JP2000208529A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 トランジスタにＦＬＲを設けても、十分な耐
圧を得ることが困難であった。 【解決手段】 ベース領域１１とエミツタ領域１２と第
１及び第２のコレクタ領域１３、１４とを有するトラン
ジスタにおいて、ベース領域１１に浅い第１の部分１１
ａと深い第２の部分１１ｂとを設ける。第２の部分１１
ｂは第１の部分１１ａを囲むように配置する。第２のコ
レクタ領域１４を第１のコレクタ領域１３を介してベー
ス領域１１の第１の部分１１ａに対向させ、第２の部分
１１ｂ及びＦＬＲ領域１５には対向させない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、耐圧向上が図られ
たトランジスタ等の半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１に示すように、ベース領域１に包囲
されるエミツタ領域２を格子状又は島状に形成したパワ
ートランジスタは公知である。図１のトランジスタにお
いては、Ｎ+ 型コレクタ領域４に隣接しているＮ型コレ
クタ領域３とＰ+ 型ベース領域１との間のＰＮ接合５の
外周側の耐圧を向上させるために、ベース領域１の外周
を包囲するようにベース領域１と同じＰ+ 型半導体領域
から成るフィールド・リミッティング・リング即ちＦＬ
Ｒ(Field Limiting Ring) 領域６が形成されている。こ
のＦＬＲ領域６は、ガードリングと呼ばれることもあ
り、プレーナ構造の耐圧向上に寄与する。なお、７はベ
ース電極、８はエミッタ電極、９はコレクタ電極であ
る。

【０００３】

【発明が解決しょうとする課題】しかし、このようにＦ
ＬＲ領域６を形成しても、十分な耐圧向上効果は得られ
なかった。この理由はＦＬＲ領域６から延びる空乏層が
Ｎ+ 型コレクタ領域４に到達（リーチスルー）し、空乏
層の延びが制限され、空乏層による電界緩和効果が十分
に発揮されないためである。

【０００４】そこで、本発明は耐圧向上を図ることがで
きるトランジスタ、ダイオード等の半導体装置を提供す
ることを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、上記
目的を達成するための本発明は、第１導電型の第１の半
導体領域と前記第１導電型と反対の第２導電型の第２の
半導体領域と第１導電型の第３の半導体領域と第２導電
型のフィールド・リミッティング・リング領域とを備え
た半導体基体と少なくとも第１及び第２の電極とを有
し、前記第１の半導体領域はその一部が前記半導体基体
の一方の主面に露出するように配置され、前記第２の半
導体領域はその一部が前記半導体基体の一方の主面に露
出するように前記第１の半導体領域の中に島状に配置さ
れ、前記第３の半導体領域は前記第１の半導体領域の不
純物濃度よりも高い不純物濃度を有し且つ前記第１の半
導体領域と前記半導体基体の他方の主面との間に配置さ
れ、前記第１の電極は前記半導体基体の一方の主面にお
いて前記第２の半導体領域に電気的に接続され、前記第
２の電極は前記半導体基体の他方の主面に配置され且つ
前記第３の半導体領域に電気的に接続され、前記フィー
ルド・リミッティング・リング領域は前記半導体基体の
一方の主面において前記第１の半導体領域を介して前記
第２の半導体領域を囲むように配置され且つ前記第１の
半導体領域の中に島状に形成された半導体装置におい
て、前記第２の半導体領域は前記半導体基体の一方の主
面を基準にして第１の深さを有するように形成された第
１の部分と前記半導体基体の一方の主面を基準にして前
記第１の深さよりも深い第２の深さを有するように形成
され且つ前記第１の部分を囲むように配置された第２の
部分とを有し、前記第３の半導体領域は平面的に見て前
記第２の半導体領域の前記第２の部分の内側に配置され
ていることを特徴とする半導体装置に係わるものであ
る。

【０００６】なお、請求項２に示すように、第２の部分
と第３の半導体領域との最短距離を、第１の部分と第３
の半導体領域との最短距離よりも長くすることが望まし
い。また、請求項３に示すように第２の部分の不純物濃
度を第１の部分より低くすることが望ましい。また、請
求項４に示すように第３の半導体領域と基体の他方の主
面との間に第４の半導体領域を設けることができる。ま
た、請求項５に示すように第３の半導体領域の囲りに第
４の半導体領域を設けることができる。また、請求項６
に示すようにトランジスタを構成することが望ましい。

【０００７】

【発明の効果】請求項１〜５の発明によれば、第２の半
導体領域の外周部となる第２の部分が第１の部分よりも
深く形成されているので、角部の曲率半径を大きくする
ことができ、電界集中を緩和することができる。また、
第３の半導体領域を第２の半導体領域の第２の部分には
対向させないので、第２の部分の下に空乏層を良好に広
げることができ、耐圧向上を図ることができる。なお、
請求項３の発明によって第２の部分を低不純物濃度とす
れば、第２の半導体領域の周辺側に電界集中を緩和する
ことができる空乏層を良好に広げることができる。ま
た、請求項６の発明のトランジスタにおいても請求項１
の発明と同一の効果を得ることができる。

【０００８】

【実施形態及び実施例】次に、図２〜図６を参照して本
発明の実施形態及び実施例を説明する。

【０００９】

【第１の実施例】図２及び図３に示す第１の実施例のト
ランジスタを構成するための板状のシリコン半導体基体
１０はＰ+ 型半導体領域から成るベース領域１１と、Ｎ
+ 型半導体領域から成るエミツタ領域１２と、Ｎ型半導
体領域から成る第１のコレクタ領域１３と、第１のコレ
クタ領域１３よりも不純物濃度の高いＮ+ 型半導体領域
から成る第２のコレクタ領域１４と、ベース領域１１と
同じＰ+ 型半導体領域から成るＦＬＲ（フィールド・リ
ミッティング・リング）領域１５とを有する。半導体基
体１０の一方の主面即ち上面１６上には絶縁膜１７が設
けられ、ここに設けられた開口１７ａを介してベース領
域１１にベース電極１８が接続され、また開口１７ｂを
介してエミツタ領域１２にエミッタ電極１９が接続され
ている。半導体基体１０の他方の主面即ち下面２０には
コレクタ電極２１が設けられ、これが第１及び第２のコ
レクタ領域１３、１４に接続されている。なお、本願請
求項における第１〜第３の半導体領域と図２の関係を説
明すると、第１のコレクタ領域１３は第１の半導体領域
に対応し、ベース領域１１は第２の半導体領域に対応
し、第２のコレクタ領域１４は第３の半導体領域に対応
している。

【００１０】図２の本実施例のトランジスタのベース領
域１１と第１及び第２のコレクタ領域１３、１４とＦＬ
Ｒ領域１５とは図１の従来トランジスタと異なってい
る。Ｐ+ 型のベース領域１１は周知の不純物拡散によっ
て第１のコレクタ領域１３の中に島状に形成されてお
り、その底面と側面は第１のコレクタ領域１３に包囲さ
れ、両者間にＰＮ接合が生じている。このベース領域１
１は本発明に従う第１の部分１１ａと第２の部分１１ｂ
とを有する。第１の部分１１ａは半導体基体１０の一方
の主面１６を基準にして比較的浅い第１の深さ（約４０
μｍ）に形成され、第２の部分１１ｂは一方の主面１６
を基準にして第１の深さよりも深い第２の深さ（約５０
μｍ）に形成され且つ第１の部分１１ａの外周を囲むよ
うに配置されている。第１の部分１１ａは基体１０の一
方の主面１６側からＮ型不純物を拡散した領域であって
約１×１０16ｃｍ-3の不純物濃度を有する。第２の部分
１１ｂも基体１０の一方の主面１６からＮ型不純物を拡
散した領域であって第１の部分１１ａよりも低い約０．
８×１０16ｃｍ-3の不純物濃度を有する。第２の部分１
１ｂは深い拡散で形成されてるので、この側面と底面と
の間の角部の曲面３０の曲率半径が大きくなり、電界集
中の生じ難い構造になる。なお、第２の部分１１ｂはＦ
ＬＲ領域１５と同時の拡散で約同一の深さに形成されて
いる。エミツタ領域１２は平面的に見てベース領域１１
内に不純物拡散で格子状に形成されている。この結果、
半導体基体１０の上面１６にはベース領域１１が島状に
露出している。即ち、エミツタ領域１２とベース領域１
１はいわゆるメッシュエミッタ又はベースアイランドと
呼ばれる構造になっている。図２では格子を構成するエ
ミツタ領域１２が原理的に４個のみが示されているが、
実際には格子の目は更に多い。

【００１１】第１のコレクタ領域１３は図１と同様にベ
ース領域１１及びＦＬＲ領域１５を包囲しているが、Ｆ
ＬＲ領域１５の下側においてはコレクタ電極２１に至る
ように形成されている。第１のコレクタ領域１３の不純
物濃度（５×１０13ｃｍ-3）よりも高い不純物濃度（１
〜５×１０20ｃｍ-3）を有する第２のコレクタ領域１４
は半導体基体１０の下面２０の全領域に形成されておら
ず、平面的に見てベース領域１１の第１の部分１１ａに
含まれる範囲に形成されている。この第２のコレクタ領
域１３は下面２０から不純物を拡散することによって形
成する。

【００１２】第２のコレクタ領域１４を更に詳しく説明
すると、この第２のコレクタ領域１４は、ベース領域１
１の少なくとも第２の部分１１ｂ及びＦＬＲ領域１５の
下側には形成されていない。この第２のコレクタ領域１
４の最外周縁は、平面的に見てベース領域１１の第２の
部分１１ｂの最内周縁よりも内側に配置されている。従
って、ベース領域１１の第２の部分１１ｂと第２のコレ
クタ領域１４との最短距離Ｌ2 はベース領域１１の第１
の部分１１ａと第２のコレクタ領域１４との最短距離Ｌ
1 よりも長く、また、ＦＬＲ領域１５と第２のコレクタ
領域１４との最短距離Ｌ3 もベース領域１１の第１の部
分１１ａと第２のコレクタ領域１４との最短距離Ｌ1 よ
りも長い。本実施例ではベース領域１１の第２の部分１
１ｂの最も深い領域の最内周点を通って基体１０の下面
２０に対して垂直に延びる仮想線３１と第２のコレクタ
領域１４との間隔Ｄ1 がベース領域１１の第１の部分１
１ａと第２のコレクタ領域１４との最短距離Ｌ1 の２倍
以上に決定されている。これ等の寸法を例示すると、Ｌ
1 は約７０μｍ、Ｄ1 は約１５０μｍである。

【００１３】２つのＦＬＲ領域１５は、ベース領域１１
の外周を離間して包囲するように、平面的に見て環状に
形成されている。このＦＬＲ領域１５は表面を除いて第
１のコレクタ領域１３に包囲されており、表面は絶縁膜
１７によって被覆されている。拡散で形成されたＦＬＲ
領域１５の不純物濃度はベース領域１１の第２の部分１
１ｂの不純物濃度と同じであって約０．８×１０16ｃｍ
-3である。また、ＦＬＲ領域１５の拡散深さはベース領
域１１の第２の部分１１ｂと同一であり、第１の部分１
１ａよりも浅い。なお、Ｐ+ 型のＦＬＲ領域１５とＮ型
の第１のコレクタ領域１３との間にもＰＮ接合２３が生
じている。

【００１４】図２のトランジスタのベース領域１１と第
１のコレクタ領域１３の間に形成されるＰＮ接合２２を
逆バイアスする方向に電圧がベース電極１８とコレクタ
電極２１とに印加されると、ＰＮ接合２２から空乏層が
広がる。この空乏層は、ベース領域１１に比べて第１の
コレクタ領域１３の方が不純物濃度が低いため、主とし
て第１のコレクタ領域１３側に広がる。また、図１のト
ランジスタと同様に、この印加電圧が増大するとＦＬＲ
領域１５と第１のコレクタ領域１３の間に形成されるＰ
Ｎ接合２３からも空乏層が広がる。しかし、ＦＬＲ領域
１５の下には第２のコレクタ領域１４が形成されておら
ず、ＦＬＲ領域１５と第２のコレクタ領域１４との最短
距離Ｌ3 が従来よりも長くなっているので、ＦＬＲ領域
１５から下側に延びる空乏層が第２のコレクタ領域１４
に到達せず、半導体基体１０の表面における空乏層の広
がりが制限されない。また、ＦＬＲ領域１５からの空乏
層が第２のコレクタ領域１４及びコレクタ電極２１に到
達し難いので、図１のトランジスタに比べてＦＬＲ領域
１５の不純物濃度を低く設定することができ、ＦＬＲ領
域１５に基づく空乏層が耐圧を向上させるように良好に
広がる。また、本実施例では、電界集中が生じ易いベー
ス領域１１の外周側の第２の部分１１ｂが拡散によって
深く形成されて第２の部分１１ｂの角部の曲面３０の曲
率半径が大きくなっていること、この第２の部分１１ｂ
の不純物濃度が低くなっていること、この第２の部分１
１ｂの下側に第２のコレクタ領域１４が形成されていな
いこと、Ｄ1 ＞２Ｌ1 に設定されていることに基づいて
ベース領域１１の外周縁側で空乏層が広がり易く且つそ
の広がりの制限が少ない。この結果、ベース領域１１の
外周縁の第２の部分１１ｂの電界集中が良好に緩和さ
れ、耐圧が向上する。また、第２のコレクタ領域１４は
平面的に見てベース領域１１のベース電極１８の第１の
部分１１ａに接続されている領域を含むように形成され
ているので、この実施例の通常のトランジスタ動作は図
１の従来のトランジスタと実質的に同一である。

【００１５】

【第２の実施例】次に、図４を参照して第２の実施例の
トランジスタを説明する。但し、図４及び後述する図５
と図６において図２と実質的に同一の部分には同一の符
号を付してその説明を省略する。図４のトランジスタ
は、図２のトランジスタに第４の半導体領域としての第
３のコレクタ領域４０を付加した他は図２と実質的に同
一に構成されている。図４の第３のコレクタ領域４０は
例えば拡散定数が低いアンチモンを不純物として含み且
つ１〜３×１０18ｃｍ-3程度の不純物濃度を有するＮ型
半導体領域であり、エピタキシャル成長の基板領域であ
る。従って、第３のコレクタ領域４０の下面全部が半導
体基体１０の下面２０となっている。第２のコレクタ領
域１４は第１及び第３のコレクタ領域１３、４０に挟ま
れた状態即ち埋め込まれた状態に形成されており、第１
の実施例と同様にベース領域１１の第１の部分１１ａに
対向するように配置されている。この第２のコレクタ領
域１４は拡散定数が第３のコレクタ領域４０の不純物よ
りも高い例えばリンを不純物拡散することによって得た
Ｎ+ 型半導体領域であり、第１及び第３のコレクタ領域
１３、４０よりも高い１×１０19ｃｍ-3程度の不純物濃
度を有する。なお、第２のコレクタ領域１４は第３のコ
レクタ領域４０に例えばリンを選択的に拡散し、この上
にＮ- 型半導体のエピタキシャル成長層を形成し、加熱
処理することによって得られる。図４の第１のコレクタ
領域１３の不純物濃度は例えば５×１０18ｃｍ-3であ
る。図４のトランジスタにおいても、第２のコレクタ領
域１４とベース領域１１及びＦＬＲ領域１５との関係、
及びベース領域１１の構成が図２のトランジスタと同様
であるので、第２の実施例によっても第１の実施例と同
一の効果が得られる。

【００１６】

【第３の実施例】図５に示す第３の実施例のトランジス
タは図２の第１の実施例のトランジスタに第４の半導体
領域としてのＮ+ 型の第３のコレクタ領域５０ａを付加
した他は図２と同一に構成したものである。第３のコレ
クタ領域５０ａは基体１０の下面２０において第２のコ
レクタ領域１４を囲むように配置され、第２のコレクタ
領域１４と共にコレクタ電極２１に接続されている。こ
の第３のコレクタ領域５０ａは第２のコレクタ領域１４
とほぼ同一の不純物濃度を有し、下面２０側から第２の
コレクタ領域１４よりも十分に浅く不純物を拡散した領
域である。この結果、ベース領域１１及びＦＬＲ領域１
５と第３のコレクタ領域５０ａとの間隔は十分に大き
い。従って、第３のコレクタ領域５０ａは空乏層の広が
りを妨害しない。第３の実施例のベース領域１１の構成
は第１の実施例と同一であるので、第３の実施例によっ
ても第１の実施例と同一の効果を得ることができる。

【００１７】

【第４の実施例】図６の第４の実施例に示すダイオード
は、第１の実施例のトランジスタからエミツタ領域１２
及びエミッタ電極１９を除去し、アノード電極（第１の
電極）６１と、カソード電極（第２の電極）６２とを設
けたものに相当する。図６において図２と同一の部分に
は同一の符号が付され、トランジスタとダイオードの相
違に関係する部分にはダッシュが付されている。従っ
て、図６の領域１１′１１ａ′、１１ｂ′、１３′、１
４′は図１の領域１１、１１ａ、１１ｂ、１３、１４に
対応し、図１と同一に形成されている。アノード電極６
１はＰ+ 型領域１１′に接続されている。カソード電極
６２は基体１０の下面２０においてＮ型領域１３′及び
Ｎ+ 型領域１４′に接続されている。

【００１８】図６のダイオードにおいても、領域１１′
に第１及び第２の部分１１ａ′、１１ｂ′が図２と同様
に形成され、且つＮ+ 型領域１４′が図２と同様に形成
されているので、第１の実施例と同様な効果が得られ
る。

【００１９】

【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 図６のダイオードにおいても図４の第３のコレ
クタ領域５０に相当するもの、又は図６で破線で示す位
置に図５の第３のコレクタ領域５０ａに相当するものを
設けることができる。 （２） ＦＬＲ領域１５を領域１１又は１１′の第１の
部分１１ａ又は１１ａ′と同時に形成し、これと同一の
深さ及び同一の不純物濃度とすることができる。但し、
電界集中を緩和するためにはＦＬＲ領域１５を図１〜図
６のように形成することが望ましい。 （３） 領域１１又は１１′における電極１８又は６１
が接続される部分即ち領域１１又は１１′の表面部分の
不純物濃度をこの領域１１又は１１′の他の部分（下側
部分）の不純物濃度よりも高くしても良い。これによ
り、電極１８又は６１が良好にオ−ミック接触する。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来のトランジスタを示す断面図である。

【図２】本発明の実施例のトランジスタを示す断面図で
ある。

【図３】図２の半導体基体の平面図である。

【図４】第２の実施例のトランジスタを示す断面図であ
る。

【図５】第３の実施例のトランジスタを示す断面図であ
る。

【図６】第４の実施例のダイオードを示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１１ ベース領域 １１ａ、１１ｂ 第１及び第２の部分 １２ エミツタ領域 １３ 第１のコレクタ領域 １４ 第２のコレクタ領域 １５ ＦＬＲ領域

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１１年１０月２９日（１９９９．１０．
２９）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１０】図２の本実施例のトランジスタのベース領
域１１と第１及び第２のコレクタ領域１３、１４とＦＬ
Ｒ領域１５とは図１の従来トランジスタと異なってい
る。Ｐ+ 型のベース領域１１は周知の不純物拡散によっ
て第１のコレクタ領域１３の中に島状に形成されてお
り、その底面と側面は第１のコレクタ領域１３に包囲さ
れ、両者間にＰＮ接合が生じている。このベース領域１
１は本発明に従う第１の部分１１ａと第２の部分１１ｂ
とを有する。第１の部分１１ａは半導体基体１０の一方
の主面１６を基準にして比較的浅い第１の深さ（約４０
μｍ）に形成され、第２の部分１１ｂは一方の主面１６
を基準にして第１の深さよりも深い第２の深さ（約５０
μｍ）に形成され且つ第１の部分１１ａの外周を囲むよ
うに配置されている。第１の部分１１ａは基体１０の一
方の主面１６側からＮ型不純物を拡散した領域であって
約１×１０ ¹⁶ ｃｍ ^-3 の不純物濃度を有する。第２の部分
１１ｂも基体１０の一方の主面１６からＮ型不純物を拡
散した領域であって第１の部分１１ａよりも低い約０．
８×１０ ¹⁶ ｃｍ ^-3 の不純物濃度を有する。第２の部分１
１ｂは深い拡散で形成されてるので、この側面と底面と
の間の角部の曲面３０の曲率半径が大きくなり、電界集
中の生じ難い構造になる。なお、第２の部分１１ｂはＦ
ＬＲ領域１５と同時の拡散で約同一の深さに形成されて
いる。エミツタ領域１２は平面的に見てベース領域１１
内に不純物拡散で格子状に形成されている。この結果、
半導体基体１０の上面１６にはベース領域１１が島状に
露出している。即ち、エミツタ領域１２とベース領域１
１はいわゆるメッシュエミッタ又はベースアイランドと
呼ばれる構造になっている。図２では格子を構成するエ
ミツタ領域１２が原理的に４個のみが示されているが、
実際には格子の目は更に多い。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１１】第１のコレクタ領域１３は図１と同様にベ
ース領域１１及びＦＬＲ領域１５を包囲しているが、Ｆ
ＬＲ領域１５の下側においてはコレクタ電極２１に至る
ように形成されている。第１のコレクタ領域１３の不純
物濃度（５×１０ ¹³ ｃｍ ^-3 ）よりも高い不純物濃度（１
〜５×１０ ²⁰ ｃｍ ^-3 ）を有する第２のコレクタ領域１４
は半導体基体１０の下面２０の全領域に形成されておら
ず、平面的に見てベース領域１１の第１の部分１１ａに
含まれる範囲に形成されている。この第２のコレクタ領
域１３は下面２０から不純物を拡散することによって形
成する。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１３】２つのＦＬＲ領域１５は、ベース領域１１
の外周を離間して包囲するように、平面的に見て環状に
形成されている。このＦＬＲ領域１５は表面を除いて第
１のコレクタ領域１３に包囲されており、表面は絶縁膜
１７によって被覆されている。拡散で形成されたＦＬＲ
領域１５の不純物濃度はベース領域１１の第２の部分１
１ｂの不純物濃度と同じであって約０．８×１０ ¹⁶ ｃｍ
^-3 である。また、ＦＬＲ領域１５の拡散深さはベース領
域１１の第２の部分１１ｂと同一であり、第１の部分１
１ａよりも浅い。なお、Ｐ+ 型のＦＬＲ領域１５とＮ型
の第１のコレクタ領域１３との間にもＰＮ接合２３が生
じている。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１５】

【第２の実施例】次に、図４を参照して第２の実施例の
トランジスタを説明する。但し、図４及び後述する図５
と図６において図２と実質的に同一の部分には同一の符
号を付してその説明を省略する。図４のトランジスタ
は、図２のトランジスタに第４の半導体領域としての第
３のコレクタ領域４０を付加した他は図２と実質的に同
一に構成されている。図４の第３のコレクタ領域４０は
例えば拡散定数が低いアンチモンを不純物として含み且
つ１〜３×１０ ¹⁸ ｃｍ ^-3 程度の不純物濃度を有するＮ型
半導体領域であり、エピタキシャル成長の基板領域であ
る。従って、第３のコレクタ領域４０の下面全部が半導
体基体１０の下面２０となっている。第２のコレクタ領
域１４は第１及び第３のコレクタ領域１３、４０に挟ま
れた状態即ち埋め込まれた状態に形成されており、第１
の実施例と同様にベース領域１１の第１の部分１１ａに
対向するように配置されている。この第２のコレクタ領
域１４は拡散定数が第３のコレクタ領域４０の不純物よ
りも高い例えばリンを不純物拡散することによって得た
Ｎ+ 型半導体領域であり、第１及び第３のコレクタ領域
１３、４０よりも高い１×１０ ¹⁹ ｃｍ ^-3 程度の不純物濃
度を有する。なお、第２のコレクタ領域１４は第３のコ
レクタ領域４０に例えばリンを選択的に拡散し、この上
にＮ- 型半導体のエピタキシャル成長層を形成し、加熱
処理することによって得られる。図４の第１のコレクタ
領域１３の不純物濃度は例えば５×１０ ¹⁸ ｃｍ ^-3 であ
る。図４のトランジスタにおいても、第２のコレクタ領
域１４とベース領域１１及びＦＬＲ領域１５との関係、
及びベース領域１１の構成が図２のトランジスタと同様
であるので、第２の実施例によっても第１の実施例と同
一の効果が得られる。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも第１導電型の第１の半導体領
   域と前記第１導電型と反対の第２導電型の第２の半導体
   領域と第１導電型の第３の半導体領域と第２導電型のフ
   ィールド・リミッティング・リング領域とを備えた半導
   体基体と少なくとも第１及び第２の電極とを有し、 前記第１の半導体領域はその一部が前記半導体基体の一
   方の主面に露出するように配置され、 前記第２の半導体領域はその一部が前記半導体基体の一
   方の主面に露出するように前記第１の半導体領域の中に
   島状に配置され、 前記第３の半導体領域は前記第１の半導体領域の不純物
   濃度よりも高い不純物濃度を有し且つ前記第１の半導体
   領域と前記半導体基体の他方の主面との間に配置され、 前記第１の電極は前記半導体基体の一方の主面において
   前記第２の半導体領域に電気的に接続され、 前記第２の電極は前記半導体基体の他方の主面に配置さ
   れ且つ前記第３の半導体領域に電気的に接続され、 前記フィールド・リミッティング・リング領域は前記半
   導体基体の一方の主面において前記第１の半導体領域を
   介して前記第２の半導体領域を囲むように配置され且つ
   前記第１の半導体領域の中に島状に形成された半導体装
   置において、 前記第２の半導体領域は前記半導体基体の一方の主面を
   基準にして第１の深さを有するように形成された第１の
   部分と前記半導体基体の一方の主面を基準にして前記第
   １の深さよりも深い第２の深さを有するように形成され
   且つ前記第１の部分を囲むように配置された第２の部分
   とを有し、 前記第３の半導体領域は平面的に見て前記第２の半導体
   領域の前記第２の部分の内側に配置されていることを特
   徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 更に、前記第２の半導体領域の前記第２
   の部分と前記第３の半導体領域との最短距離が、前記第
   ２の半導体領域の前記第１の部分と前記第３の半導体領
   域との最短距離よりも長くなっている請求項１記載の半
   導体装置。
3. 【請求項３】 前記第２の半導体領域の前記第２の部分
   は前記第１の部分の平均不純物濃度よりも低い平均不純
   物濃度を有していることを特徴とする請求項１又は２記
   載の半導体装置。
4. 【請求項４】 更に、前記第３の半導体領域と前記半導
   体基体の他方の主面との間に第１導電型の第４の半導体
   領域を有し、前記第２の電極は前記第４の半導体領域に
   接続されていることを特徴とする請求項１又は２又は３
   記載の半導体装置。
5. 【請求項５】 更に、第１導電型の第４の半導体領域を
   有し、 この第４の半導体領域は前記半導体基体の他方の主面に
   おいて前記第３の半導体領域を囲むように配置され、 前記半導体基体の一方の主面から前記第４の半導体領域
   までの最短距離が前記一方の主面から前記第３の半導体
   領域までの最短距離よりも長いことを特徴とする請求項
   １又は２又は３記載の半導体装置。
6. 【請求項６】 エミツタ領域とベース領域と第１のコレ
   クタ領域とこの第１のコレクタ領域の不純物濃度よりも
   高い不純物濃度を有している第２のコレクタ領域とフィ
   ールド・リミッティング・リング領域とを備えた半導体
   基体と、エミッタ電極と、ベース電極と、コレクタ電極
   とを有し、 前記第１のコレクタ領域はその一部が前記半導体基体の
   一方の主面に露出するように配置され、 前記ベース領域は前記第１のコレクタ領域の中に島状に
   配置され且つ前記半導体基体の一方の主面に露出し、 前記エミツタ領域は前記ベース領域の中に島状に配置さ
   れ且つ前記半導体基体の一方の主面に露出し、 前記第２のコレクタ領域は前記第１のコレクタ領域と前
   記半導体基体の他方の主面との間に配置され、 前記フィールド・リミッティング・リング領域は前記半
   導体基体の一方の主面において前記ベース領域を前記第
   １のコレクタ領域を介して囲むように配置され、 前記エミッタ電極は前記エミッタ領域に電気的に接続さ
   れ、 前記ベース電極は前記ベース領域に電気的に接続され、 前記コレクタ電極は前記半導体基体の他方の主面に配置
   され且つ前記第２のコレクタ電極に電気的に接続された
   トランジスタから成る半導体装置において、 前記ベース領域は前記半導体基体の一方の主面を基準に
   して第１の深さを有するように形成された第１の部分と
   前記半導体基体の一方の主面を基準にして前記第１の深
   さより深い第２の深さを有するように形成され且つ平面
   的に見て前記第１の部分を囲むように配置された第２の
   部分とを有し、 前記第２のコレクタ領域は平面的に見て前記ベース領域
   の前記第２の部分の内側に配置されていることを特徴と
   する半導体装置。