JP2000184780A

JP2000184780A - モータ制御装置

Info

Publication number: JP2000184780A
Application number: JP10359221A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Funaki; 木弘幸舟; Nobuo Yoshioka; 岡信夫吉
Original assignee: Jidosha Denki Kogyo KK
Current assignee: Jidosha Denki Kogyo KK
Priority date: 1998-12-17
Filing date: 1998-12-17
Publication date: 2000-06-30
Anticipated expiration: 2018-12-17
Also published as: JP3554812B2

Abstract

(57)【要約】【課題】大容量のコンデンサを必要とすることなく
確実に位置データの書き込みができて、コンパクトな外
形を得ることができるモータ制御装置を提供する。【解決手段】電源スイッチが閉成された後に開成され
る以前にモータ回転検出手段６よりの回転信号を位置デ
ータに変換して電気的に書き込み可能な不揮発性メモリ
ＭＥＭを備えているモータ制御装置１。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は自動車のパワーウ
インド等の開閉装置を制御するモータ制御装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】自動車の開閉装置を制御するモータ制御
装置としては、コントローラに内蔵され、電気的に書き
込み可能にして消去可能な不揮発性メモリに対し、モー
タの回転信号を位置データとして取り込むことによっ
て、ウインドガラスの現在位置を間接的に検出している
ものが知られている。

【０００３】上記のようなモータ制御装置では、図６に
示されるように、時刻ａにおいて開スイッチ（閉スイッ
チ）がオンされることによってモータが作動される。モ
ータが作動を開始するとモータの電圧ＶＢは無負荷の状
態に対して下がる。またモータが作動を開始することに
よってモータに内蔵された回転センサからのパルス信号
がコントローラに取り込まれる。時刻ａの後の時刻ｂに
おいてウインドガラスがストローク端に到達すると、コ
ントローラによってモータのロックが検出されることに
よってモータに対する通電がカットオフされてモータが
作動を停止される。モータが作動を停止されるとモータ
の電圧ＶＢは無負荷の状態に復帰する。そして、時刻ｂ
の後の時刻ｃにおいて電源スイッチがオフされると、モ
ータの電圧ＶＢは時間の経過とともに下がる。そして、
時刻ｃの後の時刻ｄにおいてモータの電圧ＶＢがメモリ
書き込み電圧Ｖ０を下回ると、コントローラは、回転セ
ンサから与えられたパルス信号数の不揮発性メモリへの
書き込みを始め、時刻ｄの後の時刻ｅにおいてモータの
電圧ＶＢがリセット電圧ＲＥＳを下まわるまでの書き込
み可能時間ｔ内で書き込みが行われる。メモリ書き込み
電圧Ｖ０は、回路内の電源電圧がマイコンのリセット電
圧ＲＥＳ以上になるような回路への供給電圧以上であっ
て、しかも、モータがその仕様の最低作動電圧でロック
したときの電圧降下以下である必要がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のモー
タ制御装置において、コントローラの電源電圧が遮断さ
れた時に、ウインドガラスの位置データを不揮発性メモ
リに書き込むため、不揮発性メモリにウインドガラスの
位置データを書き込むのに十分な時間を確保できるよう
にするための大容量のコンデンサが用いられており、大
容量のコンデンサをコントローラに内蔵することによっ
て、コントローラの外形が大型化するという問題点があ
った。

【０００５】

【発明の目的】この発明に係わるモータ制御装置は、大
容量のコンデンサを必要とすることなく確実に位置デー
タの書き込みができて、コンパクトな外形を得ることが
できるモータ制御装置を提供することを目的としてい
る。

【０００６】

【発明の構成】

【０００７】

【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
わるモータ制御装置では、電源に電気的に接続される電
源スイッチと、電源スイッチに電気的に接続された駆動
回路と、駆動回路に電気的に接続されているとともに負
荷に結合され、駆動回路の作動により負荷を開側または
閉側に駆動するモータと、モータの回転により回転信号
を発生するモータ回転検出手段と、閉じられることによ
り下降指令信号を発生する開スイッチと、閉じられるこ
とにより上昇指令信号を発生する閉スイッチと、電源ス
イッチ、駆動回路、モータ回転検出手段、開スイッチ、
閉スイッチにそれぞれ電気的に接続され、開スイッチよ
り下降指令信号が与えられると駆動回路を介し負荷を開
側に駆動するための電流を供給し、且つ、閉スイッチよ
り上昇指令信号が与えられると駆動回路を介し負荷を閉
側に駆動するための電流を供給するコントローラと、電
源スイッチが閉じられ後に開かれる以前にモータ回転検
出手段よりの回転信号を位置データに変換して電気的に
書き込み可能な不揮発性メモリを備えている構成とした
ことを特徴としている。

【０００８】この発明の請求項２に係わるモータ制御装
置では、電源に電気的に接続される電源スイッチと、電
源スイッチに電気的に接続された駆動回路と、駆動回路
に電気的に接続されているとともに負荷に結合され、駆
動回路の作動により負荷を開側または閉側に駆動するモ
ータと、モータの回転により回転信号を発生するモータ
回転検出手段と、閉じられることにより下降指令信号を
発生する開スイッチと、閉じられることにより上昇指令
信号を発生する閉スイッチと、電源スイッチ、駆動回
路、モータ回転検出手段、開スイッチ、閉スイッチにそ
れぞれ電気的に接続され、開スイッチより下降指令信号
が与えられると、駆動回路を通じ負荷を開側に駆動する
とともに、閉スイッチより上昇指令信号が与えられる
と、駆動回路を通じ負荷を閉側に駆動するコントローラ
と、開スイッチまたは閉スイッチが閉じられた後に開か
れた際毎にモータ回転検出手段よりの回転信号を位置デ
ータに変換して電気的に複数個連続的に書き込み可能な
不揮発性メモリを備えている構成としたことを特徴とし
ている。

【０００９】この発明の請求項３に係わるモータ制御装
置では、コントローラには、開スイッチまたは閉スイッ
チが閉じられたとき毎に不揮発性メモリに書き込まれて
いる位置データを消去し、開スイッチまたは閉スイッチ
が開かれたとき毎に新たな位置データを不揮発性メモリ
に複数個連続的に書き込み可能な制御ブロックを備えて
いる構成としたことを特徴としている。

【００１０】

【発明の作用】この発明の請求項１に係わるモータ制御
装置において、不揮発性メモリは、電源スイッチが閉じ
られた後に開かれる以前にモータ回転検出手段よりの回
転信号を位置データに変換して電気的に書き込んでいる
ため、モータの電圧が低下していないときに位置データ
の書き込みが既に行われている。それ故、書き込みに係
わる時間を必要とせず、大容量のコンデンサを必要とし
ない。

【００１１】この発明の請求項２に係わるモータ制御装
置において、不揮発性メモリは、開スイッチまたは閉ス
イッチが閉じられた後に開かれた際毎にモータ回転検出
手段よりの回転信号を位置データに変換して電気的に書
き込んでいるため、モータの電圧が低下していないとき
に位置データの書き込みが既に行われている。それ故、
書き込みに係わる時間を必要とせず、大容量のコンデン
サを必要としない。また、不揮発性メモリには、モータ
の電圧が低下していないときに、連続的に位置データの
書き込みが行われている。それ故、モータが停止するま
で位置データの書き込みを継続して行えるようにするた
めの大容量のコンデンサを必要とせずに、電源スイッチ
が再投入された際に現在位置の推定が容易に行える。

【００１２】この発明の請求項３に係わるモータ制御装
置において、不揮発性メモリは、開スイッチまたは閉ス
イッチが閉じられたとき毎に不揮発性メモリに書き込ま
れている位置データが制御ブロックによって消去され、
その後に、開スイッチまたは閉スイッチが開かれたとき
毎に新たな位置データが制御ブロックによって書き込ま
れる。それ故、開スイッチ、閉スイッチの動作に応じて
常に最新の位置データが得られる。

【００１３】

【実施例】図１ないし図５には、この発明に係わるモー
タ制御装置の一実施例が示されている。

【００１４】図示されるモータ制御装置１は、開スイッ
チ２、閉スイッチ３、スイッチ（ＳＷ）信号入力ブロッ
ク４、モータ５、回転センサ６、モータ駆動出力ブロッ
ク７、パルス信号入力ブロック８、電源ブロック９（図
２に示される、）、変換ブロック１０（図２に示され
る、）、中央処理回路（コントローラ）ＭＣＵ、ＥＥＰ
ＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭから構成されており、
中央処理回路ＭＣＵに、ワンタッチ動作記憶ブロック１
１、ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴ、ク
ロックジェネレータ１２、制御ブロック１３、入出力制
御ブロック１４、ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタ
イマＴＭ１、パルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣ
Ｔが内蔵されている。

【００１５】図１に示されるモータ制御装置１は、具体
的には図２に示される回路図に表される。

【００１６】開、閉スイッチ２、３は、一方が電源スイ
ッチ（イグニションスイッチ）２０を通じてバッテリで
ある電源２１に電気的に接続され、他方がスイッチ信号
入力ブロック４に電気的に接続されている。開スイッチ
２は、オン切換えされることによって下降指令信号を発
生する。これとは異なり、閉スイッチ３は、オン切換え
されることによって上昇指令信号を発生する。

【００１７】スイッチ信号入力ブロック４は、抵抗Ｒ
６、抵抗Ｒ７から構成されており、抵抗Ｒ６が開スイッ
チ２に電気的に接続され、抵抗Ｒ７が閉スイッチ３に電
気的に接続されている。

【００１８】スイッチ信号入力ブロック４では、電源ス
イッチ２０がオン状態にある際に、開スイッチ２がオン
切換えされると、抵抗Ｒ６を通じ、図示しない電圧クラ
ンプ回路を介し下降指令信号（ハイレベル）を中央処理
回路ＭＣＵに備えた第１の入力ポートＩＮ１に与える。
これとは異なり、電源スイッチ２０がオン状態にある際
に、閉スイッチ３がオン切換えされると、抵抗Ｒ７を通
じ、図示しない電圧クランプ回路を介し上昇指令信号
（ハイレベル）を中央処理回路ＭＣＵに備えた第２の入
力ポートＩＮ２に与える。

【００１９】モータ５には、第１、第２のブラシ端子５
ａ、５ｂが備えられているとともに、図示しないアーマ
チュアに備えたアーマチュアシャフト５ｃが図示しない
ガラス昇降器を介してウインドガラス３０に連結されて
いる。

【００２０】モータ５は、第１のブラシ端子５ａが電源
２１に電気的に接続され、第２のブラシ端子５ｂが接地
に接続されることによってアーマチュアシャフト５ｃが
正回転するため、アーマチュアシャフト５ｃの正回転に
よってウインドガラス３０を開ける。これに反して、第
２のブラシ端子５ｂが電源２１に電気的に接続され、第
１のブラシ端子５ａが接地に接続されることによってア
ーマチュアシャフト５ｃが逆回転するため、アーマチュ
アシャフト５ｃの逆回転によってウインドガラス３０を
閉る。モータ５の第１、第２のブラシ端子５ａ、５ｂ
は、モータ駆動出力ブロック７に電気的に接続されてい
る。

【００２１】モータ駆動出力ブロック７には、第１のリ
レーＲＬ１、第１のスイッチングトランジスタＴＲ１、
第２のリレーＲＬ２、第２のスイッチングトランジスタ
ＴＲ２が備えられている。

【００２２】第１のリレーＲＬ１には、第１のリレーコ
イルＲＬ１−１、第１のリレー常開接点ＲＬ１−２、第
１の常閉接点ＲＬ１−３、第１のリレー可動接点ＲＬ１
−４が備えられている。第１のリレーコイルＲＬ１−１
は、上流側が電源スイッチ２０に接続され、下流側が第
１のスイッチングトランジスタＴＲ１のコレクタに接続
されている。第１のリレー常開接点ＲＬ１−２は、電源
スイッチ２０に接続されている。第１のリレー常閉接点
ＲＬ１−３は、接地に接続されている。第１のリレー可
動接点ＲＬ１−４は、モータ５の第１のブラシ端子５ａ
に接続されている。

【００２３】第１のスイッチングトランジスタＴＲ１
は、エミッタ接地のＮＰＮ型トランジスタであり、ベー
スが図示しない電圧クランプ回路を通じて中央処理回路
ＭＣＵに備えた第１の出力ポートＤ１に接続され、コレ
クタが前述したように第１のリレーコイルＲＬ１−１の
下流側に接続されている。

【００２４】第２のリレーＲＬ２には、第２のリレーコ
イルＲＬ２−１、第２のリレー常開接点ＲＬ２−２、第
２の常閉接点ＲＬ２−３、第２のリレー可動接点ＲＬ２
−４が備えられている。第２のリレーコイルＲＬ２−１
は、上流側が電源スイッチ２０に接続され、下流側が第
２のスイッチングトランジスタＴＲ２のコレクタに接続
されている。第２のリレー常開接点ＲＬ２−２は、電源
スイッチ２０に接続されている。第２のリレー常閉接点
ＲＬ２−３は、接地に接続されている。第２のリレー可
動接点ＲＬ２−４は、モータ５の第２のブラシ端子５ｂ
に接続されている。

【００２５】第２のスイッチングトランジスタＴＲ２
は、エミッタ接地のＮＰＮ型トランジスタであり、ベー
スが図示しない電圧クランプ回路を通じて中央処理回路
ＭＣＵに備えた第２の出力ポートＤ２に接続され、コレ
クタが前述したように第２のリレーコイルＲＬ２−１の
下流側に接続されている。

【００２６】モータ駆動出力ブロック７では、中央処理
回路ＭＣＵの第１の出力ポートＤ１からハイレベルが与
えられるとともに、中央処理回路ＭＣＵの第２の出力ポ
ートＤ２からローレベルが与えられると、第１のスイッ
チングトランジスタＴＲ１がオンされ、第１のリレーコ
イルＲＬ１−１が励磁され、第１のリレー可動接点ＲＬ
１−４が第１のリレー常閉接点ＲＬ１−３から第１のリ
レー常開接点ＲＬ１−２に電気的に接続される。そし
て、電源２１の電流が、第１のリレー常開接点ＲＬ１−
２、第１のリレー可動接点ＲＬ１−４、モータ５の第１
のブラシ端子５ａ、モータ５の第２のブラシ端子５ｂ、
第２のリレー可動接点ＲＬ２−４、第２のリレー常閉接
点ＲＬ２−３、接地に流れるため、モータ５のアーマチ
ュアシャフト５ｃが正回転する。

【００２７】上記に反して、モータ駆動出力ブロック７
では、中央処理回路ＭＣＵの第２の出力ポートＤ２から
ハイレベルが与えられるとともに、中央処理回路ＭＣＵ
の第１の出力ポートＤ１からローレベルが与えられる
と、第２のスイッチングトランジスタＴＲ２がオン切換
えされ、第２のリレーコイルＲＬ２−１が励磁され、第
２のリレー可動接点ＲＬ２−４が第２のリレー常閉接点
ＲＬ２−３から第２のリレー常開接点ＲＬ２−２に電気
的に接続される。そして、電源２１の電流が、第２のリ
レー常開接点ＲＬ２−２、第２のリレー可動接点ＲＬ２
−４、モータ５の第２のブラシ端子５ｂ、モータ５の第
１のブラシ端子５ａ、第１のリレー可動接点ＲＬ１−
４、第１のリレー常閉接点ＲＬ１−３、接地に流れるた
め、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが逆回転す
る。

【００２８】回転センサ６は、ロータリーエンコーダや
タコジェネレータまたはホール素子とマグネットを組み
合わせた回転検出器であって、モータ５のアーマチュア
シャフト５ｃの近くに配置されている。この回転センサ
６は、図２に示されるように、抵抗Ｒ８および抵抗９に
よって分圧され、ツェナダイオードＺＤ３によって制限
された電圧レベルが上流側に与えられており、モータ５
のアーマチュアシャフト５ｃが回転していると、回転に
対応してパルス状の回転信号を発生する。回転センサ６
が発生した回転信号はパルス信号入力ブロック８に与え
られる。

【００２９】パルス信号入力ブロック８は、抵抗Ｒ１
０、コンデンサＣ５からなる。このパルス信号入力ブロ
ック８は、回転センサ６から与えられた回転信号を安定
化したうえで、図示しない電圧クランプ回路を通じ中央
処理回路ＭＣＵに備えた第３の入力ポートＩＮ３に与え
る。

【００３０】電源ブロック９は、ダイオードＤ１、抵抗
Ｒ１、ツェナダイオードＺＤ１、第１のバックアップ用
コンデンサＣ１、第２のバックアップ用コンデンサＣ
２、発振防止用コンデンサＣ４、電源ＩＣ２２からな
る。

【００３１】電源ブロック９では、ダイオードＤ１のア
ノードが電源スイッチ２０に接続され、他端が接地され
た第２のバックアップ用コンデンサＣ２の一端が電源ラ
イン９ａとともに作動用電源ＶＣＣに接続され、電源ラ
イン９ａが中央処理回路ＭＣＵのレギュレータポートＲ
ＥＧおよびＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロック（不揮発性
メモリ）ＭＥＭに接続されている。

【００３２】電源ブロック９では、電源スイッチ２０が
オン状態にあると、第１のバックアップ用コンデンサＣ
１が充電され、電源ＩＣ２２がオンし、第２のバックア
ップ用コンデンサＣ２が充電されて、中央処理回路ＭＣ
ＵのレギュレータポートＲＥＧ、ＥＥＰＲＯＭ外部メモ
リブロックＭＥＭに所定のドライブ電圧を与える。そし
て、電源ブロック９では、電源スイッチ２０がオフ切換
えされると、第１のバックアップ用コンデンサＣ１、第
２のバックアップ用コンデンサＣ２がそれぞれ放電さ
れ、放電電圧が、中央処理回路ＭＣＵのレギュレータポ
ートＲＥＧ、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに
与えられる。

【００３３】ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ
（electrically erasable programma-ble ROM ）は、電
気的に書き換え可能なＲＯＭであり、非通電状態でも記
憶内容が保持される不揮発性メモリである。このＥＥＰ
ＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭは、中央処理回路ＭＣ
Ｕに備えたシリアル出力ポートＳＯＵＴより与えられた
ガラス位置データを所定のメモリエリア内に格納し、シ
リアル入力ポートＳＩＮを介して所定のメモリエリアよ
りガラス位置データを取り出す。

【００３４】変換ブロック１０には、抵抗Ｒ２、Ｒ３、
Ｒ４、Ｒ５、ツェナダイオードＺＤ２、コンデンサＣ３
が備えられている。

【００３５】変換ブロック１０では、抵抗Ｒ２と抵抗Ｒ
３とによって分圧され、ツェナダイオードＺＤ２によっ
て制限され、抵抗Ｒ４とコンデンサＣ３によって積分さ
れ、抵抗Ｒ５によって調整された電圧レベルの信号を中
央処理回路ＭＣＵに備えた変換ポートＡ／Ｄに与える。

【００３６】中央処理回路ＭＣＵ内では、開スイッチ２
がオン切換えされることによってスイッチ信号入力ブロ
ック４から第１の入力ポートＩＮ１に与えられた下降指
令信号（ハイレベル）、閉スイッチ３がオン切換えされ
ることによってスイッチ信号入力ブロック４から第２の
入力ポートＩＮ２に与えられた上昇指令信号（ハイレベ
ル）がそれぞれ与えられる。

【００３７】ワンタッチ動作記憶ブロック１１は、開ス
イッチ２がオン切換えされることによってスイッチ信号
入力ブロック４から第１の入力ポートＩＮ１に与えられ
た下降指令信号（ハイレベル）、閉スイッチ３がオン切
換えされることによってスイッチ信号入力ブロック４か
ら第２の入力ポートＩＮ２に与えられた上昇指令信号
（ハイレベル）の入力時間を検出している。

【００３８】ワンタッチ動作記憶ブロック１１では、開
スイッチ２から与えられた下降指令信号、閉スイッチ３
から与えられた上昇指令信号のそれぞれの入力信号が予
め定められた時間よりも長くなった場合、後述するもの
とは別に定められたプログラムによってフラグがセット
されることによりそれぞれの入力信号を記憶し、それぞ
れの入力信号が与えられなくなってからも、記憶したそ
れぞれの入力信号を制御ブロック１４に与え続けてワン
タッチ動作を行う。

【００３９】ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤ
ＣＴは、制御ブロック１３とのあいだで番地信号の授与
を行うカウンタである。

【００４０】クロックジェネレータ１２は、実行するプ
ログラムの時間管理を行う。

【００４１】入出力制御ブロック１４は、制御ブロック
１３から与えられた書き込み指令により、書き込みイン
ターバルタイマＴＭ１によって定められた時間毎に、Ｅ
ＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内においてＥＥＰ
ＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴによって定めら
れた番地にパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴ
より与えられた回転信号数（ガラス位置データ）でのメ
モリ書き込みを行う機能を有し、また、入出力制御ブロ
ック１４は、制御ブロック１３より与えられた読み込み
指令によりＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内の
任意の番地の１回転信号数（ガラス位置データ）を読み
込む機能を有する。

【００４２】書き込みインターバルタイマＴＭ１は、制
御ブロック１３より入出力制御ブロック１４を通じて行
われるＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭへの書き
込みを一定の時間毎に行う機能を有する。このとき、書
き込みインターバルタイマＴＭ１は予め定められた値Ｘ
ＭＥＭＷＲと比較することによってインターバル時間の
経過を測る。

【００４３】パルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣ
Ｔは、パルス信号入力ブロック８より制御ブロック１３
に与えられた回転信号を計数する。中央処理回路ＭＣＵ
に備えたリセットポートＲＥＳはリセット回路１５に接
続されている。

【００４４】中央処理回路ＭＣＵでは、電源スイッチ２
０がオンされている状態で、図３に示されるように、時
刻Ａにおいて開スイッチ２がオン切換えされることによ
ってスイッチ信号入力ブロック４より下降指令信号が制
御ブロック１３に与えられると、制御ブロック１３（第
１の出力ポートＤ１）よりモータ駆動出力ブロック７の
第１のスイッチングトランジスタＴＲ１のベースにハイ
レベルが与えられるため、モータ５のアーマチュアシャ
フト５ｃが正回転し、ウインドガラス３０が開く。この
とき、開スイッチ２が発生した下降指令信号が予め定め
られた時間よりも長くなった場合、プログラム内でワン
タッチ開フラグがセットされるため、ワンタッチ動作記
憶ブロック１１において下降指令信号を記憶して制御ブ
ロック１３に与え続ける。そして、モータ５のアーマチ
ュアシャフト５ｃが正回転することによってパルス信号
入力ブロック８より制御ブロック１３に回転信号が与え
られてパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴが回
転信号の計数を開始し、制御ブロック１３より入出力制
御ブロック１４を通じてＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロッ
クＭＥＭに格納されているガラス位置データのメモリ消
去が行われる。

【００４５】時刻Ａの後の時刻Ｂにおいて、ウインドガ
ラス３０が全開位置Ｄに到達すると、ウインドガラス３
０が移動を阻止されることによってモータ５のアーマチ
ュアシャフト５ｃが回転を拘束されるため、開スイッチ
２がオフ切換えされる。すると、中央処理回路ＭＣＵで
は、制御ブロック１３より入出力制御ブロック１４に書
き込み指令が与えられ、書き込みインターバルタイマＴ
Ｍ１によって定められた時間毎に、ＥＥＰＲＯＭ外部メ
モリブロックＭＥＭ内においてＥＥＰＲＯＭメモリアド
レスカウンタＡＤＣＴによって定められた番地にパルス
カウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴより与えられた回
転信号数（ガラス位置データ）でのメモリ書き込みが行
われる。

【００４６】そして、時刻Ｂの後の時刻Ｃにおいて電源
スイッチ２０がオフ切換えされても、時刻Ｂにおいて既
にメモリ書き込みが行われたガラス位置データを用いて
ウインドガラス３０の現在位置の検出が行われる。それ
故、メモリ書き込みが行われる際のモータ５の電圧ＶＢ
は無負荷の状態とほぼ同一であって、電源スイッチ２０
がオフ切換えされてからのように下がったものとならな
いため、電源スイッチ２０がオフ切換えされてからの短
い時間を使ってメモリ書き込みを行うものと比べ、大き
な容量のバックアップコンデンサを必要とせずに、電源
ブロック９に備えられた第１のバックアップ用コンデン
サＣ１、第２のバックアップ用コンデンサＣ２は容量が
小さいものとなる。

【００４７】一方、中央処理回路ＭＣＵでは、電源スイ
ッチ２０がオン切換えされている状態で、図３に示され
るように、時刻Ａにおいて閉スイッチ３がオン切換えさ
れることによってスイッチ信号入力ブロック４より上昇
指令信号が制御ブロック１３に与えられると、制御ブロ
ック１３（第２の出力ポートＤ２）よりモータ駆動出力
ブロック７の第２のスイッチングトランジスタＴＲ２の
ベースにハイレベルが与えられるため、モータ５のアー
マチュアシャフト５ｃが逆回転し、ウインドガラス３０
が閉る。このとき、閉スイッチ３が発生した上昇指令信
号が予め定められた時間よりも長くなった場合、プログ
ラム内でワンタッチ閉フラグがセットされるため、ワン
タッチ動作記憶ブロック１１において上昇指令信号を記
憶して制御ブロック１４に与え続ける。そして、モータ
５のアーマチュアシャフト５ｃが逆回転することによっ
てパルス信号入力ブロック８より制御ブロック１３に回
転信号が与えられてパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩ
ＮＤＣＴが回転信号の計数を開始し、制御ブロック１３
より入出力制御ブロック１４を通じてＥＥＰＲＯＭ外部
メモリブロックＭＥＭに格納されているガラス位置デー
タのメモリ消去が行われる。

【００４８】時刻Ａの後の時刻Ｂにおいて、ウインドガ
ラス３０が全閉位置Ｅに到達すると、ウインドガラス３
０が移動を阻止されることによってモータ５のアーマチ
ュアシャフト５ｃが回転を拘束されるため、閉スイッチ
２がオフ切換えされる。すると、中央処理回路ＭＣＵで
は、制御ブロック１３より入出力制御ブロック１４に書
き込み指令が与えられ、書き込みインターバルタイマＴ
Ｍ１によって定められた時間毎に、ＥＥＰＲＯＭ外部メ
モリブロックＭＥＭ内においてＥＥＰＲＯＭメモリアド
レスカウンタＡＤＣＴによって定められた番地にパルス
カウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴより与えられた回
転信号数（ガラス位置データ）でのメモリ書き込みが行
われる。

【００４９】そして、時刻Ｂの後の時刻Ｃにおいて電源
スイッチ２０がオフ切換えされても、時刻Ｂにおいて既
にメモリ書き込みが行われたガラス位置データを用いて
ウインドガラス３０の現在位置の検出が行われる。それ
故、メモリ書き込みが行われる際のモータ５の電圧ＶＢ
は無負荷の状態とほぼ同一であって、電源スイッチ２０
がオフ切換えされてからのように下がったものとならな
いため、電源スイッチ２０がオフ切換えされてからの短
い時間を使ってメモリ書き込みを行うものと比べ、大き
な容量のバックアップコンデンサを必要とせずに、電源
ブロック９に備えられた第１のバックアップ用コンデン
サＣ１、第２のバックアップ用コンデンサＣ２は容量が
小さいものとなる。

【００５０】上記のようなモータ制御装置１は、図４お
よび図５に示されるプログラムに従って制御動作を行
う。図４はスイッチ信号取り込みルーチンであり、図５
はＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭへの書き込み
ルーチンである。なお、当該プログラムにおいてワンタ
ッチ開フラグ、ワンタッチ閉フラグは、図示しない別の
プログラムにおいてセットされ、モータ５のアーマチュ
アシャフト５ｃが回転を拘束されることによってロック
されると図示しない別のプログラムにおいてリセットさ
れる。図４のプログラム中のステップ１０６はメモリ書
き込みのためのプログラムで、前述した図５に示された
ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭへの書き込みル
ーチンとして示される。

【００５１】図３に示される時刻Ａにおいて開スイッチ
２がオン切換えされると、ステップ１０１においての判
別で「開スイッチ２がオン」なのでステップ１０８に移
行し、ステップ１０８においての判別で「メモリ消去フ
ラグＦＭＥＲＡＳＥはセットされていない」のでステッ
プ１０９に移行し、ステップ１０９において「ＥＥＰＲ
ＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内に既に格納されている
ガラス位置データを全数クリア」してステップ１１０に
移行し、ステップ１１０において「メモリ消去フラグＦ
ＭＥＲＡＳＥをリセット」してステップ１１２に移行
し、ステップ１１２において「メモリ書き込み完了フラ
グＦＭＷＲＥＮＤをリセット」する。

【００５２】開スイッチ２がオン切換えされることによ
って、スイッチ信号入力ブロック４より下降指令信号が
制御ブロック１３に与えられ、制御ブロック１３（第１
の出力ポートＤ１）よりモータ駆動出力ブロック７の第
１のスイッチングトランジスタＴＲ１のベースにハイレ
ベルが与えられ、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃ
が正回転し、ウインドガラス３０が開く。

【００５３】モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが正
回転を始めることによって、回転センサ６が回転信号を
発生し、回転センサ６が発生したパルス信号がパルス信
号入力ブロック８を介して制御ブロック１３に取り込ま
れ、パルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴにおい
て計数される。

【００５４】ウインドガラス３０が開側に移動された
後、開スイッチがオフ切換えされると、モータ５のアー
マチュアシャフト５ｃが停止する。

【００５５】開スイッチ２がオフ切換えされると、ステ
ップ１０１においての判別で「開スイッチ２はオンして
いない」のでステップ１０２に移行し、ステップ１０２
においての判別で「閉スイッチ３はオンしていない」の
でステップ１０３に移行し、ステップ１０３においての
判別で「ワンタッチ開フラグはセットされていない」の
でステップ１０４に移行し、ステップ１０４においての
判別で「ワンタッチ閉フラグはセットされていない」の
でステップ１０５に移行し、ステップ１０５においての
判別で「メモリ書き込み完了フラグＦＭＷＲＥＮＤはセ
ットされていない」のでステップ１０６に移行する。

【００５６】ステップ１０６が実行されることにより書
き込みルーチンが実行され、ステップ１２０においての
判別で「メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷはセッ
トされていない」ので、ステップ１２１に移行し、ステ
ップ１２１において「メモリ書き込み完了フラグをリセ
ット」してステップ１２２に移行し、ステップ１２２に
おいて「書き込みインターバルタイマＴＭ１をクリア」
してステップ１２３に移行し、ステップ１２３において
「ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴをクリ
ア（メモリ書き込みの初期設定）」してステップ１２４
に移行し、ステップ１２４において「メモリ書き込み中
フラグＦＭＷＲＮＯＷをセット」してステップ１２５に
移行する。

【００５７】このとき、ステップ１２４において「メモ
リ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷがセットされる」た
め、以降のルーチンからはステップ１２０からステップ
１２５にスキップする。

【００５８】ステップ１２５においての判別で「書き込
みインターバルタイマＴＭ１が予め定められたインター
バル時間を越えたか否か」の判別が行われる。インター
バル時間を越えるまでのあいだはステップ１２５からＥ
ＮＤに移行する。一方、書き込みインターバルタイマＴ
Ｍ１が予め定められたインターバル時間を越えたら、ス
テップ１２６に移行する。

【００５９】ステップ１２５から移行したステップ１２
６において「ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内
でＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴによっ
て定められた番地にパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩ
ＮＤＣＴより与えられた回転信号数（ガラス位置デー
タ）でのメモリ書き込み」が行われてステップ１２７に
移行し、ステップ１２７において「ＥＥＰＲＯＭメモリ
アドレスカウンタＡＤＣＴをインクリメント」してステ
ップ１２８に移行し、ステップ１２８において「書き込
みインターバルタイマＴＭ１をクリア」してステップ１
２９に移行し、ステップ１２９において「ＥＥＰＲＯＭ
メモリアドレスカウンタＡＤＣＴが最大値Ｎになってい
るか否か」が判別される。

【００６０】ステップ１２９においての判別で「ＥＥＰ
ＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴが最大値Ｎにな
った」ら、ステップ１３０に移行する一方、「ＥＥＰＲ
ＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴが最大値Ｎになる
まで」の間はステップ１３０、ステップ１３１をスキッ
プする。

【００６１】ステップ１２９から移行したステップ１３
０において「メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷを
リセット」してステップ１３１に移行し、ステップ１３
１において「メモリ書き込み完了フラグＦＭＷＲＥＮＤ
をセット」し、ＭＥＭ書き込みルーチンを終了し、スイ
ッチ信号取り込みルーチンのステップ１０７に移行す
る。

【００６２】ステップ１０７においてメモリブロックへ
の書き込みが終了したので、メモリ消去フラグＦＭＥＲ
ＡＳＥをリセットする。

【００６３】上述したように、開スイッチ２がオン切換
えされてから、オフ切換えされたときに、ＥＥＰＲＯＭ
外部メモリブロックＭＥＭへのガラス位置データの書き
込みが行われる。

【００６４】そして、開スイッチ２がオン切換えされた
際、開スイッチ２のオン時間が予め定められた時間より
も長いと、開スイッチ２がオフ切換えされた後も他のプ
ログラムによってワンタッチ開フラグがセットされるた
め、ステップ１０１での判別でステップ１０２に移行
し、ステップ１０２においての判別でステップ１０３に
移行し、ステップ１０３においての判別でワンタッチ開
フラグがセットされているため、ステップ１０８に移行
し、ステップ１０９、ステップ１１０、ステップ１１
１、ステップ１１２に移行するルーチンを実行し、制御
ブロック１３（第１の出力ポートＤ１）よりモータ駆動
出力ブロック７の第１のスイッチングトランジスタＴＲ
１のベースにハイレベルが与えられ続け、モータ５のア
ーマチュアシャフト５ｃが正回転を続けて、ウインドガ
ラス３０が開く側に移動し続けるワンタッチ動作が行わ
れる。

【００６５】そして、ウインドガラス３０が開側に移動
され、全開位置Ｄに到達すると、ウインドガラス３０が
移動を阻止されることによって、モータ５のアーマチュ
アシャフト５ｃが正回転を拘束されてロックされるた
め、ワンタッチ開フラグがリセットされ、ステップ１０
１においての判別でステップ１０２に移行し、ステップ
１０２においての判別でステップ１０３に移行し、ステ
ップ１０３においての判別でステップ１０４に移行し、
ステップ１０４においての判別でステップ１０５に移行
し、ステップ１０５においての判別でメモリ書き込み完
了フラグＦＭＷＲＥＮＤはセットされていないのでステ
ップ１０６に移行する。

【００６６】ステップ１０６が実行されることにより書
き込みルーチンが実行され、ステップ１２０においての
判別で「メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷはセッ
トされていない」ので、ステップ１２１に移行し、ステ
ップ１２１において「メモリ書き込み完了フラグをリセ
ット」してステップ１２２に移行し、ステップ１２２に
おいて「書き込みインターバルタイマＴＭ１をクリア」
してステップ１２３に移行し、ステップ１２３において
「ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴをクリ
ア（メモリ書き込みの初期設定）」してステップ１２４
に移行し、ステップ１２４において「メモリ書き込み中
フラグＦＭＷＲＮＯＷをセット」してステップ１２５に
移行する。

【００６７】このとき、ステップ１２４において「メモ
リ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷがセット」されるた
め、以降のルーチンからはステップ１２０からステップ
１２５にスキップする。

【００６８】ステップ１２５においての判別で「書き込
みインターバルタイマＴＭ１が予め定められたインター
バル時間を越えたか否か」の判別が行われる。インター
バル時間を越えるまでのあいだはステップ１２５からＥ
ＮＤに移行する。一方、書き込みインターバルタイマＴ
Ｍ１が予め定められたインターバル時間を越えたら、ス
テップ１２６に移行する。

【００６９】ステップ１２５から移行したステップ１２
６において「ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内
でＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴによっ
て定められた番地にパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩ
ＮＤＣＴより与えられた回転信号数（ガラス位置デー
タ）でのメモリ書き込み」が行われてステップ１２７に
移行し、ステップ１２７において「ＥＥＰＲＯＭメモリ
アドレスカウンタＡＤＣＴをインクリメント」してステ
ップ１２８に移行し、ステップ１２８において「書き込
みインターバルタイマＴＭ１をクリア」してステップ１
２９に移行し、ステップ１２９において「ＥＥＰＲＯＭ
メモリアドレスカウンタＡＤＣＴが最大値Ｎになってい
るか否か」が判別される。

【００７０】ステップ１２９においての判別で「ＥＥＰ
ＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴが最大値Ｎにな
った」ら、ステップ１３０に移行する一方、「ＥＥＰＲ
ＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴが最大値Ｎになる
まで」の間はステップ１３０、ステップ１３１をスキッ
プする。

【００７１】ステップ１２９から移行したステップ１３
０において「メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷを
リセット」してステップ１３１に移行し、ステップ１３
１において「メモリ書き込み完了フラグＦＭＷＲＥＮＤ
をセット」し、ＭＥＭ書き込みルーチンを終了し、スイ
ッチ信号取り込みルーチンのステップ１０７に移行す
る。

【００７２】ステップ１０７において「メモリブロック
への書き込みが終了した」ので、「メモリ消去フラグＦ
ＭＥＲＡＳＥをリセット」する。

【００７３】上述したように、ワンタッチ開フラグがリ
セットされたときに、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロック
ＭＥＭへのガラス位置データの書き込みが行われる。

【００７４】他方、図３に示される時刻Ａにおいて閉ス
イッチ３がオン切換えされた場合、ステップ１０１にお
いての判別で「開スイッチ２はオン切換えされていな
い」のでステップ１０２に移行し、ステップ１０２にお
いての判別で「閉スイッチ３はオン切換えされている」
のでステップ１０８に移行し、上述と同様にしてステッ
プ１０８、ステップ１０９、ステップ１１０、ステップ
１１２を実行し、ウインドガラス３０が閉側に移動され
た後、開スイッチ２がオフ切換えされることによって、
上述と同様にしてステップ１０１、ステップ１０２、ス
テップ１０３、ステップ１０４、ステップ１０５、ステ
ップ１０６、ステップ１２０、ステップ１２１、ステッ
プ１２２、ステップ１２３、ステップ１２４、ステップ
１２５、ステップ１２６、ステップ１２７、ステップ１
２８、ステップ１２９、ステップ１３０、ステップ１３
１、ステップ１０７を実行する。

【００７５】この場合も、閉スイッチ３がオン切換えさ
れてから、オフ切換えされたときに、ＥＥＰＲＯＭ外部
メモリブロックＭＥＭへのガラス位置データの書き込み
が行われる。

【００７６】そして、閉スイッチ３がオン切換えされた
際、閉スイッチ３のオン時間が予め定められた時間より
も長いと、他のプログラムによってワンタッチ閉フラグ
がセットされるため、ステップ１０１での判別でステッ
プ１０２に移行し、ステップ１０２においての判別でス
テップ１０３に移行し、ステップ１０３においての判別
でステップ１０４に移行し、ステップ１０４においての
判別でステップ１０８に移行し、ステップ１０８、ステ
ップ１０９、ステップ１１０、ステップ１１１、ステッ
プ１１２を実行し、ウインドガラス３０が閉側に移動さ
れ、全閉位置Ｅに到達すると、ウインドガラス３０が移
動を阻止されることによって、モータ５のモータシャフ
ト５ｃが回転を拘束されると、ワンタッチ閉フラグがリ
セットされることによって、上述と同様にしてステップ
１０１、ステップ１０２、ステップ１０３、ステップ１
０４、ステップ１０５、ステップ１０６、ステップ１０
７、ステップ１２０、ステップ１２１、ステップ１２
２、ステップ１２３、ステップ１２４、ステップ１２
５、ステップ１２６、ステップ１２７、ステップ１２
８、ステップ１２９、ステップ１３０、ステップ１３
１、ステップ１０７を実行する。

【００７７】この場合も、ワンタッチ閉フラグがリセッ
トされたときに、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥ
Ｍへのガラス位置データの書き込みが行われる。

【００７８】上述したように、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリ
ブロックＭＥＭへのガラス位置データの書き込みは、電
源スイッチ２０がオン切換えされた後にオフ切換えされ
る以前に、モータ電圧が低下していないときに行われ
る。

【００７９】

【発明の効果】以上説明してきたように、この発明の請
求項１に係わるモータ制御装置によれば、不揮発性メモ
リは、電源スイッチが閉成された後に開成される以前に
モータ回転検出手段よりの回転信号を位置データに変換
して電気的に書き込んでいるため、モータの電圧が低下
していないときに位置データの書き込みが既に行われて
いる。それ故、モータが停止するまで位置データの書き
込みを継続して行えるようにするための大容量のコンデ
ンサを必要としない。よって、大容量のコンデンサを必
要とすることなく確実に位置データの書き込みができ
て、コンパクトな外形を得ることができるという優れた
効果を奏する。

【００８０】この発明の請求項２に係わるモータ制御装
置によれば、不揮発性メモリは、開スイッチまたは閉ス
イッチが閉成された後に開成された際毎にモータ回転検
出手段よりの回転信号を位置データに変換して電気的に
書き込んでいるため、モータの電圧が低下していないと
きに位置データの書き込みが既に行われている。それ
故、開スイッチまたは閉スイッチが閉成された後に開成
された際毎にモータ回転検出手段よりの回転信号を位置
データに変換して電気的に書き込んでいるため、モータ
の電圧が低下していないときに、連続的に位置データの
書き込みが行われている。それ故、モータが停止するま
で位置データの書き込みを継続して行えるようにするた
めの大容量のコンデンサを必要とせずに、電源スイッチ
が再投入された際に現在位置の推定が誤差なしにして容
易に行える。よって、大容量のコンデンサを必要とする
ことなく確実に位置データの書き込みができて、コンパ
クトな外形を得ることができるという優れた効果を奏す
る。

【００８１】この発明の請求項３に係わるモータ制御装
置によれば、不揮発性メモリは、開スイッチまたは閉ス
イッチが閉成されたとき毎に不揮発性メモリに書き込ま
れている位置データが制御ブロックによって消去され、
その後に、開スイッチまたは閉スイッチが開成されたと
き毎に新たな位置データが制御ブロックによって書き込
まれる。よって、開スイッチ、閉スイッチの動作に応じ
て常に最新の位置データが得られるという優れた効果を
奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係わるモータ制御装置の一実施例の
ブロック構成図である。

【図２】図１に示したモータ制御装置の具体的回路図で
ある。

【図３】図１に示したモータ制御装置においてのタイミ
ングチャートである。

【図４】図１に示したモータ制御装置においての制御動
作を説明するフローチャートである。

【図５】図１に示したモータ制御装置においての制御動
作を説明するフローチャートである。

【図６】従来のモータ制御装置においてのタイミングチ
ャートである。

【符号の説明】

１モータ制御装置２開スイッチ３閉スイッチ５モータ６（モータ回転検出手段）回転センサ７（駆動回路）モータ駆動ブロック１３制御ブロック２０電源スイッチ、ＩＧスイッチ、イグニションスイ
ッチ３０（負荷）ウインドガラスＭＣＵ（コントローラ）中央処理回路ＭＥＭ（不揮発性メモリ）ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブ
ロックＶＢモータ電圧

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2E052 AA09 BA02 CA06 EA14 EB01 EC01 GA10 GB12 KA12 KA13 3D127 AA17 BB01 CB05 CC05 DF03 DF04 DF35 FF09 5H571 AA03 BB03 BB07 EE02 FF09 GG01 GG02 HA01 HA04 HA08 HA16 JJ02 JJ03 JJ13 JJ16 JJ18 KK06 LL03 LL07 LL10 LL32

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電源に電気的に接続される電源スイッチ
と、上記電源スイッチに電気的に接続された駆動回路と、上記駆動回路に電気的に接続されているとともに負荷に
結合され、駆動回路の作動により該負荷を開側または閉
側に駆動するモータと、上記モータの回転により回転信号を発生するモータ回転
検出手段と、閉じられることにより下降指令信号を発生する開スイッ
チと、閉じられることにより上昇指令信号を発生する閉スイッ
チと、上記電源スイッチ、駆動回路、モータ回転検出手段、開
スイッチ、閉スイッチにそれぞれ電気的に接続され、該
開スイッチより下降指令信号が与えられると駆動回路を
介し負荷を開側に駆動するための電流を供給し、且つ、
該閉スイッチより上昇指令信号が与えられると駆動回路
を介し負荷を閉側に駆動するための電流を供給するコン
トローラと、上記電源スイッチが閉じられた後に開かれる以前に該モ
ータ回転検出手段よりの回転信号を位置データに変換し
て電気的に書き込み可能な不揮発性メモリを備えている
ことを特徴とするモータ制御装置。
【請求項２】電源に電気的に接続される電源スイッチ
と、上記電源スイッチに電気的に接続された駆動回路と、上記駆動回路に電気的に接続されているとともに負荷に
結合され、駆動回路の作動により該負荷を開側または閉
側に駆動するモータと、上記モータの回転により回転信号を発生するモータ回転
検出手段と、閉じられることにより下降指令信号を発生する開スイッ
チと、閉じられることにより上昇指令信号を発生する閉スイッ
チと、上記電源スイッチ、駆動回路、モータ回転検出手段、開
スイッチ、閉スイッチにそれぞれ電気的に接続され、該
開スイッチより下降指令信号が与えられると、駆動回路
を通じ負荷を開側に駆動するとともに、該閉スイッチよ
り上昇指令信号が与えられると、駆動回路を通じ負荷を
閉側に駆動するコントローラと、上記開スイッチまたは閉スイッチが閉じられた後に開か
れた際毎に該モータ回転検出手段よりの回転信号を位置
データに変換して電気的に複数個連続的に書き込み可能
な不揮発性メモリを備えていることを特徴とするモータ
制御装置。
【請求項３】コントローラには、開スイッチまたは閉
スイッチが閉じられたとき毎に不揮発性メモリに書き込
まれている位置データを消去し、該開スイッチまたは閉
スイッチが開かれたとき毎に新たな位置データを不揮発
性メモリに複数個連続的に書き込み可能な制御ブロック
を備えていることを特徴とする請求項２に記載のモータ
制御装置。