JP2000208100A - 高圧水銀ランプ、およびその光源装置 - Google Patents
高圧水銀ランプ、およびその光源装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 点灯始動性を改善した高圧水銀ランプ、およ
びその光源装置を提供すること。 【解決手段】石英ガラスからなる放電容器(２)に一対の
タングステン電極(４，５)が２．０ｍｍ以下で間隙をも
って対向配置しており、かつ、この放電容器(２)に０．
１ｍｇ／ｍｍ3以上の水銀が封入された構成において、
前記一対のタングステン電極(４，５)が絶縁破壊した
後、０〜５０μ秒の期間に当該高圧水銀ランプ(１)に供
給されるエネルギーが１×１０-3〜２×１０-2Ｊである
ことを特徴とする。
びその光源装置を提供すること。 【解決手段】石英ガラスからなる放電容器(２)に一対の
タングステン電極(４，５)が２．０ｍｍ以下で間隙をも
って対向配置しており、かつ、この放電容器(２)に０．
１ｍｇ／ｍｍ3以上の水銀が封入された構成において、
前記一対のタングステン電極(４，５)が絶縁破壊した
後、０〜５０μ秒の期間に当該高圧水銀ランプ(１)に供
給されるエネルギーが１×１０-3〜２×１０-2Ｊである
ことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は高圧水銀ランプに
関する。特に、放電容器内に多量の水銀が封入され、点
灯時の水銀蒸気圧が百数十気圧以上にもなる超高圧な水
銀ランプであって、液晶ディスプレイ装置などのバック
ライトとして使用されるものに関する。
関する。特に、放電容器内に多量の水銀が封入され、点
灯時の水銀蒸気圧が百数十気圧以上にもなる超高圧な水
銀ランプであって、液晶ディスプレイ装置などのバック
ライトとして使用されるものに関する。
【０００２】
【従来の技術】投射型の液晶ディスプレイ装置は、矩形
状のスクリーンに対して均一に、しかも十分な演色性を
もって画像を照明させることが要求され、このため、光
源として、水銀や金属ハロゲン化物を封入させたメタル
ハライドランプが使われる。また、メタルハライドラン
プでも、最近では、より一層の小型化、点光源化が進め
られ、電極間距離の極めて小さいものが実用化されてい
る。
状のスクリーンに対して均一に、しかも十分な演色性を
もって画像を照明させることが要求され、このため、光
源として、水銀や金属ハロゲン化物を封入させたメタル
ハライドランプが使われる。また、メタルハライドラン
プでも、最近では、より一層の小型化、点光源化が進め
られ、電極間距離の極めて小さいものが実用化されてい
る。
【０００３】このような背景のもと、最近では、メタル
ハライドランプに代わって、極めて高い水銀蒸気圧、例
えば２００バール(約１９７気圧)以上、を持つランプが
提案されている。これは、水銀蒸気圧をより高くするこ
とで、アークの広がりを抑える(絞り込む）とともに、
より一層の光出力の向上を図るというものであり、例え
ば、特開平２−１４８５６１号、特開平６−５２８３０
号に開示されている。
ハライドランプに代わって、極めて高い水銀蒸気圧、例
えば２００バール(約１９７気圧)以上、を持つランプが
提案されている。これは、水銀蒸気圧をより高くするこ
とで、アークの広がりを抑える(絞り込む）とともに、
より一層の光出力の向上を図るというものであり、例え
ば、特開平２−１４８５６１号、特開平６−５２８３０
号に開示されている。
【０００４】特開平２−１４８５６１号(米国特許第
５，１０９，１８１)には、タングステンからなる一対
の電極を有する放電容器に希ガスと、０．２ｍｇ／ｍｍ
3以上の水銀と、１×１０-6〜１×１０-4μｍｏｌ／ｍ
ｍ3の範囲のハロゲンを封入して、１Ｗ／ｍｍ2以上の管
壁負荷で動作させる高圧水銀ランプが開示されている。
５，１０９，１８１)には、タングステンからなる一対
の電極を有する放電容器に希ガスと、０．２ｍｇ／ｍｍ
3以上の水銀と、１×１０-6〜１×１０-4μｍｏｌ／ｍ
ｍ3の範囲のハロゲンを封入して、１Ｗ／ｍｍ2以上の管
壁負荷で動作させる高圧水銀ランプが開示されている。
【０００５】一方、特開平６−５２８３０号(米国特許
第５，４９７，０４９)には、上記の水銀量、管壁負荷
値、ハロゲン量に加えて、放電容器の形状や電極間距離
を規定している。
第５，４９７，０４９)には、上記の水銀量、管壁負荷
値、ハロゲン量に加えて、放電容器の形状や電極間距離
を規定している。
【０００６】しかしながら、このように水銀が多量に封
入された高圧水銀ランプにおいては、ランプを消灯させ
たときに当該水銀が電極上に付着する。これは発光管を
形成している石英ガラスよりもタングステン製電極の方
が熱伝導が良いので、ランプを消灯させると石英より電
極の方が早く冷えるからと考えられる。そして、電極に
水銀が付着すると、その次の点灯始動においては、タン
グステンよりも水銀から電子が放射して放電が開始され
る。この結果、放電エネルギーは水銀の気化に使われ電
極の温度は上昇せず、また、熱電子放出も機能しにくい
ので、絶縁破壊直後に高圧水銀ランプに供給されるエネ
ルギーが小さいとランプは定常的なアークへ移行するこ
とができず、始動動作を何回か繰り返すうちに黒化が発
生してしまう。逆に、絶縁破壊直後に高圧水銀ランプに
供給されるエネルギーが大きすぎると、タングステンの
温度が上昇し、タングステンが蒸発して発光管壁に付着
することで黒化が発生する。また、供給エネルギーが大
きい場合、ランプがアークに移行した後も点灯が安定せ
ず、ランプが立ち消えてしまう現象も観測されている。
この場合も始動動作を繰り返すことにより黒化が発生し
てしまう。
入された高圧水銀ランプにおいては、ランプを消灯させ
たときに当該水銀が電極上に付着する。これは発光管を
形成している石英ガラスよりもタングステン製電極の方
が熱伝導が良いので、ランプを消灯させると石英より電
極の方が早く冷えるからと考えられる。そして、電極に
水銀が付着すると、その次の点灯始動においては、タン
グステンよりも水銀から電子が放射して放電が開始され
る。この結果、放電エネルギーは水銀の気化に使われ電
極の温度は上昇せず、また、熱電子放出も機能しにくい
ので、絶縁破壊直後に高圧水銀ランプに供給されるエネ
ルギーが小さいとランプは定常的なアークへ移行するこ
とができず、始動動作を何回か繰り返すうちに黒化が発
生してしまう。逆に、絶縁破壊直後に高圧水銀ランプに
供給されるエネルギーが大きすぎると、タングステンの
温度が上昇し、タングステンが蒸発して発光管壁に付着
することで黒化が発生する。また、供給エネルギーが大
きい場合、ランプがアークに移行した後も点灯が安定せ
ず、ランプが立ち消えてしまう現象も観測されている。
この場合も始動動作を繰り返すことにより黒化が発生し
てしまう。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】そこで、この発明が解
決しようとする課題は、点灯始動性を改善した高圧水銀
ランプ、およびその光源装置を提供することである。
決しようとする課題は、点灯始動性を改善した高圧水銀
ランプ、およびその光源装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明の高圧水銀ランプは、石英ガラスからなる
放電容器に一対のタングステン電極が２．０ｍｍ以下で
間隙をもって対向配置しており、かつ、この放電容器に
０．１ｍｇ／ｍｍ3以上の水銀が封入された構成におい
て、前記一対のタングステン電極が絶縁破壊した後、０
〜５０μ秒の期間に当該高圧水銀ランプに供給されるエ
ネルギーが１×１０-3〜２×１０-2Ｊであることを特徴
とする。
に、この発明の高圧水銀ランプは、石英ガラスからなる
放電容器に一対のタングステン電極が２．０ｍｍ以下で
間隙をもって対向配置しており、かつ、この放電容器に
０．１ｍｇ／ｍｍ3以上の水銀が封入された構成におい
て、前記一対のタングステン電極が絶縁破壊した後、０
〜５０μ秒の期間に当該高圧水銀ランプに供給されるエ
ネルギーが１×１０-3〜２×１０-2Ｊであることを特徴
とする。
【０００９】さらに、この発明の光源装置は、石英ガラ
スからなる放電容器に一対のタングステン電極が２．０
ｍｍ以下で間隙をもって対向配置しており、かつ、この
放電容器に０．１ｍｇ／ｍｍ3以上の水銀が封入された
高圧水銀ランプと、この高圧水銀ランプを点灯させる電
源からなり、前記電源は、前記高圧水銀ランプに対して
一対のタングステン電極を絶縁破壊させた後、０〜５０
μ秒の期間に、１×１０-3〜２×１０-2Ｊのエネルギー
を供給することを特徴とする。
スからなる放電容器に一対のタングステン電極が２．０
ｍｍ以下で間隙をもって対向配置しており、かつ、この
放電容器に０．１ｍｇ／ｍｍ3以上の水銀が封入された
高圧水銀ランプと、この高圧水銀ランプを点灯させる電
源からなり、前記電源は、前記高圧水銀ランプに対して
一対のタングステン電極を絶縁破壊させた後、０〜５０
μ秒の期間に、１×１０-3〜２×１０-2Ｊのエネルギー
を供給することを特徴とする。
【００１０】さらには、前記高圧水銀ランプは、放電容
器内に希ガスと、臭素、塩素もしくは沃素からなるハロ
ゲンを含むことを特徴とする。
器内に希ガスと、臭素、塩素もしくは沃素からなるハロ
ゲンを含むことを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１に本発明にかかる高圧水銀ラ
ンプを示す。水銀ランプ１は石英ガラスよりなり、中央
の放電容器２とその両端につながる細長の側管部３より
構成される。放電容器２の中（以下、これを「発光空
間」ともいう)には、陽極４と陰極５が、１．２ｍｍ程
度の間隙をもって配置される。これら陽極４、陽極５の
後端は側管部３の中で金属箔６に溶接される。そして、
金属箔６からは外方に外部リード７がつながる。
ンプを示す。水銀ランプ１は石英ガラスよりなり、中央
の放電容器２とその両端につながる細長の側管部３より
構成される。放電容器２の中（以下、これを「発光空
間」ともいう)には、陽極４と陰極５が、１．２ｍｍ程
度の間隙をもって配置される。これら陽極４、陽極５の
後端は側管部３の中で金属箔６に溶接される。そして、
金属箔６からは外方に外部リード７がつながる。
【００１２】発光空間には、発光物質として水銀が封入
され、また、点灯始動ガスとしてアルゴン、キセノン等
の希ガスが封入される。水銀の封入量は、例えば、０．
１０ｍｇ／ｍｍ3以上であって、これは安定点灯時の蒸
気圧が百数十気圧以上になるものである。さらに、臭
素、沃素などのハロゲン元素を封入することもでき、こ
れにより、いわゆるハロゲンサイクル現象を利用して点
灯寿命の長期化を図ることができる。上記高圧水銀ラン
プは、図1に示すように、直流点灯型で説明されている
が、点灯方式が交流でも良いことは言うまでもない。
され、また、点灯始動ガスとしてアルゴン、キセノン等
の希ガスが封入される。水銀の封入量は、例えば、０．
１０ｍｇ／ｍｍ3以上であって、これは安定点灯時の蒸
気圧が百数十気圧以上になるものである。さらに、臭
素、沃素などのハロゲン元素を封入することもでき、こ
れにより、いわゆるハロゲンサイクル現象を利用して点
灯寿命の長期化を図ることができる。上記高圧水銀ラン
プは、図1に示すように、直流点灯型で説明されている
が、点灯方式が交流でも良いことは言うまでもない。
【００１３】図２に上記高圧水銀ランプによる分光スペ
クトルを示す。図から明らかなように波長３８０〜７８
０ｎｍ付近の可視領域に効果的に放射されていることが
示される。特に、波長６００〜７８０ｎｍの赤色領域の
連続放射が多く、これは水銀封入量０．０５ｍｇ／ｍｍ
3以下のランプに比べてきわめて増加している。
クトルを示す。図から明らかなように波長３８０〜７８
０ｎｍ付近の可視領域に効果的に放射されていることが
示される。特に、波長６００〜７８０ｎｍの赤色領域の
連続放射が多く、これは水銀封入量０．０５ｍｇ／ｍｍ
3以下のランプに比べてきわめて増加している。
【００１４】図３は高圧水銀ランプと電源からなる光源
装置を示す。一対の電極を有する水銀ランプ３１に点灯
回路３２が接続されている。点灯回路３２には直流電源
や始動パルス発生回路、さらにランプ電圧やランプ電流
を検出して点灯状態を一定に制御する回路などが含まれ
ている。放電ランプ３１と点灯回路３２の間にはコンデ
ンサ３３が水銀ランプ３１と並列に接続され、また、チ
ョークコイル３４が水銀ランプ３１と直列に接続され
る。また、チョークコイル３４はパルストランスになっ
ており、その一次巻線は水銀ランプ３１と直列に接続さ
れるが、二次巻線は起動器３５につながっている。
装置を示す。一対の電極を有する水銀ランプ３１に点灯
回路３２が接続されている。点灯回路３２には直流電源
や始動パルス発生回路、さらにランプ電圧やランプ電流
を検出して点灯状態を一定に制御する回路などが含まれ
ている。放電ランプ３１と点灯回路３２の間にはコンデ
ンサ３３が水銀ランプ３１と並列に接続され、また、チ
ョークコイル３４が水銀ランプ３１と直列に接続され
る。また、チョークコイル３４はパルストランスになっ
ており、その一次巻線は水銀ランプ３１と直列に接続さ
れるが、二次巻線は起動器３５につながっている。
【００１５】このような光源装置の動作を説明すると、
起動器３５によって、チョークコイル３４に例えば１０
ＫＶの高圧パルスを発生させると水銀ランプ３１が絶縁
破壊を起こす。そして、この絶縁破壊に伴って、コンデ
ンサ３３に充電されている電流が水銀ランプ３１に流れ
込む。このときの電流（エネルギー）によって水銀ラン
プ３１が絶縁破壊後の非常に不安定な状態から安定した
状態にまで移行することができる。一方で、このエネル
ギーが不十分であれば水銀ランプの電極間では絶縁破壊
はするものの後続の安定点灯に良好に移行することがで
きない。そして、多数回の点灯始動動作を繰り返してし
まうと絶縁破壊のための高電圧のみを陰極に印加するこ
とになってしまい、陰極にダメージを与えるとともに、
陰極材料であるタングステンが蒸発して黒化を導いてし
まう。この現象は、本願発明が対象にする水銀量が非常
に多い水銀ランプ、具体的には、０．１０ｍｇ／ｍｍ3
以上を含むランプにあっては、点灯始動時に電極表面上
に水銀が付着しているので、水銀が付着することのない
通常の水銀ランプでは検討のつかないぐらいに十分なエ
ネルギーが必要ということになる。また、絶縁破壊後に
水銀ランプに供給されるエネルギーが大きすぎると、タ
ングステンの温度が上昇し、タングステンが蒸発して発
光管壁に付着することによって黒化が発生する。さら
に、供給エネルギーが大きいと絶縁破壊に続く点灯が安
定せず、ランプが立ち消えする現象が観測されている。
そのため、この場合も多数回の始動動作を繰り返すの
で、上記のエネルギーが不十分な場合と同様の理由で、
黒化を導いてしまう。
起動器３５によって、チョークコイル３４に例えば１０
ＫＶの高圧パルスを発生させると水銀ランプ３１が絶縁
破壊を起こす。そして、この絶縁破壊に伴って、コンデ
ンサ３３に充電されている電流が水銀ランプ３１に流れ
込む。このときの電流（エネルギー）によって水銀ラン
プ３１が絶縁破壊後の非常に不安定な状態から安定した
状態にまで移行することができる。一方で、このエネル
ギーが不十分であれば水銀ランプの電極間では絶縁破壊
はするものの後続の安定点灯に良好に移行することがで
きない。そして、多数回の点灯始動動作を繰り返してし
まうと絶縁破壊のための高電圧のみを陰極に印加するこ
とになってしまい、陰極にダメージを与えるとともに、
陰極材料であるタングステンが蒸発して黒化を導いてし
まう。この現象は、本願発明が対象にする水銀量が非常
に多い水銀ランプ、具体的には、０．１０ｍｇ／ｍｍ3
以上を含むランプにあっては、点灯始動時に電極表面上
に水銀が付着しているので、水銀が付着することのない
通常の水銀ランプでは検討のつかないぐらいに十分なエ
ネルギーが必要ということになる。また、絶縁破壊後に
水銀ランプに供給されるエネルギーが大きすぎると、タ
ングステンの温度が上昇し、タングステンが蒸発して発
光管壁に付着することによって黒化が発生する。さら
に、供給エネルギーが大きいと絶縁破壊に続く点灯が安
定せず、ランプが立ち消えする現象が観測されている。
そのため、この場合も多数回の始動動作を繰り返すの
で、上記のエネルギーが不十分な場合と同様の理由で、
黒化を導いてしまう。
【００１６】本願発明は、絶縁破壊後の特定時間内に水
銀ランプに供給するエネルギーを規定することで水銀ラ
ンプを良好に安定点灯状態に移行できるものとした。そ
して、このエネルギーは、図３において、コンデンサ３
３とチョークコイル３４の定数を設定することによって
達成することができる。なお、図３においてはコンデン
サ３３とチョークコイル３４において、エネルギーを調
整することができるが、例えば、点灯回路３２内部にお
いて、水銀ランプ３１と並列に接続するコンデンサ的素
子や水銀ランプと直列に接続されるインダクタンス要素
が存在するような場合は、当然にそのような素子／要素
の存在も考慮される。
銀ランプに供給するエネルギーを規定することで水銀ラ
ンプを良好に安定点灯状態に移行できるものとした。そ
して、このエネルギーは、図３において、コンデンサ３
３とチョークコイル３４の定数を設定することによって
達成することができる。なお、図３においてはコンデン
サ３３とチョークコイル３４において、エネルギーを調
整することができるが、例えば、点灯回路３２内部にお
いて、水銀ランプ３１と並列に接続するコンデンサ的素
子や水銀ランプと直列に接続されるインダクタンス要素
が存在するような場合は、当然にそのような素子／要素
の存在も考慮される。
【００１７】以下の表は本発明の効果を示すものであ
る。 上記表は図3に示した回路を使って、高圧水銀ランプの
始動性（立消発生率）を測定したものである。表に示す
供給エネルギーは、水銀ランプを絶縁破壊させた後、５
０μ秒以内に水銀ランプに供給されるエネルギーであ
る。供給エネルギーは図3に示したコンデンサ要素やイ
ンダクタンス要素を変えて設定している。また、水銀ラ
ンプには前記実施例で説明たものを採用している。実験
は、室温まで十分に冷えているランプを、供給エネルギ
ーを上記表のように設定した光源装置で、それぞれの供
給エネルギーごとに約２０回の点灯を試み、一回の始動
パルスでランプが点灯できなかった確率を立消発生率と
して算出した。 なお、５０μ秒を過ぎると水銀ランプ
に供給されるエネルギーは始動性には影響しないことが
本発明者らによって同時に確認されている。
る。 上記表は図3に示した回路を使って、高圧水銀ランプの
始動性（立消発生率）を測定したものである。表に示す
供給エネルギーは、水銀ランプを絶縁破壊させた後、５
０μ秒以内に水銀ランプに供給されるエネルギーであ
る。供給エネルギーは図3に示したコンデンサ要素やイ
ンダクタンス要素を変えて設定している。また、水銀ラ
ンプには前記実施例で説明たものを採用している。実験
は、室温まで十分に冷えているランプを、供給エネルギ
ーを上記表のように設定した光源装置で、それぞれの供
給エネルギーごとに約２０回の点灯を試み、一回の始動
パルスでランプが点灯できなかった確率を立消発生率と
して算出した。 なお、５０μ秒を過ぎると水銀ランプ
に供給されるエネルギーは始動性には影響しないことが
本発明者らによって同時に確認されている。
【００１８】表に示す実験結果より、水銀ランプ絶縁破
壊後５０μ秒以内の供給エネルギーが、１．７×１０-3
〜３．６×１０-3の範囲にあれば、水銀ランプは確実に
始動していることが示される。また、１．０×１０-3〜
２．０×１０-2の範囲にあれば、水銀ランプは５０％以
上の確率で始動していることもわかる。この場合、実験
結果では１．３×１０ -3〜１．５×１０-2の範囲しか明
示されていないが上記範囲であれば５０％の始動率が本
発明者らによって確認されており、実用の光源装置で
は、始動時に複数回の始動パルスを加えることにより始
動性は確保され、黒化を問題のないレベルまで抑えるこ
とができる。
壊後５０μ秒以内の供給エネルギーが、１．７×１０-3
〜３．６×１０-3の範囲にあれば、水銀ランプは確実に
始動していることが示される。また、１．０×１０-3〜
２．０×１０-2の範囲にあれば、水銀ランプは５０％以
上の確率で始動していることもわかる。この場合、実験
結果では１．３×１０ -3〜１．５×１０-2の範囲しか明
示されていないが上記範囲であれば５０％の始動率が本
発明者らによって確認されており、実用の光源装置で
は、始動時に複数回の始動パルスを加えることにより始
動性は確保され、黒化を問題のないレベルまで抑えるこ
とができる。
【００１９】以上説明したように、この発明の高圧水銀
ランプ、および光源装置によれば、電極間距離が２．０
ｍｍ以下であり、放電容器内に０．１０ｍｇ／ｍｍ3以
上の水銀が封入されたものであっても、電極間が絶縁破
壊した後５０μ秒以内に供給されるエネルギーを１．０
×１０-3〜２．０×１０-2Ｊとすることで確実な再始動
を達成することができる。
ランプ、および光源装置によれば、電極間距離が２．０
ｍｍ以下であり、放電容器内に０．１０ｍｇ／ｍｍ3以
上の水銀が封入されたものであっても、電極間が絶縁破
壊した後５０μ秒以内に供給されるエネルギーを１．０
×１０-3〜２．０×１０-2Ｊとすることで確実な再始動
を達成することができる。
【図１】本発明の高圧水銀ランプを示す。
【図２】本発明の高圧水銀ランプによる分光スペクトル
を示す。
を示す。
【図３】本発明の光源装置を示す。
１ 水銀ランプ ２ 放電容器 ３ 側管部 ４ 陽極 ５ 陰極 ６ 金属箔 ７ 外部リード ３１ 水銀ランプ ３２ 点灯回路 ３３ コンデンサ ３４ チョークコイル ３５ 起動器
Claims (3)
- 【請求項１】石英ガラスからなる放電容器に一対のタン
グステン電極が２．０ｍｍ以下の間隙をもって対向配置
しており、かつ、この放電容器内に０．１ｍｇ／ｍｍ3
以上の水銀を封入した高圧水銀ランプにおいて、 前記一対のタングステン電極が絶縁破壊した後、０〜５
０μ秒の期間に当該高圧水銀ランプに供給されるエネル
ギーが１×１０-3〜２×１０-2Ｊであることを特徴とす
る高圧水銀ランプ。 - 【請求項２】石英ガラスからなる放電容器に一対のタン
グステン電極が２．０ｍｍ以下で間隙をもって対向配置
した高圧水銀ランプと、この高圧水銀ランプを点灯させ
る電源からなる光源装置において、 前記電源は、前記高圧水銀ランプに対して一対のタング
ステン電極を絶縁破壊させた後、０〜５０μ秒の期間
に、１×１０-3〜２×１０-2Ｊのエネルギーを供給する
ことを特徴とする光源装置。 - 【請求項３】前記高圧水銀ランプは、放電容器内に希ガ
スと、臭素、塩素もしくは沃素からなるハロゲンを含む
ことを特徴とする請求項１に記載する高圧水銀ランプ、
または請求項２に記載する光源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11004586A JP3125775B2 (ja) | 1999-01-11 | 1999-01-11 | 高圧水銀ランプ、およびその光源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11004586A JP3125775B2 (ja) | 1999-01-11 | 1999-01-11 | 高圧水銀ランプ、およびその光源装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000208100A true JP2000208100A (ja) | 2000-07-28 |
| JP3125775B2 JP3125775B2 (ja) | 2001-01-22 |
Family
ID=11588153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11004586A Expired - Fee Related JP3125775B2 (ja) | 1999-01-11 | 1999-01-11 | 高圧水銀ランプ、およびその光源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3125775B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010225306A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-10-07 | Osram Melco Toshiba Lighting Kk | 高圧放電ランプおよび照明装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8122280B2 (en) | 2004-08-26 | 2012-02-21 | Open Invention Network, Llc | Method and system for providing high availability to computer applications |
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1999
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