JP2000164631A - バンプ付電子部品の実装方法 - Google Patents
バンプ付電子部品の実装方法Info
- Publication number
- JP2000164631A JP2000164631A JP10337177A JP33717798A JP2000164631A JP 2000164631 A JP2000164631 A JP 2000164631A JP 10337177 A JP10337177 A JP 10337177A JP 33717798 A JP33717798 A JP 33717798A JP 2000164631 A JP2000164631 A JP 2000164631A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- flux
- electronic component
- bump
- electronic components
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/81009—Pre-treatment of the bump connector or the bonding area
- H01L2224/81024—Applying flux to the bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フラックスを均一に塗布して不具合を減少さ
せることができるバンプ付電子部品実装方法を提供する
ことを目的とする。 【解決手段】 基板１の電極２に半田バンプが形成され
た電子部品を半田接合により実装するバンプ付電子部品
の実装方法において、基板１へのフラックス塗布に先だ
って、表面をプラズマ処理により表面活性化処理する。
表面活性化処理された基板表面にフラックスを塗布して
電子部品を搭載し、その後リフローにより電子部品を基
板１の電極２に半田接合する。これにより、基板表面の
フラックスに対する濡れ性を向上させ、均一なフラック
ス塗膜を形成して、塗膜の不均一さに起因する接合不具
合を減少させることができる。
せることができるバンプ付電子部品実装方法を提供する
ことを目的とする。 【解決手段】 基板１の電極２に半田バンプが形成され
た電子部品を半田接合により実装するバンプ付電子部品
の実装方法において、基板１へのフラックス塗布に先だ
って、表面をプラズマ処理により表面活性化処理する。
表面活性化処理された基板表面にフラックスを塗布して
電子部品を搭載し、その後リフローにより電子部品を基
板１の電極２に半田接合する。これにより、基板表面の
フラックスに対する濡れ性を向上させ、均一なフラック
ス塗膜を形成して、塗膜の不均一さに起因する接合不具
合を減少させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半田バンプが形成
された電子部品を基板に実装するバンプ付電子部品の実
装方法に関するものである。
された電子部品を基板に実装するバンプ付電子部品の実
装方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子部品の実装方法として、フリップチ
ップなどのように電子部品に半田の突出電極である半田
バンプを形成し、この半田バンプを基板の電極に半田接
合する方法が知られている。この半田バンプ付の電子部
品の実装に際しては、搭載時に電子部品を仮固定する目
的および半田接合性を確保する目的で、電極上にフラッ
クスを塗布することが行われる。従来半田接合後には洗
浄により腐食性のフラックス残渣を除去することが一般
に行われていたが、近年この洗浄工程を必要としない無
洗浄用フラックスが用いられるようになっている。この
無洗浄用フラックスは、ロジンなどの活性作用を有する
固形成分をアルコール系の揮発性溶剤に含有させたもの
であり、固形成分の量を極力少なく抑えることにより、
半田接合後の洗浄を不要にすることを可能にしている。
ップなどのように電子部品に半田の突出電極である半田
バンプを形成し、この半田バンプを基板の電極に半田接
合する方法が知られている。この半田バンプ付の電子部
品の実装に際しては、搭載時に電子部品を仮固定する目
的および半田接合性を確保する目的で、電極上にフラッ
クスを塗布することが行われる。従来半田接合後には洗
浄により腐食性のフラックス残渣を除去することが一般
に行われていたが、近年この洗浄工程を必要としない無
洗浄用フラックスが用いられるようになっている。この
無洗浄用フラックスは、ロジンなどの活性作用を有する
固形成分をアルコール系の揮発性溶剤に含有させたもの
であり、固形成分の量を極力少なく抑えることにより、
半田接合後の洗浄を不要にすることを可能にしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、アルコール
系の揮発性溶剤は基板表面での濡れ性が低く、基板表面
上において均一に広がりにくいという特性を有してい
る。このため上述の無洗浄用フラックスを基板に塗布し
た際には、部分的にフラックスが殆ど存在しない部分
や、反対にフラックスが凝集して塗膜が過大になる部分
など、塗布状態にばらつきが発生する。このため、加熱
により半田接合を行うリフロー過程において、半田バン
プが電極と正常に接合されない接合不良や、過大な塗膜
内の気泡がリフロー時に突沸することにより生じる電子
部品の位置ずれなど、フラックス塗膜の不均一に起因す
る不具合が発生するという問題点があった。このような
問題は、固形成分を含まないフラックスにおいても同様
に生じる。
系の揮発性溶剤は基板表面での濡れ性が低く、基板表面
上において均一に広がりにくいという特性を有してい
る。このため上述の無洗浄用フラックスを基板に塗布し
た際には、部分的にフラックスが殆ど存在しない部分
や、反対にフラックスが凝集して塗膜が過大になる部分
など、塗布状態にばらつきが発生する。このため、加熱
により半田接合を行うリフロー過程において、半田バン
プが電極と正常に接合されない接合不良や、過大な塗膜
内の気泡がリフロー時に突沸することにより生じる電子
部品の位置ずれなど、フラックス塗膜の不均一に起因す
る不具合が発生するという問題点があった。このような
問題は、固形成分を含まないフラックスにおいても同様
に生じる。
【０００４】そこで本発明は、フラックスを均一に塗布
して不具合を減少させることができるバンプ付電子部品
の実装方法を提供することを目的とする。
して不具合を減少させることができるバンプ付電子部品
の実装方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のバンプ付
電子部品の実装方法は、基板の電極に半田バンプが形成
された電子部品を半田接合により実装するバンプ付電子
部品の実装方法であって、前記基板の電極側表面を表面
活性化処理する工程と、この表面活性化処理された基板
表面にフラックスを塗布する工程と、フラックスが塗布
された基板上に前記電子部品を搭載する工程と、この電
子部品が搭載された基板を加熱することにより電子部品
を基板の電極に半田接合する工程とを含む。
電子部品の実装方法は、基板の電極に半田バンプが形成
された電子部品を半田接合により実装するバンプ付電子
部品の実装方法であって、前記基板の電極側表面を表面
活性化処理する工程と、この表面活性化処理された基板
表面にフラックスを塗布する工程と、フラックスが塗布
された基板上に前記電子部品を搭載する工程と、この電
子部品が搭載された基板を加熱することにより電子部品
を基板の電極に半田接合する工程とを含む。
【０００６】請求項２記載のバンプ付電子部品の実装方
法は、請求項１記載のバンプ付電子部品実装方法であっ
て、前記表面活性化処理は、プラズマ処理またはオゾン
洗浄処理である。
法は、請求項１記載のバンプ付電子部品実装方法であっ
て、前記表面活性化処理は、プラズマ処理またはオゾン
洗浄処理である。
【０００７】本発明によれば、フラックス塗布に先立っ
て基板の電極側表面を表面活性化処理することにより、
基板表面のフラックスに対する濡れ性を向上させ、均一
なフラックス塗膜を形成することができる。
て基板の電極側表面を表面活性化処理することにより、
基板表面のフラックスに対する濡れ性を向上させ、均一
なフラックス塗膜を形成することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を図面を
参照して説明する。図１（ａ），（ｂ），（ｃ），
（ｄ）、図２（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は本発明
の一実施の形態のバンプ付電子部品実装方法の工程説明
図である。図１（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）、図２
（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は実装方法を工程順に
示すものである。
参照して説明する。図１（ａ），（ｂ），（ｃ），
（ｄ）、図２（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は本発明
の一実施の形態のバンプ付電子部品実装方法の工程説明
図である。図１（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）、図２
（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は実装方法を工程順に
示すものである。
【０００９】図１（ａ）において、エポキシ樹脂系の基
板１上には電極２が形成されている。電極２は銅などの
良導体の金属上にメッキにより金膜を形成したものであ
る。基板１の電極２以外の部分は、電気的絶縁、回路保
護、半田付着防止のためにドライフィルムまたはソルダ
ーレジスト等と呼ばれる樹脂製の膜で覆われている。使
用される樹脂としては、アクリル系や、エポキシ系の樹
脂が用いられる。この樹脂製の膜は、フラックスに対す
る濡れ性が劣化している。したがってこの基板１は、表
面活性化処理を目的としてプラズマ処理工程に送られ
る。
板１上には電極２が形成されている。電極２は銅などの
良導体の金属上にメッキにより金膜を形成したものであ
る。基板１の電極２以外の部分は、電気的絶縁、回路保
護、半田付着防止のためにドライフィルムまたはソルダ
ーレジスト等と呼ばれる樹脂製の膜で覆われている。使
用される樹脂としては、アクリル系や、エポキシ系の樹
脂が用いられる。この樹脂製の膜は、フラックスに対す
る濡れ性が劣化している。したがってこの基板１は、表
面活性化処理を目的としてプラズマ処理工程に送られ
る。
【００１０】図１（ｂ）に示すように、基板１はプラズ
マ処理装置３の電極４上に載置される。蓋部材５と電極
４によって閉囲される処理室７内を真空排気した後に酸
素ガスなどのプラズマ発生用ガスを導入し、次いで電極
４に高周波電源部６により高周波電圧を印加することに
より、処理室７内にはプラズマが発生する。このプラズ
マにより発生したイオンや電子により基板１の表面は活
性化処理される。この活性化処理は後述するように基板
１表面の樹脂製の膜に対するフラックスの濡れ性を向上
させることを目的として行われるものである。
マ処理装置３の電極４上に載置される。蓋部材５と電極
４によって閉囲される処理室７内を真空排気した後に酸
素ガスなどのプラズマ発生用ガスを導入し、次いで電極
４に高周波電源部６により高周波電圧を印加することに
より、処理室７内にはプラズマが発生する。このプラズ
マにより発生したイオンや電子により基板１の表面は活
性化処理される。この活性化処理は後述するように基板
１表面の樹脂製の膜に対するフラックスの濡れ性を向上
させることを目的として行われるものである。
【００１１】次に、図１（ｃ）に示すように基板１の表
面にはフラックスが塗布される。ディスペンサ８によっ
て液状のフラックス９を基板１上に滴下させる。ここで
用いられるフラックス９は、アルコール系の揮発性溶剤
にロジンなどの活性作用を有する固形成分を含有させた
ものであり、半田接合後の洗浄工程の省略を目的として
固形成分の含有量を極力少なくしている。このような性
状のフラックスは一般に薄く均一な塗膜を形成すること
が困難であるが、前述のように基板１の表面はあらかじ
め表面活性処理が行われて濡れ性が改善されているた
め、図１（ｄ）に示すように基板１の表面に膜厚１０〜
３０μｍ程度の薄い均一なフラックス９の塗膜を形成す
ることができる。
面にはフラックスが塗布される。ディスペンサ８によっ
て液状のフラックス９を基板１上に滴下させる。ここで
用いられるフラックス９は、アルコール系の揮発性溶剤
にロジンなどの活性作用を有する固形成分を含有させた
ものであり、半田接合後の洗浄工程の省略を目的として
固形成分の含有量を極力少なくしている。このような性
状のフラックスは一般に薄く均一な塗膜を形成すること
が困難であるが、前述のように基板１の表面はあらかじ
め表面活性処理が行われて濡れ性が改善されているた
め、図１（ｄ）に示すように基板１の表面に膜厚１０〜
３０μｍ程度の薄い均一なフラックス９の塗膜を形成す
ることができる。
【００１２】次に基板１にはバンプ付の電子部品１０が
搭載される。図２（ａ）に示すように、半田バンプ１２
が形成された電子部品１０は吸着ツール１１によって保
持され、半田バンプ１２を電極２に位置合わせして電子
部品１０を下降させることにより、基板１上に搭載され
る。これにより、図２（ｂ）に示すように半田バンプ１
２はフラックス９の粘着力によって保持され、電子部品
１０は基板１に仮固定される。このとき、基板１表面に
はフラックス９の塗膜が均一に形成されているため、ば
らつきなく良好な仮固定が行われる。
搭載される。図２（ａ）に示すように、半田バンプ１２
が形成された電子部品１０は吸着ツール１１によって保
持され、半田バンプ１２を電極２に位置合わせして電子
部品１０を下降させることにより、基板１上に搭載され
る。これにより、図２（ｂ）に示すように半田バンプ１
２はフラックス９の粘着力によって保持され、電子部品
１０は基板１に仮固定される。このとき、基板１表面に
はフラックス９の塗膜が均一に形成されているため、ば
らつきなく良好な仮固定が行われる。
【００１３】この後基板１はリフロー工程に送られ、図
２（ｃ）に示すようにここで加熱されることにより半田
バンプ１２は溶融し電極２に半田接合される。このと
き、フラックス９中の固形成分の活性作用により半田バ
ンプ１２表面の酸化膜が除去され、良好な半田接合が行
われる。これにより図２（ｄ）に示すように電子部品１
０は基板１に半田接合によって実装される。このリフロ
ー過程において、フラックス９中の揮発性分は蒸発し、
半田接合後には固形成分９ａのみが残留する。この固形
成分はフラックス９中の含有量を極力抑えているためわ
ずかな量であり、したがって半田接合後の洗浄を省略す
ることができる。
２（ｃ）に示すようにここで加熱されることにより半田
バンプ１２は溶融し電極２に半田接合される。このと
き、フラックス９中の固形成分の活性作用により半田バ
ンプ１２表面の酸化膜が除去され、良好な半田接合が行
われる。これにより図２（ｄ）に示すように電子部品１
０は基板１に半田接合によって実装される。このリフロ
ー過程において、フラックス９中の揮発性分は蒸発し、
半田接合後には固形成分９ａのみが残留する。この固形
成分はフラックス９中の含有量を極力抑えているためわ
ずかな量であり、したがって半田接合後の洗浄を省略す
ることができる。
【００１４】次に、フラックス塗布に先立って行われる
表面活性化処理の効果について、実験結果に即して説明
する。この実験は、０．２ｍｍピッチで９００個のＰｂ
−Ｓｎ共晶半田のバンプが設けられた電子部品を対象と
して行われたものであり、接合対象は表面にフラッシュ
メッキによって金膜が形成された電極を有する基板を用
いている。電極以外の基板の表面は、エポキシ樹脂系の
ドライフィルムで覆われたものを使用した。フラックス
塗布前の活性化処理としては、前述のプラズマ処理を行
っている。プラズマ処理条件としては、酸素ガスをプラ
ズマ発生用ガスとし、１０ｐａの圧力下で５００Ｗの高
周波電源出力により１０秒間の処理を行っている。この
後、実施例中に示すフラックス９と同様のものを塗布し
たのちに前述の電子部品を搭載した後に、基板をホット
プレート上に置き２００゜Ｃにて３分間の加熱を行って
いる。
表面活性化処理の効果について、実験結果に即して説明
する。この実験は、０．２ｍｍピッチで９００個のＰｂ
−Ｓｎ共晶半田のバンプが設けられた電子部品を対象と
して行われたものであり、接合対象は表面にフラッシュ
メッキによって金膜が形成された電極を有する基板を用
いている。電極以外の基板の表面は、エポキシ樹脂系の
ドライフィルムで覆われたものを使用した。フラックス
塗布前の活性化処理としては、前述のプラズマ処理を行
っている。プラズマ処理条件としては、酸素ガスをプラ
ズマ発生用ガスとし、１０ｐａの圧力下で５００Ｗの高
周波電源出力により１０秒間の処理を行っている。この
後、実施例中に示すフラックス９と同様のものを塗布し
たのちに前述の電子部品を搭載した後に、基板をホット
プレート上に置き２００゜Ｃにて３分間の加熱を行って
いる。
【００１５】（表１）は、上記実験によって、フラック
スの塗布量を変化させながら半田接合後の接合率（正常
に接合されたピンの百分率）を、プラズマ処理を行った
ものと未処理のものとについて比較したものである。
スの塗布量を変化させながら半田接合後の接合率（正常
に接合されたピンの百分率）を、プラズマ処理を行った
ものと未処理のものとについて比較したものである。
【００１６】
【表１】
【００１７】（表１）に示す実験結果から判るように、
プラズマ処理を行わない基板では、特定のフラックス塗
布量を塗布した場合のみに良好な接合率が得られ、それ
以外では不良ピンが多数発生しているのに対し、プラズ
マ処理を行った場合には、ほぼ全てのフラックス塗布量
範囲について良好な接合率が得られている。アクリル系
のソルダーレジストを用いた基板についても同様な実験
を行い、（表１）とほぼ同様な結果を得た。
プラズマ処理を行わない基板では、特定のフラックス塗
布量を塗布した場合のみに良好な接合率が得られ、それ
以外では不良ピンが多数発生しているのに対し、プラズ
マ処理を行った場合には、ほぼ全てのフラックス塗布量
範囲について良好な接合率が得られている。アクリル系
のソルダーレジストを用いた基板についても同様な実験
を行い、（表１）とほぼ同様な結果を得た。
【００１８】（表２）はこの実験と併せて行われた、プ
ラズマ処理による濡れ性の変化を確認する実験の結果を
示している。
ラズマ処理による濡れ性の変化を確認する実験の結果を
示している。
【００１９】
【表２】
【００２０】この結果から判るように、プラズマ処理の
有無によって、ソルダーレジストおよびドライフィルム
のいずれについても純水の接触角は大幅に変化してお
り、すなわちプラズマ処理によって接触角は大幅に減少
し濡れ性が向上していることが判る。このことから、前
述の接合率の向上は、プラズマ処理によって表面が活性
化され、濡れ性が向上することによるものと判断でき
る。すなわち、濡れ性が改善されることにより、フラッ
クスが基板の表面に適正な塗布厚で均一に塗布される結
果、部分的にフラックスが塗布されない部分が生じるこ
とによる接合不良や、塗膜が厚い部分に生じやすい気泡
がリフロー時に突沸することによって生じる不具合な
ど、正常な半田接合を阻害する要因が排除される。これ
により、無洗浄を目的とした液状のフラックスを使用し
た場合においても、良好な半田接合性を確保することが
できる。
有無によって、ソルダーレジストおよびドライフィルム
のいずれについても純水の接触角は大幅に変化してお
り、すなわちプラズマ処理によって接触角は大幅に減少
し濡れ性が向上していることが判る。このことから、前
述の接合率の向上は、プラズマ処理によって表面が活性
化され、濡れ性が向上することによるものと判断でき
る。すなわち、濡れ性が改善されることにより、フラッ
クスが基板の表面に適正な塗布厚で均一に塗布される結
果、部分的にフラックスが塗布されない部分が生じるこ
とによる接合不良や、塗膜が厚い部分に生じやすい気泡
がリフロー時に突沸することによって生じる不具合な
ど、正常な半田接合を阻害する要因が排除される。これ
により、無洗浄を目的とした液状のフラックスを使用し
た場合においても、良好な半田接合性を確保することが
できる。
【００２１】なお、表面活性化処理として本実施の形態
ではプラズマ処理を行う例を示しているが、これ以外に
も紫外線照射によってオゾンを発生させるオゾン洗浄を
用いても良い。この方法によっても基板表面は改質さ
れ、フラックスに対する濡れ性を向上させることができ
る。また基板の材質として、エポキシ樹脂以外にもアク
リル系やポリイミド系の樹脂、さらに酸化珪素や窒化珪
素などのセラミックを使用してもよい。さらに本発明で
は、アルコール系のフラックスを例に説明しているが、
それ以外のフラックスで基板表面に対する濡れ性が良好
でないものを使用する場合にも、本発明が適用できる。
ではプラズマ処理を行う例を示しているが、これ以外に
も紫外線照射によってオゾンを発生させるオゾン洗浄を
用いても良い。この方法によっても基板表面は改質さ
れ、フラックスに対する濡れ性を向上させることができ
る。また基板の材質として、エポキシ樹脂以外にもアク
リル系やポリイミド系の樹脂、さらに酸化珪素や窒化珪
素などのセラミックを使用してもよい。さらに本発明で
は、アルコール系のフラックスを例に説明しているが、
それ以外のフラックスで基板表面に対する濡れ性が良好
でないものを使用する場合にも、本発明が適用できる。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、フラックス塗布に先立
って基板の電極側表面を表面活性化処理するようにした
ので、基板表面のフラックスに対する濡れ性を向上さ
せ、均一なフラックス塗膜を形成することができ、した
がって塗膜の不均一に起因する接合不具合を減少させる
ことができる。
って基板の電極側表面を表面活性化処理するようにした
ので、基板表面のフラックスに対する濡れ性を向上さ
せ、均一なフラックス塗膜を形成することができ、した
がって塗膜の不均一に起因する接合不具合を減少させる
ことができる。
【図１】（ａ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部
品実装方法の工程説明図 （ｂ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部品実装方
法の工程説明図 （ｃ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部品実装方
法の工程説明図 （ｄ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部品実装方
法の工程説明図
品実装方法の工程説明図 （ｂ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部品実装方
法の工程説明図 （ｃ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部品実装方
法の工程説明図 （ｄ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部品実装方
法の工程説明図
【図２】（ａ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部
品実装方法の工程説明図 （ｂ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部品実装方
法の工程説明図 （ｃ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部品実装方
法の工程説明図 （ｄ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部品実装方
法の工程説明図
品実装方法の工程説明図 （ｂ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部品実装方
法の工程説明図 （ｃ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部品実装方
法の工程説明図 （ｄ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部品実装方
法の工程説明図
１ 基板 ２ 電極 ３ プラズマ処理装置 ９ フラックス １０ 電子部品 １２ 半田バンプ
Claims (2)
- 【請求項１】基板の電極に半田バンプが形成された電子
部品を半田接合により実装するバンプ付電子部品の実装
方法であって、前記基板の電極側表面を表面活性化処理
する工程と、この表面活性化処理された基板表面にフラ
ックスを塗布する工程と、フラックスが塗布された基板
上に前記電子部品を搭載する工程と、この電子部品が搭
載された基板を加熱することにより電子部品を基板の電
極に半田接合する工程とを含むことを特徴とするバンプ
付電子部品の実装方法。 - 【請求項２】前記表面活性化処理は、プラズマ処理また
はオゾン洗浄処理であることを特徴とする請求項１記載
のバンプ付電子部品の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33717798A JP3591344B2 (ja) | 1998-11-27 | 1998-11-27 | バンプ付電子部品の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33717798A JP3591344B2 (ja) | 1998-11-27 | 1998-11-27 | バンプ付電子部品の実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000164631A true JP2000164631A (ja) | 2000-06-16 |
| JP3591344B2 JP3591344B2 (ja) | 2004-11-17 |
Family
ID=18306180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33717798A Expired - Fee Related JP3591344B2 (ja) | 1998-11-27 | 1998-11-27 | バンプ付電子部品の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3591344B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6776810B1 (en) | 2002-02-11 | 2004-08-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Anionic abrasive particles treated with positively charged polyelectrolytes for CMP |
| JP2007027227A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2007189210A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-07-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フリップチップ型半導体装置の組立方法及びその方法を用いて製作された半導体装置 |
| JP2014123752A (ja) * | 2009-06-11 | 2014-07-03 | Qualcomm Inc | タイトピッチのフリップチップ集積回路のパッケージを作る方法 |
| US10350713B2 (en) | 2015-12-22 | 2019-07-16 | International Business Machines Corporation | No clean flux composition and methods for use thereof |
-
1998
- 1998-11-27 JP JP33717798A patent/JP3591344B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6776810B1 (en) | 2002-02-11 | 2004-08-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Anionic abrasive particles treated with positively charged polyelectrolytes for CMP |
| US7306637B2 (en) | 2002-02-11 | 2007-12-11 | Cabot Microelectronics Corporation | Anionic abrasive particles treated with positively charged polyelectrolytes for CMP |
| JP2007027227A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2007189210A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-07-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フリップチップ型半導体装置の組立方法及びその方法を用いて製作された半導体装置 |
| JP2014123752A (ja) * | 2009-06-11 | 2014-07-03 | Qualcomm Inc | タイトピッチのフリップチップ集積回路のパッケージを作る方法 |
| US10350713B2 (en) | 2015-12-22 | 2019-07-16 | International Business Machines Corporation | No clean flux composition and methods for use thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3591344B2 (ja) | 2004-11-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6742701B2 (en) | Bump forming method, presoldering treatment method, soldering method, bump forming apparatus, presoldering treatment device and soldering apparatus | |
| JP2527278B2 (ja) | 無融剤はんだ付け方法 | |
| JP2009111399A (ja) | リフロー法 | |
| US20100159645A1 (en) | Semiconductor apparatus and process of production thereof | |
| JP2012033518A (ja) | 接合構造体製造方法および加熱溶融処理方法ならびにこれらのシステム | |
| KR100745628B1 (ko) | 칩 실장 방법 | |
| JPH11214441A (ja) | バンプ付電子部品の実装方法 | |
| JP2000349194A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
| JP3591344B2 (ja) | バンプ付電子部品の実装方法 | |
| US6722557B2 (en) | Flux cleaning method and method of manufacturing semiconductor device | |
| US20110014785A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor manufacturing apparatus used in said method | |
| TW466639B (en) | Bump forming method, soldering pretreatment method, soldering method, bump forming device, soldering pretreatment device and soldering device | |
| JP2000174059A (ja) | 電子部品の実装方法 | |
| JP2003234370A (ja) | 電子部品の接続方法及びそれにより得られた接続構造体 | |
| JP3376861B2 (ja) | バンプ付きワークの実装方法 | |
| KR20010053616A (ko) | 전자 부품을 기판에 납땜하는 리플로 솔더링 방법 및 장치 | |
| JP2000031187A (ja) | 半田接合方法および半田接合用の熱硬化性樹脂 | |
| JP3543573B2 (ja) | 電子部品の実装方法およびチップの実装方法 | |
| JP3395609B2 (ja) | 半田バンプ形成方法 | |
| JP2004006818A (ja) | リフロー法とソルダペースト | |
| JP2000133679A (ja) | バンプ付電子部品の実装方法および実装体 | |
| JP3872318B2 (ja) | 半田バンプ形成方法および半田バンプ接合構造 | |
| JP2002368044A (ja) | はんだボール付電子部品の組立方法及び電子部品 | |
| JP2000049450A (ja) | 電子部品の半田付け方法 | |
| JP3500132B2 (ja) | フリップチップ実装方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040127 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040319 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040803 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040816 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080903 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080903 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090903 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090903 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100903 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110903 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120903 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |