JP3554812B2 - モータ制御装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は自動車のパワーウインド等の開閉装置を制御するモータ制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
自動車の開閉装置を制御するモータ制御装置としては、コントローラに内蔵され、電気的に書き込み可能にして消去可能な不揮発性メモリに対し、モータの回転信号を位置データとして取り込むことによって、ウインドガラスの現在位置を間接的に検出しているものが知られている。
【０００３】
上記のようなモータ制御装置では、図６に示されるように、時刻ａにおいて開スイッチ（閉スイッチ）がオンされることによってモータが作動される。モータが作動を開始するとモータの電圧ＶＢは無負荷の状態に対して下がる。またモータが作動を開始することによってモータに内蔵された回転センサからのパルス信号がコントローラに取り込まれる。時刻ａの後の時刻ｂにおいてウインドガラスがストローク端に到達すると、コントローラによってモータのロックが検出されることによってモータに対する通電がカットオフされてモータが作動を停止される。モータが作動を停止されるとモータの電圧ＶＢは無負荷の状態に復帰する。そして、時刻ｂの後の時刻ｃにおいて電源スイッチがオフされると、モータの電圧ＶＢは時間の経過とともに下がる。そして、時刻ｃの後の時刻ｄにおいてモータの電圧ＶＢがメモリ書き込み電圧Ｖ０を下回ると、コントローラは、回転センサから与えられたパルス信号数の不揮発性メモリへの書き込みを始め、時刻ｄの後の時刻ｅにおいてモータの電圧ＶＢがリセット電圧ＲＥＳを下まわるまでの書き込み可能時間ｔ内で書き込みが行われる。メモリ書き込み電圧Ｖ０は、回路内の電源電圧がマイコンのリセット電圧ＲＥＳ以上になるような回路への供給電圧以上であって、しかも、モータがその仕様の最低作動電圧でロックしたときの電圧降下以下である必要がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記のモータ制御装置において、コントローラの電源電圧が遮断された時に、ウインドガラスの位置データを不揮発性メモリに書き込むため、不揮発性メモリにウインドガラスの位置データを書き込むのに十分な時間を確保できるようにするための大容量のコンデンサが用いられており、大容量のコンデンサをコントローラに内蔵することによって、コントローラの外形が大型化するという問題点があった。
【０００５】
【発明の目的】
この発明に係わるモータ制御装置は、大容量のコンデンサを必要とすることなく確実に位置データの書き込みができて、コンパクトな外形を得ることができるモータ制御装置を提供することを目的としている。
【０００６】
【発明の構成】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この発明の請求項１に係わるモータ制御装置では、電源に電気的に接続される電源スイッチと、上記電源スイッチに電気的に接続された駆動回路と、上記駆動回路に電気的に接続されているとともに負荷に結合され、駆動回路の作動により該負荷を開側または閉側に駆動するモータと、上記モータの回転により回転信号を発生するモータ回転検出手段と、閉じられることにより下降指令信号を発生する開スイッチと、閉じられることにより上昇指令信号を発生する閉スイッチと、上記電源スイッチ、駆動回路、モータ回転検出手段、開スイッチ、閉スイッチにそれぞれ電気的に接続され、該開スイッチより下降指令信号が与えられると、駆動回路を通じ負荷を開側に駆動するとともに、該閉スイッチより上昇指令信号が与えられると、駆動回路を通じ負荷を閉側に駆動しかつ上記開スイッチまたは上記閉スイッチが閉じられたとき毎に不揮発性メモリに書き込まれている位置データを消去し、該開スイッチまたは閉スイッチが開かれたとき毎に新たな位置データを不揮発性メモリに複数個連続的に書き込み可能な制御ブロックを備えたコントローラと、上記開スイッチまたは閉スイッチが閉じられた後に開かれた際毎に該モータ回転検出手段よりの回転信号を位置データに変換して電気的に複数個連続的に書き込み可能な不揮発性メモリを備えている構成としたことを特徴としている。
【０００８】
【発明の作用】
この発明の請求項１に係わるモータ制御装置において、不揮発性メモリは、開スイッチまたは閉スイッチが閉じられた後に開かれた際毎にモータ回転検出手段よりの回転信号を位置データに変換して電気的に書き込んでいるため、モータの電圧が低下していないときに位置データの書き込みが既に行われている。それ故、書き込みに係わる時間を必要とせず、大容量のコンデンサを必要としない。また、不揮発性メモリには、モータの電圧が低下していないときに、連続的に位置データの書き込みが行われている。それ故、モータが停止するまで位置データの書き込みを継続して行えるようにするための大容量のコンデンサを必要とせずに、電源スイッチが再投入された際に現在位置の推定が容易に行える。また、不揮発性メモリは、開スイッチまたは閉スイッチが閉じられたとき毎に不揮発性メモリに書き込まれている位置データが制御ブロックによって消去され、その後に、開スイッチまたは閉スイッチが開かれたとき毎に新たな位置データが制御ブロックによって書き込まれる。それ故、開スイッチ、閉スイッチの動作に応じて常に最新の位置データが得られる。
【０００９】
【実施例】
図１ないし図５には、この発明に係わるモータ制御装置の一実施例が示されている。
【００１０】
図示されるモータ制御装置１は、開スイッチ２、閉スイッチ３、スイッチ（ＳＷ）信号入力ブロック４、モータ５、回転センサ６、モータ駆動出力ブロック７、パルス信号入力ブロック８、電源ブロック９（図２に示される、）、変換ブロック１０（図２に示される、）、中央処理回路（コントローラ）ＭＣＵ、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭから構成されており、中央処理回路ＭＣＵに、ワンタッチ動作記憶ブロック１１、ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴ、クロックジェネレータ１２、制御ブロック１３、入出力制御ブロック１４、ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１、パルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴが内蔵されている。
【００１１】
図１に示されるモータ制御装置１は、具体的には図２に示される回路図に表される。
【００１２】
開、閉スイッチ２、３は、一方が電源スイッチ（イグニションスイッチ）２０を通じてバッテリである電源２１に電気的に接続され、他方がスイッチ信号入力ブロック４に電気的に接続されている。開スイッチ２は、オン切換えされることによって下降指令信号を発生する。これとは異なり、閉スイッチ３は、オン切換えされることによって上昇指令信号を発生する。
【００１３】
スイッチ信号入力ブロック４は、抵抗Ｒ６、抵抗Ｒ７から構成されており、抵抗Ｒ６が開スイッチ２に電気的に接続され、抵抗Ｒ７が閉スイッチ３に電気的に接続されている。
【００１４】
スイッチ信号入力ブロック４では、電源スイッチ２０がオン状態にある際に、開スイッチ２がオン切換えされると、抵抗Ｒ６を通じ、図示しない電圧クランプ回路を介し下降指令信号（ハイレベル）を中央処理回路ＭＣＵに備えた第１の入力ポートＩＮ１に与える。これとは異なり、電源スイッチ２０がオン状態にある際に、閉スイッチ３がオン切換えされると、抵抗Ｒ７を通じ、図示しない電圧クランプ回路を介し上昇指令信号（ハイレベル）を中央処理回路ＭＣＵに備えた第２の入力ポートＩＮ２に与える。
【００１５】
モータ５には、第１、第２のブラシ端子５ａ、５ｂが備えられているとともに、図示しないアーマチュアに備えたアーマチュアシャフト５ｃが図示しないガラス昇降器を介してウインドガラス３０に連結されている。
【００１６】
モータ５は、第１のブラシ端子５ａが電源２１に電気的に接続され、第２のブラシ端子５ｂが接地に接続されることによってアーマチュアシャフト５ｃが正回転するため、アーマチュアシャフト５ｃの正回転によってウインドガラス３０を開ける。これに反して、第２のブラシ端子５ｂが電源２１に電気的に接続され、第１のブラシ端子５ａが接地に接続されることによってアーマチュアシャフト５ｃが逆回転するため、アーマチュアシャフト５ｃの逆回転によってウインドガラス３０を閉る。モータ５の第１、第２のブラシ端子５ａ、５ｂは、モータ駆動出力ブロック７に電気的に接続されている。
【００１７】
モータ駆動出力ブロック７には、第１のリレーＲＬ１、第１のスイッチングトランジスタＴＲ１、第２のリレーＲＬ２、第２のスイッチングトランジスタＴＲ２が備えられている。
【００１８】
第１のリレーＲＬ１には、第１のリレーコイルＲＬ１−１、第１のリレー常開接点ＲＬ１−２、第１の常閉接点ＲＬ１−３、第１のリレー可動接点ＲＬ１−４が備えられている。第１のリレーコイルＲＬ１−１は、上流側が電源スイッチ２０に接続され、下流側が第１のスイッチングトランジスタＴＲ１のコレクタに接続されている。第１のリレー常開接点ＲＬ１−２は、電源スイッチ２０に接続されている。第１のリレー常閉接点ＲＬ１−３は、接地に接続されている。第１のリレー可動接点ＲＬ１−４は、モータ５の第１のブラシ端子５ａに接続されている。
【００１９】
第１のスイッチングトランジスタＴＲ１は、エミッタ接地のＮＰＮ型トランジスタであり、ベースが図示しない電圧クランプ回路を通じて中央処理回路ＭＣＵに備えた第１の出力ポートＤ１に接続され、コレクタが前述したように第１のリレーコイルＲＬ１−１の下流側に接続されている。
【００２０】
第２のリレーＲＬ２には、第２のリレーコイルＲＬ２−１、第２のリレー常開接点ＲＬ２−２、第２の常閉接点ＲＬ２−３、第２のリレー可動接点ＲＬ２−４が備えられている。第２のリレーコイルＲＬ２−１は、上流側が電源スイッチ２０に接続され、下流側が第２のスイッチングトランジスタＴＲ２のコレクタに接続されている。第２のリレー常開接点ＲＬ２−２は、電源スイッチ２０に接続されている。第２のリレー常閉接点ＲＬ２−３は、接地に接続されている。第２のリレー可動接点ＲＬ２−４は、モータ５の第２のブラシ端子５ｂに接続されている。
【００２１】
第２のスイッチングトランジスタＴＲ２は、エミッタ接地のＮＰＮ型トランジスタであり、ベースが図示しない電圧クランプ回路を通じて中央処理回路ＭＣＵに備えた第２の出力ポートＤ２に接続され、コレクタが前述したように第２のリレーコイルＲＬ２−１の下流側に接続されている。
【００２２】
モータ駆動出力ブロック７では、中央処理回路ＭＣＵの第１の出力ポートＤ１からハイレベルが与えられるとともに、中央処理回路ＭＣＵの第２の出力ポートＤ２からローレベルが与えられると、第１のスイッチングトランジスタＴＲ１がオンされ、第１のリレーコイルＲＬ１−１が励磁され、第１のリレー可動接点ＲＬ１−４が第１のリレー常閉接点ＲＬ１−３から第１のリレー常開接点ＲＬ１−２に電気的に接続される。そして、電源２１の電流が、第１のリレー常開接点ＲＬ１−２、第１のリレー可動接点ＲＬ１−４、モータ５の第１のブラシ端子５ａ、モータ５の第２のブラシ端子５ｂ、第２のリレー可動接点ＲＬ２−４、第２のリレー常閉接点ＲＬ２−３、接地に流れるため、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが正回転する。
【００２３】
上記に反して、モータ駆動出力ブロック７では、中央処理回路ＭＣＵの第２の出力ポートＤ２からハイレベルが与えられるとともに、中央処理回路ＭＣＵの第１の出力ポートＤ１からローレベルが与えられると、第２のスイッチングトランジスタＴＲ２がオン切換えされ、第２のリレーコイルＲＬ２−１が励磁され、第２のリレー可動接点ＲＬ２−４が第２のリレー常閉接点ＲＬ２−３から第２のリレー常開接点ＲＬ２−２に電気的に接続される。そして、電源２１の電流が、第２のリレー常開接点ＲＬ２−２、第２のリレー可動接点ＲＬ２−４、モータ５の第２のブラシ端子５ｂ、モータ５の第１のブラシ端子５ａ、第１のリレー可動接点ＲＬ１−４、第１のリレー常閉接点ＲＬ１−３、接地に流れるため、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが逆回転する。
【００２４】
回転センサ６は、ロータリーエンコーダやタコジェネレータまたはホール素子とマグネットを組み合わせた回転検出器であって、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃの近くに配置されている。この回転センサ６は、図２に示されるように、抵抗Ｒ８および抵抗９によって分圧され、ツェナダイオードＺＤ３によって制限された電圧レベルが上流側に与えられており、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが回転していると、回転に対応してパルス状の回転信号を発生する。回転センサ６が発生した回転信号はパルス信号入力ブロック８に与えられる。
【００２５】
パルス信号入力ブロック８は、抵抗Ｒ１０、コンデンサＣ５からなる。このパルス信号入力ブロック８は、回転センサ６から与えられた回転信号を安定化したうえで、図示しない電圧クランプ回路を通じ中央処理回路ＭＣＵに備えた第３の入力ポートＩＮ３に与える。
【００２６】
電源ブロック９は、ダイオードＤ１、抵抗Ｒ１、ツェナダイオードＺＤ１、第１のバックアップ用コンデンサＣ１、第２のバックアップ用コンデンサＣ２、発振防止用コンデンサＣ４、電源ＩＣ２２からなる。
【００２７】
電源ブロック９では、ダイオードＤ１のアノードが電源スイッチ２０に接続され、他端が接地された第２のバックアップ用コンデンサＣ２の一端が電源ライン９ａとともに作動用電源ＶＣＣに接続され、電源ライン９ａが中央処理回路ＭＣＵのレギュレータポートＲＥＧおよびＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロック（不揮発性メモリ）ＭＥＭに接続されている。
【００２８】
電源ブロック９では、電源スイッチ２０がオン状態にあると、第１のバックアップ用コンデンサＣ１が充電され、電源ＩＣ２２がオンし、第２のバックアップ用コンデンサＣ２が充電されて、中央処理回路ＭＣＵのレギュレータポートＲＥＧ、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに所定のドライブ電圧を与える。そして、電源ブロック９では、電源スイッチ２０がオフ切換えされると、第１のバックアップ用コンデンサＣ１、第２のバックアップ用コンデンサＣ２がそれぞれ放電され、放電電圧が、中央処理回路ＭＣＵのレギュレータポートＲＥＧ、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに与えられる。
【００２９】
ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ ｅｒａｓａｂｌｅ ｐｒｏｇｒａｍｍａ−ｂｌｅ ＲＯＭ ）は、電気的に書き換え可能なＲＯＭであり、非通電状態でも記憶内容が保持される不揮発性メモリである。このＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭは、中央処理回路ＭＣＵに備えたシリアル出力ポートＳＯＵＴより与えられたガラス位置データを所定のメモリエリア内に格納し、シリアル入力ポートＳＩＮを介して所定のメモリエリアよりガラス位置データを取り出す。
【００３０】
変換ブロック１０には、抵抗Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、ツェナダイオードＺＤ２、コンデンサＣ３が備えられている。
【００３１】
変換ブロック１０では、抵抗Ｒ２と抵抗Ｒ３とによって分圧され、ツェナダイオードＺＤ２によって制限され、抵抗Ｒ４とコンデンサＣ３によって積分され、抵抗Ｒ５によって調整された電圧レベルの信号を中央処理回路ＭＣＵに備えた変換ポートＡ／Ｄに与える。
【００３２】
中央処理回路ＭＣＵ内では、開スイッチ２がオン切換えされることによってスイッチ信号入力ブロック４から第１の入力ポートＩＮ１に与えられた下降指令信号（ハイレベル）、閉スイッチ３がオン切換えされることによってスイッチ信号入力ブロック４から第２の入力ポートＩＮ２に与えられた上昇指令信号（ハイレベル）がそれぞれ与えられる。
【００３３】
ワンタッチ動作記憶ブロック１１は、開スイッチ２がオン切換えされることによってスイッチ信号入力ブロック４から第１の入力ポートＩＮ１に与えられた下降指令信号（ハイレベル）、閉スイッチ３がオン切換えされることによってスイッチ信号入力ブロック４から第２の入力ポートＩＮ２に与えられた上昇指令信号（ハイレベル）の入力時間を検出している。
【００３４】
ワンタッチ動作記憶ブロック１１では、開スイッチ２から与えられた下降指令信号、閉スイッチ３から与えられた上昇指令信号のそれぞれの入力信号が予め定められた時間よりも長くなった場合、後述するものとは別に定められたプログラムによってフラグがセットされることによりそれぞれの入力信号を記憶し、それぞれの入力信号が与えられなくなってからも、記憶したそれぞれの入力信号を制御ブロック１４に与え続けてワンタッチ動作を行う。
【００３５】
ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴは、制御ブロック１３とのあいだで番地信号の授与を行うカウンタである。
【００３６】
クロックジェネレータ１２は、実行するプログラムの時間管理を行う。
【００３７】
入出力制御ブロック１４は、制御ブロック１３から与えられた書き込み指令により、書き込みインターバルタイマＴＭ１によって定められた時間毎に、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内においてＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴによって定められた番地にパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴより与えられた回転信号数（ガラス位置データ）でのメモリ書き込みを行う機能を有し、また、入出力制御ブロック１４は、制御ブロック１３より与えられた読み込み指令によりＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内の任意の番地の１回転信号数（ガラス位置データ）を読み込む機能を有する。
【００３８】
書き込みインターバルタイマＴＭ１は、制御ブロック１３より入出力制御ブロック１４を通じて行われるＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭへの書き込みを一定の時間毎に行う機能を有する。このとき、書き込みインターバルタイマＴＭ１は予め定められた値ＸＭＥＭＷＲと比較することによってインターバル時間の経過を測る。
【００３９】
パルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴは、パルス信号入力ブロック８より制御ブロック１３に与えられた回転信号を計数する。中央処理回路ＭＣＵに備えたリセットポートＲＥＳはリセット回路１５に接続されている。
【００４０】
中央処理回路ＭＣＵでは、電源スイッチ２０がオンされている状態で、図３に示されるように、時刻Ａにおいて開スイッチ２がオン切換えされることによってスイッチ信号入力ブロック４より下降指令信号が制御ブロック１３に与えられると、制御ブロック１３（第１の出力ポートＤ１）よりモータ駆動出力ブロック７の第１のスイッチングトランジスタＴＲ１のベースにハイレベルが与えられるため、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが正回転し、ウインドガラス３０が開く。このとき、開スイッチ２が発生した下降指令信号が予め定められた時間よりも長くなった場合、プログラム内でワンタッチ開フラグがセットされるため、ワンタッチ動作記憶ブロック１１において下降指令信号を記憶して制御ブロック１３に与え続ける。そして、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが正回転することによってパルス信号入力ブロック８より制御ブロック１３に回転信号が与えられてパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴが回転信号の計数を開始し、制御ブロック１３より入出力制御ブロック１４を通じてＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに格納されているガラス位置データのメモリ消去が行われる。
【００４１】
時刻Ａの後の時刻Ｂにおいて、ウインドガラス３０が全開位置Ｄに到達すると、ウインドガラス３０が移動を阻止されることによってモータ５のアーマチュアシャフト５ｃが回転を拘束されるため、開スイッチ２がオフ切換えされる。すると、中央処理回路ＭＣＵでは、制御ブロック１３より入出力制御ブロック１４に書き込み指令が与えられ、書き込みインターバルタイマＴＭ１によって定められた時間毎に、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内においてＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴによって定められた番地にパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴより与えられた回転信号数（ガラス位置データ）でのメモリ書き込みが行われる。
【００４２】
そして、時刻Ｂの後の時刻Ｃにおいて電源スイッチ２０がオフ切換えされても、時刻Ｂにおいて既にメモリ書き込みが行われたガラス位置データを用いてウインドガラス３０の現在位置の検出が行われる。それ故、メモリ書き込みが行われる際のモータ５の電圧ＶＢは無負荷の状態とほぼ同一であって、電源スイッチ２０がオフ切換えされてからのように下がったものとならないため、電源スイッチ２０がオフ切換えされてからの短い時間を使ってメモリ書き込みを行うものと比べ、大きな容量のバックアップコンデンサを必要とせずに、電源ブロック９に備えられた第１のバックアップ用コンデンサＣ１、第２のバックアップ用コンデンサＣ２は容量が小さいものとなる。
【００４３】
一方、中央処理回路ＭＣＵでは、電源スイッチ２０がオン切換えされている状態で、図３に示されるように、時刻Ａにおいて閉スイッチ３がオン切換えされることによってスイッチ信号入力ブロック４より上昇指令信号が制御ブロック１３に与えられると、制御ブロック１３（第２の出力ポートＤ２）よりモータ駆動出力ブロック７の第２のスイッチングトランジスタＴＲ２のベースにハイレベルが与えられるため、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが逆回転し、ウインドガラス３０が閉る。このとき、閉スイッチ３が発生した上昇指令信号が予め定められた時間よりも長くなった場合、プログラム内でワンタッチ閉フラグがセットされるため、ワンタッチ動作記憶ブロック１１において上昇指令信号を記憶して制御ブロック１４に与え続ける。そして、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが逆回転することによってパルス信号入力ブロック８より制御ブロック１３に回転信号が与えられてパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴが回転信号の計数を開始し、制御ブロック１３より入出力制御ブロック１４を通じてＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに格納されているガラス位置データのメモリ消去が行われる。
【００４４】
時刻Ａの後の時刻Ｂにおいて、ウインドガラス３０が全閉位置Ｅに到達すると、ウインドガラス３０が移動を阻止されることによってモータ５のアーマチュアシャフト５ｃが回転を拘束されるため、閉スイッチ２がオフ切換えされる。すると、中央処理回路ＭＣＵでは、制御ブロック１３より入出力制御ブロック１４に書き込み指令が与えられ、書き込みインターバルタイマＴＭ１によって定められた時間毎に、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内においてＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴによって定められた番地にパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴより与えられた回転信号数（ガラス位置データ）でのメモリ書き込みが行われる。
【００４５】
そして、時刻Ｂの後の時刻Ｃにおいて電源スイッチ２０がオフ切換えされても、時刻Ｂにおいて既にメモリ書き込みが行われたガラス位置データを用いてウインドガラス３０の現在位置の検出が行われる。それ故、メモリ書き込みが行われる際のモータ５の電圧ＶＢは無負荷の状態とほぼ同一であって、電源スイッチ２０がオフ切換えされてからのように下がったものとならないため、電源スイッチ２０がオフ切換えされてからの短い時間を使ってメモリ書き込みを行うものと比べ、大きな容量のバックアップコンデンサを必要とせずに、電源ブロック９に備えられた第１のバックアップ用コンデンサＣ１、第２のバックアップ用コンデンサＣ２は容量が小さいものとなる。
【００４６】
上記のようなモータ制御装置１は、図４および図５に示されるプログラムに従って制御動作を行う。図４はスイッチ信号取り込みルーチンであり、図５はＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭへの書き込みルーチンである。なお、当該プログラムにおいてワンタッチ開フラグ、ワンタッチ閉フラグは、図示しない別のプログラムにおいてセットされ、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが回転を拘束されることによってロックされると図示しない別のプログラムにおいてリセットされる。図４のプログラム中のステップ１０６はメモリ書き込みのためのプログラムで、前述した図５に示されたＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭへの書き込みルーチンとして示される。
【００４７】
図３に示される時刻Ａにおいて開スイッチ２がオン切換えされると、ステップ１０１においての判別で「開スイッチ２がオン」なのでステップ１０８に移行し、ステップ１０８においての判別で「メモリ消去フラグＦＭＥＲＡＳＥはセットされていない」のでステップ１０９に移行し、ステップ１０９において「ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内に既に格納されているガラス位置データを全数クリア」してステップ１１０に移行し、ステップ１１０において「メモリ消去フラグＦＭＥＲＡＳＥをリセット」してステップ１１２に移行し、ステップ１１２において「メモリ書き込み完了フラグＦＭＷＲＥＮＤをリセット」する。
【００４８】
開スイッチ２がオン切換えされることによって、スイッチ信号入力ブロック４より下降指令信号が制御ブロック１３に与えられ、制御ブロック１３（第１の出力ポートＤ１）よりモータ駆動出力ブロック７の第１のスイッチングトランジスタＴＲ１のベースにハイレベルが与えられ、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが正回転し、ウインドガラス３０が開く。
【００４９】
モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが正回転を始めることによって、回転センサ６が回転信号を発生し、回転センサ６が発生したパルス信号がパルス信号入力ブロック８を介して制御ブロック１３に取り込まれ、パルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴにおいて計数される。
【００５０】
ウインドガラス３０が開側に移動された後、開スイッチがオフ切換えされると、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが停止する。
【００５１】
開スイッチ２がオフ切換えされると、ステップ１０１においての判別で「開スイッチ２はオンしていない」のでステップ１０２に移行し、ステップ１０２においての判別で「閉スイッチ３はオンしていない」のでステップ１０３に移行し、ステップ１０３においての判別で「ワンタッチ開フラグはセットされていない」のでステップ１０４に移行し、ステップ１０４においての判別で「ワンタッチ閉フラグはセットされていない」のでステップ１０５に移行し、ステップ１０５においての判別で「メモリ書き込み完了フラグＦＭＷＲＥＮＤはセットされていない」のでステップ１０６に移行する。
【００５２】
ステップ１０６が実行されることにより書き込みルーチンが実行され、ステップ１２０においての判別で「メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷはセットされていない」ので、ステップ１２１に移行し、ステップ１２１において「メモリ書き込み完了フラグをリセット」してステップ１２２に移行し、ステップ１２２において「書き込みインターバルタイマＴＭ１をクリア」してステップ１２３に移行し、ステップ１２３において「ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴをクリア（メモリ書き込みの初期設定）」してステップ１２４に移行し、ステップ１２４において「メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷをセット」してステップ１２５に移行する。
【００５３】
このとき、ステップ１２４において「メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷがセットされる」ため、以降のルーチンからはステップ１２０からステップ１２５にスキップする。
【００５４】
ステップ１２５においての判別で「書き込みインターバルタイマＴＭ１が予め定められたインターバル時間を越えたか否か」の判別が行われる。インターバル時間を越えるまでのあいだはステップ１２５からＥＮＤに移行する。一方、書き込みインターバルタイマＴＭ１が予め定められたインターバル時間を越えたら、ステップ１２６に移行する。
【００５５】
ステップ１２５から移行したステップ１２６において「ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内でＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴによって定められた番地にパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴより与えられた回転信号数（ガラス位置データ）でのメモリ書き込み」が行われてステップ１２７に移行し、ステップ１２７において「ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴをインクリメント」してステップ１２８に移行し、ステップ１２８において「書き込みインターバルタイマＴＭ１をクリア」してステップ１２９に移行し、ステップ１２９において「ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴが最大値Ｎになっているか否か」が判別される。
【００５６】
ステップ１２９においての判別で「ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴが最大値Ｎになった」ら、ステップ１３０に移行する一方、「ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴが最大値Ｎになるまで」の間はステップ１３０、ステップ１３１をスキップする。
【００５７】
ステップ１２９から移行したステップ１３０において「メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷをリセット」してステップ１３１に移行し、ステップ１３１において「メモリ書き込み完了フラグＦＭＷＲＥＮＤをセット」し、ＭＥＭ書き込みルーチンを終了し、スイッチ信号取り込みルーチンのステップ１０７に移行する。
【００５８】
ステップ１０７においてメモリブロックへの書き込みが終了したので、メモリ消去フラグＦＭＥＲＡＳＥをリセットする。
【００５９】
上述したように、開スイッチ２がオン切換えされてから、オフ切換えされたときに、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭへのガラス位置データの書き込みが行われる。
【００６０】
そして、開スイッチ２がオン切換えされた際、開スイッチ２のオン時間が予め定められた時間よりも長いと、開スイッチ２がオフ切換えされた後も他のプログラムによってワンタッチ開フラグがセットされるため、ステップ１０１での判別でステップ１０２に移行し、ステップ１０２においての判別でステップ１０３に移行し、ステップ１０３においての判別でワンタッチ開フラグがセットされているため、ステップ１０８に移行し、ステップ１０９、ステップ１１０、ステップ１１１、ステップ１１２に移行するルーチンを実行し、制御ブロック１３（第１の出力ポートＤ１）よりモータ駆動出力ブロック７の第１のスイッチングトランジスタＴＲ１のベースにハイレベルが与えられ続け、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが正回転を続けて、ウインドガラス３０が開く側に移動し続けるワンタッチ動作が行われる。
【００６１】
そして、ウインドガラス３０が開側に移動され、全開位置Ｄに到達すると、ウインドガラス３０が移動を阻止されることによって、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが正回転を拘束されてロックされるため、ワンタッチ開フラグがリセットされ、ステップ１０１においての判別でステップ１０２に移行し、ステップ１０２においての判別でステップ１０３に移行し、ステップ１０３においての判別でステップ１０４に移行し、ステップ１０４においての判別でステップ１０５に移行し、ステップ１０５においての判別でメモリ書き込み完了フラグＦＭＷＲＥＮＤはセットされていないのでステップ１０６に移行する。
【００６２】
ステップ１０６が実行されることにより書き込みルーチンが実行され、ステップ１２０においての判別で「メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷはセットされていない」ので、ステップ１２１に移行し、ステップ１２１において「メモリ書き込み完了フラグをリセット」してステップ１２２に移行し、ステップ１２２において「書き込みインターバルタイマＴＭ１をクリア」してステップ１２３に移行し、ステップ１２３において「ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴをクリア（メモリ書き込みの初期設定）」してステップ１２４に移行し、ステップ１２４において「メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷをセット」してステップ１２５に移行する。
【００６３】
このとき、ステップ１２４において「メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷがセット」されるため、以降のルーチンからはステップ１２０からステップ１２５にスキップする。
【００６４】
ステップ１２５においての判別で「書き込みインターバルタイマＴＭ１が予め定められたインターバル時間を越えたか否か」の判別が行われる。インターバル時間を越えるまでのあいだはステップ１２５からＥＮＤに移行する。一方、書き込みインターバルタイマＴＭ１が予め定められたインターバル時間を越えたら、ステップ１２６に移行する。
【００６５】
ステップ１２５から移行したステップ１２６において「ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内でＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴによって定められた番地にパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴより与えられた回転信号数（ガラス位置データ）でのメモリ書き込み」が行われてステップ１２７に移行し、ステップ１２７において「ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴをインクリメント」してステップ１２８に移行し、ステップ１２８において「書き込みインターバルタイマＴＭ１をクリア」してステップ１２９に移行し、ステップ１２９において「ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴが最大値Ｎになっているか否か」が判別される。
【００６６】
ステップ１２９においての判別で「ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴが最大値Ｎになった」ら、ステップ１３０に移行する一方、「ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴが最大値Ｎになるまで」の間はステップ１３０、ステップ１３１をスキップする。
【００６７】
ステップ１２９から移行したステップ１３０において「メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷをリセット」してステップ１３１に移行し、ステップ１３１において「メモリ書き込み完了フラグＦＭＷＲＥＮＤをセット」し、ＭＥＭ書き込みルーチンを終了し、スイッチ信号取り込みルーチンのステップ１０７に移行する。
【００６８】
ステップ１０７において「メモリブロックへの書き込みが終了した」ので、「メモリ消去フラグＦＭＥＲＡＳＥをリセット」する。
【００６９】
上述したように、ワンタッチ開フラグがリセットされたときに、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭへのガラス位置データの書き込みが行われる。
【００７０】
他方、図３に示される時刻Ａにおいて閉スイッチ３がオン切換えされた場合、ステップ１０１においての判別で「開スイッチ２はオン切換えされていない」のでステップ１０２に移行し、ステップ１０２においての判別で「閉スイッチ３はオン切換えされている」のでステップ１０８に移行し、上述と同様にしてステップ１０８、ステップ１０９、ステップ１１０、ステップ１１２を実行し、ウインドガラス３０が閉側に移動された後、開スイッチ２がオフ切換えされることによって、上述と同様にしてステップ１０１、ステップ１０２、ステップ１０３、ステップ１０４、ステップ１０５、ステップ１０６、ステップ１２０、ステップ１２１、ステップ１２２、ステップ１２３、ステップ１２４、ステップ１２５、ステップ１２６、ステップ１２７、ステップ１２８、ステップ１２９、ステップ１３０、ステップ１３１、ステップ１０７を実行する。
【００７１】
この場合も、閉スイッチ３がオン切換えされてから、オフ切換えされたときに、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭへのガラス位置データの書き込みが行われる。
【００７２】
そして、閉スイッチ３がオン切換えされた際、閉スイッチ３のオン時間が予め定められた時間よりも長いと、他のプログラムによってワンタッチ閉フラグがセットされるため、ステップ１０１での判別でステップ１０２に移行し、ステップ１０２においての判別でステップ１０３に移行し、ステップ１０３においての判別でステップ１０４に移行し、ステップ１０４においての判別でステップ１０８に移行し、ステップ１０８、ステップ１０９、ステップ１１０、ステップ１１１、ステップ１１２を実行し、ウインドガラス３０が閉側に移動され、全閉位置Ｅに到達すると、ウインドガラス３０が移動を阻止されることによって、モータ５のモータシャフト５ｃが回転を拘束されると、ワンタッチ閉フラグがリセットされることによって、上述と同様にしてステップ１０１、ステップ１０２、ステップ１０３、ステップ１０４、ステップ１０５、ステップ１０６、ステップ１０７、ステップ１２０、ステップ１２１、ステップ１２２、ステップ１２３、ステップ１２４、ステップ１２５、ステップ１２６、ステップ１２７、ステップ１２８、ステップ１２９、ステップ１３０、ステップ１３１、ステップ１０７を実行する。
【００７３】
この場合も、ワンタッチ閉フラグがリセットされたときに、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭへのガラス位置データの書き込みが行われる。
【００７４】
上述したように、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭへのガラス位置データの書き込みは、電源スイッチ２０がオン切換えされた後にオフ切換えされる以前に、モータ電圧が低下していないときに行われる。
【００７５】
【発明の効果】
以上説明してきたように、この発明の請求項１に係わるモータ制御装置によれば、不揮発性メモリは、開スイッチまたは閉スイッチが閉成された後に開成された際毎にモータ回転検出手段よりの回転信号を位置データに変換して電気的に書き込んでいるため、モータの電圧が低下していないときに位置データの書き込みが既に行われている。それ故、開スイッチまたは閉スイッチが閉成された後に開成された際毎にモータ回転検出手段よりの回転信号を位置データに変換して電気的に書き込んでいるため、モータの電圧が低下していないときに、連続的に位置データの書き込みが行われている。それ故、モータが停止するまで位置データの書き込みを継続して行えるようにするための大容量のコンデンサを必要とせずに、電源スイッチが再投入された際に現在位置の推定が誤差なしにして容易に行える。よって、大容量のコンデンサを必要とすることなく確実に位置データの書き込みができて、コンパクトな外形を得ることができること及び不揮発性メモリは、開スイッチまたは閉スイッチが閉成されたとき毎に不揮発性メモリに書き込まれている位置データが制御ブロックによって消去され、その後に、開スイッチまたは閉スイッチが開成されたとき毎に新たな位置データが制御ブロックによって書き込まれる。よって、開スイッチ、閉スイッチの動作に応じて常に最新の位置データが得られるという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に係わるモータ制御装置の一実施例のブロック構成図である。
【図２】図１に示したモータ制御装置の具体的回路図である。
【図３】図１に示したモータ制御装置においてのタイミングチャートである。
【図４】図１に示したモータ制御装置においての制御動作を説明するフローチャートである。
【図５】図１に示したモータ制御装置においての制御動作を説明するフローチャートである。
【図６】従来のモータ制御装置においてのタイミングチャートである。
【符号の説明】
１ モータ制御装置
２ 開スイッチ
３ 閉スイッチ
５ モータ
６ （モータ回転検出手段）回転センサ
７ （駆動回路）モータ駆動ブロック
１３ 制御ブロック
２０ 電源スイッチ、ＩＧスイッチ、イグニションスイッチ
３０ （負荷）ウインドガラス
ＭＣＵ （コントローラ）中央処理回路
ＭＥＭ （不揮発性メモリ）ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロック
ＶＢ モータ電圧
【発明の属する技術分野】
この発明は自動車のパワーウインド等の開閉装置を制御するモータ制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
自動車の開閉装置を制御するモータ制御装置としては、コントローラに内蔵され、電気的に書き込み可能にして消去可能な不揮発性メモリに対し、モータの回転信号を位置データとして取り込むことによって、ウインドガラスの現在位置を間接的に検出しているものが知られている。
【０００３】
上記のようなモータ制御装置では、図６に示されるように、時刻ａにおいて開スイッチ（閉スイッチ）がオンされることによってモータが作動される。モータが作動を開始するとモータの電圧ＶＢは無負荷の状態に対して下がる。またモータが作動を開始することによってモータに内蔵された回転センサからのパルス信号がコントローラに取り込まれる。時刻ａの後の時刻ｂにおいてウインドガラスがストローク端に到達すると、コントローラによってモータのロックが検出されることによってモータに対する通電がカットオフされてモータが作動を停止される。モータが作動を停止されるとモータの電圧ＶＢは無負荷の状態に復帰する。そして、時刻ｂの後の時刻ｃにおいて電源スイッチがオフされると、モータの電圧ＶＢは時間の経過とともに下がる。そして、時刻ｃの後の時刻ｄにおいてモータの電圧ＶＢがメモリ書き込み電圧Ｖ０を下回ると、コントローラは、回転センサから与えられたパルス信号数の不揮発性メモリへの書き込みを始め、時刻ｄの後の時刻ｅにおいてモータの電圧ＶＢがリセット電圧ＲＥＳを下まわるまでの書き込み可能時間ｔ内で書き込みが行われる。メモリ書き込み電圧Ｖ０は、回路内の電源電圧がマイコンのリセット電圧ＲＥＳ以上になるような回路への供給電圧以上であって、しかも、モータがその仕様の最低作動電圧でロックしたときの電圧降下以下である必要がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記のモータ制御装置において、コントローラの電源電圧が遮断された時に、ウインドガラスの位置データを不揮発性メモリに書き込むため、不揮発性メモリにウインドガラスの位置データを書き込むのに十分な時間を確保できるようにするための大容量のコンデンサが用いられており、大容量のコンデンサをコントローラに内蔵することによって、コントローラの外形が大型化するという問題点があった。
【０００５】
【発明の目的】
この発明に係わるモータ制御装置は、大容量のコンデンサを必要とすることなく確実に位置データの書き込みができて、コンパクトな外形を得ることができるモータ制御装置を提供することを目的としている。
【０００６】
【発明の構成】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この発明の請求項１に係わるモータ制御装置では、電源に電気的に接続される電源スイッチと、上記電源スイッチに電気的に接続された駆動回路と、上記駆動回路に電気的に接続されているとともに負荷に結合され、駆動回路の作動により該負荷を開側または閉側に駆動するモータと、上記モータの回転により回転信号を発生するモータ回転検出手段と、閉じられることにより下降指令信号を発生する開スイッチと、閉じられることにより上昇指令信号を発生する閉スイッチと、上記電源スイッチ、駆動回路、モータ回転検出手段、開スイッチ、閉スイッチにそれぞれ電気的に接続され、該開スイッチより下降指令信号が与えられると、駆動回路を通じ負荷を開側に駆動するとともに、該閉スイッチより上昇指令信号が与えられると、駆動回路を通じ負荷を閉側に駆動しかつ上記開スイッチまたは上記閉スイッチが閉じられたとき毎に不揮発性メモリに書き込まれている位置データを消去し、該開スイッチまたは閉スイッチが開かれたとき毎に新たな位置データを不揮発性メモリに複数個連続的に書き込み可能な制御ブロックを備えたコントローラと、上記開スイッチまたは閉スイッチが閉じられた後に開かれた際毎に該モータ回転検出手段よりの回転信号を位置データに変換して電気的に複数個連続的に書き込み可能な不揮発性メモリを備えている構成としたことを特徴としている。
【０００８】
【発明の作用】
この発明の請求項１に係わるモータ制御装置において、不揮発性メモリは、開スイッチまたは閉スイッチが閉じられた後に開かれた際毎にモータ回転検出手段よりの回転信号を位置データに変換して電気的に書き込んでいるため、モータの電圧が低下していないときに位置データの書き込みが既に行われている。それ故、書き込みに係わる時間を必要とせず、大容量のコンデンサを必要としない。また、不揮発性メモリには、モータの電圧が低下していないときに、連続的に位置データの書き込みが行われている。それ故、モータが停止するまで位置データの書き込みを継続して行えるようにするための大容量のコンデンサを必要とせずに、電源スイッチが再投入された際に現在位置の推定が容易に行える。また、不揮発性メモリは、開スイッチまたは閉スイッチが閉じられたとき毎に不揮発性メモリに書き込まれている位置データが制御ブロックによって消去され、その後に、開スイッチまたは閉スイッチが開かれたとき毎に新たな位置データが制御ブロックによって書き込まれる。それ故、開スイッチ、閉スイッチの動作に応じて常に最新の位置データが得られる。
【０００９】
【実施例】
図１ないし図５には、この発明に係わるモータ制御装置の一実施例が示されている。
【００１０】
図示されるモータ制御装置１は、開スイッチ２、閉スイッチ３、スイッチ（ＳＷ）信号入力ブロック４、モータ５、回転センサ６、モータ駆動出力ブロック７、パルス信号入力ブロック８、電源ブロック９（図２に示される、）、変換ブロック１０（図２に示される、）、中央処理回路（コントローラ）ＭＣＵ、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭから構成されており、中央処理回路ＭＣＵに、ワンタッチ動作記憶ブロック１１、ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴ、クロックジェネレータ１２、制御ブロック１３、入出力制御ブロック１４、ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１、パルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴが内蔵されている。
【００１１】
図１に示されるモータ制御装置１は、具体的には図２に示される回路図に表される。
【００１２】
開、閉スイッチ２、３は、一方が電源スイッチ（イグニションスイッチ）２０を通じてバッテリである電源２１に電気的に接続され、他方がスイッチ信号入力ブロック４に電気的に接続されている。開スイッチ２は、オン切換えされることによって下降指令信号を発生する。これとは異なり、閉スイッチ３は、オン切換えされることによって上昇指令信号を発生する。
【００１３】
スイッチ信号入力ブロック４は、抵抗Ｒ６、抵抗Ｒ７から構成されており、抵抗Ｒ６が開スイッチ２に電気的に接続され、抵抗Ｒ７が閉スイッチ３に電気的に接続されている。
【００１４】
スイッチ信号入力ブロック４では、電源スイッチ２０がオン状態にある際に、開スイッチ２がオン切換えされると、抵抗Ｒ６を通じ、図示しない電圧クランプ回路を介し下降指令信号（ハイレベル）を中央処理回路ＭＣＵに備えた第１の入力ポートＩＮ１に与える。これとは異なり、電源スイッチ２０がオン状態にある際に、閉スイッチ３がオン切換えされると、抵抗Ｒ７を通じ、図示しない電圧クランプ回路を介し上昇指令信号（ハイレベル）を中央処理回路ＭＣＵに備えた第２の入力ポートＩＮ２に与える。
【００１５】
モータ５には、第１、第２のブラシ端子５ａ、５ｂが備えられているとともに、図示しないアーマチュアに備えたアーマチュアシャフト５ｃが図示しないガラス昇降器を介してウインドガラス３０に連結されている。
【００１６】
モータ５は、第１のブラシ端子５ａが電源２１に電気的に接続され、第２のブラシ端子５ｂが接地に接続されることによってアーマチュアシャフト５ｃが正回転するため、アーマチュアシャフト５ｃの正回転によってウインドガラス３０を開ける。これに反して、第２のブラシ端子５ｂが電源２１に電気的に接続され、第１のブラシ端子５ａが接地に接続されることによってアーマチュアシャフト５ｃが逆回転するため、アーマチュアシャフト５ｃの逆回転によってウインドガラス３０を閉る。モータ５の第１、第２のブラシ端子５ａ、５ｂは、モータ駆動出力ブロック７に電気的に接続されている。
【００１７】
モータ駆動出力ブロック７には、第１のリレーＲＬ１、第１のスイッチングトランジスタＴＲ１、第２のリレーＲＬ２、第２のスイッチングトランジスタＴＲ２が備えられている。
【００１８】
第１のリレーＲＬ１には、第１のリレーコイルＲＬ１−１、第１のリレー常開接点ＲＬ１−２、第１の常閉接点ＲＬ１−３、第１のリレー可動接点ＲＬ１−４が備えられている。第１のリレーコイルＲＬ１−１は、上流側が電源スイッチ２０に接続され、下流側が第１のスイッチングトランジスタＴＲ１のコレクタに接続されている。第１のリレー常開接点ＲＬ１−２は、電源スイッチ２０に接続されている。第１のリレー常閉接点ＲＬ１−３は、接地に接続されている。第１のリレー可動接点ＲＬ１−４は、モータ５の第１のブラシ端子５ａに接続されている。
【００１９】
第１のスイッチングトランジスタＴＲ１は、エミッタ接地のＮＰＮ型トランジスタであり、ベースが図示しない電圧クランプ回路を通じて中央処理回路ＭＣＵに備えた第１の出力ポートＤ１に接続され、コレクタが前述したように第１のリレーコイルＲＬ１−１の下流側に接続されている。
【００２０】
第２のリレーＲＬ２には、第２のリレーコイルＲＬ２−１、第２のリレー常開接点ＲＬ２−２、第２の常閉接点ＲＬ２−３、第２のリレー可動接点ＲＬ２−４が備えられている。第２のリレーコイルＲＬ２−１は、上流側が電源スイッチ２０に接続され、下流側が第２のスイッチングトランジスタＴＲ２のコレクタに接続されている。第２のリレー常開接点ＲＬ２−２は、電源スイッチ２０に接続されている。第２のリレー常閉接点ＲＬ２−３は、接地に接続されている。第２のリレー可動接点ＲＬ２−４は、モータ５の第２のブラシ端子５ｂに接続されている。
【００２１】
第２のスイッチングトランジスタＴＲ２は、エミッタ接地のＮＰＮ型トランジスタであり、ベースが図示しない電圧クランプ回路を通じて中央処理回路ＭＣＵに備えた第２の出力ポートＤ２に接続され、コレクタが前述したように第２のリレーコイルＲＬ２−１の下流側に接続されている。
【００２２】
モータ駆動出力ブロック７では、中央処理回路ＭＣＵの第１の出力ポートＤ１からハイレベルが与えられるとともに、中央処理回路ＭＣＵの第２の出力ポートＤ２からローレベルが与えられると、第１のスイッチングトランジスタＴＲ１がオンされ、第１のリレーコイルＲＬ１−１が励磁され、第１のリレー可動接点ＲＬ１−４が第１のリレー常閉接点ＲＬ１−３から第１のリレー常開接点ＲＬ１−２に電気的に接続される。そして、電源２１の電流が、第１のリレー常開接点ＲＬ１−２、第１のリレー可動接点ＲＬ１−４、モータ５の第１のブラシ端子５ａ、モータ５の第２のブラシ端子５ｂ、第２のリレー可動接点ＲＬ２−４、第２のリレー常閉接点ＲＬ２−３、接地に流れるため、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが正回転する。
【００２３】
上記に反して、モータ駆動出力ブロック７では、中央処理回路ＭＣＵの第２の出力ポートＤ２からハイレベルが与えられるとともに、中央処理回路ＭＣＵの第１の出力ポートＤ１からローレベルが与えられると、第２のスイッチングトランジスタＴＲ２がオン切換えされ、第２のリレーコイルＲＬ２−１が励磁され、第２のリレー可動接点ＲＬ２−４が第２のリレー常閉接点ＲＬ２−３から第２のリレー常開接点ＲＬ２−２に電気的に接続される。そして、電源２１の電流が、第２のリレー常開接点ＲＬ２−２、第２のリレー可動接点ＲＬ２−４、モータ５の第２のブラシ端子５ｂ、モータ５の第１のブラシ端子５ａ、第１のリレー可動接点ＲＬ１−４、第１のリレー常閉接点ＲＬ１−３、接地に流れるため、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが逆回転する。
【００２４】
回転センサ６は、ロータリーエンコーダやタコジェネレータまたはホール素子とマグネットを組み合わせた回転検出器であって、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃの近くに配置されている。この回転センサ６は、図２に示されるように、抵抗Ｒ８および抵抗９によって分圧され、ツェナダイオードＺＤ３によって制限された電圧レベルが上流側に与えられており、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが回転していると、回転に対応してパルス状の回転信号を発生する。回転センサ６が発生した回転信号はパルス信号入力ブロック８に与えられる。
【００２５】
パルス信号入力ブロック８は、抵抗Ｒ１０、コンデンサＣ５からなる。このパルス信号入力ブロック８は、回転センサ６から与えられた回転信号を安定化したうえで、図示しない電圧クランプ回路を通じ中央処理回路ＭＣＵに備えた第３の入力ポートＩＮ３に与える。
【００２６】
電源ブロック９は、ダイオードＤ１、抵抗Ｒ１、ツェナダイオードＺＤ１、第１のバックアップ用コンデンサＣ１、第２のバックアップ用コンデンサＣ２、発振防止用コンデンサＣ４、電源ＩＣ２２からなる。
【００２７】
電源ブロック９では、ダイオードＤ１のアノードが電源スイッチ２０に接続され、他端が接地された第２のバックアップ用コンデンサＣ２の一端が電源ライン９ａとともに作動用電源ＶＣＣに接続され、電源ライン９ａが中央処理回路ＭＣＵのレギュレータポートＲＥＧおよびＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロック（不揮発性メモリ）ＭＥＭに接続されている。
【００２８】
電源ブロック９では、電源スイッチ２０がオン状態にあると、第１のバックアップ用コンデンサＣ１が充電され、電源ＩＣ２２がオンし、第２のバックアップ用コンデンサＣ２が充電されて、中央処理回路ＭＣＵのレギュレータポートＲＥＧ、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに所定のドライブ電圧を与える。そして、電源ブロック９では、電源スイッチ２０がオフ切換えされると、第１のバックアップ用コンデンサＣ１、第２のバックアップ用コンデンサＣ２がそれぞれ放電され、放電電圧が、中央処理回路ＭＣＵのレギュレータポートＲＥＧ、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに与えられる。
【００２９】
ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ ｅｒａｓａｂｌｅ ｐｒｏｇｒａｍｍａ−ｂｌｅ ＲＯＭ ）は、電気的に書き換え可能なＲＯＭであり、非通電状態でも記憶内容が保持される不揮発性メモリである。このＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭは、中央処理回路ＭＣＵに備えたシリアル出力ポートＳＯＵＴより与えられたガラス位置データを所定のメモリエリア内に格納し、シリアル入力ポートＳＩＮを介して所定のメモリエリアよりガラス位置データを取り出す。
【００３０】
変換ブロック１０には、抵抗Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、ツェナダイオードＺＤ２、コンデンサＣ３が備えられている。
【００３１】
変換ブロック１０では、抵抗Ｒ２と抵抗Ｒ３とによって分圧され、ツェナダイオードＺＤ２によって制限され、抵抗Ｒ４とコンデンサＣ３によって積分され、抵抗Ｒ５によって調整された電圧レベルの信号を中央処理回路ＭＣＵに備えた変換ポートＡ／Ｄに与える。
【００３２】
中央処理回路ＭＣＵ内では、開スイッチ２がオン切換えされることによってスイッチ信号入力ブロック４から第１の入力ポートＩＮ１に与えられた下降指令信号（ハイレベル）、閉スイッチ３がオン切換えされることによってスイッチ信号入力ブロック４から第２の入力ポートＩＮ２に与えられた上昇指令信号（ハイレベル）がそれぞれ与えられる。
【００３３】
ワンタッチ動作記憶ブロック１１は、開スイッチ２がオン切換えされることによってスイッチ信号入力ブロック４から第１の入力ポートＩＮ１に与えられた下降指令信号（ハイレベル）、閉スイッチ３がオン切換えされることによってスイッチ信号入力ブロック４から第２の入力ポートＩＮ２に与えられた上昇指令信号（ハイレベル）の入力時間を検出している。
【００３４】
ワンタッチ動作記憶ブロック１１では、開スイッチ２から与えられた下降指令信号、閉スイッチ３から与えられた上昇指令信号のそれぞれの入力信号が予め定められた時間よりも長くなった場合、後述するものとは別に定められたプログラムによってフラグがセットされることによりそれぞれの入力信号を記憶し、それぞれの入力信号が与えられなくなってからも、記憶したそれぞれの入力信号を制御ブロック１４に与え続けてワンタッチ動作を行う。
【００３５】
ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴは、制御ブロック１３とのあいだで番地信号の授与を行うカウンタである。
【００３６】
クロックジェネレータ１２は、実行するプログラムの時間管理を行う。
【００３７】
入出力制御ブロック１４は、制御ブロック１３から与えられた書き込み指令により、書き込みインターバルタイマＴＭ１によって定められた時間毎に、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内においてＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴによって定められた番地にパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴより与えられた回転信号数（ガラス位置データ）でのメモリ書き込みを行う機能を有し、また、入出力制御ブロック１４は、制御ブロック１３より与えられた読み込み指令によりＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内の任意の番地の１回転信号数（ガラス位置データ）を読み込む機能を有する。
【００３８】
書き込みインターバルタイマＴＭ１は、制御ブロック１３より入出力制御ブロック１４を通じて行われるＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭへの書き込みを一定の時間毎に行う機能を有する。このとき、書き込みインターバルタイマＴＭ１は予め定められた値ＸＭＥＭＷＲと比較することによってインターバル時間の経過を測る。
【００３９】
パルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴは、パルス信号入力ブロック８より制御ブロック１３に与えられた回転信号を計数する。中央処理回路ＭＣＵに備えたリセットポートＲＥＳはリセット回路１５に接続されている。
【００４０】
中央処理回路ＭＣＵでは、電源スイッチ２０がオンされている状態で、図３に示されるように、時刻Ａにおいて開スイッチ２がオン切換えされることによってスイッチ信号入力ブロック４より下降指令信号が制御ブロック１３に与えられると、制御ブロック１３（第１の出力ポートＤ１）よりモータ駆動出力ブロック７の第１のスイッチングトランジスタＴＲ１のベースにハイレベルが与えられるため、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが正回転し、ウインドガラス３０が開く。このとき、開スイッチ２が発生した下降指令信号が予め定められた時間よりも長くなった場合、プログラム内でワンタッチ開フラグがセットされるため、ワンタッチ動作記憶ブロック１１において下降指令信号を記憶して制御ブロック１３に与え続ける。そして、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが正回転することによってパルス信号入力ブロック８より制御ブロック１３に回転信号が与えられてパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴが回転信号の計数を開始し、制御ブロック１３より入出力制御ブロック１４を通じてＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに格納されているガラス位置データのメモリ消去が行われる。
【００４１】
時刻Ａの後の時刻Ｂにおいて、ウインドガラス３０が全開位置Ｄに到達すると、ウインドガラス３０が移動を阻止されることによってモータ５のアーマチュアシャフト５ｃが回転を拘束されるため、開スイッチ２がオフ切換えされる。すると、中央処理回路ＭＣＵでは、制御ブロック１３より入出力制御ブロック１４に書き込み指令が与えられ、書き込みインターバルタイマＴＭ１によって定められた時間毎に、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内においてＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴによって定められた番地にパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴより与えられた回転信号数（ガラス位置データ）でのメモリ書き込みが行われる。
【００４２】
そして、時刻Ｂの後の時刻Ｃにおいて電源スイッチ２０がオフ切換えされても、時刻Ｂにおいて既にメモリ書き込みが行われたガラス位置データを用いてウインドガラス３０の現在位置の検出が行われる。それ故、メモリ書き込みが行われる際のモータ５の電圧ＶＢは無負荷の状態とほぼ同一であって、電源スイッチ２０がオフ切換えされてからのように下がったものとならないため、電源スイッチ２０がオフ切換えされてからの短い時間を使ってメモリ書き込みを行うものと比べ、大きな容量のバックアップコンデンサを必要とせずに、電源ブロック９に備えられた第１のバックアップ用コンデンサＣ１、第２のバックアップ用コンデンサＣ２は容量が小さいものとなる。
【００４３】
一方、中央処理回路ＭＣＵでは、電源スイッチ２０がオン切換えされている状態で、図３に示されるように、時刻Ａにおいて閉スイッチ３がオン切換えされることによってスイッチ信号入力ブロック４より上昇指令信号が制御ブロック１３に与えられると、制御ブロック１３（第２の出力ポートＤ２）よりモータ駆動出力ブロック７の第２のスイッチングトランジスタＴＲ２のベースにハイレベルが与えられるため、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが逆回転し、ウインドガラス３０が閉る。このとき、閉スイッチ３が発生した上昇指令信号が予め定められた時間よりも長くなった場合、プログラム内でワンタッチ閉フラグがセットされるため、ワンタッチ動作記憶ブロック１１において上昇指令信号を記憶して制御ブロック１４に与え続ける。そして、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが逆回転することによってパルス信号入力ブロック８より制御ブロック１３に回転信号が与えられてパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴが回転信号の計数を開始し、制御ブロック１３より入出力制御ブロック１４を通じてＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに格納されているガラス位置データのメモリ消去が行われる。
【００４４】
時刻Ａの後の時刻Ｂにおいて、ウインドガラス３０が全閉位置Ｅに到達すると、ウインドガラス３０が移動を阻止されることによってモータ５のアーマチュアシャフト５ｃが回転を拘束されるため、閉スイッチ２がオフ切換えされる。すると、中央処理回路ＭＣＵでは、制御ブロック１３より入出力制御ブロック１４に書き込み指令が与えられ、書き込みインターバルタイマＴＭ１によって定められた時間毎に、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内においてＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴによって定められた番地にパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴより与えられた回転信号数（ガラス位置データ）でのメモリ書き込みが行われる。
【００４５】
そして、時刻Ｂの後の時刻Ｃにおいて電源スイッチ２０がオフ切換えされても、時刻Ｂにおいて既にメモリ書き込みが行われたガラス位置データを用いてウインドガラス３０の現在位置の検出が行われる。それ故、メモリ書き込みが行われる際のモータ５の電圧ＶＢは無負荷の状態とほぼ同一であって、電源スイッチ２０がオフ切換えされてからのように下がったものとならないため、電源スイッチ２０がオフ切換えされてからの短い時間を使ってメモリ書き込みを行うものと比べ、大きな容量のバックアップコンデンサを必要とせずに、電源ブロック９に備えられた第１のバックアップ用コンデンサＣ１、第２のバックアップ用コンデンサＣ２は容量が小さいものとなる。
【００４６】
上記のようなモータ制御装置１は、図４および図５に示されるプログラムに従って制御動作を行う。図４はスイッチ信号取り込みルーチンであり、図５はＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭへの書き込みルーチンである。なお、当該プログラムにおいてワンタッチ開フラグ、ワンタッチ閉フラグは、図示しない別のプログラムにおいてセットされ、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが回転を拘束されることによってロックされると図示しない別のプログラムにおいてリセットされる。図４のプログラム中のステップ１０６はメモリ書き込みのためのプログラムで、前述した図５に示されたＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭへの書き込みルーチンとして示される。
【００４７】
図３に示される時刻Ａにおいて開スイッチ２がオン切換えされると、ステップ１０１においての判別で「開スイッチ２がオン」なのでステップ１０８に移行し、ステップ１０８においての判別で「メモリ消去フラグＦＭＥＲＡＳＥはセットされていない」のでステップ１０９に移行し、ステップ１０９において「ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内に既に格納されているガラス位置データを全数クリア」してステップ１１０に移行し、ステップ１１０において「メモリ消去フラグＦＭＥＲＡＳＥをリセット」してステップ１１２に移行し、ステップ１１２において「メモリ書き込み完了フラグＦＭＷＲＥＮＤをリセット」する。
【００４８】
開スイッチ２がオン切換えされることによって、スイッチ信号入力ブロック４より下降指令信号が制御ブロック１３に与えられ、制御ブロック１３（第１の出力ポートＤ１）よりモータ駆動出力ブロック７の第１のスイッチングトランジスタＴＲ１のベースにハイレベルが与えられ、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが正回転し、ウインドガラス３０が開く。
【００４９】
モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが正回転を始めることによって、回転センサ６が回転信号を発生し、回転センサ６が発生したパルス信号がパルス信号入力ブロック８を介して制御ブロック１３に取り込まれ、パルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴにおいて計数される。
【００５０】
ウインドガラス３０が開側に移動された後、開スイッチがオフ切換えされると、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが停止する。
【００５１】
開スイッチ２がオフ切換えされると、ステップ１０１においての判別で「開スイッチ２はオンしていない」のでステップ１０２に移行し、ステップ１０２においての判別で「閉スイッチ３はオンしていない」のでステップ１０３に移行し、ステップ１０３においての判別で「ワンタッチ開フラグはセットされていない」のでステップ１０４に移行し、ステップ１０４においての判別で「ワンタッチ閉フラグはセットされていない」のでステップ１０５に移行し、ステップ１０５においての判別で「メモリ書き込み完了フラグＦＭＷＲＥＮＤはセットされていない」のでステップ１０６に移行する。
【００５２】
ステップ１０６が実行されることにより書き込みルーチンが実行され、ステップ１２０においての判別で「メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷはセットされていない」ので、ステップ１２１に移行し、ステップ１２１において「メモリ書き込み完了フラグをリセット」してステップ１２２に移行し、ステップ１２２において「書き込みインターバルタイマＴＭ１をクリア」してステップ１２３に移行し、ステップ１２３において「ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴをクリア（メモリ書き込みの初期設定）」してステップ１２４に移行し、ステップ１２４において「メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷをセット」してステップ１２５に移行する。
【００５３】
このとき、ステップ１２４において「メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷがセットされる」ため、以降のルーチンからはステップ１２０からステップ１２５にスキップする。
【００５４】
ステップ１２５においての判別で「書き込みインターバルタイマＴＭ１が予め定められたインターバル時間を越えたか否か」の判別が行われる。インターバル時間を越えるまでのあいだはステップ１２５からＥＮＤに移行する。一方、書き込みインターバルタイマＴＭ１が予め定められたインターバル時間を越えたら、ステップ１２６に移行する。
【００５５】
ステップ１２５から移行したステップ１２６において「ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内でＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴによって定められた番地にパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴより与えられた回転信号数（ガラス位置データ）でのメモリ書き込み」が行われてステップ１２７に移行し、ステップ１２７において「ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴをインクリメント」してステップ１２８に移行し、ステップ１２８において「書き込みインターバルタイマＴＭ１をクリア」してステップ１２９に移行し、ステップ１２９において「ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴが最大値Ｎになっているか否か」が判別される。
【００５６】
ステップ１２９においての判別で「ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴが最大値Ｎになった」ら、ステップ１３０に移行する一方、「ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴが最大値Ｎになるまで」の間はステップ１３０、ステップ１３１をスキップする。
【００５７】
ステップ１２９から移行したステップ１３０において「メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷをリセット」してステップ１３１に移行し、ステップ１３１において「メモリ書き込み完了フラグＦＭＷＲＥＮＤをセット」し、ＭＥＭ書き込みルーチンを終了し、スイッチ信号取り込みルーチンのステップ１０７に移行する。
【００５８】
ステップ１０７においてメモリブロックへの書き込みが終了したので、メモリ消去フラグＦＭＥＲＡＳＥをリセットする。
【００５９】
上述したように、開スイッチ２がオン切換えされてから、オフ切換えされたときに、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭへのガラス位置データの書き込みが行われる。
【００６０】
そして、開スイッチ２がオン切換えされた際、開スイッチ２のオン時間が予め定められた時間よりも長いと、開スイッチ２がオフ切換えされた後も他のプログラムによってワンタッチ開フラグがセットされるため、ステップ１０１での判別でステップ１０２に移行し、ステップ１０２においての判別でステップ１０３に移行し、ステップ１０３においての判別でワンタッチ開フラグがセットされているため、ステップ１０８に移行し、ステップ１０９、ステップ１１０、ステップ１１１、ステップ１１２に移行するルーチンを実行し、制御ブロック１３（第１の出力ポートＤ１）よりモータ駆動出力ブロック７の第１のスイッチングトランジスタＴＲ１のベースにハイレベルが与えられ続け、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが正回転を続けて、ウインドガラス３０が開く側に移動し続けるワンタッチ動作が行われる。
【００６１】
そして、ウインドガラス３０が開側に移動され、全開位置Ｄに到達すると、ウインドガラス３０が移動を阻止されることによって、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが正回転を拘束されてロックされるため、ワンタッチ開フラグがリセットされ、ステップ１０１においての判別でステップ１０２に移行し、ステップ１０２においての判別でステップ１０３に移行し、ステップ１０３においての判別でステップ１０４に移行し、ステップ１０４においての判別でステップ１０５に移行し、ステップ１０５においての判別でメモリ書き込み完了フラグＦＭＷＲＥＮＤはセットされていないのでステップ１０６に移行する。
【００６２】
ステップ１０６が実行されることにより書き込みルーチンが実行され、ステップ１２０においての判別で「メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷはセットされていない」ので、ステップ１２１に移行し、ステップ１２１において「メモリ書き込み完了フラグをリセット」してステップ１２２に移行し、ステップ１２２において「書き込みインターバルタイマＴＭ１をクリア」してステップ１２３に移行し、ステップ１２３において「ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴをクリア（メモリ書き込みの初期設定）」してステップ１２４に移行し、ステップ１２４において「メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷをセット」してステップ１２５に移行する。
【００６３】
このとき、ステップ１２４において「メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷがセット」されるため、以降のルーチンからはステップ１２０からステップ１２５にスキップする。
【００６４】
ステップ１２５においての判別で「書き込みインターバルタイマＴＭ１が予め定められたインターバル時間を越えたか否か」の判別が行われる。インターバル時間を越えるまでのあいだはステップ１２５からＥＮＤに移行する。一方、書き込みインターバルタイマＴＭ１が予め定められたインターバル時間を越えたら、ステップ１２６に移行する。
【００６５】
ステップ１２５から移行したステップ１２６において「ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内でＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴによって定められた番地にパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴより与えられた回転信号数（ガラス位置データ）でのメモリ書き込み」が行われてステップ１２７に移行し、ステップ１２７において「ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴをインクリメント」してステップ１２８に移行し、ステップ１２８において「書き込みインターバルタイマＴＭ１をクリア」してステップ１２９に移行し、ステップ１２９において「ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴが最大値Ｎになっているか否か」が判別される。
【００６６】
ステップ１２９においての判別で「ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴが最大値Ｎになった」ら、ステップ１３０に移行する一方、「ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴが最大値Ｎになるまで」の間はステップ１３０、ステップ１３１をスキップする。
【００６７】
ステップ１２９から移行したステップ１３０において「メモリ書き込み中フラグＦＭＷＲＮＯＷをリセット」してステップ１３１に移行し、ステップ１３１において「メモリ書き込み完了フラグＦＭＷＲＥＮＤをセット」し、ＭＥＭ書き込みルーチンを終了し、スイッチ信号取り込みルーチンのステップ１０７に移行する。
【００６８】
ステップ１０７において「メモリブロックへの書き込みが終了した」ので、「メモリ消去フラグＦＭＥＲＡＳＥをリセット」する。
【００６９】
上述したように、ワンタッチ開フラグがリセットされたときに、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭへのガラス位置データの書き込みが行われる。
【００７０】
他方、図３に示される時刻Ａにおいて閉スイッチ３がオン切換えされた場合、ステップ１０１においての判別で「開スイッチ２はオン切換えされていない」のでステップ１０２に移行し、ステップ１０２においての判別で「閉スイッチ３はオン切換えされている」のでステップ１０８に移行し、上述と同様にしてステップ１０８、ステップ１０９、ステップ１１０、ステップ１１２を実行し、ウインドガラス３０が閉側に移動された後、開スイッチ２がオフ切換えされることによって、上述と同様にしてステップ１０１、ステップ１０２、ステップ１０３、ステップ１０４、ステップ１０５、ステップ１０６、ステップ１２０、ステップ１２１、ステップ１２２、ステップ１２３、ステップ１２４、ステップ１２５、ステップ１２６、ステップ１２７、ステップ１２８、ステップ１２９、ステップ１３０、ステップ１３１、ステップ１０７を実行する。
【００７１】
この場合も、閉スイッチ３がオン切換えされてから、オフ切換えされたときに、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭへのガラス位置データの書き込みが行われる。
【００７２】
そして、閉スイッチ３がオン切換えされた際、閉スイッチ３のオン時間が予め定められた時間よりも長いと、他のプログラムによってワンタッチ閉フラグがセットされるため、ステップ１０１での判別でステップ１０２に移行し、ステップ１０２においての判別でステップ１０３に移行し、ステップ１０３においての判別でステップ１０４に移行し、ステップ１０４においての判別でステップ１０８に移行し、ステップ１０８、ステップ１０９、ステップ１１０、ステップ１１１、ステップ１１２を実行し、ウインドガラス３０が閉側に移動され、全閉位置Ｅに到達すると、ウインドガラス３０が移動を阻止されることによって、モータ５のモータシャフト５ｃが回転を拘束されると、ワンタッチ閉フラグがリセットされることによって、上述と同様にしてステップ１０１、ステップ１０２、ステップ１０３、ステップ１０４、ステップ１０５、ステップ１０６、ステップ１０７、ステップ１２０、ステップ１２１、ステップ１２２、ステップ１２３、ステップ１２４、ステップ１２５、ステップ１２６、ステップ１２７、ステップ１２８、ステップ１２９、ステップ１３０、ステップ１３１、ステップ１０７を実行する。
【００７３】
この場合も、ワンタッチ閉フラグがリセットされたときに、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭへのガラス位置データの書き込みが行われる。
【００７４】
上述したように、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭへのガラス位置データの書き込みは、電源スイッチ２０がオン切換えされた後にオフ切換えされる以前に、モータ電圧が低下していないときに行われる。
【００７５】
【発明の効果】
以上説明してきたように、この発明の請求項１に係わるモータ制御装置によれば、不揮発性メモリは、開スイッチまたは閉スイッチが閉成された後に開成された際毎にモータ回転検出手段よりの回転信号を位置データに変換して電気的に書き込んでいるため、モータの電圧が低下していないときに位置データの書き込みが既に行われている。それ故、開スイッチまたは閉スイッチが閉成された後に開成された際毎にモータ回転検出手段よりの回転信号を位置データに変換して電気的に書き込んでいるため、モータの電圧が低下していないときに、連続的に位置データの書き込みが行われている。それ故、モータが停止するまで位置データの書き込みを継続して行えるようにするための大容量のコンデンサを必要とせずに、電源スイッチが再投入された際に現在位置の推定が誤差なしにして容易に行える。よって、大容量のコンデンサを必要とすることなく確実に位置データの書き込みができて、コンパクトな外形を得ることができること及び不揮発性メモリは、開スイッチまたは閉スイッチが閉成されたとき毎に不揮発性メモリに書き込まれている位置データが制御ブロックによって消去され、その後に、開スイッチまたは閉スイッチが開成されたとき毎に新たな位置データが制御ブロックによって書き込まれる。よって、開スイッチ、閉スイッチの動作に応じて常に最新の位置データが得られるという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に係わるモータ制御装置の一実施例のブロック構成図である。
【図２】図１に示したモータ制御装置の具体的回路図である。
【図３】図１に示したモータ制御装置においてのタイミングチャートである。
【図４】図１に示したモータ制御装置においての制御動作を説明するフローチャートである。
【図５】図１に示したモータ制御装置においての制御動作を説明するフローチャートである。
【図６】従来のモータ制御装置においてのタイミングチャートである。
【符号の説明】
１ モータ制御装置
２ 開スイッチ
３ 閉スイッチ
５ モータ
６ （モータ回転検出手段）回転センサ
７ （駆動回路）モータ駆動ブロック
１３ 制御ブロック
２０ 電源スイッチ、ＩＧスイッチ、イグニションスイッチ
３０ （負荷）ウインドガラス
ＭＣＵ （コントローラ）中央処理回路
ＭＥＭ （不揮発性メモリ）ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロック
ＶＢ モータ電圧
Claims (1)
- 電源に電気的に接続される電源スイッチと、上記電源スイッチに電気的に接続された駆動回路と、上記駆動回路に電気的に接続されているとともに負荷に結合され、駆動回路の作動により該負荷を開側または閉側に駆動するモータと、上記モータの回転により回転信号を発生するモータ回転検出手段と、閉じられることにより下降指令信号を発生する開スイッチと、閉じられることにより上昇指令信号を発生する閉スイッチと、上記電源スイッチ、駆動回路、モータ回転検出手段、開スイッチ、閉スイッチにそれぞれ電気的に接続され、該開スイッチより下降指令信号が与えられると、駆動回路を通じ負荷を開側に駆動するとともに、該閉スイッチより上昇指令信号が与えられると、駆動回路を通じ負荷を閉側に駆動しかつ上記開スイッチまたは上記閉スイッチが閉じられたとき毎に不揮発性メモリに書き込まれている位置データを消去し、該開スイッチまたは閉スイッチが開かれたとき毎に新たな位置データを不揮発性メモリに複数個連続的に書き込み可能な制御ブロックを備えたコントローラと、上記開スイッチまたは閉スイッチが閉じられた後に開かれた際毎に該モータ回転検出手段よりの回転信号を位置データに変換して電気的に複数個連続的に書き込み可能な不揮発性メモリを備えていることを特徴とするモータ制御装置。
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