JP2000223445A - Ｌｓｉダイシング装置及びダイシング方法 - Google Patents
Ｌｓｉダイシング装置及びダイシング方法Info
- Publication number
- JP2000223445A JP2000223445A JP2123799A JP2123799A JP2000223445A JP 2000223445 A JP2000223445 A JP 2000223445A JP 2123799 A JP2123799 A JP 2123799A JP 2123799 A JP2123799 A JP 2123799A JP 2000223445 A JP2000223445 A JP 2000223445A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dicing
- lsi
- chips
- wafer
- cutting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＩＣチップ上への切削屑の飛散を防止できる
ＬＳＩダイシング装置を得る。 【解決手段】 ＩＣウエハを個々のＩＣチップ４に切り
離すダイシング工程において、ダイシングライン３上に
沿って直方体の防屑カバー５を固定し、この防屑カバー
５内に純水及びエアーを流すようにする。
ＬＳＩダイシング装置を得る。 【解決手段】 ＩＣウエハを個々のＩＣチップ４に切り
離すダイシング工程において、ダイシングライン３上に
沿って直方体の防屑カバー５を固定し、この防屑カバー
５内に純水及びエアーを流すようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＩＣウエハを個
々のＩＣチップに切り離すダイシング工程において、Ｉ
Ｃチップ上に切削屑が付着することを防止することがで
きるＬＳＩダイシング装置及びダイシング方法に関する
ものである。
々のＩＣチップに切り離すダイシング工程において、Ｉ
Ｃチップ上に切削屑が付着することを防止することがで
きるＬＳＩダイシング装置及びダイシング方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣウエハを個々のＩＣチップに切り離
すダイシング工程では、従来２つの手法が用いられてい
る。１つは、ダイヤモンドカッターによりウエハに傷を
入れ、ウエハを割ることでブレイクするスクライブ方式
ダイシングである。もう１つは、回転式ブレードにより
切削することでウエハに溝を掘り、ウエハを割ることで
ブレイクするダイサー方式ダイシングである。
すダイシング工程では、従来２つの手法が用いられてい
る。１つは、ダイヤモンドカッターによりウエハに傷を
入れ、ウエハを割ることでブレイクするスクライブ方式
ダイシングである。もう１つは、回転式ブレードにより
切削することでウエハに溝を掘り、ウエハを割ることで
ブレイクするダイサー方式ダイシングである。
【０００３】図１１によって、スクライブ方式ダイシン
グについて説明する。図において、２１はダイヤモンド
カッター、２２はＩＣウエハ、２３は切削屑である。次
に、図１２によって、ダイサー方式ダイシングについて
説明する。図において、２４は回転式ブレード、２２は
ＩＣウエハ、２３は切削屑である。
グについて説明する。図において、２１はダイヤモンド
カッター、２２はＩＣウエハ、２３は切削屑である。次
に、図１２によって、ダイサー方式ダイシングについて
説明する。図において、２４は回転式ブレード、２２は
ＩＣウエハ、２３は切削屑である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のダイシング工程
は以上のようになされていたので、ＩＣウエハに傷を入
れる工程にて切削屑が発生し、切削屑がＩＣチップ上に
付着し、次工程でＩＣチップをコレットで吸着する場
合、ＩＣチップ上の屑によりＩＣチップ表面に傷をつけ
るという問題点が発生していた。
は以上のようになされていたので、ＩＣウエハに傷を入
れる工程にて切削屑が発生し、切削屑がＩＣチップ上に
付着し、次工程でＩＣチップをコレットで吸着する場
合、ＩＣチップ上の屑によりＩＣチップ表面に傷をつけ
るという問題点が発生していた。
【０００５】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたものであり、ＩＣウエハを個々のＩＣ
チップに切り離すダイシング装置において、ＩＣチップ
上への切削屑の飛散を防止することができる装置及び方
法を提供することを目的とする。
るためになされたものであり、ＩＣウエハを個々のＩＣ
チップに切り離すダイシング装置において、ＩＣチップ
上への切削屑の飛散を防止することができる装置及び方
法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
るＬＳＩダイシング装置は、ダイシングラインに沿って
切断手段によりＩＣウエハをＩＣチップに切断するもの
であって、ダイシングライン上に切断手段が固定された
直方体防屑カバーを固定したものである。
るＬＳＩダイシング装置は、ダイシングラインに沿って
切断手段によりＩＣウエハをＩＣチップに切断するもの
であって、ダイシングライン上に切断手段が固定された
直方体防屑カバーを固定したものである。
【０００７】この発明の請求項２に係るＬＳＩダイシン
グ装置は、ダイシングラインに沿って切断手段によりＩ
ＣウエハをＩＣチップに切断するものであって、切断手
段と一体に移動すると共に、ダイシングライン上に面し
た部分を局部的に形成する防屑カバーを設けたものであ
る。
グ装置は、ダイシングラインに沿って切断手段によりＩ
ＣウエハをＩＣチップに切断するものであって、切断手
段と一体に移動すると共に、ダイシングライン上に面し
た部分を局部的に形成する防屑カバーを設けたものであ
る。
【０００８】この発明の請求項３に係るＬＳＩダイシン
グ装置は、ダイシングラインに沿って切断手段によりＩ
ＣウエハをＩＣチップに切断するものであって、ダイシ
ングライン上方のみ空間をあけ、ＩＣウエハ全面を覆
い、かつその周辺にダムを設けた防屑プレートを取付け
たものである。
グ装置は、ダイシングラインに沿って切断手段によりＩ
ＣウエハをＩＣチップに切断するものであって、ダイシ
ングライン上方のみ空間をあけ、ＩＣウエハ全面を覆
い、かつその周辺にダムを設けた防屑プレートを取付け
たものである。
【０００９】この発明の請求項４に係るＬＳＩダイシン
グ装置は、ダイシングラインに沿ってカッターによりＩ
ＣウエハをＩＣチップに切断するものであって、カッタ
ーのテーパー部分をカッターと最も近いところに位置す
るＩＣチップとは反対側にとるものである。
グ装置は、ダイシングラインに沿ってカッターによりＩ
ＣウエハをＩＣチップに切断するものであって、カッタ
ーのテーパー部分をカッターと最も近いところに位置す
るＩＣチップとは反対側にとるものである。
【００１０】この発明の請求項５に係るＬＳＩダイシン
グ装置は、ダイシングラインに沿ってカッターによりＩ
ＣウエハをＩＣチップに切断するものであって、２本の
カッターをテーパー部分が向かい合うように正対させて
設けたものである。
グ装置は、ダイシングラインに沿ってカッターによりＩ
ＣウエハをＩＣチップに切断するものであって、２本の
カッターをテーパー部分が向かい合うように正対させて
設けたものである。
【００１１】この発明の請求項６に係るＬＳＩダイシン
グ方法は、ダイシングラインに沿って切断手段によりＩ
ＣウエハをＩＣチップに切断するものであって、ＩＣウ
エハの周辺に切り目を入れ、この切り目をターゲットに
して切断するものである。
グ方法は、ダイシングラインに沿って切断手段によりＩ
ＣウエハをＩＣチップに切断するものであって、ＩＣウ
エハの周辺に切り目を入れ、この切り目をターゲットに
して切断するものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、この発明の
一実施形態を図について説明する。図１はこの発明の実
施の形態１によるダイシングライン上に沿って直方体の
防屑カバーを持つＬＳＩダイシング装置を示す正面断面
図、図２は同じく平面図であり、図１において、１は切
断手段であるダイヤモンドカッター又は回転式ブレー
ド、２は切削屑、３はダイシングライン、４はＩＣチッ
プ、５はダイシングライン３上に固定された直方体防屑
カバーである。直方体防屑カバー５は、ダイシングライ
ン３上に固定されている。
一実施形態を図について説明する。図１はこの発明の実
施の形態１によるダイシングライン上に沿って直方体の
防屑カバーを持つＬＳＩダイシング装置を示す正面断面
図、図２は同じく平面図であり、図１において、１は切
断手段であるダイヤモンドカッター又は回転式ブレー
ド、２は切削屑、３はダイシングライン、４はＩＣチッ
プ、５はダイシングライン３上に固定された直方体防屑
カバーである。直方体防屑カバー５は、ダイシングライ
ン３上に固定されている。
【００１３】次にその作用について説明する。ダイヤモ
ンドカッター又は回転式ブレード１によってＩＣウエハ
に傷を入れる時に切削屑２が発生するが、この切削屑２
は直方体防屑カバー５によってその外には飛散しないた
め、ＩＣチップ４表面への切削屑付着を防止できる。ま
た、直方体防屑カバー５内に純水又はエアーを流すこと
により、切削屑２の飛散を最小限にすることが可能とな
る。このようにして、ＩＣチップ４上に切削屑２が付着
することを防止できるため、コレット吸着時のＩＣチッ
プ４の表面に傷が発生することを防止することができ
る。
ンドカッター又は回転式ブレード１によってＩＣウエハ
に傷を入れる時に切削屑２が発生するが、この切削屑２
は直方体防屑カバー５によってその外には飛散しないた
め、ＩＣチップ４表面への切削屑付着を防止できる。ま
た、直方体防屑カバー５内に純水又はエアーを流すこと
により、切削屑２の飛散を最小限にすることが可能とな
る。このようにして、ＩＣチップ４上に切削屑２が付着
することを防止できるため、コレット吸着時のＩＣチッ
プ４の表面に傷が発生することを防止することができ
る。
【００１４】実施の形態２．図３はこの発明の実施の形
態２によるダイヤモンドカッター及び回転式ブレードを
囲う防屑カバーを持つＬＳＩダイシング装置を示す正面
断面図、図４は同じく平面図である。図において、１は
ダイヤモンドカッター又は回転式ブレード、２は切削
屑、３はダイシングライン、４はＩＣチップ、６はダイ
シングライン３上に面した部分を局部的に形成する防屑
カバーである。以上のように防屑カバー６を設けること
で、ダイヤモンドカッター又は回転式ブレード１によっ
てＩＣウエハに傷を入れる時に発生する切削屑２がＩＣ
ウエハ表面に付着することを防止できる。
態２によるダイヤモンドカッター及び回転式ブレードを
囲う防屑カバーを持つＬＳＩダイシング装置を示す正面
断面図、図４は同じく平面図である。図において、１は
ダイヤモンドカッター又は回転式ブレード、２は切削
屑、３はダイシングライン、４はＩＣチップ、６はダイ
シングライン３上に面した部分を局部的に形成する防屑
カバーである。以上のように防屑カバー６を設けること
で、ダイヤモンドカッター又は回転式ブレード１によっ
てＩＣウエハに傷を入れる時に発生する切削屑２がＩＣ
ウエハ表面に付着することを防止できる。
【００１５】上記実施の形態１においては、直方体防屑
カバー５はダイシングライン３上に固定されており、切
削時にはダイヤモンドカッターあるいは回転式ブレード
１のみ移動するように構成したが、本実施形態２では、
ダイヤモンドカッターあるいは回転式ブレード１と防屑
カバー６が一体化した構造となっている。また、防屑カ
バー６のダイシングライン３上に面した部分を局部的に
形成することにより、集塵力を増強することが可能とな
る。
カバー５はダイシングライン３上に固定されており、切
削時にはダイヤモンドカッターあるいは回転式ブレード
１のみ移動するように構成したが、本実施形態２では、
ダイヤモンドカッターあるいは回転式ブレード１と防屑
カバー６が一体化した構造となっている。また、防屑カ
バー６のダイシングライン３上に面した部分を局部的に
形成することにより、集塵力を増強することが可能とな
る。
【００１６】実施の形態３．図５，図６はこの発明の実
施の形態３を示すもので、図５はダイシングライン上方
のみに空間を空け、ＩＣウエハ全面を覆う防屑プレート
を持つダイシング装置を示す正面断面図、図６は同じく
平面図である。図において、１はダイヤモンドカッター
又は回転式ブレード、２は切削屑、３はダイシングライ
ン、７は防屑プレート、８は防屑プレート７に設けられ
たダム、９はＩＣウエハである。
施の形態３を示すもので、図５はダイシングライン上方
のみに空間を空け、ＩＣウエハ全面を覆う防屑プレート
を持つダイシング装置を示す正面断面図、図６は同じく
平面図である。図において、１はダイヤモンドカッター
又は回転式ブレード、２は切削屑、３はダイシングライ
ン、７は防屑プレート、８は防屑プレート７に設けられ
たダム、９はＩＣウエハである。
【００１７】次にその作用について説明する。ダイヤモ
ンドカッター又は回転式ブレード１によって、ＩＣウエ
ハ９に傷を入れる時に発生する切削屑２が、ＩＣウエハ
９表面に付着することを防屑プレート７により防止でき
る。そしてまた、防屑プレート７周辺には切削屑２がＩ
Ｃウエハ９面に落下することがないよう，ダム８が設け
られている。以上のように構成することにより、ダイシ
ングライン３の幅が変更される場合、及びＩＣウエハ９
の径が変更される場合でも共用可能となる。
ンドカッター又は回転式ブレード１によって、ＩＣウエ
ハ９に傷を入れる時に発生する切削屑２が、ＩＣウエハ
９表面に付着することを防屑プレート７により防止でき
る。そしてまた、防屑プレート７周辺には切削屑２がＩ
Ｃウエハ９面に落下することがないよう，ダム８が設け
られている。以上のように構成することにより、ダイシ
ングライン３の幅が変更される場合、及びＩＣウエハ９
の径が変更される場合でも共用可能となる。
【００１８】実施の形態４．図７はこの発明の実施の形
態４によるＬＳＩダイシング装置を示す正面断面図であ
る。図において、２は切削屑、３はダイシングライン、
４ａ，４ｂはＩＣチップ、１０はダイヤモンドカッター
である。図に示すように、ダイヤモンドカッター１０に
おいては刃の向きとなるテーパー部分１０ａに切削屑２
が発生する。そこで、ダイヤモンドカッター１０のテー
パー部分１０ａを、最も距離の近いＩＣチップ４ａとは
反対側にとることにより、切削屑２が可能な限りＩＣチ
ップ４ａ，４ｂ上に付着することを防止できる。
態４によるＬＳＩダイシング装置を示す正面断面図であ
る。図において、２は切削屑、３はダイシングライン、
４ａ，４ｂはＩＣチップ、１０はダイヤモンドカッター
である。図に示すように、ダイヤモンドカッター１０に
おいては刃の向きとなるテーパー部分１０ａに切削屑２
が発生する。そこで、ダイヤモンドカッター１０のテー
パー部分１０ａを、最も距離の近いＩＣチップ４ａとは
反対側にとることにより、切削屑２が可能な限りＩＣチ
ップ４ａ，４ｂ上に付着することを防止できる。
【００１９】実施の形態５．図８はこの発明の実施の形
態５によるＬＳＩダイシング装置を示す正面断面図であ
り、図において、２は切削屑、３はダイシングライン、
４はＩＣチップ、１１は向かい合う面の刃にテーパー部
１１ａを付けたダイヤモンドカッターである。ダイヤモ
ンドカッター１１は刃の向きであるテーパー部１１ａに
切削屑２が発生する。そこで、ダイヤモンドカッター１
１の刃を正対させ、向かい合う面の刃にテーパー部１１
ａを付け、切削屑２がＩＣチップ４上に飛散することを
防ぐ構造としたものである。
態５によるＬＳＩダイシング装置を示す正面断面図であ
り、図において、２は切削屑、３はダイシングライン、
４はＩＣチップ、１１は向かい合う面の刃にテーパー部
１１ａを付けたダイヤモンドカッターである。ダイヤモ
ンドカッター１１は刃の向きであるテーパー部１１ａに
切削屑２が発生する。そこで、ダイヤモンドカッター１
１の刃を正対させ、向かい合う面の刃にテーパー部１１
ａを付け、切削屑２がＩＣチップ４上に飛散することを
防ぐ構造としたものである。
【００２０】実施の形態６．図９はこの発明の実施の形
態６によるＬＳＩダイシング装置を示す正面断面図、図
１０は同じく平面図である。図において、１はダイヤモ
ンドカッター又は回転式ブレード、３はダイシングライ
ン、９はＩＣウエハ、１２は切り目である。図に示すよ
うに、ＩＣチップ４上に切削屑２が付着することがない
よう、ＩＣウエハ９裏面から切削する場合に、ダイシン
グライン３の位置精度を高めるために、ＩＣウエハ９の
周辺に切り目１２を入れる。そしてこの切り目１２をタ
ーゲットとして、精度よく裏面よりダイシングを行うよ
うにするのである。
態６によるＬＳＩダイシング装置を示す正面断面図、図
１０は同じく平面図である。図において、１はダイヤモ
ンドカッター又は回転式ブレード、３はダイシングライ
ン、９はＩＣウエハ、１２は切り目である。図に示すよ
うに、ＩＣチップ４上に切削屑２が付着することがない
よう、ＩＣウエハ９裏面から切削する場合に、ダイシン
グライン３の位置精度を高めるために、ＩＣウエハ９の
周辺に切り目１２を入れる。そしてこの切り目１２をタ
ーゲットとして、精度よく裏面よりダイシングを行うよ
うにするのである。
【００２１】又、上記実施形態で挙げられたものの他
に、ＩＣチップ４上に切削屑２が付着することがないよ
う、ＩＣウエハ９の表面を保護シートで覆うこともでき
る。これにより、ブレーク、エキスパンド後、この保護
シートを取り除くことにより、保護シート上に付着した
切削屑２も併せて除去できるため、コレット吸着による
ＩＣチップ４の表面の傷の発生を防ぐことができる。
に、ＩＣチップ４上に切削屑２が付着することがないよ
う、ＩＣウエハ９の表面を保護シートで覆うこともでき
る。これにより、ブレーク、エキスパンド後、この保護
シートを取り除くことにより、保護シート上に付着した
切削屑２も併せて除去できるため、コレット吸着による
ＩＣチップ４の表面の傷の発生を防ぐことができる。
【００２２】
【発明の効果】この発明の請求項１に係るＬＳＩダイシ
ング装置によれば、ダイシングラインに沿って切断手段
によりＩＣウエハをＩＣチップに切断するものであっ
て、ダイシングライン上に切断手段が固定された直方体
防屑カバーを固定したので、ＩＣチップ表面上への切削
屑の付着を防止できる。
ング装置によれば、ダイシングラインに沿って切断手段
によりＩＣウエハをＩＣチップに切断するものであっ
て、ダイシングライン上に切断手段が固定された直方体
防屑カバーを固定したので、ＩＣチップ表面上への切削
屑の付着を防止できる。
【００２３】この発明の請求項２に係るＬＳＩダイシン
グ装置によれば、ダイシングラインに沿って切断手段に
よりＩＣウエハをＩＣチップに切断するものであって、
切断手段と一体に移動すると共に、ダイシングライン上
に面した部分を局部的に形成する防屑カバーを設けたの
で、切削屑の集塵力を増強させることが可能となる。
グ装置によれば、ダイシングラインに沿って切断手段に
よりＩＣウエハをＩＣチップに切断するものであって、
切断手段と一体に移動すると共に、ダイシングライン上
に面した部分を局部的に形成する防屑カバーを設けたの
で、切削屑の集塵力を増強させることが可能となる。
【００２４】この発明の請求項３に係るＬＳＩダイシン
グ装置によれば、ダイシングラインに沿って切断手段に
よりＩＣウエハをＩＣチップに切断するものであって、
ダイシングライン上方のみ空間をあけ、ＩＣウエハ全面
を覆い、かつその周辺にダムを設けた防屑プレートを取
付けたので、ダイシングライン幅が変更される場合、及
びＩＣウエハの径が変更される場合でも柔軟に対処する
ことができる。
グ装置によれば、ダイシングラインに沿って切断手段に
よりＩＣウエハをＩＣチップに切断するものであって、
ダイシングライン上方のみ空間をあけ、ＩＣウエハ全面
を覆い、かつその周辺にダムを設けた防屑プレートを取
付けたので、ダイシングライン幅が変更される場合、及
びＩＣウエハの径が変更される場合でも柔軟に対処する
ことができる。
【００２５】この発明の請求項４に係るＬＳＩダイシン
グ装置によれば、ダイシングラインに沿ってカッターに
よりＩＣウエハをＩＣチップに切断するものであって、
カッターのテーパー部分をカッターと最も近いところに
位置するＩＣチップとは反対側にとるので、切削屑が可
能な限りＩＣチップ上に付着することを防止できる。
グ装置によれば、ダイシングラインに沿ってカッターに
よりＩＣウエハをＩＣチップに切断するものであって、
カッターのテーパー部分をカッターと最も近いところに
位置するＩＣチップとは反対側にとるので、切削屑が可
能な限りＩＣチップ上に付着することを防止できる。
【００２６】この発明の請求項５に係るＬＳＩダイシン
グ装置によれば、ダイシングラインに沿ってカッターに
よりＩＣウエハをＩＣチップに切断するものであって、
２本のカッターをテーパー部分が向かい合うように正対
させて設けたので、切削屑がＩＣチップ上に飛散するこ
とを防ぐことができる。
グ装置によれば、ダイシングラインに沿ってカッターに
よりＩＣウエハをＩＣチップに切断するものであって、
２本のカッターをテーパー部分が向かい合うように正対
させて設けたので、切削屑がＩＣチップ上に飛散するこ
とを防ぐことができる。
【００２７】この発明の請求項６に係るＬＳＩダイシン
グ方法によれば、ダイシングラインに沿って切断手段に
よりＩＣウエハをＩＣチップに切断するものであって、
ＩＣウエハの周辺に切り目を入れ、この切り目をターゲ
ットにして切断するようにしたので、ダイシングライン
の位置精度を高め、精度よく裏面よりダイシングを行な
うことができる。
グ方法によれば、ダイシングラインに沿って切断手段に
よりＩＣウエハをＩＣチップに切断するものであって、
ＩＣウエハの周辺に切り目を入れ、この切り目をターゲ
ットにして切断するようにしたので、ダイシングライン
の位置精度を高め、精度よく裏面よりダイシングを行な
うことができる。
【図１】 この発明の実施の形態１によるＬＳＩダイシ
ング装置を示す正面断面図である。
ング装置を示す正面断面図である。
【図２】 この発明の実施の形態１によるＬＳＩダイシ
ング装置を示す平面図である。
ング装置を示す平面図である。
【図３】 この発明の実施の形態２によるＬＳＩダイシ
ング装置を示す正面断面図である。
ング装置を示す正面断面図である。
【図４】 この発明の実施の形態２によるＬＳＩダイシ
ング装置を示す平面図である。
ング装置を示す平面図である。
【図５】 この発明の実施の形態３によるＬＳＩダイシ
ング装置を示す正面断面図である。
ング装置を示す正面断面図である。
【図６】 この発明の実施の形態３によるＬＳＩダイシ
ング装置を示す平面図である。
ング装置を示す平面図である。
【図７】 この発明の実施の形態４によるＬＳＩダイシ
ング装置を示す正面断面図である。
ング装置を示す正面断面図である。
【図８】 この発明の実施の形態５によるＬＳＩダイシ
ング装置を示す正面断面図である。
ング装置を示す正面断面図である。
【図９】 この発明の実施の形態６によるＬＳＩダイシ
ング装置を示す正面断面図である。
ング装置を示す正面断面図である。
【図１０】 この発明の実施の形態６によるＬＳＩダイ
シング装置を示す平面図である。
シング装置を示す平面図である。
【図１１】 従来のＬＳＩダイシング装置を示す正面断
面図である。
面図である。
【図１２】 従来のＬＳＩダイシング装置を示す正面断
面図である。
面図である。
３ ダイシングライン、４，４ａ，４ｂ ＩＣチップ、
５ 直方体防屑カバー、６ 防屑カバー、７ 防屑プレ
ート、８ ダム、９ ＩＣウエハ、１０，１１ダイヤモ
ンドカッター、１０ａ，１１ａ，１１ｂ テーパー部
分、１２ 切り目。
５ 直方体防屑カバー、６ 防屑カバー、７ 防屑プレ
ート、８ ダム、９ ＩＣウエハ、１０，１１ダイヤモ
ンドカッター、１０ａ，１１ａ，１１ｂ テーパー部
分、１２ 切り目。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加茂 宣卓 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 土佐 博昭 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 黒田 昭宏 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 清水 俊介 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 寺田 賢司 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 東 辰 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 ダイシングラインに沿って切断手段によ
りＩＣウエハをＩＣチップに切断するＬＳＩダイシング
装置において、上記ダイシングライン上に上記切断手段
が固定された直方体防屑カバーを固定したことを特徴と
するＬＳＩダイシング装置。 - 【請求項２】 ダイシングラインに沿って切断手段によ
りＩＣウエハをＩＣチップに切断するＬＳＩダイシング
装置において、上記切断手段と一体に移動すると共に、
上記ダイシングライン上に面した部分を局部的に形成す
る防屑カバーを設けたことを特徴とするＬＳＩダイシン
グ装置。 - 【請求項３】 ダイシングラインに沿って切断手段によ
りＩＣウエハをＩＣチップに切断するＬＳＩダイシング
装置において、上記ダイシングライン上方のみ空間をあ
け、上記ＩＣウエハ全面を覆い、かつその周辺にダムを
設けた防屑プレートを取付けたことを特徴とするＬＳＩ
ダイシング装置。 - 【請求項４】 ダイシングラインに沿ってカッターによ
りＩＣウエハをＩＣチップに切断するＬＳＩダイシング
装置において、上記カッターのテーパー部分を上記カッ
ターと最も近いところに位置するＩＣチップとは反対側
にとることを特徴とするＬＳＩダイシング装置。 - 【請求項５】 ダイシングラインに沿ってカッターによ
りＩＣウエハをＩＣチップに切断するＬＳＩダイシング
装置において、２本のカッターをテーパー部分が向かい
合うように正対させて設けたことを特徴とするＬＳＩダ
イシング装置。 - 【請求項６】 ダイシングラインに沿って切断手段によ
りＩＣウエハをＩＣチップに切断するＬＳＩダイシング
装置において、上記ＩＣウエハの周辺に切り目を入れ、
この切り目をターゲットにして切断することを特徴とす
るＬＳＩダイシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2123799A JP2000223445A (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | Ｌｓｉダイシング装置及びダイシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2123799A JP2000223445A (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | Ｌｓｉダイシング装置及びダイシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000223445A true JP2000223445A (ja) | 2000-08-11 |
Family
ID=12049451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2123799A Pending JP2000223445A (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | Ｌｓｉダイシング装置及びダイシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000223445A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007207865A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Seiko Instruments Inc | ダイシング方法及びダイシング装置 |
| JP2013058653A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物の分割方法 |
| JP2015109325A (ja) * | 2013-12-04 | 2015-06-11 | 株式会社ディスコ | パッケージ基板の加工方法 |
| JP2020175460A (ja) * | 2019-04-17 | 2020-10-29 | 株式会社ディスコ | 複合基板の加工方法 |
-
1999
- 1999-01-29 JP JP2123799A patent/JP2000223445A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007207865A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Seiko Instruments Inc | ダイシング方法及びダイシング装置 |
| JP2013058653A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物の分割方法 |
| JP2015109325A (ja) * | 2013-12-04 | 2015-06-11 | 株式会社ディスコ | パッケージ基板の加工方法 |
| JP2020175460A (ja) * | 2019-04-17 | 2020-10-29 | 株式会社ディスコ | 複合基板の加工方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105405806B (zh) | 等离子蚀刻和隐形切片激光工艺 | |
| US6642127B2 (en) | Method for dicing a semiconductor wafer | |
| US5904548A (en) | Trench scribe line for decreased chip spacing | |
| US7183137B2 (en) | Method for dicing semiconductor wafers | |
| KR102163441B1 (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
| WO2007140144A3 (en) | Back side wafer dicing | |
| SG130941A1 (en) | Method for dicing semiconductor wafer | |
| JP2006286968A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100605433B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| CN107634032B (zh) | 晶片及晶片制造方法 | |
| KR20140038303A (ko) | 가공 방법 | |
| JP5068705B2 (ja) | 加工装置のチャックテーブル | |
| US20080227234A1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
| KR100554994B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JP2005109155A (ja) | 半導体ウェーハの加工方法 | |
| CN111489965A (zh) | 部分背面金属移除切割系统及相关方法 | |
| JP2000223445A (ja) | Ｌｓｉダイシング装置及びダイシング方法 | |
| MY134805A (en) | Cutting device for separating individual laminated chip assemblies from a strip thereof, method of separation and a method of making the cutting device | |
| EP0776029B1 (en) | Improvements in or relating to semiconductor chip separation | |
| CN112740365B (zh) | 附金属膜衬底的分断方法 | |
| JP2011124260A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| TW202307947A (zh) | 加工基板的方法和用於加工基板的系統 | |
| TWI267913B (en) | Wafer dicing method | |
| JP2005223130A (ja) | 半導体ウエーハの分割方法 | |
| JP2013062372A (ja) | デバイスウェハ及びデバイスウェハの切断方法 |