JP2000199801A - 反射防止膜及びそれを施した光学系 - Google Patents
反射防止膜及びそれを施した光学系Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 波長２００ｎｍ以下の紫外光と波長６００ｎ
ｍから７００ｎｍの間の可視光の２つの波長領域に対し
て極めて有効かつ良好な反射防止特性を有した反射防止
膜及びそれを施した光学系を得ること。 【解決手段】 透明な基板上に空気側から該基板側へ順
に第１層，第２層，第３層，…と複数の薄膜を施した多
層膜構成で波長λ１と、それより長い波長λ２の２つの
波長で反射防止を行った反射防止膜であって、奇数層目
が低屈折率膜、偶数層目が高屈折率膜であり、波長λ１
での該高屈折率膜と低屈折率膜の屈折率を各々Ｎａ，Ｎ
ｅ、中心波長λ０、該第１層と第２層の光学膜厚（屈折
率×幾何学的厚さ）の和Ｄ１２、該第３層の光学膜厚ｄ
３を適切に設定したこと。
ｍから７００ｎｍの間の可視光の２つの波長領域に対し
て極めて有効かつ良好な反射防止特性を有した反射防止
膜及びそれを施した光学系を得ること。 【解決手段】 透明な基板上に空気側から該基板側へ順
に第１層，第２層，第３層，…と複数の薄膜を施した多
層膜構成で波長λ１と、それより長い波長λ２の２つの
波長で反射防止を行った反射防止膜であって、奇数層目
が低屈折率膜、偶数層目が高屈折率膜であり、波長λ１
での該高屈折率膜と低屈折率膜の屈折率を各々Ｎａ，Ｎ
ｅ、中心波長λ０、該第１層と第２層の光学膜厚（屈折
率×幾何学的厚さ）の和Ｄ１２、該第３層の光学膜厚ｄ
３を適切に設定したこと。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反射防止膜及びそ
れを施した光学系に関し、特に蛍石や石英等の光学素子
基板の表面に所定の屈折率層（薄膜）を複数積層し、波
長２００ｎｍ以下の紫外光領域と、波長６００ｎｍ〜波
長７００ｎｍの領域の２つの波長域での反射防止を行っ
た、例えば半導体デバイス製造用の各種の光学系に適用
したときに有効なものである。
れを施した光学系に関し、特に蛍石や石英等の光学素子
基板の表面に所定の屈折率層（薄膜）を複数積層し、波
長２００ｎｍ以下の紫外光領域と、波長６００ｎｍ〜波
長７００ｎｍの領域の２つの波長域での反射防止を行っ
た、例えば半導体デバイス製造用の各種の光学系に適用
したときに有効なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より紫外光用の反射防止膜としてＡ
ｌ2 Ｏ3 膜を含む高屈折率層とＳｉＯ2 を含む低屈折率
層を透明基板面に交互の複数積層した反射防止膜が、例
えば特開平7-218701号公報で提案されている。
ｌ2 Ｏ3 膜を含む高屈折率層とＳｉＯ2 を含む低屈折率
層を透明基板面に交互の複数積層した反射防止膜が、例
えば特開平7-218701号公報で提案されている。
【０００３】又、フッ素化物膜を用いた反射防止膜が、
例えば特公平5-8801号公報や、特開平7-244205号公報や
特開平7-244217号公報で提案されている。
例えば特公平5-8801号公報や、特開平7-244205号公報や
特開平7-244217号公報で提案されている。
【０００４】さらに、波長２４８ｎｍ（ＫｒＦエキシマ
レーザー波長）と他波長（例えば：Ｈｅ−Ｎｅレーザー
波長６３３ｎｍ）の二つの波長で反射防止を行った反射
防止膜が特開平6-160602号公報、特開平6-347603号公
報、特開平7-244202号公報で提案されている。これらの
公報では、酸化物と弗化物を組み合わせた膜構成を用い
ている。
レーザー波長）と他波長（例えば：Ｈｅ−Ｎｅレーザー
波長６３３ｎｍ）の二つの波長で反射防止を行った反射
防止膜が特開平6-160602号公報、特開平6-347603号公
報、特開平7-244202号公報で提案されている。これらの
公報では、酸化物と弗化物を組み合わせた膜構成を用い
ている。
【０００５】又、酸化物膜のみの膜構成を用いた反射防
止膜が特開平7-218701号公報で、又弗化物のみの膜構成
を用いた反射防止膜が特開平7-244203号公報で提案され
ている。
止膜が特開平7-218701号公報で、又弗化物のみの膜構成
を用いた反射防止膜が特開平7-244203号公報で提案され
ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来より紫外光用の反
射防止膜において、波長２００ｎｍ以下の紫外域と、波
長６００ｎｍから波長７００ｎｍまでの領域の２つの波
長域にわたり良好に反射防止する膜構成を得るのは難し
かった。
射防止膜において、波長２００ｎｍ以下の紫外域と、波
長６００ｎｍから波長７００ｎｍまでの領域の２つの波
長域にわたり良好に反射防止する膜構成を得るのは難し
かった。
【０００７】例えば、弗化物を用いた膜構成では、酸化
物のみの膜構成に比べて、弗化物がＨ2 Ｏと反応しやす
い為に、耐環境性に問題があった。
物のみの膜構成に比べて、弗化物がＨ2 Ｏと反応しやす
い為に、耐環境性に問題があった。
【０００８】又、Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 との膜構成では
吸収が小さいという特長があるが、膜厚が大きく製造が
難しいという問題があった。
吸収が小さいという特長があるが、膜厚が大きく製造が
難しいという問題があった。
【０００９】本発明は、耐環境性が良く、膜厚が小さく
生産性が良く、かつ波長２００ｎｍ以下の紫外領域と波
長６００ｎｍ〜波長７００ｎｍの波長域の２つの波長域
において良好なる反射防止を行った反射防止膜及びそれ
を施した光学系の提供を目的とする。
生産性が良く、かつ波長２００ｎｍ以下の紫外領域と波
長６００ｎｍ〜波長７００ｎｍの波長域の２つの波長域
において良好なる反射防止を行った反射防止膜及びそれ
を施した光学系の提供を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明の反射防
止膜は、透明な基板上に空気側から該基板側へ順に第１
層，第２層，第３層，…と複数の薄膜を施した多層膜構
成で波長λ１と、それより長い波長λ２の２つの波長で
反射防止を行った反射防止膜であって、奇数層目が低屈
折率膜、偶数層目が高屈折率膜であり、波長λ１での該
高屈折率膜と低屈折率膜の屈折率を各々Ｎａ，Ｎｅ、中
心波長λ０を
止膜は、透明な基板上に空気側から該基板側へ順に第１
層，第２層，第３層，…と複数の薄膜を施した多層膜構
成で波長λ１と、それより長い波長λ２の２つの波長で
反射防止を行った反射防止膜であって、奇数層目が低屈
折率膜、偶数層目が高屈折率膜であり、波長λ１での該
高屈折率膜と低屈折率膜の屈折率を各々Ｎａ，Ｎｅ、中
心波長λ０を
【００１１】
【数２】 としたとき、該第１層と第２層の光学膜厚（屈折率×幾
何学的厚さ）の和をＤ１２、該第３層の光学膜厚をｄ３
としたとき、 １．７＜Ｎａ＜１．８ １．４＜Ｎｅ＜１．５ ０．２２×λ０≦Ｄ１２≦０．３２×λ０ ０．２４×λ０≦ｄ３ ≦０．２８×λ０ を満足することを特徴としている。
何学的厚さ）の和をＤ１２、該第３層の光学膜厚をｄ３
としたとき、 １．７＜Ｎａ＜１．８ １．４＜Ｎｅ＜１．５ ０．２２×λ０≦Ｄ１２≦０．３２×λ０ ０．２４×λ０≦ｄ３ ≦０．２８×λ０ を満足することを特徴としている。
【００１２】請求項２の発明は請求項１の発明におい
て、前記複数の薄膜は４つの薄膜であり、第１層から第
４層の光学膜厚を順にｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４としたと
き、 ０．１５×λ０≦ｄ１≦０．１７×λ０ ０．０７×λ０≦ｄ２≦０．１２×λ０ ０．２４×λ０≦ｄ３≦０．２７×λ０ ０．５ ×λ０≦ｄ４≦０．６３×λ０ を満足することを特徴としている。
て、前記複数の薄膜は４つの薄膜であり、第１層から第
４層の光学膜厚を順にｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４としたと
き、 ０．１５×λ０≦ｄ１≦０．１７×λ０ ０．０７×λ０≦ｄ２≦０．１２×λ０ ０．２４×λ０≦ｄ３≦０．２７×λ０ ０．５ ×λ０≦ｄ４≦０．６３×λ０ を満足することを特徴としている。
【００１３】請求項３の発明は請求項１の発明におい
て、前記複数の薄膜は５つの薄膜であり、第１層から第
５層の光学膜厚を順にｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５と
したとき、 ０．１４×λ０≦ｄ１≦０．１６×λ０ ０．１ ×λ０≦ｄ２≦０．１４×λ０ ０．２４×λ０≦ｄ３≦０．２７×λ０ ０．５ ×λ０≦ｄ４≦０．６３×λ０ ０．２８×λ０≦ｄ５≦０．３５×λ０ を満足することを特徴としている。
て、前記複数の薄膜は５つの薄膜であり、第１層から第
５層の光学膜厚を順にｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５と
したとき、 ０．１４×λ０≦ｄ１≦０．１６×λ０ ０．１ ×λ０≦ｄ２≦０．１４×λ０ ０．２４×λ０≦ｄ３≦０．２７×λ０ ０．５ ×λ０≦ｄ４≦０．６３×λ０ ０．２８×λ０≦ｄ５≦０．３５×λ０ を満足することを特徴としている。
【００１４】請求項４の発明は請求項１の発明におい
て、前記複数の薄膜は６つの薄膜であり、第１層から第
６層の光学膜厚を順にｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５，
ｄ６としたとき、 ０．１４×λ０≦ｄ１≦０．１６×λ０ ０．１３×λ０≦ｄ２≦０．１６×λ０ ０．２４×λ０≦ｄ３≦０．２７×λ０ ０．５５×λ０≦ｄ４≦０．６８×λ０ ０．３ ×λ０≦ｄ５≦０．４ ×λ０ ０．５６×λ０≦ｄ６≦０．７ ×λ０ を満足することを特徴としている。
て、前記複数の薄膜は６つの薄膜であり、第１層から第
６層の光学膜厚を順にｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５，
ｄ６としたとき、 ０．１４×λ０≦ｄ１≦０．１６×λ０ ０．１３×λ０≦ｄ２≦０．１６×λ０ ０．２４×λ０≦ｄ３≦０．２７×λ０ ０．５５×λ０≦ｄ４≦０．６８×λ０ ０．３ ×λ０≦ｄ５≦０．４ ×λ０ ０．５６×λ０≦ｄ６≦０．７ ×λ０ を満足することを特徴としている。
【００１５】請求項５の発明は請求項１の発明におい
て、前記複数の薄膜は６つの薄膜であり、第１層から第
６層の光学膜厚を順にｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５，
ｄ６としたとき、 ０．１４×λ０≦ｄ１≦０．１７×λ０ ０．１ ×λ０≦ｄ２≦０．１３×λ０ ０．２５×λ０≦ｄ３≦０．２８×λ０ ０．７５×λ０≦ｄ４≦０．９ ×λ０ ０．２ ×λ０≦ｄ５≦０．３４×λ０ ０．２ ×λ０≦ｄ６≦０．３４×λ０ を満足することを特徴としている。
て、前記複数の薄膜は６つの薄膜であり、第１層から第
６層の光学膜厚を順にｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５，
ｄ６としたとき、 ０．１４×λ０≦ｄ１≦０．１７×λ０ ０．１ ×λ０≦ｄ２≦０．１３×λ０ ０．２５×λ０≦ｄ３≦０．２８×λ０ ０．７５×λ０≦ｄ４≦０．９ ×λ０ ０．２ ×λ０≦ｄ５≦０．３４×λ０ ０．２ ×λ０≦ｄ６≦０．３４×λ０ を満足することを特徴としている。
【００１６】請求項６の発明は請求項１の発明におい
て、前記複数の薄膜は６つの薄膜であり、第１層から第
６層の光学膜厚を順にｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５，
ｄ６としたとき、 ０．１４×λ０≦ｄ１≦０．１６×λ０ ０．１３×λ０≦ｄ２≦０．１５×λ０ ０．２５×λ０≦ｄ３≦０．２８×λ０ ０．４８×λ０≦ｄ４≦０．６８×λ０ ０．２８×λ０≦ｄ５≦０．４３×λ０ ０．２５×λ０≦ｄ６≦０．４０×λ０ を満足することを特徴としている。
て、前記複数の薄膜は６つの薄膜であり、第１層から第
６層の光学膜厚を順にｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５，
ｄ６としたとき、 ０．１４×λ０≦ｄ１≦０．１６×λ０ ０．１３×λ０≦ｄ２≦０．１５×λ０ ０．２５×λ０≦ｄ３≦０．２８×λ０ ０．４８×λ０≦ｄ４≦０．６８×λ０ ０．２８×λ０≦ｄ５≦０．４３×λ０ ０．２５×λ０≦ｄ６≦０．４０×λ０ を満足することを特徴としている。
【００１７】請求項７の発明は請求項１の発明から請求
項６の発明のいずれか１つにおいて、前記高屈折率層の
材料がＡｌ2 Ｏ3 であり、低屈折率層の材料がＡｌＦ3
またはＭｇＦ2 又はＮａ2 ＡｌＦ6 であることを特徴と
している。
項６の発明のいずれか１つにおいて、前記高屈折率層の
材料がＡｌ2 Ｏ3 であり、低屈折率層の材料がＡｌＦ3
またはＭｇＦ2 又はＮａ2 ＡｌＦ6 であることを特徴と
している。
【００１８】請求項８の発明は請求項１の発明から請求
項６の発明のいずれか１つにおいて、前記基板が石英又
は蛍石であることを特徴としている。
項６の発明のいずれか１つにおいて、前記基板が石英又
は蛍石であることを特徴としている。
【００１９】請求項９の発明の光学系は、請求項１の発
明から請求項８の発明のいずれか１つの反射防止膜を施
したレンズを備えることを特徴としている。
明から請求項８の発明のいずれか１つの反射防止膜を施
したレンズを備えることを特徴としている。
【００２０】請求項１０の発明の照明装置は、請求項９
の発明の光学系を用いて光源手段からの光束で所定面を
照明していることを特徴としている。
の発明の光学系を用いて光源手段からの光束で所定面を
照明していることを特徴としている。
【００２１】請求項１１の発明の露光装置は、請求項９
の発明の光学系により原版のパターンを基板上に結像す
ることを特徴としている。
の発明の光学系により原版のパターンを基板上に結像す
ることを特徴としている。
【００２２】請求項１２の発明の露光装置は、請求項９
の発明の光学系により原版を照明し、かつ該原版のパタ
ーンを基板上に投影することを特徴としている。
の発明の光学系により原版を照明し、かつ該原版のパタ
ーンを基板上に投影することを特徴としている。
【００２３】請求項１３の発明のデバイス製造方法は、
請求項１１の発明又は請求項１２の発明の露光装置を用
いて原版のパターンを基板上に転写する工程を有するこ
とを特徴としている。
請求項１１の発明又は請求項１２の発明の露光装置を用
いて原版のパターンを基板上に転写する工程を有するこ
とを特徴としている。
【００２４】請求項１４の発明の反射防止膜の製造方法
は、請求項１の発明から請求項８の発明のいずれか１つ
の反射防止膜をスパッタ法により形成することを特徴と
している。
は、請求項１の発明から請求項８の発明のいずれか１つ
の反射防止膜をスパッタ法により形成することを特徴と
している。
【００２５】請求項１５の発明の反射防止膜の製造方法
は、請求項１の発明から請求項８の発明のいずれか１つ
の請求項１から８のいずれか１項記載の反射防止膜を真
空蒸着法により形成することを特徴としている。
は、請求項１の発明から請求項８の発明のいずれか１つ
の請求項１から８のいずれか１項記載の反射防止膜を真
空蒸着法により形成することを特徴としている。
【００２６】
【発明の実施の形態】本実施形態の反射防止膜は、第１
波長λ１近傍と波長λ１より長波長の第２波長λ２近傍
の２つの波長で反射防止としている。このとき、中心波
長λ０を２／λ０＝１／λ１＋１／λ２としている。波
長λ１が１９３ｎｍで、空気側から基板側へ順に第１
層，第２層，第３層，第４層…と数える多層膜構成で、
層数が４から６の範囲にあり、奇数層目が低屈折率膜、
偶数層目が高屈折率膜である。
波長λ１近傍と波長λ１より長波長の第２波長λ２近傍
の２つの波長で反射防止としている。このとき、中心波
長λ０を２／λ０＝１／λ１＋１／λ２としている。波
長λ１が１９３ｎｍで、空気側から基板側へ順に第１
層，第２層，第３層，第４層…と数える多層膜構成で、
層数が４から６の範囲にあり、奇数層目が低屈折率膜、
偶数層目が高屈折率膜である。
【００２７】波長λ１において、高屈折率膜の屈折率が
１．７から１．８の範囲、低屈折率層の屈折率が１．４
から１．５の範囲である。第１層と第２層の光学膜厚の
和が中心波長λ０の０．２２倍から０．３２倍の範囲で
あり、第３層の光学膜厚が中心波長の０．２４倍から
０．２８倍の範囲である。
１．７から１．８の範囲、低屈折率層の屈折率が１．４
から１．５の範囲である。第１層と第２層の光学膜厚の
和が中心波長λ０の０．２２倍から０．３２倍の範囲で
あり、第３層の光学膜厚が中心波長の０．２４倍から
０．２８倍の範囲である。
【００２８】次に本実施形態の反射防止膜の具体的構成
について説明する。
について説明する。
【００２９】図１は本発明の反射防止膜の実施形態１，
２の要部断面概略図である。本実施形態の反射防止膜は
透明な基板（石英）Ｇ面上に空気側より、第１層，第３
層が低屈折率材料のＭｇＦ2 、第２層，第４層が高屈折
率材料のＡｌ2 Ｏ3 の４層膜より構成している。
２の要部断面概略図である。本実施形態の反射防止膜は
透明な基板（石英）Ｇ面上に空気側より、第１層，第３
層が低屈折率材料のＭｇＦ2 、第２層，第４層が高屈折
率材料のＡｌ2 Ｏ3 の４層膜より構成している。
【００３０】そして、第１層から第４層の光学膜厚を順
にｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４としたとき、 ０．１５×λ０≦ｄ１≦０．１７×λ０ ０．０７×λ０≦ｄ２≦０．１２×λ０ ０．２４×λ０≦ｄ３≦０．２７×λ０ ０．５ ×λ０≦ｄ４≦０．６３×λ０ を満足するようにしている。
にｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４としたとき、 ０．１５×λ０≦ｄ１≦０．１７×λ０ ０．０７×λ０≦ｄ２≦０．１２×λ０ ０．２４×λ０≦ｄ３≦０．２７×λ０ ０．５ ×λ０≦ｄ４≦０．６３×λ０ を満足するようにしている。
【００３１】これにより、耐環境性が良く、膜厚が小さ
く生産性が良く、かつ波長２００ｎｍ以下の紫外光と波
長６００ｎｍから７００ｎｍの光に対して反射防止効果
のある２波長の反射防止膜を達成している。
く生産性が良く、かつ波長２００ｎｍ以下の紫外光と波
長６００ｎｍから７００ｎｍの光に対して反射防止効果
のある２波長の反射防止膜を達成している。
【００３２】ここで光学膜厚とは（材料の屈折率）×
（幾何学的厚さ）である。
（幾何学的厚さ）である。
【００３３】図２は本発明の反射防止膜の実施形態３，
４の要部断面概略図である。本実施形態の反射防止膜は
透明な基板（石英）Ｇ面上に、第１層，第３層，第５層
が低屈折率材料のＭｇＦ2 、第２層，第４層が高屈折率
材料のＡｌ2 Ｏ3 の５層膜より構成している。
４の要部断面概略図である。本実施形態の反射防止膜は
透明な基板（石英）Ｇ面上に、第１層，第３層，第５層
が低屈折率材料のＭｇＦ2 、第２層，第４層が高屈折率
材料のＡｌ2 Ｏ3 の５層膜より構成している。
【００３４】そして、第１層から第５層の光学膜厚を順
にｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５としたとき、 ０．１４×λ０≦ｄ１≦０．１６×λ０ ０．１ ×λ０≦ｄ２≦０．１４×λ０ ０．２４×λ０≦ｄ３≦０．２７×λ０ ０．５ ×λ０≦ｄ４≦０．６３×λ０ ０．２８×λ０≦ｄ５≦０．３５×λ０ を満足するようにしている。
にｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５としたとき、 ０．１４×λ０≦ｄ１≦０．１６×λ０ ０．１ ×λ０≦ｄ２≦０．１４×λ０ ０．２４×λ０≦ｄ３≦０．２７×λ０ ０．５ ×λ０≦ｄ４≦０．６３×λ０ ０．２８×λ０≦ｄ５≦０．３５×λ０ を満足するようにしている。
【００３５】これにより、耐環境性が良く、膜厚が小さ
く生産性が良く、かつ波長２００ｎｍ以下の紫外光と波
長６００ｎｍから７００ｎｍの光に対して反射防止効果
のある２波長の反射防止膜を達成している。
く生産性が良く、かつ波長２００ｎｍ以下の紫外光と波
長６００ｎｍから７００ｎｍの光に対して反射防止効果
のある２波長の反射防止膜を達成している。
【００３６】図３は本発明の反射防止膜の実施形態５，
６，７，８の要部断面概略図である。本実施形態の反射
防止膜は透明な基板（石英）Ｇ面上に、第１層，第３
層，第５層が低屈折率材料のＭｇＦ2 、第２層，第４
層，第６層が高屈折率材料のＡｌ2 Ｏ3 の６層膜より構
成している。
６，７，８の要部断面概略図である。本実施形態の反射
防止膜は透明な基板（石英）Ｇ面上に、第１層，第３
層，第５層が低屈折率材料のＭｇＦ2 、第２層，第４
層，第６層が高屈折率材料のＡｌ2 Ｏ3 の６層膜より構
成している。
【００３７】そして、(ア-1) 第１層から第６層の光学膜
厚を順にｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５，ｄ６としたと
き、 ０．１４×λ０≦ｄ１≦０．１６×λ０ ０．１３×λ０≦ｄ２≦０．１６×λ０ ０．２４×λ０≦ｄ３≦０．２７×λ０ ０．５５×λ０≦ｄ４≦０．６８×λ０ ０．３ ×λ０≦ｄ５≦０．４ ×λ０ ０．５６×λ０≦ｄ６≦０．７ ×λ０ を満足するようにしている。
厚を順にｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５，ｄ６としたと
き、 ０．１４×λ０≦ｄ１≦０．１６×λ０ ０．１３×λ０≦ｄ２≦０．１６×λ０ ０．２４×λ０≦ｄ３≦０．２７×λ０ ０．５５×λ０≦ｄ４≦０．６８×λ０ ０．３ ×λ０≦ｄ５≦０．４ ×λ０ ０．５６×λ０≦ｄ６≦０．７ ×λ０ を満足するようにしている。
【００３８】(ア-2) 第１層から第６層の光学膜厚を順に
ｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５，ｄ６としたとき、 ０．１４×λ０≦ｄ１≦０．１７×λ０ ０．１ ×λ０≦ｄ２≦０．１３×λ０ ０．２５×λ０≦ｄ３≦０．２８×λ０ ０．７５×λ０≦ｄ４≦０．９ ×λ０ ０．２ ×λ０≦ｄ５≦０．３４×λ０ ０．２ ×λ０≦ｄ６≦０．３４×λ０ を満足するようにしている。
ｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５，ｄ６としたとき、 ０．１４×λ０≦ｄ１≦０．１７×λ０ ０．１ ×λ０≦ｄ２≦０．１３×λ０ ０．２５×λ０≦ｄ３≦０．２８×λ０ ０．７５×λ０≦ｄ４≦０．９ ×λ０ ０．２ ×λ０≦ｄ５≦０．３４×λ０ ０．２ ×λ０≦ｄ６≦０．３４×λ０ を満足するようにしている。
【００３９】(ア-3) 第１層から第６層の光学膜厚を順に
ｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５，ｄ６としたとき、 ０．１４×λ０≦ｄ１≦０．１６×λ０ ０．１３×λ０≦ｄ２≦０．１５×λ０ ０．２５×λ０≦ｄ３≦０．２８×λ０ ０．４８×λ０≦ｄ４≦０．６８×λ０ ０．２８×λ０≦ｄ５≦０．４３×λ０ ０．２５×λ０≦ｄ６≦０．４０×λ０ を満足するようにしている。
ｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５，ｄ６としたとき、 ０．１４×λ０≦ｄ１≦０．１６×λ０ ０．１３×λ０≦ｄ２≦０．１５×λ０ ０．２５×λ０≦ｄ３≦０．２８×λ０ ０．４８×λ０≦ｄ４≦０．６８×λ０ ０．２８×λ０≦ｄ５≦０．４３×λ０ ０．２５×λ０≦ｄ６≦０．４０×λ０ を満足するようにしている。
【００４０】これにより、耐環境性が良く、膜厚が小さ
く生産性が良く、かつ波長２００ｎｍ以下の紫外光と波
長６００ｎｍから７００ｎｍの光に対して反射防止効果
のある２波長の反射防止膜を達成している。
く生産性が良く、かつ波長２００ｎｍ以下の紫外光と波
長６００ｎｍから７００ｎｍの光に対して反射防止効果
のある２波長の反射防止膜を達成している。
【００４１】尚、以上の各実施形態における基板は石英
の他に蛍石でも良い。又、低屈折率材料としては、Ａｌ
Ｆ3 ，Ｎａ2 ＡｌＦ6 であっても良い。
の他に蛍石でも良い。又、低屈折率材料としては、Ａｌ
Ｆ3 ，Ｎａ2 ＡｌＦ6 であっても良い。
【００４２】次に各実施形態の膜構成の具体的な数値例
を示す。
を示す。
【００４３】（実施例） 実施例１ 合成石英ガラス基板上に波長１９３ｎｍの紫外光と波長
６００ｎｍから７００ｎｍ間の可視光（６３３ｎｍ）の
共に反射防止膜効果のある２波長反射防止膜を、表１に
示した膜構成及び膜厚で真空蒸着法を用いて製作し、そ
の反射特性図を図４に示した。低屈折率材料としてＡｌ
Ｆ3 ，ＮＡ3 ＡｌＦ6 を用いてもほぼ同様の特性が得ら
れた。尚、屈折率は波長１９３ｎｍで測定した値であ
る。
６００ｎｍから７００ｎｍ間の可視光（６３３ｎｍ）の
共に反射防止膜効果のある２波長反射防止膜を、表１に
示した膜構成及び膜厚で真空蒸着法を用いて製作し、そ
の反射特性図を図４に示した。低屈折率材料としてＡｌ
Ｆ3 ，ＮＡ3 ＡｌＦ6 を用いてもほぼ同様の特性が得ら
れた。尚、屈折率は波長１９３ｎｍで測定した値であ
る。
【００４４】
【表１】 実施例２ 蛍石基板上に波長１９３ｎｍの紫外光と波長６００ｎｍ
から７００ｎｍの間の可視光（６３３ｎｍ）の共に反射
防止膜効果のある２波長反射防止膜を、表２に示した膜
構成及び膜厚で真空蒸着法を用いて製作し、その反射特
性図を図５に示した。低屈折率材料としてＡｌＦ3 ，Ｎ
ａ3 ＡｌＦ6 を用いてもほぼ同様の特性が得られた。
尚、屈折率は波長１９３ｎｍで測定した値である。
から７００ｎｍの間の可視光（６３３ｎｍ）の共に反射
防止膜効果のある２波長反射防止膜を、表２に示した膜
構成及び膜厚で真空蒸着法を用いて製作し、その反射特
性図を図５に示した。低屈折率材料としてＡｌＦ3 ，Ｎ
ａ3 ＡｌＦ6 を用いてもほぼ同様の特性が得られた。
尚、屈折率は波長１９３ｎｍで測定した値である。
【００４５】
【表２】 実施例３ 合成石英ガラス基板上に波長１９３ｎｍの紫外光と波長
６００ｎｍから７００ｎｍの間の可視光（６３３ｎｍ）
の共に反射防止膜効果のある２波長反射防止膜を、表３
に示した膜構成及び膜厚で真空蒸着法を用いて製作し、
その反射特性図を図６に示した。低屈折率材料としてＡ
ｌＦ3 ，Ｎａ3 ＡｌＦ6 を用いてもほぼ同様の特性が得
られた。尚、屈折率は波長１９３ｎｍで測定した値であ
る。
６００ｎｍから７００ｎｍの間の可視光（６３３ｎｍ）
の共に反射防止膜効果のある２波長反射防止膜を、表３
に示した膜構成及び膜厚で真空蒸着法を用いて製作し、
その反射特性図を図６に示した。低屈折率材料としてＡ
ｌＦ3 ，Ｎａ3 ＡｌＦ6 を用いてもほぼ同様の特性が得
られた。尚、屈折率は波長１９３ｎｍで測定した値であ
る。
【００４６】
【表３】 実施例４ 蛍石基板上に波長１９３ｎｍの紫外光と波長６００ｎｍ
から７００ｎｍの間の可視光（６３３ｎｍ）の共に反射
防止膜効果のある２波長反射防止膜を、表４に示した膜
構成及び膜厚で真空蒸着法を用いて製作し、その反射特
性図を図７に示した。低屈折率材料としてＡｌＦ3 ，Ｎ
ａ3 ＡｌＦ6 を用いてもほぼ同様の特性が得られた。
尚、屈折率は波長１９３ｎｍで測定した値である。
から７００ｎｍの間の可視光（６３３ｎｍ）の共に反射
防止膜効果のある２波長反射防止膜を、表４に示した膜
構成及び膜厚で真空蒸着法を用いて製作し、その反射特
性図を図７に示した。低屈折率材料としてＡｌＦ3 ，Ｎ
ａ3 ＡｌＦ6 を用いてもほぼ同様の特性が得られた。
尚、屈折率は波長１９３ｎｍで測定した値である。
【００４７】
【表４】 実施例５ 合成石英ガラス基板上に波長１９３ｎｍの紫外光と波長
６００ｎｍから７００ｎｍの間の可視光（６３３ｎｍ）
の共に反射防止膜効果のある２波長反射防止膜を、表５
に示した膜構成及び膜厚で真空蒸着法を用いて製作し、
その反射特性図を図８に示した。低屈折率材料としてＡ
ｌＦ3 ，Ｎａ3 ＡｌＦ6 を用いてもほぼ同様の特性が得
られた。尚、屈折率は波長１９３ｎｍで測定した値であ
る。
６００ｎｍから７００ｎｍの間の可視光（６３３ｎｍ）
の共に反射防止膜効果のある２波長反射防止膜を、表５
に示した膜構成及び膜厚で真空蒸着法を用いて製作し、
その反射特性図を図８に示した。低屈折率材料としてＡ
ｌＦ3 ，Ｎａ3 ＡｌＦ6 を用いてもほぼ同様の特性が得
られた。尚、屈折率は波長１９３ｎｍで測定した値であ
る。
【００４８】
【表５】 実施例６ 合成石英ガラス基板上に波長１９３ｎｍの紫外光と波長
６００ｎｍから７００ｎｍの間の可視光（６３３ｎｍ）
の共に反射防止膜効果のある２波長反射防止膜を、表６
に示した膜構成及び膜厚で真空蒸着法を用いて製作し、
その反射特性図を図９に示した。低屈折率材料としてＡ
ｌＦ3 ，Ｎａ3 ＡｌＦ6 を用いてもほぼ同様の特性が得
られた。尚、屈折率は波長１９３ｎｍで測定した値であ
る。
６００ｎｍから７００ｎｍの間の可視光（６３３ｎｍ）
の共に反射防止膜効果のある２波長反射防止膜を、表６
に示した膜構成及び膜厚で真空蒸着法を用いて製作し、
その反射特性図を図９に示した。低屈折率材料としてＡ
ｌＦ3 ，Ｎａ3 ＡｌＦ6 を用いてもほぼ同様の特性が得
られた。尚、屈折率は波長１９３ｎｍで測定した値であ
る。
【００４９】
【表６】 実施例７ 合成石英ガラス基板上に波長１９３ｎｍの紫外光と波長
６００ｎｍから７００ｎｍの間の可視光（６３３ｎｍ）
の共に反射防止膜効果のある２波長反射防止膜を、表７
に示した膜構成及び膜厚で真空蒸着法を用いて製作し、
その反射特性図を図１０に示した。低屈折率材料として
ＡｌＦ3 ，Ｎａ3 ＡｌＦ6 を用いてもほぼ同様の特性が
得られた。尚、屈折率は波長１９３ｎｍで測定した値で
ある。
６００ｎｍから７００ｎｍの間の可視光（６３３ｎｍ）
の共に反射防止膜効果のある２波長反射防止膜を、表７
に示した膜構成及び膜厚で真空蒸着法を用いて製作し、
その反射特性図を図１０に示した。低屈折率材料として
ＡｌＦ3 ，Ｎａ3 ＡｌＦ6 を用いてもほぼ同様の特性が
得られた。尚、屈折率は波長１９３ｎｍで測定した値で
ある。
【００５０】
【表７】 実施例８ 蛍石基板上に波長１９３ｎｍの紫外光と波長６００ｎｍ
から７００ｎｍの間の可視光（６３３ｎｍ）の共に反射
防止膜効果のある２波長反射防止膜を、表８に示した膜
構成及び膜厚で真空蒸着法を用いて製作し、その反射特
性図を図１１に示した。低屈折率材料としてＡｌＦ3 ，
Ｎａ3 ＡｌＦ6 を用いてもほぼ同様の特性が得られた。
尚、屈折率は波長１９３ｎｍで測定した値である。
から７００ｎｍの間の可視光（６３３ｎｍ）の共に反射
防止膜効果のある２波長反射防止膜を、表８に示した膜
構成及び膜厚で真空蒸着法を用いて製作し、その反射特
性図を図１１に示した。低屈折率材料としてＡｌＦ3 ，
Ｎａ3 ＡｌＦ6 を用いてもほぼ同様の特性が得られた。
尚、屈折率は波長１９３ｎｍで測定した値である。
【００５１】
【表８】 本発明では前述した構成の反射防止膜を各レンズ面やミ
ラー面等に適用した光学系を紫外光領域を対象とした各
種の装置に用いている。例えば、前述した構成の反射防
止膜を施した光学系を半導体デバイスを製造するときに
回路パターンが形成されているレチクル面を照明すると
きの照明装置やレチクル面上のパターンをウエハ面上に
投影露光するときの露光装置等に用いている。又、この
ときの露光装置によって得られたウエハを現像処理工程
を介してデバイスを製造するようにしている。
ラー面等に適用した光学系を紫外光領域を対象とした各
種の装置に用いている。例えば、前述した構成の反射防
止膜を施した光学系を半導体デバイスを製造するときに
回路パターンが形成されているレチクル面を照明すると
きの照明装置やレチクル面上のパターンをウエハ面上に
投影露光するときの露光装置等に用いている。又、この
ときの露光装置によって得られたウエハを現像処理工程
を介してデバイスを製造するようにしている。
【００５２】図１２は本発明の反射防止膜を備える光学
系を用いた半導体デバイス製造用の露光装置の要部概略
図である。
系を用いた半導体デバイス製造用の露光装置の要部概略
図である。
【００５３】図中、１はエキシマレーザ等の紫外光を放
射する光源である。２は照明装置であり、光源１からの
光束でレチクル４を照明している。３はミラー面であ
る。５は投影光学系であり、レチクル４面上のパターン
をウエハ６に投影している。
射する光源である。２は照明装置であり、光源１からの
光束でレチクル４を照明している。３はミラー面であ
る。５は投影光学系であり、レチクル４面上のパターン
をウエハ６に投影している。
【００５４】本実施形態ではミラー３、そして照明装置
２や投影光学系５に使われているレンズ等の光学要素に
は本発明の反射防止膜が施されている。これによって光
束の各面での反射防止を図り、フレアーやゴーストの発
生を防止して良好なる投影パターン像を得ている。
２や投影光学系５に使われているレンズ等の光学要素に
は本発明の反射防止膜が施されている。これによって光
束の各面での反射防止を図り、フレアーやゴーストの発
生を防止して良好なる投影パターン像を得ている。
【００５５】次に上記説明した露光装置を利用した半導
体デバイスの製造方法の実施例を説明する。
体デバイスの製造方法の実施例を説明する。
【００５６】図１３は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等
の半導体チップ、或は液晶パネルやＣＣＤ等）の製造の
フローチャートである。
の半導体チップ、或は液晶パネルやＣＣＤ等）の製造の
フローチャートである。
【００５７】本実施例において、ステップ１（回路設
計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２
（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマ
スクを製作する。
計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２
（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマ
スクを製作する。
【００５８】一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前行程と呼ばれ、前記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前行程と呼ばれ、前記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
【００５９】次のステップ５（組立）は後行程と呼ば
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する行程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する行程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。
【００６０】ステップ６（検査）ではステップ５で作製
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷（ステップ７）される。
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００６１】図１４は上記ステップ４のウエハプロセス
の詳細なフローチャートである。まずステップ１１（酸
化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（Ｃ
ＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。
の詳細なフローチャートである。まずステップ１１（酸
化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（Ｃ
ＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。
【００６２】ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に
電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打
込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では前記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打
込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では前記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
【００６３】ステップ１７（現像）では露光したウエハ
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジス
ト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
尚、本実施形態の製造方法を用いれば、高集積度の半導
体デバイスを容易に製造することができる。
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジス
ト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
尚、本実施形態の製造方法を用いれば、高集積度の半導
体デバイスを容易に製造することができる。
【００６４】
【発明の効果】本発明によれば以上のように、所定の屈
折率を有する透明基板上に高屈折率層と低屈折率層とを
適切な光学的膜厚で積層することによって、耐環境性が
良く、膜厚が小さく生産性が良く、かつ波長２００ｎｍ
以下の紫外領域と波長６００ｎｍ〜波長７００ｎｍの波
長域の２つの波長域において良好なる反射防止を行った
反射防止膜及びそれを施した光学系を達成することがで
きる。
折率を有する透明基板上に高屈折率層と低屈折率層とを
適切な光学的膜厚で積層することによって、耐環境性が
良く、膜厚が小さく生産性が良く、かつ波長２００ｎｍ
以下の紫外領域と波長６００ｎｍ〜波長７００ｎｍの波
長域の２つの波長域において良好なる反射防止を行った
反射防止膜及びそれを施した光学系を達成することがで
きる。
【図１】 本発明の反射防止膜の実施形態１，２の要部
断面概略図
断面概略図
【図２】 本発明の反射防止膜の実施形態３，４の要部
断面概略図
断面概略図
【図３】 本発明の反射防止膜の実施形態５，６，７，
８の要部断面概略図
８の要部断面概略図
【図４】 本発明の反射防止膜の実施形態１の反射特性
図
図
【図５】 本発明の反射防止膜の実施形態２の反射特性
図
図
【図６】 本発明の反射防止膜の実施形態３の反射特性
図
図
【図７】 本発明の反射防止膜の実施形態４の反射特性
図
図
【図８】 本発明の反射防止膜の実施形態５の反射特性
図
図
【図９】 本発明の反射防止膜の実施形態６の反射特性
図
図
【図１０】 本発明の反射防止膜の実施形態７の反射特
性図
性図
【図１１】 本発明の反射防止膜の実施形態８の反射特
性図
性図
【図１２】 本発明の露光装置の要部概略図
【図１３】 本発明のデバイスの製造方法のフローチャ
ート
ート
【図１４】 本発明のデバイスの製造方法のフローチャ
ート
ート
Ｇ 基板 １ 光源 ２ 照明装置 ３ ミラー ４，Ｒ レチクル ５ 投影光学系 ６，Ｗ ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 康之 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 枇榔 竜二 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 金沢 秀宏 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 2K009 AA07 AA08 AA09 BB04 CC03 CC06 DD03 4G059 AA01 AA08 AA11 AC04 EA01 EA09 EB03 EB04 GA02 GA04 GA12
Claims (15)
- 【請求項１】 透明な基板上に空気側から該基板側へ順
に第１層，第２層，第３層，…と複数の薄膜を施した多
層膜構成で波長λ１と、それより長い波長λ２の２つの
波長で反射防止を行った反射防止膜であって、奇数層目
が低屈折率膜、偶数層目が高屈折率膜であり、波長λ１
での該高屈折率膜と低屈折率膜の屈折率を各々Ｎａ，Ｎ
ｅ、中心波長λ０を 【数１】 としたとき、該第１層と第２層の光学膜厚（屈折率×幾
何学的厚さ）の和をＤ１２、該第３層の光学膜厚をｄ３
としたとき、 １．７＜Ｎａ＜１．８ １．４＜Ｎｅ＜１．５ ０．２２×λ０≦Ｄ１２≦０．３２×λ０ ０．２４×λ０≦ｄ３ ≦０．２８×λ０ を満足することを特徴とする反射防止膜。 - 【請求項２】 前記複数の薄膜は４つの薄膜であり、第
１層から第４層の光学膜厚を順にｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ
４としたとき、 ０．１５×λ０≦ｄ１≦０．１７×λ０ ０．０７×λ０≦ｄ２≦０．１２×λ０ ０．２４×λ０≦ｄ３≦０．２７×λ０ ０．５ ×λ０≦ｄ４≦０．６３×λ０ を満足することを特徴とする請求項１の反射防止膜。 - 【請求項３】 前記複数の薄膜は５つの薄膜であり、第
１層から第５層の光学膜厚を順にｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ
４，ｄ５としたとき、 ０．１４×λ０≦ｄ１≦０．１６×λ０ ０．１ ×λ０≦ｄ２≦０．１４×λ０ ０．２４×λ０≦ｄ３≦０．２７×λ０ ０．５ ×λ０≦ｄ４≦０．６３×λ０ ０．２８×λ０≦ｄ５≦０．３５×λ０ を満足することを特徴とする請求項１の反射防止膜。 - 【請求項４】 前記複数の薄膜は６つの薄膜であり、第
１層から第６層の光学膜厚を順にｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ
４，ｄ５，ｄ６としたとき、 ０．１４×λ０≦ｄ１≦０．１６×λ０ ０．１３×λ０≦ｄ２≦０．１６×λ０ ０．２４×λ０≦ｄ３≦０．２７×λ０ ０．５５×λ０≦ｄ４≦０．６８×λ０ ０．３ ×λ０≦ｄ５≦０．４ ×λ０ ０．５６×λ０≦ｄ６≦０．７ ×λ０ を満足することを特徴とする請求項１の反射防止膜。 - 【請求項５】 前記複数の薄膜は６つの薄膜であり、第
１層から第６層の光学膜厚を順にｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ
４，ｄ５，ｄ６としたとき、 ０．１４×λ０≦ｄ１≦０．１７×λ０ ０．１ ×λ０≦ｄ２≦０．１３×λ０ ０．２５×λ０≦ｄ３≦０．２８×λ０ ０．７５×λ０≦ｄ４≦０．９ ×λ０ ０．２ ×λ０≦ｄ５≦０．３４×λ０ ０．２ ×λ０≦ｄ６≦０．３４×λ０ を満足することを特徴とする請求項１の反射防止膜。 - 【請求項６】 前記複数の薄膜は６つの薄膜であり、第
１層から第６層の光学膜厚を順にｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ
４，ｄ５，ｄ６としたとき、 ０．１４×λ０≦ｄ１≦０．１６×λ０ ０．１３×λ０≦ｄ２≦０．１５×λ０ ０．２５×λ０≦ｄ３≦０．２８×λ０ ０．４８×λ０≦ｄ４≦０．６８×λ０ ０．２８×λ０≦ｄ５≦０．４３×λ０ ０．２５×λ０≦ｄ６≦０．４０×λ０ を満足することを特徴とする請求項１の反射防止膜。 - 【請求項７】 前記高屈折率層の材料がＡｌ2 Ｏ3 であ
り、低屈折率層の材料がＡｌＦ3 またはＭｇＦ2 又はＮ
ａ2 ＡｌＦ6 であることを特徴とする請求項１から６の
いずれか１項の反射防止膜。 - 【請求項８】 前記基板が石英又は蛍石であることを特
徴とする請求項１から６のいずれか１項の反射防止膜。 - 【請求項９】 請求項１から８のいずれか１項記載の反
射防止膜を施したレンズを備えることを特徴とする光学
系。 - 【請求項１０】 請求項９の光学系を用いて光源手段か
らの光束で所定面を照明していることを特徴とする照明
装置。 - 【請求項１１】 請求項９の光学系により原版のパター
ンを基板上に結像することを特徴とする露光装置。 - 【請求項１２】 請求項９の光学系により原版を照明
し、かつ該原版のパターンを基板上に投影することを特
徴とする露光装置。 - 【請求項１３】 請求項１１又は１２の露光装置を用い
て原版のパターンを基板上に転写する工程を有すること
を特徴とするデバイス製造方法。 - 【請求項１４】 請求項１から８のいずれか１項記載の
反射防止膜をスパッタ法により形成することを特徴とす
る反射防止膜の製造方法。 - 【請求項１５】 請求項１から８のいずれか１項記載の
反射防止膜を真空蒸着法により形成することを特徴とす
る反射防止膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37750898A JP3943740B2 (ja) | 1998-12-28 | 1998-12-28 | 反射防止膜及びそれを施した光学系 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37750898A JP3943740B2 (ja) | 1998-12-28 | 1998-12-28 | 反射防止膜及びそれを施した光学系 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000199801A true JP2000199801A (ja) | 2000-07-18 |
| JP3943740B2 JP3943740B2 (ja) | 2007-07-11 |
Family
ID=18508910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP37750898A Expired - Fee Related JP3943740B2 (ja) | 1998-12-28 | 1998-12-28 | 反射防止膜及びそれを施した光学系 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3943740B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002286909A (ja) * | 2001-01-05 | 2002-10-03 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | 紫外線反射防止コーティング |
| JPWO2003003074A1 (ja) * | 2001-06-29 | 2004-10-21 | Jsr株式会社 | 反射防止膜積層体およびその製造方法 |
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1998
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