JP2000195702A - 金属酸化物皮膜抵抗器とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低コストで、初抵抗値が高く、ＴＣＲが小さ
く、高信頼性の金属酸化物皮膜抵抗器とその製造方法を
提供することを目的とする。 【解決手段】 絶縁性基材１上に一定の結晶面に配向し
て柱状に成長した結晶粒からなる金属酸化物保護皮膜２
を形成し、その保護皮膜２上に結晶成長した柱状もしく
は粒状の結晶粒からなる金属酸化物抵抗皮膜３を形成し
たのち、抵抗皮膜３の製膜温度＋２００℃未満でアニー
ルする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、各種電気機器の回
路を構成する場合に広く用いられている金属酸化物皮膜
抵抗器とその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】金属酸化物皮膜抵抗器は、図４に示すよ
うに、ムライトやアルミナ等の棒状の絶縁性基材１、そ
の表面に形成された酸化スズもしくはアンチモン添加酸
化スズ（ＡＴＯ）の金属酸化物皮膜20、前記基材の両端
に圧入された金属製のキャップ端子５，６、前記端子に
溶接されたリード線７，８および抵抗器の表面上に形成
された保護膜９から構成されている。

【０００３】金属酸化物皮膜材料として、酸化スズ単相
では比抵抗が大きく、ＴＣＲも非常に負に大きいため、
使用条件が大きく限定され、実用的ではない。この理由
から、一般的には金属酸化物皮膜材料として、比抵抗が
小さく、ＴＣＲも正もしくは０に近い値を有するＡＴＯ
が実用化されている。

【０００４】前記の金属酸化物皮膜抵抗器の製造方法
は、一般にスプレー法や化学蒸着法（ＣＶＤ）等の化学
的製膜法によっている。これらの方法においては、600
〜800℃に加熱した炉中で、塩化第二スズと三塩化アン
チモンを含む水溶液ないしは有機溶液の蒸気を、棒状の
ムライト・アルミナ質の基材１に噴霧することにより、
基材の表面上にＡＴＯ膜（金属酸化物皮膜20）を形成す
る。このとき、得られるＡＴＯ膜の膜厚は400〜1000nm
で、膜の微構造は、基材から150nmの領域は粒状の多結
晶粒からなり、150nm以上の領域では粒成長して柱状に
近い結晶粒となっている。さらに、金属キャップ端子
５，６を基材１の両端に圧入し、所望の抵抗値になるよ
うに基材１を回転させながらＡＴＯ膜の一部をダイアモ
ンドカッタもしくはレーザでトリミングを行い、キャッ
プ端子５，６にリード線７，８を溶接した後、樹脂製の
保護膜９を形成することにより、金属酸化物皮膜抵抗器
を得る。このようにして得られる金属酸化物皮膜抵抗器
の完成抵抗値は、基材の大きさが一定で有れば、初抵抗
値とトリミングのターン数により異なり、一般に10Ω〜
100ｋΩである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記の抵抗調整の手法
に基づくと、初抵抗値が高い金属酸化物皮膜抵抗器を得
るためには、ＡＴＯ膜の膜厚を薄くする方法が考えられ
る。しかしながら、ＡＴＯ膜の比抵抗は約１×10^-3〜１
×10^-2Ω・cmであるために、抵抗値を高くするためには
膜厚を薄くしていかなければならない。このとき、膜自
身の歪や、膜全体に占める膜表面の空乏層の割合が増え
ること、膜自身の結晶性が低くなるために、ＴＣＲが負
の大きな値になりやすいという問題がある。また、低コ
ストの金属酸化物皮膜抵抗器を得るためには、低コスト
の絶縁基材を用いることが有用である。しかしながら、
低コストの絶縁基材は、純度と表面の平滑度の低下を招
くことになる。すなわち、絶縁基材の純度が下がると、
絶縁基材中のアルカリイオンの影響で、膜自身の抵抗値
が変化してしまい、信頼性の高い金属酸化物皮膜抵抗器
を得ることが困難であった。また、絶縁基材の平滑度が
低下すると、膜厚を薄くしたり、トリミング間隔を狭く
すると、電気伝導の経路の断面積が減少するとともに、
外界との接触面積が増え、かつ、粒自身の結晶性が低
く、粒界も多いため、電気的なストレスや湿度等によ
り、信頼性の高い金属酸化物皮膜抵抗器を得ることが困
難であった。

【０００６】本発明は、上記課題を解決するもので、低
コストで、初抵抗値が高く、ＴＣＲが小さく、高信頼性
の金属酸化物皮膜抵抗器を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも絶
縁性基材と、前記基材上に一定の結晶面に配向して柱状
に成長した結晶粒からなる金属酸化物保護皮膜と、前記
保護皮膜上に結晶成長した柱状もしくは粒状の結晶粒か
らなる金属酸化物抵抗皮膜とからなり、アニール処理に
より粒成長した前記抵抗皮膜および前記保護皮膜の柱状
の結晶粒を有することを特徴とする。

【０００８】また、本発明の製造方法は、絶縁性基材上
に一定の結晶面に配向して柱状に成長した結晶粒からな
る金属酸化物保護皮膜を形成する工程と、前記保護皮膜
上に結晶成長した柱状もしくは粒状の結晶粒からなる金
属酸化物抵抗皮膜を形成する工程と、前記抵抗皮膜の製
膜温度＋200℃未満でアニールする工程とからなること
を特徴とする。

【０００９】

【発明の実施の形態】まず最初に、図３に示す本実施の
形態で用いた金属酸化物皮膜製造装置について説明す
る。基材１を、反応管10中に入れ、電気炉12の炉心管11
の中心部にくるように反応管10を固定して、反応管10と
炉心管11を回転させる。このとき、炉心管11、反応管10
と基材１は電気炉12により、金属酸化物皮膜20形成用組
成物が分解する温度以上に加熱されている。なお、反応
管10を回転させるのは、金属酸化物皮膜20を基材１上に
均一に形成するためであり、反応管10に機械的な振動を
与えても良い。また、炉心管11を回転させる必要性は特
になく、本実施の形態では反応管10の回転を安定にする
ために炉心管11に固定している。この反応管10中に、ガ
ス供給装置16からパイプ14を通じてキャリアガス17を、
前記皮膜形成用組成物の入った原料供給器15に送り込
み、パイプ13を通じて前記皮膜形成用組成物の気体また
はミストを送る。送り込まれた前記気体またはミストが
加熱された基材１上で分解し、金属酸化物皮膜20を形成
する。そして、未分解の前記皮膜形成用組成物の気体
は、ガス排気装置19で吸引され、冷却して回収される。
なお、ガス供給装置16から供給されるキャリアガス17と
しては、空気、酸素、窒素、アルゴン等の不活性ガスが
挙げられ、キャリアガス17の流量で、前記皮膜形成用組
成物の気体やミストの供給量を制御することが可能であ
る。また、原料供給器15を加熱もしくは原料供給器15に
超音波をあてることにより、前記皮膜形成用組成物の気
体やミストの供給量を制御することも可能である。

【００１０】（実施の形態１）図１は本発明の一実施の
形態例の金属酸化物皮膜抵抗器である。絶縁性基材１、
前記基材１上に形成された一定の結晶面に配向して柱状
に成長した結晶粒からなる第１の金属酸化物保護皮膜２
と、前記絶縁皮膜上に結晶成長した柱状もしくは粒状の
結晶粒からなる金属酸化物抵抗皮膜３と、前記基材の両
端に圧入された金属製のキャップ端子５，６、前記端子
に溶接されたリード線７，８および抵抗器の表面上に形
成された保護膜９から構成されている。ここで、基材１
は少なくとも表面上に絶縁性を有しておればよく、ムラ
イト、アルミナ、コージェライト、フォルステライト、
ステアタイト等の磁器が好ましい。また、前記保護皮膜
２は、アルカリイオンの前記抵抗皮膜３への拡散を抑え
るものであり、前記抵抗皮膜３は、高い電気伝導性を有
する主たる抵抗体層である。前記保護皮膜２は、前記抵
抗皮膜３よりも低い電気伝導性を有し、かつ、前記抵抗
皮膜３と同じ結晶構造を有する金属酸化物皮膜材料であ
ればよく、一方、前記抵抗皮膜３は、高い電気伝導性と
高いキャリア濃度を有し、酸化スズ、酸化インジウム、
酸化亜鉛を主成分とするものが好ましい。なお、前記保
護皮膜２は、前記抵抗皮膜３が酸化スズを主成分とする
ときは、酸化スズもしくは酸化チタン（ルチル構造）の
いずれかもしくはその固溶体が好ましく、前記抵抗皮膜
３が酸化インジウムを主成分とするときは、酸化インジ
ウムが好ましく、前記抵抗皮膜３が酸化亜鉛を主成分と
するときは、酸化亜鉛もしくは酸化カドミウムのいずれ
かもしくはその固溶体が好ましい。また、前記保護皮膜
２と前記抵抗皮膜３の比抵抗は、主成分に対して加えら
れる添加物に依存し、前記保護皮膜２には、酸化スズ、
酸化インジウム、酸化亜鉛などは単相でも10^-1〜10^-2Ω
・cm程度で用いることができ、酸化スズの場合にはスズ
と同じ４価の酸化チタン、酸化珪素など、酸化インジウ
ムの場合にはインジウムと同じ３価の酸化アルミニウム
や希土類酸化物など、酸化亜鉛の場合には亜鉛と同じ２
価のアルカリ土類酸化物などを添加して、比抵抗を低い
ものも用いることができる。さらに、前記抵抗皮膜３に
は、酸化スズの場合にはスズより１つ価数の大きい５価
の酸化アンチモン、酸化リン、酸化砒素など、酸化イン
ジウムの場合にはインジウムより１つ価数の大きい４価
の酸化スズ、酸化チタン、酸化ジルコニウムなど、酸化
亜鉛の場合には亜鉛より１つ価数の大きい３価の酸化ア
ルミニウム、酸化インジウム、酸化ガリウムなどを適量
添加して、比抵抗が高く、ＴＣＲが正もしくは０に近い
ものを用いることが好ましい。

【００１１】金属酸化物保護皮膜２形成用組成物および
金属酸化物抵抗皮膜３形成用組成物は以下のようにして
合成した。

【００１２】200mlの三角フラスコに、５ｇの塩化第二
スズ（SnCl₄・5H₂O）を秤量し、68mlのメタノールと８ml
の濃塩酸を加えて溶解させ、前記皮膜２形成用組成物を
合成した。また、200mlの三角フラスコに、５ｇの塩化
第二スズと、（１）式で９mol%の三塩化アンチモン（Sb
Cl₃）を秤量し、68mlのメタノールと８mlの濃塩酸を加
えて溶解させ、前記皮膜３形成用組成物を合成した。

【００１３】Ｍ/(Sn+Ｍ)×100 ・・・（１） 図３の前記皮膜製造装置を用い、72％アルミナの円柱状
の基材１（外形３mmφ×11mmＬ、Ｒａ 0.4μｍ）を反応
管中に、前記皮膜２形成用組成物を原料供給器15に入れ
た。キャリアガス17には空気を用い、ガス流量は１リットル
/min、基材１の加熱温度は650℃であった。なお、基材
１の加熱温度は、基材１の変形温度もしくは前記皮膜２
の融点以下であればよく、加熱温度が高い方が得られる
前記皮膜２の膜質は良好であり、400〜900℃が好まし
い。

【００１４】650℃で反応管10中の基材１を30分間保持
し、前記皮膜２形成用組成物を反応管10中に0.2ｇ／分
の速度で10〜20分間送った。このようにして形成される
前記皮膜２の膜厚は通常数十〜数千nmであるが、本実施
例では約100〜200nmであった。

【００１５】同様に、前記皮膜製造装置を用い、前記絶
縁皮膜２の形成された基材１を反応管中に、前記皮膜３
形成用組成物を原料供給器15に入れた。キャリアガス17
には空気を用い、ガス流量は１リットル/min、基材１の加熱
温度は600℃であった。なお、基材１の加熱温度は、基
材１の変形温度もしくは前記皮膜２と前記皮膜３の融点
以下であればよく、加熱温度が高い方が得られる前記皮
膜３の膜質は良好であり、400〜900℃が好ましい。

【００１６】600℃で反応管10中の基材１を30分間保持
し、１ｇの前記皮膜３形成用組成物を反応管10中に５分
間送り、前記抵抗皮膜３を形成した。このようにして形
成される前記抵抗皮膜３の膜厚は通常数十〜数千nmであ
るが、本実施例では約300nmであった。

【００１７】さらに同様に、前記皮膜製造装置を用い、
前記抵抗皮膜３の形成された基材１を反応管10中に入
れ、キャリアガス17には空気を用い、ガス流量は１リットル
/min、基材１の加熱温度は600〜800℃で15分間であっ
た。

【００１８】前記皮膜２と前記皮膜３が形成された基材
１の両端にスズメッキされたステンレス製のキャップ端
子６，７を圧入し、ダイアモンドカッタで完成抵抗値が
１５ｋΩとなるようにトリミングを行った後、前記キャ
ップ端子６，７にスズメッキされた銅製のリード線８，
９を溶接した。なお、キャップ端子８，９は前記皮膜４
とオーミックに接合されるものであればよく、また、リ
ード線８，９も前記キャップ端子６，７にオーミックに
接合されるものであればよい。

【００１９】最後に、前記皮膜３の表面上に、熱硬化性
の樹脂ペーストを塗布・乾燥し、150℃で10分間加熱処
理し、絶縁性の保護膜９を形成して、本発明の金属酸化
物皮膜抵抗器を得た。なお、保護膜９は、絶縁性と耐湿
性を有しておればよく、材質としては樹脂のみまたは無
機フィラーを含有したもの、硬化には熱以外に可視光や
紫外線等の光を用いてもよい。

【００２０】（表１）に得られた金属酸化物皮膜抵抗器
の各特性を挙げる。なお、変化率は、60℃、95％RHで、
100時間耐湿試験を行ったときの抵抗値変化率である。

【００２１】

【表１】

【００２２】絶縁性基材上に、前記基材上に一定の結晶
面に配向して柱状に成長した結晶粒からなる第１の金属
酸化物保護皮膜を形成し、前記保護皮膜上に結晶成長し
た柱状もしくは粒状の結晶粒からなる金属酸化物抵抗皮
膜を形成したのち、前記抵抗皮膜の製膜温度以上でアニ
ールすることにより、前記抵抗皮膜および前記保護皮膜
の結晶性を高められ、抵抗器としてのＴＣＲが正もしく
は０に近くなるとともに、高抵抗化のための薄膜化によ
る信頼性の低下の要因であるアルカリイオンの拡散と、
水分との電気化学的反応による前記抵抗皮膜の変質によ
る信頼性の低下を抑えることができ、高抵抗で、ＴＣＲ
が小さく、信頼性の高い金属酸化物皮膜抵抗器を得るこ
とができる。

【００２３】（実施の形態２）図２は本発明の一実施の
形態の金属酸化物皮膜抵抗器である。絶縁性基材１、前
記基材１上に形成された金属酸化物抵抗皮膜４と、基材
の両端に圧入された金属製のキャップ端子５，６、前記
端子に溶接されたリード線７，８および抵抗器の表面上
に形成された保護膜９から構成されている。ここで、前
記抵抗皮膜４は、一定の結晶面に配向して結晶成長し、
かつ、粒子内に化学組成分布を有する柱状の結晶粒から
なり、前記結晶粒は高い電気伝導性を有する部分とそれ
より電気伝導性の低い部分からなっており、酸化スズ、
酸化インジウム、酸化亜鉛を主成分とするものが好まし
い。なお、電気伝導性の高い部分には、酸化スズを主成
分とするときはスズより１つ価数の大きい５価の酸化ア
ンチモン、酸化リン、酸化砒素など、酸化インジウムの
場合にはインジウムより１つ価数の大きい４価の酸化ス
ズ、酸化チタン、酸化ジルコニウムなど、酸化亜鉛の場
合には亜鉛より１つ価数の大きい３価の酸化アルミニウ
ム、酸化インジウム、酸化ガリウムなどを適量添加し
て、比抵抗が高く、ＴＣＲが正もしくは０に近いものを
用いることが好ましい。また、電気伝導性の低い部分に
は、酸化スズ、酸化インジウム、酸化亜鉛などは単相で
も10^-1〜10^-2Ω・cm程度で用いることができ、酸化スズ
の場合にはスズと同じ４価の酸化チタン、酸化珪素な
ど、酸化インジウムの場合にはインジウムと同じ３価の
酸化アルミニウムや希土類酸化物など、酸化亜鉛の場合
には亜鉛と同じ２価のアルカリ土類酸化物などを添加し
て、比抵抗を低いものも用いることができる。

【００２４】２種類の金属酸化物抵抗皮膜４，４’形成
用組成物を以下のようにして合成した。

【００２５】200mlの三角フラスコに、５ｇの塩化第二
スズ（SnCl₄・5H₂O）と、（１）式で10mol%の四塩化チタ
ン（TiCl₄）とを秤量し、68mlのメタノールと８mlの濃
塩酸を加えて溶解させ、前記皮膜４形成用組成物を合成
した。また、200mlの三角フラスコに、５ｇの塩化第二
スズと、（１）式で９mol%の三塩化アンチモン（SbC
l₃）を秤量し、68mlのメタノールと８mlの濃塩酸を加え
て溶解させ、もう一種類の前記皮膜４’形成用組成物を
合成した。

【００２６】図３の前記皮膜製造装置を用い、基材１を
反応管中に、前記皮膜４形成用組成物を原料供給器15に
入れた。キャリアガス18には空気を用い、ガス流量は１
リットル/min、基材１の加熱温度は700℃であった。なお、
基材１の加熱温度は、基材１の変形温度もしくは前記皮
膜４の融点以下であればよく、加熱温度が高い方が得ら
れる前記皮膜４の膜質（結晶性）は良好であり、400〜9
00℃が好ましい。

【００２７】700℃で反応管10中の基材１を30分間保持
し、３ｇの前記皮膜４形成用組成物を反応管10中に15分
間送り、700℃から600℃に降温している間に、前記皮膜
４’形成用組成物を原料供給器15に入れ、１ｇの前記皮
膜４’形成用組成物を反応管10中に10分間送って、金属
酸化物抵抗皮膜４を形成した後、600℃で10分間保持し
てアニール処理を行った。このようにして形成される前
記皮膜４の膜厚は通常数十〜数千nmであるが、本実施の
形態では約500nmであった。他は実施の形態１と同じで
あった。

【００２８】（実施の形態３）２種類の金属酸化物抵抗
皮膜４，４’形成用組成物を以下のようにして合成し
た。

【００２９】200mlの三角フラスコに、10ｇのインジウ
ムトリアセチルアセトナート（In(CH ₃COCH₂COCH₃)₃）
と、（１）式で10mol%のアルミニウムトリアセチルアセ
トナート（Al(CH₃COCH₂COCH₃)₃）とを秤量し、50mlのエ
タノールを加えて溶解させ、前記皮膜４形成用組成物を
合成した。また、200mlの三角フラスコに、10ｇのイン
ジウムトリアセチルアセトナート（In(CH₃COCH₂COC
H₃)₃）と、（１）式で10mol%のスズジブチルジアセチル
アセトナート（(CH₃CH₂CH₂CH₂)₂Sn(CH₃COCH₂COCH₃)₂）
とを秤量し、50mlのエタノールを加えて溶解させ、もう
一種類の前記皮膜４’形成用組成物を合成した。

【００３０】図３の前記皮膜製造装置を用い、基材１を
反応管中に、前記皮膜４形成用組成物を原料供給器15に
入れた。キャリアガス17には空気を用い、ガス流量は１
リットル/min、基材１の加熱温度は600℃であった。なお、
基材１の加熱温度は、基材１の変形温度もしくは前記皮
膜４の融点以下であればよく、加熱温度が高い方が得ら
れる前記皮膜４の膜質（結晶性）は良好であり、400〜7
00℃が好ましい。

【００３１】600℃で反応管10中の基材１を30分間保持
し、15ｇの前記皮膜４形成用組成物を反応管10中に20分
間送り、600℃から500℃に降温している間に、前記皮膜
４’形成用組成物を原料供給器15に入れ、10ｇの前記皮
膜４’形成用組成物を反応管10中に15分間送って、金属
酸化物抵抗皮膜４を形成した後、600℃で10分間保持し
てアニール処理を行った。このようにして形成される前
記皮膜４の膜厚は通常数十〜数千nmであるが、本実施の
形態では約450nmであった。他は実施の形態１と同じで
あった。

【００３２】（実施の形態４）２種類の金属酸化物抵抗
皮膜４，４’形成用組成物を以下のようにして合成し
た。

【００３３】200mlの三角フラスコに、10ｇの亜鉛ジア
セチルアセトナート（Zn(CH₃COCH₂COCH₃)₂）と、（１）
式で５mol%のマグネシウムジアセチルアセトナート（Mg
(CH₃COCH₂COCH₃)₂）とを秤量し、50mlのエタノールを加
えて溶解させ、前記皮膜４形成用組成物を合成した。ま
た、200mlの三角フラスコに、10ｇの亜鉛ジアセチルア
セトナート（Zn(CH₃COCH₂COCH₃)₂）と、（１）式で５mo
l%のインジウムトリアセチルアセトナート（In(CH₃COCH
₂COCH₃)₃）とを秤量し、50mlのエタノールを加えて溶解
させ、もう一種類の前記皮膜４’形成用組成物を合成し
た。

【００３４】図３の前記皮膜製造装置を用い、基材１を
反応管10中に、前記皮膜４形成用組成物を原料供給器15
に入れた。キャリアガス17には空気を用い、ガス流量は
１リットル/min、基材１の加熱温度は550℃であった。な
お、基材１の加熱温度は、基材１の変形温度もしくは前
記皮膜４の融点以下であればよく、加熱温度が高い方が
得られる前記皮膜４の膜質（結晶性）は良好であり、30
0〜600℃が好ましい。

【００３５】550℃で反応管10中の基材１を30分間保持
し、15ｇの前記皮膜４形成用組成物を反応管10中に20分
間送り、550℃から400℃に降温している間に、前記皮膜
４’形成用組成物を原料供給器15に入れ、10ｇの前記皮
膜４’形成用組成物を反応管10中に15分間送って、金属
酸化物抵抗皮膜４を形成した後、600℃で10分間保持し
てアニール処理を行った。このようにして形成される前
記皮膜４の膜厚は通常数十〜数千nmであるが、本実施の
形態では約400nmであった。他は実施の形態１と同じで
あった。

【００３６】（比較例１）92％アルミナの円柱状の基材
１（外形３mmφ×11mmＬ、Ｒａ 0.3μｍ）を用いた。金
属酸化物保護皮膜２を形成しなかった。本比較例では前
記皮膜３の膜厚は約400nmであった。他は実施の形態１
と同じであった。

【００３７】（比較例２）0.5ｇの金属酸化物皮膜形成
用組成物を反応管11中に3分間送った。本比較例では前
記皮膜３の膜厚は約80nmであった。他は比較例１と同じ
であった。

【００３８】（表２）に実施例２〜４、比較例１、２の
結果を挙げる。なお、変化率は、60℃、95％RHで、100
時間耐湿試験を行ったときの抵抗値変化率である。

【００３９】

【表２】

【００４０】絶縁性基材と、抵抗体として、前記基材上
に一定の結晶面に配向して結晶成長し、かつ、粒子内に
化学組成分布を有する柱状の結晶粒からなる高結晶性の
金属酸化物抵抗皮膜を用いることにより、高抵抗化のた
めの薄膜化による信頼性の低下の要因であるアルカリイ
オンの拡散と水分との電気化学的反応による前記抵抗皮
膜の変質を抑えることができる。

【００４１】

【発明の効果】本発明は広範囲の抵抗値とＴＣＲが小さ
な金属酸化物皮膜抵抗器であり、民生用および産業機器
の回路用抵抗器の用途に適するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の金属酸化物皮膜抵抗器の一実施の形態
を示す概略図

【図２】本発明の金属酸化物皮膜抵抗器の他の実施の形
態を示す概略図

【図３】本発明の金属酸化物皮膜製造装置の一実施の形
態を示す概略図

【図４】従来の金属酸化物皮膜抵抗器の一例を示す概略
図

【符号の説明】

１ 基材 ２ 金属酸化物保護皮膜 ３，４ 金属酸化物抵抗皮膜 ５，６ キャップ端子 ７，８ リード線 ９ 保護膜 １０ 反応管 １１ 炉心管 １２ 電気炉 １３，１４ パイプ １５ 原料供給器 １６ ガス供給装置 １７ キャリアガス １８ パイプ １９ 排気装置 ２０ 金属酸化物皮膜

フロントページの続き (72)発明者 吉池 信幸 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5E032 BA15 BB01 CA13 CC08 CC18 5E033 AA03 BA03 BB01 BC01 BE04 BG05

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも絶縁性基材と、前記基材上に
   一定の結晶面に配向して柱状に成長した結晶粒からなる
   金属酸化物保護皮膜と、前記保護皮膜上に結晶成長した
   柱状もしくは粒状の結晶粒からなる金属酸化物抵抗皮膜
   とからなり、アニール処理により粒成長した前記抵抗皮
   膜および前記保護皮膜の柱状の結晶粒を有することを特
   徴とする金属酸化物皮膜抵抗器。
2. 【請求項２】 金属酸化物保護皮膜の平均膜厚が150〜6
   00nmであることを特徴とする請求項１記載の金属酸化物
   皮膜抵抗器。
3. 【請求項３】 金属酸化物抵抗皮膜が、酸化スズ、酸化
   インジウム、酸化亜鉛のいずれかを主成分とすることを
   特徴とする請求項１または２記載の金属酸化物皮膜抵抗
   器。
4. 【請求項４】 金属酸化物保護皮膜が、酸化スズ、酸化
   インジウム、酸化亜鉛、酸化チタンのいずれかを主成分
   とすることを特徴とする請求項３記載の金属酸化物皮膜
   抵抗器。
5. 【請求項５】 絶縁性基材上に一定の結晶面に配向して
   柱状に成長した結晶粒からなる金属酸化物保護皮膜を形
   成する工程と、前記保護皮膜上に結晶成長した柱状もし
   くは粒状の結晶粒からなる金属酸化物抵抗皮膜を形成す
   る工程と、前記抵抗皮膜の製膜温度＋200℃未満でアニ
   ールする工程とからなることを特徴とする金属酸化物皮
   膜抵抗器の製造方法。
6. 【請求項６】 金属酸化物抵抗皮膜が、酸化スズ、酸化
   インジウム、酸化亜鉛のいずれかを主成分とすることを
   特徴とする請求項５記載の金属酸化物皮膜抵抗器の製造
   方法。
7. 【請求項７】 金属酸化物保護皮膜が、酸化スズ、酸化
   インジウム、酸化亜鉛、酸化チタンのいずれかを主成分
   とすることを特徴とする請求項６記載の金属酸化物皮膜
   抵抗器の製造方法。