JP2000222711A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法および製造装置 - Google Patents

薄膜磁気ヘッドの製造方法および製造装置

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JP2000222711A
JP2000222711A JP11020456A JP2045699A JP2000222711A JP 2000222711 A JP2000222711 A JP 2000222711A JP 11020456 A JP11020456 A JP 11020456A JP 2045699 A JP2045699 A JP 2045699A JP 2000222711 A JP2000222711 A JP 2000222711A
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polishing
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Masato Kato
政人 加藤
Shigenobu Miyajima
茂信 宮島
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Alps Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の、薄膜磁気ヘッドの製造方法では、ス
ライダバー上に積層された薄膜磁気素子のＡＢＳ面を研
磨加工して磁気抵抗効果素子のＭＲハイトを調整する際
に、スライダバーのＡＢＳ面と薄膜磁気素子の対向面と
の段差量（リセッション）が大きくなってしまい、薄膜
磁気ヘッドの品質が低下した。 【解決手段】 磁気抵抗効果素子のＭＲハイトが仕上げ
値の公差内に入りかつ、研磨加工開始からの加工時間が
所定時間を超えるまで研磨加工を継続させることによ
り、リセッションを著しく小さくすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
などに用いられる薄膜磁気ヘッドを研磨加工する場合に
高精度な研磨加工を可能とする薄膜磁気ヘッドの製造方
法および製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドの製造は、一般に、Ａｌ
2Ｏ3−ＴｉＣ（アルミナチタンカーバイド）からなる基
板上に薄膜磁気素子を構成する絶縁層、磁性層、および
導電層などの薄膜層を、スパッタ法などによって順次積
層し、必要に応じて各薄膜層を、フォトリソグラフィー
法やイオンミリング法などを用いて加工することにより
行われる。
【０００３】薄膜磁気ヘッドの製造方法は、図５に示す
ように、基板２上に複数の薄膜磁気素子１を、複数列形
成する（図５にはそのうち一部のみ図示している）。薄
膜磁気素子１は、記録情報の読み取り用の磁気抵抗効果
素子を有しているＭＲ磁気ヘッドと書き込み用のインダ
クティブ磁気ヘッドが一体に形成されたいわゆるＭＲ／
インダクティブ複合型磁気ヘッドである。薄膜磁気素子
１への導通接続は、薄膜磁気素子１に導通される電極４
で行われる。基板２は点線で切断されて図６のスライダ
バー３になる。
【０００４】ＭＲ磁気ヘッドを製造するとき、前記薄膜
磁気素子１のうちのＭＲ磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子
のハイトをある所定値に調整する必要がある。ＭＲハイ
トの調整は、複数形成された磁気抵抗効果素子のうちの
数個をモニター素子として利用し、磁気抵抗効果素子の
両端に接続されている電極層間の直流抵抗値（ＤＣＲ
値）を測定しながら、図６に示すＡＢＳ面３ａを研磨加
工することにより行われる。
【０００５】前記ＤＣＲ値が仕上げ値の公差範囲内とな
るまで前記ＡＢＳ面３ａを加工することにより、磁気抵
抗効果素子のハイト（ＭＲハイト）を適正値に設定でき
る。また、ＭＲハイト出しが完了した後に、スライダバ
ー３は図６に示す点線の部分で切断され、個々の薄膜磁
気ヘッドとなる。前記スライダバー３から分離された個
々の基板がスライダとなる。このスライダのＡＢＳ面３
ａが記録媒体に対向し、移動する記録媒体から浮上力を
受けるようになる。
【０００６】前記ＭＲハイト出しのための研磨加工は、
例えば、図８に示すラップ定盤２１を用いて行われる。
図６に示すスライダバー３はＡＢＳ面３ａが前記ラップ
定盤２１の上に当てられる。そして、ラップ定盤２１を
回転駆動させ、且つスライダバー３のＡＢＳ面３ａの研
磨を行う。
【０００７】図９は、前記ＭＲハイト出しのための研磨
加工の工程を示すフローチャートである。研磨加工に
は、ラップ定盤２１の上面に研磨液を供給して行う粗加
工（図９（Ａ））と、必要に応じてラップ定盤２１上に
潤滑剤を供給して行う仕上げ加工（図９（Ｂ））の段階
がある。
【０００８】図９（Ａ）に示す粗加工では、モニタ素子
のＤＣＲ値を監視しながら研磨を続け、所定のＤＣＲ値
の範囲内に入ったところで加工を終了する。図９（Ｂ）
に示す仕上げ加工では、同様にしてモニタ素子のＤＣＲ
値を監視しながら研磨加工を行い、ＤＣＲ値が仕上げ値
の交差内に入ったところで、ＭＲハイトも仕上げ値の交
差内に入ったものとして加工を終了する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図９に示した
従来の研磨方法では、完成した薄膜磁気ヘッドにおい
て、スライダバー３のＡＢＳ面３ａと、薄膜磁気素子１
との間に、段差が残りやすいという問題がある。
【００１０】図１１（Ａ）は研磨加工開始前、図１１
（Ｂ）は加工中または加工後のスライダバー３および薄
膜磁気素子１の側面図である。なお、薄膜磁気素子１が
成膜されるとき（図５の工程）で、薄膜磁気素子１を覆
うカバー層５が形成される。このカバー層５はＡｌ2Ｏ3
やＳｉＯ2などである。
【００１１】図９（Ａ）で説明した粗加工では、ラップ
定盤２１の表面に、微粒子を含む研磨液が供給されて、
ＡＢＳ面３ａが研磨される。主にＡｌ2Ｏ3やＮｉＦｅ
（パーマロイ）などによって形成される薄膜磁気素子１
は、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ（アルミナチタンカーバイド）な
どによって形成されるスライダバー３よりも研磨レート
が速い。したがって、粗加工において、図１１（Ｂ）に
示すように、スライダバー３のＡＢＳ面３ａと薄膜磁気
素子１の記録媒体との対向面１ａとの間に段差が生じや
すい。
【００１２】特に、ラップ定盤２１の表面に研磨液が与
えられる粗加工では、研磨液内の微粒子により薄膜磁気
素子１の対向面１ａが速いレートで研磨されやすく、そ
の結果前記段差の量（リセッション）が増大しやすい。
以下では、段差量（リセッション）をＲで表す。リセッ
ションＲは、薄膜磁気素子の対向面１ａがスライダバー
３のＡＢＳ面３ａと一致するときを０とし、段差が増大
する方向をプラス方向とする。
【００１３】ここで、図９（Ａ）に示す粗仕上げ加工で
は、磁気抵抗効果素子のＤＣＲの監視のみで研磨加工を
行っているために、前記ＤＣＲ値が所定の範囲内となっ
たとき、すなわち磁気抵抗効果素子のハイト（ＭＲハイ
ト）の値が所定の範囲内となったときに、スライダバー
３のＡＢＳ面３ａがどの程度研磨されているのか判断で
きない。そのため、薄膜磁気素子１の対向面１ａが十分
な量だけ研磨されて、前記ＭＲハイト値が所定の範囲内
であるにもかかわらず、スライダバー３のＡＢＳ面３ａ
の研磨量が未だ十分でなく、プラス方向に非常に大きな
リセッションＲが発生していることがある。
【００１４】その後の仕上げ加工においても、その研磨
過程において、スライダバー３のＡＢＳ面３ａよりも薄
膜磁気素子１の対向面１ａが速い研磨レートにて研磨さ
れる。したがって、粗加工でのリセッションＲが大きい
場合すなわちスライダバー３のＡＢＳ面３ａと薄膜磁気
素子１の対向面１ａとの段差が大きく残っている状態
で、仕上げ加工に移行し、このとき図９（Ｂ）に示すよ
うに単にＤＣＲ値のみを監視して加工していると、薄膜
磁気素子１のＤＣＲ値が仕上げハイト値の公差内に入っ
た時点で、未だ大きなリセッションＲが残るという現象
が生じる。
【００１５】すなわち、粗加工完了時でのリセッション
Ｒが大きすぎ、しかも仕上げ加工の加工時間が短すぎて
スライダバー３のＡＢＳ面３ａが段差量（リセッショ
ン）Ｒを十分に低減できるほどに研磨されていないのに
も係わらず、仕上げ研磨が完了してしまうという問題が
生じる。
【００１６】近年、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体の高密
度化に対応する必要から駆動状態における薄膜磁気素子
１の対向面１ａと記録媒体との距離を、できる限り短く
してスペーシングロスを可能な限り小さくすることが必
要になってきている。このような機器に使用される薄膜
磁気ヘッドにおいて前記のように大きな段差量（リセッ
ション）が発生していると、スペーシングロスが大きく
なって記録／再生特性が悪化する。
【００１７】また、ラップ加工を行うとき、通常、ラッ
プ定盤２１を約１００ｒｐｍの回転速度で回転させる。
従来は、仕上げ加工終了時にラップ定盤２１を駆動する
モータに与える電力を前記駆動状態からそのまま停止状
態に移行させうという台形駆動により制御していた。こ
のように、仕上げ加工完了時にラップ定盤２１が高速回
転状態から急激に停止することにより、スライダバー３
のＡＢＳ面３ａおよび薄膜磁気素子１の対向面１ａに傷
が付くという問題が生じている。
【００１８】スライダバー３のＡＢＳ面３ａの傷は、そ
のままスライダのＡＢＳ面の傷として残るため、記録媒
体上での浮上特性が不安定になったり、あるいは記録媒
体の表面に傷を与えるという問題が発生する。
【００１９】本発明は、上記従来の課題を解決するため
のものであり、スライダバーのＡＢＳ面と薄膜磁気素子
の記録媒体との対向面との段差量を最小にできるような
プロセスで研磨加工を行う薄膜磁気ヘッドの製造方法お
よび製造装置を提供することを目的としている。
【００２０】また本発明は、仕上げ加工の完了時にスラ
イダバーのＡＢＳ面に傷が付くという問題を防止できる
薄膜磁気ヘッドの製造方法および製造装置を提供するこ
とを目的としている。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に、絶
縁層、磁性層、導電層などの薄膜層を積層して磁気抵抗
効果素子を含む薄膜磁気素子を形成し、前記磁気抵抗効
果素子の抵抗値を測定しながら、前記基板および前記薄
膜磁気素子を、ハイト方向に研磨加工してＭＲハイトを
調整する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、加工時間
が所定時間を超え、しかも前記抵抗値またはこの抵抗値
から換算されたＭＲハイトが仕上げ値の公差内に入るま
で、研磨加工を継続することを特徴とするものである。
【００２２】本発明は、従来のように抵抗値またはこの
抵抗値から換算したハイト値のみを指針として研磨作業
を行うのではなく、研磨時間が所定時間を超えるまで研
磨するように監視し、研磨時間が所定時間を超え、しか
も抵抗値またはこれから換算したハイト値が仕上げ値の
公差範囲内となったときに、加工を完了するようにす
る。前記のように抵抗値を監視しながら、所定時間以上
の研磨加工を継続することにより、研磨レートの遅い基
板（スライダバー）のＡＢＳ面を十分な量まで研磨で
き、前記ＡＢＳ面と薄膜磁気素子との段差量を可能な限
り小さくでき、前記段差量を０にすることも可能にな
る。
【００２３】また本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、基板上に、絶縁層、磁性層、導電層などの薄膜層を
積層して磁気抵抗効果素子を含む薄膜磁気素子を形成
し、前記磁気抵抗効果素子の抵抗値を測定しながら、前
記基板および前記薄膜磁気素子を、ハイト方向に研磨加
工してＭＲハイトを調整する薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、前記抵抗値またはこの抵抗値から換算された
ＭＲハイトが基準値以下になったときに、研磨加工に用
いるラップ装置のラップ定盤の回転数を、低速な回転数
に少なくとも１回切り替えて加工を終了させることを特
徴とするものである。
【００２４】研磨加工の終了が近づいた時に、すなわ
ち、前記抵抗値またはこの抵抗値から換算されたＭＲハ
イトが基準値以下になったときに、ラップ装置のラップ
定盤の回転数を、低速な回転数に少なくとも１回切り替
えた後、ラップ定盤の回転を止め、研磨加工を終了させ
ると、スライダおよび薄膜磁気素子のＡＢＳ面につくキ
ズ(条痕)を低減でき、薄膜磁気ヘッドの浮上特性を向上
させることができ、また磁気ヘッドとして使用するとき
に、記録媒体に傷を付けるのを防止できる。
【００２５】また、本発明では、前記抵抗値またはこの
抵抗値から換算されたＭＲハイトが基準値以下になった
ときに、研磨加工に用いるラップ装置のラップ定盤の回
転数を、低速な回転数に少なくとも１回切り替える発明
と、加工時間が所定時間を超え、しかも前記抵抗値また
はこの抵抗値から換算されたＭＲハイトが仕上げ値の公
差内に入るまで、研磨加工を継続する発明の双方を実施
してもよい。
【００２６】また、前記研磨加工は、粗加工と仕上げ加
工の２段階の研磨加工とし、前記研磨加工の所定時間
は、前記仕上げ加工開始後の経過時間であることが好ま
しい。また、前記研磨加工は、粗加工と仕上げ加工の２
段階の研磨加工とし、前記回転数の切り替えは、前記仕
上げ加工内で行われるようにしてもよい。
【００２７】ＭＲハイトが目標値にある程度近づくまで
は、加工精度よりも加工速度を重視する粗加工ですばや
く研磨し、ＭＲハイトが目標値に近づいたところで、加
工精度を重視する仕上げ加工に切り替えるようにする
と、研磨加工の精度を高くでき且つ全体の加工時間を短
くすることができる。
【００２８】このような粗加工と仕上げ加工の２段階の
加工を行う場合に、仕上げ加工の加工時間が前記所定時
間以上であるか否かを監視すると、例えば粗加工におい
て段差量（リセッション）が大きすぎた場合、すなわち
粗加工において薄膜磁気素子が基板よりも多く加工され
てしまった場合に、さらに仕上げ加工で短時間に加工が
完了してしまい、基板の研磨量が少なくて大きなリセッ
ションが残る、という問題を防止できる。
【００２９】ただし、前記の所定時間を経過したか否か
を監視する発明は、粗加工と仕上げ加工とに区別しない
１つの工程で加工を完了する方法において、この１つの
工程の加工開始からの経過時間を監視することによって
も実施できる。
【００３０】同様に回転数の切り替えに関しても、粗加
工と仕上げ加工の２段階の加工を行わず、１段階の加工
のみを行う方法において、この１段階の加工の途中で回
転数を切り替えるように実施してもよい。
【００３１】研磨加工の所定時間は、例えば、２分以上
好ましくは３分以上に設定されている。また、前記ラッ
プ定盤の回転数は、例えば、回転数切り替え前が７０〜
１００ｒｐｍであり、回転数切り替え後が、５〜２０ｒ
ｐｍである。
【００３２】また、本発明において、仕上げ加工完了後
に前記薄膜磁気素子から前記基板の記録媒体対向面まで
の段差量（リセッション）を測定し、この段差量また
は、磁気抵抗効果素子のＭＲハイトもしくは抵抗値が適
正となるように、次の加工での加工条件を変えるように
してもよい。
【００３３】また、仕上げ加工開始から仕上げ加工完了
までの時間を測定し、この加工時間が所定値以内となる
ように、次の加工での加工条件を変えるようにしてもよ
い。前記加工条件は、例えば、前記粗加工でのＭＲハイ
トの追い込み量や前記仕上げ加工での潤滑剤の投入時期
である。
【００３４】なお、前記粗加工でのＭＲハイト値や前記
仕上げ加工での潤滑剤の投入時期など異なる複数の前記
加工条件をひとまとめにして、ラップ装置ごとに記憶装
置内でテーブル化して記憶し、このテーブル内から、前
記加工条件を選択するようにすることが好ましい。
【００３５】さらに、前記加工条件をＭＲハイト値など
に応じて、ランク分けしてテーブル化した上で、記憶さ
せ、ランクを選択することによりテーブルから加工条件
を選択するようにするとより好ましい。
【００３６】研磨加工の設定に必要な加工条件をひとま
とめにし、さらに、ＭＲハイト値の大きさに応じてラン
ク分けしたテーブルにして、各ラップ装置ごとに記憶さ
せると、作業者は、前回の加工結果のデータ（段差量、
ＭＲハイトまたは抵抗値、仕上げ加工時間）に基づき、
テーブル化された加工条件のランクを選択するだけで次
回の研磨加工の加工条件（ＭＲハイト値、潤滑剤の投入
時期）を設定できるので、設定にかかる時間を短くで
き、設定の間違いを少なくでき、薄膜磁気ヘッドの品質
および歩留まりの向上を図ることができる。
【００３７】なお、本発明では、前記抵抗値を基準とし
て加工を行ってもよいし、この抵抗値から前記ＭＲハイ
ト値を換算し、この換算値を用いて、ＭＲハイトの研磨
量および仕上げ値が適性であるかを判別するようにして
もよい。
【００３８】すなわち、前記各方法において磁気抵抗効
果素子の抵抗値を測定する場合に、この抵抗値が所定の
範囲内に入ったか、または仕上げ値の公差内に入ったか
を監視して研磨を行ってもよいが、前記抵抗値から換算
したＭＲハイト値を用いて前記研磨状態の監視を行って
もよい。
【００３９】上述した本発明の薄膜磁気素子の製造方法
を実施する製造装置は、基板上に磁気抵抗効果素子を含
む薄膜磁気素子が形成された薄膜磁気ヘッドを保持する
保持手段と、前記保持手段に保持された薄膜磁気ヘッド
の前記基板および前記薄膜磁気素子を研磨するラップ装
置と、前記研磨加工中に前記磁気抵抗効果素子の抵抗値
を測定する抵抗測定手段と、前記抵抗測定手段により測
定された抵抗値またはこの抵抗値から換算されたＭＲハ
イト値を監視するとともに、加工時間が所定時間を超え
たか否かを計測し、前記加工時間が所定時間を超え、し
かも前記抵抗値またはＭＲハイトが仕上げ値の公差内に
入るまで、研磨加工を継続するように前記ラップ装置を
制御する制御手段と、を有することを特徴とするもので
ある。
【００４０】または、基板上に磁気抵抗効果素子を含む
薄膜磁気素子が形成された薄膜磁気ヘッドを保持する保
持手段と、前記保持手段に保持された薄膜磁気ヘッドの
前記基板および前記薄膜磁気素子を研磨するラップ装置
と、前記研磨加工中に前記磁気抵抗効果素子の抵抗値を
測定する抵抗測定手段と、前記ラップ装置のラップ定盤
の回転数を変速させる変速手段と、前記抵抗測定手段に
より測定された抵抗値またはこの抵抗値から換算された
ＭＲハイト値を監視し、前記抵抗値またはこの抵抗値か
ら換算されたＭＲハイトが基準値以下になったときに、
前記ラップ装置のラップ定盤の回転数を、低速な回転数
に少なくとも１回切り替えるように前記変速手段を制御
する制御手段と、が設けられていることを特徴とするも
のである。
【００４１】あるいは、基板上に磁気抵抗効果素子を含
む薄膜磁気素子が形成された薄膜磁気ヘッドを保持する
保持手段と、前記保持手段に保持された薄膜磁気ヘッド
の前記基板および前記薄膜磁気素子を研磨するラップ装
置と、前記研磨加工中に前記磁気抵抗効果素子の抵抗値
を測定する抵抗測定手段と、前記ラップ装置のラップ定
盤の回転数を変速させる変速手段と、前記抵抗測定手段
により測定された抵抗値またはこの抵抗値から換算され
たＭＲハイト値を監視するとともに、加工時間が所定時
間を超えたか否かを計測し、前記加工時間が所定時間を
超え、しかも前記抵抗値またはＭＲハイトが仕上げ値の
公差内に入るまで、研磨加工を継続するように前記ラッ
プ装置を制御し、且つ前記抵抗値またはこの抵抗値から
換算されたＭＲハイトが基準値以下になったときに、前
記ラップ装置のラップ定盤の回転数を、低速な回転数に
少なくとも１回切り替えるように前記変速手段を制御す
る制御手段と、が設けられていることを特徴とするもの
である。
【００４２】また、前記ラップ装置は、粗加工と仕上げ
加工の２段階の研磨加工を行ない、制御手段では、前記
仕上げ加工開始からの加工時間が計測されるもの、ある
いは、前記ラップ装置は、粗加工と仕上げ加工の２段階
の研磨加工を行ない、制御手段により、ラップ定盤の回
転数が前記仕上げ加工中に切り替えられるように制御さ
れるものである。
【００４３】上記装置においては、ランク分けされた複
数の加工条件のテーブルを記憶する記憶装置が設けら
れ、制御手段では、仕上げ加工による仕上げ結果に応じ
て、前記テーブルから読み出した加工条件を次の加工で
の加工条件として設定することが可能である。
【００４４】
【発明の実施の形態】図５に示すように、薄膜磁気ヘッ
ドの製造工程では、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ（アルミナチタン
カーバイド）などの基板２上に、複数の薄膜磁気素子１
が薄膜プロセスにより形成される。図５に示す基板２は
円盤形状であり、この基板２上に複数の薄膜磁気素子１
が、一定の間隔をおいて列をなすように形成され、また
これが複数列形成される。
【００４５】図７は、スライダバー３上に形成されてい
る薄膜磁気素子１をＡＢＳ面３ａに沿って切断した部分
拡大断面図である。なお、薄膜磁気素子１はインダクテ
ィブ磁気ヘッド部と磁気抵抗効果素子を用いたＭＲ磁気
ヘッドの積層複合型であるが、図７では、薄膜磁気素子
１のＭＲ磁気ヘッドのみが図示されており、インダクテ
ィブ磁気ヘッド部および薄膜磁気素子１を覆うカバー層
（図１１参照）の図示は省略している。
【００４６】図７に示すように、スライダバー３の上に
は、Ａｌ2Ｏ3などの下地絶縁層１ｂが形成されている。
また下地絶縁層１ｂの上には、ＮｉＦｅ合金などの磁性
材料で形成された下部シールド層１ｃが形成され、さら
に下部シールド層１ｃの上には、Ａｌ2Ｏ3などの絶縁材
料から成る下部ギャップ層１ｄが形成されている。そし
て、複数の磁気抵抗効果素子１ｅが、下部ギャップ層１
ｄ上に、ＡＢＳ面方向（図示Ｘ方向）に一列に並んで形
成されている。
【００４７】磁気抵抗効果素子１ｅの中央部には、例え
ば反強磁性層、固定磁性層、非磁性導電層、及びフリー
磁性層で構成されたスピンバルブ膜（ＧＭＲ素子の１
種）から成る多層膜１ｆが形成されている。また多層膜
１ｆの両側には、Ｃｒ（クロム）などの非磁性金属材料
で形成された電極層１ｇが形成されている。
【００４８】磁気抵抗効果素子１ｅの上には、Ａｌ2Ｏ3
などの絶縁材料で形成された上部ギャップ層１ｈが形成
され、さらに上部ギャップ層１ｈの上にはＮｉＦｅ合金
（パーマロイ）などで形成された上部シールド層１ｉが
形成されている。
【００４９】多層膜１ｆは巨大磁気抵抗効果を利用した
素子であり、記録媒体からの洩れ磁界の変化に応じて電
気抵抗が変わり、これにより記録信号が検出されるよう
になっている。
【００５０】図５に示す基板２を点線で切断することに
より図６に示すスライダバー３が形成される。このスラ
イダバー３に形成された前記複数の薄膜磁気素子１のう
ちの数個をモニター用素子として使用し、前記電極層１
ｇと１ｇ間の直流抵抗値（ＤＣＲ値）を測定しながら、
ＡＢＳ面３ａのラップ加工を行い、磁気抵抗効果素子を
構成する多層膜１ｆのハイト値（Ｙ方向の長さ）を決め
る。
【００５１】なお、薄膜磁気素子の抵抗値は、本実施の
形態では、薄膜磁気素子の直流抵抗値（ＤＣＲ）を測定
しているが、薄膜磁気素子に交流電流を与えて交流抵抗
値（インピーダンス）を測定してもよい。この研磨加工
は、図８に示すようなラップ定盤２１を回転させ、ラッ
プ定盤２１の表面にスライダバー３のＡＢＳ面３ａを当
てることにより行われる。
【００５２】図１と図２は、前記ラップ加工の工程を示
すフローチャートである。本発明の実施の形態では、ス
ライダバー３上に積層された薄膜磁気素子１のハイト出
しのための研磨加工を、粗加工と仕上げ加工の２段階で
行っている。
【００５３】粗加工は、ラップ定盤２１上に、平均粒径
０．１〜５０．５μｍのダイヤモンド多結晶微粒子を含
む研磨液を塗布して行う。粗加工は図１（Ａ）に示すよ
うに、ステップ１（ＳＴ１）において、粗加工のランク
設定を行う。このランク設定については後に表１、表
２、表３を用いて説明する。ＳＴ２でラップ定盤２１を
用いた粗加工を開始し、ＳＴ３で加工中に前記ＤＣＲ値
を読み込む。ＳＴ４においてＤＣＲ値が所定の値の範囲
内に入ったら粗加工を終了する。この粗加工により、短
時間にＤＣＲ値が仕上げ値に近づくように研磨する。な
お、ＳＴ４ではＤＣＲ値が所定の範囲となるか否かを監
視しているが、ＤＣＲ値を磁気抵抗効果素子（多層膜１
ｆ）のハイト値に換算し、この換算した値が所定の範囲
となったときに粗加工を終了してもよい。
【００５４】次に図１（Ｂ）の仕上げ加工に移行する
が、仕上げ加工では、ラップ定盤２１上に潤滑油を供給
して行う。ただし、潤滑剤の投入時期は、後述するよう
に表１に示す加工ランクの設定に基づいて行われる。図
１（Ｂ）に示す仕上げ加工では、加工開始（ＳＴ６）の
後にＳＴ７において仕上げ加工開始からの経過時間を監
視する。この経過時間は後に説明するように図３に示す
測定結果から求められたものであり、例えば２分以上好
ましくは３分以上である。このように経過時間を設定
し、この経過時間を超えたときにリセスフラグ８をＯＮ
にする。
【００５５】次に、ＳＴ９でＤＣＲ値を読み込み、ＳＴ
１０でこのＤＣＲ値をＭＲハイトに換算する。ＳＴ１１
では、ＭＲハイトが仕上げ値の公差内になったかどうか
を判定する。ＭＲハイトが仕上げ値の公差内に入ってい
ないときは、仕上げ加工を継続し、再び経過時間が所定
時間を超えたかどうかの判定を繰り返す。なおこの場
合、ＤＣＲ値をＭＲハイト値に変換せず、ＳＴ１１にお
いてＤＣＲ値が仕上げ値の公差範囲内であるかのみを監
視して適正な加工が行われたか否かの判別をしてもよ
い。
【００５６】ＭＲハイトが仕上げ値の公差内に入ったと
きは、ＳＴ１２で前記リセスフラグがＯＮであるかＯＦ
Ｆであるかを確認する。リセスフラグがＯＮであれば、
経過時間が所定時間を超えていることになり、所定時間
が経過していることと、ＭＲハイト値が仕上げ値の公差
範囲内であることの双方の条件を満たすことになるため
仕上げ加工を終了する（ＳＴ１３）。
【００５７】ＳＴ１２の時点でリセスフラグがＯＮでな
い場合には、ＭＲハイト値が仕上げ値の公差範囲内に入
ってはいるが、未だスライダバー３のＡＢＳ面３ａの研
磨量が十分ではなく、大きなリセッションが残っている
ものである確率が高い。この場合、さらに研磨作業を継
続し、ＳＴ７で再度経過時間を監視し、またＳＴ１１で
ＭＲハイト値が仕上げ値の公差範囲内であるか否かを確
認する。この繰り返しでＭＲハイト値が仕上げ値の公差
から外れてしまった場合には、そのスライダバー３はＮ
Ｇとなる。
【００５８】仕上げ加工を必ず前記の所定時間以上継続
することにより、研磨レートの遅いスライダバー３のＡ
ＢＳ面３ａを充分に研磨でき、ＡＢＳ面３ａと薄膜磁気
素子１の対向面１ａとのリセッションＲ（図１１（Ｂ）
参照）を最小にできる。また粗加工において前記リセッ
ションＲが大きすぎている場合には、仕上げ加工におい
て加工時間が所定時間経過であるという条件と、ＭＲハ
イト値が仕上げ値の公差範囲内であるという双方の条件
を満足させることができず、ＮＧとすることができる。
【００５９】図３は前記ＳＴ７の所定時間を設定するた
めの測定結果の一例を示す。このグラフは、仕上げ加工
の経過時間を横軸に、スライダバー３のＡＢＳ面３ａと
薄膜磁気素子１の対向面１ａとの段差量（リセッショ
ン）を縦軸にとったものである。リセッションは、スラ
イダバー３のＡＢＳ面３ａを０とし、そこから段差が大
きくなる方向をプラス方向として計測する。スライダバ
ー３の材質はＡｌ2Ｏ3―ＴｉＣであり、薄膜磁気素子１
は、Ａｌ2Ｏ3、ＮｉＦｅ、Ｃｕなどからなる積層体であ
る。
【００６０】図３の測定結果では、仕上げ加工開始後の
２分で、リセッションは、１０ｎｍになる。３分後に
は、リセッションはほぼ０となり、そのまま安定する。
したがって、仕上げ加工の経過時間は２分以上好ましく
は３分以上である。
【００６１】上記のように経過時間の所定時間を２分以
上または３分以上に設定すると、リセッションを１０以
下または０ｎｍに収めることができる。従来は、リセッ
ションは３０〜０ｎｍであったので前記経過時間を観測
して仕上げ加工を行うことにより、リセッションの増大
およびばらつきを著しく抑えることができ、薄膜磁気ヘ
ッドの品質の向上、特に、スペーシング・ロスを抑えて
記録／再生特性の向上を図ることができる。
【００６２】また図１（Ｂ）に示す仕上げ加工におい
て、ＳＴ１１でＭＲハイト値（またはＤＣＲ値を基準と
してのよい）が仕上げ値の公差範囲内に至る前の時点
で、図２（Ｂ）のＳＴ１７とＳＴ１８の工程を加えるこ
とができる。
【００６３】図２（Ｂ）のＳＴ１７では、仕上げの研磨
加工の終了が近づいてＭＲハイトが基準値以下になった
ときに、ラップ定盤２１の回転数を、少なくとも１回、
低速な回転数に切り替える（ＳＴ１８）。この低速回転
に切り替えた後にＳＴ１１でＭＲハイト値が仕上げ値の
公差範囲内になったときに、ラップ定盤２１を止めて、
加工を終了する。
【００６４】本実施の形態では、ＳＴ１７で低速に切り
替える前の研磨加工時のラップ定盤の回転数を約１００
ｒｐｍとしている。またＳＴ１７では、ＤＣＲ値をＭＲ
ハイト値に換算して、ＭＲハイト値が、基準値以下にな
ったか否かを監視しているが、例えば、ＭＲハイト値
が、（仕上げ値＋０．５〜＋１μｍ）以下になったとこ
ろで、ラップ定盤２１の回転数を、約２０ｒｐｍに切り
替える。
【００６５】図４は、ラップ装置を停止させる直前のラ
ップ定盤２１の回転数と、ラップ装置停止後にスライダ
バー３および薄膜磁気素子１につくキズ(条痕)の深さと
の関係を示すグラフである。ラップ装置のラップ定盤２
１の回転数が例えば、約１００ｒｐｍの状態から、台形
駆動制御により停止させると、スライダバー３および薄
膜磁気素子１につくキズ(条痕)の深さは５〜２０nmにな
る。しかし、ラップ定盤の回転数を、例えば、約２０ｒ
ｐｍから台形駆動制御により停止させると、キズ(条痕)
の深さは１〜２nmの範囲におさまる。
【００６６】なお、本実施の形態では、ラップ定盤の回
転数の切り替えは、１回だけであるが、切り替えの回数
は何回でも構わない。なお、図１（Ｂ）に示すフローチ
ャートに図２（Ｂ）に示す定盤の回転数の切り替え工程
を含ませなくてもよい。また図２（Ｂ）に示す定盤の回
転数の切り替えのみを行い、図１（Ｂ）に示す経過時間
の観測を行わなくてもよい。
【００６７】また粗加工と仕上げ加工を行わず、１段階
の加工工程とし、この１段階の加工工程で、図１（Ｂ）
に示す経過時間の観測および／または図２（Ｂ）に示す
定盤の回転数の切り替えを行ってもよい。
【００６８】また、上記研磨加工において、研磨加工の
設定に必要な加工条件をランク分けしたテーブルを形成
し、実際の加工状態に基づき、前記加工条件の設定を各
ラップ装置毎に段階的に変化させてもよい。
【００６９】例えば、図１（Ｂ）のプロセスにおいて、
ＳＴ１１にて磁気抵抗効果素子のＭＲハイトまたはＤＣ
Ｒ値が仕上げ値の公差内に入っているにもかかわらず、
ＳＴ７において経過時間が所定時間を超えていないとい
う状態が生じることがある。これは図１（Ｂ）に示す粗
加工において、スライダバー３のＡＢＳ面３ａの研磨量
に比べて薄膜磁気素子１の研磨量が多くなり、仕上げ加
工に移行した時点で非常に大きなリセッションＲが形成
されていた場合に生じる。
【００７０】または、図１（Ａ）に示す粗加工のＳＴ４
において設定されるＤＣＲ値の所定の値が大きすぎる場
合、すなわち粗加工において薄膜磁気素子１のハイト量
を追い込みすぎたとき（研磨しすぎたとき）も、同様に
リセッションＲが大きくなりすぎ、図１（Ｂ）に示す仕
上げ加工で、所定の経過時間を経る前にＤＣＲ値が仕上
げ値の公差内に入ることがある。
【００７１】また、図１（Ｂ）に示す仕上げ加工におい
てラップ定盤２１への潤滑剤の供給時期によっても影響
を受ける。仕上げ加工では、所定時間以上の加工を行う
ことにより、スライダバー３のＡＢＳ面３ａを削り込ん
で、このＡＢＳ面３ａと薄膜磁気素子１との段差量を小
さくしなくてはならない。この仕上げ加工では、潤滑剤
の投入時期が、前記段差量に影響を与える。
【００７２】したがって、図１（Ｂ）においてＳＴ１１
でＭＲハイト値が仕上げ値の公差範囲内となっている
が、ＳＴ１２でリセスフラグがＯＮになっていないとき
には、ＳＴ１４でランク変更フラグをＯＮにする。そし
て図２（Ａ）に示すように、仕上げ加工が終了したとき
に、ＳＴ１５でランク変更フラグがＯＮであるか否かを
見て、ランク変更フラグがＯＮのときにはＳＴ１６にお
いて次に行う粗加工において粗加工ランクを変更する
（ＳＴ１）。また仕上げ加工における潤滑剤の投入時期
を変更する。
【００７３】以下の表１は前記加工条件（加工ランク）
のテーブルの一例である。
【００７４】
【表１】 表１では、研磨加工の加工条件（加工ランク）として、
粗加工時のＭＲハイト値と仕上げ加工用の潤滑剤投入時
期の組み合わせとしている。潤滑剤の投入時期は、磁気
抵抗効果素子のＤＣＲ値で表している。さらに、粗加工
後のＭＲハイト値に応じてランク分けし、粗加工でのＭ
Ｒハイト値を０．９μmとする場合をランク１としてい
る。以下ＭＲハイト値を０．８μmとする場合をランク
２、ＭＲハイト値を０．７μmとする場合をランク３、
…、としている。なお、仕上げ加工用の潤滑剤投入時の
ＤＣＲ値は、表１では、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅと表してい
るが、実際には、ラップ装置３２の機体ごとに最適の数
値を設定する。
【００７５】図１（Ａ）のＳＴ１で例えばランク１が設
定されていたとき、図２（Ａ）のＳＴ１５でランク変更
フラグ１５がＯＮになったら次の加工（次のスライダバ
ー３または次のロット）からランク変更するが、このと
き例えば表３に示すように仕上げ加工でのＤＣＲ値の超
過量（ハイト値の仕上げ値からのずれ量）に基づいて、
ランク選択のテーブルを形成することが好ましい。
【００７６】上記の加工ランクの変更を行うと、図１
（Ｂ）に示す仕上げ加工のＳＴ１２でＮＧが発生する確
率を低くでき、また全体の加工時間も短縮できる。さら
にラップ装置の機種ごとの特性差の影響を少なくでき、
品質を均一にできる。表２は、３台のラップ装置３２を
用いて、薄膜磁気素子１が積層されたスライダバー３の
粗加工および仕上げ加工を行ったときの、仕上げ加工後
のサンプルのリセッション、ＤＣＲ値、および仕上げ加
工時間を比較した表である。
【００７７】
【表２】 前記表２は、３台のラップ装置３２の全ての加工ランク
を表１のランク３に設定し、図１（Ｂ）のＳＴ７におけ
る仕上げ加工の経過時間の基準値を２分に設定したとき
の１号機、２号機、３号機の研磨結果を示している。
【００７８】１号機では、ＤＣＲ値は公差内に収まって
おり、しかも仕上げ加工の加工時間が３分１０秒であ
る。これに対し、２号機および３号機では、仕上げ加工
の加工時間の所定値である２分間を経過した時点で、Ｄ
ＣＲ値が、それぞれ公差の２Ω超過、および５Ω超過と
なっている。これは、図１（Ｂ）の仕上げ加工結果とし
てはＮＧである。またＳＴ１４でランク変更フラグがＯ
Ｎになる。
【００７９】そこで２号機と３号機では、加工ランクを
変更することになるが、この場合に仕上げ加工によるＤ
ＣＲ値の超過量に応じて以下の表３に示すランク変更テ
ーブルを設定し、このランク変更テーブルに基づいて変
更する。
【００８０】なお、表３は、ＤＣＲ値を元にしてランク
の選択を行うようにしているが、ＤＣＲ値から換算した
ＭＲハイト値に基づいてランクの選択を行うようにして
もよい。
【００８１】
【表３】 ２号機および３号機で研磨加工したサンプルは、ＤＣＲ
値が、それぞれ公差の２Ω超過、および５Ω超過してい
る。つまり、粗削りにおいて薄膜磁気素子１をのハイト
値を追い込みすぎたことになる。そこで、表３を参照し
て２号機はランク２、３号機はランク１に変更する。す
なわち粗加工での薄膜磁気素子１のハイト値の追い込み
量を少なめに変更する。この変更後に粗加工および仕上
げ加工を行った結果を表４に示す。
【００８２】
【表４】 前記表４に示す研磨結果では、ランク変更により、２号
機、３号機ともに仕上げ加工完了後のＤＣＲ値は公差内
となった。
【００８３】また、仕上げ加工に時間がかかるときに
は、粗加工の加工条件を変更することにより、仕上げ加
工の時間を短くすることも可能である。例えば表５に示
す加工ランクの変更テーブルを使用すると、前記仕上げ
加工の時間の短縮が可能になる。
【００８４】
【表５】 表５は、前回の研磨加工をランク３で行ったときの、仕
上げ加工時間及びサンプルのＤＣＲ値に基づいて、次回
の研磨加工のランク設定を行うときに用いるランクの変
更テーブルである。前回の研磨加工をランク３で行い、
ＤＣＲ値が公差内、仕上げ加工時間が２分以上３分未満
という結果であったときは、ランク変更の必要がないの
で、次回の研磨加工もランク３で行う。もし、ランク３
で研磨加工したときに、ＤＣＲ値は公差内であるが、仕
上げ加工時間が４分以上５分未満かかったとする。これ
は表１に示すようにランク３では粗加工でのＭＲハイト
値の追い込み量が少なすぎ、その結果仕上げ加工でハイ
ト値が仕上げ値の公差内に入るまでに時間がかかりすぎ
ることを意味している。よってこの場合には、ランク５
に変更することにより仕上げ加工の加工時間を短縮でき
ることを意味している。
【００８５】図１０は本発明の薄膜磁気ヘッドの製造装
置の実施の形態を示すブロック図である。図１０に示し
た薄膜磁気ヘッドの製造装置は、本発明の抵抗測定手段
である抵抗測定器３１で、図６に示すスライダバー３上
に積層されている薄膜磁気ヘッド１の磁気抵抗効果素子
の抵抗値を測定し、ラップ装置３２によって薄膜磁気ヘ
ッドのスライダバー３のＡＢＳ面３ａおよび薄膜磁気素
子１を、ハイト方向に研磨加工してＭＲハイトを調整す
る。
【００８６】コンピュータ３５は、本発明の制御手段を
構成し、抵抗測定器３１やラップ装置３２の制御、抵抗
測定器３１やラップ装置からのデータの受け取り、磁気
抵抗効果素子の抵抗値のＭＲハイトへの換算、記憶装置
３４内の加工条件のテーブルの参照、測定された抵抗値
などのデータの表示、及び作業者への指示などを行う。
【００８７】ラップ装置３２に接続されているタイマー
３３によってラップ装置３２による薄膜磁気素子１の加
工時間が所定時間を測定する。さらに、コンピュータ３
５が、加工時間が所定時間を超え、しかも前記抵抗値ま
たはこの抵抗値から換算されたＭＲハイトが仕上げ値の
公差内に入るまで、研磨加工を継続するようにラップ装
置３２を制御する。
【００８８】さらに、ラップ装置３２は、ラップ定盤３
２ａの回転数を段階的に変速させる本発明の変速手段で
ある変速機３２ｂを有しており、コンピュータ３５によ
って、薄膜磁気ヘッド１の抵抗値またはこの抵抗値から
換算されたＭＲハイトが基準値以下になったときに、ラ
ップ定盤３２ａの回転数を、低速な回転数に少なくとも
１回切り替えて加工を終了させるように制御される。な
お、図１０に示すブロック図に変速機３２ｂを含ませな
くてもよい。または、変速機３２ｂのみを含ませ、タイ
マー３３を含ませなくてもよい。
【００８９】本実施の形態の薄膜磁気ヘッドの製造装置
では、ラップ装置は、粗加工と仕上げ加工の２段階の研
磨加工を行う。しかし、粗加工および仕上げ加工の２段
階加工を行わずに、１段階の加工を行う、ラップ装置を
用いてもよい。
【００９０】さらに、表３および表５のようなランク分
けされた異なる複数の粗加工および仕上げ加工の加工条
件のテーブルは、データベース化して、記憶装置３４内
に保存しておき、ランク変更が必要なときに呼び出すよ
うにしておいてもよい。また、記憶装置３４は、ネット
ワーク経由で接続されていてもよいし、ラップ装置に接
続されているコンピュータ３５に直接接続されていても
よい。
【００９１】
【本発明の効果】以上詳述した本発明の薄膜磁気ヘッド
の製造方法及び製造装置によれば、磁気抵抗効果素子の
ＤＣＲ値の測定により得られたＭＲハイトが仕上げ値の
公差内に入りかつ、研磨加工開始からの加工時間が所定
時間を超えるまで研磨加工を継続させることにより、薄
膜磁気ヘッドのスライダのＡＢＳ面と薄膜磁気素子の対
向面との段差量（リセッション）を著しく小さくするこ
とができ、薄膜磁気ヘッドの品質および歩留まりの向
上、特に、スペーシング・ロスを抑えて記録／再生特性
の向上を図ることができる。
【００９２】また、本発明によれば、研磨加工の終了が
近づき、ＭＲハイトが基準値以下になったときに、ラッ
プ装置のラップ定盤の回転数を、少なくとも１回、低速
な回転数に段階的に切り替えた後、ラップ定盤の回転を
とめ、研磨加工を終了させることにより、スライダのＡ
ＢＳ面および薄膜磁気素子の対向面につくキズ(条痕)の
深さを浅くすることができ、薄膜磁気ヘッドの浮上特性
を向上させることができ、薄膜磁気ヘッドの品質および
歩留まりの向上を図ることができる。
【００９３】さらに、本発明では、粗加工の設定に必要
な加工条件をひとまとめにし、さらに、ＭＲハイト値の
大きさに応じてランク分けしたテーブルを各ラップ装置
ごとに記憶させることにより、設定にかかる時間を短く
でき、設定の間違いを少なくでき、薄膜磁気ヘッドの品
質および歩留まりの向上を図ることができる。
【００９４】
【図面の簡単な説明】
【図１】Ａ，Ｂは本発明の実施の形態を示すフローチャ
ート。
【図２】Ａ，Ｂは図１のフローチャートのまたは以
降の工程を示すフローチャート。
【図３】仕上げ加工時間とリセッションの関係を示すグ
ラフ。
【図４】ラップ装置を停止させる直前のラップ定盤の回
転数と、ラップ装置停止時にスライダバーおよび薄膜磁
気素子のＡＢＳ面に生じるキズの深さとの関係を示すグ
ラフ。
【図５】基板上に、薄膜磁気素子が積層されている状態
を示す斜視図。
【図６】図５の基板を切り出して形成されたスライダバ
ーを示す斜視図。
【図７】図５のスライダバー上に積層されている薄膜磁
気素子をＡＢＳ面方向から見たときの断面図。
【図８】図５のスライダバーのＡＢＳ面を研磨加工する
ために用いるラップ定盤の斜視図。
【図９】Ａ，Ｂは従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法にお
ける研磨加工工程のフローチャート。
【図１０】本発明の薄膜磁気素子の製造装置の実施の形
態を示すブロック図。
【図１１】Ａは図６のスライダバーを図８のラップ定盤
を用いて研磨加工する時の、加工開始時の状態を示し、
Ｂは加工中または加工後の状態を示す部分側面図。
【符号の説明】
１ 薄膜磁気素子 ２ 基板 ３ スライダバー ２１、３２ａ ラップ定盤 ３１ 抵抗測定器 ３２ ラップ装置 ３２ｂ 変速機 ３３ タイマー ３４ 記憶装置 ３５ コンピュータ

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に、絶縁層、磁性層、導電層など
    の薄膜層を積層して磁気抵抗効果素子を含む薄膜磁気素
    子を形成し、前記磁気抵抗効果素子の抵抗値を測定しな
    がら、前記基板および前記薄膜磁気素子を、ハイト方向
    に研磨加工してＭＲハイトを調整する薄膜磁気ヘッドの
    製造方法において、 加工時間が所定時間を超え、しかも前記抵抗値またはこ
    の抵抗値から換算されたＭＲハイトが仕上げ値の公差内
    に入るまで、研磨加工を継続することを特徴とする薄膜
    磁気ヘッドの製造方法。
  2. 【請求項２】 基板上に、絶縁層、磁性層、導電層など
    の薄膜層を積層して磁気抵抗効果素子を含む薄膜磁気素
    子を形成し、前記磁気抵抗効果素子の抵抗値を測定しな
    がら、前記基板および前記薄膜磁気素子を、ハイト方向
    に研磨加工してＭＲハイトを調整する薄膜磁気ヘッドの
    製造方法において、 前記抵抗値またはこの抵抗値から換算されたＭＲハイト
    が基準値以下になったときに、研磨加工に用いるラップ
    装置のラップ定盤の回転数を、低速な回転数に少なくと
    も１回切り替えて加工を終了させることを特徴とする薄
    膜磁気ヘッドの製造方法。
  3. 【請求項３】 基板上に、絶縁層、磁性層、導電層など
    の薄膜層を積層して磁気抵抗効果素子を含む薄膜磁気素
    子を形成し、前記磁気抵抗効果素子の抵抗値を測定しな
    がら、前記基板および前記薄膜磁気素子を、ハイト方向
    に研磨加工してＭＲハイトを調整する薄膜磁気ヘッドの
    製造方法において、 前記抵抗値またはこの抵抗値から換算されたＭＲハイト
    が基準値以下になったときに、研磨加工に用いるラップ
    装置のラップ定盤の回転数を、低速な回転数に少なくと
    も１回切り替え、 且つ、加工時間が所定時間を超え、しかも前記抵抗値ま
    たはこの抵抗値から換算されたＭＲハイトが仕上げ値の
    公差内に入るまで、前記研磨加工を継続することを特徴
    とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  4. 【請求項４】 研磨加工は、粗加工と仕上げ加工の２段
    階の研磨加工から成り、前記所定時間は、前記仕上げ加
    工開始後の経過時間である請求項１または３に記載の薄
    膜磁気ヘッドの製造方法。
  5. 【請求項５】 研磨加工は、粗加工と仕上げ加工の２段
    階の研磨加工から成り、前記回転数の切り替えは、前記
    仕上げ加工内で行われる請求項２または３に記載の薄膜
    磁気ヘッドの製造方法。
  6. 【請求項６】 前記所定時間が２分以上に設定されてい
    る請求項１、３、４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド
    の製造方法。
  7. 【請求項７】 前記ラップ定盤の回転数は、回転数切り
    替え前が７０〜１００ｒｐｍであり、回転数切り替え後
    が、５〜２０ｒｐｍである請求項２、３、５のいずれか
    に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  8. 【請求項８】 加工完了後に前記薄膜磁気素子から前記
    基板の記録媒体対向面までの段差量（リセッション）を
    測定し、この段差量または、磁気抵抗効果素子のＭＲハ
    イトもしくは抵抗値が適正となるように、次の加工での
    加工条件を変える請求項４または５に記載の薄膜磁気ヘ
    ッドの製造方法。
  9. 【請求項９】 仕上げ加工開始から仕上げ加工完了まで
    の時間を測定した後に、この加工時間が所定値以内とな
    るように、次の加工での加工条件を変える請求項４また
    は５に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記加工条件は、前記粗加工でのＭＲ
    ハイトである請求項８または９に記載の薄膜磁気ヘッド
    の製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記加工条件は、前記仕上げ加工での
    潤滑剤の投入時期である請求項８または９に記載の薄膜
    磁気ヘッドの製造方法。
  12. 【請求項１２】 異なる複数の前記加工条件を記憶装置
    内でテーブル化して記憶し、このテーブル内から、加工
    条件を選択する請求項９ないし１１のいずれかに記載の
    薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記加工条件をランク分けしてテーブ
    ル化した上で記憶させ、ランクを選択することによりテ
    ーブルから加工条件を選択する請求項１２記載の薄膜磁
    気ヘッドの製造方法。
  14. 【請求項１４】 基板上に磁気抵抗効果素子を含む薄膜
    磁気素子が形成された薄膜磁気ヘッドを保持する保持手
    段と、 前記保持手段に保持された薄膜磁気ヘッドの前記基板お
    よび前記薄膜磁気素子を研磨するラップ装置と、 前記研磨加工中に前記磁気抵抗効果素子の抵抗値を測定
    する抵抗測定手段と、 前記抵抗測定手段により測定された抵抗値またはこの抵
    抗値から換算されたＭＲハイト値を監視するとともに、
    加工時間が所定時間を超えたか否かを計測し、前記加工
    時間が所定時間を超え、しかも前記抵抗値またはＭＲハ
    イトが仕上げ値の公差内に入るまで、研磨加工を継続す
    るように前記ラップ装置を制御する制御手段と、 を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造装置。
  15. 【請求項１５】 基板上に磁気抵抗効果素子を含む薄膜
    磁気素子が形成された薄膜磁気ヘッドを保持する保持手
    段と、 前記保持手段に保持された薄膜磁気ヘッドの前記基板お
    よび前記薄膜磁気素子を研磨するラップ装置と、 前記研磨加工中に前記磁気抵抗効果素子の抵抗値を測定
    する抵抗測定手段と、 前記ラップ装置のラップ定盤の回転数を変速させる変速
    手段と、 前記抵抗測定手段により測定された抵抗値またはこの抵
    抗値から換算されたＭＲハイト値を監視し、前記抵抗値
    またはこの抵抗値から換算されたＭＲハイトが基準値以
    下になったときに、前記ラップ装置のラップ定盤の回転
    数を、低速な回転数に少なくとも１回切り替えるように
    前記変速手段を制御する制御手段と、 が設けられていることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製
    造装置。
  16. 【請求項１６】 基板上に磁気抵抗効果素子を含む薄膜
    磁気素子が形成された薄膜磁気ヘッドを保持する保持手
    段と、 前記保持手段に保持された薄膜磁気ヘッドの前記基板お
    よび前記薄膜磁気素子を研磨するラップ装置と、 前記研磨加工中に前記磁気抵抗効果素子の抵抗値を測定
    する抵抗測定手段と、 前記ラップ装置のラップ定盤の回転数を変速させる変速
    手段と、 前記抵抗測定手段により測定された抵抗値またはこの抵
    抗値から換算されたＭＲハイト値を監視するとともに、
    加工時間が所定時間を超えたか否かを計測し、前記加工
    時間が所定時間を超え、しかも前記抵抗値またはＭＲハ
    イトが仕上げ値の公差内に入るまで、研磨加工を継続す
    るように前記ラップ装置を制御し、且つ前記抵抗値また
    はこの抵抗値から換算されたＭＲハイトが基準値以下に
    なったときに、前記ラップ装置のラップ定盤の回転数
    を、低速な回転数に少なくとも１回切り替えるように前
    記変速手段を制御する制御手段と、 が設けられていることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製
    造装置。
  17. 【請求項１７】 前記ラップ装置は、粗加工と仕上げ加
    工の２段階の研磨加工を行ない、制御手段では、前記仕
    上げ加工開始からの加工時間が計測される請求項１４ま
    たは１５に記載の薄膜磁気ヘッドの製造装置。
  18. 【請求項１８】 前記ラップ装置は、粗加工と仕上げ加
    工の２段階の研磨加工を行ない、制御手段により、ラッ
    プ定盤の回転数が前記仕上げ加工中に切り替えられるよ
    うに制御される請求項１５または１６に記載の薄膜磁気
    ヘッドの製造装置。
  19. 【請求項１９】ランク分けされた複数の加工条件のテー
    ブルを記憶する記憶装置が設けられ、制御手段では、仕
    上げ加工による仕上げ結果に応じて、前記テーブルから
    読み出した加工条件を次の加工での加工条件として設定
    する請求項１７または１８に記載の薄膜磁気ヘッドの製
    造装置。
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