JP2000194006A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JP2000194006A JP2000194006A JP10369697A JP36969798A JP2000194006A JP 2000194006 A JP2000194006 A JP 2000194006A JP 10369697 A JP10369697 A JP 10369697A JP 36969798 A JP36969798 A JP 36969798A JP 2000194006 A JP2000194006 A JP 2000194006A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 大面積の表示領域を複数に分割する液晶表示
装置において、その分割境界線がＴＦＴの各部位と重畳
することによる分割境界線の近傍に発生する形状不良に
よる表示不良を抑制することができる液晶表示装置を提
供する。 【解決手段】 大面積の表示領域を複数の表示領域に分
割した表示分割領域を有する液晶表示装置のＴＦＴ基板
１０上に設けられ、そのＴＦＴに接続された表示電極１
９，１９間のスペースに、大面積の表示領域を複数に分
割する分割境界線Ｃ１を配置することにより、複数回の
露光によって生じる表示電極の形状不良による分割境界
線近傍の表示不良を抑制することができる。
装置において、その分割境界線がＴＦＴの各部位と重畳
することによる分割境界線の近傍に発生する形状不良に
よる表示不良を抑制することができる液晶表示装置を提
供する。 【解決手段】 大面積の表示領域を複数の表示領域に分
割した表示分割領域を有する液晶表示装置のＴＦＴ基板
１０上に設けられ、そのＴＦＴに接続された表示電極１
９，１９間のスペースに、大面積の表示領域を複数に分
割する分割境界線Ｃ１を配置することにより、複数回の
露光によって生じる表示電極の形状不良による分割境界
線近傍の表示不良を抑制することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、中及び大面積の表
示領域を有し、その表示領域を複数の表示領域に分割し
て形成する液晶表示装置に関する。
示領域を有し、その表示領域を複数の表示領域に分割し
て形成する液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５に、従来の大面積の表示領域を有す
る液晶表示装置の平面図を示す。
る液晶表示装置の平面図を示す。
【０００３】同図に示すように、液晶表示装置は、石英
ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上
に、スイッチング素子である薄膜トランジスタ（以下、
「ＴＦＴ」と称する。）を形成する。この絶縁性基板１
０には、液晶表示装置が完成後に表示を行う表示領域５
０を有する。
ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上
に、スイッチング素子である薄膜トランジスタ（以下、
「ＴＦＴ」と称する。）を形成する。この絶縁性基板１
０には、液晶表示装置が完成後に表示を行う表示領域５
０を有する。
【０００４】ここで、絶縁性基板１０上にＴＦＴを形成
する際には、ＴＦＴの各部位、例えばゲート信号ライン
Ｇを形成するためのレジストパターンを設けるために、
堆積したゲート信号ライン材料の全面にレジストを塗布
してゲート信号ライン形成用のマスクパターンを用いて
露光して、それによって形成されたレジストパターンに
よってエッチングするが、大面積の表示領域を有する液
晶表示装置であると、１度の露光によって全ての表示領
域にレジストパターンを形成することは困難である。
する際には、ＴＦＴの各部位、例えばゲート信号ライン
Ｇを形成するためのレジストパターンを設けるために、
堆積したゲート信号ライン材料の全面にレジストを塗布
してゲート信号ライン形成用のマスクパターンを用いて
露光して、それによって形成されたレジストパターンに
よってエッチングするが、大面積の表示領域を有する液
晶表示装置であると、１度の露光によって全ての表示領
域にレジストパターンを形成することは困難である。
【０００５】そこで、図５に示すように、液晶表示装置
の中央の分割境界線Ｃ（一点鎖線で表示）で２分割し、
領域Ａ及び領域Ｂのように左右に分割して、表示領域５
０も表示領域ａと表示領域ｂとに分割して、それぞれの
領域を順に露光している。
の中央の分割境界線Ｃ（一点鎖線で表示）で２分割し、
領域Ａ及び領域Ｂのように左右に分割して、表示領域５
０も表示領域ａと表示領域ｂとに分割して、それぞれの
領域を順に露光している。
【０００６】即ち、絶縁性基板１０上に形成するＴＦＴ
の各部位、例えばゲート及びそのゲートに一体的に接続
されたゲートラインを形成する際には、液晶表示装置の
表示領域を複数、例えば左右に２分割し、その分割した
各分割表示領域全面にレジストを塗布し、両分割表示領
域でパターンの異なるマスクを用いて順番に露光する。
の各部位、例えばゲート及びそのゲートに一体的に接続
されたゲートラインを形成する際には、液晶表示装置の
表示領域を複数、例えば左右に２分割し、その分割した
各分割表示領域全面にレジストを塗布し、両分割表示領
域でパターンの異なるマスクを用いて順番に露光する。
【０００７】図６に、図５中の円Ｄの領域の拡大図を示
す。同図（ａ）には表示領域ａにゲート信号ラインを形
成する場合を、また同図（ｂ）には表示領域ｂにゲート
信号ラインを形成する場合を示す。
す。同図（ａ）には表示領域ａにゲート信号ラインを形
成する場合を、また同図（ｂ）には表示領域ｂにゲート
信号ラインを形成する場合を示す。
【０００８】図６（ａ）に示すように、分割の境界にお
いて断線及び短絡が発生しないようにするため、表示領
域を左右に分割した点線Ｃよりも右側、即ち表示領域ｂ
までマスク５１（斜線で表示）にて遮光する。そして露
光を施して遮光部にレジストを残してレジストパターン
を形成する。
いて断線及び短絡が発生しないようにするため、表示領
域を左右に分割した点線Ｃよりも右側、即ち表示領域ｂ
までマスク５１（斜線で表示）にて遮光する。そして露
光を施して遮光部にレジストを残してレジストパターン
を形成する。
【０００９】次に、図６（ｂ）に示すように、分割の境
界において分割領域間でゲート信号線の断線及び短絡が
発生しないようにするため、表示領域を左右に分割した
分割境界線（点線Ｃで表示）よりも左側、即ち表示領域
ａまでマスク５２（斜線で表示）にて遮光して露光を施
してレジストを残してレジストパターンを形成する。
界において分割領域間でゲート信号線の断線及び短絡が
発生しないようにするため、表示領域を左右に分割した
分割境界線（点線Ｃで表示）よりも左側、即ち表示領域
ａまでマスク５２（斜線で表示）にて遮光して露光を施
してレジストを残してレジストパターンを形成する。
【００１０】その後、表示領域ａ及びｂで露出したゲー
ト信号線の材料であるＣｒをエッチングしてゲート信号
ラインを形成する。
ト信号線の材料であるＣｒをエッチングしてゲート信号
ラインを形成する。
【００１１】こうして、分割した各表示領域の各マスク
５１，５２によって各表示領域ａ，ｂのゲート信号ライ
ンが形成される。
５１，５２によって各表示領域ａ，ｂのゲート信号ライ
ンが形成される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、両領域
の各マスクにそれぞれ１回、計２回の露光及びエッチン
グによって形成したゲート信号ラインは、図６（ｃ）に
示すように、分割境界線付近において２回露光された箇
所５３，５４は露光量が多いためレジストが過剰に細く
なり、その部分のゲート信号ラインＧの材料がエッチン
グされてしまって細くなってしまうため、均一な幅の直
線状にはならない。そのため、分割境界線近傍のゲート
信号ラインのパターン形状と、それ以外のゲート信号ラ
インのパターン形状とが異なった形状（幅）となり、分
割境界線近傍にその分割境界線に沿ったライン状の模様
のような表示不良が発生するという欠点があった。
の各マスクにそれぞれ１回、計２回の露光及びエッチン
グによって形成したゲート信号ラインは、図６（ｃ）に
示すように、分割境界線付近において２回露光された箇
所５３，５４は露光量が多いためレジストが過剰に細く
なり、その部分のゲート信号ラインＧの材料がエッチン
グされてしまって細くなってしまうため、均一な幅の直
線状にはならない。そのため、分割境界線近傍のゲート
信号ラインのパターン形状と、それ以外のゲート信号ラ
インのパターン形状とが異なった形状（幅）となり、分
割境界線近傍にその分割境界線に沿ったライン状の模様
のような表示不良が発生するという欠点があった。
【００１３】そこで本発明は、上記の従来の欠点に鑑み
て為されたものであり、表示領域を複数に分割して各分
割表示領域に異なるパターンで形成した場合でも、形成
した表示領域の各部位の形状不良による表示への悪影響
を抑制した液晶表示装置を提供することを目的とする。
て為されたものであり、表示領域を複数に分割して各分
割表示領域に異なるパターンで形成した場合でも、形成
した表示領域の各部位の形状不良による表示への悪影響
を抑制した液晶表示装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、薄膜トランジスタを備えた表示領域を複数に分割し
て形成する液晶表示装置において、前記表示領域を構成
する一の部位を形成する際の前記各分割表示領域間の分
割境界線は、前記一の部位と重畳しない領域にのみ配置
しているものである。
は、薄膜トランジスタを備えた表示領域を複数に分割し
て形成する液晶表示装置において、前記表示領域を構成
する一の部位を形成する際の前記各分割表示領域間の分
割境界線は、前記一の部位と重畳しない領域にのみ配置
しているものである。
【００１５】また、薄膜トランジスタを備えた表示領域
を複数に分割して形成する液晶表示装置において、前記
表示領域を構成する一の部位を形成する際の前記各分割
表示領域間の分割境界線は、異なる層に形成される他の
部位であって遮光性を有する部位と重畳する領域に配置
しているものである。
を複数に分割して形成する液晶表示装置において、前記
表示領域を構成する一の部位を形成する際の前記各分割
表示領域間の分割境界線は、異なる層に形成される他の
部位であって遮光性を有する部位と重畳する領域に配置
しているものである。
【００１６】更に、上述の液晶表示装置の前記遮光性を
有する部位は、ドレイン信号ラインまたはゲート信号ラ
インである。
有する部位は、ドレイン信号ラインまたはゲート信号ラ
インである。
【００１７】更にまた、薄膜トランジスタを備えた表示
領域を複数に分割して形成する液晶表示装置において、
前記表示領域を構成する一の部位を形成する際の前記各
分割表示領域間の分割境界線は、前記一の部位と重畳す
る領域にのみ配置しているものである。
領域を複数に分割して形成する液晶表示装置において、
前記表示領域を構成する一の部位を形成する際の前記各
分割表示領域間の分割境界線は、前記一の部位と重畳す
る領域にのみ配置しているものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の液晶表示装置について以
下に説明する。 ＜第１の実施の形態＞図１に本発明の液晶表示装置の平
面図を示し、図２に図１中のＡ−Ａ線に沿った断面図を
示す。
下に説明する。 ＜第１の実施の形態＞図１に本発明の液晶表示装置の平
面図を示し、図２に図１中のＡ−Ａ線に沿った断面図を
示す。
【００１９】本実施の形態においては、同層に設ける表
示電極を形成する場合について説明する。
示電極を形成する場合について説明する。
【００２０】液晶表示装置は、一対の絶縁性基板の周辺
をシール接着材で接着し、それによって形成される空隙
に液晶を充填して成っている。その一対の基板のうちス
イッチング素子であるＴＦＴを形成する絶縁性基板１０
側について以下に説明する。
をシール接着材で接着し、それによって形成される空隙
に液晶を充填して成っている。その一対の基板のうちス
イッチング素子であるＴＦＴを形成する絶縁性基板１０
側について以下に説明する。
【００２１】石英ガラス、無アルカリガラス等からなる
絶縁性基板１０上に、Ｃｒ、モリブデン（Ｍｏ）などの
高融点金属からなりゲート信号ラインＧの一部を成すゲ
ート電極１１、ゲート絶縁膜１２、及び多結晶シリコン
膜からなる能動層１３を順に形成する。
絶縁性基板１０上に、Ｃｒ、モリブデン（Ｍｏ）などの
高融点金属からなりゲート信号ラインＧの一部を成すゲ
ート電極１１、ゲート絶縁膜１２、及び多結晶シリコン
膜からなる能動層１３を順に形成する。
【００２２】その能動層１３には、ゲート電極１１上方
のチャネル１３ｃと、このチャネル１３ｃの両側に、チ
ャネル１３ｃ上のストッパ絶縁膜１４をマスクにしてイ
オン注入されて形成されるソース１３ｓ及びドレイン１
３ｄが設けられている。
のチャネル１３ｃと、このチャネル１３ｃの両側に、チ
ャネル１３ｃ上のストッパ絶縁膜１４をマスクにしてイ
オン注入されて形成されるソース１３ｓ及びドレイン１
３ｄが設けられている。
【００２３】そして、ゲート絶縁膜１２、能動層１３及
びストッパ絶縁膜１４上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ
膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１５を形
成し、ドレイン１３ｄに対応して設けたコンタクトホー
ルにＡｌ等の金属を充填してドレイン信号ラインＤの一
部を成すドレイン電極１６を形成する。更に全面に例え
ば有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７
を形成する。そして、その平坦化絶縁膜１７のソース１
３ｓに対応した位置にコンタクトホールを形成し、この
コンタクトホールを介してドレイン１３ｄとコンタクト
したＩＴＯ（Indium Thin Oxide）から成りドレイン電
極を兼ねた透明電極である表示電極１９を平坦化絶縁膜
１７上に形成する。そしてその表示電極１９上にポリイ
ミド等の有機樹脂からなり液晶２１を配向させる配向膜
２０を形成する。液晶２１を配置する側とは反対側のＴ
ＦＴ基板上には偏光板４１を配置する。
びストッパ絶縁膜１４上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ
膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１５を形
成し、ドレイン１３ｄに対応して設けたコンタクトホー
ルにＡｌ等の金属を充填してドレイン信号ラインＤの一
部を成すドレイン電極１６を形成する。更に全面に例え
ば有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７
を形成する。そして、その平坦化絶縁膜１７のソース１
３ｓに対応した位置にコンタクトホールを形成し、この
コンタクトホールを介してドレイン１３ｄとコンタクト
したＩＴＯ（Indium Thin Oxide）から成りドレイン電
極を兼ねた透明電極である表示電極１９を平坦化絶縁膜
１７上に形成する。そしてその表示電極１９上にポリイ
ミド等の有機樹脂からなり液晶２１を配向させる配向膜
２０を形成する。液晶２１を配置する側とは反対側のＴ
ＦＴ基板上には偏光板４１を配置する。
【００２４】こうして作成されたＴＦＴを備えた絶縁性
基板（ＴＦＴ基板）１０に対向した対向電極基板３０の
絶縁性基板１０側には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）
の各色及び遮光機能を有するブラックマトリックス３２
を備えたカラーフィルタ３１、その上に形成された樹脂
から成る保護膜３３、その全面に形成された対向電極３
４及び配向膜３５を備えている。また、絶縁性基板１０
側とは反対側の面には偏光板４１が配置されている。そ
して、絶縁性基板１０と対向電極基板３０との周辺をシ
ール接着剤（図示せず）により接着し、形成された空隙
にツイスティッドネマティック（ＴＮ）液晶２１を充填
する。
基板（ＴＦＴ基板）１０に対向した対向電極基板３０の
絶縁性基板１０側には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）
の各色及び遮光機能を有するブラックマトリックス３２
を備えたカラーフィルタ３１、その上に形成された樹脂
から成る保護膜３３、その全面に形成された対向電極３
４及び配向膜３５を備えている。また、絶縁性基板１０
側とは反対側の面には偏光板４１が配置されている。そ
して、絶縁性基板１０と対向電極基板３０との周辺をシ
ール接着剤（図示せず）により接着し、形成された空隙
にツイスティッドネマティック（ＴＮ）液晶２１を充填
する。
【００２５】図１及び図２に示すように、平坦化絶縁膜
１７を形成し、その平坦化絶縁膜１７に能動層１３のソ
ース１３ｓに対応した位置にコンタクトホールを設けた
後に、ＩＴＯをスパッタ法を用いてコンタクトホールを
含む平坦化絶縁膜１７上の全面に堆積する。そして、更
に平坦化絶縁膜１７上にレジストを塗布する。ここで、
表示領域を複数の領域（本実施の形態の場合、領域ａ及
びｂの２領域）に分割して露光するための分割境界線Ｃ
１が、図１に示すように、いずれの表示電極１９にも重
畳しないように設けた場合を説明する。
１７を形成し、その平坦化絶縁膜１７に能動層１３のソ
ース１３ｓに対応した位置にコンタクトホールを設けた
後に、ＩＴＯをスパッタ法を用いてコンタクトホールを
含む平坦化絶縁膜１７上の全面に堆積する。そして、更
に平坦化絶縁膜１７上にレジストを塗布する。ここで、
表示領域を複数の領域（本実施の形態の場合、領域ａ及
びｂの２領域）に分割して露光するための分割境界線Ｃ
１が、図１に示すように、いずれの表示電極１９にも重
畳しないように設けた場合を説明する。
【００２６】平坦化絶縁膜１７上にレジストを塗布した
後、まず分割境界線Ｃ１によって分割される一方の表示
領域ａのレジストを、島化する表示電極１９のパターン
を有するマスクを用いて露光する。そして、次に、分割
境界線Ｃ１によって分割される他方の表示領域ｂのレジ
ストを、島化する表示電極１９のパターンを有するマス
クを用いて露光する。
後、まず分割境界線Ｃ１によって分割される一方の表示
領域ａのレジストを、島化する表示電極１９のパターン
を有するマスクを用いて露光する。そして、次に、分割
境界線Ｃ１によって分割される他方の表示領域ｂのレジ
ストを、島化する表示電極１９のパターンを有するマス
クを用いて露光する。
【００２７】こうして、表示電極１９を形成するための
レジストパターンが形成される。
レジストパターンが形成される。
【００２８】このとき、分割境界線Ｃ１は、互いに隣接
する表示電極１９の間の領域に連続した直線状に形成し
ているので、各表示領域ａ，ｂにおいて露光を行って計
２回の露光を行うことによってレジストが細くなったと
しても表示電極１９自体がエッチングされて細くなるこ
とはなく、本来の表示電極の形状に形成することができ
る。即ち、分割境界線Ｃ１が表示電極１９上に重畳して
いないので、本来の表示電極の形状が得られることにな
る。
する表示電極１９の間の領域に連続した直線状に形成し
ているので、各表示領域ａ，ｂにおいて露光を行って計
２回の露光を行うことによってレジストが細くなったと
しても表示電極１９自体がエッチングされて細くなるこ
とはなく、本来の表示電極の形状に形成することができ
る。即ち、分割境界線Ｃ１が表示電極１９上に重畳して
いないので、本来の表示電極の形状が得られることにな
る。
【００２９】従って、液晶表示装置が完成して表示を観
察した場合においても、分割境界線付近に分割境界線に
沿ってライン状に見える表示欠陥は観察されなくなって
しまう。
察した場合においても、分割境界線付近に分割境界線に
沿ってライン状に見える表示欠陥は観察されなくなって
しまう。
【００３０】上述の第１の実施の形態においては、分割
境界線Ｃ１をドレイン信号ラインＤと平行に設けた場合
を示したが、本発明はそれに限定されるものではなく、
図１中の分割境界線Ｃ２（１点鎖線で表示）で示すよう
に互いに隣接する表示電極１９との間を交互に折れ曲が
った連続な線によって分割される分割境界線であっても
本願と同様の効果を得ることができる。 ＜第２の実施の形態＞図３にＴＦＴ基板１０上にゲート
信号ラインを形成した状態の平面図を示す。同図におい
て、実線にてゲート信号ラインＧ及びゲート電極１１を
示し、点線にて、ゲート信号ラインＧを形成した後の工
程で形成されるドレイン信号ラインＤを示す。本実施の
形態においては、ゲート信号ラインＧを形成する場合に
おいて分割境界線が異なる層のドレイン信号ラインＤと
重畳して形成する場合について説明する。なお、液晶表
示装置の構造は第１の実施の形態と同じである。同図に
示すように、ゲート信号ラインＧは分割境界線Ｃ３に対
して垂直に配置されている。また、後の工程において形
成されるドレイン信号ラインＤは分割境界線Ｃ３と平行
に形成される。
境界線Ｃ１をドレイン信号ラインＤと平行に設けた場合
を示したが、本発明はそれに限定されるものではなく、
図１中の分割境界線Ｃ２（１点鎖線で表示）で示すよう
に互いに隣接する表示電極１９との間を交互に折れ曲が
った連続な線によって分割される分割境界線であっても
本願と同様の効果を得ることができる。 ＜第２の実施の形態＞図３にＴＦＴ基板１０上にゲート
信号ラインを形成した状態の平面図を示す。同図におい
て、実線にてゲート信号ラインＧ及びゲート電極１１を
示し、点線にて、ゲート信号ラインＧを形成した後の工
程で形成されるドレイン信号ラインＤを示す。本実施の
形態においては、ゲート信号ラインＧを形成する場合に
おいて分割境界線が異なる層のドレイン信号ラインＤと
重畳して形成する場合について説明する。なお、液晶表
示装置の構造は第１の実施の形態と同じである。同図に
示すように、ゲート信号ラインＧは分割境界線Ｃ３に対
して垂直に配置されている。また、後の工程において形
成されるドレイン信号ラインＤは分割境界線Ｃ３と平行
に形成される。
【００３１】ゲート信号ラインＧは分割境界線Ｃ３に対
して垂直であるため、分割境界線Ｃ３は必ずゲート信号
ラインＧと交差することになる。
して垂直であるため、分割境界線Ｃ３は必ずゲート信号
ラインＧと交差することになる。
【００３２】従って、各ゲート信号ラインＧは異なるマ
スクパターン、即ち表示領域ａのゲート信号ラインＧを
形成するためのマスクパターンと、表示領域ｂのゲート
信号ラインＧを形成するためのマスクパターンとを用い
てそれぞれの領域を露光、即ち計２回の露光によってゲ
ート信号ラインＧを形成した際には、図６（ａ）で示し
たように分割境界線Ｃ３近傍において、細くなった箇所
を有するゲート信号ラインＧが形成されることになる。
スクパターン、即ち表示領域ａのゲート信号ラインＧを
形成するためのマスクパターンと、表示領域ｂのゲート
信号ラインＧを形成するためのマスクパターンとを用い
てそれぞれの領域を露光、即ち計２回の露光によってゲ
ート信号ラインＧを形成した際には、図６（ａ）で示し
たように分割境界線Ｃ３近傍において、細くなった箇所
を有するゲート信号ラインＧが形成されることになる。
【００３３】そこで、後に形成されるドレイン信号ライ
ンＤによってその細くなった箇所を覆って表示に影響を
与えないようにする。即ち、例えばＡｌ等の遮光材料か
らなるドレイン信号ラインＤによって、分割境界線Ｃ３
近傍に生じたゲート信号ラインＧの不良個所を表示観察
者に見えないように覆って表示不良が観察されないよう
にする。そうすることにより表示不良を抑制することが
できる。 ＜第３の実施の形態＞図４にＴＦＴ基板１０上にドレイ
ン信号ラインＤを形成した状態の平面図を示す。なお、
液晶表示装置の構造は第１の実施の形態と同じである。
同図において、実線にてドレイン信号ラインＤ及びドレ
イン電極１６を示し、点線にて、ドレイン信号ラインＤ
が形成されるまでに既に形成されたゲート信号ライン
Ｇ、ゲート電極１１及び能動層１３を示す。本実施の形
態においては、ドレイン信号ラインＤを形成する場合に
ついて説明する。
ンＤによってその細くなった箇所を覆って表示に影響を
与えないようにする。即ち、例えばＡｌ等の遮光材料か
らなるドレイン信号ラインＤによって、分割境界線Ｃ３
近傍に生じたゲート信号ラインＧの不良個所を表示観察
者に見えないように覆って表示不良が観察されないよう
にする。そうすることにより表示不良を抑制することが
できる。 ＜第３の実施の形態＞図４にＴＦＴ基板１０上にドレイ
ン信号ラインＤを形成した状態の平面図を示す。なお、
液晶表示装置の構造は第１の実施の形態と同じである。
同図において、実線にてドレイン信号ラインＤ及びドレ
イン電極１６を示し、点線にて、ドレイン信号ラインＤ
が形成されるまでに既に形成されたゲート信号ライン
Ｇ、ゲート電極１１及び能動層１３を示す。本実施の形
態においては、ドレイン信号ラインＤを形成する場合に
ついて説明する。
【００３４】同図に示すように、ドレイン信号ラインＤ
は分割境界線Ｃ４と重畳して平行に配置されている。こ
のドレイン信号ラインＤは、例えばアルミニウム（Ａ
ｉ）等の遮光性の金属から成っている。
は分割境界線Ｃ４と重畳して平行に配置されている。こ
のドレイン信号ラインＤは、例えばアルミニウム（Ａ
ｉ）等の遮光性の金属から成っている。
【００３５】このＡｌ上にレジストを塗布してドレイン
信号ライン形成用のマスクパターンを用いて露光し、そ
の後形成されたレジストパターンに基づいてＡｌをエッ
チングしてドレイン信号ラインＤを形成する。
信号ライン形成用のマスクパターンを用いて露光し、そ
の後形成されたレジストパターンに基づいてＡｌをエッ
チングしてドレイン信号ラインＤを形成する。
【００３６】ここで、表示領域ａと表示領域ｂとは分割
境界線Ｃ４によって分割され、表示領域ａは表示領域ａ
のドレイン信号ライン形成用マスクパターンを用いて、
また表示領域ｂは表示領域ｂのドレイン信号ライン形成
用マスクパターンを用いて、各パターン毎に１回の計２
回の露光によってドレイン信号ラインＤが形成されてい
る。
境界線Ｃ４によって分割され、表示領域ａは表示領域ａ
のドレイン信号ライン形成用マスクパターンを用いて、
また表示領域ｂは表示領域ｂのドレイン信号ライン形成
用マスクパターンを用いて、各パターン毎に１回の計２
回の露光によってドレイン信号ラインＤが形成されてい
る。
【００３７】このとき、分割境界線Ｃ４はドレイン信号
ラインＤに重畳して配置されているので、分割境界線Ｃ
４付近でドレイン信号ラインＤは均一な幅の直線形状に
ならない。
ラインＤに重畳して配置されているので、分割境界線Ｃ
４付近でドレイン信号ラインＤは均一な幅の直線形状に
ならない。
【００３８】しかしながら、ドレイン信号ラインＤは遮
光性の金属から成っているので、その上に細くなったド
レイン信号ラインＤが形成されたとしても、表示不良と
しては観察されない。
光性の金属から成っているので、その上に細くなったド
レイン信号ラインＤが形成されたとしても、表示不良と
しては観察されない。
【００３９】なお、図１に示すようなドレイン信号ライ
ンＤを表示電極１９と重畳させた構造でない場合には、
ドレイン信号ラインＤは表示にとして観察されない領域
に形成されることになるので表示不良として観察される
ことはない。
ンＤを表示電極１９と重畳させた構造でない場合には、
ドレイン信号ラインＤは表示にとして観察されない領域
に形成されることになるので表示不良として観察される
ことはない。
【００４０】以上のように、ドレイン信号ラインＤ上に
分割境界線Ｃ４を配置することにより、境界線付近に発
生する表示不良を遮光膜にて覆うことで、観察者によっ
て観察されることはないため、大面積の表示領域を有す
る液晶表示装置であっても良好な表示を得ることができ
る。
分割境界線Ｃ４を配置することにより、境界線付近に発
生する表示不良を遮光膜にて覆うことで、観察者によっ
て観察されることはないため、大面積の表示領域を有す
る液晶表示装置であっても良好な表示を得ることができ
る。
【００４１】なお、上述の第３の実施の形態において、
分割境界線Ｃ３はドレイン信号ラインＤ上に設けられた
場合を示したが、本発明はそれに限定されるものではな
く、隣接するドレイン信号ラインＤ間のスペースに分割
境界線Ｃが直線状に配置された場合においても本発明と
同様の効果が得られる。
分割境界線Ｃ３はドレイン信号ラインＤ上に設けられた
場合を示したが、本発明はそれに限定されるものではな
く、隣接するドレイン信号ラインＤ間のスペースに分割
境界線Ｃが直線状に配置された場合においても本発明と
同様の効果が得られる。
【００４２】なお、本発明において、表示領域を構成す
る各部位とは、ゲート電極、このゲート電極を一部に備
えたゲート信号ラインＧ、ドレイン電極、このドレイン
電極を一部に備えたドレイン信号ラインＤ、表示電極、
半導体層、これらを接続するためのコンタクトホール、
及び半導体層に不純物を注入するためのマスクであるス
トッパ絶縁膜等の表示領域に形成されたものを意味する
ものとする。
る各部位とは、ゲート電極、このゲート電極を一部に備
えたゲート信号ラインＧ、ドレイン電極、このドレイン
電極を一部に備えたドレイン信号ラインＤ、表示電極、
半導体層、これらを接続するためのコンタクトホール、
及び半導体層に不純物を注入するためのマスクであるス
トッパ絶縁膜等の表示領域に形成されたものを意味する
ものとする。
【００４３】また、上述の各実施の形態においては、ゲ
ートが能動層の下方に設けられたいわゆるボトムゲート
構造を備えたＴＦＴの場合について説明したが、本発明
はそれに限定されるものではなく、ゲートが能動層の上
方に設けられたいわゆるトップゲート構造を備えたＴＦ
Ｔにも適用は可能であり、同様の効果が得られる。
ートが能動層の下方に設けられたいわゆるボトムゲート
構造を備えたＴＦＴの場合について説明したが、本発明
はそれに限定されるものではなく、ゲートが能動層の上
方に設けられたいわゆるトップゲート構造を備えたＴＦ
Ｔにも適用は可能であり、同様の効果が得られる。
【００４４】更に、上述の各実施の形態においては、表
示領域をａとｂの２つの領域に分割した場合を説明した
が、本発明はそれに限定されるものではなく、３つ以上
の領域に分割した場合にも適用は可能であり、同様の効
果が得られる。
示領域をａとｂの２つの領域に分割した場合を説明した
が、本発明はそれに限定されるものではなく、３つ以上
の領域に分割した場合にも適用は可能であり、同様の効
果が得られる。
【００４５】
【発明の効果】本発明によれば、表示領域を複数に分割
する分割境界線近傍に発生する表示不良を抑制できるの
で良好な表示を得ることができる。
する分割境界線近傍に発生する表示不良を抑制できるの
で良好な表示を得ることができる。
【図１】本発明の液晶表示装置の第１の実施の形態を示
す平面図である。
す平面図である。
【図２】本発明の図１中のＡ−Ａ線に沿った液晶表示装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図３】本発明の液晶表示装置の第２の実施の形態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】本発明の液晶表示装置の第３の実施の形態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図５】従来の液晶表示装置の平面図である。
【図６】従来の液晶表示装置の一部平面図である。
１０ ＴＦＴ基板 １３ 多結晶シリコン膜 ２２ 層間絶縁膜 ２６ 平坦化絶縁膜 １９ 表示電極 ３０ 対向電極基板 ２１ 液晶 Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４ 分割境界線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H089 NA60 QA12 QA16 RA05 TA09 2H092 JA26 JA29 JA38 JA42 JA44 JA47 JB13 JB23 JB32 JB33 JB38 JB51 JB56 JB63 JB69 KA04 KA07 KA16 KA18 KB25 MA05 MA08 MA14 MA15 MA16 MA18 MA19 MA20 MA35 MA41 NA13 NA24 NA25 PA06 QA07
Claims (4)
- 【請求項１】 薄膜トランジスタを備えた表示領域を複
数に分割して形成する液晶表示装置において、 前記表示領域を構成する一の部位を形成する際の前記各
分割表示領域間の分割境界線は、前記一の部位と重畳し
ない領域にのみ配置していることを特徴とする液晶表示
装置。 - 【請求項２】 薄膜トランジスタを備えた表示領域を複
数に分割して形成する液晶表示装置において、 前記表示領域を構成する一の部位を形成する際の前記各
分割表示領域間の分割境界線は、異なる層に形成される
他の部位であって遮光性を有する部位と重畳する領域に
配置していることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記遮光性を有する部位は、ドレイン信
号ラインまたはゲート信号ラインであることを特徴とす
る請求項３に記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 薄膜トランジスタを備えた表示領域を複
数に分割して形成する液晶表示装置において、 前記表示領域を構成する一の部位を形成する際の前記各
分割表示領域間の分割境界線は、前記一の部位と重畳す
る領域にのみ配置していることを特徴とする液晶表示装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10369697A JP2000194006A (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10369697A JP2000194006A (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000194006A true JP2000194006A (ja) | 2000-07-14 |
Family
ID=18495097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10369697A Pending JP2000194006A (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000194006A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004311931A (ja) * | 2002-11-20 | 2004-11-04 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法 |
| KR100679516B1 (ko) * | 2000-08-02 | 2007-02-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
-
1998
- 1998-12-25 JP JP10369697A patent/JP2000194006A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100679516B1 (ko) * | 2000-08-02 | 2007-02-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| JP2004311931A (ja) * | 2002-11-20 | 2004-11-04 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法 |
| KR100905470B1 (ko) * | 2002-11-20 | 2009-07-02 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 |
| US7884365B2 (en) | 2002-11-20 | 2011-02-08 | Samsung Electronic S Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof |
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|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
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