JP2000216369A - フォトレジスト材料の除去プロセス及び該除去プロセスを使用したｃｍｏｓフォトセンサ―の製造方法 - Google Patents
フォトレジスト材料の除去プロセス及び該除去プロセスを使用したｃｍｏｓフォトセンサ―の製造方法Info
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
且つダメージを与えることなくフォトレジスト材料を除
去するプロセスを提供する。 【解決手段】 製造過程にある基板上に後にエッチング
除去されるカバー層を設けるとともに、カバー層上にフ
ォトレジスト材料の層を形成する。フォトレジスト材料
をパターンニング、露光、現像する。現像されたフォト
レジスト層をマスクを使用せずにさらに露光する。パタ
ーンニングされたフォトレジスト層をマスクとして使用
してカバー層をエッチング除去する。エッチング後、フ
ォトレジスト材料を溶媒により除去する。
Description
料の除去プロセス、特にＣＭＯＳ(相補型金属−酸化物
−半導体)フォトセンサーの製造におけるフォトレジス
ト材料の除去プロセスに関するものである。
来、電荷結合素子はデジタルセンサーに使用されてい
る。しかしながら、電荷結合素子の価格および寸法のた
めにＣＭＯＳフォトセンサーは最近になって開発され
た。
いは他のＣＭＯＳフォトセンサーと電気的に接続され
る。カバー層は基板内の感光性領域を絶縁し保護するた
めに使用され、コンタクトパッドからの電気的接触を防
いでいる。カバー層は、特定の波長の光を濾光するカラ
ーフィルター層およびカラーフィルター層の保護層ある
いは平坦化層としてのポリアクリレート層を含む。しか
しながら、ポリアクリレートの特性がフォトレジスト材
料の特性に類似しているので、フォトリソグラフィー処
理により金属パッド上に開口を形成した後ポリアクリレ
ート層にダメージを与えることなくプラズマによりフォ
トレジスト材料を除去することは困難である。したがっ
て、フォトレジスト材料の層を溶媒によって除去するこ
とが提案されている。
去の結果は、エッチング装置によって左右される。フォ
トレジスト材料の性質がプラズマエッチングプロセスの
イオンボンバード後変化し、その結果フォトレジスト材
料を溶媒によって十分に除去できなくなるからである。
例えば、低エネルギープラズマを使用するＴｅｇａｌエ
ッチング装置によるエッチングプロセス後、ほとんどの
フォトレジスト材料は溶媒によって除去されるが、少量
のフォトレジスト残留物が依然として残る。一方、ウエ
ハ上にエッチングプロセスを施すためのＴＥＬエッチン
グ装置においては、高エネルギープラズマを使用するた
め、エッチング後フォトレジスト材料を溶媒によってほ
とんど除去することができない。フォトレジスト材料が
残留する場合、カバー層は平坦形状を維持できない。そ
のような場合、フォトセンサーを透過した光は遮られ、
フォトセンサーの感光性が低下する。したがって、ＣＭ
ＯＳフォトセンサーの製造においてカバー層上のフォト
レジスト材料の完全な除去は、工業的なスケールでの製
造において特に望まれている。
的は、製造過程にある基板上のフォトレジスト材料の除
去プロセスを提供することである。
ＣＭＯＳフォトセンサーの製造プロセスを提供すること
である。
の他の効果を達成するために、ここに具体的かつ包括的
に述べるように、本発明は残留物を残さず、製造過程に
ある基板にダメージを与えないフォトレジスト材料の除
去プロセスを提供するものである。すなわち、本発明の
フォトレジスト材料の除去プロセスは以下のステップを
含む。製造過程にある基板上にカバー層を設け、さらに
その上にフォトレジスト材料の層を設ける。フォトレジ
スト材料をパターンニング、露光、現像した後、現像さ
れたフォトレジスト層をマスクを使用することなくさら
に露光する。次に、パターンニングされたフォトレジス
ト層をマスクとして使用してカバー層をエッチング除去
する。エッチング後、フォトレジスト層を溶媒により除
去する。
ＣＭＯＳフォトセンサーの製造方法を提供するものであ
る。すなわち、本発明の製造方法は以下のステップを含
む。電気接続用の金属パッドを備えた製造過程にある基
板を準備する。この製造過程にある基板上にカバー層を
設け、さらにその上にフォトレジスト材料の層を設け
る。フォトレジスト層をパターンニング、露光、現像し
た後、現像されたフォトレジスト層をマスクを使用する
ことなくさらに露光する。パターンニングされたフォト
レジスト層をマスクとして使用してカバー層をエッチン
グ除去し、金属パッド上に開口を形成する。エッチング
後、フォトレジスト材料を溶媒により除去する。
に記載される本発明の詳細な説明はともに例示的なもの
であり、本発明はこれらに限定されるものではなく、請
求項に基づいて解釈されるべきである。
いて、製造過程にある基板上に設けられたカバー層上の
フォトレジスト材料を除去するプロセスについて説明す
る。図１に示すように、電気接続用の金属パッド４０を
有する製造過程にある基板を準備する。図中、参照番号
７０は基板内の感光性領域を示す。次に、カバー層５０
を基板上に設ける。本実施例においては、カバー層５０
は第１保護層２０、フィルター層３０、第２保護層２５
を含む。カバー層５０の材料は光透過性であるべきであ
る。特に、カバー層５０の材料としてはポリアクリレー
トを使用することが好ましい。次に、ポジティブ型のフ
ォトレジスト層１０をカバー層５０上に形成する。本実
施例においては、ポジティブ型フォトレジスト１０とカ
バー層５０との間に密着性促進剤は使用されていない。
フォトレジスト層１０をパターンニング、露光、現像し
た後、現像されたフォトレジスト材料にマスクを使用す
ることなくさらに露光を施し、フォトレジスト材料内の
フォトアクティブな化合物の機能性を破壊する。現像さ
れたフォトレジストに施す追加の露光処理は、その後の
エッチングプロセス中にフォトレジスト材料のフォトア
クティブな化合物が重合するのを防ぐために実施され
る。
温度で硬化させる。さらに、金属パッドが露出するよう
にカバー層をエッチングする。エッチングプロセス中、
硬化したフォトレジスト材料およびパッド開口の側壁上
のカバー層の材料とプラズマとの反応により生成される
ポリマーは、低出力プラズマにより除去される。フォト
レジスト材料は溶媒、例えば、テトラメチルアミノ水酸
化物(ＴＭＡＨ)溶液のような現像液、あるいはエタノー
ルアミンのような塩基性アミン溶媒により除去される。
また、フォトレジスト材料の除去に使用される溶媒とし
て、硫酸塩の現像液を使用することも好ましい。
おけるカバー層上のフォトレジスト材料の除去プロセス
に基づいて、カバー層にダメージを与えることなくフォ
トレジスト材料を完全に除去することができ、それによ
り光の透過性は妨害されない。
Ｓフォトセンサーを本発明の製造方法に基づいて製造す
ることができる。
発明はこれらの実施例によって限定されない。むしろ、
本発明の技術思想から逸脱しないかぎりにおいて種々の
変更および改良を加えることが可能であるだろう。した
がって、本発明の請求項はそのような変更および改良等
を含むように広く解釈されるべきである。
のカバー層の概略断面図である。
Claims (17)
- 【請求項１】 以下のステップに特徴を有するフォトレ
ジスト材料の除去プロセス：製造過程にある基板上にカ
バー層を形成し；前記カバー層上にフォトレジスト材料
の層を形成し、前記フォトレジスト層をパターンニン
グ、露光、現像し；現像されたフォトレジスト層をマス
クを使用することなく露光し；パターンニングされたフ
ォトレジスト層をマスクとして使用して前記カバー層を
エッチングし；溶媒により前記フォトレジスト材料を除
去する。 - 【請求項２】 前記カバー層の材料は、ポリアクリレー
トを含むことを特徴とする請求項１の除去プロセス。 - 【請求項３】 現像されたフォトレジスト層を露光する
ステップの後に前記製造過程にある基板を硬化させるス
テップを含むことを特徴とする請求項１の除去プロセ
ス。 - 【請求項４】 前記基板を硬化させる温度が１２０℃で
あることを特徴とする請求項３の除去プロセス。 - 【請求項５】 前記フォトレジスト層の除去に先立っ
て、前記フォトレジスト層を低出力プラズマで処理する
ことを特徴とする請求項１の除去プロセス。 - 【請求項６】 前記フォトレジスト層は、ポジティブ型
フォトレジスト層であることを特徴とする請求項１の除
去プロセス。 - 【請求項７】 前記フォトレジスト材料の除去に使用さ
れる溶媒は、現像液であることを特徴とする請求項１の
除去プロセス。 - 【請求項８】 前記現像液は、硫酸塩であることを特徴
とする請求項７の除去プロセス。 - 【請求項９】 以下のステップに特徴を有するＣＭＯＳ
フォトセンサーの製造方法：電気接続用の金属パッドを
備えた製造過程にある基板を準備し；前記基板上にカバ
ー層を形成し；前記カバー層上にフォトレジスト材料の
層を形成し；前記フォトレジスト層をパターンニング、
露光、現像し；現像されたフォトレジスト層をマスクを
使用することなく露光し；パターンニングされたフォト
レジスト層をマスクとして使用してカバー層をエッチン
グし、金属パッド上に開口を形成し；溶媒により前記フ
ォトレジスト材料を除去する。 - 【請求項１０】 前記カバー層は特定の波長の光を透過
するフィルター層を含み、カバー層は保護層で被覆され
ることを特徴とする請求項９の製造方法。 - 【請求項１１】 前記保護層の材料は、ポリアクリレー
トを含むことを特徴とする請求項１０の製造方法。 - 【請求項１２】 現像されたフォトレジスト層を露光す
るステップの後に前記製造過程にある基板を硬化させる
ステップを含むことを特徴とする請求項９の製造方法。 - 【請求項１３】 前記基板を硬化させる温度が１２０℃
であることを特徴とする請求項１２の製造方法。 - 【請求項１４】 前記フォトレジスト層の除去に先立っ
て、前記フォトレジスト層を低出力プラズマで処理する
ことを特徴とする請求項９の製造方法。 - 【請求項１５】 前記フォトレジスト層は、ポジティブ
型フォトレジスト層であることを特徴とする請求項９の
製造方法。 - 【請求項１６】 前記フォトレジスト材料の除去に使用
される溶媒は、現像液であることを特徴とする請求項９
の製造方法。 - 【請求項１７】 前記現像液は、硫酸塩であることを特
徴とする請求項１６の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01230499A JP3623892B2 (ja) | 1999-01-20 | 1999-01-20 | フォトレジスト材料の除去プロセスを使用したｃｍｏｓフォトセンサーの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP01230499A JP3623892B2 (ja) | 1999-01-20 | 1999-01-20 | フォトレジスト材料の除去プロセスを使用したｃｍｏｓフォトセンサーの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000216369A true JP2000216369A (ja) | 2000-08-04 |
| JP3623892B2 JP3623892B2 (ja) | 2005-02-23 |
Family
ID=11801593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01230499A Expired - Lifetime JP3623892B2 (ja) | 1999-01-20 | 1999-01-20 | フォトレジスト材料の除去プロセスを使用したｃｍｏｓフォトセンサーの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3623892B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005217154A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
| CN114609868A (zh) * | 2022-05-12 | 2022-06-10 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 一种光阻缺陷的验证方法 |
-
1999
- 1999-01-20 JP JP01230499A patent/JP3623892B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN114609868A (zh) * | 2022-05-12 | 2022-06-10 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 一种光阻缺陷的验证方法 |
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|---|---|
| JP3623892B2 (ja) | 2005-02-23 |
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