JPH08306505A

JPH08306505A - 金属酸化物皮膜抵抗器およびその製造方法

Info

Publication number: JPH08306505A
Application number: JP7103962A
Authority: JP
Inventors: Akiyoshi Hattori; 章良服部; Yoshihiro Hori; 堀　　喜博; Masaki Ikeda; 正樹池田; Akihiko Yoshida; 昭彦吉田
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1995-04-27
Filing date: 1995-04-27
Publication date: 1996-11-22

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】１００ｋΩ程度以上の高抵抗値で、抵抗温度
係数の小さな金属酸化物皮膜抵抗器を提供する。【構成】絶縁性の基材１、基材１上の金属酸化物抵抗
皮膜２、およびその表面部分に金属酸化物抵抗皮膜２の
主構成金属元素と異なる金属イオンが拡散した拡散層３
を具備する金属酸化物皮膜抵抗器。また、絶縁性の基材
１と金属酸化物抵抗皮膜２との間に金属酸化物絶縁皮膜
を介在させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、各種電気機器の回路を
構成するのに広く用いられる金属酸化物皮膜抵抗器に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】金属酸化物皮膜抵抗器は、一般に図４に
示すように、ムライトやアルミナ等の棒状の絶縁性基材
１、その表面に形成された酸化スズもしくはアンチモン
添加酸化スズ（ＡＴＯ）の金属酸化物皮膜１０、前記基
材の両端に圧入された金属製のキャップ端子５と６、前
記端子に溶接されたリード線７と８、および抵抗器の表
面に形成された保護膜９から構成されている。金属酸化
物皮膜材料が酸化スズ単相からなるものは、比抵抗が大
きく、抵抗の温度係数（ＴＣＲ）も非常に大きいため、
使用条件が大きく限定され、実用的ではない。この理由
から、一般的には金属酸化物皮膜材料として、ＡＴＯが
実用化されている。

【０００３】前記の金属酸化物皮膜抵抗器の製造方法
は、一般にスプレー法や化学蒸着法（ＣＶＤ）等の化学
的製膜法によっている。これらの方法においては、６０
０〜８００℃に加熱した炉中で、塩化第二スズと三塩化
アンチモンを含む水溶液ないしは有機溶媒溶液の蒸気
を、棒状の基材１に噴霧することにより、基材の表面上
にＡＴＯ膜（金属酸化物皮膜１０）を形成する。さら
に、金属キャップ端子５、６を基材１の両端に圧入し、
所望の抵抗値になるように基材１を回転させながらＡＴ
Ｏ膜の一部をダイアモンドカッタもしくはレーザでトリ
ミングを行い、キャップ端子５、６にリード線７、８を
溶接した後、樹脂製の保護膜９を形成することにより、
金属酸化物皮膜抵抗器を得る。このようにして得られる
金属酸化物皮膜抵抗器の完成抵抗値は、基材の大きさが
一定であれば、ＡＴＯ膜の膜厚とトリミングのターン数
により異なるが、一般に１０Ω〜１００ｋΩである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記の抵抗調整の手法
に基づくと、完成抵抗値が１００ｋΩ以上の金属酸化物
皮膜抵抗器を得るためには、ＡＴＯ膜の膜厚を薄くする
か、ＡＴＯ膜のトリミング間隔を狭くするという方法を
とらなければならない。しかしながら、ＡＴＯ膜の比抵
抗は約１×１０^-3〜１×１０^-2Ω・ｃｍであるため、抵
抗値を高くするためには膜厚をかなり薄くしなければな
らない。このとき、膜自身の歪や、膜全体に占める膜表
面の空乏層の割合が増えるため、ＴＣＲが負の大きな値
になりやすいという問題がある。

【０００５】また、ＡＴＯ膜の初期抵抗値が低いため
に、トリミング後の最終抵抗値を１００ｋΩ以上にしよ
うとすると、レーザなどによるトリミングのターン数が
多くなって、トリミングに非常に時間を要するととも
に、トリミング間隔が狭くなりすぎて、物理的にトリミ
ングできなくなってしまうという問題もある。そして、
以上のように、あまり膜厚を薄くしたり、トリミング間
隔を狭くすると、電気伝導の経路の断面積が減少すると
ともに、外界との接触面積が増え、電気的なストレスや
湿度等により、水分や絶縁基材中のアルカリイオンの影
響で、膜自身の抵抗値が変化してしまい、信頼性の高い
金属酸化物皮膜抵抗器を得ることが困難であった。本発
明は、上記課題を解決するもので、完成抵抗値が１００
ｋΩ以上で、抵抗温度係数が小さく、高信頼性の金属酸
化物皮膜抵抗器を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の金属酸化物皮膜
抵抗器は、少なくとも絶縁性基材、前記基材上の金属酸
化物抵抗皮膜、および前記抵抗皮膜の表面部分に抵抗皮
膜の主構成金属元素と異なる金属イオンが拡散した拡散
層を具備する。また、本発明の金属酸化物皮膜抵抗器
は、前記基材と金属酸化物抵抗皮膜との間に、金属酸化
物からなる絶縁皮膜を有する。前記の拡散層は、その厚
さ方向に前記拡散金属イオンの濃度勾配を有することが
好ましい。

【０００７】本発明の金属酸化物皮膜抵抗器の製造方法
は、金属酸化物抵抗皮膜の主構成金属元素と異なる第２
の金属の化合物と、前記第２の金属に配位可能な有機化
合物と、これらを溶解する有機溶剤からなる溶液を調製
する工程、前記の溶液を金属酸化物抵抗皮膜に塗布する
工程、および塗布された塗膜を加熱することにより、前
記抵抗皮膜表面に前記第２の金属イオンが拡散した拡散
層を形成する工程を有する。また、本発明の金属酸化物
皮膜抵抗器の製造方法は、金属酸化物抵抗皮膜の主構成
金属元素と異なる第２の金属の化合物を含む溶液の蒸気
を、加熱下で金属酸化物抵抗皮膜に接触させることによ
り、前記抵抗皮膜表面に前記第２の金属イオンが拡散し
た拡散層を形成する工程を有する。

【０００８】

【作用】金属酸化物抵抗皮膜の表面部分に、抵抗皮膜の
主構成金属元素と異なる金属イオンが拡散した拡散層を
形成することにより、抵抗皮膜の一部が比抵抗の高い拡
散層に置き換えられる。このため、電気伝導に寄与する
部分の厚みを減少させることなく、高抵抗化を図ること
ができるので、金属酸化物皮膜抵抗器としての信頼性を
低下させることがない。また、前記拡散層により、信頼
性の低下の要因である水分による抵抗皮膜の変質を抑え
ることができる。さらに、前記の拡散層の形成の際に、
拡散させる金属の薄い酸化物層が形成されると、抵抗皮
膜の変質抑制効果が一層向上する。ここで、前記抵抗皮
膜は、高い電気伝導性と高いキャリア濃度を有する材料
で、酸化スズ、酸化インジウムおよび酸化亜鉛よりなる
群から選択される少なくとも一種を主成分とするものが
好ましい。前記の酸化物は、その構成金属より価数の高
い元素、例えば酸化スズに対してＳｂ、Ｐ、酸化インジ
ウムに対してＳｎ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｔｉ、酸化亜鉛に対し
てＡｌ、Ｉｎなどを添加することにより、容易に非化学
量論化合物となり、高い電気伝導性と高いキャリア濃度
を有し、かつ正のＴＣＲを示す。

【０００９】さらに、絶縁性基材と金属酸化物抵抗皮膜
の間に、金属酸化物からなる絶縁皮膜を形成することに
より、信頼性の低下のもう一つの要因である基材からの
アルカリイオンの拡散を抑えることができる。ここで、
前記絶縁皮膜は、アルカリイオンの抵抗皮膜への拡散を
抑えるものであり、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化
チタン、酸化ジルコニウムおよび酸化スズよりなる群か
ら選択される少なくとも一種が好ましい。なお、酸化チ
タン、酸化スズについては、非化学量論化合物となり、
導電性を有する場合があるが、これらの化合物の比抵抗
は、価数の異なる金属を添加しなければ、抵抗皮膜の比
抵抗に比べて大きい。従って、金属酸化物皮膜抵抗器の
導電パスは主に抵抗皮膜となるため、完全絶縁皮膜と同
様な効果が得られる。

【００１０】また、本発明の方法により抵抗皮膜表面に
形成される拡散層は、抵抗皮膜の面方向に同一の化学組
成分布を有し、皮膜の厚さ方向に前記第２の金属イオン
の濃度勾配を有しているため、負荷と無負荷時の間に生
じる熱衝撃に対して強く、拡散層の剥離が生じない。こ
こで、第２の金属の化合物としては、拡散層の抵抗値お
よびＴＣＲを制御するために加えられる金属塩であり、
前記金属に配位可能な有機化合物と置換できるような配
位子を持つものであればよい。第２の金属元素として、
アルミニウム、マグネシウム、チタン、バナジウム、ク
ロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、
モリブデン、タングステン、タンタル、ニオブ、イット
リウム、ジルコニウム、インジウム、スズ、アンチモ
ン、ランタン、セリウム等が挙げられる。また、これら
金属の塩として、硝酸塩、塩化物、硫酸塩、フッ化物等
の無機塩や、２−エチルヘキサン酸等のカルボン酸塩、
シュウ酸塩等のジカルボン酸塩、アセチルアセトン錯塩
等が挙げられる。

【００１１】また、前記金属に配位可能な有機化合物と
しては、前記金属に一部配位して、有機溶剤に対する溶
解性をもたせるために必要であり、２−アミノエタノー
ルのようなα−またはβ−アミノアルコール類、β−ジ
ケトン類、α−またはβ−ケトン酸類、前記ケトン酸類
のエステル類が挙げられる。さらに、有機溶剤として
は、本発明で用いる有機化合物や無機化合物を溶解する
ものであればよく、トルエン、キシレン等の芳香族炭化
水素、メタノール、エタノール、イソプロパノール等の
アルコール類、酢酸エチル、酢酸ブチル等の酢酸エステ
ル類、アセトン、ジエチルケトン等のケトン類、メトキ
シエタノール、エトキシエタノール等のエーテルアルコ
ール類、水、塩酸、硝酸等の水系溶媒などが挙げられ
る。前記の拡散層の形成により、抵抗値を高くすること
による信頼性の低下を抑えることができる。従って、本
発明によれば、高抵抗で、信頼性の高い金属酸化物皮膜
抵抗器を得ることができる。

【００１２】

【実施例】図１は本発明の一実施例の金属酸化物皮膜抵
抗器を示す。絶縁性基材１、基材１上に形成された金属
酸化物抵抗皮膜２、抵抗皮膜２の表面に形成された拡散
層３、基材１の両端に圧入された金属製のキャップ端子
５、６、前記端子に溶接されたリード線７、８、および
抵抗器の表面に形成された保護膜９から構成されてい
る。ここで、基材１は少なくとも表面上に絶縁性を有し
ていればよく、ムライト、アルミナ、コージェライト、
フォルステライト、ステアタイト等の磁器から構成する
のが好ましい。また、キャップ端子５、６は抵抗皮膜２
とオーミックに接合されるものであればよく、また、リ
ード線７、８もキャップ端子５、６にオーミックに接合
されるものであればよい。図２は他の実施例の金属酸化
物皮膜抵抗器を示す。絶縁性基材１上に金属酸化物絶縁
皮膜４が形成され、その上に金属酸化物抵抗皮膜２が形
成され、抵抗皮膜２の表面に拡散層３が形成されてい
る。この他の構成は図１と同様である。なお、図１およ
び図２のサイズは必ずしも正確なものではない。

【００１３】図３は、加熱された絶縁性基材の表面に、
金属酸化物からなる絶縁皮膜または抵抗皮膜形成用組成
物の蒸気もしくはミストを供給して金属酸化物皮膜を形
成するための装置を示している。また。この装置は、金
属酸化物抵抗皮膜の表面に拡散層を形成するのにも利用
される。金属酸化物を形成しようとする基材を入れた石
英製反応管１１は、同じく石英製の炉芯管１２内に、パ
ッキン１３により固定されている。電気炉１４内に挿入
された炉芯管１２は、図示しない駆動装置により駆動さ
れて電気炉１４内において適当な回転速度で回転される
ようになっている。金属酸化物皮膜形成用組成物１５を
収容した原料供給器１６は、キャリアガスを供給するガ
ス供給器１７とパイプ１８によって連結されるととも
に、パイプ１９によって反応管１１に連結されている。
また、反応管１１の他方端には、パイプ２０によって排
気装置２１が連結されている。

【００１４】この装置を用いて基材の表面に金属酸化物
皮膜を形成するには、まず基材を反応管１１に入れて図
示のようにセットし、電気炉１４により基材を加熱し、
前記金属酸化物皮膜形成用組成物が熱分解する温度以上
に保持するとともに、反応管１１を回転させる。この状
態でガス供給器１７からパイプ１８を通じて原料供給器
１６にキャリアガスを送り込み、パイプ１９を通じて金
属酸化物皮膜形成用組成物の蒸気もしくはミストを反応
管１１に供給する。反応管１１に供給された前記蒸気も
しくはミストは、基材に接して分解し、基材表面に金属
酸化物皮膜を形成する。そして、未分解の金属酸化物皮
膜形成用組成物は、ガス排気装置２１で吸引され、冷却
して回収される。なお、ガス供給器１７から供給される
キャリアガスとしては、空気、酸素、または窒素、アル
ゴン等の不活性ガスが用いられる。このキャリアガスの
流量によって、前記蒸気もしくはミストの供給量を制御
することができる。また、原料供給器１６を加熱するか
もしくは原料供給器に超音波をあてることにより、前記
蒸発もしくはミストの供給量を制御することもできる。
なお、反応管１１を回転させるのは、金属酸化物皮膜を
基材上に均一に形成するためであり、反応管１１を回転
させる代わりに機械的な振動を与えてもよい。また、炉
芯管１２を回転させる必要性は特になく、本実施例では
反応管１１の回転を安定にするために炉芯管１２に固定
している。

【００１５】［実施例１］本実施例では、図１に示す構
成の金属酸化物皮膜抵抗器を作製した。まず、金属酸化
物抵抗皮膜２を形成するための組成物と拡散層３を形成
するための組成物は以下のようにして作成した。２００
ｍｌの三角フラスコに、５ｇの塩化第二スズ（ＳｎＣｌ
₄・５Ｈ₂Ｏ）と、金属のモル数で換算して、かつ式Ｓｂ
／（Ｓｎ＋Ｓｂ）で表される値が０．０９の三塩化アン
チモン（ＳｂＣｌ₃）を秤量し、６８ｍｌのメタノール
と８ｍｌの濃塩酸を加えて溶解させ、抵抗皮膜形成用組
成物を作成した。また、２００ｍｌの三角フラスコに、
各種金属Ｍの塩化物を所定量秤量し、７５ｍｌのメタノ
ールを加えて溶解させ、塩化物濃度が０．２モル／リッ
トルの拡散層形成用組成物を作成した。次に、図３の装
置を用いて、アルミナ分９２％の円柱状の基材１（外形
２ｍｍ、長さ１０ｍｍ、表面粗さＲａ０．３μｍ）の
表面に金属酸化物抵抗皮膜および拡散層を順次形成し
た。すなわち、まず前記の基材１を反応管１１中に、ま
た抵抗皮膜形成用組成物を原料供給器１６にそれぞれ入
れた。キャリアガスには空気を用い、ガス流量を１リッ
トル／ｍｉｎ、基材１の加熱温度を８００℃とした。な
お、基材の加熱温度は、基材の変形温度もしくは形成さ
れる抵抗皮膜の融点以下であればよく、加熱温度は高い
方が得られる抵抗皮膜の膜質は良好であり、４００〜９
００℃が好ましい。８００℃で反応管１１中の基材１を
３０分間保持し、次いで抵抗皮膜形成用組成物２ｇを反
応管１１中に１２分間かけて送り、基材表面に抵抗皮膜
２を形成した後、さらに８００℃で１０分間保持した。
このようにして形成される抵抗皮膜２の膜厚は通常数十
〜数千ｎｍであるが、本実施例では約３００ｎｍであっ
た。

【００１６】次に同様にして、抵抗皮膜２の形成された
基材１を反応管１１中に、また拡散層形成用組成物を原
料供給器１６にそれぞれ入れた。キャリアガスには空気
を用い、ガス流量は１リットル／ｍｉｎ、基材１の加熱
温度は８００℃とした。なお、この場合の加熱温度は、
基材１の変形温度および抵抗皮膜２の融点以下で、抵抗
皮膜と拡散層形成用組成物との反応開始温度以上であれ
ばよく、用いる金属化合物によって異なるが、５００〜
９００℃が好ましい。８００℃で反応管１１中の基材１
を３０分間保持し、次いで拡散層形成用組成物１．２ｇ
を反応管１１中に７分間かけて送り、抵抗皮膜２と拡散
層形成用組成物を反応させ、さらに８００℃で１０分間
保持した。このようにして抵抗皮膜２の表面へ金属Ｍの
イオンを拡散させた。こうして抵抗皮膜２の表面に拡散
層を形成した基材１の両端に、スズメッキされたステン
レス鋼製のキャップ端子５、６を圧入し、レーザで１２
ターン分のトリミングを行った後、キャップ端子５、６
にスズメッキされた銅製のリード線７、８を溶接した。
最後に、拡散層３の表面に、熱硬化性の樹脂ペーストを
塗布・乾燥し、１５０℃で１０分間加熱処理し、絶縁性
の保護膜９を形成して、本発明の金属酸化物皮膜抵抗器
を得た。なお、保護膜９は、絶縁性と耐湿性を有してい
ればよく、材質としては樹脂のみまたは無機フィラーを
含有したものが用いられる。また、保護膜の硬化には、
熱以外に可視光や紫外線等の光を用いてもよい。

【００１７】抵抗皮膜に各種の金属Ｍのイオンを拡散さ
せた金属酸化物皮膜抵抗器の特性を表１に挙げる。抵抗
の温度係数（ＴＣＲ）は、２５℃〜１２５℃における値
であり、抵抗の変化率は、温度６０℃、相対湿度９５％
のもとで、１００時間放置した後の放置前の値に対する
変化率である。

【００１８】

【表１】

【００１９】［実施例２］２００ｍｌの三角フラスコ
に、１０ｍｌのチタンテトライソプロポキシド（Ｔｉ
［ＯＣＨ（ＣＨ₃）ＣＨ₃］₄）を秤量し、４０ｍｌのメ
タノールを加えて溶解させ、金属酸化物絶縁皮膜形成用
組成物を作成した。また、２００ｍｌの三角フラスコ
に、各種金属Ｍの硝酸塩を所定量秤量し、１０ｍｌのア
セチルアセトンを加え、室温で混合・溶解させた後、９
０ｍｌのアセトンを加えて希釈して、硝酸塩濃度が０．
２／リットルの拡散層形成用組成物を作成した。図３の
装置を用い、基材１を反応管１１中に、また前記絶縁皮
膜形成用組成物を原料供給器１６にそれぞれ入れた。キ
ャリアガスには空気を用い、ガス流量は１リットル／ｍ
ｉｎ、基材１の加熱温度は８００℃とした。なお、基材
１の加熱温度は、基材１の変形温度と形成される絶縁皮
膜４の融点以下であればよく、加熱温度は高い方が得ら
れる絶縁皮膜の膜質は良好であり、６００〜９００℃が
好ましい。

【００２０】８００℃で反応管１１中の基材１を３０分
間保持し、次いで２ｇの前記絶縁皮膜形成用組成物を反
応管１１中に１０分間かけて送り、絶縁皮膜４を形成し
た後、さらに８００℃で１０分間保持した。このように
して形成される絶縁皮膜の膜厚は通常数十〜数千ｎｍで
あるが、本実施例では約１００ｎｍであった。次に同様
に、前記絶縁皮膜４の形成された基材１を反応管中に、
実施例１と同じ抵抗皮膜形成用組成物を原料供給器１６
に入れ、反応管１１中の基材１を８００℃で３０分間保
持した後、２．５ｇの前記抵抗皮膜形成用組成物を反応
管１１中に１５分間かけて送り、絶縁皮膜４上に抵抗皮
膜２を形成した後、さらに８００℃で１０分間保持し
た。こうして形成された抵抗皮膜の厚さは約４０００ｎ
ｍであった。次に、前記絶縁皮膜４と抵抗皮膜２が形成
された基材１上に、上記の拡散層形成用組成物をディッ
プコートした。なお、拡散層形成用組成物の塗布に、本
実施例ではディップコート法を用いたが、スプレー法や
ディスペンサ等による塗布を用いることもできる。前記
の拡散層形成用組成物の塗膜を形成した基材を６０℃で
５分間乾燥した後、空気中において８００℃で１０分間
加熱し、抵抗皮膜２の表面に拡散層３を形成した。この
後は実施例１に同様に、抵抗皮膜のトリミング、保護膜
の形成などを行い、図２に示すような金属酸化物皮膜抵
抗器を得た。上記のようにして抵抗皮膜に各種の金属Ｍ
のイオンを拡散させた金属酸化物皮膜抵抗器の特性を表
２に挙げる。

【００２１】

【表２】

【００２２】［実施例３］２００ｍｌの三角フラスコ
に、５ｇの酢酸亜鉛を秤量し、１００ｍｌの水と少量の
塩酸を加えて溶解させ、拡散層形成用組成物を作成し
た。実施例１と同様にして金属酸化物抵抗皮膜２を形成
した基材１を反応管中に、前記拡散層形成用組成物を原
料供給器１６にそれぞれ入れた。キャリアガスには酸素
を用い、ガス流量は１リットル／ｍｉｎ、基材１の加熱
温度は８００℃とした。８００℃で反応管１１中の基材
１を３０分間保持した後、０．８ｇの前記拡散層形成用
組成物を反応管１１中に５分間かけて送り、抵抗皮膜２
と前記拡散層形成用組成物とを反応させ、さらに８００
℃で１０分間保持して、金属Ｍのイオンを前記抵抗皮膜
２へ拡散させた。その後は実施例１と同様にして金属酸
化物皮膜抵抗器を作成した。

【００２３】［実施例４］２００ｍｌの三角フラスコ
に、１２．６ｇの塩化亜鉛（ＺｎＣｌ₂）とＩｎ／（Ｚ
ｎ＋Ｉｎ）の値が０．０２となるように塩化インジウム
（ＩｎＣｌ₃・３Ｈ₂Ｏ）を秤量し、１００ｍｌの純水を
加えて溶解させ、金属酸化物皮膜形成用組成物を作成し
た。また、２００ｍｌの三角フラスコに、５ｇの塩化第
二スズ（ＳｎＣｌ₄・５Ｈ₂Ｏ）を秤量し、７５ｍｌのメ
タノールを加えて溶解させ、拡散層形成用組成物を作成
した。８００℃で反応管１１中の基材１を３０分間保持
した後、原料供給器１６に入れた前記抵抗皮膜形成用組
成物１６ｇをキャリアガスの空気の流量１リットル／ｍ
ｉｎで反応管１１中に２０分間かけて送り、基材の表面
に抵抗皮膜２を形成した後、さらに８００℃で１０分間
保持した。こうして得た抵抗皮膜の厚みは約３０００ｎ
ｍであった。次に、この抵抗皮膜の形成された基材を反
応管１１中に、また前記拡散層形成用組成物を原料供給
器１６にそれぞれ入れ、８００℃で反応管１１中の基材
１を３０分間保持した後、拡散層形成用組成物０．８ｇ
をキャリアガスの窒素の流量１リットル／ｍｉｎで反応
管１１中に５分間かけて送り、抵抗皮膜と前記拡散層形
成用組成物とを反応させ、さらに８００℃で１０分間保
持して、金属Ｍのイオンを前記抵抗皮膜２へ拡散させ
た。その後は実施例１に同様にして金属酸化物皮膜抵抗
器を作成した。

【００２４】［比較例１］拡散層３を形成しない他は実
施例３と同様の金属酸化物皮膜抵抗器を作成した。［比較例２］１ｇの金属酸化物皮膜形成用組成物を反応
管１１中に５分間かけて送ることにより、抵抗皮膜の膜
厚を約１００ｎｍとした他は比較例１と同様の金属酸化
物皮膜抵抗器を作成した。表３に実施例３、４および比
較例１、２の金属酸化物皮膜抵抗器の特性を挙げる。

【００２５】

【表３】

【００２６】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、１００ｋ
Ω以上と高い抵抗値を有し、しかも抵抗温度係数の小さ
な金属酸化物皮膜抵抗器を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例における金属酸化物皮膜抵抗
器の縦断面図である。

【図２】本発明の他の実施例における金属酸化物皮膜抵
抗器の縦断面図である。

【図３】本発明の実施例に用いた金属酸化物皮膜製造装
置の概略構成を示す縦断面図である。

【図４】従来の金属酸化物皮膜抵抗器の縦断面図であ
る。

【符号の説明】

１基材２金属酸化物抵抗皮膜３拡散層４金属酸化物絶縁皮膜５、６キャップ端子７、８リード線９保護膜１０金属酸化物皮膜１１反応管１２炉芯管１３パッキン１４電気炉１５皮膜形成用組成物１６原料供給器１７ガス供給装置１８、１９、２０パイプ２０排気装置

フロントページの続き (72)発明者吉田昭彦大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも絶縁性基材、前記基材上の金
属酸化物抵抗皮膜、および前記抵抗皮膜の表面部分に抵
抗皮膜の主構成金属元素と異なる金属イオンが拡散した
拡散層を具備することを特徴とする金属酸化物皮膜抵抗
器。
【請求項２】少なくとも絶縁性基材、前記基材上の金
属酸化物絶縁皮膜、前記絶縁皮膜上の金属酸化物抵抗皮
膜、および前記抵抗皮膜の表面部分に抵抗皮膜の主構成
金属元素と異なる金属イオンが拡散した拡散層を具備す
ることを特徴とする金属酸化物皮膜抵抗器。
【請求項３】前記拡散層が、その厚さ方向に前記拡散
金属イオンの濃度勾配を有する請求項１または２記載の
金属酸化物皮膜抵抗器。
【請求項４】前記抵抗皮膜が、酸化スズ、酸化インジ
ウムおよび酸化亜鉛よりなる群から選択される少なくと
も一種を主成分とする請求項１、２または３記載の金属
酸化物皮膜抵抗器。
【請求項５】前記絶縁皮膜が、酸化チタン、酸化珪
素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムおよび酸化ス
ズよりなる群から選択される少なくとも一種を主成分と
する請求項２、３または４記載の金属酸化物皮膜抵抗
器。
【請求項６】金属酸化物抵抗皮膜の主構成金属元素と
異なる第２の金属の化合物と前記第２の金属に配位可能
な有機化合物とこれらを溶解する有機溶剤からなる溶液
を調製する工程、前記の溶液を金属酸化物抵抗皮膜に塗
布する工程、および塗布された塗膜を加熱することによ
り、前記抵抗皮膜表面に前記第２の金属イオンが拡散し
た拡散層を形成する工程を有することを特徴とする金属
酸化物皮膜抵抗器の製造方法。
【請求項７】金属酸化物抵抗皮膜の主構成金属元素と
異なる第２の金属の化合物を含む溶液の蒸気を、加熱下
で金属酸化物抵抗皮膜に接触させることにより、前記抵
抗皮膜表面に前記第２の金属イオンが拡散した拡散層を
形成する工程を有することを特徴とする金属酸化物皮膜
抵抗器の製造方法。
【請求項８】前記金属酸化物抵抗皮膜が、酸化スズ、
酸化インジウムおよび酸化亜鉛よりなる群から選択され
る少なくとも一種を主成分とする請求項６または７記載
の金属酸化物皮膜抵抗器の製造方法。
【請求項９】前記溶液が、アルミニウム、マグネシウ
ム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバ
ルト、ニッケル、銅、亜鉛、モリブデン、タングステ
ン、タンタル、ニオブ、イットリウム、ジルコニウム、
インジウム、スズ、アンチモン、ランタンおよびセリウ
ムよりなる群から選ばれる少なくとも一種の金属の無機
化合物または有機化合物を含む請求項６または７記載の
金属酸化物皮膜抵抗器の製造方法。