ
ビティと前記モールド下型のキャビティに樹脂を注入
し、固めて前記上部側壁及び前記基体を形成する工程と
を有することを特徴としている。
脂パッケージの製造方法に係り、前記内部リード接続部
に前記凹部が形成されているほか、前記半導体素子載置
部に凹部が形成されていることを特徴としている。請求
項7記載の発明は、請求項5又は6記載の樹脂パッケー
ジの製造方法に係り、前記樹脂を注入し、固めて前記上
部側壁及び前記基体を成形する工程の後、前記上部側壁
の内側の少なくとも前記内部リード接続部に残っている
樹脂フラッシュを除去する工程を有することを特徴とし
ている。
7記載の樹脂パッケージの製造方法に係り、前記樹脂を
注入し、固めて前記上部側壁及び前記基体を成形する工
程の後、少なくとも前記第1及び第2の外部導出リード
の表面にメッキする工程を有することを特徴としてい
る。請求項9記載の発明は、樹脂パッケージの製造方法
に係り、帯状の板からなり、その板面上の一部が半導体
素子載置部となっている第1の外部導出リードと、帯状
の板からなり、その板面上の一部が内部リード接続部と
なっている第2の外部導出リードと、前記第1の外部導
出リードと前記第2の外部導出リードとを一体的に連結
する支持枠とを有するリードフレームを準備する工程
と、モールド上型と、基体が成形されるキャビティを有
するモールド下型とを準備する工程と、前記半導体素子
載置部側及び前記内部リード接続部側のリードフレーム
表面を除去可能な被覆膜により覆う工程と、前記被覆膜
で覆われた面を上にして前記モールド上型と前記モール
ド下型との間に前記リードフレームを挟む工程と、前記
モールド下型のキャビティに樹脂を注入し、固めて前記
基体を形成する工程と、前記被覆膜を除去する工程とを
有することを特徴としている。
樹脂パッケージの製造方法に係り、前記被覆膜は粘着テ
ープであることを特徴としている。請求項11記載の発
明は、請求項9又は10記載の樹脂パッケージの製造方
法に係り、前記粘着テープは複数の前記リードフレーム
を張りつけた状態で連続して巻き取り器に巻かれている
ことを特徴としている。
り、帯状の板からなり、その上側の板面上の一部が半導
体素子載置部となっている第1の外部導出リードと、帯
状の板からなり、その上側の板面上の一部が内部リード
接続部となっており、該内部リード接続部に凹部が形成
されている第2の外部導出リードと、前記半導体素子載
置部と前記内部リード接続部を囲むようにして前記第1
の外部導出リード及び前記第2の外部導出リードの上側
表面に形成された樹脂からなる筒状の上部側壁と、前記
第1の外部導出リード及び前記第2の外部導出リードの
下側表面に形成された樹脂からなる基体とを有する樹脂
パッケージと、前記樹脂パッケージの半導体素子載置部
に搭載された半導体素子と、前記半導体素子と前記内部
リード接続部とを接続する内部リードと、前記樹脂パッ
ケージの筒状の上部側壁の上方の開口部を覆い、該上部
側壁内部を密閉するキャップとを有することを特徴とし
ている。
の半導体装置に係り、前記内部リード接続部に凹部が形
成されているほか、前記半導体素子載置部にも凹部が形
成されていることを特徴としている。以下に、上記本発
明の構成により奏される作用・効果を説明する。本発明
のリードフレームにおいては、帯状の板からなり、その
板面の一部が半導体素子載置部となっている第1の外部
導出リードと、帯状の板からなり、その板面の一部が内
部リード接続部となっている第2の外部導出リードとが
支持枠によって一体的に連結され、少なくとも内部リー
ド接続部に凹部を有している。
と上型の間に挟んでモールド成形により樹脂パッケージ
を作成する場合、樹脂がリードフレームとモールド金型
の間の隙間に染み込んできても、樹脂の染み込み面と同
一の平面上を広がるのみであり、平面の一部に凹部(内
部リード接続部や半導体素子載置部)がある場合、内部
リード接続部や半導体素子載置部の凹部内に密着性のよ
い樹脂フラッシュが発生しにくくなる。
樹脂に注入圧力がかかっていないため膨潤した軽石状の
状態となっており、密着強度は弱く、サンドブラスト等
を軽く行うことによりリードフレームに傷をつけずに容
易に除去することができる。従って、表面荒れのない、
かつ樹脂被覆されていない平坦で清浄な内部リードの接
着面や半導体素子の接着面を得ることができる。
ことにより、内部リード接続部への内部リードの接着や
金属ロー材による半導体素子載置部への半導体素子の接
着に際して、樹脂を介在させずに内部リードや半導体素
子全面をリードフレームに直接接着することができる。
また、特に上部側壁を有しない樹脂パッケージを作成す
る場合には、上記凹部を有しないリードフレームを用い
てもよい。この場合、粘着テープ(被覆膜)等で内部リ
ード接続部や半導体素子載置部の平坦な表面を覆ってお
くことにより、リードフレーム下側表面に基体を形成す
るとともに、リードフレーム上側表面において内部リー
ド接続部や半導体素子載置部への樹脂フラッシュの発生
を防止することができる。
レームを張りつけて粘着テープを巻き取り器に巻きつけ
ておくことにより、リードフレームの供給装置として用
いることができる。この様な形態は樹脂パッケージの製
作を自動化する場合や市場での供給形態として適してい
る。
いて図面を参照しながら説明する。 (1)第1の実施の形態 図1(a),(b)は、本発明の第1の実施の形態であ
るリードフレーム11の構成について示す図である。同
図(a)は上面図、同図(b)は同図(a)のA−A線
断面図である。
形態であるリードフレーム11は、第1の外部導出リー
ド11aと第2の外部導出リード11bとリードフレー
ム11の支持枠11cとが一体的に形成されている。リ
ードフレーム11は第1の外部導出リード11aと第2
の外部導出リード11bを一組としてその複数組が繰り
返し並び、全体として細長い帯状を有する。図1(b)
は一組分を示している。
って周辺部両側に、組み立ての際に送り機構の爪に引っ
かけられてリードフレーム11が送られる送り孔が所定
の間隔をおいて形成されている。一組内で、第1の外部
導出リード11aは一つの長い帯状の金属板からなって
おり、第2の外部導出リード11bは二つの短い帯状の
金属板からなっている。第2の外部導出リード11bは
第1の外部導出リード11aの中央部の両横に配置され
ており、第1の外部導出リード11aの中央部から僅か
な隙間を挟んでその両横に延びている。即ち、両方合わ
せて十字形状に配置されている。
導出リード11bはそれぞれ半導体素子載置部13や内
部リード接続部14a〜14dが上側に向くように、周
辺部で支持枠11cに固定されて一体的に形成されてい
る。第1の外部導出リード11aでは、中央部が半導体
素子載置部13となっており、その両側部が内部リード
接続部14a、14bとなっている。これらの領域に深
さ凡そ50μmの凹部13、14a、14bが形成され
ている。
第1の外部導出リード11aに隣り合う領域が半導体素
子載置部13に搭載された半導体素子と内部リードによ
り接続される内部リード接続部14c、14dとなって
おり、これらの領域に深さ凡そ50μmの凹部14c、
14dが形成されている。最終形態の樹脂パッケージで
は、支持枠11cが切り落とされて、第1の外部導出リ
ード11aと第2の外部導出リード11bとが分離され
る。
系の合金、或いは銅系の合金などからなる薄い板をプレ
ス加工、或いはエッチング加工することにより作成され
る。プレス加工の場合、半導体素子載置部13及び内部
リード接続部14a〜14dにポンチを打ち込み、凹部
13、14a〜14dを形成する。また、エッチング加
工の場合、片側の面の半導体素子載置部13及び内部リ
ード接続部14a〜14dのみハーフエッチングを行
い、凹部13、14a〜14dを形成する。
成された樹脂パッケージ203の構成について図3を参
照して説明する。円板状の基体15aの上に、半導体素
子載置部13と内部リード接続部14a、14bが上側
を向くように第1の外部導出リード11aが置かれ、か
つ内部リード接続部14c、14dが上側を向くように
第2の外部導出リード11bが置かれている。
導出リード11aと僅かな間隔をおいて分離され、第1
の外部導出リード11aの半導体素子載置部13の両横
から第1の外部導出リード11aと直交する方向に延び
ている。即ち、第1の外部導出リード11aと第2の外
部導出リード11bの全体的な配置は、上面から見た場
合、十字形状となっている。
11a及び第2の外部導出リード11bの表面と略同一
の水平面内にあり、従って、第1の外部導出リード11
aと第2の外部導出リード11bの間の間隙は基体15
aの材料により埋められている。また、第1の外部導出
リード11a及び第2の外部導出リード11bの上側表
面に半導体素子載置部13と内部リード接続部14a〜
14dを囲んで、外径が基体15aと同じ寸法の円筒状
の上部側壁15bが形成されている。基体15aと上部
側壁15bが外囲器15を構成する。
部導出リード11bは外囲器15の側壁から外側に向か
って放射状に延びるような形態となっている。次に、図
3に示す樹脂パッケージ203を作成する工程について
図1乃至図3を参照して工程順に説明する。まず、図2
(a)に示すように、基体15aを形成するキャビティ
102aを有するモールド下型101aと、上部側壁1
5bを形成するキャビティ102bを有するモールド上
型101bとを準備し、さらに図1に示すリードフレー
ム11を準備する。
フレーム11をモールド下型101aとモールド上型1
01bの間に挟んで適当な圧力で押圧する。続いて、キ
ャビティ部102a、102bに樹脂を注入する。これ
により、図2(c)に示すように、樹脂からなる基体1
5aと円筒状の上部側壁15bとから構成される外囲器
15を有し、その外囲器15の側壁から外側に外部導出
リード11a,11bが引き出され、その内側に延在す
る外部導出リード11a,11bが半導体素子載置部1
3や内部リード接続部14a〜14dを有する樹脂パッ
ケージ202が作成される。
出リード11a,11bの表面にメッキを行う。図2
(c)に示す樹脂パッケージ202では樹脂フラッシュ
16が存在するが、半導体素子載置部13や内部リード
接続部14a〜14dには発生していないので、このま
までも半導体素子や内部リードの接着には支障ない。し
かし、樹脂フラッシュ16の剥がれ等の恐れがあり、そ
れがパッケージ内部に留まっているために問題となるよ
うな場合には、必要により、さらに樹脂フラッシュ16
を除去してもよい。樹脂フラッシュ16が除去された樹
脂パッケージ203を図3に示す。
02を用いた半導体装置について図4を参照して説明す
る。図4に示すように、接着剤や金属ロウ材を用いて半
導体素子載置部13に半導体素子51を接着し、搭載す
る。続いて、半導体素子51の電極上及び内部リード接
続部14a〜14dに熱や超音波等を用いて金線等の内
部リード17を接着し、それらの間に張り渡す。これに
より、それらの間が接続されて電気的な導通がとられ
る。
においては、リードフレーム11の外部導出リード11
a,11bの、内部リード接続部14a〜14dや半導
体素子載置部13に凹部を有している。従って、このリ
ードフレーム11を用いて樹脂パッケージ202を作成
する場合、モールド成形の際に、リードフレーム11と
金型101a,101bの間の隙間を染みだした密着性
のよい樹脂は同一平面上を広がるだけで、凹部である内
部リード接続部14a〜14dや半導体素子載置部13
に密着性のよい樹脂フラッシュが発生することはない。
に注入圧力がかかっていないため密着強度は弱く、サン
ドブラスト等を軽く行うことによりリードフレームに傷
をつけずに容易に除去することができる。従って、表面
荒れのない、かつ樹脂被覆されていない平坦で清浄な内
部リードの接着面や半導体素子の接着面を得ることがで
きる。
を半導体装置に用いることにより、内部リード接続部1
4a〜14dへの内部リード17の接着や金属ロー材に
よる半導体素子載置部13への半導体素子51の接着に
際して、樹脂を介在させずに内部リード17や半導体素
子51全面を外部導出リード11a、11bに直接接着
することができる。 (2)第2の実施の形態 次に、本発明の第2の実施の形態である、他のリードフ
レームを用いた樹脂パッケージ204及び205の構成
について図面を参照して説明する。
4の作成工程を工程順に示す断面図であり、同図(a)
は用いられるリードフレームの構成を示す断面図であ
り、同図(b)は樹脂パッケージ204の完成図であ
る。図5(a)は用いられるリードフレーム21のうち
第1の外部導出リード21a部分の構成を示す断面図で
ある。
のリードフレームと異なるところは、半導体素子載置部
25に凹部が形成されていないことである。リードフレ
ームの全体の構成は、上記相違点を除き、第1の実施の
形態の図1(a)と同様な構成を有する。図5(a)に
おいて、図1(a)と同一の構成要素には同一の符号を
付し、その説明を省略する。
ず、図2(b)と同様に、図5(a)のリードフレーム
をモールド下型とモールド上型の間に挟んで、適当な圧
力で押圧する。続いて、キャビティ部に樹脂を注入す
る。これにより、図5(b)に示すように、樹脂からな
る基体23aと円筒状の上部側壁23bとから構成され
る外囲器23を有し、その外囲器23の側壁から外側に
外部導出リード21a,21bが引き出され、その内側
に延在する外部導出リード21a,21bが半導体素子
載置部25や内部リード接続部22a〜22dとなって
いる樹脂パッケージ204が作成される。
同一の効果が得られる。なお、この場合は、半導体素子
載置部25に凹部が形成されていないため、図2(c)
の場合と異なり、半導体素子載置部25に樹脂フラッシ
ュ24が存在する。しかし、半導体素子載置部25に樹
脂フラッシュ24が存在しても、接着剤で接着する場合
であって、かつ半導体素子と第1の外部導出リード24
aとの間で電気的な導通をとる必要のない場合には、こ
のままでも半導体素子と第1の外部導出リード24aと
の接着には支障はない。
出リード21aとの間で電気的な導通をとる必要がある
場合であって、半導体素子と第1の外部導出リード21
aとが直接接触する面積が小さくなる恐れがあるときに
は、さらに樹脂フラッシュ24を除去してもよい。或い
は、樹脂フラッシュ24が剥がれる恐れがあり、このこ
とが問題となるような場合も同様にさらに樹脂フラッシ
ュ24を除去してもよい。樹脂フラッシュ24が除去さ
れた樹脂パッケージ205を図5(c)に示す。 (3)第3の実施の形態 本発明の第3の実施の形態である、他のリードフレーム
を用いた樹脂パッケージの作成方法について図面を参照
して説明する。
工程を示す上面図である。この形態で、上記第1乃至第
3の実施の形態と異なるところは、リードフレーム31
として一体的に形成された第1の外部導出リード31a
や第2の外部導出リード31bの半導体素子載置部や内
部リード接続部のある面に粘着性のテープ33が張りつ
けられて被覆されている点である。なお、同図中、32
はリードフレーム31の長手方向に沿って周辺部に所定
の間隔をおいて形成された送り孔である。
であって上部側壁を有しない場合に適用できる。この場
合、内部の密封は断面が凹状のキャップを被せることに
より行う。また、第1の外部導出リード31aや第2の
外部導出リード31bの半導体素子載置部や内部リード
接続部は粘着性のテープ33によって覆われるため、そ
こに凹部を形成する必要はない。
程の一部工程を示す上面図である。図6の場合を拡張し
て複数のリードフレーム31を粘着テープ33に張りつ
ける場合に適用したものである。図7の場合、この粘着
テープ33を巻き取り器に巻きつけておくことにより、
リードフレーム31の供給装置として用いることができ
る。この様な形態は樹脂パッケージの製作を自動化する
場合や市場での供給形態として適している。
ケージ206の作成工程について図8(a)〜(c)を
参照して説明する。図8(a)〜(c)は断面図であ
る。まず、図8(a)に示すように、図6又は図7のよ
うに一以上のリードフレーム31を粘着テープ33に張
りつけたものを準備する。次いで、図8(b)に示すよ
うに、基体34を形成するキャビティ104を有するモ
ールド下型103aと、キャビティを有しない平坦な対
向面を有するモールド上型103bとを準備する。
ドフレーム31をモールド下型103aとモールド上型
103bの間に挟んで適当な圧力で押圧する。続いて、
キャビティ部104に樹脂を注入する。これにより、図
8(c)に示すように、樹脂からなる基体34から構成
される外囲器を有し、その基体34から外側に向かって
放射方向に外部導出リード31a,31bが引き出さ
れ、その内側に延在する外部導出リード31a,31b
が半導体素子載置部や内部リード接続部となっている樹
脂パッケージ206が作成される。
態によれば、粘着テープ(被覆膜)33等で内部リード
接続部や半導体素子載置部を覆っておくことにより、リ
ードフレーム31下側表面に基体34を形成するととも
に、リードフレーム31上側表面において内部リード接
続部や半導体素子載置部への樹脂フラッシュの発生を防
止することができる。以上、実施の形態によりこの発明
を詳細に説明したが、この発明の範囲は上記実施の形態
に具体的に示した例に限られるものではなく、この発明
の要旨を逸脱しない範囲の上記実施の形態の変更はこの
発明の範囲に含まれる。
を注入し、固めて上部側壁15b及び基体15aを成形
する工程の後、少なくとも第1及び第2の外部導出リー
ド11a,11bの表面にメッキしているが、モールド
成形して上部側壁15b及び基体15aを成形する工程
の前に予めリードフレーム11に部分的に或いは全面に
メッキをしておいてもよい。
によれば、内部リード接続部や半導体素子載置部に凹部
を有する外部導出リードが一体的に形成されている。こ
のリードフレームを用いて、モールド金型を用いたモー
ルド成形により樹脂パッケージを作成する場合、凹部で
ある内部リード接続部や半導体素子載置部に密着性のよ
い樹脂フラッシュが発生するのを防止することができ
る。従って、モールド成形後のリードフレームをそのま
ま用いることが出来るため、表面荒れのない、かつ樹脂
被覆されていない平坦で清浄な内部リードの接着面や半
導体素子の接着面を得ることができる。
に用いることにより、内部リード接続部への内部リード
の接着や金属ロー材による半導体素子載置部への半導体
素子の接着に際して、樹脂を介在させずに内部リードや
半導体素子全面をリードフレームに直接接着することが
できる。また、粘着テープ(被覆膜)等で内部リード接
続部や半導体素子載置部を覆っておくことにより、リー
ドフレーム下側表面に基体を形成するとともに、リード
フレーム上側表面において内部リード接続部や半導体素
子載置部への樹脂フラッシュの発生を防止することがで
きる。
レームを張りつけて粘着テープを巻き取り器に巻きつけ
ておくことにより、リードフレームの供給装置として用
いることができる。この様な形態は樹脂パッケージの製
作を自動化する場合や市場での供給形態として適してい
る。
ムの構成を示す図であり、同図(a)は平面図であり、
同図(b)は同図(a)のA−A線断面図である。
ムを用いた樹脂パッケージの作成方法について示す図
(その1)であり、同図(a)、(b)は断面図、同図
(c)の上の図は上面図、下の図は上の図のB−B線断
面図である。
ジの作成方法について示す図(その2)であり、同図は
斜視図である。
ジを用いた半導体装置の構成について示す図であり、同
図の上の図は上面図、下の図はC−C線断面図である。
ジの作成方法について示す図であり、同図(a)はリー
ドフレームの断面図、同図(b)の上の図は樹脂パッケ
ージの上面図、下の図は上の図のD−D線断面図、同図
(c)は樹脂パッケージの斜視図である。
ジの作成方法における粘着テープによるリードフレーム
の保持方法について示す上面図である。
の保持方法について示す上面図である。
いた樹脂パッケージの作成方法について示す断面図であ
る。
ケージの作成方法について示す図であり、同図(a)、
(b)は断面図、同図(c)は樹脂パッケージの斜視図
である。
び凹部 15、23 外囲器 15a、23a、34 基体 15b、23b 上部側壁 16、24 樹脂フラッシュ 17 内部リード 18 キャップ 25 半導体載置部 33 テープ 51 半導体素子 101a、103a モールド下型 101b、103b モールド上型 102a、102b、104 キャビティ 201〜206 樹脂パッケージ
Claims (13)
- 【請求項1】 帯状の板からなり、その板面上の一部が
半導体素子載置部となっている第1の外部導出リード
と、帯状の板からなり、その板面上の一部が内部リード
接続部となっている第2の外部導出リードと、前記第1
の外部導出リードと前記第2の外部導出リードとを一体
的に連結する支持枠とを有し、 少なくとも前記内部リード接続部に凹部が形成されてい
ることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項2】 前記内部リード接続部に凹部が形成され
ているほか、前記半導体素子載置部に凹部が形成されて
いることを特徴とする請求項1記載のリードフレーム。 - 【請求項3】 帯状の板からなり、上側の板面上の一部
が半導体素子載置部となっている第1の外部導出リード
と、 帯状の板からなり、上側の板面上の一部が内部リード接
続部となっている第2の外部導出リードと、 前記第1の外部導出リード及び前記第2の外部導出リー
ドの下側の板面側に形成された樹脂からなる基体と、 前記第1の外部導出リード及び前記第2の外部導出リー
ドの上側の板面側に前記半導体素子載置部と前記内部リ
ード接続部を囲むようにして形成された樹脂からなる筒
状の上部側壁とを有し、 少なくとも前記内部リード接続部に凹部が形成されてい
ることを特徴とする樹脂パッケージ。 - 【請求項4】 前記内部リード接続部に前記凹部が形成
されているほか、前記半導体素子載置部に凹部が形成さ
れていることを特徴とする請求項3記載の樹脂パッケー
ジ。 - 【請求項5】 帯状の板からなり、その板面上の一部が
半導体素子載置部となっている第1の外部導出リード
と、帯状の板からなり、その板面上の一部が内部リード
接続部となっている第2の外部導出リードと、前記第1
の外部導出リードと前記第2の外部導出リードとを一体
的に連結する支持枠とを有し、少なくとも前記内部リー
ド接続部に凹部が形成されているリードフレームを準備
する工程と、 筒状の上部側壁が成形されるキャビティを有するモール
ド上型と、基体が成形されるキャビティを有するモール
ド下型とを準備する工程と、 前記成形される筒状の上部側壁の内側に前記半導体素子
載置部と前記内部リード接続部が入るように前記モール
ド上型と前記モールド下型との間に前記リードフレーム
を挟む工程と、 前記モールド上型のキャビティと前記モールド下型のキ
ャビティに樹脂を注入し、固めて前記上部側壁及び前記
基体を形成する工程とを有することを特徴とする樹脂パ
ッケージの製造方法。 - 【請求項6】 前記内部リード接続部に前記凹部が形成
されているほか、前記半導体素子載置部に凹部が形成さ
れていることを特徴とする請求項5記載の樹脂パッケー
ジの製造方法。 - 【請求項7】 前記樹脂を注入し、固めて前記上部側壁
及び前記基体を成形する工程の後、前記上部側壁の内側
の少なくとも前記内部リード接続部に残っている樹脂フ
ラッシュを除去する工程を有することを特徴とする請求
項5又は6記載の樹脂パッケージの製造方法。 - 【請求項8】 前記樹脂を注入し、固めて前記上部側壁
及び前記基体を成形する工程の後、少なくとも前記第1
及び第2の外部導出リードの表面にメッキする工程を有
することを特徴とする請求項5、6又は7記載の樹脂パ
ッケージの製造方法。 - 【請求項9】 帯状の板からなり、その板面上の一部が
半導体素子載置部となっている第1の外部導出リード
と、帯状の板からなり、その板面上の一部が内部リード
接続部となっている第2の外部導出リードと、前記第1
の外部導出リードと前記第2の外部導出リードとを一体
的に連結する支持枠とを有するリードフレームを準備す
る工程と、 モールド上型と、基体が成形されるキャビティを有する
モールド下型とを準備する工程と、 前記半導体素子載置部側及び前記内部リード接続部側の
リードフレーム表面を除去可能な被覆膜により覆う工程
と、 前記被覆膜で覆われた面を上にして前記モールド上型と
前記モールド下型との間に前記リードフレームを挟む工
程と、 前記モールド下型のキャビティに樹脂を注入し、固めて
前記基体を形成する工程と、 前記被覆膜を除去する工程とを有することを特徴とする
樹脂パッケージの製造方法。 - 【請求項10】 前記被覆膜は粘着テープであることを
特徴とする請求項9記載の樹脂パッケージの製造方法。 - 【請求項11】 前記粘着テープは複数の前記リードフ
レームを張りつけた状態で連続して巻き取り器に巻かれ
ていることを特徴とする請求項9又は10記載の樹脂パ
ッケージの製造方法。 - 【請求項12】 帯状の板からなり、その上側の板面上
の一部が半導体素子載置部となっている第1の外部導出
リードと、帯状の板からなり、その上側の板面上の一部
が内部リード接続部となっており、該内部リード接続部
に凹部が形成されている第2の外部導出リードと、前記
半導体素子載置部と前記内部リード接続部を囲むように
して前記第1の外部導出リード及び前記第2の外部導出
リードの上側表面に形成された樹脂からなる筒状の上部
側壁と、前記第1の外部導出リード及び前記第2の外部
導出リードの下側表面に形成された樹脂からなる基体と
を有する樹脂パッケージと、 前記樹脂パッケージの半導体素子載置部に搭載された半
導体素子と、 前記半導体素子と前記内部リード接続部とを接続する内
部リードと、 前記樹脂パッケージの筒状の上部側壁の上方の開口部を
覆い、該上部側壁内部を密閉するキャップとを有するこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項13】 前記内部リード接続部に凹部が形成さ
れているほか、前記半導体素子載置部にも凹部が形成さ
れていることを特徴とする請求項12記載の半導体装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2421999A JP3457204B2 (ja) | 1999-02-01 | 1999-02-01 | リードフレーム、樹脂パッケージおよびその製造方法ならびに半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2421999A JP3457204B2 (ja) | 1999-02-01 | 1999-02-01 | リードフレーム、樹脂パッケージおよびその製造方法ならびに半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000223512A true JP2000223512A (ja) | 2000-08-11 |
JP3457204B2 JP3457204B2 (ja) | 2003-10-14 |
Family
ID=12132187
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2421999A Expired - Fee Related JP3457204B2 (ja) | 1999-02-01 | 1999-02-01 | リードフレーム、樹脂パッケージおよびその製造方法ならびに半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3457204B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005039242A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-02-10 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1999
- 1999-02-01 JP JP2421999A patent/JP3457204B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2005039242A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-02-10 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4559777B2 (ja) * | 2003-06-26 | 2010-10-13 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
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