JP2000221234A - バーンイン装置及びバーンイン方法 - Google Patents
バーンイン装置及びバーンイン方法Info
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- JP2000221234A JP2000221234A JP11023129A JP2312999A JP2000221234A JP 2000221234 A JP2000221234 A JP 2000221234A JP 11023129 A JP11023129 A JP 11023129A JP 2312999 A JP2312999 A JP 2312999A JP 2000221234 A JP2000221234 A JP 2000221234A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置毎に温度調節をすることができる
バーンイン装置及びバーンイン方法を提供する。 【解決手段】 基板１と、基板１に形成された半導体装
置５を収納する複数のソケット２と、各ソケット２毎に
形成されたヒータ６と、ヒータ６の発熱量を制御する制
御部と、を有し、半導体装置５毎に温度調節する。
バーンイン装置及びバーンイン方法を提供する。 【解決手段】 基板１と、基板１に形成された半導体装
置５を収納する複数のソケット２と、各ソケット２毎に
形成されたヒータ６と、ヒータ６の発熱量を制御する制
御部と、を有し、半導体装置５毎に温度調節する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バーンインにおけ
るバーンイン装置及びバーンイン方法に関し、特に、半
導体装置毎にバーンインを行うバーンイン装置及びバー
ンイン方法に関する。
るバーンイン装置及びバーンイン方法に関し、特に、半
導体装置毎にバーンインを行うバーンイン装置及びバー
ンイン方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置をバーンインするバー
ンイン装置が知られている。図３は従来のバーンイン装
置を示す模式的側面図である。
ンイン装置が知られている。図３は従来のバーンイン装
置を示す模式的側面図である。
【０００３】図３に示すように、従来のバーンイン装置
は基板１００にソケット１０１及び受動部品１０２が半
田付けされ、この受動部品１０２は保護カバー１０５で
保護されている。また、基板１００の一端部にはエッジ
コネクタ１０３が形成されている構造となっている。こ
のバーンイン装置は恒温槽内で半導体装置１０４と電気
的に接続させることを目的として使用されている。
は基板１００にソケット１０１及び受動部品１０２が半
田付けされ、この受動部品１０２は保護カバー１０５で
保護されている。また、基板１００の一端部にはエッジ
コネクタ１０３が形成されている構造となっている。こ
のバーンイン装置は恒温槽内で半導体装置１０４と電気
的に接続させることを目的として使用されている。
【０００４】また、特開平７−８３９９６号公報には、
被試験デバイスの表面に接触する形で、温度検出器を加
熱ブロックに配置し、加熱ブロックを被試験デバイスに
接触させて加熱するバーンイン装置が開示されている。
被試験デバイスの表面に接触する形で、温度検出器を加
熱ブロックに配置し、加熱ブロックを被試験デバイスに
接触させて加熱するバーンイン装置が開示されている。
【０００５】更に、特開平１０−２１３６２４号公報に
は、加熱ブロックを使用してバーンインボードに収容さ
れた半導体装置の上面から加熱するバーンイン装置が開
示されている。
は、加熱ブロックを使用してバーンインボードに収容さ
れた半導体装置の上面から加熱するバーンイン装置が開
示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図３に示す従
来のバーンイン装置は、バーンイン装置を恒温槽内で加
熱するため、基板１００、受動部品１０２及び半田付け
接続部が熱により劣化してバーンイン装置の寿命が短い
という問題点がある。また、バーンイン装置を恒温槽内
で加熱するため各半導体装置１０４の発熱による試験温
度のバラツキを制御することができない。このため、バ
ーンイン試験中の各半導体装置の発熱量にバラツキが生
じて試験温度を均一に保つことが困難であるという問題
点がある。
来のバーンイン装置は、バーンイン装置を恒温槽内で加
熱するため、基板１００、受動部品１０２及び半田付け
接続部が熱により劣化してバーンイン装置の寿命が短い
という問題点がある。また、バーンイン装置を恒温槽内
で加熱するため各半導体装置１０４の発熱による試験温
度のバラツキを制御することができない。このため、バ
ーンイン試験中の各半導体装置の発熱量にバラツキが生
じて試験温度を均一に保つことが困難であるという問題
点がある。
【０００７】また、特開平７−８３９９６号公報に開示
されているバーンイン装置は、１つの加熱ブロックで複
数の被試験デバイスを加熱しているために、各半導体装
置毎の発熱温度のバラツキをなくすような温度調節が困
難であり、複数の被試験デバイスの温度を同一温度に設
定しても個々のデバイスで温度が異なってしまうという
問題点がある。
されているバーンイン装置は、１つの加熱ブロックで複
数の被試験デバイスを加熱しているために、各半導体装
置毎の発熱温度のバラツキをなくすような温度調節が困
難であり、複数の被試験デバイスの温度を同一温度に設
定しても個々のデバイスで温度が異なってしまうという
問題点がある。
【０００８】更に、特開平１０−２１３６２４号公報に
開示されているバーンイン装置は、加熱ブロックの温度
調節がバーンインボード単位で行われるため各半導体装
置毎の発熱温度バラツキをなくすような温度調節を行う
ことができないという問題点がある。
開示されているバーンイン装置は、加熱ブロックの温度
調節がバーンインボード単位で行われるため各半導体装
置毎の発熱温度バラツキをなくすような温度調節を行う
ことができないという問題点がある。
【０００９】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、半導体装置毎に温度調節をすることができ
るバーンイン装置及びバーンイン方法を提供することを
目的とする。
のであって、半導体装置毎に温度調節をすることができ
るバーンイン装置及びバーンイン方法を提供することを
目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係るバーンイン
装置は、基板と、前記基板に形成された半導体装置を収
納する複数のソケットと、各前記ソケット毎に設けられ
たヒータと、前記ヒータの発熱量を制御する制御部と、
を有することを特徴とする。
装置は、基板と、前記基板に形成された半導体装置を収
納する複数のソケットと、各前記ソケット毎に設けられ
たヒータと、前記ヒータの発熱量を制御する制御部と、
を有することを特徴とする。
【００１１】本発明においては、前記ヒータは、前記半
導体装置の上部又は下部に設けられていることが好まし
い。
導体装置の上部又は下部に設けられていることが好まし
い。
【００１２】また、本発明においては、前記ソケットの
形状を夫々異ならせることができる。また、前記ソケッ
トは、蓋部が形成されていることが好ましい。
形状を夫々異ならせることができる。また、前記ソケッ
トは、蓋部が形成されていることが好ましい。
【００１３】更に、本発明においては、前記半導体装置
のパッケージの形態が、リード挿入型又は表面実装型と
することができる。
のパッケージの形態が、リード挿入型又は表面実装型と
することができる。
【００１４】本発明に係るバーンイン方法は、半導体装
置毎に温度調節することを特徴とする。
置毎に温度調節することを特徴とする。
【００１５】本発明においては、基板に形成された半導
体装置を収納する複数のソケット毎にヒータを設けて、
このヒータの発熱量を制御部で制御することにより、夫
々の半導体装置毎に温度を調整することができる。この
ために、半導体装置の発熱による試験温度のバラツキを
なくすことができると共に、基板等の熱による劣化を防
止することができる。
体装置を収納する複数のソケット毎にヒータを設けて、
このヒータの発熱量を制御部で制御することにより、夫
々の半導体装置毎に温度を調整することができる。この
ために、半導体装置の発熱による試験温度のバラツキを
なくすことができると共に、基板等の熱による劣化を防
止することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について添
付の図面に基づいて説明する。図１は本発明の実施例に
係るバーンイン装置を示す模式的側面図である。
付の図面に基づいて説明する。図１は本発明の実施例に
係るバーンイン装置を示す模式的側面図である。
【００１７】本実施例のバーンイン装置においては、図
１に示すように、基板１の上面側には複数のソケット２
が半田付けにより取付けられている。基板１の裏面側に
は、複数の受動部品３が半田付けされている。ソケット
２には夫々半導体装置５を搭載することができる半導体
装置搭載部２ｂと蓋部２ａが形成されている。受動部品
３は保護カバー７により、保護されている。また、各ソ
ケット２と受動部品３とは基板１に形成されているパタ
ーン配線（図示せず）によりエッジコネクタ４と接続さ
れている。このエッジコネクタ４は信号供給手段（図示
せず）に接続されている。更に、ソケット２の半導体装
置搭載部２ｂには半導体装置５を加熱する温度調節機能
付きヒータ６が設けられている。
１に示すように、基板１の上面側には複数のソケット２
が半田付けにより取付けられている。基板１の裏面側に
は、複数の受動部品３が半田付けされている。ソケット
２には夫々半導体装置５を搭載することができる半導体
装置搭載部２ｂと蓋部２ａが形成されている。受動部品
３は保護カバー７により、保護されている。また、各ソ
ケット２と受動部品３とは基板１に形成されているパタ
ーン配線（図示せず）によりエッジコネクタ４と接続さ
れている。このエッジコネクタ４は信号供給手段（図示
せず）に接続されている。更に、ソケット２の半導体装
置搭載部２ｂには半導体装置５を加熱する温度調節機能
付きヒータ６が設けられている。
【００１８】次に、本実施例のバーンイン装置のバーン
インについて図１に基づいて説明する。先ず、ソケット
２の半導体装置搭載部２ｂに半導体装置５を搭載する。
このソケット２の半導体装置搭載部２ｂに設けられた温
度調節機能付きヒータ６を使用して、夫々の半導体装置
５毎に所定の温度に加熱する。そして、所定の温度にな
ったところで、信号供給手段によりエッジコネクタ４を
介して半導体装置５に電圧又はテスト信号を印加して試
験状態にする。
インについて図１に基づいて説明する。先ず、ソケット
２の半導体装置搭載部２ｂに半導体装置５を搭載する。
このソケット２の半導体装置搭載部２ｂに設けられた温
度調節機能付きヒータ６を使用して、夫々の半導体装置
５毎に所定の温度に加熱する。そして、所定の温度にな
ったところで、信号供給手段によりエッジコネクタ４を
介して半導体装置５に電圧又はテスト信号を印加して試
験状態にする。
【００１９】本実施例においては、各ソケット２毎に温
度調節機能付きヒータ６を備えているため、ソケット２
に設けられたヒータ２の温度調節機能により、半導体装
置５毎に独立して温度調整することができる。このた
め、各半導体装置５の発熱量が異なっても夫々温度制御
することが可能であり、半導体装置５の発熱によるバー
ンイン温度のバラツキをなくし、均一な温度状態のもと
所定の温度でバーンインを行うことができる。
度調節機能付きヒータ６を備えているため、ソケット２
に設けられたヒータ２の温度調節機能により、半導体装
置５毎に独立して温度調整することができる。このた
め、各半導体装置５の発熱量が異なっても夫々温度制御
することが可能であり、半導体装置５の発熱によるバー
ンイン温度のバラツキをなくし、均一な温度状態のもと
所定の温度でバーンインを行うことができる。
【００２０】また、本実施例においては、夫々のソケッ
ト２の半導体装置搭載部２ｂに設けられた温度調整機能
付きヒータ６を使用して半導体装置５を加熱することに
より、夫々の半導体装置５毎に、半導体装置５を集中的
に加熱することができるため、基板１及び半田付け接続
部が高温度になることがない。従って、基板１及び半田
付け接続部の接続強度の熱による劣化を防止することが
できる。このことにより、バーンイン装置の長寿命化を
図ることができる。
ト２の半導体装置搭載部２ｂに設けられた温度調整機能
付きヒータ６を使用して半導体装置５を加熱することに
より、夫々の半導体装置５毎に、半導体装置５を集中的
に加熱することができるため、基板１及び半田付け接続
部が高温度になることがない。従って、基板１及び半田
付け接続部の接続強度の熱による劣化を防止することが
できる。このことにより、バーンイン装置の長寿命化を
図ることができる。
【００２１】本発明の第２実施例について図２に基づい
て説明する。なお、図１に示す第１実施例と同一構成物
には同一符号を付しその詳細な説明は省略する。図２は
本発明の第２実施例に係るバーンイン装置を示す模式的
側面図である。
て説明する。なお、図１に示す第１実施例と同一構成物
には同一符号を付しその詳細な説明は省略する。図２は
本発明の第２実施例に係るバーンイン装置を示す模式的
側面図である。
【００２２】本実施例においては、第１実施例と比較し
て、ソケット２の蓋部２ａに温度調整機能付きヒータ６
が設けられている点で異なり、それ以外は第１実施例と
同様の構成である。
て、ソケット２の蓋部２ａに温度調整機能付きヒータ６
が設けられている点で異なり、それ以外は第１実施例と
同様の構成である。
【００２３】本実施例のバーンインについて説明する。
本実施例は、第１実施例と比較して、半導体装置５をソ
ケット２に搭載した後、ソケット２の蓋部２ａに設けら
れた温度調整機能付きヒータ６で半導体装置５の上面側
から加熱する点で異なり、それ以外は第１実施例のバー
ンインと同様である。
本実施例は、第１実施例と比較して、半導体装置５をソ
ケット２に搭載した後、ソケット２の蓋部２ａに設けら
れた温度調整機能付きヒータ６で半導体装置５の上面側
から加熱する点で異なり、それ以外は第１実施例のバー
ンインと同様である。
【００２４】本実施例においては、ソケット２の蓋部２
ａに温度調整機能付きヒータ６を設け半導体装置５の上
面側から加熱し、温度制御を行うことにより、パッケー
ジ形状がＢＧＡ（Ball Grid Array）又はＣＳＰ（Chi
p Size Package）等のソケット２の下面側からの加熱
が困難なパッケージ形態の半導体装置５であっても、半
導体装置５のバーンインを行うことができる。
ａに温度調整機能付きヒータ６を設け半導体装置５の上
面側から加熱し、温度制御を行うことにより、パッケー
ジ形状がＢＧＡ（Ball Grid Array）又はＣＳＰ（Chi
p Size Package）等のソケット２の下面側からの加熱
が困難なパッケージ形態の半導体装置５であっても、半
導体装置５のバーンインを行うことができる。
【００２５】上述のいずれの実施例においても、温度調
整機能付きヒータ６としたが、本発明は、特にこれに限
定されるものではなく、ヒータと制御部である温度調整
機能部を分離した構成とすることもできる。
整機能付きヒータ６としたが、本発明は、特にこれに限
定されるものではなく、ヒータと制御部である温度調整
機能部を分離した構成とすることもできる。
【００２６】また、上述のいずれの実施例においても、
半導体装置５のパッケージの形態は、特に限定されるも
のではなく、リード挿入型、表面実装型及びソケット型
とすることができる。
半導体装置５のパッケージの形態は、特に限定されるも
のではなく、リード挿入型、表面実装型及びソケット型
とすることができる。
【００２７】
【発明の効果】以上詳述したように本発明においては、
基板に形成された半導体装置を収納する複数のソケット
毎にヒータを設けて、このヒータの発熱量を制御部で制
御することにより、夫々の半導体装置毎に温度を調整す
ることができる。このために、半導体装置の発熱による
試験温度のバラツキをなくすことができると共に、基板
等の熱による劣化を防止することができる。
基板に形成された半導体装置を収納する複数のソケット
毎にヒータを設けて、このヒータの発熱量を制御部で制
御することにより、夫々の半導体装置毎に温度を調整す
ることができる。このために、半導体装置の発熱による
試験温度のバラツキをなくすことができると共に、基板
等の熱による劣化を防止することができる。
【図１】本発明の第１実施例に係るバーンイン装置を示
す模式的側面図である。
す模式的側面図である。
【図２】本発明の第２実施例に係るバーンイン装置を示
す模式的側面図である。
す模式的側面図である。
【図３】従来のバーンイン装置を示す模式的側面図であ
る。
る。
１、１００；基板 ２、１０１；ソケット ２ａ；蓋部 ２ｂ；半導体装置搭載部 ３、１０２；受動部品 ４、１０３；エッジコネクタ ５、１０４；半導体装置 ６；温度調節機能付きヒータ ７、１０５；保護カバー
Claims (6)
- 【請求項１】 基板と、前記基板に形成された半導体装
置を収納する複数のソケットと、各前記ソケット毎に設
けられたヒータと、前記ヒータの発熱量を制御する制御
部と、を有することを特徴とするバーンイン装置。 - 【請求項２】 前記ヒータは、前記半導体装置の上部又
は下部に設けられていることを特徴とする請求項１に記
載のバーンイン装置。 - 【請求項３】 前記ソケットの形状が夫々異なることを
特徴とする請求項１又は２に記載のバーンイン装置。 - 【請求項４】 前記ソケットは、蓋部が形成されている
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載
のバーンイン装置。 - 【請求項５】 前記半導体装置のパッケージの形態が、
リード挿入型又は表面実装型であることを特徴とする請
求項１乃至４のいずれか１項に記載のバーンイン装置。 - 【請求項６】 半導体装置毎に温度調節することを特徴
とするバーンイン方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11023129A JP2000221234A (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | バーンイン装置及びバーンイン方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11023129A JP2000221234A (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | バーンイン装置及びバーンイン方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000221234A true JP2000221234A (ja) | 2000-08-11 |
Family
ID=12101925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11023129A Pending JP2000221234A (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | バーンイン装置及びバーンイン方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000221234A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002286790A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-10-03 | Espec Corp | 温度条件付与装置 |
| US7199598B2 (en) | 2003-11-27 | 2007-04-03 | Espec Corp. | Burn-in substrate for semiconductor devices |
| JP2007525672A (ja) * | 2004-02-27 | 2007-09-06 | ウエルス−シーティーアイ，リミテッド ライアビリティ カンパニー | 通電テスト用の装置とその方法 |
| JP2009115456A (ja) * | 2007-11-01 | 2009-05-28 | Advantest Corp | ハンドラ、テストトレイおよびメモリ装置 |
| JP2009145151A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Syswave Corp | 温度制御方式 |
| JP2012517591A (ja) * | 2009-02-10 | 2012-08-02 | クウォリタウ・インコーポレーテッド | 改良温度制御を備えた電気／信頼性試験のための統合されたユニット |
-
1999
- 1999-01-29 JP JP11023129A patent/JP2000221234A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002286790A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-10-03 | Espec Corp | 温度条件付与装置 |
| JP4593815B2 (ja) * | 2001-03-22 | 2010-12-08 | エスペック株式会社 | 温度条件付与装置 |
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