JP2000198977A - ＧａＮ蛍光体の製造方法 - Google Patents
ＧａＮ蛍光体の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】高温で焼成しても体色が黒化しないＧａＮ系蛍
光体の製造方法を提供する。 【構成】焼成炉１の内部にＧａＮ蛍光体の原料物質３
（Ｇａ2 Ｏ3 、ＺｎＳ等）を配置する。アンモニアとと
もに、Ｓ又はＯ（又は両方）を含むガス（Ｈ2 Ｓ等）を
流す。原料物質３付近にはＳ、Ｏを含む雰囲気が生じ
る。この結果、原料物質３付近の水素による還元作用が
抑制され、生成したＧａＮの分解がおこり難くなる。こ
のため、焼成温度を上げてもＧａＮの分解による黒化現
象は発生しない。焼成温度を上昇させて結晶性の高いＧ
ａＮ蛍光体が得られ、実用的な輝度が得られる。
光体の製造方法を提供する。 【構成】焼成炉１の内部にＧａＮ蛍光体の原料物質３
（Ｇａ2 Ｏ3 、ＺｎＳ等）を配置する。アンモニアとと
もに、Ｓ又はＯ（又は両方）を含むガス（Ｈ2 Ｓ等）を
流す。原料物質３付近にはＳ、Ｏを含む雰囲気が生じ
る。この結果、原料物質３付近の水素による還元作用が
抑制され、生成したＧａＮの分解がおこり難くなる。こ
のため、焼成温度を上げてもＧａＮの分解による黒化現
象は発生しない。焼成温度を上昇させて結晶性の高いＧ
ａＮ蛍光体が得られ、実用的な輝度が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｇａ1-x Ｉｎ
x Ｎ：Ａ，Ｂ（０≦ｘ＜１、Ａ＝Ｚｎ，Ｍｇ，Ｂ＝Ｓ
ｉ，Ｇｅ）蛍光体の製造方法に関する。
x Ｎ：Ａ，Ｂ（０≦ｘ＜１、Ａ＝Ｚｎ，Ｍｇ，Ｂ＝Ｓ
ｉ，Ｇｅ）蛍光体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＧａＮは、単結晶の場合にはＬＥ
Ｄ、ＬＤ等の発光素子において青色、緑色の高輝度発光
を示す材料として知られている。また、一般式Ｇａ1-x
ＩｎxＮ：Ａ，Ｂ（０≦ｘ＜１、Ａ＝Ｚｎ，Ｍｇ，Ｂ＝
Ｓｉ，Ｇｅ）で表される場合には、青色から赤色までの
広い範囲での発光が可能である。
Ｄ、ＬＤ等の発光素子において青色、緑色の高輝度発光
を示す材料として知られている。また、一般式Ｇａ1-x
ＩｎxＮ：Ａ，Ｂ（０≦ｘ＜１、Ａ＝Ｚｎ，Ｍｇ，Ｂ＝
Ｓｉ，Ｇｅ）で表される場合には、青色から赤色までの
広い範囲での発光が可能である。
【０００３】従来、ＧａＮ蛍光体を製造するには、原料
物質であるＧａ化合物にドープ物質の化合物を混合し、
これを焼成炉内に配置してアンモニアを流しながら高温
で焼成し、Ｇａを窒化させるとともにドープ物質をドー
プさせる。
物質であるＧａ化合物にドープ物質の化合物を混合し、
これを焼成炉内に配置してアンモニアを流しながら高温
で焼成し、Ｇａを窒化させるとともにドープ物質をドー
プさせる。
【０００４】このようにして得られた材料を電子線で発
光させる試みは過去にあるが、粉体状にした蛍光体につ
いては実用的な輝度を得るに至っていない。
光させる試みは過去にあるが、粉体状にした蛍光体につ
いては実用的な輝度を得るに至っていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】輝度が得られない最大
の理由として、他の蛍光体材料と異なり窒化の困難さが
挙げられる。すなわち、この材料は窒化される温度（７
００℃〜１０００℃）と分解が始まる温度（９５０℃以
上）の差が小さいため、通常の加熱による反応では窒化
と分解が同時に進行しやすい。このため、ＧａＮはでき
るが、蛍光体として使用できる程に結晶性が高いＧａＮ
を作ることはできなかった。
の理由として、他の蛍光体材料と異なり窒化の困難さが
挙げられる。すなわち、この材料は窒化される温度（７
００℃〜１０００℃）と分解が始まる温度（９５０℃以
上）の差が小さいため、通常の加熱による反応では窒化
と分解が同時に進行しやすい。このため、ＧａＮはでき
るが、蛍光体として使用できる程に結晶性が高いＧａＮ
を作ることはできなかった。
【０００６】ＧａＮのような窒化物を得るには、一般的
には原料物質であるＧａ化合物をアンモニアを用いた雰
囲気中において高温で焼成して窒化するが、この際、ア
ンモニアの分解によって生成した水素には強力な還元作
用がともなう。ＧａＮの結晶性を向上させるために焼成
温度を上げると、この還元作用によりＧａＮが還元され
て分解し、Ｇａが遊離して蛍光体の体色が黒色する現象
が発生してしまう。この体色の黒化は、蛍光体にとって
は自らの発光を吸収して輝度を低下させる現象であるか
ら、致命的な問題である。
には原料物質であるＧａ化合物をアンモニアを用いた雰
囲気中において高温で焼成して窒化するが、この際、ア
ンモニアの分解によって生成した水素には強力な還元作
用がともなう。ＧａＮの結晶性を向上させるために焼成
温度を上げると、この還元作用によりＧａＮが還元され
て分解し、Ｇａが遊離して蛍光体の体色が黒色する現象
が発生してしまう。この体色の黒化は、蛍光体にとって
は自らの発光を吸収して輝度を低下させる現象であるか
ら、致命的な問題である。
【０００７】本発明は、結晶性を向上させるために高温
で焼成しても体色が黒化しないＧａＮ系蛍光体の製造方
法を提供することを目的としている。
で焼成しても体色が黒化しないＧａＮ系蛍光体の製造方
法を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載されたＧ
ａＮ蛍光体の製造方法は、Ｇａ1-x Ｉｎx Ｎ：Ａ，Ｂ
（０≦ｘ＜１、Ａ＝Ｚｎ，Ｍｇ、Ｂ＝Ｓｉ，Ｇｅ）で表
されるＧａＮ蛍光体の製造方法において、Ｓを含むガス
とＯを含むガスから構成される群から選択されたガス
を、ＮＨ3 ガスに添加した雰囲気中で、前記ＧａＮ蛍光
体の原料物質を焼成することを特徴としている。
ａＮ蛍光体の製造方法は、Ｇａ1-x Ｉｎx Ｎ：Ａ，Ｂ
（０≦ｘ＜１、Ａ＝Ｚｎ，Ｍｇ、Ｂ＝Ｓｉ，Ｇｅ）で表
されるＧａＮ蛍光体の製造方法において、Ｓを含むガス
とＯを含むガスから構成される群から選択されたガス
を、ＮＨ3 ガスに添加した雰囲気中で、前記ＧａＮ蛍光
体の原料物質を焼成することを特徴としている。
【０００９】請求項２に記載されたＧａＮ蛍光体の製造
方法は、請求項１記載のＧａＮ蛍光体の製造方法におい
て、Ｓを含むガスが、Ｈ2 ＳとＳＯ2 からなる群から選
択されたことを特徴としている。
方法は、請求項１記載のＧａＮ蛍光体の製造方法におい
て、Ｓを含むガスが、Ｈ2 ＳとＳＯ2 からなる群から選
択されたことを特徴としている。
【００１０】請求項３に記載されたＧａＮ蛍光体の製造
方法は、請求項１記載のＧａＮ蛍光体の製造方法におい
て、Ｏを含むガスが、Ｏ2 、Ｏ3 、Ｎ2 Ｏ、ＮＯ、空
気、Ｈ 2 Ｏ、ＣＯ2 、ＣＯからなる群から選択されたこ
とを特徴としている。
方法は、請求項１記載のＧａＮ蛍光体の製造方法におい
て、Ｏを含むガスが、Ｏ2 、Ｏ3 、Ｎ2 Ｏ、ＮＯ、空
気、Ｈ 2 Ｏ、ＣＯ2 、ＣＯからなる群から選択されたこ
とを特徴としている。
【００１１】請求項４に記載されたＧａＮ蛍光体の製造
方法は、請求項１記載のＧａＮ蛍光体の製造方法におい
て、前記ＧａＮ蛍光体の原料物質を管状炉内に配置し、
Ｓを含むガスとＯを含むガスから構成される群から選択
されたガスと、ＮＨ3 ガスとを、前記管状炉内に流すこ
とを特徴としている。
方法は、請求項１記載のＧａＮ蛍光体の製造方法におい
て、前記ＧａＮ蛍光体の原料物質を管状炉内に配置し、
Ｓを含むガスとＯを含むガスから構成される群から選択
されたガスと、ＮＨ3 ガスとを、前記管状炉内に流すこ
とを特徴としている。
【００１２】請求項５に記載されたＧａＮ蛍光体の製造
方法は、請求項１記載のＧａＮ蛍光体の製造方法におい
て、Ｓ、Ｏから選択された元素が含まれる前記ガスを加
熱により発生させる物質を、前記ＧａＮ蛍光体の原料物
質に混合しておくことを特徴としている。
方法は、請求項１記載のＧａＮ蛍光体の製造方法におい
て、Ｓ、Ｏから選択された元素が含まれる前記ガスを加
熱により発生させる物質を、前記ＧａＮ蛍光体の原料物
質に混合しておくことを特徴としている。
【００１３】
【発明の実施の形態】前記の黒化現象は、本発明者来の
調査の結果、Ｇａメタルの析出によるものであることが
わかった。即ち、Ｇａ酸化物等の原料物質を窒化して生
成されたＧａＮが、アンモニアの分解で生じた水素ガス
によって還元され、Ｇａメタルとして遊離したものであ
る。ＧａＮが黒化する問題を解決し、ＧａＮの結晶性を
改善するためには、ＧａＮの還元による分解を抑えつ
つ、ＧａＮの結晶化を行う必要がある。
調査の結果、Ｇａメタルの析出によるものであることが
わかった。即ち、Ｇａ酸化物等の原料物質を窒化して生
成されたＧａＮが、アンモニアの分解で生じた水素ガス
によって還元され、Ｇａメタルとして遊離したものであ
る。ＧａＮが黒化する問題を解決し、ＧａＮの結晶性を
改善するためには、ＧａＮの還元による分解を抑えつ
つ、ＧａＮの結晶化を行う必要がある。
【００１４】具体的な方法としては、図１に示す管状炉
１を焼成炉として使用する。管状炉１の周囲には加熱手
段としてのヒータ２が螺旋状に巻かれており、管状炉１
の内部を任意の温度に設定することができる。管状炉１
の両端は開放されており、一方（上流側）から他方（下
流側）に向けて反応に必要なガスを流すことができる。
１を焼成炉として使用する。管状炉１の周囲には加熱手
段としてのヒータ２が螺旋状に巻かれており、管状炉１
の内部を任意の温度に設定することができる。管状炉１
の両端は開放されており、一方（上流側）から他方（下
流側）に向けて反応に必要なガスを流すことができる。
【００１５】前記焼成炉１の内部にＧａＮ蛍光体の原料
物質３を配置する。アンモニアとともに、Ｓ又はＯ（又
は両方）を含むガスを流す。原料物質３付近にはＳ、Ｏ
を含む雰囲気が生じる。この結果、原料物質３付近の水
素による還元作用が抑制され、生成したＧａＮの分解が
おこり難くなるため、焼成温度を上げてもＧａＮの分解
による黒化現象は発生しない。このため、焼成温度を上
昇させて結晶性の高いＧａＮ蛍光体が得られ、実用的な
輝度が得られるようになる。
物質３を配置する。アンモニアとともに、Ｓ又はＯ（又
は両方）を含むガスを流す。原料物質３付近にはＳ、Ｏ
を含む雰囲気が生じる。この結果、原料物質３付近の水
素による還元作用が抑制され、生成したＧａＮの分解が
おこり難くなるため、焼成温度を上げてもＧａＮの分解
による黒化現象は発生しない。このため、焼成温度を上
昇させて結晶性の高いＧａＮ蛍光体が得られ、実用的な
輝度が得られるようになる。
【００１６】又は、Ｓ又はＯ（又は両方）が含まれるガ
スが加熱により発生する物質を、焼成炉１の内部に配置
するＧａＮ蛍光体の原料物質３に予め混合しておく。こ
れを焼成すれば原料物質の周りにはＳ、Ｏを含む雰囲気
が生じ、上述したのと同様の効果が得られる。
スが加熱により発生する物質を、焼成炉１の内部に配置
するＧａＮ蛍光体の原料物質３に予め混合しておく。こ
れを焼成すれば原料物質の周りにはＳ、Ｏを含む雰囲気
が生じ、上述したのと同様の効果が得られる。
【００１７】
【実施例】（１）実施例１ ＧａＮ：Ｚｎ蛍光体の製造方法を示す。蛍光体の原料物
質として、母体の原料物質とドープ物質の原料物質を用
いる。母体の原料物質としてはＧａ2 Ｏ3 を使用する。
ドープ物質の原料物質としてはＺｎＳを用いる。具体的
にはＧａ2 Ｏ3 を３ｇと、ＺｎＳを０．６ｇ、互いに良
く混合し、焼成ボートに載せる。焼成ボートを管状炉内
に挿入し、３５０ｍｌ／ｍｉｎのアンモニアに、Ｈ2 Ｓ
を５ｍｌ／ｍｉｎ混合して流しながら、原料を１１５０
℃で２時間焼成してＧａＮ蛍光体を得た。
質として、母体の原料物質とドープ物質の原料物質を用
いる。母体の原料物質としてはＧａ2 Ｏ3 を使用する。
ドープ物質の原料物質としてはＺｎＳを用いる。具体的
にはＧａ2 Ｏ3 を３ｇと、ＺｎＳを０．６ｇ、互いに良
く混合し、焼成ボートに載せる。焼成ボートを管状炉内
に挿入し、３５０ｍｌ／ｍｉｎのアンモニアに、Ｈ2 Ｓ
を５ｍｌ／ｍｉｎ混合して流しながら、原料を１１５０
℃で２時間焼成してＧａＮ蛍光体を得た。
【００１８】この蛍光体をＸ線回折ピークの積分幅（値
が小さい程結晶性が良い）から結晶性を評価した。ま
た、ＶＦＤのアノード基板に塗布し、アノード電圧３０
Ｖで評価した。さらにＦＥＤのアノード基板に塗布し、
アノード電圧４００Ｖで評価した。
が小さい程結晶性が良い）から結晶性を評価した。ま
た、ＶＦＤのアノード基板に塗布し、アノード電圧３０
Ｖで評価した。さらにＦＥＤのアノード基板に塗布し、
アノード電圧４００Ｖで評価した。
【００１９】焼成温度と結晶性、またはＶＦＤ・ＦＥＤ
輝度相対値の関係を図２に示す。Ｘ線回折ピークの積分
値が小さいほど結晶性は良好である。本例では、Ｓ，Ｏ
を含むガスを添加したために蛍光体が黒化しないので、
１０００℃以上の焼成温度で製造することができる。そ
の結果、Ｘ線回折ピークの積分値は図２に示すように
０．３０以下（２θ＝３７°）を実現できる。
輝度相対値の関係を図２に示す。Ｘ線回折ピークの積分
値が小さいほど結晶性は良好である。本例では、Ｓ，Ｏ
を含むガスを添加したために蛍光体が黒化しないので、
１０００℃以上の焼成温度で製造することができる。そ
の結果、Ｘ線回折ピークの積分値は図２に示すように
０．３０以下（２θ＝３７°）を実現できる。
【００２０】Ｓ，Ｏを含むガスを添加しない場合は１０
００℃以上でＧａＮの分解による黒化現象が発生する。
ＶＦＤ・ＦＥＤの輝度は、Ｓ，Ｏを含むガスを添加しな
い場合はＧａＮの黒化現象のため、実用的な輝度のＧａ
Ｎ蛍光体は得られない。Ｓ，Ｏを含むガスを添加した場
合はＧａＮの黒化現象は起きず、図２に示すように焼成
温度を上げるに従い高い輝度を得ることができる。特
に、焼成温度が１０００℃を越えるとＶＦＤ・ＦＥＤの
輝度相対値は急激に上昇する。
００℃以上でＧａＮの分解による黒化現象が発生する。
ＶＦＤ・ＦＥＤの輝度は、Ｓ，Ｏを含むガスを添加しな
い場合はＧａＮの黒化現象のため、実用的な輝度のＧａ
Ｎ蛍光体は得られない。Ｓ，Ｏを含むガスを添加した場
合はＧａＮの黒化現象は起きず、図２に示すように焼成
温度を上げるに従い高い輝度を得ることができる。特
に、焼成温度が１０００℃を越えるとＶＦＤ・ＦＥＤの
輝度相対値は急激に上昇する。
【００２１】ＧａＮ蛍光体は、結晶性が低い場合には茶
色の体色があり、体色は結晶性の向上とともに薄くなっ
ていく。焼成温度１１００℃の場合、青色領域である４
５０ｎｍの分光反射率は６０％であるが、Ｓ，Ｏを含む
ガスを添加しない場合は２０％であった。
色の体色があり、体色は結晶性の向上とともに薄くなっ
ていく。焼成温度１１００℃の場合、青色領域である４
５０ｎｍの分光反射率は６０％であるが、Ｓ，Ｏを含む
ガスを添加しない場合は２０％であった。
【００２２】（２）実施例２ ＧａＩｎＮ：Ｍｇ蛍光体の製造方法を示す。Ｇａ2 Ｓ3
を２ｇ、Ｉｎ2 Ｓ3 を１ｇ、ＭｇＣｌを０．４ｇ、互い
に混合して焼成ボートに載せる。実施例１と同様に管状
炉内に試料を配置し、アンモニアを３５０ｍｌ／ｍｉｎ
流しながら、同時にＮ2 Ｏガスを２０ｍｌ／ｍｉｎ流
し、原料を１１００℃で３時間焼成してＧａＩｎＮ：Ｍ
ｇ蛍光体を得た。ＧａＩｎＮ：Ｍｇに黒化は発生せず、
実施例１と同様にＶＦＤまたはＦＥＤで評価したところ
緑色の発光が得られた。
を２ｇ、Ｉｎ2 Ｓ3 を１ｇ、ＭｇＣｌを０．４ｇ、互い
に混合して焼成ボートに載せる。実施例１と同様に管状
炉内に試料を配置し、アンモニアを３５０ｍｌ／ｍｉｎ
流しながら、同時にＮ2 Ｏガスを２０ｍｌ／ｍｉｎ流
し、原料を１１００℃で３時間焼成してＧａＩｎＮ：Ｍ
ｇ蛍光体を得た。ＧａＩｎＮ：Ｍｇに黒化は発生せず、
実施例１と同様にＶＦＤまたはＦＥＤで評価したところ
緑色の発光が得られた。
【００２３】（３）実施例３ 実施例２において、Ｎ2 Ｏガスの代わりにＳＯ2 ガスを
５ｍｌ／ｍｉｎ流したところ、実施例２と同様の結果が
得られた。
５ｍｌ／ｍｉｎ流したところ、実施例２と同様の結果が
得られた。
【００２４】（４）実施例４ 実施例２において、Ｎ2 Ｏガスの代わりにＣＯ2 ガスを
５ｍｌ／ｍｉｎ流したところ、実施例２と同様の結果が
得られた。
５ｍｌ／ｍｉｎ流したところ、実施例２と同様の結果が
得られた。
【００２５】（５）実施例５ 実施例２において、Ｎ2 Ｏガスの代わりにＯ2 、Ｏ3 、
ＮＯ、空気、Ｈ2 Ｏ、ＣＯガスを適量用いても、実施例
２と略同様の結果が得られる。なお、これらのガスはそ
れぞれ単独で用いてもよいし、複数種類を混合して用い
てもよい。
ＮＯ、空気、Ｈ2 Ｏ、ＣＯガスを適量用いても、実施例
２と略同様の結果が得られる。なお、これらのガスはそ
れぞれ単独で用いてもよいし、複数種類を混合して用い
てもよい。
【００２６】（６）実施例６ 実施例２において、Ｎ2 Ｏガスを流す代わりに、原料物
質にＳの粉末を添加したところ、焼成時にＳがガスとな
り、実施例２と同様の結果が得られた。
質にＳの粉末を添加したところ、焼成時にＳがガスとな
り、実施例２と同様の結果が得られた。
【００２７】
【発明の効果】本発明の蛍光体の製造方法によれば、Ｓ
・Ｏ系のガスと、ＮＨ3 ガスとの混合雰囲気中でＧａＮ
蛍光体の原料物質を焼成するので、次のような効果が得
られる。
・Ｏ系のガスと、ＮＨ3 ガスとの混合雰囲気中でＧａＮ
蛍光体の原料物質を焼成するので、次のような効果が得
られる。
【００２８】１．ＧａＮ製造時にＧａＮの分解による黒
化現象がおこり難くなるため、焼成温度を上げることが
可能になり、このため、ＧａＮの結晶化が促進され、体
色の少ない結晶性の高い蛍光体が得られる。
化現象がおこり難くなるため、焼成温度を上げることが
可能になり、このため、ＧａＮの結晶化が促進され、体
色の少ない結晶性の高い蛍光体が得られる。
【００２９】２．上記のため、発光強度の高いＧａＮ蛍
光体が得られる。
光体が得られる。
【図１】本発明の実施の形態乃至実施例で使用される管
状炉の断面図である。
状炉の断面図である。
【図２】本発明の実施例において、焼成温度に対する結
晶性、またはＶＦＤ・ＦＥＤ輝度相対値との関係を示す
グラフを表す図である。
晶性、またはＶＦＤ・ＦＥＤ輝度相対値との関係を示す
グラフを表す図である。
１…焼成炉としての管状炉、２…加熱手段としてのヒー
タ、３…ＧａＮ蛍光体の原料物質
タ、３…ＧａＮ蛍光体の原料物質
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 片岡 文昭 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内 (72)発明者 土岐 均 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内 (72)発明者 野村 裕司 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内 Ｆターム(参考） 4H001 CF02 XA07 XA31 XA49 YA12 YA14 YA30 YA32
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｇａ1-x Ｉｎx Ｎ：Ａ，Ｂ（０≦ｘ＜
１、Ａ＝Ｚｎ，Ｍｇ、Ｂ＝Ｓｉ，Ｇｅ）で表されるＧａ
Ｎ蛍光体の製造方法において、 Ｓを含むガスとＯを含むガスから構成される群から選択
されたガスを、ＮＨ3ガスに添加した雰囲気中で、前記
ＧａＮ蛍光体の原料物質を焼成することを特徴とするＧ
ａＮ蛍光体の製造方法。 - 【請求項２】 Ｓを含むガスが、Ｈ2 ＳとＳＯ2 からな
る群から選択された請求項１記載のＧａＮ蛍光体の製造
方法。 - 【請求項３】 Ｏを含むガスが、Ｏ2 、Ｏ3 、Ｎ2 Ｏ、
ＮＯ、空気、Ｈ2 Ｏ、ＣＯ2 、ＣＯからなる群から選択
された請求項１記載のＧａＮ蛍光体の製造方法。 - 【請求項４】 前記ＧａＮ蛍光体の原料物質を管状炉内
に配置し、Ｓを含むガスとＯを含むガスから構成される
群から選択されたガスと、ＮＨ3 ガスとを、前記管状炉
内に流すことを特徴とする請求項１記載のＧａＮ蛍光体
の製造方法。 - 【請求項５】 Ｓ、Ｏから選択された元素が含まれる前
記ガスを加熱により発生させる物質を、前記ＧａＮ蛍光
体の原料物質に混合しておくことを特徴とする請求項１
記載のＧａＮ蛍光体の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37353998A JP3867425B2 (ja) | 1998-12-28 | 1998-12-28 | ＧａＮ蛍光体の製造方法 |
| TW088121932A TW498102B (en) | 1998-12-28 | 1999-12-15 | A process for preparing GaN fluorescent substance |
| US09/472,011 US6303403B1 (en) | 1998-12-28 | 1999-12-27 | Method for preparing gallium nitride phosphor |
| KR10-1999-0062528A KR100384397B1 (ko) | 1998-12-28 | 1999-12-27 | ＧａＮ 형광체의 제조방법 |
| FR9916519A FR2787805B1 (fr) | 1998-12-28 | 1999-12-27 | Procede de preparation d'un luminophore au nitrure de gallium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37353998A JP3867425B2 (ja) | 1998-12-28 | 1998-12-28 | ＧａＮ蛍光体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000198977A true JP2000198977A (ja) | 2000-07-18 |
| JP3867425B2 JP3867425B2 (ja) | 2007-01-10 |
Family
ID=18502337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP37353998A Expired - Fee Related JP3867425B2 (ja) | 1998-12-28 | 1998-12-28 | ＧａＮ蛍光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3867425B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005059949A1 (ja) * | 2003-12-17 | 2005-06-30 | Nihon University | フィールドエミッション点光源ランプ |
-
1998
- 1998-12-28 JP JP37353998A patent/JP3867425B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005059949A1 (ja) * | 2003-12-17 | 2005-06-30 | Nihon University | フィールドエミッション点光源ランプ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3867425B2 (ja) | 2007-01-10 |
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