JP2000191575A - ビスフェノ―ル類化合物の精製方法、及び、当該精製方法により製造されたビスフェノ―ル類化合物 - Google Patents
ビスフェノ―ル類化合物の精製方法、及び、当該精製方法により製造されたビスフェノ―ル類化合物Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】工業的実現が容易な、ビスフェノール類化合物
の臭気等の原因物質である不純物を低減させる方法を見
出すこと。 【解決手段】ビスフェノール類化合物の薄膜を形成さ
せ、加熱により揮発分を除去することを特徴とするビス
フェノール類化合物の精製方法。
の臭気等の原因物質である不純物を低減させる方法を見
出すこと。 【解決手段】ビスフェノール類化合物の薄膜を形成さ
せ、加熱により揮発分を除去することを特徴とするビス
フェノール類化合物の精製方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ビスフェノール類
化合物の製造方法、及び、当該製造方法により製造され
た、揮発性成分が低減された良好なビスフェノール類化
合物に関する。
化合物の製造方法、及び、当該製造方法により製造され
た、揮発性成分が低減された良好なビスフェノール類化
合物に関する。
【０００２】
【従来の技術】ビスフェノール類化合物は、ポリエステ
ル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ系樹脂、ある
いはフェノール樹脂原料として広く用いられている。
ル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ系樹脂、ある
いはフェノール樹脂原料として広く用いられている。
【０００３】しかし、従来のビスフェノール類化合物は
特有の臭気を有し、特に高温加熱時に強い臭気を発生す
る等の課題があるため、作業環境上問題であった。臭気
等の原因物質は明確でないが、ビスフェノール類化合物
に含有されている原材料であるフェノール化合物や、製
造工程等でのビスフェノール類化合物の分解に由来する
揮発性成分等が原因と推定される。これまで、臭気等を
有するこれら揮発性成分等を取り除く有効な工業的手段
はこれまで報告されていない。
特有の臭気を有し、特に高温加熱時に強い臭気を発生す
る等の課題があるため、作業環境上問題であった。臭気
等の原因物質は明確でないが、ビスフェノール類化合物
に含有されている原材料であるフェノール化合物や、製
造工程等でのビスフェノール類化合物の分解に由来する
揮発性成分等が原因と推定される。これまで、臭気等を
有するこれら揮発性成分等を取り除く有効な工業的手段
はこれまで報告されていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】工業的実現が容易な、
ビスフェノール類化合物の臭気等の原因物質である揮発
性成分等を低減させる方法を見出す。
ビスフェノール類化合物の臭気等の原因物質である揮発
性成分等を低減させる方法を見出す。
【０００５】
【課題を解決するための手段】鋭意検討の結果、本発明
者らはビスフェノール類化合物の薄膜を形成させ、脱揮
処理することによってビスフェノール類化合物の臭気等
が低減することを見出した。
者らはビスフェノール類化合物の薄膜を形成させ、脱揮
処理することによってビスフェノール類化合物の臭気等
が低減することを見出した。
【０００６】すなわち、本発明は、ビスフェノール類化
合物の薄膜を形成させ、加熱により揮発分を除去するこ
とを特徴とする、ビスフェノール類化合物の精製方法
（発明１）であり、前記ビスフェノール類化合物が、下
記一般式（Ｉ）
合物の薄膜を形成させ、加熱により揮発分を除去するこ
とを特徴とする、ビスフェノール類化合物の精製方法
（発明１）であり、前記ビスフェノール類化合物が、下
記一般式（Ｉ）
【０００７】
【化３】 （式中、Ｒ1は水素原子、あるいは一価の置換または非
置換の炭化水素基、Ｒ2は水素原子、ハロゲン原子、水
酸基、あるいは一価の置換または非置換の炭化水素基、
Ｒ3は水素原子、あるいは一価の置換または非置換の炭
化水素基またはハロゲン化炭化水素基を表し、それぞれ
のＲ1乃至Ｒ3は同一であっても異なっていてもよい）で
表される、発明１記載のビスフェノール類化合物の精製
方法（発明２）であり、前記Ｒ1が水素原子、Ｒ3がメチ
ル基である発明２記載のビスフェノール類化合物の精製
方法（発明３）であり、前記ビスフェノール類化合物
が、下記式（ＩＩ）
置換の炭化水素基、Ｒ2は水素原子、ハロゲン原子、水
酸基、あるいは一価の置換または非置換の炭化水素基、
Ｒ3は水素原子、あるいは一価の置換または非置換の炭
化水素基またはハロゲン化炭化水素基を表し、それぞれ
のＲ1乃至Ｒ3は同一であっても異なっていてもよい）で
表される、発明１記載のビスフェノール類化合物の精製
方法（発明２）であり、前記Ｒ1が水素原子、Ｒ3がメチ
ル基である発明２記載のビスフェノール類化合物の精製
方法（発明３）であり、前記ビスフェノール類化合物
が、下記式（ＩＩ）
【０００８】
【化４】 で表される２，２'−ジアリルビスフェノールＡであ
る、発明１記載のビスフェノール類化合物の精製方法
（発明４）であり、前記ビスフェノール化合物に沸点が
２５０℃、好ましくは２１０℃、さらに好ましくは１８
０ ℃以下の添加用物質を添加することを特徴とする、
発明１乃至４のいずれか一項に記載のビスフェノール類
化合物の精製方法（発明５）であり、添加用物質の添加
部数が、０．１〜１０００重量部、好ましくは０．５〜
１０重量部であることを特徴とする発明５記載のビスフ
ェノール類化合物の精製方法（発明６）であり、前記の
薄膜形成による揮発分除去操作を、薄膜蒸発装置内部に
揮発分を凝縮させるコンデンサーを有する薄膜蒸発装置
を使用することを特徴とする発明１乃至６のいずれか一
項に記載のビスフェノール類化合物の精製方法（発明
７）であり、０．１〜１０ｔｏｒｒの圧力で揮発分除去
操作を行なうことを特徴とする発明１乃至７のいずれか
一項に記載のビスフェノール類化合物の精製方法（発明
８）であり、発明１乃至８のいずれか一項に記載の精製
方法により製造された、揮発性成分が低減されたビスフ
ェノール類化合物（発明９）である。
る、発明１記載のビスフェノール類化合物の精製方法
（発明４）であり、前記ビスフェノール化合物に沸点が
２５０℃、好ましくは２１０℃、さらに好ましくは１８
０ ℃以下の添加用物質を添加することを特徴とする、
発明１乃至４のいずれか一項に記載のビスフェノール類
化合物の精製方法（発明５）であり、添加用物質の添加
部数が、０．１〜１０００重量部、好ましくは０．５〜
１０重量部であることを特徴とする発明５記載のビスフ
ェノール類化合物の精製方法（発明６）であり、前記の
薄膜形成による揮発分除去操作を、薄膜蒸発装置内部に
揮発分を凝縮させるコンデンサーを有する薄膜蒸発装置
を使用することを特徴とする発明１乃至６のいずれか一
項に記載のビスフェノール類化合物の精製方法（発明
７）であり、０．１〜１０ｔｏｒｒの圧力で揮発分除去
操作を行なうことを特徴とする発明１乃至７のいずれか
一項に記載のビスフェノール類化合物の精製方法（発明
８）であり、発明１乃至８のいずれか一項に記載の精製
方法により製造された、揮発性成分が低減されたビスフ
ェノール類化合物（発明９）である。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の製造方法は、ビスフェノ
ール類化合物を、薄膜を形成させ脱揮処理することによ
り主として臭気等の発生原因たる不純物を低減させるこ
とを特徴とする。以下、本発明を詳細に説明する。
ール類化合物を、薄膜を形成させ脱揮処理することによ
り主として臭気等の発生原因たる不純物を低減させるこ
とを特徴とする。以下、本発明を詳細に説明する。
【００１０】前記一般式（Ｉ）で表されるビスフェノー
ル類化合物のＲ1は水素原子、あるいは一価の置換また
は非置換の炭化水素基、Ｒ2は水素原子、ハロゲン原
子、水酸基、あるいは一価の置換または非置換の炭化水
素基、Ｒ3は水素原子、あるいは一価の置換または非置
換の炭化水素基またはハロゲン化炭化水素基であるが、
Ｒ1乃至Ｒ3の炭化水素基の例としてはアルキル基、シク
ロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、あ
るいはアリール基等が挙げられ、さらに具体的には、メ
チル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、シクロヘキシ
ル基、ビニル基、アリル基、フェニル基が挙げられる。
これらの内好ましくは、メチル基、イソプロピル基、ｔ
−ブチル基、ビニル基、アリル基、フェニル基が挙げら
れる。さらに、Ｒ3の炭化水素基の例としては、下記式
（ＩＩＩ）
ル類化合物のＲ1は水素原子、あるいは一価の置換また
は非置換の炭化水素基、Ｒ2は水素原子、ハロゲン原
子、水酸基、あるいは一価の置換または非置換の炭化水
素基、Ｒ3は水素原子、あるいは一価の置換または非置
換の炭化水素基またはハロゲン化炭化水素基であるが、
Ｒ1乃至Ｒ3の炭化水素基の例としてはアルキル基、シク
ロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、あ
るいはアリール基等が挙げられ、さらに具体的には、メ
チル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、シクロヘキシ
ル基、ビニル基、アリル基、フェニル基が挙げられる。
これらの内好ましくは、メチル基、イソプロピル基、ｔ
−ブチル基、ビニル基、アリル基、フェニル基が挙げら
れる。さらに、Ｒ3の炭化水素基の例としては、下記式
（ＩＩＩ）
【００１１】
【化５】 で表される基が挙げられる。また、Ｒ3のハロゲン化炭
化水素基の例としてはトリフルオロメチル基が挙げられ
る。
化水素基の例としてはトリフルオロメチル基が挙げられ
る。
【００１２】これらの内、Ｒ1としては水素原子、メチ
ル基、アリル基が好ましく、この内水素原子が最も好ま
しい。Ｒ2としては水素原子、塩素原子、臭素原子、メ
チル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ビニル基、ア
リル基が好ましい。Ｒ3としては水素原子、メチル基、
トリフルオロメチル基、上記式（ＩＩＩ）で表される基
が好ましく、この内メチル基が最も好ましい。
ル基、アリル基が好ましく、この内水素原子が最も好ま
しい。Ｒ2としては水素原子、塩素原子、臭素原子、メ
チル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ビニル基、ア
リル基が好ましい。Ｒ3としては水素原子、メチル基、
トリフルオロメチル基、上記式（ＩＩＩ）で表される基
が好ましく、この内メチル基が最も好ましい。
【００１３】前記一般式（Ｉ）で表されるビスフェノー
ル類化合物の具体例としては、
ル類化合物の具体例としては、
【００１４】
【化６】
【化７】 等が挙げられる。
【００１５】本発明のビスフェノール類化合物の薄膜を
形成させる方式は、工業的に実現可能な範囲で特に制限
なく種々の具体的方式を用いることができる。具体例と
しては、円筒形の蒸発塔の内壁にワイパーによって原料
の薄膜を形成させる方式、平板状あるいは円筒状の蒸発
機に原料の自然流下によって薄膜を形成させる方式、
攪拌機に接続された単管から、攪拌時の遠心力により反
応液を管壁へ吐出し、反応機管壁で薄膜を形成させる方
式などを挙げることができる。
形成させる方式は、工業的に実現可能な範囲で特に制限
なく種々の具体的方式を用いることができる。具体例と
しては、円筒形の蒸発塔の内壁にワイパーによって原料
の薄膜を形成させる方式、平板状あるいは円筒状の蒸発
機に原料の自然流下によって薄膜を形成させる方式、
攪拌機に接続された単管から、攪拌時の遠心力により反
応液を管壁へ吐出し、反応機管壁で薄膜を形成させる方
式などを挙げることができる。
【００１６】ビスフェノール類化合物の薄膜を形成さ
せ、加熱により揮発分を除去、すなわち蒸発、脱揮等さ
せる（本発明では薄膜蒸発という）のに用いられる装置
（本発明では薄膜蒸発装置という）としては、工業的に
実現可能な範囲で特に制限なく種々の具体的装置を用い
ることができ、具体例としては神鋼パンテック社製ワイ
プレン、日立製作所製コントロ（縦型・横型）、桜製作
所製ハイエバポレーター、関西化学機械社製ウオールウ
エッター等が挙げられるが、この限りではない。当該揮
発分の凝縮形式も薄膜蒸発装置外部に凝縮部を有する外
部コンデンサー方式、薄膜蒸発装置内部に凝縮部を有す
る内部コンデンサー方式のいずれも用いることができ
る。この内、除去する揮発性成分の沸点が高い場合にも
効率よく除去が可能という点において、揮発性成分の揮
発部分と凝縮回収部分が近い距離に設定できる内部コン
デンサー型の薄膜蒸発装置がより好ましい。
せ、加熱により揮発分を除去、すなわち蒸発、脱揮等さ
せる（本発明では薄膜蒸発という）のに用いられる装置
（本発明では薄膜蒸発装置という）としては、工業的に
実現可能な範囲で特に制限なく種々の具体的装置を用い
ることができ、具体例としては神鋼パンテック社製ワイ
プレン、日立製作所製コントロ（縦型・横型）、桜製作
所製ハイエバポレーター、関西化学機械社製ウオールウ
エッター等が挙げられるが、この限りではない。当該揮
発分の凝縮形式も薄膜蒸発装置外部に凝縮部を有する外
部コンデンサー方式、薄膜蒸発装置内部に凝縮部を有す
る内部コンデンサー方式のいずれも用いることができ
る。この内、除去する揮発性成分の沸点が高い場合にも
効率よく除去が可能という点において、揮発性成分の揮
発部分と凝縮回収部分が近い距離に設定できる内部コン
デンサー型の薄膜蒸発装置がより好ましい。
【００１７】薄膜蒸発の操作条件としては、必要に応じ
各種の条件を適用することができる。一般的な具体例で
は、例えば５０〜２５０℃の温度、０．１〜１００ｔｏ
ｒｒの圧力が適用できる。除去する揮発性成分の沸点が
高い場合においては、効率よく除去が可能である条件と
して、例えば１５０〜２５０℃の温度、０．１〜１０ｔ
ｏｒｒの圧力が好ましく用いられる。
各種の条件を適用することができる。一般的な具体例で
は、例えば５０〜２５０℃の温度、０．１〜１００ｔｏ
ｒｒの圧力が適用できる。除去する揮発性成分の沸点が
高い場合においては、効率よく除去が可能である条件と
して、例えば１５０〜２５０℃の温度、０．１〜１０ｔ
ｏｒｒの圧力が好ましく用いられる。
【００１８】薄膜蒸発の際に、必要に応じ窒素、二酸化
炭素、アルゴン等の不活性ガス、あるいは空気等の少量
のガス成分を蒸発機内に導入すること等により揮発した
成分を効率良く除去することもできる。
炭素、アルゴン等の不活性ガス、あるいは空気等の少量
のガス成分を蒸発機内に導入すること等により揮発した
成分を効率良く除去することもできる。
【００１９】また、ビスフェノール化合物に、沸点が２
５０℃、好ましくは２１０℃、より好ましくは１８０℃
以下の物質（本発明では添加用物質という）を予めまた
は原料供給中に添加して共存させ、上述の蒸発操作をす
ることにより、添加用物質の揮発とともに目的成分であ
る臭気等の原因物質である揮発性成分も揮発させること
ができるため、効率良く目的成分の除去ができる。
５０℃、好ましくは２１０℃、より好ましくは１８０℃
以下の物質（本発明では添加用物質という）を予めまた
は原料供給中に添加して共存させ、上述の蒸発操作をす
ることにより、添加用物質の揮発とともに目的成分であ
る臭気等の原因物質である揮発性成分も揮発させること
ができるため、効率良く目的成分の除去ができる。
【００２０】この添加用物質としては、芳香族系炭化水
素、脂肪族系炭化水素、アルコール類、エーテル類、エ
ステル類、ケトン類、ハロゲン化炭化水素類、水等、前
述した沸点条件を満たすものであれば何ら制約をうける
ものではない。添加用物質の具体例としては、例えばト
ルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族系炭化水素や
ヘプタン、デカン、ドデカン、リモネン等の脂肪族系炭
化水素、オクタノール、２−エチルヘキシルアルコール
等のアルコール類、ジメトキシエタン、ジエチレングリ
コールジエチルエーテル等のエーテル類、酪酸イソアミ
ル、安息香酸メチル等のエステル類、アセトン、メチル
イソブチルケトン、アセトフェノン等のケトン類、トリ
クロロエチレン、テトラクロロエチレン等のハロゲン化
炭化水素類等が挙げられる。
素、脂肪族系炭化水素、アルコール類、エーテル類、エ
ステル類、ケトン類、ハロゲン化炭化水素類、水等、前
述した沸点条件を満たすものであれば何ら制約をうける
ものではない。添加用物質の具体例としては、例えばト
ルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族系炭化水素や
ヘプタン、デカン、ドデカン、リモネン等の脂肪族系炭
化水素、オクタノール、２−エチルヘキシルアルコール
等のアルコール類、ジメトキシエタン、ジエチレングリ
コールジエチルエーテル等のエーテル類、酪酸イソアミ
ル、安息香酸メチル等のエステル類、アセトン、メチル
イソブチルケトン、アセトフェノン等のケトン類、トリ
クロロエチレン、テトラクロロエチレン等のハロゲン化
炭化水素類等が挙げられる。
【００２１】添加用物質の添加量は、特に制限を受ける
ものではないが、添加した物質を分離回収する際の経済
性を考慮することが重要であり、０．１〜１０００重量
部、より好ましくは０．５〜１０重量部である。
ものではないが、添加した物質を分離回収する際の経済
性を考慮することが重要であり、０．１〜１０００重量
部、より好ましくは０．５〜１０重量部である。
【００２２】本発明を用いることにより、臭気等の原因
物質である揮発性成分等の不純物を低減することが可能
であることから、ビスフェノール類化合物の純度向上方
法としても有効である。
物質である揮発性成分等の不純物を低減することが可能
であることから、ビスフェノール類化合物の純度向上方
法としても有効である。
【００２３】
【実施例】以下に本発明を実施例によって具体的に説明
する。ただし、本発明は下記の実施例に限定されるもの
ではない。 実施例１ ７５００ｐｐｍの揮発性成分を含有し、臭気を有する
２，２'−ジアリルビスフェノールＡを神鋼パンテック
社製２−０３型薄膜蒸発装置（外部コンデンサー型）を
用いて、２００℃の温度、３ｔｏｒｒの圧力、３ｇ／ｍ
ｉｎの原料供給速度で脱揮処理を行ったところ、揮発性
成分の含有量が６０００ｐｐｍに低減し、やや臭気が低
減した２，２'−ジアリルビスフェノールＡが得られ
た。 実施例２ 薄膜蒸発装置に神鋼パンテック社製２−０３型薄膜蒸発
装置（内部コンデンサー型）を用いた以外は実施例１と
同様に脱揮処理を行ったところ、揮発性成分の含有量が
６００ｐｐｍに低減し、臭気が低減した２，２'−ジア
リルビスフェノールＡが得られた。 比較例１ ７５００ｐｐｍの揮発性成分を含有し、臭気を有する
２，２'−ジアリルビスフェノールＡ１５００ｇを２ｌ
フラスコに入れ２００℃の温度、１ｔｏｒｒの圧力で脱
揮処理を行ったが、揮発性成分含有量は低減せず、臭気
も低減しなかった。 実施例３ ７５００ｐｐｍの揮発性成分を含有し、臭気を有する
２，２'−ジアリルビスフェノールＡにキシレンを３部
添加した原料を用いた以外は実施例１と同様に脱揮処理
を行ったところ、揮発性成分の含有量が４０００ｐｐｍ
に低減し、やや臭気が低減した２，２'−ジアリルビス
フェノールＡが得られた。
する。ただし、本発明は下記の実施例に限定されるもの
ではない。 実施例１ ７５００ｐｐｍの揮発性成分を含有し、臭気を有する
２，２'−ジアリルビスフェノールＡを神鋼パンテック
社製２−０３型薄膜蒸発装置（外部コンデンサー型）を
用いて、２００℃の温度、３ｔｏｒｒの圧力、３ｇ／ｍ
ｉｎの原料供給速度で脱揮処理を行ったところ、揮発性
成分の含有量が６０００ｐｐｍに低減し、やや臭気が低
減した２，２'−ジアリルビスフェノールＡが得られ
た。 実施例２ 薄膜蒸発装置に神鋼パンテック社製２−０３型薄膜蒸発
装置（内部コンデンサー型）を用いた以外は実施例１と
同様に脱揮処理を行ったところ、揮発性成分の含有量が
６００ｐｐｍに低減し、臭気が低減した２，２'−ジア
リルビスフェノールＡが得られた。 比較例１ ７５００ｐｐｍの揮発性成分を含有し、臭気を有する
２，２'−ジアリルビスフェノールＡ１５００ｇを２ｌ
フラスコに入れ２００℃の温度、１ｔｏｒｒの圧力で脱
揮処理を行ったが、揮発性成分含有量は低減せず、臭気
も低減しなかった。 実施例３ ７５００ｐｐｍの揮発性成分を含有し、臭気を有する
２，２'−ジアリルビスフェノールＡにキシレンを３部
添加した原料を用いた以外は実施例１と同様に脱揮処理
を行ったところ、揮発性成分の含有量が４０００ｐｐｍ
に低減し、やや臭気が低減した２，２'−ジアリルビス
フェノールＡが得られた。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、工業的実現が容易な方
法により、ビスフェノール類化合物の臭気等の原因物質
である揮発性成分等の不純物を低減させることができ
る。
法により、ビスフェノール類化合物の臭気等の原因物質
である揮発性成分等の不純物を低減させることができ
る。
Claims (9)
- 【請求項１】ビスフェノール類化合物の薄膜を形成さ
せ、加熱により揮発分を除去することを特徴とする、ビ
スフェノール類化合物の精製方法。 - 【請求項２】前記ビスフェノール類化合物が、下記一般
式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1は水素原子、あるいは一価の置換または非
置換の炭化水素基、Ｒ2は水素原子、ハロゲン原子、水
酸基、あるいは一価の置換または非置換の炭化水素基、
Ｒ3は水素原子、あるいは一価の置換または非置換の炭
化水素基またはハロゲン化炭化水素基を表し、それぞれ
のＲ1乃至Ｒ3は同一であっても異なっていてもよい）で
表される、請求項１記載のビスフェノール類化合物の精
製方法。 - 【請求項３】前記Ｒ1が水素原子、Ｒ3がメチル基である
請求項２記載のビスフェノール類化合物の精製方法。 - 【請求項４】前記ビスフェノール類化合物が、下記式
（ＩＩ） 【化２】 で表される２，２'−ジアリルビスフェノールＡであ
る、請求項１記載のビスフェノール類化合物の精製方
法。 - 【請求項５】前記ビスフェノール類化合物に沸点が２５
０℃以下の添加用物質を添加することを特徴とする、請
求項１乃至４のいずれか一項に記載のビスフェノール類
化合物の精製方法。 - 【請求項６】添加用物質の添加部数が、０．１〜１００
０重量部であることを特徴とする請求項５記載のビスフ
ェノール類化合物の精製方法。 - 【請求項７】前記の薄膜形成による揮発分除去操作を、
薄膜蒸発装置内部に揮発分を凝縮させるコンデンサーを
有する薄膜蒸発装置を使用することを特徴とする請求請
１乃至６のいずれか一項に記載のビスフェノール類化合
物の精製方法。 - 【請求項８】０．１〜１０ｔｏｒｒの圧力で揮発分除去
操作を行なうことを特徴とする請求項１乃至７のいずれ
か一項に記載のビスフェノール類化合物の精製方法。 - 【請求項９】請求項１乃至８のいずれか一項に記載の精
製方法により製造された、揮発性成分が低減されたビス
フェノール類化合物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10368673A JP2000191575A (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | ビスフェノ―ル類化合物の精製方法、及び、当該精製方法により製造されたビスフェノ―ル類化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10368673A JP2000191575A (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | ビスフェノ―ル類化合物の精製方法、及び、当該精製方法により製造されたビスフェノ―ル類化合物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000191575A true JP2000191575A (ja) | 2000-07-11 |
Family
ID=18492446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10368673A Pending JP2000191575A (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | ビスフェノ―ル類化合物の精製方法、及び、当該精製方法により製造されたビスフェノ―ル類化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000191575A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6951965B2 (en) | 2002-08-08 | 2005-10-04 | Mitsubishi Chemical Corporation | Process for purifying phenol-containing bisphenol A |
| WO2007026754A1 (ja) * | 2005-09-01 | 2007-03-08 | Api Corporation | ２，２－ビス（３－アリル－４－ヒドロキシフェニル）プロパン |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04288031A (ja) * | 1991-03-14 | 1992-10-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポリアリル化合物 |
| JPH0551338A (ja) * | 1991-08-20 | 1993-03-02 | Chiyoda Corp | 高品位ビスフエノールａの製造方法 |
| JPH0692888A (ja) * | 1991-10-02 | 1994-04-05 | Chiyoda Corp | ビスフェノールａの精製方法 |
| JPH06199720A (ja) * | 1992-12-29 | 1994-07-19 | Chiyoda Corp | 熱安定性の高いビスフェノールａの製造方法 |
| JPH07185201A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-25 | Hitachi Ltd | 遠心薄膜蒸発器 |
-
1998
- 1998-12-25 JP JP10368673A patent/JP2000191575A/ja active Pending
Patent Citations (5)
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