JP2000208274A - エレクトロルミネセンス素子 - Google Patents

エレクトロルミネセンス素子

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JP2000208274A
JP2000208274A JP2000016564A JP2000016564A JP2000208274A JP 2000208274 A JP2000208274 A JP 2000208274A JP 2000016564 A JP2000016564 A JP 2000016564A JP 2000016564 A JP2000016564 A JP 2000016564A JP 2000208274 A JP2000208274 A JP 2000208274A
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methoxyphenyl
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Ananth Dodabalapur
ドダバラパー アナンス
Rebecca Jordan
ジョーダン レベッカ
Marko Strukelj
ストラケルジ マーコ
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 有効な白色発光のエレクトロルミネセンス素
子を与える青色発光材料を提供する。 【解決手段】 本青色発光材料は少くとも３個のペンダ
ント側鎖を有するヘテロ環状部を含む非高分子性分子構
造を有する材料であって、該ヘテロ環状部はオキサゾー
ル、イミダゾール、キノリンおよびピラジンからなるグ
ループから選択された５員または６員のヘテロ環状部で
あって、有用な膜に形成可能な特性を有する。本材料か
ら形成される膜は結晶サイズが約１０００オングストロ
ーム以下の非晶質で本素子の青色発光材料膜の厚みは６
００オングストローム以下である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネ
センス素子に係り、特にそのアノードとカソード間に有
機材料の薄層を挿入したエレクトロルミネセンス素子に
関する。
【０００２】
【従来の技術】アノードとカソード間に有機材料薄層を
挿入したエレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子はフラッ
トパネルディスプレイを作成するために用いられ、さら
に例えば、これらＥＬ素子は大面積の超薄型フルカラー
ディスプレイに作られる。これらＥＬ素子の構造は図１
に示すように単純である。図１に示すＥＬ素子には有機
材料の２層１０、１２がアノード１４とカソード１６間
に介在する。この構造体がガラス基板１８上に形成され
る。このようなＥＬ素子では、この有機材料層の一方が
正孔輸送体かまたは電子輸送体のいずれかの輸送体とし
て機能し他方の層が発光体層として機能する。通常、こ
の輸送体層がそのカソードに隣接する場合これは電子輸
送体として機能し、この輸送体層がそのアノードに隣接
する場合これは正孔輸送体として機能する。
【０００３】各種個別色発光のＥＬ素子に加えて、白色
（または他の不飽和色）発光のＥＬ素子が望まれてい
る。白色発光のＥＬ素子は、通常赤、緑および青の可視
スペクトルの全体を発光する素子である。白色発光のＥ
Ｌ素子については、例えば、Berggren, M., et al., "W
hite light from an electroluminescent diode made f
rom poly[3(4-octylphenyl)-2,2'-bithiophene] and an
oxadiazole derivative", Journal of Applied Physic
s, 76:11, pp.7530-7534 (December 1994)を参照のこ
と。図１に示すこのBerggrenの素子では、カソード１６
はアルミニウムであり、またアノード１４はインジウム
・スズ酸化物（ＩＴＯ）である。
【０００４】さらにそれぞれ、有機層１０はポリ（３−
（４−オクチルフェニル）−２，２′−ビチオフェン
（ＰＴＯＰＴ）であり、有機層１２は２−（４−ビフェ
ニリル）−５−（４−tert−ブチルフェニル）−１，
３，４ーオキサジアゾール（ＰＢＤ）である。このBerg
gren素子では、このＰＴＯＰＴ層は赤色を発光しＰＢＤ
層は青色を発光する。このBerggren素子では緑色を発光
する層はない。Berggren素子では緑色の発光はそのＰＢ
Ｄ層とＰＴＯＰＴ層との相互作用から生ずるとBerggren
は述べている。ＥＬ素子に関連する課題は、この素子を
作るのに用いられる有機膜の発光の効率および明るさな
らびに有機膜の安定性である。C. W. TangらはＥＬ素子
の将来性のある材料として次の文献報告をしている。
【０００５】すなわち、Tang, C. W., et al., "Electr
oluminescence of doped organic thin films", J. App
l. Phys., 65:9 pp.3610-3616 (May 1, 1989)であり、
これを参照のこと。Tangらは、ここでビス（トリフェニ
ル）ジアミン（ＴＢＤ）層とトリス（８−ヒドロキシキ
ノリン）アルミニウム（ＡＬＱ）層がＩＴＯ電極とＭ
ｇ：Ａｇ（１：１０）電極間にサンドイッチ状にはさま
れている素子を記載している。このＡＬＱ層はＡＬＱの
２層と報告され、この２層のＡＬＱ間にクマリン５４
０、ＤＣＭ１、またはＤＣＭ２のいずれかでドープした
ＡＬＱ層がある。Tangらはこれら素子は波長範囲が４５
０ｎｍないし６７５ｎｍ（青−緑ないしオレンジ−赤）
を発光すると報告している。
【０００６】さらに、Tangらはこの波長範囲はそのＡＬ
Ｑホストによるものと報告している。これら発光材料の
効率から、ＡＬＱを、例えば、ビス（トリフェニル）ジ
アミンのようなジアミン誘導体（ＴＡＤ）と共に用いる
白色発光の素子が所望されている。ところが、白色発光
に、特に短波長側に、その発光範囲を広げるためにこの
ような素子には追加材料が必要となる。この追加材料は
そのＡＬＱの発光スペクトルを相補する波長で発光する
必要があるのみではなく、さらにこの波長をその固体
（膜）状態で発光する必要がある。そこで、ＡＬＱ発光
体層と共にＥＬ素子に組込まれて白色発光のＥＬ素子を
与える青色発光材料が所望されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】有効な白色発光のＥＬ
素子を与える青色発光材料が所望されている。
【０００８】本発明はＬＥＤ用の青色発光体膜を形成す
る材料に関し、さらには、本発明の材料から作られた青
色発光体を含むＬＥＤに関する。本発明の目的のために
は、青色発光体膜とはその発光スペクトルの実質的コン
ポーネントが約４００ｎｍないし約５００ｎｍの波長範
囲にあるような膜である。ここで本発明の目的のために
は、“実質的”とはその発光スペクトルでピーク面積
の、少くとも５０パーセント以上、好ましくは８０パー
セント以上が、その特定の波長範囲にあることを指す。
【０００９】本発明の材料は、ヘテロ環状部を含む非高
分子性すなわち非重合性（つまり、エチレン性不飽和を
含まない）の材料であってこのヘテロ環状部は少くとも
１個の不飽和の５員または６員のヘテロ環状部でこのヘ
テロ環には少くとも１個の窒素原子を含むものである。
これらヘテロ環状部は、例えば、真空昇華のような通常
法を用いて堆積する場合非晶質膜を形成する分子に組込
まれる。本発明の目的には、非晶質とはこの膜における
結晶サイズが通常１０００Ａ以下であることを指す。好
ましい実施の形態を挙げると、このヘテロ環状部は、オ
キサゾール部、イミダゾール部、キノリン部およびピラ
ジン部からなるグループから選択されたヘテロ環状部で
ある。この材料が所望の特性を有する膜を形成するため
には、本材料はこのヘテロ環状部、ここでは一括してＸ
と表示する、これに少くとも３個のペンダント側鎖の有
機置換基、ここではまとめてＲnと表示する、を有する
材料である。
【００１０】ここでｎは３以上の整数であって、少くと
も３個の有機Ｒ基はそのＸ部に結合しており、またこれ
らＲ基は同じかまたは異なる基である。好ましい実施の
形態では、これらＲ基の中の少くとも２個は化学的に互
に異なる基の場合である。例えば、このＸ部がオキサゾ
ール部であってｎが３である場合を挙げることができ
る。この実施の形態ではＲ1およびＲ2がアリール部でＲ
3がナフチル部である場合を挙げることができる。これ
らＲ基はこのヘテロ環状部まわりの分子の形が球形にな
るように選択される。さらに、本発明の目的のために
は、この材料を真空昇華法を用いて膜に形成する場合に
非晶質膜を与えるようにこのＲn 基をそのＸ部の面から
外に配置することが好都合である。
【００１１】本発明の好ましい実施の一形態を挙げる
と、Ｘがオキサゾール部またはイミダゾール部の場合で
あってこの材料は下記の化８の一般式を有する。
【化８】 ここでＲ1およびＲ2は同じでフェニルとメトキシフェニ
ルからなるグループから選択された基であり、Ｒ3はＲ1
およびＲ2と異なりフェニルとナフチルからなるグルー
プから選択された基である。オプションであるが、
Ｒ1、Ｒ2およびＲ3上の水素原子は他の原子または基に
よって置換することができる。この他の原子または基に
は、例えば、ハロゲン原子（例えば、フッ素、塩素）、
メトキシ基、ハロゲン化炭素基、ジメチルアミン残基お
よびシアノ基を挙げることができる。以上のようにＲ1
およびＲ2を置換する場合Ｒ1およびＲ2は置換フェニル
基である場合が好都合である。
【００１２】さらに実施の一形態を挙げると、この化合
物が２個のオキサゾール部またはイミダゾール部を含む
場合であってこの材料は下記の化９の一般式を有する。
【化９】 ここで式中のＲ1、Ｒ2およびＲ3は前記の通りである
が、例外としてＲ3がＲ1およびＲ2と同じ場合もある。
ここで好ましい実施の形態を挙げると、Ｒ1、Ｒ2および
Ｒ3はすべてフェニル基の場合である。
【００１３】さらに、別の実施の形態を挙げると、Ｘが
キノリン部である場合であってこの材料は下記の化１３
の一般式を有する。
【化１３】 ここで式中のＲ1はフッ素、塩素および臭素からなるグ
ループから選択されたハロゲン原子である。またＲ2は
水素、フェニル、メトキシフェニルまたはナフチルのい
ずれかの原子または基であり、さらにＲ3はフェニル、
メトキシフェニルまたはナフチルのいずれかの基であ
る。前記のように、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3に結合する水素
原子は他の原子または基により置換することができる。
【００１４】さらに、別の実施の形態を挙げると、Ｘが
ピラジン部である場合であってこの材料は下記の化１４
の一般式を有する。
【化１４】 ここで式中のＲ1およびＲ2はシアノ基であり、またＲ3
およびＲ4はtert-ブチルフェノキシフェニルまたはメト
キシフェニルの基である。
【００１５】以上述べた材料をＥＬ素子の青色発光体層
として用いる。このような素子ではこの青色発光体層は
正孔輸送体材料と電子輸送体材料間にサンドイッチ状に
はさまれる。このＥＬ素子が白色を発光するためには、
これら輸送体材料と他の波長範囲内を発光する別の発光
体材料の層がアノードとカソード間にサンドイッチ状に
はさまれる。好ましい実施の形態では、このＥＬ素子に
はガラス基板があってこの上にインジウム・スズ酸化物
（ＩＴＯ）層があり、これがそのアノードとして機能す
る。このＩＴＯ層上に、例えば、ビス（トリフェニル）
ジアミン誘導体（ＴＡＤ）のような正孔輸送体層が形成
され、これが約４００ｎｍないし約５００ｎｍの波長範
囲を発光する。
【００１６】ところが、本発明の素子では、このＴＡＤ
層は正孔輸送体として機能し発光しない。このＴＡＤ層
上に前記青色発光材料の中の一つの材料の層が形成され
る。この青色発光材料層が約４００ｎｍないし約５００
ｎｍの波長範囲を発光し、またこの層は厚みが６００Ａ
以下であって約１００Ａないし約３００Ａの場合が好都
合である。この青色発光層上に、例えば、トリス（８−
ヒドロキシキノリン）アルミニウム（ＡＬＱ）のような
電子輸送体層が形成され、これが約４５０ｎｍないし約
６７５ｎｍの波長範囲を発光する。このＡＬＱ層上にカ
ソードが形成される。通常このカソードは金属または金
属の組合わせの層である。カソード材料例にはアルミニ
ウムまたアルミニウムと他の金属との多層構造体を挙げ
ることができる。
【００１７】そこでこの素子は約４００ｎｍないし約６
５０ｎｍの波長範囲を発光し、したがってこの素子の発
光は白色に見える。この素子は、５００ｎｍないし６５
０ｎｍの範囲で発光すると報告したTangらの素子よりか
なりの利点を提供する。好ましい実施の形態では、この
ＴＡＤ層は厚みが約６０ｎｍないし９０ｎｍであり、そ
のＡＬＱ層は厚みが約５０ｎｍないし約９０ｎｍであ
り、さらにその青色発光体層は厚みが約１０ｎｍないし
３０ｎｍである。好ましい実施の形態では、この素子
に、例えば、ＤＣＭ１のような赤色発光色素を含有する
ＡＬＱ層（以下ドープドＡＬＱ層と呼ぶ）を有する場合
を挙げることができる。ＤＣＭ１でドープしたＡＬＱの
Tangらの報告をここに引例とする。
【００１８】このドープドＡＬＱ層は前記（ドープしな
かったアンドープド）ＡＬＱ層に加わるものである。こ
の実施の形態では、厚みが約５０Ａないし約３００Ａの
アンドープドＡＬＱ層が薄層ドープドＡＬＱ（例えば、
厚みが約２０ｎｍないし約３０ｎｍ）の２層間にサント
イッチ状にはさまれる場合が好都合である。本発明の素
子では、この発光スペクトルは本発明の青色発光体層が
無いＡＬＱ発光体層を持つ素子よりスペクトル幅が広
い。そこで、先のＡＬＱ発光体の素子は限定された波長
範囲（通常青緑ないしオレンジ赤のスペクトル）のみを
発光するのに対し、本発明の素子は白色を発光する。白
色発光のＥＬ素子はディスプレイのような用途に特に有
効であって本発明の素子はディスプレイに利用できる。
【００１９】本発明の材料がＥＬ素子においてジアミン
正孔輸送体層とＡＬＱ電子輸送体層間にサンドイッチ状
にはさまれた膜に形成される場合、白色発光のＥＬ素子
を提供するものである。また本発明の材料は、そのジア
ミン層上に昇華される場合、結晶サイズが１０００Ａ以
下の安定な均一膜を形成する。こうして得られたＥＬ素
子は少くとも約０．５ルーメン／ワットの効率で発光す
る場合で好都合である。
【００２０】
【実施の形態例】本発明はＬＥＤ用青色発光体膜を形成
する材料に関する。また本発明はこの本発明の材料から
作った青色発光体層を含有するＬＥＤに関する。本発明
の目的のためには青色発光体膜は約４００ｎｍないし約
５００ｎｍの波長範囲を発光する膜である。本発明の材
料は、ヘテロ環状部を含む非高分子性すなわち非重合性
（つまりエチレン性不飽和を含まない材料）材料であっ
て該ヘテロ環状部は少くとも１個の不飽和の５員または
６員でこのヘテロ環に少くとも１個の窒素原子を含むヘ
テロ環状部である。このヘテロ環状部は、例えば、真空
昇華のような通常の方法を用いて堆積する場合に非晶質
膜を形成する分子に組込まれる。本発明の目的のために
は、非晶質とはこの膜における結晶サイズが通常１００
０Ａ以下であることを指す。
【００２１】結晶質または多結晶質（膜の結晶サイズが
１０００Ａ以上であって非晶質ではない）の膜は通常キ
ャリアをトラップしてその膜の発光の電気的効率に悪影
響を及ぼす粒界を含む。このような多結晶質膜は、特に
この膜の厚みが１０００Ａ以下の場合であるが、不均一
で不透明（つまり光を散乱）になる傾向がある。不均一
膜は短絡回路のパスやキャリアのトラップ・サイトを通
常含み、これがその膜の効率に悪影響を及ぼす。好まし
い実施の形態を挙げると、このヘテロ環状部は、オキサ
ゾール部、イミダゾール部、キノリン部およびピラジン
部からなるグループから選択されたヘテロ環状部であ
る。これらの材料が所望の特性を有する膜を形成するた
めには、本材料はこのヘテロ環状部、ここでは一括して
Ｘと表示する、このヘテロ環状部に少くとも３個のペン
ダント側鎖の有機置換基、ここではまとめてＲnと表示
する、を有する材料である。
【００２２】ここでｎは３以上の整数であり、少くとも
３個の有機Ｒ基がそのＸ部に結合しており、またこれら
Ｒ基は同じかまたは異なる基である。好ましい実施の形
態では、これらＲ基の中の少くとも２個は化学的に互に
異なる基である。例えば、このＸ部がオキサゾール部で
あってｎが３である場合を挙げることができる。この実
施の形態ではＲ1およびＲ2がアリール部でＲ3がナフチ
ル部である場合を挙げることができる。先に述べたよう
にこれらＲ基はこのヘテロ環状部まわりの分子構造が球
形になるように選択される。
【００２３】本発明の好ましい実施の一形態を挙げる
と、Ｘはオキサゾール部であってこの場合の材料は下記
の化１１の一般式を有する。
【化１１】 ここで式中のＲ1およびＲ2は同じでフェニルとメトキシ
フェニルからなるグループから選択された基であり、ま
たＲ3はＲ1およびＲ2と異なりフェニルとナフチルから
なるグループから選択された基である。オプションであ
るが、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3上の水素原子は他の原子また
は基によって置換することができる。この他の原子また
は基には、例えば、ハロゲン原子（例えば、フッ素、塩
素）、メトキシ基、ハロゲン化炭素基、ジメチルアミン
残基およびシアノ基を挙げることができる。
【００２４】さらに実施の一形態を挙げると、この化合
物は２個のオキサゾール部を含みこの化合物は下記の化
１５の一般式を有する。
【化１５】 ここで式中のＲ1、Ｒ2およびＲ3は前記の通りである
が、例外としてＲ3がＲ1およびＲ2と同じ場合もある。
ここで好ましい実施の形態を挙げると、Ｒ1、Ｒ2および
Ｒ3はすべてフェニル基の場合である。
【００２５】本発明の好ましい別の実施の形態を挙げる
と、Ｘはイミダゾール部であってこの場合の材料は下記
の化１２の一般式を有する。
【化１２】 ここで式中のＲ1およびＲ2は同じでフェニルとメトキシ
フェニルからなるグループから選択された基であり、ま
たＲ3はＲ1およびＲ2と異なりフェニルとナフチルから
なるグループから選択された基である。オプションであ
るが、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3上の水素原子は他の原子また
は基によって置換することができる。この他の原子また
は基には、例えば、ハロゲン原子（例えば、フッ素、塩
素）、メトキシ基、ハロゲン化炭素基、ジメチルアミン
残基およびシアノ基を挙げることができる。
【００２６】さらに実施の一形態を挙げると、この化合
物は２個のイミダゾール部を含みこの化合物は下記の化
２６の一般式を有する。
【化２６】 ここで式中のＲ1、Ｒ2およびＲ3は前記の通りである
が、例外としてＲ3がＲ1およびＲ2と同じ場合もある。
ここで好ましい実施の形態を挙げると、Ｒ1、Ｒ2および
Ｒ3はすべてフェニル基の場合である。
【００２７】さらに、別の実施の形態を挙げると、Ｘが
キノリン部である場合であってこの材料は下記の化２３
または化２７の一般式を有する。
【化２３】
【化２７】 ここで式中のＲ1はフッ素、塩素および臭素からなるグ
ループから選択されたハロゲン原子である。またＲ2は
水素、フェニル、メトキシフェニルまたはナフチルのい
ずれかの原子または基であり、さらにＲ3はフェニル、
メトキシフェニルまたはナフチルのいずれかの基であ
る。前記のようにＲ1、Ｒ2およびＲ3に結合する水素原
子は他の原子または基により置換することができる。
【００２８】さらに、別の実施の形態を挙げると、Ｘが
ピラジン部である場合であってこの材料は下記の化２４
の一般式を有する。
【化２４】 ここで式中のＲ1およびＲ2はシアノ基であり、またＲ3
およびＲ4はtert-ブチルフェノキシフェニルまたはメト
キシフェニルの基である。
【００２９】図２に本発明の実施の形態例を示す。本素
子はガラス基板２０上に形成された一連の層である。こ
のガラス基板２０上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴ
Ｏ）層２２が形成される。このＩＴＯ層２２上に、例え
ば、ＴＡＤのような正孔輸送体層２４が形成される。他
の正孔輸送体、例えば、セキシチエニル誘導体やセキシ
フェニル誘導体（Hosokawa, C., "Novel Structure of
Organic Electroluminescence Cells with Conjugated
Oligomers", Appl. Phys. Lett., 62:25, pp.3238-3240
(1993)をここに引例とする）も本発明の素子の適当な
正孔輸送体材料として挙げることができる。この正孔輸
送体層２４上に本発明の青色発光材料層２６が形成され
る。
【００３０】この青色発光材料層２６上にトリス（８ヒ
ドロキシキノリン）アルミニウム（ＡＬＱ）の電子輸送
体層２８が形成される。この電子輸送体層２８上にカソ
ード３０が形成される。本発明の実施の一形態を挙げる
と、このカソードはアルミニウムであってこれは、例え
ば、抵抗加熱の真空蒸着のような既知法を用いてそのＡ
ＬＱ層上形成される。本発明の実施の別の形態を挙げる
と、このカソードはリチウムとアルミニウムの２重層で
あってこの場合には厚みが約１０Ａないし約２０Ａのリ
チウム層がこのＡＬＱ層上に先ず形成される。次にアル
ミニウムの厚い層（例えば、厚みが約２０００Ａ）がこ
のリチウム層上に形成される。この素子は４００ないし
６５０ｎｍの波長範囲内を発光する。したがってこの素
子の発光は白色に見える。
【００３１】この素子はTangらの報告した５００ｎｍな
いし６５０ｎｍの波長範囲の発光のみの素子よりかなり
大きい利点を提供する。好ましい実施の形態を挙げる
と、このＴＡＤ層は厚みが約６０ｎｍないし約９０ｎｍ
であり、このＡＬＱ層は厚みが約５０ｎｍないし約９０
ｎｍであり、またこの青色発光体層は厚みが約１０ｎｍ
ないし約３０ｎｍである。本発明の素子の別の実施の形
態例を図３に示す。図３においてこの素子もまたガラス
基板２０上に形成され、このガラス基板２０上に順次Ｉ
ＴＯ層２２、正孔輸送体層２４および本発明の青色発光
体材料層２６が形成される。この青発光層２６上にＡＬ
Ｑ薄層２８（厚みが約２００Ａないし約３００Ａ）が形
成される。
【００３２】次にこのＡＬＱ層２８上にＤＣＭ１（Exci
ton, Dayton, Ohioから入手した赤色発光色素）の約
０．２重量パーセントないし約１重量パーセントでドー
プしたドープドＡＬＱ薄層２９が形成される。さらにこ
のドープドＡＬＱ層２９上に別のＡＬＱ薄層２８が形成
される。次にこの第２のドープしていないアンドープド
ＡＬＱ薄層２８上にカソード層３０が形成される。ここ
に述べる素子のカソード層に適する材料はこの分野の当
業者には既知であるが、適当なカソード材料例にアルミ
ニウムやリチウムとアルミニウムの２重層（Ｌｉ：Ａ
ｌ）を挙げることができる。
【００３３】
【実施例】実施例１ 温度計とＮ2入口を具備した５００ｍｌ丸底フラスコ
に、１，４−ジブロモ−２，５−ジメトキシベンゼン
（１５ｇ、５０．６８ミリモル、Lancaster合成によっ
て調製）、ビス（トリフェニルフォスフィン）パラジウ
ム（ＩＩ）クロリド（０．８５ｇ、１．２１ミリモ
ル）、酢酸銅（ＩＩ）（０．２１６ｇ、１．１９ミリモ
ル）およびテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を加えた。こ
のパラジウム化合物と銅化合物とＴＨＦはAldrich Co.
から入手、ただし以下特に表示しない限り本実施例で使
用する材料は、Aldrich Chemical Co. of Milwaukee, W
isconsinから入手した。この溶液を撹拌しながら減圧脱
気し次にこのフラスコを減圧Ｎ2再張込みを３回繰返し
た。そしてフェニルアセチレン（１５．５３ｇ、１５
２．０５ミリモル）をシリンジを用い１５分で滴下し
た。この混合物を摂氏６０度に加熱した。１５時間後反
応物を摂氏２３度に冷却しビス（トリフェニルフォスフ
ィン）パラジウム（ＩＩ）クロリド（０．５ｇ）とフェ
ニルアセチレン（５ｍｌ）をこの溶液に加え、さらに摂
氏６０度に再加熱した。
【００３４】合計４８時間経過後、この混合物を冷却し
減圧濃縮した。塩酸水溶液（ＨＣｌ）（２容量パーセン
トＨＣｌ、２００ｍｌ）と酢酸エチル（ＥｔＯＡｃ）
（２５０ｍｌ）をこの混合物に加えその溶液を約１０分
間撹拌した。この溶液を濾過して黄色固体を得た。この
黄色固体に水（３００ｍｌ）を加えてその混合物を２時
間撹拌した。濾過乾燥後黄色固体（１１．５６ｇ）を得
た。この黄色固体をエチルアルコールとジメチルアセト
アミド（ＤＭＡｃ）の（３：１）溶液に加え緑褐色の長
針状晶（８．２５ｇ）が形成した。得られた生成物は特
性からビス−１，４ー（フェニルアセチレン）−２，５
−ジメトキシベンゼンであった。この生成物を図４に示
す。
【００３５】実施例２ Ｎ2入口と冷水による凝縮器を具備した５００ｍｌ丸底
フラスコに、１−ナフトイルクロリド（９．２５ｇ、４
８．５２ミリモル）、ＴＨＦ（１００ｍｌ）、ジメトキ
シベンゾイン（１２．９３ｇ、４７．５ミリモル）、ト
リエチルアミン（６．９７ｍｌ、５０ミリモル）および
ピリジン（０．５ｍｌ）を撹拌下に加えた。室温で１．
５時間後この反応は約５０パーセント終了（薄層クロマ
トグラフ（ＴＬＣ、シリカゲル上石油エーテルとＥｔＯ
Ａｃの１：１溶液）で決定）した。一晩撹拌後、この溶
液を濃縮し得た固体に水３００ｍｌを加えた。この得ら
れた混合物にエチルエーテル（ＥｔＯＥｔ）を滴下し沈
殿を得た。この沈殿を濾過乾燥して白色固体（１５．９
２ｇ）を得た。この生成物を前記のようにＥｔＯＨ／Ｄ
ＭＡｃから再結晶した。
【００３６】この生成物（１２．７ｇ、２９．８ミリモ
ル）を前記と同様に具備した２５０ｍｌ丸底フラスコに
加え、さらにこれに氷酢酸（１１５ｍｌ）と酢酸アンモ
ニウム（１３．７ｇ、１７８．８ミリモル）を加えた。
この混合物を２時間還流して室温に冷却し水で約８５０
ｍｌに希釈した。この沈殿を濾別乾燥し酢酸水溶液
（４：１）から再結晶しこれは２−ナフチル−４，５−
（４−メトキシフェニル）オキサゾールと確認した。こ
れを図５に示す。
【００３７】実施例３ Ｎ2入口と冷水による凝縮器を具備した５００丸底フラ
スコに、ベンゾイン（１０ｇ、４７．１１ミリモル）、
ＴＨＦ（４０ｍｌ）およびトリエチルアミン（９ｍｌ、
５７．０１ミリモル）を加えた。２分後、１−ナフチル
クロリド（９．８８ｇ、５１．８３ミリモル）をその混
合物を撹拌しながら一度に加えた。またほぼ直ちにアミ
ン塩酸塩が形成された。ＴＨＦ（４０ｍｌ、ただし２０
ｍｌ刻みで２回）を１５分でその溶液に加えた。この溶
液を摂氏２５度に加熱し４８時間撹拌した。次にこの塩
を濾別した。この塩をＴＨＦで洗浄しその反応混合物と
一緒に合わせ黄色溶液を形成した。この溶液を摂氏２５
度に保持しながら吸引して濃縮した。次にこの生成物を
前記と同様にＥｔＯＨ／ＤＭＡｃ（３００ｍｌ／２０ｍ
ｌ）から再結晶し、白色結晶質生成物を得た。
【００３８】この生成物（１０ｇ、２７．３ミリモル）
を前記と同様に具備した２５０ｍｌ丸底フラスコに加
え、これに氷酢酸（５０ｍｌ）と酢酸アンモニウム（１
２．６ｇ、１６３．７ミリモル）を加えた。この混合物
を加熱還流し一晩還流保持した。氷酢酸を少量ずつ１．
５時間で還流時に加え無色透明の溶液を得た。この溶液
を室温に冷却し約３００ｍｌの水で希釈した。得られた
沈殿を濾別乾燥しエタノールから２回再結晶しこれは２
−ナフチル−４，５−（ジフェニル）オキサゾールと確
認した。これを図６に示す。
【００３９】実施例４ 前記と同様の２５０ｍｌ丸底フラスコに、テレフタロイ
ルクロリド（５ｇ、２４．６３ミリモル）、ベンゾイン
（１１．５ｇ、５４．１８ミリモル）および無水ＴＨＦ
（４０ｍｌ）を加えた。この混合物を摂氏２５度で２分
間撹拌してこの固体のほとんどを溶解した。トリエチル
アミン（９ｍｌ、６４．５７モリモル）を一度に加え
た。直ちにアミン塩酸塩が形成しその溶液は非常に粘ち
ょうとなった。ＴＨＦ（８０ｍｌ、ただし２０ｍｌ刻み
で４回）を３０分で加えた。この溶液を摂氏２５度に保
持し４８時間撹拌した。この溶液を濾過してその塩を除
去した。この塩をＴＨＦで洗浄してその混合物と一緒に
合わせた。この混合物を摂氏２５度で一晩吸引して濃縮
した。この得られた固体を５分間２５０ｍｌの水で撹拌
して濾別乾燥した。この固体をイソプロパノール（２５
０ｍｌ、３回）で還流した後濾別乾燥し白色結晶質固体
を得た。
【００４０】この結晶質固体を前記と同様に具備した５
００ｍｌフラスコに加えた。このフラスコに氷酢酸（５
０ｍｌ）と酢酸アンモニウム（１０．４ｇ、１３５ミリ
モル）を加えた。この得られた白色不均一混合物を加熱
還流した。氷酢酸（１７５ｍ、ただし２５ｍｌ刻みで７
回）を４時間で加えた。この混合物を一晩還流した。Ｔ
ＬＣは２種の生成物の存在を示した。この混合物に酢酸
アンモニウム（５ｇ）と酢酸（１５０ｍｌ）を加え次に
これをさらに２４時間還流した。次にこの混合物を室温
に冷却して水（４００ｍｌ）に注入した。この得られた
混合物を濾別乾燥した。この生成物をＤＭＡｃから再結
晶しこれは２，２′−（４−フェニレン）ビス（４，５
−ジフェニルオキサゾール）と確認した。この化合物を
図７に示す。
【００４１】実施例５ 前記実施例と同様に具備した２５０ｍｌ丸底フラスコ
に、４，４′−ジメトキシベンジル（８．１４７ｇ、３
０．１４ミリモル）、１−ナフトアルデヒド（５．６５
ｇ、３６．１７ミリモル）、氷酢酸（９０ｍｌ）および
酢酸アンモニウム（４３ｇ、０．５６モル）を加えた。
この混合物を３時間還流し次に摂氏約５０度に冷却し
た。水（１．２Ｌ）を３０分で加え沈殿が生成した。こ
の沈殿を濾別乾燥し灰色がかった生成物を得た。ＥｔＯ
Ｈ／ＤＭＡｃ（６００ｍｌ／９０ｍｌ）からの再結晶に
より黄色結晶を得た。得られた生成物は２−ナフチル−
ビス−４，５−（４−メトキシフェニル）イミダゾール
と確認した。この化合物を図８に示す。
【００４２】実施例６ 前記実施例と同様に具備した２５０ｍｌ丸底フラスコ
に、ベンジル（８．１４７ｇ、３０．１４ミリモル）、
１−ナフトアルデヒド（５．６５ｇ、３６．１７ミリモ
ル）、氷酢酸（９０ｍｌ）および酢酸アンモニウム（４
３ｇ、０．５６モル）を加えた。この混合物を３時間還
流し次に摂氏約５０度に冷却した。水（１．２Ｌ）を３
０分で加え沈殿が生成した。この沈殿を濾別乾燥し灰色
がかった生成物を得た。ＥｔＯＨ／ＤＭＡｃ（６００ｍ
ｌ／９０ｍｌ）からの再結晶し黄色結晶を得た。得られ
た生成物は２−ナフチル−４，５−（ジフェニル）イミ
ダゾールと確認した。この化合物を図９に示す。
【００４３】実施例７ 前記と同様に具備した１００ｍｌ丸底フラスコに前記実
施例６で調製したイミダゾール（１ｇ、２．８９ミリモ
ル）と無水ＴＨＦ（２０ｍｌ）を加えた。この混合物を
摂氏２５度で２分間撹拌した。カリウムtert-ブトキシ
ド（０．３５６ｇ、３．１８ミリモル）を一度に加え透
明な溶液を得た。ヨードメタン（０．５ｇ、３．４７ミ
リモル）を１分で少量ずつ加え、黄色溶液が生成したが
これは２０分後には灰色気味になった。得られた溶液を
室温でさらに６０分間撹拌し次に水（２００ｍｌ）に注
入した。この溶液からそのＴＨＦを室温で吸引により除
去した。濾別乾燥によりこの生成物を得た。この生成物
をエタノールから再結晶しこれは１−メチル−２−ナフ
チル−４，５−（ジフェニル）イミダゾールと確認し
た。この生成物を図１０に示す。
【００４４】実施例８ 前記と同様に具備した５００ｍｌフラスコにテレフタル
アルデヒド（５ｇ、３７．２８ミリモル）、ベンジル
（１５．５７ｇ、７４．５５ミリモル）、酢酸アンモニ
ウム（３４．５ｇ、４４７．３６ミリモル）および氷酢
酸（１００ｍｌ）を加えた。この混合物を２．５時間還
流した。この間追加の１５０ｍｌ（５０ｍｌ刻みで３
回）の氷酢酸を加えてその溶液の粘度を低下させた。こ
の得られた混合物を５００ｍｌの水に注入した。この混
合物を濾別乾燥させた後灰色がかった固体を得た。ＤＭ
Ａｃからの再結晶後黄色結晶質固体を得た。この得られ
た生成物は２，２′−（ｐ−フェニレン）−ビス−
（４，５−ジフェニルイミダゾール）と確認した。この
生成物を図１１に示す。
【００４５】実施例９ 前記と同様に具備した５００ｍｌ丸底フラスコに５−ア
ミノ−５−クロロベンゾフェノン（１０ｇ、４３．１６
ミリモル）、アセトフェノン（７．３５ｇ、４３．１６
ミリモル）、氷酢酸（６０ｍｌ）および硫酸（２ｍｌ）
を加えた。この混合物をその還流温度まで加熱し３時間
還流した。次にこの還流した液を水（５００ｍｌ）に注
入して急速撹拌した。重炭酸ナトリウムをこの溶液に加
えてそのｐＨを約５に調整した。濾別乾燥により灰色が
かった化合物を得た。ＥｔＯＨ／ＤＭＡｃからの再結晶
により得た生成物は２−ナフチル−４−フェニル−６−
クロロキノリンと確認した。この生成物を図１２に示
す。
【００４６】実施例１０ 前記と同様に具備した５００ｍｌ丸底フラスコに２−ア
ミノ−５−クロロベンゾフェノン（１０ｇ、４３．１６
ミリモル）、（４′−メトキシ）−２−フェニルアセト
フェノン（７．３５ｇ、４３．１６ミリモル）、氷酢酸
（６０ｍｌ）および硫酸（２ｍｌ）を加えた。この混合
物をその還流温度に加熱し３時間還流した。次にこの還
流した液を水（５００ｍｌ）に注入し急速撹拌した。重
炭酸ナトリウムをこの溶液に加えそのｐＨを約５に調整
した。濾別乾燥し灰色がかった化合物を得た。ＥｔＯＨ
／ＤＭＡｃからの再結晶により得た生成物は２−（ｐ−
メトキシフェニル）３，４−ジフェニル−６−クロロキ
ノリンと確認した。この生成物を図１３に示す。
【００４７】実施例１１ 前記と同様に具備した５００ｍｌ丸底フラスコに２−ア
ミノ−５−クロロベンゾフェノン（１１．４３ｇ、４
９．３ミリモル）、１，４−ジアセチルベンゼン（４
ｇ、２４．７ミリモル）、氷酢酸（１００ｍｌ）および
硫酸（３ないし４ｍｌ）を加えた。この混合物を加熱還
流し一晩還流を続け、その後その混合物を水（５００ｍ
ｌ）に注入した。この混合物に炭酸ナトリウムを加えて
そのｐＨを約５に調整した。この混合物を濾別乾燥し、
得られた生成物をＤＭＡｃ／ＤＭＦから再結晶した。こ
の生成物は２，２′−（ｐ−フェニレン）−ビス−（４
−フェニル−６−クロロキノリン）と確認した。これを
図１４に示す。
【００４８】実施例１２ 前記と同様に具備した２５０ｍｌ丸底フラスコに、４，
４′−ビス（（３″，５″−ジ−tert- ブチル）−４′
−フェノキシ）ベンジル、ただしこれは、Strukelj,
M., et al., "Solvent Effects on the Preparation of
Novel AmorphousPoly(aryl ether benzil)s", Macromo
lecules, Vol.27, pp.6277 (1994)（ここに引例とす
る）にしたがって調製使用した（１２．３ｇ、１９．９
ミリモル）、ジアミノマレオニトリル（２．３９ｇ、２
２ミリモル）、氷酢酸（２０ｍｌ）および酢酸ブチル
（８０ｍｌ）を加えた。この混合物をその還流温度に加
熱し約３．５時間還流した。次にこの溶液を摂氏２３度
に冷却し減圧濃縮した。得られた固体をＥｔＨＯ／ＤＭ
Ａｃ（１０／１）から再結晶し、この生成物を２，３−
ジシアノ−５，６−（３″，５″−ジ−tert-ブチル−
４′−フェノキシフェニル）ピラジンと確認した。これ
を図１５に示す。
【００４９】実施例１３ 前記実施例で述べた材料のフォトルミネセンスを溶液と
薄膜の両形態で測定した。この溶液のフォトルミネセン
スは、３００ｎｍないし８００ｎｍの波長範囲を発光す
るタングステン・ランプからの放射線にその材料の０．
１ｇ／Ｌ溶液を露光させて測定した。この露光放射線は
モノクロメータを用いてこの露光放射線の波長が３６５
ｎｍになるようにフィルタ処理した。この溶液から得ら
れた発光は下記の表１に示す。前記実施例で述べた材料
の薄膜は、石英板（General Electric Companyから入手
した、直径が１インチで厚みが１／１６インチ）上にKu
rt-Leskerから入手したタングステン−モリブデン・ボ
ートにこの材料の８０ｍｇを秤取して形成した。
【００５０】この材料を１０-6ｍｍＨｇの減圧下蒸発す
るがこれはそのボートに約１０ワットを適用して行っ
た。Infinicon quartz crystal thickness monitorを用
いてこの石英板上に形成した膜厚をモニタした。この蒸
発速度は約５ないし１０Ａ／秒であった。この石英板上
に形成した膜厚は約８００Ａであった。このように得ら
れた膜のフォトルミネセンスは較正格子モノクロメータ
と光電子倍増管システムを用いて測定した。前記実施例
に述べた材料のフォトルミネセンス（ＰＬ）と膜品位を
下記の表１に示す。２箇所のスペクトル・ピークが検出
された例があり、この場合２個の波長をピーク波長とし
て示す。得られた膜が発光しなかった例もあった。発光
しなかった膜は下記の表１では“ＮＥ”（無発光）と表
示する。この膜品位は、２４時間以内に結晶化した膜の
場合には不良（Ｐ）と表示し、透明均一で結晶化しなか
った膜の場合には良好（Ｅ）と表示した。
【表１】
【００５１】ガラス転移温度（Ｔｇ）は、その材料がガ
ラス状態からゴム状態に相転移を起す温度を示す。Ｔｇ
が検出できなかった（-と表示）サンプルも見られた。
本発明者らは特定の学説の保持を所望するものではない
が、本発明者らはこの材料のキャリア輸送はこの材料の
非晶質（または微晶質）から結晶質（結晶サイズが１０
００Ａ以上）への相転移のためその材料のＴｇ以上では
劣化すると考えている。したがって高ガラス転移温度の
材料のほうが好都合と思われる、というのはより高温で
そのキャリア輸送性を保持できるためである。しかし、
実施例２、３、５、７、および１２の材料の場合はこの
所見には例外となっており、というのはこれら材料のＴ
ｇは高くはないのにこれら材料の分子構造は結晶化を妨
害する。
【００５２】実施例１４ 前記実施例１ないし実施例１２に述べた材料の中のいく
つかの材料の膜でＥＬ素子を作成した。具体的に素子の
作成は、実施例２（図５参照）、実施例３（図６参
照）、実施例９（図１２参照）、実施例１０（図１３参
照）、実施例１１（図１４参照）および実施例１２（図
１５参照）に述べた材料からＴＤＡ層とＡＬＱ層間の青
色発光層を作成した。実施例９からの材料は、前記実施
例で膜の形態で発光を検出できなかった材料から形成し
た青色発光層を含有する素子の性能を求めるために選択
した。これら素子の形成は、ＩＴＯコート・ガラス基板
（Balzer, Fremont, California から入手したLow Ohmi
c ITOガラス）を超音波槽で、メタノール、アセトン、
１，１，１−トリクロロエタン、イソプロパノール、ア
セトンおよびメタノールの順序で溶媒で洗浄して行っ
た。
【００５３】このＩＴＯコート・ガラス基板はシート抵
抗が５０Ω／平方であった。ＴＡＤ、ただしこれはH.
W. Sands Corp, Jupiter, Florida、から市販品を入手
使用した、この厚みが約６００Ａの層を約１０-6ｍｍＨ
ｇ以下の減圧下でそのガラス基板上に形成した。次に約
１５０Ａの厚みの青色発光層は、このＴＡＤ層上に、前
記減圧条件下に形成した。実施例３からの材料からの膜
はこれらの条件下ではその基板上に形成できなかった、
というのはこの材料は昇華しなかったためである。次に
約６００Ａの厚みのＡＬＱ層をその発光層上に形成し
た。約２０００Ａの厚みのカソード層をそのＡＬＱ層上
に形成した。このカソードはアルミニウム層であって通
常の方法を用いて形成した。
【００５４】ここで得られたＬＥＤは面積が１平方ｍｍ
であった。このＬＥＤの駆動は直流電流が最高５ａｍｐ
／ｃｍ2まででバイアスが約１０Ｖないし約４０Ｖの範
囲で行った。この素子の電流−電圧特性は２種の同軸プ
ローブ（Wentworth Labs, Brookfield, Connecticutか
らのModel No.Pr-240）およびHewlett Packardの Model
4155Aまたは4145B、Semiconductor Parameter Analyze
rを用いて測定した。この素子の外部量子効率は、較正
シリコン・フォトダイオードをHewlett-Packard4145B S
emiconductor Parameter Analyzerと共に用いて求め
た。この外部量子効率（ηext、光子／電子の単位）
は、その測定光電流（ＩPC）と注入電流（ＩINJ）から
次式、 ηext＝ＩPC／（ＩINJ×ηPD） ただし式中のηPDはそのフォトダイオードの効率で約
０．７であった、を用いて計算した。
【００５５】この多層ＬＥＤのエレクトロルミネセンス
・スペクトルは０．５メートルのスペクトロメータとＣ
ＣＤアレイ・ディテクタを用いて測定した。この測定結
果は下記の表２に示す。
【表２】 多数の素子をこの青色発光層として材料２で作成しこの
素子に対し記録した量子効率ではその範囲を示した。表
２に見られるように、実施例２の材料の２−ナフチル−
４，５−（４−メトキシフェニル）オキサゾールからの
素子は、発光範囲が広くピーク発光範囲も広く、波長は
５００ｎｍ以下に十分に達するものであった。この素子
は白色発光であった。さらにこの素子の発光は高効率
（約０．５ルーメン／ワットでこれは約０．７パーセン
トの量子効率）で、特に魅力ある結果であった。
【００５６】これに反し実施例９ないし実施例１２から
の青色発光材料の素子は同じようには機能しなかった。
実施例９と実施例１０からの青色発光材料の素子の性能
の不良は、これらの材料からの膜は品位が不良であった
（表１参照）ことから説明することもできる。これらの
品位不良の膜がこれらの膜を含む素子においては発光範
囲やそのＡＬＱの効率を改良しなかったと考えられる。
また実施例１１と実施例１２からの青色発光層材料の素
子は実施例２の青色発光層材料で形成した素子と同じよ
うに機能しなかった。本発明者はこれらの材料が実施例
２の青色発光層材料と同様に機能しなかったのは材料が
十分に精製されていなかったためと考えている。
【００５７】以上の説明は、本発明の実施の一形態例に
関するもので、この技術分野の当業者であれば、本発明
の種々の変形例が考える得るが、それらはいずれも本発
明の技術的範囲に包含される。尚、特許請求範囲に記載
した参照番号は発明の容易なる理解のためで、その技術
的範囲を制限するよう解釈されるべきではない。
【００５８】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によって従来
に比し発光範囲もピーク発光範囲も広く量子効率も良い
有効な白色発光のＥＬ素子を与える青色発光材料を提供
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のＥＬ素子を示す図である。
【図２】本発明の素子の実施の一形態例を示す図であ
る。
【図３】本発明の素子の実施の別の形態例を示す図であ
る。
【図４】化合物のビス−１，４−（フェニルアセチレ
ン）−２，５−ジメトキシベンゼンを示す図である。
【図５】化合物の２−ナフチル−４，５−（４−メトキ
シフェニル）オキサゾールを示す図である。
【図６】化合物の２−ナフチル−４，５−ジフェニルオ
キサゾールを示す図である。
【図７】化合物の２，２′−（４−フェニレン）ビス
（４，５−ジフェニルオキサゾール）を示す図である。
【図８】化合物の２−ナフチル−４，５−（４−メトキ
シフェニル）イミダゾールを示す図である。
【図９】化合物の２−ナフチル−４，５−（ジフェニ
ル）イミダゾールを示す図である。
【図１０】化合物の１−メチル−２−ナフチル−４，５
−（ジフェニル）イミダゾールを示す図である。
【図１１】化合物の２，２′−（ｐ−フェニレン）−ビ
ス−（４，５−ジフェニルイミダゾール）を示す図であ
る。
【図１２】化合物の２−ナフチル−４−フェニル−６−
クロロキノリンを示す図である。
【図１３】化合物の２−（ｐ−メトキシフェニル）−
３，４−ジフェニル−６−クロロキノリンを示す図であ
る。
【図１４】化合物の２，２′−（ｐ−フェニレン）−ビ
ス−（４−フェニル−６−クロロキノリン）を示す図で
ある。
【図１５】化合物の２，３−ジシアノ−５，６−
（３″，５″−ジtert-ブチル−４′−フェノキシフェ
ニル）ピラジンを示す図である。
【符号の説明】
１０ 有機材料層 １２ 有機材料層 １４ アノード １６ カソード １８ ガラス基板 ２０ ガラス基板 ２２ （アノード）インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）
層 ２４ （正孔輸送体）ビス（トリフェニル）ジアミン誘
導体（ＴＡＤ）層 ２６ 青色発光材料層 ２８ （電子輸送体）トリス（８−ヒドロキシキノリ
ン）アルミニウム（ＡＬＱ）層 ２９ （赤色発光色素）ドープドＡＬＱ層 ３０ カソード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｆ Ｈ０４Ｎ 5/70 Ｈ０４Ｎ 5/70 Ｚ (71)出願人 596077259 600 Ｍｏｕｎｔａｉｎ Ａｖｅｎｕｅ, Ｍｕｒｒａｙ Ｈｉｌｌ， Ｎｅｗ Ｊｅ ｒｓｅｙ 07974−0636Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 レベッカ ジョーダン アメリカ合衆国，07922 ニュージャージ ー，バークレイ ハイツ，パーク アヴェ ニュー 81 (72)発明者 マーコ ストラケルジ アメリカ合衆国，19805 デラウェア，ウ ィルミントン，600 ノース フォード アヴェニュー 104

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ガラス基板と、 前記ガラス基板上に形成したアノードと、 前記アノード上に形成した正孔輸送体材料層と、 前記正孔輸送体材料層上に形成した青色発光材料層と、 前記青色発光材料層上に形成した電子輸送体材料層と、 前記電子輸送体材料層上に形成したカソードとを有し、
    約４００ｎｍないし約６５０ｎｍの波長範囲で発光する
    エレクトロルミネセンス素子において、 前記青色発光材料は、少なくとも３個のペンダント側鎖
    の置換基を有するイミダゾール構造、キノリン構造およ
    びピラジン構造からなる群から選択された構造を含む非
    高分子性分子構造を有し、前記ペンダント側鎖のうちの
    少なくとも２つは有機基であり、 前記イミダゾール構造は、 【化１】 （Ｒ1とＲ2は同一でフェニル基およびメトキシフェニル
    基からなる群から選択された基であり、Ｒ3は、Ｒ1およ
    びＲ2とは異なり、フェニル基およびナフチル基からな
    る群から選択された基である）、または、 【化２】 （Ｒ1とＲ2は同一でフェニル基およびメトキシフェニル
    基からなる群から選択された基であり、Ｒ3は、Ｒ1およ
    びＲ2とは異なり、フェニレン基およびナフチレン基か
    らなる群から選択された基である）であり、 前記キノリン構造は、 【化３】 （Ｒ1はフッ素、塩素および臭素からなる群から選択さ
    れたハロゲン原子であり、Ｒ2は水素、フェニル基、メ
    トキシフェニル基およびナフチル基からなる群から選択
    された基であり、Ｒ3は、フェニル基、メトキシフェニ
    ル基およびナフチル基からなる群から選択された基であ
    る）、または、 【化４】 （Ｒ1はフッ素、塩素および臭素からなる群から選択さ
    れたハロゲン原子であり、Ｒ2は水素、フェニル基、メ
    トキシフェニル基およびナフチル基からなる群から選択
    された基であり、Ｒ3は、フェニレン基、メトキシフェ
    ニレン基およびナフチレン基からなる群から選択された
    基である）であり、 前記ピラジン構造は、 【化５】 （Ｒ1およびＲ2はシアノ基であり、Ｒ3およびＲ4はtert
    -ブチルフェノキシフェニル基およびメトキシフェニル
    基からなる群から選択された基である）であり、 前記青色発光材料層の結晶サイズは約１０００Å以下で
    あることを特徴とするエレクトロルミネセンス素子。
  2. 【請求項２】 前記青色発光材料層の厚さは約６００Å
    以下であることを特徴とする請求項１に記載のエレクト
    ロルミネセンス素子。
  3. 【請求項３】 前記青色発光材料層の厚さは約１００Å
    ないし約３００Åであることを特徴とする請求項２に記
    載のエレクトロルミネセンス素子。
  4. 【請求項４】 前記青色発光材料は、２−ナフチル−
    ４，５−（４−メトキシフェニル）オキサゾールである
    ことを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミネセ
    ンス素子。
  5. 【請求項５】 前記正孔輸送体材料層は、ジアミン層で
    あることを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミ
    ネセンス素子。
  6. 【請求項６】 前記ジアミンは、ビス（トリフェニル）
    ジアミンであることを特徴とする請求項５に記載のエレ
    クトロルミネセンス素子。
  7. 【請求項７】 前記電子輸送体材料層は、ＡＬＱ層であ
    ることを特徴とする請求項６に記載のエレクトロルミネ
    センス素子。
  8. 【請求項８】 前記アノードは、インジウム・スズ酸化
    物層であり、前記カソードは、アルミニウム含有層であ
    ることを特徴とする請求項７に記載のエレクトロルミネ
    センス素子。
  9. 【請求項９】 前記カソードは、リチウムとアルミニウ
    ムの２重層であることを特徴とする請求項８に記載のエ
    レクトロルミネセンス素子。
  10. 【請求項１０】 前記エレクトロルミネセンス素子は、
    さらに２つのＡＬＱ層を有し、一方のＡＬＱ層は赤色発
    光色素でドープされ、ドープされた追加ＡＬＱ層が他の
    ２つのドープされていないＡＬＱ層の間に挟まれること
    を特徴とする請求項８に記載のエレクトロルミネセンス
    素子。
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