JP2000200571A - 画像表示装置とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電子源の経時的な電子放出特性の低下が少な
く、輝度の経時的な変化（経時的低下）の少ない画像表
示装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 間隔を置いて配置された第１の基板１と
第２の基板６とを含む部材で構成された外囲器５と、こ
の外囲器５内に、第１の基板１上に配置された電子源
と、第２の基板６上に配置された蛍光膜７及び加速電極
８とを備える画像表示装置において、外囲器５内の画像
表示領域Ｘ内に配置された第１のゲッタ９と、電子源及
び加速電極と絶縁され、かつ、第１のゲッタ９を囲むよ
うに配置された第２のゲッタ１４とを有することを特徴
とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子源を備える画
像表示装置、及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子源より放出された電子ビームを画像
表示部材である蛍光体に照射し、蛍光体を発光させて画
像を表示する装置においては、電子源と画像表示部材を
内包する真空容器の内部を高真空に保持しなければなら
ない。それは、真空容器内部にガスが発生し、圧力が上
昇すると、その影響の程度はガスの種類により異なる
が、電子源に悪影響を及ぼして電子放出量を低下させ、
明るい画像の表示ができなくなるためである。また、発
生したガスが、電子ビームにより電離されてイオンとな
り、これが電子を加速するための電界により加速されて
電子源に衝突することで、電子源の損傷を与えることも
ある。さらに、場合によっては、内部で放電を生じさせ
る場合もあり、この場合は装置を破壊することもある。

【０００３】通常、画像表示装置の真空容器はガラス部
材を組み合わせて、接合部をフリットガラスなどにより
接着して形成されており、一旦接合が完了した後の圧力
の保持は、真空容器内に設置されたゲッタによって行わ
れる。通常のＣＲＴでは、Ｂａを主成分とする合金を、
真空容器内で通電あるいは高周波により加熱し、容器内
壁に蒸着膜を形成し、これにより内部で発生したガスを
吸着して高真空を維持している。

【０００４】近年は、多数の電子放出素子を平面基板上
に配置した電子源を用いた平面状ディスプレイの開発が
進み、真空度の確保に関して、画像表示部材から発生し
たガスが、ゲッタのところまで拡散する前に電子源に到
達し、局所的な圧力上昇とそれに伴う電子源劣化を引き
起こすことが特徴的な問題となっている。

【０００５】この問題を解決するため、特定の構造を有
する平板状画像表示装置では、画像表示領域内にゲッタ
材を配置して、発生したガスを即座に吸着できるように
した構成が提案されている。

【０００６】例えば、特開平４−１２４３６号公報で
は、電子ビームを引き出すゲート電極を有する電子源に
おいて、該ゲート電極をゲッタ材で形成する方法が開示
されており、円錐状突起を陰極とする電界放出型の電子
源と、ｐｎ接合を有する半導体電子源が例示されてい
る。また、特開昭６３−１８１２４８号公報では、カソ
ード（陰極）群と真空容器のフェースプレートとの間
に、電子ビームを制御するための電極（グリッドなど）
を配置する構造の平板状ディスプレイにおいて、この制
御用電極上にゲッタ材の膜を形成する方法が開示されて
いる。

【０００７】また、米国特許５，４５３，６５９号”Ａ
ｎｏｄｅ Ｐｌａｔｅ ｆｏｒ Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ
Ｄｉｓｐｌａｙ ｈａｖｉｎｇ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅ
ｄＧｅｔｔｅｒ”，ｉｓｓｕｅｄ ２６ Ｓｅｐｔ．１
９９５ ｔｏ Ｗａｌｌａｃｅ ｅｔ ａｌ．では、画
像表示部材（アノードプレート）上の、ストライプ状の
蛍光体同士の隙間にゲッタ部材を形成したものが開示さ
れている。この例では、ゲッタ材は、蛍光体及びそれと
電気的に接続された導電体と電気的に分離されており、
ゲッタに適当な電位を与えて電子源の放出した電子を照
射・加熱することで、ゲッタの活性化を行うものであ
る。

【０００８】また、特開平９−８２２４５号公報には、
メタルバック側、あるいは、電子源基板側にゲッタ部材
を形成することが開示されており、更には、ゲッタの活
性化の手法として、ゲッタの活性化のための専用のヒー
タ配線を敷設しこのヒータを加熱したり、ゲッタに電子
線照射したりすることでゲッタの活性化を行うことが開
示されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】以上述べた画像表示装
置において、より多くのゲッタ部材を装置の真空容器内
に配置することにより、真空容器内で発生するガスによ
る電子源の劣化をある程度防ぐことは可能ではあるが、
ゲッタ部材の配置方法に何らかの工夫が施されなけれ
ば、真空容器内で発生するガスを効率良く吸着させ難
く、電子源の経時的な劣化を招いたり、表示画像の経時
的な輝度ばらつきを招いたりしてしまう場合がある。

【００１０】本発明は、電子源の経時的な電子放出特性
の低下の少ない画像表示装置及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。

【００１１】また、本発明は、輝度の経時的な変化（経
時的低下）の少ない画像表示装置及びその製造方法を提
供することを目的とする。

【００１２】また、本発明は、画像表示領域内での経時
的な輝度のばらつきの発生の少ない画像表示装置及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成すべく
成された本発明の構成は、以下の通りである。

【００１４】即ち、本発明は、間隔を置いて配置された
第１の基板と第２の基板とを含む部材で構成された外囲
器と、該外囲器内に、前記第１の基板上に配置された電
子源と、前記第２の基板上に配置された蛍光膜及び加速
電極とを備える画像表示装置において、前記外囲器内の
画像表示領域内に配置された第１のゲッタと、前記電子
源及び前記加速電極と絶縁され、かつ、前記第１のゲッ
タを囲むように配置された第２のゲッタとを有すること
を特徴としているものである。

【００１５】上記本発明の画像表示装置は、さらなる特
徴として、「前記第１のゲッタは、非蒸発型ゲッタであ
る」こと、「前記第１のゲッタは、非蒸発型ゲッタであ
り、前記第２のゲッタは、蒸発型ゲッタである」こと、
「前記第１のゲッタ及び前記第２のゲッタは、いずれも
非蒸発型ゲッタである」こと、「前記第１のゲッタは、
前記第１の基板側に配置されている」こと、「前記第１
のゲッタは、前記第１の基板上に配置された電子源が備
える配線上に配置されている」こと、「前記第１のゲッ
タは、前記第１の基板上に配置された電子源が備える印
刷配線上に配置されている」こと、「前記第１のゲッタ
は、前記第２の基板側に配置されている」こと、「前記
第１のゲッタは、前記第２の基板上に配置された加速電
極上に配置されている」こと、「前記第１のゲッタは、
前記第２の基板上に配置された蛍光膜が備える黒色部材
上に配置されている」こと、「前記第２のゲッタは、前
記第１の基板側に配置されている」こと、「前記第２の
ゲッタは、前記第２の基板側に配置されている」こと、
を含むものである。

【００１６】また、本発明は、間隔を置いて配置された
第１の基板と第２の基板とを含む部材で構成された外囲
器と、該外囲器内に、前記第１の基板上に配置された電
子源と、前記第２の基板上に配置された蛍光膜及び加速
電極とを備える画像表示装置において、前記電子源が備
える配線は印刷法により形成された配線であって、該配
線上にゲッタが配置されていることを特徴としているも
のである。ここで、前記配線は、走査側配線と信号側配
線とからなり、前記ゲッタは前記走査側配線上に配置さ
れていることが好ましい。

【００１７】また、本発明の画像表示装置は、さらなる
特徴として、「前記電子源は、複数の行方向配線及び複
数の列方向配線によってマトリクス配線された複数の電
子放出素子を備えている」こと、「前記電子放出素子
は、表面伝導型電子放出素子である」こと、を含むもの
である。

【００１８】また、本発明は、間隔を置いて配置された
第１の基板と第２の基板とを含む部材で構成された外囲
器と、該外囲器内に、前記第１の基板上に配置された電
子源と、前記第２の基板上に配置された蛍光膜及び加速
電極と、ゲッタとを備える画像表示装置の製造方法にお
いて、前記外囲器を構成する複数の部材を貼り合わせる
封着工程を有し、該封着工程の前に前記第１の基板上あ
るいは前記第２の基板上に配置されたゲッタの活性化処
理が、該封着工程が終了するまでに行われることを特徴
としているものである。

【００１９】上記本発明の画像表示装置の製造方法は、
さらなる特徴として、「前記ゲッタは、非蒸発型ゲッタ
である」こと、「前記ゲッタの活性化処理は、該ゲッタ
にレーザ光を照射することにより行われる」こと、「更
に、前記封着工程の後、再度前記ゲッタの活性化処理が
行われる」こと、を含むものである。

【００２０】尚、本発明において、第１のゲッタが配置
されている画像表示領域とは、第２の基板側の蛍光膜が
形成されている領域、第１の基板側の、上記蛍光膜が形
成されている領域に対面する領域、及び、これら両領域
に挟まれる空間領域のいずれをも意味する。

【００２１】また、本発明において、第１のゲッタを囲
むように配置される第２のゲッタは、第１のゲッタが配
置されている領域を挟むようにその領域周辺に、また
は、第１のゲッタが配置されている領域を取り囲むよう
にその領域周囲に、あるいは、上記画像表示領域を挟む
ように画像表示領域外の周辺に、または、上記画像表示
領域を取り囲むように画像表示領域外の周囲に、いずれ
の場合も第１の基板上の電子源及び第２基板上の加速電
極と電気的に絶縁された状態で配置される。

【００２２】本発明において、上記の第１及び第２のゲ
ッタの配置は、外囲器自体を構成する各部材、更には、
外囲器内に配置された各部材のうち、上記画像表示領域
の外側に位置する各部材から発生するガスが、上記画像
表示領域内の第１のゲッタに到達し吸着される前に、こ
の第１のゲッタを囲むように配置されている第２のゲッ
タに速やかに吸着され、画像表示領域内に配置された第
１のゲッタの負担を低減することができる。そのため、
電子源駆動時に、画像表示領域内においてより多く発生
するガスを上記第１のゲッタで効率よく速やかに吸着す
ることができ、外囲器内の真空度を良好に維持できるの
で、電子放出素子からの電子放出量が経時的に安定させ
ることができる。

【００２３】また、本発明において、上記画像表示領域
内に配置されている第１のゲッタは、電子源の配線上に
配置されていることが好ましい。更には、配線が印刷法
により形成された印刷配線であることは、ゲッタの吸着
速度及び吸着総量を増加することができる他、電子放出
素子駆動中の放電を防止することができより好ましい。

【００２４】また、本発明において、外囲器を構成する
複数の部材を貼り合わせる封着工程の前に第１の基板上
あるいは第２の基板上にゲッタを配置しておき、上記封
着工程が終了するまでに、上記ゲッタの活性化処理を行
っておくことは、封着工程時に、外囲器を構成する複数
の部材を貼り合わせるための接着剤から発生するガスを
ゲッタにより吸着することができるので、封着工程時の
上記発生ガスによる電子源の電子放出特性の低下を極力
抑えることができる。また、封着工程終了までに、上記
ゲッタのうちとりわけ、第１のゲッタを囲むように配置
されている第２のゲッタを活性化処理しておくことは、
上記発生ガスによる第１のゲッタの吸着能の低下を極力
抑えることができるので、電子源駆動時に、画像表示領
域内においてより多く発生するガスを上記第１のゲッタ
で効率よく速やかに吸着することができ、外囲器内の真
空度を良好に維持できるので、電子放出素子からの電子
放出量が経時的に安定させることができる。尚、本発明
においては、電子源駆動時において発生するガスに対し
て、外囲器内に配置されているゲッタが十分な吸着能を
もつように、上記封着工程後に再度ゲッタの活性化処理
がなされることがより好ましい。

【００２５】

【発明の実施の形態】本発明を適用し得る基本的構成に
ついて、いくつかの好ましい実施形態を例に挙げ以下に
説明する。

【００２６】図１は、本発明の画像表示装置の第１の実
施形態を模式的に示すものである。１は電子源基板で、
この電子源基板１上には、複数の電子放出素子１１０
が、複数の行方向配線（上配線）１０２及び複数の列方
向配線（下配線）１０３によってマトリクス配線された
電子源が配置されている。ここで、電子放出素子１１０
は、例えば、一対の電極と、該一対の電極間に配置され
た、電子放出部を有する導電性膜とを備える電子放出素
子であって、本実施形態においては、図２の（ａ）、
（ｂ）で示されるように、間隙１１６を介して配置され
た一対の導電性膜１０８と、一対の導電性膜１０８にそ
れぞれ電気的に接続された一対の素子電極１０５、１０
６とを備える表面伝導型電子放出素子が用いられてい
る。ここで、図２の（ａ）は平面図、図２の（ｂ）は図
２の（ａ）の断面図である。尚、図２に示される表面伝
導型電子放出素子は、導電性膜１０８上に炭素膜を有す
る形態の素子であることがより好ましい。

【００２７】また、図１において、２は上記電子源基板
１が固定されたリアプレート、３は支持枠、４はフェー
スプレートであり、フリットガラスなどを用いて互いに
接着され、外囲器５を形成している。

【００２８】また、外囲器５内の９は第１のゲッタであ
る非蒸発型ゲッタ（ＮＥＧ）、１４は第２のゲッタであ
るゲッタを保持したコンテナである。

【００２９】フェースプレート４は、ガラスなどの透明
基板６の上に蛍光膜７およびメタルバック８が形成され
ている。蛍光膜７は白黒画像の場合には、蛍光体のみか
らなるが、カラー画像を表示する場合には、赤、緑、青
の３原色の蛍光体によりピクセルが形成され、その間を
黒色導電材で分離した構造とする。黒色導電材はその形
状により、ブラックストライプ、ブラックマトリクスな
どと呼ばれる。詳細は後述する。

【００３０】メタルバック８はＡｌなどの導電性の薄膜
により構成される。メタルバック８は、蛍光体から発生
した光のうち、電子源基板１の方に進む光をフェースプ
レート４側の透明基板６の方向に反射して輝度を向上さ
せるとともに、外囲器５内に残留したガスが、電子線に
より電離され生成したイオンの衝撃によって、蛍光体が
損傷を受けるのを防止する働きもある。またフェースプ
レート４の画像表示領域に導電性を与えて、電荷が蓄積
されるのを防ぎ、電子源に対してアノード電極の役割を
果たすものである。

【００３１】続いて蛍光膜７について説明する。図３の
（ａ）は、蛍光体１３がストライプ状に並べられた場合
で、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体１
３が順に形成され、その間が黒色部材である黒色導電材
１２によって分離されている。この場合、黒色導電材１
２の部分はブラックストライプと呼ばれる。図３の
（ｂ）は、蛍光体１３のドットが格子状に並び、その間
を黒色導電材１２によって分離したものである。この場
合には、黒色導電材１２はブラックマトリクスと呼ばれ
る。蛍光体１３の各色の配置方法は数種あり、これに応
じてドットの並び型は、図示した三角格子のほか、正方
格子などを採用する場合もある。

【００３２】透明基板６上への黒色導電材１２と蛍光体
１３のパターニング法としては、スラリー法や印刷法な
どが使用できる。蛍光膜７を形成した後、さらにＡｌな
どの金属を形成し、メタルバック８とする。

【００３３】図４の（ａ）、（ｂ）は、２次元的に配置
された表面伝導型電子放出素子を、マトリクス配線で接
続した電子源の構成の一部を模式的に示したものであ
る。図４の（ａ）は平面図、図４の（ｂ）は図４の
（ａ）中のＡ−Ａ’に沿った断面図である。

【００３４】１はガラス等からなる絶縁性の基板、１０
２は行方向配線（上配線）、１０３は列方向配線（下配
線）である。行方向配線１０２及び列方向配線１０３
は、各表面伝導型電子放出素子の素子電極１０６及び１
０５にそれぞれ接続されている。

【００３５】列方向配線１０３は基板１上に設置され、
さらにその上に絶縁層１０４が形成され、その上に行方
向配線１０２、素子電極１０５，１０６、導電性膜１０
８が形成され、列方向配線１０３と素子電極１０５はコ
ンタクトホール１０７を介して接続される。

【００３６】上記各種配線等は、スパッタ法、真空蒸着
法、メッキ法などの各種薄膜堆積法と、フォトリソグラ
フィー技術の組み合わせ、あるいは印刷法などにより形
成される。

【００３７】また、本実施形態においては、第１のゲッ
タとして非蒸発ゲッタ９が、上記蛍光膜７が形成されて
いる領域に対面する、基板１側の領域（画像表示領域
Ｘ）内の行方向配線１０２上に配置されている。

【００３８】本実施形態における上記非蒸発型ゲッタ９
の配置場所としては、上記行方向配線１０２上のほか
に、上記画像表示領域Ｘ内の列方向配線１０３上、フェ
ースプレート４側の上記蛍光膜７が形成されている領域
に対応するメタルバック８上の領域内、あるいは、前記
メタルバック上の領域内の黒色導電材１２に対応する領
域上が挙げられる。非蒸発型ゲッタ９の設置は、上述し
た場所のいずれか一つの場所に行っても良いし、複数の
場所に行っても良い。また、設置位置は、画像表示領域
内全域に万遍なく分散して配置されることが望ましい。

【００３９】ここで、上記の非蒸発型ゲッタとしては、
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ，
Ｔｈ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｍｎのうちから選ばれる一種以上の
金属、またはその合金からなるものが使われ、適当なマ
スクをのせて真空蒸着法またはスパッタリング法によっ
て製造可能である。

【００４０】更に、本実施形態においては、第２のゲッ
タとしてゲッタ１５ａを保持したコンテナ１４が、上記
第１のゲッタである非蒸発型ゲッタ９を取り囲むように
その周囲の画像表示領域外に中空状態で保持されて設置
される。このコンテナ１４としては、直線のワイヤー
状、リング状のものなどを用いることができ、これに保
持されるゲッタ１５ａとしては、上記非蒸発型ゲッタ
材、あるいは、Ｂａを主成分とした蒸発型のゲッタ材を
用いることができる。また、上記第２のゲッタは、上記
第１のゲッタを挟むようにその周辺の画像表示領域外に
配置されるものであっても後述する本実施形態の効果を
奏する。しかしながら、上記第２のゲッタは、図１に示
すように上記第１のゲッタを取り囲むようにその周囲の
画像表示領域外に配置されているほうが、その効果はよ
り大きいので好ましい。

【００４１】基板１を固定したリアプレート２、支持枠
３およびフェースプレート４の接合は、接合部にフリッ
トガラスを付け、４００〜４５０℃に加熱して行う。実
際の操作としては、フリットガラス中にバインダーとし
て含まれる成分を除去するために、まず酸素を含む雰囲
気中で、低温での加熱焼成（この工程を「仮焼成」と呼
ぶ。）を行う。この時の酸素濃度と温度は可能な範囲で
下げることが望ましい。具体的な条件はフリットの種類
によって異なるが、温度については２５０℃以下が望ま
れる。この後、Ａｒなどの不活性ガス（ｉｎｅｒｔ ｇ
ａｓ）中で、４００〜４５０℃の加熱処理を行い、接合
部を溶着する（封着工程）。

【００４２】この後、外囲器５の内部を一度排気して
（真空形成工程）、基板１上の電子源の活性化処理など
の必要な処理（電子源の活性化工程）を行う。続いて、
外囲器５の内部の、排気と加熱脱ガス（ベーキング工
程）により、外囲器５の内部に十分な真空を確保し、さ
らに続いて、真空形成用に外囲器に設けられている不図
示の排気管をバーナーで加熱して封じ切る（封止工
程）。尚、上記ベーキング工程により、第１のゲッタで
ある非蒸発型ゲッタ９の活性化処理が行われる。

【００４３】さらに、第２のゲッタの活性化処理を行う
が、これは外囲器５内に設けたコンテナ１４に保持され
ているゲッタ１５ａ（図１では、模式的にワイヤー状ゲ
ッタを表示している）が非蒸発型ゲッタである場合に
は、上記ベーキング工程にて、上記第１のゲッタととも
に活性化処理がなされるが、ゲッタ１５ａがＢａなどの
蒸発型ゲッタである場合には、上記封止工程の後、この
ゲッタ１５ａを加熱して、外囲器５の内壁に蒸着してゲ
ッタ材の膜を形成する処理を行う（ゲッタの「フラッシ
ュ」と言う。）。この時、形成されるゲッタ膜１５ｂ
（図１（ｃ）参照）が、外囲器５内の画像表示領域外に
位置し、基板１上の電子源および電子の加速電極である
メタルバック８に対しそれぞれ絶縁状態で付着するよう
絶縁層１１５を介して形成される。

【００４４】最後に、必要に応じて、好ましくは、非蒸
発型のゲッタ９、更には、ゲッタ１５ａが非蒸発型ゲッ
タである場合にはこのゲッタ１５ａも、２５０℃以上４
５０℃以下の熱処理を行い再度、活性化処理を行う。

【００４５】こうして作成された画像表示装置は、外囲
器自体を構成する各部材、更には、外囲器内に配置され
た各部材のうち、上記画像表示領域外に位置する各部材
から発生するガスが、上記画像表示領域内の第１のゲッ
タに到達し吸着される前に、この第１のゲッタを取り囲
んだ画像表示領域外のライン状の第２のゲッタに速やか
に吸着され、画像表示領域内に配置された第１のゲッタ
の負担を低減できる。そのため、電子源駆動時に、画像
表示領域内においてより多く発生するガスを上記第１の
ゲッタで効率よく速やかに吸着することができ、外囲器
内の真空度を良好に維持できるので、電子放出素子から
の電子放出量が経時的に安定する。

【００４６】図５は、本発明の画像表示装置の第２の実
施形態を模式的に示すものである。１は電子源基板で、
この電子源基板１には、複数の電子放出素子１１０が、
複数の行方向配線（上配線）１０２及び複数の列方向配
線（下配線）１０３によってマトリクス配線された電子
源が配置されている。ここで、電子放出素子１１０は第
１の実施形態で述べた表面伝導型電子放出素子である。

【００４７】また、図５において、２はリアプレート、
３は支持枠、４はフェースプレートであり、フリットガ
ラスなどを用いて互いに接着され、外囲器５を形成して
いる。

【００４８】また、外囲器５内の、９は第１のゲッタ
で、非蒸発型ゲッタ（ＮＥＧ）、１４は第２のゲッタ
で、これもまた非蒸発型ゲッタ（ＮＥＧ）である。

【００４９】フェースプレート４は、ガラスなどの透明
基板６の上に蛍光膜７およびメタルバック８が形成され
ており、第１の実施形態で述べたものと同じものが用い
られている。

【００５０】また、本実施形態における、２次元的に配
置された表面伝導型電子放出素子を、マトリクス配線で
接続した電子源の構成は、前述の図４の（ａ）、（ｂ）
で模式的に示された第１の実施形態のものと同様であ
る。

【００５１】また、本実施形態においても、第１のゲッ
タとして非蒸発型ゲッタ９が、上記蛍光膜７が形成され
ている領域に対面する、基板１側の領域（画像表示領域
X）内の行方向配線１０２上に配置されている。

【００５２】本実施形態においても前述の第１の実施形
態と同様に、上記第１のゲッタの配置場所としては、上
記行方向配線１０２上のほかに、上記画像表示領域Ｘ内
の列方向配線１０３上、フェースプレート４側の上記蛍
光膜７が形成されている領域に対応するメタルバック８
上の領域内、あるいは、前記メタルバック上の領域内の
黒色導電材１２に対応する領域上が挙げられ、上述した
場所のいずれか一つの場所に配置しても良いし、複数の
場所に配置しても良い。また、設置位置は、画像表示領
域内に万遍なく分散して配置されることが望ましい。

【００５３】また、本実施形態においても、画像表示領
域外に更に、第２のゲッタが配置される。

【００５４】本実施形態において、上記第２のゲッタは
非蒸発型ゲッタ１４であり、上記第１のゲッタである非
蒸発型ゲッタ９を挟むようにその周辺の画像表示領域外
の基板１上に、絶縁体１１５を介して配置されている。
第２のゲッタである非蒸発型ゲッタ１４を設置する位置
としては、電子の加速電極としてのメタルバック８及び
基板１上の電子源に対し絶縁されてあれば、フェースプ
レート４上、電子源基板１上、あるいは電子源基板１を
固定したリアプレート２上に、上記第１のゲッタを挟む
ようにその周辺、あるいは、上記第１のゲッタを取り囲
むようにその周囲に設置しても良い。尚、上記第２のゲ
ッタは、図１に示される第１の実施形態にて述べた通
り、上記第１のゲッタを取り囲むようにその周囲の画像
表示領域外に配置したほうが、本実施形態での後述する
効果はより大きいので好ましい。

【００５５】上記の第１及び第２の非蒸発型ゲッタとし
ては、前述した第１の実施形態と同様のゲッタが同様の
製造方法にて使用できる。

【００５６】電子源１を固定したリアプレート２、支持
枠３およびフェースプレート４の接合は、接合部にフリ
ットガラスを付け、４００〜４５０℃に加熱して行う。
実際の操作としては、フリットガラス中にバインダーと
して含まれる成分を除去するために、まず酸素を含む雰
囲気中で、低温での加熱焼成（この工程を「仮焼成」と
呼ぶ。）を行う。この時の酸素濃度と温度は可能な範囲
で下げることが望ましい。具体的な条件はフリットの種
類によって異なるが、温度については２５０℃以下が望
まれる。この後、Ａｒなどの不活性ガス（ｉｎｅｒｔ
ｇａｓ）中で、４００〜４５０℃の加熱処理を行い、接
合部を溶着する（封着工程）。この封着工程が終了する
までに、画像表示領域外の非蒸発型ゲッタ１４の活性化
工程を行う。この活性化工程は、上記封着工程の際のフ
リットから発生するガスを画像表示領域外の非蒸発型ゲ
ッタ１４で吸収させて、画像表示領域内の電子源の電子
放出特性の低下や非蒸発型ゲッタ９の劣化を防止するも
のである。本実施形態においては、この非蒸発型ゲッタ
の活性化を、非蒸発型ゲッタにレーザ光を照射すること
により行う。

【００５７】この後、外囲器５の内部を一度排気して
（真空形成工程）、基板１上の電子源１の活性化処理な
どの必要な処理（電子源活性化工程）を行う。続いて、
外囲器５の内部の、排気と加熱脱ガス（ベーキング工
程）により、外囲器５の内部に十分な真空を確保し、さ
らに続いて、真空形成用に外囲器に設けられている不図
示の排気管をバーナーで加熱して封じ切る（封止工
程）。

【００５８】さらに、必要に応じて、好ましくは、ゲッ
タの活性化処理を行う。この活性化処理として非蒸発型
のゲッタ９，１４を２５０℃以上４５０℃以下で熱処理
するのが好ましく、３００℃以上４００℃以下での熱処
理がより好ましい。この封着工程後のゲッタの活性化工
程は、ゲッタ材が非蒸発型ゲッタのみで構成されている
ため、蒸発型ゲッタを組み込む工程およびゲッタフラッ
シュ工程を必要とせず、熱工程でできるので歩留り良く
活性化できる。

【００５９】こうして作成した画像表示装置は、外囲器
自体を構成する各部材、更には、外囲器内に配置された
各部材のうち、上記画像表示領域外に位置する各部材か
ら発生するガスが、上記画像表示領域内の第１のゲッタ
に到達し吸着される前に、この第１のゲッタを少なくと
も２辺で挟む画像表示領域外のライン状の第２のゲッタ
に速やかに吸着され、画像表示領域内に配置された第１
のゲッタの負担を低減できる。そのため、電子源駆動時
に、画像表示領域内においてより多く発生するガスを上
記第１のゲッタで効率よく速やかに吸着することがで
き、外囲器内の真空度を良好に維持できるので、電子放
出素子からの電子放出量が経時的に安定する。尚、本実
施形態における上記第２のゲッタは、上記第１の実施形
態にて述べた通り、第１のゲッタを４辺で取り囲むライ
ン状のゲッタであることが上記効果の点でより好まし
い。

【００６０】図６は、本発明の画像表示装置の第３の実
施形態を模式的に示すものである。１は電子源基板で、
この電子源基板１上には、複数の電子放出素子１１０
が、複数の行方向配線（上配線）１０２及び複数の列方
向配線（下配線）１０３によってマトリクス配線された
電子源が配置されている。ここで、電子放出素子１１０
は第１及び第２の実施形態で述べた表面伝導型電子放出
素子である。

【００６１】また、図６において、２はリアプレート、
３は支持枠、４はフェースプレートであり、フリットガ
ラスなどを用いて互いに接着され、外囲器５を形成して
いる。

【００６２】また、外囲器５内の、１０９ａ、１０９ｂ
は非蒸発型ゲッタ（ＮＥＧ）である。

【００６３】フェースプレート４は、ガラスなどの透明
基板６の上に蛍光膜７およびメタルバック８が形成され
てあり、第１の実施形態で述べたものと同じものが用い
られている。

【００６４】図７、図８は、２次元的に配置された表面
伝導型電子放出素子を、マトリクス配線で接続した、本
実施形態における電子源基板１の構成の一部を模式的に
示したものである。図７は平面図、図８は図７中のＡ−
Ａ’に沿った断面図である。

【００６５】１はガラス等からなる絶縁性の基板、１０
２は行方向配線（上配線）、１０３は列方向配線（下配
線）である。行方向配線１０２及び列方向配線１０３
は、各表面伝導型電子放出素子の素子電極１０６及び１
０５にそれぞれ接続されている。

【００６６】列方向配線１０３と行方向配線１０２の交
差部は、列方向配線１０３の上に絶縁層１０４が形成さ
れ、その上に行方向配線１０２が形成されている。

【００６７】行方向配線１０２及び列方向配線１０３は
オフセット印刷法、あるいは、スクリーン印刷法などの
印刷法で形成され、素子電極１０５，１０６及び導電性
膜１０８はフォトリソプロセスと真空蒸着法を組み合わ
せたもの、メッキ法、印刷法、金属を溶液に溶かし液滴
で付与し焼成する方法等で形成される。

【００６８】この電子源基板１の配線上には非蒸発型ゲ
ッタ（ＮＥＧ）１０９ａ，１０９ｂが形成されている。
本実施形態においては、行方向配線１０２及び列方向配
線１０３の両配線上に非蒸発型ゲッタが形成されている
が、いずれか一方の配線上のみであっても良い。いずれ
か一方の配線上のみに形成する場合、好ましくは、単純
マトリクス駆動において、走査側配線上に形成すること
が望ましい。これは単純マトリクス駆動の際、信号側配
線より走査側配線の方が電流容量が大きいことが好まし
く、必然的に走査側配線の幅が広くなり、非蒸発型ゲッ
タの形成面積を大きくできるからである。また、この非
蒸発型ゲッタは、画像表示領域内全域に、万遍なく分散
して配置されることが望ましい尚、本実施形態において
も、前述した第１及び第２の実施形態と同様に、画像表
示領域外に更に第２のゲッタが配置されていることは、
第１及び第２の実施形態において説明した同様の効果を
得ることができるのでより好ましい形態である。

【００６９】配線上に形成する上記非蒸発型ゲッタ（Ｎ
ＥＧ）としては、前述した第１の実施形態と同様の材料
が同様の製造方法にて使用することができる。

【００７０】本実施形態においては、前述のように印刷
法によって配線が形成され、かかる配線の表面形状は蒸
着膜、スパッタ膜に比べ凹凸があり、よって、その上に
形成した非蒸発型ゲッタの表面積が大きくなり、非蒸発
型ゲッタの吸着速度及び吸着総量が増加する。さらに配
線上の凹凸により非蒸発型ゲッタの密着性が向上し、電
子放出素子近傍への非蒸発型ゲッタの脱落による電子放
出素子駆動中の放電等の原因を防止する効果もある。

【００７１】よって配線の凹凸が比較的大きい配線が好
ましく、印刷配線形成後、サンドブラスト等で意図的に
凹凸をつけるプロセスも有効である。また、製造面にお
いても印刷法はフォトリソプロセスと真空蒸着に比較
し、低コストであり、大面積への対応が容易である。

【００７２】上述のような構成を有する電子源基板１を
固定したリアプレート２、支持枠３およびフェースプレ
ート４の接合は、接合部にフリットガラスを付け、４０
０〜４５０℃に加熱して行う。実際の操作としては、フ
リットガラス中にバインダーとして含まれる成分を除去
するために、まず酸素を含む雰囲気中で、低温での加熱
焼成（この工程を「仮焼成」と呼ぶ。）を行う。この時
の酸素濃度と温度は可能な範囲で下げることが望まし
い。具体的な条件はフリットの種類によって異なるが、
温度については２５０℃以下が望まれる。この後、Ａｒ
などの不活性ガス（ｉｎｅｒｔ ｇａｓ）中で、４００
〜４５０℃の加熱処理を行い、接合部を溶着する（封着
工程）。

【００７３】この後、外囲器５の内部を一度排気して
（排気工程）、電子源基板１に形成された電子放出素子
の活性化処理などの必要な通電処理を行う。続いて外囲
器５内の排気と加熱脱ガス（ベーキング工程）により、
外囲器５の内部に十分な真空を確保し、さらに真空形成
用に外囲器に設けられている不図示の排気管をバーナー
で加熱して封じ切る（封止工程）。さらに、ゲッタの活
性化処理を行うが、この活性化処理として非蒸発型ゲッ
タ１０９ａ，１０９ｂを２５０℃以上４５０℃以下で熱
処理するのが好ましい。この非蒸発型ゲッタ１０９ａ，
１０９ｂの活性化処理は、封着工程後に少なくとも一度
行えば良く、上記ベーキング工程で兼ねても良い。

【００７４】次に、上記の画像表示装置により、ＮＴＳ
Ｃ方式のテレビ信号に基づいたテレビジョン表示を行う
為の駆動回路の構成例について、図９を用いて説明す
る。図９において、８１は画像表示装置、８２は走査回
路、８３は制御回路、８４はシフトレジスタ、８５はラ
インメモリ、８６は同期信号分離回路、８７は変調信号
発生器、Ｖｘ及びＶａは直流電圧源である。

【００７５】画像表示装置８１は、端子Ｄ_ox1乃至
Ｄ_oxm、端子Ｄ_oy1乃至Ｄ_oyn及び高圧端子Ｈｖを介して
外部の電気回路と接続している。

【００７６】端子Ｄ_ox1乃至Ｄ_oxmには、画像表示装置８
１内に設けられている電子源、即ち、ｍ行ｎ列の行列状
にマトリクス配線された表面伝導型電子放出素子群を１
行（ｎ素子）づつ順次駆動する為の走査信号が印加され
る。

【００７７】端子Ｄ_oy1乃至Ｄ_oynには、前記走査信号に
より選択された１行の表面伝導型電子放出素子の各素子
の出力電子ビームを制御する為の変調信号が印加され
る。

【００７８】高圧端子Ｈｖには、直流電圧源Ｖａより、
例えば１０ｋＶの直流電圧が供給されるが、これは表面
伝導型電子放出素子から放出される電子ビームに、蛍光
体を励起するのに十分なエネルギーを付与する為の加速
電圧である。

【００７９】走査回路８２について説明する。同回路
は、内部にｍ個のスイッチング素子（図中、Ｓ₁乃至Ｓ_m
で模式的に示している）を備えたものである。各スイッ
チング素子は、直流電圧電源Ｖｘの出力電圧もしくは０
［Ｖ］（グランドレベル）のいずれか一方を選択し、画
像表示装置８１の端子Ｄ_ox1乃至Ｄ_oxmと電気的に接続さ
れる。各スイッチング素子Ｓ₁乃至Ｓ_mは、制御回路８３
が出力する制御信号Ｔscanに基づいて動作するものであ
り、例えばＦＥＴのようなスイッチング素子を組み合わ
せることにより構成することができる。

【００８０】直流電圧源Ｖｘは、本例の場合には表面伝
導型電子放出素子の特性（電子放出しきい値電圧）に基
づき、走査されていない素子に印加される駆動電圧が電
子放出しきい値電圧以下となるような一定電圧を出力す
るよう設定されている。

【００８１】制御回路８３は、外部より入力される画像
信号に基づいて適切な表示が行われるように、各部の動
作を整合させる機能を有する。制御回路８３は、同期信
号分離回路８６より送られる同期信号Ｔsyncに基づい
て、各部に対してＴscan，Ｔsft及びＴmryの各制御信号
を発生する。

【００８２】同期信号分離回路８６は、外部から入力さ
れるＮＴＳＣ方式のテレビ信号から、同期信号成分と輝
度信号成分とを分離するための回路で、一般的な周波数
分離（フィルター）回路等を用いて構成できる。同期信
号分離回路８６により分離された同期信号は、垂直同期
信号と水平同期信号より成るが、ここでは説明の便宜上
Ｔsync信号として図示した。前記テレビ信号から分離さ
れた画像の輝度信号成分は、便宜上ＤＡＴＡ信号と表し
た。このＤＡＴＡ信号は、シフトレジスタ８４に入力さ
れる。

【００８３】シフトレジスタ８４は、時系列的にシリア
ルに入力される前記ＤＡＴＡ信号を、画像の１ライン毎
にシリアル／パラレル変換するためのもので、前記制御
回路８３より送られる制御信号Ｔsftに基づいて動作す
る（即ち、制御信号Ｔsftは、シフトレジスタ８４のシ
フトクロックであると言い換えてもよい。）。シリアル
／パラレル変換された画像１ライン分のデータ（電子放
出素子ｎ素子分の駆動データに相当）は、Ｉ_d1乃至Ｉ_dn
のｎ個の並列信号として前記シフトレジスタ８４より出
力される。

【００８４】ラインメモリ８５は、画像１ライン分のデ
ータを必要時間の間だけ記憶する為の記憶装置であり、
制御回路８３より送られる制御信号Ｔmry に従って適宜
Ｉd1乃至Ｉdnの内容を記憶する。記憶された内容は、Ｉ
_{d ’ 1}乃至Ｉ_{d ’ n}として出力され、変調信号発生器８７に
入力される。

【００８５】変調信号発生器８７は、画像データＩ_{d ’ 1}
乃至Ｉ_{d ’ n}の各々に応じて、電子放出素子の各々を適切
に駆動変調する為の信号源であり、その出力信号は、端
子Ｄ _oy1乃至Ｄ_oynを通じて画像表示装置８１内の表面伝
導型電子放出素子に印加される。

【００８６】本発明を適用可能な電子放出素子は放出電
流Ｉeに関して以下の基本特性を有している。即ち、電
子放出には明確なしきい値電圧Ｖthがあり、Ｖth以上の
電圧が印加された時のみ電子放出が生じる。電子放出し
きい値以上の電圧に対しては、素子への印加電圧の変化
に応じて放出電流も変化する。このことから、本素子に
パルス状の電圧を印加する場合、例えば電子放出しきい
値以下の電圧を印加しても電子放出は生じないが、電子
放出しきい値以上の電圧を印加する場合には電子ビーム
が出力される。その際、パルスの波高値Ｖｍを変化させ
ることにより、出力電子ビームの強度を制御することが
可能である。また、パルスの幅Ｐｗを変化させることに
より、出力される電子ビームの電荷の総量を制御するこ
とが可能である。

【００８７】従って、入力信号に応じて電子放出素子を
変調する方式としては、電圧変調方式とパルス幅変調方
式等が採用できる。電圧変調方式を実施するに際して
は、変調信号発生器８７としては、一定長さの電圧パル
スを発生し、入力されるデータに応じて適宜電圧パルス
の波高値を変調できるような電圧変調方式の回路を用い
ることができる。

【００８８】パルス幅変調方式を実施するに際しては、
変調信号発生器８７として、一定の波高値の電圧パルス
を発生し、入力されるデータに応じて適宜電圧パルスの
幅を変調するようなパルス幅変調方式の回路を用いるこ
とができる。

【００８９】シフトレジスタ８４やラインメモリ８５
は、デジタル信号式のものでもアナログ信号式のもので
も採用できる。画像信号のシリアル／パラレル変換や記
憶が所定の速度で行なわれれば良いからである。

【００９０】デジタル信号式を用いる場合には、同期信
号分離回路８６の出力信号ＤＡＴＡをデジタル信号化す
る必要があるが、これには同期信号分離回路８６の出力
部にＡ／Ｄ変換器を設ければ良い。これに関連してライ
ンメモリ８５の出力信号がデジタル信号かアナログ信号
かにより、変調信号発生器８７に用いられる回路が若干
異なったものとなる。即ち、デジタル信号を用いた電圧
変調方式の場合、変調信号発生器８７には、例えばＤ／
Ａ変換回路を用い、必要に応じて増幅回路等を付加す
る。パルス幅変調方式の場合、変調信号発生器８７に
は、例えば高速の発振器及び発振器の出力する波数を計
数する計数器（カウンタ）及び計数器の出力値と前記メ
モリの出力値を比較する比較器（コンパレータ）を組み
合わせた回路を用いる。必要に応じて、比較器の出力す
るパルス幅変調された変調信号を電子放出素子の駆動電
圧にまで電圧増幅するための増幅器を付加することもで
きる。

【００９１】アナログ信号を用いた電圧変調方式の場
合、変調信号発生器８７には、例えばオペアンプ等を用
いた増幅回路を採用でき、必要に応じてレベルシフト回
路等を付加することもできる。パルス幅変調方式の場合
には、例えば電圧制御型発振回路（ＶＣＯ）を採用で
き、必要に応じて表面伝導型電子放出素子の駆動電圧に
まで電圧増幅するための増幅器を付加することもでき
る。

【００９２】このような構成をとり得る本発明の画像表
示装置においては、各電子放出素子に、容器外端子Ｄ
_ox1乃至Ｄ_oxm、Ｄ_oy1乃至Ｄ_oynを介して電圧を印加する
ことにより、電子放出が生じる。高圧端子Ｈｖを介して
メタルバック８あるいは透明電極（不図示）に高圧を印
加し、電子ビームを加速する。加速された電子は、蛍光
膜７に衝突し、発光が生じて画像が表示される。

【００９３】ここで述べた画像表示装置の構成は、本発
明を適用可能な画像表示装置の一例であり、本発明の技
術思想に基づいて種々の変形が可能である。入力信号に
ついてはＮＴＳＣ方式を挙げたが、入力信号はこれに限
られるものではなく、ＰＡＬ、ＳＥＣＡＭ方式等の他、
これらよりも多数の走査線からなるＴＶ信号（例えば、
ＭＵＳＥ方式をはじめとする高品位ＴＶ）方式をも採用
できる。

【００９４】本発明の画像表示装置は、テレビジョン放
送の表示装置、テレビ会議システムやコンピューター等
の表示装置の他、感光性ドラム等を用いて構成された光
プリンターとしての画像表示装置等としても用いること
ができる。

【００９５】

【実施例】以下、好ましい実施例を挙げて、本発明を更
に詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるも
のではなく、本発明の目的が達成される範囲内での各要
素の置換や設計変更がなされたものをも包含する。

【００９６】［実施例１］本実施例の画像表示装置は、
図１に模式的に示された装置と同様の構成を有し、非蒸
発型ゲッタ（ＮＥＧ）９は、画像表示領域内の、行方向
配線（上配線とも呼ぶ）１０２上のほぼ全面に配置され
ている。

【００９７】

【００９８】また、本実施例の画像表示装置は、基板１
上に、複数（１００行×３００列）の表面伝導型電子放
出素子が、単純マトリクス配線された電子源を備えてい
る。

【００９９】電子源基板１の一部平面図を図１０に示
す。また、同図中のＢ−Ｂ’断面図を図１１（ａ）に、
Ｃ−Ｃ’断面図を図１１（ｂ）示す。但し、図１０、図
１１で同じ符号を付したものは、同じ部材を示す。ここ
で１は電子源基板、１０２は行方向配線（上配線）、１
０３は列方向配線（下配線）、１０８は電子放出部を含
む導電性膜、１０５，１０６は素子電極、１０４は層間
絶縁層、１０７は素子電極１０５と下配線１０３との電
気的接続のためのコンタクトホール、１１５は下配線１
０３上の絶縁層である。

【０１００】以下に、本実施例の画像表示装置の製造方
法について、図１２を参照しつつ説明する。

【０１０１】工程−ａ ガラス基板１を洗剤、純水および有機溶剤を用いて十分
に洗浄した。このガラス基板１の上に厚さ０．５μｍの
シリコン酸化膜をスパッタ法で形成した。次にこの基板
１上に、ホトレジスト（ＡＺ１３７０／ヘキスト社製）
をスピンナーにより回転塗布、ベークした後、ホトマス
ク像を露光、現像して、下配線１０３のレジストパター
ンを形成した。さらに、真空蒸着により、厚さ５ｎｍの
Ｃｒ、厚さ６００ｎｍのＡｕを順次積層した後、Ａｕ／
Ｃｒ堆積膜をリフトオフにより不要の部分を除去して、
所望の形状の下配線１０３を形成した（図１２
（ａ））。

【０１０２】工程−ｂ 次に、厚さ１．０μｍのシリコン酸化膜からなる層間絶
縁層１０４をＲＦスパッタ法により堆積した（図１２
（ｂ））。

【０１０３】工程−ｃ 前記工程ｂで堆積したシリコン酸化膜にコンタクトホー
ル１０７を形成するためのホトレジストパターンを作
り、これをマスクとして層間絶縁層１０４をエッチング
してコンタクトホール１０７を形成した（図１２
（ｃ））。エッチングはＣＦ₄とＨ₂ガスを用いたＲＩＥ
（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）法によ
った。

【０１０４】工程−ｄ コンタクトホール１０７部分以外にレジストを塗布する
ようなパターンを形成し、真空蒸着により厚さ５ｎｍの
Ｔｉ、厚さ５００ｎｍのＡｕを順次堆積した。リフトオ
フにより不要な部分を除去することにより、コンタクト
ホール１０７を埋め込んだ（図１２（ｄ））。

【０１０５】工程−ｅ 素子電極１０５，１０６のパターンをホトレジスト（Ｒ
Ｄ−２０００Ｎ−４１／日立化成社製）で形成し、真空
蒸着法により、厚さ５ｎｍのＴｉ、厚さ１００ｎｍのＮ
ｉを順次堆積した。ホトレジストパターンを有機溶剤で
溶解し、Ｎｉ／Ｔｉ堆積膜をリフトオフし、素子電極間
隔Ｇが３μｍ、素子電極の幅が３００μｍの素子電極１
０５，１０６を形成した（図１２（ｅ））。

【０１０６】工程−ｆ 素子電極１０５，１０６の上に上配線１０２のホトレジ
ストパターンを形成した後、厚さ５ｎｍのＴｉ、厚さ５
００ｎｍのＡｕを順次、真空蒸着により堆積し、リフト
オフにより不要の部分を除去して、所望の形状の上配線
１０２を形成した（図１２（ｆ））。

【０１０７】工程−ｇ 膜厚１００ｎｍのＣｒ膜（不図示）を真空蒸着により堆
積・パターニングし、その上にＰｄアミン錯体の溶液
（ｃｃｐ４２３０／奥野製薬（株）製）をスピンナーに
より回転塗布、３００℃で１０分間の加熱焼成処理をし
た。また、こうして形成された、主元素としてＰｄより
なる微粒子からなる電子放出部形成用の導電性膜１０８
の膜厚は８．５ｎｍ、シート抵抗値は３．９×１０⁴Ω
／□であった（図１２（ｇ））。

【０１０８】工程−ｈ 上記Ｃｒ膜及び焼成後の電子放出部形成用の導電性膜１
０８を酸エッチャントによりウエットエッチングして所
望のパターンを有する導電性膜１０８を形成した（図１
２（ｈ））。

【０１０９】以上の工程により、基板１上に、複数（１
００行×３００列）の電子放出部形成用の導電性膜１０
８と、この複数の導電性膜１０８を単純マトリクス配線
した、複数の上配線１０２及び複数の下配線１０３とを
作成した。

【０１１０】工程−ｘ 更に、メタルマスクを用いて各上配線１０２上に、スパ
ッタリング法によりＺｒ−Ｖ−Ｆｅ合金よりなる非蒸発
型ゲッタ層９を形成した。ゲッタ層９の厚さは２μｍと
なるように調整した。使用したスパッタリングターゲッ
トの組成は、Ｚｒ；７０％，Ｖ；２５％，Ｆｅ；５％
（重量比）である（図１２（ｘ））。

【０１１１】工程−ｉ 次に、図１に示すフェースプレート４を、以下のように
作成した。

【０１１２】ガラス基体６を洗剤、純水および有機溶剤
を用いて十分に洗浄した。この上に、スパッタ法により
ＩＴＯを０．１μｍ堆積し、透明電極（不図示）を形成
した。続いて、印刷法により蛍光膜７を塗布し、表面の
平滑化処理（通常、「フィルミング」と呼ばれる。）し
て、蛍光体部を形成した。なお、蛍光膜７はストライプ
状の蛍光体（Ｒ，Ｇ，Ｂ）１３と、黒色導電材（ブラッ
クストライプ）１２とが交互に配列された図３（ａ）に
示される蛍光膜とした。更に、蛍光膜７の上に、Ａｌ薄
膜からなるメタルバック８をスパッタリング法により
０．１μｍの厚さに形成した。

【０１１３】工程−ｊ 次に、図１に示す外囲器５を、以下のように作成した。

【０１１４】前述の工程により作成された基板１をリア
プレート２上に固定した後、支持枠３、上記フェースプ
レート４を組み合わせ、基板１の下配線１０３及び上配
線１０２を行選択用端子１０及び信号入力端子１１と各
々接続し、基板１とフェースプレート４の位置を厳密に
調整し、封着して外囲器５を形成した。封着の方法は、
接合部にフリットガラスを塗布し、Ａｒガス中４５０
℃、３０分の熱処理を行い接合した。なお、上述の基板
１とリアプレート２の固定も同様の処理により行った。
また、リアプレート２及びフェースプレート４を配置す
る際には、同時に、画像表示領域内の上配線１０２上の
前記非蒸発型ゲッタ９を囲むように画像表示領域外の４
辺にＢａを主成分とする蒸発型ゲッタのワイヤー状ゲッ
タ（コンテナ）１４を中空状態で配置した。

【０１１５】次に、以後の工程を図１３に示される真空
装置を用いて行った。

【０１１６】図１３で示されるように、以上のように作
成された外囲器５は、排気管１２２を介して真空容器１
２３に接続され、該真空容器１２３には、排気装置１２
５が接続されており、その間にゲートバルブ１２４が設
けられている。真空容器１２３には、圧力計１２６、四
重極質量分析器（Ｑ−ｍａｓｓ）１２７が取り付けられ
ており、内部の圧力及び、残留ガスの各分圧をモニタで
きるようになっている。外囲器５内の圧力や分圧を直接
測定することは困難なので、真空容器１２３の圧力と分
圧を測定し、この値を外囲器５内のものとみなす。

【０１１７】排気装置１２５はソープションポンプとイ
オンポンプからなる超高真空用排気装置である。真空容
器１２３には、複数のガス導入装置が接続されており、
物質源１２９に蓄えられた物質を導入することができ
る。導入物質はその種類に応じて、ボンベまたはアンプ
ルに充填されており、ガス導入量制御装置１２８によっ
て導入量が制御できる。ガス導入量制御手段１２８は、
導入物質の種類、流量、必要な制御精度などに応じて、
ニードルバルブ、マスフローコントローラーなどが用い
られる。本実施例では、ガラスアンプルに入れたベンゾ
ニトリルを物質源１２９として用い、ガス導入量制御手
段１２８としては、スローリークバルブを使用した。

【０１１８】以上の真空装置を用いて行った工程につい
て以後、説明する。

【０１１９】工程−ｋ まず、外囲器５の内部を排気し、圧力を１×１０^-3Ｐａ
以下にし、基板１上に配列された前述の複数の電子放出
部形成用の導電性膜１０８に間隙１１６を形成するため
の以下のフォーミング処理と呼ばれる処理を行った。

【０１２０】図１４に示すように、列方向配線１０３を
共通結線してグランドに接続する。１３１は制御装置
で、パルス発生器１３２とライン選択装置１３４を制御
する。１３３は電流計である。ライン選択装置１３４に
より、行方向配線１０２から１ラインを選択し、これに
パルス電圧を印加する。フォーミング処理は行方向の素
子行に対し、１行（３００素子）毎に行った。印加した
パルスの波形は図１５（ａ）に示すような三角波パルス
で、波高値を徐々に上昇させた。パルス幅Ｔ₁＝１ｍｓ
ｅｃ．、パルス間隔Ｔ₂＝１０ｍｓｅｃ．とした。ま
た、三角波パルスの間に、波高値０．１Ｖの矩形波パル
スを挿入し、電流を測ることにより各行の抵抗値を測定
した。抵抗値が３．３ｋΩ（１素子当たり１ＭΩ）を超
えたところで、その行のフォーミングを終了し、次の行
の処理に移った。これを全ての行について行い、全ての
前記導電性膜（電子放出部形成用の導電性膜１０８）の
フォーミングを完了し、各導電性膜１０８に間隙１１６
を形成した（図１２（ｋ））。

【０１２１】工程−ｌ 次に、図１３の真空容器１２３内に、ベンゾニトリルを
導入し、圧力が１．３×１０^-3Ｐａとなるように調整
し、素子電流Ｉfを測定しながら上記基板１にパルスを
印加して、間隙１１６を有する全ての前記導電性膜の活
性化処理を行った。パルス発生器１３２（図１４参照）
により生成したパルス波形は、図１５（ｂ）に示した矩
形波で、波高値は１４Ｖ、パルス幅Ｔ₁＝１００μｓｅ
ｃ．、パルス間隔は１６７μｓｅｃ．である。ライン選
択装置１３４により、１６７μｓｅｃ．毎に選択ライン
をＤ_x1からＤ_x100まで順次切り替え、この結果、各行に
はＴ ₁＝１００μｓｅｃ．、Ｔ₂＝１６．７ｍｓｅｃ．の
矩形波が行毎に位相を少しずつシフトされて印加される
ことになる。

【０１２２】電流計１３３は、矩形波パルスのオン状態
（電圧が１４Ｖになっている時）での電流値の平均を検
知するモードで使用し、この値が６００ｍＡ（１素子当
たり２ｍＡ）となったところで、活性化処理を終了し
た。以上の活性化処理により、全ての前記導電性膜１０
８の間隙１１６に、炭素膜が形成された。

【０１２３】工程−ｍ 外囲器５内を排気しながら、不図示の加熱装置により、
外囲器５及び真空容器１２３の全体を３００℃に、１０
時間保持した。この処理により、外囲器５及び真空容器
１２３の内壁などに吸着されていたと思われるベンゾニ
トリル及びその分解物が除去された。これはＱ−ｍａｓ
ｓ１２７による観察で確認された。この工程において
は、外囲器５の加熱及び排気により、内部からのガスの
除去が行われるだけでなく、前記非蒸発型ゲッタ９の活
性化処理も兼ねて行われる。

【０１２４】工程−ｎ 圧力が１．３×１０^-5Ｐａ以下となったことを確認して
から、排気管をバーナーで加熱して封じ切る。続いて、
画像表示領域内の上配線１０２上の前記非蒸発型ゲッタ
９を囲むように画像表示領域外に中空状態で設置された
４個所のコンテナ１４に保持されている蒸発型ゲッタ１
５ａを抵抗加熱により電子源およびメタルバック８に対
し電気的に絶縁されるように、絶縁体１１５上にフラッ
シュさせゲッタ膜１５ｂを形成した。

【０１２５】以上により、画像表示領域内に第１のゲッ
タとして非蒸発型ゲッタが、また、画像表示領域外であ
って該第１のゲッタの周囲に第２のゲッタとして蒸発型
ゲッタが、それぞれ配置された本実施例の画像表示装置
を作成した。

【０１２６】［実施例２］本実施例の画像表示装置を図
１６に示す。

【０１２７】本実施例においては、前述の実施例１の工
程−ｘを行わず、工程−ａ〜ｉまで実施例１と同様の工
程を行った後に、以下の工程−ｙを行った。

【０１２８】工程−ｙ フェースプレート４のメタルバック８上の全面にスパッ
タリング法によってＴｉ−Ａｌ合金よりなる非蒸発型の
ゲッタ層９を形成した。Ｔｉ−Ａｌ合金のゲッタ層９の
厚さは５０ｎｍとした。使用したスパッタリングターゲ
ットの組成は、Ｔｉ；８５％，Ａｌ；１５％（重量比）
である。

【０１２９】以下、実施例１と同様に工程−ｊ〜ｎを行
って、画像表示領域内に第１のゲッタとして非蒸発型ゲ
ッタが、また、画像表示領域外であって第１のゲッタの
周囲に蒸発型ゲッタが、それぞれ配置された本実施例の
画像表示装置を作成した。

【０１３０】［実施例３］本実施例の画像表示装置のフ
ェースプレートの構成を図１７の（ａ）、（ｂ）に示
す。図１７の（ａ）は平面図、図１７（ｂ）は図１７の
（ａ）のＢ−Ｂ’断面図である。

【０１３１】本実施例においては、前述の実施例１の工
程−ｘを行わず、工程−ａ〜ｉまで、実施例１と同様の
工程を行った後に、以下の工程−ｚを行った。

【０１３２】工程−ｚフェースプレート４のブラック１
２上にスパッタリング法によりＴｉ−Ａｌ合金よりなる
非蒸発型のゲッタ層９を形成した。Ｔｉ−Ａｌ合金のゲ
ッタ層９の厚さは１μｍとした。使用したスパッタリン
グターゲットの組成は、Ｔｉ；８５％，Ａｌ；１５％
（重量比）である。

【０１３３】以下、実施例１と同様に工程−ｊ〜ｎを行
って、画像表示領域内に第１のゲッタである非蒸発型ゲ
ッタが、また、画像表示領域外であって第１のゲッタの
周囲に第２のゲッタである蒸発型ゲッタが、それぞれ配
置された本実施例の画像表示装置を作成した。

【０１３４】［実施例４］本実施例の画像表示装置を図
１８に示す。

【０１３５】本実施例においては、前述の実施例１の工
程−ｊ中の蒸発型ゲッタのコンテナ１４が図１８に示す
リング状のものであることと、実施例１の工程−ｎにお
いてゲッタフラッシュを高周波加熱で行った以外は、実
施例１と同様にして、画像表示領域内に第１のゲッタで
ある非蒸発型ゲッタが、また、画像表示領域外であって
第１のゲッタの周囲４辺に第２のゲッタであるライン状
の蒸発型ゲッタが、それぞれ配置された本実施例の画像
表示装置を作成した。

【０１３６】［実施例５］本実施例の画像表示装置を図
１９に示す。

【０１３７】本実施例は、４辺の中空状態のコンテナ１
４の内、対向する２辺をＳＴ１２２（サエス（株）製）
のワイヤー状の非蒸発型のゲッタ１４′を用い、その活
性化は、封止後、リング状の蒸発型ゲッタ１４をフラッ
シュさせた後に、４５０℃で２時間行った以外は、実施
例４と同様にして、画像表示領域内に第１のゲッタであ
る非蒸発型ゲッタが、また、画像表示領域外であって第
１のゲッタの周囲に第２のゲッタである、ライン状の蒸
発型ゲッタ及び非蒸発型ゲッタが、それぞれ配置された
本実施例の画像表示装置を作成した。

【０１３８】［参考例］本参考例においては、蒸発型の
ゲッタを画像表示領域外の１辺にのみ配置した以外は、
実施例１と同様の画像表示装置を作成した。

【０１３９】本参考例においては、図２０に示すよう
に、蒸発型ゲッタ１４を画像表示領域外の１辺に配置
し、封止後に蒸発型ゲッタ１４を加熱用ワイヤ１７でフ
ラッシュさせ、ゲッタ膜を形成する工程を行った。

【０１４０】以上で述べた実施例１から実施例５及び、
参考例の画像形成装置の各々を単純マトリクス駆動を行
い、各画像表示装置を連続全面発光させ、輝度の経時変
化を測定した。

【０１４１】その結果、初期の輝度は夫々異なるが、参
考例の画像表示装置に比べ実施例１〜５の画像表示装置
では、長時間動作させた場合でも、輝度の低下はほとん
ど見られず、画素間での輝度のばらつきもほとんど見ら
れなかった ［実施例６］本実施例の画像表示装置は、図５に模式的
に示された装置と同様の構成を有し、非蒸発型ゲッタ
（ＮＥＧ）９が、画像表示領域内の行方向配線（上配線
とも呼ぶ）１０２上のほぼ全面に、非蒸発型ゲッタ（Ｎ
ＥＧ）１４が、画像表示領域外の電子源基板１０１上の
列方向配線（下配線とも呼ぶ）１０３を覆った絶縁層１
１５上にそれぞれ配置されている。

【０１４２】また、本実施例の画像表示装置は、基板１
上に、複数（１００行×３００列）の表面伝導型電子放
出素子が、単純マトリクス配線された電子源を備えてい
る。

【０１４３】電子源基板１の一部平面図を図２１に示
す。また、同図中のＢ−Ｂ’断面図、Ｃ−Ｃ’断面図を
図２２に示す。但し、図２１、図２２で同じ符号を付し
たものは、同じ部材を示す。ここで１は電子源基板、１
０２は行方向配線（上配線）、１０３は列方向配線（下
配線）、１０８は電子放出部を含む導電性膜、１０５，
１０６は素子電極、１０４は層間絶縁層、１０７は素子
電極１０５と下配線１０３との電気的接続のためのコン
タクトホール、１１５は下配線１０３上の絶縁層であ
る。

【０１４４】以下に、本実施例の画像表示装置の製造方
法について、図１２を参照しつつ説明する。

【０１４５】工程−ａ ガラス基板１を洗剤、純水および有機溶剤を用いて十分
に洗浄した。このガラス基板１の上に厚さ０．５μｍの
シリコン酸化膜をスパッタ法で形成した。次にこの基板
１上に、ホトレジスト（ＡＺ１３７０／ヘキスト社製）
をスピンナーにより回転塗布、ベークした後、ホトマス
ク像を露光、現像して、下配線１０３のレジストパター
ンを形成した。さらに、真空蒸着により、厚さ５ｎｍの
Ｃｒ、厚さ６００ｎｍのＡｕを順次積層した後、Ａｕ／
Ｃｒ堆積膜をリフトオフにより不要の部分を除去して、
所望の形状の下配線１０３を形成した（図１２
（ａ））。

【０１４６】工程−ｂ 次に、厚さ１．０μｍのシリコン酸化膜からなる層間絶
縁層１０４をＲＦスパッタ法により堆積した（図１２
（ｂ））。この時同時に、画像表示領域外の下配線１０
３上に絶縁膜１１５も堆積した。

【０１４７】前記工程ｂで堆積したシリコン酸化膜にコ
ンタクトホール１０７を形成するためのホトレジストパ
ターンを作り、これをマスクとして層間絶縁層１０４を
エッチングしてコンタクトホール１０７を形成した（図
１２（ｃ））。エッチングはＣＦ₄とＨ₂ガスを用いたＲ
ＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）法
によった。

【０１４８】工程−ｄ コンタクトホール１０７部分以外にレジストを塗布する
ようなパターンを形成し、真空蒸着により厚さ５ｎｍの
Ｔｉ、厚さ５００ｎｍのＡｕを順次堆積した。リフトオ
フにより不要な部分を除去することにより、コンタクト
ホール１０７を埋め込んだ（図１２（ｄ））。

【０１４９】工程−ｅ 素子電極１０５，１０６のパターンをホトレジスト（Ｒ
Ｄ−２０００Ｎ−４１／日立化成社製）で形成し、真空
蒸着法により、厚さ５ｎｍのＴｉ、厚さ１００ｎｍのＮ
ｉを順次堆積した。ホトレジストパターンを有機溶剤で
溶解し、Ｎｉ／Ｔｉ堆積膜をリフトオフし、素子電極間
隔Ｇが３μｍ、素子電極の幅が３００μｍの素子電極１
０５，１０６を形成した（図１２（ｅ））。

【０１５０】工程−ｆ 素子電極１０５，１０６の上に上配線１０２のホトレジ
ストパターンを形成した後、厚さ５ｎｍのＴｉ、厚さ５
００ｎｍのＡｕを順次、真空蒸着により堆積し、リフト
オフにより不要の部分を除去して、所望の形状の上配線
１０２を形成した（図１２（ｆ））。

【０１５１】工程−ｇ 膜厚１００ｎｍのＣｒ膜（不図示）を真空蒸着により堆
積・パターニングし、その上にＰｄアミン錯体の溶液
（ｃｃｐ４２３０／奥野製薬（株）製）をスピンナーに
より回転塗布、３００℃で１０分間の加熱焼成処理をし
た。また、こうして形成された、主元素としてＰｄより
なる微粒子からなる電子放出部形成用の導電性膜１０８
の膜厚は８．５ｎｍ、シート抵抗値は３．９×１０⁴Ω
／□であった（図１２（ｇ））。

【０１５２】工程−ｈ 上記Ｃｒ膜及び焼成後の電子放出部形成用の導電性膜１
０８を酸エッチャントによりウエットエッチングして所
望のパターンを有する導電性膜１０８を形成した（図１
２（ｈ））。

【０１５３】以上の工程により、基板１上に、複数（１
００行×３００列）の電子放出部形成用の導電性膜１０
８と、この複数の導電性膜１０８を単純マトリクス配線
した、複数の上配線１０２及び複数の下配線１０３とを
作製した。

【０１５４】工程−ｘ 更に、メタルマスクを用いて各上配線１０２上と画像表
示領域外の下配線１０３上の絶縁膜１１５上に、スパッ
タリング法によりＺｒ−Ｖ−Ｆｅ合金よりなるゲッタ層
９，１４を形成した。ゲッタ層９，１４の厚さは２μｍ
となるように調整した。使用したスパッタリングターゲ
ットの組成は、Ｚｒ；７０％，Ｖ；２５％，Ｆｅ；５％
（重量比）である（図１２（ｘ））。

【０１５５】工程−ｉ 次に、図５に示すフェースプレート４を、前述の実施例
１の工程−ｉと同様にして作成した。

【０１５６】工程−ｊ 次に、図５に示す外囲器５を、以下のように作成した。

【０１５７】前述の工程により作成された基板１をリア
プレート２上に固定した後、支持枠３、上記フェースプ
レート４を組み合わせ、基板１の下配線１０３及び上配
線１０２を行選択用端子１０及び信号入力端子１１と各
々接続し、基板１とフェースプレート４の位置を厳密に
調整し、封着して外囲器５を形成した。封着の方法は、
接合部にフリットガラスを塗布し、Ａｒガス中４５０
℃、３０分の熱処理を行い接合した。なお、上述の基板
１とリアプレート２の固定も同様の処理により行った。

【０１５８】次に、前述の実施例１で述べた図１３に示
される真空装置を用いて以後の工程を行った。

【０１５９】工程−ｋ まず、外囲器５の内部を排気し、圧力を１×１０^-3Ｐａ
以下にし、基板１上に配列された前述の複数の電子放出
部形成用の導電性膜１０８に間隙１１６を形成するため
の以下のフォーミング処理と呼ばれる処理を行った。

【０１６０】図１４に示すように、列方向配線１０３を
共通結線してグランドに接続する。１３１は制御装置
で、パルス発生器１３２とライン選択装置１３４を制御
する。１３３は電流計である。ライン選択装置１３４に
より、行方向配線１０２から１ラインを選択し、これに
パルス電圧を印加する。フォーミング処理は行方向の素
子行に対し、１行（３００素子）毎に行った。印加した
パルスの波形は図１５（ａ）に示すような三角波パルス
で、波高値を徐々に上昇させた。パルス幅Ｔ₁＝１ｍｓ
ｅｃ．、パルス間隔Ｔ₂＝１０ｍｓｅｃ．とした。ま
た、三角波パルスの間に、波高値０．１Ｖの矩形波パル
スを挿入し、電流を測ることにより各行の抵抗値を測定
した。抵抗値が３．３ｋΩ（１素子当たり１ＭΩ）を超
えたところで、その行のフォーミングを終了し、次の行
の処理に移った。これを全ての行について行い、全ての
前記導電性膜（電子放出部形成用の導電性膜１０８）の
フォーミングを完了し、各導電性膜１０８に間隙１１６
を形成した（図１２（ｋ））。

【０１６１】工程−ｌ 次に、図１３の真空容器１２３内に、ベンゾニトリルを
導入し、圧力が１．３×１０^-3Ｐａとなるように調整
し、素子電流Ｉfを測定しながら上記基板１にパルスを
印加して、間隙１１６を有する全ての前記導電性膜の活
性化処理を行った。パルス発生器１３２（図１４参照）
により生成したパルス波形は、図１５（ｂ）に示した矩
形波で、波高値は１４Ｖ、パルス幅Ｔ₁＝１００μｓｅ
ｃ．、パルス間隔は１６７μｓｅｃ．である。ライン選
択装置１３４により、１６７μｓｅｃ．毎に選択ライン
をＤ_x1からＤ_x100まで順次切り替え、この結果、各行に
はＴ ₁＝１００μｓｅｃ．、Ｔ₂＝１６．７ｍｓｅｃ．の
矩形波が行毎に位相を少しずつシフトされて印加される
ことになる。

【０１６２】電流計１３３は、矩形波パルスのオン状態
（電圧が１４Ｖになっている時）での電流値の平均を検
知するモードで使用し、この値が６００ｍＡ（１素子当
たり２ｍＡ）となったところで、活性化処理を終了し
た。以上の活性化処理により、全ての前記導電性膜１０
８の間隙１１６に、炭素膜が形成された。

【０１６３】工程−ｍ 外囲器５内を排気しながら、不図示の加熱装置により、
外囲器５及び真空容器１２３の全体を３００℃に、１０
時間保持した。この処理により、外囲器５及び真空容器
１２３の内壁などに吸着されていたと思われるベンゾニ
トリル及びその分解物が除去された。これはＱ−ｍａｓ
ｓ１２７による観察で確認された。この工程において
は、外囲器５の加熱及び排気により、内部からのガスの
除去が行われるだけでなく、前記非蒸発型ゲッタ９及び
１４の活性化処理も兼ねて行われる。

【０１６４】工程−ｎ 圧力が１．３×１０^-5Ｐａ以下となったことを確認して
から、排気管をバーナーで加熱して封じ切る。

【０１６５】以上により、画像表示領域内に第１のゲッ
タである非蒸発型ゲッタが、また、画像表示領域外であ
って第１のゲッタを挟む周辺にも非蒸発型ゲッタが、ぞ
れぞれ配置された本実施例の画像表示装置を作成した。

【０１６６】［実施例７］本実施例の画像表示装置を図
２３に示す。

【０１６７】本実施例においては、まず、前述の実施例
６の工程−ｆと工程−ｇの間に、以下の工程−ｆ−２を
行った。

【０１６８】工程−ｆ−２ 厚さ１．０μｍのシリコン酸化膜からなる絶縁膜１１５
を、画像表示領域外の上配線１０２上にもＲＦスパッタ
法により堆積した。

【０１６９】さらに、前述の実施例６の工程−ｘにおい
ては、画像表示領域内の上配線１０２上、画像表示領域
外の下配線１０３上の絶縁膜１１５上にゲッタを形成す
る際、画像表示領域外の上配線１０２上の絶縁膜１１５
上にもスパッタリング法によってＺｒ−Ｖ−Ｆｅ合金よ
りなるゲッタ層９，１４を形成した。ゲッタ層９，１４
の厚さは２μｍとなるように調整した。使用したスパッ
タリングターゲットの組成は、Ｚｒ；７０％，Ｖ；２５
％，Ｆｅ；５％（重量比）である。

【０１７０】上記の工程以外は前述の実施例６と同様に
して、画像表示領域内に第１のゲッタである非蒸発型ゲ
ッタが、また、画像表示領域外であって第１のゲッタの
周囲にも非蒸発型ゲッタが、ぞれぞれ配置された画像表
示装置を作成した。

【０１７１】［実施例８］本実施例の画像表示装置を図
２４に示す。

【０１７２】本実施例においては、前述の実施例６の工
程−ｘを行わず、工程−ａ〜ｉまで、実施例６と同様の
工程を行った後に、以下の工程−ｙを行った。

【０１７３】工程−ｙ フェースプレート４のメタルバック８上の全面にゲッタ
層９を形成すると共に、フェースプレート４のガラス基
板６上の画像表示領域外の周囲４辺に、メタルバック８
に対し絶縁されるように高圧取出し部（不図示）以外の
領域にゲッタ１４層を形成した。具体的には、スパッタ
リング法によってＴｉ−Ａｌ合金よりなるゲッタ層９，
１４を形成した。Ｔｉ−Ａｌ合金のゲッタ層９，１４の
厚さは５０ｎｍとした。使用したスパッタリングターゲ
ットの組成は、Ｔｉ；８５％，Ａｌ；１５％（重量比）
である。

【０１７４】以下、前述の実施例６と同様に工程−ｊ〜
ｎを行って、画像表示領域内に第１のゲッタである非蒸
発型ゲッタが、また、画像表示領域外であって第１のゲ
ッタの周囲にも非蒸発型ゲッタが、ぞれぞれ配置された
画像表示装置を作成した。

【０１７５】［実施例９］本実施例の画像表示装置を図
２５に示す。

【０１７６】本実施例において、前述の実施例６の工程
−ｘを行わず、工程−ａ〜ｉまで、実施例６と同様の工
程を行った後に、以下の工程−ｚを行った。

【０１７７】工程−ｚ フェースプレート４のブラックストライプ１２上にゲッ
タ層９を形成すると共に、フェースプレート４のガラス
基板６上の画像表示領域外の周囲4辺に、メタルバック
８に対し絶縁されるように高圧取出し部以外の領域にゲ
ッタ１４層を形成した。具体的には、スパッタリング法
によってＴｉ−Ａｌ合金よりなるゲッタ層９，１４を形
成した。Ｔｉ−Ａｌ合金のゲッタ層９，１４の厚さは１
μｍとした。使用したスパッタリングターゲットの組成
は、Ｔｉ；８５％，Ａｌ；１５％（重量比）である。

【０１７８】以下、実施例６と同様に工程−ｊ〜ｎを行
って、画像表示領域内に第１のゲッタである非蒸発型ゲ
ッタが、また、画像表示領域外であって第１のゲッタの
周囲にも第２のゲッタである非蒸発型ゲッタが、ぞれぞ
れ配置された画像表示装置を作成した。

【０１７９】［実施例１０］本実施例では、画像表示領
域外の非蒸発型ゲッタ１４の膜厚を５μｍと、画像表示
領域内の非蒸発型ゲッタ９の膜厚より厚く形成した以外
は、実施例６と同様に、画像表示領域内に第１のゲッタ
である非蒸発型ゲッタが、また、画像表示領域外であっ
て第１のゲッタを挟む周辺にも第２のゲッタである非蒸
発型ゲッタが、ぞれぞれ配置された画像表示装置を作成
した。

【０１８０】［実施例１１］本実施例の画像表示装置を
図２６に示す。本実施例では、画像表示領域外の非蒸発
型ゲッタ１４をリアプレート側及びフェースプレート側
の両側に、それぞれ非蒸発型ゲッタ９を取り囲むように
周囲４辺に形成し、封止後に３５０℃で３時間の熱処理
を行い非蒸発型ゲッタを活性化した以外は、実施例６と
同様に作成し、画像表示領域内に第１のゲッタである非
蒸発型ゲッタが、また、画像表示領域外であって第１の
ゲッタの周囲にも非蒸発型ゲッタが、ぞれぞれ配置され
た画像表示装置を作成した。

【０１８１】［実施例１２］本実施例では、封着工程中
にレーザ光によって画像表示領域外の非蒸発型ゲッタ１
４を活性化した以外は、実施例６と同様に作成し、画像
表示領域内に第１のゲッタである非蒸発型ゲッタが、ま
た、画像表示領域外であって第１のゲッタを挟む周辺に
も非蒸発型ゲッタが、ぞれぞれ配置された画像表示装置
を作成した。

【０１８２】以上で述べた実施例６から実施例１２及び
前述の参考例の画像表示装置の比較評価を行った。評価
は実施例６〜１２、及び参考例の画像表示装置を、単純
マトリクス駆動を行い、画像表示装置を連続全面発光さ
せ、輝度の経時変化を測定した。

【０１８３】その結果、初期の輝度は夫々異なるが、参
考例の画像表示装置に比べ、実施例６〜１２の画像表示
装置では、実施例１〜５の画像表示装置と同様に長時間
動作させた場合でも、輝度の低下はほとんど見られず、
画素間での輝度のばらつきもほとんど見られなかった。

【０１８４】［実施例１３］本実施例の画像表示装置
は、図６に模式的に示された装置と同様の構成を有し、
印刷法で形成した行方向配線（上配線）１０２、列方向
配線（下配線）１０３上に非蒸発型ゲッタ（ＮＥＧ）９
が配置されている。

【０１８５】また、本実施例の画像表示装置は、基板１
上に、複数（１００行×３００列）の表面伝導型電子放
出素子が、単純マトリクス配線された電子源を備えてい
る。

【０１８６】電子源基板１の一部平面図を図７に示す。
また、同図中のＡ−Ａ’断面図を図８に示す。但し、図
７、図８で同じ符号を付したものは、同じ部材を示す。
ここで１は電子源基板、１０２は行方向配線（上配線、
または、走査側配線とも呼ぶ）、１０３は列方向配線
（下配線、または、信号側配線とも呼ぶ）、１０８は電
子放出部を含む導電性膜、１０５，１０６は素子電極、
１０４は層間絶縁層である。

【０１８７】以下に、本実施例の画像表示装置の製造方
法について、図２７を参照しつつ説明する。

【０１８８】工程−ａ ガラス基板１を洗剤、純水および有機溶剤を用いて十分
に洗浄した。このガラス基板１の上に厚さ０．５μｍの
シリコン酸化膜をスパッタ法で形成した。この基板１上
に、素子電極１０５，１０６のパターンをホトレジスト
（ＲＤ−２０００Ｎ−４１／日立化成社製）で形成し、
真空蒸着法により、厚さ５ｎｍのＴｉ、厚さ１００ｎｍ
のＮｉを順次堆積した。ホトレジストパターンを有機溶
剤で溶解し、Ｎｉ／Ｔｉ堆積膜をリフトオフし、素子電
極間隔Ｇが３μｍ、素子電極の幅が３００μｍの素子電
極１０５，１０６を形成した（図２７（ａ））。

【０１８９】工程−ｂ その後スクリーン印刷法を用いて、一方の素子電極１０
５にコンタクトするように下配線１０３を形成し、４０
０℃で焼成して所望の形状の下配線１０３を形成した
（図２７（ｂ））。

【０１９０】工程−ｃ その後スクリーン印刷法を用いて、上下配線の交差部と
なる領域に層間絶縁層１０４を印刷、４００℃で焼成し
て形成した（図２７（ｃ））。

【０１９１】工程−ｄ 下配線１０３とコンタクトしていない側の素子電極１０
６とコンタクトするように、スクリーン印刷法で上配線
１０２を印刷、４００℃で焼成して形成した（図２７
（ｄ））。

【０１９２】工程−ｅ 膜厚１００ｎｍのＣｒ膜（不図示）を真空蒸着により堆
積・パターニングし、その上にＰｄアミン錯体の溶液
（ｃｃｐ４２３０／奥野製薬（株）製）をスピンナーに
より回転塗布、３００℃で１０分間の加熱焼成処理をし
た。また、こうして形成された、主元素としてＰｄより
なる微粒子からなる電子放出部形成用の導電性膜１０８
の膜厚は８．５ｎｍ、シート抵抗値は３．９×１０⁴Ω
／□であった。

【０１９３】上記Ｃｒ膜及び焼成後の電子放出部形成用
の導電性膜１０８を酸エッチャントによりウエットエッ
チングして所望のパターンを有する導電性膜１０８を形
成した（図２７（ｅ））。

【０１９４】以上の工程により、基板１上に複数（１０
０行×３００列）の電子放出部形成用の導電性膜１０８
が、上配線１０２と下配線１０３よりなる単純マトリク
ス配線に、接続されたものとした。

【０１９５】工程−ｆ 次にホトレジスト（ＡＺ１３７０／ヘキスト社製）をス
ピンナーにより回転塗布、ベークした後、ホトマスク像
を露光、現像して、上配線１０２及び、層間絶縁層１０
４に覆われていない下配線１０３上にパターンを形成
し、スパッタリング法によりＺｒ−Ｖ−Ｆｅ合金よりな
るゲッタ層１０９ａ，１０９ｂを形成した（図２７
（ｆ））。ゲッタ層１０９ａ，１０９ｂ１１０の厚さは
２μｍとなるように調整した。使用したスパッタリング
ターゲットの組成は、Ｚｒ；７０％，Ｖ；２５％，Ｆ
ｅ；５％（重量比）である。

【０１９６】工程−ｇ 次に、図６に示すフェースプレート４を、前述の実施例
１の工程−ｉと同様にして作成した。

【０１９７】工程−ｈ 次に、図６に示す外囲器５を、以下のように作成した。

【０１９８】前述の工程により作成された基板１をリア
プレート２上に固定した後、支持枠３、上記フェースプ
レート４を組み合わせ、基板１の下配線１０３及び上配
線１０２を行選択用端子１０及び信号入力端子１１と各
々接続し、基板１とフェースプレート４の位置を厳密に
調整し、封着して外囲器５を形成した。封着の方法は、
接合部にフリットガラスを塗布し、Ａｒガス中４５０
℃、３０分の熱処理を行い接合した。なお、上述の基板
１とリアプレート２の固定も同様の処理により行った。

【０１９９】次に、前述の実施例１で述べた図１３に示
される真空装置を用いて以後の工程を行った。

【０２００】工程−ｉ 外囲器５の内部を排気し、圧力を１×１０^-3Ｐａ以下に
し、基板１に配列された前述の複数の電子放出部形成用
の導電性膜１０８に間隙１１６を形成するための以下の
フォーミング処理と呼ばれる処理を行った。

【０２０１】図１４に示すように、列方向配線１０３を
共通結線してグランドに接続する。１３１は制御装置
で、パルス発生器１３２とライン選択装置１３４を制御
する。１３３は電流計である。ライン選択装置１３４に
より、行方向配線１０２から１ラインを選択し、これに
パルス電圧を印加する。フォーミング処理は行方向の素
子行に対し、１行（３００素子）毎に行った。印加した
パルスの波形は図１５（ａ）に示すような三角波パルス
で、波高値を徐々に上昇させた。パルス幅Ｔ₁＝１ｍｓ
ｅｃ．、パルス間隔Ｔ₂＝１０ｍｓｅｃ．とした。ま
た、三角波パルスの間に、波高値０．１Ｖの矩形波パル
スを挿入し、電流を測ることにより各行の抵抗値を測定
した。抵抗値が３．３ｋΩ（１素子当たり１ＭΩ）を超
えたところで、その行のフォーミングを終了し、次の行
の処理に移った。これを全ての行について行い、全ての
前記導電性膜（電子放出部形成用の導電性膜１０８）の
フォーミングを完了し、各導電性膜１０８に間隙１１６
を形成した。

【０２０２】工程−ｊ 次に図１３の真空容器１２３内に、ベンゾニトリルを導
入し、圧力が１．３×１０^-3Ｐａとなるように調整し、
素子電流Ｉfを測定しながら上記基板１に形成されてい
る各導電性膜にパルスを印加して、間隙１１６を有する
全ての導電性膜の活性化処理を行った。パルス発生器１
３２（図１４参照）により生成したパルス波形は、図１
５（ｂ）に示した矩形波で、波高値は１４Ｖ、パルス幅
Ｔ₁＝１００μｓｅｃ．、パルス間隔は１６７μｓｅ
ｃ．である。ライン選択装置１３４により、１６７μｓ
ｅｃ．毎に選択ラインをＤ_x1からＤ_x100まで順次切り替
え、この結果、各素子行にはＴ₁＝１００μｓｅｃ．、
Ｔ₂＝１６．７ｍｓｅｃ．の矩形波が行毎に位相を少し
ずつシフトされて印加されることになる。

【０２０３】電流計１３３は、矩形波パルスのオン状態
（電圧が１４Ｖになっている時）での電流値の平均を検
知するモードで使用し、この値が６００ｍＡ（１素子当
たり２ｍＡ）となったところで、活性化処理を終了し
た。以上の活性化処理により、全ての前記導電性膜１０
８の間隙１１６に、炭素膜が形成された。

【０２０４】工程−ｋ 外囲器５内を排気しながら、不図示の加熱装置により、
外囲器５及び真空容器１２３の全体を３００℃に、１０
時間保持した。この処理により、外囲器５及び真空容器
１２３の内壁などに吸着されていたと思われるベンゾニ
トリル及びその分解物が除去された。これはＱ−ｍａｓ
ｓ１２７による観察で確認された。この工程において
は、外囲器５の加熱及び排気により、内部からのガスの
除去が行われるだけでなく、前記非蒸発型ゲッタの活性
化処理も兼ねて行われる。

【０２０５】このときの加熱は３００℃１０時間で行っ
たがこれに限るものでなく、より高温での効果はもちろ
んのこと、低温でも加熱時間を長くすることにより、ベ
ンゾニトリルの除去、非蒸発型ゲッタの活性化とも同様
の効果が得られた。

【０２０６】工程−ｌ 圧力が１．３×１０^-5Ｐａ以下となったことを確認して
から、排気管をバーナーで加熱して封じ切る。

【０２０７】以上により画像表示領域内の印刷配線上に
非蒸発型ゲッタが配置された本実施例の画像表示装置を
作成した。

【０２０８】なお、本実施例では非蒸発型ゲッタの形成
法にフォトリソプロセス、スパッタ成膜法を用いたが、
これに限るものでなく、メタルマスクを用いたパターニ
ング方法や、ディスペンサーや印刷で接着剤を描画し非
蒸発型ゲッタの粉末を接着したもの、メッキ法等を用い
ても同様の効果が得られる。

【０２０９】［実施例１４］本実施例の画像表示装置を
図２８に示す。

【０２１０】本実施例においては、前述の実施例１３の
工程−ａ〜ｅを行った後、実施例１３の工程−ｆの代わ
りに、以下の工程−ｆ−２を行った。実施例１３との相
違は、行方向配線（上配線）上にのみ非蒸発型ゲッタを
形成したことである。

【０２１１】工程−ｆ−２ ホトレジスト（ＡＺ１３７０／ヘキスト社製）をスピン
ナーにより回転塗布、ベークした後、ホトマスク像を露
光、現像して、上配線１０２上にパターンを形成し、ス
パッタリング法によりＺｒ−Ｖ−Ｆｅ合金よりなるゲッ
タ層１０９を形成した。ゲッタ層１０９の厚さは２μｍ
となるように調整した。使用したスパッタリングターゲ
ットの組成は、Ｚｒ；７０％，Ｖ；２５％，Ｆｅ；５％
（重量比）である。

【０２１２】以下、前述の実施例１３の工程−ｇ〜ｌを
行って、画像表示領域内の印刷配線上に非蒸発型ゲッタ
が配置された本実施例の画像表示装置を作成した。

【０２１３】［実施例１５］本実施例の画像表示装置の
模式図を図２９に示す。本実施例における画像表示装置
は、画像表示領域周囲にも非蒸発型ゲッタ１５を形成し
た以外は実施例１３と同様である。

【０２１４】本実施例においては、前述の実施例１３の
工程−ａ〜ｂの後に、実施例１３の工程−ｃの代わりに
以下の工程−ｃ−３を行い、更に、実施例１３の工程−
ｄ〜ｅを行った後、実施例１３の工程−ｆの代わりに以
下の工程−ｆ−３を行った。

【０２１５】工程−ｃ−３ その後スクリーン印刷法を用いて、上下配線の交差部と
画像表示領域の周囲にそれぞれ層間絶縁層１０４と層間
絶縁層１６を印刷、４００℃で焼成して形成した。

【０２１６】工程−ｆ−３ ホトレジスト（ＡＺ１３７０／ヘキスト社製）をスピン
ナーにより回転塗布、ベークした後、ホトマスク像を露
光、現像して、上下配線上及び画像表示領域の周囲の絶
縁層１６上に所定のパターンを形成し、スパッタリング
法によりＺｒ−Ｖ−Ｆｅ合金を成膜した。その後リフト
オフにより不要の部分を除去しゲッタ層１０９ａ，１０
９ｂ，１５を形成した。ゲッタ層１０９ａ，１０９ｂ，
１５の厚さは２μｍとした。使用したスパッタリングタ
ーゲットの組成は、Ｚｒ；７０％，Ｖ；２５％，Ｆｅ；
５％（重量比）である。

【０２１７】以降、前述の実施例１３の工程−ｇ〜ｌを
行い、画像表示領域内の印刷配線上と、画像表示領域外
であって、画像表示領域の周囲に印刷法にて形成された
絶縁層上とに非蒸発型ゲッタが配置された本実施例の画
像表示装置を作成した。

【０２１８】なお、実施例１３、１４及び１５におい
て、素子電極及び導電性膜を全てフォトリソプロセスや
真空成膜法を用いて形成したが、これに限るものでな
く、印刷法、メッキ法、ディスペンサーなどを用いた描
画法でも形成でき、同様の効果が得られる。

【０２１９】また、実施例１５においては、画像表示領
域の周囲に、非蒸発型ゲッタ１５を成膜したが、これに
限るものではなく、ワイヤー状のゲッタ等を形成しても
同様の効果が得られる。

【０２２０】以上で述べた実施例１３、１４、１５及び
前述の参考例の画像表示装置の比較評価を行った。評価
は、実施例１３〜１５及び前述の参考例の画像表示装置
を単純マトリクス駆動を行い、画像表示装置を連続全面
発光させ、輝度の経時変化を測定した。

【０２２１】その結果、初期の輝度は夫々異なるが、参
考例の画像表示装置に比べ、実施例１３の画像表示装置
では、長時間駆動させた場合の、輝度の低下の度合いと
画素間での輝度のばらつきの度合いは極めて少なく、ま
た、実施例１４及び１５の画像表示装置では、前述の実
施例１〜１２の画像表示装置と同様に、長時間動作させ
た場合でも、輝度の低下はほとんど見られず、画素間で
の輝度のばらつきもほとんど見られなかった。

【０２２２】

【発明の効果】以上述べた本発明は、電子源の経時的な
電子放出特性の低下の少ない画像表示装置及びその製造
方法を提供することができる。

【０２２３】また、本発明は、輝度の経時的な変化（経
時的低下）の少ない画像表示装置及びその製造方法を提
供することができる。

【０２２４】また、本発明は、画像表示領域内での経時
的な輝度のばらつきの発生の少ない画像表示装置及びそ
の製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施形態の画像表示装置を示す模式図で
ある。

【図２】表面伝導型電子放出素子を示す模式図である。

【図３】本発明に用いられる、蛍光体、及び黒色導電材
の配置パターンを示す図である。

【図４】本発明が適用される、表面伝導型電子放出素子
を単純マトリクス配置した電子源の一例を示す模式図で
ある。

【図５】第２の実施形態の画像表示装置を示す模式図で
ある。

【図６】第３の実施形態の画像表示装置を示す模式図で
ある。

【図７】本発明が適用される、表面伝導型電子放出素子
を単純マトリクス配置した電子源の別の例を示す模式図
である。

【図８】図７のＡ−Ａ’断面図である。

【図９】本発明の画像表示装置に、ＮＴＳＣ方式のテレ
ビ信号に応じて表示を行うための駆動回路の一例を示す
ブロック図である。

【図１０】本発明を適用して形成した、単純マトリクス
配置された電子源の一例を模式的に示した平面図であ
る。

【図１１】図１０のＢ−Ｂ’断面図、及び、図１０のＣ
−Ｃ’断面図である。

【図１２】本発明を適用し、表面伝導型電子放出素子を
単純マトリクス配置した電子源基板を形成するプロセス
を示す図である。

【図１３】本発明の画像表示装置の製造プロセスにおけ
る、フォーミング及び活性化工程を行うための真空排気
装置の模式図である。

【図１４】本発明の画像表示装置の製造プロセスにおけ
る、フォーミング及び活性化工程のための結線方法を示
す模式図である。

【図１５】本発明の画像表示装置の製造プロセスにおけ
る、フォーミング及び活性化工程の際に用いられる電圧
波形を示す模式図である。

【図１６】実施例２の画像表示装置を示す模式図であ
る。

【図１７】実施例３の画像表示装置のフェースプレート
の構成を示す模式図である。

【図１８】実施例４の画像表示装置を示す模式図であ
る。

【図１９】実施例５の画像表示装置を示す模式図であ
る。

【図２０】参考例の画像表示装置を示す模式図である。

【図２１】実施例６における単純マトリクス配置された
電子源を模式的に示した平面図である。

【図２２】図２１のＢ−Ｂ’断面図、及び、図１０のＣ
−Ｃ’断面図である。

【図２３】実施例７の画像表示装置を示す模式図であ
る。

【図２４】実施例８の画像表示装置を示す模式図であ
る。

【図２５】実施例９の画像表示装置を示す模式図であ
る。

【図２６】実施例１１の画像表示装置を示す模式図であ
る。

【図２７】実施例１３における、表面伝導型電子放出素
子を単純マトリクス配置した電子源基板を形成するプロ
セスを示す図である。

【図２８】実施例１４の画像表示装置を示す模式図であ
る。

【図２９】実施例１５の画像表示装置を示す模式図であ
る。

【符号の説明】

１ 電子源基板 ２ リアプレート ３ 支持枠 ４ フェースプレート ５ 外囲器 ６ ガラス基板 ７ 蛍光膜 ８ メタルバック ９ 非蒸発型ゲッタ １０ 行選択用端子 １１ 信号入力端子 １２ 黒色導電材 １３ 蛍光体 １４、１４’、１５、１５ａ ゲッタ １５ｂ ゲッタ膜 １６ 絶縁層 １７ 加熱用ワイヤ ８１ 画像形成装置 ８２ 走査回路 ８３ 制御回路 ８４ シフトレジスタ ８５ ラインメモリ ８６ 同期信号分離回路 ８７ 変調信号発生器 Ｖｘ，Ｖａ 直流電圧源 １０２ 上配線（Ｘ方向配線） １０３ 下配線（Ｙ方向配線） １０４ 層間絶縁層 １０５、１０６ 素子電極 １０７ コンタクトホール １０８ 導電性膜 １０９、１０９ａ、１０９ｂ 非蒸発型ゲッタ １１０ 電子放出素子 １１５ 絶縁層 １１６ 間隙 １２２ 排気管 １２３ 真空容器 １２４ ゲートバルブ １２５ 排気装置 １２６ 圧力計 １２７ Ｑ−ｍａｓｓ １２８ ガス導入量制御手段 １２９ 物質源 １３１ 制御装置 １３２ パルス発生器 １３３ 電流計 １３４ ライン選択装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 荒井 由高 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 浜元 康弘 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 重岡 和也 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 間隔を置いて配置された第１の基板と第
   ２の基板とを含む部材で構成された外囲器と、該外囲器
   内に、前記第１の基板上に配置された電子源と、前記第
   ２の基板上に配置された蛍光膜及び加速電極とを備える
   画像表示装置において、前記外囲器内の画像表示領域内
   に配置された第１のゲッタと、前記電子源及び前記加速
   電極と絶縁され、かつ、前記第１のゲッタを囲むように
   配置された第２のゲッタとを有することを特徴とする画
   像表示装置。
2. 【請求項２】 前記第１のゲッタは、非蒸発型ゲッタで
   あることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
3. 【請求項３】 前記第１のゲッタは、非蒸発型ゲッタで
   あり、前記第２のゲッタは、蒸発型ゲッタであることを
   特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
4. 【請求項４】 前記第１のゲッタ及び前記第２のゲッタ
   は、いずれも非蒸発型ゲッタであることを特徴とする請
   求項１に記載の画像表示装置。
5. 【請求項５】 前記第１のゲッタは、前記第１の基板側
   に配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のい
   ずれか一項に記載の画像表示装置。
6. 【請求項６】 前記第１のゲッタは、前記第１の基板上
   に配置された電子源が備える配線上に配置されているこ
   とを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の
   画像表示装置。
7. 【請求項７】 前記第１のゲッタは、前記第１の基板上
   に配置された電子源が備える印刷配線上に配置されてい
   ることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記
   載の画像表示装置。
8. 【請求項８】 前記第１のゲッタは、前記第２の基板側
   に配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のい
   ずれか一項に記載の画像表示装置。
9. 【請求項９】 前記第１のゲッタは、前記第２の基板上
   に配置された加速電極上に配置されていることを特徴と
   する請求項１乃至４のいずれか一項に記載の画像表示装
   置。
10. 【請求項１０】 前記第１のゲッタは、前記第２の基板
    上に配置された蛍光膜が備える黒色部材上に配置されて
    いることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に
    記載の画像表示装置。
11. 【請求項１１】 前記第２のゲッタは、前記第１の基板
    側に配置されていることを特徴とする請求項１乃至１０
    のいずれか一項に記載の画像表示装置。
12. 【請求項１２】 前記第２のゲッタは、前記第２の基板
    側に配置されていることを特徴とする請求項１乃至１０
    のいずれか一項に記載の画像表示装置。
13. 【請求項１３】 間隔を置いて配置された第１の基板と
    第２の基板とを含む部材で構成された外囲器と、該外囲
    器内に、前記第１の基板上に配置された電子源と、前記
    第２の基板上に配置された蛍光膜及び加速電極とを備え
    る画像表示装置において、前記電子源が備える配線は印
    刷法により形成された配線であって、該配線上にゲッタ
    が配置されていることを特徴とする画像表示装置。
14. 【請求項１４】 前記配線は、走査側配線と信号側配線
    とからなり、前記ゲッタは前記走査側配線上に配置され
    ていることを特徴とする請求項１３に記載の画像表示装
    置。
15. 【請求項１５】 前記電子源は、複数の行方向配線及び
    複数の列方向配線によってマトリクス配線された複数の
    電子放出素子を備えていることを特徴とする請求項１乃
    至１４のいずれか一項に記載の画像表示装置。
16. 【請求項１６】 前記電子放出素子は、表面伝導型電子
    放出素子であることを特徴とする請求項１５に記載の画
    像表示装置。
17. 【請求項１７】 間隔を置いて配置された第１の基板と
    第２の基板とを含む部材で構成された外囲器と、該外囲
    器内に、前記第１の基板上に配置された電子源と、前記
    第２の基板上に配置された蛍光膜及び加速電極と、ゲッ
    タとを備える画像表示装置の製造方法において、前記外
    囲器を構成する複数の部材を貼り合わせる封着工程を有
    し、該封着工程の前に前記第１の基板上あるいは前記第
    ２の基板上に配置されたゲッタの活性化処理が、該封着
    工程が終了するまでに行われることを特徴とする画像表
    示装置の製造方法。
18. 【請求項１８】 前記ゲッタは、非蒸発型ゲッタである
    ことを特徴とする請求項１７に記載の画像表示装置の製
    造方法。
19. 【請求項１９】 前記ゲッタの活性化処理は、該ゲッタ
    にレーザ光を照射することにより行われることを特徴と
    する請求項１８に記載の画像表示装置の製造方法。
20. 【請求項２０】 更に、前記封着工程の後、再度前記ゲ
    ッタの活性化処理が行われることを特徴とする請求項１
    ７乃至１９のいずれか一項に記載の画像表示装置の製造
    方法。