JP2005217154A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 固体撮像素子の製造方法は、それぞれがワイヤーボンディングを接合するためのパッド部を有する複数の固体撮像素子が形成された半導体ウェハを準備する準備工程と、前記半導体ウェハに対して、前記パッド部に堆積する有機薄膜層を除去する有機薄膜層除去工程と、前記有機薄膜層除去工程の後に、前記半導体ウェハをダイシングブレードによりダイシングするダイシング工程と、前記ダイシング工程により個片化された前記複数の固体撮像素子のそれぞれをインナーリード部を有するパッケージに接合する接合工程と、前記パッド部と前記インナーリード部をワイヤーボンディングで接合するワイヤーボンディング工程とを有する。
【選択図】 図2
Description
Claims (2)
- それぞれがワイヤーボンディングを接合するためのパッド部を有する複数の固体撮像素子が形成された半導体ウェハを準備する準備工程と、
前記半導体ウェハに対して、前記パッド部に堆積する有機薄膜層を除去する有機薄膜層除去工程と、
前記有機薄膜層除去工程の後に、前記半導体ウェハをダイシングブレードによりダイシングするダイシング工程と、
前記ダイシング工程により個片化された前記複数の固体撮像素子のそれぞれをインナーリード部を有するパッケージに接合する接合工程と、
前記パッド部と前記インナーリード部をワイヤーボンディングで接合するワイヤーボンディング工程と
を有する固体撮像装置の製造方法。 - 前記有機薄膜層の除去は低ダメージプラズマ処理条件によるプラズマ処理である請求項1記載の固体撮像装置の製造方法。
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JPH0563013A (ja) * | 1991-09-05 | 1993-03-12 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2000216369A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-08-04 | United Microelectronics Corp | フォトレジスト材料の除去プロセス及び該除去プロセスを使用したcmosフォトセンサ―の製造方法 |
JP2003229551A (ja) * | 2002-02-01 | 2003-08-15 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
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