JP2000208043A - シャドウマスク用ハ―ドマスク - Google Patents
シャドウマスク用ハ―ドマスクInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 十分な膜強度を有するとともに、露光時の真
空密着不良を解消することができ、結果として、シャド
ウマスクの生産歩留まり及び生産性を良好にし得るシヤ
ドウマスク用ハードマスクを提供することを目的とす
る。 【解決手段】 本発明におけるシャドウマスク用ハード
マスクは、紫外線透過性の青板ガラス１１上のシャドウ
マスク開孔部に相当する部分が突出したパターンとな
り、この突出パターンは遮光性のＮｉ−Ｐ層となってお
り、その上層には粒３〜５μｍのシリコーン粒子１４a
を含有するゼラチン層１４b が設けられた構造となって
いる。微粒子含有ゼラチン層を形成する際、乾燥後の膜
厚が微粒子の粒径よりも小さくなるようにしているの
で、ゼラチン層１３a の外表面からシリコーン微粒子が
突出した状態となる。
空密着不良を解消することができ、結果として、シャド
ウマスクの生産歩留まり及び生産性を良好にし得るシヤ
ドウマスク用ハードマスクを提供することを目的とす
る。 【解決手段】 本発明におけるシャドウマスク用ハード
マスクは、紫外線透過性の青板ガラス１１上のシャドウ
マスク開孔部に相当する部分が突出したパターンとな
り、この突出パターンは遮光性のＮｉ−Ｐ層となってお
り、その上層には粒３〜５μｍのシリコーン粒子１４a
を含有するゼラチン層１４b が設けられた構造となって
いる。微粒子含有ゼラチン層を形成する際、乾燥後の膜
厚が微粒子の粒径よりも小さくなるようにしているの
で、ゼラチン層１３a の外表面からシリコーン微粒子が
突出した状態となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、陰極線管のシャド
ウマスク製造時に、その露光工程で使用されるフォトマ
スクに関する。
ウマスク製造時に、その露光工程で使用されるフォトマ
スクに関する。
【０００２】
【従来の技術】カラー陰極線管に使用されるシャドウマ
スクは、厚さ０．１２〜０．２５ｍｍ程度のアルミキル
ド鋼または低熱膨張のアンバー材からなるシャドウマス
ク素材に、円形状または矩形状の多数の微細な電子ビー
ム通過孔を所定のピッチで形成したものである。シャド
ウマスクは、例えば青板ガラス上に、硝酸銀系の感光剤
をゼラチン中に分散させて得られた乳剤を塗布し、エマ
ルジョンプレートにフォトプロッターと呼ばれるパター
ンジェネレーターにて所定のパターンを作画したフォト
マスクを使用して、フォトエッチンク技術により作成さ
れる。通常、電子銃側の電子ビーム通過孔部の孔（小
孔）径がパネル内面に形成された蛍光面側の電子ビーム
通過孔（大孔）より小さくなるように形成されている。
スクは、厚さ０．１２〜０．２５ｍｍ程度のアルミキル
ド鋼または低熱膨張のアンバー材からなるシャドウマス
ク素材に、円形状または矩形状の多数の微細な電子ビー
ム通過孔を所定のピッチで形成したものである。シャド
ウマスクは、例えば青板ガラス上に、硝酸銀系の感光剤
をゼラチン中に分散させて得られた乳剤を塗布し、エマ
ルジョンプレートにフォトプロッターと呼ばれるパター
ンジェネレーターにて所定のパターンを作画したフォト
マスクを使用して、フォトエッチンク技術により作成さ
れる。通常、電子銃側の電子ビーム通過孔部の孔（小
孔）径がパネル内面に形成された蛍光面側の電子ビーム
通過孔（大孔）より小さくなるように形成されている。
【０００３】このようなフォトマスクを用いて、シャド
ウマスクは、以下のようにして製造される。まず、アル
ミキルド鋼やアンバー材の表面に残在する油分を除去す
るため高温のアルカリ溶液で脱脂し、水洗する。
ウマスクは、以下のようにして製造される。まず、アル
ミキルド鋼やアンバー材の表面に残在する油分を除去す
るため高温のアルカリ溶液で脱脂し、水洗する。
【０００４】次に、シャドウマスク基材の両面に、各々
カゼインに重クロム酸塩を添加した液状レジストを塗
布、乾燥して、レジスト膜を形成する。得られたレジス
ト膜上に、パターン作画されたエマルジョン膜を有する
フォトマスクを密着させて各々露光する。
カゼインに重クロム酸塩を添加した液状レジストを塗
布、乾燥して、レジスト膜を形成する。得られたレジス
ト膜上に、パターン作画されたエマルジョン膜を有する
フォトマスクを密着させて各々露光する。
【０００５】露光後、Ｃａ量をコントロールした水で現
像し、乾燥、焼き付けを行う。その後、一般的には丸孔
タイプは、小孔側、大孔側の２段階に分けて、矩形タイ
ブは、両面から同時にエッチングされる。
像し、乾燥、焼き付けを行う。その後、一般的には丸孔
タイプは、小孔側、大孔側の２段階に分けて、矩形タイ
ブは、両面から同時にエッチングされる。
【０００６】エッチングが終了した後、レジスト膜を剥
離して、シャドウマスクが得られる。露光工程について
詳しく述べると、使用される露光装置では、大孔側焼き
付け用ネガパターンを有するエマルジョンプレートと、
小孔側焼き付け用ネガパターンを有するエマルジョンプ
レートとが、所望の位置精度で対向配置される。この一
対のエマルジョンプレートの間に、両面にレジスト膜を
形成したシャドウマスク基材が必要量送り出される。こ
のようなシャドウマスク基材に、大孔側及び小孔側の各
エマルジョンプレートを真空密着させる。その後、高圧
水銀灯などの光源を用いて紫外線露光する。露光終了
後、真空を切り、必要量巻き取る。
離して、シャドウマスクが得られる。露光工程について
詳しく述べると、使用される露光装置では、大孔側焼き
付け用ネガパターンを有するエマルジョンプレートと、
小孔側焼き付け用ネガパターンを有するエマルジョンプ
レートとが、所望の位置精度で対向配置される。この一
対のエマルジョンプレートの間に、両面にレジスト膜を
形成したシャドウマスク基材が必要量送り出される。こ
のようなシャドウマスク基材に、大孔側及び小孔側の各
エマルジョンプレートを真空密着させる。その後、高圧
水銀灯などの光源を用いて紫外線露光する。露光終了
後、真空を切り、必要量巻き取る。
【０００７】近年、各種ディスプレイ用、モニター用に
使用されるカラーブラウン管用シャドウマスクには、極
めて微細且つ高精度の電子ビーム通過孔を形成する事が
要求されるようになってきている。例えば、ディスプレ
イ管に使用される円形状の電子ビーム通過孔は、シャド
ウマスク上のピッチが０．２mm〜０．３mmで、大孔と小
孔の連結部の孔径は０．１００〜０．１５０mmφと微細
で且つ孔寸法精度も±３μｍと高精度の品位が要求され
ている。
使用されるカラーブラウン管用シャドウマスクには、極
めて微細且つ高精度の電子ビーム通過孔を形成する事が
要求されるようになってきている。例えば、ディスプレ
イ管に使用される円形状の電子ビーム通過孔は、シャド
ウマスク上のピッチが０．２mm〜０．３mmで、大孔と小
孔の連結部の孔径は０．１００〜０．１５０mmφと微細
で且つ孔寸法精度も±３μｍと高精度の品位が要求され
ている。
【０００８】このため、従来の矩形型の民生用のパター
ンでは問題にならなかった露光時におけるエマルジョン
プレートヘのゴミ等の付着が、致命的な欠点となり、製
造歩留を大きく下げるという問題が起きた。すなわち、
シャドウマスクの露光工程に一般的に用いられているエ
マルジョンプレートは、ゼラチン膜を用いているため、
膜強度が弱く、例えばゴミや金属屑などの異物により乳
剤膜が傷つきやすい。乳剤に傷が付いた場合、焼き付け
用ネガパターンに形成されている多数の円形状の不透光
パターン部の一部が欠落することがある。また、異物が
付着した部分は光を通さないために、露光不良を生じ、
結果としてパターン寸法の小さなディスプレイ管用シャ
ドウマスクではマスク孔欠点不良が増加し、生産性歩留
を下げるといった問題が起こる。
ンでは問題にならなかった露光時におけるエマルジョン
プレートヘのゴミ等の付着が、致命的な欠点となり、製
造歩留を大きく下げるという問題が起きた。すなわち、
シャドウマスクの露光工程に一般的に用いられているエ
マルジョンプレートは、ゼラチン膜を用いているため、
膜強度が弱く、例えばゴミや金属屑などの異物により乳
剤膜が傷つきやすい。乳剤に傷が付いた場合、焼き付け
用ネガパターンに形成されている多数の円形状の不透光
パターン部の一部が欠落することがある。また、異物が
付着した部分は光を通さないために、露光不良を生じ、
結果としてパターン寸法の小さなディスプレイ管用シャ
ドウマスクではマスク孔欠点不良が増加し、生産性歩留
を下げるといった問題が起こる。
【０００９】また、一般に用いられるエマルジョンプレ
ートは、フォトマスク作成時の露光部と未露光部との膜
厚の差がなく、乳剤層の表面が平坦なため、大孔側及び
小径側エマルジョンプレートをシャドウマスク基材に真
空密着させる時の真空密着の時間がかかるという間題が
あり、生産性を低下させる原因となっていた。
ートは、フォトマスク作成時の露光部と未露光部との膜
厚の差がなく、乳剤層の表面が平坦なため、大孔側及び
小径側エマルジョンプレートをシャドウマスク基材に真
空密着させる時の真空密着の時間がかかるという間題が
あり、生産性を低下させる原因となっていた。
【００１０】このため、現在のエマルジョンプレート
は、マット粒子と呼ばれるシリカ系の微粒子をゼラチン
に添加させ、それをエマルジョンの上に塗布することに
よって表面に凹凸を付けることによって真空密着時間の
短縮およびシャドウマスクの品位向上を図っているが、
母材がゼラチンであるため膜強度が弱いという問題は依
然として残っている。また、マット粒子自体が脱落して
ゼラチンを傷つけるという問題もある。
は、マット粒子と呼ばれるシリカ系の微粒子をゼラチン
に添加させ、それをエマルジョンの上に塗布することに
よって表面に凹凸を付けることによって真空密着時間の
短縮およびシャドウマスクの品位向上を図っているが、
母材がゼラチンであるため膜強度が弱いという問題は依
然として残っている。また、マット粒子自体が脱落して
ゼラチンを傷つけるという問題もある。
【００１１】このようなことから、近年、エマルジョン
プレートの代替えとして、液晶ディスプレイや半導体の
製造に用いられるガラス上にクロム層をスパッタ等で形
成したハードマスクの使用が提案されている。このハー
ドマスクは、腹強度も強く、クロム層がエッチングされ
凹凸が付いているため、エマルジョンプレートよりは真
空密着時の排気が容易であると考えられるが、一般的に
市販されているハードブランクスは、クロム層の膜厚が
０．１μｍ〜０．１５μｍ程度であり、密着時に迅速に
排気し得るほどの隙間が得られない。スパッタリング方
式で膜厚を厚くすることは、生産性の悪化を招き、版の
反りが悪化するので困難という問題があった。さらに、
真空密着が十分にできない結果、シャドウマスクにムラ
が生じてしまい、品位的にはエマルジョンプレートを用
いた場合よりも劣ってしまうという問題もある。
プレートの代替えとして、液晶ディスプレイや半導体の
製造に用いられるガラス上にクロム層をスパッタ等で形
成したハードマスクの使用が提案されている。このハー
ドマスクは、腹強度も強く、クロム層がエッチングされ
凹凸が付いているため、エマルジョンプレートよりは真
空密着時の排気が容易であると考えられるが、一般的に
市販されているハードブランクスは、クロム層の膜厚が
０．１μｍ〜０．１５μｍ程度であり、密着時に迅速に
排気し得るほどの隙間が得られない。スパッタリング方
式で膜厚を厚くすることは、生産性の悪化を招き、版の
反りが悪化するので困難という問題があった。さらに、
真空密着が十分にできない結果、シャドウマスクにムラ
が生じてしまい、品位的にはエマルジョンプレートを用
いた場合よりも劣ってしまうという問題もある。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の問題点を解決するためになされたもので、十分な膜
強度により欠点不良を解消するとともに、露光時の真空
密着不良を解消することができ、結果として、シャドウ
マスクの生産歩留まり及び生産性を良好にし得るシヤド
ウマスク用ハードマスクを提供することを目的とする。
術の問題点を解決するためになされたもので、十分な膜
強度により欠点不良を解消するとともに、露光時の真空
密着不良を解消することができ、結果として、シャドウ
マスクの生産歩留まり及び生産性を良好にし得るシヤド
ウマスク用ハードマスクを提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明のシャドウマスク
用ハードマスクは、紫外線透過性支持基板と、該支持基
板上に形成された遮光性金属層からなるマスクパターン
とを具備し、少なくともマスクパターン部の最外面が微
小凹凸層となっていることを特徴とする。
用ハードマスクは、紫外線透過性支持基板と、該支持基
板上に形成された遮光性金属層からなるマスクパターン
とを具備し、少なくともマスクパターン部の最外面が微
小凹凸層となっていることを特徴とする。
【００１４】また、紫外線線透過性支持基板と、該支持
基板上に形成された遮光性金属層からなるマスクパター
ンと、該パターン部および非パターン部を覆う微小凹凸
層とからなることを特徴とするシャドウマスク用ハード
マスクである。
基板上に形成された遮光性金属層からなるマスクパター
ンと、該パターン部および非パターン部を覆う微小凹凸
層とからなることを特徴とするシャドウマスク用ハード
マスクである。
【００１５】また、紫外線線透過性支持基板と、該支持
基板上に形成された凸状マスクパターンと、を具備し、
凸状マスクパターンが遮光性金属層と最外面を形成する
微小凹凸層とからなることを特徴とするシャドウマスク
用ハードマスクである。
基板上に形成された凸状マスクパターンと、を具備し、
凸状マスクパターンが遮光性金属層と最外面を形成する
微小凹凸層とからなることを特徴とするシャドウマスク
用ハードマスクである。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明のシャドウマスク用ハード
マスクは、紫外線透過性支持基板と、該支持基板上に形
成された遮光性金属層からなる凸状マスクパターンとを
具備している。本発明では、この凸状マスクパターンの
最外面が微小凹凸層となっていることを特徴とする。
マスクは、紫外線透過性支持基板と、該支持基板上に形
成された遮光性金属層からなる凸状マスクパターンとを
具備している。本発明では、この凸状マスクパターンの
最外面が微小凹凸層となっていることを特徴とする。
【００１７】このように最外面を微小凹凸層とすること
により、マスクパターンとシャドウマスク基材の間の真
空密着が十分に行なわれるようになる。また、マスクパ
ターンは遮蔽層として機能し、本発明では、パターンの
遮蔽機能を担う部分が金属層となっているため、膜強度
が強く露光工程での真空密着時にゴミや金属屑等の挟み
込みによるパターン欠点を防止できる。
により、マスクパターンとシャドウマスク基材の間の真
空密着が十分に行なわれるようになる。また、マスクパ
ターンは遮蔽層として機能し、本発明では、パターンの
遮蔽機能を担う部分が金属層となっているため、膜強度
が強く露光工程での真空密着時にゴミや金属屑等の挟み
込みによるパターン欠点を防止できる。
【００１８】また、マスクパターンを基板に対して所定
の高さを持つ凸状とし、パターンの最上層を凹凸層とし
た場合、パターン間の隙間で真空密着時間の短縮を図る
とともに、パターン部分にも真空密着時のエアー抜けの
通路を形成することができるため、真空密着不足を解消
することができる。
の高さを持つ凸状とし、パターンの最上層を凹凸層とし
た場合、パターン間の隙間で真空密着時間の短縮を図る
とともに、パターン部分にも真空密着時のエアー抜けの
通路を形成することができるため、真空密着不足を解消
することができる。
【００１９】本発明に用いる凸状マスクパターンの最外
に位置する層には、透明微粒子を添加した透明樹脂膜を
用いることができる。透明樹脂膜は、ゼラチン、アクリ
ル系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、金属アル
コキシド、水ガラスの中から選択される少なくとも一種
を用いることができる。また、透明微粒子には、シリ
カ、シリコーン、ガラスビーズの中から選択される少な
くとも一種を用いることができる。微粒子の粒径は１〜
１０μｍが好ましい。１μｍより小さい場合はエアー抜
けの通路を十分に確保できず、１０μｍより大きいと露
光精度の低下を招くからである。また、微粒子の粒径は
好ましくは、３〜７μｍである。
に位置する層には、透明微粒子を添加した透明樹脂膜を
用いることができる。透明樹脂膜は、ゼラチン、アクリ
ル系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、金属アル
コキシド、水ガラスの中から選択される少なくとも一種
を用いることができる。また、透明微粒子には、シリ
カ、シリコーン、ガラスビーズの中から選択される少な
くとも一種を用いることができる。微粒子の粒径は１〜
１０μｍが好ましい。１μｍより小さい場合はエアー抜
けの通路を十分に確保できず、１０μｍより大きいと露
光精度の低下を招くからである。また、微粒子の粒径は
好ましくは、３〜７μｍである。
【００２０】金属層としては、Ｆｅの酸化物、Ｃｒ、Ｃ
ｒの酸化物、Ｎｉと、Ｐ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｎ，
Ｗ，Ｍｏ，Ｃｕの少なくとも1 種類以上の合金、Ｎｉと
セリサイトの共析物の中から選択される少なくとも一種
を用いることができる。本発明に用いるセリサイトとし
ては、Ａ１2 ０3 、ＴｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＢＮ、Ｓｉ
Ｃなどの酸化物、窒化物、炭化物があげられる。
ｒの酸化物、Ｎｉと、Ｐ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｎ，
Ｗ，Ｍｏ，Ｃｕの少なくとも1 種類以上の合金、Ｎｉと
セリサイトの共析物の中から選択される少なくとも一種
を用いることができる。本発明に用いるセリサイトとし
ては、Ａ１2 ０3 、ＴｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＢＮ、Ｓｉ
Ｃなどの酸化物、窒化物、炭化物があげられる。
【００２１】（実施例１）以下、本発明の一実施例につ
いて具体的に説明する。図１ないし図７は、本発明のシ
ャドウマスク用ハードマスクの製造工程の一例を説明す
るための図である。まず、図１に示すように、所定の大
きさ例えば３０インチ×４３インチ×５．０mm厚の泡等
の欠陥がない青板ガラス１１を用意し、工水及び純水、
必要に応じては薬液を用いてよく洗浄し、塩化ニッケ
ル、次亜燐酸の還元剤を含む無電界メッキ液に所定時間
ディッピングし、青板ガラスの全面に、膜厚０．５５μ
ｍのＮｉ−Ｐ層１２を形成する。
いて具体的に説明する。図１ないし図７は、本発明のシ
ャドウマスク用ハードマスクの製造工程の一例を説明す
るための図である。まず、図１に示すように、所定の大
きさ例えば３０インチ×４３インチ×５．０mm厚の泡等
の欠陥がない青板ガラス１１を用意し、工水及び純水、
必要に応じては薬液を用いてよく洗浄し、塩化ニッケ
ル、次亜燐酸の還元剤を含む無電界メッキ液に所定時間
ディッピングし、青板ガラスの全面に、膜厚０．５５μ
ｍのＮｉ−Ｐ層１２を形成する。
【００２２】その後、図２に示すように、ロールコータ
法、バーコータ法、スプレー法、ディッピング法などを
用いて乾燥後で０．７〜１．０μｍの膜厚のレジスト層
１３を塗布、プリベークする。なお、本実施例では、ロ
ールコータ法でポジ型レジストを用いた。
法、バーコータ法、スプレー法、ディッピング法などを
用いて乾燥後で０．７〜１．０μｍの膜厚のレジスト層
１３を塗布、プリベークする。なお、本実施例では、ロ
ールコータ法でポジ型レジストを用いた。
【００２３】この後、乾板プリンターで原版と金属板を
真空密着させ、高圧水銀灯を用いて所定時間露光し、図
３に示すような紫外線により露光された部分１３a と露
光されなかった部分１３b とからなる所定のパターンを
形成する。
真空密着させ、高圧水銀灯を用いて所定時間露光し、図
３に示すような紫外線により露光された部分１３a と露
光されなかった部分１３b とからなる所定のパターンを
形成する。
【００２４】この後、現像液を用いて現像し、図４に示
すように、紫外線照射されていない部分１３b を除去す
る。この後、エッチング液を用いて、スプレーエッチン
グし、図５に示すような所定の金属層１２のパターンを
得る。
すように、紫外線照射されていない部分１３b を除去す
る。この後、エッチング液を用いて、スプレーエッチン
グし、図５に示すような所定の金属層１２のパターンを
得る。
【００２５】この後、剥離液を用いてレジスト層１３a
を剥離し、水洗乾燥して図６に示すような所定のハード
マスクパターンを得る。このパターン上に、レジストに
シリコーン粒子を混ぜた液をロールコータを使用して塗
布し、これを乾燥させることによって、図７に示すよう
な最外層に微小凹凸層１４を有するハードマスクが得ら
れた。
を剥離し、水洗乾燥して図６に示すような所定のハード
マスクパターンを得る。このパターン上に、レジストに
シリコーン粒子を混ぜた液をロールコータを使用して塗
布し、これを乾燥させることによって、図７に示すよう
な最外層に微小凹凸層１４を有するハードマスクが得ら
れた。
【００２６】このように、本実施例におけるシャドウマ
スク用ハードマスクは、紫外線透過性の青板ガラス１１
上のシャドウマスク開孔部に相当する部分に遮光性のＮ
ｉ−Ｐ層１２が形成され、基板上面に粒径３〜１０μｍ
のシリコーン粒子１４a を含有するゼラチン層１４b を
形成している。微粒子含有ゼラチン層を形成する際、乾
燥後の膜厚が微粒子の粒径よりも小さくなるようにして
いるので、ゼラチン層１４b の外表面からシリコーン微
粒子１４a が突出して微小凹凸層１４となる。本実施例
では、突出した微粒子先端とゼラチン層の間の高さが1
〜８μｍとなり、シャドウマスク基材との間に十分な隙
間を形成することが可能となる。
スク用ハードマスクは、紫外線透過性の青板ガラス１１
上のシャドウマスク開孔部に相当する部分に遮光性のＮ
ｉ−Ｐ層１２が形成され、基板上面に粒径３〜１０μｍ
のシリコーン粒子１４a を含有するゼラチン層１４b を
形成している。微粒子含有ゼラチン層を形成する際、乾
燥後の膜厚が微粒子の粒径よりも小さくなるようにして
いるので、ゼラチン層１４b の外表面からシリコーン微
粒子１４a が突出して微小凹凸層１４となる。本実施例
では、突出した微粒子先端とゼラチン層の間の高さが1
〜８μｍとなり、シャドウマスク基材との間に十分な隙
間を形成することが可能となる。
【００２７】このようにして得られた本発明にかかるハ
ードマスクと、さらに比較として、同様の青板ガラス上
に、スパッタにより０．１３μｍ厚のＣｒ層を形成し、
レジストを用いてパターニングした従来のＣｒハードマ
スク、及びゼラチンに硝酸銀系の感光剤を添加したエマ
ルジョンにパターン作画を施したエマルジョンプレート
マスクを用意し、各々シヤドウマスク材に露光する露光
装置にセットし、真空密着時間、寿命及びシャドウマス
クの品位を調べた。得られた結果を下記表１に示す。
ードマスクと、さらに比較として、同様の青板ガラス上
に、スパッタにより０．１３μｍ厚のＣｒ層を形成し、
レジストを用いてパターニングした従来のＣｒハードマ
スク、及びゼラチンに硝酸銀系の感光剤を添加したエマ
ルジョンにパターン作画を施したエマルジョンプレート
マスクを用意し、各々シヤドウマスク材に露光する露光
装置にセットし、真空密着時間、寿命及びシャドウマス
クの品位を調べた。得られた結果を下記表１に示す。
【００２８】
【表１】 表１から明らかなように、本発明にかかるハードマスク
は、生産性およびシャドウマスク品位の両面で優れてい
ることがわかる。これは、本実施例では、微粒子によっ
て表面に凹凸を形成することでエアー抜けの通路を確保
しており、パターンの遮蔽機能については強度の高い金
属層として欠点を防止している。そのため金属層自身の
膜厚によってエアー抜けの通路を確保する必要がなくな
り、ハードマスク自体が容易になるという利点もある。
は、生産性およびシャドウマスク品位の両面で優れてい
ることがわかる。これは、本実施例では、微粒子によっ
て表面に凹凸を形成することでエアー抜けの通路を確保
しており、パターンの遮蔽機能については強度の高い金
属層として欠点を防止している。そのため金属層自身の
膜厚によってエアー抜けの通路を確保する必要がなくな
り、ハードマスク自体が容易になるという利点もある。
【００２９】（実施例２）以下、本発明の他の実施例に
ついて具体的に説明する．図８ないし図１２は、本発明
のシャドウマスク用ハードマスクの製造工程の他の例を
説明するための図である。まず、図８に示すように、所
定の大きさ例えば３０インチ×４３インチ×５．０mm厚
の泡等の欠陥がない青板ガラス１１を用意し、工水及び
純水、必要に応じては薬液を用いてよく洗浄し、塩化ニ
ッケル、次亜燐酸の還元剤を含む無電界メッキ液に所定
時間ディッピングし、青板ガラスの全面に、膜厚０．５
５μｍのＮｉ−Ｐ層１２を形成する。
ついて具体的に説明する．図８ないし図１２は、本発明
のシャドウマスク用ハードマスクの製造工程の他の例を
説明するための図である。まず、図８に示すように、所
定の大きさ例えば３０インチ×４３インチ×５．０mm厚
の泡等の欠陥がない青板ガラス１１を用意し、工水及び
純水、必要に応じては薬液を用いてよく洗浄し、塩化ニ
ッケル、次亜燐酸の還元剤を含む無電界メッキ液に所定
時間ディッピングし、青板ガラスの全面に、膜厚０．５
５μｍのＮｉ−Ｐ層１２を形成する。
【００３０】その後、図９に示すように、粒径３〜５μ
ｍのシリコーン微粒子１４ａを所定量添加したレジスト
液を、ロールコータ法、バーコータ法、スプレー法、デ
ィッピング法などを用いて乾燥後で０．７〜１．０μｍ
の膜厚のレジスト層を塗布、プリベークする。なお、本
実施例では、ロールコータ法でポジ型レジストを用い
た。
ｍのシリコーン微粒子１４ａを所定量添加したレジスト
液を、ロールコータ法、バーコータ法、スプレー法、デ
ィッピング法などを用いて乾燥後で０．７〜１．０μｍ
の膜厚のレジスト層を塗布、プリベークする。なお、本
実施例では、ロールコータ法でポジ型レジストを用い
た。
【００３１】この後、乾板プリンターで原版と金属板を
真空密着させ、高圧水銀灯を用いて所定時間露光し、図
１０に示すような紫外線により露光された部分１３a と
露光されなかった部分１３b とからなる所定のパターン
を形成する。
真空密着させ、高圧水銀灯を用いて所定時間露光し、図
１０に示すような紫外線により露光された部分１３a と
露光されなかった部分１３b とからなる所定のパターン
を形成する。
【００３２】この後、現像液を用いて現像し、図１１に
示すように、光の照射されていない部分１３b を除去す
る。この後、エッチング液を用いて、スプレーエッチン
グし、図１２に示すような所定の金属層パターンを得
る。
示すように、光の照射されていない部分１３b を除去す
る。この後、エッチング液を用いて、スプレーエッチン
グし、図１２に示すような所定の金属層パターンを得
る。
【００３３】この後、水洗乾燥して所定のハードマスク
パターンを得る。こうして得られた本実施例におけるシ
ャドウマスク用ハードマスクは、紫外線透過性の青板ガ
ラス１１上のシャドウマスク開孔部に相当する部分が突
出したパターンとなり、この突出パターンは遮光性のＮ
ｉ−Ｐ層１２とその上層の粒径３〜５μｍのシリコーン
粒子１４a を含有するレジスト層１４b からなる構造と
なっている。微粒子含有レジスト層を形成する際、乾燥
後の膜厚が微粒子の粒径よりも小さくなるようにしてい
るので、レジスト層１４b の外表面からシリコーン微粒
子が突出して微小凹凸層１４となる。本実施例では、突
出した微粒子先端とレジスト層の間の高さが３μｍとな
るので、シャドウマスク基材との間に形成する隙間とし
ては、Ｎｉ−Ｐ層やレジスト層の膜厚も加わるので約５
μｍとなり、全体的には大きな隙間を形成することが可
能となる。
パターンを得る。こうして得られた本実施例におけるシ
ャドウマスク用ハードマスクは、紫外線透過性の青板ガ
ラス１１上のシャドウマスク開孔部に相当する部分が突
出したパターンとなり、この突出パターンは遮光性のＮ
ｉ−Ｐ層１２とその上層の粒径３〜５μｍのシリコーン
粒子１４a を含有するレジスト層１４b からなる構造と
なっている。微粒子含有レジスト層を形成する際、乾燥
後の膜厚が微粒子の粒径よりも小さくなるようにしてい
るので、レジスト層１４b の外表面からシリコーン微粒
子が突出して微小凹凸層１４となる。本実施例では、突
出した微粒子先端とレジスト層の間の高さが３μｍとな
るので、シャドウマスク基材との間に形成する隙間とし
ては、Ｎｉ−Ｐ層やレジスト層の膜厚も加わるので約５
μｍとなり、全体的には大きな隙間を形成することが可
能となる。
【００３４】このようにして得られた本実施例にかかる
ハードマスクと、前記実施例１にかかるハードマスク、
さらに比較として、同様の青板ガラス上に、スパッタに
より０．１３μｍ厚のＣｒ層を形成し、レジストを用い
てパターニングした従来のＣｒハードマスク、及びゼラ
チンに硝酸銀系の感光剤を添加したエマルジョンにパタ
ーン作画を施したエマルジョンプレートマスクを用意
し、各々シヤドウマスク材に露光する露光装置にセット
し、真空密着時間、寿命及びシャドウマスクの品位を調
べた。得られた結果を下記表２に示す。
ハードマスクと、前記実施例１にかかるハードマスク、
さらに比較として、同様の青板ガラス上に、スパッタに
より０．１３μｍ厚のＣｒ層を形成し、レジストを用い
てパターニングした従来のＣｒハードマスク、及びゼラ
チンに硝酸銀系の感光剤を添加したエマルジョンにパタ
ーン作画を施したエマルジョンプレートマスクを用意
し、各々シヤドウマスク材に露光する露光装置にセット
し、真空密着時間、寿命及びシャドウマスクの品位を調
べた。得られた結果を下記表２に示す。
【００３５】
【表２】 表２から明らかなように、本発明にかかるハードマスク
は、生産性およびシャドウマスク品位の両面で優れてい
ることがわかる。
は、生産性およびシャドウマスク品位の両面で優れてい
ることがわかる。
【００３６】本実施例においても、微粒子によって表面
に凹凸を形成することでエアー抜けの通路を確保してお
り、パターンの遮蔽機能については強度の高い金属層と
して欠点を防止している。そのため金属層自身の膜厚に
よってエアー抜けの通路を確保する必要がなくなり、ハ
ードマスク自体が容易になるという利点もある。さら
に、本実施例は、実施例１と比較して真空密着時間が短
く、シャドウマスク生産性の面で優れている。
に凹凸を形成することでエアー抜けの通路を確保してお
り、パターンの遮蔽機能については強度の高い金属層と
して欠点を防止している。そのため金属層自身の膜厚に
よってエアー抜けの通路を確保する必要がなくなり、ハ
ードマスク自体が容易になるという利点もある。さら
に、本実施例は、実施例１と比較して真空密着時間が短
く、シャドウマスク生産性の面で優れている。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、低コストで、傷が発生
しにくく、マスクパターン精度が良好であり、大型化が
容易で、シャドウマスクの生産歩留まり及び生産性を良
好にし得る高品位のシヤドウマスク用ハードマスクが得
られる。
しにくく、マスクパターン精度が良好であり、大型化が
容易で、シャドウマスクの生産歩留まり及び生産性を良
好にし得る高品位のシヤドウマスク用ハードマスクが得
られる。
【図１】本発明のシャドウマスク用ハードマスクの製造
工程の一例を説明するための図
工程の一例を説明するための図
【図２】本発明のシャドウマスク用ハードマスクの製造
工程の一例を説明するための図
工程の一例を説明するための図
【図３】本発明のシャドウマスク用ハードマスクの製造
工程の一例を説明するための図
工程の一例を説明するための図
【図４】本発明のシャドウマスグ用ハードマスクの製造
工程の一例を説明するための図
工程の一例を説明するための図
【図５】本発明のシャドウマスク用ハードマスクの製造
工程の一例を説明するための図
工程の一例を説明するための図
【図６】本発明のシャドウマスク用ハードマスクの製造
工程の一例を説明するための図
工程の一例を説明するための図
【図７】本発明のシヤドウマスク用ハードマスグの製造
工程の一例を説明するための図
工程の一例を説明するための図
【図８】本発明のシャドウマスク用ハードマスクの製造
工程の他の例を説明するための図
工程の他の例を説明するための図
【図９】本発明のシャドウマスク用ハードマスクの製造
工程の他の例を説明するための図
工程の他の例を説明するための図
【図１０】本発明のシャドウマスク用ハードマスクの製
造工程の他の例を説明するための図
造工程の他の例を説明するための図
【図１１】本発明のシャドウマスク用ハードマスクの製
造工程の他の例を説明するための図
造工程の他の例を説明するための図
【図１２】本発明のシャドウマスク用ハードマスクの製
造工程の他の例を説明するための図
造工程の他の例を説明するための図
１１…青板ガラス １２…金属層（Ｎｉ−Ｐ層） １３…レジスト層 １３a …紫外線未露光部 １３b …紫外線露光部 １４…微小凹凸層 １４a …シリコーン微粒子 １４b …レジスト膜
Claims (9)
- 【請求項１】 紫外線透過性支持基板と、該支持基板上
に形成された遮光性金属層からなるマスクパターンとを
具備し、少なくともマスクパターン部の最外面が微小凹
凸層となっていることを特徴とするシャドウマスク用ハ
ードマスク。 - 【請求項２】 紫外線線透過性支持基板と、該支持基板
上に形成された遮光性金属層からなるマスクパターン
と、該パターン部および非パターン部を覆う微小凹凸層
とからなることを特徴とするシャドウマスク用ハードマ
スク。 - 【請求項３】 紫外線線透過性支持基板と、該支持基板
上に形成された凸状マスクパターンと、を具備し、凸状
マスクパターンが遮光性金属層と最外面を形成する微小
凹凸層とからなることを特徴とするシャドウマスク用ハ
ードマスク。 - 【請求項４】 前記微小凹凸層が透明微粒子を添加した
透明樹脂膜であることを特徴とする請求項１または２に
記載のシャドウマスク用ハードマスク。 - 【請求項５】 前記微小凹凸層が微粒子を添加した樹脂
膜であることを特徴とする請求項３記載のシャドウマス
ク用ハードマスク。 - 【請求項６】 前記樹脂膜が、ゼラチン、アクリル系樹
脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、金属アルコキシ
ド、水ガラスの中から選択される少なくとも一種からな
ることを特徴とする請求項４または５記載のシャドウマ
スク用ハードマスク。 - 【請求項７】 前記微粒子が、シリカ、シリコーン、ガ
ラスビーズの中から選択される少なくとも一種からなる
ことを特徴とする請求項４ないし６のいずれか一に記載
のシャドウマスク用ハードマスク。 - 【請求項８】 微粒子の粒径が１〜１０μｍであること
を特徴とする請求項４ないし７のいずれか一に記載のシ
ャドウマスク用ハードマスク。 - 【請求項９】 前記金属層は、Ｆｅの酸化物、Ｃｒ、Ｃ
ｒの酸化物、Ｎｉと、Ｐ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｎ，
Ｗ，Ｍｏ，Ｃｕの少なくとも１種類以上の合金、Ｎｉと
セリサイトの共析物の中から選択される少なくとも一種
からなることを特微とする請求項１ないし８のいずれか
一に記載のシャドウマスク用ハードマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1020299A JP2000208043A (ja) | 1999-01-19 | 1999-01-19 | シャドウマスク用ハ―ドマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1020299A JP2000208043A (ja) | 1999-01-19 | 1999-01-19 | シャドウマスク用ハ―ドマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000208043A true JP2000208043A (ja) | 2000-07-28 |
Family
ID=11743700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1020299A Pending JP2000208043A (ja) | 1999-01-19 | 1999-01-19 | シャドウマスク用ハ―ドマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000208043A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100429635B1 (ko) * | 2001-11-01 | 2004-05-03 | 엘지전자 주식회사 | 섀도우 마스크 제작을 위한 글라스 제조장치 및 그 제조방법 |
-
1999
- 1999-01-19 JP JP1020299A patent/JP2000208043A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100429635B1 (ko) * | 2001-11-01 | 2004-05-03 | 엘지전자 주식회사 | 섀도우 마스크 제작을 위한 글라스 제조장치 및 그 제조방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050414 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050606 |