JPH09283771A - ショットキーバリアダイオード - Google Patents
ショットキーバリアダイオードInfo
- Publication number
- JPH09283771A JPH09283771A JP9075996A JP9075996A JPH09283771A JP H09283771 A JPH09283771 A JP H09283771A JP 9075996 A JP9075996 A JP 9075996A JP 9075996 A JP9075996 A JP 9075996A JP H09283771 A JPH09283771 A JP H09283771A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- metal film
- layer
- barrier diode
- schottky barrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】高耐圧、小漏れ電流で、且つ、順電圧降下を低
下させる。 【解決手段】ｎ+ シリコン基板１上にエピタキシャル成
長によりｎ層２を形成し、このｎ層２の表面層にリング
状のｐ領域５を形成し、ｎ層２の表面およびｐ領域５の
表面に酸化シリコン膜３を被覆し、この酸化シリコン膜
３を選択的に除去して、ｐ領域５の一部の表面とｐ領域
５に囲まれるｎ層２の表面を露出し、この露出面にモリ
ブデンやクロムなどの金属膜４をｎ層２内部方向では凸
状になるように形成し、ショットキー接合を形成する。
下させる。 【解決手段】ｎ+ シリコン基板１上にエピタキシャル成
長によりｎ層２を形成し、このｎ層２の表面層にリング
状のｐ領域５を形成し、ｎ層２の表面およびｐ領域５の
表面に酸化シリコン膜３を被覆し、この酸化シリコン膜
３を選択的に除去して、ｐ領域５の一部の表面とｐ領域
５に囲まれるｎ層２の表面を露出し、この露出面にモリ
ブデンやクロムなどの金属膜４をｎ層２内部方向では凸
状になるように形成し、ショットキー接合を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ガードリング付
きのショットキーバリアダイオードに関する。
きのショットキーバリアダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来のショットキーバリアダイオ
ードの要部構成図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）
は同図（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面図である。図５
において、ｎ+ シリコン基板１上にエピタキシャル成長
によりｎ層２を形成し、このｎ層２の表面層にリング状
のｐ領域５を形成する。このｎ層２の表面およびｐ領域
５の表面に酸化シリコン膜３を被覆し、この酸化シリコ
ン膜３を選択的に除去して、ｐ領域５の一部の表面とｐ
領域５に囲まれるｎ層２の表面を露出し、この露出面に
モリブデンまたクロムなどのショットキー接合を形成す
る金属膜４を加熱しながら蒸着することで、ｎ層２との
界面に平坦なショットキー接合面１１を形成する。この
リング状のｐ領域５が形成されない場合、ショットキー
接合面１１の周端部１２で電界が集中し、高い耐圧を得
ることが困難で、このｐ領域５を形成することで、この
電界集中を抑えることができ、高い耐圧を得ることが可
能となり、市場要求である高耐圧化に対して対応できる
ようになる。
ードの要部構成図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）
は同図（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面図である。図５
において、ｎ+ シリコン基板１上にエピタキシャル成長
によりｎ層２を形成し、このｎ層２の表面層にリング状
のｐ領域５を形成する。このｎ層２の表面およびｐ領域
５の表面に酸化シリコン膜３を被覆し、この酸化シリコ
ン膜３を選択的に除去して、ｐ領域５の一部の表面とｐ
領域５に囲まれるｎ層２の表面を露出し、この露出面に
モリブデンまたクロムなどのショットキー接合を形成す
る金属膜４を加熱しながら蒸着することで、ｎ層２との
界面に平坦なショットキー接合面１１を形成する。この
リング状のｐ領域５が形成されない場合、ショットキー
接合面１１の周端部１２で電界が集中し、高い耐圧を得
ることが困難で、このｐ領域５を形成することで、この
電界集中を抑えることができ、高い耐圧を得ることが可
能となり、市場要求である高耐圧化に対して対応できる
ようになる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ショットキー
バリアダイオードに対する要求は、高い耐圧、少ない漏
れ電流に加えて低い順電圧降下もある。この低い順電圧
降下を得るために、ｎ層の抵抗を低くすると、耐圧が低
下する。また、金属膜の材質を変えて順電圧降下を低下
させた場合は、漏れ電流が増大するという不具合を生じ
る。
バリアダイオードに対する要求は、高い耐圧、少ない漏
れ電流に加えて低い順電圧降下もある。この低い順電圧
降下を得るために、ｎ層の抵抗を低くすると、耐圧が低
下する。また、金属膜の材質を変えて順電圧降下を低下
させた場合は、漏れ電流が増大するという不具合を生じ
る。
【０００４】この発明の目的は、高耐圧、小漏れ電流
で、且つ、低順電圧降下を実現できるショットキーバリ
アダイオードを提供することにある。
で、且つ、低順電圧降下を実現できるショットキーバリ
アダイオードを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、第１導電形の第１領域の表面層に第２導電形の第
２領域が閉ループ状に選択的に形成され、閉ループ状の
第２領域の一部の表面と閉ループで囲まれる第１領域の
表面とが金属膜で被覆され、金属膜と第１領域との接合
がショットキー接合であるショットキーバリアダイオー
ドにおいて、金属膜と第１領域との接合形状を第１領域
の内部方向に凸状とする。この凸部が複数個であっても
よい。前記の金属膜が、第１領域との接合部が平坦な第
１金属膜と凸状に形成される第２金属膜とで形成される
と効果的である。また凸状のショットキー接合の平面形
状がストライプ、多角形もしくは円形であるとよい。
めに、第１導電形の第１領域の表面層に第２導電形の第
２領域が閉ループ状に選択的に形成され、閉ループ状の
第２領域の一部の表面と閉ループで囲まれる第１領域の
表面とが金属膜で被覆され、金属膜と第１領域との接合
がショットキー接合であるショットキーバリアダイオー
ドにおいて、金属膜と第１領域との接合形状を第１領域
の内部方向に凸状とする。この凸部が複数個であっても
よい。前記の金属膜が、第１領域との接合部が平坦な第
１金属膜と凸状に形成される第２金属膜とで形成される
と効果的である。また凸状のショットキー接合の平面形
状がストライプ、多角形もしくは円形であるとよい。
【０００６】ショットキー接合を凸状に形成すること
で、従来の平坦な場合と比べて、ショットキー接合面の
面積が増大し、そのため、同一の順電圧降下での電流は
大きくなる。つまり同一の電流で比較すれば、従来構造
のものより順電圧降下が小さくできる。
で、従来の平坦な場合と比べて、ショットキー接合面の
面積が増大し、そのため、同一の順電圧降下での電流は
大きくなる。つまり同一の電流で比較すれば、従来構造
のものより順電圧降下が小さくできる。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の第１実施例の断
面図である。ｎ+ シリコン基板１上にエピタキシャル成
長によりｎ層２（請求項の第１領域に対応する）を形成
し、このｎ層２の表面層にリング状のｐ領域５（請求項
の第２領域に対応し、ガードリングとなる）を形成す
る。このｎ層２の表面およびｐ領域５の表面に酸化シリ
コン膜３を被覆し、この酸化シリコン膜３を選択的に除
去して、ｐ領域５の一部の表面とｐ領域５に囲まれるｎ
層２の表面を露出し、この露出面にショットキー接合を
形成する金属膜４をｎ層２内部方向に凸状になるように
形成する。この金属膜４を凸状に形成する方法は最初に
ｎ層２の表面から選択的に凸状の溝を堀り凸部７を形成
し、その後全面に金属膜４を加熱しながら蒸着する。こ
うすることで、ショトキー接合面１１には凸部７が形成
され、全面が平坦な面に比べて、接合面積が増大して、
順電圧降下を低下できる。またショットキー接合面１１
の周端部近傍は従来構造と同一のリング状のｐ領域５が
形成されているため耐圧低下は起こらない。ここで４０
Ｖ、３０Ａのショトキーバリアダイオードの場合を例に
とり、その設計および製造の諸元について説明する。チ
ップサイズは３ｍｍ□、ｎ+ シリコン基板１の厚みは３
００μｍ、ｎ層２の厚みは約７μｍ、ｐ領域５の深さは
約２μｍ、金属膜４の厚みは平坦部６で３μｍ、凸部７
で５μｍ、ｐ領域５の間隔は約２．７ｍｍ、酸化シリコ
ン膜３のｎ層上の厚みは７μｍである。またｎ+シリコ
ン基板１の濃度は５×１０15ｃｍ-3、ｎ層２の比抵抗は
約１Ω・ｃｍである。金属膜４の材質はモリブデンやク
ロムなどである。また金属膜４の表面からの凸部７の厚
みＬは数μｍから数十μｍの範囲で、凸部７の幅Ｗは数
μｍから数百μｍまでが有効な範囲である。尚、ｐ領域
５とこれに対向する凸部７との間隔は電界集中を避ける
ために、５μｍ程度以上が望ましい。またｎ層２は例え
ばリン原子不純物で形成され、ｐ領域５は例えばボロン
不純物原子で形成される。
面図である。ｎ+ シリコン基板１上にエピタキシャル成
長によりｎ層２（請求項の第１領域に対応する）を形成
し、このｎ層２の表面層にリング状のｐ領域５（請求項
の第２領域に対応し、ガードリングとなる）を形成す
る。このｎ層２の表面およびｐ領域５の表面に酸化シリ
コン膜３を被覆し、この酸化シリコン膜３を選択的に除
去して、ｐ領域５の一部の表面とｐ領域５に囲まれるｎ
層２の表面を露出し、この露出面にショットキー接合を
形成する金属膜４をｎ層２内部方向に凸状になるように
形成する。この金属膜４を凸状に形成する方法は最初に
ｎ層２の表面から選択的に凸状の溝を堀り凸部７を形成
し、その後全面に金属膜４を加熱しながら蒸着する。こ
うすることで、ショトキー接合面１１には凸部７が形成
され、全面が平坦な面に比べて、接合面積が増大して、
順電圧降下を低下できる。またショットキー接合面１１
の周端部近傍は従来構造と同一のリング状のｐ領域５が
形成されているため耐圧低下は起こらない。ここで４０
Ｖ、３０Ａのショトキーバリアダイオードの場合を例に
とり、その設計および製造の諸元について説明する。チ
ップサイズは３ｍｍ□、ｎ+ シリコン基板１の厚みは３
００μｍ、ｎ層２の厚みは約７μｍ、ｐ領域５の深さは
約２μｍ、金属膜４の厚みは平坦部６で３μｍ、凸部７
で５μｍ、ｐ領域５の間隔は約２．７ｍｍ、酸化シリコ
ン膜３のｎ層上の厚みは７μｍである。またｎ+シリコ
ン基板１の濃度は５×１０15ｃｍ-3、ｎ層２の比抵抗は
約１Ω・ｃｍである。金属膜４の材質はモリブデンやク
ロムなどである。また金属膜４の表面からの凸部７の厚
みＬは数μｍから数十μｍの範囲で、凸部７の幅Ｗは数
μｍから数百μｍまでが有効な範囲である。尚、ｐ領域
５とこれに対向する凸部７との間隔は電界集中を避ける
ために、５μｍ程度以上が望ましい。またｎ層２は例え
ばリン原子不純物で形成され、ｐ領域５は例えばボロン
不純物原子で形成される。
【０００８】図２は第１実施例の平面図である。半導体
チップ１０の周囲に酸化シリコン膜３が形成され、その
内側に金属膜４が加熱されながら蒸着されている。ま
た、金属膜４の下には点線で示すようにｐ領域５がリン
グ状に、凸部７がストライプ状に形成される。ストライ
プの幅Ｗは前記の通り数μｍから数十μｍである。また
図２ではストライプ８の本数は５本で示したが本数には
制限はなく、半導体チップ１が小さいときは１本の場合
もある。尚、前記の図１は図２のＡ−Ａ線で切断した断
面図である。
チップ１０の周囲に酸化シリコン膜３が形成され、その
内側に金属膜４が加熱されながら蒸着されている。ま
た、金属膜４の下には点線で示すようにｐ領域５がリン
グ状に、凸部７がストライプ状に形成される。ストライ
プの幅Ｗは前記の通り数μｍから数十μｍである。また
図２ではストライプ８の本数は５本で示したが本数には
制限はなく、半導体チップ１が小さいときは１本の場合
もある。尚、前記の図１は図２のＡ−Ａ線で切断した断
面図である。
【０００９】図３は第１実施例の別の平面図である。図
３のＡ−Ａ線で切断された断面図は図１と同じである。
凸部７の平面形状が円９となっている。この円９の直径
は数μｍから数百μｍで、通常数十μｍまでが実用的で
ある。また円９の数は半導体チップ１の大きさに応じて
変わる。チップサイズが小さいときは１個の場合もあ
る。またこの平面形状は多角形でも勿論よい。
３のＡ−Ａ線で切断された断面図は図１と同じである。
凸部７の平面形状が円９となっている。この円９の直径
は数μｍから数百μｍで、通常数十μｍまでが実用的で
ある。また円９の数は半導体チップ１の大きさに応じて
変わる。チップサイズが小さいときは１個の場合もあ
る。またこの平面形状は多角形でも勿論よい。
【００１０】図４はこの発明の第２実施例の断面図であ
る。第１実施例との違いは平坦部６の金属膜（請求項の
第１金属膜に対応する）と凸部７の金属膜（請求項の第
２金属膜に対応する）の材質が異なっている点である。
勿論、凸部７の金属膜はｎ層２の表面に溝堀りして、そ
の部分のみに加熱しながら蒸着することで形成される。
凸部７を形成することで、ショットキー接合面１１の面
積が増大し、順電圧降下を小さくできる。しかし、凸部
７の厚さＬが厚くなると（凸部７が深くなると）、平坦
部６よりｎ層２の厚みが顕著に薄くなり、この部分の抵
抗が小さくなることで、凸部７に電流が集中する恐れが
ある。この電流集中を避けるため、凸部７の下のｎ層２
の厚みが薄くなって、順電圧降下が低下した分を相殺す
るように、凸部７の金属膜の材質を平坦部６の金属膜の
材質と違えてショットキー接合で生じる順電圧降下を高
くすれば、平坦部６の電流密度と凸部７の電流密度を同
一とでき、電流集中が抑えられ、過電流耐量を増大させ
ることができる。そのため、凸部７の金属膜である第２
金属膜４ｂの材質を平坦部６の金属膜である第１金属膜
４ａの材質より順電圧降下が高くなる材質（つまりショ
ットキー障壁が高い金属）を選定すると効果的である。
例えば第１金属膜４ａをショットキー障壁の低いクロ
ム、第２金属膜４ｂをショットキー障壁の高いモリブデ
ンとする場合などである。また凸部７の厚さＬが数μｍ
と薄い場合には前記の電流集中の程度が低く、凸部７と
平坦部６のショットキー接合を形成する金属膜の材質を
違えることで、順電圧降下と漏れ電流のトレードオフを
改善できる。例えば、漏れ電流を小さくできるモリブデ
ンと順電圧降下を小さくできるクロムを金属膜に使うこ
とによりそれが達成できる。この場合は凸部７と平坦部
６にどちらの金属膜を使用してもよい。尚、平面形状は
円形でも多角形でも勿論よい。
る。第１実施例との違いは平坦部６の金属膜（請求項の
第１金属膜に対応する）と凸部７の金属膜（請求項の第
２金属膜に対応する）の材質が異なっている点である。
勿論、凸部７の金属膜はｎ層２の表面に溝堀りして、そ
の部分のみに加熱しながら蒸着することで形成される。
凸部７を形成することで、ショットキー接合面１１の面
積が増大し、順電圧降下を小さくできる。しかし、凸部
７の厚さＬが厚くなると（凸部７が深くなると）、平坦
部６よりｎ層２の厚みが顕著に薄くなり、この部分の抵
抗が小さくなることで、凸部７に電流が集中する恐れが
ある。この電流集中を避けるため、凸部７の下のｎ層２
の厚みが薄くなって、順電圧降下が低下した分を相殺す
るように、凸部７の金属膜の材質を平坦部６の金属膜の
材質と違えてショットキー接合で生じる順電圧降下を高
くすれば、平坦部６の電流密度と凸部７の電流密度を同
一とでき、電流集中が抑えられ、過電流耐量を増大させ
ることができる。そのため、凸部７の金属膜である第２
金属膜４ｂの材質を平坦部６の金属膜である第１金属膜
４ａの材質より順電圧降下が高くなる材質（つまりショ
ットキー障壁が高い金属）を選定すると効果的である。
例えば第１金属膜４ａをショットキー障壁の低いクロ
ム、第２金属膜４ｂをショットキー障壁の高いモリブデ
ンとする場合などである。また凸部７の厚さＬが数μｍ
と薄い場合には前記の電流集中の程度が低く、凸部７と
平坦部６のショットキー接合を形成する金属膜の材質を
違えることで、順電圧降下と漏れ電流のトレードオフを
改善できる。例えば、漏れ電流を小さくできるモリブデ
ンと順電圧降下を小さくできるクロムを金属膜に使うこ
とによりそれが達成できる。この場合は凸部７と平坦部
６にどちらの金属膜を使用してもよい。尚、平面形状は
円形でも多角形でも勿論よい。
【００１１】
【発明の効果】この発明によれば、ショットキー接合面
をｎ層内部方向に凸状とすることで、接合面積を増大さ
せて、順電圧降下の低下を図る。またショットキー接合
の周端部にリング状のｐ領域のガードリングを設けるこ
とで、高い耐圧、小さな漏れ電流も確保できる。
をｎ層内部方向に凸状とすることで、接合面積を増大さ
せて、順電圧降下の低下を図る。またショットキー接合
の周端部にリング状のｐ領域のガードリングを設けるこ
とで、高い耐圧、小さな漏れ電流も確保できる。
【図１】この発明の第１実施例の断面図
【図２】第１実施例の平面図
【図３】第１実施例の別の平面図
【図４】この発明の第２実施例の断面図
【図５】従来のショットキーバリアダイオードの要部構
成図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線で
切断した断面図
成図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線で
切断した断面図
１ ｎ+ シリコン基板 ２ ｎ層 ３ 酸化シリコン膜 ４ 金属膜 ４ａ 第１金属膜 ４ｂ 第２金属膜 ５ ｐ領域 ６ 平坦部 ７ 凸部 ８ ストライプ ９ 円 １０ 半導体チップ １１ ショットキー接合面 １２ 周端部 Ｌ 凸部の厚さ Ｗ 凸部の幅
Claims (4)
- 【請求項１】第１導電形の第１領域の表面層に第２導電
形の第２領域が閉ループ状に選択的に形成され、閉ルー
プ状の第２領域の一部の表面と閉ループで囲まれる第１
領域の表面とが金属膜で被覆され、金属膜と第１領域と
の接合がショットキー接合であるショットキーバリアダ
イオードにおいて、金属膜と第１領域との接合形状が第
１領域の内部方向に凸状であることを特徴とするショッ
トキーバリアダイオード。 - 【請求項２】ショットキー接合の凸部が複数個であるこ
とを特徴とする請求項１記載のショットキーバリアダイ
オード。 - 【請求項３】ショットキー接合を形成する金属膜が平坦
な第１金属膜と凸状の第２金属膜とで形成されることを
特徴とする請求項１記載のショットキーバリアダイオー
ド。 - 【請求項４】凸状のショットキー接合の平面形状がスト
ライプ、多角形もしくは円形であることを特徴とする請
求項１記載のショットキーバリアダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9075996A JPH09283771A (ja) | 1996-04-12 | 1996-04-12 | ショットキーバリアダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9075996A JPH09283771A (ja) | 1996-04-12 | 1996-04-12 | ショットキーバリアダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09283771A true JPH09283771A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=14007543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9075996A Pending JPH09283771A (ja) | 1996-04-12 | 1996-04-12 | ショットキーバリアダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09283771A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011009797A (ja) * | 2010-10-15 | 2011-01-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ショットキーダイオードを有する半導体装置 |
| JP2012023199A (ja) * | 2010-07-14 | 2012-02-02 | Rohm Co Ltd | ショットキバリアダイオード |
| JP2016096351A (ja) * | 2015-12-17 | 2016-05-26 | ローム株式会社 | ショットキバリアダイオード |
| US9793418B2 (en) | 2014-02-10 | 2017-10-17 | Rohm Co., Ltd. | Schottky barrier diode |
| JP2017201724A (ja) * | 2017-08-09 | 2017-11-09 | ローム株式会社 | ショットキバリアダイオード |
| JP2018157199A (ja) * | 2017-03-16 | 2018-10-04 | 豊田合成株式会社 | ショットキーバリアダイオード |
-
1996
- 1996-04-12 JP JP9075996A patent/JPH09283771A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012023199A (ja) * | 2010-07-14 | 2012-02-02 | Rohm Co Ltd | ショットキバリアダイオード |
| US9859370B2 (en) | 2010-07-14 | 2018-01-02 | Rohm Co., Ltd. | Schottky barrier diode |
| US10186578B2 (en) | 2010-07-14 | 2019-01-22 | Rohm Co., Ltd. | Schottky barrier diode |
| US10559658B2 (en) | 2010-07-14 | 2020-02-11 | Rohm Co., Ltd. | Schottky barrier diode |
| JP2011009797A (ja) * | 2010-10-15 | 2011-01-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ショットキーダイオードを有する半導体装置 |
| US9793418B2 (en) | 2014-02-10 | 2017-10-17 | Rohm Co., Ltd. | Schottky barrier diode |
| JP2016096351A (ja) * | 2015-12-17 | 2016-05-26 | ローム株式会社 | ショットキバリアダイオード |
| JP2018157199A (ja) * | 2017-03-16 | 2018-10-04 | 豊田合成株式会社 | ショットキーバリアダイオード |
| JP2017201724A (ja) * | 2017-08-09 | 2017-11-09 | ローム株式会社 | ショットキバリアダイオード |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7863682B2 (en) | SIC semiconductor having junction barrier Schottky diode | |
| US7838888B2 (en) | Silcon carbide semiconductor device having schottky barrier diode and method for manufacturing the same | |
| US7816733B2 (en) | SiC semiconductor having junction barrier schottky device | |
| JPH10335679A (ja) | ダイオードとその製造方法 | |
| JP6139340B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US20060186506A1 (en) | Schottky barrier diode and manufacturing method thereof | |
| CN109560142B (zh) | 新型碳化硅结势垒肖特基二极管及其制作方法 | |
| JP2012129299A (ja) | 異種材料接合型ダイオード及びその製造方法 | |
| JP2006196652A (ja) | ＳｉＣ半導体素子 | |
| US20220384662A1 (en) | Semiconductor mps diode with reduced current-crowding effect and manufacturing method thereof | |
| US20200243673A1 (en) | Insulated gate bipolar transistor and diode | |
| US3984859A (en) | High withstand voltage semiconductor device with shallow grooves between semiconductor region and field limiting rings with outer mesa groove | |
| US10204980B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method of the same | |
| US9825123B2 (en) | Schottky barrier diode and method for manufacturing the same | |
| US20210098579A1 (en) | Schottky diode with high breakdown voltage and surge current capability using double p-type epitaxial layers | |
| JPH09283771A (ja) | ショットキーバリアダイオード | |
| JPH06283727A (ja) | 電力用半導体素子 | |
| US20220246771A1 (en) | Vertical conduction electronic device comprising a jbs diode and manufacturing process thereof | |
| JPH06268202A (ja) | 高耐圧炭化珪素ショットキ−・ダイオ−ド | |
| JP2007235064A (ja) | ショットキーバリア半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3627572B2 (ja) | ショットキバリアダイオード | |
| CN113555448A (zh) | 一种基于Ga2O3终端结构的4H-SiC肖特基二极管及制作方法 | |
| JP2002237605A (ja) | 半導体素子 | |
| JP2001257367A (ja) | ショットキーバリアダイオード | |
| JP3329376B2 (ja) | 半導体装置 |