JP2000215408A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JP2000215408A JP2000215408A JP11009641A JP964199A JP2000215408A JP 2000215408 A JP2000215408 A JP 2000215408A JP 11009641 A JP11009641 A JP 11009641A JP 964199 A JP964199 A JP 964199A JP 2000215408 A JP2000215408 A JP 2000215408A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- separation layer
- head
- thin
- coil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 51
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 249
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 93
- 239000012792 core layer Substances 0.000 claims abstract description 32
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims abstract description 21
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 18
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 5
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000005330 Barkhausen effect Effects 0.000 abstract description 9
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019222 CoCrPt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018499 Ni—F Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3113—Details for improving the magnetic domain structure or avoiding the formation or displacement of undesirable magnetic domains
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 上部シールド層の形状磁気異方性に基づくバ
ルクハウゼンノイズの発生を低減できる薄膜磁気ヘッド
を提供する。 【解決手段】 インダクティブヘッド２ｂには、その上
にコイル層２ｂ４を形成できる広さの磁性材料層を設
け、それを磁気記録媒体に対向する側の前方分離層２ａ
６（２ｂ１）と、相対向する側の後方分離層２ａ７とに
微小な間隔Ｓを持って分離してなり、前方分離層２ａ６
（２ｂ１）はＭＲヘッド２ａの上部シールド層及びイン
ダクティブヘッド２ｂの下部コア層として兼用する。
ルクハウゼンノイズの発生を低減できる薄膜磁気ヘッド
を提供する。 【解決手段】 インダクティブヘッド２ｂには、その上
にコイル層２ｂ４を形成できる広さの磁性材料層を設
け、それを磁気記録媒体に対向する側の前方分離層２ａ
６（２ｂ１）と、相対向する側の後方分離層２ａ７とに
微小な間隔Ｓを持って分離してなり、前方分離層２ａ６
（２ｂ１）はＭＲヘッド２ａの上部シールド層及びイン
ダクティブヘッド２ｂの下部コア層として兼用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドに
係るものであり、特に磁気抵抗効果素子を有する読み出
し用のＭＲヘッドと、コイル層及びコア層を有する書き
込み用のインダクティブヘッドとが積層された複合型の
薄膜磁気ヘッドに関する。
係るものであり、特に磁気抵抗効果素子を有する読み出
し用のＭＲヘッドと、コイル層及びコア層を有する書き
込み用のインダクティブヘッドとが積層された複合型の
薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は、従来の薄膜磁気ヘッドの斜視図
である。また、図６は、図５の６−６線で示した断面図
であり、図７は、図６の７矢視方向からの拡大正面図で
あり、図８は、図６の８矢視方向からの概略平面図であ
る。また、図９は、従来の薄膜磁気ヘッドの引き出し線
パターンを説明するための概略平面図であり、図１０
は、従来の薄膜磁気ヘッドの上部シールド層及びコイル
層を説明するための平面図である。
である。また、図６は、図５の６−６線で示した断面図
であり、図７は、図６の７矢視方向からの拡大正面図で
あり、図８は、図６の８矢視方向からの概略平面図であ
る。また、図９は、従来の薄膜磁気ヘッドの引き出し線
パターンを説明するための概略平面図であり、図１０
は、従来の薄膜磁気ヘッドの上部シールド層及びコイル
層を説明するための平面図である。
【０００３】ハードディスク等の磁気記録装置に搭載さ
れる薄膜磁気ヘッドのスライダ１は、アルミナ・チタン
カーバイド（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等のセラミックス材か
らなり、図５に示すように、磁気記録媒体のディスク面
の移動方向の上流側に向くリーディング側端面１ａと、
下流側に向くトレーリング側端面１ｂと、スライダ１の
ディスク面に対向する面であるレール状のＡＢＳ面１ｃ
とを有している。また、トレーリング側端面１ｂには、
ヘッド素子２及び外部回路との接続用の４つのボンディ
ングパッド３が設けられている。
れる薄膜磁気ヘッドのスライダ１は、アルミナ・チタン
カーバイド（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等のセラミックス材か
らなり、図５に示すように、磁気記録媒体のディスク面
の移動方向の上流側に向くリーディング側端面１ａと、
下流側に向くトレーリング側端面１ｂと、スライダ１の
ディスク面に対向する面であるレール状のＡＢＳ面１ｃ
とを有している。また、トレーリング側端面１ｂには、
ヘッド素子２及び外部回路との接続用の４つのボンディ
ングパッド３が設けられている。
【０００４】ヘッド素子２は薄膜により形成され、図６
に示すように、読み出し用の磁気抵抗効果（Magneto Re
sistive）型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称す）２
ａと、その上に積層された書き込み用の誘導型磁気ヘッ
ド（以下、インダクティブヘッドと称す）２ｂとが積層
された複合型の薄膜磁気ヘッドから構成されている。
に示すように、読み出し用の磁気抵抗効果（Magneto Re
sistive）型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称す）２
ａと、その上に積層された書き込み用の誘導型磁気ヘッ
ド（以下、インダクティブヘッドと称す）２ｂとが積層
された複合型の薄膜磁気ヘッドから構成されている。
【０００５】ＭＲヘッド２ａは、図６及び図７に示すよ
うに、スライダ１のトレーリング側端面１ｂ上に、Ｎｉ
−Ｆｅ系合金（パーマロイ）からなる下部シールド層２
ａ１と、下部シールド層２ａ１の上に積層されたＡｌ2
Ｏ3等の非磁性材料からなる下部ギャップ層２ａ２と、
下部ギャップ層２ａ２の上層の中央部に設けられた磁気
抵抗効果（ＭＲ）素子２ａ３と、磁気抵抗効果素子２ａ
３の両縁部上面から下部ギャップ層２ａ２の表面にかけ
て形成された電極層２ａ４と、磁気抵抗効果素子２ａ３
及び電極層２ａ４の上層に設けられたＡｌ2Ｏ3等の非磁
性材料からなる上部ギャップ層２ａ５と、上部ギャップ
層２ａ５上層にメッキで形成された、Ｎｉ−Ｆｅ系合金
（パーマロイ）等の磁性材料からなる上部シールド層２
ａ６’とを有する。また、図７に示した磁気抵抗効果素
子２ａ３は、異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）素子を例示
しており、下から順にＳＡＬ膜Ｓａ、ＳＨＵＮＴ膜Ｓ
ｈ、磁気抵抗効果を有するＭＲ膜Ｍが積層されている。
また、図７に示した電極層２ａ４は、下層がＣｏＰｔ又
はＣｏＣｒＰｔ等からなるハードバイアス層Ｈであり、
上層がクロム（Ｃｒ）や銅（Ｃｕ）等からなる導電層Ｃ
とからなる。このハードバイアス層ＨによりＭＲ膜Ｍに
対して、膜面に平行な方向に縦バイアスと呼ばれるバイ
アス磁界が印加されている。また、ＭＲヘッド２ａで
は、ＭＲ膜Ｍと下部シールド層２ａ１又は上部シールド
層２ａ６’との間の距離により読み出し磁気ギャップ長
Ｇｌが決められる。また、トラック幅Ｔｗは、ＭＲ膜Ｍ
において両側の２つの電極層２ａ４との間で、センス電
流が流れる範囲により決められる。尚、磁気抵抗効果素
子２ａ３としては巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子を用
いることも可能である。
うに、スライダ１のトレーリング側端面１ｂ上に、Ｎｉ
−Ｆｅ系合金（パーマロイ）からなる下部シールド層２
ａ１と、下部シールド層２ａ１の上に積層されたＡｌ2
Ｏ3等の非磁性材料からなる下部ギャップ層２ａ２と、
下部ギャップ層２ａ２の上層の中央部に設けられた磁気
抵抗効果（ＭＲ）素子２ａ３と、磁気抵抗効果素子２ａ
３の両縁部上面から下部ギャップ層２ａ２の表面にかけ
て形成された電極層２ａ４と、磁気抵抗効果素子２ａ３
及び電極層２ａ４の上層に設けられたＡｌ2Ｏ3等の非磁
性材料からなる上部ギャップ層２ａ５と、上部ギャップ
層２ａ５上層にメッキで形成された、Ｎｉ−Ｆｅ系合金
（パーマロイ）等の磁性材料からなる上部シールド層２
ａ６’とを有する。また、図７に示した磁気抵抗効果素
子２ａ３は、異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）素子を例示
しており、下から順にＳＡＬ膜Ｓａ、ＳＨＵＮＴ膜Ｓ
ｈ、磁気抵抗効果を有するＭＲ膜Ｍが積層されている。
また、図７に示した電極層２ａ４は、下層がＣｏＰｔ又
はＣｏＣｒＰｔ等からなるハードバイアス層Ｈであり、
上層がクロム（Ｃｒ）や銅（Ｃｕ）等からなる導電層Ｃ
とからなる。このハードバイアス層ＨによりＭＲ膜Ｍに
対して、膜面に平行な方向に縦バイアスと呼ばれるバイ
アス磁界が印加されている。また、ＭＲヘッド２ａで
は、ＭＲ膜Ｍと下部シールド層２ａ１又は上部シールド
層２ａ６’との間の距離により読み出し磁気ギャップ長
Ｇｌが決められる。また、トラック幅Ｔｗは、ＭＲ膜Ｍ
において両側の２つの電極層２ａ４との間で、センス電
流が流れる範囲により決められる。尚、磁気抵抗効果素
子２ａ３としては巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子を用
いることも可能である。
【０００６】また、図６及び図８に示すように、インダ
クティブヘッド２ｂは、ＭＲヘッド２ａの上部シールド
層２ａ６’と兼用される下部コア層２ｂ１’と、下部コ
ア層２ｂ１’の上方に設けられた、書き込み磁気ギャッ
プＧを形成する非磁性材料層２ｂ２と、非磁性材料層２
ｂ２の上に積層された有機樹脂材料等からなるコイル絶
縁層２ｂ３、２ｂ３’と、コイル絶縁層２ｂ３、２ｂ
３’の内部に埋設されたＣｕ等の低抵抗導電性材料から
なる平面螺旋状のコイル層２ｂ４と、その一端がＡＢＳ
面１ｃ側において非磁性材料層２ｂ２と接すると共に、
その他端が下部コア層２ｂ１’と接続された、Ｎｉ−Ｆ
ｅ系合金（パーマロイ）等の磁性材料からなる上部コア
層２ｂ５とを有する。
クティブヘッド２ｂは、ＭＲヘッド２ａの上部シールド
層２ａ６’と兼用される下部コア層２ｂ１’と、下部コ
ア層２ｂ１’の上方に設けられた、書き込み磁気ギャッ
プＧを形成する非磁性材料層２ｂ２と、非磁性材料層２
ｂ２の上に積層された有機樹脂材料等からなるコイル絶
縁層２ｂ３、２ｂ３’と、コイル絶縁層２ｂ３、２ｂ
３’の内部に埋設されたＣｕ等の低抵抗導電性材料から
なる平面螺旋状のコイル層２ｂ４と、その一端がＡＢＳ
面１ｃ側において非磁性材料層２ｂ２と接すると共に、
その他端が下部コア層２ｂ１’と接続された、Ｎｉ−Ｆ
ｅ系合金（パーマロイ）等の磁性材料からなる上部コア
層２ｂ５とを有する。
【０００７】また、図８及び図９に示すように、下部コ
ア層２ｂ１’から離れて同時に形成された２つの接続端
子１０ａ、１０ｂが下部コア層２ｂ１’の両側に形成さ
れ、ＭＲ素子２ａ３の両端に接続された２つの電極層２
ａ４と接続されている。また、銅（Ｃｕ）等の低抵抗導
電性材料からなる４つの引き出し線４ａ、４ｂ、４ｃ、
４ｄは、コイル層２ｂ４を形成する際にコイル絶縁層２
ｂ３上に同時にメッキにより形成されて設けられてい
る。また、２つの引き出し線４ａ、４ｂは下部コア層２
ｂ１’の両側部に対向して、それぞれ接続端部４ａ１、
４ｂ１を有し、上部ギャップ層２ａ５に設けられたコン
タクトホール（図示せず）を介して、２つの接続端子１
０ａ、１０ｂと各々導通接続されている。また、引き出
し線４ｃはコイル層２ｂ４の最外周端に連続して一体に
形成されている。また、引き出し線４ｄは、下部コア層
２ｂ１’の側部に接続端部４ｄ１を有しており、上部コ
ア層２ｂ５を形成する際に同時にメッキにより形成して
コイル絶縁層２ｂ３上に設けられたリード層５によっ
て、コイル絶縁層２ｂ３に設けられたコンタクトホール
（図示せず）を介してコイル層２ｂ４の中央端Ｎとの間
が接続されている。
ア層２ｂ１’から離れて同時に形成された２つの接続端
子１０ａ、１０ｂが下部コア層２ｂ１’の両側に形成さ
れ、ＭＲ素子２ａ３の両端に接続された２つの電極層２
ａ４と接続されている。また、銅（Ｃｕ）等の低抵抗導
電性材料からなる４つの引き出し線４ａ、４ｂ、４ｃ、
４ｄは、コイル層２ｂ４を形成する際にコイル絶縁層２
ｂ３上に同時にメッキにより形成されて設けられてい
る。また、２つの引き出し線４ａ、４ｂは下部コア層２
ｂ１’の両側部に対向して、それぞれ接続端部４ａ１、
４ｂ１を有し、上部ギャップ層２ａ５に設けられたコン
タクトホール（図示せず）を介して、２つの接続端子１
０ａ、１０ｂと各々導通接続されている。また、引き出
し線４ｃはコイル層２ｂ４の最外周端に連続して一体に
形成されている。また、引き出し線４ｄは、下部コア層
２ｂ１’の側部に接続端部４ｄ１を有しており、上部コ
ア層２ｂ５を形成する際に同時にメッキにより形成して
コイル絶縁層２ｂ３上に設けられたリード層５によっ
て、コイル絶縁層２ｂ３に設けられたコンタクトホール
（図示せず）を介してコイル層２ｂ４の中央端Ｎとの間
が接続されている。
【０００８】そして、各引き出し線４ａ、４ｂ、４ｃ、
４ｄの他端には、それぞれバンプ接続部４ａ２、４ｂ
２、４ｃ１、４ｄ２が設けられ、その上にはＮｉ−Ｆｅ
系合金（パーマロイ）等からなるバンプ（図示せず）が
設けられている。また、Ａｌ2Ｏ3等からなる保護層６
は、上部コア層２ｂ５、引き出し線４ａ、４ｂ、４ｃ、
４ｄ及びバンプ（図示せず）等の上層を覆った状態でス
ライダ１のトレーリング側端面１ｂの全面に設けられ、
そのトレーリング側端面１ｂが研磨されることにより一
部が露出された４つのバンプ（図示せず）の上層に、図
５及び図９に示すように、金からなる４つのボンディン
グパッド３がメッキにより形成されている。このように
して、４つのボンディングパッド３とヘッド素子２とが
電気的に接続され、従来の薄膜磁気ヘッドが構成されて
いる。
４ｄの他端には、それぞれバンプ接続部４ａ２、４ｂ
２、４ｃ１、４ｄ２が設けられ、その上にはＮｉ−Ｆｅ
系合金（パーマロイ）等からなるバンプ（図示せず）が
設けられている。また、Ａｌ2Ｏ3等からなる保護層６
は、上部コア層２ｂ５、引き出し線４ａ、４ｂ、４ｃ、
４ｄ及びバンプ（図示せず）等の上層を覆った状態でス
ライダ１のトレーリング側端面１ｂの全面に設けられ、
そのトレーリング側端面１ｂが研磨されることにより一
部が露出された４つのバンプ（図示せず）の上層に、図
５及び図９に示すように、金からなる４つのボンディン
グパッド３がメッキにより形成されている。このように
して、４つのボンディングパッド３とヘッド素子２とが
電気的に接続され、従来の薄膜磁気ヘッドが構成されて
いる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ハードディスク等の磁
気記録装置の高容量化に伴い、薄膜磁気ヘッドのスライ
ダ１のサイズが小さくなってきており、ボンディングパ
ッド３とヘッド素子２とを、トレーリング側端面１ｂの
限られたスペース内に効果的に配置する必要が生じてい
る。ヘッド素子２に関しては、トレーリング側端面１ｂ
における大きさ（面積）を大きく左右しているのはコイ
ル層２ｂ４の大きさであり、限られたスペースにヘッド
素子２を配設するために、コイル層２ｂ４は、図９に示
した円形に近いものから、図１０に示すように左右方
向、即ちトラック幅方向の長さが若干圧縮され、トラッ
ク幅方向と直交する上下方向、即ちハイト方向（磁気記
録媒体からの漏れ磁界が入力される方向）が長い楕円形
状となっている。
気記録装置の高容量化に伴い、薄膜磁気ヘッドのスライ
ダ１のサイズが小さくなってきており、ボンディングパ
ッド３とヘッド素子２とを、トレーリング側端面１ｂの
限られたスペース内に効果的に配置する必要が生じてい
る。ヘッド素子２に関しては、トレーリング側端面１ｂ
における大きさ（面積）を大きく左右しているのはコイ
ル層２ｂ４の大きさであり、限られたスペースにヘッド
素子２を配設するために、コイル層２ｂ４は、図９に示
した円形に近いものから、図１０に示すように左右方
向、即ちトラック幅方向の長さが若干圧縮され、トラッ
ク幅方向と直交する上下方向、即ちハイト方向（磁気記
録媒体からの漏れ磁界が入力される方向）が長い楕円形
状となっている。
【００１０】そして、この上下方向に長いコイル層２ｂ
４の形状に対応して、インダクティブヘッド２ｂの下部
コア層２ｂ１’（即ち上部シールド層２ａ６’と兼用）
の大きさが決められる。即ち、コイル層２ｂ４のハイト
方向が長くなるに伴って、下部コア層２ｂ１’（上部シ
ールド層２ａ６’）も、図１０に示したように、トラッ
ク幅方向の長さＷよりもハイト方向の長さＨを長くする
必要がある。
４の形状に対応して、インダクティブヘッド２ｂの下部
コア層２ｂ１’（即ち上部シールド層２ａ６’と兼用）
の大きさが決められる。即ち、コイル層２ｂ４のハイト
方向が長くなるに伴って、下部コア層２ｂ１’（上部シ
ールド層２ａ６’）も、図１０に示したように、トラッ
ク幅方向の長さＷよりもハイト方向の長さＨを長くする
必要がある。
【００１１】一般に、球形を除く形状を有する磁性材料
においては、ある点から任意の別の点への方向によって
磁化特性が異なる「形状磁気異方性」が存在することが
知られており、上部シールド層２ａ６’（下部コア層２
ｂ１’）においても例外ではない。例えば、前述のよう
に上部シールド層２ａ６’をハイト方向の長さＨを長く
した長方形（楕円）状の薄板にすると、上部シールド層
２ａ６’は形状磁気異方性を有するようになる。この場
合、上部シールド層２ａ６’の長手方向であるハイト方
向は磁化容易軸、また、これと直交する短手方向である
トラック幅方向は磁化困難軸となる傾向にある。
においては、ある点から任意の別の点への方向によって
磁化特性が異なる「形状磁気異方性」が存在することが
知られており、上部シールド層２ａ６’（下部コア層２
ｂ１’）においても例外ではない。例えば、前述のよう
に上部シールド層２ａ６’をハイト方向の長さＨを長く
した長方形（楕円）状の薄板にすると、上部シールド層
２ａ６’は形状磁気異方性を有するようになる。この場
合、上部シールド層２ａ６’の長手方向であるハイト方
向は磁化容易軸、また、これと直交する短手方向である
トラック幅方向は磁化困難軸となる傾向にある。
【００１２】ところで、ＭＲヘッド２ａが、磁気記録媒
体の磁気記録信号を読み出す際には、ＡＢＳ面１ｃ側に
対向した磁気記録媒体からの漏れ磁界が、信号磁界とし
てハイト方向へ入る。ところが、この漏れ磁界が入力さ
れる方向である上部シールド層２ａ６’のハイト方向
は、前述のように磁化容易軸であるために、磁化曲線が
非可逆的変化を示すヒステリシスを有する。
体の磁気記録信号を読み出す際には、ＡＢＳ面１ｃ側に
対向した磁気記録媒体からの漏れ磁界が、信号磁界とし
てハイト方向へ入る。ところが、この漏れ磁界が入力さ
れる方向である上部シールド層２ａ６’のハイト方向
は、前述のように磁化容易軸であるために、磁化曲線が
非可逆的変化を示すヒステリシスを有する。
【００１３】磁性材料がヒステリシスを有すると、磁界
が加えられた際には、微視的に見ると磁壁がある位置か
ら他の位置へ非可逆的に移動する。そして、この磁壁の
非可逆的な移動に基づき、バルクハウゼンノイズと呼ば
れるノイズが発生することが知られている。そのため、
前述のように、ＭＲヘッド２ａが磁気記録媒体の磁気記
録信号を読み出す際に、連続的に変化する漏れ磁界がヒ
ステリシスを有するハイト方向へ入力されると、ＭＲ膜
Ｍに信号磁界と共にバルクハウゼンノイズが重畳し、Ｍ
Ｒヘッド２ａに読みとりエラーが発生していた。
が加えられた際には、微視的に見ると磁壁がある位置か
ら他の位置へ非可逆的に移動する。そして、この磁壁の
非可逆的な移動に基づき、バルクハウゼンノイズと呼ば
れるノイズが発生することが知られている。そのため、
前述のように、ＭＲヘッド２ａが磁気記録媒体の磁気記
録信号を読み出す際に、連続的に変化する漏れ磁界がヒ
ステリシスを有するハイト方向へ入力されると、ＭＲ膜
Ｍに信号磁界と共にバルクハウゼンノイズが重畳し、Ｍ
Ｒヘッド２ａに読みとりエラーが発生していた。
【００１４】本発明が解決しようとする課題は、スライ
ダの小型化に対応でき、且つ、上部シールド層の形状磁
気異方性に基づくバルクハウゼンノイズの発生を低減で
きる薄膜磁気ヘッドを提供することである。
ダの小型化に対応でき、且つ、上部シールド層の形状磁
気異方性に基づくバルクハウゼンノイズの発生を低減で
きる薄膜磁気ヘッドを提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明の薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果素子を含
む読み出しヘッドとインダクティブヘッドとが積層され
ている複合型薄膜磁気ヘッドであって、前記インダクテ
ィブヘッドは、少なくともその上にコイル層を形成でき
る広さの磁性材料層を有し、該磁性材料層は磁気記録媒
体に対向する側の前方分離層と、該前方分離層と間隔を
開けて前記磁気記録媒体から離れる方向に配置された後
方分離層と、一端が前記前方分離層の上部に接合され、
且つ前記コイル層の上方に延び、他端が前記磁気記録媒
との対向面で磁気ギャップを介して接合された上部コア
層と、前記前方分離層は、読み出し部の上部シールド層
及びインダクティブヘッドの下部コア層として兼用さ
れ、前記後方分離層とともに前記コイル層を支持してな
り、前記前方分離層の前記トラック幅方向の長さは、前
記トラック幅方向に直交する方向の長さよりも長い構成
とした。
め、本発明の薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果素子を含
む読み出しヘッドとインダクティブヘッドとが積層され
ている複合型薄膜磁気ヘッドであって、前記インダクテ
ィブヘッドは、少なくともその上にコイル層を形成でき
る広さの磁性材料層を有し、該磁性材料層は磁気記録媒
体に対向する側の前方分離層と、該前方分離層と間隔を
開けて前記磁気記録媒体から離れる方向に配置された後
方分離層と、一端が前記前方分離層の上部に接合され、
且つ前記コイル層の上方に延び、他端が前記磁気記録媒
との対向面で磁気ギャップを介して接合された上部コア
層と、前記前方分離層は、読み出し部の上部シールド層
及びインダクティブヘッドの下部コア層として兼用さ
れ、前記後方分離層とともに前記コイル層を支持してな
り、前記前方分離層の前記トラック幅方向の長さは、前
記トラック幅方向に直交する方向の長さよりも長い構成
とした。
【００１６】また、好ましくは、本発明の薄膜磁気ヘッ
ドは、前記前方分離層と前記後方分離層とを分離する前
記間隔上で、前記コイル層は、前記間隔の長手方向と略
直交して形成されてなる構成とした。
ドは、前記前方分離層と前記後方分離層とを分離する前
記間隔上で、前記コイル層は、前記間隔の長手方向と略
直交して形成されてなる構成とした。
【００１７】また、好ましくは、本発明の薄膜磁気ヘッ
ドは、前記前方分離層は前記後方分離層よりも前記トラ
ック幅方向に長く、且つ前記前方分離層の両端部は前記
後方分離層の両側に延出した状態で形成されてなる構成
とした。
ドは、前記前方分離層は前記後方分離層よりも前記トラ
ック幅方向に長く、且つ前記前方分離層の両端部は前記
後方分離層の両側に延出した状態で形成されてなる構成
とした。
【００１８】また、好ましくは、本発明の薄膜磁気ヘッ
ドは、前記磁気抵抗効果素子と、外部回路と接続するた
めのボンディングパッドとの間を接続する２つの引き出
し線と、前記磁気抵抗効果素子と２つの前記引き出し線
の端部とを接続するための接続端子とが、前記前方分離
層の前記トラック幅方向の範囲内にあり、且つ前記後方
分離層の両側部に設けられてなる構成とした。
ドは、前記磁気抵抗効果素子と、外部回路と接続するた
めのボンディングパッドとの間を接続する２つの引き出
し線と、前記磁気抵抗効果素子と２つの前記引き出し線
の端部とを接続するための接続端子とが、前記前方分離
層の前記トラック幅方向の範囲内にあり、且つ前記後方
分離層の両側部に設けられてなる構成とした。
【００１９】また、第５の解決手段として、本発明の薄
膜磁気ヘッドは、前記磁気抵抗効果素子と、外部回路と
接続するためのボンディングパッドとの間を接続する２
つの引き出し線が設けられ、前記磁気抵抗効果素子と接
続される２つの前記引き出し線の端部が、前記前方分離
層の前記トラック幅方向の範囲内にあり、且つ前記後方
分離層の両側部に設けられてなる構成とした。
膜磁気ヘッドは、前記磁気抵抗効果素子と、外部回路と
接続するためのボンディングパッドとの間を接続する２
つの引き出し線が設けられ、前記磁気抵抗効果素子と接
続される２つの前記引き出し線の端部が、前記前方分離
層の前記トラック幅方向の範囲内にあり、且つ前記後方
分離層の両側部に設けられてなる構成とした。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の薄膜磁気ヘッド
の実施の形態について説明する。図１は、本発明の薄膜
磁気ヘッドの拡大正面図である。また、図２は本発明の
薄膜磁気ヘッドの第１の実施例に係る説明図であり、同
図Ａは、本発明の薄膜磁気ヘッドの引き出し線のパター
ンを説明するための概略平面図であり、同図Ｂは、同図
Ａの要部拡大図である。また、図３は本発明の薄膜磁気
ヘッドの第１の実施例に係る要部断面図である。また、
図４は、本発明の薄膜磁気ヘッドの第２の実施例に係る
説明図であり、同図Ａは、本発明の薄膜磁気ヘッドの引
き出し線のパターンを説明するための概略平面図であ
り、同図Ｂは、同図Ａの要部拡大図である。尚、従来の
薄膜磁気ヘッドと同様の部品（部分）については同一番
号を付し、それらの説明を一部省略する。
の実施の形態について説明する。図１は、本発明の薄膜
磁気ヘッドの拡大正面図である。また、図２は本発明の
薄膜磁気ヘッドの第１の実施例に係る説明図であり、同
図Ａは、本発明の薄膜磁気ヘッドの引き出し線のパター
ンを説明するための概略平面図であり、同図Ｂは、同図
Ａの要部拡大図である。また、図３は本発明の薄膜磁気
ヘッドの第１の実施例に係る要部断面図である。また、
図４は、本発明の薄膜磁気ヘッドの第２の実施例に係る
説明図であり、同図Ａは、本発明の薄膜磁気ヘッドの引
き出し線のパターンを説明するための概略平面図であ
り、同図Ｂは、同図Ａの要部拡大図である。尚、従来の
薄膜磁気ヘッドと同様の部品（部分）については同一番
号を付し、それらの説明を一部省略する。
【００２１】（実施例１）まず、本発明の薄膜磁気ヘッ
ドの第１の実施例を説明する。本発明の薄膜磁気ヘッド
に用いられるスライダ１は、従来の薄膜磁気ヘッドと同
様に、アルミナ・チタンカーバイド（Ａｌ2Ｏ3・Ｔｉ
Ｃ）等のセラミックス材からなり、図５に示したよう
に、磁気記録媒体のディスク面の移動方向の上流側に向
くリーディング側端面１ａと、下流側に向くトレーリン
グ側端面１ｂと、スライダ１のディスク面に対向する面
であるレール状のＡＢＳ面１ｃとを有している。また、
トレーリング側端面１ｂには、ヘッド素子２及び外部回
路との接続用の４つのボンディングパッド３が設けられ
ている。また、ヘッド素子２は薄膜により形成され、図
６に示したように、読み出し用のＭＲヘッド２ａと、そ
の上に積層された書き込み用のインダクティブヘッド２
ｂとが積層されて構成されている。
ドの第１の実施例を説明する。本発明の薄膜磁気ヘッド
に用いられるスライダ１は、従来の薄膜磁気ヘッドと同
様に、アルミナ・チタンカーバイド（Ａｌ2Ｏ3・Ｔｉ
Ｃ）等のセラミックス材からなり、図５に示したよう
に、磁気記録媒体のディスク面の移動方向の上流側に向
くリーディング側端面１ａと、下流側に向くトレーリン
グ側端面１ｂと、スライダ１のディスク面に対向する面
であるレール状のＡＢＳ面１ｃとを有している。また、
トレーリング側端面１ｂには、ヘッド素子２及び外部回
路との接続用の４つのボンディングパッド３が設けられ
ている。また、ヘッド素子２は薄膜により形成され、図
６に示したように、読み出し用のＭＲヘッド２ａと、そ
の上に積層された書き込み用のインダクティブヘッド２
ｂとが積層されて構成されている。
【００２２】ＭＲヘッド２ａは、その主要な部分につい
ては図６及び図７に示した従来の薄膜磁気ヘッドと同様
であり、スライダ１のトレーリング側端面１ｂ上に、ス
パッタ等の真空成膜法で形成されたＮｉ−Ｆｅ系合金
（パーマロイ）からなる下部シールド層２ａ１と、下部
シールド層２ａ１の上に積層されたＡｌ2Ｏ3等の非磁性
材料からなる下部ギャップ層２ａ２と、下部ギャップ層
２ａ２の上層の中央部に設けられた磁気抵抗効果（Ｍ
Ｒ）素子２ａ３と、磁気抵抗効果素子２ａ３の両縁部上
面から下部ギャップ層２ａ２の表面にかけて形成された
電極層２ａ４と、磁気抵抗効果素子２ａ３及び電極層２
ａ４の上層に設けられたＡｌ2Ｏ3等の非磁性材料からな
る上部ギャップ層２ａ５とを有する。
ては図６及び図７に示した従来の薄膜磁気ヘッドと同様
であり、スライダ１のトレーリング側端面１ｂ上に、ス
パッタ等の真空成膜法で形成されたＮｉ−Ｆｅ系合金
（パーマロイ）からなる下部シールド層２ａ１と、下部
シールド層２ａ１の上に積層されたＡｌ2Ｏ3等の非磁性
材料からなる下部ギャップ層２ａ２と、下部ギャップ層
２ａ２の上層の中央部に設けられた磁気抵抗効果（Ｍ
Ｒ）素子２ａ３と、磁気抵抗効果素子２ａ３の両縁部上
面から下部ギャップ層２ａ２の表面にかけて形成された
電極層２ａ４と、磁気抵抗効果素子２ａ３及び電極層２
ａ４の上層に設けられたＡｌ2Ｏ3等の非磁性材料からな
る上部ギャップ層２ａ５とを有する。
【００２３】また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおける特
徴的な部分は、上部ギャップ層２ａ５上層に、図１に示
すように、磁気記録媒体と対向するＡＢＳ面１ｃ側にメ
ッキで形成された、Ｎｉ−Ｆｅ系合金（パーマロイ）等
の磁性材料からなる上部シールド層としての前方分離層
２ａ６と、前方分離層２ａ６との間で微小な所定幅の間
隔Ｓを持って分離された後方分離層２ａ７とを有するこ
とである。このような前方分離層２ａ６及び後方分離層
２ａ７は、フレームメッキにより容易に形成される。ま
た、前方分離層２ａ６と後方分離層２ａ７とは略同じ膜
厚をもって形成され、それらの上面は略同一の平面にお
かれている。また、前方分離層２ａ６と後方分離層２ａ
７とを分離する微小な間隔Ｓ内には、フレームメッキの
際に用いたレジスト用の絶縁性材料等が充填され、その
上面はエッチングにより前方分離層２ａ６及び後方分離
層２ａ７の上面と略同一平面を形成している。また、間
隔Ｓは、ＡＢＳ面１ｃと略平行となるように設けられ、
コイル層２ｂ４の中央部を直線的に分断するように形成
されている。
徴的な部分は、上部ギャップ層２ａ５上層に、図１に示
すように、磁気記録媒体と対向するＡＢＳ面１ｃ側にメ
ッキで形成された、Ｎｉ−Ｆｅ系合金（パーマロイ）等
の磁性材料からなる上部シールド層としての前方分離層
２ａ６と、前方分離層２ａ６との間で微小な所定幅の間
隔Ｓを持って分離された後方分離層２ａ７とを有するこ
とである。このような前方分離層２ａ６及び後方分離層
２ａ７は、フレームメッキにより容易に形成される。ま
た、前方分離層２ａ６と後方分離層２ａ７とは略同じ膜
厚をもって形成され、それらの上面は略同一の平面にお
かれている。また、前方分離層２ａ６と後方分離層２ａ
７とを分離する微小な間隔Ｓ内には、フレームメッキの
際に用いたレジスト用の絶縁性材料等が充填され、その
上面はエッチングにより前方分離層２ａ６及び後方分離
層２ａ７の上面と略同一平面を形成している。また、間
隔Ｓは、ＡＢＳ面１ｃと略平行となるように設けられ、
コイル層２ｂ４の中央部を直線的に分断するように形成
されている。
【００２４】また、図１及び図２Ａに示すように、イン
ダクティブヘッド２ｂは、前述の前方分離層２ａ６（２
ｂ１）が下部コア層として兼用され、前方分離層２ａ６
（２ｂ１）及び後方分離層２ａ７の上方に書き込み磁気
ギャップを形成する非磁性材料層２ｂ２が設けられてい
る。また、非磁性材料層２ｂ２の上には、図６及び図８
に示した従来の薄膜磁気ヘッドと同様に、積層された有
機樹脂材料等からなるコイル絶縁層２ｂ３、２ｂ３’
と、コイル絶縁層２ｂ３、２ｂ３’の内部に埋設され、
Ｃｕ等の低抵抗導電性材料を用いてフォトリソグラフィ
及びメッキにより形成された平面螺旋状のコイル層２ｂ
４と、その一端がＡＢＳ面１ｃ側において非磁性材料層
２ｂ２と接すると共に、その他端が前方分離層２ａ６
（２ｂ１）と接続された、Ｎｉ−Ｆｅ系合金（パーマロ
イ）等の磁性材料からなる上部コア層２ｂ５とを有す
る。尚、後方分離層２ａ７は、前述のように前方分離層
２ａ６（２ｂ１）と略同一平面とされており、コイル層
２ｂ４を同じ高さに形成するための「コイル支持層」と
しての役割を果たしている。また、図２Ｂに示すよう
に、コイル層２ｂ４は、間隔Ｓ上においてその長手方向
と略直交するように形成されている。また、図１に示す
ように、後方分離層２ａ７の両側には、前方分離層２ａ
６及び後方分離層２ａ７から分離され、上部ギャップ層
２ａ５のスルーホールを介して磁気抵抗効果素子２ａ３
の２つの電極層２ａ４に接続された、２つの接続端子１
０ａ、１０ｂが形成されている。尚、２つの接続端子１
０ａ、１０ｂは、前方分離層２ａ６及び後方分離層２ａ
７と同時にメッキにより形成されている。
ダクティブヘッド２ｂは、前述の前方分離層２ａ６（２
ｂ１）が下部コア層として兼用され、前方分離層２ａ６
（２ｂ１）及び後方分離層２ａ７の上方に書き込み磁気
ギャップを形成する非磁性材料層２ｂ２が設けられてい
る。また、非磁性材料層２ｂ２の上には、図６及び図８
に示した従来の薄膜磁気ヘッドと同様に、積層された有
機樹脂材料等からなるコイル絶縁層２ｂ３、２ｂ３’
と、コイル絶縁層２ｂ３、２ｂ３’の内部に埋設され、
Ｃｕ等の低抵抗導電性材料を用いてフォトリソグラフィ
及びメッキにより形成された平面螺旋状のコイル層２ｂ
４と、その一端がＡＢＳ面１ｃ側において非磁性材料層
２ｂ２と接すると共に、その他端が前方分離層２ａ６
（２ｂ１）と接続された、Ｎｉ−Ｆｅ系合金（パーマロ
イ）等の磁性材料からなる上部コア層２ｂ５とを有す
る。尚、後方分離層２ａ７は、前述のように前方分離層
２ａ６（２ｂ１）と略同一平面とされており、コイル層
２ｂ４を同じ高さに形成するための「コイル支持層」と
しての役割を果たしている。また、図２Ｂに示すよう
に、コイル層２ｂ４は、間隔Ｓ上においてその長手方向
と略直交するように形成されている。また、図１に示す
ように、後方分離層２ａ７の両側には、前方分離層２ａ
６及び後方分離層２ａ７から分離され、上部ギャップ層
２ａ５のスルーホールを介して磁気抵抗効果素子２ａ３
の２つの電極層２ａ４に接続された、２つの接続端子１
０ａ、１０ｂが形成されている。尚、２つの接続端子１
０ａ、１０ｂは、前方分離層２ａ６及び後方分離層２ａ
７と同時にメッキにより形成されている。
【００２５】また、図２Ａに示すように、銅（Ｃｕ）等
の低抵抗導電性材料からなる４つの引き出し線４ａ、４
ｂ、４ｃ、４ｄは、コイル層２ｂ４を形成する際にコイ
ル絶縁層２ｂ３上に同時にメッキにより形成されて設け
られている。また、２つの引き出し線４ａ、４ｂは下部
コア層２ｂ１の両側部に対向して、それぞれ接続端部４
ａ１、４ｂ１を有し、２つの接続端子１０ａ、１０ｂを
介して、２つの電極層２ａ４と導通接続されている。ま
た、引き出し線４ｃはコイル層２ｂ４の最外周端に連続
して一体に形成されている。また、引き出し線４ｄは、
下部コア層２ｂ１の側部に接続端部４ｄ１を有してお
り、上部コア層２ｂ５を形成する際に同時にメッキによ
り形成してコイル絶縁層２ｂ３上に設けられたリード層
５によって、コイル絶縁層２ｂ３に設けられたコンタク
トホール（図示せず）を介してコイル層２ｂ４の中央端
Ｎとの間が接続されている。
の低抵抗導電性材料からなる４つの引き出し線４ａ、４
ｂ、４ｃ、４ｄは、コイル層２ｂ４を形成する際にコイ
ル絶縁層２ｂ３上に同時にメッキにより形成されて設け
られている。また、２つの引き出し線４ａ、４ｂは下部
コア層２ｂ１の両側部に対向して、それぞれ接続端部４
ａ１、４ｂ１を有し、２つの接続端子１０ａ、１０ｂを
介して、２つの電極層２ａ４と導通接続されている。ま
た、引き出し線４ｃはコイル層２ｂ４の最外周端に連続
して一体に形成されている。また、引き出し線４ｄは、
下部コア層２ｂ１の側部に接続端部４ｄ１を有してお
り、上部コア層２ｂ５を形成する際に同時にメッキによ
り形成してコイル絶縁層２ｂ３上に設けられたリード層
５によって、コイル絶縁層２ｂ３に設けられたコンタク
トホール（図示せず）を介してコイル層２ｂ４の中央端
Ｎとの間が接続されている。
【００２６】そして、各引き出し線４ａ、４ｂ、４ｃ、
４ｄの他端には、それぞれバンプ接続部４ａ２、４ｂ
２、４ｃ１、４ｄ２が設けられ、その上には金（Ａｕ）
やニッケル（Ｎｉ）等からなるバンプ（図示せず）が設
けられている。また、Ａｌ2Ｏ3等からなる保護層６は、
上部コア層２ｂ５、引き出し線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ
及びバンプ（図示せず）等の上層を覆った状態でスライ
ダ１のトレーリング側端面１ｂの全面に設けられ、その
トレーリング側端面１ｂが研磨されることにより一部が
露出された４つのバンプ（図示せず）の上層に、図２Ａ
に示したように、金からなる外部回路と接続するための
４つのボンディングパッド３がメッキにより形成されて
いる。このようにして、４つのボンディングパッド３と
ＭＲヘッド２ａ及びインダクティブヘッド２ｂとが電気
的に接続され、本発明の薄膜磁気ヘッドが構成されてい
る。
４ｄの他端には、それぞれバンプ接続部４ａ２、４ｂ
２、４ｃ１、４ｄ２が設けられ、その上には金（Ａｕ）
やニッケル（Ｎｉ）等からなるバンプ（図示せず）が設
けられている。また、Ａｌ2Ｏ3等からなる保護層６は、
上部コア層２ｂ５、引き出し線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ
及びバンプ（図示せず）等の上層を覆った状態でスライ
ダ１のトレーリング側端面１ｂの全面に設けられ、その
トレーリング側端面１ｂが研磨されることにより一部が
露出された４つのバンプ（図示せず）の上層に、図２Ａ
に示したように、金からなる外部回路と接続するための
４つのボンディングパッド３がメッキにより形成されて
いる。このようにして、４つのボンディングパッド３と
ＭＲヘッド２ａ及びインダクティブヘッド２ｂとが電気
的に接続され、本発明の薄膜磁気ヘッドが構成されてい
る。
【００２７】上述のように、上部シールド層（下部コア
層）として用いられている磁性材料層を、前方分離層２
ａ６（２ｂ１）と後方分離層２ａ７とに分離すること
で、それぞれ形状は、図１に示したように、トラック幅
方向の長さＷがハイト方向の長さＨよりも長い形状とな
る。そのため、上部シールド層（下部コア層）としての
前方分離層２ａ６（２ｂ１）における形状磁気異方性
は、トラック幅方向が磁化容易軸、ハイト方向が磁化困
難軸となり、ＭＲヘッド２ａにより磁気記録媒体からの
漏れ磁界が入力される方向であるハイト方向においてバ
ルクハウゼンノイズが発生しない。
層）として用いられている磁性材料層を、前方分離層２
ａ６（２ｂ１）と後方分離層２ａ７とに分離すること
で、それぞれ形状は、図１に示したように、トラック幅
方向の長さＷがハイト方向の長さＨよりも長い形状とな
る。そのため、上部シールド層（下部コア層）としての
前方分離層２ａ６（２ｂ１）における形状磁気異方性
は、トラック幅方向が磁化容易軸、ハイト方向が磁化困
難軸となり、ＭＲヘッド２ａにより磁気記録媒体からの
漏れ磁界が入力される方向であるハイト方向においてバ
ルクハウゼンノイズが発生しない。
【００２８】前方分離層２ａ６（２ｂ１）の上面と後方
分離層２ａ７の上面とは、略同一平面となるようにされ
ており、しかも間隔Ｓの幅は微小であるため、その上の
非磁性材料層２ｂ２は間隔Ｓの形状にならって形成され
る。また、この非磁性材料層２ｂ２の上にコイル層２ｂ
４を積層するには、図３に示すように、まず前方分離層
２ａ６（２ｂ１）及び後方分離層２ａ７の上層に設けら
れた非磁性材料層２ｂ２上にレジストからなる平坦化絶
縁層２ｂ１０を上面が平滑になるように形成し、さら
に、レジスト層を塗布形成し、次にこのレジスト層をフ
ォトリソグラフィによりコイル層２ｂ４のパターンを露
光・現像して設け、そして銅等を用いてメッキによりコ
イル層２ｂ４を形成するという工程を経るが、例えば前
方分離層２ａ６（２ｂ１）の上面と後方分離層２ａ７の
上面とが略同一平面とされておらず、間隔Ｓにおいて無
機材料等を用いて非磁性材料層２ｂ２を形成した場合に
段差が形成されていると、レジスト層にコイル層２ｂ４
のパターンを露光・現像する工程で、露光光の乱反射が
起こり、高精度に形成することができない。しかし、前
述のように、レジストからなる平坦化絶縁層２ｂ１０の
上面は平滑に形成されているため、コイル層２ｂ４は高
精度に形成されている。また、コイル層２ｂ４は間隔Ｓ
上で、その長手方向と略直交するように形成されている
ため、間隔Ｓ上を跨ぐコイル層２ｂ４の長さが最小とな
り、間隔Ｓ上に位置する平坦化絶縁層２ｂ１０の上面
に、たとえわずかな段差があったとしても、レジスト層
にコイル層２ｂ４のパターンを露光・現像する工程での
露光光の乱反射の影響を最小限におさえることができ、
高精度に形成される。
分離層２ａ７の上面とは、略同一平面となるようにされ
ており、しかも間隔Ｓの幅は微小であるため、その上の
非磁性材料層２ｂ２は間隔Ｓの形状にならって形成され
る。また、この非磁性材料層２ｂ２の上にコイル層２ｂ
４を積層するには、図３に示すように、まず前方分離層
２ａ６（２ｂ１）及び後方分離層２ａ７の上層に設けら
れた非磁性材料層２ｂ２上にレジストからなる平坦化絶
縁層２ｂ１０を上面が平滑になるように形成し、さら
に、レジスト層を塗布形成し、次にこのレジスト層をフ
ォトリソグラフィによりコイル層２ｂ４のパターンを露
光・現像して設け、そして銅等を用いてメッキによりコ
イル層２ｂ４を形成するという工程を経るが、例えば前
方分離層２ａ６（２ｂ１）の上面と後方分離層２ａ７の
上面とが略同一平面とされておらず、間隔Ｓにおいて無
機材料等を用いて非磁性材料層２ｂ２を形成した場合に
段差が形成されていると、レジスト層にコイル層２ｂ４
のパターンを露光・現像する工程で、露光光の乱反射が
起こり、高精度に形成することができない。しかし、前
述のように、レジストからなる平坦化絶縁層２ｂ１０の
上面は平滑に形成されているため、コイル層２ｂ４は高
精度に形成されている。また、コイル層２ｂ４は間隔Ｓ
上で、その長手方向と略直交するように形成されている
ため、間隔Ｓ上を跨ぐコイル層２ｂ４の長さが最小とな
り、間隔Ｓ上に位置する平坦化絶縁層２ｂ１０の上面
に、たとえわずかな段差があったとしても、レジスト層
にコイル層２ｂ４のパターンを露光・現像する工程での
露光光の乱反射の影響を最小限におさえることができ、
高精度に形成される。
【００２９】（実施例２）次に、本発明の薄膜磁気ヘッ
ドの第２の実施例を説明する。本実施例では、第１の実
施例と異なり、図４に示すように前方分離層２ａ６（２
ｂ１）のトラック幅方向の長さＷが後方分離層２ａ７の
それよりも長く、且つ前方分離層２ａ６（２ｂ１）の両
端部は後方分離層２ａ７の両側に延出した状態で形成さ
れている。このようにすることで、前方分離層２ａ６
（２ｂ１）については、ハイト方向の長さＨに対するト
ラック幅方向の長さＷがより大きくなって、トラック幅
方向が磁化容易軸、ハイト方向が磁化困難軸となる形状
磁気異方性がより増大され、ＭＲヘッド２ａにより磁気
記録媒体からの漏れ磁界が入力される方向であるハイト
方向において、バルクハウゼンノイズが発生するのをよ
り確実に抑えることができる。
ドの第２の実施例を説明する。本実施例では、第１の実
施例と異なり、図４に示すように前方分離層２ａ６（２
ｂ１）のトラック幅方向の長さＷが後方分離層２ａ７の
それよりも長く、且つ前方分離層２ａ６（２ｂ１）の両
端部は後方分離層２ａ７の両側に延出した状態で形成さ
れている。このようにすることで、前方分離層２ａ６
（２ｂ１）については、ハイト方向の長さＨに対するト
ラック幅方向の長さＷがより大きくなって、トラック幅
方向が磁化容易軸、ハイト方向が磁化困難軸となる形状
磁気異方性がより増大され、ＭＲヘッド２ａにより磁気
記録媒体からの漏れ磁界が入力される方向であるハイト
方向において、バルクハウゼンノイズが発生するのをよ
り確実に抑えることができる。
【００３０】ところで、上述のように前方分離層２ａ６
（２ｂ１）がトラック幅方向に長くなった場合に、磁気
抵抗効果素子２ａ３の電極層２ａ４と、ボンディングパ
ッド３との間を接続する２つの引き出し線４ａ、４ｂ及
び２つの接続端子１０ａ、１０ｂが、図４中の点線で示
した４ａ’、４ｂ’のように間隔Ｓの側部に配設され、
接続端部が４ａ１’、４ｂ１’の位置にあると、余分な
スペースが必要となる。そこで、２つの引き出し線４
ａ、４ｂの接続端部４ａ１、４ｂ１及び２つの接続端子
１０ａ、１０ｂは、前方分離層２ａ６（２ｂ１）のトラ
ック幅方向の範囲内にあり、且つ後方分離層２ａ７の両
側部に設けられているようにすることで、スライダが小
型化するなどして、自由に使えるスペースが制限されて
いる場合にも、トレーリング側端面１ｂのスペースを有
効に使うことができる。
（２ｂ１）がトラック幅方向に長くなった場合に、磁気
抵抗効果素子２ａ３の電極層２ａ４と、ボンディングパ
ッド３との間を接続する２つの引き出し線４ａ、４ｂ及
び２つの接続端子１０ａ、１０ｂが、図４中の点線で示
した４ａ’、４ｂ’のように間隔Ｓの側部に配設され、
接続端部が４ａ１’、４ｂ１’の位置にあると、余分な
スペースが必要となる。そこで、２つの引き出し線４
ａ、４ｂの接続端部４ａ１、４ｂ１及び２つの接続端子
１０ａ、１０ｂは、前方分離層２ａ６（２ｂ１）のトラ
ック幅方向の範囲内にあり、且つ後方分離層２ａ７の両
側部に設けられているようにすることで、スライダが小
型化するなどして、自由に使えるスペースが制限されて
いる場合にも、トレーリング側端面１ｂのスペースを有
効に使うことができる。
【００３１】
【発明の効果】本発明の薄膜磁気ヘッドによれば、磁気
抵抗効果素子を含む読み出しヘッドとインダクティブヘ
ッドとが積層されている複合型薄膜磁気ヘッドであっ
て、インダクティブヘッドは、少なくともその上にコイ
ル層を形成できる広さの磁性材料層を有し、磁性材料層
は磁気記録媒体に対向する側の前方分離層と、前方分離
層と間隔を開けて磁気記録媒体から離れる方向に配置さ
れた後方分離層と、一端が前方分離層の上部に接合さ
れ、且つコイル層の上方に延び、他端が磁気記録媒との
対向面で磁気ギャップを介して接合された上部コア層
と、前方分離層は、読み出し部の上部シールド層及びイ
ンダクティブヘッドの下部コア層として兼用され、後方
分離層とともにコイル層を支持してなり、前方分離層の
トラック幅方向の長さは、トラック幅方向に直交する方
向の長さよりも長いことにより、上部シールド層（下部
コア層）としての前方分離層における形状磁気異方性
は、トラック幅方向が磁化容易軸となり、磁気記録媒体
からの漏れ磁界が入力される方向であるトラック幅方向
と直交するハイト方向においてバルクハウゼンノイズが
発生しない。そのため、発生したバルクハウゼンノイズ
が信号磁界とともにＭＲ膜へ入力されず、ＭＲヘッドに
よる読みとりエラーが発生しなくなる。
抵抗効果素子を含む読み出しヘッドとインダクティブヘ
ッドとが積層されている複合型薄膜磁気ヘッドであっ
て、インダクティブヘッドは、少なくともその上にコイ
ル層を形成できる広さの磁性材料層を有し、磁性材料層
は磁気記録媒体に対向する側の前方分離層と、前方分離
層と間隔を開けて磁気記録媒体から離れる方向に配置さ
れた後方分離層と、一端が前方分離層の上部に接合さ
れ、且つコイル層の上方に延び、他端が磁気記録媒との
対向面で磁気ギャップを介して接合された上部コア層
と、前方分離層は、読み出し部の上部シールド層及びイ
ンダクティブヘッドの下部コア層として兼用され、後方
分離層とともにコイル層を支持してなり、前方分離層の
トラック幅方向の長さは、トラック幅方向に直交する方
向の長さよりも長いことにより、上部シールド層（下部
コア層）としての前方分離層における形状磁気異方性
は、トラック幅方向が磁化容易軸となり、磁気記録媒体
からの漏れ磁界が入力される方向であるトラック幅方向
と直交するハイト方向においてバルクハウゼンノイズが
発生しない。そのため、発生したバルクハウゼンノイズ
が信号磁界とともにＭＲ膜へ入力されず、ＭＲヘッドに
よる読みとりエラーが発生しなくなる。
【００３２】また、本発明の薄膜磁気ヘッドによれば、
前方分離層と後方分離層とを分離する間隔上で、コイル
層は、間隔の長手方向と略直交して形成されてなること
により、間隔上を跨ぐコイル層の長さが最小となり、コ
イル層は高精度に形成される。
前方分離層と後方分離層とを分離する間隔上で、コイル
層は、間隔の長手方向と略直交して形成されてなること
により、間隔上を跨ぐコイル層の長さが最小となり、コ
イル層は高精度に形成される。
【００３３】また、本発明の薄膜磁気ヘッドによれば、
前方分離層は後方分離層よりもトラック幅方向に長く、
且つ前方分離層の両端部は後方分離層の両側に延出した
状態で形成されてなることにより、形状磁気異方性がよ
り増大され、磁気記録媒体からの漏れ磁界が入力される
方向であるハイト方向において、バルクハウゼンノイズ
が発生するのを、より確実に抑えることができる。
前方分離層は後方分離層よりもトラック幅方向に長く、
且つ前方分離層の両端部は後方分離層の両側に延出した
状態で形成されてなることにより、形状磁気異方性がよ
り増大され、磁気記録媒体からの漏れ磁界が入力される
方向であるハイト方向において、バルクハウゼンノイズ
が発生するのを、より確実に抑えることができる。
【００３４】また、本発明の薄膜磁気ヘッドによれば、
磁気抵抗効果素子と、外部回路と接続するためのボンデ
ィングパッドとの間を接続する２つの引き出し線と、磁
気抵抗効果素子と２つの引き出し線の端部とを接続する
ための接続端子とが、前方分離層のトラック幅方向の範
囲内にあり、且つ後方分離層の両側部に設けられてなる
ことにより、スライダが小型化するなどして、自由に使
えるトレーリング側端面のスペースが制限されている場
合にも対応することができる。
磁気抵抗効果素子と、外部回路と接続するためのボンデ
ィングパッドとの間を接続する２つの引き出し線と、磁
気抵抗効果素子と２つの引き出し線の端部とを接続する
ための接続端子とが、前方分離層のトラック幅方向の範
囲内にあり、且つ後方分離層の両側部に設けられてなる
ことにより、スライダが小型化するなどして、自由に使
えるトレーリング側端面のスペースが制限されている場
合にも対応することができる。
【図１】本発明の薄膜磁気ヘッドの拡大正面図である。
【図２】本発明の薄膜磁気ヘッドの第１の実施例に係る
説明図である。
説明図である。
【図３】本発明の薄膜磁気ヘッドの第１の実施例に係る
要部断面図である。
要部断面図である。
【図４】本発明の薄膜磁気ヘッド第２の実施例に係る説
明図である。
明図である。
【図５】従来の薄膜磁気ヘッドの斜視図である。
【図６】図５の６−６線で示した断面図である。
【図７】図６の７矢視方向からの拡大正面図である。
【図８】図６の８矢視方向からの概略平面図である。
【図９】従来の薄膜磁気ヘッドの引き出し線パターンを
説明するための概略平面図である。
説明するための概略平面図である。
【図１０】従来の薄膜磁気ヘッドの上部シールド層及び
コイル層を説明するための平面図である。
コイル層を説明するための平面図である。
１ スライダ １ａ ＡＢＳ面 １ｂ トレーリング側端面 ２ ヘッド素子 ２ａ 磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド） ２ａ１ 下部シールド層 ２ａ２ 下部ギャップ層 ２ａ３、２ｂ３’ 磁気抵抗効果（ＭＲ）素子 ２ａ４ 電極層 ２ａ５ 上部ギャップ層 ２ａ６（２ｂ１） 前方分離層（上部シールド層） ２ａ７ 後方分離層（コイル支持層） ２ｂ 誘導型磁気ヘッド（インダクティブヘッド） ２ｂ１（２ａ６） 前方分離層（下部コア層） ２ｂ２ 非磁性材料層 ２ｂ３ コイル絶縁層 ２ｂ４ コイル層 ２ｂ５ 上部コア層 ２ｂ１０ 平坦化絶縁層 ３ ボンディングパッド ４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ 引き出し線 ５ リード層 ６ 保護層 １０ａ、１０ｂ 接続端子 Ｓａ ＳＡＬ膜 Ｓｈ ＳＨＵＮＴ膜 Ｍ ＭＲ膜 Ｈ ハードバイアス層 Ｃ 導電層 Ｎ コイル層２ｂ４の中央端 Ｇｌ 読み出しギャップ長 Ｔｗ トラック幅 Ｈ 前方分離層２ａ６（２ｂ１）のハイト方向の長さ Ｗ 前方分離層２ａ６（２ｂ１）のトラック幅方向の長
さ Ｓ 間隔
さ Ｓ 間隔
Claims (4)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果素子を含む読み出しヘッド
とインダクティブヘッドとが積層されている複合型薄膜
磁気ヘッドであって、前記インダクティブヘッドは、少
なくともその上にコイル層を形成できる広さの磁性材料
層を有し、該磁性材料層は磁気記録媒体に対向する側の
前方分離層と、該前方分離層と間隔を開けて前記磁気記
録媒体から離れる方向に配置された後方分離層と、一端
が前記前方分離層の上部に接合され、且つ前記コイル層
の上方に延び、他端が前記磁気記録媒との対向面で磁気
ギャップを介して接合された上部コア層と、前記前方分
離層は、読み出し部の上部シールド層及びインダクティ
ブヘッドの下部コア層として兼用され、前記後方分離層
とともに前記コイル層を支持してなり、前記前方分離層
の前記トラック幅方向の長さは、前記トラック幅方向に
直交する方向の長さよりも長いことを特徴とする薄膜磁
気ヘッド。 - 【請求項２】 前記前方分離層と前記後方分離層とを分
離する前記間隔上で、前記コイル層は、前記間隔の長手
方向と略直交して形成されてなることを特徴とする請求
項１に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記前方分離層は前記後方分離層よりも
前記トラック幅方向に長く、且つ前記前方分離層の両端
部は前記後方分離層の両側に延出した状態で形成されて
なることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記磁気抵抗効果素子と、外部回路と接
続するためのボンディングパッドとの間を接続する２つ
の引き出し線と、前記磁気抵抗効果素子と２つの前記引
き出し線の端部とを接続するための接続端子とが、前記
前方分離層の前記トラック幅方向の範囲内にあり、且つ
前記後方分離層の両側部に設けられてなることを特徴と
する請求項３に記載の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00964199A JP3187382B2 (ja) | 1999-01-18 | 1999-01-18 | 薄膜磁気ヘッド |
| US09/481,452 US6349021B1 (en) | 1999-01-18 | 2000-01-11 | Thin film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00964199A JP3187382B2 (ja) | 1999-01-18 | 1999-01-18 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000215408A true JP2000215408A (ja) | 2000-08-04 |
| JP3187382B2 JP3187382B2 (ja) | 2001-07-11 |
Family
ID=11725859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00964199A Expired - Fee Related JP3187382B2 (ja) | 1999-01-18 | 1999-01-18 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6349021B1 (ja) |
| JP (1) | JP3187382B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020057531A1 (en) * | 2000-11-15 | 2002-05-16 | Seagate Technology Llc | HGA ballbond assembly with wafer process assembly features |
| JP3636133B2 (ja) * | 2001-11-29 | 2005-04-06 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜磁気ヘッド、該薄膜磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリ及び該ヘッドジンバルアセンブリを備えた磁気ディスク装置 |
| US20070103528A1 (en) * | 2003-06-16 | 2007-05-10 | Kornit Digital Ltd. | Ink composition |
| US6956716B2 (en) | 2003-07-30 | 2005-10-18 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Magnetic head having multilayer heater for thermally assisted write head and method of fabrication thereof |
| JP2006221761A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 薄膜磁気ヘッド及び当該薄膜磁気ヘッドを用いた磁気ディスク装置 |
| CN102286440B (zh) * | 2011-07-22 | 2012-11-21 | 天津科技大学 | 高活力磷脂酶d及细胞表面展示磷脂酶d酵母全细胞催化剂的制备 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2854513B2 (ja) | 1993-10-21 | 1999-02-03 | アルプス電気株式会社 | 複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| US5923506A (en) * | 1997-10-03 | 1999-07-13 | Storage Technology Corporation | Recording head element with improved coil tap and method for manufacturing same |
| US6259583B1 (en) * | 1998-09-16 | 2001-07-10 | International Business Machines, Corporation | Laminated yoke head with a domain control element |
-
1999
- 1999-01-18 JP JP00964199A patent/JP3187382B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-01-11 US US09/481,452 patent/US6349021B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3187382B2 (ja) | 2001-07-11 |
| US6349021B1 (en) | 2002-02-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4051271B2 (ja) | 磁気記録ヘッド及び磁気記録再生装置 | |
| US5936810A (en) | Magnetoresistive effect head | |
| JP3473684B2 (ja) | 磁気ヘッドおよびその製造方法、それを用いる磁気記録再生装置 | |
| JPH11316918A (ja) | 磁気抵抗センサ、磁気ディスクシステム、及び読出し／書込みヘッドアセンブリ | |
| JP2007149308A (ja) | 複合型薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気ディスクドライブ装置 | |
| JP3988771B2 (ja) | 複合型薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気ディスクドライブ装置 | |
| JP2002025015A (ja) | 磁気トンネル効果型磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| KR100278873B1 (ko) | 자기저항효과소자 및 그 제조방법 | |
| JP2924875B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| US7511928B2 (en) | Magnetic tunnel effect type magnetic head, and recorder/player | |
| JP3187382B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| US8081399B2 (en) | Perpendicular magnetic recording write head with enhancement capacitor on slider body for write current overshoot at write current switching | |
| JP2006134388A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| US6731478B2 (en) | Magnetoresistive effect head | |
| JP2005251342A (ja) | 磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアセンブリ及び磁気ディスク装置 | |
| JP2662334B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH1021513A (ja) | 磁気抵抗型変換デバイス | |
| JP2004327651A (ja) | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置 | |
| JP2000348307A (ja) | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッドおよびそれらの製造方法 | |
| JP3934881B2 (ja) | 垂直通電型磁気抵抗効果素子、垂直通電型磁気抵抗効果ヘッドおよび磁気記録再生装置 | |
| JP2008034689A (ja) | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリ、磁気ディスク装置、磁気センサおよび磁気メモリ | |
| JPH11175928A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド及び磁気記録再生装置 | |
| JP3538028B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2002026423A (ja) | 磁気トンネル接合素子の製造方法及び磁気トンネル効果型磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP3039482B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッドおよびこれを用いた磁気記録再生装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010424 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080511 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090511 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090511 Year of fee payment: 8 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090511 Year of fee payment: 8 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090511 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090511 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100511 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |