JP2000193975A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好な表示特性を有する液晶表示装置及びそ
の製造方法を提供する。 【解決手段】 画素電極２６が形成された第１の基板１
０と、第１の画素電極に対向する対向電極４８が形成さ
れた第２の基板４０と、第１の基板と第２の基板との間
に封入された液晶とを有する液晶表示装置において、画
素電極の端部近傍領域における画素電極と対向電極との
離間距離は、画素電極の端部近傍領域を除く領域におけ
る画素電極と対向電極との離間距離より長い。
の製造方法を提供する。 【解決手段】 画素電極２６が形成された第１の基板１
０と、第１の画素電極に対向する対向電極４８が形成さ
れた第２の基板４０と、第１の基板と第２の基板との間
に封入された液晶とを有する液晶表示装置において、画
素電極の端部近傍領域における画素電極と対向電極との
離間距離は、画素電極の端部近傍領域を除く領域におけ
る画素電極と対向電極との離間距離より長い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置及び
その製造方法に係り、特に、電圧印加時における液晶分
子の傾斜方向を制御する垂直配向型の液晶表示装置及び
その製造方法に関する。
その製造方法に係り、特に、電圧印加時における液晶分
子の傾斜方向を制御する垂直配向型の液晶表示装置及び
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、アクティブマトリクスを用い
た液晶表示装置（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）と
しては、正の誘電率異方性をもつ液晶材料を基板面に水
平に、且つ、対向する基板間で９０°ツイストするよう
に配向させた、ＴＮ（TwistedNematic）モードの液晶表
示装置が広く用いられている。しかしながら、ＴＮモー
ドの液晶表示装置は視覚特性が悪いという大きな問題を
有しており、視覚特性を改善すべく種々の検討が行われ
ている。
た液晶表示装置（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）と
しては、正の誘電率異方性をもつ液晶材料を基板面に水
平に、且つ、対向する基板間で９０°ツイストするよう
に配向させた、ＴＮ（TwistedNematic）モードの液晶表
示装置が広く用いられている。しかしながら、ＴＮモー
ドの液晶表示装置は視覚特性が悪いという大きな問題を
有しており、視覚特性を改善すべく種々の検討が行われ
ている。
【０００３】近時では、ＴＮモードに替わる方式とし
て、負の誘電率異方性をもつ液晶材料を垂直配向させ、
且つ、基板表面に設けた突起により電圧印加時の液晶分
子傾斜方向を規制するＭＶＡ（Multi-domain Vertical
Alignment）方式の液晶表示装置が提案されている。Ｍ
ＶＡ方式の液晶表示装置は、図２５に示すように、負の
誘電率異方性をもつ液晶材料を垂直配向させるＶＡ（Ve
rtically Aligned）モードの液晶表示装置において、基
板１１０上に突起１２８、１５０を設け、電圧印加時の
液晶分子１６４が斜めに配向される方向が、一画素内に
おいて複数の方向になるように規制し、視覚特性の改善
を図るものである。
て、負の誘電率異方性をもつ液晶材料を垂直配向させ、
且つ、基板表面に設けた突起により電圧印加時の液晶分
子傾斜方向を規制するＭＶＡ（Multi-domain Vertical
Alignment）方式の液晶表示装置が提案されている。Ｍ
ＶＡ方式の液晶表示装置は、図２５に示すように、負の
誘電率異方性をもつ液晶材料を垂直配向させるＶＡ（Ve
rtically Aligned）モードの液晶表示装置において、基
板１１０上に突起１２８、１５０を設け、電圧印加時の
液晶分子１６４が斜めに配向される方向が、一画素内に
おいて複数の方向になるように規制し、視覚特性の改善
を図るものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のＭＶＡ方式の液晶表示装置では、画素電極１２６の
端部近傍領域から画素電極１２６の外側の領域の対向電
極１４８に向かって電界が延び、電気力線１６６が図２
６のようになっていた。このため、異常ドメインが発生
し、図２６の斜線部に示すようにディスクリネーション
が発生し、輝度の低下を招いていた。
来のＭＶＡ方式の液晶表示装置では、画素電極１２６の
端部近傍領域から画素電極１２６の外側の領域の対向電
極１４８に向かって電界が延び、電気力線１６６が図２
６のようになっていた。このため、異常ドメインが発生
し、図２６の斜線部に示すようにディスクリネーション
が発生し、輝度の低下を招いていた。
【０００５】図２５に示す従来のＭＶＡ方式の液晶表示
装置の透過率特性のシミュレーション結果を図２７を用
いて説明する。図２７は、従来のＭＶＡ方式の液晶表示
装置の透過率特性のシミュレーション結果を示すグラフ
である。図２７に示すように、突起１２８と画素電極１
２６の端部との間でディスクリネーションが発生してお
り、透過率が低下している。従って、従来のＭＶＡ方式
の液晶表示装置では、輝度の高い液晶表示装置を提供す
ることが困難であった。
装置の透過率特性のシミュレーション結果を図２７を用
いて説明する。図２７は、従来のＭＶＡ方式の液晶表示
装置の透過率特性のシミュレーション結果を示すグラフ
である。図２７に示すように、突起１２８と画素電極１
２６の端部との間でディスクリネーションが発生してお
り、透過率が低下している。従って、従来のＭＶＡ方式
の液晶表示装置では、輝度の高い液晶表示装置を提供す
ることが困難であった。
【０００６】かかる問題を改善するため、図２８に示す
ように画素電極１２６の端部近傍領域の対向電極１４８
側に突起１８８を設けることにより異常ドメインを減少
させる方式が提案されている。このような突起１８８を
設けると、図２９に示すように表示領域のディスクリネ
ーションは消失することになるが、対向電極１４８上に
突起１８８を設けるため、この突起１８８の面積の分だ
け輝度の低下を招くこととなる。
ように画素電極１２６の端部近傍領域の対向電極１４８
側に突起１８８を設けることにより異常ドメインを減少
させる方式が提案されている。このような突起１８８を
設けると、図２９に示すように表示領域のディスクリネ
ーションは消失することになるが、対向電極１４８上に
突起１８８を設けるため、この突起１８８の面積の分だ
け輝度の低下を招くこととなる。
【０００７】突起１８８を画素電極のできるだけ外側に
形成することにより輝度を向上することも考えられる
が、オフセット、即ち画素電極１２６と突起１８８とが
オーバーラップする長さが６μｍでは図２９のようにデ
ィスクリネーションの発生を防止しうるが、図３０に示
すようにオフセットが５μｍではディスクリネーション
の発生を防止することができない。また、図３１のよう
にオフセットを例えば１０μｍとした場合には、実質的
に従来の突起を１つ増やしたのと同じことになってしま
うため、輝度は更に低下してしまう。
形成することにより輝度を向上することも考えられる
が、オフセット、即ち画素電極１２６と突起１８８とが
オーバーラップする長さが６μｍでは図２９のようにデ
ィスクリネーションの発生を防止しうるが、図３０に示
すようにオフセットが５μｍではディスクリネーション
の発生を防止することができない。また、図３１のよう
にオフセットを例えば１０μｍとした場合には、実質的
に従来の突起を１つ増やしたのと同じことになってしま
うため、輝度は更に低下してしまう。
【０００８】なお、ＭＶＡ方式ではない従来の液晶表示
装置でも、画素電極１２６とドレインバスライン１２２
との間の横方向の電界により、図３２の斜線に示すよう
な領域に異常ドメインが発生し、ＭＶＡ方式の液晶表示
装置と同様の問題が生じていた。本発明の目的は、良好
な表示特性を有する液晶表示装置及びその製造方法を提
供することにある。
装置でも、画素電極１２６とドレインバスライン１２２
との間の横方向の電界により、図３２の斜線に示すよう
な領域に異常ドメインが発生し、ＭＶＡ方式の液晶表示
装置と同様の問題が生じていた。本発明の目的は、良好
な表示特性を有する液晶表示装置及びその製造方法を提
供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的は、画素電極が
形成された第１の基板と、前記画素電極に対向する対向
電極が形成された第２の基板と、前記第１の基板と前記
第２の基板との間に封入された液晶とを有する液晶表示
装置において、前記画素電極の端部近傍領域における前
記画素電極と前記対向電極との離間距離は、前記画素電
極の前記端部近傍領域を除く領域における前記画素電極
と前記対向電極との離間距離より長いことを特徴とする
液晶表示装置により達成される。これにより、画素電極
の端部近傍領域から横方向に電界が延在するのを防止す
ることができ、これにより異常ドメインが生じるのを防
止することができるので、ディスクリネーションの発生
を抑制することができる。従って、輝度の高い液晶表示
装置を提供することができる。
形成された第１の基板と、前記画素電極に対向する対向
電極が形成された第２の基板と、前記第１の基板と前記
第２の基板との間に封入された液晶とを有する液晶表示
装置において、前記画素電極の端部近傍領域における前
記画素電極と前記対向電極との離間距離は、前記画素電
極の前記端部近傍領域を除く領域における前記画素電極
と前記対向電極との離間距離より長いことを特徴とする
液晶表示装置により達成される。これにより、画素電極
の端部近傍領域から横方向に電界が延在するのを防止す
ることができ、これにより異常ドメインが生じるのを防
止することができるので、ディスクリネーションの発生
を抑制することができる。従って、輝度の高い液晶表示
装置を提供することができる。
【００１０】また、上記の液晶表示装置において、前記
画素電極の前記端部近傍領域における前記画素電極と前
記対向電極との離間距離は、前記画素電極と前記対向電
極とが対向していない領域に向かって徐々に長くなって
いることが望ましい。また、上記目的は、画素電極が形
成された第１の基板と、前記画素電極に対向する対向電
極が形成された第２の基板と、前記第１の基板と前記第
２の基板との間に封入された液晶とを有する液晶表示装
置において、前記対向電極は、前記画素電極の端部近傍
領域に対応する領域に第１のスリットを有することを特
徴とする液晶表示装置により達成される。これにより、
画素電極の端部近傍領域から横方向に電界が延在するの
を防止することができ、これにより異常ドメインが生じ
るのを防止することができるので、ディスクリネーショ
ンの発生を抑制することができる。従って、輝度の高い
液晶表示装置を提供することができる。
画素電極の前記端部近傍領域における前記画素電極と前
記対向電極との離間距離は、前記画素電極と前記対向電
極とが対向していない領域に向かって徐々に長くなって
いることが望ましい。また、上記目的は、画素電極が形
成された第１の基板と、前記画素電極に対向する対向電
極が形成された第２の基板と、前記第１の基板と前記第
２の基板との間に封入された液晶とを有する液晶表示装
置において、前記対向電極は、前記画素電極の端部近傍
領域に対応する領域に第１のスリットを有することを特
徴とする液晶表示装置により達成される。これにより、
画素電極の端部近傍領域から横方向に電界が延在するの
を防止することができ、これにより異常ドメインが生じ
るのを防止することができるので、ディスクリネーショ
ンの発生を抑制することができる。従って、輝度の高い
液晶表示装置を提供することができる。
【００１１】また、上記目的は、画素電極が形成された
第１の基板と、前記画素電極に対向する対向電極が形成
された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板
との間に封入された液晶とを有する液晶表示装置におい
て、前記画素電極の端部近傍領域における前記画素電極
と前記対向電極との離間距離は、前記画素電極の前記端
部近傍領域を除く領域における前記画素電極と前記対向
電極との離間距離より短いことを特徴とする液晶表示装
置により達成される。これにより、画素電極の端部近傍
領域から横方向に電界が延在するのを防止することがで
き、これにより異常ドメインが生じるのを防止すること
ができるので、ディスクリネーションの発生を抑制する
ことができる。従って、輝度の高い液晶表示装置を提供
することができる。
第１の基板と、前記画素電極に対向する対向電極が形成
された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板
との間に封入された液晶とを有する液晶表示装置におい
て、前記画素電極の端部近傍領域における前記画素電極
と前記対向電極との離間距離は、前記画素電極の前記端
部近傍領域を除く領域における前記画素電極と前記対向
電極との離間距離より短いことを特徴とする液晶表示装
置により達成される。これにより、画素電極の端部近傍
領域から横方向に電界が延在するのを防止することがで
き、これにより異常ドメインが生じるのを防止すること
ができるので、ディスクリネーションの発生を抑制する
ことができる。従って、輝度の高い液晶表示装置を提供
することができる。
【００１２】また、上記の液晶表示装置において、前記
画素電極は、前記第１の基板上に形成された補助容量電
極上に延在するように形成され、前記補助容量電極によ
り前記画素電極の前記端部近傍領域と前記対向電極との
離間距離が短くなっていることが望ましい。また、上記
の液晶表示装置において、前記液晶は、負の誘電率異方
性を有する液晶であり、液晶分子の配向方向を制御する
配向制御手段を更に有することが望ましい。
画素電極は、前記第１の基板上に形成された補助容量電
極上に延在するように形成され、前記補助容量電極によ
り前記画素電極の前記端部近傍領域と前記対向電極との
離間距離が短くなっていることが望ましい。また、上記
の液晶表示装置において、前記液晶は、負の誘電率異方
性を有する液晶であり、液晶分子の配向方向を制御する
配向制御手段を更に有することが望ましい。
【００１３】また、上記の液晶表示装置において、前記
配向制御手段は、前記画素電極及び／若しくは前記対向
電極上に形成された突起、又は前記画素電極及び／若し
くは前記対向電極に形成された第２のスリットであるこ
とが望ましい。また、上記の液晶表示装置において、前
記配向制御手段は、延在方向が連続的に変化しているこ
とが望ましい。
配向制御手段は、前記画素電極及び／若しくは前記対向
電極上に形成された突起、又は前記画素電極及び／若し
くは前記対向電極に形成された第２のスリットであるこ
とが望ましい。また、上記の液晶表示装置において、前
記配向制御手段は、延在方向が連続的に変化しているこ
とが望ましい。
【００１４】また、上記の液晶表示装置において、前記
画素電極に隣接するバスラインを更に有し、前記配向制
御手段は、前記バスラインの近傍の前記画素電極上の所
定の領域において液晶分子の配向方向が前記バスライン
に対してほぼ垂直になるように形成されていることが望
ましい。また、上記目的は、画素電極と、前記画素電極
上に形成された第１の配向膜とを有する第１の基板と；
前記画素電極に対向する対向電極と、前記対向電極上に
形成された第２の配向膜とを有する第２の基板と；前記
第１の基板と前記第２の基板との間に封入された負の誘
電率異方性を有する液晶とを有する液晶表示装置におい
て、前記画素電極上の第１の領域の前記第１又は前記第
２の配向膜により配向される液晶分子のプレチルト角
は、前記第１の領域とは異なる前記画素電極上の第２の
領域の前記第１又は前記第２の配向膜により配向される
液晶分子のプレチルト角より小さいことを特徴とする液
晶表示装置により達成される。これにより、所定の領域
において液晶分子のプレチルト角を小さくするので、異
常ドメインが生じるのを防止することができ、ディスク
リネーションの発生を抑制することができる。また、表
示特性の良好な液晶表示装置を提供することができる。
画素電極に隣接するバスラインを更に有し、前記配向制
御手段は、前記バスラインの近傍の前記画素電極上の所
定の領域において液晶分子の配向方向が前記バスライン
に対してほぼ垂直になるように形成されていることが望
ましい。また、上記目的は、画素電極と、前記画素電極
上に形成された第１の配向膜とを有する第１の基板と；
前記画素電極に対向する対向電極と、前記対向電極上に
形成された第２の配向膜とを有する第２の基板と；前記
第１の基板と前記第２の基板との間に封入された負の誘
電率異方性を有する液晶とを有する液晶表示装置におい
て、前記画素電極上の第１の領域の前記第１又は前記第
２の配向膜により配向される液晶分子のプレチルト角
は、前記第１の領域とは異なる前記画素電極上の第２の
領域の前記第１又は前記第２の配向膜により配向される
液晶分子のプレチルト角より小さいことを特徴とする液
晶表示装置により達成される。これにより、所定の領域
において液晶分子のプレチルト角を小さくするので、異
常ドメインが生じるのを防止することができ、ディスク
リネーションの発生を抑制することができる。また、表
示特性の良好な液晶表示装置を提供することができる。
【００１５】また、上記の液晶表示装置において、前記
画素電極に隣接するバスラインを更に有し、前記第１の
領域は前記バスラインに近接する領域であることが望ま
しい。また、上記の液晶表示装置において、前記第２の
領域の前記第１又は前記第２の配向膜上に形成された第
３の配向膜を更に有し、前記第３の配向膜により配向さ
れる液晶分子のプレチルト角は、前記第１又は第２の配
向膜により配向される液晶分子のプレチルト角より大き
いことが望ましい。
画素電極に隣接するバスラインを更に有し、前記第１の
領域は前記バスラインに近接する領域であることが望ま
しい。また、上記の液晶表示装置において、前記第２の
領域の前記第１又は前記第２の配向膜上に形成された第
３の配向膜を更に有し、前記第３の配向膜により配向さ
れる液晶分子のプレチルト角は、前記第１又は第２の配
向膜により配向される液晶分子のプレチルト角より大き
いことが望ましい。
【００１６】また、上記目的は、基板上に電極を形成す
る工程と、前記電極上に配向膜を形成する工程と、前記
配向膜の第１の領域に第１の照射量で紫外線を照射し、
前記第１の領域と異なる前記画素電極上の第２の領域の
前記配向膜に第１の照射量より大きい第２の照射量で紫
外線を照射し、前記第１の領域の前記配向膜により配向
される液晶分子のプレチルト角が前記第２の領域の前記
配向膜により配向される液晶分子のプレチルト角より小
さくなるようにする工程とを有することを特徴とする液
晶表示装置の製造方法により達成される。これにより、
第１の領域において液晶分子のプレチルト角を小さくす
るので、異常ドメインが生じるのを防止することがで
き、ディスクリネーションの発生を抑制することができ
る。また、表示特性の良好な液晶表示装置を提供するこ
とができる。
る工程と、前記電極上に配向膜を形成する工程と、前記
配向膜の第１の領域に第１の照射量で紫外線を照射し、
前記第１の領域と異なる前記画素電極上の第２の領域の
前記配向膜に第１の照射量より大きい第２の照射量で紫
外線を照射し、前記第１の領域の前記配向膜により配向
される液晶分子のプレチルト角が前記第２の領域の前記
配向膜により配向される液晶分子のプレチルト角より小
さくなるようにする工程とを有することを特徴とする液
晶表示装置の製造方法により達成される。これにより、
第１の領域において液晶分子のプレチルト角を小さくす
るので、異常ドメインが生じるのを防止することがで
き、ディスクリネーションの発生を抑制することができ
る。また、表示特性の良好な液晶表示装置を提供するこ
とができる。
【００１７】また、上記の液晶表示装置の製造方法にお
いて、前記紫外線を照射する工程では、紫外線に対する
透過率の低いパターンが前記第１の領域に対応して形成
されたマスクを用いて、紫外線を照射することが望まし
い。
いて、前記紫外線を照射する工程では、紫外線に対する
透過率の低いパターンが前記第１の領域に対応して形成
されたマスクを用いて、紫外線を照射することが望まし
い。
【００１８】
【発明の実施の形態】［第１実施形態］はじめに、ＭＶ
Ａ型の液晶表示装置の構造について図１及び図２を用い
て説明する。図１は、ＭＶＡ型の液晶表示装置を示す平
面図である。図２は、図１のＡ−Ａ′線断面図である。
Ａ型の液晶表示装置の構造について図１及び図２を用い
て説明する。図１は、ＭＶＡ型の液晶表示装置を示す平
面図である。図２は、図１のＡ−Ａ′線断面図である。
【００１９】図１及び図２に示すように、ガラス基板１
０上には、補助容量を形成するためのＣＳ電極（補助容
量電極）１２と、ＴＦＴのゲート電極を含むゲートバス
ライン１４が形成されている。ＣＳ電極１２及びゲート
バスライン１４が形成されたガラス基板１０上には、ゲ
ート絶縁膜１６が形成されている。ゲート絶縁膜１６上
には、ＴＦＴのチャネル領域を構成する活性層１８が形
成されている。活性層１８が形成されたゲート絶縁膜１
６上には、活性層１８の一方の側に接続されたソース電
極２０と、活性層１８の他方の側に接続されたドレイン
電極を含むドレインバスライン２２とが形成されてい
る。
０上には、補助容量を形成するためのＣＳ電極（補助容
量電極）１２と、ＴＦＴのゲート電極を含むゲートバス
ライン１４が形成されている。ＣＳ電極１２及びゲート
バスライン１４が形成されたガラス基板１０上には、ゲ
ート絶縁膜１６が形成されている。ゲート絶縁膜１６上
には、ＴＦＴのチャネル領域を構成する活性層１８が形
成されている。活性層１８が形成されたゲート絶縁膜１
６上には、活性層１８の一方の側に接続されたソース電
極２０と、活性層１８の他方の側に接続されたドレイン
電極を含むドレインバスライン２２とが形成されてい
る。
【００２０】ソース電極２０及びドレインバスライン２
２が形成されたゲート絶縁膜１６上には、絶縁膜２４が
形成されている。絶縁膜２４上には、ソース電極２０に
接続された画素電極２６が形成されている。絶縁膜２４
及び画素電極２６上には、ジグザグ状に屈曲して設けら
れた光透過性の材料よりなる突起２８が形成されてい
る。突起２８の材料としては、例えばＪＳＲ株式会社製
のＰＣ−３３５等の感光性アクリル系材料を用いること
ができる。画素電極２６、突起２８が形成された絶縁膜
２４上には、液晶分子を垂直方向に配向する配向膜３０
が形成されている。配向膜３０の材料としては、例えば
ＪＳＲ株式会社製のＪＡＬＳ−２０４等を用いることが
できる。
２が形成されたゲート絶縁膜１６上には、絶縁膜２４が
形成されている。絶縁膜２４上には、ソース電極２０に
接続された画素電極２６が形成されている。絶縁膜２４
及び画素電極２６上には、ジグザグ状に屈曲して設けら
れた光透過性の材料よりなる突起２８が形成されてい
る。突起２８の材料としては、例えばＪＳＲ株式会社製
のＰＣ−３３５等の感光性アクリル系材料を用いること
ができる。画素電極２６、突起２８が形成された絶縁膜
２４上には、液晶分子を垂直方向に配向する配向膜３０
が形成されている。配向膜３０の材料としては、例えば
ＪＳＲ株式会社製のＪＡＬＳ−２０４等を用いることが
できる。
【００２１】一方、ガラス基板４０上には、ブラックマ
トリクス層４２が形成されている。ブラックマトリクス
層４２が形成されたガラス基板４０上には、カラーフィ
ルタを形成する着色（ＣＦ）樹脂層４６が形成されてい
る。着色樹脂層４６上には、対向電極４８が形成されて
いる。対向電極４８上には、ガラス基板１０上に形成さ
れた突起２８に対して半ピッチずらしてジグザグ状に屈
曲して設けられた光透過性の材料よりなる突起５０が形
成されている。突起５０が形成された対向電極４８上に
は、液晶分子を垂直方向に配向する配向膜３０が形成さ
れている。
トリクス層４２が形成されている。ブラックマトリクス
層４２が形成されたガラス基板４０上には、カラーフィ
ルタを形成する着色（ＣＦ）樹脂層４６が形成されてい
る。着色樹脂層４６上には、対向電極４８が形成されて
いる。対向電極４８上には、ガラス基板１０上に形成さ
れた突起２８に対して半ピッチずらしてジグザグ状に屈
曲して設けられた光透過性の材料よりなる突起５０が形
成されている。突起５０が形成された対向電極４８上に
は、液晶分子を垂直方向に配向する配向膜３０が形成さ
れている。
【００２２】このように構成されたガラス基板（ＴＦＴ
基板）１０及びガラス基板（ＣＦ基板）４０は、配向膜
３０、５２が互いに向かい合うように対向して配置さ
れ、これら基板の間には誘電率異方性が負であるネガ型
の液晶材料６０が封止される。液晶材料６０としては、
例えばメルク株式会社製のＭＪ９５７８５を用いること
ができる。なお、ガラス基板１０、４０間には、基板１
０、４０を所定の距離で離間するためのスペーサ（図示
せず）が挟み込まれる。スペーサとしては、例えば積水
ファインケミカル株式会社製のミクロパール等を用いる
ことができる。スペーサの直径は、例えば３．５μｍと
することができる。こうして、ＭＶＡ型の液晶表示装置
が構成されている。
基板）１０及びガラス基板（ＣＦ基板）４０は、配向膜
３０、５２が互いに向かい合うように対向して配置さ
れ、これら基板の間には誘電率異方性が負であるネガ型
の液晶材料６０が封止される。液晶材料６０としては、
例えばメルク株式会社製のＭＪ９５７８５を用いること
ができる。なお、ガラス基板１０、４０間には、基板１
０、４０を所定の距離で離間するためのスペーサ（図示
せず）が挟み込まれる。スペーサとしては、例えば積水
ファインケミカル株式会社製のミクロパール等を用いる
ことができる。スペーサの直径は、例えば３．５μｍと
することができる。こうして、ＭＶＡ型の液晶表示装置
が構成されている。
【００２３】次に、本発明の第１実施形態による液晶表
示装置を図３及び図４を用いて説明する。図３は、本実
施形態による液晶表示装置の概略を示す断面図である。
図４は、本実施形態による液晶表示装置の透過率特性の
シミュレーション結果を示すグラフである。本実施形態
による液晶表示装置は、図１及び図２に示すＭＶＡ型の
液晶表示装置のガラス基板４０に凹部６２が形成されて
いることに主な特徴がある。
示装置を図３及び図４を用いて説明する。図３は、本実
施形態による液晶表示装置の概略を示す断面図である。
図４は、本実施形態による液晶表示装置の透過率特性の
シミュレーション結果を示すグラフである。本実施形態
による液晶表示装置は、図１及び図２に示すＭＶＡ型の
液晶表示装置のガラス基板４０に凹部６２が形成されて
いることに主な特徴がある。
【００２４】凹部６２は、画素電極２６の端部近傍領域
でオーバーラップするように、ガラス基板４０側に形成
されている。換言すれば、画素電極２６の端部近傍領域
から外側の領域において、ガラス基板４０に凹部６２が
形成されている。オフセット、即ち画素電極２６の端部
とガラス基板４０に形成された凹部６２とがオーバーラ
ップする長さは、例えば５μｍとすることができる。な
お、オフセットの長さは、所望の表示特性が得られるよ
う、適宜設定することができる。
でオーバーラップするように、ガラス基板４０側に形成
されている。換言すれば、画素電極２６の端部近傍領域
から外側の領域において、ガラス基板４０に凹部６２が
形成されている。オフセット、即ち画素電極２６の端部
とガラス基板４０に形成された凹部６２とがオーバーラ
ップする長さは、例えば５μｍとすることができる。な
お、オフセットの長さは、所望の表示特性が得られるよ
う、適宜設定することができる。
【００２５】本実施形態によれば、画素電極２６の端部
近傍領域から外側の領域においてガラス基板４０に凹部
６２が形成されているので、電気力線６６が図３に示す
ようになり、画素電極２６の端部近傍領域から外側の領
域に向かって電界が横方向に延びるのを抑制することが
できる。画素電極２６の端部近傍領域から外側の領域に
向かって横方向に電界が延びるのを抑制することができ
るので、異常ドメインの発生を防止することができ、液
晶分子６４の配向方向が乱れるのを抑制することができ
る。従って、本実施形態によれば、ディスクリネーショ
ンの発生を抑制することができ、輝度の低下を抑制する
ことができる。
近傍領域から外側の領域においてガラス基板４０に凹部
６２が形成されているので、電気力線６６が図３に示す
ようになり、画素電極２６の端部近傍領域から外側の領
域に向かって電界が横方向に延びるのを抑制することが
できる。画素電極２６の端部近傍領域から外側の領域に
向かって横方向に電界が延びるのを抑制することができ
るので、異常ドメインの発生を防止することができ、液
晶分子６４の配向方向が乱れるのを抑制することができ
る。従って、本実施形態によれば、ディスクリネーショ
ンの発生を抑制することができ、輝度の低下を抑制する
ことができる。
【００２６】次に、本実施形態による液晶表示装置の表
示特性について、図４を用いて説明する。図４は、本実
施形態による液晶表示装置の透過率特性のシミュレーシ
ョン結果を示すグラフである。図４において、横軸は基
準となる点からの基板水平方向の距離を示しており、縦
軸は基準となる点からの基板垂直方向の距離を示してい
る。Ｔmax［２６］＝０．８９８とは、基準となる測定
点から基板水平方向に２６μｍ離間した位置に透過率の
最大値があり、透過率の最大値は０．８９８であること
を示している。Ｔmin［５０］＝０．０００とは、基準
となる測定点から基板水平方向に５０μｍ離間した位置
に透過率の最小値があり、透過率の最小値が０．０００
であることを示している。他のグラフにおいても、これ
らは同様の意味で記載されているので、他のグラフにお
いては説明を省略する。
示特性について、図４を用いて説明する。図４は、本実
施形態による液晶表示装置の透過率特性のシミュレーシ
ョン結果を示すグラフである。図４において、横軸は基
準となる点からの基板水平方向の距離を示しており、縦
軸は基準となる点からの基板垂直方向の距離を示してい
る。Ｔmax［２６］＝０．８９８とは、基準となる測定
点から基板水平方向に２６μｍ離間した位置に透過率の
最大値があり、透過率の最大値は０．８９８であること
を示している。Ｔmin［５０］＝０．０００とは、基準
となる測定点から基板水平方向に５０μｍ離間した位置
に透過率の最小値があり、透過率の最小値が０．０００
であることを示している。他のグラフにおいても、これ
らは同様の意味で記載されているので、他のグラフにお
いては説明を省略する。
【００２７】図４に示すように、本実施形態では画素電
極２６と対向電極４０とが対向している領域のうち突起
２８が形成されている領域を除く領域において透過率特
性がほぼ均一となっており、ディスクリネーションは発
生していない。従って、本実施形態によれば、ディスク
リネーションの発生を抑制することができ、高い輝度を
有する液晶表示装置を提供することができる。
極２６と対向電極４０とが対向している領域のうち突起
２８が形成されている領域を除く領域において透過率特
性がほぼ均一となっており、ディスクリネーションは発
生していない。従って、本実施形態によれば、ディスク
リネーションの発生を抑制することができ、高い輝度を
有する液晶表示装置を提供することができる。
【００２８】（第１の変形例）次に、本実施形態による
液晶表示装置の第１の変形例を図５を用いて説明する。
図５は、本変形例による液晶表示装置の概略を示す平面
図である。本変形例による液晶表示装置では、異常ドメ
インが生じやすい領域にのみガラス基板４０に凹部６２
が形成されている。
液晶表示装置の第１の変形例を図５を用いて説明する。
図５は、本変形例による液晶表示装置の概略を示す平面
図である。本変形例による液晶表示装置では、異常ドメ
インが生じやすい領域にのみガラス基板４０に凹部６２
が形成されている。
【００２９】このように本変形例によれば、少なくとも
異常ドメインが生じやすい領域に凹部６２が形成されて
いるので、ディスクリネーションの発生を抑制すること
ができ、良好な表示特性を有する液晶表示装置を提供す
ることができる。 （第２の変形例）次に、本実施形態による液晶表示装置
の第２の変形例を図６を用いて説明する。図６は、本変
形例による液晶表示装置の概略を示す断面図である。
異常ドメインが生じやすい領域に凹部６２が形成されて
いるので、ディスクリネーションの発生を抑制すること
ができ、良好な表示特性を有する液晶表示装置を提供す
ることができる。 （第２の変形例）次に、本実施形態による液晶表示装置
の第２の変形例を図６を用いて説明する。図６は、本変
形例による液晶表示装置の概略を示す断面図である。
【００３０】本変形例による液晶表示装置は、ガラス基
板４０に、端部の断面形状がテーパ状である凹部６２ａ
が形成されていることに特徴がある。即ち、図３に示す
液晶表示装置のガラス基板４０に形成される凹部は、端
部の断面形状が必ずしも直角である必要はない。このよ
うに画素電極２６の端部近傍領域から外側に向かって電
界が延びない程度であれば、凹部６２ａの断面形状をテ
ーパ状にしてもよい。
板４０に、端部の断面形状がテーパ状である凹部６２ａ
が形成されていることに特徴がある。即ち、図３に示す
液晶表示装置のガラス基板４０に形成される凹部は、端
部の断面形状が必ずしも直角である必要はない。このよ
うに画素電極２６の端部近傍領域から外側に向かって電
界が延びない程度であれば、凹部６２ａの断面形状をテ
ーパ状にしてもよい。
【００３１】なお、凹部６２ａは、異常ドメインが発生
しやすい領域にのみ形成してもよい。 ［第２実施形態］本発明の第２実施形態による液晶表示
装置を図７乃至図９を用いて説明する。図７は、本実施
形態による液晶表示装置の概略を示す断面図である。図
８は、本実施形態による液晶表示装置の画素電極を示す
平面図である。図９は、本実施形態による液晶表示装置
の透過率特性のシミュレーション結果を示すグラフであ
る。図１乃至図６に示す第１実施形態による液晶表示装
置と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省
略または簡潔にする。
しやすい領域にのみ形成してもよい。 ［第２実施形態］本発明の第２実施形態による液晶表示
装置を図７乃至図９を用いて説明する。図７は、本実施
形態による液晶表示装置の概略を示す断面図である。図
８は、本実施形態による液晶表示装置の画素電極を示す
平面図である。図９は、本実施形態による液晶表示装置
の透過率特性のシミュレーション結果を示すグラフであ
る。図１乃至図６に示す第１実施形態による液晶表示装
置と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省
略または簡潔にする。
【００３２】本実施形態による液晶表示装置は、第１実
施形態による液晶表示装置で形成されていた突起２８、
５０が形成されていず、その代わりとして第１実施形態
で突起２８、５０が形成されていた領域に対応してスリ
ット６８、７０が形成されていることに特徴がある。図
７及び図８に示すように、本実施形態による液晶表示装
置では、画素電極２６ａと対向電極４８ａにそれぞれス
リット６８、７０が形成されている。スリット６８、７
０は、突起２８、５０と同様に液晶分子６４を所定の方
向に配向させるためのものである。スリット６８、７０
からの電界により、液晶分子が所定の方向に配向され
る。
施形態による液晶表示装置で形成されていた突起２８、
５０が形成されていず、その代わりとして第１実施形態
で突起２８、５０が形成されていた領域に対応してスリ
ット６８、７０が形成されていることに特徴がある。図
７及び図８に示すように、本実施形態による液晶表示装
置では、画素電極２６ａと対向電極４８ａにそれぞれス
リット６８、７０が形成されている。スリット６８、７
０は、突起２８、５０と同様に液晶分子６４を所定の方
向に配向させるためのものである。スリット６８、７０
からの電界により、液晶分子が所定の方向に配向され
る。
【００３３】本実施形態によれば、画素電極２６ａと対
向電極４８ａにそれぞれスリット６８、７０が形成され
ているので、スリット６８、７０から延びる電界により
液晶分子６４が所定の方向に配向される。本実施形態に
よれば、第１実施形態のように突起２８、５０を形成す
る必要がないので、製造プロセスを簡略化することがで
きる。
向電極４８ａにそれぞれスリット６８、７０が形成され
ているので、スリット６８、７０から延びる電界により
液晶分子６４が所定の方向に配向される。本実施形態に
よれば、第１実施形態のように突起２８、５０を形成す
る必要がないので、製造プロセスを簡略化することがで
きる。
【００３４】次に、本実施形態による液晶表示装置の表
示特性について、図９を用いて説明する。図９は、本実
施形態による液晶表示装置の透過率特性のシミュレーシ
ョン結果を示すグラフである。図９に示すように、画素
電極２６ａと対向電極４８ａとが対向している領域のう
ち、スリット６８が形成されている領域を除く領域にお
いて、透過率がほぼ均一となっており、ディスクリネー
ションは発生していない。
示特性について、図９を用いて説明する。図９は、本実
施形態による液晶表示装置の透過率特性のシミュレーシ
ョン結果を示すグラフである。図９に示すように、画素
電極２６ａと対向電極４８ａとが対向している領域のう
ち、スリット６８が形成されている領域を除く領域にお
いて、透過率がほぼ均一となっており、ディスクリネー
ションは発生していない。
【００３５】このように、本実施形態によれば、画素電
極と対向電極にスリットが形成されているので、製造プ
ロセスを簡略化することができる。 ［第３実施形態］本発明の第３実施形態による液晶表示
装置を図１０乃至図１２を用いて説明する。図１０は、
本実施形態による液晶表示装置の概略を示す断面図であ
る。図１１及び図１２は、本実施形態による液晶表示装
置の透過率特性のシミュレーション結果を示すグラフで
ある。図１乃至図９に示す第１実施形態又は第２実施形
態による液晶表示装置と同一の構成要素には、同一の符
号を付して説明を省略または簡潔にする。
極と対向電極にスリットが形成されているので、製造プ
ロセスを簡略化することができる。 ［第３実施形態］本発明の第３実施形態による液晶表示
装置を図１０乃至図１２を用いて説明する。図１０は、
本実施形態による液晶表示装置の概略を示す断面図であ
る。図１１及び図１２は、本実施形態による液晶表示装
置の透過率特性のシミュレーション結果を示すグラフで
ある。図１乃至図９に示す第１実施形態又は第２実施形
態による液晶表示装置と同一の構成要素には、同一の符
号を付して説明を省略または簡潔にする。
【００３６】本実施形態による液晶表示装置は、第１実
施形態でガラス基板４０に形成されていた凹部６２が形
成されていず、その代わりとして画素電極２６の端部近
傍領域において対向電極４８ｂ側にスリット７２が形成
されていることに特徴がある。本実施形態によれば、画
素電極２６の端部近傍領域において、対向電極４８ｂ側
にスリット７２が形成されているので、ガラス基板４０
に凹部６２が形成されている第１実施形態の場合と同様
に、画素電極２６の端部近傍領域から外側に向かって電
界が延びるのを抑制することができる。
施形態でガラス基板４０に形成されていた凹部６２が形
成されていず、その代わりとして画素電極２６の端部近
傍領域において対向電極４８ｂ側にスリット７２が形成
されていることに特徴がある。本実施形態によれば、画
素電極２６の端部近傍領域において、対向電極４８ｂ側
にスリット７２が形成されているので、ガラス基板４０
に凹部６２が形成されている第１実施形態の場合と同様
に、画素電極２６の端部近傍領域から外側に向かって電
界が延びるのを抑制することができる。
【００３７】なお、スリット７２は、異常ドメインが発
生しやすい領域にのみ形成してもよい。次に、本実施形
態による液晶表示装置の表示特性について、図１１を用
いて説明する。図１１は、オフセット、即ちスリット７
２が形成されている領域と画素電極２６が形成されてい
る領域とのオーバーラップする長さを２μｍとした場合
のグラフ、図１２はオフセットを１μｍとした場合のグ
ラフである。
生しやすい領域にのみ形成してもよい。次に、本実施形
態による液晶表示装置の表示特性について、図１１を用
いて説明する。図１１は、オフセット、即ちスリット７
２が形成されている領域と画素電極２６が形成されてい
る領域とのオーバーラップする長さを２μｍとした場合
のグラフ、図１２はオフセットを１μｍとした場合のグ
ラフである。
【００３８】図２８に示す提案されている液晶表示装置
では、オフセットが５μｍの場合にはディスクリネーシ
ョンが発生してしまっており（図３０参照）、オフセッ
トを６μｍにした場合にはディスクリネーションは発生
しなかった（図２９参照）。これに対し、本実施形態に
よる液晶表示装置では、オフセットが１μｍではディス
クリネーションが発生してしまうが、オフセットを２μ
ｍにすればディスクリネーションが発生しない。本実施
形態では対向電極４８ｂにスリット７２が形成されてい
るため、画素電極２６と対向電極４８ｂとの対向する面
積が小さくなるが、２μｍ程度のオフセットが確保され
ていればよい。従って、６μｍ程度のオフセットが必要
であった図２８に示す液晶表示装置と比較して高い輝度
を得ることができる。
では、オフセットが５μｍの場合にはディスクリネーシ
ョンが発生してしまっており（図３０参照）、オフセッ
トを６μｍにした場合にはディスクリネーションは発生
しなかった（図２９参照）。これに対し、本実施形態に
よる液晶表示装置では、オフセットが１μｍではディス
クリネーションが発生してしまうが、オフセットを２μ
ｍにすればディスクリネーションが発生しない。本実施
形態では対向電極４８ｂにスリット７２が形成されてい
るため、画素電極２６と対向電極４８ｂとの対向する面
積が小さくなるが、２μｍ程度のオフセットが確保され
ていればよい。従って、６μｍ程度のオフセットが必要
であった図２８に示す液晶表示装置と比較して高い輝度
を得ることができる。
【００３９】［第４実施形態］本発明の第４実施形態に
よる液晶表示装置を図１３及び図１４を用いて説明す
る。図１３は、本実施形態による液晶表示装置の概略を
示す断面図である。図１４は、本実施形態による液晶表
示装置の透過率特性のシミュレーション結果を示すグラ
フである。図１乃至図１２に示す第１乃至第３実施形態
による液晶表示装置と同一の構成要素には、同一の符号
を付して説明を省略または簡潔にする。
よる液晶表示装置を図１３及び図１４を用いて説明す
る。図１３は、本実施形態による液晶表示装置の概略を
示す断面図である。図１４は、本実施形態による液晶表
示装置の透過率特性のシミュレーション結果を示すグラ
フである。図１乃至図１２に示す第１乃至第３実施形態
による液晶表示装置と同一の構成要素には、同一の符号
を付して説明を省略または簡潔にする。
【００４０】本実施形態による液晶表示装置は、画素電
極２６の端部近傍領域に絶縁膜より成る凸部７４が形成
されており、その凸部７４上に画素電極２６の端部が延
在していることに主な特徴がある。本実施形態によれ
ば、画素電極２６の端部が凸部７４上に延在しており、
画素電極２６の端部が対向電極４８に向かって曲げられ
ているので、画素電極２６の端部と対向電極４８との距
離が短くなる。これにより、画素電極２６の端部近傍領
域から外側に向かって電界が延びるのを防止することが
できる。
極２６の端部近傍領域に絶縁膜より成る凸部７４が形成
されており、その凸部７４上に画素電極２６の端部が延
在していることに主な特徴がある。本実施形態によれ
ば、画素電極２６の端部が凸部７４上に延在しており、
画素電極２６の端部が対向電極４８に向かって曲げられ
ているので、画素電極２６の端部と対向電極４８との距
離が短くなる。これにより、画素電極２６の端部近傍領
域から外側に向かって電界が延びるのを防止することが
できる。
【００４１】なお、凸部７４は、異常ドメインが発生し
やすい領域にのみ形成してもよい。次に、本実施形態に
よる液晶表示装置の透過率特性を図１４を用いて説明す
る。図１４に示すように、本実施形態では画素電極と対
向電極とが対向している領域のうち、突起２８と凸部７
４が形成されている領域を除く領域において透過率がほ
ぼ均一となっており、ディスクリネーションは発生して
いない。
やすい領域にのみ形成してもよい。次に、本実施形態に
よる液晶表示装置の透過率特性を図１４を用いて説明す
る。図１４に示すように、本実施形態では画素電極と対
向電極とが対向している領域のうち、突起２８と凸部７
４が形成されている領域を除く領域において透過率がほ
ぼ均一となっており、ディスクリネーションは発生して
いない。
【００４２】このように本実施形態によれば画素電極の
端部が凸部により曲げられており、画素電極の端部と対
向電極との距離が短くなっている。これにより、画素電
極の端部近傍領域から画素電極の外側に向かって電界が
延びるのを防止することができる。 （変形例）次に、本実施形態による液晶表示装置の変形
例を図１５を用いて説明する。図１５は、本変形例によ
る液晶表示装置の概略を示す断面図である。
端部が凸部により曲げられており、画素電極の端部と対
向電極との距離が短くなっている。これにより、画素電
極の端部近傍領域から画素電極の外側に向かって電界が
延びるのを防止することができる。 （変形例）次に、本実施形態による液晶表示装置の変形
例を図１５を用いて説明する。図１５は、本変形例によ
る液晶表示装置の概略を示す断面図である。
【００４３】図１５に示すように、本変形例による液晶
表示装置は、凸部７４ａがＣＳ電極１２とＣＳ電極１２
を覆う絶縁膜７５とにより構成されていることに主な特
徴がある。本変形例のようにＣＳ電極１２とＣＳ電極１
２を覆う絶縁膜７５とにより凸部７４ａを構成した場合
であっても、画素電極２６の端部と対向電極４８との距
離を短くすることができるので、画素電極の端部近傍領
域から画素電極の外側に向かって電界が延びるのが防止
される。従って、ディスクリネーションの発生を抑制す
ることができ、輝度の高い液晶表示装置を提供すること
ができる。
表示装置は、凸部７４ａがＣＳ電極１２とＣＳ電極１２
を覆う絶縁膜７５とにより構成されていることに主な特
徴がある。本変形例のようにＣＳ電極１２とＣＳ電極１
２を覆う絶縁膜７５とにより凸部７４ａを構成した場合
であっても、画素電極２６の端部と対向電極４８との距
離を短くすることができるので、画素電極の端部近傍領
域から画素電極の外側に向かって電界が延びるのが防止
される。従って、ディスクリネーションの発生を抑制す
ることができ、輝度の高い液晶表示装置を提供すること
ができる。
【００４４】［第５実施形態］本発明の第５実施形態に
よる液晶表示装置を図１６を用いて説明する。図１６
は、本実施形態による液晶表示装置の突起のパターンを
示す平面図である。図１乃至図１５に示す第１乃至第４
実施形態による液晶表示装置と同一の構成要素には、同
一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
よる液晶表示装置を図１６を用いて説明する。図１６
は、本実施形態による液晶表示装置の突起のパターンを
示す平面図である。図１乃至図１５に示す第１乃至第４
実施形態による液晶表示装置と同一の構成要素には、同
一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【００４５】図３２に示す従来の液晶表示装置では、斜
線で示す領域において異常ドメインが強く発生し、これ
により液晶分子の配向方向が大きく乱れていた。また、
突起１２８、１５０の延在方向がバスラインの延在方向
に対して４５°となっているため、視覚特性が全方位で
同じではなく、バスラインに対して約４５°の方向で視
覚特性が悪くなっていた。
線で示す領域において異常ドメインが強く発生し、これ
により液晶分子の配向方向が大きく乱れていた。また、
突起１２８、１５０の延在方向がバスラインの延在方向
に対して４５°となっているため、視覚特性が全方位で
同じではなく、バスラインに対して約４５°の方向で視
覚特性が悪くなっていた。
【００４６】本実施形態による液晶表示装置は、図１６
に示すように、突起２８ａ、５０ａの延在方向が一定方
向ではなく連続的に変化していることに主な特徴があ
る。突起２８ａは画素電極２６上に形成されており、突
起５０ａは対向電極４８上に形成されている。突起２８
ａ、５０ａは、例えば幅を１０μｍ、高さを１．５μｍ
とすることができる。本実施形態では、突起２８ａ、５
０ａの延在方向が一定方向ではなく曲線的に、しかも連
続的に変化しているので、液晶分子６４の配向方向が全
方位となる。
に示すように、突起２８ａ、５０ａの延在方向が一定方
向ではなく連続的に変化していることに主な特徴があ
る。突起２８ａは画素電極２６上に形成されており、突
起５０ａは対向電極４８上に形成されている。突起２８
ａ、５０ａは、例えば幅を１０μｍ、高さを１．５μｍ
とすることができる。本実施形態では、突起２８ａ、５
０ａの延在方向が一定方向ではなく曲線的に、しかも連
続的に変化しているので、液晶分子６４の配向方向が全
方位となる。
【００４７】また、本実施形態では、異常ドメインが生
じやすい領域、即ちドレインバスライン２２と画素電極
２６との間や、ゲートバスライン１４と画素電極２６と
の間において、液晶分子６４の配向方向が電界方向とほ
ぼ一致するように突起２８ａ、５０ａが形成されてい
る。電界の方向と結晶分子の配向方向とがほぼ一致する
ので、ディスクリネーションの発生を抑制することがで
きる。従って、輝度の高い液晶表示装置を提供すること
ができる。
じやすい領域、即ちドレインバスライン２２と画素電極
２６との間や、ゲートバスライン１４と画素電極２６と
の間において、液晶分子６４の配向方向が電界方向とほ
ぼ一致するように突起２８ａ、５０ａが形成されてい
る。電界の方向と結晶分子の配向方向とがほぼ一致する
ので、ディスクリネーションの発生を抑制することがで
きる。従って、輝度の高い液晶表示装置を提供すること
ができる。
【００４８】また、本実施形態によれば、突起２８ａ、
５０ａの延在方向が一定方向ではなく連続的に変化して
いるので、液晶分子の配向方向を全方位とすることがで
き、良好な視覚特性を全方位で得ることができる。ま
た、本実施形態によれば、液晶分子が全方向に均等に配
向されるので、ＴＮ型の液晶表示装置に広く用いられて
いる安価な偏光板を用いることができ、液晶表示装置の
コストダウンに寄与することができる。
５０ａの延在方向が一定方向ではなく連続的に変化して
いるので、液晶分子の配向方向を全方位とすることがで
き、良好な視覚特性を全方位で得ることができる。ま
た、本実施形態によれば、液晶分子が全方向に均等に配
向されるので、ＴＮ型の液晶表示装置に広く用いられて
いる安価な偏光板を用いることができ、液晶表示装置の
コストダウンに寄与することができる。
【００４９】（変形例）次に、本実施形態による液晶表
示装置の変形例を図１７を用いて説明する。図１７は、
本変形例による液晶表示装置の突起のパターンを示す平
面図である。本変形例による液晶表示装置は、突起２８
ｂ、５０ｂが図１７のように形成されている。突起２８
ｂは画素電極２６上に形成されており、突起５０ｂは対
向電極４８上に形成されている。突起２８ｂ、５０ｂ
は、例えば幅を１０μｍ、高さを１．５μｍとすること
ができる。突起２８ｂ、５０ｂはそれぞれバスラインに
対して４５°の角度を為す直線状のパターンとバスライ
ンに対して９０°の角度を為す直線状のパターンとの組
み合わせにより構成されている。
示装置の変形例を図１７を用いて説明する。図１７は、
本変形例による液晶表示装置の突起のパターンを示す平
面図である。本変形例による液晶表示装置は、突起２８
ｂ、５０ｂが図１７のように形成されている。突起２８
ｂは画素電極２６上に形成されており、突起５０ｂは対
向電極４８上に形成されている。突起２８ｂ、５０ｂ
は、例えば幅を１０μｍ、高さを１．５μｍとすること
ができる。突起２８ｂ、５０ｂはそれぞれバスラインに
対して４５°の角度を為す直線状のパターンとバスライ
ンに対して９０°の角度を為す直線状のパターンとの組
み合わせにより構成されている。
【００５０】本変形例では、異常ドメインが生じやすい
領域、即ちドレインバスライン２２と画素電極２６との
間や、ゲートバスライン１４と画素電極２６との間にお
いて、液晶分子６４の配向方向が電界方向とほぼ一致す
るように突起２８ｂ、５０ｂが形成されている。電界の
方向と結晶分子の配向方向とがほぼ一致するので、ディ
スクリネーションの発生を抑制することができる。従っ
て、本変形例によれば、第５実施形態と同様にディスク
リネーションの発生を抑制することができ、また、視覚
特性を全方位で良好にすることができる。
領域、即ちドレインバスライン２２と画素電極２６との
間や、ゲートバスライン１４と画素電極２６との間にお
いて、液晶分子６４の配向方向が電界方向とほぼ一致す
るように突起２８ｂ、５０ｂが形成されている。電界の
方向と結晶分子の配向方向とがほぼ一致するので、ディ
スクリネーションの発生を抑制することができる。従っ
て、本変形例によれば、第５実施形態と同様にディスク
リネーションの発生を抑制することができ、また、視覚
特性を全方位で良好にすることができる。
【００５１】［第６実施形態］本発明の第６実施形態に
よる液晶表示装置及びその製造方法を図１８乃至図２０
を用いて説明する。図１８は、本実施形態による液晶表
示装置を示す平面図及び動作概念図である。図１９は、
本実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図
である。図２０は、ＵＶ光の照射量とプレチルト角との
関係を示すグラフである。図１乃至図１７に示す第１乃
至第５実施形態による液晶表示装置と同一の構成要素に
は、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
よる液晶表示装置及びその製造方法を図１８乃至図２０
を用いて説明する。図１８は、本実施形態による液晶表
示装置を示す平面図及び動作概念図である。図１９は、
本実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図
である。図２０は、ＵＶ光の照射量とプレチルト角との
関係を示すグラフである。図１乃至図１７に示す第１乃
至第５実施形態による液晶表示装置と同一の構成要素に
は、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【００５２】本実施形態による液晶表示装置は、異常ド
メインが生じやすい領域、即ち図１８（ａ）において斜
線で示された領域にＵＶ光を強く照射することにより、
液晶分子のプレチルト角を小さくし、これにより液晶表
示装置の表示特性を改善することに主な特徴がある。な
お、本明細書中では、基板水平方向を０°としてプレチ
ルト角を示すこととする。
メインが生じやすい領域、即ち図１８（ａ）において斜
線で示された領域にＵＶ光を強く照射することにより、
液晶分子のプレチルト角を小さくし、これにより液晶表
示装置の表示特性を改善することに主な特徴がある。な
お、本明細書中では、基板水平方向を０°としてプレチ
ルト角を示すこととする。
【００５３】図１８（ｂ）、図１８（ｃ）は、図１８
（ａ）のＡ−Ａ′線断面図である。図１８（ｂ）はＴＦ
ＴがＯＦＦになっている状態、即ち画素電極と対向電極
との間に電圧が印加されている状態、図１８（ｃ）はＴ
ＦＴがＯＮとなっている状態、即ち画素電極と対向電極
との間に電圧が印加されていない状態を示している。図
１８（ｂ）に示すように、ＵＶ光を強く照射した領域で
は液晶分子のプレチルト角が小さくなっている。異常ド
メインが生じやすい領域において液晶分子のプレチルト
角が小さくなっているので、画素電極とバスラインとの
間に大きい電位差が生じた場合でも、ディスクリネーシ
ョンの発生を抑制することができる。
（ａ）のＡ−Ａ′線断面図である。図１８（ｂ）はＴＦ
ＴがＯＦＦになっている状態、即ち画素電極と対向電極
との間に電圧が印加されている状態、図１８（ｃ）はＴ
ＦＴがＯＮとなっている状態、即ち画素電極と対向電極
との間に電圧が印加されていない状態を示している。図
１８（ｂ）に示すように、ＵＶ光を強く照射した領域で
は液晶分子のプレチルト角が小さくなっている。異常ド
メインが生じやすい領域において液晶分子のプレチルト
角が小さくなっているので、画素電極とバスラインとの
間に大きい電位差が生じた場合でも、ディスクリネーシ
ョンの発生を抑制することができる。
【００５４】次に、本実施形態による液晶表示装置の製
造方法を図１９を用いて説明する。図１９に示すよう
に、配向膜が形成されたＴＦＴ基板を用意する。次に、
ＵＶ光の透過率が例えば５０％であるクロム膜より成る
遮光膜７６が形成されたマスク７８を用いて、配向膜３
０にＵＶ光を照射する。遮光膜７６は、異常ドメインが
生じやすい領域８０を除く領域に形成されている。異常
ドメインが生じやすい領域８０を除く領域に遮光膜７６
が形成されているので、異常ドメインが生じやすい領域
８０に異常ドメインが生じにくい領域８２の約２倍のＵ
Ｖ光が照射される。ＵＶ光が強く照射された領域８０の
配向膜３０上では、液晶分子のプレチルト角を小さくす
ることができるので、ディスクリネーションを生じにく
くすることができる。なお、配向膜３０には、ＪＳＲ株
式会社製の垂直配向材等を用いることができる。
造方法を図１９を用いて説明する。図１９に示すよう
に、配向膜が形成されたＴＦＴ基板を用意する。次に、
ＵＶ光の透過率が例えば５０％であるクロム膜より成る
遮光膜７６が形成されたマスク７８を用いて、配向膜３
０にＵＶ光を照射する。遮光膜７６は、異常ドメインが
生じやすい領域８０を除く領域に形成されている。異常
ドメインが生じやすい領域８０を除く領域に遮光膜７６
が形成されているので、異常ドメインが生じやすい領域
８０に異常ドメインが生じにくい領域８２の約２倍のＵ
Ｖ光が照射される。ＵＶ光が強く照射された領域８０の
配向膜３０上では、液晶分子のプレチルト角を小さくす
ることができるので、ディスクリネーションを生じにく
くすることができる。なお、配向膜３０には、ＪＳＲ株
式会社製の垂直配向材等を用いることができる。
【００５５】ＵＶ光の照射条件は、基板面に対して例え
ば４５°の角度から照射する。基板面に対して斜めの方
向からＵＶ光を照射することにより液晶分子のプレチル
ト角は決定されるが、基板面に対してＵＶ光の入射角が
小さすぎると有効な照射量が少ないため露光に時間がか
かってしまう。ＵＶ光の入射角を基板面に対して約４５
°とすることにより、効率よく所望のプレチルト角を設
定することができる。
ば４５°の角度から照射する。基板面に対して斜めの方
向からＵＶ光を照射することにより液晶分子のプレチル
ト角は決定されるが、基板面に対してＵＶ光の入射角が
小さすぎると有効な照射量が少ないため露光に時間がか
かってしまう。ＵＶ光の入射角を基板面に対して約４５
°とすることにより、効率よく所望のプレチルト角を設
定することができる。
【００５６】ＵＶ光の照射量は、例えば２９ｍＷ／ｃｍ
2、６０秒とすることができる。図２０は、横軸にＵＶ
光の照射量、縦軸にプレチルト角を示したグラフであ
る。図２０に示すように、ＵＶ光の照射量を増加するに
伴いプレチルト角は小さくなる傾向にある。従って、所
望のプレチルト角が得られるように適宜ＵＶ光の照射量
を設定することが望ましい。
2、６０秒とすることができる。図２０は、横軸にＵＶ
光の照射量、縦軸にプレチルト角を示したグラフであ
る。図２０に示すように、ＵＶ光の照射量を増加するに
伴いプレチルト角は小さくなる傾向にある。従って、所
望のプレチルト角が得られるように適宜ＵＶ光の照射量
を設定することが望ましい。
【００５７】このように本実施形態によれば、異常ドメ
インが生じやすい領域の配向膜にＵＶ光を強く照射して
プレチルト角を小さくするので、異常ドメインが生じや
すい領域においてディスクリネーションが発生するのを
抑制することができる。 ［第７実施形態］本発明の第７実施形態による液晶表示
装置及びその製造方法を図２１及び図２２を用いて説明
する。図２１は、本実施形態による液晶表示装置を示す
平面図及び動作概念図である。図２２は、本実施形態に
よる液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。図１
乃至図２０に示す第１乃至第６実施形態による液晶表示
装置及びその製造方法と同一の構成要素には、同一の符
号を付して説明を省略または簡潔にする。
インが生じやすい領域の配向膜にＵＶ光を強く照射して
プレチルト角を小さくするので、異常ドメインが生じや
すい領域においてディスクリネーションが発生するのを
抑制することができる。 ［第７実施形態］本発明の第７実施形態による液晶表示
装置及びその製造方法を図２１及び図２２を用いて説明
する。図２１は、本実施形態による液晶表示装置を示す
平面図及び動作概念図である。図２２は、本実施形態に
よる液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。図１
乃至図２０に示す第１乃至第６実施形態による液晶表示
装置及びその製造方法と同一の構成要素には、同一の符
号を付して説明を省略または簡潔にする。
【００５８】本実施形態による液晶表示装置は、図２１
（ａ）において斜線で示された領域にＵＶ光を大きい照
射量で照射することにより、液晶分子のプレチルト角を
小さくし、これにより液晶表示装置の表示特性を改善す
ることに主な特徴がある。図２１（ｂ）、図２１（ｃ）
は、図２１（ａ）のＡ−Ａ′線断面図である。図２１
（ｂ）はＴＦＴがＯＦＦになっている状態、図２１
（ｃ）はＴＦＴがＯＮとなっている状態を示している。
（ａ）において斜線で示された領域にＵＶ光を大きい照
射量で照射することにより、液晶分子のプレチルト角を
小さくし、これにより液晶表示装置の表示特性を改善す
ることに主な特徴がある。図２１（ｂ）、図２１（ｃ）
は、図２１（ａ）のＡ−Ａ′線断面図である。図２１
（ｂ）はＴＦＴがＯＦＦになっている状態、図２１
（ｃ）はＴＦＴがＯＮとなっている状態を示している。
【００５９】図２１（ｂ）に示すように、ＵＶ光の照射
量が大きい領域では、液晶分子のプレチルト角が小さく
なっている。一方、ＵＶ光の照射量が小さい領域では、
液晶分子のプレチルト角が大きくなっている。一般に液
晶分子のプレチルト角の制御はＵＶ光を照射することに
より設定することができ、ＵＶ光の照射量によりプレチ
ルト角を所望の角度に設定することができる。しかし、
プレチルト角を垂直から１°程度傾かせるのは再現性よ
く実現できたが、１°以上傾かせるのは再現性が困難で
あった。
量が大きい領域では、液晶分子のプレチルト角が小さく
なっている。一方、ＵＶ光の照射量が小さい領域では、
液晶分子のプレチルト角が大きくなっている。一般に液
晶分子のプレチルト角の制御はＵＶ光を照射することに
より設定することができ、ＵＶ光の照射量によりプレチ
ルト角を所望の角度に設定することができる。しかし、
プレチルト角を垂直から１°程度傾かせるのは再現性よ
く実現できたが、１°以上傾かせるのは再現性が困難で
あった。
【００６０】図２１に示す液晶表示装置では、プレチル
ト角の小さい領域がストライプ状に設けられているの
で、全体としての視覚特性を良好にすることができる。
次に、本実施形態による液晶表示装置の製造方法を図２
２を用いて説明する。図２２に示すように、配向膜３０
が形成されたＴＦＴ基板を用意する。次に、図に示すよ
うにストライプ状に遮光膜７６ａが形成されたマスク７
８ａを用いて、配向膜３０にＵＶ光を照射する。遮光膜
７６ａとしては、ＵＶ光の透過率が例えば５０％である
クロム膜より成る遮光膜を用いることができる。遮光膜
７６ａのストライプのピッチは、例えば２０μｍとする
ことができる。所定のピッチで遮光膜７６ａが形成され
たマスク７８ａを用いてＵＶ光を露光するので、遮光膜
７６ａを介してＵＶ光が露光された領域では、遮光膜７
６ａを介さずに露光された領域の約２倍の強度でＵＶ光
が照射される。本実施形態では、ストライプ状に形成さ
れた遮光膜に応じたパターンでプレチルト角が制御され
るので、全体として安定した表示特性が得られる。な
お、配向膜には、ＪＳＲ株式会社製の垂直配向材等を用
いることができる。ＵＶ光の照射条件は、基板面に対し
て例えば４５°の角度から照射する。なお、所望のプレ
チルト角が得られるように適宜ＵＶ照射量を設定するこ
とが望ましい。
ト角の小さい領域がストライプ状に設けられているの
で、全体としての視覚特性を良好にすることができる。
次に、本実施形態による液晶表示装置の製造方法を図２
２を用いて説明する。図２２に示すように、配向膜３０
が形成されたＴＦＴ基板を用意する。次に、図に示すよ
うにストライプ状に遮光膜７６ａが形成されたマスク７
８ａを用いて、配向膜３０にＵＶ光を照射する。遮光膜
７６ａとしては、ＵＶ光の透過率が例えば５０％である
クロム膜より成る遮光膜を用いることができる。遮光膜
７６ａのストライプのピッチは、例えば２０μｍとする
ことができる。所定のピッチで遮光膜７６ａが形成され
たマスク７８ａを用いてＵＶ光を露光するので、遮光膜
７６ａを介してＵＶ光が露光された領域では、遮光膜７
６ａを介さずに露光された領域の約２倍の強度でＵＶ光
が照射される。本実施形態では、ストライプ状に形成さ
れた遮光膜に応じたパターンでプレチルト角が制御され
るので、全体として安定した表示特性が得られる。な
お、配向膜には、ＪＳＲ株式会社製の垂直配向材等を用
いることができる。ＵＶ光の照射条件は、基板面に対し
て例えば４５°の角度から照射する。なお、所望のプレ
チルト角が得られるように適宜ＵＶ照射量を設定するこ
とが望ましい。
【００６１】このように本実施形態によれば、ストライ
プ状に遮光膜が形成されたマスクを用いてＵＶ光を露光
するので、全体として安定した表示特性を得ることがで
きる。 （変形例）次に、本実施形態による液晶表示装置の変形
例を図２３を用いて説明する。図２３は、本変形例によ
る液晶表示装置の概略を示す平面図である。
プ状に遮光膜が形成されたマスクを用いてＵＶ光を露光
するので、全体として安定した表示特性を得ることがで
きる。 （変形例）次に、本実施形態による液晶表示装置の変形
例を図２３を用いて説明する。図２３は、本変形例によ
る液晶表示装置の概略を示す平面図である。
【００６２】本変形例による液晶表示装置は、図２３に
おいて斜線で示された領域にＵＶ光を大きい照射量で照
射することにより、液晶分子のプレチルト角を小さく
し、これにより液晶表示装置の表示特性を改善すること
に主な特徴がある。本変形例では、プレチルト角の小さ
い領域がドット状に散在しているので、全体としての視
覚特性を良好にすることができる。
おいて斜線で示された領域にＵＶ光を大きい照射量で照
射することにより、液晶分子のプレチルト角を小さく
し、これにより液晶表示装置の表示特性を改善すること
に主な特徴がある。本変形例では、プレチルト角の小さ
い領域がドット状に散在しているので、全体としての視
覚特性を良好にすることができる。
【００６３】なお、紫外線を強く照射する領域は、ドッ
ト状のパターンに限定されるものではなく、例えば市松
模様等の他のパターンにしてもよい。 ［第８実施形態］本発明の第８実施形態による液晶表示
装置を図２４を用いて説明する。図２４は、本実施形態
による液晶表示装置の概略を示す断面図である。図１乃
至図２３に示す第１乃至第７実施形態による液晶表示装
置及びその製造方法と同一の構成要素には、同一の符号
を付して説明を省略または簡潔にする。
ト状のパターンに限定されるものではなく、例えば市松
模様等の他のパターンにしてもよい。 ［第８実施形態］本発明の第８実施形態による液晶表示
装置を図２４を用いて説明する。図２４は、本実施形態
による液晶表示装置の概略を示す断面図である。図１乃
至図２３に示す第１乃至第７実施形態による液晶表示装
置及びその製造方法と同一の構成要素には、同一の符号
を付して説明を省略または簡潔にする。
【００６４】本実施形態による液晶表示装置は、図２４
に示すように、ＵＶ光が照射された配向膜３０上に、別
個の配向膜８４がストライプ状に形成されていることに
主な特徴がある。なお、配向膜には、ＪＳＲ株式会社製
の垂直配向材等を用いることができる。ストライプ状に
形成された配向膜８４には、紫外線が照射されていな
い。
に示すように、ＵＶ光が照射された配向膜３０上に、別
個の配向膜８４がストライプ状に形成されていることに
主な特徴がある。なお、配向膜には、ＪＳＲ株式会社製
の垂直配向材等を用いることができる。ストライプ状に
形成された配向膜８４には、紫外線が照射されていな
い。
【００６５】図２４に示すように、ＵＶ光が照射された
配向膜３０上の液晶分子はプレチルト角が小さくなり、
ＵＶ光が露光されていない配向膜８４上の液晶分子はプ
レチルト角が大きくなる。従って、全体として安定した
表示特性が得られる。ＵＶ光の照射条件は、基板面に対
して例えば４５°の角度から照射する。なお、所望のプ
レチルト角が得られるように適宜ＵＶ照射量を設定する
ことが望ましい。
配向膜３０上の液晶分子はプレチルト角が小さくなり、
ＵＶ光が露光されていない配向膜８４上の液晶分子はプ
レチルト角が大きくなる。従って、全体として安定した
表示特性が得られる。ＵＶ光の照射条件は、基板面に対
して例えば４５°の角度から照射する。なお、所望のプ
レチルト角が得られるように適宜ＵＶ照射量を設定する
ことが望ましい。
【００６６】このように本実施形態によれば、ＵＶ光が
露光された配向膜状に、別個に配向膜を形成するので、
全体として安定した表示特性を得ることができる。 ［変形実施形態］本発明は上記実施形態に限らず種々の
変形が可能である。例えば、第１乃至第５実施形態はＭ
ＶＡ方式の液晶表示装置に適用したが、ＭＶＡ方式のみ
ならず、ＴＮ方式の液晶表示装置等あらゆる種類の液晶
表示装置に適用することができる。
露光された配向膜状に、別個に配向膜を形成するので、
全体として安定した表示特性を得ることができる。 ［変形実施形態］本発明は上記実施形態に限らず種々の
変形が可能である。例えば、第１乃至第５実施形態はＭ
ＶＡ方式の液晶表示装置に適用したが、ＭＶＡ方式のみ
ならず、ＴＮ方式の液晶表示装置等あらゆる種類の液晶
表示装置に適用することができる。
【００６７】また、第５実施形態では、突起の延在方向
が曲線的に変化する場合を例に説明したが、突起の延在
方向は曲線的に変化することに限定されるものではな
く、延在方向が連続的に変化するならば、例えば段階的
に変化していてもよい。また、第５実施形態では、突起
を形成する場合を例に説明したが、突起の代わりに同様
のパターンでスリットを形成してもよい。
が曲線的に変化する場合を例に説明したが、突起の延在
方向は曲線的に変化することに限定されるものではな
く、延在方向が連続的に変化するならば、例えば段階的
に変化していてもよい。また、第５実施形態では、突起
を形成する場合を例に説明したが、突起の代わりに同様
のパターンでスリットを形成してもよい。
【００６８】また、第８実施形態では、ＴＦＴ基板側の
配向膜３０上に別個の配向膜８４を形成したが、別個の
配向膜８４はＣＦ基板側の配向膜５２上に形成してもよ
い。
配向膜３０上に別個の配向膜８４を形成したが、別個の
配向膜８４はＣＦ基板側の配向膜５２上に形成してもよ
い。
【００６９】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、画素電極
の端部近傍領域から横方向に電界が延在するのを防止す
ることができ、これにより異常ドメインが生じるのを防
止することができるので、ディスクリネーションの発生
を抑制することができる。従って、輝度の高い液晶表示
装置を提供することができる。
の端部近傍領域から横方向に電界が延在するのを防止す
ることができ、これにより異常ドメインが生じるのを防
止することができるので、ディスクリネーションの発生
を抑制することができる。従って、輝度の高い液晶表示
装置を提供することができる。
【００７０】また、本発明によれば、突起やスリットの
延在方向が連続的に変化するように形成されているの
で、全体として液晶分子の配向方向を平均化することが
でき、良好な表示特性を有する液晶表示装置を提供する
ことができる。また、本発明によれば、異常ドメインが
生じやすい領域において、画素電極とバスラインとの電
位差により生ずる電界方向と液晶分子の配向方向とがほ
ぼ一致するように突起が形成されているので、ディスク
リネーションの発生を抑制することができる。従って、
良好な表示特性を有する液晶表示装置を提供することが
できる。
延在方向が連続的に変化するように形成されているの
で、全体として液晶分子の配向方向を平均化することが
でき、良好な表示特性を有する液晶表示装置を提供する
ことができる。また、本発明によれば、異常ドメインが
生じやすい領域において、画素電極とバスラインとの電
位差により生ずる電界方向と液晶分子の配向方向とがほ
ぼ一致するように突起が形成されているので、ディスク
リネーションの発生を抑制することができる。従って、
良好な表示特性を有する液晶表示装置を提供することが
できる。
【００７１】また、本発明によれば、異常ドメインが生
じやすい領域の配向膜にＵＶ光を大きい照射量で照射す
ることによりプレチルト角を小さく設定するので、ディ
スクリネーションの発生を抑制することが、輝度の高い
液晶表示装置を提供することができる。また、本発明に
よれば、所定のパターンでＵＶ光を照射するので、全体
として液晶分子の配向方向を平均化することができ、こ
れにより良好な表示特性を有する液晶表示装置を提供す
ることができる。
じやすい領域の配向膜にＵＶ光を大きい照射量で照射す
ることによりプレチルト角を小さく設定するので、ディ
スクリネーションの発生を抑制することが、輝度の高い
液晶表示装置を提供することができる。また、本発明に
よれば、所定のパターンでＵＶ光を照射するので、全体
として液晶分子の配向方向を平均化することができ、こ
れにより良好な表示特性を有する液晶表示装置を提供す
ることができる。
【図１】ＭＶＡ型の液晶表示装置を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ′線断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の概
略を示す断面図である。
略を示す断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の透
過率特性のシミュレーション結果を示すグラフである。
過率特性のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図５】本発明の第１実施形態の変形例による液晶表示
装置の概略を示す平面図である。
装置の概略を示す平面図である。
【図６】本発明の第１実施形態の変形例による液晶表示
装置の概略を示す断面図である。
装置の概略を示す断面図である。
【図７】本発明の第２実施形態による液晶表示装置の概
略を示す断面図である。
略を示す断面図である。
【図８】本発明の第２実施形態による液晶表示装置の画
素電極を示す平面図である。
素電極を示す平面図である。
【図９】本発明の第２実施形態による液晶表示装置の透
過率特性のシミュレーション結果を示すグラフである。
過率特性のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図１０】本発明の第３実施形態による液晶表示装置の
概略を示す断面図である。
概略を示す断面図である。
【図１１】本発明の第３実施形態による液晶表示装置の
透過率特性のシミュレーション結果を示すグラフ（その
１）である。
透過率特性のシミュレーション結果を示すグラフ（その
１）である。
【図１２】本発明の第３実施形態による液晶表示装置の
透過率特性のシミュレーション結果を示すグラフ（その
２）である。
透過率特性のシミュレーション結果を示すグラフ（その
２）である。
【図１３】本発明の第４実施形態による液晶表示装置の
概略を示す断面図である。
概略を示す断面図である。
【図１４】本発明の第４実施形態による液晶表示装置の
透過率特性のシミュレーション結果を示すグラフであ
る。
透過率特性のシミュレーション結果を示すグラフであ
る。
【図１５】本発明の第４実施形態の変形例による液晶表
示装置の概略を示す断面図である。
示装置の概略を示す断面図である。
【図１６】本発明の第５実施形態による液晶表示装置の
突起のパターンを示す平面図である。
突起のパターンを示す平面図である。
【図１７】本発明の第５実施形態の変形例による液晶表
示装置の突起のパターンを示す平面図である。
示装置の突起のパターンを示す平面図である。
【図１８】本発明の第６実施形態による液晶表示装置を
示す平面図及び動作概念図である。
示す平面図及び動作概念図である。
【図１９】本発明の第６実施形態による液晶表示装置の
製造方法を示す断面図である。
製造方法を示す断面図である。
【図２０】ＵＶ光の照射量とプレチルト角との関係を示
すグラフである。
すグラフである。
【図２１】本発明の第７実施形態による液晶表示装置を
示す平面図及び動作概念図である。
示す平面図及び動作概念図である。
【図２２】本発明の第７実施形態による液晶表示装置の
製造方法を示す断面図である。
製造方法を示す断面図である。
【図２３】本発明の第７実施形態の変形例による液晶表
示装置の概略を示す平面図である。
示装置の概略を示す平面図である。
【図２４】本発明の第８実施形態による液晶表示装置の
概略を示す断面図である。
概略を示す断面図である。
【図２５】従来のＭＶＡ方式の液晶表示装置の概略を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２６】ディスクリネーションの発生状態を示す概念
図である。
図である。
【図２７】従来のＭＶＡ方式の液晶表示装置の透過率特
性のシミュレーション結果を示すグラフである。
性のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図２８】提案されている液晶表示装置の概略を示す断
面図である。
面図である。
【図２９】提案されている液晶表示装置の透過率特性の
シミュレーション結果を示すグラフ（その１）である。
シミュレーション結果を示すグラフ（その１）である。
【図３０】提案されている液晶表示装置の透過率特性の
シミュレーション結果を示すグラフ（その２）である。
シミュレーション結果を示すグラフ（その２）である。
【図３１】提案されている液晶表示装置の透過率特性の
シミュレーション結果を示すグラフ（その３）である。
シミュレーション結果を示すグラフ（その３）である。
【図３２】従来の液晶表示装置を示す概略図である。
１０…ガラス基板 １２…ＣＳ電極 １４…ゲートバスライン １６…ゲート絶縁膜 １８…活性層 ２０…ソース電極 ２２…ドレインバスライン ２４…絶縁膜 ２６…画素電極 ２６ａ…画素電極 ２８…突起 ２８ａ…突起 ２８ｂ…突起 ３０…配向膜 ４０…ガラス基板 ４２…ブラックマトリクス層 ４６…ＣＦ樹脂層 ４８…対向電極 ４８ａ…対向電極 ４８ｂ…対向電極 ５０…突起 ５０ａ…突起 ５０ｂ…突起 ５２…配向膜 ６０…液晶材料 ６２…凹部 ６２ａ…凹部 ６４…液晶分子 ６６…電気力線 ６８…スリット ７０…スリット ７２…スリット ７４…凸部 ７４ａ…凸部 ７５…絶縁膜 ７６…遮光膜 ７６ａ…遮光膜 ７８…マスク ７８ａ…マスク ８０…領域 ８２…領域 ８４…配向膜 １１０…基板 １２２…ドレインバスライン １２６…画素電極 １２８…突起 １４８…対向電極 １５０…突起 １６４…液晶分子 １６６…電気力線 １８８…突起
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 貴啓 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 片岡 真吾 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 吉見 琢也 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 2H090 HA14 HC13 HD14 JA03 JC03 KA04 LA01 LA04 MA01 MA10 MB14
Claims (14)
- 【請求項１】 画素電極が形成された第１の基板と、前
記画素電極に対向する対向電極が形成された第２の基板
と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入され
た液晶とを有する液晶表示装置において、 前記画素電極の端部近傍領域における前記画素電極と前
記対向電極との離間距離は、前記画素電極の前記端部近
傍領域を除く領域における前記画素電極と前記対向電極
との離間距離より長いことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の液晶表示装置において、 前記画素電極の前記端部近傍領域における前記画素電極
と前記対向電極との離間距離は、前記画素電極と前記対
向電極とが対向していない領域に向かって徐々に長くな
っていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３】 画素電極が形成された第１の基板と、前
記画素電極に対向する対向電極が形成された第２の基板
と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入され
た液晶とを有する液晶表示装置において、 前記対向電極は、前記画素電極の端部近傍領域に対応す
る領域に第１のスリットを有することを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項４】 画素電極が形成された第１の基板と、前
記画素電極に対向する対向電極が形成された第２の基板
と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入され
た液晶とを有する液晶表示装置において、 前記画素電極の端部近傍領域における前記画素電極と前
記対向電極との離間距離は、前記画素電極の前記端部近
傍領域を除く領域における前記画素電極と前記対向電極
との離間距離より短いことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項５】 請求項４記載の液晶表示装置において、 前記画素電極は、前記第１の基板上に形成された補助容
量電極上に延在するように形成され、前記補助容量電極
により前記画素電極の前記端部近傍領域と前記対向電極
との離間距離が短くなっていることを特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の
液晶表示装置において、 前記液晶は、負の誘電率異方性を有する液晶であり、 液晶分子の配向方向を制御する配向制御手段を更に有す
ることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項７】 請求項６記載の液晶表示装置において、 前記配向制御手段は、前記画素電極及び／若しくは前記
対向電極上に形成された突起、又は前記画素電極及び／
若しくは前記対向電極に形成された第２のスリットであ
ることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項８】 請求項７記載の液晶表示装置において、 前記配向制御手段は、延在方向が連続的に変化している
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項９】 請求項７又は８記載の液晶表示装置にお
いて、 前記画素電極に隣接するバスラインを更に有し、 前記配向制御手段は、前記バスラインの近傍の前記画素
電極上の所定の領域において液晶分子の配向方向が前記
バスラインに対してほぼ垂直になるように形成されてい
ることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１０】 画素電極と、前記画素電極上に形成さ
れた第１の配向膜とを有する第１の基板と；前記画素電
極に対向する対向電極と、前記対向電極上に形成された
第２の配向膜とを有する第２の基板と；前記第１の基板
と前記第２の基板との間に封入された負の誘電率異方性
を有する液晶とを有する液晶表示装置において、 前記画素電極上の第１の領域の前記第１又は前記第２の
配向膜により配向される液晶分子のプレチルト角は、前
記第１の領域とは異なる前記画素電極上の第２の領域の
前記第１又は前記第２の配向膜により配向される液晶分
子のプレチルト角より小さいことを特徴とする液晶表示
装置。 - 【請求項１１】 請求項１０記載の液晶表示装置におい
て、 前記画素電極に隣接するバスラインを更に有し、 前記第１の領域は前記バスラインに近接する領域である
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１２】 請求項１０又は１１記載の液晶表示装
置において、 前記第２の領域の前記第１又は前記第２の配向膜上に形
成された第３の配向膜を更に有し、 前記第３の配向膜により配向される液晶分子のプレチル
ト角は、前記第１又は第２の配向膜により配向される液
晶分子のプレチルト角より大きいことを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項１３】 基板上に電極を形成する工程と、 前記電極上に配向膜を形成する工程と、 前記配向膜の第１の領域に第１の照射量で紫外線を照射
し、前記第１の領域と異なる前記画素電極上の第２の領
域の前記配向膜に第１の照射量より大きい第２の照射量
で紫外線を照射し、前記第１の領域の前記配向膜により
配向される液晶分子のプレチルト角が前記第２の領域の
前記配向膜により配向される液晶分子のプレチルト角よ
り小さくなるようにする工程とを有することを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１４】 請求項１３記載の液晶表示装置の製造
方法において、 前記紫外線を照射する工程では、紫外線に対する透過率
の低いパターンが前記第１の領域に対応して形成された
マスクを用いて、紫外線を照射することを特徴とする液
晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP37355798A JP4397444B2 (ja) | 1998-12-28 | 1998-12-28 | 液晶表示装置 |
| PCT/JP1999/006731 WO2000041031A1 (fr) | 1998-12-28 | 1999-12-01 | Ecran a cristaux liquides et son procede de fabrication |
| KR1020077013396A KR100844901B1 (ko) | 1998-12-28 | 1999-12-01 | 액정표시장치 |
| KR1020017008227A KR100773839B1 (ko) | 1998-12-28 | 1999-12-01 | 액정표시장치 및 그 제조 방법 |
| US09/884,737 US6532054B2 (en) | 1998-12-28 | 2001-06-19 | Liquid crystal display and method for fabricating the same |
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|---|---|---|---|
| JP37355798A JP4397444B2 (ja) | 1998-12-28 | 1998-12-28 | 液晶表示装置 |
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|---|---|
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ID=18502370
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP37355798A Expired - Fee Related JP4397444B2 (ja) | 1998-12-28 | 1998-12-28 | 液晶表示装置 |
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| KR (2) | KR100844901B1 (ja) |
| WO (1) | WO2000041031A1 (ja) |
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